KR101175325B1 - Method of fabricating quantum dot - Google Patents

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Abstract

본 발명은 양자점 형성방법에 관한 것으로, 기판상에 제1고분자막과 제2고분자막이 결합된 블럭공중합체로 이루어진 희생막을 형성하는 단계; 상기 희생막에서 상기 제1고분자막을 선택적으로 제거하여 희생패턴을 형성하는 단계; 상기 희생패턴 사이를 매립하도록 물질막을 증착하는 단계; 및 상기 희생패턴을 제거하는 단계를 포함하고 있으며, 상술한 본 발명에 따르면, 자기조립구조를 갖는 블럭공중합체를 이용하여 양자점을 형성함으로써, 수~수십 나노미터의 선폭을 갖는 양자점을 전 기판에서 균일한 크기 및 형상을 갖도록 형성할 수 있으며, 결과적으로 양자점 형성공정시 재현성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. The present invention relates to a method for forming a quantum dot, comprising: forming a sacrificial film made of a block copolymer in which a first polymer film and a second polymer film are combined on a substrate; Selectively removing the first polymer layer from the sacrificial layer to form a sacrificial pattern; Depositing a material film to fill the sacrificial patterns; And removing the sacrificial pattern, and according to the present invention described above, by forming a quantum dot using a block copolymer having a self-assembled structure, a quantum dot having a line width of several tens to several tens of nanometers is formed on the entire substrate. It can be formed to have a uniform size and shape, as a result has the effect of improving the reproducibility during the quantum dot forming process.

블럭공중합체, 양자점, 고분자 Block copolymer, quantum dot, polymer

Description

양자점 형성방법{METHOD OF FABRICATING QUANTUM DOT} Quantum dot formation method {METHOD OF FABRICATING QUANTUM DOT}

본 발명은 반도체 장치의 제조 기술에 관한 것으로, 특히 양자점(Quantum Dot, QD) 형성방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a manufacturing technique of a semiconductor device, and more particularly to a method of forming a quantum dot (QD).

최근 양자점(Quantum Dot, QD)의 우수한 효과가 증명됨에 따라 양자점을 이용한 다양한 장치들이 연구개발되고 있다. 일반적으로, 양자점은 포토리소스라피 기술(Photo Lithography)을 바탕으로한 패터닝 공정을 통해 형성하거나, 또는 물리기상증착법(PVD) 또는 화학기상증착법(CVD)과 같은 증착법을 사용하여 형성하고 있다. Recently, as the excellent effect of quantum dots (QD) has been proved, various devices using quantum dots have been researched and developed. In general, the quantum dots are formed through a patterning process based on photolithography technology, or by using a deposition method such as physical vapor deposition (PVD) or chemical vapor deposition (CVD).

하지만, 종래기술에서 포토리소그라피기술을 바탕으로한 패터닝공정을 통한 양자점 형성방법으로는 수~수십나노미터의 선폭(또는 직경)을 갖는 양자점을 용이하게 형성할 수 없는 문제점이 있다. 구체적으로, 포토리소그라피기술의 회절한계등으로 인해 전 기판에서 균일한 크기 및 형상을 갖는 양자점을 구현하기 어렵다는 문제점이 있다. 또한, 수~수십나노미터의 선폭을 갖는 양자점을 구현하기 위해서는 고가의 리소그라피 장비가 필요하기 때문에 양자점 형성공정시 많은 비용이 소모되는 문제점이 있다. However, in the prior art, there is a problem in that a quantum dot forming method through a patterning process based on photolithography technology cannot easily form a quantum dot having a line width (or diameter) of several tens of nanometers. Specifically, there is a problem that it is difficult to implement a quantum dot having a uniform size and shape in the entire substrate due to the diffraction limit of the photolithography technology. In addition, in order to implement a quantum dot having a line width of several tens of nanometers, expensive lithography equipment is required.

또한, 물리기상증착법 또는 화학기상증착법과 같은 증착법을 이용한 양자점 형성방법 역시 양자점을 균일한 크기로 제어하는 문제와 이를 재현하는 문제 및 양자점의 분포를 균일하게 제어하지 못하는 문제점이 있다. In addition, the quantum dot formation method using a deposition method such as physical vapor deposition or chemical vapor deposition method also has a problem of controlling the quantum dot to a uniform size, a problem of reproducing it and a problem of not uniformly control the distribution of the quantum dot.

정리하면, 균일한 형상 및 분포를 갖는 양자점을 보다 손쉽게 재현할 수 있는 양자점 형성방법에 대한 연구가 절실히 요구되고 있다. In summary, there is an urgent need for a method of forming a quantum dot that can more easily reproduce a quantum dot having a uniform shape and distribution.

본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 균일한 크기 및 분포를 갖는 양자점을 용이하게 형성할 수 있는 양자점 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention has been proposed to solve the above problems of the prior art, and an object thereof is to provide a method for forming a quantum dot which can easily form a quantum dot having a uniform size and distribution.

또한, 본 발명은 수~수십나노미터의 선폭을 갖는 양자점에 형성공정시 재현성을 향상시킬 수 있는 양자점 형성방법을 제공하는데 다른 목적이 있다. Another object of the present invention is to provide a quantum dot forming method capable of improving reproducibility during the forming process on a quantum dot having a line width of several tens of nanometers.

상기 목적을 달성하기 위한 일 측면에 따른 본 발명의 양자점 형성방법은, 기판상에 제1고분자막과 제2고분자막이 결합된 블럭공중합체로 이루어진 희생막을 형성하는 단계; 상기 희생막에서 상기 제1고분자막을 선택적으로 제거하여 희생패턴을 형성하는 단계; 상기 희생패턴 사이를 매립하도록 물질막을 증착하는 단계; 및 상기 희생패턴을 제거하는 단계를 포함하고 있다. 이때, 상기 희생막은 상기 제1고분자막이 상기 희생막을 관통하는 기둥형태로 매트릭스 배열을 갖도록 형성할 수 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of forming a quantum dot, comprising: forming a sacrificial film made of a block copolymer in which a first polymer film and a second polymer film are combined on a substrate; Selectively removing the first polymer layer from the sacrificial layer to form a sacrificial pattern; Depositing a material film to fill the sacrificial patterns; And removing the sacrificial pattern. In this case, the sacrificial layer may be formed such that the first polymer layer has a matrix arrangement in the form of a column passing through the sacrificial layer.

상기 목적을 달성하기 위한 다른 일 측면에 따른 본 발명의 양자점 형성방법은, 기판상에 제1고분자막과 제2고분자막이 결합된 블럭공중합체로 이루어진 희생막을 형성하는 단계; 상기 희생막에서 상기 제1고분자막 또는 상기 제2고분자막 중 어느 하나를 선택적으로 제거하여 희생패턴을 형성하는 단계; 상기 희생패턴을 식 각장벽으로 상기 기판을 일부 식각하는 단계; 및 상기 희생패턴을 제거하는 단계를 포함하고 있다. 이때, 상기 희생막은 상기 제1고분자막 내에 상기 제2고분자막이 구형태로 매트릭스 배열을 갖도록 형성할 수 있다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of forming a quantum dot, comprising: forming a sacrificial film made of a block copolymer in which a first polymer film and a second polymer film are combined on a substrate; Selectively removing one of the first polymer film and the second polymer film from the sacrificial film to form a sacrificial pattern; Partially etching the substrate using the sacrificial pattern as an etch barrier; And removing the sacrificial pattern. In this case, the sacrificial layer may be formed in the first polymer layer such that the second polymer layer has a matrix arrangement in a spherical shape.

여기서, 상기 제2고분자막을 선택적으로 제거하여 상기 희생패턴을 형성한 경우에 상기 희생패턴을 식각장벽으로 식각되어 상기 기판에 형성된 홈이 양자점으로 작용하고, 상기 제1고분자막을 선택적으로 제거하여 상기 희생패턴을 형성한 경우에는 상기 희생패턴을 식각장벽으로 식각되어 상기 기판 표면으로부터 돌출된 돌출부가 양자점으로 작용한다. Here, when the sacrificial pattern is formed by selectively removing the second polymer film, the sacrificial pattern is etched with an etch barrier to form a groove formed in the substrate as a quantum dot, and the sacrificial pattern is selectively removed to remove the first polymer film. When the pattern is formed, the sacrificial pattern is etched with an etch barrier, and the protrusion protruding from the substrate surface serves as a quantum dot.

상기 목적을 달성하기 위한 또 다른 일 측면에 따른 본 발명의 양자점 형성방법은, 기판상에 제1희생막을 형성하는 단계; 상기 제1희생막 상에 제1고분자막과 제2고분자막이 결합된 블럭공중합체로 이루어진 제2희생막을 형성하는 단계; 상기 제2희생막에서 상기 제2고분자막을 선택적으로 제거하여 제2희생패턴을 형성하는 단계; 상기 제2희생패턴을 식각장벽으로 상기 제1희생막을 식각하여 제1희생패턴을 형성하는 단계; 상기 제1희생패턴 사이를 매립하도록 물질막을 증착하는 단계; 및 상기 제1 및 제2희생패턴을 제거하는 단계를 포함한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of forming a quantum dot, comprising: forming a first sacrificial film on a substrate; Forming a second sacrificial film made of a block copolymer in which a first polymer film and a second polymer film are combined on the first sacrificial film; Selectively removing the second polymer film from the second sacrificial film to form a second sacrificial pattern; Etching the first sacrificial layer using the second sacrificial pattern as an etch barrier to form a first sacrificial pattern; Depositing a material film to fill the first sacrificial pattern; And removing the first and second sacrificial patterns.

상술한 과제 해결 수단을 바탕으로 하는 본 발명은, 블럭공중합체를 이용하여 양자점을 형성함으로써, 수~수십나노미터의 선폭을 갖는 양자점을 용이하게 형성할 수 있는 효과가 있다. The present invention based on the problem solving means described above has the effect of easily forming a quantum dot having a line width of several tens to several nanometers by forming a quantum dot using a block copolymer.

또한, 본 발명은 자기조립구조를 갖는 블럭공중합체를 이용하여 양자점을 형성함으로써, 전 기판에서 균일한 크기 및 형상을 갖는 양자점을 형성할 수 있는 효과가 있다. In addition, the present invention has the effect of forming a quantum dot having a uniform size and shape on the entire substrate by forming a quantum dot using a block copolymer having a self-assembled structure.

이로써, 본 발명은 양자점 형성공정시 재현성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. As a result, the present invention has the effect of improving the reproducibility during the quantum dot forming process.

이하 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, in order to facilitate a person skilled in the art to easily carry out the technical idea of the present invention.

후술할 본 발명의 실시예들에서는 수~수십 나노미터의 선폭을 갖는 양자점을 전 기판에서 균일한 크기 및 형상을 갖도록 형성할 수 있는 재현성이 향상된 양자점 형성방법을 제공한다. 이를 위해, 서로 다른 고분자막이 결합된 블럭공중합체(Block CoPolymer, BCP)를 사용하여 양자점을 형성하는 것을 기술적 원리로 한다. Embodiments of the present invention to be described below provide a method for forming quantum dots with improved reproducibility that can form a quantum dot having a line width of several tens to several tens of nanometers to have a uniform size and shape on the entire substrate. To this end, the technical principle is to form a quantum dot using a block copolymer (BCP) in which different polymer membranes are bonded.

여기서, 블럭공중합체는 두 개 이상의 화학적으로 다른 결합을 가진 고분자를 결합시킨 물질 즉, 서로 다른 두 종류 이상의 고분자 사슬이 화학결합을 통해 강제로 연결되어 있는 독특한 형태의 고분자를 의미한다. Here, the block copolymer refers to a material in which two or more chemically different polymers are bonded, that is, a unique type of polymer in which two or more different polymer chains are forcibly connected through chemical bonds.

블럭공중합체는 아주 긴 분자 고리를 가지고 있어서 화학적 및 물리적 성질 이 단일 고분자 또는 단일 중합체에 비하여 특이하며, 독특한 형태의 화학결합으로 인해 수~수십나노미터 수준의 균일한 크기 및 배열을 갖는 구(sphere), 원통(cylinder), 기둥(pillar) 또는 층상(lamellae) 형태의 자기조립구조(self assembled structure)들을 형성할 수 있다. 구체적으로, 블럭공중합체는 두 가지 이상의 고분자가 공유결합으로 서로 연결된 구조를 가지며, 두 가지 이상의 서로 다른 성질을 갖는 고분자가 공유결합에 의해 연결되어 있기 때문에 일정온도와 압력에서 분자간의 상호인력에 의하여 상분리가 발생한다. 이때, 상분리로 인해 형성되는 도메인의 크기 및 모양은 각각의 고분자 세그먼트(segment) 들의 크기, 분자량 및 결합력에 따라 달라지며, 이들을 적절한 조건에서 조절하면 균일한 크기 및 배열을 갖는 구, 원통, 기둥, 층상구조등을 포함하는 다양한 자기조립구조물을 만들수 있다. 이를 통해, 현재 산업계에서 이용되고 있는 반도체 제조 기술로는 구현하기 힘든 수~수십 나노미터 크기의 미세한 점이나 선형태의 구조들을 매우 쉽게 만들어 낼 수 있다는 장점이 있다(도 5 참조).Block copolymers have very long molecular rings, so their chemical and physical properties are unique compared to single polymers or single polymers. Spheres have uniform sizes and arrangements ranging from tens to tens of nanometers due to unique forms of chemical bonds. ), Self assembled structures in the form of cylinders, cylinders, pillars, or lamellars may be formed. Specifically, the block copolymer has a structure in which two or more polymers are connected to each other by covalent bonds, and because two or more polymers having different properties are connected by covalent bonds, due to mutual attraction between molecules at a constant temperature and pressure. Phase separation occurs. At this time, the size and shape of the domain formed by the phase separation depends on the size, molecular weight and bonding strength of each polymer segment (segment), if they are adjusted under appropriate conditions, spheres, cylinders, columns, Various self-assembled structures, including layered structures, can be made. Through this, there is an advantage in that it is very easy to create fine points or linear structures of several tens to several tens of nanometers, which are difficult to implement in the semiconductor manufacturing technology currently used in the industry (see FIG. 5).

본 발명의 양자점 형성방법에 대한 실시예들에서 블럭공중합체를 형성하기 위한 고분자물질로는 폴리스틸렌(PolyStyrene, PS), 폴리카본에스테르(PolyCarbonate, PC), 폴리메틸메타크릴레이드(PolyMethylMetaAcrlate, PMMA), 폴리디메틸실록산(PolyDiMethylSiloxane, PDMS), 폴리에테르이미드(Polyetherimide, PEI), 폴리에테르에테르케톤(polyetheretherketone, PEEK), 폴리이미드(Polyimide, PI), 폴리에테르설폰(Polyethersulfone, PES), 폴리에테르이미드(Polyetherimide, PEI), 폴리에스테르(Polyester, PET), 폴리에틸렌나프탈레이 트(polyethylenenapthalate, PEN) 폴리부타디엔(PolyButadiene, PB), 폴리에틸렌프로필렌(PolyEthylene-alt-Propylene, PEP), 폴리4비닐피리딘(poly(4-vinylpyridine), P4VP), 폴리비닐피리딘(polyVinylpyridine, PVP), 폴리이소플렌(polyisoprene, PI), 폴리시나모일에틸메타에크릴에트(poly(2-cinnamoylethylmethacrylate), PCEMA)등을 사용할 수 있다. In the embodiments of the method for forming a quantum dot of the present invention, the polymer material for forming the block copolymer may be polystyrene (PS), polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PolyMethylMetaAcrlate, PMMA), Polydimethylsiloxane (PDMS), polyetherimide (PEI), polyetheretherketone (PEEK), polyimide (PI), polyethersulfone (PES), polyetherimide (Polyetherimide) , PEI), Polyester (Polyester, PET), Polyethylenenapthalate (PEN) Polybutadiene (PolyButadiene, PB), Polyethylenepropylene (PolyEthylene-alt-Propylene, PEP), Poly4 vinylpyridine (poly (4) -vinylpyridine, P4VP), polyVinylpyridine (PVP), polyisoprene (PI), polycinamoylethyl methacrylate (poly (2-cinnamoylethylmethacrylate), PCEMA), etc. are used. Can.

그리고, 본 발명의 양자점 형성방법에 대한 실시예들에서 상술한 고분자물질들 중에서 둘 이상이 서로 결합된 블럭공중합체로는 폴리스틸렌-블럭-폴리메틸메타크릴레이드(PolyStyrene-b-PolyMethylMetaAcrlate, PS-b-PMMA), 폴리메틸스틸렌-블럭-폴리하이드록시스틸렌(Poly(α-methylstyrene)-b-(4hydroxyrene), PMS-b-PHOST), 폴리스틸렌-블럭-폴리에틸렌프로필렌(polystyrene-block-poly(ethylene-alt-propylene), PS-b-PEP), 폴리스틸렌-블럭-폴리이소플렌(polystyrene-b-polyisoprene, PS-b-PI), 폴리스틸렌-블럭-폴리부타디엔(polystyrene-b-polybutadiene, PS-b-PBD), 폴리스틸렌-블럭-폴리4비닐피리딘(poly(styrene) and poly(4-vinylpyridine), PS-b-P4VP), 폴리스틸렌-블럭-폴리시나모일에틸메타에크릴에트(polystyrene-b-poly(2-cinnamoylethylmethacrylate), PS-b-PCEMA), 폴리스틸렌-블럭-폴리에테르설폰(polystyrene-b-poly(ferrocenylsilane), PS-b-PFS)등을 사용할 수 있다. In the embodiments of the method for forming a quantum dot of the present invention, as a block copolymer in which two or more of the above-described polymer materials are bonded to each other, polystyrene-block-polymethyl methacrylate (PolyStyrene-b-PolyMethylMetaAcrlate, PS-b-) PMMA), polymethyl styrene-block-poly hydroxy styrene (poly (α-methylstyrene) -b- (4hydroxyrene), PMS-b-PHOST), polystyrene-block-polyethylene propylene (polystyrene- block -poly (ethylene- alt - propylene), PS-b- PEP), polystyrene-block-polyisobutylene flange (polystyrene-b-polyisoprene, PS -b-PI), polystyrene-block-polybutadiene (polystyrene-b-polybutadiene, PS -b-PBD ), Polystyrene-block-poly4vinylpyridine (poly (styrene) and poly (4-vinylpyridine), PS-b-P4VP), polystyrene-block-polycinamoylethylmethacrylate (polystyrene-b-poly (2) -cinnamoylethylmethacrylate), PS-b-PCEMA), polystyrene-b-poly (ferrocenylsilane), PS-b-PFS) It can be used.

이하, 본 발명의 실시예들을 통해 본 발명의 기술적 원리를 적용한 양자점 형성방법에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the quantum dot forming method to which the technical principles of the present invention are applied will be described in detail through embodiments of the present invention.

[제1실시예][First Embodiment]

도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 제1실시예에 양자점 형성방법을 도시한 공정단면도이다. 1A to 1D are cross-sectional views illustrating a method of forming a quantum dot in a first embodiment of the present invention.

도 1a에 도시된 바와 같이, 기판(11)상에 절연막(12)을 형성한다. 이때, 절연막(12)은 후속 공정을 통해 형성될 양자점과 기판(11) 사이를 전기적으로 분리시키는 역할을 수행하는 것으로, 산화막, 질화막, 산화질화막(oxynitride)등으로 형성할 수 있다. 한편, 경우에 따라 후속 공정을 통해 형성될 양자점과 기판(11)을 전기적으로 분리시킬 필요가 없는 경우에는 절연막(12) 형성공정을 생략할 수도 있다. As shown in FIG. 1A, an insulating film 12 is formed on the substrate 11. In this case, the insulating film 12 serves to electrically separate the quantum dots to be formed through the subsequent process and the substrate 11, and may be formed of an oxide film, a nitride film, an oxynitride, or the like. In some cases, when the quantum dot to be formed through the subsequent process and the substrate 11 need not be electrically separated, the process of forming the insulating film 12 may be omitted.

다음으로, 절연막(12) 상에 제1고분자막(13)과 제2고분자막(14)이 결합된 블럭공중합체로 이루어진 희생막(15)을 형성한다. 이때, 블럭공중합체로 이루어진 희생막(15)은 상온 내지 300℃ 범위의 온도에서 형성하는 것이 바람직하다. 이는 300℃를 초과하는 온도에서 블럭공중합체로 이루어진 희생막(15)을 형성할 경우에 화학적으로 서로 다른 결합을 가진 고분자를 결합이 손상 또는 파괴되어 블럭공중합체 내 자기조립구조가 형성되지 않을 우려가 있으며, 상온 미만의 온도에서는 서로 다른 결합을 가진 고분자들의 결합이 용이하지 않아 블럭공중합체 내 자기조립구조가 형성되지 않을 우려가 있다. Next, a sacrificial film 15 made of a block copolymer in which the first polymer film 13 and the second polymer film 14 are bonded to the insulating film 12 is formed. At this time, the sacrificial film 15 made of a block copolymer is preferably formed at a temperature in the range of room temperature to 300 ℃. When the sacrificial film 15 made of the block copolymer is formed at a temperature exceeding 300 ° C., the bond of the polymer having the chemically different bonds may be damaged or destroyed so that the self-assembled structure in the block copolymer may not be formed. There is a fear that the self-assembly structure in the block copolymer may not be formed because the bonding of the polymers having different bonds is not easy at a temperature below room temperature.

희생막(15)은 화학기상증착법(CVD), 스퍼터링법(sputtering), 스핀코팅법(spin coating) 또는 중성입자빔증착법(Hyperthermal Neutral Beam, HNB)등을 사용하여 형성할 수 있다. 일례로, 중성입자증착법을 사용하여 희생막(15)을 형성하는 경우에 중성입자 변환기를 통해 중성입자빔의 에너지를 낮게(예컨대, 10eV ~ 100eV) 조절할 수 있기 때문에 중성입자빔을 이용하여 박막을 증착하면 기판(11)을 가열하는 것과 동일한 효과를 구현하면서도 박막에 열 또는 플라즈마에 의한 손상이 방지할 수 있어 상온 내지 300℃ 범위의 온도에서 블럭공중합체로 이루어진 희생막(15)을 안정적으로 형성할 수 있다. The sacrificial film 15 may be formed using chemical vapor deposition (CVD), sputtering, spin coating, or a hyperthermal neutral beam (HNB). For example, when the sacrificial film 15 is formed using the neutral particle deposition method, since the energy of the neutral particle beam can be controlled low (eg, 10 eV to 100 eV) through the neutral particle converter, the thin film may be formed using the neutral particle beam. Deposition can realize the same effect as heating the substrate 11 while preventing damage to the thin film by heat or plasma, thereby stably forming the sacrificial film 15 made of the block copolymer at a temperature ranging from room temperature to 300 ° C. can do.

희생막(15)을 구성하는 제1 및 제2고분자막(13, 14)으로는 폴리스틸렌(PS), 폴리카본에스테르(PC), 폴리메틸메타크릴레이드(PMMA), 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리이미드(PI), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에스테르(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 폴리부타디엔(PB), 폴리에틸렌프로필렌(PEP), 폴리4비닐피리딘(P4VP), 폴리비닐피리딘(PVP), 폴리이소플렌(PI) 및 폴리시나모일에틸메타에크릴에트(PCEMA)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 사용할 수 있다. 즉, 희생막(15)은 상술한 물질들 중에서 선택된 어느 둘 이상의 고분자 물질이 결합된 블럭공중합체로 형성할 수 있다. As the first and second polymer films 13 and 14 constituting the sacrificial film 15, polystyrene (PS), polycarbon ester (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), polydimethylsiloxane (PDMS), poly Etherimide (PEI), Polyetheretherketone (PEEK), Polyimide (PI), Polyethersulfone (PES), Polyetherimide (PEI), Polyester (PET), Polyethylenenaphthalate (PEN) Polybutadiene (PB) ), Polyethylenepropylene (PEP), poly4vinylpyridine (P4VP), polyvinylpyridine (PVP), polyisoprene (PI) and polycinamolyl ethyl methacrylate (PCEMA) Can be. That is, the sacrificial layer 15 may be formed of a block copolymer in which at least two polymer materials selected from the above materials are combined.

예를 들어, 본 발명의 제1실시예에 따른 희생막(15)으로 적용가능한 상술한 고분자 물질들 중 어느 둘 이상이 결합된 블럭공중합체로는 폴리스틸렌-블럭-폴리메틸메타크릴레이드(PS-b-PMMA), 폴리메틸스틸렌-블럭-폴리하이드록시스틸렌(PMS-b-PHOST), 폴리스틸렌-블럭-폴리에틸렌프로필렌(PS-b-PEP), 폴리스틸렌-블럭-폴리이소플렌(PS-b-PI), 폴리스틸렌-블럭-폴리부타디엔(PS-b-PBD), 폴리스틸렌-블럭-폴리4비밀피리딘(PS-b-P4VP), 폴리스틸렌-블럭-폴리시나모일에틸메타에크릴에트(PS- b-PCEMA) 및 폴리스틸렌-블럭-폴리에테르설폰(PS-b-PFS)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 사용할 수 있다. For example, a block copolymer in which two or more of the above-described polymer materials applicable to the sacrificial film 15 according to the first embodiment of the present invention is combined is polystyrene-block-polymethylmethacrylate (PS-b). -PMMA), polymethylstyrene-block-polyhydroxystyrene (PMS-b-PHOST), polystyrene-block-polyethylenepropylene (PS-b-PEP), polystyrene-block-polyisoprene (PS-b-PI) , Polystyrene-block-polybutadiene (PS-b-PBD), polystyrene-block-poly4-bipyripyridine (PS-b-P4VP), polystyrene-block-polycinamoylethylmethacrylate (PS-b-PCEMA) And polystyrene-block-polyethersulfone (PS-b-PFS).

본 발명의 제1실시예에 따른 희생막(15)은 양자점을 용이하게 형성하기 위해 제1고분자막(13)이 희생막(15)을 관통하는 기둥형태를 갖고, 기둥형태를 갖는 제1고분자막(13)이 매트릭스 형태로 배열되도록 형성할 수 있다. The sacrificial film 15 according to the first embodiment of the present invention has a columnar shape in which the first polymer layer 13 penetrates the sacrificial layer 15 in order to easily form quantum dots, and has a columnar first polymer film ( 13) can be formed to be arranged in a matrix form.

일례로, 제1고분자막(13)이 기둥형태를 갖고 매트릭스로 배열된 희생막(15)은 제1고분자막(13)으로 폴리메틸메타크릴레이드(PMMA), 제2고분자막(14)으로 폴리스틸렌(PS)를 사용하여 형성할 수 있다. 구체적으로, 절연막(12) 상에 스핀코팅법을 사용하여 폴리스틸렌-블럭-폴리메틸메타크릴레이드(PS-b-PMMA)를 도포한 후에 기판(11)을 150℃ ~ 250℃ 범위의 온도로 가열하면 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 내에 폴리스틸렌(PS)이 기둥형태로 매트릭스 배열된 희생막(15)을 형성할 수 있다. For example, the sacrificial layer 15 in which the first polymer layer 13 has a columnar shape and arranged in a matrix is polymethyl methacrylate (PMMA) as the first polymer layer 13, and polystyrene (PS) as the second polymer layer 14. ) Can be used. Specifically, after applying the polystyrene-block-polymethyl methacrylate (PS-b-PMMA) on the insulating film 12 by using a spin coating method, the substrate 11 is heated to a temperature in the range of 150 ℃ to 250 ℃ The sacrificial layer 15 in which polystyrene (PS) is matrix-shaped in a columnar shape may be formed in the polymethyl methacrylate (PMMA).

도 1b에 도시된 바와 같이, 희생막(15)에서 제1고분자막(13)만을 선택적으로 제거하여 희생패턴(15A)을 형성한다. 물론, 제2고분자막(14)만을 선택적으로 제거하여 희생패턴(15A)을 형성할 수도 있다. As shown in FIG. 1B, only the first polymer layer 13 is selectively removed from the sacrificial layer 15 to form the sacrificial pattern 15A. Of course, the sacrificial pattern 15A may be formed by selectively removing only the second polymer layer 14.

여기서, 제1고분자막(13)을 선택적으로 제거하는 식각공정은 습식식각법(wet etch), 건식식각법(dry etch), 산소 플라즈마 처리법(O2 plasma treatment), 자외선방사법(UV radiation)등을 사용하여 선택적으로 제거할 수 있다. 이때, 습식식각법 또는 건식식각법을 사용하여 제1고분자막(13) 또는 제2고분자막을 선택적으로 제거하는 경우에는 이들에 대해 식각선택비를 갖는 식각용액 또는 식각가스를 사용하여 실시할 수 있다. 그리고, 산소 플라즈마 처리법 또는 자외선방사법을 사용하여 제1고분자막(13) 또는 제2고분자막을 선택적으로 제거하는 경우에는 제1고분자막(13)과 제2고분자막(14) 사이의 분자크기, 분자량, 결합력 차이등을 이용하여 이들 중 어느 하나를 선택적으로 제거할 수 있다. Here, the etching process for selectively removing the first polymer film 13 may include wet etching, dry etching, O 2 plasma treatment, UV radiation, and the like. Can be selectively removed. In this case, when the first polymer film 13 or the second polymer film is selectively removed using a wet etching method or a dry etching method, an etching solution or an etching gas having an etching selectivity thereof may be used. In the case where the first polymer film 13 or the second polymer film is selectively removed by using an oxygen plasma treatment method or an ultraviolet radiation method, the difference in molecular size, molecular weight, and binding force between the first polymer film 13 and the second polymer film 14 is observed. Etc. can be selectively removed from any of these.

상술한 공정과정을 통해 직경이 수~수십나노미터인 홀 -즉, 기둥형태의 제1고분자막(13)이 제거된 영역-을 복수개 구비하는 희생패턴(15A)을 형성할 수 있다. 이때, 홀의 직경은 제1고분자막(13)의 직경을 조절하거나, 또는 희생패턴(15A) 형성공정시 제1고분자막(13)이 식각되는 정도를 조절하여 원하는 직경을 구현할 수 있다. Through the above-described process, a sacrificial pattern 15A having a plurality of holes having a diameter of several tens of nanometers, that is, a region in which the pillar-shaped first polymer film 13 is removed, may be formed. In this case, the diameter of the hole may be achieved by adjusting the diameter of the first polymer film 13 or by adjusting the degree of etching of the first polymer film 13 during the process of forming the sacrificial pattern 15A.

한편, 희생패턴(15A)을 형성하기 이전에 희생패턴(15A)으로 잔류할 제2고분자막(14)을 경화시키는 단계를 추가적으로 실시할 수도 있다. 이는, 희생패턴(15A)을 형성하는 과정에서 잔류해야되는 제2고분자막(14)이 제1고분자막(13)을 제거하는 과정에서 손상 또는 손실되는 것을 방지하기 위함이다. 여기서, 제2고분자막(14)의 경화는 제1 및 제2고분자막(13, 14)의 분자크기, 분자량, 결합력등이 서로 다르다는 차이점을 이용하여 플라즈마 처리를 통해 제2고분자막(14)만을 선택적으로 경화시킬 수 있다. Meanwhile, before forming the sacrificial pattern 15A, the step of curing the second polymer layer 14 to remain as the sacrificial pattern 15A may be additionally performed. This is to prevent the second polymer film 14, which should remain in the process of forming the sacrificial pattern 15A, from being damaged or lost in the process of removing the first polymer film 13. Here, the curing of the second polymer film 14 is selectively performed only by the second polymer film 14 through the plasma treatment using the difference that the molecular size, molecular weight, binding force, etc. of the first and second polymer films 13 and 14 are different from each other. It can be cured.

도 1c에 도시된 바와 같이, 기판(11) 전면에 희생패턴(15A) 사이를 매립하도록 양자점을 형성하기 위한 물질막(16)을 증착한다. 이때, 후속 공정에서 양자점 사이를 효과적으로 분리시키기 위하여 물질막(16)은 희생패턴(15A) 사이를 일부 매립하도록 증착하는 것이 바람직하다. 예컨대, 실리콘양자점을 형성하고자 할 경우 에는 희생패턴(15A) 사이를 일부 매립하도록 실리콘막을 증착한다. 이때, 양자점을 형성하기 위한 물질에는 제한을 두지 않는다. 즉, 양자점을 형성하기 위한 물질막(16)으로 금속성막, 반도체막, 유기물질막등을 모두 사용할 수 있다. As illustrated in FIG. 1C, a material film 16 for forming quantum dots is deposited on the entire surface of the substrate 11 to fill the sacrificial patterns 15A. In this case, in order to effectively separate the quantum dots in a subsequent process, the material film 16 may be deposited to partially fill the sacrificial patterns 15A. For example, when a silicon quantum dot is to be formed, a silicon film is deposited to partially fill the sacrificial pattern 15A. At this time, the material for forming the quantum dot is not limited. That is, a metallic film, a semiconductor film, an organic material film, or the like may be used as the material film 16 for forming the quantum dots.

도 1d에 도시된 바와 같이, 잔류하는 희생패턴(15A)을 제거함과 동시에 희생패턴(15A) 사이에 매립된 물질막(16)을 제외한 나머지 영역에 잔류하는 물질막(16)을 제거한다. 이때, 절연막(12) 상에 잔류하는 물질막(16)이 양자점(16A)으로 작용한다. As shown in FIG. 1D, the remaining sacrificial pattern 15A is removed, and the material film 16 remaining in the remaining regions except for the material film 16 buried between the sacrificial patterns 15A is removed. At this time, the material film 16 remaining on the insulating film 12 serves as the quantum dot 16A.

희생패턴(15A)은 습식식각법, 건식식각법, 산소 플라즈마 처리법 및 자외선방사법으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 한 방법을 사용하여 제거할 수 있다. The sacrificial pattern 15A may be removed using any one method selected from the group consisting of a wet etching method, a dry etching method, an oxygen plasma treatment method, and an ultraviolet radiation method.

상술한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따르면 제1고분자막(13)과 제2고분자막(14)이 결합되어 자기조립구조를 갖는 블럭공중합체를 사용하여 희생패턴(15A)을 형성함으로써, 수~수십나노미터의 선폭을 갖는 양자점(16A)을 균일한 크기 및 형상을 갖도록 손쉽게 형성할 수 있다. As described above, according to the first embodiment of the present invention, the first polymer film 13 and the second polymer film 14 are combined to form a sacrificial pattern 15A by using a block copolymer having a self-assembly structure. Quantum dots 16A having a line width of several tens of nanometers can be easily formed to have a uniform size and shape.

[제2실시예][Second Embodiment]

도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 제2실시예에 양자점 형성방법을 도시한 공정단면도이다. 2A through 2E are cross-sectional views illustrating a method of forming a quantum dot in a second embodiment of the present invention.

도 2a에 도시된 바와 같이, 기판(21)상에 제1고분자막(22)과 제2고분자막(23)이 결합된 블럭공중합체로 이루어진 희생막(24)을 형성한다. 이때, 희생 막(24)은 상온 내지 300℃ 범위의 온도에서 형성하는 것이 바람직하며, 화학기상증착법(CVD), 스퍼터링법(sputtering), 스핀코팅법(spin coating) 또는 중성입자빕증착법(Hyperthermal Neutral Beam, HNB)등을 사용하여 형성할 수 있다.As shown in FIG. 2A, a sacrificial layer 24 made of a block copolymer in which the first polymer layer 22 and the second polymer layer 23 are bonded to the substrate 21 is formed. At this time, the sacrificial film 24 is preferably formed at a temperature in the range of room temperature to 300 ° C., and chemical vapor deposition (CVD), sputtering, spin coating, or neutral thermal particle deposition (Hyperthermal Neutral) Beam, HNB) can be used.

희생막(24)을 구성하는 제1 및 제2고분자막(22, 23)으로는 폴리스틸렌(PS), 폴리카본에스테르(PC), 폴리메틸메타크릴레이드(PMMA), 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리이미드(PI), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에스테르(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 폴리부타디엔(PB), 폴리에틸렌프로필렌(PEP), 폴리4비닐피리딘(P4VP), 폴리비닐피리딘(PVP), 폴리이소플렌(PI) 및 폴리시나모일에틸메타에크릴에트(PCEMA)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 사용할 수 있다. 즉, 희생막(24)은 상술한 물질들 중에서 선택된 어느 둘 이상의 고분자 물질이 결합된 블럭공중합체로 형성할 수 있다. As the first and second polymer films 22 and 23 constituting the sacrificial film 24, polystyrene (PS), polycarbon ester (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), polydimethylsiloxane (PDMS), poly Etherimide (PEI), Polyetheretherketone (PEEK), Polyimide (PI), Polyethersulfone (PES), Polyetherimide (PEI), Polyester (PET), Polyethylenenaphthalate (PEN) Polybutadiene (PB) ), Polyethylenepropylene (PEP), poly4vinylpyridine (P4VP), polyvinylpyridine (PVP), polyisoprene (PI) and polycinamolyl ethyl methacrylate (PCEMA) Can be. That is, the sacrificial layer 24 may be formed of a block copolymer in which at least two polymer materials selected from the above materials are combined.

예를 들어, 본 발명의 제2실시예에 따른 희생막(24)으로 적용가능한 상술한 고분자 물질들 중 어느 둘 이상이 결합된 블럭공중합체로는 폴리스틸렌-블럭-폴리메틸메타크릴레이드(PS-b-PMMA), 폴리메틸스틸렌-블럭-폴리하이드록시스틸렌(PMS-b-PHOST), 폴리스틸렌-블럭-폴리에틸렌프로필렌(PS-b-PEP), 폴리스틸렌-블럭-폴리이소플렌(PS-b-PI), 폴리스틸렌-블럭-폴리부타디엔(PS-b-PBD), 폴리스틸렌-블럭-폴리4비닐피리딘(PS-b-P4VP), 폴리스틸렌-블럭-폴리시나모일에틸메타에크릴에트(PS-b-PCEMA) 및 폴리스틸렌-블럭-폴리에테르설폰(PS-b-PFS)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 사용할 수 있다. For example, a block copolymer in which two or more of the above-described polymer materials applicable to the sacrificial film 24 according to the second embodiment of the present invention is combined is polystyrene-block-polymethylmethacrylate (PS-b). -PMMA), polymethylstyrene-block-polyhydroxystyrene (PMS-b-PHOST), polystyrene-block-polyethylenepropylene (PS-b-PEP), polystyrene-block-polyisoprene (PS-b-PI) , Polystyrene-block-polybutadiene (PS-b-PBD), polystyrene-block-poly4vinylpyridine (PS-b-P4VP), polystyrene-block-polycinamoylethylmethacrylate (PS-b-PCEMA) And polystyrene-block-polyethersulfone (PS-b-PFS).

본 발명의 제2실시예에 따른 희생막(24)은 양자점을 용이하게 형성하기 위해 제1고분자막(22) 내에 제2고분자막(23)이 구형태로 매트릭스 배열을 갖도록 형성할 수 있다. In order to easily form the quantum dots, the sacrificial layer 24 according to the second exemplary embodiment of the present invention may be formed in the first polymer layer 22 such that the second polymer layer 23 has a matrix arrangement in a spherical shape.

일례로, 제1고분자막(22) 내에 제2고분자막(23)이 구형태로 매트릭스 배열된 희생막(24)은 제1고분자막(22)으로 폴리스틸렌(PS)을 사용하고, 제2고분자막(23)으로 폴리부타디엔(PB)을 사용하여 형성할 수 있다. 즉, 폴리스틸렌-블럭-폴리부타디엔(PS-b-PBD)을 사용하여 상술한 구조를 갖는 희생막(24)을 형성할 수 있다. 이때, 구형태를 갖는 제2고분자막(23)의 크기 및 간격을 조절하여 후속 공정을 통해 형성될 양자점의 크기 및 간격을 조절할 수 있다. For example, the sacrificial layer 24 having the second polymer layer 23 arranged in a spherical matrix in the first polymer layer 22 uses polystyrene (PS) as the first polymer layer 22 and the second polymer layer 23. Can be formed using polybutadiene (PB). That is, the sacrificial film 24 having the above-described structure may be formed using polystyrene-block-polybutadiene (PS-b-PBD). In this case, the size and spacing of the second polymer film 23 having a spherical shape may be adjusted to adjust the size and spacing of the quantum dots to be formed through a subsequent process.

도 2b에 도시된 바와 같이, 희생막(24)에서 제2고분자막(23)만을 선택적으로 제거하여 희생패턴(24A)을 형성한다. 희생패턴(24A)은 습식식각법, 건식식각법, 산소 플라즈마 처리법 및 자외선방사법으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 한 방법을 사용하여 형성할 수 있다. 이때, 제2고분자막(23)이 제거된 희생패턴(24A)은 내부에 구형태를 갖는 복수개의 공극이 매트릭스 형태로 배열된 구조를 가질 수 있다. As shown in FIG. 2B, only the second polymer layer 23 is selectively removed from the sacrificial layer 24 to form the sacrificial pattern 24A. The sacrificial pattern 24A may be formed using any one method selected from the group consisting of a wet etching method, a dry etching method, an oxygen plasma treatment method, and an ultraviolet radiation method. In this case, the sacrificial pattern 24A from which the second polymer layer 23 is removed may have a structure in which a plurality of voids having a spherical shape are arranged in a matrix form.

상술한 공정과정을 통해 직경이 수~수십나노미터인 공극 -즉, 구형태의 제2고분자막(23)이 제거된 영역-을 복수개 구비하는 희생패턴(24A)을 형성할 수 있다. 이때, 제2고분자막(23)의 직경을 조절하거나, 또는 희생패턴(24A) 형성공정시 제2고분자막(23)이 식각되는 정도를 조절하여 원하는 공극의 직경을 구현할 수 있다. Through the above-described process, a sacrificial pattern 24A having a plurality of pores having a diameter of several tens of nanometers, that is, a region from which the second polymer film 23 in a spherical shape is removed may be formed. In this case, the diameter of the second polymer layer 23 may be adjusted, or the degree of etching of the second polymer layer 23 may be adjusted in the process of forming the sacrificial pattern 24A, thereby achieving a desired pore diameter.

도 2c에 도시된 바와 같이, 반응성이온식각법(Reactive Ion Etching, RIE)을 사용하여 공극이 노출되도록 희생패턴(24A)을 식각하는 1차 식각공정을 실시한다. 이때, 1차 식각공정은 불화탄소가스 또는 불화탄소가스와 산소가스가 혼합된 혼합가스를 사용하여 실시할 수 있다. 불화탄소가스로는 CF4를 사용할 수 있다.As shown in FIG. 2C, a primary etching process is performed to etch the sacrificial pattern 24A to expose the voids using Reactive Ion Etching (RIE). In this case, the primary etching process may be performed using a fluorocarbon gas or a mixed gas in which fluorocarbon gas and oxygen gas are mixed. CF 4 may be used as the fluorocarbon gas.

도 2d에 도시된 바와 같이, 공극을 노출시키는 1차 식각공정에 연속해서-또는 인시튜(in situ)로- 공극의 형성여부에 따른 희생패턴(24A)의 두께를 차이를 이용하여 기판(21)을 일부 식각하는 2차 식각공정을 실시한다. 즉, 공극이 형성된 영역은 공극이 형성되지 않은 영역에 비하여 상대적으로 그 두께가 얇기 때문에 식각공정간 모두 소모되어 기판(21)이 노출되는데 반해, 공극이 형성되지 않은 영역은 상대적으로 그 두께가 두껍기 때문에 식각공정간 식각장벽(etch barrier) 즉 마스크로서 기능을 지속적으로 수행하게 된다.As shown in FIG. 2D, the substrate 21 may be formed using a difference in the thickness of the sacrificial pattern 24A depending on whether the voids are formed continuously or in situ in the first etching process exposing the voids. Perform a secondary etching process to partially etch). That is, since the region where the voids are formed is relatively thinner than the region where the voids are not formed, the substrate 21 is exposed because all of the etching processes are consumed during the etching process, whereas the region where the voids are not formed is relatively thick. Therefore, it continues to function as an etch barrier, or mask, between etching processes.

2차 식각공정은 반응성이온식각법을 사용하여 실시할 수 있으며, 1차 식각공정과 동일한 식각가스를 사용하여 실시하거나, 또는 다른 식각가스를 사용하여 실시할 수 있다.The secondary etching process may be performed using a reactive ion etching method, and may be performed using the same etching gas as that of the primary etching process, or using another etching gas.

도 2e에 도시된 바와 같이, 희생패턴(24A)을 제거한다. 이때, 희생패턴(24A)은 습식식각법, 건식식각법, 산소 플라즈마 처리법 및 자외선방사법으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 한 방법을 사용하여 제거할 수 있다. As shown in FIG. 2E, the sacrificial pattern 24A is removed. In this case, the sacrificial pattern 24A may be removed using any one method selected from the group consisting of a wet etching method, a dry etching method, an oxygen plasma treatment method, and an ultraviolet radiation method.

여기서, 희생패턴(24A)을 식각장벽으로 식각되어 기판(21)에 형성된 홈이 양자점(21A)으로 작용하게 된다. Here, the sacrificial pattern 24A is etched into the etch barrier, so that the groove formed in the substrate 21 serves as the quantum dot 21A.

상술한 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따르면 제1고분자막(22)과 제2고분자막(23)이 결합되어 자기조립구조를 갖는 블럭공중합체를 사용하여 희생패턴(24A)을 형성함으로써, 수~수십나노미터의 선폭을 갖는 양자점(21A)을 균일한 크기 및 형상을 갖도록 손쉽게 형성할 수 있다. As described above, according to the second embodiment of the present invention, the first polymer film 22 and the second polymer film 23 are combined to form a sacrificial pattern 24A using a block copolymer having a self-assembly structure. A quantum dot 21A having a line width of several tens of nanometers can be easily formed to have a uniform size and shape.

[제3실시예][Third Embodiment]

도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 제3실시예에 양자점 형성방법을 도시한 공정단면도이다. 3A to 3E are cross-sectional views illustrating a method of forming a quantum dot in a third embodiment of the present invention.

도 3a에 도시된 바와 같이, 기판(31)상에 제1고분자막(32)과 제2고분자막(33)이 결합된 블럭공중합체로 이루어진 희생막(34)을 형성한다. 이때, 희생막(34)은 상온 내지 300℃ 범위의 온도에서 형성하는 것이 바람직하며, 화학기상증착법(CVD), 스퍼터링법(sputtering), 스핀코팅법(spin coating) 또는 중성입자빕증착법(Hyperthermal Neutral Beam, HNB)등을 사용하여 형성할 수 있다.As shown in FIG. 3A, a sacrificial layer 34 made of a block copolymer in which the first polymer layer 32 and the second polymer layer 33 are bonded to the substrate 31 is formed. At this time, the sacrificial film 34 is preferably formed at a temperature in the range of room temperature to 300 ° C., and chemical vapor deposition (CVD), sputtering, spin coating, or neutral particle bib deposition (Hyperthermal Neutral). Beam, HNB) can be used.

희생막(34)을 구성하는 제1 및 제2고분자막(32, 33)으로는 폴리스틸렌(PS), 폴리카본에스테르(PC), 폴리메틸메타크릴레이드(PMMA), 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리이미드(PI), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에스테르(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 폴리부타디엔(PB), 폴리에틸렌프로필렌(PEP), 폴리4비닐피리딘(P4VP), 폴리비닐피리딘(PVP), 폴리이소플렌(PI) 및 폴리시나모일에틸메타에크릴에트(PCEMA)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 사용할 수 있다. 즉, 희생막(34) 은 상술한 물질들 중에서 선택된 어느 둘 이상의 고분자 물질이 결합된 블럭공중합체로 형성할 수 있다. As the first and second polymer films 32 and 33 constituting the sacrificial film 34, polystyrene (PS), polycarbon ester (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), polydimethylsiloxane (PDMS), poly Etherimide (PEI), Polyetheretherketone (PEEK), Polyimide (PI), Polyethersulfone (PES), Polyetherimide (PEI), Polyester (PET), Polyethylenenaphthalate (PEN) Polybutadiene (PB) ), Polyethylenepropylene (PEP), poly4vinylpyridine (P4VP), polyvinylpyridine (PVP), polyisoprene (PI) and polycinamolyl ethyl methacrylate (PCEMA) Can be. That is, the sacrificial layer 34 may be formed of a block copolymer in which at least two polymer materials selected from the above materials are combined.

예를 들어, 본 발명의 제3실시예에 따른 희생막(34)으로 적용가능한 상술한 고분자 물질들 중 어느 둘 이상이 결합된 블럭공중합체로는 폴리스틸렌-블럭-폴리메틸메타크릴레이드(PS-b-PMMA), 폴리메틸스틸렌-블럭-폴리하이드록시스틸렌(PMS-b-PHOST), 폴리스틸렌-블럭-폴리에틸렌프로필렌(PS-b-PEP), 폴리스틸렌-블럭-폴리이소플렌(PS-b-PI), 폴리스틸렌-블럭-폴리부타디엔(PS-b-PBD), 폴리스틸렌-블럭-폴리4비밀피리딘(PS-b-P4VP), 폴리스틸렌-블럭-폴리시나모일에틸메타에크릴에트(PS-b-PCEMA) 및 폴리스틸렌-블럭-폴리에테르설폰(PS-b-PFS)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 사용할 수 있다. For example, a block copolymer in which any two or more of the above-described polymer materials applicable to the sacrificial film 34 according to the third embodiment of the present invention is combined is polystyrene-block-polymethylmethacrylate (PS-b). -PMMA), polymethylstyrene-block-polyhydroxystyrene (PMS-b-PHOST), polystyrene-block-polyethylenepropylene (PS-b-PEP), polystyrene-block-polyisoprene (PS-b-PI) , Polystyrene-block-polybutadiene (PS-b-PBD), polystyrene-block-poly4-bipyripyridine (PS-b-P4VP), polystyrene-block-polycinamoylethylmethacrylate (PS-b-PCEMA) And polystyrene-block-polyethersulfone (PS-b-PFS).

본 발명의 제3실시예에 따른 희생막(34)은 양자점을 용이하게 형성하기 위해 제1고분자막(32) 내에 제2고분자막(33)이 구형태로 매트릭스 배열을 갖도록 형성할 수 있다. The sacrificial film 34 according to the third embodiment of the present invention may be formed such that the second polymer film 33 has a matrix arrangement in a spherical shape in order to easily form the quantum dots.

일례로, 제1고분자막(32) 내에 제2고분자막(33)이 구형태로 매트릭스 배열된 희생막(34)은 제1고분자막(32)으로 폴리스틸렌(PS)을 사용하고, 제2고분자막(33)으로 폴리부타디엔(PB)을 사용하여 형성할 수 있다. 즉, 폴리스틸렌-블럭-폴리부타디엔(PS-b-PBD)을 사용하여 상술한 구조를 갖는 희생막(34)을 형성할 수 있다. 이때, 구형태를 갖는 제2고분자막(33)의 크기 및 간격을 조절하여 후속 공정을 통해 형성될 양자점의 크기 및 간격을 조절할 수 있다. For example, the sacrificial layer 34 in which the second polymer layer 33 is matrix-arranged in the first polymer layer 32 may use polystyrene (PS) as the first polymer layer 32, and the second polymer layer 33 may be used as the first polymer layer 32. Can be formed using polybutadiene (PB). That is, the sacrificial film 34 having the above-described structure may be formed using polystyrene-block-polybutadiene (PS-b-PBD). In this case, the size and the spacing of the second polymer film 33 having a spherical shape may be adjusted to adjust the size and the spacing of the quantum dots to be formed through a subsequent process.

도 3b에 도시된 바와 같이, 제2고분자막(33)이 제1고분자막(32)보다 큰 경 도(hardness)를 갖도록 제2고분자막(33)을 경화시킨다. 이하, 경화된 제2고분자막(33)의 도면부호를 '33A'로 변경하여 표기한다. As shown in FIG. 3B, the second polymer film 33 is cured so that the second polymer film 33 has a greater hardness than the first polymer film 32. Hereinafter, the reference numeral of the cured second polymer film 33 is changed to '33A' and described.

여기서, 제2고분자막(33A)의 경화는 제1 및 제2고분자막(32, 33A)의 분자크기, 분자량, 결합력등이 서로 다르다는 차이점을 이용하여 플라즈마 처리를 통해 제2고분자막(33A)만을 선택적으로 경화시킬 수 있다.Here, the curing of the second polymer film 33A is selectively performed only by the second polymer film 33A through plasma treatment using the difference that the molecular size, molecular weight, binding force, etc. of the first and second polymer films 32 and 33A are different from each other. It can be cured.

도 3c에 도시된 바와 같이, 반응성이온식각법(RIE)을 사용하여 구형태의 제2고분자막(33A)이 노출되도록 희생막(34)을 식각하는 1차 식각공정을 실시한다. 이때, 1차 식각공정은 불화탄소가스 또는 불화탄소가스와 산소가스가 혼합된 혼합가스를 사용하여 실시할 수 있다. 불화탄소가스로는 CF4를 사용할 수 있다.As illustrated in FIG. 3C, a primary etching process is performed to etch the sacrificial layer 34 to expose the second polymer layer 33A having a spherical shape by using reactive ion etching (RIE). In this case, the primary etching process may be performed using a fluorocarbon gas or a mixed gas in which fluorocarbon gas and oxygen gas are mixed. CF 4 may be used as the fluorocarbon gas.

도 3d에 도시된 바와 같이, 구형태의 제2고분자막(33A)을 노출시키는 1차 식각공정에 연속해서(또는 인시튜로) 제1 및 제2고분자막(32, 33A) 사이의 경도차이를 이용하여 희생패턴(34A)을 형성하는 2차 식각공정을 실시한다. 2차 식각공정은 반응성이온에칭법을 사용하여 실시할 수 있으며, 1차 식각공정과 동일한 식각가스를 사용하여 실시할 수 있다.As shown in FIG. 3D, the hardness difference between the first and second polymer films 32 and 33A is continuously used (or in situ) in the first etching process exposing the spherical second polymer film 33A. A second etching process of forming the sacrificial pattern 34A is performed. The secondary etching process may be performed using a reactive ion etching method, and may be performed using the same etching gas as the primary etching process.

상술한 공정과정을 통해 형성된 희생패턴(34A)은 복수의 기둥이 매트릭스 형태로 배열된 구조를 가질 수 있다. 이때, 희생패턴(34A)의 선폭 및 간격은 수~수십나노미터일 수 있다. 또한, 희생패턴(34A)의 선폭 및 간격은 희생막(34)에서의 제2고분자막(33) 직경을 조절하거나, 또는 희생패턴(34B) 형성공정시 제2고분자막(33A)이 식각되는 정도를 조절하여 원하는 선폭 및 간격을 구현할 수 있다. The sacrificial pattern 34A formed through the above-described process may have a structure in which a plurality of pillars are arranged in a matrix form. In this case, the line width and spacing of the sacrificial pattern 34A may be several tens of nanometers. In addition, the line width and the spacing of the sacrificial pattern 34A may control the diameter of the second polymer layer 33 in the sacrificial layer 34 or the degree of etching of the second polymer layer 33A during the formation of the sacrificial pattern 34B. It can be adjusted to achieve the desired line width and spacing.

다음으로, 마스크패턴(34B)을 식각장벽으로 기판(31)을 일부 식각하는 3차 식각공정을 실시한다. 이때, 3차 식각공정은 반응성이온식각법을 사용하여 실시할 수 있으며, 1차 및 2차 식각공정과 동일한 식각가스를 사용하여 실시하거나, 또는 다른 식각가스를 사용하여 실시할 수 있다. Next, a third etching process is performed in which the substrate 31 is partially etched using the mask pattern 34B as an etch barrier. In this case, the tertiary etching process may be performed using a reactive ion etching method, may be performed using the same etching gas as the primary and secondary etching process, or may be performed using another etching gas.

도 3e에 도시된 바와 같이, 희생패턴(34A)을 제거한다. 이때, 희생패턴(34A)은 습식식각법, 건식식각법, 산소 플라즈마 처리법 및 자외선방사법으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 한 방법을 사용하여 제거할 수 있다. As shown in FIG. 3E, the sacrificial pattern 34A is removed. In this case, the sacrificial pattern 34A may be removed using any one method selected from the group consisting of a wet etching method, a dry etching method, an oxygen plasma treatment method, and an ultraviolet radiation method.

여기서, 희생패턴(34A)을 식각장벽으로 식각되어 기판(31) 표면으로부터 돌출된 도트타입(dot type)의 돌출부가 양자점(31A)으로 작용하게 된다. Here, the sacrificial pattern 34A is etched into the etch barrier so that a dot type protrusion protruding from the surface of the substrate 31 serves as the quantum dot 31A.

상술한 바와 같이, 본 발명의 제3실시예에 따르면 제1고분자막(32)과 제2고분자막(33)이 결합되어 자기조립구조를 갖는 블럭공중합체를 사용하여 희생패턴(34A)을 형성함으로써, 수~수십나노미터의 선폭을 갖는 양자점(31A)을 균일한 크기 및 형상을 갖도록 손쉽게 형성할 수 있다.As described above, according to the third embodiment of the present invention, the first polymer film 32 and the second polymer film 33 are combined to form a sacrificial pattern 34A using a block copolymer having a self-assembly structure. A quantum dot 31A having a line width of several tens of nanometers can be easily formed to have a uniform size and shape.

[제4실시예][Fourth Embodiment]

도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 제4실시예에 따른 양자점 형성방법을 도시한 공정단면도이다. 4A to 4G are cross-sectional views illustrating a method of forming a quantum dot according to a fourth embodiment of the present invention.

도 4a에 도시된 바와 같이, 기판(41) 상에 제1희생막(42)을 형성한다. 제1희생막(42)은 후속 공정을 통해 형성될 양자점의 크기를 보다 효과적으로 감소시키는 역할을 수행한다. 제1희생막(42)은 다양한 물질로 형성할 수 있으나, 후속 공정간 편의를 위해 고분자막으로 형성할 수 있다. 제1희생막(42)으로 적용가능한 고분자막으로는 폴리스틸렌(PS), 폴리카본에스테르(PC), 폴리메틸메타크릴레이드(PMMA), 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리이미드(PI), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에스테르(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 폴리부타디엔(PB), 폴리에틸렌프로필렌(PEP), 폴리4비닐피리딘(P4VP), 폴리비닐피리딘(PVP), 폴리이소플렌(PI) 및 폴리시나모일에틸메타에크릴에트(PCEMA)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 사용할 수 있다.As shown in FIG. 4A, a first sacrificial layer 42 is formed on the substrate 41. The first sacrificial layer 42 serves to more effectively reduce the size of the quantum dots to be formed through subsequent processes. The first sacrificial film 42 may be formed of various materials, but may be formed of a polymer film for convenience between subsequent processes. Polymer films applicable to the first sacrificial membrane 42 include polystyrene (PS), polycarbon ester (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), polydimethylsiloxane (PDMS), polyetherimide (PEI), and polyether Ether ketone (PEEK), polyimide (PI), polyethersulfone (PES), polyetherimide (PEI), polyester (PET), polyethylene naphthalate (PEN) polybutadiene (PB), polyethylenepropylene (PEP), Any one selected from the group consisting of poly4vinylpyridine (P4VP), polyvinylpyridine (PVP), polyisoprene (PI) and polycinamoylethylmethacrylate (PCEMA) can be used.

다음으로, 제1희생막(42) 상에 마스크막(43)을 형성한다. 마스크막(43)은 후속 제1희생패턴 형성공정시 식각마진을 제공하는 역할을 수행하며, 제1희생막(42)에 대해 식각선택비를 갖는 물질로 형성하는 것이 바람직하다. 예컨대, 제1희생막(42)을 고분자막으로 형성하는 경우에 마스크막(43)은 산화막, 질화막, 산화질화막(oxynotride)과 같은 무기 절연막으로 형성할 수 있다. Next, a mask film 43 is formed on the first sacrificial film 42. The mask layer 43 serves to provide an etching margin in a subsequent first sacrificial pattern forming process, and is preferably formed of a material having an etching selectivity with respect to the first sacrificial layer 42. For example, when the first sacrificial film 42 is formed of a polymer film, the mask film 43 may be formed of an inorganic insulating film such as an oxide film, a nitride film, or an oxynitride.

다음으로, 마스크막(43) 상에 제1고분자막(44)과 제2고분자막(45)이 결합된 블럭공중합체로 이루어진 제2희생막(46)을 형성한다. 이때, 제2희생막(46)은 상온 내지 300℃ 범위의 온도에서 형성하는 것이 바람직하며, 화학기상증착법(CVD), 스퍼터링법(sputtering), 스핀코팅법(spin coating) 또는 중성입자빕증착법(Hyperthermal Neutral Beam, HNB)등을 사용하여 형성할 수 있다.Next, a second sacrificial film 46 made of a block copolymer in which the first polymer film 44 and the second polymer film 45 are bonded to the mask film 43 is formed. At this time, the second sacrificial film 46 is preferably formed at a temperature ranging from room temperature to 300 ° C., and may be formed by chemical vapor deposition (CVD), sputtering, spin coating, or neutral particle bib deposition ( Hyperthermal Neutral Beam, HNB) can be used.

제2희생막(46)을 구성하는 제1 및 제2고분자막(44, 45)으로는 폴리스틸렌(PS), 폴리카본에스테르(PC), 폴리메틸메타크릴레이드(PMMA), 폴리디메틸실록 산(PDMS), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리이미드(PI), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에스테르(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 폴리부타디엔(PB), 폴리에틸렌프로필렌(PEP), 폴리4비닐피리딘(P4VP), 폴리비닐피리딘(PVP), 폴리이소플렌(PI) 및 폴리시나모일에틸메타에크릴에트(PCEMA)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 사용할 수 있다. 즉, 제2희생막(46)은 상술한 물질들 중에서 선택된 어느 둘 이상의 고분자 물질이 결합된 블럭공중합체로 형성할 수 있다. The first and second polymer films 44 and 45 constituting the second sacrificial film 46 include polystyrene (PS), polycarbon ester (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), and polydimethylsiloxane (PDMS). ), Polyetherimide (PEI), polyetheretherketone (PEEK), polyimide (PI), polyethersulfone (PES), polyetherimide (PEI), polyester (PET), polyethylene naphthalate (PEN) poly Any selected from the group consisting of butadiene (PB), polyethylenepropylene (PEP), poly4vinylpyridine (P4VP), polyvinylpyridine (PVP), polyisoprene (PI) and polycinamoylethylmethacrylate (PCEMA) You can use one. That is, the second sacrificial layer 46 may be formed of a block copolymer in which at least two polymer materials selected from the above materials are combined.

예를 들어, 본 발명의 제4실시예에 따른 제2희생막(46)으로 적용가능한 상술한 고분자 물질들 중 어느 둘 이상이 결합된 블럭공중합체로는 폴리스틸렌-블럭-폴리메틸메타크릴레이드(PS-b-PMMA), 폴리메틸스틸렌-블럭-폴리하이드록시스틸렌(PMS-b-PHOST), 폴리스틸렌-블럭-폴리에틸렌프로필렌(PS-b-PEP), 폴리스틸렌-블럭-폴리이소플렌(PS-b-PI), 폴리스틸렌-블럭-폴리부타디엔(PS-b-PBD), 폴리스틸렌-블럭-폴리4비닐피리딘(PS-b-P4VP), 폴리스틸렌-블럭-폴리시나모일에틸메타에크릴에트(PS-b-PCEMA) 및 폴리스틸렌-블럭-폴리에테르설폰(PS-b-PFS)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 사용할 수 있다. For example, as a block copolymer in which two or more of the above-described polymer materials applicable to the second sacrificial membrane 46 according to the fourth embodiment of the present invention are combined, polystyrene-block-polymethylmethacrylate (PS -b-PMMA), polymethylstyrene-block-polyhydroxystyrene (PMS-b-PHOST), polystyrene-block-polyethylenepropylene (PS-b-PEP), polystyrene-block-polyisoprene (PS-b- PI), polystyrene-block-polybutadiene (PS-b-PBD), polystyrene-block-poly4vinylpyridine (PS-b-P4VP), polystyrene-block-polycinamoylethylmethacrylate (PS-b- PCEMA) and polystyrene-block-polyethersulfone (PS-b-PFS) can be used.

본 발명의 제4실시예에 따른 제2희생막(46)은 양자점을 용이하게 형성하기 위해 제1고분자막(44) 내에 제2고분자막(45)이 구형태로 매트릭스 배열을 갖도록 형성할 수 있다. In order to easily form the quantum dots, the second sacrificial film 46 according to the fourth exemplary embodiment of the present invention may be formed in the first polymer film 44 such that the second polymer film 45 has a matrix arrangement in a spherical shape.

일례로, 제1고분자막(44) 내에 제2고분자막(45)이 구형태로 매트릭스 배열된 제2희생막(46)은 제1고분자막(44)으로 폴리스틸렌(PS)을 사용하고, 제2고분자 막(45)으로 폴리부타디엔(PB)을 사용하여 형성할 수 있다. 즉, 폴리스틸렌-블럭-폴리부타디엔(PS-b-PBD)을 사용하여 상술한 구조를 갖는 제2희생막(46)을 형성할 수 있다. 이때, 구형태를 갖는 제2고분자막(45)의 크기 및 간격을 조절하여 후속 공정을 통해 형성될 양자점의 크기 및 간격을 조절할 수 있다. For example, the second sacrificial film 46 having the second polymer film 45 arranged in a spherical matrix in the first polymer film 44 uses polystyrene (PS) as the first polymer film 44, and the second polymer film 44. It can form using (45) polybutadiene (PB). That is, the second sacrificial film 46 having the above-described structure can be formed using polystyrene-block-polybutadiene (PS-b-PBD). In this case, the size and the spacing of the second polymer film 45 having a spherical shape may be adjusted to adjust the size and the spacing of the quantum dots to be formed through a subsequent process.

도 4b에 도시된 바와 같이, 제2희생막(46)에서 제2고분자막(45)을 선택적으로 제거하여 제2희생패턴(46A)을 형성한다. 이때, 제2희생패턴(46A)은 습식식각법, 건식식각법, 산소 플라즈마 처리법 및 자외선방사법으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 한 방법을 사용하여 형성할 수 있다. As shown in FIG. 4B, the second sacrificial film 46 is selectively removed from the second sacrificial film 46 to form a second sacrificial pattern 46A. In this case, the second sacrificial pattern 46A may be formed using any one method selected from the group consisting of a wet etching method, a dry etching method, an oxygen plasma treatment method, and an ultraviolet radiation method.

상술한 공정과정을 통해 직경이 수~수십나노미터인 공극 -즉, 구형태의 제2고분자막(45)이 제거된 영역-을 복수개 구비하는 제2희생패턴(46A)을 형성할 수 있다. 이때, 공극의 직경은 제2고분자막(45)의 직경을 조절하거나, 또는 제2희생패턴(46A) 형성공정시 제2고분자막(45)이 식각되는 정도를 조절하여 원하는 직경을 구현할 수 있다.Through the above-described process, the second sacrificial pattern 46A including a plurality of pores having a diameter of several tens of nanometers, that is, a region from which the second polymer film 45 in a spherical shape is removed may be formed. In this case, the diameter of the pores may be adjusted by adjusting the diameter of the second polymer film 45 or by adjusting the degree of etching of the second polymer film 45 during the process of forming the second sacrificial pattern 46A.

도 4c에 도시된 바와 같이, 반응성이온식각법(RIE)을 사용하여 공극이 노출되도록 제2희생패턴(46A)을 식각하는 1차 식각공정을 실시한다. 이때, 1차 식각공정은 불화탄소가스 또는 불화탄소가스와 산소가스가 혼합된 혼합가스를 사용하여 실시할 수 있다. 불화탄소가스로는 CF4를 사용할 수 있다.As shown in FIG. 4C, a first etching process of etching the second sacrificial pattern 46A to expose the voids is performed by using reactive ion etching (RIE). In this case, the primary etching process may be performed using a fluorocarbon gas or a mixed gas in which fluorocarbon gas and oxygen gas are mixed. CF 4 may be used as the fluorocarbon gas.

도 4d에 도시된 바와 같이, 공극을 노출시키는 1차 식각공정에 연속해서 공극이 형성여부에 따른 제2희생패턴(46A)의 두께를 차이를 이용하여 마스크막(43)을 식각하는 2차 식각공정을 실시하여 마스크패턴(43A)을 형성한다. 이때, 2차 식각공정은 반응성이온식각법을 사용하여 실시할 수 있으며, 1차 식각공정과 동일한 식각가스를 사용하여 실시하거나, 또는 다른 식각가스를 사용하여 실시할 수 있다.As shown in FIG. 4D, secondary etching is performed to etch the mask layer 43 using a difference in the thickness of the second sacrificial pattern 46A according to whether or not the void is formed in succession to the primary etching process of exposing the void. The process is performed to form the mask pattern 43A. In this case, the secondary etching process may be performed using a reactive ion etching method, may be performed using the same etching gas as the primary etching process, or may be performed using another etching gas.

한편, 마스크패턴(43A)을 형성하는 과정에서 제2희생패턴(46A)이 모두 소실되어 제거되거나, 또는 별도의 제거공정을 통해 제2희생패턴(46A)을 제거한 후에 후속 공정을 진행할 수 있다. 도면에 도시하지는 않았지만, 제2희생패턴(46A)이 잔류한 상태에서 후속 공정을 진행하여도 무방하다. Meanwhile, in the process of forming the mask pattern 43A, all of the second sacrificial patterns 46A are lost and removed, or after the second sacrificial pattern 46A is removed through a separate removal process, the subsequent process may be performed. Although not shown in the figure, the subsequent step may be performed while the second sacrificial pattern 46A remains.

도 4e에 도시된 바와 같이, 마스크패턴(43A)을 식각장벽으로 제1희생막(42)을 식각하는 3차 식각공정을 실시하여 기판(41)을 노출시키는 제1희생패턴(42A)을 형성한다. 이때, 3차 식각공정은 반응성이온에칭법을 사용하여 실시할 수 있으며, 제1희생막(43)을 고분자막으로 형성한 경우에 산소가스를 식각가스로 이용하여 실시할 수 있다. 그리고, 3차 식각공정조건을 조절하여 제1희생패턴(42A)의 측벽이 음의 기울기를 갖도록 형성하여 양자점이 형성된 영역의 선폭을 최초 제2희생패턴(46A)이 정의한 선폭보다 감소시킬 수 있다. 이때, 측벽이 음의 기울기를 갖는 패턴이란 상부영역에서 하부영역으로 갈수록 패턴의 오픈부 선폭이 감소하는 패턴을 의미한다. As shown in FIG. 4E, a first sacrificial pattern 42A exposing the substrate 41 is formed by performing a third etching process of etching the first sacrificial layer 42 using the mask pattern 43A as an etch barrier. do. In this case, the tertiary etching process may be performed by using a reactive ion etching method, and when the first sacrificial film 43 is formed of a polymer film, oxygen gas may be used as an etching gas. In addition, by adjusting the third etching process conditions, the sidewalls of the first sacrificial pattern 42A may be formed to have a negative slope, thereby reducing the line width of the region where the quantum dots are formed, than the line width defined by the first second sacrificial pattern 46A. . In this case, the pattern having the negative slope of the side wall means a pattern in which the line width of the open portion of the pattern decreases from the upper region to the lower region.

도 4f에 도시된 바와 같이, 기판(41) 전면에 양자점을 형성하기 위한 물질막(47)이 제1희생패턴(42A) 사이를 매립하도록 증착한다. 이때, 후속 공정시 인접한 물질막(47) 사이를 용이하게 분리시키기 위해 물질막(47)이 제1희생패턴(42A) 사이를 일부 매립하도록 형성하는 것이 바람직하다. As shown in FIG. 4F, a material film 47 for forming quantum dots on the entire surface of the substrate 41 is deposited to fill the space between the first sacrificial patterns 42A. In this case, it is preferable to form the material film 47 to partially fill the first sacrificial pattern 42A in order to easily separate the adjacent material films 47 during the subsequent process.

여기서, 양자점을 형성하기 위한 물질막(47)에는 제한을 두지 않는다. 즉, 양자점을 형성하기 위한 물질막(47)으로 금속성막, 반도체막, 유기물질막등을 모두 사용할 수 있다.Here, the material film 47 for forming the quantum dots is not limited. That is, as the material film 47 for forming the quantum dots, all of a metallic film, a semiconductor film, an organic material film, and the like can be used.

도 4g에 도시된 바와 같이, 제1희생패턴(42A)을 제거함과 동시에 불필요한 지역에 형성된 구조물을 함께 제거하는 리프트오프(lift off)를 실시한다. 이때, 기판(41) 상에 잔류하는 물질막(47)이 양자점(47A)으로 작용한다. As shown in FIG. 4G, the first sacrificial pattern 42A is removed and at the same time, a lift off is performed to remove the structure formed in the unnecessary area. At this time, the material film 47 remaining on the substrate 41 serves as the quantum dot 47A.

제1희생패턴(42A)은 습식식각법, 건식식각법, 산소 플라즈마 처리법 및 자외선방사법으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 한 방법을 사용하여 제거할 수 있다. The first sacrificial pattern 42A may be removed using any one method selected from the group consisting of a wet etching method, a dry etching method, an oxygen plasma treatment method, and an ultraviolet radiation method.

상술한 바와 같이, 본 발명의 제4실시예에 따르면 제1고분자막(44)과 제2고분자막(45)이 결합되어 자기조립구조를 갖는 블럭공중합체를 사용하여 제2희생패턴(46A)을 형성함으로써, 수~수십나노미터의 선폭을 갖는 양자점(47A)을 균일한 크기 및 형상을 갖도록 손쉽게 형성할 수 있다.As described above, according to the fourth embodiment of the present invention, the first polymer film 44 and the second polymer film 45 are combined to form a second sacrificial pattern 46A using a block copolymer having a self-assembly structure. As a result, the quantum dot 47A having a line width of several tens to several nanometers can be easily formed to have a uniform size and shape.

또한, 측벽이 음의 기울기를 갖는 제1희생패턴(42A)을 형성함으로써, 수~수십 나노미터의 크기를 갖는 양자점(47A)을 보다 효과적으로 형성할 수 있다. In addition, by forming the first sacrificial pattern 42A having the negative sidewall, the quantum dot 47A having the size of several tens to several tens of nanometers can be formed more effectively.

도 5는 본 발명의 실시예들에 따라 형성된 나노구조물의 다양한 형태를 나타낸 이미지이다. 5 is an image showing various forms of nanostructures formed in accordance with embodiments of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따라 블럭공중합체를 이용하여 선폭이 수~수십나노미터를 갖는 도트타입(도면부호 'a' 참조) 또는 홀타입(도면부호 'b' 참조)의 양자점이 형성된 것을 확인할 수 있다. 이외에도, 도면부호 'c' 및 'd'에 나타낸 바와 같이 수~수십나노미터의 선폭을 갖는 다양한 형태의 기하학적 구조를 용이하게 형성할 수 있음을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 5, a dot type having a line width of several tens of nanometers (see reference numeral 'a') or a hole type (see reference numeral 'b') using a block copolymer according to embodiments of the present invention. It can be seen that the quantum dot of. In addition, as shown in the 'c' and 'd' it can be seen that it can easily form a variety of geometries having a line width of several tens of nanometers.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위내의 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will appreciate that various embodiments within the scope of the technical idea of the present invention are possible.

도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 제1실시예에 양자점 형성방법을 도시한 공정단면도. 1A to 1D are cross-sectional views illustrating a method of forming a quantum dot in a first embodiment of the present invention.

도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 제2실시예에 양자점 형성방법을 도시한 공정단면도. 2A through 2E are cross-sectional views illustrating a method of forming a quantum dot in a second embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 제3실시예에 양자점 형성방법을 도시한 공정단면도. 3A to 3E are cross-sectional views illustrating a method of forming a quantum dot in a third embodiment of the present invention.

도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 제4실시예에 따른 양자점 형성방법을 도시한 공정단면도. 4A to 4G are cross-sectional views illustrating a method of forming a quantum dot according to a fourth embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 실시예들에 따라 형성된 나노구조물의 다양한 형태를 나타낸 이미지. 5 is an image showing various forms of nanostructures formed in accordance with embodiments of the present invention.

*도면 주요 부분에 대한 부호 설명** Description of symbols on the main parts of the drawings *

11, 21, 31, 41 : 기판 12 : 절연막11, 21, 31, 41: substrate 12: insulating film

13, 22, 32, 44 : 제1고분자막 14, 23, 33, 33A, 45 : 제2고분자막13, 22, 32, 44: first polymer film 14, 23, 33, 33A, 45: second polymer film

15, 24, 34 : 희생막 15A, 24A, 34A : 희생패턴15, 24, 34: sacrificial film 15A, 24A, 34A: sacrificial pattern

16, 47 : 물질막 16A, 21A, 31A, 47A : 양자점16, 47: material film 16A, 21A, 31A, 47A: quantum dots

42 : 제1희생막 42A : 제1희생패턴42: first sacrificial film 42A: first sacrificial pattern

43 : 마스크막 43A : 마스크패턴43: mask film 43A: mask pattern

44 : 제1고분자막 46 : 제2희생막44: the first polymer film 46: the second sacrificial film

46A : 제2희생패턴46A: Second Sacrificial Pattern

Claims (28)

기판상에 제1고분자막과 제2고분자막이 결합된 블럭공중합체 박막을 형성하는 단계;Forming a block copolymer thin film on which a first polymer film and a second polymer film are combined on a substrate; 상기 블럭공중합체 박막에서 상기 제1고분자막을 선택적으로 제거하여 제2고분자막 패턴을 형성하는 단계; 및Selectively removing the first polymer film from the block copolymer thin film to form a second polymer film pattern; And 상기 제2고분자막 패턴 사이를 매립하는 양자점용 물질막을 증착하는 단계를 포함하며, Depositing a material film for quantum dots filling the second polymer film pattern; 상기 블럭공중합체 박막을 형성하는 단계는 상온 내지 300℃ 범위의 온도에서 실시하는 양자점 형성방법. Forming the block copolymer thin film is a quantum dot forming method performed at a temperature in the range of room temperature to 300 ℃. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 블럭공중합체 박막을 형성하는 단계는, Forming the block copolymer thin film, 상기 제1고분자막과 상기 제2고분자막이 상호 반복되는 기둥형태의 매트릭스 배열을 갖도록 형성하는 양자점 형성방법. And forming the columnar matrix array in which the first polymer film and the second polymer film are repeated with each other. 제1항 또는 제2항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 제1고분자막 및 상기 제2고분자막은 폴리스틸렌(PS), 폴리카본에스테르(PC), 폴리메틸메타크릴레이드(PMMA), 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리에테르이미 드(PEI), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리이미드(PI), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에스테르(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리부타디엔(PB), 폴리에틸렌프로필렌(PEP), 폴리4비닐피리딘(P4VP), 폴리비닐피리딘(PVP), 폴리이소플렌(PI) 및 폴리시나모일에틸메타에크릴에트(PCEMA)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 양자점 형성방법. The first polymer film and the second polymer film are polystyrene (PS), polycarbon ester (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), polydimethylsiloxane (PDMS), polyetherimide (PEI), polyether ether ketone (PEEK), polyimide (PI), polyethersulfone (PES), polyetherimide (PEI), polyester (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polybutadiene (PB), polyethylenepropylene (PEP), poly A quantum dot forming method comprising any one selected from the group consisting of 4 vinylpyridine (P4VP), polyvinylpyridine (PVP), polyisoprene (PI) and polycinamoylethyl methacrylate (PCEMA). 제1항 또는 제2항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 블럭공중합체 박막은 폴리스틸렌-블럭-폴리메틸메타크릴레이드(PS-b-PMMA), 폴리메틸스틸렌-블럭-폴리하이드록시스틸렌(PMS-b-PHOST), 폴리스틸렌-블럭-폴리에틸렌프로필렌(PS-b-PEP), 폴리스틸렌-블럭-폴리이소플렌(PS-b-PI), 폴리스틸렌-블럭-폴리부타디엔(PS-b-PBD), 폴리스틸렌-블럭-폴리4비닐피리딘(PS-b-P4VP), 폴리스틸렌-블럭-폴리시나모일에틸메타에크릴에트(PS-b-PCEMA) 및 폴리스틸렌-블럭-폴리에테르설폰(PS-b-PFS)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 양자점 형성방법.The block copolymer thin film is polystyrene-block-polymethylmethacrylate (PS-b-PMMA), polymethylstyrene-block-polyhydroxystyrene (PMS-b-PHOST), polystyrene-block-polyethylenepropylene (PS- b-PEP), polystyrene-block-polyisoprene (PS-b-PI), polystyrene-block-polybutadiene (PS-b-PBD), polystyrene-block-poly4vinylpyridine (PS-b-P4VP), A method for forming a quantum dot comprising any one selected from the group consisting of polystyrene-block-polycinamoylethylmethacrylate (PS-b-PCEMA) and polystyrene-block-polyethersulfone (PS-b-PFS). 제2항에 있어서, 3. The method of claim 2, 상기 제1고분자막은 폴리메틸메타크릴레이드(PMMA)를 포함하고, 상기 제2고분자막은 폴리스틸렌(PS)를 포함하며, 상기 블럭공중합체 박막은 폴리스틸렌-블럭-폴리메틸메타크릴레이드(PS-b-PMMA)를 포함하는 양자점 형성방법. The first polymer film includes polymethyl methacrylate (PMMA), the second polymer film includes polystyrene (PS), and the block copolymer thin film is polystyrene-block-polymethyl methacrylate (PS-b-). Quantum dot forming method comprising PMMA). 삭제delete 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 물질막을 증착하는 단계 후, After depositing the material film, 상기 제2고분자막 패턴을 습식식각법, 건식식각법, 산소 플라즈마 처리법 및 자외선방사법으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 한 방법을 사용하여 제거하는 단계를 더 포함하는 양자점 형성방법. And removing the second polymer film pattern using any one method selected from the group consisting of a wet etching method, a dry etching method, an oxygen plasma treatment method, and an ultraviolet radiation method. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1고분자막을 선택적으로 제거하기 이전에, Prior to selectively removing the first polymer film, 플라즈마 처리를 실시하여 상기 제2고분자막이 상기 제1고분자막 보다 큰 경도를 갖도록 경화시키는 단계를 더 포함하는 양자점 형성방법. And performing a plasma treatment to cure the second polymer film to have a hardness greater than that of the first polymer film. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10253187B2 (en) * 2011-11-08 2019-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Nano-structure of block copolymer and method of manufacturing the same
US10508181B2 (en) * 2012-12-18 2019-12-17 Nissan Chemical Industries, Ltd. Bottom layer film-formation composition of self-organizing film containing polycyclic organic vinyl compound
KR102151638B1 (en) * 2013-06-11 2020-09-04 삼성디스플레이 주식회사 Quantum rod sheet, backlight unit, display device and manufacturing method thereof
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KR102113660B1 (en) * 2017-01-03 2020-05-21 삼성에스디아이 주식회사 Method of forming patterns, and semiconductor
KR102254470B1 (en) * 2018-07-12 2021-05-21 에이치엔에스하이텍(주) Manufacturing method for anisotropic conductive adhesive film
KR102297890B1 (en) * 2018-11-01 2021-09-06 한국핵융합에너지연구원 Method for forming nanostructures using plasma
RU2748938C1 (en) * 2020-02-21 2021-06-01 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) Method for generation of regular quantum dot arrays
CN114447237A (en) * 2020-10-30 2022-05-06 Tcl科技集团股份有限公司 Quantum dot light-emitting diode and preparation method thereof
US20230403923A1 (en) * 2020-12-16 2023-12-14 Boe Technology Group Co., Ltd. Method for patterning quantum dot layer

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040256662A1 (en) * 2003-06-20 2004-12-23 International Business Machines Corporation Nonvolatile memory device using semiconductor nanocrystals and method of forming same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040256662A1 (en) * 2003-06-20 2004-12-23 International Business Machines Corporation Nonvolatile memory device using semiconductor nanocrystals and method of forming same

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