JP5174687B2 - Optical transmission module and status information storage method - Google Patents

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Description

本発明は、光伝送モジュール及び状態情報保存方法に関する。   The present invention relates to an optical transmission module and a state information storage method.

光伝送モジュールを仕様の範囲外で使用すると故障することがあり、光伝送モジュールに構成部品の動作状態や動作環境等の情報を取得する機能を設け、取得した情報を記録して故障原因の解析に役立てることがある。例えば、下記の特許文献1には、光伝送モジュールの各部の動作状態を示す各種のモニタデータの最小値及び最大値を不揮発性メモリに記録する技術が記載されている。   If the optical transmission module is used outside the specification range, it may break down. The optical transmission module is provided with a function to acquire information such as the operating status and operating environment of the component, and the acquired information is recorded to analyze the cause of the failure. It may be useful for. For example, the following Patent Document 1 describes a technique for recording a minimum value and a maximum value of various monitor data indicating the operation state of each part of an optical transmission module in a nonvolatile memory.

特開2006−319893号公報JP 2006-319893 A

しかしながら、従来の技術では、最小値及び最大値を不揮発性メモリに書き込む頻度が多くなってしまうため、書き込みを終えるまで処理を待機すると処理速度が低下してしまう上に、不揮発性メモリの上書きの上限回数に達しやすい等の問題があった。   However, in the conventional technique, the frequency of writing the minimum value and the maximum value to the nonvolatile memory increases. Therefore, if the process is waited until the writing is completed, the processing speed is reduced and the nonvolatile memory is overwritten. There were problems such as the maximum number of times being easily reached.

本発明の目的の一つは、光伝送モジュールの各部の動作状態を示す状態情報を保存するメモリへの書込回数を低減させた光伝送モジュール及び状態情報保存方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an optical transmission module and a state information storage method in which the number of times of writing to a memory for storing state information indicating the operation state of each part of the optical transmission module is reduced.

上記目的を達成するために、本発明に係る光伝送モジュールは、光伝送モジュールの各部の状態を監視して1又は複数の状態情報の各値を検出する検出手段と、前記1又は複数の状態情報毎に予め定められた値の範囲を複数設定すると共に、当該設定した各範囲に該当する状態情報が検出されたか否かを示すフラグを関連づけて記憶する記憶手段と、前記検出手段により検出された状態情報の値毎に、当該状態情報の値が前記記憶手段に検出されたことを示すフラグが関連づけて記憶されたいずれの範囲よりも大きい又は小さい場合に、当該状態情報の値に該当する範囲のフラグを更新する更新手段と、を含むことを特徴とする。   In order to achieve the above object, an optical transmission module according to the present invention includes a detection unit that monitors a state of each part of the optical transmission module and detects each value of one or more state information, and the one or more states. A plurality of predetermined value ranges are set for each information, and a storage means for associating and storing a flag indicating whether or not state information corresponding to each set range is detected, and detected by the detection means For each status information value, if the flag indicating that the status information value is detected in the storage means is larger or smaller than any range stored in association with the status information value, the status information value Updating means for updating a range flag.

また、本発明の一態様では、前記検出手段により検出された状態情報の値毎に、当該状態情報の値について予め定められた閾値と比較して異常状態が発生したか否かを判断する判断手段をさらに含み、前記更新手段は、前記判断手段により異常状態が発生したと判断された場合であって、かつ、前記状態情報の値が前記記憶手段に検出されたことを示すフラグが関連づけて記憶されたいずれの範囲よりも大きい又は小さい場合に、前記状態情報の値に該当する範囲のフラグを更新することとする。   In one aspect of the present invention, for each value of the state information detected by the detection means, a determination is made as to whether or not an abnormal state has occurred by comparing the value of the state information with a predetermined threshold value. And a flag indicating that the state information value is detected in the storage means when the determination means determines that an abnormal condition has occurred, and When it is larger or smaller than any of the stored ranges, the flag in the range corresponding to the value of the state information is updated.

また、本発明の一態様では、前記記憶手段は、不揮発性メモリであることとする。   In one embodiment of the present invention, the storage means is a nonvolatile memory.

また、本発明の一態様に係る状態情報記録方法は、光伝送モジュールの各部の状態を監視して検出される1又は複数の状態情報毎に予め定められた値の範囲を複数設定すると共に、当該設定した各範囲に該当する状態情報が検出されたか否かを示すフラグを関連づけて記憶する記憶手段を含む光伝送モジュールの状態情報を保存する状態情報保存方法であって、前記光伝送モジュールの各部の状態を監視して1又は複数の状態情報の各値を検出する検出ステップと、前記検出ステップにより検出された状態情報の値毎に、当該状態情報の値が前記記憶手段に検出されたことを示すフラグが関連づけて記憶されたいずれの範囲よりも大きい又は小さい場合に、当該状態情報の値に該当する範囲のフラグを更新する更新ステップと、を含むことを特徴とする。   The state information recording method according to one aspect of the present invention sets a plurality of predetermined value ranges for one or a plurality of state information detected by monitoring the state of each part of the optical transmission module, A state information storage method for storing state information of an optical transmission module including storage means for storing a flag indicating whether or not state information corresponding to each set range has been detected. A detection step of monitoring the state of each unit to detect each value of one or a plurality of state information, and for each value of the state information detected by the detection step, the value of the state information is detected in the storage means An update step of updating a flag in a range corresponding to the value of the state information when a flag indicating that the flag is larger or smaller than any of the ranges stored in association with each other. And butterflies.

本発明の一態様によれば、光伝送モジュールの各部から検出された状態情報の最大値や最小値を記憶する記憶手段への書込回数を低減させることができる。   According to one aspect of the present invention, it is possible to reduce the number of times of writing to the storage unit that stores the maximum value and the minimum value of the state information detected from each part of the optical transmission module.

本発明の一態様によれば、異常状態が発生した場合に検出される状態情報の最大値や最小値を記憶する記憶手段への書込回数を低減させることができる。   According to one aspect of the present invention, it is possible to reduce the number of times of writing to a storage unit that stores a maximum value and a minimum value of state information detected when an abnormal state occurs.

本発明の一態様によれば、光伝送モジュールのシステムを再起動しても状態情報の最大値や最小値の情報を保存することができる。   According to one aspect of the present invention, the information on the maximum value and the minimum value of the state information can be stored even when the system of the optical transmission module is restarted.

本実施形態に係る光伝送モジュールの機能ブロック図である。It is a functional block diagram of the optical transmission module concerning this embodiment. 状態値記憶テーブルの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a state value storage table. 状態値保存処理のフローチャートである。It is a flowchart of a state value preservation | save process.

以下、本発明を実施するための好適な実施の形態(以下、実施形態という)を、図面に従って説明する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments (hereinafter referred to as embodiments) for carrying out the invention will be described with reference to the drawings.

図1には、本実施形態に係る光伝送モジュール10の機能ブロック図を示す。図1に示されるように、光伝送モジュール10は、光送信部20、光受信部30、及び状態情報保存回路40を含み構成され、各部はプリント基板上に形成されることとしてよい。また、光伝送モジュール10は電源供給回路60と電源配線により接続され、電源供給回路60からの電力供給を受けて動作するものである。   FIG. 1 shows a functional block diagram of an optical transmission module 10 according to the present embodiment. As shown in FIG. 1, the optical transmission module 10 includes an optical transmission unit 20, an optical reception unit 30, and a state information storage circuit 40, and each unit may be formed on a printed circuit board. The optical transmission module 10 is connected to the power supply circuit 60 through power supply wiring, and operates by receiving power supply from the power supply circuit 60.

光送信部20は、LD(レーザダイオード)と、LDに電流を供給して駆動させる駆動回路等を含む送信回路とを備え、送信データに応じて変調した光信号をLDから送信するものである。   The optical transmission unit 20 includes an LD (laser diode) and a transmission circuit including a drive circuit that drives the LD by supplying current, and transmits an optical signal modulated according to transmission data from the LD. .

光受信部30は、光信号を受光する受光素子と、受光素子により受光した光信号に応じて出力される光電流の波形を整形する波形整形回路等を含む受信回路とを備え、外部から光信号を受信して受信データを得るものである。なお、受光素子にはPD(フォトダイオード)やAPD(アバランシェフォトダイオード)等を用いることとしてよい。   The optical receiving unit 30 includes a light receiving element that receives an optical signal and a receiving circuit including a waveform shaping circuit that shapes a waveform of a photocurrent output according to the optical signal received by the light receiving element. Received data is obtained by receiving a signal. Note that a PD (photodiode), an APD (avalanche photodiode), or the like may be used as the light receiving element.

状態情報保存回路40は、光伝送モジュール10の光送信部20、光受信部30等の動作状態や、電源供給回路60から供給される電源電圧等の各種の状態情報に基づいて異常状態の発生を判断すると共に、光伝送モジュール10において異常状態が発生した場合の上記各種の状態情報の最大値や最小値を保存する回路である。図1に示されるように、本実施形態では、状態情報保存回路40は、電源監視回路42、温度センサ44、AD変換部46、異常状態判定部48、異常検知アラーム設定部50、状態値書込制御部52、状態値記憶部54、及び状態値書込閾値設定部56を含む。以下、各部の詳細について説明する。   The state information storage circuit 40 generates an abnormal state based on various state information such as the operation state of the optical transmission unit 20 and the optical reception unit 30 of the optical transmission module 10 and the power supply voltage supplied from the power supply circuit 60. And a maximum value and a minimum value of the various state information when an abnormal state occurs in the optical transmission module 10. As shown in FIG. 1, in this embodiment, the state information storage circuit 40 includes a power supply monitoring circuit 42, a temperature sensor 44, an AD conversion unit 46, an abnormal state determination unit 48, an abnormality detection alarm setting unit 50, a state value document. Include a state control unit 52, a state value storage unit 54, and a state value write threshold setting unit 56. Details of each part will be described below.

電源監視回路42は、電源供給回路60から光伝送モジュール10に供給される電源電圧値を監視しており、監視している電源電圧値が予め定められた範囲内にない場合には、異常検知アラーム設定部50に電源電圧値の異常に該当するアラーム信号を設定する。電源監視回路42は、光送信部20と光受信部30とのそれぞれに供給される電源電圧値を監視することとしてよい。   The power supply monitoring circuit 42 monitors the power supply voltage value supplied to the optical transmission module 10 from the power supply circuit 60. If the monitored power supply voltage value is not within a predetermined range, an abnormality detection is performed. An alarm signal corresponding to an abnormality in the power supply voltage value is set in the alarm setting unit 50. The power monitoring circuit 42 may monitor the power supply voltage value supplied to each of the optical transmitter 20 and the optical receiver 30.

温度センサ44は、光伝送モジュール10の温度を検出するものであり、検出する温度は、光伝送モジュール10のケース内温度でもよいし、プリント基板の温度であってもよい。   The temperature sensor 44 detects the temperature of the light transmission module 10, and the temperature to be detected may be the temperature inside the case of the light transmission module 10 or the temperature of the printed circuit board.

AD変換部46は、温度センサ44により検出された温度を表すアナログデータ(MODTEMPMON)や、光送信部20や光受信部30等の動作状態を表す各種のアナログデータをデジタルデータに変換するものである。例えば、AD変換部46は、温度センサ44により検出されたMODTEMPMONの他に、LDに入力されるバイアス電流(LsBIASMON)、LDからの光出力パワー(LsPOWMON)、LDの温度(LsTEMPMON)、そして、光受信部30への光入力パワー(RxPOWMON)等のアナログデータをデジタルデータに変換することとしてよい。AD変換部46は変換したデジタルデータを異常状態判定部48に出力する。   The AD conversion unit 46 converts analog data (MODTEMPMON) representing the temperature detected by the temperature sensor 44 and various analog data representing the operation state of the optical transmission unit 20 and the optical reception unit 30 into digital data. is there. For example, in addition to MODTEMPMON detected by the temperature sensor 44, the AD conversion unit 46 includes a bias current (LsBIASMON) input to the LD, an optical output power from the LD (LsPOWMON), an LD temperature (LsTEMPMON), and Analog data such as optical input power (RxPOWMON) to the optical receiver 30 may be converted into digital data. The AD conversion unit 46 outputs the converted digital data to the abnormal state determination unit 48.

異常状態判定部48は、AD変換部46によりデジタルデータに変換された各種の状態情報に基づいて光伝送モジュール10において異常状態が発生しているか否かを判定するものである。具体的には、異常状態判定部48は、後述する異常状態閾値記憶部48Aと比較部48Bを含み、上記異常状態の発生の判定処理を行う。   The abnormal state determination unit 48 determines whether or not an abnormal state has occurred in the optical transmission module 10 based on various state information converted into digital data by the AD conversion unit 46. Specifically, the abnormal state determination unit 48 includes an abnormal state threshold value storage unit 48A and a comparison unit 48B, which will be described later, and performs a determination process for occurrence of the abnormal state.

異常状態閾値記憶部48Aは、各種の状態情報毎に予め定められた閾値(異常状態閾値)を関連づけて記憶しているものである。異常状態閾値は、光伝送モジュール10の仕様に基づいて定められることとしてよく、下限値又は/及び上限値により表されることとしてよい。ここでの下限値とは、当該下限値を下回った場合に異常状態が発生していると定める値とし、上限値とは、当該上限値を上回った場合に異常状態が発生していると定める値とする。異常状態閾値記憶部48Aは、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリやROMにより構成され、光伝送モジュール10のシステムが再起動した場合にも、異常状態閾値記憶部48Aの記憶内容は消去されない。   The abnormal state threshold storage unit 48A stores a predetermined threshold (abnormal state threshold) in association with each of various state information. The abnormal state threshold value may be determined based on the specification of the optical transmission module 10, and may be represented by a lower limit value and / or an upper limit value. The lower limit here is a value that determines that an abnormal condition has occurred when the lower limit value is exceeded, and the upper limit value is that an abnormal condition has occurred when the upper limit value is exceeded. Value. The abnormal state threshold storage unit 48A is configured by a non-volatile memory such as a flash memory or a ROM, and the stored contents of the abnormal state threshold storage unit 48A are not erased even when the system of the optical transmission module 10 is restarted.

比較部48Bは、異常状態判定部48に入力された状態情報の値と、異常状態閾値記憶部48Aに記憶された当該状態情報の異常状態閾値とを比較し、入力された状態情報の値が異常状態であるか否かの比較結果を出力する。例えば、ある状態情報について異常状態閾値記憶部48Aに上限値の異常状態閾値が記憶されている場合には、比較部48Bは上記状態情報について入力された値と異常状態閾値とを比較し、入力された値が異常状態閾値を超えている場合にアラーム信号を出力する。なお、比較部48Bは、AD変換部46から順次入力されるデジタルデータについて比較処理を順次実行することとしてよい。   The comparison unit 48B compares the value of the state information input to the abnormal state determination unit 48 with the abnormal state threshold of the state information stored in the abnormal state threshold storage unit 48A, and the value of the input state information is Outputs the comparison result of whether or not there is an abnormal state. For example, when an abnormal state threshold of an upper limit value is stored in the abnormal state threshold storage unit 48A for certain state information, the comparison unit 48B compares the value input for the state information with the abnormal state threshold, and inputs An alarm signal is output when the measured value exceeds the abnormal state threshold. Note that the comparison unit 48B may sequentially perform comparison processing on digital data sequentially input from the AD conversion unit 46.

異常検知アラーム設定部50は、電源監視回路42や異常状態判定部48からの入力を受け付けて、光伝送モジュール10において発生している異常状態を示すアラーム信号を設定するものである。具体的には、異常検知アラーム設定部50は、状態情報(LsBIASMON、LsPOWMON、LsTEMPMON、RxPOWMON等)毎にアラームの発生を示すエラーフラグ(LsBIASALM、LsPOWALM、LsTEMPALM、RxPOWALM等)を保持し、異常と判定された状態情報に対応するエラーフラグを「OFF(1)」から「ON(0)」に切り替えて設定することとする。   The abnormality detection alarm setting unit 50 receives an input from the power monitoring circuit 42 or the abnormal state determination unit 48 and sets an alarm signal indicating an abnormal state occurring in the optical transmission module 10. Specifically, the abnormality detection alarm setting unit 50 stores an error flag (LsBIASALM, LsPOWALLM, LsTEMPALM, RxPOWALM, etc.) indicating the occurrence of an alarm for each status information (LsBIASMON, LsPOWMON, LsTEMPMON, RxPOWMON, etc.). The error flag corresponding to the determined state information is set by switching from “OFF (1)” to “ON (0)”.

状態値書込制御部52は、異常状態判定部48と異常検知アラーム設定部50からの入力を受け付けて、異常状態と判定された状態情報の値を状態値記憶部54に記憶する処理を制御するものである。本実施形態では、状態値書込制御部52は、後述する状態値記憶部54に記憶された状態値記憶テーブルと、状態値書込閾値設定部56により設定された書込閾値とを用いて状態情報の値を状態値記憶部54に書き込むか否かを判定すると共に、当該判定した結果に従って状態情報の値の書込を実行するものである。   The state value writing control unit 52 receives input from the abnormal state determination unit 48 and the abnormality detection alarm setting unit 50, and controls processing to store the value of the state information determined as an abnormal state in the state value storage unit 54. To do. In the present embodiment, the state value write control unit 52 uses a state value storage table stored in a state value storage unit 54 to be described later and a write threshold set by the state value write threshold setting unit 56. Whether or not to write the value of the state information to the state value storage unit 54 is determined, and the writing of the value of the state information is executed according to the determined result.

状態値記憶部54は、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリにより構成され、各状態情報の最大値又は/及び最小値を記憶するものである。本実施形態では、状態値記憶部54には、状態情報の値の範囲毎にフラグを関連づけて記憶した状態値記憶テーブルが記憶されることとし、このフラグを書き換えることにより状態情報の値が到達した範囲を記憶することとしている。   The state value storage unit 54 is configured by a nonvolatile memory such as a flash memory, and stores a maximum value and / or a minimum value of each state information. In the present embodiment, the state value storage unit 54 stores a state value storage table in which flags are associated and stored for each range of state information values, and the state information values reach by rewriting the flags. I am going to memorize the range that I did.

図2には、状態値記憶テーブルの一例を示した。図2には、温度センサ44により検出された温度の値を記憶するテーブルを示しており、同図に示されるように、状態値記憶テーブルは、アドレス、ビット番号、範囲、フラグの各項目を関連づけて構成されるものである。アドレスは不揮発性メモリ上のアドレスを示し、ビット番号はアドレスに含まれる各ビットの識別情報を示し、範囲は状態情報の値の範囲を示し、フラグは関連づけられた範囲に状態情報が到達したか否かを示す真偽値である。例えば、初期状態では各フラグは「OFF(1)」として記憶されており、得られた状態情報の範囲が「55度〜56度」に入れば「0番目」のビットを「ON(0)」に書き換え、さらに、「59度〜60度」に入れば「0乃至4番目」までのビットを「ON(0)」に書き換えることとしてよい。   FIG. 2 shows an example of the state value storage table. FIG. 2 shows a table for storing the temperature values detected by the temperature sensor 44. As shown in FIG. 2, the state value storage table includes items for address, bit number, range, and flag. It is constructed by associating. The address indicates the address in the non-volatile memory, the bit number indicates the identification information of each bit included in the address, the range indicates the range of the value of the status information, and the flag indicates whether the status information has reached the associated range Boolean value indicating whether or not. For example, in the initial state, each flag is stored as “OFF (1)”. If the range of the obtained state information enters “55 degrees to 56 degrees”, the “0th” bit is set to “ON (0)”. Furthermore, if “59 degrees to 60 degrees” is entered, the bits from “0th to fourth” may be rewritten to “ON (0)”.

上記の状態値記憶テーブルにおいては、各範囲を均等にしているが範囲は均等としなくともよく、精度が要求される範囲については間隔を狭くすることとしても構わない。また、状態値記憶部54には状態情報毎に上記の状態値記憶テーブルが保持されることとしてよい。   In the above-described state value storage table, each range is made uniform, but the range may not be made uniform, and the range for which accuracy is required may be narrowed. Further, the state value storage unit 54 may hold the state value storage table for each state information.

状態値書込閾値設定部56は、状態値記憶部54に記憶される状態情報の値(状態値)を状態値記憶部54に書き込むか否かを判断する閾値(書込閾値)を設定するものである。具体的には、状態値書込閾値設定部56は、状態値記憶テーブルのフラグが「ON(0)」である範囲を参照して、その範囲の上限(又は下限)の値を書込閾値として設定するものである。   The state value writing threshold value setting unit 56 sets a threshold value (writing threshold value) for determining whether or not to write the value (state value) of the state information stored in the state value storage unit 54 to the state value storage unit 54. Is. Specifically, the state value write threshold setting unit 56 refers to the range in which the flag of the state value storage table is “ON (0)”, and sets the upper limit (or lower limit) value of the range as the write threshold. Is set as

例えば、図2に示した温度に関する状態値記憶テーブルにおいて、0乃至4番目のフラグまでが「ON(0)」であり、5番目以降のフラグが「OFF(1)」であるとすると、状態値書込閾値設定部56は、状態値記憶テーブルを参照してフラグの値が変化する境界にある4番目の範囲と5番目の範囲との境界値である「60度」を書込閾値として設定し、メモリ(揮発メモリ)に記憶することとしてよい。なお、揮発メモリにはRAM(ランダムアクセスメモリ)を用いることとしてよい。そして、状態値書込制御部52は、異常状態判定部48から入力された温度のデータが、状態値書込閾値設定部56に記憶された書込閾値の「60度」を超えている場合には状態値記憶部54に状態値を書き込むと判定し、超えていなければ書き込みを行わないと判定する。   For example, in the temperature-related state value storage table shown in FIG. 2, if the 0th to 4th flags are “ON (0)” and the fifth and subsequent flags are “OFF (1)”, the state The value writing threshold value setting unit 56 refers to the state value storage table and uses “60 degrees” that is the boundary value between the fourth range and the fifth range at the boundary where the flag value changes as the writing threshold value. It may be set and stored in a memory (volatile memory). Note that a RAM (random access memory) may be used as the volatile memory. Then, the state value writing control unit 52, when the temperature data input from the abnormal state determination unit 48 exceeds the writing threshold “60 degrees” stored in the state value writing threshold setting unit 56 Is determined to write a state value in the state value storage unit 54, and if not exceeded, it is determined not to write.

また、状態値書込閾値設定部56は、状態値記憶部54に状態情報が記憶されていない場合には、異常状態閾値記憶部48Aに記憶されている異常状態閾値を書込閾値に設定することとしてよい。   Moreover, the state value write threshold value setting unit 56 sets the abnormal state threshold value stored in the abnormal state threshold value storage unit 48A as the write threshold value when no state information is stored in the state value storage unit 54. That's good.

次に、図3に示された状態値保存処理のフローチャートを参照しながら、光伝送モジュール10により行われる状態値保存処理の流れを説明する。   Next, the flow of the state value storing process performed by the optical transmission module 10 will be described with reference to the flowchart of the state value storing process shown in FIG.

図3に示されるように、光伝送モジュール10では、各部の状態情報(アナログデータ)を取得し(S101)、取得した状態情報(アナログデータ)をAD変換部46により状態値(デジタルデータ)に変換する(S102)。次に、光伝送モジュール10は変換された各状態値と異常状態閾値記憶部48Aに記憶された閾値とを比較して、異常状態が発生しているか否かを判断し(S103)、発生していないと判断した場合には(S103:N)処理を終え、発生していると判断する場合には(S103:Y)以下の処理を行う。   As shown in FIG. 3, in the optical transmission module 10, status information (analog data) of each unit is acquired (S 101), and the acquired status information (analog data) is converted into a status value (digital data) by the AD conversion unit 46. Conversion is performed (S102). Next, the optical transmission module 10 compares each converted state value with the threshold value stored in the abnormal state threshold value storage unit 48A to determine whether or not an abnormal state has occurred (S103). If it is determined that it has not occurred (S103: N), the process is terminated, and if it is determined that it has occurred (S103: Y), the following process is performed.

光伝送モジュール10は、異常状態検知アラーム設定部に異常状態の発生が判断された状態情報に対応するエラーフラグを設定する(S104)。そして、光伝送モジュール10は、上記状態情報について状態値書込閾値設定部56に設定されている書込閾値と得られた状態値とを比較して、当該状態値が状態値記憶部54に記憶された状態値の範囲内にあるか否かを判断する(S105)。なお、書込閾値は予め読み込まれていてもよいし、S105の判断の前に読み込むこととしてもよい。そして、光伝送モジュール10は、状態値が範囲内にあると判断する場合には(S105:Y)、状態値の書込を行わずに処理を終了し、範囲内にないと判断する場合には(S105:N)、以下の処理を行う。   The optical transmission module 10 sets an error flag corresponding to the state information in which the occurrence of the abnormal state is determined in the abnormal state detection alarm setting unit (S104). Then, the optical transmission module 10 compares the write threshold set in the state value write threshold setting unit 56 with the state value obtained for the state information, and the state value is stored in the state value storage unit 54. It is determined whether it is within the range of the stored state value (S105). The writing threshold value may be read in advance or may be read before the determination in S105. When the optical transmission module 10 determines that the state value is within the range (S105: Y), the optical transmission module 10 ends the process without writing the state value and determines that the state value is not within the range. (S105: N), the following processing is performed.

光伝送モジュール10は、取得された状態値を含む範囲を特定し(S106)、特定された範囲に該当するフラグ値を「ON(0)」に書き換える(S107)。この際に光伝送モジュール10は、取得された状態値と現在記憶されている状態値との間に含まれる範囲に該当するフラグ値も全て「ON(0)」に書き換えることとしてよい。具体的に、図2に示した状態値記憶テーブルにおいて、0番目のフラグ値が「0」、他のフラグ値が「1」である場合に、状態値「59.5度」が取得されたとすると、1番目から4番目のフラグ値を全て「0」に書き換えることとしてよい。   The optical transmission module 10 specifies a range including the acquired state value (S106), and rewrites the flag value corresponding to the specified range to “ON (0)” (S107). At this time, the optical transmission module 10 may rewrite all flag values corresponding to a range included between the acquired state value and the currently stored state value to “ON (0)”. Specifically, in the state value storage table shown in FIG. 2, when the 0th flag value is “0” and the other flag values are “1”, the state value “59.5 degrees” is acquired. Then, all the first to fourth flag values may be rewritten to “0”.

次に、光伝送モジュール10は、更新された状態値記憶テーブルに基づいて、状態値書込閾値設定部56に設定する書込閾値を更新して(S108)、処理を終了する。例えば、上記の例であれば、4番目のフラグ値の範囲の上限である「60度」が新たな書込閾値として設定される。   Next, the optical transmission module 10 updates the writing threshold set in the state value writing threshold setting unit 56 based on the updated state value storage table (S108), and ends the process. For example, in the above example, “60 degrees” that is the upper limit of the range of the fourth flag value is set as the new write threshold.

以上説明した本実施形態に係る光伝送モジュール10によれば、光伝送モジュール10の各部の状態を示す状態情報の最大値や最小値をそのまま不揮発性メモリである状態値記憶部54に書き込むのではなく、予め定めた状態値の範囲のフラグ値を更新して状態値の到達点を保存することにより、不揮発性メモリに格納されたデータを上書きせずに状態値の保存ができる。このように、不揮発性メモリの書込回数や上書き回数を低減したことにより、不揮発性メモリへの書込処理時間を短縮することができる上に、不揮発性メモリの書込上限回数による制約を回避することができる。   According to the optical transmission module 10 according to the present embodiment described above, the maximum value and the minimum value of the state information indicating the state of each part of the optical transmission module 10 are not directly written in the state value storage unit 54 that is a nonvolatile memory. Instead, by updating the flag value within a predetermined range of state values and storing the arrival point of the state value, the state value can be stored without overwriting the data stored in the nonvolatile memory. Thus, by reducing the number of times of writing and overwriting of the nonvolatile memory, it is possible to shorten the processing time for writing to the nonvolatile memory and avoid the restriction due to the upper limit number of times of writing to the nonvolatile memory. can do.

なお、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、上記の実施形態においては異常状態判定部48と状態値書込制御部52とを分けて構成しているが、異常状態の発生を判定する判定部と異常状態の状態値の書込を判定する判定部とを共通としても構わない。また、状態値記憶部54に状態値を記憶する際に、状態値と共に異常状態検知アラーム設定部に設定されたアラームの種類を関連づけて記憶することとしても構わない。また、光伝送モジュール10に通信インターフェースを設けて、異常状態検知アラーム設定部により設定されたエラーフラグを外部の装置に出力する構成を設けてもよい。また、その他にも本発明の要旨を逸脱しない範囲で多様な変更、変形又は置換が可能であることはもちろんである。   In addition, this invention is not limited to said embodiment. For example, in the above embodiment, the abnormal state determination unit 48 and the state value write control unit 52 are configured separately, but the determination unit that determines the occurrence of the abnormal state and the writing of the state value of the abnormal state The determination unit for determination may be shared. Further, when the state value is stored in the state value storage unit 54, the alarm type set in the abnormal state detection alarm setting unit may be stored in association with the state value. Further, a configuration may be provided in which a communication interface is provided in the optical transmission module 10 and an error flag set by the abnormal state detection alarm setting unit is output to an external device. In addition, it goes without saying that various changes, modifications, and substitutions can be made without departing from the scope of the present invention.

10 光伝送モジュール、20 光送信部、30 光受信部、40 状態情報保存回路、42 電源監視回路、44 温度センサ、46 AD変換部、48 異常状態判定部、48A 異常状態閾値記憶部、48B 比較部、50 異常検知アラーム設定部、52 状態値書込制御部、54 状態値記憶部、56 状態値書込閾値設定部、60 電源供給回路。   10 optical transmission module, 20 optical transmission unit, 30 optical reception unit, 40 status information storage circuit, 42 power supply monitoring circuit, 44 temperature sensor, 46 AD conversion unit, 48 abnormal state determination unit, 48A abnormal state threshold storage unit, 48B comparison Unit, 50 abnormality detection alarm setting unit, 52 state value write control unit, 54 state value storage unit, 56 state value write threshold setting unit, 60 power supply circuit.

Claims (7)

光伝送モジュールの各部の状態を監視して1又は複数の状態情報の各値を検出する検出手段と、
前記1又は複数の状態情報毎に予め定められた値の範囲を複数設定すると共に、当該設定した各範囲に該当する状態情報が検出されたか否かを示すフラグを関連づけて記憶する不揮発性メモリである記憶手段と、
前記検出手段により前記1又は複数の状態情報が検知された場合に、前記1又は複数の状態情報の値毎に、前記予め定められた複数の範囲のうち前記検出された状態情報の値が含まれる範囲に関連づけられたフラグを1回だけ更新する更新手段と、を含む
ことを特徴とする光伝送モジュール。
Detection means for monitoring the state of each part of the optical transmission module and detecting each value of one or more state information;
Wherein each one or more of status information, as well as setting a plurality of ranges of predetermined values, a non-volatile memory status information corresponding to each range that the setting is stored in association with a flag indicating whether or not it is detected A storage means,
When the one or more state information is detected by the detection means, the value of the detected state information among the plurality of predetermined ranges is included for each value of the one or more state information. And an updating means for updating the flag associated with the range to be updated only once .
前記検出手段により検出された状態情報の値毎に、当該状態情報の値について予め定められた閾値と比較して異常状態が発生したか否かを判断する判断手段をさらに含み、
前記更新手段は、前記判断手段により異常状態が発生したと判断された場合前記予め定められた複数の範囲のうち前記検出された状態情報の値が含まれる範囲に関連づけられたフラグを1回だけ更新する
ことを特徴とする請求項1に記載の光伝送モジュール。
For each value of the status information detected by the detection means, further includes a determination means for determining whether or not an abnormal condition has occurred in comparison with a predetermined threshold for the value of the status information,
Said updating means, when an abnormal state is judged to have occurred by the determining means, the flag associated with the range including the value of the detected state information of the plurality of ranges said predetermined 1 The optical transmission module according to claim 1, wherein the optical transmission module is updated only once .
前記状態情報の1つは、光伝送モジュールの温度である、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の光伝送モジュール。
One of the state information is the temperature of the optical transmission module,
The optical transmission module according to claim 1 or 2.
光伝送モジュール状態を監視して、状態情報の値を検出する検出手段と、Detecting means for monitoring the state of the optical transmission module and detecting the value of the state information;
予め定められた範囲を複数設定すると共に、当該設定した各範囲に該当する状態情報が検出されたか否かを示すフラグを関連づけて記憶する不揮発性メモリである記憶手段と、A storage unit that is a non-volatile memory that sets a plurality of predetermined ranges and associates and stores a flag indicating whether or not state information corresponding to each set range is detected;
前記記憶手段のフラグを書き換えるかどうかの基準となる最大値又は/及び最小値の書込閾値が設定される状態値書込閾値設定手段と、A state value writing threshold setting means for setting a writing threshold of a maximum value or / and a minimum value as a reference for rewriting the flag of the storage means;
前記検出手段により前記状態情報の値が検知された場合に、前記検出された状態情報の値が、前記最大値又は/及び最小値の書込閾値の値と比較して、最大値を超える又は/及び最小値を下回る場合は、前記予め定められた複数の範囲のうち前記検出された状態情報の値が含まれる範囲に関連づけられたフラグを書き換え、最大値を超えない又は/及び最小値を下回らない場合は、前記予め定められた複数の範囲のうち前記検出された状態情報の値が含まれる範囲に関連づけられたフラグを書き換えない更新手段と、を含むWhen the value of the state information is detected by the detection means, the value of the detected state information exceeds the maximum value compared to the maximum value or / and the minimum write threshold value, or When the value is below the minimum value, the flag associated with the range including the detected state information value among the plurality of predetermined ranges is rewritten, and the maximum value is not exceeded or / and the minimum value is set. An update means that does not rewrite a flag associated with a range that includes the value of the detected state information among the plurality of predetermined ranges if not lower than
ことを特徴とする光伝送モジュール。An optical transmission module characterized by that.
前記更新手段によりフラグが書き換えられた場合に、前記最大値又は/及び最小値の書込閾値は、前記書き換えられたフラグに関連づけられた前記予め定められた範囲と次の範囲との境界値を、最大値又は/及び最小値に変更する、When the flag is rewritten by the updating means, the maximum value and / or the minimum value write threshold is a boundary value between the predetermined range and the next range associated with the rewritten flag. Change to maximum or / and minimum value,
ことを特徴とする請求項4に記載の光伝送モジュール。The optical transmission module according to claim 4.
前記状態情報は、光伝送モジュールの温度である、The state information is the temperature of the optical transmission module.
ことを特徴とする請求項4または5に記載の光伝送モジュール。The optical transmission module according to claim 4, wherein the optical transmission module is an optical transmission module.
光伝送モジュールの各部の状態を監視して検出される1又は複数の状態情報毎に予め定められた値の範囲を複数設定すると共に、当該設定した各範囲に該当する状態情報が検出されたか否かを示すフラグを関連づけて記憶する不揮発性メモリである記憶手段を含む光伝送モジュールの状態情報を保存する状態情報保存方法であって、
前記光伝送モジュールの各部の状態を監視して1又は複数の状態情報の各値を検出する検出ステップと、
前記検出ステップにより検出された状態情報の値毎に、前記予め定められた複数の範囲のうち前記検出された状態情報の値が含まれる範囲に関連づけられたフラグを1回だけ更新する更新ステップと、を含む
ことを特徴とする状態情報保存方法。
Whether or not a plurality of predetermined value ranges are set for each of one or more status information detected by monitoring the status of each part of the optical transmission module, and status information corresponding to each set range is detected A state information storage method for storing state information of an optical transmission module including storage means that is a nonvolatile memory for storing a flag indicating whether or not,
A detection step of monitoring the state of each part of the optical transmission module and detecting each value of one or more state information;
An update step for updating the flag associated with the range including the detected state information value among the plurality of predetermined ranges only once for each value of the state information detected by the detecting step; The state information storage method characterized by including.
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