JP5039424B2 - Positive photosensitive composition and pattern forming method using the same - Google Patents

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Description

本発明は、IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程に使用されるポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法に関するものである。さらに詳しくは250nm以下、好ましくは220nm以下の遠紫外線などの露光光源、および電子線などによる照射源とする場合に好適なポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法に関するものである。   The present invention relates to a positive photosensitive composition used in a semiconductor manufacturing process such as an IC, a circuit board such as a liquid crystal or a thermal head, and other photofabrication processes, and a pattern forming method using the same. is there. More specifically, the present invention relates to a positive photosensitive composition suitable for use as an exposure light source such as far ultraviolet rays of 250 nm or less, preferably 220 nm or less, and an irradiation source using an electron beam, and a pattern forming method using the same.

化学増幅系感光性組成物は、遠紫外光等の放射線の照射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする反応によって、活性放射線の照射部と非照射部の現像液に対する溶解性を変化させ、パターンを基板上に形成させるパターン形成材料である。   The chemically amplified photosensitive composition generates an acid in the exposed area by irradiation with radiation such as far ultraviolet light, and the acid-catalyzed reaction causes the solubility of the active radiation irradiated area and non-irradiated area in the developer. This is a pattern forming material for changing the pattern to form a pattern on the substrate.

KrFエキシマレーザーを露光光源とする場合には、主として248nm領域での吸収の小さい、ポリ(ヒドロキシスチレン)を基本骨格とする樹脂を主成分に使用するため、高感度、高解像度で、且つ良好なパターンを形成し、従来のナフトキノンジアジド/ノボラック樹脂系に比べて良好な系となっている。   When a KrF excimer laser is used as an exposure light source, a resin having a basic skeleton of poly (hydroxystyrene) having a small absorption mainly in the 248 nm region is used as a main component. A pattern is formed, which is a better system than the conventional naphthoquinone diazide / novolak resin system.

一方、更なる短波長の光源、例えばArFエキシマレーザー(193nm)を露光光源として使用する場合は、芳香族基を有する化合物が本質的に193nm領域に大きな吸収を示すため、上記化学増幅系でも十分ではなかった。
このため、脂環炭化水素構造を有する樹脂を含有するArFエキシマレーザー用レジストが開発されてきている。特開平9−73173号公報には脂環構造を有する酸分解性樹脂を含有するレジスト組成物が記載されている。しかしながら、線幅100nm以下のような微細なパターンを形成する際には、更なる高解像性が求められており、また、解像性能が優れていても、形成したラインパターンが倒れてしまい、デバイス製造時の欠陥となってしまうパターン倒れ改良が求められていた。
On the other hand, when a further short wavelength light source, for example, an ArF excimer laser (193 nm) is used as an exposure light source, the compound having an aromatic group exhibits a large absorption in the 193 nm region. It wasn't.
For this reason, an ArF excimer laser resist containing a resin having an alicyclic hydrocarbon structure has been developed. JP-A-9-73173 discloses a resist composition containing an acid-decomposable resin having an alicyclic structure. However, when a fine pattern having a line width of 100 nm or less is formed, further high resolution is required, and even if the resolution performance is excellent, the formed line pattern collapses. Therefore, there has been a demand for an improvement in pattern collapse that becomes a defect during device manufacturing.

特開平9−73173号公報JP-A-9-73173

従って、本発明の目的は、100nm以下の微細パターンの形成においても、解像力に優れ、パターン倒れが改良されたポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a positive photosensitive composition having excellent resolution and improved pattern collapse even in the formation of a fine pattern of 100 nm or less and a pattern forming method using the same.

本発明は、次の通りである。
〔1〕
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び(B)下記一般式(I’)で表される基を有する繰り返し単位を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。

Figure 0005039424

一般式(I’)に於いて、
Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rzは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
RxとRyが結合して環構造を形成してもよい。
Rx及び/又はRyと、−C(Rx’)(Ry’)−A −で表される基とが結合して環構造を形成してもよい。
Rx’及びRy’は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。Rx’及びRy’が結合して環構造を形成してもよい。
は、単結合又は環状アルキレン基を表す。
〔2〕
更に、表面疎水化樹脂を含むことを特徴とする〔1〕に記載のポジ型感光性組成物。
〔3〕
前記樹脂(B)が、酸分解性基を有する繰り返し単位を有することを特徴とする〔1〕又は〔2〕に記載のポジ型感光性組成物。
〔4〕
前記酸分解性基が、脂環炭化水素構造を含有する酸分解性基であることを特徴とする〔3〕に記載のポジ型感光性組成物。
〔5〕
前記樹脂(B)が、5〜7員環ラクトン構造に多環構造又はスピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環してなるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することを特徴とする〔1〕〜〔4〕のいずれか1項に記載のポジ型感光性組成物。
〔6〕
前記樹脂(B)が、極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位を有することを特徴とする〔1〕〜〔5〕のいずれか1項に記載のポジ型感光性組成物。
〔7〕
更に、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、及びフッ素原子と珪素原子の両方を含有する界面活性剤のいずれか、あるいは2種以上を含有することを特徴とする〔1〕〜〔6〕のいずれか1項に記載のポジ型感光性組成物。
〔8〕
更に、2種以上の溶剤を含有する混合溶剤を含有することを特徴とする〔1〕〜〔7〕のいずれか1項に記載のポジ型感光性組成物。
〔9〕
下記一般式(I’)で表される基を有する繰り返し単位を有することを特徴とする樹脂。
Figure 0005039424

一般式(I’)に於いて、
Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rzは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
RxとRyが結合して環構造を形成してもよい。
Rx及び/又はRyと、−C(Rx’)(Ry’)−A −で表される基とが結合して環構造を形成してもよい。
Rx’及びRy’は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。Rx’及びRy’が結合して環構造を形成してもよい。
は、単結合又は環状アルキレン基を表す。
〔10〕
下記一般式(I’)で表される基を有することを特徴とする重合性化合物。
Figure 0005039424

一般式(I’)に於いて、
Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rzは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
RxとRyが結合して環構造を形成してもよい。
Rx及び/又はRyと、−C(Rx’)(Ry’)−A −で表される基とが結合して環構造を形成してもよい。
Rx’及びRy’は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。Rx’及びRy’が結合して環構造を形成してもよい。
は、単結合又は環状アルキレン基を表す。
〔11〕
〔1〕〜〔8〕のいずれか1項に記載のポジ型感光性組成物を用いて形成される感光性膜
〔12〕
〔11〕に記載の感光性膜を形成し、該感光性膜を露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
本発明は、上記〔1〕〜〔12〕の構成を有するものであるが、以下、その他についても参考のため記載した。 The present invention is as follows.
[1]
(A) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, and (B) a repeating unit having a group represented by the following general formula (I ′), decomposed by the action of an acid, and in an alkali developer A positive photosensitive composition comprising a resin having an increased solubility in water.
Figure 0005039424

In general formula (I ′),
Rx and Ry each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group.
Rz represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
Rx and Ry may combine to form a ring structure.
Rx and / or Ry and a group represented by —C (Rx ′) (Ry ′) — A 2 — may combine to form a ring structure.
Rx ′ and Ry ′ each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group. Rx ′ and Ry ′ may combine to form a ring structure.
A 2 represents a single bond or a cyclic alkylene group.
[2]
The positive photosensitive composition as described in [1], further comprising a surface hydrophobized resin.
[3]
The positive photosensitive composition as described in [1] or [2], wherein the resin (B) has a repeating unit having an acid-decomposable group.
[4]
The positive photosensitive composition as described in [3], wherein the acid-decomposable group is an acid-decomposable group containing an alicyclic hydrocarbon structure.
[5]
The resin (B) has a repeating unit having a lactone structure in which another ring structure is condensed in a form that forms a polycyclic structure or a spiro structure in a 5- to 7-membered lactone structure [ The positive photosensitive composition according to any one of [1] to [4].
[6]
The positive photosensitive composition according to any one of [1] to [5], wherein the resin (B) has a repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure substituted with a polar group. .
[7]
Furthermore, any one of a fluorine-containing surfactant, a silicon-based surfactant, and a surfactant containing both a fluorine atom and a silicon atom, or two or more thereof is contained [1] to [6] ] The positive photosensitive composition of any one of these.
[8]
The positive photosensitive composition as described in any one of [1] to [7], further comprising a mixed solvent containing two or more solvents.
[9]
A resin comprising a repeating unit having a group represented by the following general formula (I ′).
Figure 0005039424

In general formula (I ′),
Rx and Ry each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group.
Rz represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
Rx and Ry may combine to form a ring structure.
Rx and / or Ry and a group represented by —C (Rx ′) (Ry ′) — A 2 — may combine to form a ring structure.
Rx ′ and Ry ′ each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group. Rx ′ and Ry ′ may combine to form a ring structure.
A 2 represents a single bond or a cyclic alkylene group.
[10]
A polymerizable compound having a group represented by the following general formula (I ′):
Figure 0005039424

In general formula (I ′),
Rx and Ry each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group.
Rz represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
Rx and Ry may combine to form a ring structure.
Rx and / or Ry and a group represented by —C (Rx ′) (Ry ′) — A 2 — may combine to form a ring structure.
Rx ′ and Ry ′ each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group. Rx ′ and Ry ′ may combine to form a ring structure.
A 2 represents a single bond or a cyclic alkylene group.
[11]
A photosensitive film formed by using the positive photosensitive composition according to any one of [1] to [8]
[12]
[11] A pattern forming method comprising forming the photosensitive film according to [11], and exposing and developing the photosensitive film.
The present invention has the above-mentioned configurations [1] to [12], and the other is described below for reference.

(1) (A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び
(B)下記一般式(I)で表される基を有する繰り返し単位を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂
を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。
(1) (A) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation and (B) a repeating unit having a group represented by the following general formula (I), decomposed by the action of an acid, and alkali developed A positive photosensitive composition comprising a resin having increased solubility in a liquid.

Figure 0005039424
Figure 0005039424

一般式(I)に於いて、
1は、2価の連結基を表す。
Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rzは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
RxとRyが結合して環構造を形成してもよい。
Rx及び/又はRyとA1が結合して環構造を形成してもよい。
In general formula (I),
A 1 represents a divalent linking group.
Rx and Ry each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group.
Rz represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
Rx and Ry may combine to form a ring structure.
Rx and / or Ry and A 1 may combine to form a ring structure.

(2) 下記一般式(I)で表される基を有する繰り返し単位を有することを特徴とする樹脂。   (2) A resin having a repeating unit having a group represented by the following general formula (I).

Figure 0005039424
Figure 0005039424

一般式(I)に於いて、
1は、2価の連結基を表す。
Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rzは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
RxとRyが結合して環構造を形成してもよい。
Rx及び/又はRyとA1が結合して環構造を形成してもよい。
In general formula (I),
A 1 represents a divalent linking group.
Rx and Ry each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group.
Rz represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
Rx and Ry may combine to form a ring structure.
Rx and / or Ry and A 1 may combine to form a ring structure.

(3) 下記一般式(I)で表される基を有することを特徴とする重合性化合物。   (3) A polymerizable compound having a group represented by the following general formula (I).

Figure 0005039424
Figure 0005039424

一般式(I)に於いて、
1は、2価の連結基を表す。
Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rzは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
RxとRyが結合して環構造を形成してもよい。
Rx及び/又はRyとA1が結合して環構造を形成してもよい。
In general formula (I),
A 1 represents a divalent linking group.
Rx and Ry each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group.
Rz represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
Rx and Ry may combine to form a ring structure.
Rx and / or Ry and A 1 may combine to form a ring structure.

(4) (1)に記載のポジ型感光性組成物により、感光性膜を形成し、該感光性膜を露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。   (4) A pattern forming method comprising the steps of: forming a photosensitive film from the positive photosensitive composition as described in (1); and exposing and developing the photosensitive film.

以下、更に、本発明の好ましい実施の態様を挙げる。   The preferred embodiments of the present invention will be further described below.

(5) 一般式(I)に於いて、Rzが、シクロアルキル基であることを特徴とする(1)に記載のポジ型感光性組成物。   (5) The positive photosensitive composition as described in (1), wherein in the general formula (I), Rz is a cycloalkyl group.

(6) (B)成分が、更に、脂環炭化水素構造を含有する酸分解性基を有する繰り返し単位を有することを特徴とする(1)又は(5)に記載のポジ型感光性組成物。   (6) The positive photosensitive composition as described in (1) or (5), wherein the component (B) further has a repeating unit having an acid-decomposable group containing an alicyclic hydrocarbon structure. .

(7) (B)成分が、更に、ラクトン構造を有する繰り返し単位を有することを特徴とする(1)、(5)及び(6)のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。   (7) The positive photosensitive composition as described in any one of (1), (5) and (6), wherein the component (B) further has a repeating unit having a lactone structure.

本発明により、100nm以下の微細パターンの形成に於いても、解像力に優れ、パターン倒れが改良されたポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することができる。   INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to provide a positive photosensitive composition having excellent resolution and improved pattern collapse even when forming a fine pattern of 100 nm or less, and a pattern forming method using the same.

以下、本発明を実施するための最良の形態について、説明する。
尚、本明細書に於ける基(原子団)の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described.
In addition, in the description of the group (atomic group) in this specification, the description which does not describe substitution and non-substitution includes what does not have a substituent and what has a substituent. . For example, the “alkyl group” includes not only an alkyl group having no substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
本発明のポジ型感光性組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(「酸発生剤」ともいう)を含有する。
そのような酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線
又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
(A) Compound that generates acid upon irradiation with actinic ray or radiation The positive photosensitive composition of the present invention contains a compound that generates acid upon irradiation with actinic ray or radiation (also referred to as “acid generator”). .
Examples of such an acid generator include a photoinitiator for photocationic polymerization, a photoinitiator for photoradical polymerization, a photodecolorant for dyes, a photochromic agent, or an actinic ray or radiation used for a microresist. A known compound that generates an acid by irradiation and a mixture thereof can be appropriately selected and used.

たとえば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o−ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。   Examples thereof include diazonium salts, phosphonium salts, sulfonium salts, iodonium salts, imide sulfonates, oxime sulfonates, diazodisulfones, disulfones, and o-nitrobenzyl sulfonates.

また、これらの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、特開昭63−26653号、特開昭55−164824号、特開昭62−69263号、特開昭63−146038号、特開昭63−163452号、特開昭62−153853号、特開昭63−146029号等に記載の化合物を用いることができる。   Further, a group that generates an acid upon irradiation with these actinic rays or radiation, or a compound in which a compound is introduced into the main chain or side chain of the polymer, for example, US Pat. No. 3,849,137, German Patent No. 3914407. JP, 63-26653, JP, 55-164824, JP, 62-69263, JP, 63-146038, JP, 63-163452, JP, 62-153853, The compounds described in JP-A 63-146029 can be used.

さらに米国特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に記載の光によ
り酸を発生する化合物も使用することができる。
Furthermore, compounds capable of generating an acid by light described in US Pat. No. 3,779,778, European Patent 126,712 and the like can also be used.

活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物の内で好ましい化合物として、下記一般式(ZI)、(ZII)、(ZIII)で表される化合物を挙げることができる。   Among the compounds that generate an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, compounds represented by the following general formulas (ZI), (ZII), and (ZIII) can be exemplified.

Figure 0005039424
Figure 0005039424

一般式(ZI)において、
201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。
-は、非求核性アニオンを表し、好ましくはスルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、ビス(アルキルスルホニル)アミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオン、BF4 -、PF6 -、SbF6 -などが挙げられ、好ましくは炭素原子を含有する有機アニオンである。
In general formula (ZI):
R 201 , R 202 and R 203 each independently represents an organic group.
X represents a non-nucleophilic anion, preferably sulfonate anion, carboxylate anion, bis (alkylsulfonyl) amide anion, tris (alkylsulfonyl) methide anion, BF 4 , PF 6 , SbF 6 − and the like. Preferably, it is an organic anion containing a carbon atom.

好ましい有機アニオンとしては、下記一般式(AN1)〜(AN4)に示す有機アニオンが挙げられる。   Preferred organic anions include organic anions represented by the following general formulas (AN1) to (AN4).

Figure 0005039424
Figure 0005039424

一般式(AN1)〜(AN2)に於いて、
Rc1は、有機基を表す。
Rc1における有機基としては、炭素数1〜30のものが挙げられ、好ましくは置換し
ていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、またはこれらの複数が、単結合、−O−、−CO2−、−S−、−SO3−、−SO2N(Rd1)−などの連結基で連結された基を挙げることができる。Rd1は、水素原子又はアルキル基を表し、結合しているアルキル基、シクロアルキル基、アリール基と環構造を形成してもよい。
Rc1の有機基として、より好ましくは1位がフッ素原子またはフロロアルキル基で置換されたアルキル基、フッ素原子またはフロロアルキル基で置換されたシクロアルキル基、フッ素原子またはフロロアルキル基で置換されたフェニル基である。フッ素原子またはフロロアルキル基を有することにより、光照射によって発生した酸の酸性度が上がり、感度が向上する。Rc1において炭素原子を5個以上有する時、少なくとも1つの炭素原子は水素原子が全てフッ素原子で置換されているのではなく、水素原子を有していることが好ましく、水素原子の数がフッ素原子より多いことがより好ましい。炭素数5以上のパーフロロアルキル基を有さないことにより生態への毒性が軽減する。
In general formulas (AN1) to (AN2),
Rc 1 represents an organic group.
Examples of the organic group for Rc 1 include those having 1 to 30 carbon atoms, and preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or a plurality of these which may be substituted is a single bond, —O—, -CO 2 -, - S -, - SO 3 -, - SO 2 N (Rd 1) - can be exemplified linked group a linking group such as. Rd 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and may form a ring structure with a bonded alkyl group, cycloalkyl group, or aryl group.
More preferably, the organic group of Rc 1 is substituted at the 1-position with an alkyl group substituted with a fluorine atom or a fluoroalkyl group, a cycloalkyl group substituted with a fluorine atom or a fluoroalkyl group, a fluorine atom or a fluoroalkyl group It is a phenyl group. By having a fluorine atom or a fluoroalkyl group, the acidity of the acid generated by light irradiation is increased and the sensitivity is improved. When Rc 1 has 5 or more carbon atoms, it is preferable that at least one carbon atom has a hydrogen atom, not all hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms, and the number of hydrogen atoms is fluorine. More preferably than atoms. By not having a perfluoroalkyl group having 5 or more carbon atoms, ecotoxicity is reduced.

Rc1の特に好ましい様態として、下記一般式で表される基を挙げることができる。 As a particularly preferred embodiment of Rc 1 , groups represented by the following general formula can be exemplified.

Figure 0005039424
Figure 0005039424

上記一般式に於いて、
Rc6は、炭素数4以下、より好ましくは2〜4、更に好ましくは2〜3のパーフロロアルキレン基、1〜4個のフッ素原子及び/又は1〜3個のフロロアルキル基で置換されたフェニレン基を表す。
Axは、単結合又は2価の連結基(好ましくは、−O−、−CO2−、−S−、−SO3−、−SO2N(Rd1)−)を表す。Rd1は、水素原子又はアルキル基を表し、Rc7と結合して環構造を形成してもよい。
Rc7は、水素原子、フッソ原子、直鎖状若しくは分岐状アルキル基、単環若しくは多環のシクロアルキル基又はアリール基を表す。アルキル基、シクロアルキル基、アリール基は、置換していてもよいが、置換基としてフッ素原子を有さないことが好ましい。
In the above general formula,
Rc 6 is substituted with a perfluoroalkylene group having 4 or less carbon atoms, more preferably 2 to 4 carbon atoms, more preferably 2 to 3 carbon atoms, 1 to 4 fluorine atoms and / or 1 to 3 fluoroalkyl groups. Represents a phenylene group.
Ax represents a single bond or a divalent linking group (preferably —O—, —CO 2 —, —S—, —SO 3 —, —SO 2 N (Rd 1 ) —). Rd 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and may combine with Rc 7 to form a ring structure.
Rc 7 represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a linear or branched alkyl group, a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group or an aryl group. The alkyl group, cycloalkyl group and aryl group may be substituted, but preferably have no fluorine atom as a substituent.

前記一般式(AN3)〜(AN4)に於いて、
Rc3、Rc4及びRc5は、各々独立に、有機基を表す。
Rc3、Rc4及びRc5の有機基として、好ましくはRc1における好ましい有機基と同じものを挙げることができる。
Rc3とRc4が結合して環を形成していてもよい。Rc3とRc4が結合して形成される基としては、アルキレン基、アリーレン基が挙げられる。好ましくは炭素数2〜4のパーフロロアルキレン基である。Rc3とRc4が結合して環を形成することにより光照射によって発生した酸の酸性度が上がり、感度が向上し、好ましい。
In the general formulas (AN3) to (AN4),
Rc 3 , Rc 4 and Rc 5 each independently represents an organic group.
Preferred examples of the organic group for Rc 3 , Rc 4 and Rc 5 include the same organic groups as those for Rc 1 .
Rc 3 and Rc 4 may combine to form a ring. Examples of the group formed by combining Rc 3 and Rc 4 include an alkylene group and an arylene group. Preferably, it is a C2-C4 perfluoroalkylene group. By combining Rc 3 and Rc 4 to form a ring, the acidity of the acid generated by light irradiation is increased, and the sensitivity is improved, which is preferable.

前記一般式(ZI)に於ける、
201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1〜20である。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
201、R202及びR203としての有機基の具体例としては、後述する化合物(ZI−1
)、(ZI−2)、(ZI−3)における対応する基を挙げることができる。
In the general formula (ZI),
The carbon number of the organic group as R 201 , R 202 and R 203 is generally 1-30, preferably 1-20.
Two of R 201 to R 203 may be bonded to form a ring structure, and the ring may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond, or a carbonyl group. The two of the group formed by bonding of the R 201 to R 203, there can be mentioned an alkylene group (e.g., butylene, pentylene).
Specific examples of the organic group as R 201 , R 202 and R 203 include a compound (ZI-1) described later.
), (ZI-2) and (ZI-3).

尚、一般式(ZI)で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式(ZI)で表される化合物のR201〜R203の少なくともひとつが、一般式(ZI)で表されるもうひとつの化合物のR201〜R203の少なくともひとつと結合した構造を有する化合物であってもよい。 In addition, the compound which has two or more structures represented by general formula (ZI) may be sufficient. For example, the general formula at least one of R 201 to R 203 of a compound represented by (ZI) is, at least one bond with structure of R 201 to R 203 of another compound represented by formula (ZI) It may be a compound.

更に好ましい(ZI)成分として、以下に説明する化合物(ZI−1)、(ZI−2)、及び(ZI−3)を挙げることができる。   More preferable (ZI) components include compounds (ZI-1), (ZI-2), and (ZI-3) described below.

化合物(ZI−1)は、上記一般式(ZI)のR201〜R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。
アリールスルホニウム化合物は、R201〜R203の全てがアリール基でもよいし、R201
〜R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基、シクロアルキル基でもよい。
アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。
アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基などのアリール基、インドール残基、ピロール残基、などのヘテロアリール基が好ましく、更に好ましくはフェニル基、インドール残基である。アリールスルホニム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。
アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基は、炭素数1〜15の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等を挙げることができる。
アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているシクロアルキル基は、炭素数3〜15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。
201〜R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜14)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1〜12の直鎖若しくは分岐状アルキル基、炭素数3〜12のシクロアルキル基、炭素数1〜12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、特に好ましくは炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201〜R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201〜R203がアリール基
の場合に、置換基はアリール基のp−位に置換していることが好ましい。
The compound (ZI-1) is at least one of the aryl groups R 201 to R 203 in formula (ZI), arylsulfonium compound, i.e., a compound having arylsulfonium as a cation.
In the arylsulfonium compound, all of R 201 to R 203 may be an aryl group, or R 201
Some of to R 203 is an aryl group with the remaining being an alkyl group or a cycloalkyl group.
Examples of the arylsulfonium compound include triarylsulfonium compounds, diarylalkylsulfonium compounds, aryldialkylsulfonium compounds, diarylcycloalkylsulfonium compounds, and aryldicycloalkylsulfonium compounds.
The aryl group of the arylsulfonium compound is preferably an aryl group such as a phenyl group or a naphthyl group, or a heteroaryl group such as an indole residue or a pyrrole residue, more preferably a phenyl group or an indole residue. When the arylsulfonium compound has two or more aryl groups, the two or more aryl groups may be the same or different.
The alkyl group that the arylsulfonium compound has as necessary is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, sec- Examples thereof include a butyl group and a t-butyl group.
The cycloalkyl group that the arylsulfonium compound has as necessary is preferably a cycloalkyl group having 3 to 15 carbon atoms, and examples thereof include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, and a cyclohexyl group.
Aryl group, alkyl group of R 201 to R 203, cycloalkyl group, an alkyl group (for example, 1 to 15 carbon atoms), a cycloalkyl group (for example, 3 to 15 carbon atoms), an aryl group (for example, 6 to 14 carbon atoms) , An alkoxy group (for example, having 1 to 15 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, or a phenylthio group may be substituted. Preferred substituents are linear or branched alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms, cycloalkyl groups having 3 to 12 carbon atoms, and linear, branched or cyclic alkoxy groups having 1 to 12 carbon atoms, particularly preferably. They are a C1-C4 alkyl group and a C1-C4 alkoxy group. The substituent may be substituted with any one of the three R 201 to R 203 , or may be substituted with all three. When R 201 to R 203 are an aryl group, the substituent is preferably substituted at the p-position of the aryl group.

次に、化合物(ZI−2)について説明する。
化合物(ZI−2)は、式(ZI)におけるR201〜R203が、各々独立に、芳香環を含有しない有機基を表す場合の化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
201〜R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1〜30、好ましくは炭素数1〜20である。
201〜R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖、分岐、環状2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖、分岐2−オキソアルキル基である。
Next, the compound (ZI-2) will be described.
Compound (ZI-2) is a compound in the case where R 201 to R 203 in formula (ZI) each independently represents an organic group containing no aromatic ring. Here, the aromatic ring includes an aromatic ring containing a hetero atom.
The organic group having no aromatic ring as R 201 to R 203 generally has 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms.
R 201 to R 203 are each independently preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, an allyl group, or a vinyl group, more preferably a linear, branched, cyclic 2-oxoalkyl group, or an alkoxycarbonylmethyl group, particularly preferably Is a linear, branched 2-oxoalkyl group.

201〜R203としてのアルキル基は、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖若しくは分岐状アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)を挙げることができる。R201〜R203としてのアルキル基は、直鎖、分岐2−オキソアルキル基、アルコキシメチル基であることがより好ましい。
201〜R203としてのシクロアルキル基は、好ましくは、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。R201〜R203としてのシクロアルキル基は、環状2−オキソアルキル基であることがより好ましい。
201〜R203としての直鎖、分岐、環状の2−オキソアルキル基は、好ましくは、上記のアルキル基、シクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
201〜R203としてのアルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1〜5のアルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基)を挙げることができる。
201〜R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、水酸基、シアノ基、ニトロ基等によって更に置換されていてもよい。
The alkyl group as R 201 to R 203 is preferably include a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (e.g., methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group) . The alkyl group as R 201 to R 203 may be linear, branched 2-oxoalkyl group, more preferably an alkoxymethyl group.
The cycloalkyl group as R 201 to R 203 is preferably, and a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms (e.g., cyclopentyl, cyclohexyl, norbornyl). The cycloalkyl group as R 201 to R 203 is more preferably a cyclic 2-oxoalkyl group.
Linear as R 201 to R 203, branched or cyclic 2-oxoalkyl group may preferably be a group having a 2-position> C = O in the above-described alkyl or cycloalkyl group.
The alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group as R 201 to R 203, preferably may be mentioned alkoxy groups having 1 to 5 carbon atoms (a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, a pentoxy group).
R 201 to R 203 may be further substituted with a halogen atom, an alkoxy group (eg, having 1 to 5 carbon atoms), a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group, or the like.

化合物(ZI−3)とは、以下の一般式(ZI−3)で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。   The compound (ZI-3) is a compound represented by the following general formula (ZI-3), and is a compound having a phenacylsulfonium salt structure.

Figure 0005039424
Figure 0005039424

一般式(ZI−3)に於いて、
1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。
6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
1c〜R7c中のいずれか2つ以上、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいて
もよい。R1c〜R7c中のいずれか2つ以上、及びRxとRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。
-は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於ける、X-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。
In general formula (ZI-3),
R 1c to R 5c each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group or a halogen atom.
R 6c and R 7c each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group.
Rx and Ry each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an allyl group or a vinyl group.
Any two or more of R 1c to R 7c, and R x and R y may be bonded to each other to form a ring structure, the ring structure may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond May be included. Examples of the group formed by combining any two or more of R 1c to R 7c and R x and R y include a butylene group and a pentylene group.
X represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same non-nucleophilic anion as X − in the general formula (ZI).

1c〜R7cとしてのアルキル基は、例えば、炭素数1〜20個の直鎖若しくは分岐状アルキル基、好ましくは、炭素数1〜12個の直鎖若しくは分岐状アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は分岐ペンチル基)を挙げることができる。
1c〜R7cとしてのシクロアルキル基は、好ましくは、炭素数3〜8個のシクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基)を挙げることができる。
1c〜R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1〜5の直鎖及び分岐アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基)、炭素数3〜8の環状アルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基)を挙げることができる。
1c〜R7cは、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、水酸基、シアノ基、ニトロ基等によって更に置換されていてもよい。
好ましくはR1c〜R5cのうちいずれかが直鎖若しくは分岐状アルキル基、シクロアルキル基、又は直鎖、分岐、環状アルコキシ基であり、更に好ましくはR1c〜R5cの炭素数の和が2〜15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。
x及びRyとしてのアルキル基は、R1c〜R7cとしてのアルキル基と同様のものを挙げることができる。Rx及びRyとしてのアルキル基は、直鎖若しくは分岐2−オキソアルキル基、アルコキシメチル基であることがより好ましい。
x及びRyとしてのシクロアルキル基は、R1c〜R7cとしてのシクロアルキル基と同様のものを挙げることができる。Rx及びRyとしてのシクロアルキル基は、環状2−オキソアルキル基であることがより好ましい。
直鎖若しくは分岐状2−オキソアルキル基、環状2−オキソアルキル基は、R1c〜R7cとしてのアルキル基、シクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基については、R1c〜R5cとしてのアルコキシ基と同様のものを挙げることができる。
x及びRyは、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、水酸基、シアノ基、ニトロ基等によって更に置換されていてもよい。
x、Ryは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基である。
The alkyl group as R 1c to R 7c is, for example, a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms (for example, a methyl group). , Ethyl group, linear or branched propyl group, linear or branched butyl group, linear or branched pentyl group).
Preferable examples of the cycloalkyl group as R 1c to R 7c include a cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms (for example, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group).
The alkoxy group as R 1c to R 5c may be linear, branched or cyclic, for example, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms. (For example, methoxy group, ethoxy group, linear or branched propoxy group, linear or branched butoxy group, linear or branched pentoxy group), C3-C8 cyclic alkoxy group (for example, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group) ).
R 1c to R 7c may be further substituted with a halogen atom, an alkoxy group (for example, having 1 to 5 carbon atoms), a hydroxyl group, a cyano group, or a nitro group.
Preferably any one of R 1c to R 5c is a linear or branched alkyl group, a cycloalkyl group, or a linear, branched or cyclic alkoxy group, and more preferably the sum of the carbon number of R 1c to R 5c is 2-15. Thereby, solvent solubility improves more and generation | occurrence | production of a particle is suppressed at the time of a preservation | save.
Examples of the alkyl group as R x and R y include the same alkyl groups as R 1c to R 7c . The alkyl group as R x and R y is more preferably a linear or branched 2-oxoalkyl group or an alkoxymethyl group.
The cycloalkyl group as R x and R y may be the same as the cycloalkyl group as R 1c to R 7c. The cycloalkyl group as R x and R y is more preferably a cyclic 2-oxoalkyl group.
Examples of the linear or branched 2-oxoalkyl group and cyclic 2-oxoalkyl group include a group having> C═O at the 2-position of the alkyl group or cycloalkyl group as R 1c to R 7c .
Examples of the alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group include the same alkoxy groups as R 1c to R 5c .
R x and R y may be further substituted with a halogen atom, an alkoxy group (eg, having 1 to 5 carbon atoms), a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group, or the like.
R x and R y are preferably an alkyl group having 4 or more carbon atoms, more preferably 6 or more, and still more preferably 8 or more.

前記一般式(ZII)及び(ZIII)に於いて、
204〜R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
204〜R207のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。
204〜R207としてのアルキル基は、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖若しくは分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)を挙げることができる。
204〜R207としてのシクロアルキル基は、好ましくは、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。
204〜R207は、置換基を有していてもよい。R204〜R207が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜15)、アルコキシ基(例えば炭素数1
〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。
-は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於けるX-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。
In the general formulas (ZII) and (ZIII),
R 204 to R 207 each independently represents an aryl group, an alkyl group or a cycloalkyl group.
The aryl group of R 204 to R 207, a phenyl group, a naphthyl group, more preferably a phenyl group.
The alkyl group as R 204 to R 207 may preferably be mentioned a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (e.g., methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group).
The cycloalkyl group as R 204 to R 207 is preferably, and a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms (e.g., cyclopentyl, cyclohexyl, norbornyl).
R 204 to R 207 may have a substituent. The R 204 to R 207 are substituents which may have, for example, an alkyl group (for example, 1 to 15 carbon atoms), a cycloalkyl group (for example, 3 to 15 carbon atoms), an aryl group (e.g., 6 carbon atoms 15), an alkoxy group (for example, carbon number 1
-15), halogen atoms, hydroxyl groups, phenylthio groups and the like.
X represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same non-nucleophilic anion as X − in formula (ZI).

活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物の内で好ましい化合物として、更に、下記一般式(ZIV)、(ZV)、(ZVI)で表される化合物を挙げることができる。   Among the compounds that generate an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, compounds represented by the following general formulas (ZIV), (ZV), and (ZVI) can be further exemplified.

Figure 0005039424
Figure 0005039424

一般式(ZIV)〜(ZVI)に於いて、
Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。
206は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
207及びR208は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は電子吸引性基を表す。R207として、好ましくは、アリール基である。R208として、好ましくは、電子吸引性基であり、より好ましくは、シアノ基、フロロアルキル基である。
Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
In the general formulas (ZIV) to (ZVI),
Ar 3 and Ar 4 each independently represents an aryl group.
R 206 represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group.
R 207 and R 208 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or an electron-withdrawing group. R 207 is preferably an aryl group. R 208 is preferably an electron-withdrawing group, more preferably a cyano group or a fluoroalkyl group.
A represents an alkylene group, an alkenylene group or an arylene group.

活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物の内でより好ましくは、一般式(ZI)〜(ZIII)で表される化合物であり、更に好ましくは一般式(ZI)で表される化合物であり、特に好ましくは一般式(ZI−1)〜(ZI−3)で表される化合物である。
更に、活性光線又は放射線の照射により、下記一般式(AC1)〜(AC3)で表される酸を発生する化合物が好ましい。
Of the compounds that generate an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, more preferred are compounds represented by general formulas (ZI) to (ZIII), and even more preferred are compounds represented by general formula (ZI). And particularly preferred are compounds represented by the general formulas (ZI-1) to (ZI-3).
Furthermore, the compound which generate | occur | produces the acid represented by the following general formula (AC1)-(AC3) by irradiation of actinic light or a radiation is preferable.

Figure 0005039424
Figure 0005039424

一般式(AC1)〜(AC3)に於ける、Rc1、Rc3〜Rc5は、一般式(AN1)〜(AN4)に於ける、Rc1、Rc3〜Rc5と同義である。 In formula (AC1) ~ (AC3), Rc 1, Rc 3 ~Rc 5 are in the general formula (AN1) ~ (AN4), and Rc 1, Rc 3 ~Rc 5 synonymous.

特に好ましい酸発生剤の様態としては、一般式(ZI)の構造において、X-が、前記一般式(AN1)、(AN3)又は(AN4)で示されるアニオンである化合物である。 A particularly preferable embodiment of the acid generator is a compound in which, in the structure of the general formula (ZI), X is an anion represented by the general formula (AN1), (AN3) or (AN4).

活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物の中で、特に好ましいものの例を以下に挙げる。   Among the compounds that generate an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, examples of particularly preferable compounds are listed below.

Figure 0005039424
Figure 0005039424

Figure 0005039424
Figure 0005039424

Figure 0005039424
Figure 0005039424

酸発生剤は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。2種以上を組み合わせて使用する際には、水素原子を除く全原子数が2以上異なる2種の有機酸を発生する化合物を組み合わせることが好ましい。
酸発生剤の組成物中の含量は、ポジ型感光性組成物の全固形分を基準として、0.1〜20質量%が好ましく、より好ましくは0.5〜10質量%、更に好ましくは1〜7質量%である。
An acid generator can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. When two or more types are used in combination, it is preferable to combine two types of compounds that generate two types of organic acids that differ in the total number of atoms excluding hydrogen atoms by two or more.
The content of the acid generator in the composition is preferably 0.1 to 20% by mass, more preferably 0.5 to 10% by mass, and still more preferably 1 based on the total solid content of the positive photosensitive composition. -7% by mass.

(B)一般式(I)で表される基を有する繰り返し単位を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂
本発明のポジ型感光性組成物は、下記一般式(I)で表される基を有する繰り返し単位を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂(「(B)成分」ともいう)を含有する。
(B) Resin having a repeating unit having a group represented by general formula (I), decomposed by the action of an acid, and increased in solubility in an alkaline developer. The positive photosensitive composition of the present invention comprises: Contains a resin (also referred to as “component (B)”) that has a repeating unit having a group represented by the following general formula (I), decomposes by the action of an acid, and increases the solubility in an alkaline developer. .

Figure 0005039424
Figure 0005039424

一般式(I)に於いて、
1は、2価の連結基を表す。
Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rzは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
RxとRyが結合して環構造を形成してもよい。
Rx及び/又はRyとA1が結合して環構造を形成してもよい。
In general formula (I),
A 1 represents a divalent linking group.
Rx and Ry each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group.
Rz represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
Rx and Ry may combine to form a ring structure.
Rx and / or Ry and A 1 may combine to form a ring structure.

一般式(I)に於いて、A1に於ける、2価の連結基としては、アルキレン基が好ましい。アルキレン基としては、炭素数1〜15のアルキレン基が好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、オクチレン基などの鎖状アルキレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基などの単環環状アルキレン基、アダマンチレン基、トリシクロデカニレン基、テトラシクロドデカニレン基、ノルボルニレン基などの多環環状アルキレン基及びこれらの少なくとも2つが結合した基が挙げられる。アルキレン基は、アルキレン鎖中に炭素−炭素多重結合、−O−、−S−、−COO−基を有していてもよい。 In general formula (I), the divalent linking group in A 1 is preferably an alkylene group. As the alkylene group, an alkylene group having 1 to 15 carbon atoms is preferable. For example, a chain alkylene group such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, and an octylene group, a simple group such as a cyclopentylene group and a cyclohexylene group, and the like. Examples thereof include polycyclic alkylene groups such as a cyclic alkylene group, an adamantylene group, a tricyclodecanylene group, a tetracyclododecanylene group, and a norbornylene group, and a group in which at least two of them are bonded. The alkylene group may have a carbon-carbon multiple bond, —O—, —S—, or —COO— group in the alkylene chain.

1として、好ましくは、下記一般式(Aa)で表される2価の連結基である。 A 1 is preferably a divalent linking group represented by the following general formula (Aa).

Figure 0005039424
Figure 0005039424

一般式(Aa)に於いて、
Rx’及びRy’は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。Rx’及びRy’が結合して環構造を形成してもよい。
2は、単結合、アルキレン基、アルケニレン基又はアルキニレン基を表す。
In general formula (Aa):
Rx ′ and Ry ′ each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group. Rx ′ and Ry ′ may combine to form a ring structure.
A 2 represents a single bond, an alkylene group, an alkenylene group or an alkynylene group.

一般式(Aa)に於いて、Rx’及びRy’は、好ましくは、炭素数1〜4のアルキル基である。Rx’及びRy’の両方が、炭素数1〜4のアルキル基となることで、一般式(I)に於いて、2つのエステル基が酸分解性となり、露光部の現像液溶解性が向上し解
像力が改良される。
2に於ける、アルキレン基としては、A1に於いて挙げたものと同じものが挙げられる。アルケニレン基としては、例えば、ビニレン基、アリレン基等が挙げられる。アルキニレン基としては、例えば、エチニレン基等が挙げられる。
In the general formula (Aa), Rx ′ and Ry ′ are preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Since both Rx ′ and Ry ′ become an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, in the general formula (I), two ester groups become acid-decomposable and improve the developer solubility in the exposed area. The resolution is improved.
Examples of the alkylene group for A 2 include the same alkylene groups as those described for A 1 . Examples of alkenylene groups include vinylene groups and arylene groups. Examples of alkynylene groups include ethynylene groups.

Rx及びRyに於ける、アルキル基は、炭素数1〜15のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基等が挙げられる。
シクロアルキル基は、炭素数3〜15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、アダマンチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基等の多環のシクロアルキル基が挙げられる。
Rx及びRyは、好ましくは、炭素数1〜4のアルキル基である。
Rzに於ける、アルキル基は、炭素数1〜15のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基等が挙げられる。
シクロアルキル基は、炭素数3〜15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、アダマンチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基等の多環のシクロアルキル基が挙げられる。
アリール基は、好ましくは、炭素数6〜30であり、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基等が挙げられる。
アラルキル基は、炭素数7〜12のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。
RxとRyが結合して形成される環構造としては、炭素数5〜20の単環又は多環の環構造が好ましく、例えば、シクロペンタン、シクロヘサン、アダマンタン、ノルボルナン、テトラシクロドデカン、トリシクロデカンなどの環構造が挙げられる。
Rx及び/又はRyとA1が結合して形成される環構造としては、炭素数5〜20の単環又は多環の環構造が好ましく、例えば、シクロペンタン、シクロヘサン、アダマンタン、ノルボルナン、テトラシクロドデカン、トリシクロデカンなどの環構造が挙げられる。
Rx、Ry、Rz、A1としての各基、RxとRyが結合して形成する環構造、及び、Rx及び/又はRyとA1が結合して形成する環構造は、置換基を有していてもよく、置換基としては、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、アシルオキシ基等が挙げられ、置換基の炭素数は、1〜10が好ましい。
The alkyl group in Rx and Ry is preferably an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, and an octyl group.
The cycloalkyl group is preferably a cycloalkyl group having 3 to 15 carbon atoms, for example, a monocyclic cycloalkyl group such as a cyclopentyl group or a cyclohexyl group, an adamantyl group, a tricyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group, or a norbornyl group. And a polycyclic cycloalkyl group.
Rx and Ry are preferably alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms.
The alkyl group in Rz is preferably an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, and an octyl group.
The cycloalkyl group is preferably a cycloalkyl group having 3 to 15 carbon atoms, for example, a monocyclic cycloalkyl group such as a cyclopentyl group or a cyclohexyl group, an adamantyl group, a tricyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group, or a norbornyl group. And a polycyclic cycloalkyl group.
The aryl group preferably has 6 to 30 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, and a pyrenyl group.
The aralkyl group is preferably an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms, and examples thereof include a benzyl group, a phenethyl group, and a naphthylmethyl group.
The ring structure formed by combining Rx and Ry is preferably a monocyclic or polycyclic ring structure having 5 to 20 carbon atoms, such as cyclopentane, cyclohesan, adamantane, norbornane, tetracyclododecane, tricyclodecane. And the like.
The ring structure formed by combining Rx and / or Ry and A 1 is preferably a monocyclic or polycyclic ring structure having 5 to 20 carbon atoms. For example, cyclopentane, cyclohesane, adamantane, norbornane, tetracyclo Examples include ring structures such as dodecane and tricyclodecane.
Each group as Rx, Ry, Rz, A 1 , the ring structure formed by combining Rx and Ry, and the ring structure formed by combining Rx and / or Ry and A 1 have a substituent. Examples of the substituent include a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxy group, a cyano group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, and an acyloxy group. The substituent preferably has 1 to 10 carbon atoms.

一般式(I)で表される基を有する繰り返し単位として、好ましくは、下記一般式(I−1a)又は一般式(I−2a)で表される繰り返し単位を挙げることができる。   Preferred examples of the repeating unit having a group represented by the general formula (I) include a repeating unit represented by the following general formula (I-1a) or general formula (I-2a).

Figure 0005039424
Figure 0005039424

一般式(I−1a)及び(I−2a)に於いて、
Xaは、水素原子、アルキル基(好ましくはメチル基)、シアノ基、フロロアルキル基(好ましくはトリフロロメチル基)又は−CH2−ORa5基を表し、好ましくは炭素数15以下である。Ra5は、水素原子、アルキル基、アシル基又はラクトン基を表す。
Ra2〜Ra4は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表し、好ましくは炭素数10以下である。
nは、0又は1を表す。
1、Rx、Ry及びRzは、一般式(I)に於ける、それらと同義である。
In general formulas (I-1a) and (I-2a),
Xa represents a hydrogen atom, an alkyl group (preferably a methyl group), a cyano group, a fluoroalkyl group (preferably a trifluoromethyl group) or a —CH 2 —ORa 5 group, and preferably has 15 or less carbon atoms. Ra 5 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an acyl group, or a lactone group.
Ra 2 to Ra 4 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group or an alkoxycarbonyl group, and preferably has 10 or less carbon atoms.
n represents 0 or 1.
A 1 , Rx, Ry and Rz have the same meanings as those in formula (I).

一般式(I)で表される基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明は、これに限定されるものではない。   Specific examples of the repeating unit having a group represented by the general formula (I) are shown below, but the present invention is not limited thereto.

Figure 0005039424
Figure 0005039424

Figure 0005039424
Figure 0005039424

一般式(I)で表される基を有する繰り返し単位の含有量は、ポリマー中の全繰り返し単位に対し、1〜60mol%が好ましく、より好ましくは5〜50mol%、更に好ましくは10〜50mol%である。   The content of the repeating unit having a group represented by the general formula (I) is preferably 1 to 60 mol%, more preferably 5 to 50 mol%, still more preferably 10 to 50 mol%, based on all repeating units in the polymer. It is.

一般式(I)で表される基を有する繰り返し単位に相当する重合性化合物として、下記一般式(I−1b)又は(I−2b)で表される化合物を挙げることができる。   Examples of the polymerizable compound corresponding to the repeating unit having a group represented by the general formula (I) include compounds represented by the following general formula (I-1b) or (I-2b).

Figure 0005039424
Figure 0005039424

一般式(I−1b)及び(I−2b)に於ける、
Xa、A1、Rx、Ry、Rz、Ra2〜Ra4、nは、一般式(I−1a)及び(I−
2a)に於ける、それらと同義である。
In general formulas (I-1b) and (I-2b),
Xa, A 1 , Rx, Ry, Rz, Ra 2 to Ra 4 , and n are represented by the general formulas (I-1a) and (I−
They are synonymous with those in 2a).

上記の重合性化合物は、下記式に示す方法により合成することができる。   Said polymeric compound is compoundable by the method shown to a following formula.

Figure 0005039424
Figure 0005039424

一般式(I)で表される基を有する重合性化合物は、新規化合物である。   The polymerizable compound having a group represented by the general formula (I) is a novel compound.

(B)成分は、更に、酸で分解し得る基(「酸分解性基」ともいう)を有する繰り返し単位を有することが好ましい。(B)成分は、酸分解性基を側鎖に有することがより好ましい。
(B)成分は、更に、脂環炭化水素構造を含有する酸分解性基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。
The component (B) preferably further has a repeating unit having a group capable of decomposing with an acid (also referred to as “acid-decomposable group”). The component (B) preferably has an acid-decomposable group in the side chain.
The component (B) preferably further has a repeating unit having an acid-decomposable group containing an alicyclic hydrocarbon structure.

酸分解性基として好ましい基は、−COOH基、−OH基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。
本発明においては、酸分解性基は、アセタール基又は3級エステル基が好ましい。
A preferable group as the acid-decomposable group is a group in which a hydrogen atom of —COOH group or —OH group is substituted with a group capable of leaving with an acid.
In the present invention, the acid-decomposable group is preferably an acetal group or a tertiary ester group.

酸分解性基として、より好ましくは、−COOH基、−OH基の水素原子を下記一般式
(pI)〜一般式(pV)で示される酸で脱離する基で置換した基が挙げられる。
More preferable examples of the acid-decomposable group include a —COOH group and a group in which the hydrogen atom of the —OH group is substituted with a group capable of leaving with an acid represented by the following general formula (pI) to general formula (pV).

Figure 0005039424
Figure 0005039424

一般式(pI)〜(pV)に於いて、
11は、直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。
Zは、炭素原子とともにシクロアルキル基を形成するのに必要な原子団を表す。
12〜R16は、各々独立に、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかはシクロアルキル基であることが好ましい。
17〜R21は、各々独立に、水素原子、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。但し、R17〜R21のうち少なくとも1つはシクロアルキル基であることが好ましい。また、R19及びR21のいずれかは、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。
22〜R25は、各々独立に、水素原子、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。但し、R22〜R25のうち少なくとも1つはシクロアルキル基であることが好ましい。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。
In the general formulas (pI) to (pV),
R 11 represents a linear or branched alkyl group.
Z represents an atomic group necessary for forming a cycloalkyl group together with a carbon atom.
R 12 to R 16 each independently represents a linear or branched alkyl group or a cycloalkyl group. However, at least one of R 12 to R 14 , or any of R 15 and R 16 is preferably a cycloalkyl group.
R 17 to R 21 each independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group or a cycloalkyl group. However, at least one of R 17 to R 21 is preferably a cycloalkyl group. In addition, any one of R 19 and R 21 represents a linear or branched alkyl group or a cycloalkyl group.
R 22 to R 25 each independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group or a cycloalkyl group. However, at least one of R 22 to R 25 is preferably a cycloalkyl group. R 23 and R 24 may be bonded to each other to form a ring.

一般式(pI)〜(pV)において、R11〜R25におけるアルキル基としては、1〜4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基等を挙げることができる。 In the general formulas (pI) to (pV), the alkyl group in R 11 to R 25 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, n -Propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group and the like can be mentioned.

12〜R25におけるシクロアルキル基或いはZと炭素原子が形成するシクロアルキル基は、単環式でも、多環式でもよい。具体的には、炭素数5以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができる。その炭素数は6〜30個が好ましく、特に炭素数7〜25個が好ましい。 The cycloalkyl group represented by R 12 to R 25 or the cycloalkyl group formed by Z and the carbon atom may be monocyclic or polycyclic. Specific examples include groups having a monocyclo, bicyclo, tricyclo, tetracyclo structure or the like having 5 or more carbon atoms. The carbon number is preferably 6-30, and particularly preferably 7-25.

好ましいシクロアルキル基としては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、ノルボルニル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、テトラシクロドデカニル基、トリシクロデカニル基を挙げることができる。   Preferred cycloalkyl groups include adamantyl group, noradamantyl group, decalin residue, tricyclodecanyl group, tetracyclododecanyl group, norbornyl group, cedrol group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, A cyclodecanyl group and a cyclododecanyl group can be mentioned. More preferable examples include an adamantyl group, norbornyl group, cyclohexyl group, cyclopentyl group, tetracyclododecanyl group, and tricyclodecanyl group.

これらのアルキル基、シクロアルキル基は、更なる置換基を有していてもよい。アルキル基、シクロアルキル基の更なる置換基としては、アルキル基(炭素数1〜4)、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基(炭素数1〜4)、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基(炭素数2〜6)が挙げられる。上記のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基等が、更に有していてもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。   These alkyl groups and cycloalkyl groups may have a further substituent. As further substituents for alkyl groups and cycloalkyl groups, alkyl groups (1 to 4 carbon atoms), halogen atoms, hydroxyl groups, alkoxy groups (1 to 4 carbon atoms), carboxyl groups, alkoxycarbonyl groups (2 to 2 carbon atoms). 6). Examples of the substituent that the alkyl group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group and the like may further have include a hydroxyl group, a halogen atom, and an alkoxy group.

一般式(pI)〜(pV)で表される構造で保護されたアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式(pA)で表される繰り返し単位が好ましい。   As the repeating unit having an alkali-soluble group protected by a structure represented by the general formulas (pI) to (pV), a repeating unit represented by the following general formula (pA) is preferable.

Figure 0005039424
Figure 0005039424

一般式(pA)に於いて、
Rは、水素原子、ハロゲン原子又は直鎖もしくは分岐のアルキル基(好ましくは1〜4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基)を表す。複数のRは、各々同じでも異なっていてもよい。
Aは、単結合、アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルホンアミド基、ウレタン基、又はウレア基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表す。好ましくは、単結合、−COO−CH2−である。
Rp1は、上記一般式(pI)〜(pV)のいずれかの基を表す。
In the general formula (pA),
R represents a hydrogen atom, a halogen atom or a linear or branched alkyl group (preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms). A plurality of R may be the same or different.
A represents a single bond, an alkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester group, an amide group, a sulfonamide group, a urethane group, or a urea group, or a combination of two or more groups. Represents. A single bond and —COO—CH 2 — are preferable.
Rp 1 represents any one of the general formulas (pI) to (pV).

一般式(pA)で表される繰り返し単位は、特に好ましくは、2−アルキル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート、ジアルキル(1−アダマンチル)メチル(メタ)アクリレートによる繰り返し単位である。   The repeating unit represented by the general formula (pA) is particularly preferably a repeating unit composed of 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate and dialkyl (1-adamantyl) methyl (meth) acrylate.

一般式(pA)で表される繰り返し単位の含有量は、ポリマー中の全繰り返し単位に対し、1〜60mol%が好ましく、より好ましくは5〜50mol%、更に好ましくは10〜50mol%である。   As for content of the repeating unit represented by general formula (pA), 1-60 mol% is preferable with respect to all the repeating units in a polymer, More preferably, it is 5-50 mol%, More preferably, it is 10-50 mol%.

以下、一般式(pA)で示される繰り返し単位の具体例を示すが、本発明は、これに限定されるものではない。   Hereinafter, although the specific example of the repeating unit shown by general formula (pA) is shown, this invention is not limited to this.

Figure 0005039424
Figure 0005039424

具体例中、Rxは、H、CH3、CF3又はCH2OHを表し、Rxa及びRxbは、それぞれ独立に、炭素数1〜4のアルキル基を表す。 In specific examples, Rx represents H, CH 3 , CF 3, or CH 2 OH, and Rxa and Rxb each independently represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

(B)成分は、更に、ラクトン構造を有する繰り返し単位を有することが好ましい。ラクトン構造としては、ラクトン構造を有していればいずれの構造でも用いることができるが、好ましくは5〜7員環ラクトン構造であり、5〜7員環ラクトン構造に多環構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式(LC1−1)〜(LC1−16)のいずれかで表されるラクトン構造がより好ましい。また、ラ
クトン構造を有する基が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としては、一般式(LC1−1)、(LC1−4)、(LC1−5)、(LC1−6)、(LC1−13)、(LC1−14)であり、特定のラクトン構造を用いることでラインエッジラフネス、現像欠陥が良好になる。
The component (B) preferably further has a repeating unit having a lactone structure. As the lactone structure, any structure can be used as long as it has a lactone structure, but it is preferably a 5- to 7-membered ring lactone structure, and a 5- to 7-membered ring lactone structure has a polycyclic structure or a spiro structure. Those in which other ring structures are condensed in the form to be formed are preferred. A lactone structure represented by any of the following general formulas (LC1-1) to (LC1-16) is more preferable. Further, a group having a lactone structure may be directly bonded to the main chain. Preferable lactone structures are general formulas (LC1-1), (LC1-4), (LC1-5), (LC1-6), (LC1-13), (LC1-14), and a specific lactone structure By using, line edge roughness and development defects are improved.

Figure 0005039424
Figure 0005039424

ラクトン構造部分は、置換基(Rb2)を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基(Rb2)としては、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数4〜7のシクロアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数1〜8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。特に好ましくは、シアノ基で置換されたラクトン構造である。n2は、0〜4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在する置換基(Rb2)は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基(Rb2)同士が結合して環を形成してもよい。 The lactone structure moiety may or may not have a substituent (Rb 2 ). Preferred substituents (Rb 2 ) include an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 7 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 1 to 8 carbon atoms, and a carboxyl group. , Halogen atom, hydroxyl group, cyano group, acid-decomposable group and the like. Particularly preferred is a lactone structure substituted with a cyano group. n2 represents an integer of 0 to 4. When n2 is 2 or more, a plurality of substituents (Rb 2 ) may be the same or different, and a plurality of substituents (Rb 2 ) may be bonded to form a ring.

一般式(LC1−1)〜(LC1−16)のいずれかで表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位としては、下記一般式(AI)で表される繰り返し単位を挙げることができる。   Examples of the repeating unit having a group having a lactone structure represented by any of the general formulas (LC1-1) to (LC1-16) include a repeating unit represented by the following general formula (AI).

Figure 0005039424
Figure 0005039424

一般式(AI)に於いて、
Rb0は、水素原子、ハロゲン原子、又はアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。
Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。
Rb0は、水素原子、メチル基が好ましい。
Abは、単結合、アルキレン基、単環若しくは多環の脂環炭化水素構造を有する2価の連結基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボキシル基、又はこれらを組み合わせた2価の基を表す。
好ましくは、単結合、−Ab1−CO2−で表される連結基である。Ab1は、直鎖若しくは分岐アルキレン基、単環若しくは多環のシクロアルキレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基である。
Vは、一般式(LC1−1)〜(LC1−16)のうちのいずれかで示される基を表す。
In general formula (AI),
Rb 0 represents a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl group (preferably having 1 to 4 carbon atoms). Preferred substituents that the alkyl group represented by Rb 0 may have include a hydroxyl group and a halogen atom.
Examples of the halogen atom for Rb 0 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
Rb 0 is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
Ab represents a single bond, an alkylene group, a divalent linking group having a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure, an ether group, an ester group, a carbonyl group, a carboxyl group, or a divalent group obtained by combining these. Represent.
A linking group represented by a single bond or —Ab 1 —CO 2 — is preferable. Ab 1 is a linear or branched alkylene group, a monocyclic or polycyclic cycloalkylene group, and preferably a methylene group, an ethylene group, a cyclohexyl group, an adamantyl group, or a norbornyl group.
V represents a group represented by any one of the general formulas (LC1-1) to (LC1-16).

ラクトン構造を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度(ee)が90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。   The repeating unit having a lactone structure usually has an optical isomer, but any optical isomer may be used. One optical isomer may be used alone, or a plurality of optical isomers may be mixed and used. When one kind of optical isomer is mainly used, the optical purity (ee) thereof is preferably 90 or more, more preferably 95 or more.

ラクトン構造を有する繰り返し単位の含有量は、ポリマー中の全繰り返し単位に対し、15〜60mol%が好ましく、より好ましくは20〜50mol%、更に好ましくは30〜50mol%である。   The content of the repeating unit having a lactone structure is preferably from 15 to 60 mol%, more preferably from 20 to 50 mol%, still more preferably from 30 to 50 mol%, based on all repeating units in the polymer.

好ましいラクトン構造を有する繰り返し単位の具体例としては、下記の繰り返し単位が挙げられるが、本発明は、これに限定されるものではない。   Specific examples of the repeating unit having a preferred lactone structure include the following repeating units, but the present invention is not limited thereto.

Figure 0005039424
Figure 0005039424

(B)成分は、極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位を有していることが好ましい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。極性基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。極性基としては水酸基、シアノ基が好ましい。好ましい極性基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式(VIIa)〜(VIId)で表される構造が好ましい。   The component (B) preferably has a repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure substituted with a polar group. This improves the substrate adhesion and developer compatibility. The alicyclic hydrocarbon structure in the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a polar group is preferably an adamantyl group, a diamantyl group, or a norbornane group. The polar group is preferably a hydroxyl group or a cyano group. As the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a preferable polar group, structures represented by the following general formulas (VIIa) to (VIId) are preferable.

Figure 0005039424
Figure 0005039424

一般式(VIIa)〜(VIIc)に於いて、
2c〜R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c〜R4cのうち少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c〜R4cのうち1つまたは2つが水酸基で、残りが水素原子である。一般式(VIIa)において、更に好ましくはR2c〜R4cのうち2つが水酸基で、残りが水素原子である。
In general formulas (VIIa) to (VIIc),
R 2c to R 4c each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group or a cyano group. However, at least one of R 2c to R 4c represents a hydroxyl group or a cyano group. Preferably, one or two of R 2c to R 4c are a hydroxyl group and the rest are hydrogen atoms. In general formula (VIIa), it is more preferable that two members out of R 2c to R 4c are hydroxyl groups and the remaining are hydrogen atoms.

一般式(VIIa)〜(VIId)で表される基を有する繰り返し単位としては、下記一般式(AIIa)〜(AIId)で表される繰り返し単位を挙げることができる。   Examples of the repeating units having groups represented by general formulas (VIIa) to (VIId) include the repeating units represented by the following general formulas (AIIa) to (AIId).

Figure 0005039424
Figure 0005039424

一般式(AIIa)〜(AIId)に於いて、
1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
2c〜R4cは、一般式(VIIa)〜(VIIc)に於ける、R2c〜R4cと同義である。
In the general formulas (AIIa) to (AIId),
R 1c represents a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group or a hydroxymethyl group.
R 2c to R 4c are in the general formula (VIIa) ~ (VIIc), same meanings as R 2c to R 4c.

極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位の含有量は、ポリマー中の全繰り返し単位に対し、5〜40mol%が好ましく、より好ましくは5〜30mol%、更に好ましくは10〜25mol%である。   The content of the repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure substituted with a polar group is preferably 5 to 40 mol%, more preferably 5 to 30 mol%, still more preferably 10 to 25 mol based on all repeating units in the polymer. %.

一般式(AIIa)〜(AIId)で表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。   Specific examples of the repeating units represented by the general formulas (AIIa) to (AIId) are given below, but the present invention is not limited thereto.

Figure 0005039424
Figure 0005039424

(B)成分は、下記一般式(VIII)で表される繰り返し単位を有してもよい。   The component (B) may have a repeating unit represented by the following general formula (VIII).

Figure 0005039424
Figure 0005039424

一般式(VIII)に於いて、
2は、−O−又は−N(R41)−を表す。R41は、水素原子、水酸基、アルキル基又は−OSO2−R42を表す。R42は、アルキル基、シクロアルキル基又は樟脳残基を表す。R41及びR42のアルキル基は、ハロゲン原子(好ましくはフッ素原子)等で置換されていてもよい。
In general formula (VIII):
Z 2 represents —O— or —N (R 41 ) —. R 41 represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, or —OSO 2 —R 42 . R 42 represents an alkyl group, a cycloalkyl group or a camphor residue. The alkyl group of R 41 and R 42 may be substituted with a halogen atom (preferably a fluorine atom) or the like.

一般式(VIII)で表される繰り返し単位として、以下の具体例が挙げられるが、
本発明はこれらに限定されない。
Examples of the repeating unit represented by the general formula (VIII) include the following specific examples.
The present invention is not limited to these.

Figure 0005039424
Figure 0005039424

(B)成分は、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。アルカリ可溶性基としては、カルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビスルスルホニルイミド基、α位が電子吸引性基で置換された脂肪族アルコール(好ましくは下記一般式(F1)で表される構造)が挙げられ、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。   The component (B) preferably has a repeating unit having an alkali-soluble group. Examples of the alkali-soluble group include a carboxyl group, a sulfonamide group, a sulfonylimide group, a bisulsulfonylimide group, and an aliphatic alcohol in which the α-position is substituted with an electron-withdrawing group (preferably a structure represented by the following general formula (F1) And a repeating unit having a carboxyl group is more preferable.

Figure 0005039424
Figure 0005039424

一般式(F1)に於いて、
50〜R55は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。但し、
50〜R55の内、少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R50〜R55は、全てがフッ素原子であることが好ましい。
In general formula (F1),
R 50 to R 55 each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom or an alkyl group. However,
At least one of R 50 to R 55 represents a fluorine atom or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom. R 50 to R 55 are preferably all fluorine atoms.

アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、さらにはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環または多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。   By containing the repeating unit having an alkali-soluble group, the resolution in contact hole applications is increased. The repeating unit having an alkali-soluble group includes a repeating unit in which an alkali-soluble group is directly bonded to the main chain of the resin, such as a repeating unit of acrylic acid or methacrylic acid, or an alkali in the main chain of the resin through a linking group. Either a repeating unit to which a soluble group is bonded, or a polymerization initiator or chain transfer agent having an alkali-soluble group is used at the time of polymerization and introduced at the end of the polymer chain, and the linking group is monocyclic or polycyclic. It may have a cyclic hydrocarbon structure. Particularly preferred are repeating units of acrylic acid or methacrylic acid.

アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の含有量は、ポリマー中の全繰り返し単位に対し、1〜20mol%が好ましく、より好ましくは3〜15mol%、更に好ましくは5〜10mol%である。   As for content of the repeating unit which has an alkali-soluble group, 1-20 mol% is preferable with respect to all the repeating units in a polymer, More preferably, it is 3-15 mol%, More preferably, it is 5-10 mol%.

アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。   Specific examples of the repeating unit having an alkali-soluble group are shown below, but the present invention is not limited thereto.

Figure 0005039424
Figure 0005039424

(B)成分は、更に、脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有してもよい。これにより液浸露光時にレジスト膜から液浸液への低分子成分の溶出が低減できる。このような繰り返し単位として、例えば、1−アダマンチル(メタ)アクリレート、トリシクロデカニル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレートなどによる繰り返し単位が挙げられる。   The component (B) may further have a repeating unit that has an alicyclic hydrocarbon structure and does not exhibit acid decomposability. This can reduce the elution of low molecular components from the resist film to the immersion liquid during immersion exposure. Examples of such a repeating unit include repeating units of 1-adamantyl (meth) acrylate, tricyclodecanyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, and the like.

(B)成分は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらにレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を含有することができる
In addition to the above repeating structural units, component (B) adjusts dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, resist profile, and general required properties of resist, such as resolution, heat resistance, and sensitivity. For this purpose, various repeating structural units can be contained.

その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。   In addition, any addition-polymerizable unsaturated compound that can be copolymerized with monomers corresponding to the above various repeating structural units may be copolymerized.

(B)成分において、各繰り返し構造単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらにはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。   In the component (B), the content molar ratio of each repeating structural unit is the resist dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, resist profile, and general resist performance required for resolution, heat resistance, and sensitivity. It is set appropriately in order to adjust etc.

(B)成分中、酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中10〜60モル%が好ましく、より好ましくは20〜50モル%、更に好ましくは25〜40モル%である。   In the component (B), the content of the repeating unit having an acid-decomposable group is preferably 10 to 60 mol%, more preferably 20 to 50 mol%, still more preferably 25 to 40 mol% in all repeating structural units. is there.

本発明の組成物がArF露光用であるとき、ArF光への透明性の点から樹脂は芳香族基を有さないことが好ましい。   When the composition of the present invention is for ArF exposure, the resin preferably has no aromatic group from the viewpoint of transparency to ArF light.

(B)成分として、好ましくは、繰り返し単位のすべてが(メタ)アクリレート系繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位、繰り返し単位のすべてがアクリレート系繰り返し単位、メタクリレート系繰り返し単位/アクリレート系繰り返し単位の混合のいずれのものでも用いることができるが、アクリレート系繰り返し単位が全繰り返し単位の50mol%以下であることが好ましい。   (B) As a component, Preferably, all the repeating units are comprised by the (meth) acrylate type repeating unit. In this case, all of the repeating units can be used as methacrylate repeating units, all of the repeating units can be used as acrylate repeating units, and a mixture of methacrylate repeating units / acrylate repeating units. It is preferable that it is 50 mol% or less of all repeating units.

より好ましくは一般式(I)で表される基を有する繰り返し単位1〜50mol%、他の酸分解性基を有する繰り返し単位(好ましくは、下記一般式(ARA−1)〜(ARA−5)で表される酸分解性基を有する繰り返し単位)20〜50mol%、ラクトン構造を有する繰り返し単位(好ましくは、下記一般式(ARL−1)〜(ARL−7)で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位)20〜50mol%、極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位(好ましくは、下記一般式(ARH−1)〜(ARH−3)で表される極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位)5〜30mol%有する共重合ポリマー、または更にその他の繰り返し単位を0〜20mol%有する共重合ポリマーである。
(式中、Rxy1は、水素原子またはメチル基、Rxa1及びRxb1は、各々独立に、メチル基またはエチル基を表す。)
More preferably 1 to 50 mol% of the repeating unit having a group represented by the general formula (I), and a repeating unit having another acid-decomposable group (preferably the following general formulas (ARA-1) to (ARA-5) Having a lactone structure represented by the following general formulas (ARL-1) to (ARL-7), preferably 20 to 50 mol%, a repeating unit having a lactone structure (Repeating unit) 20 to 50 mol%, a repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure substituted with a polar group (preferably substituted with a polar group represented by the following general formulas (ARH-1) to (ARH-3)) A copolymer having 5 to 30 mol% of a repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure), or a copolymer having 0 to 20 mol% of another repeating unit.
(In the formula, Rxy 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, and Rxa 1 and Rxb 1 each independently represents a methyl group or an ethyl group.)

Figure 0005039424
Figure 0005039424

Figure 0005039424
Figure 0005039424

本発明のポジ型感光性組成物を多層レジストの上層レジストに使用する場合に、(B)成分は、一般式(I)で表される基を有する繰り返し単位の他に、シリコン原子を有することが好ましい。   When the positive photosensitive composition of the present invention is used for an upper resist of a multilayer resist, the component (B) has a silicon atom in addition to the repeating unit having a group represented by the general formula (I). Is preferred.

シリコン原子を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大する樹脂としては、シリコン原子を主鎖及び側鎖の少なくとも一方に有する樹脂を用いることができる。樹脂の側鎖にシロキサン構造を有する樹脂として、例えば、一般式(I)で表される基を有する繰り返し単位、シリコン原子を側鎖に有するオレフィン系単量体、無水マレイン酸及び酸分解性基を側鎖に有する(メタ)アクリル酸系単量体の共重合体を挙げることができる。
シリコン原子を有する樹脂としては、トリアルキルシリル構造、単環または多環の環状シロキサン構造を有する樹脂が好ましく、下記一般式(SS−1)〜(SS−4)で表される構造を有する繰り返し単位を有する樹脂がより好ましく、一般式(SS−1)〜(SS−4)で表される構造を有する、(メタ)アクリル酸エステル系繰り返し単位、ビニル系繰り返し単位またはアリル系繰り返し単位を有することがより好ましい。
As the resin having a silicon atom and decomposing by the action of an acid to increase the solubility in an alkaline developer, a resin having a silicon atom in at least one of a main chain and a side chain can be used. Examples of the resin having a siloxane structure in the side chain of the resin include, for example, a repeating unit having a group represented by the general formula (I), an olefin monomer having a silicon atom in the side chain, maleic anhydride, and an acid-decomposable group. And a copolymer of a (meth) acrylic acid monomer having a side chain.
The resin having a silicon atom is preferably a resin having a trialkylsilyl structure or a monocyclic or polycyclic siloxane structure, and has a structure represented by the following general formulas (SS-1) to (SS-4). A resin having a unit is more preferable, and has a (meth) acrylate-based repeating unit, a vinyl-based repeating unit, or an allyl-based repeating unit having a structure represented by General Formulas (SS-1) to (SS-4). It is more preferable.

Figure 0005039424
Figure 0005039424

一般式(SS−1)〜(SS−4)中、Rsは炭素数1〜5のアルキル基を表し、好ましくはメチル基、エチル基である。   In general formulas (SS-1) to (SS-4), Rs represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a methyl group or an ethyl group.

シリコン原子を有する樹脂は、異なる2種類以上のシリコン原子を有する繰り返し単位を有することが好ましく、より好ましくは(Sa)シリコン原子を1〜4個有する繰り返し単位と(Sb)シリコン原子を5〜10個有する繰り返し単位の両方を有する樹脂であり、更により好ましくは一般式(SS−1)〜(SS−3)で表される構造を有する少なくとも1種類の繰り返し単位と一般式(SS−4)で表される構造を有する繰り返し単位を有する樹脂である。   The resin having a silicon atom preferably has a repeating unit having two or more different types of silicon atoms, more preferably (Sa) a repeating unit having 1 to 4 silicon atoms and (Sb) 5 to 10 silicon atoms. A resin having both of the repeating units, and more preferably, at least one repeating unit having a structure represented by formulas (SS-1) to (SS-3) and formula (SS-4). It is resin which has a repeating unit which has the structure represented by these.

一般式(I)で表される基を有する繰り返し単位(B1)を有する樹脂は、新規化合物である。   The resin having a repeating unit (B1) having a group represented by the general formula (I) is a novel compound.

(B)成分は、常法に従って(例えばラジカル重合)合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種および開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1〜10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、さらには後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明のポジ型感光性組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明のポジ型感光性組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。
重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤(アゾ系開始剤、パーオキサイドなど)を用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2‘−アゾビス(2−メチルプロピオネート)などが挙げられる。重合開始剤とともにチオール化合物などの連鎖移動剤を併用してもよい。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5〜50質量%であり、好ましくは10〜30質量%である。反応温度は、通常10℃〜150℃であり、好ましくは30℃〜120℃、さらに好ましくは60〜100℃である。
(B)成分の重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000〜200,000であり、更に好ましくは3,000〜20,000、特に好ましくは5,000〜15,000である。重量平均分子量を、1,000〜200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、且つ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。
分子量分布(Mw/Mn)は、通常1〜5であり、好ましくは1〜2、更に好ましくは1.3〜2の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、且つレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。
The component (B) can be synthesized according to a conventional method (for example, radical polymerization). For example, as a general synthesis method, a monomer polymerization method in which a monomer species and an initiator are dissolved in a solvent and the polymerization is performed by heating, and a solution of the monomer species and the initiator is dropped into the heating solvent over 1 to 10 hours. The dropping polymerization method is added, and the dropping polymerization method is preferable. Examples of the reaction solvent include ethers such as tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, diisopropyl ether, ketones such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, ester solvents such as ethyl acetate, amide solvents such as dimethylformamide and dimethylacetamide, Furthermore, the solvent which melt | dissolves the positive photosensitive composition of this invention like the below-mentioned propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, and cyclohexanone is mentioned. More preferably, the polymerization is performed using the same solvent as the solvent used in the positive photosensitive composition of the present invention. Thereby, the generation of particles during storage can be suppressed.
The polymerization reaction is preferably performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen or argon. As a polymerization initiator, a commercially available radical initiator (azo initiator, peroxide, etc.) is used to initiate the polymerization. As the radical initiator, an azo initiator is preferable, and an azo initiator having an ester group, a cyano group, or a carboxyl group is preferable. Preferred examples of the initiator include azobisisobutyronitrile, azobisdimethylvaleronitrile, dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate) and the like. A chain transfer agent such as a thiol compound may be used in combination with the polymerization initiator. If desired, an initiator is added or added in portions, and after completion of the reaction, it is put into a solvent and a desired polymer is recovered by a method such as powder or solid recovery. The concentration of the reaction is 5 to 50% by mass, preferably 10 to 30% by mass. The reaction temperature is usually 10 ° C to 150 ° C, preferably 30 ° C to 120 ° C, more preferably 60-100 ° C.
The weight average molecular weight of the component (B) is preferably 1,000 to 200,000, more preferably 3,000 to 20,000, and particularly preferably 5,000 to 15,5,000 as a polystyrene-converted value by the GPC method. 000. By setting the weight average molecular weight to 1,000 to 200,000, deterioration of heat resistance and dry etching resistance can be prevented, developability is deteriorated, and viscosity is increased, resulting in deterioration of film forming property. Can be prevented.
The molecular weight distribution (Mw / Mn) is usually 1 to 5, preferably 1 to 2, more preferably 1.3 to 2. The smaller the molecular weight distribution, the better the resolution and the resist shape, and the smoother the side wall of the resist pattern, the better the roughness.

本発明のポジ型感光性組成物において、本発明に係わる(B)成分のポジ型感光性組成物全体中の配合量は、全固形分中60〜99質量%が好ましく、より好ましくは80〜98質量%である。
また、本発明において、(B)成分は、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。
In the positive photosensitive composition of the present invention, the blending amount of the component (B) according to the present invention in the entire positive photosensitive composition is preferably from 60 to 99 mass%, more preferably from 80 to 99 mass% based on the total solid content. It is 98 mass%.
In the present invention, the component (B) may be used alone or in combination.

アルカリ可溶性基、親水基、酸分解性基から選ばれるすくなくとも1つを有する、分子量3000以下の溶解制御化合物
本発明のポジ型感光性組成物には、アルカリ可溶性基、親水基、酸分解性基から選ばれるすくなくとも1つを有する、分子量3000以下の溶解制御化合物(以下、「溶解制御化合物」ともいう)を加えてもよい。
溶解制御化合物としては、カルボキシル基、スルホニルイミド基、α位がフロロアルキル基で置換された水酸基などのようなアルカリ可溶性基を有する化合物、水酸基やラクトン基、シアノ基、アミド基、ピロリドン基、スルホンアミド基、などの親水性基を有する化合物、または酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基または親水性基を放出する基を含有する化合物が好ましい。酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基または親水性基を放出する基としては、カルボキシル基あるいは水酸基を酸脱離性基で保護した基が好ましい。溶解制御化合物としては220nm以下の透過性を低下させないため、芳香環を有さない化合物を用いるか、芳香環を有する化合物を用いる場合には、芳香環を有する化合物をポジ型感光性組成物の固形分に対し20wt%以下の添加量で用いることが好ましい。
好ましい溶解制御化合物としてはアダマンタン(ジ)カルボン酸、ノルボルナンカルボン酸、コール酸などの脂環炭化水素構造を有するカルボン酸化合物、またはそのカルボン酸を酸脱離性基で保護した化合物、糖類などのポリオール、またはその水酸基を酸脱離性基で保護した化合物が好ましい。
Dissolution control compound having a molecular weight of 3000 or less, having at least one selected from an alkali-soluble group, a hydrophilic group, and an acid-decomposable group. The positive photosensitive composition of the present invention includes an alkali-soluble group, a hydrophilic group, and an acid-decomposable group. A dissolution controlling compound having a molecular weight of 3000 or less (hereinafter also referred to as “solubility controlling compound”) having at least one selected from
Examples of the dissolution control compound include a carboxyl group, a sulfonylimide group, a compound having an alkali-soluble group such as a hydroxyl group substituted at the α-position with a fluoroalkyl group, a hydroxyl group, a lactone group, a cyano group, an amide group, a pyrrolidone group, a sulfone group. A compound having a hydrophilic group such as an amide group or a compound containing a group capable of decomposing by the action of an acid to release an alkali-soluble group or a hydrophilic group is preferable. The group capable of decomposing by the action of an acid to release an alkali-soluble group or a hydrophilic group is preferably a group in which a carboxyl group or a hydroxyl group is protected with an acid-eliminable group. In order not to lower the transmittance of 220 nm or less as the dissolution controlling compound, when a compound having no aromatic ring is used or a compound having an aromatic ring is used, the compound having an aromatic ring is used as a positive photosensitive composition. It is preferable to use it in an addition amount of 20 wt% or less with respect to the solid content.
Preferred dissolution control compounds include carboxylic acid compounds having an alicyclic hydrocarbon structure such as adamantane (di) carboxylic acid, norbornane carboxylic acid, and cholic acid, or compounds in which the carboxylic acid is protected with an acid leaving group, such as saccharides. A polyol or a compound in which a hydroxyl group thereof is protected with an acid leaving group is preferred.

溶解制御化合物の分子量は、3000以下であり、好ましくは300〜3000、更に好ましくは500〜2500である。   The molecular weight of the dissolution controlling compound is 3000 or less, preferably 300 to 3000, and more preferably 500 to 2500.

溶解制御化合物の添加量は、ポジ型感光性組成物の固形分に対し、好ましくは3〜40質量%であり、より好ましくは5〜20質量%である。   The addition amount of the dissolution control compound is preferably 3 to 40% by mass, more preferably 5 to 20% by mass, based on the solid content of the positive photosensitive composition.

以下に溶解制御化合物の具体例を示すが、本発明は、これらに限定されない。   Specific examples of the dissolution control compound are shown below, but the present invention is not limited thereto.

Figure 0005039424
Figure 0005039424

塩基性化合物
本発明のポジ型感光性組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減あるいは、露光によって発生した酸の膜中拡散性を制御するために、塩基性化合物を含有することが好ましい。
Basic Compound The positive photosensitive composition of the present invention contains a basic compound in order to reduce the change in performance over time from exposure to heating or to control the diffusibility of the acid generated by exposure in the film. Is preferred.

塩基性化合物としては含窒素塩基性化合物、オニウム塩化合物を挙げることができる。好ましい含窒素塩基性化合物構造として、下記一般式(A)〜(E)で示される部分構造を有する化合物を挙げることができる。   Examples of basic compounds include nitrogen-containing basic compounds and onium salt compounds. Preferable nitrogen-containing basic compound structures include compounds having partial structures represented by the following general formulas (A) to (E).

Figure 0005039424
Figure 0005039424

一般式(A)に於いて、
250、R251及びR252は、各々独立に、水素原子、アルキル基(好ましくは炭素数1〜20)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)又はアリール基(好ましくは炭素数6〜20)を表す。R250とR251は、互いに結合して環を形成してもよい。これらは、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基及びシクロアルキル基としては、アミノアルキル基(好ましくは炭素数1〜20)又はアミノシクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)、ヒドロキシアルキル基(好ましくは炭素数1〜20)又はヒドロキシシクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)が好ましい。
また、これらはアルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を含んでも良い。
一般式(E)に於いて、
253、R254、R255及びR256は、各々独立に、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数3〜6のシクロアルキル基を示す。
In general formula (A),
R 250 , R 251 and R 252 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms), a cycloalkyl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms) or an aryl group (preferably having 6 carbon atoms). ~ 20). R 250 and R 251 may combine with each other to form a ring. These may have a substituent, and as the alkyl group and cycloalkyl group having a substituent, an aminoalkyl group (preferably having a carbon number of 1 to 20) or an aminocycloalkyl group (preferably having a carbon number of 3 to 3). 20), a hydroxyalkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms) or a hydroxycycloalkyl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms) is preferable.
These may contain an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom in the alkyl chain.
In general formula (E),
R 253 , R 254 , R 255 and R 256 each independently represent an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 6 carbon atoms.

好ましい化合物として、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、ピペリジンを挙げることができ、置換基を有していてもよい。更に好ましい化合物として、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造又はピリジン構造を有する化合物、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体等を挙げることができる。   Preferable compounds include guanidine, aminopyrrolidine, pyrazole, pyrazoline, piperazine, aminomorpholine, aminoalkylmorpholine, and piperidine, and may have a substituent. More preferable compounds include compounds having an imidazole structure, a diazabicyclo structure, an onium hydroxide structure, an onium carboxylate structure, a trialkylamine structure, an aniline structure or a pyridine structure, an alkylamine derivative having a hydroxyl group and / or an ether bond, a hydroxyl group and / or Or the aniline derivative which has an ether bond etc. can be mentioned.

イミダゾール構造を有する化合物としては、イミダゾール、2、4、5−トリフェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール等が挙げられる。ジアザビシクロ構造を有する化合物としては、1、4−ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1、5−ジアザビシクロ[4,3,0]ノナ−5−エン、1、8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカ−7−エン等が挙げられる。オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としては、トリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルスルホニウムヒドロキシド、2−オキソアルキル基を有するスルホニウムヒドロキシド、具体的には、トリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリス(t−ブチルフェニル)スルホニウムヒドロキシド、ビス(t−ブチルフェニル)ヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド、2−オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシド等が挙げられる。オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としては、オニウムヒドロキシド構造を有する化合物のアニオン部がカルボキシレートになったものであり、例えば、アセテート、アダマンタン−1−カルボキシレート、パーフロロアルキルカルボキシレート等が挙げられる。トリアルキルアミン構造を有する化合物としては、トリ(n−ブチル)アミン、トリ(n−オクチル)アミン等を挙げることができる。アニリン化合物としては、2,6−ジイソプロピルアニリン、N,N−ジメチルアニリン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリス(メトキシエトキシエチル)アミン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体としては、N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アニリン等を挙げることができる。   Examples of the compound having an imidazole structure include imidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, and benzimidazole. Examples of the compound having a diazabicyclo structure include 1,4-diazabicyclo [2,2,2] octane, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] non-5-ene, and 1,8-diazabicyclo [5,4. 0] undec-7-ene and the like. Examples of the compound having an onium hydroxide structure include triarylsulfonium hydroxide, phenacylsulfonium hydroxide, sulfonium hydroxide having a 2-oxoalkyl group, specifically, triphenylsulfonium hydroxide, tris (t-butylphenyl). ) Sulfonium hydroxide, bis (t-butylphenyl) iodonium hydroxide, phenacylthiophenium hydroxide, 2-oxopropylthiophenium hydroxide, and the like. As the compound having an onium carboxylate structure, the anion portion of the compound having an onium hydroxide structure is converted to a carboxylate, and examples thereof include acetate, adamantane-1-carboxylate, and perfluoroalkylcarboxylate. . Examples of the compound having a trialkylamine structure include tri (n-butyl) amine and tri (n-octyl) amine. Examples of aniline compounds include 2,6-diisopropylaniline and N, N-dimethylaniline. Examples of the alkylamine derivative having a hydroxyl group and / or an ether bond include ethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, and tris (methoxyethoxyethyl) amine. Examples of aniline derivatives having a hydroxyl group and / or an ether bond include N, N-bis (hydroxyethyl) aniline.

これらの塩基性化合物は、単独であるいは2種以上で用いられる。塩基性化合物の使用量は、ポジ型感光性組成物の固形分を基準として、通常0.001〜10質量%、好ましくは0.01〜5質量%である。十分な添加効果を得る上で0.001質量%以上が好ましく、感度や非露光部の現像性の点で10質量%以下が好ましい。   These basic compounds are used alone or in combination of two or more. The usage-amount of a basic compound is 0.001-10 mass% normally based on solid content of a positive photosensitive composition, Preferably it is 0.01-5 mass%. In order to obtain a sufficient addition effect, 0.001% by mass or more is preferable, and 10% by mass or less is preferable in terms of sensitivity and developability of the non-exposed area.

フッ素及び/又はシリコン系界面活性剤
本発明のポジ型感光性組成物は、更に、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤(フッ素系界面活性剤及びシリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を含有する界面活性剤)のいずれか、あるいは2種以上を含有することが好ましい。
Fluorine and / or silicon surfactant The positive photosensitive composition of the present invention further comprises a fluorine and / or silicon surfactant (fluorine surfactant and silicon surfactant, fluorine atom and silicon atom). It is preferable to contain any one of these, or two or more of them.

本発明のポジ型感光性組成物が、フッ素及び/又はシリコン系界面活性剤とを含有することにより、250nm以下、特に220nm以下の露光光源の使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを与えることが可能となる。   When the positive photosensitive composition of the present invention contains fluorine and / or a silicon-based surfactant, the adhesiveness and the resolution can be improved with good sensitivity and resolution when using an exposure light source of 250 nm or less, particularly 220 nm or less. A resist pattern with few development defects can be provided.

フッ素及び/又はシリコン系界面活性剤として、例えば、特開昭62−36663号公報、特開昭61−226746号公報、特開昭61−226745号公報、特開昭62−170950号公報、特開昭63−34540号公報、特開平7−230165号公報、特開平8−62834号公報、特開平9−54432号公報、特開平9−5988号公報、特開2002−277862号公報、米国特許第5405720号明細書、同5360692号明細書、同5529881号明細書、同5296330号明細書、同5436098号明細書、同5576143号明細書、同5294511号明細書、同5824451号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、下記市販の界面活性剤をそのまま用いることもできる。   Examples of the fluorine and / or silicon surfactant include, for example, JP-A-62-36663, JP-A-61-226746, JP-A-61-226745, JP-A-62-170950, Japanese Unexamined Patent Publication No. 63-34540, Japanese Unexamined Patent Publication No. 7-230165, Japanese Unexamined Patent Publication No. 8-62834, Japanese Unexamined Patent Publication No. 9-54432, Japanese Unexamined Patent Publication No. 9-5988, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-277862, US Patent 5,405,720, 5,360,692, 5,529,881, 5,296,330, 5,436,098, 5,576,143, 5,294,511, 5,824,451 Activators can be mentioned, and the following commercially available surfactants can be used as they are.

使用できる市販の界面活性剤として、例えば、エフトップEF301、EF303、(新秋田化成(株)製)、フロラードFC430、431(住友スリーエム(株)製)、メガファックF171、F173、F176、F189、R08(大日本インキ化学工業(株)製)、サーフロンS−382、SC101、102、103、104、105、106(旭硝子(株)製)、トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)もシリコン系界面活性剤として用いることができる。   Examples of commercially available surfactants that can be used include F-top EF301 and EF303 (manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Florard FC430 and 431 (manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), MegaFuck F171, F173, F176, F189, R08 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.), Surflon S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106 (Asahi Glass Co., Ltd.), Troisol S-366 (Troy Chemical Co., Ltd.), etc. Fluorine-based surfactant or silicon-based surfactant. Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can also be used as a silicon-based surfactant.

界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法(テロマー法ともいわれる)もしくはオリゴメリゼーション法(オリゴマー法ともいわれる)により製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開2002−90991号公報に記載された方法によって合成することが出来る。   Surfactants were derived from fluoroaliphatic compounds produced by the telomerization method (also referred to as the telomer method) or the oligomerization method (also referred to as the oligomer method) in addition to the known ones as described above. A surfactant using a polymer having a fluoroaliphatic group can be used. The fluoroaliphatic compound can be synthesized by the method described in JP-A-2002-90991.

フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート及び/又は(ポリ(オキシアルキレン))メタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布していても、ブロック共重合していてもよい。また、ポリ(オキシアルキレン)基としては、ポリ(オキシエチレン)基、ポリ(
オキシプロピレン)基、ポリ(オキシブチレン)基などが挙げられ、また、ポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体)やポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体)など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体は2元共重合体ばかりでなく、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる2種以上の(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)などを同時に共重合した3元系以上の共重合体でもよい。
As the polymer having a fluoroaliphatic group, a copolymer of a monomer having a fluoroaliphatic group and (poly (oxyalkylene)) acrylate and / or (poly (oxyalkylene)) methacrylate is preferable and distributed irregularly. It may be block copolymerized. In addition, poly (oxyalkylene) groups include poly (oxyethylene) groups, poly (oxyethylene) groups,
Oxypropylene) group, poly (oxybutylene) group, etc., and the same such as poly (block connection body of oxyethylene, oxypropylene and oxyethylene) and poly (block connection body of oxyethylene and oxypropylene) It may be a unit having different chain length alkylenes in the chain length. Furthermore, a copolymer of a monomer having a fluoroaliphatic group and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate) is not only a binary copolymer but also a monomer having two or more different fluoroaliphatic groups, Further, it may be a ternary or higher copolymer obtained by simultaneously copolymerizing two or more different (poly (oxyalkylene)) acrylates (or methacrylates).

例えば、市販の界面活性剤として、メガファックF178、F−470、F−473、F−475、F−476、F−472(大日本インキ化学工業(株)製)を挙げることができる。さらに、C613基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C613基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C817基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C817基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、などを挙げることができる。 Examples of commercially available surfactants include Megafac F178, F-470, F-473, F-475, F-476, and F-472 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.). Further, a copolymer of an acrylate (or methacrylate) having a C 6 F 13 group and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate), an acrylate (or methacrylate) having a C 6 F 13 group and (poly (oxy) (Ethylene)) acrylate (or methacrylate) and (poly (oxypropylene)) acrylate (or methacrylate) copolymer, acrylate (or methacrylate) and (poly (oxyalkylene)) acrylate having C 8 F 17 groups (or Copolymer of acrylate (or methacrylate), (poly (oxyethylene)) acrylate (or methacrylate), and (poly (oxypropylene)) acrylate (or methacrylate) having a C 8 F 17 group Coalesce, etc. Can.

フッ素及び/又はシリコン系界面活性剤の使用量は、ポジ型感光性組成物の全量(溶剤を除く)に対して、好ましくは0.0001〜2質量%、より好ましくは0.001〜1質量%である。   The amount of fluorine and / or silicon-based surfactant used is preferably 0.0001 to 2% by mass, more preferably 0.001 to 1% by mass, based on the total amount of the positive photosensitive composition (excluding the solvent). %.

表面疎水化樹脂
本発明のポジ型感光性組成物からなるレジスト膜を、液浸水を介して露光する場合には、必要に応じてさらに表面疎水化樹脂を添加することができる。これにより、レジスト膜表面の後退接触角を向上させ、液浸水追随性をよくすることができる。表面疎水化樹脂としては、表面の後退接触角が添加することにより向上する樹脂であれば何でもよいが、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂であることが好ましい。添加量は、レジスト膜の後退接触角が60°〜80°になるよう適宜調整して使用できるが、ポジ型感光性組成物の全量(溶剤を除く)に対して、好ましくは0.1〜5質量%である。
Surface Hydrophobic Resin When the resist film made of the positive photosensitive composition of the present invention is exposed through immersion water, a surface hydrophobizing resin can be further added as necessary. Thereby, the receding contact angle on the resist film surface can be improved and the immersion water followability can be improved. As the surface hydrophobizing resin, any resin can be used as long as the receding contact angle of the surface can be improved by addition, but a resin having at least one of fluorine atom and silicon atom is preferable. The addition amount can be appropriately adjusted and used so that the receding contact angle of the resist film is 60 ° to 80 °, but is preferably 0.1 to the total amount of the positive photosensitive composition (excluding the solvent). 5% by mass.

有機溶剤
本発明のポジ型感光性組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤に溶解して用いる。
使用し得る有機溶剤としては、例えば、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等を挙げることができる。
Organic Solvent The positive photosensitive composition of the present invention is used by dissolving the above components in a predetermined organic solvent.
Examples of the organic solvent that can be used include ethylene dichloride, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, γ-butyrolactone, methyl ethyl ketone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methoxyethyl acetate, ethylene glycol monoethyl. Ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, toluene, ethyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, N, N -Dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone, tetrahydrofuran, etc.

本発明において、有機溶剤としては、単独で用いても混合して用いても良いが、異なる官能基を有する2種以上の溶剤を含有する混合溶剤を用いることが好ましい。これにより素材の溶解性が高まり、経時におけるパーティクルの発生が抑制できるだけでなく、良好なパターンプロファイルが得られる。異なる官能基を有する2種以上の溶剤を含有する混
合溶剤としては、水酸基を有する溶剤、エステル構造を有する溶剤、ケトン構造を有する溶剤、ラクトン構造を有する溶剤、カーボネート構造を有する溶剤から選ばれる少なくとも2種を含有する混合溶剤が好ましい。異なる官能基を有する混合溶剤としては以下の(S1)〜(S6)の混合溶剤が好ましい。
(S1)水酸基を有する溶剤と、水酸基を有さない溶剤とを少なくとも含有する混合溶剤、
(S2)エステル構造を有する溶剤と、ケトン構造を有する溶剤とを少なくとも含有する混合溶剤、
(S3)エステル構造を有する溶剤と、ラクトン構造を有する溶剤とを少なくとも含有する混合溶剤、
(S4)エステル構造を有する溶剤と、ラクトン構造を有する溶剤と、水酸基を有する溶剤とを少なくとも含有する混合溶剤、
(S5)エステル構造を有する溶剤と、カーボネート構造を有する溶剤と、水酸基を有する溶剤とを少なくとも含有する混合溶剤及び
(S6)エステル構造を有する溶剤と、ケトン構造を有する溶剤と、ラクトン構造を有する溶剤とを少なくとも含有する混合溶剤。
これによりレジスト液保存時のパーティクル発生を軽減でき、また、塗布時の欠陥の発生を抑制することができる。
In the present invention, the organic solvent may be used alone or in combination, but it is preferable to use a mixed solvent containing two or more solvents having different functional groups. As a result, the solubility of the material is increased, and not only the generation of particles over time can be suppressed, but also a good pattern profile can be obtained. The mixed solvent containing two or more kinds of solvents having different functional groups is at least selected from a solvent having a hydroxyl group, a solvent having an ester structure, a solvent having a ketone structure, a solvent having a lactone structure, and a solvent having a carbonate structure. A mixed solvent containing two kinds is preferred. As the mixed solvent having different functional groups, the following mixed solvents (S1) to (S6) are preferable.
(S1) a mixed solvent containing at least a solvent having a hydroxyl group and a solvent having no hydroxyl group,
(S2) a mixed solvent containing at least a solvent having an ester structure and a solvent having a ketone structure;
(S3) a mixed solvent containing at least a solvent having an ester structure and a solvent having a lactone structure;
(S4) a mixed solvent containing at least a solvent having an ester structure, a solvent having a lactone structure, and a solvent having a hydroxyl group,
(S5) Mixed solvent containing at least a solvent having an ester structure, a solvent having a carbonate structure, and a solvent having a hydroxyl group; and (S6) a solvent having an ester structure, a solvent having a ketone structure, and a lactone structure. A mixed solvent containing at least a solvent.
As a result, the generation of particles during storage of the resist solution can be reduced, and the generation of defects during application can be suppressed.

水酸基を有する溶剤としては、例えば、エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、乳酸エチル等を挙げることができ、これらの内でプロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチルが、より好ましい。
水酸基を有さない溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等を挙げることができ、これらの内で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルが、より好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、シクロヘキサノンが、更により好ましい。
ケトン構造を有する溶剤としては、例えば、シクロヘキサノン、2−ヘプタノンなどが挙げられ、好ましくは、2−ヘプタノンである。
エステル構造を有する溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、酢酸ブチルなどが挙げられ、好ましくは、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートである。
ラクトン構造を有する溶剤としては、γ−ブチロラクトンが挙げられる。
カーボネート構造を有する溶剤としては、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネートが挙げられ、好ましくはプロピレンカーボネートである。
Examples of the solvent having a hydroxyl group include ethylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, ethyl lactate, and the like. Propylene glycol monomethyl ether and ethyl lactate are more preferable.
Examples of the solvent having no hydroxyl group include propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxypropionate, 2-heptanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone, butyl acetate, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide. Of these, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxypropionate, 2-heptanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone, and butyl acetate are more preferable, and propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxypropyl Pionate, 2-heptanone and cyclohexanone are even more preferred.
Examples of the solvent having a ketone structure include cyclohexanone and 2-heptanone, and 2-heptanone is preferable.
Examples of the solvent having an ester structure include propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxypropionate, and butyl acetate, and propylene glycol monomethyl ether acetate is preferable.
Examples of the solvent having a lactone structure include γ-butyrolactone.
Examples of the solvent having a carbonate structure include propylene carbonate and ethylene carbonate, and propylene carbonate is preferred.

(S1)に於ける、水酸基を有する溶剤と水酸基を有さない溶剤との混合比(質量)は、通常、1/99〜99/1、好ましくは10/90〜90/10、更に好ましくは20/80〜60/40である。水酸基を有さない溶剤を50質量%以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で好ましい。
(S2)に於ける、エステル構造を有する溶剤と、ケトン構造を有する溶剤との混合比(質量)は、通常、1/99〜99/1、好ましくは10/90〜90/10、更に好ましくは40/60〜80/20である。エステル構造を有する溶剤を50質量%以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。
(S3)に於ける、エステル構造を有する溶剤と、ラクトン構造を有する溶剤との混合
比(質量)は、通常、70/30〜99/1、好ましくは80/20〜99/1、更に好ましくは90/10〜99/1である。エステル構造を有する溶剤を70質量%以上含有する混合溶剤が経時安定性の点で特に好ましい。
(S4)に於ける、エステル構造を有する溶剤と、ラクトン構造を有する溶剤と、水酸基を有する溶剤を混合する際は、エステル構造を有する溶剤を30〜80質量%、ラクトン構造を有する溶剤を1〜20質量%、水酸基を有する溶剤を10〜60質量%含有することが好ましい。
(S5)に於ける、エステル構造を有する溶剤と、カーボネート構造を有する溶剤と、水酸基を有する溶剤を混合する際は、エステル構造を有する溶剤を30〜80質量%、カーボネート構造を有する溶剤を1〜20質量%、水酸基を含有する溶剤を10〜60質量%含有することが好ましい。
(S6)に於ける、エステル構造を有する溶剤と、ケトン構造を有する溶剤と、ラクトン構造を有する溶剤を混合する際は、エステル構造を有する溶剤を30〜80質量%、ケトン構造を有する溶剤を10〜60質量%、ラクトン構造を有する溶剤を1〜20質量%含有することが好ましい。
The mixing ratio (mass) of the solvent having a hydroxyl group and the solvent not having a hydroxyl group in (S1) is usually 1/99 to 99/1, preferably 10/90 to 90/10, more preferably 20/80 to 60/40. A mixed solvent containing 50% by mass or more of a solvent having no hydroxyl group is preferable in terms of coating uniformity.
In (S2), the mixing ratio (mass) of the solvent having an ester structure and the solvent having a ketone structure is usually 1/99 to 99/1, preferably 10/90 to 90/10, more preferably. Is 40 / 60-80 / 20. A mixed solvent containing 50% by mass or more of a solvent having an ester structure is particularly preferable from the viewpoint of coating uniformity.
In (S3), the mixing ratio (mass) of the solvent having an ester structure and the solvent having a lactone structure is usually 70/30 to 99/1, preferably 80/20 to 99/1, more preferably. Is 90/10 to 99/1. A mixed solvent containing 70% by mass or more of a solvent having an ester structure is particularly preferable from the viewpoint of stability over time.
In mixing the solvent having an ester structure, the solvent having a lactone structure, and the solvent having a hydroxyl group in (S4), 30 to 80% by mass of the solvent having an ester structure and 1 solvent having a lactone structure are used. It is preferable to contain -20 mass% and the solvent which has a hydroxyl group 10-60 mass%.
In (S5), when the solvent having an ester structure, the solvent having a carbonate structure, and the solvent having a hydroxyl group are mixed, 30 to 80% by mass of the solvent having an ester structure and 1 solvent having a carbonate structure are used. It is preferable to contain -20 mass% and the solvent containing a hydroxyl group 10-60 mass%.
In (S6), when the solvent having an ester structure, the solvent having a ketone structure, and the solvent having a lactone structure are mixed, 30 to 80% by mass of the solvent having an ester structure and the solvent having a ketone structure are added. It is preferable to contain 10-20 mass% and the solvent which has a lactone structure 1-20 mass%.

<その他の添加剤>
本発明のポジ型感光性組成物には、必要に応じて、更に、染料、可塑剤、前記フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の界面活性剤、光増感剤を含有させることができる。
フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤としては、具体的には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタン脂肪族エステル類、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪族エステル類等のノニオン系界面活性剤を挙げることができる。
これらの界面活性剤は、単独で添加してもよいし、また、いくつかの組み合わせで添加することもできる。
<Other additives>
If necessary, the positive photosensitive composition of the present invention may further contain a dye, a plasticizer, a surfactant other than the fluorine-based and / or silicon-based surfactant, and a photosensitizer. it can.
Specific examples of surfactants other than fluorine and / or silicon surfactants include polyoxyethylene alkyl ethers, polyoxyethylene alkyl allyl ethers, polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers And nonionic surfactants such as sorbitan aliphatic esters and polyoxyethylene sorbitan aliphatic esters.
These surfactants may be added alone or in several combinations.

(パターン形成方法)
本発明のポジ型感光性組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは前記混合溶剤に溶解し、フィルター濾過した後、次のように所定の支持体上に塗布して用いる。フィルター濾過に用いるフィルターは0.1ミクロン以下、より好ましくは0.05ミクロン以下、更に好ましくは0.03ミクロン以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。
(Pattern formation method)
The positive photosensitive composition of the present invention is used by dissolving the above components in a predetermined organic solvent, preferably the mixed solvent, filtering the solution, and applying the solution on a predetermined support as follows. The filter used for filter filtration is preferably made of polytetrafluoroethylene, polyethylene, or nylon of 0.1 microns or less, more preferably 0.05 microns or less, and still more preferably 0.03 microns or less.

例えば、ポジ型感光性組成物を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリコン被覆)上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により任意の厚み(通常50〜500nm)で塗布する。塗布後、スピンまたはベークにより乾燥し、レジスト膜を形成する。ベーク温度は適宜設定できるが、通常60〜150℃であり、このましくは90〜130℃である。   For example, a positive photosensitive composition is formed on a substrate (for example, silicon / silicon dioxide coating) used for manufacturing a precision integrated circuit element by an appropriate coating method such as a spinner or a coater to have an arbitrary thickness (usually 50 to 500 nm). After application, the resist film is formed by drying by spinning or baking. The bake temperature can be set as appropriate, but is usually 60 to 150 ° C, and preferably 90 to 130 ° C.

次いで、パターン形成のためマスクなどを通し、露光する。
露光量は、適宜設定できるが、通常1〜100mJ/cm2である。露光後、好ましくはスピンまたは/かつベークを行い、現像、リンスを行い、パターンを得る。
Next, exposure is performed through a mask or the like for pattern formation.
Although an exposure amount can be set suitably, it is 1-100 mJ / cm < 2 > normally. After exposure, preferably, spinning or / and baking is performed, development and rinsing are performed to obtain a pattern.

活性光線又は放射線の照射時に感光性膜とレンズの間に空気よりも屈折率の高い液体(液浸媒体)を満たして露光(液浸露光)を行ってもよい。これにより解像性を高めることができる。用いる液浸媒体としては空気よりも屈折率の高い液体であればいずれのものでも用いることができるが好ましくは純水である。
また、液浸露光を行なう際に液浸媒体と感光性膜が直接触れ合わないようにするために
感光性膜の上にさらにオーバーコート層を設けても良い。これにより感光性膜から液浸媒体への組成物の溶出が抑えられ、現像欠陥が低減する。
Exposure (immersion exposure) may be performed by filling a liquid (immersion medium) having a higher refractive index than air between the photosensitive film and the lens during irradiation with actinic rays or radiation. Thereby, resolution can be improved. As the immersion medium to be used, any liquid can be used as long as it has a higher refractive index than air, but pure water is preferred.
Further, an overcoat layer may be further provided on the photosensitive film so that the immersion medium and the photosensitive film do not come into direct contact with each other during the immersion exposure. Thereby, the elution of the composition from the photosensitive film to the immersion medium is suppressed, and development defects are reduced.

活性光線又は放射線としては、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、X線、電子線等を挙げることができるが、好ましくは250nm以下、より好ましくは220nm以下の波長の遠紫外光、具体的には、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)、F2エキシマレーザー(157nm)、EUV(13nm)、X線、電子線等であり、ArFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV(13nm)、電子線が好ましい。 Examples of the actinic ray or radiation include infrared light, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, X-ray, electron beam, etc., but preferably far ultraviolet light having a wavelength of 250 nm or less, more preferably 220 nm or less. Specifically, KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), F 2 excimer laser (157 nm), EUV (13 nm), X-ray, electron beam, etc. ArF excimer laser, F 2 excimer laser EUV (13 nm) and electron beam are preferable.

レジスト膜を形成する前に、基板上に予め反射防止膜を塗設してもよい。
反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズや、DUV−40シリーズ、シプレー社製のAR−2、AR−3、AR−5等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。
Before forming the resist film, an antireflection film may be coated on the substrate in advance.
As the antireflection film, any of an inorganic film type such as titanium, titanium dioxide, titanium nitride, chromium oxide, carbon, and amorphous silicon, and an organic film type made of a light absorber and a polymer material can be used. In addition, as the organic antireflection film, commercially available organic antireflection films such as DUV30 series, DUV-40 series manufactured by Brewer Science, AR-2, AR-3, AR-5 manufactured by Shipley, etc. may be used. it can.

ポジ型感光性組成物のアルカリ現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用することができる。
さらに、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1〜20質量%である。
アルカリ現像液のpHは、通常10.0〜14.0である。
Examples of the alkaline developer of the positive photosensitive composition include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, aqueous ammonia and other inorganic alkalis, ethylamine, n-propylamine and the like. Secondary amines such as amines, diethylamine and di-n-butylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxy Alkaline aqueous solutions such as quaternary ammonium salts such as pyrrole and cyclic amines such as pyrrole and pihelidine can be used.
Furthermore, alcohols and surfactants can be added in appropriate amounts to the alkaline developer.
The alkali concentration of the alkali developer is usually from 0.1 to 20% by mass.
The pH of the alkali developer is usually from 10.0 to 14.0.

本発明のポジ型感光性組成物は、多層レジストプロセス(特に3層レジストプロセス)に適用してもよい。多層レジスト法は、以下のプロセスを含むものである。
(a) 被加工基板上に有機材料からなる下層レジスト層を形成する。
(b) 下層レジスト層上に中間層及び放射線照射で架橋もしくは分解する有機材料からなる上層レジスト層を順次積層する。
(c) 該上層レジスト層に所定のパターンを形成後、中間層、下層及び基板を順次エッチングする。
中間層としては、一般にオルガノポリシロキサン(シリコーン樹脂)あるいはSiO2塗布液(SOG)が用いられる。下層レジストとしては、適当な有機高分子膜が用いられるが、各種公知のフォトレジストを使用してもよい。たとえば、フジフイルムアーチ社製FHシリーズ、FHiシリーズ或いは住友化学社製PFIシリーズの各シリーズを例示することができる。
下層レジスト層の膜厚は、0.1〜4.0μmであることが好ましく、より好ましくは0.2〜2.0μmであり、特に好ましくは0.25〜1.5μmである。0.1μm以上とすることは、反射防止や耐ドライエッチング性の観点で好ましく、4.0μm以下とすることはアスペクト比や、形成した微細パターンのパターン倒れの観点で好ましい。
The positive photosensitive composition of the present invention may be applied to a multilayer resist process (particularly a three-layer resist process). The multilayer resist method includes the following processes.
(A) A lower resist layer made of an organic material is formed on a substrate to be processed.
(B) On the lower resist layer, an intermediate layer and an upper resist layer made of an organic material that crosslinks or decomposes upon irradiation with radiation are sequentially laminated.
(C) After forming a predetermined pattern in the upper resist layer, the intermediate layer, the lower layer and the substrate are sequentially etched.
As the intermediate layer, organopolysiloxane (silicone resin) or SiO 2 coating solution (SOG) is generally used. As the lower layer resist, an appropriate organic polymer film is used, but various known photoresists may be used. For example, each series of the Fuji Film Arch FH series, FHi series, or Sumitomo Chemical PFI series can be illustrated.
The film thickness of the lower resist layer is preferably 0.1 to 4.0 μm, more preferably 0.2 to 2.0 μm, and particularly preferably 0.25 to 1.5 μm. A thickness of 0.1 μm or more is preferable from the viewpoint of antireflection and dry etching resistance, and a thickness of 4.0 μm or less is preferable from the viewpoint of aspect ratio and pattern collapse of the formed fine pattern.

以下、実施例により本発明を説明するが、本発明は、これに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to this.

合成例1(重合性化合物(2)の合成)
ピナコール5gをTHF30mlに溶解させ、これに氷冷下、1.6Nのn−ブチルリチウムヘキサン溶液32mlを30分かけて加えた。室温で1時間攪拌した後、氷冷下、1−アダマンタンカルボニルクロリド10.1gのTHF溶液を30分かけて加えた。室温で2時間攪拌した後、水10mlを加え、これを酢酸エチルで抽出、有機相を水で洗浄、乾燥、濃縮すると、粗生成物が得られた。カラムクロマトグラフィーで精製すると、下記重合性化合物(2)が7.4g得られた。
1H−NMR(CDCl3
δ1.58(s、6H)、δ1.63(s、6H)、δ1.6〜1.8(m、7H)、δ1.86(s、6H)、δ1.92(s、3H)、δ2.01(s、3H)、δ5.51(s、1H)、δ6.05(s、1H)
Synthesis Example 1 (Synthesis of polymerizable compound (2))
5 g of pinacol was dissolved in 30 ml of THF, and 32 ml of 1.6N n-butyllithium hexane solution was added to the solution over 30 minutes under ice cooling. After stirring at room temperature for 1 hour, 10.1 g of 1-adamantanecarbonyl chloride in THF was added over 30 minutes under ice cooling. After stirring at room temperature for 2 hours, 10 ml of water was added, this was extracted with ethyl acetate, and the organic phase was washed with water, dried and concentrated to obtain a crude product. When purified by column chromatography, 7.4 g of the following polymerizable compound (2) was obtained.
1 H-NMR (CDCl 3 )
δ1.58 (s, 6H), δ1.63 (s, 6H), δ1.6 to 1.8 (m, 7H), δ1.86 (s, 6H), δ1.92 (s, 3H), δ2 .01 (s, 3H), δ 5.51 (s, 1H), δ 6.05 (s, 1H)

Figure 0005039424
Figure 0005039424

合成例2(樹脂(RA−1)の合成)
窒素気流下、シクロヘキサノン2.9gを3つ口フラスコに入れ、これを80℃に加熱した。これに、重合性化合物(2)4.18g、ガンマブチロラクトンメタクリレート3.06g、重合開始剤V−601(和光純薬製)をモノマーに対し10mol%をシクロヘキサノン26.1gに溶解させた溶液を6時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに80℃で2時間反応させた。反応液を放冷後、ヘプタン350m/酢酸エチル150mlの混合液に20分かけて滴下し、析出した粉体をろ取、乾燥すると、樹脂(RA−1)が6.3g得られた。得られた樹脂の重量平均分子量は、標準ポリスチレン換算で7800、分散度(Mw/Mn)は1.67であった。
Synthesis Example 2 (Synthesis of resin (RA-1))
Under a nitrogen stream, 2.9 g of cyclohexanone was placed in a three-necked flask and heated to 80 ° C. To this, 6.18 g of a polymerizable compound (2), 3.06 g of gamma butyrolactone methacrylate, a polymerization initiator V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries), 10 mol% with respect to the monomer, dissolved in 26.1 g of cyclohexanone, 6 It was added dropwise over time. After completion of dropping, the reaction was further carried out at 80 ° C. for 2 hours. The reaction solution was allowed to cool and then added dropwise to a mixed solution of heptane 350 m / ethyl acetate 150 ml over 20 minutes, and the precipitated powder was collected by filtration and dried to obtain 6.3 g of resin (RA-1). The weight average molecular weight of the obtained resin was 7800 in terms of standard polystyrene, and the dispersity (Mw / Mn) was 1.67.

樹脂(RA−2)〜(RA−7)及び比較用樹脂(RX)についても同様の手法を用いて合成した。重量平均分子量は開始剤の量を変更することで調整した。   Resins (RA-2) to (RA-7) and comparative resin (RX) were synthesized in the same manner. The weight average molecular weight was adjusted by changing the amount of initiator.

以下、樹脂(RA−1)〜(RA−7)及び樹脂(RX)の構造を示す。   Hereinafter, the structures of resins (RA-1) to (RA-7) and resin (RX) are shown.

Figure 0005039424
Figure 0005039424

Figure 0005039424
Figure 0005039424

実施例1〜7及び比較例1
<レジスト調製>
下記表1に示す成分を溶剤に溶解させ固形分濃度5質量%の溶液を調製し、これを0.03ミクロンのポリエチレンフィルターでろ過してポジ型レジスト溶液を調製した。調製したポジ型レジスト溶液を下記の方法で評価し、結果も表1に示した。
<レジスト評価1>
スピンコーターにてヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上にブリューワーサイエンス社製反射防止膜DUV−42を600オングストローム均一に塗布し、100℃で90秒間ホットプレート上で乾燥した後、190℃で240秒間加熱乾燥を行った。その後、各ポジ型レジスト溶液をスピンコーターで塗布し、120℃で60秒乾燥を行い160nmのレジスト膜を形成させた。
このレジスト膜に対し、マスクを通してArFエキシマレーザーステッパー(ASML社製NA=0.75、ダイポール)で露光し、露光後直ぐに120℃で60秒間ホットプレート上で加熱した。さらに2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で23℃で60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、乾燥し、ラインパターンを得た。
解像力評価:
線幅80nmのラインアンドスペースのマスクパターンを再現する露光量を最適露光量
とし、最適露光量における限界解像力を測定した。値が小さいほどより微細なパターンを解像でき解像力に優れる。
パターン倒れ評価:
80nmラインアンドスペースのマスクパターンを再現する露光量を最適露光量とし、最適露光量からさらに露光量を増大させて形成されるラインパターンの線幅を細らせた際に、パターンが倒れずに解像する線幅をもって定義した。値が小さいほど、より微細なパターンが倒れずに解像することを表し、パターン倒れが発生しにくいことを示す。
Examples 1-7 and Comparative Example 1
<Resist preparation>
The components shown in Table 1 below were dissolved in a solvent to prepare a solution having a solid content concentration of 5% by mass, and this was filtered through a 0.03 micron polyethylene filter to prepare a positive resist solution. The prepared positive resist solution was evaluated by the following method, and the results are also shown in Table 1.
<Resist evaluation 1>
An anti-reflective coating DUV-42 manufactured by Brewer Science Co., Ltd. was uniformly applied to 600 angstroms on a silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane treatment with a spin coater, dried on a hot plate at 100 ° C. for 90 seconds, and then at 190 ° C. Heat drying was performed for 240 seconds. Thereafter, each positive resist solution was applied with a spin coater and dried at 120 ° C. for 60 seconds to form a 160 nm resist film.
The resist film was exposed with an ArF excimer laser stepper (NA = 0.75, dipole manufactured by ASML) through a mask, and heated on a hot plate at 120 ° C. for 60 seconds immediately after the exposure. Further, the resist film was developed with an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide solution at 23 ° C. for 60 seconds, rinsed with pure water for 30 seconds, and then dried to obtain a line pattern.
Resolution evaluation:
The exposure amount that reproduces a line-and-space mask pattern with a line width of 80 nm was taken as the optimum exposure amount, and the limiting resolution at the optimum exposure amount was measured. The smaller the value, the finer the pattern can be resolved and the better the resolution.
Pattern collapse evaluation:
The exposure amount that reproduces the 80nm line and space mask pattern is the optimum exposure amount, and when the line width of the line pattern formed by further increasing the exposure amount from the optimum exposure amount is reduced, the pattern does not collapse It was defined by the line width to be resolved. A smaller value indicates that a finer pattern is resolved without falling, and pattern falling is less likely to occur.

Figure 0005039424
Figure 0005039424

以下、表中の略号を示す。   Hereinafter, abbreviations in the table are shown.

Figure 0005039424
Figure 0005039424

〔塩基性化合物〕
DIA:2,6−ジイソプロピルアニリン
TEA:トリエタノールアミン
TMEA:トリス(メトキシエトキシエチル)アミン
PEA:N−フェニルジエタノールアミン
〔界面活性剤〕
W−1:メガファックF176(大日本インキ化学工業(株)製)(フッ素系)
W−2:メガファックR08(大日本インキ化学工業(株)製)(フッ素及びシリコン系)
W−3:ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)(シリコン系)W−4:トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)(シリコン系)
〔溶剤〕
S1:プロピレングリコールメチルエーテルアセテート
S2:2−ヘプタノン
S3:シクロヘキサノン
S4:γ−ブチロラクトン
S5:プロピレングリコールメチルエーテル
S6:乳酸エチル
S7:プロピレンカーボネート
[Basic compounds]
DIA: 2,6-diisopropylaniline TEA: triethanolamine TMEA: tris (methoxyethoxyethyl) amine PEA: N-phenyldiethanolamine [surfactant]
W-1: MegaFuck F176 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.) (Fluorine)
W-2: Megafuck R08 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.) (fluorine and silicon)
W-3: Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (silicon-based) W-4: Troysol S-366 (manufactured by Troy Chemical Co., Ltd.) (silicon-based)
〔solvent〕
S1: Propylene glycol methyl ether acetate S2: 2-heptanone S3: Cyclohexanone S4: γ-butyrolactone S5: Propylene glycol methyl ether S6: Ethyl lactate S7: Propylene carbonate

表1から、本発明のポジ型感光性組成物は、解像力、パターン倒れに優れていることが明らかである。   From Table 1, it is clear that the positive photosensitive composition of the present invention is excellent in resolution and pattern collapse.

液浸露光
<レジスト調製>
表1の実施例1〜7及び比較例1の成分に下記表面疎水化樹脂(Polymer―A)を0.2g添加し、溶剤に溶解させ固形分濃度5質量%の溶液を調製し、これを0.03μmのポリエチレンフィルターで濾過してポジ型レジスト溶液を調製した。調製したポジ型レジスト溶液を下記の方法で評価した。ポジ型レジスト溶液をスピンコーターで塗布し
120℃で60秒乾燥を行い160nmのレジスト膜を形成させた際のレジスト膜の純水の後退接触角は65〜75°であった。
Immersion exposure <Resist preparation>
0.2 g of the following surface hydrophobizing resin (Polymer-A) was added to the components of Examples 1 to 7 and Comparative Example 1 in Table 1, and dissolved in a solvent to prepare a solution having a solid content concentration of 5% by mass. A positive resist solution was prepared by filtration through a 0.03 μm polyethylene filter. The prepared positive resist solution was evaluated by the following method. When the positive resist solution was applied by a spin coater and dried at 120 ° C. for 60 seconds to form a 160 nm resist film, the receding contact angle of pure water of the resist film was 65 to 75 °.

Figure 0005039424
Figure 0005039424

<レジスト評価2>
ArFエキシマレーザー液浸スキャナー(NA=0.85)を用い、液浸液としては超純水を用いて液浸露光を行った以外は、レジスト評価1と同様の手法を用い、解像力、パターン倒れ性能を評価した。
評価結果を、表1に示した。
<Resist evaluation 2>
Using the same technique as resist evaluation 1, except that the ArF excimer laser immersion scanner (NA = 0.85) was used and immersion exposure was performed using ultrapure water as the immersion liquid. Performance was evaluated.
The evaluation results are shown in Table 1.

表1から、本発明のポジ型感光性組成物は、液浸露光においても、解像力、パターン倒れに優れていることが明らかである。   From Table 1, it is clear that the positive photosensitive composition of the present invention is excellent in resolution and pattern collapse even in immersion exposure.

Claims (12)

(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び(B)下記一般式(I)で表される基を有する繰り返し単位を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。
Figure 0005039424

一般式(I)に於いて
x及びRyは、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rzは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
RxとRyが結合して環構造を形成してもよい。
Rx及び/又はRyと、−C(Rx’)(Ry’)−A −で表される基とが結合して環構造を形成してもよい。
Rx’及びRy’は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。Rx’及びRy’が結合して環構造を形成してもよい。
は、単結合又は環状アルキレン基を表す。
(A) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, and (B) a repeating unit having a group represented by the following general formula (I ), decomposed by the action of an acid, A positive photosensitive composition comprising a resin having an increased solubility in water.
Figure 0005039424

In the general formula (I ) ,
R x and Ry each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group.
Rz represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
Rx and Ry may combine to form a ring structure.
Rx and / or Ry and a group represented by —C (Rx ′) (Ry ′) — A 2 may combine to form a ring structure.
Rx ′ and Ry ′ each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group. Rx ′ and Ry ′ may combine to form a ring structure.
A 2 represents a single bond or a cyclic alkylene group.
更に、表面疎水化樹脂を含むことを特徴とする請求項1に記載のポジ型感光性組成物。  The positive photosensitive composition according to claim 1, further comprising a surface hydrophobized resin. 前記樹脂(B)が、酸分解性基を有する繰り返し単位を有することを特徴とする請求項1又は2に記載のポジ型感光性組成物。  The positive photosensitive composition according to claim 1, wherein the resin (B) has a repeating unit having an acid-decomposable group. 前記酸分解性基が、脂環炭化水素構造を含有する酸分解性基であることを特徴とする請求項3に記載のポジ型感光性組成物。  The positive photosensitive composition according to claim 3, wherein the acid-decomposable group is an acid-decomposable group containing an alicyclic hydrocarbon structure. 前記樹脂(B)が、5〜7員環ラクトン構造に多環構造又はスピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環してなるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のポジ型感光性組成物。  The resin (B) has a repeating unit having a lactone structure formed by condensing another ring structure in a form that forms a polycyclic structure or a spiro structure in a 5- to 7-membered lactone structure. Item 5. The positive photosensitive composition according to any one of items 1 to 4. 前記樹脂(B)が、極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のポジ型感光性組成物。The positive photosensitive composition according to claim 1, wherein the resin (B) has a repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure substituted with a polar group. 更に、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、及びフッ素原子と珪素原子の両方を含有する界面活性剤のいずれか、あるいは2種以上を含有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のポジ型感光性組成物。Furthermore, any one of a fluorine-type surfactant, a silicon-type surfactant, and the surfactant containing both a fluorine atom and a silicon atom, or 2 or more types of them is contained. The positive photosensitive composition of any one of Claims 1. 更に、2種以上の溶剤を含有する混合溶剤を含有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のポジ型感光性組成物。Furthermore, the positive type photosensitive composition of any one of Claims 1-7 containing the mixed solvent containing 2 or more types of solvents. 下記一般式(I)で表される基を有する繰り返し単位を有することを特徴とする樹脂。
Figure 0005039424

一般式(I)に於いて
x及びRyは、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rzは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
RxとRyが結合して環構造を形成してもよい。
Rx及び/又はRyと、−C(Rx’)(Ry’)−A −で表される基とが結合して環構造を形成してもよい。
Rx’及びRy’は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。Rx’及びRy’が結合して環構造を形成してもよい。
は、単結合又は環状アルキレン基を表す。
A resin having a repeating unit having a group represented by the following general formula (I ).
Figure 0005039424

In the general formula (I ) ,
R x and Ry each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group.
Rz represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
Rx and Ry may combine to form a ring structure.
Rx and / or Ry and a group represented by —C (Rx ′) (Ry ′) — A 2 may combine to form a ring structure.
Rx ′ and Ry ′ each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group. Rx ′ and Ry ′ may combine to form a ring structure.
A 2 represents a single bond or a cyclic alkylene group.
下記一般式(I)で表される基を有することを特徴とする重合性化合物。
Figure 0005039424

一般式(I)に於いて
x及びRyは、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rzは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
RxとRyが結合して環構造を形成してもよい。
Rx及び/又はRyと、−C(Rx’)(Ry’)−A −で表される基とが結合して環構造を形成してもよい。
Rx’及びRy’は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。Rx’及びRy’が結合して環構造を形成してもよい。
は、単結合又は環状アルキレン基を表す。
A polymerizable compound having a group represented by the following general formula (I ' ).
Figure 0005039424

In the general formula (I ) ,
R x and Ry each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group.
Rz represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
Rx and Ry may combine to form a ring structure.
Rx and / or Ry and a group represented by —C (Rx ′) (Ry ′) — A 2 may combine to form a ring structure.
Rx ′ and Ry ′ each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group. Rx ′ and Ry ′ may combine to form a ring structure.
A 2 represents a single bond or a cyclic alkylene group.
請求項1〜8のいずれか1項に記載のポジ型感光性組成物を用いて形成される感光性膜The photosensitive film | membrane formed using the positive photosensitive composition of any one of Claims 1-8. 請求項11に記載の感光性膜を形成し、該感光性膜を露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。 A pattern forming method comprising the steps of: forming the photosensitive film according to claim 11 ; and exposing and developing the photosensitive film.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5177432B2 (en) * 2008-02-21 2013-04-03 信越化学工業株式会社 Pattern formation method
KR20100131996A (en) * 2008-03-04 2010-12-16 제이에스알 가부시끼가이샤 Radiation-sensitive composition, polymer and monomer
TWI490199B (en) 2009-03-11 2015-07-01 Sumitomo Chemical Co Compound and chemically amplified positive photoresist composition
JP6054608B2 (en) * 2011-02-15 2016-12-27 住友化学株式会社 Resist composition and method for producing resist pattern
JP2012215694A (en) * 2011-03-31 2012-11-08 Jsr Corp Photoresist composition and resist pattern forming method
JP6175232B2 (en) * 2012-12-05 2017-08-02 東京応化工業株式会社 Resist composition, resist pattern forming method, and polymer compound
JP5910536B2 (en) * 2013-02-22 2016-04-27 信越化学工業株式会社 Monomer, polymer compound, resist material and pattern forming method
JP6963893B2 (en) * 2015-12-28 2021-11-10 住友化学株式会社 Method for manufacturing resist composition and resist pattern

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS518652B2 (en) * 1972-08-02 1976-03-18
JP4049965B2 (en) * 2000-02-23 2008-02-20 本州化学工業株式会社 Novel (meth) acrylic acid esters and process for producing the same
US6534239B2 (en) * 2001-04-27 2003-03-18 International Business Machines Corporation Resist compositions with polymers having pendant groups containing plural acid labile moieties
JP2004035728A (en) * 2002-07-03 2004-02-05 Mitsubishi Gas Chem Co Inc Di(meth)acrylate monomer and its manufacturing method
JP2004302200A (en) * 2003-03-31 2004-10-28 Fuji Photo Film Co Ltd Positive resist composition
JP4697395B2 (en) * 2004-01-19 2011-06-08 三菱瓦斯化学株式会社 ADAMANTAN DERIVATIVE AND RESIN COMPOSITION USING THE SAME
JP4713235B2 (en) * 2005-06-15 2011-06-29 東京応化工業株式会社 Positive resist composition and resist pattern forming method

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