KR101193890B1 - Positive type photosensitive composition and pattern formation method using the same - Google Patents

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Abstract

[과제] IC 등의 반도체 제조공정, 액정, 써멀헤드 등의 회로 기판의 제조, 또한 그 밖의 포토패브리케이션 공정에 사용되는 포지티브형 감광성 조성물 및 그것을 사용한 패턴형성방법으로서, 100nm 이하의 미세 패턴의 형성에 있어서도 패턴 붕괴, 노광 래티튜드 성능이 개량된 포지티브형 감광성 조성물 및 그것을 사용한 패턴형성방법을 제공한다.

[해결수단] (A)활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물 및 (B)산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해 속도가 증대하는 수지를 함유하는 포지티브형 감광성 조성물로서: 상기 (B)성분은 특정 구조로 표시되고 산분해성기를 갖는 반복단위를 갖는 포지티브형 감광성 조성물, 및 그것을 사용한 패턴형성방법.

Figure R1020070096590

포지티브형 감광성 조성물, 패턴형성방법

[PROBLEMS] Positive photosensitive compositions used in the production of circuit boards such as semiconductor manufacturing processes such as ICs, liquid crystals, thermal heads, and other photofabrication processes, and pattern forming methods using the same, which form fine patterns of 100 nm or less. The present invention also provides a positive photosensitive composition having improved pattern collapse and exposure latitude performance, and a pattern forming method using the same.

As a positive photosensitive composition containing (A) a compound which generates an acid by irradiation of actinic light or radiation, and a resin whose dissolution rate in an alkali developer is increased by the action of (B) acid, the above-mentioned ( B) A component is a positive photosensitive composition which has a repeating unit represented by a specific structure and has an acid-decomposable group, and the pattern formation method using the same.

Figure R1020070096590

Positive photosensitive composition, pattern formation method

Description

포지티브형 감광성 조성물 및 그것을 사용한 패턴형성방법{POSITIVE TYPE PHOTOSENSITIVE COMPOSITION AND PATTERN FORMATION METHOD USING THE SAME}Positive type photosensitive composition and pattern formation method using same {POSITIVE TYPE PHOTOSENSITIVE COMPOSITION AND PATTERN FORMATION METHOD USING THE SAME}

본 발명은 IC 등의 반도체 제조공정, 액정, 써멀헤드(thermal) 등의 회로 기판의 제조, 또한 그 밖의 포토패브리케이션(photofabrication) 공정에 사용되는 포지티브형 감광성 조성물 및 그것을 사용한 패턴형성방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 250nm 이하, 바람직하게는 220nm 이하의 원자외선 등의 노광광원 및 전자선 등에 의한 조사원으로 하는 경우에 바람직한 포지티브형 감광성 조성물 및 그것을 사용한 패턴형성방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to positive type photosensitive compositions used in semiconductor manufacturing processes such as ICs, production of circuit boards such as liquid crystals, thermal heads, and other photofabrication processes, and pattern forming methods using the same. . More specifically, the present invention relates to a positive photosensitive composition and a pattern formation method using the same in the case of using an exposure light source such as far ultraviolet rays of 250 nm or less, preferably 220 nm or less, an electron beam or the like.

화학증폭계 감광성 조성물은 원자외광 등의 방사선의 조사에 의해 노광부에 산을 생성시켜, 이 산을 촉매로 하는 반응에 의해 활성방사선의 조사부와 비조사부의 현상액에 대한 용해성을 변화시키고, 패턴을 기판 상에 형성시키는 패턴형성재료이다.The chemically amplified photosensitive composition generates an acid in the exposed portion by irradiation with radiation such as far ultraviolet light, and changes the solubility in the developing solution of the irradiated portion and the non-irradiated portion of the active radiation by reaction using the acid as a catalyst. It is a pattern formation material formed on a board | substrate.

KrF 엑시머 레이저를 노광광원으로 하는 경우에는, 주로 248nm 영역에서의 흡수가 적고 폴리(히드록시스티렌)을 기본골격으로 하는 수지를 주성분에 사용하므로, 고감도, 고해상도로, 또한 양호한 패턴을 형성하고, 종래의 나프토퀴논디아지드/노볼락 수지계에 비해서 양호한 계로 되어 있다. In the case of using the KrF excimer laser as an exposure light source, mainly a resin having a low absorption in the 248 nm region and having a poly (hydroxystyrene) as a basic skeleton is used as a main component, thereby forming a high sensitivity, a high resolution, and a good pattern. It is a good system compared with the naphthoquinone diazide / novolak resin system.

한편, 더욱 단파장의 광원, 예를 들면 ArF 엑시머 레이저(193nm)를 노광광원으로서 사용하는 경우에는, 방향족기를 갖는 화합물이 본질적으로 193nm 영역에 큰 흡수를 나타내기 때문에, 상기 화학증폭계에서도 충분하지 않았다.On the other hand, when a shorter wavelength light source, such as an ArF excimer laser (193 nm), is used as the exposure light source, the compound having an aromatic group shows a large absorption in the 193 nm region essentially, and thus it is not sufficient even in the chemical amplification system. .

이 때문에, 지환 탄화수소 구조를 갖는 수지를 함유하는 ArF 엑시머 레이저용 레지스트가 개발되고 있다. ArF 엑시머 레이저용 레지스트에 있어서는, 여러가지 개량이 시행되고 있고, 예를 들면 특허문헌 1, 특허문헌 2, 특허문헌 3에서는 지환 산분해성기를 갖는 반복단위에 있어서, 주쇄와 산분해성기의 사이에 스페이스 부분을 갖는 반복단위를 도입하는, 여러가지 특성의 개량이 이루어지고 있다.For this reason, the resist for ArF excimer laser containing resin which has alicyclic hydrocarbon structure is developed. In the ArF excimer laser resist, various improvements have been made. For example, in Patent Document 1, Patent Document 2, and Patent Document 3, in the repeating unit having an alicyclic acid-decomposable group, a space portion between the main chain and the acid-decomposable group is used. Various characteristics are improved which introduce | transduce the repeating unit which has a.

그렇지만, 선폭 100nm 이하와 같은 미세한 패턴을 형성하는 경우에는, 해상성능이 뛰어나도 형성한 라인 패턴이 붕괴되어 디바이스 제조시의 결함이 되어버리는 패턴 붕괴의 문제나 노광량 변화에 대한 성능 안정성(노광 래티튜드(latitude))이 불충분했다.However, in the case of forming a fine pattern such as a line width of 100 nm or less, even if the resolution is excellent, the performance stability against the problem of pattern collapse and the change in exposure amount, which cause the formed line pattern to collapse and become a defect in manufacturing the device (exposure latitude )) Was insufficient.

[특허문헌 1] 일본특허공개 2005-331918호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-331918

[특허문헌 2] 일본특허공개 2004-184637호 공보[Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-184637

[특허문헌 3] 일본특허공개 2003-330192호 공보 [Patent Document 3] Japanese Patent Publication No. 2003-330192

따라서, 본 발명의 목적은 100nm 이하의 미세 패턴의 형성에 있어서도 패턴붕괴, 노광 래티튜드 성능이 개량된 포지티브형 감광성 조성물 및 그것을 사용한 패턴형성방법을 제공하는 것에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a positive photosensitive composition having improved pattern collapse and exposure latitude performance even when forming a fine pattern of 100 nm or less, and a pattern forming method using the same.

본 발명은 이하와 같다.The present invention is as follows.

(1) (A)활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물, 및 (1) (A) a compound which generates an acid by irradiation of actinic light or radiation, and

(B)산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해 속도가 증대하는 수지를 함유하는 포지티브형 감광성 조성물로서, As a positive photosensitive composition containing resin which the dissolution rate with respect to alkaline developing solution increases by the action of (B) acid,

상기 (B)성분은 하기 일반식(I)으로 표시되고 산분해성기를 갖는 반복단위를 갖는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 조성물.Said (B) component is represented by the following general formula (I), and has a repeating unit which has an acid-decomposable group, The positive photosensitive composition characterized by the above-mentioned.

Figure 112007068827710-pat00001
Figure 112007068827710-pat00001

일반식(I)에 있어서, In general formula (I),

Xa1은 수소원자, 알킬기, 시아노기 또는 할로겐원자를 나타낸다.Xa 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group or a halogen atom.

Ry1 및 Ry2은 각각 독립적으로 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.Ry 1 and Ry 2 each independently represent an alkyl group or a cycloalkyl group.

Rx는 탄소수 2개 이상의 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.Rx represents an alkyl group having 2 or more carbon atoms or a cycloalkyl group.

Z는 알킬렌기를 나타낸다.Z represents an alkylene group.

(2) (B)성분은 락톤기, 수산기, 시아노기 및 알칼리 가용성기로부터 선택되는 1종류 이상의 기를 갖는 반복단위를 더 갖는 것을 특징으로 하는 (1)에 기재된 포지티브형 감광성 조성물.(2) The positive photosensitive composition as described in (1) in which (B) component further has a repeating unit which has 1 or more types of groups chosen from lactone group, a hydroxyl group, a cyano group, and an alkali-soluble group.

(3) (B)성분은 히드록시스티렌 구조를 갖는 반복단위를 더 갖는 것을 특징으로 하는 (1)에 기재된 포지티브형 감광성 조성물.(3) The positive photosensitive composition as described in the item (1), wherein the component (B) further has a repeating unit having a hydroxystyrene structure.

(4) (B)성분은 일반식(I)으로 표시되고 산분해성기를 갖는 반복단위 이외의 산분해성기를 갖는 반복단위를 더 갖는 것을 특징으로 하는 (1)~(3) 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 조성물.(4) Positive of any one of (1)-(3) characterized by (B) component further having a repeating unit represented by general formula (I) and having an acid-decomposable group other than the repeating unit which has an acid-decomposable group. Type photosensitive composition.

(5) 하기 일반식(I)으로 표시되는 반복단위와, 락톤기, 수산기, 시아노기 및 알칼리 가용성기로부터 선택되는 적어도 1종류 이상의 기를 갖는 반복단위를 갖는 것을 특징으로 하는 수지.(5) Resin which has a repeating unit represented by following General formula (I), and a repeating unit which has at least 1 type or more group chosen from lactone group, a hydroxyl group, a cyano group, and alkali-soluble group.

Figure 112007068827710-pat00002
Figure 112007068827710-pat00002

일반식(I)에 있어서, In general formula (I),

Xa1은 수소원자, 알킬기, 시아노기 또는 할로겐원자를 나타낸다.Xa 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group or a halogen atom.

Ry1 및 Ry2은 각각 독립적으로 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.Ry 1 and Ry 2 each independently represent an alkyl group or a cycloalkyl group.

Rx는 탄소수 2개 이상의 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.Rx represents an alkyl group having 2 or more carbon atoms or a cycloalkyl group.

Z는 알킬렌기를 나타낸다.Z represents an alkylene group.

(6) 하기 일반식(I-a)으로 표시되는 반복단위를 갖는 것을 특징으로 하는 수지.(6) Resin characterized by having a repeating unit represented by the following general formula (I-a).

Figure 112007068827710-pat00003
Figure 112007068827710-pat00003

일반식(I-a)에 있어서, In general formula (I-a),

Xa1은 수소원자, 알킬기, 시아노기 또는 할로겐원자를 나타낸다.Xa 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group or a halogen atom.

Ry1 및 Ry2은 각각 독립적으로 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.Ry 1 and Ry 2 each independently represent an alkyl group or a cycloalkyl group.

Ry3은 수소원자 또는 알킬기를 나타낸다.Ry 3 represents a hydrogen atom or an alkyl group.

Z는 알킬렌기를 나타낸다.Z represents an alkylene group.

m1은 1 또는 2를 나타낸다.m1 represents 1 or 2.

(7) Ry1 및 Ry2 중 1개 이상은 탄소수 2개 이상의 알킬기인 것을 특징으로 하는 (5) 또는 (6)에 기재된 수지.(7) The resin according to (5) or (6), wherein at least one of Ry 1 and Ry 2 is an alkyl group having 2 or more carbon atoms.

(8) 하기 일반식(I')으로 표시되는 것을 특징으로 하는 중합성 화합물.(8) A polymeric compound characterized by the following general formula (I ').

Figure 112007068827710-pat00004
Figure 112007068827710-pat00004

일반식(I')에 있어서, In general formula (I '),

Xa1은 수소원자, 알킬기, 시아노기 또는 할로겐원자를 나타낸다.Xa 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group or a halogen atom.

Ry1 및 Ry2는 각각 독립적으로 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.Ry 1 and Ry 2 each independently represent an alkyl group or a cycloalkyl group.

Rx는 탄소수 2개 이상의 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.Rx represents an alkyl group having 2 or more carbon atoms or a cycloalkyl group.

Z는 알킬렌기를 나타낸다.Z represents an alkylene group.

(9) 하기 일반식(I-a1)으로 표시되는 것을 특징으로 하는 중합성 화합물.(9) A polymeric compound characterized by the following general formula (I-a1).

Figure 112007068827710-pat00005
Figure 112007068827710-pat00005

일반식(I-a1)에 있어서, In general formula (I-a1),

Xa1은 수소원자, 알킬기, 시아노기 또는 할로겐원자를 나타낸다.Xa 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group or a halogen atom.

Ry1 및 Ry2는 각각 독립적으로 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.Ry 1 and Ry 2 each independently represent an alkyl group or a cycloalkyl group.

Ry3는 수소원자 또는 알킬기를 나타낸다.Ry 3 represents a hydrogen atom or an alkyl group.

Z는 알킬렌기를 나타낸다.Z represents an alkylene group.

m1은 1 또는 2를 나타낸다.m1 represents 1 or 2.

(10) Ry1 및 Ry2 중 1개 이상은 탄소수 2개 이상의 알킬기인 것을 특징으로 하는 (8) 또는 (9)에 기재된 중합성 화합물.(10) The polymerizable compound according to (8) or (9), wherein at least one of Ry 1 and Ry 2 is an alkyl group having 2 or more carbon atoms.

(11) (1)~(4) 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 조성물에 의해 막을 형성하고, 상기 막을 노광, 현상하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.(11) The pattern formation method characterized by including the process of forming a film by the positive photosensitive composition in any one of (1)-(4), and exposing and developing the said film.

본 발명에 의해 100nm 이하의 미세 패턴의 형성에서도 패턴 붕괴, 노광 래티튜드 성능이 개량된 포지티브형 감광성 조성물 및 그것을 사용한 패턴형성방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a positive photosensitive composition having improved pattern collapse and exposure latitude performance even in the formation of a fine pattern of 100 nm or less, and a pattern forming method using the same.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 최선의 형태에 대해서 설명한다.Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described.

한편, 본 명세서에서 기(원자단)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 기재하지 않은 표기는 치환기를 갖지 않은 것과 아울러 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들면, 「알킬기」는 치환기를 갖지 않은 알킬기(무치환 알킬기) 뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다.In addition, in description of group (atom group) in this specification, the description which is not describing substitution and unsubstitution includes what has a substituent as well as not having a substituent. For example, an "alkyl group" includes not only the alkyl group (unsubstituted alkyl group) which does not have a substituent but the alkyl group (substituted alkyl group) which has a substituent.

(A) 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물 (A) A compound which generates an acid by irradiation of actinic light or a radiation

본 발명의 포지티브형 감광성 조성물은, 활성광선 또는 방사선의 조사에 의 해 산을 발생하는 화합물(「산발생제」라고도 함)을 함유한다.The positive photosensitive composition of this invention contains the compound (also called an "acid generator") which generate | occur | produces an acid by irradiation of actinic light or a radiation.

그러한 산발생제로서는 광양이온 중합의 광개시제, 광라디칼 중합의 광개시제, 색소류의 광소색제, 광변색제 또는 마이크로 레지스트 등에 사용되고 있는 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 공지의 화합물 및 그것들의 혼합물을 적당히 선택해서 사용할 수 있다.Such acid generators include known compounds that generate acids by irradiation with actinic rays or radiation used in photoinitiators of photocationic polymerization, photoinitiators of photoradical polymerization, photochromic agents of pigments, photochromic agents or microresists, and the like. Mixtures may be selected as appropriate.

예를 들면, 디아조늄염, 포스포늄염, 술포늄염, 요오드늄염, 이미도술포네이트, 옥심술포네이트, 디아조디술폰, 디술폰, o-니트로벤질술포네이트를 열거할 수 있다.For example, diazonium salt, phosphonium salt, sulfonium salt, iodonium salt, imidosulfonate, oxime sulfonate, diazo disulfone, disulfone, o-nitrobenzyl sulfonate can be mentioned.

또한, 이들의 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 기, 또는 화합물을 폴리머의 주쇄 또는 측쇄에 도입한 화합물, 예를 들면 미국특허 제3,849,137호, 독일특허 제3914407호, 일본특허공개 소63-26653호, 소55-164824호, 소62-69263호, 소63-146038호, 소63-163452호, 소62-153853호, 소63-146029호 공보 등에 기재된 화합물을 사용할 수 있다.Moreover, the compound which introduce | transduced the group which generate | occur | produces an acid by these actinic rays or radiation, or a compound in the main chain or side chain of a polymer, for example, US Patent No. 3,849,137, German Patent No. 3914407, Japanese Patent Publication The compounds described in 63-26653, SO 55-164824, SO 62-69263, SO 63-146038, SO 63-163452, SO 62-153853, SO 63-146029, and the like can be used.

또한 미국특허 제3,779,778호, 유럽특허 제126,712호 등에 기재된 광에 의해 산을 발생하는 화합물도 사용할 수 있다.In addition, a compound which generates an acid by light described in US Pat.

활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물 중에서 바람직한 화합물로서, 하기 일반식(ZI), (ZII), (ZIII)으로 표시되는 화합물을 열거할 수 있다. As a preferable compound among the compound which generate | occur | produces an acid by irradiation of actinic light or a radiation, the compound represented by the following general formula (ZI), (ZII), (ZIII) can be mentioned.

Figure 112007068827710-pat00006
Figure 112007068827710-pat00006

일반식(ZI)에 있어서, In general formula (ZI),

R201, R202 및 R203은 각각 독립적으로 유기기를 나타낸다.R 201 , R 202 and R 203 each independently represent an organic group.

X-는 비구핵성 음이온을 나타내고, 바람직하게는 술폰산 음이온, 카르복실산 음이온, 비스(알킬술포닐)아미드 음이온, 트리스(알킬술포닐)메티드 음이온, BF4 -, PF6 -, SbF6 - 등이 열거되고, 바람직하게는 탄소원자를 함유하는 유기 음이온이다.X represents a non-nucleophilic anion, preferably sulfonic acid anion, carboxylic acid anion, bis (alkylsulfonyl) amide anion, tris (alkylsulfonyl) methed anion, BF 4 , PF 6 , SbF 6 And the like, and are preferably organic anions containing carbon atoms.

바람직한 유기 음이온으로서는 하기 일반식(AN1)~(AN4)에 나타낸 유기 음이온이 열거된다.As a preferable organic anion, the organic anion shown by following General formula (AN1)-(AN4) is mentioned.

Figure 112007068827710-pat00007
Figure 112007068827710-pat00007

일반식(AN1)~(AN2)에 있어서, In general formula (AN1)-(AN2),

Rc1은 유기기를 나타낸다.Rc 1 represents an organic group.

Rc1에 있어서의 유기기로서는 탄소수 1~30개의 것이 열거되고, 바람직하게는 치환되어 있어도 좋은 알킬기, 아릴기 또는 이들의 복수가 단일결합, -O-, -CO2-, -S-, -SO3-, -SO2N(Rd1)- 등의 연결기로 연결된 기를 열거할 수 있다. Rd1은 수소원자 또는 알킬기를 나타내고, 결합하고 있는 알킬기, 아릴기와 환구조를 형성해도 좋다.Examples of the organic group in Rc 1 include those having 1 to 30 carbon atoms, and preferably an alkyl group, an aryl group, or a plurality of them, which may be substituted, are a single bond, -O-, -CO 2- , -S-,- And groups linked with a linker such as SO 3- , -SO 2 N (Rd 1 )-. Rd 1 may represent a hydrogen atom or an alkyl group, and may form a ring structure with the alkyl group and aryl group bonded thereto.

Rc1의 유기기로서, 보다 바람직하게는 1위치가 불소원자 또는 플로로알킬기로 치환된 알킬기, 불소원자 또는 플로로알킬기로 치환된 페닐기이다. 불소원자 또는 플로로알킬기를 가짐으로써, 광조사에 의해 발생한 산의 산성도가 증가하고 감도가 향상된다. Rc1에 있어서 탄소원자를 5개 이상 갖는 경우, 적어도 1개의 탄소원자는 수소원자가 모두 불소원자로 치환되어 있지 않고 수소원자를 갖고 있는 것이 바람직하고, 수소원자의 수가 불소원자보다 많은 것이 보다 바람직하다. 탄소수 5개 이상의 퍼플로로알킬기를 갖지 않음으로써 생태로의 독성이 경감된다.As the organic group of Rc 1, is the more preferably one position is substituted with alkyl groups with a fluorine atom or a flow of an alkyl group, a fluorine atom or an alkyl group substituted with a phenyl flow. By having a fluorine atom or a fluoroalkyl group, the acidity of the acid generated by light irradiation is increased and the sensitivity is improved. In the case of having 5 or more carbon atoms in Rc 1 , at least one carbon atom preferably contains all hydrogen atoms without being substituted with fluorine atoms, and more preferably has more hydrogen atoms than fluorine atoms. By not having a perfluoroalkyl group having 5 or more carbon atoms, ecological toxicity is reduced.

Rc1의 특히 바람직한 형태로서, 하기 일반식으로 표시되는 기를 열거할 수 있다.As a particularly preferable form of Rc 1 , groups represented by the following general formulas can be listed.

Figure 112007068827710-pat00008
Figure 112007068827710-pat00008

상기 일반식에 있어서, In the above general formula,

Rc6은 탄소수 4개 이하, 보다 바람직하게는 2~4개, 더욱 바람직하게는 2~3개의 퍼플로로알킬렌기, 3~5개의 불소원자 및/또는 1~3개의 플로로알킬기로 치환된 페닐렌기를 나타낸다.Rc 6 is substituted with up to 4 carbon atoms, more preferably 2 to 4, more preferably 2 to 3 perfluoroalkylene groups, 3 to 5 fluorine atoms and / or 1 to 3 floroalkyl groups A phenylene group is shown.

Ax는 연결기(바람직하게는 단일결합, -O-, -CO2-, -S-, -SO3-, -SO2N(Rd1)-)를 나타낸다. Rd1은 수소원자 또는 알킬기를 나타내고, Rc7와 결합해서 환구조를 형성해도 좋다.Ax represents a linking group (preferably single bond, -O-, -CO 2- , -S-, -SO 3- , -SO 2 N (Rd 1 )-). Rd 1 may represent a hydrogen atom or an alkyl group, and may combine with Rc 7 to form a ring structure.

Rc7은 수소원자, 불소원자, 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 단환 또는 다환의 시클로알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기는 치환되어 있어도 좋지만, 치환기로서 불소원자를 갖지 않는 것이 바람직하다.Rc 7 represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a linear or branched alkyl group, a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group or an aryl group. Although the alkyl group, cycloalkyl group, and aryl group may be substituted, it is preferable not to have a fluorine atom as a substituent.

상기 일반식(AN3)~(AN4)에 있어서, In the general formulas (AN3) to (AN4),

Rc3, Rc4 및 Rc5은 각각 독립적으로 유기기를 나타낸다.Rc 3 , Rc 4 and Rc 5 each independently represent an organic group.

Rc3 , Rc4 및 Rc5의 유기기로서 바람직하게는 Rc1에서의 바람직한 유기기와 동일한 것을 열거할 수 있다. Preferably as Rc 3, Rc 4 and Rc 5 of the organic can be exemplified the same preferred organic groups in Rc 1.

Rc3과 Rc4이 결합해서 환을 형성하고 있어도 좋다. Rc3과 Rc4이 결합해서 형성되는 기로서는 알킬렌기, 아릴렌기가 열거된다. 바람직하게는 탄소수 2~4개의 퍼플로로알킬렌기이다. Rc3과 Rc4이 결합해서 환을 형성함으로써 광조사에 의해 발생된 산의 산성도가 증가하고 감도가 향상되어 바람직하다.Rc 3 and Rc 4 may be bonded to each other to form a ring. Examples of the group formed by bonding of Rc 3 and Rc 4 include an alkylene group and an arylene group. Preferably it is a C2-C4 perfluoroalkylene group. By combining Rc 3 and Rc 4 to form a ring, the acidity of the acid generated by light irradiation increases and the sensitivity is improved, which is preferable.

상기 일반식(ZI)에 있어서, In the general formula (ZI),

R201, R202 및 R203로서의 유기기의 탄소수는 일반적으로 1~30개, 바람직하게는 1~20개이다. Carbon number of the organic group as R <201> , R <202> and R <203> is generally 1-30, Preferably it is 1-20.

또한, R201~R203 중 2개가 결합해서 환구조를 형성해도 좋고, 환 내에 산소원자, 황원자, 에스테르 결합, 아미드 결합, 카르보닐기를 포함하고 있어도 좋다. R201~R203 중 2개가 결합해서 형성하는 기로서는, 알킬렌기(예를 들면, 부틸렌기, 펜틸렌기)를 열거할 수 있다. In addition, two of R 201 to R 203 may be bonded to each other to form a ring structure, and the ring may include an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond, and a carbonyl group. Examples of the group formed by bonding of two of R 201 to R 203 include an alkylene group (for example, butylene group and pentylene group).

R201, R202 및 R203로서의 유기기의 구체예로는, 후술하는 화합물(ZI-1), (ZI-2), (ZI-3)에 있어서 대응하는 기를 열거할 수 있다.As a specific example of the organic group as R <201> , R <202> and R <203> , the corresponding group is mentioned in the compound (ZI-1), (ZI-2), (ZI-3) mentioned later.

한편, 일반식(ZI)으로 표시되는 구조를 복수 갖는 화합물이어도 좋다. 예를 들면, 일반식(ZI)으로 표시되는 화합물의 R201~R203 중 적어도 하나가 일반식(ZI)으로 표시되는 화합물의 R201~R203 중 적어도 하나와 결합한 구조를 갖는 화합물이어도 좋다.In addition, the compound which has two or more structures represented by general formula (ZI) may be sufficient. For example, it may be a compound having the general formula (ZI) of the compound of R 201 ~ R, at least one of the 203 structure in conjunction with the general formula (ZI) at least one of R 201 ~ R 203 of a compound represented by represented by the following.

더욱 바람직한 (ZI) 성분으로서 이하에 설명하는 화합물(ZI-1), (ZI-2) 및 (ZI-3)을 열거할 수 있다.As a more preferable (ZI) component, the compound (ZI-1), (ZI-2), and (ZI-3) demonstrated below can be mentioned.

화합물(ZI-1)은 상기 일반식(ZI)의 R201~R203 중 적어도 1개가 아릴기인 아릴술포늄 화합물, 즉 아릴술포늄을 양이온으로 하는 화합물이다.The compound (ZI-1) is an arylsulfonium compound in which at least one of R 201 to R 203 in the general formula (ZI) is an aryl group, that is, a compound in which arylsulfonium is a cation.

아릴술포늄 화합물은 R201~R203 모두 아릴기이어도 좋고, R201~R203의 일부가 아릴기, 나머지가 알킬기, 시클로알킬기이어도 좋다.Arylsulfonium compound is R 201 ~ R 203 all may be an aryl group, R is an aryl group, a part of R 201 ~ 203, the rest may be an alkyl group, a cycloalkyl group.

아릴술포늄 화합물로서는, 예를 들면 트리아릴술포늄 화합물, 디아릴알킬술포늄 화합물, 아릴디알킬술포늄 화합물, 디아릴시클로알킬술포늄 화합물, 아릴디시 클로알킬술포늄 화합물을 열거할 수 있다. Examples of the arylsulfonium compound include triarylsulfonium compounds, diarylalkylsulfonium compounds, aryldialkylsulfonium compounds, diarylcycloalkylsulfonium compounds, and aryldicycloalkylsulfonium compounds.

아릴술포늄 화합물의 아릴기로서는 페닐기, 나프틸기 등의 아릴기, 인돌 잔기, 피롤 잔기 등의 헤테로 아릴기가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 페닐기, 인돌 잔기이다. 아릴술포늄 화합물이 2개 이상의 아릴기를 갖는 경우, 2개 이상인 아릴기는 동일하여도 달라도 좋다. As an aryl group of an arylsulfonium compound, heteroaryl groups, such as an aryl group, such as a phenyl group and a naphthyl group, an indole residue, and a pyrrole residue, are preferable, More preferably, they are a phenyl group and an indole residue. When an arylsulfonium compound has two or more aryl groups, two or more aryl groups may be same or different.

아릴술포늄 화합물이 필요에 따라 갖고 있는 알킬기는 탄소수 1~15개의 직쇄 또는 분기상 알킬기가 바람직하고, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기 등을 열거할 수 있다.The alkyl group possessed by the arylsulfonium compound as necessary is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a t-butyl group And the like.

아릴술포늄 화합물이 필요에 따라 갖고 있는 시클로알킬기는 탄소수 3~15개의 시클로알킬기가 바람직하고, 예를 들면 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로헥실기 등을 열거할 수 있다.The cycloalkyl group which an arylsulfonium compound has as needed has a C3-C15 cycloalkyl group, For example, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclohexyl group, etc. can be mentioned.

R201~R203의 아릴기, 알킬기, 시클로알킬기는 알킬기(예를 들면 탄소수 1~15개), 시클로알킬기(예를 들면 탄소수 3~15개), 아릴기(예를 들면 탄소수 6- 내지 14개), 알콕시기(예를 들면 탄소수1~15개), 할로겐원자, 수산기, 페닐티오기를 치환기로서 가져도 좋다. 바람직한 치환기로서는 탄소수 1~12개의 직쇄 또는 분기상 알킬기, 탄소수 3~12개의 시클로알킬기, 탄소수 1~12개의 직쇄, 분기 또는 환상의 알콕시기이고, 특히 바람직하게는 탄소수 1~4개의 알킬기, 탄소수 1~4개의 알콕시기이다. 치환기는 3개의 R201~R203 중 어느 하나가 1개에 치환되어 있어도 좋고, 3개 모두에 치환되어 있어도 좋다. 또한, R201~R203이 아릴기인 경우, 치환기는 아릴기의 p-위치에 치환되어 있는 것이 바람직하다.The aryl group, alkyl group and cycloalkyl group of R 201 to R 203 are an alkyl group (for example, having 1 to 15 carbon atoms), a cycloalkyl group (for example, having 3 to 15 carbon atoms), and an aryl group (for example, having 6 to 14 carbon atoms). Branch), an alkoxy group (for example, 1 to 15 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, and a phenylthio group may be used as a substituent. Preferable substituents are a C1-C12 linear or branched alkyl group, a C3-C12 cycloalkyl group, a C1-C12 linear, branched or cyclic alkoxy group, Especially preferably, it is a C1-C4 alkyl group and C1-C1 ˜4 alkoxy groups. As the substituent, any one of three R 201 to R 203 may be substituted with one, or may be substituted with all three. In the case where R 201 to R 203 are an aryl group, the substituent is preferably substituted at the p-position of the aryl group.

다음에 화합물(ZI-2)에 대해서 설명한다.Next, the compound (ZI-2) will be described.

화합물(ZI-2)은 식(ZI)에 있어서 R201~R203이 각각 독립적으로 방향환을 함유하지 않는 유기기를 나타내는 경우의 화합물이다. 여기서 방향환이란, 헤테로원자를 함유하는 방향족기도 포함하는 것이다.Compound (ZI-2) is a compound in the case where R 201 to R 203 each independently represent an organic group containing no aromatic ring in formula (ZI). The aromatic ring herein includes an aromatic group containing a hetero atom.

R201~R203로서의 방향환을 함유하지 않는 유기기는 일반적으로 탄소수 1~30개, 바람직하게는 탄소수 1~20개이다.The organic group which does not contain an aromatic ring as R 201 to R 203 is generally 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms.

R201~R203은 각각 독립적으로 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기, 알릴기, 비닐기이고, 더욱 바람직하게는 직쇄, 분기, 환상 2-옥소알킬기, 알콕시카르보닐메틸기, 특히 바람직하게는 직쇄, 분기 2-옥소알킬기이다.R 201 to R 203 are each independently preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, an allyl group, a vinyl group, more preferably a straight chain, branched, cyclic 2-oxoalkyl group, alkoxycarbonylmethyl group, and particularly preferably straight chain or branched. 2-oxoalkyl group.

R201~R203로서의 알킬기는, 바람직하게는 탄소수 1~10개의 직쇄 또는 분기상 알킬기(예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기)를 열거할 수 있다. R201~R203로서의 알킬기는 직쇄, 분기 2-옥소알킬기, 알콕시메틸기인 것이 보다 바람직하다.The alkyl group as R 201 to R 203 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (eg, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group). As for the alkyl group as R <201> -R <203> , it is more preferable that they are a linear, branched 2-oxoalkyl group, and the alkoxy methyl group.

R201~R203로서의 시클로알킬기는, 바람직하게는 탄소수 3~10개의 시클로알킬기(시클로펜틸기, 시클로헥실기, 노르보닐기)를 열거할 수 있다. R201~R203로서의 시클로알킬기는 환상 2-옥소알킬기인 것이 보다 바람직하다.The cycloalkyl group as R 201 to R 203 is preferably a C3-C10 cycloalkyl group (cyclopentyl group, cyclohexyl group, norbornyl group). It is more preferable that the cycloalkyl group as R 201 to R 203 is a cyclic 2-oxoalkyl group.

R201~R203로서의 직쇄, 분기, 환상의 2-옥소알킬기는, 바람직하게는 상기의 알 킬기, 시클로알킬기의 2-위치에 >C=O를 갖는 기를 열거할 수 있다.The linear, branched, cyclic 2-oxoalkyl group as R 201 to R 203 is preferably enumerated with a group having> C═O at the 2-position of the alkyl group and cycloalkyl group.

R201~R203로서의 알콕시카르보닐메틸기에 있어서의 알콕시기로서는, 바람직하게는 탄소수 1~5개의 알콕시기(메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜톡시기)를 열거할 수 있다. As an alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group as R <201> -R <203> , Preferably, the C1-C5 alkoxy group (methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, butoxy group, pentoxy group) can be mentioned.

R201~R203은 할로겐원자, 알콕시기(예를 들면 탄소수 1~5개), 수산기, 시아노기, 니트로기 등에 의해 더욱 치환되어 있어도 좋다.R 201 to R 203 may be further substituted with a halogen atom, an alkoxy group (for example, 1 to 5 carbon atoms), a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group, or the like.

화합물(ZI-3)이란, 이하의 일반식(ZI-3)으로 표시되는 화합물이고, 페나실술포늄염 구조를 갖는 화합물이다.A compound (ZI-3) is a compound represented by the following general formula (ZI-3), and is a compound which has a phenacylsulfonium salt structure.

Figure 112007068827710-pat00009
Figure 112007068827710-pat00009

일반식(ZI-3)에 있어서, In the general formula (ZI-3)

R1c~R5c는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기 또는 할로겐원자를 나타낸다.R 1c to R 5c each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group or a halogen atom.

R6c 및 R7c은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.R 6c and R 7c each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group.

Rx 및 Ry는 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기, 알릴기 또는 비닐기를 나타낸다.Rx and Ry each independently represent an alkyl group, a cycloalkyl group, an allyl group or a vinyl group.

R1c~R7c 중 어느 하나가 2개 이상, 및 Rx와 Ry는 각각 결합해서 환구조를 형성해도 좋고, 이 환구조는 산소원자, 황원자, 에스테르 결합, 아미드 결합을 포함하고 있어도 좋다. R1c~R7c 중 어느 하나가 2개 이상, 및 Rx와 Ry가 결합해서 형성하는 기로서는 부틸렌기, 펜틸렌기 등을 열거할 수 있다. At least two of R 1c to R 7c , and Rx and Ry may be bonded to each other to form a ring structure, and the ring structure may include an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, and an amide bond. Examples of the group formed by combining two or more of R 1c to R 7c and Rx and Ry to form a butylene group, a pentylene group, and the like.

X-는 비구핵성 음이온을 나타내고, 일반식(I)에서의 X-의 비구핵성 음이온과 동일한 것을 열거할 수 있다.X <-> represents a non-nucleophilic anion and can mention the same thing as the non-nucleophilic anion of X <-> in general formula (I).

R1c~R7c로서의 알킬기는, 예를 들면 탄소수 1~20개의 직쇄 또는 분기상 알킬기, 바람직하게는, 탄소수 1~12개의 직쇄 또는 분기상 알킬기(예를 들면, 메틸기, 에틸기, 직쇄 또는 분기 프로필기, 직쇄 또는 분기 부틸기, 직쇄 또는 분기 펜틸기)를 열거할 수 있다.The alkyl group as R 1c to R 7c is, for example, a straight or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably a straight or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms (for example, a methyl group, an ethyl group, a straight chain or a branched profile). Groups, straight or branched butyl groups, straight chain or branched pentyl groups).

R1c~R7c로서의 시클로알킬기는, 바람직하게는 탄소수 3~8개의 시클로알킬기(예를 들면, 시클로펜틸기, 시클로헥실기)를 열거할 수 있다.The cycloalkyl group as R 1c to R 7c is preferably a C3-C8 cycloalkyl group (eg, cyclopentyl group, cyclohexyl group).

R1c~R5c로서의 알콕시기는 직쇄, 분기, 환상의 어느 것이어도 좋고, 예를 들면 탄소수 1~10개의 알콕시기, 바람직하게는 탄소수 1~5개의 직쇄 또는 분기 알콕시기(예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 직쇄 또는 분기 프로폭시기, 직쇄 또는 분기 부톡시기, 직쇄 또는 분기 펜톡시기), 탄소수 3~8개의 환상 알콕시기(예를 들면, 시클로펜틸옥시기, 시클로헥실옥시기)를 열거할 수 있다.The alkoxy group as R 1c to R 5c may be any of linear, branched or cyclic, for example, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms (for example, a methoxy group). , Ethoxy group, straight or branched propoxy group, straight or branched butoxy group, straight or branched pentoxy group, C3-8 cyclic alkoxy group (for example, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group) Can be.

바람직하게는 R1c~R5c 중 어느 하나가 직쇄 또는 분기상 알킬기, 시클로알킬 기 또는 직쇄, 분기, 환상 알콕시기이고, 더욱 바람직하게는 R1c~R5c의 탄소수의 합이 2~15개이다. 이것에 의해 보다 용제 용해성이 향상되고, 보존시에 입자의 발생이 억제된다.Preferably, any of R 1c to R 5c is a linear or branched alkyl group, a cycloalkyl group or a linear, branched or cyclic alkoxy group, and more preferably, the sum of the carbon numbers of R 1c to R 5c is 2 to 15. Thereby, solvent solubility improves more and generation | occurrence | production of particle | grains is suppressed at the time of storage.

Rx 및 Ry로서의 알킬기는 R1c~R7c로서의 알킬기와 동일한 것을 열거할 수 있다. Rx 및 Ry로서의 알킬기는 직쇄 또는 분기 2-옥소알킬기, 알콕시메틸기인 것이 보다 바람직하다. Alkyl groups as Rx and Ry may be the same as the alkyl groups as R 1c to R 7c . The alkyl group as Rx and Ry is more preferably a straight chain or branched 2-oxoalkyl group or an alkoxymethyl group.

Rx 및 Ry로서의 시클로알킬기는 R1c~R7c로서의 시클로알킬기와 동일한 것을 열거할 수 있다. Rx 및 Ry로서의 시클로알킬기는 환상 2-옥소알킬기인 것이 보다 바람직하다. Cycloalkyl groups as Rx and Ry may be the same as the cycloalkyl groups as R 1c to R 7c . It is more preferable that the cycloalkyl group as Rx and Ry is a cyclic 2-oxoalkyl group.

직쇄 또는 분기상 알킬기, 환상 2-옥소알킬기는 R1c~R7c로서의 알킬기, 시클로알킬기의 2-위치에 >C=O를 갖는 기를 열거할 수 있다.The linear or branched alkyl group and the cyclic 2-oxoalkyl group can enumerate the group which has> C = O in the 2-position of the alkyl group as R < 1c -R < 7c >, and a cycloalkyl group.

알콕시카르보닐메틸기에 있어서의 알콕시기에 대해서는 R1c~R5c로서의 알콕시기와 동일한 것을 열거할 수 있다.Examples of the alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group include the same alkoxy groups as R 1c to R 5c .

Rx, Ry는 바람직하게는 탄소수 4개 이상의 알킬기이고, 보다 바람직하게는 6개 이상, 더욱 바람직하게는 8개 이상의 알킬기이다.Rx and Ry are preferably alkyl groups having 4 or more carbon atoms, more preferably 6 or more, still more preferably 8 or more alkyl groups.

상기 일반식(ZII) 및 (ZIII)에 있어서, In the general formulas (ZII) and (ZIII),

R204~R207은 각각 독립적으로 아릴기, 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.R 204 to R 207 each independently represent an aryl group, an alkyl group or a cycloalkyl group.

R204~R207의 아릴기로서는 페닐기, 나프틸기가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 페닐기이다.R 204 ~ R 207 of the aryl group a phenyl group, a naphthyl group are preferred, and more preferably a phenyl group.

R204~R207로서의 알킬기는 바람직하게는 탄소수 1~10개의 직쇄 또는 분기 알킬기(예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기)를 열거할 수 있다.Alkyl groups as R 204 to R 207 are preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (eg, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group).

R204~R207로서의 시클로알킬기는, 바람직하게는 탄소수 3~10개의 시클로알킬기(시클로펜틸기, 시클로헥실기, 노르보닐기)를 열거할 수 있다.The cycloalkyl group as R 204 to R 207 is preferably a C3-C10 cycloalkyl group (cyclopentyl group, cyclohexyl group, norbornyl group).

R204~R207은 치환기를 갖고 있어도 좋다. R204~R207이 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 예를 들면 알킬기(예를 들면 탄소수 1~15개), 시클로알킬기(예를 들면 탄소수 3~15개), 아릴기(예를 들면 탄소수 6~15개), 알콕시기(예를 들면, 탄소수1~15개), 할로겐원자, 수산기, 페닐티오기 등을 열거할 수 있다.R 204 to R 207 may have a substituent. R 204 ~ R as 207 which may have substituents, for example alkyl groups (e.g. having from 1 to 15), a cycloalkyl group (e.g. having 3 to 15), an aryl group (for example, a carbon number of 6 to 15 g. Branch), an alkoxy group (for example, 1 to 15 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, a phenylthio group, and the like.

X-는 비구핵성 음이온을 나타내고, 일반식(I)에 있어서의 X-의 비구핵성 음이온과 동일한 것을 열거할 수 있다.X <-> represents a non-nucleophilic anion and can mention the same thing as the non-nucleophilic anion of X <-> in general formula (I).

활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 분해해서 산을 발생하는 화합물 중에서 바람직한 화합물로서, 하기 일반식(ZIV), (ZV), (ZVI)으로 표시되는 화합물을 더 열거할 수 있다.As a preferable compound among the compound which decomposes | dissolves by irradiation of actinic light or a radiation, and produces an acid, the compound represented by the following general formula (ZIV), (ZV), (ZVI) can be enumerated further.

Figure 112007068827710-pat00010
Figure 112007068827710-pat00010

일반식(ZIV)~(ZVI)에 있어서, In general formula (ZIV)-(ZVI),

Ar3 및 Ar4은 각각 독립적으로 아릴기를 나타낸다.Ar 3 and Ar 4 each independently represent an aryl group.

R208은 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.R 208 represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group.

R209 및 R210는 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 전자 흡인성기를 나타낸다. R209로서 바람직하게는 아릴기이다. R210로서 바람직하게는 전자 흡인성기이고, 보다 바람직하게는 시아노기, 플로로알킬기이다.R 209 and R 210 each independently represent an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an electron withdrawing group. R 209 is preferably an aryl group. R 210 is preferably an electron withdrawing group, more preferably a cyano group and a fluoroalkyl group.

A는 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 아릴렌기를 나타낸다.A represents an alkylene group, an alkenylene group or an arylene group.

활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물 중에서 보다 바람직하게는 일반식(ZI)~(ZIII)으로 표시되는 화합물이고, 더욱 바람직하게는 일반식(ZI)으로 표시되는 화합물이고, 특히 바람직하게는 일반식(ZI-1)~(ZI-3)으로 표시되는 화합물이다.Among the compounds which generate an acid by irradiation of actinic light or radiation, more preferably, they are compounds represented by general formulas (ZI) to (ZIII), still more preferably compounds represented by general formula (ZI), and particularly preferred. Preferably it is a compound represented by general formula (ZI-1)-(ZI-3).

또한, 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 하기 일반식(AC1)~(AC3)으로 표시되는 산을 발생하는 화합물이 바람직하다. Moreover, the compound which generate | occur | produces the acid represented by the following general formula (AC1)-(AC3) by irradiation of actinic light or a radiation is preferable.

Figure 112007068827710-pat00011
Figure 112007068827710-pat00011

일반식(AC1)~(AC3)에 있어서, Rc1, Rc3~Rc5은 일반식(AN1)~(AN4)에서의 Rc1, Rc3~Rc5과 동일한 의미이다.In the formula (AC1) ~ (AC3), Rc 1, Rc 3 ~ Rc 5 is the same meaning as Rc 1, Rc 3 ~ Rc 5 in the formula (AN1) ~ (AN4).

특히 바람직한 산발생제의 형태로서는, 일반식(ZI)의 구조에 있어서 X-이 상기 (AN1), (AN3), (AN4)로부터 선택되는 음이온인 화합물이다.As an especially preferable form of an acid generator, in the structure of general formula (ZI), X <-> is a compound which is an anion selected from said (AN1), (AN3), (AN4).

활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물 중에서, 특히 바람직한 것의 예를 이하에 열거한다.Among the compounds which generate an acid by irradiation with actinic light or radiation, examples of particularly preferred are listed below.

Figure 112007068827710-pat00012
Figure 112007068827710-pat00012

Figure 112007068827710-pat00013
Figure 112007068827710-pat00013

Figure 112007068827710-pat00014
Figure 112007068827710-pat00014

산발생제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합시켜서 사용할 수 있다. 2종 이상을 조합시켜서 사용하는 경우는, 수소원자를 제외한 전체 원자수가 2개 이상 다른 2종의 유기산을 발생하는 화합물을 조합시키는 것이 바람직하다.An acid generator can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. When using in combination of 2 or more types, it is preferable to combine the compound which produces the 2 types of organic acids from which two or more whole atomic numbers except a hydrogen atom generate | occur | produce.

산발생제의 조성물 중의 함량은 포지티브형 감광성 조성물의 전체 고형분을 기준으로 0.1~20질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5~10질량%, 더욱 바람직하게는 1~7질량%이다.As for content in the composition of an acid generator, 0.1-20 mass% is preferable on the basis of the total solid of a positive photosensitive composition, More preferably, it is 0.5-10 mass%, More preferably, it is 1-7 mass%.

(B)산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해 속도가 증대하는 수지 (B) A resin in which the dissolution rate in an alkaline developer increases due to the action of an acid

본 발명의 포지티브형 감광성 조성물에 사용되는 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해 속도가 증대하는 수지(「(B)성분」이라고도 함)는, 하기 일반식(I)으로 표시되고 산분해성기를 갖는 반복단위를 갖는다. Resin (also called "(B) component") which the dissolution rate with respect to alkaline developing solution increases by the action of the acid used for the positive photosensitive composition of this invention is represented with the following general formula (I), and has an acid-decomposable group It has a repeating unit.

Figure 112007068827710-pat00015
Figure 112007068827710-pat00015

일반식(I)에 있어서, In general formula (I),

Xa1은 수소원자, 알킬기, 시아노기 또는 할로겐원자를 나타낸다.Xa 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group or a halogen atom.

Ry1 및 Ry2은 각각 독립적으로 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.Ry 1 And Ry 2 each independently represent an alkyl group or a cycloalkyl group.

Rx은 탄소수 2개 이상의 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.Rx represents an alkyl group having 2 or more carbon atoms or a cycloalkyl group.

Z는 알킬렌기를 나타낸다.Z represents an alkylene group.

일반식(I)에 있어서의 -C(=O)-O-C(Ry1)(Ry2)(Rx)기는 산의 작용에 의해 분해하여 카르복실기를 생성하고, 산의 작용에 의해 분해하여 알칼리 현상액에 대한 용해 속도가 증대하는 기(「산분해성기」라고도 함)이다.The -C (= O) -OC (Ry 1 ) (Ry 2 ) (Rx) group in the general formula (I) decomposes by the action of an acid to form a carboxyl group, and decomposes by the action of an acid to give an alkaline developer. It is a group (also called an "acid-decomposable group") which the dissolution rate with respect to increases.

일반식(I)에 있어서 Xa1의 알킬기는 탄소수 1~4개의 직쇄상 알킬기가 바람직하고, 예를 들면 메틸기, 에틸기 등을 열거할 수 있다. Xa1의 알킬기는 수산기, 할 로겐원자 등으로 치환되어 있어도 좋다. Xa1은 바람직하게는 수소원자, 메틸기이다.Alkyl group of Xa 1 in the formula (I) is a straight chain alkyl group having from 1 to 4 carbon atoms may be preferred and, for enumerated a methyl group, an ethyl group, etc., for example. The alkyl group of Xa 1 may be substituted with a hydroxyl group, a halogen atom, or the like. Xa 1 is preferably a hydrogen atom or a methyl group.

Ry1 및 Ry2의 알킬기는 바람직하게는 탄소수 1~8개, 보다 바람직하게는 탄소수 1~4개의 직쇄상 또는 분기상 알킬기이고, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, t-부틸기 등을 열거할 수 있고, 바람직하게는 메틸기, 에틸기이다.The alkyl group of Ry 1 and Ry 2 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, and a butyl group. , Isobutyl group, t-butyl group, etc. can be mentioned, Preferably they are a methyl group and an ethyl group.

Rx의 탄소수 2개 이상의 알킬기는 바람직하게는 탄소수 2~12개, 보다 바람직하게는 탄소수 2~6개, 더욱 바람직하게는 3~6개의 직쇄 또는 분기상 알킬기이고, 에틸기, 이소프로필기, t-부틸기가 바람직하다.The alkyl group of 2 or more carbon atoms of Rx is preferably 2 to 12 carbon atoms, more preferably 2 to 6 carbon atoms, still more preferably 3 to 6 linear or branched alkyl groups, and an ethyl group, isopropyl group, t- Butyl groups are preferred.

Ry1, Ry2 및 Rx의 시클로알킬기로서는 탄소수 3~8개의 단환의 시클로알킬기, 탄소수 7~14개의 다환의 시클로알킬기가 열거된다. 바람직한 단환의 시클로알킬기로서는 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로프로필기 등이 열거된다. 바람직한 다환의 시클로알킬기로서는 아다만틸기, 노르보난기, 테트라시클로도데카닐기, 트리시클로데카닐기, 디아만틸기 등이 열거된다.Examples of the cycloalkyl group for Ry 1 , Ry 2, and Rx include a C3-8 monocyclic cycloalkyl group and a C7-14 polycyclic cycloalkyl group. Preferred monocyclic cycloalkyl groups include cyclopentyl groups, cyclohexyl groups, cyclopropyl groups and the like. Preferred polycyclic cycloalkyl groups include adamantyl, norbornane, tetracyclododecanyl, tricyclodecanyl, diamantyl and the like.

Rx는 탄소수 2개 이상의 알킬기 또는 시클로알킬기로 함으로써 메틸기에 비하여 산분해성이 향상되고, 감도, 노광 후의 후가열 온도 의존성이 향상된다.When Rx is a C2 or more alkyl group or a cycloalkyl group, acid-decomposability improves compared with a methyl group, and sensitivity and post-heating temperature dependence after exposure improve.

Z의 알킬렌기는 바람직하게는 탄소수 1~8개의 알킬렌기이다. 알킬렌쇄 중에 산소원자, 황원자, 에스테르기, 케톤기 등의 헤테로원자를 갖는 연결기를 갖고 있어도 좋다. 바람직하게는 탄소수 1~4개의 알킬렌기이고, 특히 바람직하게는 -CH2-, -CH2CH2-, -CH(CH3)-, -C(CH3)2-이다. Z의 알킬렌기는 산이탈성을 갖지 않는 것이 바람직하다.The alkylene group of Z is preferably an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms. You may have a coupling group which has hetero atoms, such as an oxygen atom, a sulfur atom, an ester group, a ketone group, in an alkylene chain. Preferably the number of carbon atoms and from 1 to 4 alkylene group, particularly preferably -CH 2 -, -CH 2 CH 2 -, -CH (CH 3) -, -C (CH 3) 2 - a. It is preferable that the alkylene group of Z does not have acid leaving property.

일반식(I)으로 표시되는 반복단위를 형성하기 위한 중합성 화합물은, 기지의 방법으로 용이하게 합성할 수 있다. 예를 들면, 일본특허공개 2005-331918호 공보에 기재된 방법과 동일한 수법을 사용하고, 하기 식에 나타낸 바와 같이, 알콜과 카르복실산, 할로게니드 화합물을 염기성 조건하에서 반응시킨 후, 이것과 카르복실산 화합물을 염기성 조건하에서 반응시킴으로써 합성할 수 있다.The polymeric compound for forming the repeating unit represented by General formula (I) can be synthesize | combined easily by a well-known method. For example, using the same method as the method described in JP 2005-331918 A, and as shown in the following formula, after reacting an alcohol, a carboxylic acid, and a halogenide compound under basic conditions, this is carried out with carbon. It can synthesize | combine by making an acidic compound react under basic conditions.

Figure 112007068827710-pat00016
Figure 112007068827710-pat00016

일반식(I)으로 표시되는 반복단위의 바람직한 구체예를 이하에 나타내지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것이 아니다. 한편, 구체예 중 Xa1은 수소원자, 알킬기, 시아노기 또는 할로겐원자를 나타낸다.Although the preferable specific example of the repeating unit represented by general formula (I) is shown below, this invention is not limited to this. In the specific examples, Xa 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group or a halogen atom.

Figure 112007068827710-pat00017
Figure 112007068827710-pat00017

Figure 112007068827710-pat00018
Figure 112007068827710-pat00018

(B)성분은 일반식(I)으로 표시되고 산분해성기를 갖는 반복단위 이외의 산분해성기를 갖는 반복단위를 갖고 있는 것이 바람직하다.It is preferable that (B) component has a repeating unit represented by general formula (I) and has an acid-decomposable group other than the repeating unit which has an acid-decomposable group.

산분해성기로서는, 예를 들면 카르복실기, 페놀성 수산기, 술폰산기, 티올기 등의 알칼리 가용성기의 수소원자가 산의 작용에 의해 이탈하는 기로 보호된 기를 열거할 수 있다.Examples of the acid-decomposable group include groups protected by a group in which hydrogen atoms of alkali-soluble groups such as carboxyl groups, phenolic hydroxyl groups, sulfonic acid groups and thiol groups are released by the action of an acid.

산의 작용에 의해 이탈하는 기로서는, 예를 들면, -C(R36)(R37)(R38), -C(R36)(R37)(OR39), -C(R01)(R02)(OR39) 등을 열거할 수 있다.Examples of the group leaving by the action of an acid include -C (R 36 ) (R 37 ) (R 38 ), -C (R 36 ) (R 37 ) (OR 39 ), -C (R 01 ) (R 02 ) (OR 39 ), and the like.

식 중, R36~R39는 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아랄킬기 또는 알케닐기를 나타낸다. R36과 R37은 서로 결합하여 환을 형성해도 좋다.In the formula, each of R 36 to R 39 independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group or an alkenyl group. R 36 and R 37 may be bonded to each other to form a ring.

R01~R02는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아랄킬기 또는 알케닐기를 나타낸다.R 01 to R 02 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group or an alkenyl group.

일반식(I)으로 표시되는 산분해성기를 갖는 반복단위 이외의 산분해성기를 갖는 반복단위로서는, 하기 일반식(II)으로 표시되는 반복단위인 것이 바람직하다.As a repeating unit which has an acid-decomposable group other than the repeating unit which has an acid-decomposable group represented by general formula (I), it is preferable that it is a repeating unit represented by the following general formula (II).

Figure 112007068827710-pat00019
Figure 112007068827710-pat00019

일반식(II)에 있어서, In general formula (II),

Xa1은 수소원자, 알킬기, 시아노기 또는 할로겐원자를 나타낸다.Xa 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group or a halogen atom.

Rx1~Rx3은 각각 독립적으로 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다. Rx1~Rx3 중 적어도 2개가 결합하여 시클로 알킬기를 형성해도 좋다.Rx 1 to Rx 3 each independently represent an alkyl group or a cycloalkyl group. At least two of Rx 1 to Rx 3 may be bonded to form a cycloalkyl group.

일반식(II)에서의 Xa1은 일반식(I)에서의 Xa1과 동일한 것이다. Xa 1 in the formula (II) are the same and Xa 1 in the formula (I).

Rx1~Rx3의 알킬기는 탄소수 1~4개의 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하고, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기 등을 열거할 수 있다.The alkyl group of Rx 1 to Rx 3 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, t- Butyl group etc. can be mentioned.

Rx1~Rx3의 시클로알킬기로서는 단환 또는 다환의 시클로알킬기를 열거할 수 있고, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등의 단환의 시클로알킬기, 노르보닐기, 테트라시클로데카닐기, 테트라시클로도데카닐기, 아다만틸기 등의 다환의 시클로알킬기가 바람직하다.Examples of the cycloalkyl group of Rx 1 to Rx 3 include monocyclic or polycyclic cycloalkyl groups, and monocyclic cycloalkyl groups such as cyclopentyl group and cyclohexyl group, norbornyl group, tetracyclodecanyl group, tetracyclododecanyl group, Polycyclic cycloalkyl groups, such as an adamantyl group, are preferable.

Rx1~Rx3 중 적어도 2개가 결합하여 형성되는 시클로알킬기로서는, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등의 단환의 시클로알킬기, 노르보닐기, 테트라시클로데카닐기, 테트라시클로도데카닐기, 아다만틸기 등의 다환의 시클로알킬기가 바람직하다.Examples of the cycloalkyl group formed by bonding at least two of Rx 1 to Rx 3 to each other include a monocyclic cycloalkyl group such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group, norbornyl group, tetracyclodecanyl group, tetracyclododecanyl group, and adamantyl group. The polycyclic cycloalkyl group of is preferable.

Rx1이 메틸기 또는 에틸기이고, Rx2과 Rx3이 결합하여 단환 또는 다환의 시클로알킬기를 결합하고 있는 형태가 바람직하다.It is preferable that Rx 1 is a methyl group or an ethyl group, and Rx 2 and Rx 3 are bonded to each other to bond a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group.

일반식(I)으로 표시되는 산분해성기를 갖는 반복단위 이외의 바람직한 산분해성기를 갖는 반복단위의 구체예를 이하에 나타내지만, 본 발명은 이것에 한정되 는 것이 아니다.Although the specific example of the repeating unit which has a preferable acid-decomposable group other than the repeating unit which has an acid-decomposable group represented by general formula (I) is shown below, this invention is not limited to this.

(식 중 Rx는 H, CH3, CF3, CH2OH이고, Rxa, Rxb는 각각 탄소수 1~4개의 알킬기) (Wherein Rx is H, CH 3 , CF 3 , CH 2 OH, Rxa, Rxb are each an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms)

Figure 112007068827710-pat00020
Figure 112007068827710-pat00020

바람직한 일반식(II)으로 표시되는 반복단위는 상기 구체예 중 1, 2, 10, 11, 12, 13, 14의 반복단위이다.The repeating unit represented by the general formula (II) is a repeating unit of 1, 2, 10, 11, 12, 13, 14 in the above specific examples.

일반식(I)으로 표시되는 산분해성기를 갖는 반복단위와, 다른 산분해성기를 갖는 반복단위(바람직하게는 일반식(II)으로 표시되는 반복단위)를 병용하는 경우, 일반식(I)으로 표시되는 산분해성기를 갖는 반복단위와, 다른 산분해성기를 갖는 반복단위의 비율은 몰비로 90:10~10:90, 보다 바람직하게는 80:20~20:80이다.When using together the repeating unit which has an acid-decomposable group represented by general formula (I), and the repeating unit which has another acid-decomposable group (preferably the repeating unit represented by general formula (II)), it is represented by general formula (I). The ratio of the repeating unit having an acid-decomposable group to be, and the repeating unit having another acid-decomposable group is 90:10 to 10:90, more preferably 80:20 to 20:80 in molar ratio.

(B)성분 중의 전체 산분해성기를 갖는 반복단위의 함유량은, 폴리머 중의 전체 반복단위에 대하여 20~50몰%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 25~45몰%이다.As for content of the repeating unit which has all the acid-decomposable groups in (B) component, 20-50 mol% is preferable with respect to all the repeating units in a polymer, More preferably, it is 25-45 mol%.

(B)성분은 락톤기, 수산기, 시아노기 및 알칼리 가용성기로부터 선택되는 적어도 1종류의 기를 갖는 반복단위를 더 갖는 것이 바람직하다. (B) It is preferable that a component further has a repeating unit which has at least 1 sort (s) of group chosen from lactone group, a hydroxyl group, a cyano group, and alkali-soluble group.

(B)성분은 락톤 구조를 갖는 반복단위를 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that (B) component has a repeating unit which has a lactone structure.

락톤 구조로서는 락톤 구조를 갖는 것이면 어느 것을 사용할 수 있지만, 바람직하게는 5~7원환 락톤 구조이고, 5~7원환 락톤 구조에 비시클로 구조, 스피로 구조를 형성하는 형태로 다른 환구조가 축환되어 있는 것이 바람직하다. 하기 일반식(LC1-1)~(LC1-16) 중 어느 하나로 표시되는 락톤 구조를 갖는 반복단위를 갖는 것이 보다 바람직하다. 또한, 락톤 구조가 주쇄에 직접 결합되어 있어도 좋다. 바람직한 락톤 구조로서는 (LC1-1), (LC1-4), (LC1-5), (LC1-6), (LC1-13), (LC1-14)이고, 특정한 락톤 구조를 사용함으로써 라인 에지 러프니스, 현상 결함이 양호해진다.As the lactone structure, any one can be used as long as it has a lactone structure. Preferably, the lactone structure is a 5- to 7-membered ring lactone structure, and the other ring structure is condensed in the form of forming a bicyclo structure and a spiro structure to the 5- to 7-membered ring lactone structure. It is preferable. It is more preferable to have a repeating unit having a lactone structure represented by any one of the following general formulas (LC1-1) to (LC1-16). The lactone structure may be directly bonded to the main chain. Preferred lactone structures are (LC1-1), (LC1-4), (LC1-5), (LC1-6), (LC1-13), (LC1-14), and the line edge roughness by using a specific lactone structure Varnish and development defects become good.

Figure 112007068827710-pat00021
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락톤 구조 부분은 치환기(Rb2)를 갖고 있어도 갖지 않아도 좋다. 바람직한 치환기(Rb2)로서는 탄소수 1~8개의 알킬기, 탄소수 4~7개의 시클로알킬기, 탄소수 1~8의 알콕시기, 탄소수 1~8개의 알콕시카르보닐기, 카르복실기, 할로겐원자, 수산기, 시아노기, 산분해성기 등이 열거된다. 보다 바람직하게는 탄소수 1~4개의 알킬기, 시아노기, 산분해성기이다. n2는 0~4의 정수를 나타낸다. n2가 2 이상인 경우, 복수 존재하는 Rb2는 동일해도 달라도 좋고, 또한 복수 존재하는 Rb2가 서로 결합하여 환을 형성해도 좋다.The lactone structure portion may or may not have a substituent (Rb 2 ). Preferred substituents (Rb 2 ) include an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 7 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 1 to 8 carbon atoms, a carboxyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, a cyano group, and an acid decomposition. Genitals and the like. More preferably, they are a C1-C4 alkyl group, cyano group, and an acid-decomposable group. n 2 represents an integer of 0-4. In the case where n 2 is 2 or more, a plurality of Rb 2 's may be the same or different, and a plurality of Rb 2' s may be bonded to each other to form a ring.

일반식(LC1-1)~(LC1-16) 중 어느 하나로 표시되는 락톤 구조를 갖는 반복단위로서는 하기 일반식(AI)으로 표시되는 반복단위를 열거할 수 있다.As a repeating unit which has a lactone structure represented by any of general formula (LC1-1)-(LC1-16), the repeating unit represented by the following general formula (AI) can be enumerated.

Figure 112007068827710-pat00022
Figure 112007068827710-pat00022

일반식(AI) 중,In general formula (AI),

Rb0는 수소원자, 할로겐원자 또는 탄소수 1~4개의 알킬기를 나타낸다. Rb0의 알킬기가 갖고 있어도 좋은 바람직한 치환기로서는 수산기, 할로겐원자가 열거된다. Rb0의 할로겐원자로서는 불소원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드원자를 열거할 수 있다. Rb0는 수소원자 또는 메틸기가 바람직하다.Rb 0 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. An alkyl group of Rb 0 may have good as the preferred substituents are exemplified hydroxyl group, a halogen atom. Examples of the halogen atom for Rb 0 include fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms. Rb 0 is preferably a hydrogen atom or a methyl group.

Ab는 단일결합, 알킬렌기, 단환 또는 다환의 지환 탄화수소 구조를 갖는 2가의 연결기, 에테르기, 에스테르기, 카르보닐기 또는 이들을 조합시킨 2가의 연결기를 나타낸다. 바람직하게는 단일결합, -Ab1-CO2-으로 표시되는 2가의 연결기이다. Ab1은 직쇄, 분기 알킬렌기, 단환 또는 다환의 시클로알킬렌기이고, 바람직하게는 메틸렌기, 에틸렌기, 시클로헥실렌기, 아다만틸렌기, 노르보닐렌기이다.Ab represents a bivalent linking group, ether group, ester group, carbonyl group or a divalent linking group having a single bond, an alkylene group, a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure. It is preferably a divalent linking group represented by a single bond, -Ab 1 -CO 2- . Ab 1 is a linear, branched alkylene group, monocyclic or polycyclic cycloalkylene group, and preferably methylene group, ethylene group, cyclohexylene group, adamantylene group, norbornylene group.

V는 일반식(LC1-1)~(LC1-16) 중 어느 하나로 표시되는 구조를 갖는 기를 나타낸다.V represents a group having a structure represented by any one of formulas (LC1-1) to (LC1-16).

락톤 구조를 갖는 반복단위는 통상 광학 이성질체가 존재하지만, 어느 광학 이성질체를 사용해도 좋다. 또한, 1종의 광학 이성질체를 단독으로 사용해도, 복수의 광학 이성질체를 혼합해서 사용해도 좋다. 1종의 광학 이성질체를 주로 사용하 는 경우, 그 광학 순도(ee)가 90 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 95 이상이다.The repeating unit having a lactone structure usually has an optical isomer, but any optical isomer may be used. In addition, one type of optical isomer may be used alone, or a plurality of optical isomers may be mixed and used. When mainly using one type of optical isomer, it is preferable that the optical purity (ee) is 90 or more, More preferably, it is 95 or more.

락톤 구조를 갖는 반복단위의 함유량은 폴리머 중의 전체 반복단위에 대하여 15~60몰%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 20~50몰%, 더욱 바람직하게는 30~50몰%이다.As for content of the repeating unit which has a lactone structure, 15-60 mol% is preferable with respect to all the repeating units in a polymer, More preferably, it is 20-50 mol%, More preferably, it is 30-50 mol%.

락톤 구조를 갖는 반복단위의 구체예를 이하에 열거하지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다.Although the specific example of the repeating unit which has a lactone structure is listed below, this invention is not limited to these.

(식 중, Rx는 H, CH3, CH2OH 또는 CF3)Wherein Rx is H, CH 3 , CH 2 OH or CF 3

Figure 112007068827710-pat00023
Figure 112007068827710-pat00023

(식 중, Rx는 H, CH3, CH2OH 또는 CF3)Wherein Rx is H, CH 3 , CH 2 OH or CF 3

Figure 112007068827710-pat00024
Figure 112007068827710-pat00024

(식 중, Rx는 H, CH3, CH2OH 또는 CF3)Wherein Rx is H, CH 3 , CH 2 OH or CF 3

Figure 112007068827710-pat00025
Figure 112007068827710-pat00025

특히 바람직한 락톤 구조를 갖는 반복단위로서는 하기의 반복단위가 열거된다. 최적의 락톤 구조를 선택함으로써, 패턴 프로파일, 조밀 의존성이 양호하게 된다.The following repeating unit is mentioned as a repeating unit which has especially preferable lactone structure. By selecting the optimal lactone structure, the pattern profile and the dense dependence become good.

(식 중, Rx는 H, CH3, CH2OH 또는 CF3)Wherein Rx is H, CH 3 , CH 2 OH or CF 3

Figure 112007068827710-pat00026
Figure 112007068827710-pat00026

(B)성분은 수산기 또는 시아노기를 갖는 반복단위를 갖는 것이 바람직하다. 이것에 의해 기판밀착성, 현상액 친화성이 향상된다. 수산기 또는 시아노기를 갖는 반복단위는 수산기 또는 시아노기로 치환된 지환 탄화수소 구조를 갖는 반복단위인 것이 바람직하다. 수산기 또는 시아노기로 치환된 지환 탄화수소 구조에 있어서, 지환 탄화수소 구조로서는 아다만틸기, 디아만틸기, 노르보난기가 바람직하다. 바람직한 수산기 또는 시아노기로 치환된 지환 탄화수소 구조로서는 하기 일반식(VIIa)~(VIId)으로 표시되는 부분 구조가 바람직하다.(B) It is preferable that a component has a repeating unit which has a hydroxyl group or a cyano group. This improves substrate adhesion and developer affinity. The repeating unit having a hydroxyl group or cyano group is preferably a repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or cyano group. In the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or cyano group, as the alicyclic hydrocarbon structure, an adamantyl group, diamantyl group, and norbornane group are preferable. As an alicyclic hydrocarbon structure substituted by the preferable hydroxyl group or cyano group, the partial structure represented by the following general formula (VIIa)-(VIId) is preferable.

Figure 112007068827710-pat00027
Figure 112007068827710-pat00027

일반식(VIIa)~(VIIc)에 있어서, In general formula (VIIa)-(VIIc),

R2c~R4c는 각각 독립적으로 수소원자, 수산기 또는 시아노기를 나타낸다. 단, R2c~R4c 중 적어도 1개는 수산기 또는 시아노기를 나타낸다. 바람직하게는, R2c~R4c 중 1개 또는 2개가 수산기이고, 나머지는 수소원자이다. 일반식(VIIa)에 있어서, 더욱 바람직하게는 R2c~R4c 중 2개가 수산기이고 나머지가 수소원자이다.R 2 c to R 4 c each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group or a cyano group. However, R 2 at least one of c ~ R 4 c represents a hydroxyl group or a cyano group. Preferably, one or two of R 2 c to R 4 c are hydroxyl groups, and the rest are hydrogen atoms. In general formula (VIIa), More preferably, two of R <2> c ~ R <4> c are hydroxyl groups, and the other is a hydrogen atom.

일반식(VIIa)~(VIId)으로 표시되는 부분 구조를 갖는 반복단위로서는, 하기일반식(AIIa)~(AIId)으로 표시되는 반복단위를 열거할 수 있다.As a repeating unit which has the partial structure represented by general formula (VIIa)-(VIId), the repeating unit represented by the following general formula (AIIa)-(AIId) can be enumerated.

Figure 112007068827710-pat00028
Figure 112007068827710-pat00028

일반식(AIIa)~(AIIb)에 있어서, In general formula (AIIa)-(AIIb),

R1c는 수소원자, 메틸기, 트리플로로메틸기 또는 히드록시메틸기를 나타낸다.R 1 c represents a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group or a hydroxymethyl group.

R2c~R4c는 일반식(VIIa)~(VIIc)에서의 R2c~R4c과 동일한 의미이다.R 2 c ~ R 4 c is the same meaning as R 2 c ~ c R 4 in the general formula (VIIa) ~ (VIIc).

수산기 또는 시아노기로 치환된 지환 탄화수소 구조를 갖는 반복단위의 함유량은 폴리머 중의 전체 반복단위에 대하여 5~40몰%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5~30몰%, 더욱 바람직하게는 10~25몰%이다.As for content of the repeating unit which has an alicyclic hydrocarbon structure substituted by the hydroxyl group or the cyano group, 5-40 mol% is preferable with respect to all the repeating units in a polymer, More preferably, it is 5-30 mol%, More preferably, it is 10-25 Molar%.

수산기 또는 시아노기를 갖는 반복단위의 구체예를 이하에 열거하지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다.Although the specific example of the repeating unit which has a hydroxyl group or a cyano group is listed below, this invention is not limited to these.

Figure 112007068827710-pat00029
Figure 112007068827710-pat00029

(B)성분은 알칼리 가용성기를 갖는 반복단위를 갖는 것이 바람직하다. 알칼리 가용성기로서는 카르복실기, 술폰아미도기, 술포닐이미도기, 비스술포닐이미도기, α위치가 전자 흡인성기로 치환된 지방족 알콜(예를 들면 헥사플로로이소프로판올기)이 열거되고, 카르복실기를 갖는 반복단위를 갖는 것이 보다 바람직하다. 알칼리 가용성기를 갖는 반복단위를 함유함으로써 콘택트홀 용도에서의 해상성이 증가한다. 알칼리 가용성기를 갖는 반복단위로서는, 아크릴산, 메타크릴산에 의한 반복단위와 같은 수지의 주쇄에 직접 알칼리 가용성기가 결합되어 있는 반복단위, 또는 연결기를 통하여 수지의 주쇄에 알칼리 가용성기가 결합되어 있는 반복단위, 알칼리 가용성기를 갖는 중합개시제나 연쇄이동제를 중합시에 더 사용하여 폴리머쇄 말단에 도입한 것 모두 바람직하고, 연결기는 단환 또는 다환의 환상 탄화수소 구조를 갖고 있어도 좋다. 특히 바람직하게는 아크릴산, 메타크릴산에 의한 반복단위이다.It is preferable that (B) component has a repeating unit which has alkali-soluble group. Examples of the alkali-soluble group include a carboxyl group, a sulfonamido group, a sulfonylimido group, a bissulfonylimido group, and an aliphatic alcohol (for example, a hexafluoroisopropanol group) in which the α position is substituted with an electron withdrawing group, and a repeat having a carboxyl group. It is more preferable to have a unit. By containing repeating units having alkali-soluble groups, the resolution in contact hole applications is increased. Examples of the repeating unit having an alkali-soluble group include a repeating unit in which an alkali-soluble group is directly bonded to the main chain of the resin, such as a repeating unit of acrylic acid or methacrylic acid, or a repeating unit in which an alkali-soluble group is bonded to the main chain of the resin through a linking group, It is preferable that both the polymerization initiator and the chain transfer agent having an alkali-soluble group are further introduced into the polymer chain at the time of polymerization, and the linking group may have a monocyclic or polycyclic cyclic hydrocarbon structure. Especially preferably, it is a repeating unit by acrylic acid and methacrylic acid.

알칼리 가용성기를 갖는 반복단위의 함유량은 폴리머 중의 전체 반복단위에 대하여 1~20몰%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 3~15몰%, 더욱 바람직하게는 5~10몰%이다.As for content of the repeating unit which has alkali-soluble group, 1-20 mol% is preferable with respect to all the repeating units in a polymer, More preferably, it is 3-15 mol%, More preferably, it is 5-10 mol%.

알칼리 가용성기를 갖는 반복단위의 구체예를 이하에 나타내지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것이 아니다.Although the specific example of the repeating unit which has alkali-soluble group is shown below, this invention is not limited to this.

(식 중, Rx는 H, CH3, CF3, CH2OH)Wherein Rx is H, CH 3 , CF 3 , CH 2 OH

Figure 112007068827710-pat00030
Figure 112007068827710-pat00030

락톤기, 수산기, 시아노기 및 알칼리 가용성기로부터 선택되는 적어도 1종류의 기를 갖는 반복단위로서, 더욱 바람직하게는 락톤기, 수산기, 시아노기, 알칼리 가용성기로부터 선택되는 적어도 2개를 갖는 반복단위이고, 바람직하게는 시아노기와 락톤기를 갖는 반복단위이다.It is a repeating unit which has at least 1 sort (s) of group chosen from lactone group, a hydroxyl group, a cyano group, and alkali-soluble group, More preferably, it is a repeating unit which has at least 2 selected from a lactone group, a hydroxyl group, a cyano group, and an alkali-soluble group And preferably a repeating unit having a cyano group and a lactone group.

(B)성분은 또한 지환 탄화수소 구조를 갖고, 산분해성을 나타내지 않는 반복단위를 함유해도 좋다. 이것에 의해 액침 노광시에 레지스트막으로부터 액침액으로 의 저분자 성분의 용출이 저감된다. 이러한 반복단위로서, 예를 들면 1-아다만틸(메타)아크릴레이트, 디아만틸(메타)아크릴레이트, 트리시클로데카닐(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트 등이 열거된다.(B) component may also contain the repeating unit which has an alicyclic hydrocarbon structure and does not show acid decomposability. This reduces the elution of low molecular weight components from the resist film to the immersion liquid during immersion exposure. As such a repeating unit, 1-adamantyl (meth) acrylate, diamantyl (meth) acrylate, tricyclo decanyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, etc. are mentioned, for example.

(B)성분은 상기의 반복구조단위 이외에, 드라이 에칭 내성이나 표준현상액 적성, 기판밀착성, 레지스트 프로파일, 또한 레지스트의 일반적인 필요한 특성인 해상력, 내열성, 감도 등을 조절할 목적으로 여러가지 반복구조단위를 가질 수 있다.In addition to the above-mentioned repeating structural unit, the component (B) may have various repeating structural units for the purpose of adjusting dry etching resistance, standard developer aptitude, substrate adhesion, resist profile, and resolution, heat resistance, sensitivity, etc. which are general necessary characteristics of resist. have.

이러한 반복구조단위로서는 하기의 단량체에 상당하는 반복구조단위를 열거할 수 있지만, 이들에 한정되는 것이 아니다.Although the repeating structural unit corresponded to the following monomer can be mentioned as such a repeating structural unit, It is not limited to these.

이것에 의해 (B)성분에 요구되는 성능, 특히, Thereby, the performance required for (B) component, especially,

(1)도포용제에 대한 용해성, (1) solubility in coating solvents,

(2)제막성(유리 전이점), (2) film forming property (glass transition point),

(3)알칼리 현상성, (3) alkali developability,

(4)막손실(친소수성, 알칼리 가용성기 선택), (4) film loss (select hydrophilic, alkali-soluble group),

(5)미노광부의 기판으로의 밀착성, (5) adhesion to the substrate of the unexposed portion,

(6)드라이 에칭 내성,(6) dry etching resistance,

등의 미세조정이 가능해 진다.It is possible to fine tune the lights.

이러한 단량체로서, 예를 들면 아크릴산 에스테르류, 메타크릴산 에스테르류, 아크릴아미드류, 메타크릴아미드류, 알릴 화합물, 비닐 에테르류, 비닐 에스테르류 등으로부터 선택되는 부가 중합성 불포화 결합을 1개 갖는 화합물 등을 열거 할 수 있다.As such a monomer, for example, a compound having one addition polymerizable unsaturated bond selected from acrylic acid esters, methacrylic acid esters, acrylamides, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, and the like. And so on.

그 밖에도, 상기 여러가지 반복구조단위에 상당하는 단량체와 공중합 가능한 부가 중합성의 불포화 화합물이면 공중합되어 있어도 좋다.In addition, as long as it is an addition polymerizable unsaturated compound copolymerizable with the monomer corresponded to the said various repeating structural units, you may copolymerize.

(B)성분에 있어서, 각 반복구조단위의 함유몰비는 레지스트의 드라이 에칭 내성이나 표준현상액 적성, 기판밀착성, 레지스트 프로파일, 또한 레지스트의 일반적인 필요성능인 해상력, 내열성, 감도 등을 조절하기 위해서 적당히 설정된다.In the component (B), the molar ratio of each repeating structural unit is appropriately set so as to control dry etching resistance, standard developer aptitude, substrate adhesion, resist profile, and resolution, heat resistance, sensitivity, and the like, which are generally necessary capabilities of the resist. do.

본 발명의 포지티브형 감광성 조성물이 ArF 노광용이면, ArF광으로의 투명성의 점에서 (B)성분은 방향족기를 갖는 것이 바람직하다. When the positive photosensitive composition of this invention is for ArF exposure, it is preferable that (B) component has an aromatic group from the point of transparency to ArF light.

(B)성분으로서 바람직하게는 반복단위 모두가 (메타)아크릴레이트계 반복단위로 구성된 것이다. 이 경우, 반복단위 모두가 메타크릴레이트계 반복단위인 것, 반복단위 모두가 아크릴레이트계 반복단위인 것, 반복단위 모두가 메타크릴레이트계 반복단위와 아크릴레이트계 반복단위에 의한 것 중 어느 하나를 사용할 수 있지만, 아크릴레이트계 반복단위가 전체 반복단위의 50몰% 이하인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 일반식(I)으로 표시되는 산분해성기를 갖는 (메타)아크릴레이트계 반복단위 20~50몰%, 락톤 구조를 갖는 (메타)아크릴레이트계 반복단위 20~50몰%, 수산기 또는 시아노기로 치환된 지환 탄화수소 구조를 갖는 (메타)아크릴레이트계 반복단위 5~30몰%, 또한 그 밖의 (메타)아크릴레이트계 반복단위를 0~20몰% 포함하는 공중합 폴리머이다.As (B) component, Preferably, all the repeating units are comprised from the (meth) acrylate type repeating unit. In this case, any of the repeating units are all methacrylate-based repeating units, all of the repeating units are all acrylate-based repeating units, and all of the repeating units are either methacrylate-based repeating units or acrylate-based repeating units. Although it can be used, it is preferable that an acrylate type repeating unit is 50 mol% or less of all the repeating units. More preferably, 20-50 mol% of the (meth) acrylate type repeating unit which has an acid-decomposable group represented by general formula (I), 20-50 mol% of the (meth) acrylate type repeating unit which has a lactone structure, and a hydroxyl group Or 5-30 mol% of (meth) acrylate type repeating units which have an alicyclic hydrocarbon structure substituted by the cyano group, and 0-20 mol% of other (meth) acrylate type repeating units.

(B)성분에 있어서, 하기 일반식(I)으로 표시되는 반복단위와, 락톤기, 수산기, 시아노기 및 알칼리 가용성기로부터 선택되는 적어도 1종류의 기를 갖는 반복 단위를 갖는 수지는 신규 화합물이다. In the component (B), a resin having a repeating unit represented by the following general formula (I) and a repeating unit having at least one group selected from a lactone group, a hydroxyl group, a cyano group and an alkali-soluble group is a novel compound.

Figure 112007068827710-pat00031
Figure 112007068827710-pat00031

일반식(I)에 있어서, In general formula (I),

Xa1은 수소원자, 알킬기, 시아노기 또는 할로겐원자를 나타낸다.Xa 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group or a halogen atom.

Ry1 및 Ry2은 각각 독립적으로 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.Ry 1 and Ry 2 each independently represent an alkyl group or a cycloalkyl group.

Rx는 탄소수 2개 이상의 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.Rx represents an alkyl group having 2 or more carbon atoms or a cycloalkyl group.

Z는 알킬렌기를 나타낸다.Z represents an alkylene group.

(B)성분에 있어서, 하기 일반식(I-a)으로 표시되는 반복단위를 갖는 수지는 신규 화합물이다.In (B) component, resin which has a repeating unit represented with the following general formula (I-a) is a novel compound.

Figure 112007068827710-pat00032
Figure 112007068827710-pat00032

일반식(I-a)에 있어서, In general formula (I-a),

Xa1은 수소원자, 알킬기, 시아노기 또는 할로겐원자를 나타낸다.Xa 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group or a halogen atom.

Ry1 및 Ry2은 각각 독립적으로 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.Ry 1 and Ry 2 each independently represent an alkyl group or a cycloalkyl group.

Ry3은 수소원자 또는 알킬기를 나타낸다.Ry 3 represents a hydrogen atom or an alkyl group.

Z는 알킬렌기를 나타낸다.Z represents an alkylene group.

m1은 1 또는 2를 나타낸다.m1 represents 1 or 2.

반복단위(I) 및 (I-a)에 있어서, Ry1 및 Ry2 중 적어도 1개가 탄소수 2개 이상의 알킬기인 것이 바람직하다.In the repeating units (I) and (Ia), at least one of Ry 1 and Ry 2 is preferably an alkyl group having 2 or more carbon atoms.

반복단위(I)에 상당하는 하기 일반식(I')으로 표시되는 중합성 화합물은 신규 화합물이다.The polymeric compound represented by the following general formula (I ') corresponding to repeating unit (I) is a novel compound.

Figure 112007068827710-pat00033
Figure 112007068827710-pat00033

일반식(I')에 있어서, In general formula (I '),

Xa1은 수소원자, 알킬기, 시아노기 또는 할로겐원자를 나타낸다.Xa 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group or a halogen atom.

Ry1 및 Ry2은 각각 독립적으로 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.Ry 1 and Ry 2 each independently represent an alkyl group or a cycloalkyl group.

Rx는 탄소수 2개 이상의 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.Rx represents an alkyl group having 2 or more carbon atoms or a cycloalkyl group.

Z는 알킬렌기를 나타낸다.Z represents an alkylene group.

반복단위(I-a)에 상당하는 하기 일반식(I-a1)으로 표시되는 중합성 화합물은 신규 화합물이다.The polymeric compound represented by the following general formula (I-a1) corresponding to a repeating unit (I-a) is a novel compound.

Figure 112007068827710-pat00034
Figure 112007068827710-pat00034

일반식(I-a1)에 있어서, In general formula (I-a1),

Xa1은 수소원자, 알킬기, 시아노기 또는 할로겐원자를 나타낸다.Xa 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group or a halogen atom.

Ry1 및 Ry2은 각각 독립적으로 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.Ry 1 and Ry 2 each independently represent an alkyl group or a cycloalkyl group.

Ry3은 수소원자 또는 알킬기를 나타낸다.Ry 3 represents a hydrogen atom or an alkyl group.

Z는 알킬렌기를 나타낸다.Z represents an alkylene group.

m1은 1 또는 2를 나타낸다.m1 represents 1 or 2.

중합성 화합물(I') 및 (I-a1)에 있어서, Ry1 및 Ry2 중 적어도 1개가 탄소수 2개 이상의 알킬기인 것이 바람직하다.In the polymerizable compound (I ') and (I-a1), at least one of Ry 1 and Ry 2 is preferably an alkyl group having 2 or more carbon atoms.

(B)성분은 통상 방법에 따라서(예를 들면 라디칼 중합) 합성할 수 있다. 예를 들면, 일반적인 합성 방법으로서는 모노머종 및 개시제를 용제에 용해시켜 가열함으로써 중합을 행하는 일괄 중합법, 가열 용제에 모노머종과 개시제의 용액을 1~10시간에 걸쳐서 적하해서 첨가하는 적하 중합법 등이 열거되고, 적하 중합법이 바람직하다. 반응 용매로서는, 예를 들면 테트라히드로푸란, 1,4-디옥산, 디이소프로필에테르 등의 에테르류나 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤과 같은 케톤류, 아세 트산 에틸과 같은 에스테르 용매, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드 등의 아미드 용제, 또한 후술의 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 시클로헥사논과 같은 본 발명의 조성물을 용해하는 용매가 열거된다. 보다 바람직하게는 본 발명의 포지티브형 감광성 조성물에 사용되는 용제와 동일한 용제를 사용하여 중합하는 것이 바람직하다. 이것에 의해 보존시의 입자의 발생이 억제된다. (B) A component can be synthesize | combined according to a normal method (for example, radical polymerization). For example, as a general synthesis method, the batch polymerization method which superposes | polymerizes by melt | dissolving and heating a monomer species and an initiator in a solvent, and the dropping polymerization method which adds the solution of a monomer species and an initiator dropwise to a heating solvent over 1 to 10 hours, etc. These are listed, and the dropping polymerization method is preferable. Examples of the reaction solvent include ethers such as tetrahydrofuran, 1,4-dioxane and diisopropyl ether, ketones such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, ester solvents such as ethyl acetate, dimethylformamide, The solvent which melt | dissolves the composition of this invention, such as amide solvents, such as dimethylacetamide, and propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, and cyclohexanone mentioned later is mentioned. More preferably, it is preferable to superpose | polymerize using the same solvent as the solvent used for the positive photosensitive composition of this invention. This suppresses generation of particles during storage.

중합 반응은 질소나 아르곤 등 불활성 가스 분위기하에서 행하는 것이 바람직하다. 중합개시제로서는 시판의 라디칼 개시제(아조계 개시제, 과산화물 등)을 사용하여 중합을 개시시킨다. 라디칼 개시제로서는 아조계 개시제가 바람직하고, 에스테르기, 시아노기, 카르복실기를 갖는 아조계 개시제가 바람직하다. 바람직한 개시제로서는 아조비스이소부티로니트릴, 아조비스디메틸발레로니트릴, 디메틸 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트) 등이 열거된다. 소망에 따라 개시제를 추가, 또는 분할하여 첨가하고, 반응 종료 후 용제에 투입하여 분말 또는 고형 회수 등의 방법으로 소망의 폴리머를 회수한다. 반응 농도는 5~50질량%이고, 바람직하게는 10~30질량%이다. 반응 온도는 통상 10~150℃이고, 바람직하게는 30~120℃, 더욱 바람직하게는 60~100℃이다.It is preferable to perform a polymerization reaction in inert gas atmosphere, such as nitrogen and argon. As a polymerization initiator, superposition | polymerization is started using a commercial radical initiator (azo initiator, a peroxide, etc.). As a radical initiator, an azo initiator is preferable, and the azo initiator which has an ester group, a cyano group, and a carboxyl group is preferable. Preferred initiators include azobisisobutyronitrile, azobisdimethylvaleronitrile, dimethyl 2,2'-azobis (2-methylpropionate) and the like. An initiator is added or divided and added as desired, and after completion | finish of reaction, it puts into a solvent and collect | recovers a desired polymer by methods, such as powder or solid recovery. The reaction concentration is 5 to 50% by mass, preferably 10 to 30% by mass. Reaction temperature is 10-150 degreeC normally, Preferably it is 30-120 degreeC, More preferably, it is 60-100 degreeC.

(B)성분의 중량 평균 분자량은 GPC법에 의한 폴리스티렌 환산값으로서 바람직하게는 1,000~200,000이고, 더욱 바람직하게는 3,000~20,000, 가장 바람직하게는 5,000~15,000이다. 중량 평균 분자량을 1,000~200,000으로 함으로써, 내열성이나 드라이 에칭 내성의 열화를 방지할 수 있고, 또한 현상성이 열화하거나 점도가 높 아져서 제막성이 열화하는 것을 방지할 수 있다.The weight average molecular weight of the component (B) is preferably in the range of 1,000 to 200,000, more preferably 3,000 to 20,000, and most preferably 5,000 to 15,000 as a polystyrene conversion value by the GPC method. By setting the weight average molecular weight to 1,000 to 200,000, deterioration of heat resistance and dry etching resistance can be prevented, and developability deteriorates or the viscosity becomes high, thereby preventing the film forming property from deteriorating.

분산도(분자량 분포)는 통상 1~5이고, 바람직하게는 1~3, 더욱 바람직하게는 1~2의 범위의 것이 사용된다. 분자량 분포가 작은 만큼, 해상도, 레지스트 형상이 뛰어나고, 또한 레지스트 패턴의 측벽이 매끄러워서 러프니스성이 뛰어나다.Dispersion degree (molecular weight distribution) is 1-5 normally, Preferably it is 1-3, More preferably, the thing of the range of 1-2 is used. The smaller the molecular weight distribution is, the better the resolution and the resist shape are, and the sidewalls of the resist pattern are smooth and the roughness is excellent.

(B)성분을 KrF 엑시머 레이저광, 전자선, X선, 파장 50nm 이하의 고에너지 광선(EUV 등)을 조사하는 포지티브형 감광성 조성물에 사용하는 경우, (B)성분은 일반식(I)의 반복단위와 히드록시스티렌 구조를 갖는 반복단위를 더 갖는 것이 바람직하다. 히드록시스티렌 구조를 갖는 반복단위로서는, o-, m-, p-히드록시스티렌 및 /또는 산분해성기로 보호된 히드록시스티렌이 열거된다. 산분해성기로 보호된 히드록시스티렌 반복단위로서는, 1-알콕시에톡시스티렌, t-부틸카르보닐옥시스티렌이 바람직하다. 일반식(I)으로 표시되는 반복단위, 히드록시스티렌 구조를 갖는 반복단위 이외에, 일반식(II)으로 표시되는 반복단위를 더 갖고 있어도 좋다.When (B) component is used for the positive photosensitive composition which irradiates KrF excimer laser beam, an electron beam, X-rays, and high energy light rays (EUV etc.) with a wavelength of 50 nm or less, (B) component is repeating of general formula (I) It is preferable to further have a repeating unit which has a unit and a hydroxystyrene structure. As a repeating unit which has a hydroxy styrene structure, hydroxy styrene protected by o-, m-, p-hydroxy styrene, and / or an acid-decomposable group is mentioned. As the hydroxystyrene repeating unit protected with an acid-decomposable group, 1-alkoxyethoxystyrene and t-butylcarbonyloxystyrene are preferable. In addition to the repeating unit represented by general formula (I) and the repeating unit which has a hydroxystyrene structure, you may further have a repeating unit represented by general formula (II).

본 발명에 사용되는 히드록시스티렌 구조를 갖는 반복단위 및 일반식(I)으로 표시되는 반복단위를 갖는 수지의 구체예를 나타내지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것이 아니다. 한편, 구체예 중 Xa1은 수소원자, 알킬기, 시아노기 또는 할로겐원자를 나타낸다.Although the specific example of resin which has a repeating unit represented by general formula (I) and the repeating unit which has a hydroxy styrene structure used for this invention is shown, this invention is not limited to this. In the specific examples, Xa 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group or a halogen atom.

Figure 112007068827710-pat00035
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본 발명의 포지티브형 감광성 조성물에 있어서, (B)성분의 조성물 전체 중의 배합량은 전체 고형분 중 50~99.9질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 60~99.0질량%이다.In the positive photosensitive composition of the present invention, the blending amount in the whole composition of the component (B) is preferably 50 to 99.9 mass% in the total solids, more preferably 60 to 99.9 mass%.

또한, 본 발명에 있어서 (B)성분은 1종으로 사용해도 좋고, 복수 병용해도 좋다.In addition, in this invention, (B) component may be used by 1 type and may use multiple together.

알칼리 가용성기, 친수기 및 산분해성기로부터 선택되는 적어도 1개를 갖는, 분자량 3000 이하의 용해억제 화합물A dissolution inhibiting compound having a molecular weight of 3000 or less having at least one selected from an alkali soluble group, a hydrophilic group and an acid decomposable group

본 발명의 포지티브형 감광성 조성물에는 알칼리 가용성기, 친수기 및 산분해성기로부터 선택되는 적어도 1개를 갖는, 분자량 3000 이하의 용해억제 화합물(이하, 「용해억제 화합물」이라고도 함)을 첨가해도 좋다. To the positive photosensitive composition of the present invention, a dissolution inhibiting compound having a molecular weight of 3000 or less (hereinafter also referred to as a "dissolution inhibiting compound") having at least one selected from an alkali-soluble group, a hydrophilic group and an acid-decomposable group may be added.

용해억제 화합물로서는, 카르복실기, 술포닐이미도기, α위치가 플로로알킬기로 치환된 수산기 등과 같은 알칼리 가용성기를 갖는 화합물, 수산기나 락톤기, 시아노기, 아미도기, 피롤리돈기, 술폰아미도기 등의 친수성기를 갖는 화합물, 또 는 산분해성기를 갖는 화합물이 바람직하다. 산분해성기로서는 카르복실기 또는 수산기를 산분해성기 보호기로 보호한 기가 바람직하다. 용해억제 화합물로서는 220nm이하의 투과성을 저하시키지 않기 위해서, 방향환을 함유하지 않는 화합물을 사용하거나, 방향환을 갖는 화합물을 조성물의 고형분에 대하여 20wt% 이하의 첨가량으로 사용하는 것이 바람직하다. Examples of the dissolution inhibiting compound include a compound having an alkali-soluble group such as a carboxyl group, a sulfonyl imido group, a hydroxyl group in which the α position is substituted with a fluoroalkyl group, a hydroxyl group, a lactone group, a cyano group, an amido group, a pyrrolidone group, and a sulfonamido group. The compound which has a hydrophilic group, or the compound which has an acid-decomposable group is preferable. As the acid-decomposable group, a group in which a carboxyl group or a hydroxyl group is protected with an acid-decomposable group protecting group is preferable. In order to prevent the permeability of 220 nm or less from decreasing as a dissolution inhibiting compound, it is preferable to use the compound which does not contain an aromatic ring, or to use the compound which has an aromatic ring in the addition amount of 20 wt% or less with respect to solid content of a composition.

바람직한 용해억제 화합물로서는 아다만탄(디)카르복실산, 노르보난카르복실산, 콜산 등의 지환 탄화수소 구조를 갖는 카르복실산 화합물, 또는 그 카르복실산을 산분해성 보호기로 보호한 화합물, 당류 등의 폴리올, 또는 그 수산기를 산분해성 보호기로 보호한 화합물이 바람직하다. As a preferable dissolution inhibiting compound, the carboxylic acid compound which has alicyclic hydrocarbon structure, such as adamantane (di) carboxylic acid, norbornanecarboxylic acid, and carboxylic acid, or the compound which protected this carboxylic acid with an acid-decomposable protecting group, saccharides, etc. The polyol or the compound which protected the hydroxyl group by the acid-decomposable protecting group is preferable.

용해억제 화합물의 분자량은 3000 이하이고, 바람직하게는 300~3000, 더욱 바람직하게는 500~2500이다.The molecular weight of the dissolution inhibiting compound is 3000 or less, preferably 300 to 3000, more preferably 500 to 2500.

용해억제 화합물의 첨가량은 포지티브형 감광성 조성물에 대하여, 바람직하게는 3~40질량%이고, 보다 바람직하게는 5~20질량%이다.The addition amount of a dissolution inhibiting compound becomes like this. Preferably it is 3-40 mass% with respect to a positive photosensitive composition, More preferably, it is 5-20 mass%.

이하에 용해억제 화합물의 구체예를 나타내지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다.Although the specific example of a dissolution inhibiting compound is shown below, this invention is not limited to these.

Figure 112007068827710-pat00036
Figure 112007068827710-pat00036

염기성 화합물Basic compound

본 발명의 포지티브형 감광성 조성물은 노광으로부터 가열까지의 경시에 의한 성능변화를 저감하거나, 노광에 의해 발생한 산의 막 중 확산성을 억제하기 위해서, 염기성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the positive photosensitive composition of this invention contains a basic compound in order to reduce the performance change by time-lapse from exposure to heating, or to suppress the diffusibility in the film | membrane of the acid generated by exposure.

염기성 화합물로서는 함질소 염기성 화합물, 오늄염 화합물을 열거할 수 있다.As a basic compound, a nitrogen-containing basic compound and an onium salt compound can be mentioned.

바람직한 함질소 염기성 화합물의 구조로서, 하기 일반식(A)~(E)으로 표시되는 부분구조를 갖는 화합물을 열거할 수 있다.As a structure of a preferable nitrogen-containing basic compound, the compound which has a partial structure represented by the following general formula (A)-(E) can be mentioned.

Figure 112007068827710-pat00037
Figure 112007068827710-pat00037

일반식(A)에 있어서, In general formula (A),

R250, R251 및 R252은 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1~20개의 알킬, 탄소수 3~20개의 시클로알킬기 또는 탄소수 6~20개의 아릴기이고, R250과 R251은 서로 결합해서 환을 형성해도 좋다. 이들은 치환기를 갖고 있어도 좋고, 치환기를 갖는 알킬기 및 시클로알킬기로서는 탄소수 1~20개의 아미노알킬기 또는 탄소수 3~20개의 아미노시클로알킬기, 탄소수 1~20개의 히드록시알킬기 또는 탄소수 3~20개의 히드록시시클로알킬기가 바람직하다.R 250 , R 251 and R 252 are each independently a hydrogen atom, an alkyl having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and R 250 and R 251 are bonded to each other to form a ring. You may form. These may have a substituent and as an alkyl group and cycloalkyl group which have a substituent, a C1-C20 aminoalkyl group or a C3-C20 aminocycloalkyl group, a C1-C20 hydroxyalkyl group, or a C3-C20 hydroxycycloalkyl group Is preferred.

또한, 이들은 알킬쇄 중에 산소원자, 황원자, 질소원자를 포함해도 좋다.In addition, these may contain an oxygen atom, a sulfur atom and a nitrogen atom in the alkyl chain.

일반식(E)에 있어서, In general formula (E),

R253, R254, R255 및 R256은 각각 독립적으로 탄소수 1~6개의 알킬기 또는 탄소수 3~6개의 시클로알킬기를 나타낸다.R 253 , R 254 , R 255 and R 256 each independently represent a C 1-6 alkyl group or a C 3-6 cycloalkyl group.

바람직한 화합물로서, 구아니딘, 아미노피롤리딘, 피라졸, 피라졸린, 피페라진, 아미노모르폴린, 아미노알킬모르폴린, 피페리딘을 열거할 수 있고, 치환기를 갖고 있어도 좋다. 더욱 바람직한 화합물로서, 이미다졸 구조, 디아자비시클로 구조, 오늄히드록시드 구조, 오늄카르복실레이트 구조, 트리알킬아민 구조, 아닐린 구조 및 피리딘 구조를 갖는 화합물, 수산기 및/또는 에테르 결합을 갖는 알킬아민 유도체, 수산기 및/또는 에테르 결합을 갖는 아닐린 유도체 등을 열거할 수 있다. Examples of preferred compounds include guanidine, aminopyrrolidine, pyrazole, pyrazoline, piperazine, aminomorpholine, aminoalkylmorpholine and piperidine, and may have a substituent. As more preferable compounds, compounds having imidazole structure, diazabicyclo structure, onium hydroxide structure, oniumcarboxylate structure, trialkylamine structure, aniline structure and pyridine structure, alkylamines having hydroxyl groups and / or ether bonds Derivatives, aniline derivatives having hydroxyl groups and / or ether bonds, and the like.

이미다졸 구조를 갖는 화합물로서는, 이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 벤즈이미다졸 등을 열거할 수 있다. 디아자비시클로 구조를 갖는 화합물로서는 1,4-디아자비시클로[2,2,2]옥탄, 1,5-디아자비시클로[4,3,0]노나-5-엔, 1,8-디아자비시클로[5,4,0]운데카-7-엔 등을 열거할 수 있다. 오늄히드록시드 구조를 갖는 화합물로서는, 트리아릴술포늄히드록시드, 페나실술포늄히드록시드, 2-옥소알킬기를 갖는 술포늄히드록시드, 구체적으로는 트리페닐술포늄히드록시드, 트리스(t-부틸페닐)술포늄히드록시드, 비스(t-부틸페닐)요오드늄히드록시드, 펜아실티오페늄히드록시드, 2-옥소프로필티오페늄히드록시드 등을 열거할 수 있다. 오늄카르복실레이트 구조를 갖는 화합물로서는 오늄히드록시드 구조를 갖는 화합물의 음이온부가 카르복실레이트로 이루어진 것이고, 예를 들면 아세테이트, 아다만탄-1-카르복실레이트, 퍼플로로알킬카르복실레이트 등을 열거할 수 있다. 트리알킬아민 구조를 갖는 화합물로서는, 트리(n-부틸)아민, 트리(n-옥틸)아민 등을 열거할 수 있다. 아닐린 화합물로서는 2,6-디이소프로필아닐린, N,N-디메틸아닐린 등을 열거할 수 있다. 수산기 및/또는 에테르 결합을 갖는 알킬아민 유도체로서는 에탄올 아민, 디에탄올 아민, 트리에탄올 아민, 트리스(메톡시에톡시에틸)아민 등을 열거할 수 있다. 수산기 및/또는 에테르 결합을 갖는 아닐린 유도체로서는 N,N-비스(히드로록시에틸)아닐린 등을 열거할 수 있다.Examples of the compound having an imidazole structure include imidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, benzimidazole, and the like. Examples of the compound having a diazabicyclo structure include 1,4-diazabicyclo [2,2,2] octane, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] nona-5-ene and 1,8-diazabi Cyclo [5,4,0] undeca-7-ene and the like. Examples of the compound having an onium hydroxide structure include triarylsulfonium hydroxide, phenacylsulfonium hydroxide, and sulfonium hydroxide having a 2-oxoalkyl group, specifically triphenylsulfonium hydroxide and tris ( t-butylphenyl) sulfonium hydroxide, bis (t-butylphenyl) iodonium hydroxide, phenacylthiophenium hydroxide, 2-oxopropylthiophenium hydroxide, etc. can be mentioned. As a compound which has an onium carboxylate structure, the anion part of the compound which has an onium hydroxide structure consists of carboxylates, For example, acetate, adamantane-1-carboxylate, perfluoroalkyl carboxylate, etc. Can be enumerated. Examples of the compound having a trialkylamine structure include tri (n-butyl) amine, tri (n-octyl) amine, and the like. 2, 6- diisopropyl aniline, N, N- dimethylaniline, etc. can be mentioned as an aniline compound. Examples of the alkylamine derivative having a hydroxyl group and / or an ether bond include ethanol amine, diethanol amine, triethanol amine, tris (methoxyethoxyethyl) amine, and the like. Examples of aniline derivatives having a hydroxyl group and / or an ether bond include N, N-bis (hydroxyethyl) aniline and the like.

이들의 염기성 화합물은 단독으로 또는 2종 이상으로 사용할 수 있다. 염기성 화합물의 사용량은 포지티브형 감광성 조성물의 고형분을 기준으로 통상 0.001~10질량, 바람직하게는 0.01~5질량%이다. 충분한 첨가효과를 얻는데 있어서 0.001질량% 이상이 바람직하고, 감도나 비노광부의 현상성의 점에서 10질량% 이하가 바람직하다.These basic compounds can be used individually or in 2 or more types. The usage-amount of a basic compound is 0.001-10 mass normally, Preferably it is 0.01-5 mass% based on solid content of a positive photosensitive composition. In order to acquire sufficient addition effect, 0.001 mass% or more is preferable, and 10 mass% or less is preferable at the point of a sensitivity or developability of a non-exposed part.

불소 및/또는 실리콘계 계면활성제 Fluorine and / or Silicone Surfactants

본 발명의 포지티브형 감광성 조성물은 불소 및/또는 실리콘계 계면활성제(불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 및 불소원자와 규소원자 모두를 함유하는 계면활성제)의 어느 하나, 또는 2종 이상을 더 함유하는 것이 바람직하다.The positive photosensitive composition of the present invention preferably further contains any one or two or more kinds of fluorine and / or silicone-based surfactants (fluorine-based surfactants, silicone-based surfactants and surfactants containing both fluorine and silicon atoms). Do.

본 발명의 포지티브형 감광성 조성물이 불소 및/또는 실리콘계 계면활성제를 함유함으로써, 250nm 이하, 특히 220nm 이하의 노광광원의 사용시에, 양호한 감도 및 해상도로 밀착성 및 현상결함이 적은 레지스트 패턴을 제공하는 것이 가능해 진다.Since the positive photosensitive composition of the present invention contains a fluorine and / or silicone-based surfactant, it is possible to provide a resist pattern with low adhesion and development defects with good sensitivity and resolution when using an exposure light source of 250 nm or less, particularly 220 nm or less. Lose.

이들의 불소 및/또는 실리콘계 계면활성제로서, 예를 들면 일본특허공개 소62-36663호 공보, 일본특허공개 소61-226746호 공보, 일본특허공개 소61-226745호 공보, 일본특허공개 소62-170950호 공보, 일본특허공개 소63-34540호 공보, 일본특허공개 평7-230165호 공보, 일본특허공개 평8-62834호 공보, 일본특허공개 평9-54432호 공보, 일본특허공개 평9-5988호 공보, 일본특허공개 2002-277862호 공보, 미국특허 제5405720호 명세서, 미국특허 제5360692호 명세서, 미국특허 제5529881 호 명세서, 미국특허 제5296330호 명세서, 미국특허 제5436098호 명세서, 미국특허 제5576143호 명세서, 미국특허 제5294511호 명세서, 미국특허 제5824451호 명세서 기재의 계면활성제를 열거할 수 있고, 하기 시판의 계면활성제를 그대로 사용할 수도 있다.As these fluorine and / or silicone type surfactant, For example, Unexamined-Japanese-Patent No. 62-36663, Unexamined-Japanese-Patent No. 61-226746, Unexamined-Japanese-Patent No. 61-226745, Japan Patent Publication No. 62- Japanese Patent Application Laid-Open No. 170950, Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-34540, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-230165, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-62834, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-54432, Japanese Patent Publication No. 9- Japanese Patent Application Laid-Open No. 5988, Japanese Patent Laid-Open No. 2002-277862, US Patent No. 557520, US Patent No. 5360692, US Patent No. 5529881, US Patent No. 5296330, US Patent No. 5436098, US Patent Surfactants described in Japanese Patent No. 5576143, US Pat. No. 5294511, US Pat. No. 5,824,451 can be enumerated, and commercially available surfactants described below may be used as they are.

사용할 수 있는 시판의 계면활성제로서, 예를 들면 EFtop EF301, EF303, (Shin-Akita Kasei K.K 제품), Florad FC430, 431(Sumitomo 3M Inc. 제품), Megafac F171, F173, F176, F189, R08(Dainippon Ink Chemicals Inc. 제품), Surflon S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106(Asahi Glass Co., Ltd. 제품), Troysol S-366(Troy Chemical 제품) 등의 불소계 계면활성제 또는 실리콘계 계면활성제를 열거할 수 있다. 또한 폴리실록산 폴리머 KP-341(Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 제품)도 실리콘계 계면활성제로서 사용할 수 있다.As commercially available surfactants, for example, EFtop EF301, EF303, (manufactured by Shin-Akita Kasei KK), Florad FC430, 431 (manufactured by Sumitomo 3M Inc.), Megafac F171, F173, F176, F189, R08 (Dainippon Fluorine-based surfactants or silicones such as Ink Chemicals Inc.), Surflon S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Troysol S-366 (manufactured by Troy Chemical) Surfactants may be enumerated. Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can also be used as the silicone surfactant.

또한, 계면활성제로서는 상기에 나타낸 것 같은 공지의 것 이외에, 텔로머리제이션법(텔로머법이라고도 함) 또는 올리고머리제이션법(올리고머법이라고도 함)에 의해 제조된 플루오로 지방족 화합물로 유도된 플루오로 지방족기를 갖는 중합체를 사용한 계면활성제를 사용할 수 있다. 플루오로 지방족 화합물은 일본특허공개 2002-90991호 공보에 기재된 방법에 의해 합성할 수 있다.As the surfactant, in addition to the known ones described above, fluoro derivatives derived from fluoro aliphatic compounds produced by the telomerization method (also called telomer method) or the oligomerization method (also called oligomer method) Surfactants using polymers having aliphatic groups can be used. A fluoro aliphatic compound can be synthesize | combined by the method of Unexamined-Japanese-Patent No. 2002-90991.

플루오로 지방족기를 갖는 중합체로서는, 플루오로 지방족기를 갖는 모노머와 (폴리(옥시알킬렌))아크릴레이트 및/또는 (폴리(옥시알킬렌))메타크릴레이트의 공중합체가 바람직하고, 불규칙하게 분포되어 있어도 블록 공중합하고 있어도 좋다. 또한, 폴리(옥시알킬렌)기로서는, 폴리(옥시에틸렌)기, 폴리(옥시프로필렌)기, 폴리(옥시부틸렌)기 등이 열거되고, 또한, 폴리(옥시에틸렌, 옥시프로필렌 및 옥시 에틸렌의 블록 연결체)나 폴리(옥시에틸렌과 옥시프로필렌의 블록 연결체) 등과 같은 쇄장 내에 다른 쇄장의 알킬렌을 갖는 것 같은 단위이어도 좋다. 또한, 플루오로 지방족기를 갖는 모노머와 (폴리(옥시알킬렌)아크릴레이트(또는 메타크릴레이트)의 공중합체는 2원 공중합체 뿐만 아니라, 다른 2종 이상의 플루오로 지방족기를 갖는 모노머나, 다른 2종 이상의 (폴리(옥시알킬렌))아크릴레이트(또는 메타크릴레이트) 등을 동시에 공중합한 3원계 이상의 공중합체이어도 좋다. As the polymer having a fluoroaliphatic group, a copolymer of a monomer having a fluoroaliphatic group with (poly (oxyalkylene)) acrylate and / or (poly (oxyalkylene)) methacrylate is preferable and is irregularly distributed. Even if it exists, it may be block copolymerized. Examples of the poly (oxyalkylene) group include poly (oxyethylene) groups, poly (oxypropylene) groups, poly (oxybutylene) groups, and the like, and poly (oxyethylene, oxypropylene and oxyethylene). It may be a unit having an alkylene of a different chain length in a chain length such as a block linker) or a poly (block linker of oxyethylene and oxypropylene). In addition, the copolymer of the monomer which has a fluoro aliphatic group, and (poly (oxyalkylene) acrylate (or methacrylate) is not only a binary copolymer but the monomer which has another 2 or more types of fluoro aliphatic groups, or another 2 types The above-mentioned (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate) etc. may be a ternary or more copolymer which copolymerized simultaneously.

예를 들면, 시판의 계면활성제로서 Megafac F178, F-470, F-473, F-475, F-476, F-472(Dainippon Ink Chemicals Inc. 제품)을 열거할 수 있다. 또한, C6F13기를 갖는 아크릴레이트(또는 메타크릴레이트)와 (폴리(옥시알킬렌))아크릴레이트(또는 메타크릴레이트)의 공중합체, C6F13기를 갖는 아크릴레이트(또는 메타크릴레이트)와 (폴리(옥시에틸렌)아크릴레이트(또는 메타크릴레이트)와 (폴리(옥시프로필렌)아크릴레이트(또는 메타크릴레이트)의 공중합체, C8F17기를 갖는 아크릴레이트(또는 메타크릴레이트)와 (폴리(옥시알킬렌))아크릴레이트(또는 메타크릴레이트)의 공중합체, C8F17기를 갖는 아크릴레이트(또는 메타크릴레이트)와 (폴리(옥시에틸렌)아크릴레이트(또는 메타크릴레이트)와 (폴리(옥시프로필렌))아크릴레이트(또는 메타크릴레이트)의 공중합체 등을 열거할 수 있다.For example, commercially available surfactants include Megafac F178, F-470, F-473, F-475, F-476, and F-472 (manufactured by Dainippon Ink Chemicals Inc.). Further, copolymers of acrylate (or methacrylate) having a C 6 F 13 group and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate), acrylate (or methacrylate having a C 6 F 13 group) ) And (poly (oxyethylene) acrylate (or methacrylate) and (poly (oxypropylene) acrylate (or methacrylate) copolymer, acrylate (or methacrylate) having a C 8 F 17 group and Copolymers of (poly (oxyalkylene)) acrylates (or methacrylates), acrylates (or methacrylates) having C 8 F 17 groups, and (poly (oxyethylene) acrylates (or methacrylates) And copolymers of (poly (oxypropylene)) acrylate (or methacrylate).

불소 및/또는 실리콘계 계면활성제의 사용량은 포지티브형 감광성 조성물의 전량(용제 제외)에 대하여, 바람직하게는 0.0001~2질량%, 보다 바람직하게는 0.001~1질량%이다.The amount of fluorine and / or silicone-based surfactant used is preferably 0.0001 to 2% by mass, more preferably 0.001 to 1% by mass, based on the total amount of the positive photosensitive composition (excluding the solvent).

용제solvent

본 발명의 포지티브형 감광성 조성물은 각 성분을 소정의 용제에 용해하여 사용한다.In the positive photosensitive composition of the present invention, each component is dissolved in a predetermined solvent and used.

사용할 수 있는 용제로서는, 예를 들면 에틸렌클로라이드, 시클로헥사논, 시클로펜타논, 2-헵타논, γ-부티로락톤, 메틸에틸케톤, 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 2-메톡시에틸 아세테이트, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 톨루엔, 아세트산에틸, 유산메틸, 유산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 피루브산프로필, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드, N-메틸피롤리돈, 테트라히드로푸란 등의 유기용제를 열거할 수 있다.As a solvent which can be used, for example, ethylene chloride, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, (gamma) -butyrolactone, methyl ethyl ketone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-meth Oxyethyl acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, toluene, ethyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate And organic solvents such as propyl pyruvate, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone and tetrahydrofuran.

본 발명에 있어서, 용제로서는 단독으로 사용해도 혼합해서 사용해도 좋지만, 다른 관능기를 갖는 2종 이상의 용제를 함유하는 혼합 용제를 사용하는 것이 바람직하다. 이것에 의해 소재의 용해성이 높아지고, 경시에 있어서의 입자의 발생이 억제될 수 있을 뿐만 아니라, 양호한 패턴 프로파일이 얻어진다. 용제가 함유하는 바람직한 관능기로서는, 에스테르기, 락톤기, 수산기, 케톤기, 카르보네이트기가 열거된다. 다른 관능기를 갖는 혼합 용제로서는 이하의 (S1)~(S5)의 혼합 용제가 바람직하다.In the present invention, the solvent may be used alone or in combination, but it is preferable to use a mixed solvent containing two or more solvents having different functional groups. Thereby, the solubility of a raw material becomes high and generation | occurrence | production of the particle | grains with time can be suppressed, and a favorable pattern profile is obtained. As a preferable functional group which a solvent contains, an ester group, a lactone group, a hydroxyl group, a ketone group, and a carbonate group are mentioned. As a mixed solvent which has another functional group, the mixed solvent of the following (S1)-(S5) is preferable.

(S1) 수산기를 함유하는 용제와 수산기를 함유하지 않는 용제를 혼합한 혼합 용제, (S1) Mixed solvent which mixed the solvent containing a hydroxyl group, and the solvent containing no hydroxyl group,

(S2) 에스테르 구조를 갖는 용제와 케톤 구조를 갖는 용제를 혼합한 혼합 용제, (S2) Mixed solvent which mixed the solvent which has a ester structure, and the solvent which has a ketone structure,

(S3) 에스테르 구조를 갖는 용제와 락톤 구조를 갖는 용제를 혼합한 혼합 용제, (S3) Mixed solvent which mixed the solvent which has a ester structure, and the solvent which has a lactone structure,

(S4) 에스테르 구조를 갖는 용제, 락톤 구조를 갖는 용제 및 수산기를 함유하는 용제를 혼합한 혼합 용제, (S4) Mixed solvent which mixed the solvent which has a ester structure, the solvent which has a lactone structure, and the solvent containing a hydroxyl group,

(S5) 에스테르 구조를 갖는 용제, 카르보네이트 구조를 갖는 용제 및 수산기를 함유하는 혼합 용제. (S5) A mixed solvent containing a solvent having an ester structure, a solvent having a carbonate structure, and a hydroxyl group.

이것에 의해 레지스트액 보존시의 입자 발생을 경감할 수 있고, 또한 도포시의 결함의 발생을 억제할 수 있다.Thereby, generation | occurrence | production of the particle | grains at the time of resist liquid storage can be reduced, and generation | occurrence | production of the defect at the time of application | coating can be suppressed.

수산기를 함유하는 용제로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸 에테르, 유산에틸 등을 열거할 수 있고, 이들 중에서 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 유산에틸이 특히 바람직하다.Examples of the solvent containing a hydroxyl group include ethylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, ethyl lactate, and the like. Of these, propylene glycol monomethyl ether and ethyl lactate are particularly preferred.

수산기를 함유하지 않는 용제로서는, 예를 들면 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸에톡시 프로피오네이트, 2-헵타논, γ-부티로락톤, 시클로헥사논, 아세트산부틸, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드 등을 열거할 수 있고, 이들 중에서 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸에톡시 프로피오네이트, 2-헵타논, γ-부티로락톤, 시클로헥사논, 아세트산부틸 이 특히 바람직하고, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸에톡시 프로피오네이트, 2-헵타논, 시클로헥사논이 특히 바람직하다. As a solvent which does not contain a hydroxyl group, For example, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylethoxy propionate, 2-heptanone, (gamma) -butyrolactone, cyclohexanone, butyl acetate, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide and the like can be enumerated, among which propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylethoxy propionate, 2-heptanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone, acetic acid Butyl is particularly preferred, with propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylethoxy propionate, 2-heptanone, cyclohexanone being particularly preferred.

케톤 구조를 갖는 용제로서는 시클로헥사논, 2-헵타논 등이 열거되고, 바람직하게는 시클로헥사논이다.Cyclohexanone, 2-heptanone, etc. are mentioned as a solvent which has a ketone structure, Preferably, it is cyclohexanone.

에스테르 구조를 갖는 용제로서는 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸에톡시 프로피오네이트, 아세트산부틸 등이 열거되고, 바람직하게는 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트이다.Examples of the solvent having an ester structure include propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxy propionate, butyl acetate, and the like, and preferably propylene glycol monomethyl ether acetate.

락톤 구조를 갖는 용제로서는 γ-부티로락톤이 열거된다.(Gamma) -butyrolactone is mentioned as a solvent which has a lactone structure.

카르보네이트 구조를 갖는 용제로서는 프로필렌 카르보네이트, 에틸렌 카르보네이트가 열거되고, 바람직하게는 프로필렌 카르보네이트이다. As a solvent which has a carbonate structure, propylene carbonate and ethylene carbonate are mentioned, Preferably, it is propylene carbonate.

수산기를 함유하는 용제와 수산기를 함유하지 않는 용제의 혼합비(질량)는 1/99~99/1, 바람직하게는 10/90~90/10, 더욱 바람직하게는 20/80~60/40이다. 수산기를 함유하지 않는 용제를 50질량% 이상 함유하는 혼합 용제가 도포 균일성의 점에서 특히 바람직하다. The mixing ratio (mass) of the hydroxyl group-containing solvent to the hydroxyl group-containing solvent is from 1/99 to 99/1, preferably from 10/90 to 90/10, more preferably from 20/80 to 60/40. The mixed solvent which contains 50 mass% or more of solvents which does not contain a hydroxyl group is especially preferable at the point of coating uniformity.

에스테르 구조를 갖는 용제와 케톤 구조를 갖는 용제의 혼합비(질량)는, 1/99~99/1, 바람직하게는 10/90~90/10, 더욱 바람직하게는 40/60~80/20이다. 에스테르 구조를 갖는 용제를 50질량% 이상 함유하는 혼합 용제가 도포 균일성의 점에서 특히 바람직하다.The mixing ratio (mass) of the solvent having an ester structure and the solvent having a ketone structure is 1/99 to 99/1, preferably 10/90 to 90/10, and more preferably 40/60 to 80/20. A mixed solvent containing 50% by mass or more of a solvent having an ester structure is particularly preferable in terms of coating uniformity.

에스테르 구조를 갖는 용제와 락톤 구조를 갖는 용제의 혼합비(질량)는, 70/30~99/1, 바람직하게는 80/20~99/1, 더욱 바람직하게는 90/10~99/1이다. 에스테 르 구조를 갖는 용제를 70질량% 이상 함유하는 혼합 용제가 경시 안정성의 점에서 특히 바람직하다. The mixing ratio (mass) of the solvent having an ester structure and the solvent having a lactone structure is 70/30 to 99/1, preferably 80/20 to 99/1, and more preferably 90/10 to 99/1. A mixed solvent containing 70% by mass or more of a solvent having an ester structure is particularly preferable in terms of stability over time.

에스테르 구조를 갖는 용제, 락톤 구조를 갖는 용제 및 수산기를 함유하는 용제를 혼합하는 경우, 에스테르 구조를 갖는 용제를 30~80질량%, 락톤 구조를 갖는 용제를 1~20질량%, 수산기를 함유하는 용제를 10~60질량% 함유하는 것이 바람직하다.When mixing the solvent which has an ester structure, the solvent which has a lactone structure, and the solvent containing a hydroxyl group, 30-20 mass% of the solvent which has an ester structure, 1-20 mass% of solvents which have a lactone structure, and a hydroxyl group are included. It is preferable to contain 10-60 mass% of solvents.

에스테르 구조를 갖는 용제, 카르보네이트 구조를 갖는 용제 및 수산기를 함유하는 용제를 혼합하는 경우, 에스테르 구조를 갖는 용제를 30~80질량%, 카르보네이트 구조를 갖는 용제를 1~20질량%, 수산기를 함유하는 용제를 10~60질량% 함유하는 것이 바람직하다.When mixing the solvent which has an ester structure, the solvent which has a carbonate structure, and the solvent containing a hydroxyl group, 30-20 mass% of the solvent which has an ester structure, 1-20 mass% of the solvent which has a carbonate structure, It is preferable to contain 10-60 mass% of solvents containing a hydroxyl group.

이들 용제의 바람직한 형태로는, 알킬렌글리콜 모노알킬 에테르 카르복실레이트(바람직하게는 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트)를 함유하는 용제이고, 바람직하게는 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 카르복실레이트와 다른 용제의 혼합 용제이고, 다른 용제가 수산기, 케톤기, 락톤기, 에스테르기, 에테르기, 카르보네이트기로부터 선택되는 관능기를 적어도 1개 갖는 용제로부터 선택되는 적어도 1종류의 용제이다. 특히 바람직한 혼합 용제는 유산에틸, γ-부티로락톤, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 아세트산부틸, 시클로헥사논으로부터 선택되는 적어도 1종류와 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트의 혼합 용제이다.As a preferable form of these solvents, they are a solvent containing alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate (preferably propylene glycol monomethyl ether acetate), Preferably the alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate and the other solvent It is a mixed solvent and another solvent is at least 1 sort (s) of solvent chosen from the solvent which has at least 1 functional group chosen from a hydroxyl group, a ketone group, a lactone group, ester group, an ether group, and a carbonate group. A particularly preferable mixed solvent is a mixed solvent of at least one selected from ethyl lactate, γ-butyrolactone, propylene glycol monomethyl ether, butyl acetate and cyclohexanone and propylene glycol monomethyl ether acetate.

최적의 용제를 선택함으로써 현상 결함 성능을 개량할 수 있다.The development defect performance can be improved by selecting an optimal solvent.

<그 밖의 첨가제><Other additives>

본 발명의 포지티브형 감광성 조성물에는 필요에 따라서 염료, 가소제, 상기 불소 및/또는 실리콘계 계면활성제 이외의 계면활성제, 광증감제, 및 현상액에 대한 용해성을 촉진시키는 화합물 등을 함유시킬 수 있다.The positive type photosensitive composition of this invention can contain a dye, a plasticizer, surfactant other than the said fluorine and / or silicone type surfactant, a photosensitizer, the compound which promotes the solubility to a developing solution, etc. as needed.

본 발명에 사용할 수 있는 현상액에 대한 용해 촉진제는 페놀성 OH기를 2개이상 또는 카르복시기를 1개 이상 갖는 분자량 1,000 이하의 저분자 화합물이다. 카르복시기를 갖는 경우는 지환족 또는 지방족 화합물이 바람직하다.The dissolution accelerator for the developer which can be used in the present invention is a low molecular weight compound having a molecular weight of 1,000 or less having two or more phenolic OH groups or one or more carboxyl groups. When it has a carboxy group, an alicyclic or aliphatic compound is preferable.

이들 용해촉진성 화합물의 바람직한 첨가량은 산분해성 수지에 대하여 2~50질량%이고, 더욱 바람직하게는 5~30질량%이다. 현상잔사 억제, 현상시 패턴 변형 방지의 점에서 50질량% 이하가 바람직하다.The preferable addition amount of these dissolution promoting compounds is 2-50 mass% with respect to acid-decomposable resin, More preferably, it is 5-30 mass%. 50 mass% or less is preferable at the point of suppressing image development residue and preventing pattern distortion at the time of image development.

이러한 분자량 1000 이하의 페놀 화합물은, 예를 들면 일본특허공개 평4-122938호 공보, 일본특허공개 평2-28531호 공보, 미국특허 제4916210호, 유럽특허 제219294호 등에 기재된 방법을 참고로 하여, 당업자에 있어서 용이하게 합성할 수 있다.Such phenol compounds having a molecular weight of 1000 or less are described with reference to methods described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 4-122938, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-28531, US Patent No. 4916210, European Patent No. 219294, and the like. It can be easily synthesized by those skilled in the art.

카르복실기를 갖는 지환족, 또는 지방족 화합물의 구체예로서는 콜산, 디옥시콜산, 리토콜산 등의 스테로이드 구조를 갖는 카르복실산 유도체, 아다만탄카르복실산 유도체, 아다만탄 디카르복실산, 시클로헥산 카르복실산, 시클로헥산 디카르복실산 등이 열거되지만 이들에 한정되는 것이 아니다.Specific examples of the alicyclic or aliphatic compound having a carboxyl group include carboxylic acid derivatives having a steroid structure such as cholic acid, dioxycholic acid, and lithocholic acid, adamantanecarboxylic acid derivatives, adamantane dicarboxylic acid, and cyclohexane. Although carboxylic acid, cyclohexane dicarboxylic acid, etc. are mentioned, It is not limited to these.

본 발명에 있어서는 불소 및/또는 실리콘계 계면활성제 이외의 다른 계면활성제를 첨가할 수도 있다. 구체적으로는, 폴리옥시에틸렌 알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌 알킬알릴에테르류, 폴리옥시에틸렌·폴리옥시프로필렌 블록 코폴리머류, 소 르비탄 지방족 에스테르류, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 지방족 에스테르류 등의 비이온계 계면활성제를 열거할 수 있다. In this invention, surfactant other than fluorine and / or silicone type surfactant can also be added. Specifically, nonionics such as polyoxyethylene alkyl ethers, polyoxyethylene alkyl allyl ethers, polyoxyethylene polyoxypropylene block copolymers, sorbitan aliphatic esters, and polyoxyethylene sorbitan aliphatic esters Enumerated surfactants.

이들의 계면활성제는 단독으로 첨가해도 좋고, 또는 몇 개의 조합으로 첨가할 수도 있다. These surfactants may be added alone, or may be added in some combination.

(패턴형성방법)(Pattern Forming Method)

본 발명의 포지티브형 감광성 조성물은 각 성분을 소정의 용제, 바람직하게는 상기 혼합 용제에 용해하여 필터 여과한 후, 다음과 같이 소정의 지지체 상에 도포하여 사용한다. 필터 여과에 사용하는 필터는 0.1미크론 이하, 보다 바람직하게는 0.05미크론 이하, 더욱 바람직하게는 0.03미크론 이하의 폴리테트라플로로에틸렌제, 폴리에틸렌제, 나일론제의 것이 바람직하다.In the positive photosensitive composition of the present invention, each component is dissolved in a predetermined solvent, preferably the mixed solvent, filtered and then applied on a predetermined support as follows. The filter used for the filter filtration is preferably made of polytetrafluoroethylene, polyethylene, or nylon of 0.1 micron or less, more preferably 0.05 micron or less, and even more preferably 0.03 micron or less.

예를 들면, 포지티브형 감광성 조성물을 정밀집적 회로소자의 제조에 사용되는 것 같은 기판(예: 실리콘/이산화 실리콘 피복) 상에 스피너, 코터 등의 적당한 도포방법에 의해 도포, 건조하여 감광성 막을 형성한다.For example, the positive photosensitive composition is applied and dried by a suitable coating method such as a spinner, a coater, or the like on a substrate (for example, silicon / silicon dioxide coating) which is used for the manufacture of precision integrated circuit elements to form a photosensitive film. .

상기 감광성막에 소정의 마스크를 통과시켜서 활성광선 또는 방사선을 조사하고, 바람직하게는 베이크(가열)를 행하고, 현상, 린스한다. 이것에 의해 양호한 패턴을 얻을 수 있다.The photosensitive film is passed through a predetermined mask to irradiate actinic rays or radiation, and preferably baked (heated), developed and rinsed. Thus, a good pattern can be obtained.

활성 광선 또는 방사선의 조사시에 감광성막과 렌즈 사이에 공기보다 굴절률이 높은 액체(액침 매체)를 채워서 노광(액침 노광)을 행해도 좋다. 이것에 의해 해상성을 높일 수 있다. 사용하는 액침 매체로서는 공기보다 굴절률이 높은 액체이면 어느 것을 사용할 수 있지만 바람직하게는 순수이다. 또한, 액침 노광을 행하는 경우에 액침 매체와 감광성막이 직접 접촉하지 않도록 하기 위해서 감광성막 상에 오버코트층을 더 형성해도 좋다. 이것에 의해 감광성막으로부터 액침 매체로의 조성물의 용출이 억제되어 현상 결함이 저감한다. At the time of irradiation of actinic light or a radiation, you may perform exposure (liquid immersion exposure) by filling the liquid (liquid immersion medium) with refractive index higher than air between a photosensitive film and a lens. Thereby, resolution can be improved. As the liquid immersion medium to be used, any liquid can be used as long as the liquid has a refractive index higher than that of air, but is preferably pure water. In the case of performing liquid immersion exposure, an overcoat layer may be further formed on the photosensitive film so as not to directly contact the liquid immersion medium and the photosensitive film. As a result, elution of the composition from the photosensitive film to the liquid immersion medium is suppressed, and development defects are reduced.

감광성막을 형성하기 전에 기판 상에 미리 반사방지막을 형성해도 좋다. The anti-reflection film may be formed on the substrate in advance before the photosensitive film is formed.

반사방지막으로서는 티탄, 이산화티탄, 질화 티탄, 질화 크롬, 카본, 무정형 실리콘 등의 무기막형, 흡광제와 폴리머 재료로 이루어진 유기막형 중 어느 것을 사용할 수 있다. 또한, 유기 반사방지막으로서 Brewer Science사 제품의 DUV30 시리즈나, DUV-40 시리즈, Shipley Company사 제품인 AR-2, AR-3, AR-5 등의 시판의 유기 반사방지막을 사용할 수도 있다.As the antireflection film, any of inorganic film types such as titanium, titanium dioxide, titanium nitride, chromium nitride, carbon, and amorphous silicon, and an organic film type made of a light absorber and a polymer material can be used. As the organic antireflection film, commercially available organic antireflection films such as DUV30 series from Brewer Science, DUV-40 series and Shipley Company, such as AR-2, AR-3, and AR-5 can also be used.

활성광선 또는 방사선으로서는 적외광, 가시광, 자외광, 원자외광, X선, 전자선 등을 열거할 수 있지만, 바람직하게는 250nm이하, 보다 바람직하게는 220nm 이하의 파장의 원자외광, 구체적으로는 KrF 엑시머 레이저(248nm), ArF 엑시머 레이저(193nm), F2 엑시머 레이저(157nm), X선, 전자빔 등이고, ArF 엑시머 레이저, F2 엑시머 레이저, EUV(13nm), 전자빔이 바람직하다.Examples of the active light or the radiation include infrared light, visible light, ultraviolet light, far-ultraviolet light, X-rays, and electron beams. Lasers (248 nm), ArF excimer lasers (193 nm), F 2 excimer lasers (157 nm), X-rays, electron beams, and the like. ArF excimer lasers, F 2 excimer lasers, EUV (13 nm), and electron beams are preferable.

현상 공정에서는 알칼리 현상액을 다음과 같이 사용한다. 포지티브형 감광성 조성물의 알칼리 현상액으로서는 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨, 암모니아수 등의 무기 알칼리류, 에틸아민, n-프로필아민 등의 제1 아민류, 디에틸아민, 디-n-부틸아민 등의 제2 아민류, 트리에틸아민, 메틸디에틸아민 등의 제3 아민류, 디메틸에탄올 아민, 트리에탄올 아민 등의 알콜 아민류, 테트라메틸암모늄 히드록시드, 테트라에틸암모늄 히드록시드 등의 제4급 암모늄염, 피롤, 피페리딘 등의 환상 아민류 등의 알칼리성 수용액을 사용할 수 있다.In the development process, an alkaline developer is used as follows. Examples of the alkaline developer of the positive photosensitive composition include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate and aqueous ammonia, first amines such as ethylamine and n-propylamine, diethylamine and di-n. Agents such as second amines such as butylamine, third amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcohol amines such as dimethylethanol amine and triethanol amine, tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide Alkaline aqueous solutions, such as cyclic amines, such as a quaternary ammonium salt, a pyrrole, and piperidine, can be used.

또한, 상기 알칼리 현상액에 알콜류, 계면활성제를 적당량 첨가해서 사용할 수도 있다.In addition, alcohols and surfactants may be added to the alkaline developer in an appropriate amount.

알칼리 현상액의 알칼리 농도는 통상 0.1~20질량%이다.The alkali concentration of alkaline developing solution is 0.1-20 mass% normally.

알칼리 현상액의 pH는 통상 10.0~15.0이다.The pH of alkaline developing solution is 10.0-15.0 normally.

실시예Example

이하, 실시예에 의해 본 발명을 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것이 아니다.Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to this.

일본특허공개 2005-331918호 공보에 기재된 방법과 동일한 방법을 사용하여 하기 중합성 화합물을 합성했다. The following polymeric compound was synthesize | combined using the method similar to the method of Unexamined-Japanese-Patent No. 2005-331918.

Figure 112007068827710-pat00038
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Xa2: 수소원자, 메틸기Xa 2 : hydrogen atom, methyl group

합성예 1(수지(RA-1)의 합성)Synthesis Example 1 (Synthesis of Resin (RA-1))

질소기류하에서 시클로헥사논 10.5g을 3-목 플라스크에 넣고, 이것을 80℃로 가열했다. 여기에 γ-부티로락톤 메타크릴레이트 4.3g, 3-히드록시아다만틸-1-메타크릴레이트 5.9g, 하기 모노머(A) 16.0g, 중합개시제 V-601(Wako Pure 제품)을 모 노머에 대하여 4몰%를 시클로헥사논 83g에 용해시킨 용액을 6시간에 걸쳐서 적하했다. 적하 종료 후, 80℃에서 2시간 더 반응시켰다. 반응액을 방냉한 후, 메탄올 900m/물 100㎖의 혼합액에 20분에 걸쳐서 적하하고, 석출한 분말을 회수하여 건조하면, 수지(RA-1) 20g이 얻어졌다. 얻어진 수지의 중량 평균 분자량은 표준 폴리스티렌 환산으로 14200, 분산도(Mw/Mn)는 1.90이었다.Under a stream of nitrogen, 10.5 g of cyclohexanone was placed in a three-neck flask, which was heated to 80 ° C. 4.3 g of γ-butyrolactone methacrylate, 5.9 g of 3-hydroxyadamantyl-1-methacrylate, 16.0 g of the following monomer (A), and a polymerization initiator V-601 (manufactured by Wako Pure) The solution obtained by dissolving 4 mol% in 83 g of cyclohexanone was added dropwise over 6 hours. After completion of the dropwise addition, the mixture was further reacted at 80 ° C for 2 hours. After the reaction solution was allowed to cool, it was added dropwise to a mixed solution of 900 m / methanol over 20 minutes, and the precipitated powder was collected and dried to obtain 20 g of resin (RA-1). The weight average molecular weight of obtained resin was 14200 in terms of standard polystyrene, and dispersion degree (Mw / Mn) was 1.90.

Figure 112007068827710-pat00039
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다른 수지에 대해서도 같은 방법을 이용해서 합성했다. 중량 평균 분자량은 중합개시제의 양을 변경하는 것으로 조정했다.Other resins were synthesized using the same method. The weight average molecular weight was adjusted by changing the amount of a polymerization initiator.

이하, 제조한 수지의 구조를 나타낸다.Hereinafter, the structure of manufactured resin is shown.

Figure 112007068827710-pat00040
Figure 112007068827710-pat00041
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Figure 112007068827710-pat00042
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Figure 112007068827710-pat00043
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Figure 112007068827710-pat00044
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Figure 112007068827710-pat00045
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실시예 1~28 및 비교예 1~2Examples 1-28 and Comparative Examples 1-2

<레지스트 제조><Resist Manufacturing>

하기 표 1~2에 나타낸 성분을 용제에 용해시켜 고형분 농도 8질량%의 용액을 제조하고, 이것을 0.03㎛의 폴리에틸렌 필터로 여과하여 포지티브형 레지스트 용액을 제조했다. 제조한 포지티브형 레지스트 용액을 하기의 방법으로 평가하고, 결과를 표 1~2에 나타낸다.The components shown in following Tables 1-2 were dissolved in a solvent, the solution of 8 mass% of solid content concentration was manufactured, and this was filtered through the 0.03 micrometer polyethylene filter, and the positive resist solution was produced. The produced positive resist solution was evaluated by the following method, and the result is shown to Tables 1-2.

<레지스트 평가>Resist Evaluation

스핀 코터에서 헥사메틸디실라잔 처리를 실시한 실리콘 기판 상에 Brewer Science사 제품인 반사방지막 DUV-42을 600Å 균일하게 도포하고, 100℃에서 90초간 핫플레이트 상에서 건조한 후, 190℃에서 240초간 가열건조를 행했다. 그 후, 각 포지티브형 레지스트 용액을 스핀 코터로 도포하고, 120℃에서 60초 건조를 행하여, 160nm의 레지스트막을 형성했다. On a silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane treatment in a spin coater, an antireflection film DUV-42, manufactured by Brewer Science, was uniformly applied to 600 Å, dried on a hot plate at 100 ° C. for 90 seconds, and heated at 190 ° C. for 240 seconds. Done. Then, each positive resist solution was apply | coated with the spin coater, it dried for 60 second at 120 degreeC, and the resist film of 160 nm was formed.

이 레지스트막에 대하여, 마스크를 통해 ArF 엑시머 레이저 스테퍼(ASML사 제품, NA=0.75, 2/3 환형상 조명)로 노광하고, 노광 직후에 120℃에서 60초간 핫플레이트 상에서 가열했다. 또한, 2.38질량% 테트라메틸암모늄 히드록시드 수용액으로 23℃에서 60초간 현상하고, 30초간 순수에서 린스한 후, 건조하여 라인 패턴을 얻었다. This resist film was exposed with an ArF excimer laser stepper (NA = 0.75, 2/3 annular illumination) through a mask and heated on a hot plate at 120 ° C. for 60 seconds immediately after the exposure. Furthermore, it developed for 60 second at 23 degreeC with 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, rinsed in pure water for 30 second, and dried, and obtained the line pattern.

패턴 붕괴 평가법:Pattern collapse evaluation method:

85nm 라인 앤드 스페이스의 마스크 패턴을 재현하는 노광량을 최적 노광량으로 하여 최적 노광량으로부터 노광량을 더 증대시켜서 형성되는 라인 패턴의 선폭을 가늘게 했을 때, 패턴이 붕괴되지 않고 해상하는 선폭을 가지고 정의했다. 값이 작을수록, 보다 세밀한 패턴이 붕괴되지 않고 해상하는 것을 나타내고, 패턴 붕괴가 발생하기 어려운 것을 나타낸다.When the line width of the line pattern formed by further increasing the exposure amount from the optimum exposure amount by making the exposure amount that reproduces the mask pattern of the 85 nm line and space as the optimum exposure amount, the line width was defined without resolving the pattern without collapse. The smaller the value, the more fine patterns are resolved without collapse, and the less the pattern collapse occurs.

노광 래티튜드 평가법:Exposure Latitude Evaluation Method:

85nm 라인 앤드 스페이스의 마스크 패턴을 재현하는 노광량을 최적 노광량으로 하여 노광량을 변화시켰을 때 패턴 사이즈가 85nm±10%을 허용하는 노광량폭을 구하고, 이 값을 최적 노광량으로 나누어 백분율로 표시했다. 값이 클수록 노광량 변화에 의한 성능변화가 적고, 노광 패티튜드가 양호하다.When the exposure amount was changed by setting the exposure amount that reproduces the mask pattern of the 85 nm line and space as the optimum exposure amount, the exposure dose width allowing the pattern size to be 85 nm +/- 10% was obtained, and this value was divided by the optimum exposure amount and expressed as a percentage. The larger the value, the smaller the change in performance due to the change in the exposure dose, and the better the exposure pattern.

Figure 112007068827710-pat00046
Figure 112007068827710-pat00046

Figure 112007068827710-pat00047
Figure 112007068827710-pat00047

이하, 표 중의 약호를 표시한다. Hereinafter, the symbol in a table | surface is shown.

[산발생제][Acid generator]

Figure 112007068827710-pat00048
Figure 112007068827710-pat00048

[염기성 화합물][Basic compound]

TPSA: 트리페닐술포늄 아세테이트TPSA: triphenylsulfonium acetate

DIA: 2,6-디이소프로필 아닐린DIA: 2,6-diisopropyl aniline

TEA: 트리에탄올 아민TEA: Triethanol Amine

DBA: N,N-디부틸 아닐린DBA: N, N-dibutyl aniline

PBI: 2-페닐벤즈 이미다졸PBI: 2-phenylbenz imidazole

TMEA: 트리스(메톡시에톡시에틸) 아민TMEA: tris (methoxyethoxyethyl) amine

PEA: N-페닐디에탄올 아민PEA: N-phenyldiethanol amine

D-1: 트리페녹시 에톡시에틸아민D-1: Triphenoxy ethoxyethylamine

D-2: N,N-디페녹시에톡시에틸 페녹시에톡시에틸 아민D-2: N, N-diphenoxyethoxyethyl phenoxyethoxyethyl amine

D-3: 2-페닐벤즈 이미다졸D-3: 2-phenylbenz imidazole

D-4: 디시클로헥실 메틸 아민D-4: dicyclohexyl methyl amine

[계면활성제][Surfactants]

W-1: Megafac F176(Dainippon Inc Chemicals Inc. 제품)(불소계)W-1: Megafac F176 (manufactured by Dainippon Inc Chemicals Inc.) (fluorine-based)

W-2: Megafac R08(Dainippon Inc Chemicals Inc. 제품)(불소 및 실리콘계)W-2: Megafac R08 (manufactured by Dainippon Inc Chemicals Inc.) (fluorine and silicon based)

W-3: 폴리실록산 폴리머 KP-341(Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 제품)(실리콘계)W-3: Polysiloxane Polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (silicone type)

W-4: Troysol S-366(Troy Chemical 제품) W-4: Troysol S-366 (Troy Chemical)

[용제][solvent]

S1: 프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트S1: Propylene Glycol Methyl Ether Acetate

S2: 2-헵타논S2: 2-heptanone

S3: 시클로헥사논S3: cyclohexanone

S4: γ-부티로락톤S4: γ-butyrolactone

S5: 프로필렌글리콜 메틸에테르S5: Propylene Glycol Methyl Ether

S6: 유산에틸S6: ethyl lactate

S7: 프로필렌 카르보네이트S7: Propylene Carbonate

표 1~2로부터, 본 발명의 포지티브형 감광성 조성물은 패턴 붕괴, 노광 래티튜드가 뛰어난 것이 명확하다.From Tables 1-2, it is clear that the positive photosensitive composition of this invention is excellent in pattern collapse and exposure latitude.

(액침 노광)(Immersion exposure)

<레지스트 제조><Resist Manufacturing>

표 1, 실시예 1~28 및 비교예 1, 2의 성분을 용제에 용해시켜 고형분 농도 6질량%의 용액을 제조하고, 이것을 0.03㎛의 폴리에틸렌 필터로 여과하여 포지티브형 레지스트 용액을 제조했다. 제조한 포지티브형 레지스트 용액을 하기의 방법으로 평가했다.The components of Table 1, Examples 1-28, and Comparative Examples 1 and 2 were melt | dissolved in the solvent, the solution of 6 mass% of solid content concentration was produced, and this was filtered with the 0.03 micrometer polyethylene filter, and the positive resist solution was produced. The prepared positive resist solution was evaluated by the following method.

< 해상성 평가><Resolution evaluation>

실리콘 웨이퍼 상에 유기 반사방지막 ARC29A(Nissan Chemical사 제품)을 도포하고, 205℃, 60초 베이크를 행하여 78nm의 반사방지막을 형성했다. 그 위에 제조한 포지티브형 레지스트 용액을 도포하고, 115℃, 60초 베이크를 행하여 140nm의 레지스트막을 형성했다.An organic antireflection film ARC29A (manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.) was applied onto the silicon wafer, and baked at 205 ° C. for 60 seconds to form an antireflection film of 78 nm. The positive resist solution prepared thereon was apply | coated, and it baked at 115 degreeC and 60 second, and formed the 140 nm resist film.

이렇게 해서 얻어진 웨이퍼를 액침액으로서 순수를 사용하고, 2광속 간섭 노광을 행했다(습식 노광). 한편, 2광속 간섭 노광(습식 노광)에서는, 도 1에 나타낸 바와 같이 레이저(1), 격막(2), 셔터(3), 3장의 반사거울(4, 5, 6), 집광 렌즈(7)를 사용하여, 프리즘(8), 액침액(순수)(9)을 통하여 반사방지막 및 레지스트막을 갖는 웨이퍼(10)에 노광을 행했다. 레이저(1)의 파장은 193nm을 사용하고 65nm의 라인 앤드 스페이스를 형성하는 프리즘(8)을 사용했다. 노광 직후에 115℃, 90초 가열한 후, 테트라메틸 암모늄 히드록시드 수용액(2.38%)으로 60초간 현상하고, 순수로 린스한 후, 스핀 건조해서 얻은 레지스트 패턴에 있어서 주사형 전자현미경(Hitachi, Ltd. 제품인 S-9260)을 사용하여 관찰했다. 실시예 1~28의 조성물을 사용한 바 65nm로 라인 앤드 스페이스 패턴이 패턴 붕괴를 발생하지 않고 해상되었다. 비교예 1, 2의 조성물을 사용한 바 65nm으로 라인 앤드 스페이스는 해상하지만, 일부의 패턴에서 패턴 붕괴가 관측되었다.The wafer thus obtained was subjected to two-beam interference exposure using pure water as the immersion liquid (wet exposure). On the other hand, in two-beam interference exposure (wet exposure), as shown in FIG. 1, the laser 1, the diaphragm 2, the shutter 3, the three reflection mirrors 4, 5, 6, and the condenser lens 7 The wafer 10 was exposed to a wafer 10 having an antireflection film and a resist film through the prism 8 and the immersion liquid (pure water) 9. The wavelength of the laser 1 used 193 nm, and the prism 8 which forms the line and space of 65 nm was used. After heating at 115 ° C. for 90 seconds immediately after exposure, developing with tetramethyl ammonium hydroxide aqueous solution (2.38%) for 60 seconds, rinsing with pure water, and spin-drying in a resist pattern obtained by scanning electron microscope (Hitachi, Ltd. S-9260). When the compositions of Examples 1 to 28 were used, the line and space pattern was resolved at 65 nm without causing pattern collapse. Although the line and space were resolved at 65 nm using the compositions of Comparative Examples 1 and 2, pattern collapse was observed in some patterns.

본 발명의 포지티브형 감광성 조성물은 액침액을 통한 노광 방법에 있어서도 양호한 화상형성 능력을 갖는 것이 명확하다.It is clear that the positive photosensitive composition of the present invention has good image forming ability even in the exposure method through the immersion liquid.

도 1은 2광속 간섭노광 실험장치의 개략도이다. 1 is a schematic diagram of a two-beam interference exposure experimental apparatus.

*****도면의 주요부분에 대한 부호의 설명********** Description of the symbols for the main parts of the drawings *****

1: 레이저 2: 격막 3: 셔터 1: laser 2: diaphragm 3: shutter

4, 5 및 6: 반사거울 7: 집광 렌즈 4, 5 and 6: Reflective mirror 7: Condensing lens

8: 프리즘 9: 액침액 8: Prism 9: immersion liquid

10: 반사방지막 및 레지스트막을 갖는 웨이퍼 10: wafer with antireflection film and resist film

11: 웨이퍼 스테이지11: wafer stage

Claims (12)

(A)활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물, 및 (A) a compound which generates an acid by irradiation of actinic light or radiation, and (B)산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해 속도가 증대하는 수지를 함유하는 포지티브형 감광성 조성물로서: As a positive photosensitive composition containing resin which the dissolution rate with respect to alkaline developing solution increases by the action of (B) acid: 상기 (B)성분은 하기 일반식(I)으로 표시되고 산분해성기를 갖는 반복단위를 갖는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 조성물.Said (B) component is represented by the following general formula (I), and has a repeating unit which has an acid-decomposable group, The positive photosensitive composition characterized by the above-mentioned.
Figure 112007068827710-pat00049
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(일반식(I)에 있어서, (In general formula (I), Xa1은 수소원자, 알킬기, 시아노기 또는 할로겐원자를 나타낸다.Xa 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group or a halogen atom. Ry1 및 Ry2은 각각 독립적으로 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.Ry 1 and Ry 2 each independently represent an alkyl group or a cycloalkyl group. Rx는 탄소수 2개 이상의 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.Rx represents an alkyl group having 2 or more carbon atoms or a cycloalkyl group. Z는 알킬렌기를 나타낸다.)Z represents an alkylene group.)
제 1 항에 있어서, 상기 (B)성분은 락톤기, 수산기, 시아노기 및 알칼리 가용성기로부터 선택되는 1종류 이상의 기를 갖는 반복단위를 더 갖는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 조성물.The positive type photosensitive composition according to claim 1, wherein the component (B) further has a repeating unit having at least one group selected from a lactone group, a hydroxyl group, a cyano group and an alkali-soluble group. 제 1 항에 있어서, 상기 (B)성분은 히드록시스티렌 구조를 갖는 반복단위를 더 갖는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 조성물.The positive photosensitive composition as claimed in claim 1, wherein the component (B) further has a repeating unit having a hydroxystyrene structure. 제 1 항에 있어서, 상기 (B)성분은 일반식(I)으로 표시되고 산분해성기를 갖는 반복단위 이외의 산분해성기를 갖는 반복단위를 더 갖는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 조성물.The positive type photosensitive composition according to claim 1, wherein the component (B) further has a repeating unit represented by the general formula (I) and having an acid-decomposable group other than the repeating unit having an acid-decomposable group. 하기 일반식(I)으로 표시되는 반복단위와, 락톤기, 수산기, 시아노기 및 알칼리 가용성기로부터 선택되는 1종류 이상의 기를 갖는 반복단위를 갖는 것을 특징으로 하는 수지.A resin characterized by having a repeating unit represented by the following general formula (I) and a repeating unit having at least one group selected from a lactone group, a hydroxyl group, a cyano group and an alkali-soluble group.
Figure 112007068827710-pat00050
Figure 112007068827710-pat00050
(일반식(I)에 있어서, (In general formula (I), Xa1은 수소원자, 알킬기, 시아노기 또는 할로겐원자를 나타낸다.Xa 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group or a halogen atom. Ry1 및 Ry2은 각각 독립적으로 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.Ry 1 and Ry 2 each independently represent an alkyl group or a cycloalkyl group. Rx는 탄소수 2개 이상의 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.Rx represents an alkyl group having 2 or more carbon atoms or a cycloalkyl group. Z는 알킬렌기를 나타낸다.)Z represents an alkylene group.)
하기 일반식(I-a)으로 표시되는 반복단위를 갖는 것을 특징으로 하는 수지.Resin characterized by having a repeating unit represented by the following general formula (I-a).
Figure 112007068827710-pat00051
Figure 112007068827710-pat00051
(일반식(I-a)에 있어서, (In general formula (I-a), Xa1은 수소원자, 알킬기, 시아노기 또는 할로겐원자를 나타낸다.Xa 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group or a halogen atom. Ry1 및 Ry2은 각각 독립적으로 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.Ry 1 and Ry 2 each independently represent an alkyl group or a cycloalkyl group. Ry3은 수소원자 또는 알킬기를 나타낸다.Ry 3 represents a hydrogen atom or an alkyl group. Z는 알킬렌기를 나타낸다.Z represents an alkylene group. m1은 1 또는 2를 나타낸다.)m1 represents 1 or 2.)
제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 Ry1 및 Ry2 중 1개 이상은 탄소수 2개 이상의 알킬기인 것을 특징으로 하는 수지.The resin according to claim 5 or 6, wherein at least one of Ry 1 and Ry 2 is an alkyl group having at least 2 carbon atoms. 하기 일반식(I')으로 표시되는 것을 특징으로 하는 중합성 화합물.It is represented by the following general formula (I '), The polymeric compound characterized by the above-mentioned.
Figure 112007068827710-pat00052
Figure 112007068827710-pat00052
(일반식(I')에 있어서, (In general formula (I '), Xa1은 수소원자, 알킬기, 시아노기 또는 할로겐원자를 나타낸다.Xa 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group or a halogen atom. Ry1 및 Ry2은 각각 독립적으로 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.Ry 1 and Ry 2 each independently represent an alkyl group or a cycloalkyl group. Rx는 탄소수 2개 이상의 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.Rx represents an alkyl group having 2 or more carbon atoms or a cycloalkyl group. Z는 알킬렌기를 나타낸다.)Z represents an alkylene group.)
하기 일반식(I-a1)으로 표시되는 것을 특징으로 하는 중합성 화합물.It is represented by the following general formula (I-a1), The polymeric compound characterized by the above-mentioned.
Figure 112007068827710-pat00053
Figure 112007068827710-pat00053
(일반식(I-a1)에 있어서, (In general formula (I-a1), Xa1은 수소원자, 알킬기, 시아노기 또는 할로겐원자를 나타낸다.Xa 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group or a halogen atom. Ry1 및 Ry2은 각각 독립적으로 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.Ry 1 and Ry 2 each independently represent an alkyl group or a cycloalkyl group. Ry3은 수소원자 또는 알킬기를 나타낸다.Ry 3 represents a hydrogen atom or an alkyl group. Z는 알킬렌기를 나타낸다.Z represents an alkylene group. m1은 1 또는 2를 나타낸다.)m1 represents 1 or 2.)
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 Ry1 및 Ry2 중 1개 이상은 탄소수 2개 이상의 알킬기인 것을 특징으로 하는 중합성 화합물.The polymerizable compound according to claim 8 or 9, wherein at least one of Ry 1 and Ry 2 is an alkyl group having 2 or more carbon atoms. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 포지티브형 감광성 조성물로 막을 형성하고, 상기 막을 노광, 현상하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.A process for forming a film from the positive photosensitive composition according to any one of claims 1 to 4, and exposing and developing the film. 제 11 항에 있어서, 상기 노광은 액침 노광인 것을 특징으로 하는 패턴형성방법. 12. The pattern forming method of claim 11, wherein the exposure is liquid immersion exposure.
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