KR101179858B1 - 펠티어소자를 이용한 집광형 플렉시블 cigs 모듈 형성 방법 - Google Patents
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- 230000009975 flexible effect Effects 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 24
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H01L31/0547—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
본 발명은 유연한 CIGS 모듈을 이용하여 집광형 구조를 형성하는데 있어서, 빛을 일정 배율 이상 집광할 수 있으면서 유연함을 유지할 수 있는 프레넬 형태의 집광필름(101)을 모듈 전면에 부착 시키며, 유연기판(103)위에 형성된 각각의 CIGS 셀(102)에 온도감지 및 냉각능력이 우수한 펠티에 소자(104)를 각각의 크기에 맞게 방열판(203)과 함께 구성 되도록 하는 집광형 플렉시블 CIGS모듈 형성하는 방법이다.
이에 따라 본 발명은, 유연한 CIGS 모듈을 집광형으로 구성함에 있어서, 렌즈형 집광 설계는 유연한 특성을 유지할 수 없는 문제점을 필름형태의 집광요소를 부착시킴으로서 플렉시블한 모듈의 특성에 부합하도록 하였으며, 다른 집광형 태양전지 모듈에 있어서 발생하는 고온의 열처리를 수,공냉식으로 냉각함으로써 추가적인 설 비 또는 공정이 발생하는 다른 발명과는 달리, 온도센서 및 냉각효과가 큰 펠티에 소자를 방열판과 함께 적용 시킴으로서 고온의 열처리를 하나의 모듈 구조에서 해결 되도록 하였다.
이를 통하여, 본 발명은 집광형 태양전지 모듈에서 열처리 효율을 올려서 제작 경제성을 향상시켰으며, 유연한 집광필름을 모듈 구성 요소로 사용함으로서 유연함이 적용되는 태양전지 분야에 큰 적용 범위의 효과가 있다.
플렉시블, CIGS, 집광필름, 집광형
Description
본 발명은 플렉시블 CIGS 태양전지의 집광형 모듈을 형성하는 방법으로서,상세하게는 집광필름을 장착시켜서 태양광의 집광을 가능하게하고 냉각부위는 금속판사이의 방열판이 존재하는 펠티어 소자 모듈형태를 사용하되, 펠티에 소자 모듈 한쪽 기판이 CIGS 셀의 유연기판과 열전도율이나 재질이 비슷한 재료를 사용함으로서, 유연기판보다 더 작은 규모의 모듈소자 부착을 통하여 냉각효율을 올림으로서, 경제적이면서, 유연함을 유지하는 집광형 태양전지 모듈 형성 방법이다.
화석 에너지는 고갈 되어가고 있으며, 앞으로 지속적인 유가 상승과 환경문제 및 발전에 따른 폐기물처리에 따른 문제등으로 인하여 신?재생에너지에 대한 관심이 고조되고 있다, 그 중에서도 태양광을 에너지원으로 하는 태양전지에 대한 연구개발이 활발하게 진행되어 지고 있다.
태양전지란 광기전력 효과를 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치로서, 그 구성 물질에 따라서 실리콘 태양전지, 박막 태양전지, 염료감응 태양전지 및 유기고분자 태양전지 등으로 구분된다. 그중에서 박막 태양전지는 실리콘 태양전지와 비교하여 단가적인 측면에서 우위에 있으므로, 실리콘 다음으로 연구가 많이 되고 있는 분야이다. 특히, 박막중에서도 4개의 화합물을 사용하는 CIGS 태양전지가 대체 분야로 각광을 받고 있다. 그러나, 박막태양전지는 효율이 실리콘 보다 낮기 때문에 효율을 올리기 위한 노력은 계속되어오고 있으며, 그 연구방법을 살펴보면, 재료적인 부분에서 시작하여 셀과 모듈에 이르기 까지 다양하며, 기초적인 재료 측면의 연구뿐만 아니라, 구조적인 변경을 통한 효율향상을 위한 방법이 실리콘 태양전지에서부터 시작되어왔다. 구조적인 변경이라는 것은 태양광 모듈 시스템을 구성함에 있어서 집광형 구조를 갖는것을 말한다. 태양광을 집광하기 위하여 프레넬(Fresnel)원리의 렌즈를 사용하여 집광을 하게 되는데, 그 집광율에 따라 태양광 모듈의 효율이 상승률은 매우 크다.
그러나, 실리콘의 경우는 태양의 위치에 효율이 민감한 태양전지로서 이러한 집광형 시스템을 구축할 때, 태양추적 시스템이 추가로 필요하였다. 또한 태양광의 집광에 따른 모듈내의 온도상승률이 크기 때문에 모듈의 수명을 저하시키는 단점을 갖고 있었다. 이를 위하여 집광형 모듈 시스템 구조 이외에 냉각수를 돌려서 냉각을 시키거나, 공랭식 냉각을 위하여 공기 순환 모터를 가동하여 냉각시키는 방식이 사용되어져 왔다. 그러나, 태양전지의 발전을 자체적인 구조모순이라 할 수 있는 냉각 시스템을 가동시키는데, 사용함으로서 실질적인 효능성은 많이 떨어져 왔다.
이러한 문제를 해결할 수 있는 대안 기술 중 하나가 열전소자를 이용한 태양광 발전 장치이다. 열전소자는 태양광에 의하여 가열이 되는 기판과 냉각부에 의하여 냉각이 되는 기판 사이의 온도 차이에 의하여 제베크(Seebeck) 효과 내지 펠티에(Peltier) 효과, 톰슨(Tomson) 효과를 통해 열전 현상을 발생함으로 열기전력을 창출하는 것을 의미한다.
이러한 기술을 살펴보면, 모두 열전소자와 태양전지를 결합시킨 것으로 열전소자의 기판 사이의 부착시 열전소자는 금속판인 반면 실리콘 태양전지의 경우,금속이외의 물질이 기판과 부착될 단면의 형성 물질이므로, 부착시키기 위해서는 화학적인 접착방법으로서 열전도성 수지를 사용하여 접착을 시켰다. 그러나 실제가동시 상승하는 온도에 따른 열전도성 수지의 열화 문제 및 온도에 따른 수지의 접착성 문제로 인하여 많은 문제점을 지니고 있었다. 또한, 박막 태양전지 모듈에 대하여도 비슷하다고 할 수 있는데, 박막태양전지 모듈의 경우, 실리콘과는 달리 실용화 측면의 강조를 위하여 플렉시블 타입으로 개발이 많이 이루어 지고 있는 실정이며, CIGS 태양전지의 경우도 예외는 아니다.
이렇듯이 CIGS와 같은 박막태양전지 모듈이 플렉시블하게 제작되었을 경우, 집광형 시스템을 구축하기 위해서는 렌즈형태를 통한 시스템 구축시 모듈자체의 유연성을 유지하기에는 많은 문제점이 있었다. 또한, 펠티에소자 이용시 냉각시스템의 경우, 방열판을 펠티에 소자에 부착하여, 모듈 후면에 장착을 시키는데, 모듈기판 재료가 금속재질이 아닌경우, 후면 전부분에 펠티에 소자 부착을 통하여 자체 냉각을 함으로서, 원래의 CIGS 플렉시블 특성을 유지시켜주지 못하는 문제점이 있었다.
태양전지란 광기전력 효과를 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치로서, 그 구성 물질에 따라서 실리콘 태양전지, 박막 태양전지, 염료감응 태양전지 및 유기고분자 태양전지 등으로 구분된다. 그중에서 박막 태양전지는 실리콘 태양전지와 비교하여 단가적인 측면에서 우위에 있으므로, 실리콘 다음으로 연구가 많이 되고 있는 분야이다. 특히, 박막중에서도 4개의 화합물을 사용하는 CIGS 태양전지가 대체 분야로 각광을 받고 있다. 그러나, 박막태양전지는 효율이 실리콘 보다 낮기 때문에 효율을 올리기 위한 노력은 계속되어오고 있으며, 그 연구방법을 살펴보면, 재료적인 부분에서 시작하여 셀과 모듈에 이르기 까지 다양하며, 기초적인 재료 측면의 연구뿐만 아니라, 구조적인 변경을 통한 효율향상을 위한 방법이 실리콘 태양전지에서부터 시작되어왔다. 구조적인 변경이라는 것은 태양광 모듈 시스템을 구성함에 있어서 집광형 구조를 갖는것을 말한다. 태양광을 집광하기 위하여 프레넬(Fresnel)원리의 렌즈를 사용하여 집광을 하게 되는데, 그 집광율에 따라 태양광 모듈의 효율이 상승률은 매우 크다.
그러나, 실리콘의 경우는 태양의 위치에 효율이 민감한 태양전지로서 이러한 집광형 시스템을 구축할 때, 태양추적 시스템이 추가로 필요하였다. 또한 태양광의 집광에 따른 모듈내의 온도상승률이 크기 때문에 모듈의 수명을 저하시키는 단점을 갖고 있었다. 이를 위하여 집광형 모듈 시스템 구조 이외에 냉각수를 돌려서 냉각을 시키거나, 공랭식 냉각을 위하여 공기 순환 모터를 가동하여 냉각시키는 방식이 사용되어져 왔다. 그러나, 태양전지의 발전을 자체적인 구조모순이라 할 수 있는 냉각 시스템을 가동시키는데, 사용함으로서 실질적인 효능성은 많이 떨어져 왔다.
이러한 문제를 해결할 수 있는 대안 기술 중 하나가 열전소자를 이용한 태양광 발전 장치이다. 열전소자는 태양광에 의하여 가열이 되는 기판과 냉각부에 의하여 냉각이 되는 기판 사이의 온도 차이에 의하여 제베크(Seebeck) 효과 내지 펠티에(Peltier) 효과, 톰슨(Tomson) 효과를 통해 열전 현상을 발생함으로 열기전력을 창출하는 것을 의미한다.
이러한 기술을 살펴보면, 모두 열전소자와 태양전지를 결합시킨 것으로 열전소자의 기판 사이의 부착시 열전소자는 금속판인 반면 실리콘 태양전지의 경우,금속이외의 물질이 기판과 부착될 단면의 형성 물질이므로, 부착시키기 위해서는 화학적인 접착방법으로서 열전도성 수지를 사용하여 접착을 시켰다. 그러나 실제가동시 상승하는 온도에 따른 열전도성 수지의 열화 문제 및 온도에 따른 수지의 접착성 문제로 인하여 많은 문제점을 지니고 있었다. 또한, 박막 태양전지 모듈에 대하여도 비슷하다고 할 수 있는데, 박막태양전지 모듈의 경우, 실리콘과는 달리 실용화 측면의 강조를 위하여 플렉시블 타입으로 개발이 많이 이루어 지고 있는 실정이며, CIGS 태양전지의 경우도 예외는 아니다.
이렇듯이 CIGS와 같은 박막태양전지 모듈이 플렉시블하게 제작되었을 경우, 집광형 시스템을 구축하기 위해서는 렌즈형태를 통한 시스템 구축시 모듈자체의 유연성을 유지하기에는 많은 문제점이 있었다. 또한, 펠티에소자 이용시 냉각시스템의 경우, 방열판을 펠티에 소자에 부착하여, 모듈 후면에 장착을 시키는데, 모듈기판 재료가 금속재질이 아닌경우, 후면 전부분에 펠티에 소자 부착을 통하여 자체 냉각을 함으로서, 원래의 CIGS 플렉시블 특성을 유지시켜주지 못하는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 플렉시블 CIGS 모듈의 집광형 구조를 형성하는데 있어서, 집광필름 및 금속 재질의 특성을 살린 펠티어 소자를 기판외부에 사용하여 모듈의 플렉시블 특성을 살려주며 추가적인 냉각시스템 구축이 필요하지 않는 구조이며, 자체 온도센서 및 전류 조정을 통하여 냉각시스템 구동시 경제적으로 최적화 하는데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에서는 주된 제1층은 태양 전지층으로서 그 구분은 박막형 중에서도 그 흡수층을 구성하는 성분이 CIGS(구리,인듐,갈륨,셀레늄)의 화합물을 주된 구성층으로 하여, 세부적으로는 맨 하부에 유연한 재질을 가질수 있는 금속물질을 기본으로 한다. 그 물질은 열전도율이 50Kcal/℃이상 되는 물질들로서, 구리,청동,알루미늄,철,백금,니켈로 된 성분의 금속기판으로 구성할 수있다.
세부적으로 상기 제1층을 형성하는데 있어서, 흡수층을 형성하기 전, 후로 태양전지 특성을 일정수준 만족하기 위한 흡수층과 금속기판 사이에 제2의 금속물질 층의 형성이 가능할 수 있으며, 흡수층 윗면으로도 버퍼층 및 윈도우층 형성이 가능하게 한다. 이렇게 형성된 태양전지 층은 완전한 셀의 구조를 형성하고 있는것이 바람직하며, 집광필름이 층을 형성하기 전 셀의 최종 구조는 Grid와 Busbar로 구성하여 완전한 태양전지 셀의 구조를 갖춘 것이 바람직하다. 금속기판과 제 1층 위에 형성되는 제 2층은 태양광을 직접 집광해주는 역할을 하도록 하며, 형태는 필름의 형태를 가지므로서 제2층을 형성하기 위한 기타 다른 공정이 필요하지 않도록 하는 것이 바람직하다. 필름의 두께는 원하는 집광효율에 따라, 집광율을 변경시킬 수 있으므로 다양하게 변화시키는 것이 바람직하다.
제1,2층 이외에 제일 하부에 위치하는 제3층은 열전소자가 위치할 수 있는 층으로서, 양쪽이 금속판으로 형성되도록 하되, 그 중간 부분에 방열판이 형성되도록 하며, 금속기판과 맞붙는 부분의 재질은 적어도 금속기판과 동일재질이거나, 열전도율이 비슷한 재질로 형성되는 것이 바람직하다. 구성위치에 있어서도, 금속기판과 동일한 사이즈가 아닌, 최소의 형태로 부착을 통한 냉각부분을 형성함으로서, 기존 금속 기판의 유연성을 최대한 유지시켜주는 것을 기본으로 하며, 그 부착지점 과 부착개수는 온도센서의 성능 및 프로그램 구동시 계산되어진 면적대비 냉각도의 결과치와 부합되게 설치하도록 한다. 마지막으로 제3층에는 열전소자층 이외에 전류 제어부를 포함하는 것이 바람직하다.
세부적으로 상기 제1층을 형성하는데 있어서, 흡수층을 형성하기 전, 후로 태양전지 특성을 일정수준 만족하기 위한 흡수층과 금속기판 사이에 제2의 금속물질 층의 형성이 가능할 수 있으며, 흡수층 윗면으로도 버퍼층 및 윈도우층 형성이 가능하게 한다. 이렇게 형성된 태양전지 층은 완전한 셀의 구조를 형성하고 있는것이 바람직하며, 집광필름이 층을 형성하기 전 셀의 최종 구조는 Grid와 Busbar로 구성하여 완전한 태양전지 셀의 구조를 갖춘 것이 바람직하다. 금속기판과 제 1층 위에 형성되는 제 2층은 태양광을 직접 집광해주는 역할을 하도록 하며, 형태는 필름의 형태를 가지므로서 제2층을 형성하기 위한 기타 다른 공정이 필요하지 않도록 하는 것이 바람직하다. 필름의 두께는 원하는 집광효율에 따라, 집광율을 변경시킬 수 있으므로 다양하게 변화시키는 것이 바람직하다.
제1,2층 이외에 제일 하부에 위치하는 제3층은 열전소자가 위치할 수 있는 층으로서, 양쪽이 금속판으로 형성되도록 하되, 그 중간 부분에 방열판이 형성되도록 하며, 금속기판과 맞붙는 부분의 재질은 적어도 금속기판과 동일재질이거나, 열전도율이 비슷한 재질로 형성되는 것이 바람직하다. 구성위치에 있어서도, 금속기판과 동일한 사이즈가 아닌, 최소의 형태로 부착을 통한 냉각부분을 형성함으로서, 기존 금속 기판의 유연성을 최대한 유지시켜주는 것을 기본으로 하며, 그 부착지점 과 부착개수는 온도센서의 성능 및 프로그램 구동시 계산되어진 면적대비 냉각도의 결과치와 부합되게 설치하도록 한다. 마지막으로 제3층에는 열전소자층 이외에 전류 제어부를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명을 활용하면 유연성을 갖고 있는 CIGS 모듈의 집광 시스템을 구성함에 있어서, 모듈 자체의 유연성을 유지시키는 집광필름으로 형성된 구조로 시스템화할 수 있으며, 태양전지에서 발생한 자체 전력을 이용하면서, 최적화된 전력 사용량을 제어하는 프로그램의 자체 가동을 통하여 경제적인 집광형 모듈을 구성할 수 있다.
그리고, 펠티어 소자를 이용함에 있어, 유연기판과 동일한 특성을 구현할 수있는 재질을 사용하는 모듈을 사용함으로서, 그 크기도 유연기판 대비 최소화 할 수 있으며, 이것 또한 모듈의 플렉시블한 특성을 유지시켜주는 효과를 볼 수 있다.
무엇보다 펠티어 소자 모듈을 태양전지 모듈 외부에 장착하여, 펠티어 소자에 구성된 히트싱크이외에 냉각을 위한 추가적인 냉각 시스템 가동이 필요없는 간단한 집광형 모듈 시스템 구현을 할 수 있는 효과가 있다.
그리고, 펠티어 소자를 이용함에 있어, 유연기판과 동일한 특성을 구현할 수있는 재질을 사용하는 모듈을 사용함으로서, 그 크기도 유연기판 대비 최소화 할 수 있으며, 이것 또한 모듈의 플렉시블한 특성을 유지시켜주는 효과를 볼 수 있다.
무엇보다 펠티어 소자 모듈을 태양전지 모듈 외부에 장착하여, 펠티어 소자에 구성된 히트싱크이외에 냉각을 위한 추가적인 냉각 시스템 가동이 필요없는 간단한 집광형 모듈 시스템 구현을 할 수 있는 효과가 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.
도1은 본 발명에 따른 형성 모듈에 대한 단면도를 나타낸 것으로, 제일 상층에는 고분자 물질로 형성되어 유연성을 갖는 태양을 집광할 수 있는 집광필름(101)을 갖으며, 집광필름(101)은 투명성을 갖고 있어, 집광기능 이외에는 투명성을 유지시켜 하부에 위치한 CIGS셀(102)층이 투명하게 보이도록 유지시켜주는 것이 바람직하다. CIGS 셀(102)층이 유연기판(103)위에 완벽하게 형성된 구조를 갖도록 한다.맨 아래 층은 유연기판(103)과 동등한 크기를 갖지 않는 펠티에 소자 모듈(104)이 위치하는 구조를 갖는다.
도2는 펠티어 소자 모듈의 측면도로서, 소자 양끝에는 금속판(201,202)이 위치하도록 하며, 그 금속판 사이에는 발생한 열을 냉각시켜줄 수 있는 방열판(203)이 위치하는것을 기본으로 한다. 또한, 펠티어 소자 모듈(104)을 구성하는 크기를 결정하는 것은, 이 구조와 함께 존재하는 가동을 제어하는 프로그램에서 최적화된 면적대비 냉각능력 수치를 기본으로 하여 페티어 소자 모듈(104)의 사이즈 및 설치위치, 개수등을 결정한다.
이러한 구조를 기본으로 하여 형성된, 그림3은 본 발명에 따른 펠티어 소자를 장착한 플렉시블 CIGS 집광형 모듈을 보여주는 사시도로서, 일정한 열전도율을 갖는 금속재질의 유연기판(103)위에 4종의 화합물로 구성된 태양전지 흡수층을 형성함에 있어서, 그 방법은 진공방식이나, 비진공방식 등이 될 수 있고, 또한, 흡수층을 형성하기 전,후에 태양전지 성능을 위한 기타 다른층(흡수층, 제2금속층,버퍼층 등)의 형성이 가능하게 한다. 이렇게 형성된 CIGS셀(102)은 그림3에서와 같이 Grid (301)와 Busbar(302)형성을 갖는 완벽한 CIGS셀(102)을 기본으로 한다. 이 층 위에 형성되어 있는 태양을 집광하기 위한 부분은 집광필름(101)으로 형성을 하되, 그 기능은 태양을 집광하면서, 투명성을 유지할 수 있는 구조를 갖도록 한다. 집광필름(101)두께는 하부에 존재하는 태양전지인 CIGS셀(102)의 효율에 의해 요구되는 집광이 틀려 지므로, CIGS셀(102) 효율과 목표 집광률에 따라 두께를 조정할 수 있게 한다. 또한 장착방법에 있어서도 필름의 특성에 따라 달라질 수 있게 하며, 접착형식을 기본으로 한다. 도3의 점선으로 보여지는 부분은 그림 2에서 설명되어진 펠티에 소자 모듈(104)로서, 그 구성은 양쪽이 금속판(201,202)으로 구성되게 하며, 그 금속판(201,202)사이는 냉각을 시켜주는 방열판 (203)이 위치하는 구성이 바람직 하며, 그 두 개의 금속판 (201,202)중 적어도 하나는 그 위층의 유연기 판 (103)과 동일 재질이거나, 열전도율이 비슷한 금속 재질을 구성성분으로 한다. 펠티에 소자 모듈(104)은 도4의 펠티어 소자 가동의 블록 구성도의 제어 방식에 따라 제어되는 것을 기본으로 한다. 도4에서와 같이 태양전지에서 전기를 발생시키기 위한 태양전지 모듈(404)과 그 태양전지 모듈(404) 에서 발생된 전기를 저장하기 위한 축전지(403)와 태양전지 모듈(404)부위의 온도를 감지할 수 있는 온도센 서(401)부로 구성이 되어 있다. 온도센서(401)에서 읽어들인 태양전지 모듈 (404) 부위의 온도를 전류제어부(403)로 보냄으로서, 그 정보를 받은 전류 제어부는(403) 태양전지 모듈 (404)부분의 가열 냉각 정도를 파악하여, 소자의 냉,온 기능을 전환시키기 위한 스위치를 가동시키거나 더욱 많은 냉각이 필요시, 축전지 (403)에 제어명령을 통하여 더 많은 전류를 가동할 수 있는 전력을 가동 시킴으
로서, 냉각 능력을 더 높을 수 있도록 제어하는 구성을 갖는다.
도1은 본 발명에 따른 형성 모듈에 대한 단면도를 나타낸 것으로, 제일 상층에는 고분자 물질로 형성되어 유연성을 갖는 태양을 집광할 수 있는 집광필름(101)을 갖으며, 집광필름(101)은 투명성을 갖고 있어, 집광기능 이외에는 투명성을 유지시켜 하부에 위치한 CIGS셀(102)층이 투명하게 보이도록 유지시켜주는 것이 바람직하다. CIGS 셀(102)층이 유연기판(103)위에 완벽하게 형성된 구조를 갖도록 한다.맨 아래 층은 유연기판(103)과 동등한 크기를 갖지 않는 펠티에 소자 모듈(104)이 위치하는 구조를 갖는다.
도2는 펠티어 소자 모듈의 측면도로서, 소자 양끝에는 금속판(201,202)이 위치하도록 하며, 그 금속판 사이에는 발생한 열을 냉각시켜줄 수 있는 방열판(203)이 위치하는것을 기본으로 한다. 또한, 펠티어 소자 모듈(104)을 구성하는 크기를 결정하는 것은, 이 구조와 함께 존재하는 가동을 제어하는 프로그램에서 최적화된 면적대비 냉각능력 수치를 기본으로 하여 페티어 소자 모듈(104)의 사이즈 및 설치위치, 개수등을 결정한다.
이러한 구조를 기본으로 하여 형성된, 그림3은 본 발명에 따른 펠티어 소자를 장착한 플렉시블 CIGS 집광형 모듈을 보여주는 사시도로서, 일정한 열전도율을 갖는 금속재질의 유연기판(103)위에 4종의 화합물로 구성된 태양전지 흡수층을 형성함에 있어서, 그 방법은 진공방식이나, 비진공방식 등이 될 수 있고, 또한, 흡수층을 형성하기 전,후에 태양전지 성능을 위한 기타 다른층(흡수층, 제2금속층,버퍼층 등)의 형성이 가능하게 한다. 이렇게 형성된 CIGS셀(102)은 그림3에서와 같이 Grid (301)와 Busbar(302)형성을 갖는 완벽한 CIGS셀(102)을 기본으로 한다. 이 층 위에 형성되어 있는 태양을 집광하기 위한 부분은 집광필름(101)으로 형성을 하되, 그 기능은 태양을 집광하면서, 투명성을 유지할 수 있는 구조를 갖도록 한다. 집광필름(101)두께는 하부에 존재하는 태양전지인 CIGS셀(102)의 효율에 의해 요구되는 집광이 틀려 지므로, CIGS셀(102) 효율과 목표 집광률에 따라 두께를 조정할 수 있게 한다. 또한 장착방법에 있어서도 필름의 특성에 따라 달라질 수 있게 하며, 접착형식을 기본으로 한다. 도3의 점선으로 보여지는 부분은 그림 2에서 설명되어진 펠티에 소자 모듈(104)로서, 그 구성은 양쪽이 금속판(201,202)으로 구성되게 하며, 그 금속판(201,202)사이는 냉각을 시켜주는 방열판 (203)이 위치하는 구성이 바람직 하며, 그 두 개의 금속판 (201,202)중 적어도 하나는 그 위층의 유연기 판 (103)과 동일 재질이거나, 열전도율이 비슷한 금속 재질을 구성성분으로 한다. 펠티에 소자 모듈(104)은 도4의 펠티어 소자 가동의 블록 구성도의 제어 방식에 따라 제어되는 것을 기본으로 한다. 도4에서와 같이 태양전지에서 전기를 발생시키기 위한 태양전지 모듈(404)과 그 태양전지 모듈(404) 에서 발생된 전기를 저장하기 위한 축전지(403)와 태양전지 모듈(404)부위의 온도를 감지할 수 있는 온도센 서(401)부로 구성이 되어 있다. 온도센서(401)에서 읽어들인 태양전지 모듈 (404) 부위의 온도를 전류제어부(403)로 보냄으로서, 그 정보를 받은 전류 제어부는(403) 태양전지 모듈 (404)부분의 가열 냉각 정도를 파악하여, 소자의 냉,온 기능을 전환시키기 위한 스위치를 가동시키거나 더욱 많은 냉각이 필요시, 축전지 (403)에 제어명령을 통하여 더 많은 전류를 가동할 수 있는 전력을 가동 시킴으
로서, 냉각 능력을 더 높을 수 있도록 제어하는 구성을 갖는다.
도1은 본 발명에 따른 형성 모듈에 대한 단면도이다
도2는 펠티어소자 모듈의 측면도이다
도3은 본 발명에 따른 펠티어소자를 장착한 플렉시블 CIGS 집광형모듈 사시도이다
도4는 본 발명의 펠티어 소자 가동의 블록 구성도이다
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
101 : 집광필름 102 : CIGS 셀
103 : 유연기판 104 : 펠티에 소자 모듈
201,202 : 금속판 203 : 방열판
301 : Grid 302 : BusBar
401 : 온도센서 402 : 전류제어부
403 : 축전지 404 : 태양전지 모듈
도2는 펠티어소자 모듈의 측면도이다
도3은 본 발명에 따른 펠티어소자를 장착한 플렉시블 CIGS 집광형모듈 사시도이다
도4는 본 발명의 펠티어 소자 가동의 블록 구성도이다
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
101 : 집광필름 102 : CIGS 셀
103 : 유연기판 104 : 펠티에 소자 모듈
201,202 : 금속판 203 : 방열판
301 : Grid 302 : BusBar
401 : 온도센서 402 : 전류제어부
403 : 축전지 404 : 태양전지 모듈
Claims (5)
- 집광형 모듈 구조에 있어서,집광부와 펠티어 소자부 사이에 위치한 일정한 크기의 플렉시블 CIGS 태양전지;태양광을 집광하여 주는 집광부;집광형 모듈 하단 외부에 위치한 펠티어 소자부;펠티어 소자를 작동 및 제어하는 구동부를 포함하는 집광형 모듈
- 제1항에 있어서,상기 플렉시블 CIGS 태양전지는 구리,인듐,갈륨,셀레늄의 적어도 4가지 이상의 화합물을 갖는 흡수층을 갖고 있으며, 흡수층 형성 방법은 진공방식이나, 비진공 방식 두가지중 어느 하나 이상의 방식을 사용하여 제작할 수 있고, 태양전지 구조는 흡수층 윗층으로 차례대로, 제2금속 물질층, 버퍼층, 윈도우층으로 구성되어지며, 태양전지에 사용되는 기판은 스테인레스 금속재질로 구성되어 있으며, 금속의 열전도율이 150kcal/℃인 기판으로 구성되며, 태양전지 최상층에는 10개 이상의 Grid와 Busbar구조를 갖으며, 그 크기가 10cm x 21cm인 플렉시블 CIGS 태양전지를 포함하는 집광형 모듈
- 제1항에 있어서,상기 집광부는 렌즈가 아닌 필름으로 유연한 특성을 나타낼 수 있는 고분자 물질로 이루어져 있으며, 화학적인 방식의 필름형성이 아닌 물리적인 접착력을 통하여 필름을 형성하여 집광 기능 뿐만 아니라, 플렉시블 CIGS 태양전지를 그대로 투영할 수 있는 투명도를 갖는 필름이 장착된 집광부를 포함하는 집광형 모듈
- 제1항에 있어서,상기 펠티어 소자부는 양쪽에 두 개의 다른 재질의 금속판으로 형성된 모듈 구조를 갖으며, 한쪽은 플렉시블 CIGS 모듈의 금속기판과 동일 재질이거나 열전도율이 같은 금속재질로 이루어져 있고 다른 한쪽은 펠티어 소자에 의해 구동되는 방열판과 부착및 냉각을 빠르게 전달할 수 있어서 소자부의 크기가 최소화되어 있으며, 태양전지 부분과 부착되는 방열판 부분의 금속 구조는 태양전지의 기판과 같은 재질을 갖으며, 펠티어 소자 양쪽은 이종 재질의 금속 기판으로 형성된 모듈 구조의 펠티어 소자부로 구성된 집광형 모듈
- 제1항에 있어서,구동부는 플렉시블 CIGS 태양전지를 통하여 생성된 전기를 축적하는 축전기와 집광형 모듈의 온도를 측정하는 센서부, 센서의 신호를 판단하여 전류값의 수치를 제어하는 제어부로 구성된 구동부를 포함하는 집광형 모듈
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
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Family Applications (1)
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KR1020090122908A KR101179858B1 (ko) | 2009-12-11 | 2009-12-11 | 펠티어소자를 이용한 집광형 플렉시블 cigs 모듈 형성 방법 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR101693817B1 (ko) * | 2015-04-13 | 2017-01-09 | 한국생산기술연구원 | 솔라셀과 태양전지 패널 및 이를 구성한 블라인드 |
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005101513A (ja) | 2003-09-05 | 2005-04-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 集光フィルム及び太陽電池ユニット |
JP2007123532A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池 |
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