KR101232089B1 - Upright type deposition apparatus - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A straight type laminating device is provided to improve the quality of a thin film by forming the thin film by using an atomic layer laminating process. CONSTITUTION: A substrate transfer unit supports and transfers two substrates(10) which are stood up vertically. A spraying surface which faces the substrate is formed in a gas spraying module(103). A plurality of spraying areas(130) is formed inside the gas spraying module. A first source area(S), a vacuum area(V), a purge area(P), and a second source area(R) are sequentially repeated. A heater unit is arranged at the rear of the substrate. A main vacuum baffle unit discharges exhaust from a lower part of the gas spraying module.

Description

직립장식 증착장치{UPRIGHT TYPE DEPOSITION APPARATUS}Upright Deposition Apparatus {UPRIGHT TYPE DEPOSITION APPARATUS}

본 발명은 평판 디스플레이 장치용 기판의 증착장치에 관한 것으로, 평판 디스플레이 장치용 기판과 같이 대면적 기판에 균일하게 박막을 형성하기 위한 직립방식 증착장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a deposition apparatus for a substrate for a flat panel display apparatus, and more particularly to an upright deposition apparatus for uniformly forming a thin film on a large area substrate, such as a substrate for a flat panel display apparatus.

평판 디스플레이 장치(Flat Panel Display, FPD)는 액정 디스플레이 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 플라즈마 디스플레이 장치(Plasma Display Panel, PDP), 유기발광 디스플레이 장치(Organic Light Emitting Diodes, OLED) 등이 있다. 이 중에서, 자발광(self emission), 광 시야각, 고속 응답, 낮은 소비 전력 등의 특성과 초박형으로 만들 수 있다는 특성에서 유기발광 디스플레이 장치가 차세대 디스플레이 장치로써 주목 받고 있다. 유기발광 디스플레이 장치는 통상적으로 유리 기판 상에 애노드(anode)에 해당하는 제1 전극, 정공 주입층 (hole injection layer), 정공 수송층(hole transfer layer), 발광층(emitting layer), 전자 수송층(electron transfer layer) 및 전자 주입층(electron injection layer)의 다층으로 이루어지는 유기막 및 캐소드(cathode)에 해당하는 제2 전극으로 이루어진다.Flat panel displays (FPDs) include liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDPs), organic light emitting diodes (OLEDs), and the like. Among them, an organic light emitting display device is attracting attention as a next generation display device because of its characteristics such as self emission, wide viewing angle, high-speed response, low power consumption, and ultra-thin characteristics. An organic light emitting display device typically includes a first electrode, a hole injection layer, a hole transfer layer, an emitting layer, and an electron transfer layer corresponding to an anode on a glass substrate. a second electrode corresponding to an organic film and a cathode formed of a multilayer of a layer and an electron injection layer.

유기박막 형성방법에는 진공증착(vacuum deposition), 스퍼터링(sputtering), 이온빔 증착(Ion-beam Deposition), Pulsed-laser 증착, 분자선 증착, 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD), 스핀 코터(spin coater) 등의 방법을 사용할 수 있다.
Organic thin film formation methods include vacuum deposition, sputtering, ion-beam deposition, pulsed-laser deposition, molecular beam deposition, chemical vapor deposition, spin coater ) Can be used.

본 발명의 실시예들에 대면적 기판에 균일하게 박막을 증착할 수 있고 기판을 수직으로 세워서 박막을 증착하는 방식의 직립방식 증착장치를 제공하기 위한 것이다.
In the embodiments of the present invention to provide a thin film on a large area substrate uniformly and to provide an upright deposition apparatus of the method of depositing a thin film by standing the substrate vertically.

상술한 본 발명의 실시예들에 따른 직립방식 증착장치는, 수직으로 세워진 2장의 기판을 지지하고 이송하는 기판 이송 유닛, 상기 기판에 대향되는 분사면이 형성되고, 내부에 복수의 증착 가스를 각각 제공하는 다수의 분사영역이 분할 형성된 가스분사 모듈, 상기 기판의 후방에 구비되는 히터 유닛 및 상기 가스분사 모듈 하부에 구비되어 배기 가스를 배출시키는 메인 배기 배플부를 포함한다. 여기서, 상기 가스분사 모듈은 상기 기판에 서로 다른 복수의 증착 가스를 순차적으로 제공하도록 상기 분사영역이 배치되고, 상기 기판 이송 유닛은 상기 기판을 증착 사이클의 1 사이클 사이에서 왕복 이동시킨다.In the upright deposition apparatus according to the embodiments of the present invention described above, a substrate transfer unit that supports and transports two substrates standing vertically, an injection surface facing the substrate is formed, and a plurality of deposition gases are respectively formed therein. And a gas injection module having a plurality of injection zones provided therein, a heater unit provided at the rear of the substrate, and a main exhaust baffle disposed under the gas injection module to discharge exhaust gas. Here, in the gas injection module, the spraying region is arranged to sequentially provide a plurality of different deposition gases to the substrate, and the substrate transfer unit reciprocates the substrate between one cycle of the deposition cycle.

일 측에 따르면, 상기 분사영역은 프리커서 가스가 제공되는 제1 소스 영역, 퍼지 가스가 제공되는 퍼지 영역, 리액턴스 가스가 제공되는 제2 소스 영역 및 배기 가스를 제거하기 위한 배큠 영역으로 구성되고, 상기 분사영역이 상기 제1 소스 영역, 상기 배큠 영역, 상기 퍼지 영역, 상기 배큠 영역, 상기 제2 소스 영역, 상기 배큠 영역, 상기 퍼지 영역, 상기 배큠 영역 및 상기 제1 소스 영역을 1 사이클로 하여 반복 배치된다. 그리고 상기 기판은 상기 1 사이클 사이에서 좌우로 왕복 이동하면서 증착이 수행된다. 여기서, 상기 가스분사 모듈은 상기 양쪽에 구비된 기판에 동시에 증착 가스를 제공한다.According to one side, the injection region is composed of a first source region provided with a precursor gas, a purge region provided with a purge gas, a second source region provided with a reactant gas and a draining region for removing exhaust gas, The spraying region repeats the first source region, the backing region, the purge region, the backing region, the second source region, the backing region, the purge region, the backing region, and the first source region in one cycle. Is placed. The substrate is deposited while reciprocating from side to side between the cycles. Here, the gas injection module simultaneously provides the deposition gas to the substrates provided on both sides.

일 측에 따르면, 상기 가스분사 모듈의 분사면에는 다수의 홀 또는 샤워헤드 또는 하나 이상의 노즐 중 어느 하나가 구비된다.
According to one side, the injection surface of the gas injection module is provided with any one of a plurality of holes or a showerhead or one or more nozzles.

이상에서 본 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 원자층 증착공정을 이용하여 박막을 형성하므로 박막의 품질을 향상시킬 수 있다.As described above, according to the embodiments of the present invention, since the thin film is formed using the atomic layer deposition process, the quality of the thin film may be improved.

또한, 기판을 수직으로 세운 상태에서 증착 공정이 수행되며, 기판에 균일하게 소스 가스를 분사할 수 있어서 균일한 박막을 형성할 수 있다.In addition, the deposition process is performed while the substrate is upright, and the source gas can be uniformly sprayed onto the substrate to form a uniform thin film.

또한, 2장의 기판을 동시에 처리할 수 있으므로 스루풋을 향상시키고 생산성을 향상시킬 수 있다.
In addition, since two substrates can be processed simultaneously, throughput can be improved and productivity can be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 직립방식 증착장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 직립방식 증착장치에서 가스분사 모듈의 동작을 설명하기 위한 단면도이다.1 is a perspective view of an upright deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an operation of a gas injection module in the upright deposition apparatus of FIG. 1.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략될 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to or limited by the embodiments. In describing the present invention, a detailed description of well-known functions or constructions may be omitted for clarity of the present invention.

이하, 도 1과 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 직립방식 증착장치(100)에 대해 상세하게 설명한다. 참고적으로, 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 직립방식 증착장치(100)를 간략하게 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1의 직립방식 증착장치(100)에서 가스분사 모듈(103)의 동작을 설명하기 위한 단면도들이다.Hereinafter, the upright deposition apparatus 100 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2. For reference, FIG. 1 is a perspective view briefly showing an upright deposition apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a gas injection module 103 in the upright deposition apparatus 100 of FIG. 1. Sectional drawing for explaining operation | movement of.

도면을 참조하면, 직립방식 증착장치(100)는 수직으로 세워서 지지되는 2장의 기판(10)에 대해 동시에 박막을 형성하도록 가스분사 모듈(103)을 사이에 두고 2장의 기판(10)이 서로 마주보도록 수용된다. 그리고 기판(10)의 양측 후방에는 기판(10)의 가열을 위한 히터 유닛(113)이 구비된다. 그리고 증착장치(100)의 하부에는 기판(10)의 이송을 위한 기판 이송 유닛(substrate moving unit)(111)과 미반응 증착 가스를 포함하는 배기 가스를 배출시키기 위한 메인 배기 배플부(main vacuum baffle)(115)가 구비된다.Referring to the drawings, the upright deposition apparatus 100 includes two substrates 10 facing each other with a gas injection module 103 interposed therebetween to simultaneously form a thin film on two substrates 10 that are vertically supported. Accepted to see The heater unit 113 for heating the substrate 10 is provided at both rear sides of the substrate 10. In addition, a main exhaust baffle for discharging exhaust gas including a substrate moving unit 111 for transferring the substrate 10 and an unreacted deposition gas is disposed below the deposition apparatus 100. 115 is provided.

여기서, 본 실시예에서 '기판(10)'은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치(flat panel display device, FPD)용 글라스를 포함하는 투명 기판일 수 있다. 그러나 본 발명의 기판(10)이 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 장치(semiconductor device) 제조용 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수 있다. 또한, 기판(10)의 형상 및 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다.In this embodiment, the substrate 10 may be a transparent substrate including a glass for a flat panel display device (FPD), such as a liquid crystal display (LCD) and a plasma display panel (PDP). However, the substrate 10 of the present invention is not limited thereto, and may be a silicon wafer for manufacturing a semiconductor device. In addition, the shape and size of the substrate 10 is not limited by the drawings, and may have substantially various shapes and sizes, such as a circle and a rectangle.

또한, 본 실시예에서 '증착 가스'는 기판(10)에 박막을 증착하기 위해서 제공되는 적어도 1종 이상의 가스를 포함하며, 기판(10)에 형성하고자 하는 박막의 구성 물질을 포함하는 프리커서 가스(precursor gas), 상기 프리커서 가스와 화학적으로 반응하는 리액턴스 가스(reactance gas), 및 프리커서 가스와 리액턴스 가스를 퍼지 시키기 위한 퍼지 가스(purge gas)를 포함한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 증착 가스의 종류는 증착하고자 하는 박막의 종류에 따라 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.In addition, in the present embodiment, the 'deposition gas' includes at least one gas provided to deposit a thin film on the substrate 10, and a precursor gas including a constituent material of the thin film to be formed on the substrate 10. (precursor gas), a reactant gas chemically reacting with the precursor gas, and a purge gas for purging the precursor gas and the reactant gas. However, the present invention is not limited thereto, and the type of deposition gas may be changed in various ways depending on the type of thin film to be deposited.

한편, 설명의 편의를 위해 이하에서는 기판(10)에서 박막이 증착될 면을 '증착면'이라 하고, 상기 기판(10)에서 증착면의 이면을 '배면'이라 한다.Meanwhile, for convenience of description, hereinafter, the surface on which the thin film is to be deposited on the substrate 10 is referred to as a 'deposition surface', and the back surface of the deposition surface on the substrate 10 is referred to as a 'back surface'.

기판(10)은 기판(10)의 배면에 셔틀부(shuttle)(20)가 구비되어 지지될 수 있다. 또한, 기판(10)은 단독으로 증착장치(100)에 투입되거나, 소정 패턴의 박막을 형성하기 위한 마스크(미도시)가 장착된 상태로 투입되어 박막이 형성될 수 있다. 예를 들어, 각 기판(10)의 증착면에는 형성하고자 하는 소정의 패턴이 형성된 마스크가 장착되고, 가스분사 모듈(103)에서 제공되는 증착 가스를 선택적으로 차단시킴으로써 기판(10)에 상기 마스크에 형성된 패턴에 따라 박막이 증착된다.The substrate 10 may be supported by a shuttle 20 provided on the rear surface of the substrate 10. In addition, the substrate 10 may be added to the deposition apparatus 100 alone, or may be input while a mask (not shown) for forming a thin film having a predetermined pattern is mounted, thereby forming a thin film. For example, a mask having a predetermined pattern to be formed is mounted on the deposition surface of each substrate 10, and the mask is applied to the substrate 10 by selectively blocking the deposition gas provided from the gas injection module 103. A thin film is deposited according to the formed pattern.

기판 이송 유닛(111)은 기판(10)을 수직으로 세워진 상태에서 지지하고, 증착 공정이 진행되는 동안 증착장치(100) 내부에서 기판(10)을 가스분사 모듈(103)을 따라 좌우로 왕복 이송한다. 즉, 기판 이송 유닛(111)은 도 2에 도시한 화살표의 방향을 따라 기판(10)을 이송하며, 이하에서는 설명의 편의를 위해 도 2에 도시한 화살표 방향을 '좌우 방향'이라고 한다. 예를 들어, 기판 이송 유닛(111)은 2장의 기판(10)을 각각 이송하도록 기판(10) 하부에 구비된 다수의 롤러 일 수 있다. 그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 기판 이송 유닛(103)은 기판(10)을 수직으로 세워서 지지하고 이송할 수 있는 실질적으로 다양한 수단일 수 있다.The substrate transfer unit 111 supports the substrate 10 in an upright position, and reciprocally transfers the substrate 10 from side to side along the gas injection module 103 inside the deposition apparatus 100 during the deposition process. do. That is, the substrate transfer unit 111 transfers the substrate 10 along the direction of the arrow shown in FIG. 2, and hereinafter, the arrow direction shown in FIG. 2 is referred to as a 'left and right' direction for convenience of description. For example, the substrate transfer unit 111 may be a plurality of rollers provided under the substrate 10 to transfer two substrates 10, respectively. However, the present invention is not limited by the drawings, and the substrate transfer unit 103 may be substantially various means capable of vertically supporting and transferring the substrate 10.

히터 유닛(113)은 기판(10)의 후방에 구비되어 기판(10) 및 증착장치(100) 내부의 온도를 증착에 필요한 온도로 가열하고 유지한다. 여기서, 히터 유닛(113)은 기판(10)을 균일하게 가열할 수 있도록 기판(10)에 대응되는 면적에 균일하게 배치된 형태를 가질 수 있으며, 예를 들어, 와이어 히터를 사용할 수 있다. 그러나 히터 유닛(113)이 도면에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며 히터 유닛(113)의 형태 및 종류는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.The heater unit 113 is provided at the rear of the substrate 10 to heat and maintain the temperature inside the substrate 10 and the deposition apparatus 100 to a temperature necessary for deposition. Here, the heater unit 113 may have a form uniformly disposed in an area corresponding to the substrate 10 so as to uniformly heat the substrate 10, for example, a wire heater may be used. However, the present invention is not limited to the heater unit 113 by the drawings, and the shape and type of the heater unit 113 may be changed in various ways.

메인 배기 배플부(115)는 증착장치(100) 하부에 구비되어 공정 중에 발생하는 배기 가스를 배출시키기 위한 메인 배기부 역할을 수행한다. 예를 들어, 메인 배기 배플부(115)는 증착장치(100)의 바닥면을 관통하여 배기 가스를 증착장치(100) 외부로 배출시키기 위한 복수의 배기구로 이루어질 수 있다. 여기서, 도면에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며 메인 배기 배플부(115)의 위치와 형태는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.The main exhaust baffle 115 is provided under the deposition apparatus 100 to serve as a main exhaust for discharging exhaust gas generated during the process. For example, the main exhaust baffle unit 115 may be formed of a plurality of exhaust ports for penetrating the bottom surface of the deposition apparatus 100 to discharge the exhaust gas to the outside of the deposition apparatus 100. Here, the present invention is not limited by the drawings, and the position and shape of the main exhaust baffle 115 may be changed in various ways.

가스분사 모듈(103)은 양측에 대향 구비된 2장의 기판(10)에 서로 다른 2종 이상의 증착 가스를 순차적으로 제공할 수 있도록 내부에 각각 서로 다른 종류의 증착 가스를 기판(10)에 제공하기 위한 분사영역(130)이 형성된다. 또한, 가스분사 모듈(103)은 수직으로 세워진 기판(10)에 증착 가스를 제공할 수 있도록 기판(10)에 대응되는 크기를 갖고, 기판(10)을 마주보는 면 상에는 증착 가스를 제공하는 복수의 분사홀(131)이 형성된다. 가스분사 모듈(103)은 기판(10)과 마주보는 양쪽 면이 상기 기판(10)에 평행한 평면으로 형성되고, 해당 면에는 복수의 분사홀(131)이 조밀하게 형성되며, 대략 박스 형태를 갖는다. 또한, 분사홀(131)은 기판(10)에 증착 가스를 균일하게 제공할 수 있도록 균일한 간격으로 복수의 분사홀(131)이 형성된다. 그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 분사홀(131)의 크기와 면적 및 형상, 그리고 배치 형태 등은 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.The gas injection module 103 may provide different types of deposition gases to the substrate 10 in order to sequentially provide two or more different deposition gases to the two substrates 10 provided on both sides thereof. Injection zone 130 is formed. In addition, the gas injection module 103 has a size corresponding to the substrate 10 so as to provide the deposition gas to the substrate 10 standing vertically, a plurality of providing the deposition gas on the surface facing the substrate 10 Injection holes 131 are formed. In the gas injection module 103, both surfaces facing the substrate 10 are formed in a plane parallel to the substrate 10, and a plurality of injection holes 131 are densely formed on the surface of the gas injection module 103. Have In addition, the injection holes 131 are formed with a plurality of injection holes 131 at uniform intervals so as to uniformly provide the deposition gas to the substrate 10. However, the present invention is not limited by the drawings, and the size, area and shape of the injection hole 131, and the arrangement form may be changed in various ways.

또한, 본 실시예에서는 가스분사 모듈(103)의 분사면에 분사홀(131)이 형성된 것을 예시하였으나, 이외에도 가스분사 모듈(103)의 분사면에 샤워헤드가 구비되는 것도 가능하다. 즉, 분사홀(131)은 가스분사 모듈(103)의 외측면에 형성된 홀뿐만 아니라 샤워헤드, 노즐을 모두 포함한다.In addition, in the present exemplary embodiment, the injection hole 131 is formed on the injection surface of the gas injection module 103, but in addition, a shower head may be provided on the injection surface of the gas injection module 103. That is, the injection hole 131 includes not only a hole formed in the outer surface of the gas injection module 103 but also a shower head and a nozzle.

가스분사 모듈(103)의 일측에는 증착 가스를 제공하는 가스공급부(104)가 연결된다.One side of the gas injection module 103 is connected to the gas supply unit 104 for providing a deposition gas.

각 분사영역(130)은 내부에서 서로 다른 증착 가스가 혼합되는 것을 방지할 수 있도록 서로 분리 형성된다. 여기서, 분사영역(130)은 각각의 증착 가스가 제공되는 다수의 영역으로 구분되며, 프리커서 가스가 제공되는 제1 소스 영역(S), 퍼지 가스가 제공되는 퍼지 영역(P), 리액턴스 가스가 제공되는 제2 소스 영역(R)으로 구성된다. 그리고 각 분사영역(130) 사이 사이에는 기판(10)에서 증착 가스의 잔류 가스와 배기 가스를 제거하기 위한 배큠 영역(V)이 배치된다.Each injection region 130 is formed to be separated from each other to prevent different deposition gases from being mixed therein. Here, the injection region 130 is divided into a plurality of regions in which respective deposition gases are provided, and the first source region S in which the precursor gas is provided, the purge region P in which the purge gas is provided, and the reactance gas are provided. It is comprised of the 2nd source area | region R provided. In addition, a discharge area V for removing residual gas and exhaust gas of the deposition gas from the substrate 10 is disposed between the respective injection areas 130.

여기서, 기판(10)에 박막을 증착하는 경우, 프리커서 가스, 퍼지 가스, 리액턴스 가스, 퍼지 가스가 순차적으로 제공되어서 1사이클의 박막이 증착된다. 가스분사 모듈(103)은 기판(10)에 1회 이상 다수 사이클의 증착 가스를 제공할 수 있도록 형성된다. 즉, 가스분사 모듈(103)은 분사영역(130)이 제1 소스 영역(S), 배큠 영역(V), 퍼지 영역(P), 배큠 영역(V), 제2 소스 영역(R), 배큠 영역(V), 퍼지 영역(P), 배큠 영역(V) 및 제1 소스 영역(S)…의 순서로 반복 배치된다.In the case of depositing a thin film on the substrate 10, a precursor gas, a purge gas, a reactance gas, and a purge gas are sequentially provided to deposit a thin film of one cycle. The gas injection module 103 is formed to provide the substrate 10 with a plurality of cycles of deposition gas at least once. That is, in the gas injection module 103, the injection region 130 includes the first source region S, the drain region V, the purge region P, the drain region V, the second source region R, and the drain region. Region V, purge region P, backing region V and first source region S... It is arranged repeatedly in the order of.

그리고 기판(10)이 왕복 이동함에 따라 기판(10)에 서로 다른 증착 가스가 순차적으로 제공되되, 상술한 1사이클의 순서에 따라 기판(10)에 제공된다. 즉, 기판 이송 유닛(111)은 기판(10)을 1사이클 사이에서 기판(10)을 좌우로 이동시킨다. 물론 가스분사 모듈(103)의 양쪽에 배치된 기판(10)이 동시에 이동하여, 상기 2장의 기판(10)은 동시에 증착 공정이 수행된다.In addition, different deposition gases are sequentially provided to the substrate 10 as the substrate 10 reciprocates, and is provided to the substrate 10 in the order of one cycle described above. That is, the substrate transfer unit 111 moves the substrate 10 from side to side between the cycles of the substrate 10. Of course, the substrates 10 disposed on both sides of the gas injection module 103 are moved simultaneously, so that the two substrates 10 are simultaneously deposited.

상세하게는, 도 2를 참조하면, 기판(10)의 좌측 단부를 기준으로 하였을 때, 기판(10)은 가장 좌측에 있는 제1 소스 영역(S) 영역에서부터 다음 제1 소스 영역 (S) 사이에서 왕복 이동한다. 도 2에서 기판(10)의 왕복 이동 범위를 화살표와 'C'로 표시하였다. 기판(10)은 도 2에 표시한 'C' 구간에서 왕복 이동한다.In detail, referring to FIG. 2, when the left end of the substrate 10 is referred to, the substrate 10 is disposed between the leftmost first source region S and the next first source region S. FIG. Go back and forth from. In FIG. 2, the reciprocating movement range of the substrate 10 is indicated by an arrow and 'C'. The substrate 10 reciprocates in the 'C' section shown in FIG.

도면을 참조하면, 기판(10)이 우측으로 이동함에 따라 프리커서 가스->퍼지 가스->리액턴스 가스->퍼지 가스->프리커서 가스가 순차적으로 제공되면서 기판(10)에 소정 박막의 단원자층이 형성된다. 그리고 기판(10)의 좌측 단부가 제1 소스 영역(S)에 도달하면, 기판(10)이 좌측으로 이동함에 따라 기판(10)에 퍼지 가스->리액턴스 가스->퍼지 가스->프리커서 가스가 다시 순차적으로 제공된다. 따라서, 기판(10)이 좌우로 왕복 이동함에 따라 기판(10)에는 증착 가스가 위 순서에 따라 지속적으로 제공되면서 박막이 증착된다.Referring to the drawings, as the substrate 10 moves to the right, the precursor gas-> purge gas-> reactance gas-> purge gas-> precursor gas is sequentially provided, and the monolayer of a predetermined thin film is provided on the substrate 10. Is formed. When the left end of the substrate 10 reaches the first source region S, purge gas-> reactance gas-> purge gas-> precursor gas is applied to the substrate 10 as the substrate 10 moves to the left side. Are again provided sequentially. Therefore, as the substrate 10 reciprocates from side to side, a thin film is deposited on the substrate 10 while the deposition gas is continuously provided in the above order.

이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것이다. 또한, 본 발명이 상술한 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 사상은 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. In addition, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and variations are possible to those skilled in the art to which the present invention pertains. Therefore, the spirit of the present invention should not be construed as being limited to the above-described embodiments, and all of the equivalents or equivalents of the claims, as well as the following claims, are included in the scope of the present invention.

10: 기판
20: 셔틀부(shuttle)
100: 증착장치
103: 가스분사 모듈
104: 가스공급부
111: 기판 이송 유닛(substrate moving unit)
113: 히터 유닛
115: 메인 배기 배플부(main vacuum baffle)
130: 분사영역
131: 분사홀10: substrate
20: shuttle
100: deposition apparatus
103: gas injection module
104: gas supply unit
111: substrate moving unit
113: heater unit
115: main exhaust baffle
130: spraying area
131: injection hole

Claims (4)

수직으로 세워진 2장의 기판을 지지하고 이송하는 기판 이송 유닛;
상기 기판에 대향되는 분사면이 형성되고, 내부에 프리커서 가스가 제공되는 제1 소스 영역, 퍼지 가스가 제공되는 퍼지 영역, 리액턴스 가스가 제공되는 제2 소스 영역 및 배기 가스를 제거하기 위한 배큠 영역을 포함하는 다수의 분사영역이 분할 형성된 가스분사 모듈;
상기 기판의 후방에 구비되는 히터 유닛; 및
상기 가스분사 모듈 하부에 구비되어 배기 가스를 배출시키는 메인 배기 배플부;
를 포함하고,
상기 기판 이송 유닛은 상기 기판을 증착 사이클의 1 사이클 사이에서 왕복 이동시키고,
상기 분사영역이 상기 제1 소스 영역, 상기 배큠 영역, 상기 퍼지 영역, 상기 배큠 영역, 상기 제2 소스 영역, 상기 배큠 영역, 상기 퍼지 영역, 상기 배큠 영역 및 상기 제1 소스 영역을 1 사이클로 하여 반복 배치된 직립방식 증착장치는 직립방식 증착장치.
A substrate transfer unit which supports and conveys two substrates standing vertically;
An injection surface facing the substrate is formed, a first source region provided with a precursor gas therein, a purge region provided with a purge gas, a second source region provided with a reactant gas, and a backing region for removing exhaust gas A gas injection module in which a plurality of injection zones including a divided portion are formed;
A heater unit provided at the rear of the substrate; And
A main exhaust baffle provided under the gas injection module to exhaust the exhaust gas;
Including,
The substrate transfer unit reciprocates the substrate between one cycle of the deposition cycle,
The spraying region repeats the first source region, the backing region, the purge region, the backing region, the second source region, the backing region, the purge region, the backing region, and the first source region in one cycle. The upright deposition apparatus disposed is an upright deposition apparatus.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 가스분사 모듈은 상기 양쪽에 구비된 기판에 동시에 증착 가스를 제공하는 직립방식 증착장치.
The method of claim 1,
The gas injection module upright deposition apparatus for providing a deposition gas to the substrate provided on both sides at the same time.
제1항에 있어서,
상기 가스분사 모듈의 분사면에는 다수의 홀 또는 샤워헤드 또는 하나 이상의 노즐 중 어느 하나가 구비된 직립방식 증착장치.The method of claim 1,
An upright deposition apparatus provided with any one of a plurality of holes or a shower head or one or more nozzles on a spray surface of the gas injection module.
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