KR101228743B1 - Solar cell substrate and method for manutacturing the same - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 23
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 20
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 10
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 19
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 6
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QQHSIRTYSFLSRM-UHFFFAOYSA-N alumanylidynechromium Chemical compound [Al].[Cr] QQHSIRTYSFLSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical group [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052778 Plutonium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000905 alloy phase Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013084 building-integrated photovoltaic technology Methods 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000005431 greenhouse gas Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- OYEHPCDNVJXUIW-UHFFFAOYSA-N plutonium atom Chemical compound [Pu] OYEHPCDNVJXUIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- DNYWZCXLKNTFFI-UHFFFAOYSA-N uranium Chemical compound [U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U] DNYWZCXLKNTFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
본 발명은 Zn 또는 Al이 도금된 도금강판을 태양전지용 기판으로 사용하는 경우, 기판의 불순물이 전극으로 확산되는 것을 억제하는 확산방지막이 형성된 태양전지용 기판에 관한 것으로,
태양전지의 하부기판으로 Zn 또는 Al 도금강판을 준비하는 단계;
상기 도금강판에 Cr을 도금하여 Cr층을 형성하는 단계; 및
상기 Cr 층을 열처리하여 Cr 합금화층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지용 기판의 제조방법과 이를 통해 제조된 태양전지 기판을 제공한다.The present invention relates to a solar cell substrate having a diffusion barrier that suppresses diffusion of impurities from the substrate into an electrode when a plated steel sheet coated with Zn or Al is used as a solar cell substrate.
Preparing a Zn or Al plated steel sheet as a lower substrate of the solar cell;
Plating Cr on the plated steel sheet to form a Cr layer; And
It provides a method for manufacturing a substrate for a solar cell comprising the step of heat-treating the Cr layer to form a Cr alloyed layer and a solar cell substrate manufactured through the same.
Description
본 발명은 태양전지용 기판에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 강소재를 기판으로 사용하는 경우, 기판으로부터의 불순물이 전극으로 확산되는 것을 방지하기 위한 태양전지용 확산방지막이 형성된 태양전지 기판 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate for a solar cell, and more particularly, to a solar cell substrate and a method for manufacturing the same, in which a diffusion barrier for solar cell is formed to prevent impurities from the substrate from diffusing to an electrode when a steel material is used as the substrate. It is about.
지구의 온난화, 연료 자원의 고갈, 환경오염 등의 영향으로 화석연료를 사용하여 에너지를 채취하는 전통적인 에너지 채취 방법은 서서히 한계에 달하고 있다. 특히, 석유 연료의 경우에는 예측자마다 약간씩 상이하기는 하지만, 그리 멀지 않은 시간내에 바닥을 드러낼 것이라는 전망이 우세하다.
Traditional methods of collecting energy using fossil fuels are slowly reaching their limits due to global warming, depletion of fuel resources, and environmental pollution. In particular, petroleum fuels, though slightly different for every forecaster, are expected to bottom out not too long.
뿐만 아니라, 교토 의정서로 대표되는 에너지 기후 협약에 따르면, 화석 연료의 연소에 따라 생성되는 이산화탄소의 배출을 감소시킬 것을 강제적으로 요구하고 있다. 따라서, 현재의 체약국은 물론이며 향후에는 전세계 각국에 그 효력이 미쳐서 화석연료의 연간 사용량에 제약을 받을 것은 불을 보듯이 명확하다.
In addition, the Energy Climate Convention, represented by the Kyoto Protocol, requires compulsory reduction of the emissions of carbon dioxide produced by the burning of fossil fuels. Therefore, it is clear that the current consumption of fossil fuels will be limited not only in the present Contracting State but also in other countries around the world in the future.
화석연료에 대체하기 위하여 사용되는 가장 대표적인 에너지 원으로서는, 원자력 발전을 들 수 있다. 원자력 발전은 원료가 되는 우라늄이나 플루토늄 단위 중량당 채취 가능한 에너지의 양이 크고, 이산화탄소 등의 온실가스를 발생시키지 않으므로, 상기 석유 등의 화석연료를 대체할 수 있는 유력한 무한에 가까운 대체 에너지원으로 각광 받아왔다.
The most representative energy source used to replace fossil fuels is nuclear power. Nuclear power has a high amount of energy that can be collected per unit weight of uranium or plutonium as a raw material, and does not generate greenhouse gases such as carbon dioxide, so it is a promising alternative energy source that can replace fossil fuels such as petroleum. Have been received.
그러나, 구소련 체르노빌 원자력 발전소나, 동일본 대지진에 의한 일본 후쿠시마 원자력 발전소 등의 폭발 사고는 무한의 청정 에너지원으로 간주되어 왔던 원자력의 안전성을 다시 검토하게 하는 계기가 되었으며, 그 결과 원자력이 아닌 또다른 대체 에너지의 도입이 어느 때보다도 절실히 요망되고 있다.
However, the explosion of the former Soviet Chernobyl nuclear power plant and Japan's Fukushima nuclear power plant caused by the Great East Japan Earthquake led to a review of the safety of nuclear power, which has been regarded as an infinite clean energy source. The introduction of energy is more urgently needed than ever.
그 밖의 대체 에너지로서 많이 사용되고 있는 에너지 원으로서는 수력 발전을 들 수 있으나, 상기 수력 발전은 지형적인 인자와 기후적인 인자에 의해 많이 영향받기 때문에 그 사용이 제한적일 수 밖에 없다. 또한, 기타의 대체 에너지원들 역시 발전양이 적거나 또는 사용 지역이 크게 제한되는 등의 이유로 화석연료의 대체수단으로까지는 사용되기 어렵다.
Hydrogen power may be used as an energy source that is widely used as other alternative energy, but the use of hydroelectric power may be limited because it is influenced by topographic and climatic factors. In addition, other alternative energy sources are also unlikely to be used as an alternative to fossil fuels due to their low power generation or largely limited use areas.
그러나, 태양 전지는 적당한 일조량만 보장된다면 어디서나 사용할 수 있을 뿐만 아니라, 발전용량과 설비규모가 거의 직선적으로 비례하기 때문에, 가정용과 같은 소용량 수요로 사용할 경우에는 건물 옥상 등에 작은 면적으로 전지판을 설치함으로써 발전이 가능하다는 잇점이 있어, 세계적으로 그 이용이 증가되고 있을 뿐만 아니라, 그와 관련된 연구 역시 증가하고 있다.
However, since solar cells can be used anywhere and only when a proper amount of sunshine is ensured, the power generation capacity and the facility scale are almost linearly proportional. Therefore, when the solar cell is used in small capacity demand such as home use, This is not only an increase in its use worldwide, but also research related to it.
태양전지는 반도체의 원리를 이용한 것으로서, p-n 접합된 반도체에 일정 수준 이상의 에너지를 갖춘 빛을 조사하면 상기 반도체의 가전자가 자유롭게 이동될 수 있는 가전자로 여기되어 전자와 정공의 쌍(EHP : electron hole pair)이 생성된다. 생성된 전자와 정공은 서로 반대쪽에 위치하는 전극으로 이동하여 기전력을 발생시키게 된다.
The solar cell is based on the principle of a semiconductor. When a light having a certain level of energy is irradiated to a pn-bonded semiconductor, the solar cell is excited as an electronic device that can move freely. ) Is generated. The generated electrons and holes move to the electrode located on the opposite side to generate an electromotive force.
상기 태양전지의 가장 최초 형태는 실리콘 기판에 불순물(B)을 도핑하여 p형 반도체를 형성시킨 다음 그 위에 또다른 불순물(P)을 도핑시켜 층의 일부를 n형 반도체화 함으로써 p-n 접합이 이루어지도록 한 실리콘계 태양전지로서 1세대 태양전지로 많이 불린다.
The first form of the solar cell is to form a p-type semiconductor by doping an impurity (B) to a silicon substrate and then doping another impurity (P) thereon to form a n-type semiconductor to form a pn junction As a silicon solar cell, it is often called the first generation solar cell.
상기 실리콘계 태양전지는 비교적 높은 에너지 전환효율과 셀 전환효율(실험실 최고의 에너지 전환효율에 대한 양산시 전환효율의 비율)이 높기 때문에, 가장 상용화 정도가 높다. 그러나, 상기 실리콘계 태양전지 모듈을 제조하기 위해서는 우선 소재로부터 잉곳을 제조하고 상기 잉곳을 웨이퍼화한 후 셀을 제조하고 모듈화한다고 하는 다소 복잡한 공정단계를 거쳐야 할 뿐만 아니라, 벌크 재질의 재료를 사용하기 때문에, 재료소비가 증가하여 제조비용이 높다는 문제가 있다.
The silicon-based solar cell has the highest degree of commercialization because it has a relatively high energy conversion efficiency and a high cell conversion efficiency (ratio of conversion efficiency at the time of mass production to the highest energy conversion efficiency of the laboratory). However, in order to manufacture the silicon-based solar cell module, the ingot is first manufactured from a material, the ingot is wafered, and then a cell is manufactured and modularized. In addition, a bulk material is used. As a result, the consumption of materials increases, leading to a high manufacturing cost.
이러한 실리콘계 태양전지의 단점을 해결하기 위하여, 2세대 태양전지로 불리우는 소위 박막형 태양전지가 제안되게 되었다. 박막형 태양전지는 상술한 과정으로 태양전지를 제조하는 것이 아니라, 기판 위에 순차적으로 필요한 박막층을 적층하는 형태로 제조하기 때문에, 그 과정이 단순하며, 두께가 얇아 재료비용이 저렴하다는 장점을 가진다.
In order to solve the shortcomings of the silicon-based solar cells, so-called thin film solar cells called second generation solar cells have been proposed. The thin film type solar cell does not manufacture the solar cell by the above-described process, but is manufactured in the form of laminating the necessary thin film layers on the substrate sequentially.
그러나, 많은 경우 아직까지는 상기 실리콘계 태양전지와 비교할 때 에너지 전환효율이 높지 않아 상용화에 많은 걸림돌이 되고 있으나, 일부 높은 에너지 전환효율을 가진 태양전지가 개발되어 상용화 추진 중에 있다.
However, in many cases, the energy conversion efficiency is not high compared to the silicon-based solar cell, and thus many obstacles to commercialization have been developed. However, solar cells having some high energy conversion efficiency have been developed and commercialized.
그 중 하나로서 CI(G)S계 태양전지를 들 수 있는데, 상기 태양전지는 구리(Cu), 인듐(In), 게르마늄(Ge)(게르마늄은 포함되지 않을 수 있음. 게르마늄이 포함되지 않을 경우에는 CIS로 불림), 셀레늄(Se)을 포함하는 CI(G)S 화합물 반도체를 기본으로 한 것이다.
One of them is CI (G) S-based solar cell, which is copper (Cu), indium (In), germanium (Ge) (germanium may not be included. Is called CIS) and CI (G) S compound semiconductors containing selenium (Se).
상기 반도체는 3 또는 4가지 원소를 포함하고 있기 때문에 원소의 함량을 조절함으로써 밴드갭의 폭을 제어할 수 있어 에너지 변환효율을 상승시킬 수 있다는 장점을 가진다. 간혹 셀레늄(Se)을 황(S)으로 대체하거나 셀레늄(Se)을 황(S)과 함께 사용하는 경우도 있다. 본 발명에서는 이러한 경우 모두 CI(G)S 태양전지로 간주한다.
Since the semiconductor contains three or four elements, the width of the band gap can be controlled by adjusting the content of the element, thereby increasing the energy conversion efficiency. Sometimes selenium (Se) is replaced with sulfur (S) or selenium (Se) is used in combination with sulfur (S). In the present invention, all of these cases are regarded as CI (G) S solar cells.
CIGS(게르마늄이 포함된 경우) 태양전지는 최하층에 기판이 존재하며, 상기 기판 위에 전극으로 사용되는 하부전극이 형성된다. 상기 하부전극 위에는 p형 반도체로서 광흡수층(CIGS)과 n형 반도체로서 버퍼층(예를 들면 CdS), 투명창, 상부 전극이 순차적으로 형성된다.
In the case of CIGS (when germanium is included), a solar cell has a substrate on a lowermost layer, and a lower electrode used as an electrode is formed on the substrate. On the lower electrode, a light absorption layer (CIGS) as a p-type semiconductor, a buffer layer (for example, CdS) as a n-type semiconductor, a transparent window, and an upper electrode are sequentially formed.
한편, 상기 기판으로는 유리가 많이 사용되었다. 상기 유리내에는 Na이 포함되어 있고, 이러한 Na은 CIGS 층으로 확산되어 태양전지의 개방전압과 충실도를 높이는 역할을 하는 것으로 알려져 있다. 그러나, 상기 적절한 양의 Na은 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있으나, 과도한 확산의 경우에는 오히려 태양전지의 효율을 저하시키는 문제가 있다.
On the other hand, glass was used a lot as the substrate. Na is contained in the glass, and Na is known to diffuse into the CIGS layer to increase the open voltage and fidelity of the solar cell. However, the appropriate amount of Na may improve the efficiency of the solar cell, but in the case of excessive diffusion, there is a problem of lowering the efficiency of the solar cell.
최근에, 고가이고 대량 생산이 적지 않으며, 정형화된 형태로만 사용될 수 있는 유리 기판 대신에 유연성 기판을 사용하고자 하는 시도가 다수 이루어졌다. 유연성 기판은 유리에 비해서는 저렴하며, 롤 투 롤(Roll to Roll) 방식으로 태양전지를 제조할 수 있으며, 여러가지 형태로 가공할 수 있기 때문에 건물 일체형 모듈(BIPV) 뿐만 아니라 항공 우주용 등의 다양한 용도로 사용될 수 있다. 상기 유연성 기판으로는 대표적으로 스테인레스강을 들 수 있다. 그러나, 상기 스테인레스강 가격경쟁력에 높지 않음에, 최근에는 일반적인 탄소강을 사용하려는 노력이 시도되고 있다.
Recently, many attempts have been made to use flexible substrates instead of glass substrates that are expensive, low in mass production, and can only be used in standardized form. Flexible substrates are cheaper than glass, and can be manufactured in a roll-to-roll manner, and can be processed in various forms, so that not only a building integrated module (BIPV) but also aerospace can be used. It can be used for purposes. Typical examples of the flexible substrate include stainless steel. However, since the price competitiveness of the stainless steel is not high, efforts have recently been made to use general carbon steel.
이러한, 유연성 기판의 경우에는 Fe를 비롯한 많은 불순물이 포함되어, 이러한 불순물이 하부전극이나 CIGS 층으로 확산되어 태양전지의 효율을 떨어뜨리는 문제를 일으키고 있다. 따라서, 유리 기판을 사용하는 경우에 Na의 과도한 확산을 억제하고, 유연성 기판의 Fe와 같은 불순물의 확산을 방지할 수 있는 기술에 대한 연구가 절실히 요구되고 있는 실정이다.In the case of such a flexible substrate, many impurities, including Fe, are included, and these impurities are diffused to the lower electrode or the CIGS layer, causing a problem of lowering the efficiency of the solar cell. Therefore, when a glass substrate is used, research on a technology capable of suppressing excessive diffusion of Na and preventing diffusion of impurities such as Fe of a flexible substrate is urgently required.
본 발명의 일측면은 Zn 또는 Al이 도금된 도금재를 태양전지용 기판으로 사용하는 경우, 기판의 불순물이 전극으로 확산되는 것을 억제하는 확산방지막을 용이하게 형성시킨 확산방지막이 형성된 태양전지 기판 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.One side of the present invention is a solar cell substrate having a diffusion barrier layer formed of a diffusion barrier easily inhibiting the diffusion of impurities in the substrate to the electrode when using a plated plated Zn or Al as a solar cell substrate and It relates to a manufacturing method.
본 발명은 태양전지 하부기판으로 Zn 또는 Al 도금강판을 준비하는 단계;The present invention comprises the steps of preparing a Zn or Al plated steel sheet as a solar cell lower substrate;
상기 도금강판에 600~900℃의 온도범위에서 Cr 플래쉬(flash) 도금방법으로Cr을 도금하여 Cr층을 형성하는 단계; 및Forming a Cr layer by plating Cr on the plated steel sheet by a Cr flash plating method in a temperature range of 600 to 900 ° C .; And
상기 Cr 층을 열처리하여 Cr 합금화층을 형성하는 단계Heat-treating the Cr layer to form a Cr alloyed layer
를 포함하는 태양전지용 기판의 제조방법을 제공한다.
It provides a method for manufacturing a substrate for a solar cell comprising a.
또한, 본 발명은 하부기판 및 상기 하부기판상에 형성된 하부전극을 포함하고, 상기 하부기판과 하부전극 사이에 상기 방법으로 형성된 Cr합금화층을 포함하는 태양전지 기판을 제공한다.The present invention also provides a solar cell substrate including a lower substrate and a lower electrode formed on the lower substrate, and including a Cr alloy layer formed by the method between the lower substrate and the lower electrode.
본 발명에 의하면, 하부기판에 포함되어 있는 불순물이 전극으로 확산되는 것을 방지할 수 있는 확산방지막을 용이하게 형성할 수 있다. 이에 의해, 표면 처리가 필요없고, 아연 또는 알루미늄 도금강판과 같은 저가의 기판을 태양전지용으로 활용할 수 있는 장점이 있다.According to the present invention, it is possible to easily form a diffusion barrier film which can prevent diffusion of impurities contained in the lower substrate to the electrode. Thereby, there is no need for surface treatment, there is an advantage that can be utilized for low-cost substrates such as zinc or aluminum plated steel sheet for solar cells.
도 1은 Cr 도금이 행해진 구조의 단면임
도 2는 열처리를 완료한 후 구조의 단면임.1 is a cross section of a structure in which Cr plating is performed
2 is a cross-sectional view of the structure after completing the heat treatment.
본 발명자들은 Zn나 Al이 도금된 저가의 도금강판을 태양전지의 기판으로 활용하는 기술에 대해 연구한 결과, 강판에 포함된 Fe와 같은 물질이 확산을 통해 태양전지의 전극으로 이동하면 태양전지의 성능을 저하시키는 문제를 발견하고, 이러한 문제를 해결하기 위해 깊이 연구한 결과,The present inventors have studied the technology of utilizing Zn or Al plated low-cost plated steel sheet as a substrate of the solar cell, and when a material such as Fe contained in the steel plate moves to the electrode of the solar cell through diffusion, We've discovered problems that slow performance, and we've researched deeply to address them.
상기 Zn나 Al 이 도금된 도금강판과 전극 사이에 확산방지막을 형성함으로서, 상기 문제를 해결할 수 있음을 인지하고 본 발명에 이르게 되었다.
By forming a diffusion barrier film between the Zn or Al plated plated steel sheet and the electrode, it was recognized that the above problem can be solved and led to the present invention.
이하, 본 발명의 확산방지막이 형성된 태양전지 기판을 제조하는 방법에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a solar cell substrate having a diffusion barrier film of the present invention will be described in detail.
먼저, 하부기판으로 사용할 수 있는 Zn 또는 Al이 도금된 도금강판을 준비한다. 상기 Zn 또는 Al이 도금된 도금강판은 순수한 Zn 또는 Al만이 도금된 것과, Zn계 합금 또는 Al계 합금이 도금된 것을 포함하는 것이다. 본 발명에서는 태양전지의 하부기판으로 활용할 수 있는 것이면 충분하고, 상기 Zn 또는 Al의 도금 정도는 특별히 한정하는 것은 아니다.
First, a plated steel sheet plated with Zn or Al that can be used as a lower substrate is prepared. The plated steel sheet plated with Zn or Al is one that is plated with pure Zn or Al, and that is plated with Zn-based alloy or Al-based alloy. In the present invention, it is sufficient to be utilized as a lower substrate of the solar cell, and the degree of plating of the Zn or Al is not particularly limited.
상기 Zn 또는 Al이 도금된 도금강판에 Cr 도금을 행하여 Cr 층을 형성한다. 상기 Cr 도금 방법은 스퍼터링(sputtering)법, PVD법, e-beam 증착(e-beam evaporation), 열증착(thermo evaporation) 등의 건식도금 방법이나, 용융도금, 전기도금 등의 습식도금 방법이 모두 적용될 수 있으며, 그 종류를 특별히 한정하는 것은 아니다. Cr plating is performed on the Zn or Al plated steel sheet to form a Cr layer. The Cr plating method is a dry plating method such as sputtering method, PVD method, e-beam evaporation, thermo evaporation, or wet plating method such as hot dip plating or electroplating. It can be applied, and the kind is not particularly limited.
바람직한 일예로는 Cr 플래쉬(flash) 도금방법으로 행한다. 상기 Cr 플래쉬 도금을 행할 경우에는 600~900℃로 행하는 것이 바람직하다.As a preferable example, the Cr flash plating is performed. When performing said Cr flash plating, it is preferable to carry out at 600-900 degreeC.
도 1을 참조하여 설명하면, 소지강판(100)에 Zn 또는 Al 도금층(101)이 형성되어 있는 도금강판을 태양전지 하부기판으로 사용하고, 여기에 Cr 도금을 행해 Cr 층(200)을 형성한다.
Referring to FIG. 1, a plated steel sheet on which a Zn or
상기 Cr 도금으로 형성된 Cr 층은 10~800㎚인 것이 바람직하다. 상기 Cr층이 10㎚인 경우는 기술적 제어가 용이하지 않고, 그 도금량이 현저히 적어, 후술하는 합금상이 충분히 형성되지 않기 때문에 확산방지의 효과를 확보할 수 없고, 800㎚를 초과하는 경우에는 도금되는 양에 비해, 추가적인 확산방지 효과를 얻을 수 없기 때문에 경제적이지 않다.
It is preferable that the Cr layer formed by the said Cr plating is 10-800 nm. When the Cr layer is 10 nm, technical control is not easy, and the plating amount is remarkably small, and the alloy phase described later is not sufficiently formed, so that the effect of preventing diffusion cannot be secured. Compared with the amount, it is not economical because no additional diffusion prevention effect can be obtained.
상기 Cr 층에 열처리를 행하여 Cr 합금화층을 형성한다. 즉, 상기 열처리를 통해, 도금강판의 Zn 또는 Al과 상기 Cr 층의 합금화를 통해 상기 Cr 합금화층을 형성함으로서, 상기 Cr 합금화층이 태양전지 기판에서 불순물이 확산되는 것을 방지하는 역할을 한다.The Cr layer is heat treated to form a Cr alloyed layer. That is, through the heat treatment, by forming the Cr alloy layer through the alloying of Zn or Al of the plated steel sheet and the Cr layer, the Cr alloy layer serves to prevent the diffusion of impurities in the solar cell substrate.
도 2를 참조하여 설명하면, 도 1의 Cr층이 도금강판의 Zn 또는 Al과 합금화하여 Zn-Cr 또는 Al-Cr 합금화층(210)을 형성하며, 한편으로는 하부기판으로 사용되는 소지강판(100)과 Zn 또는 Al 도금층(101)사이에 상기 열처리를 통한 강판과 도금의 합금층(110)이 형성되기도 한다. Referring to FIG. 2, the Cr layer of FIG. 1 alloys Zn or Al of a plated steel sheet to form a Zn-Cr or Al-
상기 방법은 기존의 확산방지막을 형성하는 기술에 비해, 추가적인 공정이나 설비 없이 간단히 확산방지막을 형성할 수 있는 장점이 있다.
The method has an advantage in that the diffusion barrier can be simply formed without an additional process or equipment, compared to the existing technology for forming the diffusion barrier.
상기 합금화를 위한 열처리는 상기 도금강판의 종류에 따라 달라지며, 도금강판이 Zn 도금강판인 경우에는 300~700℃에서 열처리를 행하는 것이 바람직하며, Al 도금강판인 경우에는 300~1500℃에서 열처리를 행하는 것이 바람직하다. The heat treatment for the alloying is different depending on the type of the plated steel sheet, when the plated steel sheet is Zn plated steel sheet, it is preferable to perform the heat treatment at 300 ~ 700 ℃, in the case of Al plated steel sheet the heat treatment at 300 ~ 1500 ℃ It is preferable to carry out.
상기 온도가 300℃ 미만에서는 가열온도가 너무 낮아, 합금화가 용이하게 이루어지지 않고, 이루어지더라도 오랜 시간동안 가열해야 하는 문제가 있고, 상기 설정온도를 초과하는 범위에서는 과도한 합금화로 확산방지막으로서의 기능을 상실할 우려가 있다.
If the temperature is less than 300 ℃ heating temperature is too low, the alloying is not easy to be made, even if made, there is a problem to be heated for a long time, and in the range exceeding the set temperature to function as a diffusion barrier film by excessive alloying. There is a risk of loss.
상기 Cr 합금화층은 상기 도금강판에서의 도금 재료에 따라 달라진다. 즉, Zn 도금강판의 경우에는 Zn-Cr 합금으로된 합금화층이 형성되고, Al 도금강판의 경우에는 Al-Cr 합금화층이 형성된다.The Cr alloyed layer depends on the plating material in the plated steel sheet. That is, in the case of a Zn-plated steel sheet, an alloying layer made of a Zn-Cr alloy is formed, and in the case of an Al-plated steel sheet, an Al-Cr alloyed layer is formed.
상기 Al-Cr합금화층에는 Al과 Cr의 금속간화합물이 형성되며, 이들의 금속간 화합물의 종류로는 Al4Cr, Al11Cr2, Al13Cr2, Al9Cr4, Al8Cr5, AlCr2 등이 있다. 한편, 상기 Zn-Cr 합금화층에는 Zn와 Cr의 금속간화합물이 형성되는데, 이들의 금속간화합물은 CrZn, CrZn17, CrZn13 등이 있다.
The intermetallic compound of Al and Cr is formed in the Al-Cr alloy layer, and the type of the intermetallic compound is Al 4 Cr, Al 11 Cr 2 , Al 13 Cr 2 , Al 9 Cr 4 , Al 8 Cr 5. , AlCr 2, and the like. Meanwhile, an intermetallic compound of Zn and Cr is formed in the Zn-Cr alloying layer, and these intermetallic compounds include CrZn, CrZn 17 , and CrZn 13 .
상기와 같은 금속간화합물을 포함하는 상기 합금화층은 하부기판의 Fe와 같은 불순물이 태양전지의 작동 동안 확산되는 것을 방지하는 역할을 행함으로서, 태양전지의 성능을 개선하는 역할을 한다.
The alloying layer including the intermetallic compound serves to prevent impurities such as Fe from the lower substrate from being diffused during the operation of the solar cell, thereby improving the performance of the solar cell.
본 발명의 태양전지 기판은 하부기판과 상기 하부기판상에 형성된 하부전극을 포함하고, 상기 하부기판과 하부전극 사이에 상기 방법으로 형성된 Cr 합금화층을 포함한다. 상기 하부기판은 Zn 또는 Al 도금강판인 것이 바람직하다. The solar cell substrate of the present invention includes a lower substrate and a lower electrode formed on the lower substrate, and includes a Cr alloy layer formed by the method between the lower substrate and the lower electrode. The lower substrate is preferably a Zn or Al plated steel sheet.
100.....소지강판
101.....Zn 또는 Al 도금층
110.....강판과 도금의 합금층
200.....Cr 층
210.....Zn-Cr 또는 Al-Cr 합금화층100 ..... steel sheet
101 ..... Zn or Al plating layer
110 ..... alloy layer of steel plate and plating
200 ..... Cr layer
210 ..... Zn-Cr or Al-Cr alloyed layer
Claims (6)
상기 도금강판에 600~900℃의 온도범위에서 Cr 플래쉬(flash) 도금방법으로Cr을 도금하여 Cr층을 형성하는 단계; 및
상기 Cr 층을 열처리하여 Cr 합금화층을 형성하는 단계
를 포함하는 태양전지용 기판의 제조방법.
Preparing a Zn or Al plated steel sheet as a lower substrate of the solar cell;
Forming a Cr layer by plating Cr on the plated steel sheet by a Cr flash plating method in a temperature range of 600 to 900 ° C .; And
Heat-treating the Cr layer to form a Cr alloyed layer
Method for manufacturing a substrate for a solar cell comprising a.
상기 Cr 층은 10~800㎚의 두께로 형성하는 것인 태양전지용 기판의 제조방법.
The method according to claim 1,
The Cr layer is a method of manufacturing a substrate for a solar cell that is formed to a thickness of 10 ~ 800nm.
상기 열처리는 상기 하부 기판이 Zn 도금강판인 경우에는 300~700℃의 온도에서 행하고,
하부기판이 Al 도금강판인 경우에는 300~1500℃의 온도에서 행하는 태양전지용 기판의 제조방법.
The method according to claim 1,
The heat treatment is carried out at a temperature of 300 ~ 700 ℃ when the lower substrate is a Zn plated steel sheet,
If the lower substrate is an Al-plated steel sheet manufacturing method for a solar cell substrate performed at a temperature of 300 ~ 1500 ℃.
상기 Cr 합금화층은 하부기판이 Zn 도금강판인 경우에 CrZn, CrZn17, CrZn13 중 하나 이상의 Cr-Zn 금속간 화합물을 포함하고,
하부기판이 Al 도금강판인 경우에 Al4Cr, Al11Cr2, Al13Cr2, Al9Cr4, Al8Cr5, AlCr2 중 하나 이상의 Cr-Al금속간 화합물을 포함하는 태양전지용 기판의 제조방법.
The method according to claim 1,
The Cr alloyed layer includes one or more Cr-Zn intermetallic compounds of CrZn, CrZn 17 , and CrZn 13 when the lower substrate is a Zn plated steel sheet.
When the lower substrate is an Al-coated steel sheet, a substrate for a solar cell including at least one Cr-Al intermetallic compound among Al 4 Cr, Al 11 Cr 2 , Al 13 Cr 2 , Al 9 Cr 4 , Al 8 Cr 5 , and AlCr 2 Manufacturing method.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005183054A (en) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Ulvac Japan Ltd | Forming method for transparent conductive film, and transparent electrode |
| US20100258191A1 (en) * | 2009-04-13 | 2010-10-14 | Miasole | Method and apparatus for controllable sodium delivery for thin film photovoltaic materials |
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