KR101167062B1 - photoelectricity sensor system - Google Patents

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요시타네 사이토
켄지 니시키도
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애니와이어 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 투광 신호를 투광하는 투광 소자와, 상기 투광 소자로부터 투광한 투광 신호가 피 검출체에서 반사된 반사 신호 또는 피 검출체를 투과한 투과 신호를 수광하는 수광 소자를 구비한 센서부를 설치하여, 투광 신호가 피 검출체에서 반사된 반사 신호 또는 투과한 투과 신호를 수광 소자가 센싱하여 피 검출체의 존재 유무를 검출하는 광전 센서에 관한 것이다. The present invention provides a sensor unit including a light-transmitting element for transmitting a light-transmitting signal and a light-receiving element for receiving the light-transmitting signal transmitted from the light-detecting object by the light-transmitting signal projected from the light-emitting element. The present invention relates to a photoelectric sensor that detects the presence or absence of an object by sensing a light receiving element.

투광 소자, 수광 소자, 광전 센서 Light emitting element, light receiving element, photoelectric sensor

Description

광전 센서 시스템{photoelectricity sensor system}Photoelectric sensor system

본 발명은 투광 신호를 투광하는 투광 소자와, 상기 투광 소자로부터 투광한 투광 신호가 피 검출체에서 반사된 반사 신호 또는 피 검출체를 투과한 투과 신호를 수광하는 수광 소자를 구비한 센서부를 설치하여, 투광 신호가 피 검출체에서 반사된 반사 신호 또는 투과한 투과 신호를 수광 소자가 센싱하여 피 검출체의 존재 유무를 검출하는 광전 센서에 관한 것이다.The present invention provides a sensor unit including a light-transmitting element for transmitting a light-transmitting signal and a light-receiving element for receiving the light-transmitting signal transmitted from the light-detecting object by the light-transmitting signal projected from the light-emitting element. The present invention relates to a photoelectric sensor that detects the presence or absence of an object by sensing a light receiving element.

물품 보관 관리에 있어서, 물품의 유무, 보관 위치를 검출하는 것은, 이 물품들 혹은 이 물품들을 사용한 제품의 제조 공정, 조립 공정 등 소위 셀 생산 공정, 검사 공정, 그리고, 이 물품들의 사용시에 있어서 물건 보관 수량, 장소, 위치 관리를 위해 매우 중요하다. 이러한 물건 보관 수량, 장소, 위치 등의 관리 정보를 포스트 시스템이나 다음 공정의 자동화 기계에 전달함에 따라 제조 라인이나 검사 라인 또는 보관 관리에 있어서 공정 자동화를 실현할 수 있기 때문에 광전 센서등이 사용되어 왔다. 예를 들면, 액정용 유리나 디스크용 판유리, 프린트 기판, 혹은 반도체 기판 웨이퍼 생산에 있어서, 웨이퍼 카셋이나 보관 선반의 물건 소재 위치, 물건 유무를 검출하는 광전 센서로서 사용되어 왔다. 또는 정형 물품이나 정형 기구의 보관 관리에 있어서도 물품의 유무, 보관위치를 검출하는 광전 센서가 이용 되어 왔다. In the article storage management, the presence or absence of an article and the location of the article are detected in the so-called cell production process, inspection process, such as a manufacturing process, an assembly process, or the like of the articles or products using the articles. It is very important for managing storage quantity, location and location. Photoelectric sensors and the like have been used because process automation in manufacturing lines, inspection lines, or storage management can be realized by transmitting such management information such as the quantity, place, and location of object storage to a post system or an automated machine of a next process. For example, in the production of liquid crystal glass, disk plate glass, printed board, or semiconductor substrate wafer, it has been used as a photoelectric sensor for detecting the position of an object material and the presence or absence of an object in a wafer cassette or storage shelf. Or in the storage management of a shaped article or a shaping | molding apparatus, the photoelectric sensor which detects the presence or absence of an article and the storage position has been used.

예를 들어, 특허 문헌1에는, 투광용 광 케이블에 의해 투광 소자로부터 투광 창에 투광 신호를 유도하고, 투광창으로부터 투광된 투광 신호가, 수광용 광 케이블에 의해 수광창으로부터 수광 신호로서 수광 소자에 유도되어, 피 검출체인 웨이퍼에 투광 신호가 차단되면 웨이퍼 존재를 검출하는 광전 센서가 기재되어 있다.For example, Patent Document 1 discloses a light transmitting signal from a light transmitting element to a light transmitting window by using a light transmitting optical cable, and the light transmitting signal transmitted from the light transmitting window is a light receiving element as a light receiving signal from the light receiving window by the light receiving optical cable. The photoelectric sensor which is guide | induced to and detects a wafer presence when the light emission signal is interrupted by the to-be-detected wafer is described.

그러나, 이러한 경우, 투광 소자 혹은 수광 소자에 개재하는 광 케이블 사용은, 투광 소자로부터의 빛의 흡수나, 그 전달 거리에 의해 투광 신호 혹은 수광 신호를 감쇠시키고, 고광도의 발광 또는 그 수광이 효율적으로 다하지 못하는 문제가 있다. 즉, 광 케이블의 빛을 흡수하는 부분의 반사나, 광 케이블에 의한 빛의 감쇠는, 광 신호를 유효하게 이용하기 어렵게 하고, 광전 센서 감도 개선의 장해가 되는 문제를 안고 있다. 또, 복수 투광 소자의 밝기 조정이나, 복수 수광 소자의 수광 감도 조정을 일일이 해야 할 필요가 있고, 또, 조정이 번잡하며, 설치와 더불어 환경 변화 그리고 외란 신호로 인해 재조정해야 할 필요가 발생하여, 번잡한 조정 작업을 필요로 하는 문제가 있었다.However, in such a case, the use of an optical cable interposed between the light transmitting element or the light receiving element attenuates the light transmission signal or the light receiving signal due to absorption of light from the light transmitting element or the transmission distance thereof, and high light emission or light reception thereof is efficiently performed. There is a problem that cannot be done. That is, the reflection of the part which absorbs the light of an optical cable, and the attenuation of the light by an optical cable make it difficult to use an optical signal effectively, and there exists a problem that becomes the obstacle of the improvement of the photoelectric sensor sensitivity. In addition, it is necessary to adjust the brightness of the plurality of light-emitting elements and the light-receiving sensitivity of the plurality of light-receiving elements one by one, and the adjustment is complicated, and the necessity of readjustment due to environmental changes and disturbance signals occurs with installation. There was a problem that required complicated adjustment work.

또한, 보통 복수의 피 검출체를 검출할 경우에 해당 광전 센서를 이용하면, 복수 검출 유닛으로부터의 광 케이블이나 해당 검출 유닛으로부터 제어계로 신호를 주고 받는 신호선의 다발이, 소형화 처리에 문제가 되고, 또 개별적으로 해당 검출 유닛을 조정해야 할 필요가 있으며, 기동 조정 작업이나 설치 장소 변경시의 조정 등의 작업이 번잡했다.In addition, when the photoelectric sensor is usually used to detect a plurality of targets to be detected, an optical cable from the plurality of detection units or a bundle of signal lines that send and receive signals from the detection unit to the control system becomes a problem for the miniaturization process. Moreover, it is necessary to adjust the said detection unit individually, and work, such as starting adjustment work and adjustment at the time of installation site change, was complicated.

특허 문헌1 : 일본 특허 공개 제2874020호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2874020

특허 문헌1은, 고광도의 투광을 직접 피 검출체에 투광하거나 또는 피 검출체로부터의 수광을 직접 거리를 두지 않고 고감도로 수광 검출함에 있어 상기의 문제가 발생했다.The above-mentioned problem arises in patent document 1 at the time of receiving light of high intensity light directly to a to-be-detected object, or receiving light with high sensitivity without directly receiving light from an object to be detected.

또한, 투광 소자의 밝기 조정과 수광 소자의 수광 감도 조정을 각각 투,수광의 세트별로 조정해야 하는 문제가 있어서 본 발명은 이러한 번잡한 작업을 해결하기 위해 제공된다.In addition, there is a problem that the brightness adjustment of the light transmitting element and the light receiving sensitivity adjustment of the light receiving element should be adjusted for each set of transmission and reception, respectively.

즉, 본 발명은, 이러한 종래의 구성이 가지고 있던 각 회로 조정의 번잡한 작업을 없애기 위해, 안정된 투과 수광을 수행하고, 수광 기능 조정을 단순화하여, 광전 센서 유닛 조정의 자동화를 도모함을 목적으로 한다.That is, an object of the present invention is to carry out stable transmission and reception, simplify the reception function adjustment, and automate the adjustment of the photoelectric sensor unit in order to eliminate the troublesome operation of each circuit adjustment which has such a conventional configuration. .

또한, 복수 투광 회로의 밝기 조정이나 수광 회로의 감도 조정과 함께 환경 변화, 광 노이즈 신호에 대한 오작동을 해결함을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to solve an environmental change and a malfunction of an optical noise signal together with adjusting brightness of a plurality of light transmitting circuits and adjusting sensitivity of a light receiving circuit.

본 발명은, 상기 목적을 달성하기 위해, 단일 또는 복수 광전 센서 시스템의 밝기, 감도, 및 광전 센서가 설치된 주변 상황에 맞는 밝기 조정과 이득 조정 판단을 실현하기 위한 경계치의 조정을 일괄해서 실행할 수 있도록 한 것이다.In order to achieve the above object, the present invention is capable of collectively performing the adjustment of the brightness, the sensitivity of the single or multiple photoelectric sensor system, and the threshold value for realizing the brightness adjustment and the gain adjustment determination in accordance with the surrounding situation in which the photoelectric sensor is installed. It is.

본 발명에 관련된 광전 센서는, 제어부에 대응하여 감시 신호 및 제어 신호를 병렬 전송 신호로서 수수하는 모국과 전송선으로 접속되어 자국 입출력부와 센서 콘트롤부, 센서부를 구비한다. 상기 자국 입출력부는, 상기 전송선을 매체로 전송되는 직렬 전송 신호에 포함되는 자국으로의 제어 신호를 얻어 상기 센서부에 대한 제어 출력을 실행함과 함께, 상기 센서부의 검출 결과를 감시 신호로서 상기 전송선에 송출한다. 상기 센서부는, 투광 소자와 수광 소자 쌍을 한쌍 혹은 복수 쌍을 보유한다. 상기 센서 콘트롤부는, 상기 자국 입출력부와 상기 센서부 사이에 배치되며, A/D컨버터(아나로그 디지털 컨버터)와, 기억 소자와, MPU(마이크로 프로세서 유닛)와, 밝기 조정 회로와, 검출 구동 회로와, 검출 회로를 구비한다. 상기 A/D컨버터는, 상기 센서부에서 검출한 아나로그 신호를 디지털 신호 데이터로 변환한다. 상기 기억소자는, 상기 A/D컨버터로부터의 상기 디지털 신호 데이터를 기억 유지한다. 상기 MPU는, 상기 기억 소자에 기억된 기억 데이터를 근거로 연산 처리나 검출 상태의 판단을 실행한다. 상기 밝기 조정 회로는, 상기 제어 신호에 의해 또는 상기 MPU의 판단 결과에 따라 상기 투광 소자를 시분할로 구동시키는 구동 클럭 펄스 신호를 생성한다. 상기 검출 구동 회로는, 상기 수광 소자의 수광 신호 강도 레벨을 검출한다. 그리고, 상기 투광 소자의 비 투광시에 있어서 수광 레벨 데이터를 저광량 레벨 데이터로서 기억하고, 상기 투광 소자의 투광시에 있어서 수광 레벨 데이터에서 상기 저광량 레벨 데이터를 빼어, 그 차를 기본으로 피 검출체 유무를 판정한다.The photoelectric sensor according to the present invention is connected to a mother station and a transmission line that receive a monitoring signal and a control signal as parallel transmission signals in correspondence with a control unit, and includes a local station input / output unit, a sensor control unit, and a sensor unit. The local station input / output unit obtains a control signal to the local station included in the serial transmission signal transmitted to the medium, executes a control output to the sensor unit, and monitors the detection result of the sensor unit as a monitoring signal to the transmission line. Send it out. The sensor unit has a pair or a plurality of light transmitting element and light receiving element pairs. The sensor control unit is disposed between the local station input / output unit and the sensor unit, and includes an A / D converter (analog digital converter), a memory element, an MPU (microprocessor unit), a brightness adjustment circuit, and a detection drive circuit. And a detection circuit. The A / D converter converts the analog signal detected by the sensor unit into digital signal data. The memory device stores and holds the digital signal data from the A / D converter. The MPU performs arithmetic processing or determination of a detection state based on the stored data stored in the storage element. The brightness adjustment circuit generates a drive clock pulse signal for time-divisionally driving the light emitting element by the control signal or in accordance with a determination result of the MPU. The detection driving circuit detects a light reception signal intensity level of the light receiving element. Then, the light receiving level data is stored as the low light quantity level data at the time of non-light emitting of the light emitting element, and the low light quantity level data is subtracted from the light receiving level data at the time of light transmitting of the light emitting element, and the blood is detected based on the difference. Determine the presence of a sieve.

상기 투광 소자 구동을 상기 구동 클럭펄스 신호에 상당하는 정전류 펄스로 제어해도 무방하다.The light emitting element drive may be controlled by a constant current pulse corresponding to the drive clock pulse signal.

본 발명의 청구항 3에는, 투광 소자 구동을 정전류 펄스 제어하여 투광량을 일정 광도로 설정할 수 있고, 또 복수 투광 소자 광도를 균일하게 또한 일정 광도로 일괄 설정함을 특징으로 하는 광전 센서가 기재되어 있다.The photoelectric sensor according to the third aspect of the present invention is characterized in that the light-emitting element driving can be set by constant current pulse control to set the light-emitting amount to a constant luminous intensity, and the plurality of light-emitting element luminous intensity is uniformly set to a constant luminous intensity. .

본 발명의 청구항 4에는, 청구항 1 내지 3에 있어서 투광 소자와 수광 소자는 한쌍으로 구성되고 반사형 또는 투과형 센서의 수광 신호를 시분할하여 디지털 신호 데이터로서 기억하여 사전에 비교용으로 설정된 디지털 신호 데이터와 비교 판정하고, 복수의 투광 소자와 수광 소자 쌍을 보유하는 경우에는 타 수광 신호 레벨과 비교 판정하여 감도 부족을 일으키는 투광 소자와 수광 소자를 구성하는 한쌍의 광전 센서의 감도 부족을 특정하여 자동 조정 회로에 의해 밝기 조정을 실시하여 광전 센서의 감도 부족을 해소하는 것을 특징으로 하는 광전 센서가 기재되어 있다.According to claim 4 of the present invention, the light transmitting element and the light receiving element according to Claims 1 to 3 are digitally paired with digital signal data which is configured for comparison by storing time-receiving the received signal of the reflective or transmissive sensor as digital signal data. In the case of comparing and judging a plurality of light-emitting elements and light-receiving element pairs, it is compared with other light-receiving signal levels to determine the lack of sensitivity of the light-transmitting element and the pair of photoelectric sensors constituting the light-receiving element, which cause a lack of sensitivity. The photoelectric sensor is described by performing brightness adjustment to eliminate the lack of sensitivity of the photoelectric sensor.

상기 수광 소자의 수광 레벨 데이터를 비교용으로서 사전에 설정된 비교용 설정치와 비교하여 감도 부족을 특정해도 무방하다.The lack of sensitivity may be specified by comparing the light reception level data of the light receiving element with a comparison preset value set for comparison.

상기 수광 소자의 수광 레벨 데이터를 자국에 있어서 다른 수광 소자의 수광 레벨 데이터와 비교 판정하여 감도 부족을 특정해도 무방하다.The light receiving level data of the light receiving element may be compared with the light receiving level data of another light receiving element in the mark to identify the lack of sensitivity.

상기 감도 부족을 특정한 경우, 밝기 조정을 실시하고, 그 후 조정 범위를 초과한 경우, 수광 신호의 이득을 조정해도 무방하다.When the said lack of sensitivity is specified, brightness adjustment is performed, and when the adjustment range is exceeded after that, you may adjust the gain of a light reception signal.

상기 감도 부족을 특정한 경우, 수광 신호의 이득을 조정하고, 그 후 조정 범위를 초과한 경우, 밝기 조정을 실시해도 무방하다.When the said lack of sensitivity is specified, the gain of a light reception signal may be adjusted, and when it exceeds the adjustment range after that, brightness adjustment may be performed.

상기 투광 신호를 수광했을 때의 수광 레벨 데이터에서 상기 저광량 레벨 데이터를 빼서 그 중간치를 경계치로 하고, 상기 차이가 상기 경계치보다 상위에 있는지 또는 하위에 있는지를 판단해도 무방하다.The low light quantity level data may be subtracted from the light reception level data at the time of receiving the light transmission signal, and the intermediate value may be determined as the threshold value, and it may be determined whether the difference is above or below the threshold value.

상기 투광 신호를 수광했을 때의 수광 레벨 데이터와 상기 저광량 레벨 데이터의 중간치에 계수를 곱하여 얻은 값을 경계치로 하고, 상기 차이가 상기 경계치 보다 상위에 있는지 또는 하위에 있는지를 판단해도 무방하다.The value obtained by multiplying the intermediate value of the light reception level data and the low light quantity level data when receiving the light emission signal as a coefficient may be used as the threshold value, and it may be determined whether the difference is above or below the threshold value.

상기 경계치의 초기치는, ROM 데이터 또는 외부로부터 읽혀져, 상기 피 검출체의 유무를 검출했을 때에 얻어진 수광 레벨 데이터를 근거로 상기 경계치가 순차적으로 갱신되어도 무방하다.The threshold value may be sequentially updated based on the light reception level data obtained when the presence or absence of the detected object is detected by reading the ROM data or externally.

상기 경계치가 사전에 기억하고 있는 레벨보다 낮은 경우, 이득 조정을 실행하여, 적정 경계치로 조정해도 무방하다.When the threshold value is lower than the level previously stored, the gain adjustment may be performed to adjust to an appropriate threshold value.

상기 밝기 조정 또는 이득 조정이 완료한 시점의 기억 데이터와 비교하여, 상기 투광 신호를 수광했을 때의 수광 레벨이 사전에 정한 레벨 이하로 저하된 경우, 상기 투광 소자의 노화, 상기 수광 소자의 노화, 또는 상기 센서부의 불량으로 판단하여, 고장 검지 신호를 발신해도 무방하다.When the light reception level when the light reception signal is received falls below a predetermined level, in comparison with the stored data when the brightness adjustment or the gain adjustment is completed, the aging of the light transmitting element, the aging of the light receiving element, Alternatively, it may be determined that the sensor unit is defective, and a failure detection signal may be sent.

상기 저광량 레벨 데이터가, 상기 밝기 조정 또는 이득 조정이 완료한 시점에서 기억된 외란광 이상치와 비교하여, 높은 레벨인 경우, 외란광을 검지한 것으로 에러 신호를 출력 해도 무방하다.When the low light quantity level data is at a high level compared with the disturbance light abnormality stored at the time when the brightness adjustment or the gain adjustment is completed, the error signal may be output by detecting the disturbance light.

상기 투광 소자의 투광시에 있어서, 수광 레벨 데이터가 소정의 중첩 검지치와 비교하여 높은 레벨인 경우, 상기 피검출체가 복수 중복되어 있는 것으로 판단해도 무방하다.When the light transmitting element emits light, when the light receiving level data is at a high level compared with a predetermined overlap detection value, it may be determined that a plurality of the detected objects are overlapped.

본 발명에 관련된 광전 센서 시스템은, 상기 본 발명에 관련된 광전 센서를 여러 개 갖춘 것이다.The photoelectric sensor system which concerns on this invention is equipped with the several photoelectric sensor which concerns on said this invention.

본 발명의 광전 센서에 의하면, 복수의 광전 센서 조정이 일괄 설정할 수 있기 때문에 기동 조정, 점검 조정, 고장 교환 후의 조정을 매우 간단하게 할 수 있다.According to the photoelectric sensor of this invention, since several photoelectric sensor adjustment can be set collectively, start adjustment, inspection adjustment, and adjustment after a fault exchange can be made very simple.

또한, 본 발명에 의하면, 복수 광전 센서의 초기 설정이나 정기 점검 조정, 환경 변화시의 조정 등의 조정 작업이 간소화되고, 또한 환경의 영향에 강하며 고장시 요인 확인이 용이하다.Further, according to the present invention, adjustment work such as initial setting of the plurality of photoelectric sensors, regular inspection adjustment, adjustment at the time of environment change, etc. are simplified, and the influence of the environment is strong, and it is easy to identify the factor in case of failure.

본 발명의 광전 센서에 관하여, 도면을 참조하여 실시하기 위한 형태를 실시예를 근거로 다음과 같이 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION The photoelectric sensor of this invention is described as follows based on an Example for implementing with reference to drawings.

본 발명의 광전 센서에 관하여, 실시예를 도 1 내지 도 31에 의해 설명한다. 도 1은, 본 발명에 관련된 광전 센서를 사용한 광전 센서 시스템의 실시 형태를 나타낸 시스템 구성도이다.With respect to the photoelectric sensor of the present invention, an embodiment will be described with reference to Figs. 1 is a system configuration diagram showing an embodiment of a photoelectric sensor system using the photoelectric sensor according to the present invention.

도 1에 나타낸 광전 센서 시스템에서는 분할형 영역 센서를 구성하는 자국을 전송선(DP 신호선(5),DN 신호선(6))에 접속하여 모국(4)을 경유하여, 제어부와 통신 제어하는 것이다.In the photoelectric sensor system shown in Fig. 1, the local station constituting the divided area sensor is connected to transmission lines (DP signal line 5 and DN signal line 6) to communicate control with the control unit via the mother station 4.

이 광전 센서 시스템의 모국(4)과 광전 센서인 자국(10) 사이의 배선에서는, 2가닥의 전송선(DP 신호선(5), DN 신호선(6))에 병렬 접속으로 간단하게 복수의 자국(10)이 병렬 접속 가능하다. 센서부(9)에 의해 피 검출체(11)의 유무를 검출하고, 검출 신호를 센서 콘트롤부(8)에 전달하여 센서 콘트롤부(8)에 의해 신호 처리한 결과가 자국 입출력부(7)에서 전송선(DP 신호선(5), DN 신호선(6))을 통하여 모국(4)에 전송한다. 모국(4)은 해당 전송 신호를 근거로 피 검출체(11) 유무 정보를 제어부(1)의 입력 유닛(2)에 전달하고, 광전 센서 시스템은 피 검출체(11) 유무 정보에 따라 시스템 제어를 실시한다. 또 제어부(1)의 출력 유닛(3)은, 모국(4)을 경유하여 자국(10)의 동작 제어가 가능하다.In the wiring between the mother station 4 of this photoelectric sensor system and the local station 10 as the photoelectric sensor, a plurality of local stations 10 can be easily connected by parallel connection to two transmission lines (DP signal line 5 and DN signal line 6). ) Can be connected in parallel. The presence or absence of the detected object 11 is detected by the sensor unit 9, the detection signal is transmitted to the sensor control unit 8, and the result of signal processing by the sensor control unit 8 is displayed. Transmits to the mother station 4 via transmission lines (DP signal line 5, DN signal line 6). The mother station 4 transmits the detected object 11 presence information to the input unit 2 of the control unit 1 based on the transmission signal, and the photoelectric sensor system controls the system according to the detected object 11 presence information. Is carried out. In addition, the output unit 3 of the control unit 1 can control the operation of the slave station 10 via the mother station 4.

도 2는 상기 분할형 센서인 자국(10)의 모식도이다. 제어부(1)와 모국(4)은 병렬 신호로 양쪽 신호를 수수하고 모국(4)과 자국(10) 사이는 DP 신호선(5)와 DN 신호선(6)을 통하여 직렬 신호로 수수한다. 자국(10)은 상기 DP 신호선(5)과 DN 신호선(6)과 자국 입출력부(7)을 매체로 센서 콘트롤부(8)을 경유하여 센서부(9)의 검출 신호를 근거로 피 검출체의 유무 정보를 수수한다.2 is a schematic diagram of the track 10 as the split sensor. The control unit 1 and the mother station 4 receive both signals as parallel signals, and receive the signals between the mother station 4 and the local station 10 as serial signals through the DP signal line 5 and the DN signal line 6. The slave station 10 uses the DP signal line 5, the DN signal line 6, and the local station input / output unit 7 as a medium via the sensor control unit 8 based on the detection signal of the sensor unit 9 to be detected. Receive information about the presence of

도 2의 분할형 센서의 구성은, 복수의 투광 소자(18)를 갖춘 투광부(39)와 복수의 수광 소자(19)를 갖춘 수광부(40)의 간격이 비교적 가까운 경우의 응용에 유효하다.The configuration of the split type sensor of FIG. 2 is effective for applications where the distance between the light transmitting portion 39 having the plurality of light transmitting elements 18 and the light receiving portion 40 having the plurality of light receiving elements 19 is relatively close.

이에, 센서 콘트롤부(8)와 자국 입출력부(7)는 도 8에 나타내는 바와 같다. 즉, 자국 입출력부(7)와 센서 콘트롤부(8)를 투광 소자(18)와 수광 소자(19)가 공유하기 때문에 자국(10)의 간소화, 저 단가화가 가능하다.Thus, the sensor controller 8 and the local station input / output unit 7 are as shown in FIG. That is, since the light transmitting element 18 and the light receiving element 19 share the local station input / output unit 7 and the sensor control unit 8, the local station 10 can be simplified and the unit price can be reduced.

도 3은, 상기 모국(4)의 기능 블록도이다. 3 is a functional block diagram of the mother station 4.

모국(4)은 제어부(1)의 입력 유닛(2)에 자국(10)으로부터 받은 직렬 신호를 직렬, 병렬 변환하여 제어 입력 신호(135)로서 송출하는 입력 데이터부(120)와 제어부(1)의 출력 유닛(3)으로부터 제어 출력 신호(136)로서 받은 병렬 신호를 병렬,직렬 변환하여 신호를 취하는 출력 데이터부(121)와, 타이밍 발생 수단(124), 제어 데이터 발생 수단(125), 모국 출력부(126)로 구성된다. 타이밍 발생 수단(124)은 수정 발진 회로(122)로부터 클럭 신호의 기본 신호를 얻어 클럭 신호를 생성하고 이 클럭 신호에 시작 신호와 끝 신호를 추가하여 도면에 나타내지 않는 제어 신호의 기본 신호를 생성한다.The mother station 4 inputs and outputs the control unit 1 and the input data unit 120 which converts the serial signal received from the station 10 into the input unit 2 of the control unit 1 in series and in parallel and outputs it as the control input signal 135. An output data unit 121 for acquiring the signals by parallel and serial conversion of the parallel signals received as the control output signals 136 from the output unit 3, the timing generating means 124, the control data generating means 125, and the mother station. It consists of an output unit 126. The timing generating means 124 obtains the basic signal of the clock signal from the crystal oscillation circuit 122, generates a clock signal, and adds a start signal and an end signal to the clock signal to generate a basic signal of a control signal not shown in the figure. .

모국 번지 설정 수단(123)에서 타이밍 발생 수단(124)으로 모국(4) 데이터의 송수신 타이밍을 전한다. 모국 출력부(126)는, 제어 데이터 발생 수단(125)과 라인 드라이버(128)로 구성되고 DC 24V 전원(9)과 0V 전원(10)으로부터 전원을 공급 받아 DP 신호선(5) 및 DN 신호선(6)을 경유하여 시스템 전체에 전원을 공급한다.The mother station address setting means 123 transmits the transmission / reception timing of the mother station 4 data to the timing generating means 124. The mother station output section 126 is composed of a control data generating means 125 and a line driver 128 and is supplied with power from a DC 24V power supply 9 and a 0V power supply 10. The DP signal line 5 and the DN signal line ( Supply power to the entire system via 6).

또, 모국(4)의 모국 입력부(132)는 감시 신호 검출 수단(131)과 감시 데이터 추출 수단(130)으로 구성되어 입력 데이터부(120)에 입력 데이터 신호를 송출한다. 감시 신호 검출 수단(131)은 DP 데이터 신호선(5) 및 DN 데이터 신호선(6) 을 경유해서 자국(10)으로부터 얻어진 감시 신호인 데이터 신호를 검출한다. 또한, 모국(4)은 전송 인터페이스 회로로서 전송 브리더 전류 회로(129)를 구비한다.Moreover, the mother station input part 132 of the mother station 4 is comprised by the monitoring signal detection means 131 and the monitoring data extraction means 130, and transmits an input data signal to the input data part 120. FIG. The monitoring signal detecting means 131 detects a data signal which is a monitoring signal obtained from the local station 10 via the DP data signal line 5 and the DN data signal line 6. In addition, the mother station 4 includes a transmission breather current circuit 129 as a transmission interface circuit.

모국(4)은 인터페이스 회로인 전송 브리더 전류 회로(129)가, 모국 출력부(126) 내의 라인 드라이버(128)에 접속되고 모국(4)의 제어 데이터 발생수단(125)로부터 받은 제어 데이터를 타이밍 발생수단(124)로부터 보내진 클럭 신호와 함께 외부 신호 접속부(DP측)(133)를 경유해서 DP 신호선(5)에, 또, 외부 신호 접속부(DN측)(134)를 경유해서 DN 신호선(6)에 송출한다.The mother station 4 is configured to timing the control data received from the control data generating means 125 of the mother station 4 by the transmission breather current circuit 129 which is an interface circuit connected to the line driver 128 in the mother station output unit 126. With the clock signal sent from the generating means 124, the DN signal line 6 is connected to the DP signal line 5 via the external signal connection portion (DP side) 133 and via the external signal connection portion (DN side) 134. To be sent.

라인 드라이버(128)은, 모국 입력부(132)의 감시 신호 검출 수단(131)에 데이터 신호를 전하고, 감시 데이터 추출 수단(130)은 타이밍 발생 수단(124)으로부터 받은 클럭 신호와 동기하여 감시 데이터 신호를 얻는다. 또한, 이 감시 데이터 신호를 입력 데이터부(120)에 전해 제어부(1)의 입력 유닛(2)에 모국 전송 신호(135)로서 전송한다. 이와 같이, 모국(4)은 제어부(1)와 자국(10) 사이에서 자국 정보를 받아, 제어부(1)에 신호를 전달하고, 제어부(1)로부터 제어 신호를 얻어 자국(10)에 제어 신호를 전달하는 역할을 한다.The line driver 128 transmits a data signal to the monitoring signal detecting means 131 of the mother station input unit 132, and the monitoring data extracting means 130 synchronizes with the clock signal received from the timing generating means 124. Get The monitoring data signal is also transmitted to the input data unit 120 as the mother station transmission signal 135 to the input unit 2 of the control unit 1. In this way, the mother station 4 receives the own station information between the control unit 1 and the own station 10, transmits a signal to the control unit 1, obtains a control signal from the control unit 1, and transmits a control signal to the own station 10. It serves to convey.

도 4는 본 발명의 실시 형태에 관련된 광전 센서의 측면모식도이다.4 is a schematic side view of a photoelectric sensor according to an embodiment of the present invention.

본 발명에 관련된 광전 센서의 실시 형태인 이 분할형 반사형 센서(41)는 모국(4)과 DP 신호선(5)과 DN 신호선(6)을 통해 직렬 신호로서 수수한다. 자국 입출력부(7)는 DP 신호선(5)과 DN 신호선(6)과의 인터페이스로서 센서부(9)에 의해 검출되는 피 검출체(11)의 유무 정보를 센서 콘트롤부(8)를 경유하여 받아, DP 신호선(5)과 DN 신호선(6)을 통해 모국(4)에 전송한다. 접착판(16)에 복수 접착한 센서 컴(13)은 투광 신호(15)를 피 검출체(11)에 송출하고 그 반사 신호를 수광 신호(14)로서 피검출체(11)의 유무를 검출한다. 더미 컴(12)은 피 검출체(11)가 없는 경우의 검출 한계를 설정하기 위해 설치된 것이다.This split type reflective sensor 41, which is an embodiment of the photoelectric sensor according to the present invention, passes through the mother station 4, the DP signal line 5, and the DN signal line 6 as a serial signal. The local station input / output unit 7 is an interface between the DP signal line 5 and the DN signal line 6 and transmits the presence / absence information of the to-be-detected object 11 detected by the sensor unit 9 via the sensor control unit 8. The data is transmitted to the mother station 4 through the DP signal line 5 and the DN signal line 6. The sensor comb 13 bonded to the adhesive plate 16 transmits the light emission signal 15 to the object to be detected 11 and detects the presence or absence of the object to be detected 11 as the light receiving signal 14. do. The dummy comb 12 is provided in order to set a detection limit in the case where the target object 11 is not present.

도 5는 상기 센서 컴(13)의 평면도이다. 센서 컴(13)의 선단부에 투광 소자(18) 및 수광 소자(19)를 구비하여 양 끝을 선반 상태로 지지하여 다단 보관된 피 검출체(11) 끝 부분의 윗면을 검지하는 구조이며, 투광 소자(18)로부터의 투광 신호가 피 검출체(11) 끝 부분의 윗면에서 반사한 반사광을 수광 소자(19)로 수광하여 피 검출체(11)의 존재 유무를 검출한다.5 is a plan view of the sensor comb 13. The light emitting element 18 and the light receiving element 19 are provided at the distal end of the sensor com 13 to support both ends in a shelf state and to detect the upper surface of the end of the to-be-detected object 11 stored in multiple stages. The reflected light reflected from the upper surface of the end of the target object 11 is received by the light receiving element 19 to detect the presence or absence of the target object 11.

도 6은 피 검출체 끝 부분을 검출하는 상태를 나타내는 모식도이다. 반도체 웨이퍼나, 액정 유리 또는 프린트 기판 등의 피 검출체(11)의 끝 부분에 투광 소자(18)로부터의 투광 신호를 받아 그 반사광을 수광 소자(19)로 수광하여 피 검출체(11)의 유무를 검출한다. 검출 신호는 센서부(9)에서 센서 콘트롤부(8)로 송출되고, 신호 해석을 실행한 후, 피 검출체(11)의 유무 신호로서 자국 입출력부(7)로부터 DP 신호선(5), DN 신호선(6)을 통하여 모국(4)에 송출된다. It is a schematic diagram which shows the state which detects the to-be-detected part. The light receiving element 19 receives the light emission signal from the light transmitting element 18 at the end of the object 11 such as a semiconductor wafer, a liquid crystal glass or a printed circuit board, and receives the reflected light by the light receiving element 19 to Detects the presence or absence. The detection signal is sent from the sensor section 9 to the sensor control section 8, and after performing signal analysis, the DP signal line 5, DN from the local station input / output section 7 as a presence / absence signal of the object to be detected 11. It is sent to the mother station 4 via the signal line 6.

도면에서, 원형 웨이퍼인 피검출체(11)의 최하단의 것은 2장의 웨이퍼가 겹쳐진 상태로 보관되고, 이 이상 상태는 도 21에 나타난 수광 신호에 의해 검지된다.In the figure, the lowermost part of the to-be-detected object 11, which is a circular wafer, is stored in a state where two wafers are overlapped, and this abnormal state is detected by the light reception signal shown in FIG.

도 7은 자국 입출력부(7)와 센서 콘트롤부(8)의 기능 블럭 배선도이다. 자국 입출력부(7)는 DP 신호선(5)와 DN 신호선(6)에 전송되는 신호를 주고 받는다. 한편, 자국 입출력부(7)는 MPU(20)로부터 OUT 신호(25)를 받아, 센서부(9)로부터 송 출된 검출 신호를 근거로 MPU(20)에 의해 판정된 피 검출체(11)의 검출 결과를 모국에 전달한다. 또 자국 입출력부(7)는 PRM 신호(24)로서 모국에서 센서 콘트롤부(8)로의 신호를 MPU(20)에 전달한다.7 is a functional block wiring diagram of the local station input / output unit 7 and the sensor control unit 8. The local station input / output unit 7 exchanges signals transmitted to the DP signal line 5 and the DN signal line 6. On the other hand, the local station input / output unit 7 receives the OUT signal 25 from the MPU 20, and determines that the detected object 11 is determined by the MPU 20 based on the detection signal sent from the sensor unit 9. Send the detection result to your home country. The local station input / output unit 7 also transmits a signal from the mother station to the sensor control unit 8 as the PRM signal 24 to the MPU 20.

센서 콘트롤부(8)에서 센서부(9)의 투광부(39)로의 신호 전송과 전원 공급은 도 7의 CP 신호(28), END 신호(27), 타이밍 데이터 신호인 TD 신호(29), 전원 공급선Vcc(5V)(35), 및 DN(0V)(36)의 5선을 접속하므로서 실행되어진다. 또, 센서부(9)와 수광부(40) 사이에 있어서 신호 전송과 전원 공급은 도 7에서 나타내는 전원 공급선Vcc(5V)(35), DN(0V)(36), CP 신호(28), 타이밍 데이터 신호인 TD 신호(29), 및 PHD(37)의 5선을 접속하므로서 실행되어진다.Signal transmission and power supply from the sensor control unit 8 to the light projecting unit 39 of the sensor unit 9 are CP signal 28, END signal 27, TD signal 29 which is a timing data signal, This is executed by connecting the power supply lines Vcc (5V) 35 and the five lines of DN (0V) 36. In addition, signal transmission and power supply between the sensor unit 9 and the light receiving unit 40 are performed by the power supply lines Vcc (5V) 35, DN (0V) 36, CP signal 28, timing shown in FIG. This is executed by connecting the TD signal 29, which is a data signal, and the five lines of the PHD 37.

센서 콘트롤부(8)는, 중심 기능을 하는 MPU(20), 비교 데이터나 판단 프로그램 데이터를 기억 유지하는 ROM(44), 센서 레벨 데이터와 연산 결과를 기억 유지하는 RAM(45), 투광 신호의 밝기 조정을 행하는 밝기 조정회로(21), 투광 신호의 이탈을 억제하여 안정된 투광을 실행하기 위한 정전류회로(22), CP 신호(28)에 투광 소자의 구동 전류를 실어 송출하는 검출 투광 구동회로(23), A/D 변환기(40), 이득 조정 회로(34)를 구비 하고 있다.The sensor controller 8 includes an MPU 20 serving as a center function, a ROM 44 storing and holding comparison data and judgment program data, a RAM 45 storing and holding sensor level data and calculation results, and a projection signal. A brightness adjusting circuit 21 for adjusting the brightness, a constant current circuit 22 for suppressing deviation of the light emission signal to perform stable light emission, and a detection light emission driving circuit for carrying the drive current of the light emitting element on the CP signal 28 and transmitting it ( 23), an A / D converter 40 and a gain adjustment circuit 34 are provided.

정전류회로(22)를 이용하므로서 투광 소자의 투광 전류를 일정하게 억제할수 있고 각각 투광 소자를 균일하게 투광할 수 있기 때문에 편리하게 설정할 수가 있다.By using the constant current circuit 22, the light-transmitting current of the light-emitting element can be suppressed uniformly, and each light-transmitting element can be uniformly transmitted, so that it can be conveniently set.

또 센서 콘트롤부(8)은, 투광부의 투광 소자(18)에서 수광한 신호에 수광 종료 신호를 중첩한 PHD 신호(37)를 센서부(9)의 수광부(40)으로부터 받아, 이득 조 정 회로(34)에서 이득 조정을 한 후, 아날로그 신호인 AIN신호를 A/D 변환기(40)에서 디지털 레벨 신호로 변환하고 MPU(20)의 ADATA포트에 DOUTA 신호(26)로서 받아들인다. A/D 변환기(40)의 데이터 변환 타이밍은 A/D변환을 MPU(20)에 의해 허가하는 이네블 신호인 ENB 신호(30)에 의해 제어된다.The sensor controller 8 receives the PHD signal 37 superimposed on the light-receiving element 18 on the light-transmitting element 18 from the light-receiving unit from the light-receiving unit 40 of the sensor unit 9, and receives a PHD signal 37. After the gain adjustment is made at 34, the AIN signal, which is an analog signal, is converted into a digital level signal by the A / D converter 40 and is received as the DOUTA signal 26 at the ADATA port of the MPU 20. The data conversion timing of the A / D converter 40 is controlled by the ENB signal 30 which is an enable signal for allowing A / D conversion by the MPU 20.

센서 콘트롤부(8)에서, 센서부(9)를 향해 투광 또는 수광의 기본 신호가 되는 CK 신호(43)를 MPU(20)으로부터 송출한다.In the sensor controller 8, the CK signal 43 serving as a basic signal of light transmission or light reception is sent from the MPU 20 toward the sensor unit 9.

도 8은 센서 콘트롤부(8)의 자동 밝기 조정 기능을 포함하는 자국 입출력부(7)과 센서 콘트롤부(8)의 다른 실시 형태의 블록 배선도이다. 도 8에서, 센서 콘트롤부(8)는 도 7의 밝기 조정 회로(21)를 밝기 자동 조정 회로(38)로 바꾸고, 또, 자동 밝기 조정 신호로서 AUT 신호(39)를 추가한 것이다. 8 is a block wiring diagram of another embodiment of the local station input / output unit 7 and the sensor control unit 8 including the automatic brightness adjustment function of the sensor control unit 8. In FIG. 8, the sensor control part 8 changes the brightness adjustment circuit 21 of FIG. 7 to the brightness automatic adjustment circuit 38, and adds the AUT signal 39 as an automatic brightness adjustment signal.

MPU(20)는 밝기 부족에 의한 수광 신호의 저하를 감지하면, 수광 신호의 적정화를 위해 자동 밝기 조정 신호인 AUT 신호(39)를 밝기 자동 조정 회로(38)에 송출하여, 자동 밝기 조정 동작을 실행한다. 투광 소자는 정전류원에 접속되어 투광하고, 수광 소자 고유의 감도 이탈이나 투광 소자의 빛의 지향성 등의 이탈은 이 기능에 의해 균일화된다.When the MPU 20 detects a decrease in the received signal due to lack of brightness, the MPU 20 sends an AUT signal 39, which is an automatic brightness adjustment signal, to the brightness automatic adjustment circuit 38 to optimize the received signal, thereby performing the automatic brightness adjustment operation. Run The light transmitting element is connected to a constant current source to transmit light, and the deviation of sensitivity inherent to the light receiving element, the directivity of light of the light transmitting element, and the like are uniformized by this function.

또, 센서 콘트롤부(8)는, A/D 변환기(40)를 갖추어 투광 소자의 밝기 조정이나, 수광 감도 조정이나, 옵셋 신호 조정시에 데이터를 피드백한 정확한 조정을 실행한다.  Moreover, the sensor control part 8 is equipped with the A / D converter 40, and performs the accurate adjustment which fed back data at the time of brightness adjustment of a light transmitting element, light reception sensitivity adjustment, or offset signal adjustment.

도 9는 센서 콘트롤부의 GAIN 조정 기능을 포함하는, 자국 입출력부(7)과 센서 콘트롤부(8)의 또 다른 실시 형태의 블록 배선도이다. 도 9에서, 센서 콘트롤 부(8)는 도 7의 GAIN 조정 회로(34)를 자동 GAIN 조정 회로(34)로 바꾸고, 또 자동 GAIN 조정 신호로서 AUT 신호(39)를 추가한 것이다.9 is a block wiring diagram of still another embodiment of the local station input / output unit 7 and the sensor control unit 8 including the GAIN adjustment function of the sensor control unit. In FIG. 9, the sensor control part 8 replaces the GAIN adjustment circuit 34 of FIG. 7 with the automatic GAIN adjustment circuit 34, and adds the AUT signal 39 as an automatic GAIN adjustment signal.

MPU(20)는 이득 부족에 의한 수광 신호 저하를 감지하면, 수광 신호의 적정화를 위해 자동GAIN 조정 신호인 AUT 신호(39)를 GAIN 조정 회로(34)에 송출하여, 자동적으로 GAIN 조정 동작을 실행한다. 자동적으로 GAIN 조정이 실행된 수광 신호는 A/D 변환기(40)에 의해 아날로그 신호에서 디지털 신호로 변환되어, MPU(20)에 전달된다. 도 9에서, 자국 입출력부는 DP 신호선(5), DN 신호선(6)을 통해 모국(4)를 경유로 제어부에 신호를 전송하지만, 도면의 시리얼 신호선을 이용하지 않고, 또, 모국을 경유하지 않고, 파라렐 신호를 직접 제어부의 파라렐 포트에 접속하므로써 고속 광전 센서 시스템을 구축할 수가 있다.When the MPU 20 detects a decrease in the received signal due to lack of gain, the MPU 20 sends an AUT signal 39, which is an automatic GAIN adjustment signal, to the GAIN adjustment circuit 34 to automatically perform the gain adjustment operation. do. The light receiving signal on which GAIN adjustment is automatically performed is converted from the analog signal to the digital signal by the A / D converter 40 and transmitted to the MPU 20. In Fig. 9, the local station input / output unit transmits a signal to the control unit via the mother station 4 via the DP signal line 5 and the DN signal line 6, but does not use the serial signal line in the figure and does not pass through the mother station. The high-speed photoelectric sensor system can be constructed by directly connecting the parallel signal to the parallel port of the controller.

도 10은 센서부의 기능 블록 배선도이다. 모국(4)에서 생성된 클럭 신호는, 센서 콘트롤부(8)를 경유하여 클럭 펄스(CP) 신호(28)로서 센서부에 송출된다. 클럭 펄스(CP) 신호(28)에 있어서, 스타트 신호에는, 통상 클럭 펄스보다도 듀티 사이클이 긴 펄스가 이용 되고, 통상 클럭과의 구분이 실행된다. 10 is a functional block wiring diagram of a sensor unit. The clock signal generated in the mother station 4 is sent to the sensor unit as a clock pulse (CP) signal 28 via the sensor control unit 8. In the clock pulse (CP) signal 28, a pulse having a duty cycle longer than that of the normal clock pulse is used as the start signal, and the division from the normal clock is performed.

클럭 펄스(CP) 신호(28)는 전압 레벨에서 0V부터 24V 사이의 펄스 신호이다. 또, 센서부의 전원으로서 0V(36)와 Vcc(35)가 접속되어 있다. 센서부의 복수 투광 소자는 시프트 레지스터에 의해 구동되며, 최초의 시프트 레지스터 구동은, TD 신호(29)에 의해 기동된다. 또 마지막 시프트 레지스터의 시프트 신호를 END 신호(27)로서 센서 콘트롤부(8)에 되돌려 보내고, 한쌍을 이루는 투광,수광 동작을 완료하고, 최초의 쌍을 이루는 투광 소자와 수광 소자의 투광, 수광 동작을 개시한 다.The clock pulse (CP) signal 28 is a pulse signal between 0V and 24V at the voltage level. In addition, 0 V 36 and Vcc 35 are connected as a power source for the sensor unit. The plurality of light transmitting elements of the sensor portion are driven by a shift register, and the first shift register drive is activated by the TD signal 29. In addition, the shift signal of the last shift register is returned to the sensor control unit 8 as the END signal 27, and a pair of light transmitting and receiving operations are completed, and light transmitting and receiving operations of the first light emitting element and the light receiving element are completed. Initiate.

센서부에서, 투광 소자의 비 투광시와 투광시에 관계없이, 수광 소자는 수광 신호인 PHD 신호(37)을 수광하여, 센서 콘트롤부(8)에 수광 신호인 PHD 신호(37)를 송출한다.In the sensor unit, the light receiving element receives the PHD signal 37, which is a light receiving signal, and transmits the PHD signal 37, which is a light receiving signal, to the sensor controller 8, regardless of whether the light transmitting element is non-light emitting or light transmitting. .

도 11은 투광부의 배선도이다.11 is a wiring diagram of a light transmitting unit.

투광부(48)은, 단일 또는 복수 투광 소자(18)로 구성되며, 사용 조건에 대응하여, 조도, 투광 면적을 적정하게 하도록 소자 수나 배치 등을 고려하여 고안한다.The light transmitting portion 48 is composed of a single or a plurality of light transmitting elements 18, and is devised in consideration of the number of elements, arrangement, and the like so as to appropriately roughness and light transmitting area according to the use conditions.

도 12는 수광부의 배선도이다.12 is a wiring diagram of a light receiving unit.

수광부(49)는, 단일 또는 복수 수광 소자(19)로 구성되며, 사용 조건에 대응하여 조도, 수광 면적을 적당하게 하도록 소자 수나 배치 등을 고려한다. The light receiving portion 49 is composed of a single or a plurality of light receiving elements 19, and considers the number of elements, arrangement, and the like so as to suit the illuminance and the light receiving area in accordance with the use conditions.

도 13은 자국 신호의 타임 차트이다. 최상단에 나타내는 클럭 펄스(CP) 신호(28)는 신호 전압 0V 내지 24V의 파형 높이 값을 갖는다. 통상 클럭 펄스와 비교하여, 5배의 펄스 폭을 갖는 스타트 비트에서 신호가 개시된다. 이 스타트 비트는, 감시 사이클 개시를 모국(4)이 인식하기 위한 신호이다. 스타트 비트후, 복수의 자국(10)에 대응하는 펄스가 이어진다.13 is a time chart of a local signal. The clock pulse (CP) signal 28 shown at the top has a waveform height value of the signal voltage 0V to 24V. Compared with the normal clock pulse, the signal is started at the start bit having a pulse width of five times. This start bit is a signal for the mother station 4 to recognize the start of the monitoring cycle. After the start bit, a pulse corresponding to the plurality of marks 10 is followed.

도 13에서는, 1 자국이 1 비트의 펄스 신호에 상당하는 예를 나타낸다. 이 1 자국의 1 비트에 대응하는 펄스에 따라 모국(4)의 입력과 출력이 대응한다. 이어서 센서 콘트롤부(8)에서 TD 신호(29)가 센서부에 송출됨에 따라 센서부의 시프트 레지스터 동작이 개시된다. In Fig. 13, an example in which one station corresponds to a pulse signal of one bit is shown. The input and output of the mother station 4 correspond to the pulse corresponding to one bit of this one station. Subsequently, as the TD signal 29 is sent from the sensor control unit 8 to the sensor unit, the shift register operation of the sensor unit is started.

시프트 레지스터 동작 펄스 Shift Reg. Q1의 출력 펄스가 클럭 펄스(CP) 신호(28)의 채널1(CH1) 타이밍으로 LED1을 동작케하여, LED1이 투광 신호를 발생한다. CH1의 투광 신호의 저하로 다음의 Shift Reg. Q2가 작동하고 그 출력이 LED2를 작동케 한다.Shift register operation pulse Shift Reg. The output pulse of Q1 causes LED1 to operate at the channel 1 (CH1) timing of the clock pulse (CP) signal 28, so that LED1 generates a light emission signal. The following Shift Reg. Q2 turns on and its output causes LED2 to turn on.

이와 같이 차례로 시프트 레지스터 동작에 따라 투광 신호가 발생 된다. 일련의 시프트 레지스터 동작이 완료된 최종단의 시프트 레지스터 시프트 신호는 END 신호(27)로서, 센서 콘트롤부(8)로 되돌아가, 또, 최초의 상태에서 투광, 수광 동작을 개시한다. 센서 콘트롤부(8)에서 센서부 전원으로 Vcc(35)와 0V(36)이 전력 공급을 담당한다.In this way, the light emission signal is generated in accordance with the shift register operation. The shift register shift signal at the last stage in which the series of shift register operations are completed is the END signal 27, returns to the sensor control section 8, and starts the light emission and light reception operation in the first state. In the sensor control unit 8, Vcc 35 and 0V 36 supply power to the sensor unit.

PHD 신호(37)는, 복수의 수광 소자 출력 신호를 병렬 접속한 수광 신호다. 이 수광 신호를 센서 콘트롤부(8)로 보내어, 센서 콘트롤부(8)의 A/D 변환기(40)에 의해 아날로그 신호인 PHD 신호(37)를 디지털 수광 레벨 신호로 변환한다. 변환 타이밍 신호인 ENB 신호(30)는 MPU(20)로부터 A/D 변환기(40)에 송출된다.The PHD signal 37 is a light receiving signal in which a plurality of light receiving element output signals are connected in parallel. This light receiving signal is sent to the sensor control part 8, and the A / D converter 40 of the sensor control part 8 converts the PHD signal 37 which is an analog signal into a digital light receiving level signal. The ENB signal 30, which is a conversion timing signal, is sent from the MPU 20 to the A / D converter 40.

도 14는 MPU의 주변 회로 구성을 나타낸 블록도이다. 도 14에서, MPU(20)는 로컬 버스를 통하여 기억 소자인 ROM(44)과 RAM(45)에 접속되어 있다. 또, I/O 버스인 I/O(46)에 입력 신호로서 END 신호(27)와 ADAT 신호(26)와 PRM 신호(24)가 입력되어 있다. 또 I/O 버스인 I/O(46)로부터 출력 신호로서 ENB 신호(30)과, OUT 신호(25)와, OST 신호(31)와 ACT 신호(32)와, CK 신호(50)와, TD 신호(29)와 AUT 신호(39)가 출력된다.14 is a block diagram showing a peripheral circuit configuration of the MPU. In Fig. 14, the MPU 20 is connected to a ROM 44 and a RAM 45 which are storage elements via a local bus. The END signal 27, the ADAT signal 26, and the PRM signal 24 are input to the I / O 46, which is an I / O bus, as an input signal. In addition, the ENB signal 30, the OUT signal 25, the OST signal 31, the ACT signal 32, the CK signal 50, as an output signal from the I / O 46, which is an I / O bus, The TD signal 29 and the AUT signal 39 are output.

도 15는 옵셋 조정 기능을 나타내는 타임 차트도이다. 수광 신호인 PHD 신 호(37)에는, 0V 전위에 비해, 최소 옵셋 신호 Min Vofn과 최대 옵셋 신호 Max Vofn 이 포함된다. 이 최소 옵셋 신호 Min Vofn과 최대 옵셋 신호 Max Vofn으로부터 설정 옵셋 신호 레벨 Vofg가 설정된다. 설정 옵셋 신호 레벨 Vofg는, 최대 옵셋 신호Max Vofn 보다 크게 설정하여, 옵셋 신호의 흔들림을 방지한다.15 is a time chart diagram illustrating an offset adjustment function. The PHD signal 37, which is a light receiving signal, includes the minimum offset signal Min Vofn and the maximum offset signal Max Vofn compared to the 0V potential. The set offset signal level Vofg is set from this minimum offset signal Min Vofn and the maximum offset signal Max Vofn. The set offset signal level Vofg is set larger than the maximum offset signal Max Vofn to prevent the shake of the offset signal.

또, 최대 수광 신호 Max Vnd가 설정치 Vbg 이내가 되도록, 파선으로 나타낸 PHD 신호(37)인 수광 신호가 조정된다. 수광 신호 Vsn은 설정 옵셋 신호 레벨 Vofg이상이며, 설정치 Vbg 이내로 추이한다.Moreover, the light reception signal which is the PHD signal 37 shown with the broken line is adjusted so that the maximum light reception signal Max Vnd may be within the set value Vbg. The light reception signal Vsn is equal to or higher than the set offset signal level Vofg and changes within the set value Vbg.

피 검출체의 유무를 판단함에 있어서, 옵셋 신호 성분을 제거함에 따라, 외주 주변의 빛의 노이즈를 제거하고, 피 검출체의 유무를 정확하게 검출하는 효과를 일으킨다.In determining the presence or absence of an object to be detected, by removing the offset signal component, the noise of light around the outer periphery is removed, thereby producing the effect of accurately detecting the presence or absence of the object to be detected.

도 16은 대상물 검지 기능을 나타내는 타임 차트도이다. 수광 신호 PHD 신호(37)에 있어서, 피 검출체(11)이 없는 경우의 수광 신호 Vnd는 이론치 "0" 이며, 경계치 Vth를 초과한 피 검출체(11)이 존재하는 경우의 수광 신호 Vnd는 이론치 "1" 상태로 표시된다. 여기에, 경계치 Vth는, 수광 신호 PHD 신호(37)에서 설정 옵셋 신호 레벨 Vofg를 빼고, 피 검출체(11)이 없는 경우의 수광 신호 Vnd의 이론치 "0" 상태와 피 검출체(11)이 존재하는 경우의 수광 신호 Vnd 의 이론치 "1" 상태의 중간치로서 설정되어 있는 것이 중요하다. 그리고, 이 센서에서는, 옵셋 신호 성분을 비 투광시의 수광 신호 레벨을 이용하여 산출하며, 피 검출체(11)의 유무를 판정할 때에 수광 신호 레벨로부터 상기 옵셋 신호 성분를 빼고 옵셋 신호 레벨의 노이즈나 흔들림, 변동의 영향을 받지 않게함을 특징으로 한다.16 is a time chart diagram showing an object detection function. In the light-receiving signal PHD signal 37, the light-receiving signal Vnd in the absence of the target object 11 is a theoretical value "0", and the light-receiving signal Vnd in the case where the to-be-detected object 11 exceeds the threshold Vth exists. Is represented by the theoretical "1" state. Here, the threshold value Vth is obtained by subtracting the set offset signal level Vofg from the light reception signal PHD signal 37, and the theoretical value "0" state of the light reception signal Vnd in the absence of the target object 11 and the target object 11. It is important that it is set as an intermediate value of the theoretical value "1" state of the light reception signal Vnd in the case where there exists. In this sensor, the offset signal component is calculated using the light reception signal level at the time of non-light emission, and when the presence or absence of the target object 11 is determined, the offset signal component is subtracted from the light reception signal level and noise of the offset signal level is calculated. It is characterized by being free from the effects of shaking and fluctuations.

도 17은 밝기 부족 검지 기능을 나타내는 타임 차트이다. 수광 신호 PHD(37)에 있어서, 피 검출체(11)이 존재하는 경우의 수광 신호 Vnd에서 이론치 "1" 상태일 때 최소 수광 신호 Min Vnd1가 감도 설정 한계치 Vb1을 못 미치는 경우, 감도 부족을 검지하여, GAIN을 올려, 도 17상의 Vnd1의 레벨이 되도록 조정한다.17 is a time chart showing the lack of brightness detection function. In the light receiving signal PHD 37, the lack of sensitivity is detected when the minimum light receiving signal Min Vnd1 does not reach the sensitivity setting limit value Vb1 when the received light signal Vnd in the case where the target object 11 is present is in the theoretical value "1". GAIN is raised to adjust the level of Vnd1 in FIG.

도 18은 투광 소자 고장을 나타내는 타임 차트이다. 도 18에서 수광 신호 PHD 신호(37)에 있어서, 수광 신호 레벨 Vs1에서 옵셋 신호 Vof1을 뺀 값, 즉 (Vs1-Vof1)은 통상 투광 소자 고장치 Vbdf를 초과해야 한다. 투광 소자 고장치 Vbdf는 피 검출체의 유무를 판정하기 위한 경계치 Vth와 옵셋 신호 레벨 Vofn의 중간에 설정되어 있다. 최소 수광 신호 레벨인 Min Vnd0, 즉 차신호(Vs1-Vof1)가 투광 소자 고장치 Vbdf에 비해 작을 경우, 투광 소자가 고장인 것을 알 수가 있다. 투광 소자가 정상이면, 피 검출체가 없는 경우, 수광 신호 PHD 신호에 있어서, 수광 신호 레벨은, (Vs2-Vof2)가 투광 소자 고장치 Vbdf를 초과한다. 상기 투광 소자 고장치 Vbdf를 투광 소자 고장 판단 기준으로 설정하여, 수광 신호 레벨이 투광 소자 고장 판단 기준 이하 레벨이 되는 경우에 있어서, 투광 소자 고장 경보가 발신된다. 18 is a time chart showing a failure of a light transmitting element. In the received signal PHD signal 37 in Fig. 18, the value obtained by subtracting the offset signal Vof1 from the received signal level Vs1, i.e., (Vs1-Vof1) should normally exceed the transmissive element height device Vbdf. The light transmitting element solidifying device Vbdf is set in the middle of the boundary value Vth and the offset signal level Vofn for determining the presence or absence of a target object. If the minimum light receiving signal level Min Vnd0, that is, the difference signals Vs1-Vof1 is smaller than that of the high light emitting device Vbdf, it can be seen that the light transmitting device is broken. If the light transmitting element is normal, and there is no object to be detected, in the light receiving signal PHD signal, the light receiving signal level (Vs 2 -Vof 2) exceeds the light transmitting element height device Vbdf. When the light emitting element high device Vbdf is set as the light emitting element failure determination criterion, and the light receiving signal level is below the light emitting element failure determination criterion, the light emitting element failure alert is sent.

도 19는 수광 소자 고장을 나타내는 타임 차트이다. 도 19에서, 수광 소자 고장치 Vpdf가 수광 소자 고장 판단 기준이다.19 is a time chart showing a light receiving element failure. In Fig. 19, the light receiving element high device Vpdf is a light receiving element failure determination criterion.

수광 소자가 정상시의 옵셋 신호 레벨은, 채널1(CH1)의 옵셋 신호 레벨 Vof1나 채널3(CH3)의 옵셋 신호 레벨 Vof3과 같이, 수광 소자 고장치 Vpdf를 초과한 신호 레벨이다. 이에 비하여, 수광 소자 고장 신호 레벨의 실예를 도 19의 채널 2(CH2)의 옵셋 신호 레벨 Vof2로 나타낸다. 채널2(CH2)의 옵셋 신호 레벨 Vof2는, 수광 소자 고장치 Vpdf 이하이며 이것은, 채널2(CH2)의 수광 소자가 고장임을 나타낸다. 이때, 수광 소자 고장 경고가 발신된다.The offset signal level when the light receiving element is normal is a signal level exceeding the light receiving element high device Vpdf, like the offset signal level Vof1 of channel 1 (CH1) and the offset signal level Vof3 of channel 3 (CH3). In contrast, an example of the light receiving element failure signal level is shown as the offset signal level Vof2 of channel 2 (CH2) in FIG. The offset signal level Vof2 of the channel 2 (CH2) is equal to or less than the light receiving element high device Vpdf, which indicates that the light receiving element of the channel 2 (CH2) is broken. At this time, a light receiving element failure warning is sent.

도 20은 외부 산란광 에러를 나타내는 타임 차트이다. 도 20에 도시된 경우는, 외부의 산란광이 외부 산란광 이상치 Vofd에 의해 검지된다. 그리고, 수광 신호인 PHD 신호(37)에 있어서, 외부 산란광이 채널3(CH3) 수광시에 발생한 것 임을 나타낸다. 또, 외부 산란광이 발생하지 않는 정상 상태의 옵셋 신호 레벨은, 채널1(CH1)의 옵셋 신호 레벨 Vof1, 채널2(CH2)의 옵셋 신호 레벨 Vof2, 및 채널25(CH25)의 옵셋 신호 레벨 Vof25에 나타난다.20 is a time chart illustrating an external scattered light error. In the case shown in Fig. 20, external scattered light is detected by the external scattered light outlier Vofd. In the PHD signal 37 which is a light receiving signal, it indicates that external scattered light is generated at the time of receiving the channel 3 (CH3). In addition, the offset signal level in the steady state in which no external scattered light is generated is equal to the offset signal level Vof1 of channel 1 (CH1), the offset signal level Vof2 of channel 2 (CH2), and the offset signal level Vof25 of channel 25 (CH25). appear.

즉, 비 투광시에 있어서, 옵셋 신호 레벨 Vof1, Vof2, 및 Vof25가 외부 산란광 이상치 Vofd에서 나타내는 판단 레벨 이하이다. 그리고, 채널2 (CH2)의 옵셋 신호 레벨 Vof2는 옵셋 신호 레벨이 최저이며, 최저 옵셋 신호치 MinVof2로서 기억된다. 한편 도 20에 있어서, 비 투광시임에도 불구하고, 채널3(CH3)의 옵셋 신호 레벨 Vof3은 외부 산란광 이상치 Vofd를 초과한 상태로서, 채널3(CH3) 동작시 센서가 외부 산란광을 받아들인 것임을 나타낸다.That is, during non-light emission, the offset signal levels Vof1, Vof2, and Vof25 are below the determination level indicated by the external scattered light outlier Vofd. The offset signal level Vof2 of the channel 2 (CH2) has the lowest offset signal level and is stored as the lowest offset signal value MinVof2. On the other hand, in Fig. 20, the offset signal level Vof3 of the channel 3 (CH3) exceeds the external scattered light outlier Vofd in spite of non-light emission, indicating that the sensor receives the external scattered light during the operation of the channel 3 (CH3). .

도 21은 피 검출체의 중복 검지시의 타임 차트도이다. 도면에서, 투광시 수광 신호인 PHD 신호(37) 중에, 채널1(CH1)의 신호 레벨 V1d, 채널3(CH3)의 신호 레벨 V3d 채널5(CH5)의 신호 레벨 V5d, 및 채널25(CH25)의 신호 레벨 V25d는, 피 검출체의 검출 경계치 Vth이하이며, 피 검출체가 존재하지 않음(이론치 "0")을 나타낸다.21 is a time chart diagram at the time of overlapping detection of a target object. In the figure, among the PHD signals 37 which are light receiving signals during light transmission, the signal level V1d of channel 1 (CH1), the signal level V3d of channel 3 (CH3), the signal level V5d of channel 5 (CH5), and channel 25 (CH25) Signal level V25d is equal to or less than the detection boundary value Vth of the target object, indicating that the target object does not exist (theoretical value "0").

한편, 채널2(CH2) 신호 레벨 V2d와, 채널4(CH4) 신호 레벨 V4d는, 피 검출체의 검출 경계치 Vth를 초과하여, 피 검출체가 존재함(이론치 "1")을 나타낸다. 그러나, 채널2(CH2) 신호 레벨 V2d와, 채널4(CH4) 신호 레벨 V4d를 비교하면 채널4(CH4) 신호 레벨 V4d는, 그 값이 크고, 중복 검지치 DW1를 초과하여, 통상 피 검출체가 존재함(이론치 "1") 상태를 크게 초과한다. 이러한 상태는, 피 검출체로부터의 반사 신호가 1장의 검출체로부터의 반사 신호보다 크다는 것을 인식하여 피 검출체가 중복되어 존재하고 있음을 나타내며, 중복 검지 경고가 발신된다.On the other hand, the channel 2 (CH2) signal level V2d and the channel 4 (CH4) signal level V4d exceed the detection boundary value Vth of the target object, indicating that the target object exists (theoretical value "1"). However, when the channel 2 (CH2) signal level V2d and the channel 4 (CH4) signal level V4d are compared, the channel 4 (CH4) signal level V4d has a large value and exceeds the overlapping detection value DW1. It greatly exceeds the present (theoretical value "1") state. This state recognizes that the reflected signal from the detected object is larger than the reflected signal from one of the detected objects, indicating that the detected objects are overlapping, and the duplicate detection warning is sent.

도 22는 기억 소자의 기억 메모리 맵도이다. 불휘발성 메모리 영역인 ROM(44) 영역에는, 이득조정치 Vofg, 밝기조정치 Vbg, 드레숄드 초기치 Vth, 밝기부족치 Vb1, 투광 소자 고장치 Vbdf, 수광 소자 고장치 Vpdf, 외부 산란광 이상치 Vofd, 및 중복 검지치 DW1이 기억 유지된다. 그리고, 이들의 파라메터를 이용하여 제어를 실시하는 것이 프로그램 PRM1이다. 22 is a memory map map of the memory device. In the ROM 44 region, which is a nonvolatile memory region, gain adjustment value Vofg, brightness adjustment value Vbg, threshold initial value Vth, brightness deficiency value Vb1, light emitting device height device Vbdf, light receiving device height device Vpdf, external scattered light outlier Vofd, and redundancy. The detected value DW1 is stored. The program PRM1 performs control using these parameters.

이에 비해, 개서 가능한 데이터가 RAM(45) 영역에 기억되어 있다. 즉, 프로그램 제어에 의해, 자동 설정되는 이득조정치 Vofg, 밝기조정치 Vbg, 드레숄드 초기치 Vth, 밝기 부족치 Vb1, 투광 소자 고장치 Vbdf, 수광 소자 고장치 Vpdf, 및 외부 산란광 이상치 Vofd 및 중복 검지치 DW1이 기억 유지된다. 그리고, 이 RAM(45) 영역 데이터 파라메터를 이용하여 제어를 실시하는 것이 프로그램 PRM2이다.In contrast, rewritable data is stored in the RAM 45 area. That is, gain control value Vofg, brightness adjustment value Vbg, threshold initial value Vth, brightness insufficient value Vb1, light transmitting element high device Vbdf, light receiving element high device Vpdf, and external scattered light outlier Vofd and overlap detection value which are automatically set by the program control. DW1 is stored. The program PRM2 performs control using this RAM 45 area data parameter.

또, RAM(45)의 DATA 영역에는, 채널1(CH1)부터 채널25(CH25) 까지 각 채널에 대하여, 옵셋 Vofn로서 Vof1부터 Vof25가, 투광시 수광 신호 레벨 Vsn로서 Vs1부터 Vs25가, (Vsn-Vofn)인 차신호 데이터(투광시 수광 신호 레벨) Vnd로서 V1d부터 V25d가 기억 유지된다.In the DATA area of the RAM 45, for each channel from the channel 1 (CH1) to the channel 25 (CH25), Vof1 to Vof25 are used as offset Vofn, and Vs1 to Vs25 are the light receiving signal level Vsn at the time of light emission. V1d to V25d are stored as the difference signal data (light-receiving signal level) Vnd, which is -Vofn).

또한, 채널1(CH1)부터 채널25(CH25)의 각 채널에 대하여, 경계치 Vnth로서, V1th부터 V25th가 피 검출체가 없는 경우의 수광 레벨 Vnd0로서, V1d0부터 V25d0가 피 검출체가 존재하는 경우의 수광 레벨 Vnd1로서, V1d1부터 V25d1가 기억 유지된다. In addition, for each channel of the channel 1 (CH1) to the channel 25 (CH25), as the threshold value Vnth, V1th to V25th are the light-receiving levels Vnd0 when there is no object to be detected, and V1d0 to V25d0 are the case where the target object exists. As the light reception level Vnd1, V1d1 to V25d1 are stored.

또한, Min(최소) 데이터로서는, 최소 옵셋 신호 Min Vofn , 및 최소 투광시의 수광 신호 레벨 Min Vnd0과 Min Vnd1이, Max(최대) 데이터로서는, 최대 투광시의 수광 신호 레벨 Max Vnd0과 최대 옵셋 신호 Max Vofn이 기억 유지되고, 각 수광 신호 레벨의 변동이 기억 유지되어, 광전 센서의 상태 변화, 이상의 검출이 실행된다.In addition, as Min data, the minimum offset signal Min Vofn and the light reception signal levels Min Vnd0 and Min Vnd1 at the minimum light emission, and as the Max data, the light reception signal level Max Vnd0 and the maximum offset signal at the time of maximum light emission. Max Vofn is stored and stored, the variation of each light reception signal level is stored, and the state change of the photoelectric sensor and abnormality detection are performed.

도 23은 DATA 수집 기능을 나타내는 흐름도이다. DATA 수집 순서는, 스타트 (START)에서 시작하여, 우선 DATA 수집 개시 신호인 StartBit 생성을 실행한다(스텝S1). 다음에 센서부를 기동하는 TD신호를 생성한다(스텝 S2). 그 다음에 비 투광시의 수광 신호 레벨로서 옵셋 신호 레벨 Vof1의 입력 체크를 실행한다(스텝S3).23 is a flowchart showing a data collection function. The DATA collection procedure starts at the start, and firstly generates StartBit, which is a DATA collection start signal (step S1). Next, a TD signal for starting the sensor unit is generated (step S2). Next, the input check of the offset signal level Vof1 is performed as the light reception signal level at the time of non-light emission (step S3).

채널1(CH1)의 클럭 펄스CP 출력을 ON으로 한다. 먼저 기억한 채널1의 옵셋 신호 레벨 Vof1을 RAM의 DATA 영역에 격납한다(스텝S4). 다음에, 투광시 수광 신호 레벨 Vs1인 입력을 체크 한다. 그리고, 채널1(CH1)의 클럭 펄스CP 출력을 OFF로 한다. 투광시 수광 신호 레벨 Vs1을 RAM의 DATA 영역에 격납한다(스텝S5).Turn on the clock pulse CP output of channel 1 (CH1). The offset signal level Vof1 of the channel 1 stored first is stored in the DATA area of the RAM (step S4). Next, the input of light reception signal level Vs1 at the time of light emission is checked. Then, the clock pulse CP output of channel 1 CH1 is turned OFF. The light receiving signal level Vs1 is stored in the DATA area of the RAM during light emission (step S5).

다음으로 옵셋 신호 레벨 Vof2 입력을 체크한다 (스텝S6).Next, the offset signal level Vof2 input is checked (step S6).

그리고, 채널2(CH2)의 클럭 펄스CP 출력을 ON으로 한다. 옵셋 신호 레벨 데이터 Vof2를 RAM의 DATA 영역에 격납한다(스텝S7).Then, the clock pulse CP output of channel 2 (CH2) is turned ON. The offset signal level data Vof2 is stored in the DATA area of the RAM (step S7).

다음에 투광시 수광 신호 레벨 Vs2인 입력을 체크한다(스텝S8). 또, 채널2(CH2)의 클럭 펄스CP 출력을 OFF로 한다.Next, the input of light reception signal level Vs2 at the time of light emission is checked (step S8). The clock pulse CP output of channel 2 (CH2) is turned off.

이어서 Vs2를 RAM의 DATA 영역에 격납한다(스텝S9).Next, Vs2 is stored in the DATA area of the RAM (step S9).

이와 같이 차례차례로 데이터를 읽어, 이 사례의 마지막 채널 25의 옵셋 신호 레벨 Vof25 입력을 체크한다(스텝S10).In this way, the data is read sequentially, and the input of the offset signal level Vof25 of the last channel 25 in this example is checked (step S10).

이어서 채널25(CH25)의 클럭 펄스CP 출력을 ON으로 한다. 그리고, 옵셋 신호 레벨 Vof25를 RAM의 DATA 영역에 격납한다(스텝S11).Next, the clock pulse CP output of the channel 25 (CH25) is turned ON. Then, the offset signal level Vof25 is stored in the DATA area of the RAM (step S11).

다음에 투광시 수광 신호 레벨 Vs25 입력을 체크한다(스텝S12).Next, the light reception signal level Vs25 input at the time of light emission is checked (step S12).

그리고, 이어서 채널25(CH25)의 클럭 펄스CP 출력을 OFF로 한다. 또 투광시 수광 신호 레벨 Vs25를 RAM의 DATA 영역에 격납한다(스텝S13). 그 다음 후술하는 RAM DATA의 연산 처리과정1에서 연산 처리과정7까지 각각 연산처리를 실행하여(스텝S14) 최초의 스텝으로 되돌아 간다.Then, the clock pulse CP output of the channel 25 (CH25) is turned OFF. The light receiving signal level Vs25 at the time of light emission is stored in the DATA area of the RAM (step S13). Then, arithmetic processing is executed from arithmetic processing procedure 1 to arithmetic processing procedure 7 of RAM DATA described later (step S14) to return to the first step.

도 24는 옵셋 조정을 행하기 위한 연산 처리1을 나타내는 흐름도이다. 이 연산처리에서는, 우선, 옵셋 최대 신호 레벨 Max Vof가 이득 조정값 Vofg보다 작은가를 비교 판단한다(스텝S15). Max Vof가 이득 조정값 Vofg보다 작은 경우에, 옵셋 신호 OST를 OFF로 한다(스텝S16).24 is a flowchart showing arithmetic processing 1 for performing offset adjustment. In this arithmetic processing, first, a comparison is judged whether or not the offset maximum signal level Max Vof is smaller than the gain adjustment value Vofg (step S15). When Max Vof is smaller than the gain adjustment value Vofg, the offset signal OST is turned OFF (step S16).

Max Vof가 이득 조정값 Vofg보다 큰 경우에는, 옵셋 신호 OST를 ON으로 하고(스텝S17), 이어서 GAIN조정을 실행하고(스텝S18),이 프로그램의 최초로 되돌아 간다.When Max Vof is larger than the gain adjustment value Vofg, the offset signal OST is turned ON (step S17), then the GAIN adjustment is performed (step S18), and the program returns to the beginning of the program.

다음으로, 최소 수광 신호 Min Vnd0가 밝기 조정값 Vbg보다 작은 가를 판단한다(스텝S19). 최소 수광 신호 Min Vnd0가 밝기 조정값 Vbg보다 작은 경우, 액션 신호 ACT를 OFF로 한다(스텝S20). 또 최소 수광 신호 Min Vnd0가 밝기 조정값 Vbg보다 큰경우에는, ACT를 ON으로 하고(스텝S21), 밝기 조정을 실행하고(스텝S22), 스텝S19로 되돌아 간다.Next, it is determined whether the minimum light receiving signal Min Vnd0 is smaller than the brightness adjustment value Vbg (step S19). When the minimum light receiving signal Min Vnd0 is smaller than the brightness adjustment value Vbg, the action signal ACT is turned off (step S20). When the minimum light receiving signal Min Vnd0 is larger than the brightness adjustment value Vbg, ACT is turned ON (step S21), brightness adjustment is performed (step S22), and the flow returns to step S19.

도 25는 신호 추출을 행하기 위한 연산 처리2를 나타내는 흐름도이다.25 is a flowchart showing arithmetic processing 2 for performing signal extraction.

먼저, 채널1(CH1)의 신호 추출을 실행한다(스텝S23).First, signal extraction of channel 1 CH1 is performed (step S23).

이어서, 투광시 수광 신호 레벨 Vs1에서 비 투광 시 옵셋 신호 레벨 Vof1을 빼서 채널1(CH1)의 신호 레벨 V1d를 연산하여, 신호 레벨 V1d의 연산 결과를 RAM의 DATA 영역에 격납한다(스텝S24). Subsequently, the signal level V1d of the channel 1 (CH1) is calculated by subtracting the offset signal level Vof1 at the time of non-light emission from the light reception signal level Vs1 at the time of light emission, and storing the result of the calculation of the signal level V1d in the DATA area of the RAM (step S24).

같은 방법으로, 채널2(CH2)의 신호 추출을 실행하여(스텝S25), 신호 레벨 V2d를 산출하고 V2d를 RAM의 DATA 영역에 격납한다(스텝S26). 같은 방법으로, 채널 3에서 채널 24까지의 신호 추출을 실행함과 함께, V3d부터 V24d를 RAM의 DATA 영역에 격납한다. 끝으로 CH25신호 추출을 실행하여(스텝S27), 신호 레벨 V25d를 산출하고, V25d를 RAM의 DATA 영역에 격납한다(스텝S28). In the same manner, signal extraction of the channel 2 (CH2) is performed (step S25) to calculate the signal level V2d and store V2d in the DATA area of the RAM (step S26). In the same manner, signal extraction from channel 3 to channel 24 is performed, and V3d to V24d are stored in the DATA area of the RAM. Finally, the CH25 signal extraction is performed (step S27), the signal level V25d is calculated, and V25d is stored in the DATA area of the RAM (step S28).

도 26 및 도 27은 대상물 검지의 초기 설정을 행하기 위한 연산 처리3을 나타내는 흐름도이다. 우선, 초기 설정인가의 판정을 실시한다(스텝S29). 초기 설정 이면 카운터 n에 "1"을 세트한다(스텝S30).26 and 27 are flowcharts showing arithmetic processing 3 for performing initial setting of object detection. First, a determination is made as to whether the initial setting is made (step S29). In the initial setting, "1" is set in the counter n (step S30).

채널n(CHn)의 검출 결과가 존재하는 상태인 "1"인가, 없는 상태인 "0"인가를 판정한다(스텝S31). 다음에 n채널의 수광 신호 레벨 Vnd가 경계치 Vth를 초과하고 있는지를 판정한다(스텝S32). It is determined whether " 1 " in the state where the detection result of the channel n (CHn) is present or " 0 " in the absence state (step S31). Next, it is determined whether the received signal level Vnd of the n-channel exceeds the threshold Vth (step S32).

Vnd≥Vth이면 OUTn에 "1"을 세트한다(스텝S33). If Vnd? Vth, " 1 " is set to OUTn (step S33).

이어서, Vnd 를 Vnd1에 기억한다(스텝S34). Next, Vnd is stored in Vnd1 (step S34).

Vnd1은 RAM의 DATA 영역에 기억 된다(스텝S35). Vnd1 is stored in the DATA area of the RAM (step S35).

이어서, RAM의 DATA 영역의 Vnd0에 "0" DATA를 격납한다(스텝S36).Subsequently, " 0 " DATA is stored in Vnd0 of the DATA area of the RAM (step S36).

Vnd≥Vth가 아니면, OUTn에 "0"을 세트한다(스텝S37).If Vnd? Vth, "0" is set to OUTn (step S37).

이어서, Vnd 데이터를 Vnd0에 이동한다(스텝S38).Next, the Vnd data is moved to Vnd0 (step S38).

Vnd0을RAM 의 DATA 영역에 격납한다(스텝S39).Vnd0 is stored in the DATA area of the RAM (step S39).

다음 Vth의 2배의 데이터를 RAM의 영역에 기억하여 Vnd1에 격납한다(스텝S40). Next, twice the data of Vth are stored in the RAM area and stored in Vnd1 (step S40).

이어,(Vnd0+Vnd1)÷2의 연산을 실행하고, RAM의 DATA 영역에 Vnth를 격납한다(스텝S41). 또 카운터n에 1을 추가한다(스텝S42). 카운터n이 25인지를 확인한다(스텝S43).Subsequently, an operation of (Vnd0 + Vnd1) ÷ 2 is executed, and Vnth is stored in the DATA area of the RAM (step S41). In addition, 1 is added to the counter n (step S42). It is checked whether the counter n is 25 (step S43).

이 흐름도에 있어서는, (Vnd0+Vnd1)÷2를 경계치 Vnth로 하고 있지만, 이 중간 데이터에 계수를 곱하여 2분의 1보다 높거나 혹은 낮게 경계치 Vnth를 설정해도 무방하다. 그 경우, 환경으로부터 받는 노이즈 성분이 되는 빛의 양이 클 경우에는, 경계치 Vnth를 높게 설정하고, 노이즈가 없는 환경에서는, 낮게 설정하여, 검출 감도를 높일 수 있다. 또, ROM에 기억되는 고정 경계치 Vnth를 이용할지 또는, 그때 그때 경계치를 계산하여 다음 검출시에 대비할 것인가는 자유롭게 선택할 수 있다.In this flowchart, (Vnd0 + Vnd1) ÷ 2 is set as the boundary value Vnth, but the threshold value Vnth may be set higher or lower than 1/2 by multiplying the intermediate data by a coefficient. In that case, when the amount of light used as a noise component from the environment is large, the threshold value Vnth is set high, and in an environment without noise, the detection value can be increased by setting it low. It is also possible to freely choose whether to use the fixed threshold value Vnth stored in the ROM or to prepare for the next detection by calculating the threshold value at that time.

이어서, 도 27에 나타내는 바와 같이, 채널25(CH25)의 피 검출체 유무 이론치 "1"/"0"의 판정을 실행한다(스텝S44).Next, as shown in FIG. 27, determination of the to-be-detected theoretical value "1" / "0" of channel 25 (CH25) is performed (step S44).

채널25(CH25)의 투광시 수광 신호 레벨 V25d가 경계치 Vth를 초과하는 지를 판정한다(스텝S45). V25d≥Vth이면 OUT를 "1"로 설정한다(스텝S46). V25d를 V25d1로 이동한다(스텝S47). V25d1 데이터를 RAM의 DATA 영역에 격납한다(스텝S48).It is determined whether the received light signal level V25d at the time of projecting the channel 25 (CH25) exceeds the threshold Vth (step S45). If V25d? Vth, OUT is set to " 1 " (step S46). V25d is moved to V25d1 (step S47). The V25d1 data is stored in the DATA area of the RAM (step S48).

"0"을 RAM의 DATA 영역의 V25d0에 격납한다(스텝S49)."0" is stored in V25d0 of the DATA area of the RAM (step S49).

V25d≥Vth가 아닌경우, OUT에 "0"을 설정한다(스텝S50).When V25d≥Vth is not set, "0" is set to OUT (step S50).

V25d 데이터를 V25d1로 이동한다(스텝S51).The V25d data is moved to V25d1 (step S51).

V25d0 데이터를 RAM의 DATA 영역에 격납한다(스텝S52).The V25d0 data is stored in the DATA area of the RAM (step S52).

Vth의 2배 값을 RAM의 DATA 영역에 격납한다(스텝S53).The double value of Vth is stored in the RAM DATA area (step S53).

(V25d0+ V25d1)의 2분의1을 RAM의 DATA 영역의 V25th에 격납한다(스텝S54).One half of (V25d0 + V25d1) is stored in V25th of the RAM DATA area (step S54).

최소 옵셋 세트 레벨 Min V0fn을 추출한다(스텝S55)The minimum offset set level Min V0fn is extracted (step S55).

최대 옵셋 세트 레벨 Max V0fn을 추출한다(스텝S56).The maximum offset set level Max V0fn is extracted (step S56).

최소 수광 신호 레벨Min Vnd0을 추출한다(스텝S57).The minimum light reception signal level Min Vnd0 is extracted (step S57).

최대 수광 신호 레벨Max Vnd0을 추출한다(스텝S58).The maximum light reception signal level Max Vnd0 is extracted (step S58).

최소 수광 신호 레벨Min Vnd1을 추출한다(스텝S59).The minimum light reception signal level Min Vnd1 is extracted (step S59).

도 28은 도 26의 흐름도의 E단자에 이어지는, 대상물 검지, 자동 드레숄드 설정을 실행하기 위한 연산 처리4를 나타내는 흐름도이다. FIG. 28 is a flowchart showing arithmetic processing 4 for executing object detection and automatic threshold setting subsequent to terminal E of the flowchart of FIG. 26.

이 연산에서는, 우선 카운터 n에 1을 설정한다(스텝S60).In this operation, first, 1 is set to the counter n (step S60).

다음에, CHn의 피 검출체 유무를 나타내는 이론치 "1"/"0"을 판정한다(스텝S61).Next, a theoretical value "1" / "0" indicating the presence or absence of a detected object of CHn is determined (step S61).

다음에, n채널의 수광 신호 레벨 Vnd가 경계치 Vth를 초과하는 지를 판정한다(스텝S62).Next, it is determined whether the received signal level Vnd of the n-channel exceeds the threshold Vth (step S62).

Vnd≥Vth이면 OUTn에 "1"을 설정한다(스텝S63).If Vnd? Vth, " 1 " is set to OUTn (step S63).

Vnd 데이터를Vnd1에 이동한다(스텝S64).The Vnd data is moved to Vnd1 (step S64).

Vnd1를 RAM 의 DATA 영역에 격납한다(스텝S65). Vnd1 is stored in the DATA area of the RAM (step S65).

Vnd≥Vth가 아니면, OUTn에 "0"을 설정한다(스텝S66).If Vnd? Vth, "0" is set to OUTn (step S66).

Vnd 데이터를Vnd0에 이동한다(스텝S67).The Vnd data is moved to Vnd0 (step S67).

Vnd0를 RAM의 DATA 영역에 격납한다(스텝S68).Vnd0 is stored in the DATA area of the RAM (step S68).

(Vnd0+ Vnd1)의 2분의1을 RAM의 DATA 영역의 Vnth에 격납한다(스텝S69).One-half of (Vnd0 + Vnd1) is stored in Vnth of the DATA area of the RAM (step S69).

이어서, 카운터 n에 1을 가산한다(스텝S70).Next, 1 is added to the counter n (step S70).

n=25인지를 판정한다(스텝S71). It is determined whether n = 25 (step S71).

n=25가 아니면, L단자에 연결된다. If n = 25, it is connected to the L terminal.

n=25이면, CH25가 이론치 "1"/"0"인가를 판정한다(스텝S72).If n = 25, it is determined whether CH25 is a theoretical value "1" / "0" (step S72).

채널25(CH25)의 수광 신호 레벨 V25d가 경계치 Vth를 초과하는지를 판정한다(스텝S73).It is determined whether the received signal level V25d of the channel 25 (CH25) exceeds the threshold Vth (step S73).

V25d≥Vth이면, OUT25에 "1"을 설정한다(스텝S74).If V25d? Vth, " 1 " is set to OUT25 (step S74).

V25d 데이터를V25d1로 이동한다(스텝S75).The V25d data is moved to V25d1 (step S75).

V25d1 데이터를 RAM의 DATA 영역에 격납한다(스텝S76).The V25d1 data is stored in the DATA area of the RAM (step S76).

V25d≥Vth가 아니면, OUT25에 "0"을 설정한다(스텝S77).If V25d? Vth, "0" is set to OUT25 (step S77).

V25d 데이터를 V25d0로 이동한다(스텝S78).The V25d data is moved to V25d0 (step S78).

V25d0을 RAM DATA 영역에 격납한다(스텝S79).V25d0 is stored in the RAM DATA area (step S79).

(V25d0+ V25d1)의 2분의 1을 RAM의 DATA 영역의 V25th에 격납한다(스텝S80).One half of (V25d0 + V25d1) is stored in V25th of the RAM DATA area (step S80).

도 29는 도 27의 흐름도의 D단자에 이어지는, 밝기 부족 검지를 이행하기 위한 연산 처리5를 나타내는 흐름도이다. FIG. 29 is a flowchart showing arithmetic processing 5 for implementing a brightness shortage detection subsequent to terminal D of the flowchart of FIG. 27.

이 연산 처리에 있어서는, 우선, Min Vnd1<Vb1의 판정을 실행한다(스텝S81).In this arithmetic processing, first, determination of Min Vnd1 < Vb1 is performed (step S81).

Min Vnd1<Vb1이면, OUTe1에 "1"을 설정한다(스텝S82).If Min Vnd1 < Vb1, " 1 " is set in OUTe1 (step S82).

Min Vnd1<Vb1이 아니면, OUTe1에 "0"을 설정한다(스텝S83).If Min Vnd1 <Vb1 is not set, " 0 " is set in OUTe1 (step S83).

그리고, 자국 출력부에 데이터를 전송한다(스텝S84).The data is then transferred to the local station output unit (step S84).

도 30은 도 27의 흐름도의 D단자에 이어지는, 투광 소자, 수광 소자 고장을 검지하기 위한 RAM영역 DATA의 연산처리6을 나타내는 흐름도이다. 30 is a flowchart showing the arithmetic processing 6 of the RAM area DATA for detecting the failure of the light transmitting element and the light receiving element following the terminal D of the flowchart of FIG. 27.

이 연산처리에 있어서는, 우선, Max Vofn≥Vpdf의 판정을 실행한다(스텝S85).In this arithmetic processing, first, determination of Max Vofn≥Vpdf is performed (step S85).

Max Vofn≥Vpdf이면, OUTe3에 "0"을 설정한다(스텝S86).If Max Vofn? Vpdf, " 0 " is set in OUTe3 (step S86).

이어서, Min Vnd0<Vbdf의 판정을 실행한다(스텝S87).Subsequently, determination of Min Vnd0 < Vbdf is performed (step S87).

Min Vnd0<Vbdf이면, 투광 소자 고장이며, OUTe2에 "1"을 설정한다(스텝S88).If Min Vnd0 < Vbdf, the light emitting element has failed, and " 1 " is set in OUTe2 (step S88).

Min Vnd0<Vbdf가 아니면, OUTe2에 "0"을 설정한다(스텝S90).If Min Vnd0 < Vbdf, " 0 " is set in OUTe2 (step S90).

한편, Max Vofn≥Vpdf가 아니면, 수광 소자 고장 이며, OUTe3에 "1"을 설정한다(스텝S89).On the other hand, if Max Vofn≥Vpdf, the light receiving element is broken, and "1" is set to OUTe3 (step S89).

그리고, 자국 출력부에 데이터를 전송한다(스텝S91).The data is then transferred to the local station output unit (step S91).

도 31은 도 30의 흐름도의 H단자에 이어지는, 외부 산란광 에러를 검지하기 위한 RAM영역 DATA의 연산 처리7을 나타내는 흐름도이다.FIG. 31 is a flowchart showing the arithmetic processing 7 of the RAM area DATA for detecting the external scattered light error following the H terminal in the flowchart of FIG.

이 연산처리에 있어서는, |Max Vofn - Min Vofn|>Vofd를 판정한다(스텝S92).In this arithmetic process, | Max Vofn-Min Vofn |> Vofd is determined (step S92).

|Max Vofn - Min Vofn|>Vofd이면, OUTe4에 "1"을 설정한다(스텝S93).If | Max Vofn-Min Vofn |> Vofd, "1" is set to OUTe4 (step S93).

|Max Vofn - Min Vofn|>Vofd가 아니면, OUTe4에 "0"을 설정한다(스텝S94).If | Max Vofn-Min Vofn |> Vofd is not set, " 0 " is set in OUTe4 (step S94).

그리고, 자국 출력부에 데이터를 전송한다(스텝S91).The data is then transferred to the local station output unit (step S91).

도 32는 투광 소자 및 수광 소자의 모식도이다. 도면에 나타난 바와 같이, 프린트 기판(51)의 표면에 투광 소자(18), 뒷면에 수광 소자(19)을 장착하여, 투광 소자(18)과 수광 소자(19)를 차광판(52)로 차광함에 따라, 복수의 투광 소자 및 수광 소자를 좁은 면적에 배치할 수 있다. 그 때문에, 광전 센서의 소형화를 실현할 수 있고, 투광 소자(18)와 수광 소자(19)의 장착은 앞뒷 면을 바꾸어 장착해도 무방하다.32 is a schematic diagram of a light transmitting element and a light receiving element. As shown in the figure, the light transmitting element 18 is mounted on the surface of the printed board 51 and the light receiving element 19 is mounted on the rear surface, so that the light transmitting element 18 and the light receiving element 19 are shielded by the light blocking plate 52. Therefore, a plurality of light transmitting elements and light receiving elements can be arranged in a narrow area. Therefore, miniaturization of the photoelectric sensor can be realized, and the mounting of the light transmitting element 18 and the light receiving element 19 may be replaced by changing the front and back surfaces.

본 발명에 의하면, 반도체 웨이퍼, 액정 유리, 유리 에폭시 기판등과 같은 다단 상태로 보관하는 피 검출체의 유무의 검출을 이행하는 경우에 있어서, 다단 센서의 조정을 일괄적으로 설정이 가능하기 때문에, 조정 작업이 용이 하고, 또, 재래형에 비교 하여 고감도, 간소화 되기 때문에 취급이 간편하며, 저렴한 광전 센서로서 물품 선반에 있어서 물품 유무 검출에 널리 이용할수 있다.According to the present invention, when performing the detection of the presence or absence of a to-be-detected object stored in a multistage state such as a semiconductor wafer, liquid crystal glass, glass epoxy substrate, etc., the adjustment of the multistage sensor can be set collectively. It is easy to adjust, and it is easy to handle because it has high sensitivity and simplification compared with the conventional type, and can be widely used for detecting the presence or absence of an article in an article shelf as an inexpensive photoelectric sensor.

도 1은 본 발명에 관련되는 광전 센서를 사용한 광전 센서 시스템의 실시형태를 나타내는 시스템 구성도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The system block diagram which shows embodiment of the photoelectric sensor system using the photoelectric sensor which concerns on this invention.

도 2는 도 1에 나타내는 광전 센서 시스템의 반사형 센서인 자국의 다른 실시 형태인 분할형 센서의 모식도.FIG. 2 is a schematic diagram of a segmented sensor according to another embodiment of a mark that is a reflective sensor of the photoelectric sensor system shown in FIG. 1. FIG.

도 3은 모국의 기능 블럭도.3 is a functional block diagram of a home country.

도 4는 반사형 센서인 자국의 측면 모식도.4 is a schematic side view of a mark which is a reflective sensor.

도 5는 센서 콤의 평면도.5 is a plan view of the sensor comb.

도 6은 피 검출체 단부를 검출하는 상태를 나타내는 모식도.It is a schematic diagram which shows the state which detects the to-be-detected edge part.

도 7은 자국 입출력부와 센서 콘트롤부의 기능 블록 배선도.7 is a functional block wiring diagram of a local station input / output unit and a sensor control unit.

도 8은 센서 콘트롤부의 자동 밝기조정 기능을 포함하는 자국 입출력부와 센서 콘트롤부의 다른 실시 형태의 블록 배선도.8 is a block wiring diagram of another embodiment of a local station input / output unit and a sensor control unit including an automatic brightness adjustment function of the sensor control unit;

도 9는 센서 콘트롤부의 GAIN조정 기능을 포함하는 자국 입출력부와 센서 콘트롤부의 또 다른 실시 형태의 블록 배선도.Fig. 9 is a block wiring diagram of another embodiment of a local station input / output unit and a sensor control unit including a GAIN adjustment function of the sensor control unit.

도 10은 센서부의 기능 블록 배선도.10 is a functional block wiring diagram of a sensor unit.

도 11은 투광 소자 배선도.11 is a diagram of light transmitting element wiring;

도 12는 수광 소자 배선도.12 is a light receiving element wiring diagram.

도 13은 자국 신호의 타임 챠트도.13 is a time chart diagram of a local signal.

도 14는 MPU의 주변 회로 구성을 나타내는 블록도.14 is a block diagram showing a peripheral circuit configuration of an MPU.

도 15는 옵셋 조정 기능을 나타내는 타임챠트도.15 is a time chart diagram illustrating an offset adjustment function.

도 16은 대상물 검지 기능을 나타내는 타임챠트도.16 is a time chart diagram showing an object detection function.

도 17은 밝기 부족 검지 기능을 나타내는 타임챠트도.Fig. 17 is a time chart showing the lack of brightness detection function.

도 18은 투광 소자 고장을 나타내는 타임챠트도.18 is a time chart diagram illustrating a failure of a light transmitting element.

도 19는 수광 소자 고장을 나타내는 타임챠트도.19 is a time chart diagram showing a light receiving element failure.

도 20은 외부 산란광 에러를 나타내는 타임챠트도.20 is a time chart diagram showing an external scattered light error.

도 21은 피 검출체의 중복 검지시의 타임챠트도.21 is a time chart diagram at the time of overlapping detection of a detected object.

도 22는 기억 소자의 기억 메모리 맵도.22 is a memory map map of the memory device.

도 23은 DATA 수집 기능을 나타내는 흐름도.23 is a flowchart showing a DATA collection function.

도 24는 RAM DATA 연산처리1을 나타내는 흐름도.24 is a flowchart showing a RAM DATA operation processing 1;

도 25는 RAM DATA 연산처리2를 나타내는 흐름도.25 is a flowchart showing RAM DATA arithmetic processing 2;

도 26은 RAM DATA 연산처리3을 나타내는 흐름도.Fig. 26 is a flowchart showing RAM DATA arithmetic processing 3.

도 27은 RAM DATA 연산처리3의 도 26에 이어지는 부분을 나타내는 흐름도.FIG. 27 is a flowchart showing a portion subsequent to FIG. 26 of a RAM DATA arithmetic process 3. FIG.

도 28은 RAM DATA 연산처리4를 나타내는 흐름도.Fig. 28 is a flowchart showing RAM DATA arithmetic processing 4.

도 29는 RAM DATA 연산처리5를 나타내는 흐름도.Fig. 29 is a flowchart showing RAM DATA operation processing 5;

도 30은 RAM DATA 연산처리6을 나타내는 흐름도.30 is a flowchart showing RAM DATA arithmetic processing 6;

도 31은 RAM DATA 연산처리7을 나타내는 흐름도.Fig. 31 is a flowchart showing RAM DATA arithmetic processing 7.

도 32는 투광 소자 및 수광 소자의 모식도. 32 is a schematic view of a light transmitting element and a light receiving element.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

1: 제어부 2: 입력 유닛 3: 출력 유닛1: control unit 2: input unit 3: output unit

4: 모국 5: DP신호선 6: DN 신호선4: mother country 5: DP signal line 6: DN signal line

7: 자국 입출력부 8: 센서 컨트롤부 9: 센서부7: Local station I / O unit 8: Sensor control unit 9: Sensor unit

10: 자국 11: 피 검출체 12: 더미 콤10: Mark 11: Blood detected object 12: Dummy comb

13: 센서 콤 14: 수광 신호 15: 투광 신호13: sensor comb 14: light receiving signal 15: light emitting signal

16: 접합판 17: 타이밍 신호 18: 투광 소자16: Junction Plate 17: Timing Signal 18: Light Transmitting Element

19: 수광 소자 20: MPU 21: 밝기 조정 회로19: light receiving element 20: MPU 21: brightness adjustment circuit

22: 정 전류 회로 23: 검출 투광 구동회로 24: PRM신호22: constant current circuit 23: detection projection drive circuit 24: PRM signal

25: OUT신호 26: DOUT신호 27: END신호25: OUT signal 26: DOUT signal 27: END signal

28: 클럭 펄스(CP)신호 29: TD신호 30: ENB신호28: clock pulse (CP) signal 29: TD signal 30: ENB signal

31: OST신호 32: ACT신호 33: AIN신호31: OST signal 32: ACT signal 33: AIN signal

34: GAIN조정회로 35: Vcc 36: 0V34: GAIN control circuit 35: Vcc 36: 0V

37: PHD신호 38: 밝기자동조정회로 39: AUT신호37: PHD signal 38: Brightness automatic adjustment circuit 39: AUT signal

40: A/D 변환기 41: 분할형 반사형 센서 42: 단부 반사형 센서40: A / D converter 41: Split reflective sensor 42: End reflective sensor

43: 투과형 센서 44: ROM 45: RAM 43: transmissive sensor 44: ROM 45: RAM

46: I/O 47: ADAT신호 48: 투광 소자46 I / O 47 ADAT signal 48 Transmitting element

49: 수광 소자 50: CK신호 51: 프린트 기판49: light receiving element 50: CK signal 51: printed board

52: 차광판52: shading plate

120: 입력 데이터부 121: 출력 데이터부 122: 발신회로120: input data portion 121: output data portion 122: outgoing circuit

123: 모국 번지 설정 수단 124: 타이밍 발생 수단 125: 제어 발생 수단123: mother station address setting means 124: timing generating means 125: control generating means

126: 모국 출력부 128: 라인 드라이버 129: 브리더 전류회로126: mother station output unit 128: line driver 129: breather current circuit

130: 감시데이터 추출 수단 131: 감시신호 검출 수단 132: 모국 입력부130: monitoring data extraction means 131: monitoring signal detection means 132: mother station input unit

133: 모국 신호 단자DP 134: 모국 신호 단자DN 135: 제어부입력신호133: mother station signal terminal DP 134: mother station signal terminal DN 135: control unit input signal

136: 제어부출력 신호136: control unit output signal

Claims (14)

제어부에 대응하여 감시 신호 및 제어 신호를 병렬 전송 신호로서 수수하는 모국과 상기 모국에 전송선으로 연결된 복수개의 광전센서를 구비하고, 상기 광전 센서는 자국 입출력부와, 센서 콘트롤부와, 센서부를 포함하며,And a plurality of photoelectric sensors connected to the mother station for receiving the monitoring signal and the control signal as parallel transmission signals in correspondence to the control unit, and a plurality of photoelectric sensors connected by transmission lines, wherein the photoelectric sensor includes a local station input / output unit, a sensor control unit, and a sensor unit. , 상기 자국 입출력부는 상기 전송선을 통하여 전송되는 직렬 전송 신호에 포함되는 자국으로의 제어 신호를 얻어 상기 센서부에 대한 제어 출력을 실행함과 함께 상기 센서부의 검출 결과를 감시 신호로서 상기 전송선에 송출하고,The local station input / output unit obtains a control signal to the local station included in the serial transmission signal transmitted through the transmission line, executes a control output to the sensor unit, and transmits the detection result of the sensor unit to the transmission line as a monitoring signal, 상기 센서부는 투광 소자와 수광 소자의 쌍을 한쌍 또는 복수로 구비하며,The sensor unit includes a pair or a plurality of light transmitting elements and light receiving elements, 상기 센서 콘트롤부는 상기 자국 입출력부와 상기 센서부의 사이에 배치되고, A/D 컨버터(아날로그 디지털 컨버터)와, MPU(마이크로 프로세서 유닛)와, 밝기 조정 회로와, 검출 구동 회로와, 검출 회로를 구비하고,The sensor control unit is disposed between the local station input / output unit and the sensor unit, and includes an A / D converter (analog digital converter), an MPU (microprocessor unit), a brightness adjustment circuit, a detection drive circuit, and a detection circuit. and, 상기A/D 컨버터는 상기 센서부에서 검출한 아날로그 신호를 디지털 신호 데이터로 변환하고, The A / D converter converts the analog signal detected by the sensor unit into digital signal data, 상기 밝기 조정 회로는 상기 제어 신호에 의해 또는 상기 MPU의 판단 결과에 따라서 상기 투광 소자를 시분할로 구동시키는 구동 클럭 펄스 신호를 생성하고,The brightness adjusting circuit generates a driving clock pulse signal for time-divisionally driving the light emitting element by the control signal or according to a determination result of the MPU, 상기 MPU는 상기 수광 소자의 수광 신호 강도 레벨을 검출하고, 상기 투광 소자의 비 투광시에 수광 레벨 데이터를 저광량 레벨 데이터로서 기억하고, 상기 투광 소자의 투광시에 수광 레벨 데이터에서 상기 저광량 레벨 데이터를 빼서 그 차이와 소정의 경계치와의 관계에 근거하여 피검출체의 유무를 판정하고, 상기 차이의 중간치나 이전 중간치에 계수를 곱하여 얻은 값을 상기 경계치로 기억하는 광전 센서 시스템.The MPU detects a light receiving signal intensity level of the light receiving element, stores the light receiving level data as low light quantity level data at the time of non-light emitting of the light emitting element, and stores the low light quantity level in light receiving level data at the time of light transmitting of the light emitting element. And subtracting the data to determine the presence or absence of the detected object based on the relationship between the difference and the predetermined boundary value, and storing the value obtained by multiplying the median or the previous median value of the difference as the boundary value. 청구항 1에 있어서, 상기 검출 구동 회로는, The method according to claim 1, wherein the detection drive circuit, 밝기 조정 또는 이득 조정이 완료된 시점의 기억 데이터에 비교하여, 상기 투광 신호를 수광했을 때의 수광 레벨이 미리 설정한 레벨 이하로 저하한 경우, 상기 투광 소자의 노화 또는 상기 수광 소자의 노화 또는 상기 센서부의 불량이라 판단하여 고장 검지신호를 발신하는 광전 센서 시스템.When the light reception level when the light reception signal is received falls below a predetermined level, in comparison with the stored data at the time when the brightness adjustment or the gain adjustment is completed, the aging of the light transmitting element or the aging of the light receiving element or the sensor A photoelectric sensor system that transmits a fault detection signal by determining that it is negative. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 검출 구동 회로는,The said detection drive circuit of Claim 1 or 2, 상기 저광량 레벨 데이터가 밝기 조정 및 이득 조정이 완료된 시점에서 기억되는 외부 산란광 이상치에 비교하여, 높은 레벨인 경우, 외란광을 검지한 것으로 에러 신호를 출력하는 광전 센서 시스템.And outputting an error signal by detecting the disturbance light when the low light quantity level data is at a high level compared to the external scattered light outlier stored at the time when the brightness adjustment and the gain adjustment are completed. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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