KR101165668B1 - Plasma process diagnosing apparatus by data integration of different kind sensor, and controlling method thereof - Google Patents
Plasma process diagnosing apparatus by data integration of different kind sensor, and controlling method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR101165668B1 KR101165668B1 KR1020100055133A KR20100055133A KR101165668B1 KR 101165668 B1 KR101165668 B1 KR 101165668B1 KR 1020100055133 A KR1020100055133 A KR 1020100055133A KR 20100055133 A KR20100055133 A KR 20100055133A KR 101165668 B1 KR101165668 B1 KR 101165668B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- sensor
- heterogeneous
- plasma
- plasma process
- unit
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
- H01J37/32963—End-point detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치 및 그 제어 방법이 개시된다.
개시되는 이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치의 제어 방법은 식각 종점 검출(endpoint detection)이 요구되는 플라즈마 에칭 공정에 관련된 공정값을 검출하기 위하여 식각 종점 검출이 요구되는 플라즈마 에칭 공정 수행 장비에 설치되는 이종 센서가 연결될 수 있는 센서 연결부; 상기 센서 연결부에 연결된 상기 이종 센서에서 검출된 센서값을 입력받는 센서값 입력부; 및 상기 센서값 입력부에서 입력된 센서값과 미리 설정된 요구값을 비교하여, 상기 플라즈마 에칭 공정을 진단하는 제어부;를 포함하는 플라즈마 공정 진단 장치를 제어하는 방법으로서, 상기 센서 연결부를 통해 상기 이종 센서에서 검출된 센서값이 입력되는 단계; 상기 센서 연결부에서 입력된 센서값을 기반으로 상기 제어부가 상기 플라즈마 에칭 공정의 식각 종점 검출을 수행하는 단계; 및 상기 제어부에 의해 검출된 식각 종점을 표시하는 단계;를 포함한다.
개시되는 이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치 및 그 제어 방법에 의하면, 이종 센서에서 각각 검출되는 값을 통합하여 플라즈마 공정을 진단할 수 있으므로, 플라즈마 공정의 정상 수행 여부 판단의 정확성이 향상될 수 있고, 복수 개의 이종 센서의 갯수만큼 복수 개의 분석 툴을 구비하고 이러한 복수 개의 분석 툴을 통한 분석값을 개별적으로 비교하여야 하는 불편함이 해소될 수 있는 장점이 있다.Disclosed is a plasma process diagnostic apparatus through data integration of heterogeneous sensors and a control method thereof.
A control method of a plasma process diagnostic apparatus through data integration of a heterogeneous sensor is disclosed in a plasma etching process apparatus requiring etching end point detection in order to detect a process value related to a plasma etching process requiring etching endpoint detection A sensor connection portion to which a heterogeneous sensor to be installed can be connected; A sensor value input unit receiving a sensor value detected by the heterogeneous sensor connected to the sensor connection unit; And a control unit for comparing the sensor value input from the sensor value input unit with a preset required value to diagnose the plasma etching process, the method comprising the steps of: Inputting the detected sensor value; Performing etch endpoint detection of the plasma etching process by the controller based on a sensor value input from the sensor connection unit; And displaying the etch end point detected by the control unit.
According to the plasma process diagnostic apparatus and control method thereof through the data integration of the heterogeneous sensor, it is possible to diagnose the plasma process by integrating the respective values detected by the heterogeneous sensors, thereby improving the accuracy of determining whether or not the plasma process is normally performed And it is advantageous in that it is possible to solve the inconvenience of having a plurality of analysis tools as many as the number of heterogeneous sensors and comparing analysis values individually through the plurality of analysis tools.
Description
본 발명은 이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치 및 그 제어 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for controlling a plasma process through data integration of heterogeneous sensors.
플라즈마를 이용하여 에칭 등 각종 공정을 수행하는 장비가 플라즈마 공정 수행 장비이고, 이러한 플라즈마 공정 수행 장비에서 플라즈마 공정이 정상적으로 수행되는지 여부를 판단할 수 있는 장비가 플라즈마 공정 진단 장치이다.The apparatus for performing various processes such as etching using a plasma is a plasma processing apparatus. A plasma processing apparatus is a device that can determine whether a plasma process is normally performed in the plasma processing apparatus.
플라즈마 공정 진단 장치는 첨단 산업인 반도체 산업, 우주 산업 등에 있어서 필수적인 장치이다.Plasma process diagnostics is an indispensable device in the high-tech industries such as semiconductor industry and space industry.
그러나, 종래의 플라즈마 공정 진단 장치에 의하면, 플라즈마 공정 수행 장비에 내재 되어있는 자체 센서에서 검출되는 값을 이용하여 플라즈마 공정이 정상적으로 수행되는지 여부를 판단하고 있어서, 데이터의 질과 양에서 충분하지 않아서 미세 변화에 대한 검출이 어렵고, 플라즈마 공정의 정상 수행 여부 판단의 정확성이 떨어질 수 있다.However, according to the conventional plasma process diagnostic apparatus, it is judged whether or not the plasma process is normally performed by using the value detected by the self-sensor incorporated in the plasma process equipment. Therefore, It is difficult to detect the change, and the accuracy of determining whether or not the plasma process is performed normally may be deteriorated.
또한, 종래의 플라즈마 공정 진단 장치에 의하면, 플라즈마 공정 수행 장비에 설치될 수 있는 복수 개의 이종(異種) 센서에서 각각 검출되는 값을 통합하여 판단할 수 있는 도구가 없어서, 복수 개의 이종 센서의 각 검출값을 각각 분석하는 이종 센서의 갯수만큼의 복수 개의 분석 툴을 구비하고, 이러한 복수 개의 분석 툴을 통한 분석값을 개별적으로 비교하여야 하는 단점이 있다.In addition, according to the conventional plasma process diagnostic apparatus, there is no tool that can collectively determine the values respectively detected by the plurality of heterogeneous sensors that can be installed in the plasma processing apparatus, A plurality of analytical tools corresponding to the number of heterogeneous sensors for analyzing the values of the plurality of analytical tools are separately provided.
한편, 플라즈마 공정 진단 장치가 적용되는 반도체 제조 공정, 엘씨디 제조 공정 등에는 반도체 장비와 외부 컴퓨터 간의 인터페이스를 위한 데이터 통신의 표준 규약인 SECS(SEMI Equipment Communications Standard) 통신이 적용되는데, 이러한 SECS 통신은 장비와 호스트 간의 일대일 통신 방식으로 싱글 커넥션(single connection) 방식으로 기존 호스트와 장비가 연결되어 있으면, 새로운 접속을 통한 통신이 불가능할 수 있다.Meanwhile, SECS (SEMI Equipment Communications Standard) communication, which is a standard protocol for data communication for interface between a semiconductor device and an external computer, is applied to a semiconductor manufacturing process and an LCD manufacturing process to which a plasma process diagnostic apparatus is applied. If the existing host and the equipment are connected by a single connection method using a one-to-one communication method between the host and the host, communication through a new connection may not be possible.
본 발명은 이종 센서에서 각각 검출되는 데이터를 통합하여 하나의 통합 툴을 통한 분석 및 관리를 통하여 플라즈마 공정을 진단할 수 있는 구조를 가진 이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치 및 그 제어 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.The present invention relates to an apparatus and method for controlling a plasma process through data integration of a heterogeneous sensor having a structure capable of diagnosing a plasma process by analyzing and managing data each detected by a heterogeneous sensor, The purpose is to provide.
본 발명의 다른 목적은 이종 센서에서 각각 검출되는 데이터 외에 공정 장비 자체의 공정 정보 데이터도 통합 이용할 수 있는 구조를 가진 플라즈마 공정 진단 장치 및 그 제어 방법을 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a plasma process diagnostic apparatus and a control method thereof, which have a structure capable of integrally using process information data of process equipment itself in addition to data detected respectively by heterogeneous sensors.
본 발명의 일 측면에 따른 이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치의 제어 방법은 식각 종점 검출(endpoint detection)이 요구되는 플라즈마 에칭 공정에 관련된 공정값을 검출하기 위하여 식각 종점 검출이 요구되는 플라즈마 에칭 공정 수행 장비에 설치되는 이종 센서가 연결될 수 있는 센서 연결부; 상기 센서 연결부에 연결된 상기 이종 센서에서 검출된 센서값을 입력받는 센서값 입력부; 및 상기 센서값 입력부에서 입력된 센서값과 미리 설정된 요구값을 비교하여, 상기 플라즈마 에칭 공정을 진단하는 제어부;를 포함하는 플라즈마 공정 진단 장치를 제어하는 방법으로서, 상기 센서 연결부를 통해 상기 이종 센서에서 검출된 센서값이 입력되는 단계; 상기 센서 연결부에서 입력된 센서값을 기반으로 상기 제어부가 상기 플라즈마 에칭 공정의 식각 종점 검출을 수행하는 단계; 및 상기 제어부에 의해 검출된 식각 종점을 표시하는 단계;를 포함한다.A method of controlling a plasma process diagnostic apparatus by integrating data of a heterogeneous sensor according to an aspect of the present invention includes a step of detecting a process value related to a plasma etching process requiring etching endpoint detection, A sensor connection portion to which a heterogeneous sensor installed in an etching process performing apparatus can be connected; A sensor value input unit receiving a sensor value detected by the heterogeneous sensor connected to the sensor connection unit; And a control unit for comparing the sensor value input from the sensor value input unit with a preset required value to diagnose the plasma etching process, the method comprising the steps of: Inputting the detected sensor value; Performing etch endpoint detection of the plasma etching process by the controller based on a sensor value input from the sensor connection unit; And displaying the etch end point detected by the control unit.
삭제delete
삭제delete
삭제delete
삭제delete
본 발명의 일 측면에 따른 이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치는 챔버에 대한 시즈닝(seasoning) 공정에 관련된 공정값을 검출하기 위하여 상기 챔버에 설치되는 이종 센서가 연결될 수 있는 센서 연결부; 상기 센서 연결부에 연결된 상기 이종 센서에서 검출된 센서값을 입력받는 센서값 입력부; 및 상기 센서값 입력부에서 입력된 센서값과 미리 설정된 요구값을 비교하여, 상기 시즈닝 공정을 진단하는 제어부;를 포함한다.A plasma process diagnostic apparatus through data integration of a heterogeneous sensor according to an aspect of the present invention includes a sensor connection unit to which a heterogeneous sensor installed in the chamber can be connected to detect a process value related to a seasoning process for the chamber; A sensor value input unit receiving a sensor value detected by the heterogeneous sensor connected to the sensor connection unit; And a control unit for comparing the sensor value input from the sensor value input unit with a preset required value to diagnose the seasoning process.
본 발명의 일 측면에 따른 이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치 및 그 제어 방법에 의하면, 플라즈마 공정 진단 장치가 플라즈마 공정에 관련된 공정값을 검출하기 위하여 플라즈마 공정 수행 장비에 설치되는 이종 센서가 연결될 수 있는 센서 연결부; 센서 연결부에 연결된 이종 센서에서 검출된 센서값을 입력받는 센서값 입력부; 및 센서값 입력부에서 입력된 센서값과 미리 설정된 요구값을 비교하여, 플라즈마 공정을 진단하는 제어부;를 포함함으로써, 이종 센서에서 각각 검출되는 값을 통합하여 플라즈마 공정을 진단할 수 있으므로, 플라즈마 공정의 정상 수행 여부 판단의 정확성이 향상될 수 있고, 복수 개의 이종 센서의 갯수만큼 복수 개의 분석 툴을 구비하고 이러한 복수 개의 분석 툴을 통한 분석값을 개별적으로 비교하여야 하는 불편함이 해소될 수 있는 효과가 있다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a plasma process diagnostic apparatus and method for integrating data of a heterogeneous sensor and a heterogeneous sensor in which a plasma process diagnostic apparatus is installed in a plasma process equipment to detect process values related to the plasma process A sensor connection which can be connected; A sensor value input unit for receiving a sensor value detected by a heterogeneous sensor connected to a sensor connection unit; And a control unit for comparing the sensor value inputted from the sensor value input unit with a preset required value to diagnose the plasma process, so that the plasma process can be diagnosed by integrating the values detected by the different sensors, It is possible to improve the accuracy of the determination of whether or not the normal operation is performed and to provide a plurality of analysis tools as many as the number of heterogeneous sensors and to solve the inconvenience of separately comparing the analysis values through the plurality of analysis tools have.
본 발명의 다른 측면에 따른 이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치 및 그 제어 방법에 의하면, 플라즈마 공정 진단 장치가 플라즈마 공정 수행 장비를 구성하는 각 구성 요소 간의 데이터 흐름 상에서 공정 수행 장비와 호스트간의 HSMS 프로토콜, SECS/GEM 프로토콜 통신을 통하여 공정 정보 및 장비 공정 데이터 흐름을 바이패스시키면서, 상기 데이터를 분기하여 기존의 통신에 영향을 전혀 주지 않으면서 각각의 공정 정보 및 공정 데이터를 이종 센서의 데이터와 통합하여 공정의 적정성 여부를 진단할 수 있으므로, 플라즈마 공정의 정상 수행 여부 판단의 정확성이 더욱 향상 될 수 있는 효과가 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided an apparatus for diagnosing a plasma process through data integration of a heterogeneous sensor and a control method therefor, the plasma process diagnostic apparatus comprising: HSMS protocol and SECS / GEM protocol communication to bypass the process information and equipment process data flow while branching the data and giving each process information and process data to the heterogeneous sensor data without affecting the existing communication. It is possible to diagnose whether the process is proper or not, so that it is possible to further improve accuracy in determining whether or not the plasma process is normally performed.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치 및 그 제어 방법에 의하면, 시즈닝 공정이 수행되는 챔버에 이종 센서들이 설치되어, 이종 센서들이 감지하는 챔버의 상태값에 대한 데이터를 통합하여 챔버에 대한 시즈닝 공정을 수행할 수 있어서, 시즈닝 공정을 최적화시킬 수 있으므로, 공정 코스트를 저감시킬 수 있고, 장비 아이들(idle) 단축을 통한 생산성 향상이 도모될 수 있는 효과가 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided an apparatus and method for controlling plasma process through data integration of a heterogeneous sensor, wherein heterogeneous sensors are installed in a chamber in which a seasoning process is performed, The seasoning process for the chamber can be performed by integrating the data, so that the seasoning process can be optimized, so that the process cost can be reduced and the productivity can be improved by shortening the equipment idle.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치의 구성을 보이는 도면.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치의 제어 방법을 보이는 순서도.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치의 제어 방법을 보이는 순서도.
도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치의 구성을 보이는 도면.FIG. 1 is a view showing the configuration of a plasma process diagnostic apparatus through data integration of a heterogeneous sensor according to a first embodiment of the present invention. FIG.
2 is a flowchart illustrating a method of controlling a plasma process diagnostic apparatus through data integration of a heterogeneous sensor according to a first embodiment of the present invention.
3 is a flowchart showing a control method of a plasma process diagnostic apparatus through data integration of a heterogeneous sensor according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 4 illustrates a configuration of a plasma process diagnostic apparatus through data integration of a heterogeneous sensor according to a third embodiment of the present invention. FIG.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치 및 그 제어 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, an apparatus and method for controlling a plasma process through data integration of heterogeneous sensors according to embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치의 구성을 보이는 도면이고, 도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치의 제어 방법을 보이는 순서도이다.FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a plasma process diagnostic apparatus through data integration of a heterogeneous sensor according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a block diagram of a plasma process diagnostic apparatus according to a first embodiment of the present invention. And a control method of the process diagnosis apparatus.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치(100)는 센서 연결부(110)와, 센서값 입력부(120)와, 제어부(130)와, 저장부(140)와, 출력부(150)를 포함한다.1 and 2, a plasma process
도면 번호 10과 20은 플라즈마 공정에 관련된 공정값을 검출하기 위하여 플라즈마 공정 수행 장비(미도시)에 설치되는 이종(異種) 센서인 제 1 센서와 제 2 센서이다.
여기서, 상기 이종 센서로 상기 제 1 센서와 상기 제 2 센서가 적용되는 것으로 제시되나 이는 설명의 편의를 위한 예시적인 적용이고 다양한 센서들이 적용될 수 있음은 물론이다.Here, it is shown that the first sensor and the second sensor are applied to the heterogeneous sensor, but it is an exemplary application for convenience of explanation and it goes without saying that various sensors can be applied.
상기 이종 센서는 상기 플라즈마 공정의 주요 요소값들을 감지할 수 있는 것이다. 예를 들어, 상기 플라즈마 공정이 반도체 제조에 관한 것인 경우, 상기 제 1 센서(10)와 상기 제 2 센서(20)는 상기 반도체 제조의 주요 요소값인 화학적 요소와 파워적 요소를 감지할 수 있다.The heterogeneous sensor is capable of sensing key elements of the plasma process. For example, when the plasma process is for semiconductor manufacturing, the
상기 센서 연결부(110)는 상기 이종 센서인 상기 제 1 센서(10)와 상기 제 2 센서(20)가 플러그 앤 플레이(plug and play)로 각각 연결될 수 있는 것이다. 본 실시예에서는, 상기 센서 연결부(110)가 예시적으로 상기 제 1 센서(10)가 연결되는 제 1 센서 연결부(111)와, 상기 제 2 센서(20)가 연결되는 제 2 센서 연결부(112)로 구성된다.The
여기서, 상기 제 1 센서(10)와 상기 제 2 센서(20)가 플러그 앤 플레이로 상기 센서 연결부(110)에 연결된다는 것은 예시적인 것이고, 다른 다양한 방식으로 이종 센서들이 연결될 수 있음은 물론이다.It should be understood that the
상기 센서 연결부(110)는 복수 개의 상기 이종 센서인 상기 제 1 센서(10)와 상기 제 2 센서(20) 중 적어도 하나가 각각 바로 연결될 수 있도록, 상기 제 1 센서(10)와 상기 제 2 센서(20)에 각각 대응되는 복수 개의 단자 홈(미도시)을 포함한다. 상기 이종 센서의 각 단자는 서로 다르게 형성될 수 있는데, 상기 복수 개의 단자 홈 각각은 상기와 같이 서로 다르게 형성되는 상기 이종 센서의 각 단자 중 어느 하나가 바로 연결될 수 있도록 형성된다. 그러면, 상기 센서 연결부(110)에 별도의 어댑터 등을 적용하지 아니하고도 상기 이종 센서를 직접 연결시킬 수 있다.The
상기 센서값 입력부(120)는 상기 센서 연결부(110)에 연결된 상기 이종 센서인 상기 제 1 센서(10)와 상기 제 2 센서(20)에서 검출된 각 센서값을 각각 입력받는 것이다. 본 실시예에서는, 상기 센서값 입력부(120)가 예시적으로 상기 제 1 센서 연결부(111)와 연결되는 제 1 센서값 입력부(121)와, 상기 제 2 센서 연결부(112)와 연결되는 제 2 센서값 입력부(122)로 구성된다.The sensor
상기 센서값 입력부(120)는 상기 센서 연결부(110)를 통해 입력되는 상기 이종 센서인 상기 제 1 센서(10)와 상기 제 2 센서(20)에서 검출된 서로 다른 형식의 센서값을 각각 상기 제어부(130)에서 처리할 수 있는 형식의 값으로 변환시킬 수 있다.The sensor
상기 제어부(130)는 상기 센서값 입력부(120)에서 입력된 센서값과 미리 설정된 요구값을 비교하여, 상기 플라즈마 공정을 진단한다. 여기서, 상기 플라즈마 공정을 진단한다는 것은, 상기 플라즈마 공정 수행 장치에 의해 수행되는 상기 플라즈마 공정이 미리 설정된 테이블 등에 의한 요구값에 부합되도록 수행되는지 여부를 판단한다는 것이다.The
여기서, 상기 제어부(130)는 상기 센서값을 각각 이용하거나, 상기 센서값을 하나의 신호값으로 통합하여 그 통합된 신호값을 이용할 수도 있다.Here, the
상기 이종 센서가 상기 제 1 센서(10), 상기 제 2 센서(20) 등 복수 개로 구성되는 경우, 상기 제어부(130)는 복수 개의 상기 이종 센서에서 검출되는 복수 개의 각 센서값을 기반으로 상기 플라즈마 공정을 진단할 수 있다. 그러면, 상기 플라즈마 공정의 진단 정확도가 향상될 수 있다.When the heterogeneous sensor is constituted by a plurality of sensors such as the
상기 저장부(140)는 상기 센서값 입력부(120)를 통해 입력되는 상기 이종 센서인 상기 제 1 센서(10)와 상기 제 2 센서(20)에서 검출된 센서값과, 상기 제어부(130)에서 형성된 상기 플라즈마 공정에 대한 진단값 중 적어도 하나를 저장하는 것이다. 바람직하게는, 상기 저장부(140)는 상기 센서값 입력부(120)를 통해 입력되는 상기 이종 센서인 상기 제 1 센서(10)와 상기 제 2 센서(20)에서 검출된 센서값과, 상기 제어부(130)에서 형성된 상기 플라즈마 공정에 대한 진단값 모두를 저장한다.The
상기 저장부(140) 또는 상기 제어부(130)는 상기 저장부(140)에 저장되는 값들을 동기화시킬 수 있다.The
상기 출력부(150)는 상기 센서값 입력부(120)를 통해 입력되는 상기 이종 센서인 상기 제 1 센서(10)와 상기 제 2 센서(20)에서 검출된 센서값과, 상기 제어부(130)에서 형성된 상기 플라즈마 공정에 대한 진단값 중 적어도 하나를 실시간으로 디스플레이(30)로 출력하는 것이다.The
상기 출력부(150)에 연결되는 상기 디스플레이(30)는 상기 플라즈마 공정 진단 장치(100)를 구성하는 구성 요소일 수도 있고, 상기 플라즈마 공정 진단 장치(100)에 별도로 연결되는 외부 요소일 수도 있다.The display 30 connected to the
상기 출력부(150)는 상기 센서값 입력부(120)를 통해 입력되는 상기 이종 센서인 상기 제 1 센서(10)와 상기 제 2 센서(20)에서 검출된 센서값과, 상기 제어부(130)에서 형성된 상기 플라즈마 공정에 대한 진단값 중 적어도 하나를 연속적으로 상기 디스플레이(30)로 출력할 수 있다.The
상기와 같이, 상기 출력부(150)를 통해 상기 디스플레이(30)로 상기 센서값 입력부(120)를 통해 입력되는 상기 이종 센서인 상기 제 1 센서(10)와 상기 제 2 센서(20)에서 검출된 센서값과, 상기 제어부(130)에서 형성된 상기 플라즈마 공정에 대한 진단값 중 적어도 하나가 실시간으로 연속적으로 출력됨으로써, 상기 플라즈마 공정 수행 장치에 대한 연속적인 모니터링이 가능해질 수 있다.As described above, the
상기와 같이, 상기 플라즈마 공정 진단 장치(100)가 상기 플라즈마 공정에 관련된 공정값을 검출하기 위하여 상기 플라즈마 공정 수행 장비에 설치되는 이종 센서가 플러그 앤 플레이로 연결될 수 있는 센서 연결부(110); 상기 센서 연결부(110)에 연결된 상기 이종 센서에서 검출된 센서값을 입력받는 센서값 입력부(120); 및 상기 센서값 입력부(120)에서 입력된 센서값과 미리 설정된 요구값을 비교하여, 상기 플라즈마 공정을 진단하는 제어부(130);를 포함함으로써, 상기 이종 센서에서 각각 검출되는 값을 통합하여 상기 플라즈마 공정을 진단할 수 있으므로, 상기 플라즈마 공정의 정상 수행 여부 판단의 정확성이 향상될 수 있고, 복수 개의 이종 센서의 갯수만큼 복수 개의 분석 툴을 구비하고 이러한 복수 개의 분석 툴을 통한 분석값을 개별적으로 비교하여야 하는 불편함이 해소될 수 있다.As described above, the plasma process
이하에서는 도면을 참조하여 본 실시예에 따른 이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치(100)의 제어 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a control method of the plasma process
먼저, 상기 센서 연결부(110)를 통해 상기 이종 센서인 상기 제 1 센서(10)와 상기 제 2 센서(20)에서 검출된 각 센서값이 입력된다(S100).First, sensor values detected by the
그런 다음, 상기 센서 연결부(110)에서 입력된 각 센서값이 상기 센서값 입력부(120)를 통해 일정한 형식으로 변환된 후, 상기 제어부(130)로 전달되고, 상기 센서값을 전달받은 상기 제어부(130)는 상기 각 센서값이 미리 설정된 테이블값 등의 요구값을 만족하여 상기 플라즈마 공정이 정상인지 여부를 판단한다(S110).Each sensor value input from the
상기 판단(S110) 결과, 상기 플라즈마 공정이 정상인 것으로 판단되면, 상기 출력부(150)는 상기 플라즈마 공정이 정상임을 상기 디스플레이(30)를 통해 표시한다(S120).If it is determined in step S110 that the plasma process is normal, the
한편, 상기 판단(S110) 결과, 상기 플라즈마 공정이 정상적이지 못하고 상기 플라즈마 공정에 오류가 있는 것으로 판단되면, 상기 출력부(150)는 상기 플라즈마 공정에 오류가 있음을 상기 디스플레이(30)를 통해 표시한다(S130).If it is determined that the plasma process is not normal and there is an error in the plasma process as a result of the determination (S110), the
상기 과정들에서, 상기 각 센서값 및 상기 제어부(130)의 판단 결과는 상기 저장부(140)에 저장될 수 있다.In the above processes, the sensor value and the determination result of the
한편, 상기 플라즈마 공정 진단 장치(100)의 진단 대상 공정이 시즈닝(seasoning) 공정일 수 있다.Meanwhile, the process subject to diagnosis of the plasma process
여기서, 시즈닝 공정이란, 동일한 챔버 내에서 메인 공정을 진행하기 전에 먼저 메인 공정과 동일한 공정 조건으로 테스트 웨이퍼를 이용하여 챔버의 상태를 최적화시키는 공정을 말한다.Here, the seasoning process refers to a process of optimizing the state of the chamber using a test wafer under the same process conditions as those of the main process before proceeding to the main process in the same chamber.
이 경우, 상기 플라즈마 공정 진단 장치(100)에서 상기 이종 센서는 챔버에 대한 시즈닝 공정에 관련된 공정값을 검출하기 위하여 시즈닝이 이루어지는 상기 챔버에 설치되고, 상기 센서 연결부(110)에 상기 이종 센서가 연결된다. 그리고, 상기 센서값 입력부(120)를 통해 상기 센서 연결부(110)에 연결된 상기 이종 센서에서 검출된 센서값이 입력되고, 상기 제어부(130)가 상기 센서값 입력부(110)에서 입력된 센서값과 미리 설정된 요구값을 비교하여, 상기 시즈닝 공정을 진단하여, 상기 시즈닝 공정을 최적화시킬 수 있다.In this case, in the plasma process
상기와 같이, 시즈닝 공정이 수행되는 챔버에 상기 이종 센서들이 설치되어, 상기 이종 센서들이 감지하는 상기 챔버의 상태값에 대한 데이터를 통합하여 상기 챔버에 대한 시즈닝 공정을 수행할 수 있어서, 상기 시즈닝 공정을 최적화시킬 수 있으므로, 공정 코스트를 저감시킬 수 있고, 장비 아이들(idle) 단축을 통한 생산성 향상이 도모될 수 있다.As described above, the heterogeneous sensors are installed in the chamber in which the seasoning process is performed, and the seasoning process for the chamber can be performed by integrating data on the state values of the chambers sensed by the heterogeneous sensors, The process cost can be reduced, and the productivity can be improved by shortening the equipment idle.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시예들에 따른 이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치 및 그 제어 방법에 대하여 설명한다. 이러한 설명을 수행함에 있어서, 상기된 본 발명의 제 1 실시예에서 이미 기재된 내용과 중복되는 설명은 그에 갈음하고, 여기서는 생략하기로 한다.Hereinafter, an apparatus and method for controlling a plasma process through data integration of heterogeneous sensors according to other embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In carrying out these explanations, the description overlapping with the content already described in the first embodiment of the present invention described above will be omitted and omitted here.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치의 제어 방법을 보이는 순서도이다.3 is a flowchart illustrating a method of controlling a plasma process diagnostic apparatus through data integration of a heterogeneous sensor according to a second embodiment of the present invention.
이하에서는 도 3을 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치의 제어 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a method of controlling a plasma process diagnostic apparatus through data integration of a heterogeneous sensor according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
본 실시예에서는, 상기된 제 1 실시예에서 설명되고 도 1에 도시된 상기 플라즈마 공정 진단 장치(100)에 의해 진단되는 대상이 식각 종점 검출(endpoint detection)이 요구되는 플라즈마 에칭 공정을 수행하는 식각 종점 검출이 요구되는 플라즈마 에칭 공정 수행 장비이고, 상기 플라즈마 공정 진단 장치(100)의 제어 목적이 상기 플라즈마 에칭 공정의 식각 종점 검출에 있는 것으로 한다. 여기서, 상기 식각 종점 검출이 요구되는 플라즈마 에칭 공정으로는 반도체, 엘씨디(LCD), 엘이디(LED) 플라즈마 공정 등이 있다.In this embodiment, an object to be diagnosed by the plasma process
먼저, 상기 센서 연결부(110)를 통해 상기 이종 센서인 상기 제 1 센서(10)와 상기 제 2 센서(20)에서 검출된 각 센서값이 입력된다(S200).First, sensor values detected by the
그런 다음, 상기 센서 연결부(110)에서 입력된 각 센서값이 상기 센서값 입력부(120)를 통해 일정한 형식으로 변환된 후, 상기 제어부(130)로 전달되고, 상기 센서값을 전달받은 상기 제어부(130)는 상기 각 센서값을 기반으로 상기 플라즈마 에칭 공정의 식각 종점 검출을 수행한다(S210).Each sensor value input from the
여기서, 바람직하게는, 상기 제어부(130)는 복수 개로 구성된 이종 센서인 상기 제 1 센서(10)와 상기 제 2 센서(20)에서 각각 입력되는 각 센서값 모두를 기반으로 상기 플라즈마 에칭 공정의 식각 종점 검출을 수행하여, 상기 식각 종점 검출의 정확성을 향상시킨다.The
그 후, 상기 출력부(150)는 상기 제어부(130)에 의해 검출된 식각 종점을 상기 디스플레이(30)를 통해 표시한다(S220).Thereafter, the
상기 과정들에서, 상기 각 센서값 및 상기 제어부(130)에서 검출된 식각 종점은 상기 저장부(140)에 저장될 수 있다.In the above processes, the sensor values and the etch end points detected by the
도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치의 구성을 보이는 도면이다.FIG. 4 is a view illustrating a configuration of a plasma process diagnostic apparatus through data integration of a heterogeneous sensor according to a third embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 플라즈마 공정 진단 장치(200)는 센서 연결부(210), 센서값 입력부(220), 제어부(230), 저장부(240), 출력부(250) 등과 함께, 캡쳐 연결부(260)와, 캡쳐값 입력부(270)를 더 포함한다.4, the plasma process
상기 캡쳐 연결부(260)는 데이터 캡쳐부(40)가 플러그 앤 플레이 등의 방식으로 연결될 수 있는 것이다.The
상기 데이터 캡쳐부(40)는 플라즈마 공정 수행 장비를 구성하는 각 구성 요소 간의 데이터 흐름 상에서 상기 데이터 흐름을 바이패스시키면서, 상기 데이터를 분기한다. 상기 데이터 캡쳐부(40)는 예시적으로 상기 데이터 흐름을 바이패스시키면서 상기 데이터를 분기하여 상기 데이터 흐름에서 미리 설정된 필터링값에 부합되는 데이터를 캡쳐할 수도 있고, 상기 데이터 흐름을 바이패스시키면서 상기 데이터를 분기하여 상기 분기된 데이터 전체를 이용할 수도 있다.The
상기와 같이 구성됨으로써, 상기 플라즈마 공정 수행 장비를 구성하는 각 구성 요소 간의 데이터 흐름에 로드를 최소화시키면서 상기 각 구성 요소 간의 데이터 흐름을 모니터링할 수 있다.By configuring as described above, it is possible to monitor the data flow between each component while minimizing the load on the data flow between each component constituting the plasma processing apparatus.
예를 들어, 반도체 제조 공정에서 각 장비와 호스트 간의 데이터 교환에 있어서, 상기 데이터 캡쳐부(40)가 상기 각 장비와 상기 호스트 간의 데이터 흐름을 바이패스시키면서, 상기 데이터를 분기시킬 수 있다.For example, in data exchange between each device and a host in a semiconductor manufacturing process, the
상기 캡쳐값 입력부(270)는 상기 캡쳐 연결부(260)에 연결된 상기 데이터 캡쳐부(40)에서 검출된 캡쳐값을 입력받는 것이다.The capture
상기 캡쳐값 입력부(270)에 입력된 상기 캡쳐값은 상기 제어부(230)로 전달되고, 상기 캡쳐값을 전달받은 상기 제어부(230)는 이종 센서인 제 1 센서(10), 제 2 센서(20) 등에서 입력되는 각 센서값과, 상기 캡쳐값 입력부(270)에 입력된 상기 캡쳐값을 통합하여 상기 플라즈마 공정을 진단할 수 있다.The capture value input to the capture
상기와 같이, 상기 플라즈마 공정 진단 장치(200)가 상기 플라즈마 공정 수행 장비를 구성하는 각 구성 요소 간의 데이터 흐름 상에서 상기 데이터 흐름을 바이패스시키면서, 상기 데이터를 분기하는 상기 데이터 캡쳐부(40)가 연결될 수 있는 상기 캡쳐 연결부(260); 및 상기 캡쳐 연결부(260)에 연결된 상기 데이터 캡쳐부(40)에서 검출된 캡쳐값을 입력받는 캡쳐값 입력부(270);를 더 포함함으로써, 상기 제어부(230)가 상기 데이터 캡쳐부(40)에서 캡쳐되어 상기 캡쳐값 입력부(270)에 입력된 상기 캡쳐값과, 이종 센서인 제 1 센서(10), 제 2 센서(20) 등에서 입력되는 각 센서값을 통합하여 상기 플라즈마 공정을 진단할 수 있어서, 플라즈마 공정 진단 장치(200)가 플라즈마 공정 수행 장비를 구성하는 각 구성 요소 간의 데이터 흐름 상에서 공정 수행 장비와 호스트간의 HSMS 프로토콜, SECS/GEM 프로토콜 통신을 통하여 공정 정보 및 장비 공정 데이터 흐름을 바이패스시키면서, 상기 데이터를 분기하여 기존의 통신에 영향을 전혀 주지 않으면서 각각의 공정 정보 및 공정 데이터를 이종 센서의 데이터와 통합하여 공정의 적정성 여부를 진단할 수 있으므로, 플라즈마 공정의 정상 수행 여부 판단의 정확성이 더욱 향상 될 수 있다.As described above, the plasma process
상기에서 본 발명은 특정한 실시예에 관하여 도시되고 설명되었지만, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그렇지만 이러한 수정 및 변형 구조들은 모두 본 발명의 권리범위 내에 포함되는 것임을 분명하게 밝혀두고자 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and detail may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the following claims And can be changed. However, it is intended that the present invention covers the modifications and variations of this invention provided they come within the scope of the appended claims and their equivalents.
본 발명의 일 측면에 따른 이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치 및 그 제어 방법에 의하면, 이종 센서에서 각각 검출되는 값을 통합하여 플라즈마 공정을 진단할 수 있으므로, 그 산업상 이용 가능성이 높다고 하겠다.
According to an embodiment of the present invention, there is provided an apparatus for diagnosing a plasma process through data integration of a heterogeneous sensor and a control method thereof, would.
Claims (10)
상기 센서 연결부를 통해 상기 이종 센서에서 검출된 센서값이 입력되는 단계;
상기 센서 연결부에서 입력된 센서값을 기반으로 상기 제어부가 상기 플라즈마 에칭 공정의 식각 종점 검출을 수행하는 단계; 및
상기 제어부에 의해 검출된 식각 종점을 표시하는 단계;를 포함하는 이종 센서의 데이터 통합을 통한 플라즈마 공정 진단 장치의 제어 방법.A sensor connection portion to which a heterogeneous sensor installed in a plasma etching process performing equipment requiring etching end point detection to detect a process value related to a plasma etching process requiring etching endpoint detection can be connected; A sensor value input unit receiving a sensor value detected by the heterogeneous sensor connected to the sensor connection unit; And a control unit for comparing the sensor value inputted from the sensor value input unit with a preset required value to diagnose the plasma etching process, the method comprising the steps of:
Inputting a sensor value detected by the heterogeneous sensor through the sensor connection unit;
Performing etch endpoint detection of the plasma etching process by the controller based on a sensor value input from the sensor connection unit; And
And displaying the etch end point detected by the control unit. The method of controlling a plasma process diagnostic apparatus according to claim 1,
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100055133A KR101165668B1 (en) | 2010-06-10 | 2010-06-10 | Plasma process diagnosing apparatus by data integration of different kind sensor, and controlling method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100055133A KR101165668B1 (en) | 2010-06-10 | 2010-06-10 | Plasma process diagnosing apparatus by data integration of different kind sensor, and controlling method thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110135309A KR20110135309A (en) | 2011-12-16 |
KR101165668B1 true KR101165668B1 (en) | 2012-07-18 |
Family
ID=45502305
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100055133A KR101165668B1 (en) | 2010-06-10 | 2010-06-10 | Plasma process diagnosing apparatus by data integration of different kind sensor, and controlling method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101165668B1 (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002270581A (en) * | 2001-03-07 | 2002-09-20 | Hitachi Ltd | Plasma treating system and plasma treating method |
US6812044B2 (en) * | 2002-12-19 | 2004-11-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Advanced control for plasma process |
KR100963519B1 (en) * | 2003-07-11 | 2010-06-15 | 주성엔지니어링(주) | Apparatus for generating inductively coupled plasma having high plasma uniformity, and method of controlling plasma uniformity thereof |
-
2010
- 2010-06-10 KR KR1020100055133A patent/KR101165668B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002270581A (en) * | 2001-03-07 | 2002-09-20 | Hitachi Ltd | Plasma treating system and plasma treating method |
US6812044B2 (en) * | 2002-12-19 | 2004-11-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Advanced control for plasma process |
KR100963519B1 (en) * | 2003-07-11 | 2010-06-15 | 주성엔지니어링(주) | Apparatus for generating inductively coupled plasma having high plasma uniformity, and method of controlling plasma uniformity thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110135309A (en) | 2011-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6126723B2 (en) | Calibration of conductivity measurement system | |
US20100214296A1 (en) | Data display apparatus, data display method and program | |
RU2576588C2 (en) | Detection of sensor performance degradation implemented in transmitter | |
US20030199108A1 (en) | Method of monitoring and/or controlling a semiconductor manufacturing apparatus and a system therefor | |
EP3242174B1 (en) | Control system, control method, control program, and recording medium | |
KR101012090B1 (en) | Monitoring apparatus for plasma process and method of the same | |
JP2008546116A (en) | Multiprotocol field device interface with automatic bus detection | |
CN104169885A (en) | Circuit for monitoring abnormalities in ecu | |
KR20190098777A (en) | Plant diagnosis method using the same system | |
JP2019140194A (en) | Data processing method, data processing unit, and data processing program | |
KR101165668B1 (en) | Plasma process diagnosing apparatus by data integration of different kind sensor, and controlling method thereof | |
US9807631B2 (en) | Wireless transmitter network analysis tool | |
US20150149122A1 (en) | Handheld data collector and analyzer system | |
US11287294B2 (en) | Field device, method of diagnosing field device and diagnostic apparatus | |
JP2009053795A (en) | Production control system | |
KR100930194B1 (en) | Communication status analysis device and method | |
CN112629709A (en) | Temperature sensor fault detection method and device and electric vehicle controller | |
KR20090068600A (en) | Automated information analyzing method in semiconductor processing | |
JP2005265454A (en) | Fault diagnosis device for vehicle | |
JP6791216B2 (en) | Monitoring programs, monitoring equipment, and monitoring systems | |
JP4146270B2 (en) | Seismometer | |
KR100446926B1 (en) | Method of monitoring and/or controlling a semiconductor manufacturing apparatus and a system therefor | |
CN218600776U (en) | Refrigerant gas leakage detection device and system | |
CN111141941B (en) | Dual-channel oscilloscope, control method thereof and storage medium | |
CN103853645B (en) | Monitoring display system and method of detection result of electronic device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150417 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170424 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180420 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190422 Year of fee payment: 8 |