KR101167146B1 - 연면방전체 및 씨브디광촉매필터부를 이용한 이온 발생장치 - Google Patents

연면방전체 및 씨브디광촉매필터부를 이용한 이온 발생장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 연면방전체 및 씨브디광촉매필터부를 이용한 이온 발생장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플라즈마에 의한 연면 방전 현상을 발생시키는 연면방전체 및 이산화티타늄(TiO2)의 광촉매 반응으로 유입되는 공기의 살균 처리를 더욱 배가시킬 수 있는 씨브디(CVD)광촉매필터부를 적어도 한 개 이상 이온 발생장치에 형성시켜 살균 효과 및 강한 탈취 효과를 동시에 제공할 수 있는 연면방전체 및 씨브디광촉매필터부를 이용한 이온 발생장치에 관한 것이다.
본 발명을 통해 살균효과가 큰 광촉매활성화, 자외선을 이용하여 살균효과를 극대화하고, 음이온을 다량 발생시켜 유기화합물 등을 산화 분해시키며 공기중에 부유하고 있는 양이온을 중화시켜 낙하시키는 효과를 제공하게 된다.
즉, 연면방전체의 플라즈마 현상에 의해 강력한 자외선이 발생 분출되어 광촉매에 에너지를 공급하도록 하며, 자외선과 양이온인 활성수소가 광촉매인 이산화티타늄과 작용하여 강한 산화력을 가진 하이드록시 라티칼(-OH)과 슈퍼 옥사이드을 생성시켜 공기 중의 오염 물질을 산화, 분해하는 효과를 제공하게 된다.

Description

연면방전체 및 씨브디광촉매필터부를 이용한 이온 발생장치{Ion generating device using Surface discharge element and CVD Photocatalytic Honeycomb Filter.}
본 발명은 연면방전체 및 씨브디광촉매필터부를 이용한 이온 발생장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플라즈마에 의한 연면 방전 현상을 발생시키는 연면방전체 및 이산화티타늄(TiO2)의 광촉매 반응으로 유입되는 공기의 살균 처리를 더욱 배가시킬 수 있는 씨브디(CVD)광촉매필터부를 적어도 한 개 이상 이온 발생장치에 형성시켜 살균 효과 및 강한 탈취 효과를 동시에 제공할 수 있는 연면방전체 및 씨브디광촉매필터부를 이용한 이온 발생장치에 관한 것이다.
최근에는 실내공기를 청정시키는 공기청정기에 이온 발생장치를 마련하여 실내공기를 청정함과 함께 이온 발생장치를 통하여 발생된 양이온 및 음이온을 송풍하여 공기 중의 이온 농도를 증가시킴으로서 사용자의 건강에 대한 다양한 요구를 만족시키고 있다.
종래의 이온 발생장치는 양이온과 음이온을 동시에 구형하였고 , 코로나 방전으로 다수 사용하였다.
즉, 양이온 그 자체만으로도 부유 세균의 살균이 효과가 있고, 음이온 그 자체만으로도 인간에게 편안함을 주는 효과가 있음에도 불구하고, 종래의 이온 발생장치는 두 종류의 이온을 함께 발생시킬 수 없는 문제점이 있었다.
그리고, 많은 양의 음이온을 발생하기 위하여 종래에는 구리 및 아연 강판을 가공하여 침상을 만들어 사용하였으나, 정확한 전압제어, 간격제어가 문제되어 음이온과 다량의 오존이 같이 발생하여 문제가 되었다.
또한, 상기한 문제점을 개선하고자 수소양이온을 발생시키는 세라믹플레이트를 하나의 본체에 설치 구성하는 이온발생장치가 개시되어 있지만, 발진방식이 아크방전으로서 공기 분해 능력이 떨어지는 문제점과 사인파를 발생시키는 자기발진회로를 구성하여 90Hz ~ 300Hz의 낮은 주파수 대역을 이용하고 있어 살균 효과가 떨어지는 문제점을 가질 수 밖에 없었다.
또한 고압 프라즈마작용에서 발생되는 오존은 광촉매 반응에서 생성되는 O2 -, OH- 등과 연속 반응하여 사라지게 된다.
따라서, 본 발명은 상기 종래의 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로,
본 발명의 목적은 연면방전체의 플라즈마 현상에 의해 강력한 자외선이 발생 분출되어 광촉매에 에너지를 공급하도록 하며, 자외선과 양이온인 활성수소가 광촉매인 이산화티타늄과 작용하여 강한 산화력을 가진 하이드록시 라티칼(-OH)과 슈퍼 옥사이드을 생성시켜 공기 중의 오염 물질을 산화, 분해하도록 하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 이산화티타늄(TiO2)의 광촉매 반응으로 유입되는 공기의 살균 처리를 더욱 배가시킬 수 있는 CVD광촉매필터부를 유브이램프부 및 연면방전체의 상측에 각각 설치 구성하여 유브이램프부에 의해 발생되는 유브이에 동시에 반응시켜 탈취 성능을 더욱 향상시킬 수 있도록 하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 본체의 상면으로 유입되는 공기를 모아주도록 본체 상면의 양측에 돌출되도록 공기통로안내부를 형성시켜 오염된 공기가 살균되지 않고 배출되는 문제점 및 오염된 공기를 효과적으로 살균시킬 수 있도록 하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 CVD광촉매필터부를 구성하는 알루미늄판의 표면에 엠보싱 처리 및 샌딩 처리하여 표면적을 크게 하여 일반 알루니늄판에 이산화티타늄을 코팅할 때보다 다량의 이산화티타늄을 코팅 처리할 수 있어 이에 따른 살균력 및 탈취력을 더욱 향상시킬 수 있도록 하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 연면방전체에 교류전압 4~6KV, 24Khz 주파수를 인가시켜 종래의 이온 발생장치에서 사용되는 90Hz ~ 300Hz의 낮은 주파수 대역에서의 살균 효과보다 성능이 우수한 이온 발생장치를 제공하도록 하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예에 따른 연면방전체 및 씨브디광촉매필터부를 이용한 이온 발생장치는,
본체의 상면의 어느 일측에 형성되어 음이온을 발생시키는 음이온발생부;를 포함하여 구성되는 이온 발생장치에 있어서,
본체의 상면으로 유입되는 공기를 모아주도록 본체 상면의 양측에 돌출되도록 형성되는 공기통로안내부;
음이온발생부로부터 일정거리 이격되어 설치 구성되되, 플라즈마에 의한 연면 방전 현상을 이용하여 수소양이온을 발생시키는 연면방전체;
유비이램프부가 설치 구성된 위치의 양측에 CVD광촉매필터부를 안착시키도록 돌출되게 형성되는 CVD광촉매필터부안착부;
유브이램프부 상측에 설치 구성되어 광촉매 반응으로 유입되는 공기를 살균처리시키는 이산화티타늄(TiO2)이 코팅된 알루미늄판 형상의 CVD광촉매필터부;
자외선을 발생시켜 상기 CVD광촉매필터부에 코팅된 이산화티타늄이 반응하도록 하여 유입되는 공기를 살균 및 탈취시키는 유브이램프부;를 포함하여 구성되어 본 발명의 과제를 해결하게 된다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 연면방전체 및 씨브디광촉매필터부를 이용한 이온 발생장치는,
살균효과가 큰 광촉매활성화, 자외선을 이용하여 살균효과를 극대화하고, 음이온을 다량 발생시켜 유기화합물 등을 산화 분해시키며 공기중에 부유하고 있는 양이온을 중화시켜 낙하시키는 효과가 있다.
즉, 연면방전체의 플라즈마 현상에 의해 강력한 자외선이 발생 분출되어 광촉매에 에너지를 공급하도록 하며, 자외선과 양이온인 활성수소가 광촉매인 이산화티타늄과 작용하여 강한 산화력을 가진 하이드록시 라티칼(-OH)과 슈퍼 옥사이드을 생성시켜 공기 중의 오염 물질을 산화, 분해하는 효과를 제공하게 된다.
또한, 이산화티타늄(TiO2)의 광촉매 반응으로 유입되는 공기의 살균 처리를 더욱 배가시킬 수 있는 CVD광촉매필터부를 유브이램프부 및 연면방전체의 상측에 각각 설치 구성하여 유브이램프부에 의해 발생되는 유브이에 동시에 반응시켜 살균 및 탈취 성능을 더욱 향상시킬 수 있는 더 나은 효과를 제공하게 된다.
또한, 본체의 상면으로 유입되는 공기를 모아주도록 본체 상면의 양측에 돌출되도록 공기통로안내부를 형성시켜 오염된 공기가 살균되지 않고 배출되는 문제점 및 오염된 공기를 효과적으로 살균시킬 수 있는 더 나은 효과를 제공하게 된다.
또한, CVD광촉매필터부를 구성하는 알루미늄판의 표면에 엠보싱 처리 및 샌딩 처리하여 표면적을 크게 하여 일반 알루니늄판에 이산화티타늄을 코팅할 때보다 다량의 이산화티타늄을 코팅 처리할 수 있어 이에 따른 살균력 및 탈취력을 더욱 향상시킬 수 있는 더 나은 효과를 제공하게 된다.
또한, 연면방전체에 교류전압 4~6KV, 24Khz 주파수를 인가시켜 종래의 이온 발생장치에서 사용되는 90Hz ~ 300Hz의 낮은 주파수 대역에서의 살균 효과보다 성능이 우수한 이온 발생장치를 제공할 수 있게 되며 특히, 음이온발생부의 모양을 속이 빈 뾰쪽한 바늘 모양으로 하여 음이온 량을 최대로 하였다.
도 1 은 본 발명의 일실시예에 따른 연면방전체 및 씨브디광촉매필터부를 이용한 이온 발생장치의 사시도이다.
도 2 는 본 발명의 일실시예에 따른 연면방전체 및 씨브디광촉매필터부를 이용한 이온 발생장치의 평면도이다.
도 3 은 본 발명의 일실시예에 따른 연면방전체 및 씨브디광촉매필터부를 이용한 이온 발생장치의 측면도이다.
도 4 는 본 발명의 일실시예에 따른 연면방전체 및 씨브디광촉매필터부를 이용한 이온 발생장치의 사시도이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 연면방전체 및 씨브디광촉매필터부를 이용한 이온 발생장치는,
본체의 상면의 어느 일측에 형성되어 음이온을 발생시키는 음이온발생부;를 포함하여 구성되는 이온 발생장치에 있어서,
본체의 상면으로 유입되는 공기를 모아주도록 본체 상면의 양측에 돌출되도록 형성되는 공기통로안내부;
음이온발생부로부터 일정거리 이격되어 설치 구성되되, 플라즈마에 의한 연면 방전 현상을 이용하여 수소양이온을 발생시키는 연면방전체;
유브이램프부가 설치 구성된 위치의 양측에 CVD광촉매필터부를 안착시키도록 돌출되게 형성되는 CVD광촉매필터부안착부;
유브이램프부 상측에 설치 구성되어 광촉매 반응으로 유입되는 공기를 살균처리시키는 이산화티타늄(TiO2)이 코팅된 알루미늄판 형상의 CVD광촉매필터부;
자외선을 발생시켜 상기 CVD광촉매필터부에 코팅된 이산화티타늄이 반응하도록 하여 유입되는 공기를 살균 및 탈취시키는 유브이램프부;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 CVD광촉매필터부안착부는,
경사지게 형성시키는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 CVD광촉매필터부는,
연면방전체 상측에 더 포함하여 설치 구성되는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 CVD광촉매필터부는,
알루미늄판의 표면에 엠보싱 처리 및 샌딩 처리되어지는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 유브이램프부는,
365nm 내지 385nm 범위 내의 파장인 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 연면방전체에,
인가되는 교류전압은 4~6KV이며, 주파수는 24Khz인 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명의 다른 일실시예에 따른 연면방전체 및 씨브디광촉매필터부를 이용한 이온 발생장치는,
본체의 상면의 어느 일측에 형성되어 음이온을 발생시키는 음이온발생부;를 포함하여 구성되는 이온 발생장치에 있어서,
음이온발생부로부터 일정거리 이격되어 설치 구성되되, 플라즈마에 의한 연면 방전 현상을 이용하여 수소양이온을 발생시키는 연면방전체;
유브이램프부 상측에 설치 구성되어 광촉매 반응으로 유입되는 공기를 살균처리시키는 이산화티타늄(TiO2)이 코팅된 알루미늄판 형상의 CVD광촉매필터부;
자외선을 발생시켜 상기 CVD광촉매필터부에 코팅된 이산화티타늄이 반응하도록 하여 유입되는 공기를 살균 및 탈취시키는 유브이램프부;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 CVD광촉매필터부는,
연면방전체 상측에 더 포함하여 설치 구성되는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 CVD광촉매필터부는,
알루미늄판의 표면에 엠보싱 처리 및 샌딩 처리되어지는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 음이온발생부는,
속이 빈 뾰쪽한 바늘 형상인 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명인 연면방전체 및 씨브디광촉매필터부를 이용한 이온 발생장치의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
도 1 은 본 발명의 일실시예에 따른 연면방전체 및 씨브디광촉매필터부를 이용한 이온 발생장치의 사시도이다.
도 2 는 본 발명의 일실시예에 따른 연면방전체 및 씨브디광촉매필터부를 이용한 이온 발생장치의 평면도이다.
도 3 은 본 발명의 일실시예에 따른 연면방전체 및 씨브디광촉매필터부를 이용한 이온 발생장치의 측면도이다.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른연면방전체 및 씨브디광촉매필터부를 이용한 이온 발생장치는,
본체의 상면의 어느 일측에 형성되어 음이온을 발생시키는 음이온발생부(100);를 포함하여 구성되는 이온 발생장치에 있어서,
본체(10)의 상면으로 유입되는 공기를 모아주도록 본체 상면의 양측에 돌출되도록 형성되는 공기통로안내부(300);
음이온발생부로부터 일정거리 이격되어 설치 구성되되, 플라즈마에 의한 연면 방전 현상을 이용하여 수소양이온을 발생시키는 연면방전체(200);
유브이램프부가 설치 구성된 위치의 양측에 CVD광촉매필터부를 안착시키도록 돌출되게 형성되는 CVD광촉매필터부안착부(400);
유브이램프부 상측에 설치 구성되어 광촉매 반응으로 유입되는 공기를 살균처리시키는 이산화티타늄(TiO2)이 코팅된 알루미늄판 형상의 CVD광촉매필터부(600);
자외선을 발생시켜 상기 CVD광촉매필터부에 코팅된 이산화티타늄이 반응하도록 하여 유입되는 공기를 살균 및 탈취시키는 유브이램프부(500);를 포함하여 구성된다.
상기 종래의 음이온발생부(100)는 일반적으로 전원공급부로부터 제공된 전원에 의하여 음이온을 발생시키며, 전원공급부로부터 제공된 전원을 승압하는 고압트랜스, 상기 고압트랜스에서 승압된 교류전원을 직류전원으로 정류하는 정류회로, 상기 정류회로로부터 (-) 직류전원을 제공받는 음이온발생소자(도면상에서는 침상전극을 의미한다.)를 구비한다.
또한, 본 발명의 상기 연면방전체(200) 대신에 종래에는 세라믹플레이트로 구성되는 양이온발생부가 형성되는데, 상기 양이온발생부는 전원공급부로부터 제공된 전원에 의하여 양이온을 발생시키며, 전원공급부로부터 제공된 교류전원을 승압하는 고압트랜스, 상기 고압트랜스에서 승압된 교류전원을 직류전원으로 정류하는 정류회로, 상기 정류회로로부터 (+) 직류전원을 제공받는 양이온발생소자(이를 세라믹플레이트라 한다.)를 구비한다.
상기와 같이 종래에는 양이온발생부 및 음이온발생부를 구성하고 이온발생제어부를 통해 필요에 따라 스위칭부를 구동하여 양이온발생부 또는 음이온발생부를 선택적으로 작동시킨다.
사용자가 부유 세균들을 살균하고자 하는 경우에는 양이온만을 발생시킬 수 있고, 편안함만을 느끼고자 하는 경우에는 음이온만을 발생시킬 수 있으며, 노화나 인체에 해로운 것을 방지하고자 하는 경우에는 양이온과 더불어 음이온을 함께 발생시켜 양이온과 음이온이 결합된 활성수소를 발생시킴으로서 사용자가 자신의 사용 환경에 맞게 이온 발생장치를 작동시킬 수 있는 것이다.
본 발명에서 설명하고 있는 광촉매인 이산화티타늄은 자외선을 받으면 전자(electron)와 전공대(electron hole)가 형성되어 강한 산화력을 가진 하이드록시 라티칼(-OH)과 슈퍼 옥사이드을 생성한다.
상기 하이드록시 라디칼과 슈퍼 옥사이드는 유기 화합물을 산화 분해시켜 물과 탄산가스로 변화시킨다.
또한, 종래에는 선택적으로 음이온 및 수소이온의 발생을 제어하는 방식이지만 본 발명은 음이온과 수소이온을 동시에 발생시킴으로써, 보다 나은 살균과 음이온의 쾌적한 공기정화를 수행할 수 있는 것이다.
상기한 양이온발생부 및 음이온발생부의 구조 및 동작 원리는 이미 당업자들에게 널리 알려진 기술이므로 이에 대한 구체적인 설명은 생략하도록 하겠다.
다음은 본 발명의 장치를 구체적으로 설명하도록 하겠다.
본 발명은 연면방전체에서 프라즈마 현상에 의해 활성 수소와 자외선이 생성되는데, 활성 수소는 광촉매 반응에서 생성되는 유해한 'OH-'가 중화되게 한다.
또한, 자외선과 광촉매를 활성화시켜 ' O2 - ' 와 ' OH- '를 만든 후, 여분의 활성 수소는 ' O2 - '를 ' HOO- '로 바꾸어 준다.
' HOO- '는 유해 세균에 흡착하여 수소결합을 끊어 세균을 죽이는 역할을 하게 된다.
구체적으로 설명하자면 하기와 같다.
플라즈마 + 2H2O -> O2 + 4H+(활성수소)
자외선 + TiO2 + O2 + H2O -> O2 - + OH- + H+
활성수소에 의한 유해한 활성산소 중화 반응: H+ + OH- -> H2O
세균을 죽이는 하이드로 페록시 라디칼 생성 반응: H+ + O2- -> HOO-
이 일어나도록 한다.
상세하게는 플라즈마에 의한 연면방전체에서 발생되는 양이온(H+), 자외선을 CVD광촉매필터부의 이산화티타늄(TiO2)과 반응하게 하고, 다시 유브이램프(LED 자외선램프)와 이산화티타늄(TiO2)을 광촉매 반응하게 하여 유입되는 공기를 살균 탈취 처리를 더욱 배가시킬 수 있다.
즉, 두개의 CVD광촉매필터부를 연면방전체 및 유브이램프 상측에 형성시켜 2회의 광촉매 반응을 하게 하여 살균 탈취 처리 능력을 배가시키는 것이다.
본체 상면의 어느 일측에 음이온을 발생시키는 음이온발생부를 구성하고 있다.
상기 공기통로안내부(300)는 본체(10)의 상면으로 유입되는 공기를 모아주도록 본체 상면의 양측에 돌출되도록 형성되게 된다.
즉, 종래의 이온 발생장치들은 유동되는 오염된 공기를 모아주지 않은 상태에서 살균 처리를 하게 되는데, 이는 유동되는 공기를 살균 처리하는 부재 근처까지 안내할 수 있는 구성을 하고 있지 않기 때문이며, 이에 따라 살균되지 않고 오염된 일부 공기가 배출되는 문제점을 가질 수 밖에 없었다.
그러나, 본 발명에서는 상기한 바와 같이 공기통로안내부를 본체의 상면에 돌출하게 형성시켜 유동되는 공기를 모아주는 역할을 수행하여 오염된 공기를 효과적으로 살균시켜 이에 따른 살균 효과를 극대화시킬 수 있는 더 나은 효과를 제공할 수 있게 된다.
상기 연면방전체(200)는 플라즈마에 의한 연면 방전 현상을 이용하여 수소양이온을 발생시키는 기능을 수행하게 된다.
고순도 알루미나 세라믹과 같은 절연체에 매우 얇게 설치한 텅스텐/티타늄의 선상 방전극과 평면 형태의 유도전극 사이에 주파수 20 ~ 39KHz, 교류전압 4~6KV peak를 인가시켜 다수의 Streamer상의 교류 방전을 발생시켜 비평형플라즈마(저온 플라즈마)를 생성시킨다.
이러한 방전은 진전 속도가 매우 빠른 스티리머상 나노써컨드(Nanosecond) 펄스 방전으로 교류전압의 1/2 싸이클 만으로 일정기간 펄스 방전군이 발생하며, 그 외의 기간은 방전이 일어나지 않는 휴지기간이 되어 소위 간헐적인 나노써컨드 펄스방전이 생성된다.
이때 질량이 작은 전자는 가속되어서 전계로부터 에너지를 얻어 온도가 상승하고 질량이 큰 이온과 분자에 충돌해서 해리, 여기, 전리 등의 과정을 통해 화학적으로 활성을 가지는 다량의 자유기(Active Free Radicals)를 상온, 상압에서 발생시킨다.
한편, 전원발진기를 사용하여 연면방전체를 방전시킨 결과 세라믹의 절연파괴로 인한 방전이 형성되었으며, 이때의 방전의 색깔은 연두색이었다.
그리고 방전이 형성되면서 오존 특유의 냄새가 나는 것으로 보아 주위 공기중의 산소가 오존으로 변화하는 것을 확인할 수 있었다.
한편, 본 발명의 연면방전체의 전원장치는 전압 3.7~9 kVpp, 주파수 18~40 kHz에서 양호한 성능을 나타냈으며, 전원장치의 주파수 가변방식 중 자려식 발진방식이 타려식 발진방식보다 회로의 부품수가 적어 경제적이고 부하에 따라 공진주파수가 스스로 변하므로 자려식 발진방식이 본 발명의 연면방전체의 전원장치로 적합하다.
이때, 상기 연면방전체에 인가되는 교류전압은 4~6KV이며, 주파수는 24Khz로 유지시키는 것이 가장 효율적인 살균 효과를 제공할 수 있게 되는 것이다.
상기 CVD광촉매필터부안착부(400)는 도면에 도시한 바와 같이, 유브이램프부가 설치 구성된 위치의 양측에 CVD광촉매필터부를 안착시키도록 돌출되게 형성되게 된다.
상기 CVD광촉매필터부(600)는 유브이램프부 상측에 설치 구성되어 광촉매 반응으로 유입되는 공기를 살균처리시키는 이산화티타늄(TiO2)이 코팅된 알루미늄판 형상을 가지고 있다.
상기한 코팅된 이산화티타늄이 광촉매 반응을 일으키도록 유브이램프부(500)를 CVD광촉매필터부의 하측에 설치 구성하게 되며, 유브이램프부가 동작하게 되면 자외선을 발생시켜 상기 CVD광촉매필터부에 코팅된 이산화티타늄이 반응하도록 하여 유입되는 공기를 살균 및 탈취시키게 되는 것이다.
상기한 바와 같이, 흡착 성능이 우수한 광촉매가 결합된 CVD광촉매필터부와 유브이램프부를 제공함으로써, 흡착력을 높일 수 있으며 확실한 살균과 탈취 분해를 흡착과 동시에 할 수 있는 장점을 가지게 되는 것이다.
또한, 상기 CVD광촉매필터부를 유브이램프부 상측 뿐만 아니라, 연면방전체 상측에 더 포함하여 설치 구성할 수 있다.
이는 CVD광촉매필터부를 유브이램프부 및 연면방전체의 상측에 각각 설치 구성하여 유브이램프부에 의해 발생되는 유브이에 동시에 반응시켜 살균 및 탈취 성능을 더욱 향상시킬 수 있는 더 나은 효과를 제공할 수 있게 된다.
즉, 유브이램프부 및 연면방전체의 상측에 CVD광촉매필터부를 구성함으로써, 오염된 공기가 최대한 접촉하여 흡착될 확률을 높여 확실한 살균과 탈취 분해 효과를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명의 부가적인 양상에 따라 상기 CVD광촉매필터부안착부는 경사지게 형성시키는 것을 특징으로 하고 있다.
구체적으로 설명하자면, 도면에 도시한 바와 같이 공기통로안내부 근처에 형성된 CVD광촉매필터부안착부의 돌출된 높이가 유브이램프부 근처의 돌출된 높이보다 높게 형성시켜 경사를 주게 되면 오염된 공기가 CVD광촉매필터부에 수평하게 형성될 때보다 많이 접촉할 수 있게 되어 탈취 성능을 더욱 배가시킬 수 있게 된다.
한편, 본 발명의 상기 CVD광촉매필터부는 알루미늄판의 표면에 엠보싱 처리 및 샌딩 처리되어지는 것을 특징으로 하고 있다.
즉, 엠보싱 처리한 알루미늄판의 표면적이 엠보싱 처리하지 않은 알루미늄판보다 넓어지게 되며, 알루미늄판의 표면을 샌딩 처리함으로써, 코팅될 이산화티타늄을 샌딩 처리하지 않을 때보다 다량으로 코팅시킬 수 있게 되어 살균력 및 탈취력을 더욱 상승시키는 더 나은 효과를 제공할 수 있게 된다.
또한, 유브이램프부는 365nm 내지 385nm 범위 내의 파장인 것을 사용하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에서 설명하고 있는 자외선에 직접적으로 작용 살균하는 능력보다는 자외선에 광촉매에 조사되어 전자(electron)와 전공대(electron hole)를 형성할 때 보다 강력한 강한 산화력을 가진 하이드록시 라티칼(-OH)과 슈퍼 옥사이드을 생성한다는 사실은 이미 잘 알려져 있는 기술로서 광화학작용에는 UVA 영역의 자외선이 효과적이며 상기와 같은 영역대를 사용하게 되는 것이다.
이하에서는 상기한 이온 발생장치를 구비한 공기청정기를 설명하기로 한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 이온 발생장치를 구비한 공기청정기는 본체(20) 내부에 이온 발생장치를 구비하며, 본체 전면측에 형성된 흡입구(21)를 통해 오염된 공기를 흡입하여 이온발생장치의 연면방전체를 통해 양이온을 방출시키고, CVD광촉매필터부에 의해 탈취 및 살균을 수행하게 되어 본체 상측에 형성된 토출구(22)를 통해 토출시키게 되는 것이다.
상기 공기청정기의 일반적인 구동 원리는 이미 당업자들에게 알려진 기술이므로 이에 대한 구체적인 설명은 생략하도록 하겠다.
이상에서와 같은 내용의 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시된 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다.
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구 범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100 : 음이온발생부
200 : 연면방전체
300 : 공기통로안내부
400 : CVD광촉매필터부안착부
500 : 유브이램프부
600 : CVD광촉매필터부

Claims (10)

  1. 본체의 상면의 어느 일측에 형성되어 음이온을 발생시키는 음이온발생부;를 포함하여 구성되는 이온 발생장치에 있어서,
    본체의 상면으로 유입되는 공기를 모아주도록 본체 상면의 양측에 돌출되도록 형성되는 공기통로안내부;
    음이온발생부로부터 일정거리 이격되어 설치 구성되되, 플라즈마에 의한 연면 방전 현상을 이용하여 수소양이온을 발생시키는 연면방전체;
    유브이램프부가 설치 구성된 위치의 양측에 CVD광촉매필터부를 안착시키도록 돌출되게 형성되는 CVD광촉매필터부안착부;
    유브이램프부 상측에 설치 구성되어 광촉매 반응으로 유입되는 공기를 살균처리시키는 이산화티타늄(TiO2)이 코팅된 알루미늄판 형상의 CVD광촉매필터부;
    자외선을 발생시켜 상기 CVD광촉매필터부에 코팅된 이산화티타늄이 반응하도록 하여 유입되는 공기를 살균 및 탈취시키는 유브이램프부;를 포함하여 구성되되,
    상기 CVD광촉매필터부안착부는,
    경사지게 형성시키는 것을 특징으로 하며,
    상기 CVD광촉매필터부는,
    연면방전체 상측에 더 포함하여 설치 구성되며,
    상기 CVD광촉매필터부는,
    알루미늄판의 표면에 엠보싱 처리 및 샌딩 처리되어지는 것을 특징으로 하며,
    상기 연면방전체에, 인가되는 교류전압은 4~6KV이며, 주파수는 24Khz인 것을 특징으로 하는 연면방전체 및 씨브디광촉매필터부를 이용한 이온 발생장치.
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