KR101251748B1 - Coating processing method, computer-readable recording medium having program for executing the method, and coating processing apparatus - Google Patents

Coating processing method, computer-readable recording medium having program for executing the method, and coating processing apparatus Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판의 전체면에 각종 도포액을 도포할 때에, 기판의 전체면을 도포액으로 피복하는 데 필요한 도포액의 액량을 삭감할 수 있는 도포 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
회전하는 기판의 표면에 도포액을 공급하고, 공급된 도포액을 기판의 외주측으로 확산시킴으로써, 기판의 표면에 도포액을 도포하는 도포 처리 방법에 있어서, 회전하는 기판의 표면에 도포액을 공급하는 공급 위치를, 외주측으로 확산되는 도포액의 이동에 따라 외주측으로 이동시키면서, 도포액을 기판의 표면에 공급하는 공급 공정(S17)을 포함한다.An object of the present invention is to provide a coating treatment method capable of reducing the liquid amount of the coating liquid required to coat the entire surface of the substrate with the coating liquid when the various coating liquids are applied to the entire surface of the substrate.
A coating treatment method for applying a coating liquid to a surface of a substrate by supplying a coating liquid to a surface of a rotating substrate and diffusing the supplied coating liquid to the outer peripheral side of the substrate, wherein the coating liquid is supplied to the surface of the rotating substrate. A supply process (S17) which supplies a coating liquid to the surface of a board | substrate, moving a supply position to an outer peripheral side according to the movement of the coating liquid spread | diffused to an outer peripheral side is included.

Description

도포 처리 방법, 그 도포 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체, 및 도포 처리 장치{COATING PROCESSING METHOD, COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM HAVING PROGRAM FOR EXECUTING THE METHOD, AND COATING PROCESSING APPARATUS}COATING PROCESSING METHOD, COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM HAVING PROGRAM FOR EXECUTING THE METHOD, AND COATING PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 기판에 도포액을 도포 처리하는 도포 처리 방법, 그 도포 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체 및 도포 처리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a coating processing method for coating a coating liquid on a substrate, a recording medium on which a program for executing the coating processing method is recorded, and a coating processing apparatus.

반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 예컨대 반도체 웨이퍼 등의 기판(이하, 단순히 「웨이퍼」라고 함) 상에, 도포 처리, 노광 처리 및 현상 처리 등을 순차적으로 실시함으로써, 미리 정해진 레지스트 패턴이 형성된다. 도포 처리에서는, 레지스트액을 도포하고, 도포된 레지스트액을 열처리함으로써 레지스트막을 형성한다. 노광 처리에서는, 형성된 레지스트막을 미리 정해진 패턴으로 노광한다. 현상 처리에서는, 노광된 레지스트막을 현상한다.In the photolithography step in the manufacturing process of a semiconductor device, for example, a predetermined resist is formed by sequentially performing a coating process, an exposure process, a developing process, and the like on a substrate (hereinafter simply referred to as a "wafer") such as a semiconductor wafer. A pattern is formed. In a coating process, a resist liquid is apply | coated and a resist film is formed by heat-processing the apply | coated resist liquid. In the exposure process, the formed resist film is exposed in a predetermined pattern. In the development treatment, the exposed resist film is developed.

전술한 도포 처리에서는, 고속 회전하고 있는 웨이퍼 표면의 중심에 노즐로부터 레지스트액을 공급하고, 원심력에 의해 웨이퍼의 외주측으로 레지스트액을 확산시킴으로써 웨이퍼의 표면에 레지스트액을 도포하는, 소위 스핀 도포법이 자주 이용되고 있다. 스핀 도포법에 있어서, 레지스트액을 균일하게 도포하는 방법으로서, 예컨대 웨이퍼를 고회전수로 회전시키는 공정과, 그 후, 웨이퍼의 회전수를 일단 저하시키는 공정과, 그 후, 웨이퍼의 회전수를 다시 상승시키는 공정을 포함하는 방법이 제안되어 있다(특허문헌 1 참조). 특허문헌 1에 개시되는 방법에서는, 웨이퍼를 고회전수로 회전시키고, 고회전수로 회전하는 웨이퍼의 표면에 레지스트액을 공급한다. 그 후, 웨이퍼의 회전수를 일단 저하시킴으로써, 웨이퍼의 표면에 공급된 레지스트액을 평탄화한다. 그 후, 웨이퍼의 회전수를 다시 상승시킴으로써, 웨이퍼의 표면 위에서 평탄화된 레지스트액을 건조시킨다.In the above-described coating treatment, a so-called spin coating method in which the resist liquid is supplied to the center of the wafer surface which is rotating at high speed, and the resist liquid is applied to the outer circumferential side of the wafer by centrifugal force is applied to the surface of the wafer. Frequently used. In the spin coating method, a method of uniformly applying a resist liquid, for example, rotating a wafer at a high rotational speed, then lowering the rotational speed of the wafer once, and then rotating the wafer again A method including a step of raising is proposed (see Patent Document 1). In the method disclosed in Patent Literature 1, the wafer is rotated at a high rotational speed, and a resist liquid is supplied to the surface of the wafer rotating at the high rotational speed. Thereafter, the rotation speed of the wafer is lowered once to planarize the resist liquid supplied to the surface of the wafer. Thereafter, the rotation speed of the wafer is raised again to dry the resist liquid flattened on the surface of the wafer.

또한, 전술한 방법을 변경한 방법도 제안되어 있다(특허문헌 2 참조). 특허문헌 2에 개시되는 방법에서는, 회전수를 일단 저하시키는 공정 도중까지 계속해서 웨이퍼 표면에 레지스트액을 공급하고, 그 레지스트액의 공급을 종료할 때에, 노즐의 이동에 의해 레지스트액의 공급 위치가 웨이퍼 표면의 중앙으로부터 벗어나게 된다.Moreover, the method which changed the method mentioned above is also proposed (refer patent document 2). In the method disclosed in Patent Literature 2, the resist liquid is continuously supplied to the wafer surface until the rotational speed is lowered once, and when the supply of the resist liquid is finished, the supply position of the resist liquid is changed by the movement of the nozzle. Away from the center of the wafer surface.

일본 특허 공개 제2007-115936호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2007-115936 일본 특허 공개 제2009-78250호 공보Japanese Patent Publication No. 2009-78250

그런데, 전술한 바와 같은 도포 처리에 의해 웨이퍼의 표면에 레지스트액 등의 도포액을 도포하는 경우, 다음과 같은 문제가 있다.By the way, when apply | coating coating liquids, such as a resist liquid, to the surface of a wafer by the above-mentioned coating process, there exist the following problems.

회전하는 웨이퍼 표면의 중심에 레지스트액을 공급하면, 공급된 레지스트액은 원심력에 의해 웨이퍼의 외주측으로 확산된다. 그러나, 종래의 방법에 따르면, 레지스트액이 웨이퍼의 외주측으로 확산됨에 따라 레지스트액의 외주에서의 단위 면적당 레지스트액의 액량이 감소되어 충분한 원심력을 얻을 수 없게 된다. 충분한 원심력을 얻을 수 없으면, 레지스트액은 웨이퍼 표면의 외주까지 확산될 수 없다. 따라서, 웨이퍼의 전체면을 레지스트액으로 피복할 수 없다.When the resist liquid is supplied to the center of the rotating wafer surface, the supplied resist liquid diffuses to the outer peripheral side of the wafer by centrifugal force. However, according to the conventional method, as the resist liquid is diffused to the outer circumferential side of the wafer, the liquid amount of the resist liquid per unit area at the outer circumference of the resist liquid is reduced so that a sufficient centrifugal force cannot be obtained. If sufficient centrifugal force cannot be obtained, the resist liquid cannot diffuse to the outer periphery of the wafer surface. Therefore, the entire surface of the wafer cannot be covered with a resist liquid.

이러한 도포 처리에 있어서 웨이퍼의 전체면을 레지스트액으로 피복하기 위해서는, 웨이퍼의 표면에 공급하는 액량을 보다 많게 해야만 한다. 따라서, 웨이퍼의 전체면을 레지스트액으로 피복하는 데 필요한 레지스트액의 액량을 삭감할 수 없다.In such a coating process, in order to cover the whole surface of a wafer with a resist liquid, the amount of liquid supplied to the surface of a wafer must be made larger. Therefore, the liquid amount of the resist liquid required for covering the entire surface of the wafer with the resist liquid cannot be reduced.

또한, 레지스트액뿐만 아니라, 예컨대 레지스트액을 도포하기 전에 도포하는 용제 또는 반사 방지막을 형성하기 위한 도포액 등, 웨이퍼의 표면에 도포되는 각종 도포액을 도포 처리하는 경우에도, 전술한 바와 동일한 문제가 있다. 즉, 종래의 도포 처리에서는, 웨이퍼의 전체면을 각종 도포액으로 피복하는 데 필요한 도포액의 액량을 삭감할 수 없다.In addition, the same problems as described above also apply when not only the resist liquid, but also various coating liquids applied to the surface of the wafer, such as a solvent to be applied before applying the resist liquid or a coating liquid for forming an antireflection film. have. That is, in the conventional coating process, the liquid amount of the coating liquid required for covering the entire surface of the wafer with various coating liquids cannot be reduced.

본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로서, 웨이퍼의 전체면에 각종 도포액을 도포 처리할 때에, 웨이퍼의 전체면을 도포액으로 피복하는 데 필요한 도포액의 액량을 삭감할 수 있는 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치를 제공한다.This invention is made | formed in view of the point mentioned above, and when apply | coating various coating liquids to the whole surface of a wafer, the coating process method which can reduce the liquid amount of the coating liquid required to coat | cover the whole surface of a wafer with a coating liquid. And a coating apparatus.

상기한 과제를 해결하기 위해서 본 발명에서는, 다음에 설명하는 수단을 강구한 것을 특징으로 한다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, in this invention, the means demonstrated next is taken.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 회전하는 기판의 표면에 도포액을 공급하고, 공급된 도포액을 상기 기판의 외주측으로 확산시킴으로써, 상기 기판의 표면에 도포액을 도포하는 도포 처리 방법에 있어서, 회전하는 상기 기판의 표면에 상기 도포액을 공급하는 공급 위치를, 상기 외주측으로 확산되는 상기 도포액의 이동에 따라 상기 외주측으로 이동시키면서, 상기 도포액을 상기 기판의 표면에 공급하는 공급 공정을 포함하며, 상기 공급 공정은, 회전하는 상기 기판의 표면의 중심에 상기 도포액을 공급하고, 공급된 상기 도포액을 상기 외주측으로 확산시키며, 확산되는 상기 도포액이 상기 기판의 외주에 도달하기 전에, 상기 기판의 표면이며 상기 도포액이 도포된 영역에 포함되도록, 회전하는 상기 기판의 회전수를 유지한 채로, 상기 기판의 표면의 중심으로부터 상기 외주측을 향해 정해진 위치까지 상기 공급 위치를 이동시키는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법이 제공된다.According to an embodiment of the present invention, in the coating treatment method for applying a coating liquid to the surface of the substrate by supplying a coating liquid to the surface of the rotating substrate, and spreading the supplied coating liquid to the outer peripheral side of the substrate, And a supply step of supplying the coating liquid to the surface of the substrate while moving the supply position for supplying the coating liquid to the surface of the rotating substrate to the outer peripheral side in accordance with the movement of the coating liquid diffused to the outer peripheral side. Wherein the supplying step supplies the coating liquid to the center of the surface of the rotating substrate, diffuses the supplied coating liquid to the outer circumferential side, and before the spreading coating liquid reaches the outer circumference of the substrate, The surface of the substrate while maintaining the rotational speed of the rotating substrate so as to be a surface of the substrate and included in a region to which the coating liquid is applied This coating process characterized in that for moving the feeding position is provided from the center to a predetermined position toward the outer peripheral side.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 회전하는 기판의 표면에 도포액을 공급하고, 공급된 도포액을 상기 기판의 외주측으로 확산시킴으로써, 상기 기판의 표면에 도포액을 도포하는 도포 처리 장치에 있어서, 기판을 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판을 유지한 상기 기판 유지부를 회전시키는 회전부와, 상기 회전부에 의해 회전하는 상기 기판 유지부에 유지된 상기 기판의 표면에 상기 도포액을 공급하는 공급부와, 상기 공급부를 이동시키는 이동부와, 상기 이동부, 상기 공급부 및 상기 회전부의 동작을 제어하는 제어부를 갖고, 상기 제어부는, 상기 공급부를 이용하여 상기 기판의 표면의 중심에 상기 도포액을 공급하고, 상기 회전부를 이용하여 상기 도포액을 상기 외주측으로 확산시키며, 상기 이동부를 이용하여, 확산되는 상기 도포액이 상기 기판의 외주에 도달하기 전에, 상기 기판의 표면이며 상기 도포액이 도포된 영역에 포함되도록, 회전하는 상기 기판의 회전수를 유지한 채로, 상기 기판의 표면의 중심으로부터 상기 외주측을 향해 정해진 위치까지 상기 공급 위치를 이동시키는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치가 제공된다.In addition, according to one embodiment of the present invention, by supplying a coating liquid to the surface of the rotating substrate, and spreading the supplied coating liquid to the outer peripheral side of the substrate, to a coating treatment apparatus for applying the coating liquid to the surface of the substrate A supply portion for supplying the coating liquid to a substrate holding portion for holding a substrate, a rotating portion for rotating the substrate holding portion for holding the substrate, and a surface of the substrate held in the substrate holding portion rotated by the rotating portion. And a moving part for moving the supply part, and a control part for controlling operations of the moving part, the supply part, and the rotating part, wherein the control part supplies the coating liquid to the center of the surface of the substrate using the supply part. And spread the coating liquid toward the outer circumferential side by using the rotating part, and spread the coating liquid by using the moving part. Before reaching the outer circumference of the substrate, the position determined from the center of the surface of the substrate toward the outer circumferential side while maintaining the rotational speed of the rotating substrate so that the surface of the substrate is included in the region to which the coating liquid is applied. A coating treatment apparatus is provided, which moves the supply position up to.

본 발명에 따르면, 웨이퍼의 전체면에 각종 도포액을 도포할 때에, 웨이퍼의 전체면을 도포액으로 피복하는 데 필요한 도포액의 액량을 삭감할 수 있다.According to the present invention, when applying various coating liquids to the entire surface of the wafer, the liquid amount of the coating liquid required to coat the entire surface of the wafer with the coating liquid can be reduced.

도 1은 실시형태에 따른 도포 처리 장치가 탑재된 도포 현상 처리 시스템의 구성을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 도포 현상 처리 시스템의 구성을 개략적으로 나타내는 정면도이다.
도 3은 도포 현상 처리 시스템의 구성을 개략적으로 나타내는 배면도이다.
도 4는 실시형태에 따른 레지스트 도포 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 종단면의 설명도이다.
도 5는 레지스트 도포 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 횡단면의 설명도이다.
도 6은 실시형태에 따른 레지스트 도포 처리 프로세스의 메인 공정을 나타내는 흐름도이다.
도 7은 실시형태에 따른 레지스트 도포 처리 프로세스의 각 공정에서의 웨이퍼의 회전수를 나타내는 그래프이다.
도 8은 실시형태에 따른 레지스트 도포 처리 프로세스의 각 공정에서의 웨이퍼의 표면 상태를 나타내는 도면이다.
도 9는 실시형태에 따른 레지스트 도포 처리 프로세스의 각 공정에서의 웨이퍼의 표면 상태를 나타내는 도면이다.
도 10은 비교예에 따른 레지스트 도포 처리 프로세스의 메인 공정을 나타내는 흐름도이다.
도 11은 비교예에 따른 레지스트도포 처리 프로세스의 각 공정에서의 웨이퍼의 표면 상태를 나타내는 도면이다.
도 12는 실시형태 및 비교예에 따른 공급 공정에 있어서의 웨이퍼의 표면에서 확산되는 레지스트액의 분포를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 13은 실시형태의 변형예에 따른 레지스트 도포 처리 프로세스의 메인 공정을 나타내는 흐름도이다.
도 14는 실시형태의 변형예에 따른 레지스트 도포 처리 프로세스의 각 공정에서의 웨이퍼의 회전수를 나타내는 그래프이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view which shows schematically the structure of the coating | coating development system which the coating processing apparatus which concerns on embodiment is mounted.
2 is a front view schematically showing the configuration of a coating and developing treatment system.
3 is a rear view schematically showing the configuration of the coating and developing treatment system.
4 is an explanatory view of a longitudinal section schematically showing the configuration of a resist coating apparatus according to the embodiment.
5 is an explanatory diagram of a cross section schematically showing the configuration of a resist coating apparatus.
6 is a flowchart showing the main process of the resist coating processing process according to the embodiment.
It is a graph which shows the rotation speed of the wafer in each process of the resist coating process which concerns on embodiment.
It is a figure which shows the surface state of the wafer in each process of the resist coating process which concerns on embodiment.
It is a figure which shows the surface state of the wafer in each process of the resist coating process which concerns on embodiment.
10 is a flowchart showing the main process of the resist coating processing process according to the comparative example.
It is a figure which shows the surface state of the wafer in each process of the resist coating process which concerns on a comparative example.
It is sectional drawing which shows typically the distribution of the resist liquid spread | diffused on the surface of the wafer in the supply process which concerns on embodiment and a comparative example.
It is a flowchart which shows the main process of the resist coating processing process which concerns on the modification of embodiment.
It is a graph which shows the rotation speed of the wafer in each process of the resist coating process which concerns on the modification of embodiment.

다음에, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서 도면과 함께 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Next, the form for implementing this invention is demonstrated with drawing.

(실시형태)(Embodiments)

처음에, 도 1 내지 도 12를 참조하여 실시형태에 따른 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치에 대해서 설명한다.First, the coating processing method and the coating processing apparatus which concern on embodiment with reference to FIGS. 1-12 are demonstrated.

먼저, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 실시형태에 따른 도포 처리 장치가 탑재된 도포 현상 처리 시스템에 대해서 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 도포 처리 장치가 탑재된 도포 현상 처리 시스템의 구성을 개략적으로 나타내는 평면도이다. 도 2는 도포 현상 처리 시스템을 개략적으로 나타내는 정면도이다. 도 3은 도포 현상 처리 시스템을 개략적으로 나타내는 배면도이다.First, with reference to FIGS. 1-3, the coating-development processing system in which the coating processing apparatus which concerns on this embodiment is mounted is demonstrated. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view which shows schematically the structure of the coating | coated development process system in which the coating process apparatus which concerns on this embodiment is mounted. 2 is a front view schematically showing a coating and developing treatment system. 3 is a rear view schematically showing a coating and developing treatment system.

도포 현상 처리 시스템(1)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 예컨대 카세트 스테이션(2), 처리 스테이션(3) 및 인터페이스 스테이션(4)이 일체로 접속된 구성을 갖는다. 카세트 스테이션(2)은 외부로부터 도포 현상 처리 시스템(1)에 대하여 복수 장의 웨이퍼(W)를 카세트 단위로 반입 및 반출하기 위한 것이다. 처리 스테이션(3)은 포토리소그래피 공정 시에 매엽식으로 미리 정해진 처리를 수행하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한다. 인터페이스 스테이션(4)은 처리 스테이션(3)에 인접해 있고, 노광 장치(5)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 것이다.The coating and developing processing system 1 has a configuration in which, for example, the cassette station 2, the processing station 3, and the interface station 4 are integrally connected as shown in FIG. 1. The cassette station 2 is for carrying in and taking out a plurality of wafers W in cassette units from the outside with respect to the coating and developing processing system 1. The processing station 3 is provided with a plurality of various processing apparatuses which perform predetermined processing by a single sheet during the photolithography process. The interface station 4 is adjacent to the processing station 3 and transfers the wafer W between the exposure apparatus 5.

카세트 스테이션(2)에는, 카세트 배치대(10)가 설치되고, 이 카세트 배치대(10)에는, 복수의 카세트(C)를 X 방향(도 1에서의 상하 방향)으로 일렬로 배치할 수 있다. 카세트 스테이션(2)에는, 반송로(11) 위에서 X 방향을 따라 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(12)가 설치된다. 웨이퍼 반송 장치(12)는 카세트(C)에 수용된 웨이퍼(W)의 배열 방향(Z 방향; 수직 방향)으로도 이동 가능하며, 카세트(C) 내의 복수 장의 웨이퍼(W)에 대하여 선택적으로 액세스할 수 있다. 또한, 웨이퍼 반송 장치(12)는 수직 방향의 축 주위(θ 방향)로 회전 가능하고, 후술하는 처리 스테이션(3)의 제3 처리 장치군(G3)의 각 처리 장치에 대하여 액세스하여 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The cassette station 2 is provided with a cassette mounting table 10, and in this cassette mounting table 10, a plurality of cassettes C can be arranged in a line in the X direction (up and down direction in FIG. 1). . The cassette station 2 is provided with a wafer transfer device 12 that is movable along the X direction on the transfer path 11. The wafer transfer device 12 is also movable in the arrangement direction (Z direction; vertical direction) of the wafer W accommodated in the cassette C, and selectively accesses a plurality of wafers W in the cassette C. Can be. Moreover, the wafer conveyance apparatus 12 is rotatable about the axis | shaft ((theta) direction) of a perpendicular direction, and has access to each processing apparatus of the 3rd processing apparatus group G3 of the processing station 3 mentioned later, and the wafer W ) Can be returned.

처리 스테이션(3)은 복수의 처리 장치가 다단으로 배치된, 예컨대 5개의 처리 장치군(G1∼G5)을 포함한다. 처리 스테이션(3)의 X 방향의 마이너스 방향(도 1에서의 아래 방향)측에는, 카세트 스테이션(2)측으로부터 인터페이스 스테이션(4)측을 향해 제1 처리 장치군(G1) 및 제2 처리 장치군(G2)이 차례로 배치된다. 처리 스테이션(3)의 X 방향의 플러스 방향(도 1에서의 위 방향)측에는, 카세트 스테이션(2)측으로부터 인터페이스 스테이션(4)측을 향해 제3 처리 장치군(G3), 제4 처리 장치군(G4) 및 제5 처리 장치군(G5)이 차례로 배치된다. 제3 처리 장치군(G3)과 제4 처리 장치군(G4) 사이에는 제1 반송 장치(20)가 설치된다. 제1 반송 장치(20)는 제1 처리 장치군(G1), 제3 처리 장치군(G3) 및 제4 처리 장치군(G4) 내의 각 장치에 대하여 선택적으로 액세스하여 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 제4 처리 장치군(G4)과 제5 처리 장치군(G5) 사이에는 제2 반송 장치(21)가 설치된다. 제2 반송 장치(21)는 제2 처리 장치군(G2), 제4 처리 장치군(G4) 및 제5 처리 장치군(G5) 내의 각 장치에 대하여 선택적으로 액세스하여 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The processing station 3 includes, for example, five processing device groups G1 to G5 in which a plurality of processing devices are arranged in multiple stages. On the negative direction (downward direction in FIG. 1) side of the processing station 3 in the X direction, the first processing device group G1 and the second processing device group are directed from the cassette station 2 side toward the interface station 4 side. (G2) are arranged one by one. On the positive direction (upward direction in FIG. 1) side of the processing station 3 in the X direction, the third processing device group G3 and the fourth processing device group from the cassette station 2 side toward the interface station 4 side. (G4) and 5th processing apparatus group G5 are arrange | positioned one by one. The 1st conveying apparatus 20 is provided between 3rd processing apparatus group G3 and 4th processing apparatus group G4. The first conveying apparatus 20 may selectively access each device in the first processing apparatus group G1, the third processing apparatus group G3, and the fourth processing apparatus group G4 to convey the wafer W. Can be. The 2nd conveying apparatus 21 is provided between 4th processing apparatus group G4 and 5th processing apparatus group G5. The second transfer device 21 selectively transfers the wafers W by selectively accessing each device in the second processing device group G2, the fourth processing device group G4, and the fifth processing device group G5. Can be.

도 2에 도시된 바와 같이, 제1 처리 장치군(G1)에는, 웨이퍼(W)에 미리 정해진 액체를 공급하여 처리하는 액처리 장치, 예컨대 레지스트 도포 장치(COT)(30, 31, 32) 및 하부 코팅 장치(BARC)(33, 34)가 아래에서부터 차례로 5단으로 중첩되어 있다. 하부 코팅 장치(33, 34)는 노광 처리시의 광 반사를 방지하는 반사 방지막을 형성하는 것이다.As shown in FIG. 2, the first processing apparatus group G1 includes a liquid processing apparatus for supplying and processing a predetermined liquid to the wafer W, such as a resist coating apparatus (COT) 30, 31, 32, and Bottom coating devices (BARC) 33, 34 are stacked in five stages from the bottom in order. The lower coating devices 33 and 34 form an antireflection film that prevents light reflection during the exposure process.

또한, 레지스트 도포 장치(30, 31, 32)는 본 발명에 있어서의 도포 처리 장치에 해당한다.In addition, the resist coating apparatuses 30, 31, and 32 correspond to the coating processing apparatus in this invention.

제2 처리 장치군(G2)에는, 액처리 장치, 예컨대 현상 처리 장치(DEV)(40∼44)가 아래에서부터 차례로 5단으로 중첩되어 있다. 현상 처리 장치(40∼44)는 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하여 현상 처리하는 것이다.In the 2nd processing apparatus group G2, the liquid processing apparatus, for example, image development processing apparatus (DEV) 40-44 is superimposed in five steps from the bottom. The development apparatuses 40-44 supply and develop a developing solution to the wafer W, and develop.

제1 처리 장치군(G1) 및 제2 처리 장치군(G2)의 최하단에는, 케미컬실(CHM)(50, 51)이 각각 마련되어 있다. 케미컬실(50, 51)은 각 처리 장치군(G1, G2) 내의 액처리 장치에 각종 처리액을 공급하는 것이다.Chemical chambers (CHMs) 50 and 51 are provided at the lowermost ends of the first processing device group G1 and the second processing device group G2, respectively. The chemical chambers 50 and 51 supply various processing liquids to the liquid processing apparatus in each processing apparatus group G1 and G2.

도 3에 도시된 바와 같이, 제3 처리 장치군(G3)에는, 온도 조절 장치(CPL)(60), 트랜지션 장치(TRS)(61), 온도 조절 장치(CPL)(62∼64) 및 가열 처리 장치(BAKE)(65∼68)가 아래에서부터 차례로 9단으로 중첩되어 있다. 온도 조절 장치(60, 62∼64)는 웨이퍼(W)를 온도 조절판 상에 배치하여 웨이퍼(W)를 온도 조절하는 것이다. 트랜지션 장치(61)는 웨이퍼(W)를 전달하는 것이다. 가열 처리 장치(65∼68)는 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 것이다.As shown in FIG. 3, the third processing apparatus group G3 includes a temperature controller (CPL) 60, a transition device (TRS) 61, a temperature controller (CPL) 62 to 64, and heating. Processing apparatuses (BAKE) 65 to 68 are stacked in nine stages in order from the bottom. The temperature regulating devices 60, 62-64 arrange | position the wafer W on a temperature control plate, and temperature control the wafer W. FIG. The transition device 61 transfers the wafer W. As shown in FIG. The heat processing apparatus 65-68 heat-processes the wafer W. As shown in FIG.

제4 처리 장치군(G4)에는, 예컨대 온도 조절 장치(CPL)(70), 프리 베이크 장치(PAB)(71∼74) 및 포스트 베이크 장치(POST)(75∼79)가 아래에서부터 차례로 10단으로 중첩되어 있다. 프리 베이크 장치(71∼74)는 레지스트 도포 처리 후에 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 것이다. 포스트 베이크 장치(75∼79)는 현상 처리 후에 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 것이다.In the fourth processing device group G4, for example, the temperature control device (CPL) 70, the pre-baking device (PAB) 71 to 74, and the post-baking device (POST) 75 to 79 are 10 steps in order from the bottom. Nested The prebaking apparatuses 71-74 heat-process the wafer W after a resist coating process. The post-baking apparatus 75-79 heat-processes the wafer W after the image development process.

제5 처리 장치군(G5)에는, 웨이퍼(W)를 열처리하는 복수의 열처리 장치, 예컨대 온도 조절 장치(CPL)(80∼83) 및 노광 후 베이크 장치(PEB)(84∼89)가 아래에서부터 차례로 10단으로 중첩되어 있다. 노광 후 베이크 장치(84∼89)는 노광 후에 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 것이다.In the fifth processing apparatus group G5, a plurality of heat treatment apparatuses for heat treating the wafer W, for example, temperature control apparatuses (CPL) 80 to 83 and post-exposure bake apparatuses (PEBs) 84 to 89 are provided from below. In turn, they are stacked in 10 levels. The post-exposure bake apparatuses 84-89 heat-process the wafer W after exposure.

도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 반송 장치(20)의 X 방향의 플러스 방향측에는, 복수의 처리 장치, 예컨대 어드히젼 장치(AD)(90, 91)가 아래에서부터 차례로 2단으로 중첩되어 있다. 어드히젼 장치(90, 91)는 웨이퍼(W)를 소수화 처리하는 것이다. 또한, 제2 반송 장치(21)의 X 방향의 플러스 방향측에는, 예컨대 주변 노광 장치(WEE)(92)가 배치된다. 주변 노광 장치(92)는 웨이퍼(W)의 엣지부만을 선택적으로 노광하는 것이다.1 and 3, on the positive direction side of the first conveying device 20 in the X-direction, a plurality of processing devices, for example, the adsorbing devices (AD) 90 and 91 are sequentially arranged in two stages from the bottom. Nested. The advice apparatuses 90 and 91 hydrophobize the wafer W. As shown in FIG. In addition, the peripheral exposure apparatus (WEE) 92 is arrange | positioned, for example in the positive direction side of the 2nd conveying apparatus 21 in the X direction. The peripheral exposure apparatus 92 selectively exposes only the edge portion of the wafer W. As shown in FIG.

도 1에 도시된 바와 같이, 인터페이스 스테이션(4)에는, 예컨대 웨이퍼 반송 장치(101)와, 버퍼 카세트(102)가 설치된다. 웨이퍼 반송 장치(101)는 X 방향으로 연신되는 반송로(100) 위에서 이동한다. 또한, 웨이퍼 반송 장치(101)는 Z 방향으로 이동 가능하고 또한 θ 방향으로도 회전 가능하며, 인터페이스 스테이션(4)에 인접한 노광 장치(5)와, 버퍼 카세트(102) 및 제5 처리 장치군(G5)의 각 장치에 대하여 액세스하여 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.As shown in FIG. 1, the interface station 4 is provided with, for example, a wafer transfer device 101 and a buffer cassette 102. The wafer conveyance apparatus 101 moves on the conveyance path 100 extended in the X direction. The wafer conveying apparatus 101 is movable in the Z direction and also rotatable in the θ direction, and includes an exposure apparatus 5 adjacent to the interface station 4, a buffer cassette 102 and a fifth processing apparatus group ( Each device of G5) can be accessed and the wafer W can be conveyed.

또한, 본 실시형태에 있어서의 노광 장치(5)는, 예컨대 액침 노광 처리를 수행하는 것으로서, 웨이퍼(W)의 표면에 액체, 예컨대 순수의 액막을 체류시킨 상태에서 상기 순수의 액막을 개재하여 웨이퍼(W) 표면의 레지스트막을 노광할 수 있다.In addition, the exposure apparatus 5 in this embodiment performs a liquid immersion exposure process, for example, through the liquid film | membrane of the pure water through the liquid film | membrane in the state which retained the liquid film | membrane, such as the pure water liquid film, on the surface of the wafer W. (W) The resist film on the surface can be exposed.

다음에, 도 4 및 도 5를 참조하여 본 실시형태에 따른 레지스트 도포 장치(30∼32)의 구성에 대해서 설명한다. 도 4는 레지스트 도포 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 종단면의 설명도이고, 도 5는 레지스트 도포 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 횡단면의 설명도이다.Next, with reference to FIG. 4 and FIG. 5, the structure of the resist coating apparatus 30-32 which concerns on this embodiment is demonstrated. 4 is an explanatory view of a longitudinal section schematically showing the configuration of the resist coating apparatus, and FIG. 5 is an explanatory view of a cross section schematically showing the configuration of the resist coating apparatus.

레지스트 도포 장치(30)는, 예컨대 도 4에 도시된 바와 같이 케이싱(120)을 가지며, 그 케이싱(120) 내의 중앙부에는, 웨이퍼(W)를 유지하는 스핀척(130)이 설치된다. 스핀척(130)은 수평인 상면을 가지며, 이 상면에는, 예컨대 웨이퍼(W)를 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해 웨이퍼(W)를 스핀척(130) 상에 흡착 유지할 수 있다.The resist coating apparatus 30 has the casing 120 as shown in FIG. 4, for example, and the spin chuck 130 holding the wafer W is provided in the center part of the casing 120. As shown in FIG. The spin chuck 130 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking the wafer W is formed on the upper surface, for example. By suction from this suction port, the wafer W can be adsorbed and held on the spin chuck 130.

스핀척(130)은, 예컨대 모터 등을 구비한 척 구동 기구(131)를 가지며, 그 척 구동 기구(131)에 의해 미리 정해진 속도로 회전할 수 있다. 또한, 척 구동 기구(131)에는, 실린더 등의 승강 구동원이 설치되어 있어, 스핀척(130)은 상하 운동 가능하다.The spin chuck 130 has, for example, a chuck drive mechanism 131 provided with a motor or the like, and can be rotated at a predetermined speed by the chuck drive mechanism 131. The chuck drive mechanism 131 is provided with a lift drive source such as a cylinder, and the spin chuck 130 can move up and down.

또한, 스핀척(130)은 본 발명에 있어서의 기판 유지부에 해당하며, 척 구동 기구(131)는 본 발명에 있어서의 회전부에 해당한다.In addition, the spin chuck 130 corresponds to the board | substrate holding part in this invention, and the chuck drive mechanism 131 corresponds to the rotating part in this invention.

또한, 척 구동 기구(131)가 구동하는 스핀척(130)의 회전수는 후술하는 제어부(160)에 의해 제어된다.In addition, the rotation speed of the spin chuck 130 which the chuck drive mechanism 131 drives is controlled by the control part 160 mentioned later.

스핀척(130)의 주위에는, 웨이퍼(W)로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아내어 회수하는 컵(132)이 설치된다. 컵(132)의 하면에는, 회수한 액체를 배출하는 배출관(133)과, 컵(132) 내의 분위기를 배기하는 배기관(134)이 접속된다.In the periphery of the spin chuck 130, a cup 132 for collecting and recovering liquid scattering or falling from the wafer W is provided. A discharge pipe 133 for discharging the recovered liquid and an exhaust pipe 134 for exhausting the atmosphere in the cup 132 are connected to the lower surface of the cup 132.

도 5에 도시된 바와 같이 컵(132)의 X 방향의 마이너스 방향(도 5의 아래 방향)측에는, Y 방향(도 5의 좌우 방향)을 따라 연신되는 레일(140)이 형성된다. 레일(140)은, 예컨대 컵(132)의 Y 방향의 마이너스 방향(도 5의 좌측 방향)측의 외측으로부터 Y 방향의 플러스 방향(도 5의 우측 방향)측의 외측까지 형성된다. 레일(140)에는, 예컨대 2개의 아암(141, 142)이 부착된다.As shown in FIG. 5, a rail 140 extending along the Y direction (left and right directions in FIG. 5) is formed on the negative direction (downward direction in FIG. 5) of the cup 132 in the X direction. The rail 140 is formed from the outer side of the negative direction (left direction of FIG. 5) side of the cup 132 to the outer side of the positive direction (right direction of FIG. 5) side of the Y direction, for example. Two arms 141, 142 are attached to the rail 140, for example.

제1 아암(141)에는, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 도포액으로서의 레지스트액을 토출하는 레지스트액 노즐(143)이 지지되어 있다. 제1 아암(141)은 도 5에 도시된 노즐 구동부(144)에 의해 레일(140) 위에서 이동 가능하다. 이에 따라, 레지스트액 노즐(143)은 컵(132)의 Y 방향의 플러스 방향측의 외측에 설치된 대기부(145)로부터 컵(132) 내의 웨이퍼(W)의 거의 중심 위까지 이동할 수 있고, 이 웨이퍼(W)의 표면 위에서 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 더 이동할 수 있다. 또한, 제1 아암(141)은 노즐 구동부(144)에 의해 승강 가능하며, 레지스트액 노즐(143)의 높이를 조정할 수 있다.As shown in FIGS. 4 and 5, a resist liquid nozzle 143 for ejecting a resist liquid as a coating liquid is supported on the first arm 141. The first arm 141 is movable on the rail 140 by the nozzle driver 144 shown in FIG. Thereby, the resist liquid nozzle 143 can move from the standby part 145 provided on the outer side of the positive direction of the cup 132 to the Y-direction up to almost the center of the wafer W in the cup 132, and It is possible to further move in the radial direction of the wafer W on the surface of the wafer (W). In addition, the first arm 141 can be raised and lowered by the nozzle driver 144, and the height of the resist liquid nozzle 143 can be adjusted.

또한, 레지스트액 노즐(143)은 본 발명에 있어서의 공급부에 해당하고, 제1 아암(141)과 노즐 구동부(144)는 본 발명에 있어서의 이동부에 해당한다.In addition, the resist liquid nozzle 143 corresponds to the supply part in this invention, and the 1st arm 141 and the nozzle drive part 144 correspond to the moving part in this invention.

레지스트액 노즐(143)에는, 도 4에 도시된 바와 같이, 레지스트액 공급원(146)과 연통하는 공급관(147)이 접속된다. 본 실시형태에 있어서의 레지스트액 공급원(146)에는, 예컨대 얇은 레지스트막 예컨대 150 ㎚ 이하의 레지스트막을 형성하기 위한 저점도의 레지스트액이 저류된다. 또한, 공급관(147)에는, 밸브(148)가 설치되고, 이 밸브(148)의 개폐에 의해 레지스트액의 토출을 ON·OFF 할 수 있다.As shown in FIG. 4, a supply pipe 147 communicating with the resist liquid supply source 146 is connected to the resist liquid nozzle 143. In the resist liquid supply source 146 in the present embodiment, for example, a low viscosity resist liquid for forming a thin resist film such as a resist film of 150 nm or less is stored. In addition, a valve 148 is provided in the supply pipe 147, and the discharge of the resist liquid can be turned on and off by opening and closing the valve 148.

제2 아암(142)에는, 레지스트액의 용제를 토출하는 용제 노즐(150)이 지지되어 있다. 제2 아암(142)은, 예컨대 도 5에 도시된 노즐 구동부(151)에 의해 레일(140) 위에서 이동 가능하며, 용제 노즐(150)을, 컵(132)의 Y 방향의 마이너스 방향측의 외측에 설치된 대기부(152)로부터 컵(132) 내의 웨이퍼(W)의 거의 중심 위까지 이동시킬 수 있다. 또한, 노즐 구동부(151)에 의해 제2 아암(142)은 승강 가능하여, 용제 노즐(150)의 높이를 조절할 수 있다.The solvent nozzle 150 which discharges the solvent of a resist liquid is supported by the 2nd arm 142. As shown in FIG. The second arm 142 is movable, for example, on the rail 140 by the nozzle drive unit 151 shown in FIG. 5, and moves the solvent nozzle 150 to the negative side of the cup 132 in the negative direction. It is possible to move from the standby portion 152 provided in the upper portion to the center of the wafer W in the cup 132. In addition, the second arm 142 can be raised and lowered by the nozzle drive unit 151 to adjust the height of the solvent nozzle 150.

용제 노즐(150)에는, 도 4에 도시된 바와 같이 용제 공급원(153)과 연통하는 공급관(154)이 접속된다. 또한, 이상의 구성에서는, 레지스트액을 토출하는 레지스트액 노즐(143)과 용제를 토출하는 용제 노즐(150)이 각각의 아암에 지지되어 있다. 그러나, 레지스트액 노즐(143)과 용제 노즐(150)을 동일한 아암에 지지되도록 설치할 수도 있고, 그 아암의 이동을 제어하여 레지스트액 노즐(143)과 용제 노즐(150)의 이동과 토출 타이밍을 제어할 수도 있다.As shown in FIG. 4, a supply pipe 154 communicating with the solvent supply source 153 is connected to the solvent nozzle 150. Moreover, in the above structure, the resist liquid nozzle 143 which discharges a resist liquid, and the solvent nozzle 150 which discharges a solvent are supported by each arm. However, the resist liquid nozzle 143 and the solvent nozzle 150 may be provided to be supported by the same arm, and the movement of the arm is controlled to control the movement and the discharge timing of the resist liquid nozzle 143 and the solvent nozzle 150. You may.

척 구동 기구(131)에 의한 스핀척(130)의 회전 동작은 제어부(160)에 의해 제어된다. 또한, 노즐 구동부(144)에 의한 레지스트액 노즐(143)의 이동 동작, 밸브(148)에 의한 레지스트액 노즐(143)의 레지스트액의 토출의 ON·OFF 동작도 제어부(160)에 의해 제어된다. 기타, 노즐 구동부(151)에 의한 용제 노즐(150)의 이동 동작 등의 구동계의 동작도 제어부(160)에 의해 제어된다. 제어부(160)는, 예컨대 CPU나 메모리 등을 구비한 컴퓨터에 의해 구성되며, 예컨대 메모리에 기억된 프로그램을 실행함으로써, 레지스트 도포 장치(30)의 레지스트 도포 처리를 실현할 수 있다.The rotation operation of the spin chuck 130 by the chuck drive mechanism 131 is controlled by the controller 160. The control unit 160 also controls the movement of the resist liquid nozzle 143 by the nozzle driver 144 and the ON / OFF operation of the ejection of the resist liquid of the resist liquid nozzle 143 by the valve 148. . In addition, operation of the drive system such as the movement operation of the solvent nozzle 150 by the nozzle drive unit 151 is also controlled by the controller 160. The control part 160 is comprised by the computer provided with a CPU, a memory, etc., for example, and can implement the resist coating process of the resist coating apparatus 30 by executing the program stored in the memory, for example.

후술하는 바와 같이, 제어부(160)는 노즐 구동부(144)에 의해 레지스트액 노즐(143)을, 웨이퍼(W)의 외주측으로 확산되는 레지스트액의 이동에 따라 웨이퍼(W)의 외주측으로 이동시키면서, 레지스트액 노즐(143)로부터 레지스트액을 웨이퍼(W)의 표면에 공급하는 것이다.As will be described later, the controller 160 moves the resist liquid nozzle 143 to the outer circumferential side of the wafer W in accordance with the movement of the resist liquid diffused to the outer circumferential side of the wafer W by the nozzle driver 144. The resist liquid is supplied to the surface of the wafer W from the resist liquid nozzle 143.

또한, 레지스트 도포 장치(30)의 레지스트 도포 처리를 실현하기 위한 각종 프로그램은, 예컨대 컴퓨터 판독 가능한 CD 등의 기록 매체에 기록된 것으로서, 그 기록 매체로부터 제어부(160)에 인스톨된 것이 이용된다.The various programs for implementing the resist coating process of the resist coating apparatus 30 are recorded in a recording medium such as a computer readable CD, for example, and are installed in the control unit 160 from the recording medium.

또한, 레지스트 도포 장치(31, 32)의 구성은 전술한 레지스트 도포 장치(30)와 동일하므로, 설명을 생략한다.In addition, since the structure of the resist coating apparatuses 31 and 32 is the same as that of the resist coating apparatus 30 mentioned above, description is abbreviate | omitted.

다음에, 도 6 내지 도 9를 참조하여 이상과 같이 구성된 레지스트 도포 장치(30)에서 수행되는 레지스트 도포 처리 프로세스를, 도포 현상 처리 시스템(1) 전체에서 수행되는 웨이퍼 처리의 프로세스와 함께 설명한다. 도 6은 본 실시형태에 따른 레지스트 도포 처리 프로세스의 메인 공정을 나타내는 흐름도이다. 도 7은 본 실시형태에 따른 레지스트 도포 처리 프로세스의 각 공정에서의 웨이퍼의 회전수를 나타내는 그래프이다. 도 8 및 도 9는 본 실시형태에 따른 레지스트 도포 처리 프로세스의 각 공정에서의 웨이퍼의 표면 상태를 나타내는 도면이다.Next, with reference to FIGS. 6-9, the resist coating process performed by the resist coating apparatus 30 comprised as mentioned above is demonstrated with the process of the wafer process performed in the coating developing processing system 1 whole. 6 is a flowchart showing the main process of the resist coating processing process according to the present embodiment. 7 is a graph showing the rotation speed of the wafer in each step of the resist coating treatment process according to the present embodiment. 8 and 9 are diagrams showing the surface state of the wafer in each step of the resist coating treatment process according to the present embodiment.

또한, 레지스트 도포 처리 프로세스는 본 발명에 있어서의 도포 처리 방법에 해당한다.In addition, a resist coating process corresponds to the coating process in this invention.

도 6 및 도 7에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 있어서의 레지스트 도포 처리 프로세스는, 용제 노즐 이동 공정(단계 S11), 용제 공급 공정(단계 S12), 레지스트액 노즐 이동 공정(단계 S13), 용제 확산 공정(단계 S14), 공급 공정(단계 S15∼단계 S17), 제1 회전 공정(단계 S18), 제2 회전 공정(단계 S19) 및 회전 정지 공정(단계 S20)을 포함한다. 또한, 공급 공정은 중심 공급 공정(단계 S15), 이동 개시 공정(단계 S16) 및 이동 공급 공정(단계 S17)을 포함한다.As shown to FIG. 6 and FIG. 7, the resist coating process in this embodiment is a solvent nozzle movement process (step S11), a solvent supply process (step S12), a resist liquid nozzle movement process (step S13), and a solvent And a diffusion process (step S14), a supply process (steps S15 to S17), a first rotation process (step S18), a second rotation process (step S19), and a rotation stop process (step S20). Moreover, a supply process includes a central supply process (step S15), a movement start process (step S16), and a movement supply process (step S17).

또한, 본 실시형태에 따른 레지스트 도포 처리 프로세스를 실시할 때에, 레지스트 도포 장치(30)의 레지스트 도포 처리를 실행하기 위한 프로그램으로서, 제어부(160)가 제어하는 레시피의 예를 표 1에 나타낸다.In addition, Table 1 shows an example of a recipe controlled by the control unit 160 as a program for executing the resist coating process of the resist coating apparatus 30 when performing the resist coating processing process according to the present embodiment.

Figure 112010082773305-pat00001
Figure 112010082773305-pat00001

표 1에 있어서, 좌측에서 우측에 걸친 각 열은 단계, 시간, 회전수, 웨이퍼의 중심을 기준으로 했을 때의 노즐 위치, 공급되는 도포액을 나타내고 있다.In Table 1, each column from left to right represents a step, a time, a rotation speed, a nozzle position based on the center of a wafer, and the coating liquid supplied.

우선, 도 1에 도시된 웨이퍼 반송 장치(12)에 의해 카세트 배치대(10) 상의 카세트(C) 내에서 미처리 웨이퍼(W)가 1장씩 꺼내어져 처리 스테이션(3)으로 순차적으로 반송된다. 웨이퍼(W)는 처리 스테이션(3)의 제3 처리 장치군(G3)에 속하는 온도 조절 장치(60)로 반송되어 미리 정해진 온도로 온도 조절된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 제1 반송 장치(20)에 의해 예컨대 하부 코팅 장치(34)로 반송되어 반사 방지막이 형성된다. 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는 제1 반송 장치(20)에 의해 예컨대 가열 처리 장치(65), 온도 조절 장치(70)로 순차적으로 반송되어 각 처리 장치의 미리 정해진 처리가 실시된다. 미리 정해진 처리가 실시된 웨이퍼(W)는 제1 반송 장치(20)에 의해 예컨대 레지스트 도포 장치(30)로 반송된다. 레지스트 도포 장치(30)로 반송된 웨이퍼(W)는 도 4에 도시된 바와 같이, 스핀척(130)에 흡착 유지되며, 본 실시형태에 있어서의 레지스트 도포 처리 프로세스가 실시된다.First, by the wafer conveyance apparatus 12 shown in FIG. 1, the unprocessed wafer W is taken out one by one in the cassette C on the cassette mounting base 10, and is conveyed to the processing station 3 sequentially. The wafer W is conveyed to the temperature control apparatus 60 which belongs to the 3rd processing apparatus group G3 of the processing station 3, and is temperature-controlled to predetermined temperature. Thereafter, the wafer W is conveyed to the lower coating device 34 by the first conveying device 20 to form an antireflection film. The wafer W on which the antireflection film is formed is sequentially conveyed to, for example, the heat treatment apparatus 65 and the temperature regulating apparatus 70 by the first transfer apparatus 20, and predetermined processing of each treatment apparatus is performed. The wafer W to which the predetermined process was performed is conveyed to the resist coating apparatus 30 by the 1st conveyance apparatus 20, for example. As shown in FIG. 4, the wafer W conveyed to the resist coating device 30 is adsorbed and held on the spin chuck 130, and the resist coating processing process according to the present embodiment is performed.

처음에, 용제 노즐 이동 공정(단계 S11)을 수행한다. 용제 노즐 이동 공정(단계 S11)에서는, 노즐 구동부(151)에 의해 용제 노즐(150)을 대기부(152)로부터 이동시킨다. 그리고, 도 8의 (a)에 도시된 바와 같이, 용제 노즐(150)을 웨이퍼(W) 의 중심(PC) 위로 이동시킨다.Initially, a solvent nozzle movement process (step S11) is performed. In the solvent nozzle movement step (step S11), the solvent nozzle 150 moves the solvent nozzle 150 from the standby part 152. Then, as shown in FIG. 8A, the solvent nozzle 150 is moved above the center PC of the wafer W. As shown in FIG.

다음에, 용제 공급 공정(단계 S12)을 수행한다. 용제 공급 공정(단계 S12)에서는, 웨이퍼(W) 표면의 중심(PC)에, 예컨대 시너 등으로 이루어진 용제(PW)를 공급한다. 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이, 예컨대 웨이퍼(W)가 정지해 있는 상태에서 용제 노즐(150)로부터 미리 정해진 양의 용제(PW)가 토출되어 웨이퍼(W) 표면의 중심(PC)으로 용제(PW)가 공급된다.Next, a solvent supply process (step S12) is performed. In a solvent supply process (step S12), the solvent PW which consists of thinner etc. is supplied to the center PC of the surface of the wafer W, for example. As shown in FIG. 8B, for example, a predetermined amount of solvent PW is discharged from the solvent nozzle 150 in a state where the wafer W is at rest, thereby causing the center PC of the surface of the wafer W to face. Solvent PW is supplied.

또한, 「중심(PC)」이란, 스핀척(130)에 유지되어 척 구동 기구(131)에 의해 회전 구동되는 웨이퍼(W)의 회전 중심을 의미한다. 또한, 「중심(PC)으로 공급한다」란, 엄밀하게 중심(PC)으로 공급하지 않는 경우, 예컨대 미소 거리만큼 중심(PC)으로부터 떨어진 점에 공급하는 경우도 포함한다. 따라서, 거의 중심으로 공급하면 좋다. 또한, 용제(PW)를 공급하는 경우뿐만 아니라, 레지스트액(R)을 공급하는 경우도 마찬가지이다.In addition, "center (PC)" means the rotation center of the wafer W hold | maintained by the spin chuck 130 and rotationally driven by the chuck drive mechanism 131. In addition, the "supply to the center PC" includes the case of not supplying to the center PC strictly, for example, to supply to a point away from the center PC by a small distance. Therefore, what is necessary is just to supply substantially center. The same applies to not only the case where the solvent PW is supplied but also the case where the resist liquid R is supplied.

다음에, 레지스트액 노즐 이동 공정(단계 S13)을 수행한다. 레지스트액 노즐 이동 공정(단계 S13)에서는, 노즐 구동부(151)에 의해 용제 노즐(150)을 대기부(152)로 이동시키고, 노즐 구동부(144)에 의해 레지스트액 노즐(143)을 대기부(145)로부터 이동시킨다. 그리고, 도 8의 (c)에 도시된 바와 같이, 레지스트액 노즐(143)을 웨이퍼(W)의 중심(PC) 위로 이동시킨다.Next, a resist liquid nozzle movement step (step S13) is performed. In the resist liquid nozzle movement step (step S13), the solvent nozzle 150 is moved to the standby portion 152 by the nozzle driver 151, and the resist liquid nozzle 143 is moved by the nozzle driver 144 to the standby portion ( 145). Then, as shown in FIG. 8C, the resist liquid nozzle 143 is moved above the center PC of the wafer W. As shown in FIG.

다음에, 용제 확산 공정(단계 S14)을 수행한다. 용제 확산 공정(단계 S14)에서는, 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써, 용제(PW)를 웨이퍼(W)의 외주측으로 확산시킨다. 도 8의 (d)에 도시된 바와 같이, 스핀척(130)에 유지된 웨이퍼(W)를, 척 구동 기구(131)에 의해 미리 정해진 시간(TP) 동안 미리 정해진 회전수(VP)로 회전시킨다. 여기서는, 일례로서, 도 7 및 표 1에 나타낸 바와 같이, 미리 정해진 시간(TP)을 예컨대 0.3초로 하고, 미리 정해진 회전수(VP)를 예컨대 2000 rpm으로 할 수 있다. 이에 따라, 공급된 용제(PW)는, 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 전체면으로 확산된다. 그리고, 웨이퍼(W)의 표면에 용제(PW)가 도포된다.Next, a solvent diffusion process (step S14) is performed. In the solvent diffusion process (step S14), the solvent PW is diffused to the outer circumferential side of the wafer W by rotating the wafer W. FIG. As shown in FIG. 8D, the wafer W held by the spin chuck 130 is rotated by the chuck drive mechanism 131 at a predetermined rotation speed VP for a predetermined time TP. Let's do it. Here, as an example, as shown in FIG. 7 and Table 1, the predetermined time TP can be made into 0.3 second, for example, and the predetermined rotation speed VP can be made into 2000 rpm, for example. As a result, the supplied solvent PW diffuses to the entire surface of the wafer W by centrifugal force. And the solvent PW is apply | coated to the surface of the wafer W. As shown in FIG.

다음에, 공급 공정(단계 S15∼단계 S17)을 수행한다.Next, a supply process (steps S15 to S17) is performed.

우선, 중심 공급 공정(단계 S15)을 수행한다. 중심 공급 공정(단계 S15)에서는, 회전하는 웨이퍼(W)의 표면의 중심(PC)에 레지스트액(R)을 공급하고, 공급된 레지스트액(R)을 웨이퍼(W)의 외주측으로 확산시킨다.First, the central supply process (step S15) is performed. In the central supply process (step S15), the resist liquid R is supplied to the center PC of the surface of the rotating wafer W, and the supplied resist liquid R is diffused to the outer circumferential side of the wafer W. As shown in FIG.

스핀척(130)에 유지된 웨이퍼(W)를, 척 구동 기구(131)에 의해 미리 정해진 회전수(VS1)로 회전시킨다. 여기서는, 미리 정해진 회전수(VS1)를, 예컨대 1500∼4000 rpm으로 할 수 있고, 보다 바람직하게는, 표 1에 나타낸 바와 같이, 예컨대 2000 rpm으로 할 수 있다. 예컨대 미리 정해진 회전수(VP, VS1)가 모두 2000 rpm일 때에는, 용제 확산 공정(단계 S14)과 중심 공급 공정(단계 S15) 사이에서 회전수는 변화하지 않는다.The wafer W held by the spin chuck 130 is rotated by the chuck drive mechanism 131 at a predetermined rotational speed VS1. Here, predetermined rotation speed VS1 can be 1500-4000 rpm, for example, More preferably, it can be 2000 rpm, as shown in Table 1, for example. For example, when the predetermined rotational speeds VP and VS1 are all 2000 rpm, the rotational speed does not change between the solvent diffusion step (step S14) and the central supply step (step S15).

그리고, 웨이퍼(W)의 중심(PC) 위로 이동한 레지스트액 노즐(143)을 정지시킨 상태에서 밸브(148)를 개방함으로써, 레지스트액 노즐(143)로부터의 레지스트액(R)의 토출을 시작한다. 이에 따라, 도 9의 (a)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 중심(PC) 위로 이동한 레지스트액 노즐(143)에 의해 웨이퍼(W) 표면의 중심(PC)에 레지스트액(R)을 공급하기 시작한다. 그리고, 공급된 레지스트액(R)은, 원심력에 의해 웨이퍼(W) 표면의 중심(PC)으로부터 외주측으로 확산되기 시작한다.The discharge of the resist liquid R from the resist liquid nozzle 143 is started by opening the valve 148 while the resist liquid nozzle 143 moved above the center PC of the wafer W is stopped. do. Accordingly, as shown in FIG. 9A, the resist liquid R is formed at the center PC of the surface of the wafer W by the resist liquid nozzle 143 moved above the center PC of the wafer W. As shown in FIG. ) To start supplying. Then, the supplied resist liquid R begins to diffuse from the center PC on the surface of the wafer W to the outer peripheral side by centrifugal force.

또한, 본 실시형태에서는, 레지스트액(R)으로서, 예컨대 박막 도포용의 점도가 2 cp 이하인 것을 이용한다.In addition, in this embodiment, as resist liquid R, the thing whose viscosity for thin film application is 2cp or less is used, for example.

중심 공급 공정(단계 S15)을, 미리 정해진 시간(TS1) 동안 수행함으로써, 공급된 레지스트액(R)은, 웨이퍼(W)의 표면 위에서 웨이퍼(W)의 외주를 향해 도중까지 확산된다. 따라서, 확산되는 레지스트액(R)은 웨이퍼(W)의 외주까지 도달하지 않는다. 여기서는, 일례로서, 표 1에 나타낸 바와 같이, 미리 정해진 시간(TS1)을 예컨대 1.0초로 할 수 있다.By performing the central supply process (step S15) for a predetermined time TS1, the supplied resist liquid R is diffused on the way toward the outer periphery of the wafer W from the surface of the wafer W to the way. Therefore, the resist liquid R diffused does not reach the outer periphery of the wafer W. FIG. Here, as an example, as shown in Table 1, the predetermined time TS1 can be 1.0 second, for example.

또한, 레지스트액 노즐(143)은 웨이퍼(W)의 중심(PC) 위로 이동하고 있을 수도 있고, 정지해 있지 않을 수도 있다. 예컨대, 웨이퍼(W)의 중심(PC) 위에서 미소하게 이동 또는 왕복 운동 등을 하고 있을 수도 있다.In addition, the resist liquid nozzle 143 may be moving above the center PC of the wafer W, and may not be stopped. For example, it may be minutely moving or reciprocating on the center PC of the wafer W.

다음에, 이동 개시 공정(단계 S16)을 수행한다. 이동 개시 공정(단계 S16)에서는, 확산되는 레지스트액(R)이 웨이퍼(W)의 외주까지 도달하기 전에, 레지스트액 노즐(143)을, 웨이퍼(W)의 중심(PC) 위에서 웨이퍼(W)의 외주측을 향해 이동시키기 시작한다. 즉, 확산되는 레지스트액(R)이 웨이퍼(W)의 외주까지 도달하기 전에, 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트액(R)을 공급하는 공급 위치를, 웨이퍼(W)의 외주측을 향해 이동시키기 시작한다.Next, the movement start process (step S16) is performed. In the movement start step (step S16), before the diffused resist liquid R reaches the outer circumference of the wafer W, the resist liquid nozzle 143 is placed on the center PC of the wafer W, and the wafer W is disposed. Start to move toward the outer circumference side. That is, before the diffused resist liquid R reaches the outer circumference of the wafer W, the supply position for supplying the resist liquid R to the surface of the wafer W is moved toward the outer circumferential side of the wafer W. FIG. Let's start.

도 9의 (b)에 도시된 바와 같이, 스핀척(130)에 유지된 웨이퍼(W)를, 척 구동 기구(131)에 의해 미리 정해진 회전수(VS1)로 회전시킨 상태에서 노즐 구동부(144)에 의해 레지스트액 노즐(143)을 웨이퍼(W)의 중심(PC) 위에서 외주측을 향해 이동시키기 시작한다. 직전의 공정인 중심 공급 공정(단계 S15)에서, 확산되는 레지스트액(R)은 웨이퍼(W) 표면의 외주의 도중까지 도달해 있고, 그 상태에서 이동 개시 공정(단계 S16)으로 진행된다. 따라서, 이동 개시 공정(단계 S16)에서는, 확산되는 레지스트액(R)이 웨이퍼(W)의 외주까지 도달하기 전에, 레지스트액 노즐(143)을 이동시키기 시작한다.As shown in FIG. 9B, the nozzle driver 144 is formed by rotating the wafer W held by the spin chuck 130 at a predetermined rotation speed VS1 by the chuck drive mechanism 131. ), The resist liquid nozzle 143 starts to move toward the outer circumferential side on the center PC of the wafer W. In the central supply step (step S15), which is the immediately preceding step, the diffused resist liquid R reaches the middle of the outer circumference of the surface of the wafer W, and proceeds to the movement start step (step S16) in that state. Therefore, in the movement start step (step S16), the resist liquid nozzle 143 starts to move before the diffused resist liquid R reaches the outer circumference of the wafer W. As shown in FIG.

이동 개시 공정(단계 S16)에 이어서 이동 공급 공정(단계 S17)을 수행한다. 이동 공급 공정(단계 S17)에서는, 레지스트액 노즐(143)을, 웨이퍼(W)의 외주측으로 확산되는 레지스트액(R)의 이동에 따라, 웨이퍼(W)의 중심(PC) 위에서 외주측으로 이동시키면서, 레지스트액(R)을 웨이퍼(W)의 표면에 공급한다.The movement supply process (step S17) is performed following the movement start process (step S16). In the movement supply process (step S17), the resist liquid nozzle 143 is moved to the outer circumferential side from the center PC of the wafer W in accordance with the movement of the resist liquid R diffused to the outer circumferential side of the wafer W. The resist liquid R is supplied to the surface of the wafer W. As shown in FIG.

도 9의 (c)에 도시된 바와 같이, 스핀척(130)에 유지된 웨이퍼(W)를, 척 구동 기구(131)에 의해 미리 정해진 회전수(VS2)로 회전시킨 상태에서 노즐 구동부(144)에 의해 레지스트액 노즐(143)을 웨이퍼(W)의 중심(PC) 위에서 외주측의 미리 정해진 위치(P)로 미리 정해진 시간(TS2)에 이동시킨다. 그리고, 레지스트액 노즐(143)을 이동시키면서, 레지스트액(R)을 토출함으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트액(R)을 공급한다.As shown in FIG. 9C, the nozzle driver 144 in the state in which the wafer W held by the spin chuck 130 is rotated by the chuck drive mechanism 131 at a predetermined rotation speed VS2. ) Moves the resist liquid nozzle 143 at a predetermined time TS2 to a predetermined position P on the outer circumferential side on the center PC of the wafer W. The resist liquid R is supplied to the surface of the wafer W by discharging the resist liquid R while moving the resist liquid nozzle 143.

여기서는, 미리 정해진 회전수(VS2)를, 예컨대 1500∼4000 rpm으로 할 수 있고, 보다 바람직하게는, 표 1에 나타낸 바와 같이, 예컨대 2000 rpm으로 할 수 있다. 예컨대 미리 정해진 회전수(VS1, VS2)가 모두 2000 rpm일 때에는, 중심 공급 공정(단계 S15)과 이동 공급 공정(단계 S17) 사이에서 회전수는 변화하지 않는다.Here, predetermined rotation speed VS2 can be 1500-4000 rpm, for example, More preferably, it can be 2000 rpm, as shown in Table 1, for example. For example, when the predetermined rotational speeds VS1 and VS2 are all 2000 rpm, the rotational speed does not change between the central supply process (step S15) and the moving supply process (step S17).

또한, 이동 공급 공정(단계 S17)에서는, 레지스트액 노즐(143)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트액(R)이 공급되는 공급 위치(PS)가 웨이퍼(W)의 표면으로서 레지스트액(R)이 도포된 영역(AR)에 포함되도록 공급 위치(PS)를 미리 정해진 위치(P)로 미리 정해진 시간(TS2)에 이동시킨다. 즉, 상기한 공급 위치(PS)가 웨이퍼(W)의 표면으로서 레지스트액(R)이 도포된 영역(AR)에 포함되도록 노즐 구동부(144)에 의해 레지스트액 노즐(143)을 웨이퍼(W)의 중심(PC) 위에서 외주측을 향해 이동시킨다.In addition, in the movement supply process (step S17), the supply position PS which is supplied with the resist liquid R from the resist liquid nozzle 143 to the surface of the wafer W is the resist liquid R as the surface of the wafer W. As shown in FIG. ) Is moved to the predetermined position P at a predetermined time TS2 so as to be included in the coated area AR. That is, the resist liquid nozzle 143 is moved to the wafer W by the nozzle driver 144 such that the supply position PS is included in the region AR to which the resist liquid R is applied as the surface of the wafer W. As shown in FIG. Move toward the outer circumference on the center of PC.

또한, 레지스트액 노즐(143)이 레지스트액(R)을 거의 수직으로 또한 아래쪽으로 토출하는 것에 있어서, 레지스트액 노즐(143)의 이동 속도가 그만큼 크지 않을 때에는, 평면에서 볼 때의 레지스트액 노즐(143)의 위치와, 공급 위치(PS)는 거의 일치한다.In addition, when the resist liquid nozzle 143 discharges the resist liquid R almost vertically and downward, when the movement speed of the resist liquid nozzle 143 is not so large, the resist liquid nozzle in plan view ( The position of 143 and the supply position PS are substantially coincident.

미리 정해진 회전수(VS2)를 예컨대 2000 rpm으로 했을 때의 일례로서, 도 7 및 표 1에 나타낸 바와 같이, 미리 정해진 시간(TS2)을 예컨대 0.4초로 하고, 웨이퍼(W)의 중심(PC)을 기준, 즉 0으로 했을 때의 미리 정해진 위치(P)를 예컨대 50 ㎜로 할 수 있다.As an example when the predetermined rotational speed VS2 is set to 2000 rpm, for example, as shown in FIG. 7 and Table 1, the predetermined time TS2 is set to 0.4 seconds, for example, and the center PC of the wafer W is set. The predetermined position P at the reference, i.e., zero can be, for example, 50 mm.

또한, 레지스트액(R)이 도포된 영역(AR)에 공급 위치(PS)가 포함된다고 하는 것은, 공급 위치(PS)가 웨이퍼(W)의 표면으로 확산되는 레지스트액(R)의 선단(외주)(FL), 즉 최외주보다도 후방, 즉 내주측에 있는 것을 의미한다. 바꾸어 말하면, 레지스트액 노즐(143)이 확산되는 레지스트액(R)의 선단(외주)(FL)을 추월하지 않는 것을 의미한다.In addition, that the supply position PS is contained in the area | region AR to which the resist liquid R was apply | coated has the front-end | tip (outer periphery) of the resist liquid R by which the supply position PS is spread | diffused to the surface of the wafer W. As shown in FIG. (FL), i.e., behind the outermost circumference, that is, on the inner circumferential side. In other words, it means that the resist liquid nozzle 143 does not overtake the tip (outer periphery) FL of the resist liquid R to be diffused.

이와 같이 하여 레지스트액 노즐(143)[공급 위치(PS)]을 웨이퍼(W)의 중심(PC) 위에서 외주측의 미리 정해진 위치(P)를 향해 이동시킴으로써, 확산되는 레지스트액(R)이 웨이퍼(W)의 외주까지 도달한다. 또한, 후술하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 전체면에 레지스트액(R)을 도포할 때에, 웨이퍼(W)의 전체면을 레지스트액(R)으로 피복하는 데 필요한 레지스트액(R)의 액량을 삭감할 수 있다.In this way, by moving the resist liquid nozzle 143 (supply position PS) from the center PC of the wafer W toward the predetermined position P on the outer circumferential side, the resist liquid R to be diffused is transferred to the wafer. Reach to the outer periphery of (W). In addition, as will be described later, when the resist liquid R is applied to the entire surface of the wafer W, the liquid amount of the resist liquid R necessary for covering the entire surface of the wafer W with the resist liquid R is required. Can be reduced.

또한, 도 7 및 표 1에서는, 공급 공정(단계 S15∼단계 S17)의 미리 정해진 회전수(VS1, VS2)는 일정하면서 서로 같고, 또한, 용제 확산 공정(단계 S14)에서의 회전수(VP)와도 같은 예에 대해서 나타내고 있다. 그러나, 공급 공정(단계 S15∼단계 S17)의 미리 정해진 회전수(VS1, VS2)는 일정하지 않을 수도 있고, 서로 같지 않을 수도 있다. 또한, 공급 공정(단계 S15∼단계 S17)의 미리 정해진 회전수(VS1, VS2)는 용제 확산 공정(단계 S14)의 회전수(VP)와 같지 않아도 좋다.In addition, in FIG. 7 and Table 1, predetermined rotation speed VS1, VS2 of a supply process (step S15-step S17) is constant and the same, and rotation speed VP in a solvent diffusion process (step S14). The same example is also shown. However, the predetermined rotational speeds VS1 and VS2 of the supply process (steps S15 to S17) may not be constant or may not be the same. In addition, predetermined rotation speed VS1, VS2 of a supply process (step S15-step S17) does not need to be the same as rotation speed VP of a solvent diffusion process (step S14).

다음에, 제1 회전 공정(단계 S18)을 수행한다. 제1 회전 공정(단계 S18)에서는, 레지스트액 노즐(143)로부터의 레지스트액(R)의 공급을 정지한 상태에서 공급 공정이 종료될 때의 웨이퍼(W)가 회전하는 회전수보다 낮은 제1 회전수(V1)로 미리 정해진 시간(T1) 동안 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 제1 회전 공정(단계 S18) 및 제2 회전 공정(단계 S19)의 웨이퍼(W)의 상태를 도 9의 (d)에 나타낸다.Next, a first rotation process (step S18) is performed. In the first rotation step (step S18), the wafer W at the time when the supply step is finished in the state in which the supply of the resist liquid R from the resist liquid nozzle 143 is stopped is lower than the first rotation speed. The wafer W is rotated for a predetermined time T1 at the rotational speed V1. The state of the wafer W of a 1st rotation process (step S18) and a 2nd rotation process (step S19) is shown to FIG. 9 (d).

제1 회전 공정(단계 S18)을 수행함으로써, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(R)이 균일해진다. 즉, 레지스트액(R)이 평탄화된다. 제1 회전수(V1)를, 예컨대 100∼1000 rpm으로 할 수 있고, 보다 바람직하게는, 표 1에 나타낸 바와 같이, 예컨대 100 rpm으로 할 수 있다.By performing the first rotation process (step S18), the resist liquid R on the wafer W is made uniform. That is, the resist liquid R is planarized. The 1st rotation speed V1 can be 100-1000 rpm, for example, More preferably, as shown in Table 1, it can be 100 rpm, for example.

전술한 바와 같이, 일례로서, 공급 공정(단계 S15∼단계 S17)의 미리 정해진 회전수(VS1, VS2)가 일정하면서 서로 같은 경우에 대해서 설명하고 있기 때문에, 공급 공정이 종료될 때의 웨이퍼(W)의 회전수는 VS2이다. 따라서, 제1 회전수(V1)를 100 rpm으로 함으로써, 제1 회전수(V1)를 공급 공정이 종료될 때의 웨이퍼(W)의 회전수(VS2)보다 낮게 할 수 있다. 또한, 미리 정해진 시간(T1)을 예컨대 1.0초로 할 수 있다.As described above, as an example, since the case where the predetermined rotational speeds VS1 and VS2 of the supply process (steps S15 to S17) are constant and the same is explained, the wafer W at the end of the supply process is described. The rotational speed of) is VS2. Therefore, by setting the first rotational speed V1 to 100 rpm, the first rotational speed V1 can be made lower than the rotational speed VS2 of the wafer W when the supply process is completed. In addition, the predetermined time T1 can be, for example, 1.0 second.

다음에, 제2 회전 공정(단계 S19)을 수행한다. 제2 회전 공정(단계 S19)에서는 제1 회전수(V1)보다 높은 제2 회전수(V2)로 미리 정해진 시간(T2) 동안 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 상에 도포된 레지스트액(R)이 건조된다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 상에 얇은 레지스트막이 형성된다.Next, a second rotation process (step S19) is performed. In the second rotation process (step S19), the wafer W is rotated for a predetermined time T2 at a second rotation speed V2 higher than the first rotation speed V1. As a result, the resist liquid R applied onto the wafer W is dried. As a result, a thin resist film is formed on the wafer (W).

여기서는, 제2 회전수(V2)를 예컨대 1000∼2000 rpm으로 할 수 있고, 보다 바람직하게는, 표 1에 나타낸 바와 같이, 예컨대 1700 rpm으로 할 수 있다. 또한, 미리 정해진 시간(T2)을 예컨대 17초로 할 수 있다.Here, the 2nd rotation speed V2 can be 1000-2000 rpm, for example, More preferably, it is 1700 rpm, as shown in Table 1, for example. In addition, the predetermined time T2 can be, for example, 17 seconds.

마지막으로 회전 정지 공정(단계 S20)을 수행한다. 회전 정지 공정(단계 S20)에서는, 웨이퍼(W)의 회전을 정지한다. 웨이퍼(W)의 건조 종료 후, 웨이퍼(W)의 회전이 정지된다.Finally, the rotation stop process (step S20) is performed. In the rotation stop step (step S20), the rotation of the wafer W is stopped. After the drying of the wafer W is finished, the rotation of the wafer W is stopped.

또한, 회전 정지 공정(단계 S20) 후, 스핀척(130) 위에서 웨이퍼(W)가 반출된다. 이와 같이 하여, 일련의 레지스트 도포 처리 프로세스가 종료된다.In addition, after the rotation stop step (step S20), the wafer W is carried out on the spin chuck 130. In this way, a series of resist coating processing processes are completed.

레지스트 도포 처리 프로세스 후, 웨이퍼(W)는 제1 반송 장치(20)에 의해 예컨대 프리 베이크 장치(71)로 반송되어 프리 베이크된다. 계속해서 웨이퍼(W)는 제2 반송 장치(21)에 의해 주변 노광 장치(92), 온도 조절 장치(83)로 순차적으로 반송되고, 각 장치에서 미리 정해진 처리가 실시된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 인터페이스 스테이션(4)의 웨이퍼 반송 장치(101)에 의해 노광 장치(5)로 반송되어 액침 노광된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(101)에 의해 예컨대 노광 후 베이크 장치(84)로 반송되어 노광 후 베이크되고, 그 후, 제2 반송 장치(21)에 의해 온도 조절 장치(81)로 반송되어 온도 조절된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 현상 처리 장치(40)로 반송되어 웨이퍼(W) 상의 레지스트막이 현상된다. 현상 후, 웨이퍼(W)는 제2 반송 장치(21)에 의해 포스트 베이크 장치(75)로 반송되어 포스트 베이크된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 온도 조절 장치(63)로 반송되어 온도 조절된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 제1 반송 장치(20)에 의해 트랜지션 장치(61)로 반송되며, 웨이퍼 반송 장치(12)에 의해 카세트(C)로 복귀된다. 이와 같이 하여, 일련의 웨이퍼 처리가 종료된다.After the resist coating process, the wafer W is conveyed to the prebaking apparatus 71 by the first conveying apparatus 20 and prebaked. Subsequently, the wafer W is sequentially conveyed to the peripheral exposure apparatus 92 and the temperature control apparatus 83 by the second conveying apparatus 21, and predetermined processing is performed by each apparatus. Then, the wafer W is conveyed to the exposure apparatus 5 by the wafer conveyance apparatus 101 of the interface station 4, and is immersion-exposed. Then, the wafer W is conveyed to the post-exposure bake apparatus 84 by the wafer conveyance apparatus 101, and is baked after exposure, and the temperature control apparatus 81 is then performed by the 2nd conveyance apparatus 21. Then, as shown in FIG. It is conveyed to and temperature-controlled. Thereafter, the wafer W is conveyed to the developing apparatus 40 so that the resist film on the wafer W is developed. After image development, the wafer W is conveyed to the post-baking apparatus 75 by the 2nd conveying apparatus 21, and is post-baked. Thereafter, the wafer W is conveyed to the temperature regulating device 63 and temperature controlled. And the wafer W is conveyed to the transition apparatus 61 by the 1st conveying apparatus 20, and is returned to the cassette C by the wafer conveying apparatus 12. As shown in FIG. In this way, a series of wafer processes are completed.

다음에, 도 10 내지 도 12를 참조하여 본 실시형태에 따른 레지스트 도포 처리 프로세스에 의해 웨이퍼(W)의 전체면을 레지스트액(R)으로 피복하는 데 필요한 레지스트액(R)의 액량을 삭감할 수 있는 것에 대해서, 비교예와 비교함으로써 설명한다. 도 10은 비교예에 따른 레지스트 도포 처리 프로세스의 메인 공정을 나타내는 흐름도이다. 도 11은 비교예에 따른 레지스트 도포 처리 프로세스의 각 공정에 서의 웨이퍼의 표면 상태를 나타내는 도면이다. 도 12는 본 실시형태 및 비교예에 따른 공급 공정에 있어서의 웨이퍼의 표면에서 확산되는 레지스트액의 분포를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 12의 (a)는 본 실시형태에서의 레지스트액의 분포를 나타내고, 도 12의 (b)는 비교예에서의 레지스트액의 분포를 나타낸다. 또한, 도 12에서는 용제(PW)의 도시를 생략하고 있다.Next, with reference to FIGS. 10-12, the liquid amount of the resist liquid R required to coat | cover the whole surface of the wafer W with the resist liquid R by the resist coating process which concerns on this embodiment will be reduced. What can be demonstrated is demonstrated by comparing with a comparative example. 10 is a flowchart showing the main process of the resist coating processing process according to the comparative example. It is a figure which shows the surface state of the wafer in each process of the resist coating process which concerns on a comparative example. 12 is a cross-sectional view schematically showing the distribution of a resist liquid diffused on the surface of a wafer in a supply step according to the present embodiment and a comparative example. FIG. 12A shows the distribution of the resist liquid in the present embodiment, and FIG. 12B shows the distribution of the resist liquid in the comparative example. In addition, illustration of the solvent PW is abbreviate | omitted in FIG.

도 10에 도시된 바와 같이, 비교예에서의 레지스트 도포 처리 프로세스는, 도 6에 도시된 본 실시형태에 따른 레지스트 도포 처리 프로세스의 각 공정 중, 용제 노즐 이동 공정(단계 S11)부터 중심 공급 공정(단계 S15)을 수행한 후, 이동 개시 공정(단계 S16) 및 이동 공급 공정(단계 S17)을 생략하고, 제1 회전 공정(단계 S18) 이하를 수행하는 것이다. 따라서, 비교예에서는, 공급 공정이 중심 공급 공정(단계 S15)만을 포함한다.As shown in FIG. 10, the resist coating process in a comparative example is a center supply process (from a solvent nozzle movement process (step S11)) of each process of the resist coating process which concerns on this embodiment shown in FIG. After performing step S15), the movement start process (step S16) and the movement supply process (step S17) are omitted, and the first rotation process (step S18) or less is performed. Therefore, in the comparative example, the supply process includes only the central supply process (step S15).

또한, 비교예에 따른 레지스트 도포 처리 프로세스를 수행할 때의 레시피의 예를 표 2에 나타낸다.In addition, Table 2 shows an example of a recipe when performing a resist coating treatment process according to a comparative example.

Figure 112010082773305-pat00002
Figure 112010082773305-pat00002

표 2에 있어서도, 표 1과 마찬가지로, 좌측에서 우측에 걸친 각 열은 단계, 시간, 회전수, 웨이퍼의 중심을 기준으로 했을 때의 노즐 위치, 공급되는 도포액을 나타내고 있다.Also in Table 2, similarly to Table 1, each column from left to right represents a step, a time, a rotation speed, a nozzle position based on the center of the wafer, and a coating liquid supplied.

표 2에 나타낸 레시피에서는, 도 7 및 표 1에 나타낸 이동 공급 공정(단계 S17)이 생략되어 있다.In the recipe shown in Table 2, the moving supply process (step S17) shown in FIG. 7 and Table 1 is abbreviate | omitted.

비교예에 따른 레지스트 도포 처리 프로세스에 있어서, 용제 노즐 이동 공정(단계 S11)부터 용제 확산 공정(단계 S14)까지의 각 공정에서의 웨이퍼(W)의 표면 상태는 본 실시형태에 따른 레지스트 도포 처리 프로세스와 마찬가지로, 도 8의 (a) 내지 도 8의 (d)에 나타낸다.In the resist coating process according to the comparative example, the surface state of the wafer W in each step from the solvent nozzle movement step (step S11) to the solvent diffusion step (step S14) is the resist coating process according to the present embodiment. Similarly, it shows in FIG.8 (a)-FIG.8 (d).

한편, 중심 공급 공정(단계 S15) 이후의 각 공정에서의 웨이퍼(W)의 표면 상태는 도 11의 (a) 내지 도 11의 (d)에 나타낸다.In addition, the surface state of the wafer W in each process after a center supply process (step S15) is shown to FIG. 11 (a)-FIG. 11 (d).

중심 공급 공정(단계 S15)에서는 본 실시형태와 마찬가지로, 회전하는 웨이퍼(W) 표면의 중심(PC)에 레지스트액(R)을 공급한다. 또한, 이 때의 상태는 순차적으로 도 11의 (a) 내지 도 11의 (c)에 나타낸다.In the center supply process (step S15), similarly to the present embodiment, the resist liquid R is supplied to the center PC of the rotating wafer W surface. In addition, the state at this time is shown to FIG. 11 (a)-FIG. 11 (c) sequentially.

웨이퍼(W) 표면의 중심(PC)에 공급된 레지스트액(R)은 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 외주측으로 확산된다. 그리고, 레지스트액(R)이 웨이퍼(W)의 외주측으로 확산됨에 따라, 확산되는 레지스트액(R)의 선단(외주)(FL)에 있어서의 단위 면적당 레지스트액(R)의 액량이 감소되고, 선단(외주)(FL)에 있어서 레지스트액(R)이 건조되기 쉬워진다. 또한, 선단(외주)(FL)에 있어서 레지스트액(R)이 건조되면, 도 12의 (b)에서 파선으로 둘러싸인 영역(II)으로 나타낸 바와 같이, 확산되는 레지스트액(R)의 선단(외주)(FL)에 있어서의 단위 면적당 레지스트액(R)의 액량이 더욱 감소된다. 선단(외주)(FL)에 있어서의 단위 면적당 레지스트액(R)의 액량이 감소되면, 충분한 원심력을 얻을 수 없게 되기 때문에, 레지스트액(R)이 웨이퍼(W)의 외주에 도달할 수 없게 된다. 그 결과, 도 11의 (d)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 전체면을 레지스트액(R)으로 피복할 수 없다.The resist liquid R supplied to the center PC of the surface of the wafer W is diffused to the outer circumferential side of the wafer W by centrifugal force. Then, as the resist liquid R diffuses to the outer circumferential side of the wafer W, the liquid amount of the resist liquid R per unit area at the tip (outer circumference) FL of the resist liquid R to be diffused is reduced, At the tip (outer periphery) FL, the resist liquid R tends to be dried. When the resist liquid R is dried at the tip (outer periphery) FL, the tip (outer periphery) of the resist liquid R to be diffused, as indicated by the region II enclosed by broken lines in FIG. The liquid amount of the resist liquid R per unit area in (FL) is further reduced. If the liquid amount of the resist liquid R per unit area at the tip (outer periphery) FL is reduced, sufficient centrifugal force cannot be obtained, and therefore, the resist liquid R cannot reach the outer periphery of the wafer W. . As a result, as shown in FIG. 11D, the entire surface of the wafer W cannot be covered with the resist liquid R. As shown in FIG.

한편, 본 실시형태에 따르면, 공급 공정이 이동 공급 공정(단계 S17)을 포함한다. 그리고, 이동 공급 공정(단계 S17)에서, 레지스트액 노즐(143)을, 공급 위치(PS)가 웨이퍼(W)의 표면으로서 레지스트액(R)이 도포된 영역(AR)에 포함되도록, 또 확산되는 레지스트액(R)의 이동에 따라 웨이퍼(W)의 중심(PC) 위에서 외주측으로 이동시킨다. 이에 따라, 확산되는 레지스트액(R)의 선단(외주)(FL)보다도 내주측이며, 또 선단(외주)(FL) 부근의 위치에 레지스트액(R)을 공급할 수 있다. 선단(외주)(FL) 부근의 위치에 레지스트액(R)을 공급하면, 합계로서 비교예와 같은 액량을 공급하는 경우에도, 도 12의 (a)에서 파선으로 둘러싸인 영역(I)으로 나타낸 바와 같이, 선단(외주)(FL)에 있어서의 단위 면적당 레지스트액(R)의 액량이 비교예보다도 증가한다. 또한, 선단(외주)(FL)에 있어서의 단위 면적당 레지스트액(R)의 액량이 증가하면, 선단(외주)(FL)에 있어서 레지스트액(R)이 건조됨으로써 액량이 감소되는 것도 방지할 수 있다. 따라서, 레지스트액(R)의 선단(외주)(FL)에서도 충분한 원심력을 얻을 수 있어 확산되는 레지스트액(R)을 웨이퍼(W)의 표면의 보다 외주까지 도달시킬 수 있다. 그 결과, 합계로서 비교예와 같은 액량을 공급하는 경우에도, 도 9의 (d)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 전체면을 레지스트액(R)으로 피복할 수 있다. 즉, 웨이퍼(W)의 전체면을 레지스트액(R)으로 피복할 수 있는 액량을 비교예에 비하여 삭감할 수 있다.On the other hand, according to this embodiment, a supply process includes a moving supply process (step S17). And in the movement supply process (step S17), the resist liquid nozzle 143 is spread | diffused so that the supply position PS may be contained in the area | region AR to which the resist liquid R was apply | coated as the surface of the wafer W. As shown in FIG. In accordance with the movement of the resist liquid R, it is moved from the center PC of the wafer W to the outer peripheral side. As a result, the resist liquid R can be supplied to the inner circumferential side of the front end (outer circumference) FL of the diffused resist liquid R and near the tip (outer circumference) FL. When the resist liquid R is supplied to a position near the tip (outer periphery) FL, even when a liquid amount similar to that of the comparative example is supplied as a total, as indicated by the region I enclosed by broken lines in FIG. Similarly, the liquid amount of the resist liquid R per unit area at the tip (outer periphery) FL increases than that of the comparative example. In addition, when the liquid amount of the resist liquid R per unit area at the tip (outer periphery) FL increases, it is possible to prevent the liquid amount from being reduced by drying the resist liquid R at the tip (outer periphery) FL. have. Therefore, sufficient centrifugal force can also be obtained even at the tip (outer circumference) FL of the resist liquid R, and the diffused resist liquid R can reach the outer circumference of the surface of the wafer W. FIG. As a result, even when the liquid amount similar to the comparative example is supplied as a total, as shown in FIG. 9D, the entire surface of the wafer W can be covered with the resist liquid R. As shown in FIG. That is, the amount of liquid that can cover the entire surface of the wafer W with the resist liquid R can be reduced as compared with the comparative example.

본 실시형태에서는, 이동 개시 공정(단계 S16)에 있어서, 확산되는 레지스트액(R)이 웨이퍼(W)의 외주에 도달하기 전에 레지스트액 노즐(143)을 외주측을 향해 이동시키기 시작한다. 이에 따라, 중심 공급 공정(단계 S15)만으로는 웨이퍼(W)의 외주까지 도달할 수 없는 소량의 레지스트액(R)으로도 웨이퍼(W)의 외주까지 도달시킬 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 전체면을 레지스트액(R)으로 피복하는 데 필요한 레지스트액(R)의 액량을 삭감할 수 있다.In this embodiment, in the movement start step (step S16), the resist liquid nozzle 143 starts to move toward the outer circumferential side before the diffused resist liquid R reaches the outer circumference of the wafer W. As shown in FIG. Thereby, even the small amount of resist liquid R which can not reach the outer periphery of the wafer W only by the central supply process (step S15) can reach the outer periphery of the wafer W. FIG. Therefore, the liquid amount of the resist liquid R required for covering the whole surface of the wafer W with the resist liquid R can be reduced.

또한, 본 실시형태에서는, 공급 위치(PS)가 웨이퍼(W)의 표면으로서 레지스트액(R)이 도포된 영역(AR)에 포함되도록 레지스트액(R)을 공급하기 때문에, 공급 위치(PS)가 확산되는 레지스트액(R)의 선단(외주)(FL)을 추월하는 일이 없다. 따라서, 레지스트액(R)이 도포된 영역(AR)을 대략 원형 형상으로 유지한 채 외주측으로 넓힐 수 있고, 회전 방향을 따라 레지스트액(R)을 균일하게 도포할 수 있다.In addition, in this embodiment, since the supply position PS supplies the resist liquid R so that it may be contained in the area | region AR to which the resist liquid R was apply | coated as the surface of the wafer W, supply position PS Does not overtake the tip (outer periphery) FL of the resist liquid R to which is diffused. Therefore, the area AR to which the resist liquid R is applied can be widened to the outer circumferential side while maintaining the substantially circular shape, and the resist liquid R can be uniformly applied along the rotational direction.

실제로, 직경이 300 ㎜φ인 웨이퍼를 이용하고, 레지스트액(R)의 액량을 바꾸어, 표 1(본 실시형태) 및 표 2(비교예)의 각 레시피에 기초하여 본 실시형태에 따른 레지스트 도포 처리 프로세스의 효과를 실증하는 실험을 하였다. 그 결과, 비교예에서는, 웨이퍼(W)의 전체면을 피복하는 데 필요한 레지스트액(R)의 액량이 0.3 ㎖였던 데 반해, 본 실시형태에서는, 웨이퍼(W)의 전체면을 피복하는 데 필요한 레지스트액(R)의 액량이 0.2 ㎖였다. 따라서, 본 실시형태의 도포 처리 방법에 따르면, 종래의 방법에 비하여 적은 액량으로 레지스트액(R)을 웨이퍼(W)의 전체면에 균일하게 도포할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.In practice, using a wafer having a diameter of 300 mmφ, the liquid amount of the resist liquid R is changed, and the resist coating according to the present embodiment is applied based on the recipes of Table 1 (this embodiment) and Table 2 (comparative example). Experiments were conducted to demonstrate the effectiveness of the treatment process. As a result, in the comparative example, the liquid amount of the resist liquid R required to cover the entire surface of the wafer W was 0.3 ml, whereas in the present embodiment, it is necessary to cover the entire surface of the wafer W. The liquid amount of the resist liquid R was 0.2 ml. Therefore, according to the application | coating processing method of this embodiment, it was confirmed that the resist liquid R can be uniformly apply | coated to the whole surface of the wafer W with a small liquid amount compared with the conventional method.

이상, 본 실시형태에 따르면, 공급 공정에 있어서, 확산되는 레지스트액이 외주에 도달하기 전에, 레지스트액을 공급하는 공급 위치를, 웨이퍼(W)의 표면의 대략 중심으로부터 외주측으로 이동시키기 시작하고, 그 후, 확산되는 레지스트액의 이동에 따라 공급 위치를 외주측으로 이동시킨다. 이것에 의해, 확산되는 레지스트액의 선단에 있어서의 단위 면적당 레지스트액의 액량을 증가시킬 수 있기 때문에, 보다 소량의 레지스트액을 도포하는 경우에도, 웨이퍼의 외주까지 레지스트액을 확산시킬 수 있다. 따라서, 웨이퍼의 전체면에 레지스트액을 도포할 때에, 웨이퍼의 전체면을 레지스트액으로 피복하는 데 필요한 레지스트액의 액량을 삭감할 수 있다.As described above, according to the present embodiment, in the supplying step, before the resist liquid to be diffused reaches the outer circumference, the supply position for supplying the resist liquid is started to move from the approximately center of the surface of the wafer W to the outer circumferential side, Thereafter, the supply position is moved to the outer circumferential side in accordance with the movement of the resist liquid to be diffused. As a result, since the liquid amount of the resist liquid per unit area at the tip of the resist liquid to be diffused can be increased, even when a smaller amount of the resist liquid is applied, the resist liquid can be diffused to the outer circumference of the wafer. Therefore, when applying a resist liquid to the whole surface of a wafer, the liquid amount of the resist liquid required for covering the whole surface of a wafer with a resist liquid can be reduced.

또한, 본 실시형태에서는, 공급 공정에서, 공급 위치가 웨이퍼의 표면으로서 레지스트액이 도포된 영역에 포함되도록, 레지스트액 노즐을 이동시키면서, 레지스트액을 웨이퍼의 표면에 공급하는 예에 대해서 설명하였다. 그러나, 공급 위치가 확산되는 레지스트액의 선단을 조금 추월하는 정도여도, 본 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 따라서, 확산되는 레지스트액의 이동에 따라 공급 위치를 외주측으로 이동시키는 것이면, 공급 공정에서, 공급 위치가 웨이퍼의 표면으로서 레지스트액이 도포된 영역에 포함되지 않도록, 레지스트액 노즐을 이동시키는 예도 포함된다.In the present embodiment, an example in which the resist liquid is supplied to the surface of the wafer while the resist liquid nozzle is moved so that the supply position is included in the region where the resist liquid is applied as the surface of the wafer has been described. However, even if the supply position spreads slightly beyond the tip of the resist liquid, the same effect as in the present embodiment can be obtained. Therefore, if the supply position is moved to the outer circumferential side in accordance with the movement of the resist liquid to be diffused, an example of moving the resist liquid nozzle is also included in the supply process so that the supply position is not included in the region to which the resist liquid is applied as the surface of the wafer. .

(실시형태의 변형예)(Modification of Embodiment)

다음에, 도 13 및 도 14를 참조하여 실시형태의 변형예에 따른 도포 처리 방법에 대해서 설명한다.Next, the coating process method which concerns on the modification of embodiment with reference to FIG. 13 and FIG. 14 is demonstrated.

도 13은 본 변형예에 따른 레지스트 도포 처리 프로세스의 메인 공정을 나타내는 흐름도이다. 도 14는 본 변형예에 따른 레지스트 도포 처리 프로세스의 각 공정에서의 웨이퍼의 회전수를 나타내는 그래프이다.13 is a flowchart showing the main process of the resist coating processing process according to the present modification. 14 is a graph showing the rotation speed of the wafer in each step of the resist coating treatment process according to the present modification.

본 변형예에 따른 레지스트 도포 처리 프로세스는 공급 공정에서, 레지스트액 노즐의 이동에 따라 웨이퍼의 회전수를 저하시키면서, 레지스트액을 웨이퍼의 표면에 공급하는 점이 실시형태에 따른 레지스트 도포 처리 프로세스와 다르다.The resist coating processing process according to the present modification differs from the resist coating processing process according to the embodiment in that the resist liquid is supplied to the surface of the wafer while the rotation speed of the wafer is reduced in accordance with the movement of the resist liquid nozzle in the supplying step.

또한, 본 변형예에서도, 레지스트 도포 처리 프로세스는 본 발명의 도포 처리 방법에 해당한다. 또한, 본 변형예에서도, 실시형태에서 설명한 도포 현상 처리 시스템(1) 및 레지스트 도포 장치(30)를 이용할 수 있다.In addition, also in this modification, the resist coating process corresponds to the coating process of this invention. Moreover, also in this modification, the coating-development processing system 1 and resist coating apparatus 30 demonstrated in embodiment can be used.

도 13 및 도 14에 나타내는 바와 같이, 본 변형예의 레지스트 도포 처리 프로세스는 용제 노즐 이동 공정(단계 S31), 용제 공급 공정(단계 S32), 레지스트액 노즐 이동 공정(단계 S33), 용제 확산 공정(단계 S34), 공급 공정(단계 S35∼단계 S37), 제1 회전 공정(단계 S38), 제2 회전 공정(단계 S39), 및 회전 정지 공정(단계 S40)을 포함한다. 또한, 공급 공정은 중심 공급 공정(단계 S35), 이동 개시 공정(단계 S36), 이동 공급 공정(단계 S37)을 포함한다.As shown to FIG. 13 and FIG. 14, the resist coating process of this modification is a solvent nozzle movement process (step S31), a solvent supply process (step S32), a resist liquid nozzle movement process (step S33), a solvent diffusion process (step S34), a supply process (step S35-S37), a 1st rotation process (step S38), a 2nd rotation process (step S39), and a rotation stop process (step S40). Moreover, a supply process includes a central supply process (step S35), a movement start process (step S36), and a movement supply process (step S37).

또한, 도 13에 나타내는 용제 노즐 이동 공정(단계 S31)부터 이동 개시 공정(단계 S36)의 각 공정은 실시형태에서 도 6을 이용하여 설명한, 용제 노즐 이동 공정(단계 S11)부터 이동 개시 공정(단계 S16)의 각 공정과 동일하다. 또한, 도 13에 나타낸 제1 회전 공정(단계 S38)부터 회전 정지 공정(단계 S40)의 각 공정은 실시형태에서 도 6을 이용하여 설명한, 제1 회전 공정(단계 S18)부터 회전 정지 공정(단계 S20)의 각 공정과 동일하다. 따라서, 이들 공정에 대해서는 설명을 생략한다.In addition, each process of the solvent nozzle movement process (step S31) to the movement start process (step S36) shown in FIG. 13 is a movement start process (step) from the solvent nozzle movement process (step S11) demonstrated using FIG. 6 in embodiment. It is the same as each process of S16). In addition, each process of the 1st rotation process (step S38) to the rotation stop process (step S40) shown in FIG. 13 is a rotation stop process (step) from the 1st rotation process (step S18) demonstrated using FIG. 6 in embodiment. It is the same as each process of S20). Therefore, description of these processes is abbreviate | omitted.

한편, 도 13에 나타낸 이동 공급 공정(단계 S37)은 실시형태에서 도 6을 이용하여 설명한 이동 공급 공정(단계 S17)과 다르다.In addition, the movement supply process (step S37) shown in FIG. 13 differs from the movement supply process (step S17) demonstrated using FIG. 6 in embodiment.

이동 공급 공정(단계 S37)에서는, 외주측으로 확산되는 레지스트액(R)의 이동에 따라 웨이퍼(W)의 중심(PC) 위에서 외주측으로 레지스트액 노즐(143)을 이동시키고, 웨이퍼(W)가 회전하는 회전수를 레지스트액 노즐(143)의 이동에 따라 저하시키면서, 레지스트액(R)을 웨이퍼(W)의 표면에 공급한다.In the movement supply process (step S37), the resist liquid nozzle 143 is moved from the center PC of the wafer W to the outer circumferential side in accordance with the movement of the resist liquid R diffused to the outer circumferential side, and the wafer W rotates. The resist liquid R is supplied to the surface of the wafer W while the number of rotations to be made decreases as the resist liquid nozzle 143 moves.

스핀척(130)에 유지된 웨이퍼(W)를 척 구동 기구(131)에 의해 미리 정해진 회전수(VS2-1)로 회전시킨 상태에서 노즐 구동부(144)에 의해 레지스트액 노즐(143)을 웨이퍼(W)의 중심(PC) 위에서 외주측의 미리 정해진 위치(P)로 미리 정해진 시간(TS2)에 이동시킨다. 그리고, 레지스트액 노즐(143)의 이동에 따라, 도 14에 도시된 바와 같이, 미리 정해진 회전수를 VS2-1에서 VS2-2까지 저하시키면서, 레지스트액 노즐(143)로부터 웨이퍼(W)의 표면으로 레지스트액(R)을 공급한다.In the state where the wafer W held by the spin chuck 130 is rotated by the chuck driving mechanism 131 at a predetermined rotation speed VS2-1, the resist liquid nozzle 143 is moved by the nozzle driver 144. It moves to the predetermined position P of the outer peripheral side on the center PC of (W) at predetermined time TS2. As the resist liquid nozzle 143 moves, as shown in FIG. 14, the surface of the wafer W from the resist liquid nozzle 143 is lowered while decreasing the predetermined rotation speed from VS2-1 to VS2-2. The resist liquid R is supplied.

여기서는, 일례로서, 도 14에 도시된 바와 같이, 미리 정해진 회전수(VS2-1)를 예컨대 2000 rpm으로 하고, 미리 정해진 회전수(VS2-2)를 예컨대 1800 rpm으로 할 수 있다. 또한, 미리 정해진 시간(TS2)을 예컨대 0.4초로 하고, 미리 정해진 위치(P)를 50 ㎜로 할 수 있다. 즉, 레지스트액 노즐(143)을 0.4초에 중심(PC) 위에서 50 ㎜ 이동시키고, 웨이퍼(W)의 회전수를 0.4초에 2000 rpm에서 1800 rpm으로 저하시킨다.Here, as an example, as shown in FIG. 14, the predetermined rotation speed VS2-1 may be 2000 rpm, for example, and the predetermined rotation speed VS2-2 may be 1800 rpm, for example. In addition, the predetermined time TS2 may be 0.4 seconds, for example, and the predetermined position P may be 50 mm. That is, the resist liquid nozzle 143 is moved 50 mm above the center PC in 0.4 seconds, and the rotation speed of the wafer W is decreased from 2000 rpm to 1800 rpm in 0.4 seconds.

또한, 미리 정해진 회전수(VS2-1)를 중심 공급 공정(단계 S35)의 미리 정해진 회전수(VS1)보다 높은 회전수로 할 수도 있고, 미리 정해진 회전수(VS1)보다 낮은 회전수로 할 수도 있다.Moreover, predetermined rotation speed VS2-1 may be made into higher rotation speed than predetermined rotation speed VS1 of a center supply process (step S35), and may be made into rotation speed lower than predetermined rotation speed VS1. have.

또한, 레지스트액 노즐(143)을, 레지스트액 노즐(143)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트액(R)이 공급되는 공급 위치(PS)가 웨이퍼(W)의 표면으로서 레지스트액(R)이 도포된 영역(AR)에 포함되도록 이동시키는 것은 실시형태와 동일하다. 또한, 공급 위치(PS)가 확산되는 레지스트액(R)의 선단(외주)(FL)을 약간 추월하는 정도라면, 레지스트액 노즐(143)을, 공급 위치(PS)가 영역(AR)에 포함되지 않도록 이동시키는 경우를 포함하는 것도 실시형태와 동일하다.In addition, the supply liquid PS in which the resist liquid nozzle 143 is supplied from the resist liquid nozzle 143 to the surface of the wafer W is supplied with the resist liquid R as the surface of the wafer W. The movement so that it is included in this coated area | region AR is the same as embodiment. If the supply position PS slightly exceeds the front end (outer periphery) FL of the resist liquid R, the resist liquid nozzle 143 is included in the supply position PS in the region AR. It is the same as that of embodiment including the case where it moves so that it may not.

실시형태에서 도 12의 (b)를 이용하여 설명한 바와 마찬가지로, 웨이퍼(W) 표면의 중심(PC)에 공급된 레지스트액(R)은 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 외주측으로 확산된다. 그리고, 확산되는 레지스트액(R)의 이동에 따라, 확산되는 레지스트액(R)의 선단(외주)(FL)에 있어서의 단위 면적당 레지스트액(R)의 액량이 감소된다.In the embodiment, as described with reference to FIG. 12B, the resist liquid R supplied to the center PC on the surface of the wafer W is diffused to the outer circumferential side of the wafer W by centrifugal force. As the resist liquid R diffuses, the liquid amount of the resist liquid R per unit area in the tip (outer periphery) FL of the resist liquid R to be diffused decreases.

또한, 회전하는 웨이퍼(W)가 레지스트액 노즐(143)의 하측을 통과하는 통과 속도가 웨이퍼(W)의 외주측만큼 증가한다. 통과 속도가 증가하면, 레지스트액 노즐(143)로부터 토출된 레지스트액(R)이 웨이퍼(W)의 표면으로 튀어 선단(외주)(FL) 에서의 단위 면적당 레지스트액(R)의 액량이 더욱 감소될 우려가 있다.In addition, the passage speed at which the rotating wafer W passes below the resist liquid nozzle 143 increases by the outer circumferential side of the wafer W. FIG. When the passage speed increases, the resist liquid R discharged from the resist liquid nozzle 143 springs to the surface of the wafer W, further reducing the liquid amount of the resist liquid R per unit area at the tip (outer periphery) FL. There is a concern.

본 변형예에서도, 레지스트액(R)의 이동에 따라 레지스트액 노즐(143)을 이동시키기 때문에, 실시형태에서 도 12의 (a)를 이용하여 설명한 바와 마찬가지로, 선단(외주)(FL)에서의 단위 면적당의 레지스트액(R)의 액량을 증가시킬 수 있다. 이것에 의해, 보다 소량의 레지스트액(R)을 도포한 경우여도, 웨이퍼(W)의 외주까지 레지스트액(R)을 확산시킬 수 있다.Also in this modified example, since the resist liquid nozzle 143 is moved in accordance with the movement of the resist liquid R, in the front end (outer periphery) FL, as described with reference to FIG. The liquid amount of the resist liquid R per unit area can be increased. As a result, even when a smaller amount of the resist liquid R is applied, the resist liquid R can be diffused to the outer circumference of the wafer W. FIG.

또한, 본 변형예에서는, 이동하는 레지스트액 노즐(143)의 이동에 따라 웨이퍼(W)의 회전수를 저하시킨다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 외주측에 있어서의, 회전하는 웨이퍼(W)가 레지스트액 노즐(143)의 하측을 통과하는 통과 속도를 감소시킬 수 있다. 따라서, 레지스트액 노즐(143)로부터 토출된 레지스트액(R)이 웨이퍼(W)의 표면으로 튀기는 것을 방지할 수 있어 선단(외주)(FL)에서의 단위 면적당 레지스트액(R)의 액량을 증가시킬 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 전체면을 레지스트액(R)으로 피복할 수 있는 액량을 더욱 삭감할 수 있다.In addition, in this modification, the rotation speed of the wafer W is reduced with the movement of the moving resist liquid nozzle 143. Thereby, the passing speed which the rotating wafer W in the outer peripheral side of the wafer W passes through the lower side of the resist liquid nozzle 143 can be reduced. Therefore, the resist liquid R discharged from the resist liquid nozzle 143 can be prevented from splashing on the surface of the wafer W, thereby increasing the liquid amount of the resist liquid R per unit area at the tip (outer periphery) FL. You can. Therefore, the amount of liquid capable of covering the entire surface of the wafer W with the resist liquid R can be further reduced.

또한, 본 변형예에서는, 미리 정해진 회전수(VS2)를 VS2-1에서 VS2-2까지 균일한 변화율로 저하시키지 않을 수도 있다. 예컨대, 도 14에 도시된 바와 같이, 변화율의 절대값이 서서히 작아지도록, 미리 정해진 회전수(VS2)를 VS2-1에서 VS2-2까지 저하시킬 수도 있다. 이에 따라, 레지스트액(R)의 확산에 따른 혼란을 억제할 수 있다. 또는, 변화율의 절대값이 서서히 커지도록 미리 정해진 회전수(VS2)를 VS2-1에서 VS2-2까지 저하시킬 수도 있다.In addition, in this modification, the predetermined rotational speed VS2 may not be reduced by the uniform change rate from VS2-1 to VS2-2. For example, as shown in FIG. 14, the predetermined rotational speed VS2 may be lowered from VS2-1 to VS2-2 so that the absolute value of the rate of change gradually decreases. As a result, the confusion caused by diffusion of the resist liquid R can be suppressed. Alternatively, the predetermined rotational speed VS2 may be lowered from VS2-1 to VS2-2 so that the absolute value of the rate of change gradually increases.

이상, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 기술하였지만, 본 발명은 이러한 특정한 실시형태에 한정되지 않고, 특허청구범위 내에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에서 여러 가지 변형·변경이 가능하다.As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this specific embodiment, A various deformation | transformation and a change are possible within the scope of the summary of this invention described in a claim.

또한, 실시형태 및 실시형태의 변형예에서는, 레지스트액을 도포 처리하는 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치의 예에 대해서 설명하였다. 그러나, 본 발명에 따른 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치에 있어서, 도포액이 레지스트액에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 본 발명은 용제, 반사 방지막을 형성하기 위한 약액 등 각종 도포액을 도포 처리하는 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치에도 적용될 수 있다.Moreover, in the modified example of embodiment and embodiment, the example of the coating process method and coating apparatus which apply-coat a resist liquid was demonstrated. However, in the coating treatment method and the coating treatment apparatus according to the present invention, the coating liquid is not limited to the resist liquid. Therefore, the present invention can also be applied to a coating treatment method and a coating treatment apparatus for coating treatment of various coating liquids such as a solvent and a chemical liquid for forming an antireflection film.

또한, 본 발명은 반도체 기판, 유리 기판 등 그 밖의 각종 기판에 도포액을 도포 처리하는 공정을 포함하는 방법 및 이들의 공정을 수행하기 위한 장치에 적용될 수 있다.In addition, the present invention can be applied to a method including a step of applying a coating liquid to a variety of other substrates such as a semiconductor substrate, a glass substrate, and an apparatus for performing these processes.

130 : 스핀척
131 : 척 구동 기구
143 : 레지스트액 노즐
144 : 노즐 구동부
160 : 제어부130: spin chuck
131: Chuck Drive Mechanism
143: resist liquid nozzle
144: nozzle drive unit
160:

Claims (12)

회전하는 기판의 표면에 도포액을 공급하고, 공급된 도포액을 상기 기판의 외주측으로 확산시킴으로써, 상기 기판의 표면에 도포액을 도포하는 도포 처리 방법에 있어서,
회전하는 상기 기판의 표면에 상기 도포액을 공급하는 공급 위치를, 상기 외주측으로 확산되는 상기 도포액의 이동에 따라 상기 외주측으로 이동시키면서, 상기 도포액을 상기 기판의 표면에 공급하는 공급 공정을 포함하며,
상기 공급 공정은, 회전하는 상기 기판의 표면의 중심에 상기 도포액을 공급하고, 공급된 상기 도포액을 상기 외주측으로 확산시키며, 확산되는 상기 도포액이 상기 기판의 외주에 도달하기 전에, 상기 기판의 표면이며 상기 도포액이 도포된 영역에 포함되도록, 회전하는 상기 기판의 회전수를 유지한 채로, 상기 기판의 표면의 중심으로부터 상기 외주측을 향해 정해진 위치까지 상기 공급 위치를 이동시키는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.In the coating processing method of apply | coating a coating liquid to the surface of the said board | substrate by supplying a coating liquid to the surface of a rotating board | substrate, and spreading the supplied coating liquid to the outer peripheral side of the said board | substrate,
And a supply step of supplying the coating liquid to the surface of the substrate while moving the supply position for supplying the coating liquid to the surface of the rotating substrate to the outer peripheral side in accordance with the movement of the coating liquid diffused to the outer peripheral side. ,
The supplying step supplies the coating liquid to the center of the surface of the rotating substrate, diffuses the supplied coating liquid to the outer circumferential side, and before the spreading coating liquid reaches the outer circumference of the substrate, The supply position is moved from a center of the surface of the substrate to a predetermined position toward the outer circumferential side while maintaining the rotational speed of the rotating substrate so as to be included in the region to which the coating liquid is applied to the surface of the substrate. Coating treatment method. 제1항에 있어서, 상기 정해진 위치는 상기 중심의 위치로부터 50 ㎜ 이격된 위치인 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.The coating treatment method according to claim 1, wherein the predetermined position is a position 50 mm away from the central position. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 회전수는 2000 rpm인 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.The coating treatment method according to claim 1 or 2, wherein the rotation speed is 2000 rpm. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 공급 공정 후, 상기 기판을, 상기 공급 공정이 종료될 때의 상기 기판의 상기 회전수보다 낮은 제1 회전수로 회전시키는 제1 회전 공정과,
상기 제1 회전 공정 후, 상기 기판을, 상기 제1 회전수보다 높은 제2 회전수로 회전시키는 제2 회전 공정을 포함하는 도포 처리 방법.The first rotation step according to claim 1 or 2, wherein after the supplying step, the substrate is rotated at a first rotational speed lower than the rotational speed of the substrate when the supplying step is completed;
And a second rotation step of rotating the substrate at a second rotation speed higher than the first rotation speed after the first rotation step. 제4항에 있어서, 상기 제1 회전수는 100 rpm이고,
상기 제2 회전수는 1700 rpm인 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.The method of claim 4, wherein the first rotational speed is 100 rpm,
And said second rotation speed is 1700 rpm. 회전하는 기판의 표면에 도포액을 공급하고, 공급된 도포액을 상기 기판의 외주측으로 확산시킴으로써, 상기 기판의 표면에 도포액을 도포하는 도포 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 있어서,
회전하는 상기 기판의 표면의 중심에 상기 도포액을 공급하는 중심 공급 공정과,
상기 중심 공급 공정 후, 확산되는 상기 도포액이 상기 기판의 외주에 도달하기 전에, 상기 기판의 표면이며 상기 도포액이 도포된 영역에 포함되도록, 회전하는 상기 기판의 회전수를 유지한 채로, 상기 기판의 표면의 중심으로부터 상기 외주측을 향해 정해진 위치까지, 상기 도포액을 공급하는 공급 위치를 이동시키는 이동 공급 공정
을 포함하는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.A computer-readable recording medium having recorded thereon a program for executing a coating processing method of applying a coating liquid to the surface of the substrate by supplying a coating liquid to the surface of the rotating substrate and diffusing the supplied coating liquid to the outer peripheral side of the substrate. To
A central supply step of supplying the coating liquid to the center of the surface of the rotating substrate;
After the central supply process, before the diffusion of the coating liquid reaches the outer periphery of the substrate, the rotational speed of the rotating substrate is maintained so that the coating liquid is included in a region that is the surface of the substrate and is coated with the coating liquid. Moving supply process which moves the supply position which supplies the said coating liquid from the center of the surface of a board | substrate to the position determined toward the said outer peripheral side
Computer-readable recording medium comprising a. 제6항에 있어서, 상기 정해진 위치는 상기 중심의 위치로부터 50 mm 이격된 위치인 것을 특징으로 하는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.7. The computer-readable medium of claim 6, wherein the predetermined position is a position 50 mm away from the central position. 회전하는 기판의 표면에 도포액을 공급하고, 공급된 도포액을 상기 기판의 외주측으로 확산시킴으로써, 상기 기판의 표면에 도포액을 도포하는 도포 처리 장치에 있어서,
기판을 유지하는 기판 유지부와,
상기 기판을 유지한 상기 기판 유지부를 회전시키는 회전부와,
상기 회전부에 의해 회전하는 상기 기판 유지부에 유지된 상기 기판의 표면에 상기 도포액을 공급하는 공급부와,
상기 공급부를 이동시키는 이동부와,
상기 이동부, 상기 공급부 및 상기 회전부의 동작을 제어하는 제어부
를 갖고,
상기 제어부는, 상기 공급부를 이용하여 상기 기판의 표면의 중심에 상기 도포액을 공급하고, 상기 회전부를 이용하여 상기 도포액을 상기 외주측으로 확산시키며, 상기 이동부를 이용하여, 확산되는 상기 도포액이 상기 기판의 외주에 도달하기 전에, 상기 기판의 표면이며 상기 도포액이 도포된 영역에 포함되도록, 회전하는 상기 기판의 회전수를 유지한 채로, 상기 기판의 표면의 중심으로부터 상기 외주측을 향해 정해진 위치까지 상기 도포액을 공급하는 공급 위치를 이동시키는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.In the coating processing apparatus which supplies a coating liquid to the surface of the said board | substrate by supplying a coating liquid to the surface of a rotating board | substrate, and spreading the supplied coating liquid to the outer peripheral side of the said board | substrate,
A substrate holding part for holding a substrate,
A rotating part for rotating the substrate holding part holding the substrate;
A supply unit for supplying the coating liquid to the surface of the substrate held by the substrate holding unit rotated by the rotating unit;
A moving unit for moving the supply unit;
Control unit for controlling the operation of the moving unit, the supply unit and the rotating unit
Has,
The control unit supplies the coating liquid to the center of the surface of the substrate by using the supply unit, diffuses the coating liquid to the outer peripheral side by using the rotating unit, and spreads the coating liquid by using the moving unit. Before reaching the outer circumference of the substrate, it is set from the center of the surface of the substrate toward the outer circumference side while maintaining the rotational speed of the rotating substrate so that the surface of the substrate is included in the region to which the coating liquid is applied. And a feeding position for supplying the coating liquid to the position. 제8항에 있어서, 상기 정해진 위치는 상기 중심의 위치로부터 50 ㎜ 이격된 위치인 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.9. The coating processing apparatus according to claim 8, wherein the predetermined position is a position 50 mm away from the central position. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 회전수는 2000 rpm인 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치. The coating treatment apparatus according to claim 8 or 9, wherein the rotation speed is 2000 rpm. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 회전부를 이용하여, 상기 도포액의 공급을 종료한 후에, 상기 회전수보다 낮은 제1 회전수로 회전시키며, 그 후,
상기 제1 회전수보다 높은 제2 회전수로 회전시키는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.The method of claim 8 or 9, wherein the control unit,
After the supply of the coating liquid is finished using the rotating part, the rotating part is rotated at a first rotational speed lower than the rotational speed, and thereafter,
And a second rotational speed higher than the first rotational speed. 제11항에 있어서, 상기 제1 회전수는 100 rpm이고,
상기 제2 회전수는 1700 rpm인 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.The method of claim 11, wherein the first rotational speed is 100 rpm,
And said second rotation speed is 1700 rpm.
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