KR101178854B1 - Method of manufacturing photoelectric conversion module - Google Patents

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Abstract

감광성 폴리머 및 전극 패턴을 이용하여 광 도파로 코어를 자동으로 형성하는 광전 변환 모듈 제조 방법이 개시되어 있다. 광전 변환 모듈 제조 방법은 a) 감광성 폴리머의 상부 및 하부에 각각 비감광성 폴리머를 적층하여 광 폴리머 필름을 형성하는 단계; b) 상기 광 폴리머 필름 상에 금속 박을 적층하는 단계; c) 상기 광 폴리머 필름 상의 금속 박을 패터닝하는 단계; d) 상기 패터닝된 금속 박을 마스크로 상기 광 폴리머 필름에 광을 조사하여, 상기 광 폴리머 필름 내에 코어를 형성하는 단계; e) 상기 광 도파로 코어를 형성한 후, 상기 금속 박 패턴의 일부를 제거하여 금속 패드를 형성하는 단계; 및 f) 상기 금속 패드의 상부에 월 패드를 형성하는 단계를 포함한다. A method of manufacturing a photoelectric conversion module for automatically forming an optical waveguide core using a photosensitive polymer and an electrode pattern is disclosed. A method of manufacturing a photoelectric conversion module includes a) stacking a non-photosensitive polymer on top and bottom of a photosensitive polymer, respectively, to form a photopolymer film; b) laminating a metal foil on the photopolymer film; c) patterning the metal foil on the photopolymer film; d) irradiating the photopolymer film with light using the patterned metal foil as a mask to form a core in the photopolymer film; e) after forming the optical waveguide core, removing a portion of the metal foil pattern to form a metal pad; And f) forming a wall pad on top of the metal pad.

Description

광전 변환 모듈 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION MODULE}Photoelectric conversion module manufacturing method {METHOD OF MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION MODULE}

본 발명은 광전 변환 모듈 제조 방법에 관한 것으로 특히, 감광성 폴리머 및 전극 패턴을 이용하여 광 도파로 코어를 자동으로 형성하는 광전 변환 모듈 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a photoelectric conversion module manufacturing method, and more particularly, to a photoelectric conversion module manufacturing method for automatically forming an optical waveguide core using a photosensitive polymer and an electrode pattern.

도 1은 종래의 광전 변환 모듈 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a conventional method for manufacturing a photoelectric conversion module.

도 1을 참조하면, 광소자 어레이(120)와 대향되는 PCB(110)의 일 측벽에는 광 도파로 어레이(111)를 경계로 상하부에 각각 제 1 및 제 2 전극 패드(114a, 114b)가 형성된다. 또한, PCB(110)의 상부에는 반도체 칩(도시하지 않음)으로부터 전기 신호를 전송하거나, 반도체 칩으로 전송하기 위한 신호 라인(129)이 형성된다. 신호 라인(129)은 제 1 전극 패드(114a)와 일체로 형성되거나 또는 전기적으로 접속된다. 제 2 전극 패드(114b)는 PCB(110) 내의 접지 라인(도시되지 않음)과 접속된다. 광소자 어레이(120)는 PCB(110)의 제 1 전극 패드(114a)에 접속되는 제 1 전극 범프(121a)와, PCB(110)의 제 2 전극 패드(114b)에 접속되는 제 2 전극 범프(121b)와, 광도파로 어레이(111)와 광 접속되는 광소자의 발광부(또는 수광부)(122)를 포함한다. Referring to FIG. 1, first and second electrode pads 114a and 114b are formed on one sidewall of the PCB 110 facing the optical device array 120 at upper and lower sides of the optical waveguide array 111. . In addition, a signal line 129 for transmitting an electrical signal from a semiconductor chip (not shown) or to the semiconductor chip is formed on the PCB 110. The signal line 129 is integrally formed with or electrically connected to the first electrode pad 114a. The second electrode pad 114b is connected with a ground line (not shown) in the PCB 110. The optical device array 120 includes a first electrode bump 121a connected to the first electrode pad 114a of the PCB 110 and a second electrode bump connected to the second electrode pad 114b of the PCB 110. 121b and a light emitting portion (or light receiving portion) 122 of an optical element optically connected to the optical waveguide array 111.

광소자 어레이(120)가 미리 정해진 규격으로 제공되므로, 제 1 및 제 2 전극 패드(114a, 114b)와 광 도파로 어레이(111)를 PCB(110)에 형성할 때, 제 1 및 제 2 전극 패드(114a, 114b), 및 광 도파로 어레이(111)는 광소자 어레이(120)에 형성된 제 1 및 제 2 전극 범프(121a, 121b) 및 광소자(122)의 규격 및 위치에 대응하게 제작해야 한다. Since the optical device array 120 is provided to a predetermined standard, when the first and second electrode pads 114a and 114b and the optical waveguide array 111 are formed on the PCB 110, the first and second electrode pads are formed. 114a and 114b and the optical waveguide array 111 should be manufactured to correspond to the specifications and positions of the first and second electrode bumps 121a and 121b and the optical device 122 formed on the optical device array 120. .

그러나, 도 1에 도시된 광전 변환 모듈은 PCB(110) 내에서 전극 패드가 형성된 필름과 광 도파로 어레이(111)가 형성된 광 도파로 필름을 별도로 제작한 후, 적층 기술을 이용하여 일체화시킴에 따라, 적층 과정에서 PCB(110)와 광 도파로 필름 상에 형성된 얼라인 키(도시하지 않음)의 얼라인 불일치로 인해 광 도파로 어레이(111)와 광소자 어레이(120)와의 사이에 x, y축 정렬이 수십 ㎛까지 오차가 발생되는 문제가 있다. 특히, 긴 도파로 형성시에는 양단부에서 그 정렬의 불량이 더욱 심해지는 문제가 있다. However, in the photoelectric conversion module illustrated in FIG. 1, the electrode pad is formed in the PCB 110 and the optical waveguide film in which the optical waveguide array 111 is formed separately, and then integrated by using a lamination technique. Due to the misalignment of the alignment keys (not shown) formed on the PCB 110 and the optical waveguide film in the lamination process, the x- and y-axis alignment between the optical waveguide array 111 and the optical element array 120 is lost. There is a problem that an error occurs up to several tens of micrometers. In particular, when forming a long waveguide, there is a problem that the misalignment becomes more severe at both ends.

이에 본 발명은 상술한 사정을 감안하여 창출된 것으로서, 본 발명의 목적은 광전 변환 모듈 제조시 PCB 내에서의 전극 패드와 광 도파로의 정렬 불일치를 개선할 수 있는 광전 변환 모듈 제조 방법을 제공하는 것이다. Accordingly, the present invention has been made in view of the above-described circumstances, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a photoelectric conversion module that can improve misalignment between an electrode pad and an optical waveguide in a PCB when manufacturing a photoelectric conversion module. .

상기 문제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 광전 변환 모듈 제조 방법은 a) 감광성 폴리머의 상부 및 하부에 각각 비감광성 폴리머를 적층하여 광 폴리머 필름을 형성하는 단계; b) 상기 광 폴리머 필름 상에 금속 박을 적층하는 단계; c) 상기 광 폴리머 필름 상의 금속 박을 패터닝하는 단계; d) 상기 패터닝된 금속 박을 마스크로 하여 상기 광 폴리머 필름에 광을 조사하여, 상기 광 폴리머 필름 내에 코어를 형성하는 단계; e) 상기 광 도파로 코어를 형성한 후, 상기 금속 박 패턴의 일부를 제거하여 금속 패드를 형성하는 단계; 및 f) 상기 금속 패드의 상부에 월 패드를 형성하는 단계를 포함한다. Method for manufacturing a photoelectric conversion module according to the present invention for solving the above problems comprises the steps of: a) forming a photopolymer film by laminating a non-photosensitive polymer on top and bottom of the photosensitive polymer, respectively; b) laminating a metal foil on the photopolymer film; c) patterning the metal foil on the photopolymer film; d) irradiating light onto the photopolymer film using the patterned metal foil as a mask to form a core in the photopolymer film; e) after forming the optical waveguide core, removing a portion of the metal foil pattern to form a metal pad; And f) forming a wall pad on top of the metal pad.

상기 광 도파로 코어는 광 소자 칩의 광 반응부의 위치 또는/및 형상에 대응하며, 상기 월 패드는 광 소자 칩의 양극 및 음극 패드의 위치 또는/및 형상에 대응하고, 그 크기는 상기 양극 및 음극 패드의 크기에 대응한다.The optical waveguide core corresponds to the position or / and shape of the photoreactive portion of the optical device chip, the wall pad corresponds to the position or / and shape of the anode and cathode pads of the optical device chip, the size of the anode and cathode Corresponds to the size of the pad.

실시 예에 따라서는, 상기 월 패드는 도금에 의해 형성된다.According to an embodiment, the wall pad is formed by plating.

다른 실시 예에 따라서는, 상기 월 패드는 상기 금속 패드 상에 솔더 볼을 형성하는 리플로우 공정에 의해 형성될 수도 있다.According to another embodiment, the wall pad may be formed by a reflow process of forming solder balls on the metal pad.

바람직하게는, 상기 감광성 폴리머 및 상기 비감광성 폴리머의 굴절율은 대략적으로 상호 유사하며, 상기 금속 박은 상기 광 폴리머 필름의 상부 또는/및 하부 표면 상에 형성될 수 있다.Preferably, the refractive indices of the photosensitive polymer and the non-photosensitive polymer are approximately similar to each other, and the metal foil may be formed on the upper or / and lower surface of the photopolymer film.

본 발명에 의하면, 전극 패턴을 마스크로 이용하여 광 도파로 코어를 형성하여 광 도파로 코어의 불일치 문제를 해소할 수 있으며, 전극 패턴 형상에 따라 다양한 크기의 코어 및 도파로를 형성할 수 있다. 또한, 긴 도파로의 형성이 필요한 경우에도 양 끝단의 정렬 불일치 문제를 해소할 수 있다.According to the present invention, an optical waveguide core can be formed using an electrode pattern as a mask to solve an inconsistency problem of the optical waveguide core, and cores and waveguides having various sizes can be formed according to the electrode pattern shape. In addition, even when formation of a long waveguide is required, the problem of misalignment at both ends can be solved.

도 1은 종래의 광전 변환 모듈 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 광전 변환 모듈 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 광전 변환 모듈 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 9 및 도 10은 본 발명에 따른 광전 변환 모듈 제조 방법에 따라 제작된 광전 변환 모듈의 예를 각각 나타낸 도면들이다.
도 11은 본 발명에 따른 월 패드의 형성 공정의 일 예를 나타낸 도면이다.1 is a view for explaining a conventional method for manufacturing a photoelectric conversion module.
2 to 7 are views for explaining a method of manufacturing a photoelectric conversion module according to an embodiment of the present invention.
8A and 8B are diagrams for describing a method of manufacturing a photoelectric conversion module according to another exemplary embodiment of the present invention.
9 and 10 are diagrams each showing an example of a photoelectric conversion module manufactured according to the method of manufacturing a photoelectric conversion module according to the present invention.
11 is a view showing an example of a wall pad forming process according to the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조로, 본 발명에 따른 실시 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2 내지 도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 광전 변환 모듈 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.2 to 7 are views for explaining a method of manufacturing a photoelectric conversion module according to an embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 투명한 감광성 폴리머(103)의 상부 및 하부 표면 상에 비감광성 폴리머(102, 104)를 각각 적층하여 광 폴리머 필름을 형성한다. 상기 감광성 폴리머(103) 및 상기 비감광성 폴리머(102, 104)로는 그 굴절율이 상호 유사한 것이 사용된다.As shown in FIG. 2, the non-photosensitive polymers 102 and 104 are laminated on the upper and lower surfaces of the transparent photosensitive polymer 103, respectively, to form a photopolymer film. As the photosensitive polymer 103 and the non-photosensitive polymers 102 and 104, those having similar refractive indices are used.

이어, 상기 광 폴리머 필름(102, 103, 104)의 상부 표면 상에 금속 박(101)을 적층한 후, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 광 폴리머 필름(102, 103, 104) 상의 상기 금속 박(101)을 패턴닝한다. 상기 금속 박(101)의 패턴닝은 도 7에 도시된 바와 같은 광소자 칩(200)의 광 반응부(201), 양극 패드(202) 및 음극 패드(203)의 위치, 크기 및 형상에 대응한다. Subsequently, after laminating the metal foil 101 on the upper surface of the photopolymer film 102, 103, 104, the metal on the photopolymer film 102, 103, 104, as shown in FIG. 3. The foil 101 is patterned. The patterning of the metal foil 101 corresponds to the position, size, and shape of the photoreaction portion 201, the anode pad 202, and the cathode pad 203 of the optical device chip 200 as shown in FIG. 7. do.

이어, 상기 패턴닝된 금속 박(105)을 마스크로 하여 상기 광 폴리머 필름(102, 103, 104)에 광을 조사하여, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 광 폴리머 필름 내에 코어(106)를 형성한다. 즉, 상기 패턴닝된 금속 박(105)의 상부에서 광을 조사하면, 상기 패터닝된 금속 박(105) 사이를 통과하여 광 폴리머 필름(102, 103, 104)에 조사되고, 광 폴리머 필름(102, 103, 104) 내부의 감광성 폴리머(103)는 입사한 광과 반응하여 그 굴절율이 증가하게 된다. 따라서, 광과 접촉한 감광성 폴리머 부분은 그 굴절율이 증가하여 코어의 기능을 하게 되며, 그 주변은 클래드 기능을 하게 된다.Subsequently, light is irradiated to the photopolymer films 102, 103, and 104 using the patterned metal foil 105 as a mask, and as shown in FIG. 4, the core 106 is placed in the photopolymer film. Form. That is, when light is irradiated from the upper portion of the patterned metal foil 105, it passes through the patterned metal foil 105 and is irradiated to the photopolymer films 102, 103, 104, and the photopolymer film 102. , The photosensitive polymer 103 inside the reaction 103 reacts with the incident light to increase its refractive index. Thus, the portion of the photosensitive polymer in contact with light increases its refractive index to function as a core, and its surroundings function as a clad.

도 5는 광 도파로 코어(106)와 금속 패드(108)가 형성된 광 폴리머 필름이다. 광 도파로 코어(106)는 상기 도 5에 도시된 바와 같이, 패터닝된 금속 박(105) 사이에 길게 형성된다. 이후, 패터닝된 금속 박(105)은 양 끝단의 금속 패드(108)가 형성될 부분만 제외하고 모두 제거한다. 상기 금속 패드(108)는 위에서 설명한 바와 같이, 상기 광 소자 칩(200)의 상기 양극 패드(202) 및 상기 음극 패드(203)의 위치, 크기 및 형상에 대응한다.5 is an optical polymer film having an optical waveguide core 106 and a metal pad 108 formed thereon. The optical waveguide core 106 is formed long between the patterned metal foils 105, as shown in FIG. Thereafter, the patterned metal foil 105 removes all but the portions where the metal pads 108 at both ends will be formed. As described above, the metal pad 108 corresponds to the position, size, and shape of the anode pad 202 and the cathode pad 203 of the optical device chip 200.

이어, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 도파로 필름 위에 형성되어 있는 금속 패드(108)의 상부에 월 패드(107)를 형성한다. 상기 월 패드(107)는 도금 예컨대, 전기 도금 방법을 통해 형성될 수 있다. 상기 도금은 상기 광소자 칩(200)의 상기 양극 및 음극 패드들(202, 203)의 크기에 대응하는 두께로 도금하는 것이 바람직하다. 실시 예에 따라서는, 상기 월 패드(107)는 도 11에 도시된 바와 같이, 금속 패드(108) 위에 솔더 볼을 형성하는 리플로우(reflow) 공정을 통하여 형성될 수도 있다. 상기 월 패드(107)의 위치 및 크기는 상기 광소자 칩(200)의 상기 양극 및 음극 패드들(202, 203)의 위치 및 크기에 대응한다. Subsequently, as shown in FIG. 6, a wall pad 107 is formed on the metal pad 108 formed on the waveguide film. The wall pad 107 may be formed through plating, for example, an electroplating method. The plating may be performed in a thickness corresponding to the size of the anode and cathode pads 202 and 203 of the optical device chip 200. In some embodiments, as illustrated in FIG. 11, the wall pad 107 may be formed through a reflow process of forming solder balls on the metal pad 108. The position and size of the wall pad 107 correspond to the position and size of the anode and cathode pads 202 and 203 of the optical device chip 200.

이어, 상기 월 패드(107) 및 광 도파로가 형성된 필름에 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 광소자 칩(200) 및 구동 IC를 결합시켜, 광전 변환 모듈을 최종적으로 완성한다. 도 9는 유연한 광도파로 필름 양 끝단의 월 패드(302)에 광소자 칩(301)이 본딩된 형태의 광전 변환 모듈를 나타낸 도면이며, 도 10은 월 패드 어레이(405, 406)에 송신용 및 수신용 구동 IC(401, 402) 및 광 소자 칩(403, 404)를 연결한 형태의 광전 변환 모듈을 나타낸 도면이다. 도 10에서 구동 IC(401, 402)와 월 패드(405, 406)를 와이어를 통한 연결을 예로 들었지만, 솔더볼에 의한 플립칩 공정에 의한 연결도 가능하다.Subsequently, as shown in FIGS. 9 and 10, the optical device chip 200 and the driving IC are coupled to the film on which the wall pad 107 and the optical waveguide are formed, thereby finally completing the photoelectric conversion module. FIG. 9 illustrates a photoelectric conversion module in which an optical device chip 301 is bonded to wall pads 302 at both ends of a flexible optical waveguide film. FIG. 10 illustrates transmission and reception of wall pad arrays 405 and 406. The figure shows a photoelectric conversion module in which credit driving ICs 401 and 402 and optical element chips 403 and 404 are connected. Although the driving ICs 401 and 402 and the wall pads 405 and 406 are connected via wires in FIG. 10 as an example, the solder ICs may be connected by a flip chip process.

도 8a 및 도 8b는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 광전 변환 모듈 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.8A and 8B are diagrams for describing a method of manufacturing a photoelectric conversion module according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 8a 및 도 8b를 참조하면, 상술한 실시 예에서와 같이, 감광성 폴리머(314)의 상부 및 하부 표면 상에 비감광성 폴리머(313, 315)를 각각 적층하여 광 폴리머 필름을 형성하고 상기 광 폴리머 필름(313, 314, 315)의 상부 및 하부 표면 상에 금속 박(312, 316)을 적층한다. 이것은 도 8b에 도시된 바와 같이, 광소자 칩(320)의 양극 및 음극 패드(321, 322)의 위치에 대응하여 월 패드(311, 317)를 형성하기 위한 것이다. 8A and 8B, as in the above-described embodiment, the non-photosensitive polymers 313 and 315 are laminated on the upper and lower surfaces of the photosensitive polymer 314 to form a photopolymer film and the photopolymer. Metal foils 312 and 316 are laminated on the top and bottom surfaces of the films 313, 314 and 315. This is to form the wall pads 311 and 317 corresponding to the positions of the anode and cathode pads 321 and 322 of the optical device chip 320 as shown in FIG. 8B.

또한 앞서 설명한 실시 예와 유사하게, 상기 패턴닝된 금속 박(312, 316)을 마스크로 하여 상기 광 폴리머 필름(310)에 광을 조사하여, 상기 광 폴리머 필름(310) 내에 코어(318)를 형성하며, 상기 광 도파로 코어를 형성한 후, 상기 패턴닝된 금속 박의 필름의 양 끝단 부분을 제외하고 제거하여 금속 패드(312, 316)를 형성한다. 그리고, 상기 금속 패드(312, 316) 상에 전기 도금을 이용하여 월 패드(311, 317)를 형성한다. In addition, similar to the above-described embodiment, the photopolymer film 310 is irradiated with light by using the patterned metal foils 312 and 316 as a mask, so that the core 318 is formed in the photopolymer film 310. After forming the optical waveguide core, the metal pads 312 and 316 are formed by removing the opposite ends of the film of the patterned metal foil. Then, wall pads 311 and 317 are formed on the metal pads 312 and 316 using electroplating.

이어, 상기 월 패드(311, 317) 및 광 도파로가 형성된 필름(310)에 상술한 바와 같이, 상기 광소자 칩(320) 및 구동 IC(도시하지 않음)를 결합시켜, 광전 변환 모듈을 최종적으로 완성한다.Subsequently, as described above, the optical device chip 320 and the driving IC (not shown) are coupled to the wall pads 311 and 317 and the film 310 having the optical waveguide, thereby finally connecting the photoelectric conversion module. Complete

따라서, 상술한 바와 같이, 광소자 칩의 광 반응부, 양극 패드 및 음극 패드의 위치, 크기 및 형상에 대응하여, 본 발명을 적용할 수 있음을 알 수 있다. Therefore, as described above, it can be seen that the present invention can be applied to the positions, sizes, and shapes of the photoreactive portion, the anode pad, and the cathode pad of the optical device chip.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 갖는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 게시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이런 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains may make various modifications and changes without departing from the essential characteristics of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

110: PCB 114a, 114b: 전극 패드
120, 200, 320: 광소자 어레이 111: 광 도파로 어레이
121a, 121b: 전극 범프 103, 314: 감광성 폴리머
102, 104, 313, 315: 비감광성 폴리머
101: 금속 박 122, 201, 323: 광소자의 광 반응부
105: 패터닝된 금속 박
202, 321: 양극 패드 203, 322: 음극 패드
106, 318: 광 도파로 코어 108, 312, 316: 금속 패드
107, 302, 311, 317: 월 패드110: PCB 114a, 114b: electrode pad
120, 200, 320: optical element array 111: optical waveguide array
121a, 121b: electrode bumps 103, 314: photosensitive polymer
102, 104, 313, 315: non-photosensitive polymer
101: metal foil 122, 201, 323: optical reaction part of the optical element
105: patterned metal foil
202 and 321: positive electrode pads 203 and 322: negative electrode pads
106, 318: optical waveguide core 108, 312, 316: metal pad
107, 302, 311, 317: Wall pad

Claims (7)

a) 감광성 폴리머의 상부 및 하부에 각각 비감광성 폴리머를 적층하여 광 폴리머 필름을 형성하는 단계;
b) 상기 광 폴리머 필름 상에 금속 박을 적층하는 단계;
c) 상기 광 폴리머 필름 상의 금속 박을 패터닝하는 단계;
d) 상기 패터닝된 금속 박을 마스크로 하여 상기 광 폴리머 필름에 광을 조사하여, 상기 광 폴리머 필름 내에 코어를 형성하는 단계;
e) 상기 광 도파로 코어를 형성한 후, 상기 금속 박 패턴의 일부를 제거하여 금속 패드를 형성하는 단계; 및
f) 상기 금속 패드의 상부에 월 패드를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 금속 패드의 위치, 크기 및 형상은 광 소자 칩의 양극 패드 및 음극패드의 위치, 크기 및 형상에 대응하는 것을 특징으로 하는
광전 모듈 제조 방법.a) laminating a non-photosensitive polymer on top and bottom of the photosensitive polymer, respectively, to form a photopolymer film;
b) laminating a metal foil on the photopolymer film;
c) patterning the metal foil on the photopolymer film;
d) irradiating light onto the photopolymer film using the patterned metal foil as a mask to form a core in the photopolymer film;
e) after forming the optical waveguide core, removing a portion of the metal foil pattern to form a metal pad; And
f) forming a wall pad on top of the metal pad,
The position, size, and shape of the metal pad correspond to the position, size, and shape of the anode pad and the cathode pad of the optical device chip.
Photoelectric module manufacturing method. 제 1 항에 있어서, 상기 광 도파로 코어는 광 소자 칩의 광 반응부의 위치 및 형상에 대응하는 것을 특징으로 하는
광전 모듈 제조 방법.
The optical waveguide core corresponds to a position and a shape of an optical reaction part of the optical device chip.
Photoelectric module manufacturing method.
삭제delete 제 1 항 내지 제 2 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 월 패드는 도금에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는
광전 모듈 제조 방법.3. The wall pad according to any one of claims 1 to 2, wherein the wall pad is formed by plating.
Photoelectric module manufacturing method. 제 1 항 내지 제 2 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 월 패드는 상기 금속 패드 상에 솔더 볼을 형성하는 리플로우 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는
광전 모듈 제조 방법.
The wall pad according to any one of claims 1 to 2, wherein the wall pad is formed by a reflow process of forming solder balls on the metal pad.
Photoelectric module manufacturing method.
삭제delete 제 1 항 내지 제 2 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 박은 상기 광 폴리머 필름의 상부 및 하부 중 어느 하나, 또는 상부 및 하부 모두의 표면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는
광전 모듈 제조 방법.3. The metal foil of claim 1, wherein the metal foil is formed on a surface of either one of the top and the bottom of the photopolymer film, or both the top and the bottom.
Photoelectric module manufacturing method.
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