KR101216642B1 - Oxide thin film transistor with aluminium oxide gate insulator and the fabricating method - Google Patents
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Abstract
본 발명에서는 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법이 제공된다.
본 발명의 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 절연막, 활성층, 소스 및 드레인 전극을 포함하는 산화물 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 절연막은 알루미늄 산화물(AlOx)이고, 상기 활성층은 아연 주석 산화물(Zinc Tin Oxide, ZTO)인 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 구성에 의하면, 본 발명은 용액 공정에 의해 알루미늄 산화물의 게이트 절연막과 ZTO 활성층을 구성하였으므로 낮은 어닐링 온도로도 훌륭한 성능을 발휘할 수 있고 동시에 높은 전계효과이동도를 얻을 수 있어 고성능의 박막 트랜지스터를 구현할 수 있다.In the present invention, an oxide thin film transistor having an aluminum oxide gate insulating film formed thereon and a method of manufacturing the same are provided.
In an oxide thin film transistor having an aluminum oxide gate insulating film of the present invention, an oxide thin film transistor including a gate electrode, a gate insulating film, an active layer, a source and a drain electrode, wherein the gate insulating film is aluminum oxide (AlOx), and the active layer is zinc tin. It is characterized in that the oxide (Zinc Tin Oxide, ZTO).
According to the above structure, since the gate insulating film and the ZTO active layer of the aluminum oxide are constituted by the solution process, the present invention can exhibit excellent performance even at low annealing temperature and at the same time obtain a high field effect mobility, thereby providing a high performance thin film transistor. Can be implemented.
Description
본 발명은 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 게이트 절연막을 알루미늄 산화물로 형성하여 구성한 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an oxide thin film transistor and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an oxide thin film transistor having an aluminum oxide gate insulating film formed by forming a gate insulating film of aluminum oxide and a method of manufacturing the same.
최근, 비정질 실리콘(a-Si)은 AMLCD(Active Matrix Liquid Crystal Display, 능동 매트릭스 액정 디스플레이)와 같은 대면적 디스플레이 장치에서 박막 트랜지스터로서 사용되는 주요 반도체이다. a-Si 박막 트랜지스터는 대면적에 걸쳐서 좋은 균일성을 갖고, 1㎠/Vs보다 낮은 전계효과이동도를 보여주며, 600℃ 이하의 낮은 어닐링 온도를 필요로 한다. Recently, amorphous silicon (a-Si) is a major semiconductor used as a thin film transistor in large area display devices such as AMLCD (Active Matrix Liquid Crystal Display). The a-Si thin film transistor has good uniformity over a large area, shows a field effect mobility lower than 1
그럼에도 불구하고, 디스플레이 장치에 있어서 3D 디스플레이 장치, AMLED(Active Matrix Light Emitting Diode, 능동 매트릭스 발광 다이오드) 등과 같이 더 빠르고 개선된 성능을 발휘하기 위해서는 1㎠/Vs이상의 더 높은 전계효과이동도가 필요하다. Nevertheless, higher field effect mobility of more than 1
여기에는 폴리 실리콘(poly-Si)이 좋은 후보가 될 수 있다. 실제로 100㎠/Vs 이상의 좋은 전계효과이동도를 보여준다. 그러나 그 특성들의 균일성이 고품질의 대면적 디스플레이 장치에 있어서는 매우 부적당하다. 게다가 폴리 실리콘은 900℃이상의 높은 어닐링 온도를 필요로 한다. Poly-Si may be a good candidate for this. In fact, it shows good field effect mobility of more than 100cm2 / Vs. However, the uniformity of the characteristics is very inadequate for high quality large area display devices. In addition, polysilicon requires high annealing temperatures above 900 ° C.
한편 산화물 박막 트랜지스터는 그 중간적 특성을 갖는다. 즉 10㎠/Vs 정도의 전계효과이동도와 진공 공정에서 250℃~400℃의 어닐링 온도를 갖는다. 또한 용액 공정의 산화물 박막 트랜지스터는 보통 a-Si에 견줄만한 전계효과이동도를 도출하기는 하나, 600℃까지 온도를 필요로 한다. On the other hand, the oxide thin film transistor has its intermediate characteristics. That is, it has a field effect mobility of about 10
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 낮은 어닐링 온도와 높은 전계효과이동도를 갖는 우수한 특성을 발휘하는 게이트 절연막을 포함하는 고성능 아연 주석 산화물(Zinc Tin Oxide, ZTO) 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 얻고자 하는 것을 목적으로 한다.The present invention provides a high performance zinc tin oxide (ZTO) thin film transistor including a gate insulating film exhibiting excellent characteristics having a low annealing temperature and a high field effect mobility to solve the above problems and a method of manufacturing the same The purpose is to.
상기 기술적 과제를 달성하기 위해 본 발명에서는 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법이 제공된다. In order to achieve the above technical problem, the present invention provides an oxide thin film transistor having an aluminum oxide gate insulating film and a method of manufacturing the same.
본 발명의 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 절연막, 활성층, 소스 및 드레인 전극을 포함하는 산화물 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 절연막은 알루미늄 산화물(AlOx)이고, 상기 활성층은 아연 주석 산화물(Zinc Tin Oxide, ZTO)인 것을 특징으로 한다. In an oxide thin film transistor having an aluminum oxide gate insulating film of the present invention, an oxide thin film transistor including a gate electrode, a gate insulating film, an active layer, a source and a drain electrode, wherein the gate insulating film is aluminum oxide (AlOx), and the active layer is zinc tin. It is characterized in that the oxide (Zinc Tin Oxide, ZTO).
여기서 상기 알루미늄 산화물은 아세토니트릴(acetonitrile) 및 에틸렌글리콜(ethyleneglycol) 용매로 뒤섞여진 염화알루미늄을 사용하는 것을 특징으로 한다. The aluminum oxide is characterized by using aluminum chloride mixed with acetonitrile and ethyleneglycol solvent.
또한 여기서 상기 게이트 절연막은 용액 공정에 의해 형성될 수 있다. In addition, the gate insulating film may be formed by a solution process.
나아가 상기 활성층은 스핀 코팅 또는 잉크젯 프린팅에 의해 형성될 수 있다. Furthermore, the active layer may be formed by spin coating or ink jet printing.
또한 여기서 상기 게이트 절연막은 100℃이상 300℃이하에서 어닐링될 수 있다. In addition, the gate insulating film may be annealed at 100 ° C. or higher and 300 ° C. or lower.
한편 본 발명의 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법은, (a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계, (b) 상기 게이트 전극 위에 용액 공정에 의해 알루미늄 산화물(AlOx)의 게이트 절연막을 형성하는 단계, (c) 상기 게이트 절연막 위에 스핀 코팅 또는 잉크젯 프린팅에 의해 아연 주석 산화물(ZTO)의 활성층을 형성하는 단계, (d) 상기 활성층 위에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Meanwhile, in the method of manufacturing an oxide thin film transistor having an aluminum oxide gate insulating film of the present invention, (a) forming a gate electrode on a substrate, (b) forming a gate insulating film of aluminum oxide (AlOx) by a solution process on the gate electrode. Forming (c) forming an active layer of zinc tin oxide (ZTO) on the gate insulating film by spin coating or inkjet printing; and (d) forming a source electrode and a drain electrode on the active layer. It features.
또한 본 발명의 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터 또 다른 제조 방법은, (e) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계, (f) 상기 게이트 전극 위에 용액 공정에 의해 질소 환경 하에서 아세토니트릴과 에틸렌글리콜을 용매로 뒤섞여진 염화알루미늄을 사용하는 알루미늄 산화물 용액으로 게이트 절연막을 형성하는 단계, (g) 상기 게이트 절연막 위에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계, (h) 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 위에 스핀 코팅 또는 잉크젯 프린팅에 의해 아연 주석 산화물(ZTO)의 활성층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. In another method of manufacturing an oxide thin film transistor having an aluminum oxide gate insulating film of the present invention, (e) forming a gate electrode on a substrate, and (f) acetonitrile and ethylene in a nitrogen environment by a solution process on the gate electrode. Forming a gate insulating film with an aluminum oxide solution using aluminum chloride mixed with glycol as a solvent, (g) forming a source electrode and a drain electrode on the gate insulating film, (h) on the source electrode and the drain electrode And forming an active layer of zinc tin oxide (ZTO) by spin coating or ink jet printing.
상기와 같은 구성에 의하면, 본 발명은 용액 공정에 의해 알루미늄 산화물의 게이트 절연막과 ZTO 활성층을 구성하였으므로 낮은 어닐링 온도로도 훌륭한 성능을 발휘할 수 있고 동시에 높은 전계효과이동도를 얻을 수 있어 고성능의 박막 트랜지스터를 구현할 수 있다. According to the above structure, since the gate insulating film and the ZTO active layer of the aluminum oxide are constituted by the solution process, the present invention can exhibit excellent performance even at low annealing temperature and at the same time obtain a high field effect mobility, thereby providing a high performance thin film transistor. Can be implemented.
도 1 및 도 2는 각각 스핀 코팅과 잉크젯 프린팅에 의해 형성된 본 발명의 ZTO 박막 트랜지스터의 초기 전류-전압 특성을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터의 어닐링 전(a)과 어닐링 후(b)의 AlOx의 AFM(Atomic Force MicroScope, 원자 현미경) 이미지이다.
도 4는 본 발명의 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터에 있어서 300℃로 어닐링한 후 AlOx 층의 깊이 프로파일(depth profile)을 나타낸다.1 and 2 show the initial current-voltage characteristics of the ZTO thin film transistor of the present invention formed by spin coating and inkjet printing, respectively.
3 is an AFM (Atomic Force MicroScope) image of AlOx before (a) and after annealing (b) of an oxide thin film transistor on which an aluminum oxide gate insulating film of the present invention is formed.
4 shows the depth profile of the AlOx layer after annealing at 300 ° C. in the oxide thin film transistor having the aluminum oxide gate insulating film of the present invention.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.
보통 용액 공정의 산화물 박막 트랜지스터는 LCD 또는 AMOLED용 응용분야에 있어서 적당한 성능을 발휘하기 위해 통상 500℃ 이상의 높은 어닐링 온도를 필요로 한다. 이때 전계효과이동도는 1㎠/Vs이다.
Oxide thin film transistors in common solution processes typically require a high annealing temperature of 500 ° C. or higher to achieve adequate performance in LCD or AMOLED applications. In this case, the field effect mobility is 1
본 발명은 용액 공정에 의해 낮은 어닐링 온도를 고성능 ZTO 박막 트랜지스터에 적용시켰다. 본 발명의 특징적인 요소는 게이트 절연막이라 할 수 있는데, 이 역시 용액 공정에 의해 만들어지고 낮은 구동 전압과 높은 전계효과이동도를 유도한다. The present invention applies low annealing temperatures to high performance ZTO thin film transistors by solution process. A characteristic element of the present invention can be referred to as a gate insulating film, which is also made by a solution process and induces low driving voltage and high field effect mobility.
여기서 상기 게이트 절연막은 알루미늄 산화물(AlOx)이다. The gate insulating layer is aluminum oxide (AlOx).
알루미늄 산화물 용액은 아세토니트릴(acetonitrile) 및 에틸렌글리콜(ethyleneglycol) 용매로 뒤섞여진 염화알루미늄(AlCl3)을 사용함으로써 준비된다. 상기 용액은 질소 환경 하에서 격렬히 뒤섞였다. The aluminum oxide solution is prepared by using aluminum chloride (AlCl 3 ) mixed with acetonitrile and ethyleneglycol solvent. The solution was vigorously mixed under a nitrogen environment.
또한 상기 용액은 사용 전에 0.45㎛ 필터를 통해 필터링되었다. The solution was also filtered through a 0.45 μm filter before use.
기판에 상기 알루미늄 산화물을 스핀 코팅하기 전에, 상기 용매가 샘플에 스핀 코팅될 수 있다. 그리고 나서 부착력을 개선시키기 위해 210℃에서 핫 플레이트(hot plate) 위에 놓여질 수 있다. Prior to spin coating the aluminum oxide onto a substrate, the solvent may be spin coated onto the sample. It can then be placed on a hot plate at 210 ° C. to improve adhesion.
다음으로, 상기 알루미늄 기반의 용액이 스핀 코팅되고 나서, 200℃~250℃의 온도에서 핫 플레이트 위에 신속하게 놓여졌다. Next, the aluminum-based solution was spin coated and then quickly placed on a hot plate at a temperature of 200-250 ° C.
상기 두 작용들은 알루미늄 산화물 층의 적당한 두께를 얻기 위해 수회 반복되는 것이 바람직하다. Both of these actions are preferably repeated several times to obtain the proper thickness of the aluminum oxide layer.
결과적으로 대략 70㎚의 층 두께를 도출하면서, 상기 샘플이 공기 중에서 300℃로 한 시간 동안 어닐링되었다. The sample was annealed for one hour at 300 ° C. in air, resulting in a layer thickness of approximately 70 nm.
이하에서는 상기 과정을 통해 제조된 ZTO 박막 트랜지스터의 특성을 도면과 함께 설명한다.
Hereinafter, the characteristics of the ZTO thin film transistor manufactured by the above process will be described with drawings.
도 1 및 도 2는 각각 스핀 코팅과 잉크젯 프린팅에 의해 형성된 본 발명의 ZTO 박막 트랜지스터의 초기 전류-전압 특성(initial I-V characteristics)을 나타낸다. 1 and 2 show the initial I-V characteristics of the ZTO thin film transistor of the present invention formed by spin coating and inkjet printing, respectively.
도 1 및 도 2의 (a)는 전달 특성(transfer characteristics)을 나타내고, 도 1 및 도 2의 (b)는 출력 특성(output characteristics)을 나타낸다. 1 and 2 (a) show the transfer characteristics (transfer characteristics), Figure 1 and 2 (b) shows the output characteristics (output characteristics).
도 1 및 도 2에 나타난 바와 같이, ZTO 층이 스핀 코팅이나 잉크젯 프린팅에 의해 형성된 본 발명의 ZTO 박막 트랜지스터는 단지 300℃가 필요하고, 전계효과이동도는 잉크젯 프린팅에서 19㎠/Vs, 스핀 코팅에서 30㎠/Vs이상에 이름을 알 수 있다. 1 and 2, the ZTO thin film transistor of the present invention, in which the ZTO layer is formed by spin coating or inkjet printing, requires only 300 ° C, and the field effect mobility is 19
이와 비교하여, 플라즈마 향상 화학 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)에 의해 SiO2 게이트 절연막으로 만들어진 박막 트랜지스터는 1㎠/Vs의 전계효과이동도를 보여준다. In comparison, a thin film transistor made of a SiO 2 gate insulating film by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) shows a field effect mobility of 1
또한 600℃에서 어닐링된, Cl 유도체를 사용한 상기 ZTO 박막 트랜지스터는 16㎠/Vs의 전계효과이동도를 보여주었고, 반면에 나트륨 베타 알루미나(Sodium Beta Alumina, SBA) 게이트 절연막은 동일한 어닐링 온도에 있어서 28㎠/Vs의 전계효과이동도를 도출한다. 게다가 200㎚ Al2O3 ALD(Atomic Layer Deposition, 원자층 증착)가 증착된 게이트 절연막을 사용한 스퍼터링에 의해 준비된 ZTO는 11㎠/Vs 이상의 전계효과이동도를 도출한다. 그 결과로서, 본 발명의 박막 트랜지스터는 비록 최대 공정 온도가 300℃였음에도 불구하고, 용액 공정의 박막 트랜지스터 중에서 고성능을 발휘한다.
In addition, the ZTO thin film transistor using Cl derivative, annealed at 600 ° C., showed a field effect mobility of 16
도 3은 본 발명의 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터의 어닐링 전(도 3의 (a))과 어닐링 후(도 3의 (b))의 AlOx의 AFM(Atomic Force MicroScope, 원자 현미경) 이미지이다. 3 is an AFM (Atomic Force MicroScope, Atomic Microscope) image of AlOx before annealing (FIG. 3A) and after annealing (FIG. 3B) of an oxide thin film transistor having an aluminum oxide gate insulating film of the present invention. to be.
도 3으로부터 AlOx는 비정질이고 매끄러운 표면을 갖는 것에 주목할 만하다. 어닐링 전(a)에는, 고점-저점(peak to valley) 거칠기 및 실효치(root mean square)는 각각 4.25㎚ 및 0.16㎚이었다. 어닐링 후(b)에는, 상기 값들이 각각 2.48㎚ 및 0.21㎚가 되었다. 따라서 어닐링이 표면의 매끄러움을 유도한다. 결국, 상기 층은 반도체에 좋은 계면을 형성할 것이다.
It is noteworthy from FIG. 3 that AlOx has an amorphous and smooth surface. Prior to annealing (a), the peak to valley roughness and root mean square were 4.25 nm and 0.16 nm, respectively. After annealing (b), the values were 2.48 nm and 0.21 nm, respectively. Annealing thus leads to smoothness of the surface. Eventually, the layer will form a good interface to the semiconductor.
도 4는 본 발명의 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터에 있어서 300℃로 어닐링한 후 AlOx 층의 깊이 프로파일(depth profile)을 나타낸다. 4 shows the depth profile of the AlOx layer after annealing at 300 ° C. in the oxide thin film transistor having the aluminum oxide gate insulating film of the present invention.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 AlOx층은 알루미늄과 산소로 형성된다(주로 Al/(Al+O)=32%의 비율). 약간의 탄소가 상기 층에 남는데, 상기 탄소는 상기 염화알루미늄과 함께 상호 작용하는 상기 용매로부터 기인한 것으로 판단된다.
As shown in Fig. 4, the AlOx layer is formed of aluminum and oxygen (mainly a ratio of Al / (Al + O) = 32%). Some carbon remains in the layer, which is believed to originate from the solvent interacting with the aluminum chloride.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 부가 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined by the appended claims. Will be apparent to those of ordinary skill in the art.
Claims (7)
상기 게이트 절연막은 질소 환경 하에서 아세토니트릴(acetonitrile)과 에틸렌글리콜(ethyleneglycol)을 용매로 뒤섞여진 염화알루미늄을 사용하는 알루미늄 산화물 용액으로 형성되고,
상기 활성층은 아연 주석 산화물(Zinc Tin Oxide, ZTO)인 것을 특징으로 하는 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터.An oxide thin film transistor comprising a gate electrode formed on a substrate, a gate insulating film formed on the gate electrode, an active layer formed on the gate insulating film, and a source and drain electrode formed on the active layer,
The gate insulating film is formed of an aluminum oxide solution using aluminum chloride in which acetonitrile and ethylene glycol are mixed with a solvent under a nitrogen environment.
The thin film transistor having the aluminum oxide gate insulating film, characterized in that the active layer is zinc tin oxide (ZTO).
상기 알루미늄 산화물 용액은 사용되기 전에 0.45μm 필터를 통해 필터링되고,
상기 게이트 절연막의 두께는 70nm로 형성되는, 것을 특징으로 하는 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터.The method according to claim 1,
The aluminum oxide solution is filtered through a 0.45 μm filter before being used,
The oxide thin film transistor having the aluminum oxide gate insulating film, characterized in that the thickness of the gate insulating film is formed to 70nm.
상기 게이트 절연막은 용액 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터.The method according to claim 1 or 2,
And the gate insulating film is formed by a solution process.
상기 활성층은 스핀 코팅 또는 잉크젯 프린팅에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터.The method according to claim 1 or 2,
And the active layer is formed by spin coating or inkjet printing.
상기 게이트 절연막은 100℃이상 300℃이하에서 어닐링된 것을 특징으로 하는 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터. The method according to claim 1 or 2,
And the gate insulating film is annealed at 100 ° C. or higher and 300 ° C. or lower.
(b) 상기 게이트 전극 위에, 용액 공정에 의해 질소 환경 하에서 아세토니트릴과 에틸렌글리콜을 용매로 뒤섞여진 염화알루미늄을 사용하는 알루미늄 산화물 용액으로 게이트 절연막을 형성하는 단계,
(c) 상기 게이트 절연막 위에 스핀 코팅 또는 잉크젯 프린팅에 의해 아연 주석 산화물(ZTO)의 활성층을 형성하는 단계, 및
(d) 상기 활성층 위에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법. (a) forming a gate electrode on the substrate,
(b) forming a gate insulating film on the gate electrode with an aluminum oxide solution using aluminum chloride mixed with acetonitrile and ethylene glycol as a solvent in a nitrogen environment by a solution process,
(c) forming an active layer of zinc tin oxide (ZTO) on the gate insulating film by spin coating or inkjet printing, and
(d) forming a source electrode and a drain electrode on the active layer
An oxide thin film transistor manufacturing method having an aluminum oxide gate insulating film comprising a.
(f) 상기 게이트 전극 위에 용액 공정에 의해 질소 환경 하에서 아세토니트릴과 에틸렌글리콜을 용매로 뒤섞여진 염화알루미늄을 사용하는 알루미늄 산화물 용액으로 게이트 절연막을 형성하는 단계,
(g) 상기 게이트 절연막 위에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 및
(h) 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 위에 스핀 코팅 또는 잉크젯 프린팅에 의해 아연 주석 산화물(ZTO)의 활성층을 형성하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법.(e) forming a gate electrode on the substrate,
(f) forming a gate insulating film with an aluminum oxide solution using aluminum chloride mixed with acetonitrile and ethylene glycol as a solvent in a nitrogen environment by a solution process on the gate electrode,
(g) forming a source electrode and a drain electrode on the gate insulating film, and
(h) forming an active layer of zinc tin oxide (ZTO) on the source electrode and the drain electrode by spin coating or inkjet printing.
An oxide thin film transistor manufacturing method having an aluminum oxide gate insulating film comprising a.
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