KR101251458B1 - Electric Chiller apparatus and Method for controlling temperature in the same - Google Patents

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Abstract

냉각유체가 열전모듈과 반도체 공정설비를 순환하는 냉각유체 경로를 구비하고, 상기 열전모듈은 온도제어 컨트롤러에 의해 제어되어 열교환을 수행하는 전기식 칠러 장치가 개시된다. 상기 열전모듈은, 상기 반도체 공정설비 전단에 설치되는 메인 열전모듈과, 상기 반도체 공정설비의 후단에 설치되는 보조 열전모듈로 이루어지며, 상기 메인 및 보조 열전모듈은, a) 상기 반도체 공정설비가 온도 상승시 양자 모두 냉각제어되고, b) 상기 반도체 공정설비가 온도 하강시 양자 모두 가열제어되며, c) 상기 반도체 공정설비가 온도 상승과 하강을 반복하는 경우, 냉각제어와 가열제어를 분담한다.Disclosed is an electric chiller apparatus including a cooling fluid path through which a cooling fluid circulates through a thermoelectric module and a semiconductor processing equipment, and the thermoelectric module is controlled by a temperature control controller to perform heat exchange. The thermoelectric module may include a main thermoelectric module installed at a front end of the semiconductor processing equipment and an auxiliary thermoelectric module installed at a rear end of the semiconductor processing equipment. The main and auxiliary thermoelectric modules may include: a) the temperature of the semiconductor processing equipment; Both the cooling is controlled at the time of rise, b) the heating is controlled at both the temperature of the semiconductor processing equipment and the temperature is lowered.

Description

전기식 칠러 장치 및 그 온도제어 방법{Electric Chiller apparatus and Method for controlling temperature in the same}Electric Chiller Apparatus and Method for controlling temperature in the same}

본 발명은 전기식 칠러 장치에 관한 것으로, 특히 데드 존에서 우수한 온도 제어성을 갖도록 하는 기술에 관련한다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to an electric chiller device, and more particularly to a technique for having excellent temperature controllability in a dead zone.

최근 반도체 시장에 있어서 키워드는 저전력과 온도 제어성 향상으로 인한 효율의 향상이다. In recent years, the keyword of the semiconductor market is improved efficiency due to low power and improved temperature controllability.

냉동기 방식의 단점을 보완한 열전소자를 이용한 극성전환 전기식 온도제어장치가 시장에 신규로 진입하여 그 성능을 인정받고 있다. 그러나 극성전환 전기식 온도제어장치는 가열영역에서 냉각영역으로 또는 그 반대로 전환 시 물리적 전환점에 의하여 제어가 지연되어 실질적으로 제어되지 않는 구간(이하, 데드 존(Dead Zone)이라 함)이 생긴다. The polarity switching electric temperature controller using a thermoelectric element that compensates for the shortcomings of the refrigeration method has been recognized in the new market. However, in the polarity switching electric temperature controller, the control is delayed by the physical switching point when switching from the heating zone to the cooling zone or vice versa, thereby creating a section that is not actually controlled (hereinafter referred to as a dead zone).

한편, 반도체 제조공정에서 발생하는 어떤 부하에 대해서도 ±1.0℃를 항상 유지하는 정밀한 온도제어가 요구되고 있다.On the other hand, precise temperature control is always required to keep ± 1.0 ° C for any load generated in the semiconductor manufacturing process.

그러나, 종래의 경우, 가열영역이나 냉각영역 중 하나의 영역만 제어가 되어 온도별 부하 변동에 따라 온도 제어성의 편차가 매우 심하여 반도체 제조공정의 특성상 다양한 온도와 부하조건의 변화에 따른 온도 제어성이 떨어진다는 문제점이 있다.However, in the conventional case, only one of the heating zone or the cooling zone is controlled, and the variation in temperature controllability is very severe according to the load variation for each temperature. There is a problem of falling.

또한, 극성전환에 의한 데드 존에서 실질적으로 제어가 이루어지지 않으며, 극성전환에 의해 데드 존에서 발생하는 기전력으로 인해 열전모듈이 파손되는 문제점이 있다.In addition, the control is not substantially made in the dead zone due to the polarity switching, there is a problem that the thermoelectric module is damaged due to the electromotive force generated in the dead zone by the polarity switching.

따라서, 본 발명의 목적은 온도 제어성이 우수한 전기식 칠러 장치 및 그 온도제어 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide an electric chiller device having excellent temperature controllability and a temperature control method thereof.

본 발명의 다른 목적은 극성전환을 제거하여 제어가 이루어지지 않는 구간을 없애고 기전력의 발생을 근본적으로 차단하는 칠러 장치 및 그 온도제어 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a chiller device and a temperature control method for eliminating the polarity switching to eliminate the section that is not controlled and fundamentally block the generation of electromotive force.

본 발명의 일 측면에 따르면, 냉각유체가 열전모듈과 반도체 공정설비를 순환하는 냉각유체 경로를 구비하고, 상기 열전모듈은 온도제어 컨트롤러에 의해 제어되어 열교환을 수행하는 전기식 칠러 장치에 있어서, 상기 열전모듈은, 상기 반도체 공정설비 전단에 설치되는 메인 열전모듈과, 상기 반도체 공정설비의 후단에 설치되는 보조 열전모듈로 이루어지며, 상기 메인 및 보조 열전모듈은, a) 상기 반도체 공정설비가 온도 상승시 양자 모두 냉각제어되고, b) 상기 반도체 공정설비가 온도 하강시 양자 모두 가열제어되며, c) 상기 반도체 공정설비가 온도 상승과 하강을 반복하는 경우, 냉각제어와 가열제어를 분담하는 전기식 칠러 장치가 제공된다.According to an aspect of the invention, the cooling fluid has a cooling fluid path for circulating the thermoelectric module and the semiconductor processing equipment, the thermoelectric module is controlled by a temperature control controller in the electric chiller device to perform heat exchange, the thermoelectric The module may include a main thermoelectric module installed in front of the semiconductor processing equipment and an auxiliary thermoelectric module installed in a rear end of the semiconductor processing equipment. The main and auxiliary thermoelectric modules may include: a) when the semiconductor processing equipment rises in temperature; Both are cooling controlled, b) both of the semiconductor process equipment is heated and controlled when the temperature is lowered, and c) when the semiconductor process equipment is repeatedly heated and lowered, an electric chiller apparatus for sharing the cooling control and the heating control is provided. Is provided.

바람직하게, 상기 메인 열전모듈 후단에 온도센서와 유량센서가 설치되고, 상기 보조 열전모듈의 후단에 다른 온도센서가 설치되며, 온도제어 컨트롤러는 상기 온도센서들과 유량센서로부터 검출된 온도 값과 유량 값에 기초하여 상기 메인 및 보조 열전모듈을 온도제어 할 수 있다.Preferably, a temperature sensor and a flow sensor are installed at the rear end of the main thermoelectric module, and another temperature sensor is installed at the rear end of the auxiliary thermoelectric module, and the temperature control controller is a temperature value and a flow rate detected from the temperature sensors and the flow sensor. The main and auxiliary thermoelectric modules may be temperature controlled based on the value.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 냉각유체가 열전모듈과 반도체 공정설비를 순환하는 냉각유체 경로를 구비하고, 상기 열전모듈은 온도제어 컨트롤러에 의해 제어되어 열교환을 수행하는 전기식 칠러 장치에 적용되며, 상기 열전모듈은, 상기 반도체 공정설비 전단에 설치되는 메인 열전모듈과, 상기 반도체 공정설비의 후단에 설치되는 보조 열전모듈로 이루어지고, 상기 메인 및 보조 열전모듈은, a) 상기 반도체 공정설비가 온도 상승시 양자 모두 냉각제어되고, b) 상기 반도체 공정설비가 온도 하강시 양자 모두 가열제어되며, c) 상기 반도체 공정설비가 온도 상승과 하강을 반복하는 경우, 냉각제어와 가열제어를 분담하는 전기식 칠러 장치의 온도 제어방법이 제공된다.According to another aspect of the invention, the cooling fluid has a cooling fluid path for circulating the thermoelectric module and the semiconductor processing equipment, the thermoelectric module is controlled by a temperature control controller is applied to the electric chiller device for performing heat exchange, The thermoelectric module includes a main thermoelectric module installed in front of the semiconductor processing equipment and an auxiliary thermoelectric module installed in a rear end of the semiconductor processing equipment. The main and auxiliary thermoelectric modules include: a) the temperature rise of the semiconductor processing equipment; Electric chiller apparatus for both cooling control, b) the semiconductor process equipment is heated and controlled when the temperature decreases, and c) when the semiconductor process equipment is repeatedly heated and lowered. The temperature control method of is provided.

상기의 구조에 의하면, 냉각 및 가열제어가 교차되는 영역에서 냉각제어 또는 가열제어를 분담하도록 함으로써 극성전환을 없애 결과적으로 데드 존을 제거할 수 있다.According to the above structure, by sharing the cooling control or the heating control in the region where the cooling and heating control intersect, the polarity change can be eliminated and the dead zone can be removed as a result.

또한, 극성전환에 따른 기전력의 발생을 없애 열전모듈의 파손을 방지할 수 있고, 데드 존을 제거함으로써 제어되지 않는 부분이 발생하지 않도록 할 수 있다.In addition, it is possible to prevent generation of electromotive force due to polarity switching to prevent breakage of the thermoelectric module, and to prevent the occurrence of uncontrolled parts by removing the dead zone.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 칠러 장치의 냉각 계통도이다.
도 2는 도 1의 칠러 장치의 온도제어 그래프를 나타낸다.1 is a cooling system diagram of a chiller device according to an embodiment of the present invention.
2 is a graph illustrating a temperature control of the chiller device of FIG. 1.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 칠러 장치의 냉각 계통도이다.1 is a cooling system diagram of a chiller device according to an embodiment of the present invention.

냉각유체 탱크(10)에 저장된 냉각유체는 냉각유체 펌프(20)에 의해 메인 열전모듈(30)을 통하여 반도체 공정설비(40)로 공급되고 반도체 공정설비(40)의 열적 부하를 냉각유체가 흡수하여 보조 열전모듈(50)을 거쳐 냉각유체 탱크(10)로 유입된다.The cooling fluid stored in the cooling fluid tank 10 is supplied to the semiconductor processing equipment 40 through the main thermoelectric module 30 by the cooling fluid pump 20, and the cooling fluid absorbs the thermal load of the semiconductor processing equipment 40. It is introduced into the cooling fluid tank 10 via the auxiliary thermoelectric module 50.

이와 같이, 본 발명에 따르면, 메인 및 보조 열전모듈(30, 50)이 각각 반도체 공정설비(40)의 전단과 후단에 분리되어 설치된다.As such, according to the present invention, the main and auxiliary thermoelectric modules 30 and 50 are separately installed at the front end and the rear end of the semiconductor processing equipment 40, respectively.

메인 열전모듈(30)이 후단에는 온도센서(60)와 유량센서(70)가 설치되고, 보조 열전모듈(50)의 후단에는 온도센서(62)가 설치되며, 온도센서(60, 62)에 의해 검출된 온도 값과 유량센서(70)에 의해 검출된 유량 값은 온도제어 컨트롤러(100)에 전달된다.A temperature sensor 60 and a flow sensor 70 are installed at the rear end of the main thermoelectric module 30, and a temperature sensor 62 is installed at the rear end of the auxiliary thermoelectric module 50, and the temperature sensors 60, 62 The temperature value detected by the flow rate and the flow rate value detected by the flow rate sensor 70 are transmitted to the temperature control controller 100.

바람직하게, 온도제어 컨트롤러(100)는 프로그램 가능한 온도제어 컨트롤러이고, 전달된 온도 값과 유량 값에 기초하여 메인 및 보조 열전모듈(30, 50)을 제어한다.Preferably, the temperature control controller 100 is a programmable temperature control controller and controls the main and auxiliary thermoelectric modules 30 and 50 based on the transferred temperature and flow rate values.

메인 열전모듈(30)이 후단에 설치한 온도센서(60)와 보조 열전모듈(50)의 후단에 설치한 온도센서(62)에 의해 검출된 온도 값의 차와, 유량센서(70)에 의해 검출된 유량 값을 연산하여 반도체 공정설비(40)의 부하 상태를 감지할 수 있다.The difference between the temperature value detected by the temperature sensor 60 installed at the rear end of the main thermoelectric module 30 and the temperature sensor 62 installed at the rear end of the auxiliary thermoelectric module 50 and by the flow rate sensor 70. The load state of the semiconductor process facility 40 may be detected by calculating the detected flow rate value.

즉, Q(부하량)=G(유량센서(70)의 유량 값) * Cp(냉각유체의 비열) * T (온도센서(62)와 온도센서(60)의 온도 차)를 연산하여 반도체 공정설비(40)의 냉각제어가 필요한지 가열제어가 필요한지 판단할 수 있다.That is, Q (load amount) = G (flow rate value of the flow sensor 70) * Cp (specific heat of the cooling fluid) * T (temperature difference between the temperature sensor 62 and the temperature sensor 60) to calculate the semiconductor processing equipment It is possible to determine whether or not the cooling control of 40 is necessary.

이에 부하량(Q)의 일정한 상태를 판단하여 전환영역 구간에서 메인 및 보조 열전모듈(30, 50)가 항시 일정한 출력량을 유지하도록 PLC 프로그램으로 처리한다.Therefore, the constant state of the load Q is determined and processed by the PLC program so that the main and auxiliary thermoelectric modules 30 and 50 always maintain a constant output amount in the switching area section.

먼저, 반도체 공정설비(40)가 온도 상승시에는 메인 및 보조 열전모듈(30, 50)은 모두 냉각영역의 온도로 제어(냉각제어)되도록 설정 값이 정해진다. 온도제어 컨트롤러(100)는 유량센서(70)로부터 전달된 유량 값에 근거하여 PLC 프로그램을 이용하여 열량을 연산 산출하여 메인 및 보조 열전모듈(30, 50)을 제어한다. 도 2의 그래프에서 우측의 상승 영역에 대응한다.First, when the semiconductor process equipment 40 rises in temperature, a set value is set such that both the main and auxiliary thermoelectric modules 30 and 50 are controlled (cooling control) at the temperature of the cooling zone. The temperature control controller 100 controls the main and auxiliary thermoelectric modules 30 and 50 by calculating and calculating the amount of heat using a PLC program based on the flow rate value transmitted from the flow rate sensor 70. It corresponds to the rising area on the right side in the graph of FIG.

또한, 반도체 공정설비(40)가 온도 하강시에는 메인 및 보조 열전모듈(30, 50)은 모두 가열영역의 온도로 제어(가열제어)되도록 설정 값이 정해진다. 상기와 같이, 온도제어 컨트롤러(100)는 유량센서(70)로부터 전달된 유량 값에 근거하여 PLC 프로그램을 이용하여 열량을 연산 산출하여 메인 및 보조 열전모듈(30, 50)을 제어한다. 도 2의 그래프에서 좌측의 하강 영역에 대응한다.In addition, when the semiconductor processing equipment 40 is lowered in temperature, a set value is set such that both the main and auxiliary thermoelectric modules 30 and 50 are controlled (heating control) at the temperature of the heating region. As described above, the temperature control controller 100 controls the main and auxiliary thermoelectric modules 30 and 50 by calculating and calculating the amount of heat using a PLC program based on the flow rate value transferred from the flow rate sensor 70. It corresponds to the falling area on the left side in the graph of FIG.

한편, 반도체 공정설비(40)가 온도 상승과 하강을 반복하여 극성 전환이 빈번하게 이루어지는 영역에서 메인 및 보조 열전모듈(30, 50)은 각각 가열제어 또는 냉각제어를 분담한다. 다시 말해, 메인 열전모듈(30)이 냉각제어되고 보조 열전모듈(50)은 가열제어되도록 설정 값이 정해지고, 그 반대로 메인 열전모듈(30)이 가열제어되고 보조 열전모듈(50)은 냉각제어되도록 설정 값이 정해지게 된다.On the other hand, the main and auxiliary thermoelectric modules 30 and 50 share the heating control or the cooling control, respectively, in a region in which the semiconductor process equipment 40 repeatedly increases and decreases the temperature so that polarity switching is frequently performed. In other words, a set value is set such that the main thermoelectric module 30 is cooled and the auxiliary thermoelectric module 50 is heated. On the contrary, the main thermoelectric module 30 is heated and the auxiliary thermoelectric module 50 is cooled. The setting value will be set as possible.

따라서, 메인 및 보조 열전모듈(30, 50)은 각각 냉각과 가열의 교차점이 없어지게 되므로, 즉 데드 존이 제거되므로 제어되지 않는 부분이 없어짐과 동시에 기전력의 발생으로 인한 열전모듈의 파손을 방지할 수 있다.Thus, the main and auxiliary thermoelectric modules 30 and 50 are each no longer the intersection of cooling and heating, that is, the dead zone is removed, so there are no uncontrolled parts and at the same time prevent damage to the thermoelectric module due to the generation of electromotive force. Can be.

도 2의 그래프를 보면, 하강 영역과 상승 영역 사이의 전환 영역에서 일정한 출력량을 유지함으로써 극성 전환을 제거하게 된다. Referring to the graph of FIG. 2, the polarity switching is eliminated by maintaining a constant output amount in the switching area between the falling area and the rising area.

예를 들어, 반도체 공정설비(40)가 고온에서 공정을 수행할 경우, 온도제어 컨트롤러(100)는 메인 열전모듈(30)을 제어하여 냉각유체를 가열하여 반도체 공정설비(40)에 공급하고 보조 열전모듈(50)을 제어하여 반도체 공정설비(40)로부터 나온 냉각유체를 냉각한다. 또한, 반도체 공정설비(40)가 저온에서 공정을 수행할 경우, 온도제어 컨트롤러(100)는 메인 열전모듈(30)을 제어하여 냉각유체를 냉각하여 반도체 공정설비(40)에 공급하고 보조 열전모듈(50)을 제어하여 반도체 공정설비(40)로부터 나온 냉각유체를 가열한다.For example, when the semiconductor processing equipment 40 performs the process at a high temperature, the temperature control controller 100 controls the main thermoelectric module 30 to heat the cooling fluid to supply the semiconductor processing equipment 40 to the auxiliary processing equipment 40. The thermoelectric module 50 is controlled to cool the cooling fluid from the semiconductor processing equipment 40. In addition, when the semiconductor process equipment 40 performs the process at low temperature, the temperature control controller 100 controls the main thermoelectric module 30 to cool the cooling fluid to supply the semiconductor process equipment 40 to the auxiliary thermoelectric module. (50) is controlled to heat the cooling fluid from the semiconductor processing equipment (40).

이상에서 설명한 것처럼, 본 발명에 의하면, 메인 열전모듈과 보조 열전모듈을 냉각 및 가열제어가 교차되는 영역에서 냉각제어 또는 가열제어를 분담하도록 함으로써 극성전환을 없애 결과적으로 데드 존을 제거할 수 있다.As described above, according to the present invention, by allowing the main thermoelectric module and the auxiliary thermoelectric module to share the cooling control or the heating control in the region where the cooling and heating control intersect, the dead zone can be eliminated as a result of the polarity change.

이에 따라, 극성전환에 따른 기전력의 발생을 없애 열전모듈의 파손을 방지할 수 있고, 데드 존을 제거함으로써 제어되지 않는 부분이 발생하지 않도록 할 수 있다.
Accordingly, breakage of the thermoelectric module can be prevented by eliminating generation of electromotive force due to polarity switching, and by removing the dead zone, an uncontrolled part can be prevented from occurring.

이상에서는 본 발명의 실시 예를 중심으로 설명하였지만, 당업자의 수준에서 다양한 변경을 가할 수 있음은 물론이다. 따라서, 본 발명의 권리범위는 상기의 실시 예에 한정되어 해석되어서는 안 되며 이하에 기재된 특허청구범위에 의해 해석되어야 한다.In the above description, the embodiment of the present invention has been described, but various changes can be made at the level of those skilled in the art. Therefore, the scope of the present invention should not be construed as being limited to the above embodiments but should be interpreted by the claims described below.

10: 냉각유체 탱크
20: 냉각유체 펌프
30: 메인 열전모듈
40: 반도체 공정설비
50: 보조 열전모듈
60, 62: 온도센서
70: 유량센서10: cooling fluid tank
20: cooling fluid pump
30: main thermoelectric module
40: semiconductor processing equipment
50: auxiliary thermoelectric module
60, 62: temperature sensor
70: flow sensor

Claims (4)

냉각유체가 열전모듈과 반도체 공정설비를 순환하는 냉각유체 경로를 구비하고, 상기 열전모듈은 온도제어 컨트롤러에 의해 제어되어 열교환을 수행하는 전기식 칠러 장치에 있어서,
상기 열전모듈은, 상기 반도체 공정설비 전단에 설치되는 메인 열전모듈과, 상기 반도체 공정설비의 후단에 설치되는 보조 열전모듈로 이루어지고, 상기 메인 열전모듈 후단에 온도센서와 유량센서가 설치되고 상기 보조 열전모듈의 후단에 다른 온도센서가 설치되며,
상기 온도제어 컨트롤러는 상기 온도센서들과 유량센서로부터 검출된 온도 값과 유량 값에 기초하여 상기 메인 및 보조 열전모듈을 온도제어 하고,
상기 메인 및 보조 열전모듈은,
a) 상기 반도체 공정설비가 온도 상승시 양자 모두 냉각제어되고,
b) 상기 반도체 공정설비가 온도 하강시 양자 모두 가열제어되며,
c) 상기 반도체 공정설비가 온도 상승과 하강을 반복하는 경우, 냉각제어와 가열제어를 분담하는 것을 특징으로 하는 전기식 칠러 장치.In the electric chiller apparatus having a cooling fluid path circulating the thermoelectric module and the semiconductor processing equipment, the thermoelectric module is controlled by a temperature control controller to perform heat exchange,
The thermoelectric module includes a main thermoelectric module installed in front of the semiconductor processing equipment and an auxiliary thermoelectric module installed in a rear end of the semiconductor processing equipment, and a temperature sensor and a flow sensor are installed at the rear end of the main thermoelectric module and the auxiliary Another temperature sensor is installed at the rear of the thermoelectric module.
The temperature control controller temperature-controls the main and auxiliary thermoelectric modules based on the temperature value and the flow rate value detected from the temperature sensors and the flow rate sensor,
The main and auxiliary thermoelectric module,
a) both of the semiconductor processing equipment are cooled and controlled when the temperature rises;
b) both of the semiconductor processing equipment are heat-controlled when the temperature drops;
c) The electric chiller apparatus, wherein the semiconductor processing equipment shares the cooling control and the heating control when the temperature rises and falls repeatedly. 삭제delete 냉각유체가 열전모듈과 반도체 공정설비를 순환하는 냉각유체 경로를 구비하고, 상기 열전모듈은 온도제어 컨트롤러에 의해 제어되어 열교환을 수행하는 전기식 칠러 장치에 적용되며,
상기 열전모듈은, 상기 반도체 공정설비 전단에 설치되는 메인 열전모듈과, 상기 반도체 공정설비의 후단에 설치되는 보조 열전모듈로 이루어지고, 상기 메인 열전모듈 후단에 온도센서와 유량센서가 설치되고 상기 보조 열전모듈의 후단에 다른 온도센서가 설치되며,
상기 온도제어 컨트롤러는 상기 온도센서들과 유량센서로부터 검출된 온도 값과 유량 값에 기초하여 상기 메인 및 보조 열전모듈을 온도제어 하고,
상기 메인 및 보조 열전모듈은,
a) 상기 반도체 공정설비가 온도 상승시 양자 모두 냉각제어되고,
b) 상기 반도체 공정설비가 온도 하강시 양자 모두 가열제어되며,
c) 상기 반도체 공정설비가 온도 상승과 하강을 반복하는 경우, 냉각제어와 가열제어를 분담하는 것을 특징으로 하는 전기식 칠러 장치의 온도제어방법.Cooling fluid has a cooling fluid path for circulating the thermoelectric module and the semiconductor processing equipment, the thermoelectric module is controlled by a temperature control controller is applied to the electric chiller device for performing heat exchange,
The thermoelectric module includes a main thermoelectric module installed in front of the semiconductor processing equipment and an auxiliary thermoelectric module installed in a rear end of the semiconductor processing equipment, and a temperature sensor and a flow sensor are installed at the rear end of the main thermoelectric module and the auxiliary Another temperature sensor is installed at the rear of the thermoelectric module.
The temperature control controller temperature-controls the main and auxiliary thermoelectric modules based on the temperature value and the flow rate value detected from the temperature sensors and the flow rate sensor,
The main and auxiliary thermoelectric module,
a) both of the semiconductor processing equipment are cooled and controlled when the temperature rises;
b) both of the semiconductor processing equipment are heat-controlled when the temperature drops;
c) The temperature control method of the electric chiller device, characterized in that the cooling process and the heating control when the semiconductor processing equipment repeats the temperature rise and fall repeatedly. 청구항 3에 있어서,
상기 온도제어는, 상기 각 온도센서에 의해 검출된 온도 값의 차와, 상기 유량센서에 의해 검출된 유량 값으로부터 연산된 부하량에 의한 상기 반도체 공정설비의 부하 상태에 기초하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기식 칠러 장치의 온도제어방법.The method according to claim 3,
The temperature control is performed based on the difference between the temperature values detected by the respective temperature sensors and the load state of the semiconductor processing equipment by the load amount calculated from the flow rate values detected by the flow rate sensors. Temperature control method of chiller device.
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