KR101207141B1 - 커플링 양 또는 전송 제로를 조절할 수 있는 ｒｆ 필터 - Google Patents

커플링 양 또는 전송 제로를 조절할 수 있는 ｒｆ 필터 Download PDF

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Abstract

전송 제로를 조절할 수 있는 RF 필터, 예를 들어 RF 캐비티 필터가 개시된다. 상기 RF 필터는 격벽들에 의해 캐비티들이 정의되는 하우징 부재, 상기 캐비티들에 수용되는 공진기들, 상기 하우징 부재의 상부에 결합되는 커버, 상기 커버를 관통하여 상기 캐비티들 중 제 1 캐비티에 수용되는 제 1 튜닝 엘리먼트 및 상기 커버를 관통하여 상기 캐비티들 중 제 2 캐비티에 수용되는 제 2 튜닝 엘리먼트를 포함한다. 여기서, 상기 튜닝 엘리먼트들은 전기적으로 연결된다.

Description

커플링 양 또는 전송 제로를 조절할 수 있는 ＲＦ 필터{RF FILTER FOR TUNING COUPLING AMOUNT OR TRANSMISSION ZERO}
본 발명은 크로스 커플링 양 또는 전송 제로를 조절할 수 있는 RF 필터, 예를 들어 RF 캐비티 필터에 관한 것이다.
RF 캐비티 필터는 다수의 캐비티를 필터 내부에 형성하여 사용 주파수 대역
의 신호만을 통과시키는 장치로서, 비교적 높은 파워의 주파수 신호가 사용되는 기지국 등에 이용된다.
도 1은 일반적인 RF 캐비티 필터의 내부 구성을 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하면, RF 캐비티 필터는 입력 커넥터(100), 출력 커넥터(102), 하우징 부재(104), 하우징 부재(104) 및 격벽에 의해 정의되는 다수의 캐비티(110, 112, 114, 116, 118, 120), 각 캐비티에 수용되는 다수의 공진기(130, 132, 134, 136, 138, 140) 및 커플링 바(160)를 포함한다.
입력 커넥터(100)로는 RF 신호가 인가되며, 입력 커넥터(100)로 인가된 RF 신호는 캐비티(110)로 제공된다. 각각의 캐비티(110, 112, 114, 116, 118, 120) 및
각 캐비티에 수용된 공진기(130, 132, 134, 136, 138, 140)는 각각 LC 공진 엘리먼
트로 동작한다.
한 캐비티에서 다른 캐비티로의 신호의 이동은 커플링 윈도우(150)를 통해
이루어진다.
필터의 공진 주파수는 캐비티의 사이즈, 공진기의 사이즈에 의해 결정되며, 도 1에는 도시되지 않았으나 다수의 튜닝 볼트를 이용하여 미세 튜닝 작업이 이
루어질 수 있다.
필터의 대역 통과 특성 중 중요한 특성으로서 스커트 특성이 있다. 스커트 특성은 필터의 대역 통과 특성 곡선에서 경계 대역에서의 기울기를 의미하는 것으로서, 스커트 특성은 가파르게 설정되는 것이 바람직하다.
이와 같은 스커트 특성은 필터의 차수가 높아질수록, 즉 캐비티 및 공진기의 수가 증가할수록 개선되는 특징이 있으나, 이러한 스커트 특성은 필터의 또 다른 특성인 삽입 손실과 트레이드-오프(Trade-Off) 관계에 있다. 즉, 캐비티 및 공진기의 수가 증가할수록 필터의 스커트 특성은 개선되나 이와 반비례하여 삽입 손실이 증가하는 문제점이 발생하는 것이다.
일정 삽입 손실을 유지하면서 스커트 특성을 개선하기 위해 크로스 커플링에 의해 노치를 형성시킴으로써 스커트 특성을 개선하기 위한 방법이 종래에 사용되었다.
크로스 커플링은 커플링 윈도우(150)를 통한 공진기 사이의 순차적인 커플링이 아닌 제 2 공진기(132) 및 제 5 공진기(138) 사이의 커플링과 같이 커플링 윈도우를 통해 인접하지 않은 공진기들 사이의 커플링을 의미한다. 이와 같은 크로스 커플링은 통상적으로 커플링 바(160)를 이용하여 이루어진다.
커플링 바(160)는 제 2 캐비티(122) 및 제 5 캐비티(128) 사이의 격벽을 관통하여 설치되며, 금속 재질로 이루어진다. 이러한 커플링 바(160)는 예를 들어 제 2 공진기(132)와 연관된 신호가 제 5 공진기(138)로 커플링되도록 동작하며, 금속 재질의 커플링 바(160)를 통해 이와 같은 커플링 동작이 수행될 수 있다.
커플링 바(160)의 관통을 위해 제 2 캐비티(122) 및 제 5 캐비티(128) 사이의 격벽에는 홀이 형성되며, 홀의 내주면에는 유전체층이 형성되어 커플링 바(160)가 격벽과는 전기적으로 결합되지 않은 상태에서 커플링이 이루어지도록 한다.
그러나, 커플링 바(160)를 이용한 크로스 커플링 구조는 크로스 커플링되는 공진기간 커플링 양을 조절할 수 없는 문제점이 있었다. 크로스 커플링 양은 커플링 바(160)의 사이즈에 의해 결정되는데, 종래에는 크로스 커플링 시 요구되는 커플링이 이루어지지 않을 경우 다른 사이즈를 가지는 커플링 바(160)로 이를 대체하였어야 했으며, 이미 커플링 바(160)가 장착된 상태에서의 커플링 양은 조절될 수 없었다.
또한, 스커트 특성과 관련된 전송 제로(transmission zero)를 조절할 수 있는 방법이 없었다.
본 발명은 크로스 커플링 양 또는 전송 제로를 조절할 수 있는 RF 필터, 특히 RF 캐비티 필터를 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 필터는 격벽들에 의해 캐비티들이 정의되는 하우징 부재; 상기 캐비티들에 수용되는 공진기들; 상기 하우징 부재의 상부에 결합되는 커버; 상기 커버를 관통하여 상기 캐비티들 중 제 1 캐비티에 수용되는 제 1 튜닝 엘리먼트; 및 상기 커버를 관통하여 상기 캐비티들 중 제 2 캐비티에 수용되는 제 2 튜닝 엘리먼트를 포함한다. 여기서, 상기 튜닝 엘리먼트들은 전기적으로 연결되고, 상기 커버의 일부분이 에칭되어 적어도 하나의 튜닝 영역을 형성하며, 상기 튜닝 엘리먼트들은 상기 튜닝 영역을 관통하여 해당 캐비티로 수용된다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 RF 필터는 하우징 부재; 상기 하우징 부재의 상부에 결합되는 커버; 상기 커버를 관통하여 상기 하우징 부재의 내측으로 수용되는 제 1 튜닝 엘리먼트; 및 상기 제 1 튜닝 엘리먼트와 이격되며, 상기 커버를 관통하여 상기 하우징 부재의 내측으로 수용되는 제 2 튜닝 엘리먼트를 포함한다. 여기서, 상기 튜닝 엘리먼트들 중 적어도 하나를 상하로 움직임에 의해 전송 제로가 조절되고, 상기 커버의 일부분이 에칭되어 적어도 하나의 튜닝 영역을 형성하며, 상기 튜닝 엘리먼트들은 상기 튜닝 영역을 관통하여 해당 캐비티로 수용된다.
본 발명에 따른 RF 필터는 커버를 관통하여 해당 캐비티들로 수용되는 튜닝 엘리먼트들을 제어하여 크로스 커플링 양 또는 전송 제로를 조절할 수 있다. 특히, 커플링 계수 및 전송 제로의 가변 범위가 상당히 넓다.
도 1은 일반적인 RF 캐비티 필터의 내부 구성을 도시한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 RF 필터를 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 캐비티 필터의 일부를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 커버의 구조 및 튜닝 엘리먼트들의 연결 구조를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 커버의 구조 및 튜닝 엘리먼트들의 연결 구조를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 다양한 튜닝 엘리먼트들을 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 필터의 커플링 계수의 실험 결과를 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 필터의 전송 제로 특성의 실험 결과를 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 RF 필터의 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 자세히 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 RF 필터를 도시한 사시도이다.
도 2를 참조하면, 본 실시예의 RF 필터는 예를 들어 RF 캐비티 필터이며, 하우징 부재(200), 커버(202), 입력 커넥터(204), 출력 커넥터(206), 복수의 캐비티들(208), 공진기들(210), 격벽들(212) 및 튜닝 엘리먼트들(Tuning elements, 214)을 포함한다.
하우징 부재(200)는 필터 내부의 공진기(210) 등과 같은 구성요소들을 보호하고, 전자기파를 차폐하는 역할을 수행한다. 이러한 하우징 부재(200)는 예를 들어 알루미늄 재질 위에 전도도가 높은 은을 도금함에 의해 형성될 수 있다.
커버(202)는 하우징 부재(200)의 상부에 결합되며, 예를 들어 볼트 결합 등에 의해 하우징 부재(200)의 상부에 결합될 수 있다. 이러한 커버(202)도 예를 들어 알루미늄 재질 위에 은을 도금함에 의해 형성될 수 있으며, 전기적인 접지 역할을 수행한다.
입력 커넥터(204)는 RF 신호가 입력되는 통로이며, 입력 커넥터(204)를 통하여 입력된 RF 신호는 출력 커넥터(206)로 출력되되 상기 RF 신호는 각 캐비티(208)에 형성된 커플링 윈도우를 통하여 진행한다. 이 경우, 각 캐비티들(208) 및 공진기들(210)에 의해 RF 신호의 공진 현상이 발생하며, 상기 공진 현상에 의해 RF 신호가 필터링된다.
캐비티들(208)은 격벽들(212)에 의해 정의되며, 각 캐비티들(208) 내에는 공진기들(210)이 각기 형성될 수 있다. 여기서, 공진기(210) 및 캐비티(208)의 수가 증가할수록 필터의 스커트 특성은 좋아지나 삽입 손실은 저하될 수 있으며, 따라서 원하는 스커트 특성 및 삽입 손실에 따라 공진기(210) 및 캐비티(208)의 수가 결정된다.
공진기(210)는 도 2에 도시된 바와 같이 원통형 공진기일 수도 있으나, 디스크형 공진기 등 다양한 형태의 공진기가 사용될 수 있다. 공진기(210)의 재질은 RF 필터의 모드(TE 모드 또는 TM 모드)에 따라 금속 재질의 공진기가 사용될 수도 있고 유전체 재질의 공진기가 사용될 수도 있다.
튜닝 엘리먼트들(214)은 예를 들어 금속으로서 크로스 커플링 양 또는 전송 제로(transmission zero)를 조절하기 위하여 사용되며, 커버(202)에 결합된 상태로 해당 캐비티(208)로 수용된다. 바람직하게는, 2개의 튜닝 엘리먼트들(214)이 격벽(212)을 기준으로 대향하여 배열되며, 즉 제 1 튜닝 엘리먼트(214)는 격벽(212)을 기준으로 좌측(도 2에서의 방향임)의 캐비티(208)로 수용되고, 제 2 튜닝 엘리먼트(214)는 격벽(212)을 기준으로 우측의 캐비티(208)로 수용된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 튜닝 엘리먼트들(214)은 튜닝 볼트이며, 커버(202)에 결합된 상태로 상호 전기적으로 연결된다. 다만, 튜닝 엘리먼트들(214)은 커버(202)와는 전기적으로 연결되지는 않는다.
사용자는 튜닝 엘리먼트(214)를 상하로 움직여서 크로스 커플링 양 또는 전송 제로를 제어할 수 있다.
이하, 튜닝 엘리먼트들(214)을 이용한 커플링 양 또는 전송 제로의 조절 과정 및 튜닝 엘리먼트들(214)의 배열을 첨부된 도면들을 참조하여 상술하겠다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 캐비티 필터의 일부를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 커버의 구조 및 튜닝 엘리먼트들의 연결 구조를 도시한 도면이다. 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 커버의 구조 및 튜닝 엘리먼트들의 연결 구조를 도시한 도면이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 다양한 튜닝 엘리먼트들을 도시한 단면도이다.
도 3(A)를 참조하면, 제 1 캐비티(208a) 내에는 제 1 공진기(210a)가 배열되고, 제 2 캐비티(208b) 내에는 제 2 공진기(210b)가 배열되며, 캐비티들(208a 및 208b) 사이에는 격벽(212)이 배열된다.
제 1 튜닝 엘리먼트(214a)는 커버(202)를 관통하여 제 1 캐비티(208a)로 수용되며, 제 1 너트(216a)에 의해 커버(202)에 결합된다. 여기서, 제 1 튜닝 엘리먼트(214a)에는 나사산이 형성되어 있으며, 그 결과 제 1 튜닝 엘리먼트(214a)를 회전시키면 제 1 튜닝 엘리먼트(214a)는 도 3(B)에 도시된 바와 같이 커버(202)에 결합된 상태로 상하로 움직이게 된다. 바람직하게는, 제 1 튜닝 엘리먼트(214a)의 상단면에는 도 3(C)에 도시된 바와 같이 드라이버 등과 같은 회전 기구가 삽입될 수 있는 홈이 형성될 수 있으며, 사용자는 드라이버 등을 제 1 튜닝 엘리먼트(214a)의 상단면에 삽입한 후 제 1 튜닝 엘리먼트(214a)를 회전시켜 제 1 튜닝 엘리먼트(214a)를 상하로 이동시킬 수 있다. 결과적으로, 제 1 튜닝 엘리먼트(214a)의 제 1 캐비티(208a)로의 진입 깊이가 가변되게 되며, 그 결과 크로스 커플링 양 또는 전송 제로가 조절될 수 있다.
제 2 튜닝 엘리먼트(214b)는 커버(202)를 관통하여 제 2 캐비티(208b)로 수용되고, 격벽(212)을 기준으로 제 1 튜닝 엘리먼트(214a)와 대향하여 위치하며, 제 2 너트(216b)에 의해 커버(202)에 결합된다. 여기서, 제 2 튜닝 엘리먼트(214b)에는 나사산이 형성되어 있으며, 그 결과 제 2 튜닝 엘리먼트(214b)를 회전시키면 제 2 튜닝 엘리먼트(214b)는 도 3(B)에 도시된 바와 같이 커버(202)에 결합된 상태로 상하로 움직이게 되어 크로스 커플링 양 또는 전송 제로가 조절된다.
이러한 튜닝 엘리먼트들(214a 및 214b)은 상호 전기적으로 연결된다. 본 발명의 일 실시에에 따르면, 커버(202)의 상면(202a)에는 도 4(A)에 도시된 바와 같이 제 1 튜닝 영역(402) 및 홀들(404a 및 404b)이 형성될 수 있고, 커버(202)의 배면(202b)에는 도 4(B)에 도시된 바와 같이 제 2 튜닝 영역(406), 제 3 튜닝 영역(408) 및 홀들(404a 및 404b)이 형성될 수 있다. 이 경우, 제 1 튜닝 엘리먼트(214a)는 제 1 홀(404a)을 통하여 제 1 캐비티(208a)로 수용되고, 제 2 튜닝 엘리먼트(214b)는 제 2 홀(404b)을 통하여 제 2 캐비티(208b)로 수용된다. 여기서, 튜닝 영역들(402, 406 및 408)은 각기 도전 영역이며, 따라서 튜닝 엘리먼트들(214a 및 214b)은 커버(202)의 상면(202a)에 형성된 제 1 튜닝 영역(402)을 통하여 상호 전기적으로 연결된다.
공정 측면에서 살펴보면, 유전체 재질 위에 도전 물질을 도금함에 의해 형성된 커버(202)의 상면 및 배면을 튜닝 영역들(402, 406 및 408)에 맞춰서 에칭시키면 에칭 영역(400a, 400b 및 400c)이 형성되되, 에칭 영역(400a, 400b 및 400c)에는 도전 물질이 존재하지 않는다. 결과적으로, 튜닝 영역들(402, 406 및 408)은 에칭 영역(400a, 400b 및 400c)에 의해 커버(202)의 도전 물질로부터 전기적으로 분리된다. 따라서, 튜닝 엘리먼트들(214a 및 214b)은 제 1 튜닝 영역(402)을 통하여 상호 전기적으로 연결되되, 커버(202)의 도전 물질과는 연결되지 않게 되며, 즉 접지와 연결되지 않는다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 커버(202)의 상면(202a)에는 도 5(A)에 도시된 바와 같이 제 1 튜닝 영역, 제 2 튜닝 영역 및 홀들이 형성되고, 커버(202)의 배면(202b)에는 도 5(B)에 도시된 바와 같이 제 3 튜닝 영역 및 홀들이 형성될 수 있다. 다만, 튜닝 엘리먼트들(214a 및 214b)은 커버(202)의 배면(202b)에 형성된 제 3 튜닝 영역을 통하여 상호 전기적으로 연결된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 커버(202)의 상면(202a)에는 도 4(A)에 도시된 바와 같은 튜닝 영역 및 홀들이 형성되고, 커버(202)의 배면(202b)에는 도 5(B)에 도시된 바와 같은 튜닝 영역 및 홀들이 형성될 수도 있다. 이 경우에는, 튜닝 엘리먼트들(214a 및 214b)은 상기 튜닝 영역들에 의해 전기적으로 연결된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 격벽(212)의 상면에는 홈(220)이 형성된다. 이것은 커버(202)의 배면(202b)에 형성된 튜닝 영역의 도전 물질이 격벽(212)과 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위해서이다.
이러한 구조의 RF 필터에서 크로스 커플링 양 또는 전송 제로를 조절하고자 하는 경우, 튜닝 엘리먼트들(214a 및 214b)의 캐비티들(208a 및 208b)로의 수용 깊이를 가변시키면 된다. 다만, 튜닝 엘리먼트들(214a 및 214b)의 수용 깊이는 동일할 수도 있지만 다를 수도 있다. 또한, 커플링 양을 조절하는 경우와 전송 제로를 조절하는 경우의 튜닝 엘리먼트들(214a 및 214b)의 튜닝 정도가 다를 수 있다.
물론, 튜닝 엘리먼트들(214a 및 214b)의 길이, 두께 및 형상 등이 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 제 1 튜닝 엘리먼트(214a)가 도 6(A)에 도시된 바와 같이 제 2 튜닝 엘리먼트(214b)보다 더 두꺼울 수도 있고, 도 6(B)에 도시된 바와 같이 형상 및 두께가 다를 수도 있다. 즉, 튜닝 엘리먼트들(214a 및 214b)은 커플링 양 또는 전송 제로를 조절할 수 있는 한 다양하게 변형될 수 있다.
이하, 본 실시예의 RF 필터의 커플링 특성의 실험 결과를 살펴보겠다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 필터의 커플링 계수의 실험 결과를 도시한 도면이고, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 필터의 전송 제로 특성의 실험 결과를 도시한 도면이다.
도 7을 살펴보면, 공진기들(210) 사이의 커플링 계수는 0.019(0.0191로부터 0.0382까지 가변됨)만큼 가변될 수 있음이 확인된다. 공진기들 사이의 커플링 계수가 0.0039만큼 가변되는 종래의 RF 필터에 비하여 본 발명의 RF 필터는 약 3배 범위만큼 커플링 계수가 가변될 수 있다. 즉, 본 발명의 RF 필터는 공진기들(210) 사이의 크로스 커플링 양을 상당 범위에서 튜닝할 수 있다.
도 8을 참조하면, 전송 제로가 1.805㎓에서 1.907㎓로 가변됨을 확인할 수 있다. 즉, 전송 제로가 102㎒만큼 가변되었다. 다만, 실제로 전송 제로는 102㎒ 이상 가변될 수 있다. 따라서, 본 발명의 RF 필터는 요구하는 스펙에 따라 스커트 특성 등을 조절할 수 있다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 RF 필터의 구조를 개략적으로 도시한 도면이다. 다만, 도 9에서는 도 2의 RF 필터와 동일한 하우징 부재, 공진기 등은 생략하였다.
도 9를 참조하면, 본 실시예의 RF 필터는 커버(200), 지지 부재(900), 튜닝 엘리먼트들(902a 및 902b) 및 너트들(904a 및 904b)을 포함한다.
지지 부재(900)는 커버(200)의 상면에 형성되며, 유전체 재질 위에 도전 물질을 도금함에 의해 형성될 수 있다.
제 1 튜닝 엘리먼트(902a)는 지지 부재(900) 및 커버(200)를 관통하여 해당 캐비티로 수용되고, 제 2 튜닝 엘리먼트(902b)는 지지 부재(900) 및 커버(200)를 관통하여 해당 캐비티로 수용된다. 이 경우, 지지 부재(900)의 상면이 도전 물질로 도금되어 있으므로, 튜닝 엘리먼트들(902a 및 902b)은 상호 전기적으로 연결된다. 다만, 지지 부재(900)의 베이스가 유전체 재질이므로, 튜닝 엘리먼트들(902a 및 902b)은 커버(200)에 전기적으로 연결되지 않는다.
한편, 튜닝 엘리먼트들(902a 및 902b)은 너트들(904a 및 904b)에 의해 지지 부재(900) 상에 고정된다.
정리하면, 지지 부재(900)를 커버(200) 상에 형성하고 튜닝 엘리먼트들(902a 및 902b)이 지지 부재(900) 및 커버(200)를 관통하여 해다 캐비티들로 수용되는 RF 필터구 구현된다. 따라서, 커버(200)의 상면을 에칭하여야 했던 제 1 실시예의 RF 필터와 달리, 본 실시예의 RF 필터에서는 커버(200)의 상면을 에칭할 필요는 없다.
상기한 본 발명의 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
100 : 입력 커넥터 102 : 출력 커넥터
104 : 하우징 부재 110, 112, 114, 116, 118, 120 : 캐비티
130, 132, 134, 136, 138, 140 : 공진기 150 : 커플링 윈도우
160 : 커플링 바 200 : 하우징 부재
202 : 커버 204 : 입력 커넥터
206 : 출력 커넥터 208 : 캐비티
210 : 공진기 212 : 격벽
214 : 튜닝 엘리먼트 216 : 너트
402 : 제 1 튜닝 영역 404 : 홀
406 : 제 2 튜닝 영역 408 : 제 3 튜닝 영역
900 : 지지 부재 902 : 튜닝 엘리먼트
904 : 너트

Claims (9)

  1. 격벽들에 의해 캐비티들이 정의되는 하우징 부재;
    상기 캐비티들에 수용되는 공진기들;
    상기 하우징 부재의 상부에 결합되는 커버;
    상기 커버를 관통하여 상기 캐비티들 중 제 1 캐비티에 수용되는 제 1 튜닝 엘리먼트; 및
    상기 커버를 관통하여 상기 캐비티들 중 제 2 캐비티에 수용되는 제 2 튜닝 엘리먼트를 포함하되,
    상기 튜닝 엘리먼트들은 전기적으로 연결되고, 상기 커버의 일부분이 에칭되어 적어도 하나의 튜닝 영역을 형성하며, 상기 튜닝 엘리먼트들은 상기 튜닝 영역을 관통하여 해당 캐비티로 수용되는 것을 특징으로 하는 RF 필터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 커버는 유전체 부재 위에 도전 물질을 도금함에 의해 형성되고, 상기 커버에 복수의 튜닝 영역들이 형성되며, 상기 튜닝 영역들 중 제 1 튜닝 영역은 상기 커버의 상면에 형성되고, 상기 튜닝 영역들 중 배면에 제 2 튜닝 영역 및 제 3 튜닝 영역이 형성되되,
    상기 제 1 튜닝 엘리먼트는 상기 제 1 튜닝 영역 및 제 2 튜닝 영역을 관통하여 상기 제 1 캐비티로 수용되고, 상기 제 2 튜닝 엘리먼트는 상기 제 1 튜닝 영역 및 상기 제 3 튜닝 영역을 관통하여 상기 제 2 캐비티로 수용되며, 상기 튜닝 엘리먼트들은 상기 제 1 튜닝 영역 상의 도전 물질에 의해 전기적으로 연결되고, 상기 튜닝 엘리먼트들이 상기 커버의 상하로 움직임에 따라 상기 제 1 캐비티에 수용된 제 1 공진기와 상기 제 2 캐비티에 수용된 제 2 공진기 사이의 커플링 양 또는 전송 제로가 조절되는 것을 특징으로 하는 RF 필터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 커버는 유전체 부재 위에 도전 물질을 도금함에 의해 형성되고, 상기 커버의 상면 중 일부분이 에칭되어 제 1 튜닝 영역 및 제 2 튜닝 영역을 형성하며, 상기 커버의 배면 중 일부분이 에칭되어 제 3 튜닝 영역을 형성하되,
    상기 제 1 튜닝 엘리먼트는 상기 제 1 튜닝 영역 및 제 3 튜닝 영역을 관통하여 상기 제 1 캐비티로 수용되고, 상기 제 2 튜닝 엘리먼트는 상기 제 2 튜닝 영역 및 상기 제 3 튜닝 영역을 관통하여 상기 제 2 캐비티로 수용되며, 상기 튜닝 엘리먼트들은 상기 제 3 튜닝 영역 상의 도전 물질에 의해 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 RF 필터.
  4. 제1항에 있어서, 상기 RF 필터는,
    상기 제 1 캐비티와 상기 제 2 캐비티를 분리시키는 격벽을 더 포함하되,
    상기 커버는 유전체 부재 위에 도전 물질을 도금함에 의해 형성되고, 상기 커버의 배면 중 일부분이 에칭되어 튜닝 영역을 형성하며, 상기 격벽의 상면에는 홈이 형성되고, 상기 튜닝 영역은 상기 홈에 대응되는 것을 특징으로 하는 RF 필터.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제 1 튜닝 엘리먼트는 상기 하우징 부재의 상면에서 제 1 너트에 의해 고정되고, 상기 제 2 튜닝 엘리먼트는 상기 하우징 부재의 상면에서 제 2 너트에 의해 고정되는 것을 특징으로 하는 RF 필터.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제 1 튜닝 엘리먼트의 두께 또는 길이는 상기 제 2 튜닝 엘리먼트의 두께 또는 길이와 다른 것을 특징으로 하는 RF 필터.
  7. 제1항에 있어서, 상기 RF 필터는,
    상기 커버의 상면 위에 형성된 지지 부재를 더 포함하되,
    상기 제 1 튜닝 엘리먼트는 상기 지지 부재 및 상기 커버를 관통하여 상기 제 1 캐비티로 수용되고, 상기 제 2 튜닝 엘리먼트는 상기 지지 부재 및 상기 커버를 관통하여 상기 제 2 캐비티로 수용되며, 상기 지지 부재는 유전체 부재 위에 도전 물질을 도금함에 의해 형성되고, 상기 튜닝 엘리먼트들은 상기 지지 부재의 도전 물질을 통하여 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 RF 필터.
  8. 하우징 부재;
    상기 하우징 부재의 상부에 결합되는 커버;
    상기 커버를 관통하여 상기 하우징 부재의 내측으로 수용되는 제 1 튜닝 엘리먼트; 및
    상기 제 1 튜닝 엘리먼트와 이격되며, 상기 커버를 관통하여 상기 하우징 부재의 내측으로 수용되는 제 2 튜닝 엘리먼트를 포함하되,
    상기 튜닝 엘리먼트들 중 적어도 하나를 상하로 움직임에 의해 전송 제로가 조절되고, 상기 커버의 일부분이 에칭되어 적어도 하나의 튜닝 영역을 형성하며, 상기 튜닝 엘리먼트들은 상기 튜닝 영역을 관통하여 해당 캐비티로 수용되는 것을 특징으로 하는 RF 필터.
  9. 제8항에 있어서, 상기 튜닝 엘리먼트들은 전기적으로 연결되고, 상기 커버는 유전체 부재 위에 도전 물질을 도금함에 의해 형성되며, 상기 커버의 상면에 제 1 튜닝 영역이 형성되고, 상기 커버의 배면에 제 2 튜닝 영역이 형성되되,
    상기 제 1 튜닝 엘리먼트는 상기 제 1 튜닝 영역을 관통하여 제 1 캐비티로 수용되고, 상기 제 2 튜닝 엘리먼트는 상기 제 2 튜닝 영역을 관통하여 제 2 캐비티로 수용되며, 상기 튜닝 엘리먼트들이 상기 커버의 상하로 움직임에 따라 상기 제 1 캐비티에 수용된 제 1 공진기와 상기 제 2 캐비티에 수용된 제 2 공진기 사이의 커플링 양 또는 전송 제로가 조절되는 것을 특징으로 하는 RF 필터.



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