KR101162510B1 - PECVD including shower head - Google Patents

PECVD including shower head Download PDF

Info

Publication number
KR101162510B1
KR101162510B1 KR1020040037719A KR20040037719A KR101162510B1 KR 101162510 B1 KR101162510 B1 KR 101162510B1 KR 1020040037719 A KR1020040037719 A KR 1020040037719A KR 20040037719 A KR20040037719 A KR 20040037719A KR 101162510 B1 KR101162510 B1 KR 101162510B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
shower head
injector
vapor deposition
chemical vapor
diffuser cover
Prior art date
Application number
KR1020040037719A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20050112606A (en
Inventor
이천수
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020040037719A priority Critical patent/KR101162510B1/en
Publication of KR20050112606A publication Critical patent/KR20050112606A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101162510B1 publication Critical patent/KR101162510B1/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • C23C16/45565Shower nozzles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자나 액정표시장치(Liquid Crystal Display device : LCD)용 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 샤워헤드를 포함하는 화학기상 박막증착 장비에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a manufacturing apparatus for a semiconductor device or a liquid crystal display device (LCD), and more particularly, to a chemical vapor deposition apparatus including a shower head.

본 발명의 목적은, 샤워 헤드가 대형화됨에 따라 제작 비용이 상승하고, 샤워 헤드의 일부에 결함이 발생하는 경우에도 폐기해야 되는 문제를 개선할 수 있는 샤워 헤드 및 샤워 헤드를 포함하는 화학기상 증착장비를 제공함에 있다. It is an object of the present invention, the chemical vapor deposition equipment including a shower head and a shower head that can improve the manufacturing cost increases as the shower head is enlarged, and even if a defect occurs in a part of the shower head and the shower head can be improved In providing.

본 발명은, 반응 가스를 기판 상에 균일하게 분사하는 다수의 분사홀을 갖는 인젝터와, 상기 인젝터를 덮는 디퓨저 커버를 포함하고, 평면적으로 n(n≥2) 개의 분할부로 분할되는 화학기상 증착장비용 샤워 헤드를 제공한다.The present invention includes an injector having a plurality of injection holes for uniformly injecting a reaction gas onto a substrate, and a diffuser cover covering the injector, wherein the chemical vapor deposition is divided into n (n ≧ 2) planes in plan view. Provide a shower head for the equipment.

본 발명은 화학기상 증착장비에 장착되는 샤워 헤드를 다수의 분할부로 분할하여 구성하게 된다. 따라서, 샤워 헤드를 제작함에 있어 분할부 각각을 개별적으로 제작하게 됨으로써 원재료 수급이 용이하고, 기판 크기의 변경에 대해 샤워 헤드 크기 변경의 유연성을 확보할 수 있게 된다.
The present invention is configured by dividing the shower head mounted on the chemical vapor deposition apparatus into a plurality of partitions. Therefore, in the manufacturing of the shower head, since each of the divided parts is manufactured separately, the supply and demand of raw materials is easy, and the flexibility of changing the size of the shower head can be secured with respect to the change of the substrate size.

Description

샤워헤드를 포함하는 화학기상 증착장치{PECVD including shower head} Chemical vapor deposition apparatus including a shower head {PECVD including shower head}             

도 1은 종래의 화학기상 증착장비의 샤워 헤드를 도시한 평면도로서, 샤워 헤드의 저면을 도시한 도면.1 is a plan view showing a shower head of a conventional chemical vapor deposition apparatus, a view showing the bottom of the shower head.

도 2는 도 1의 절단선 Ⅱ-Ⅱ를 따라 도시한 단면도.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 샤워 헤드를 포함하는 화학기상 증착장비(PECVD)를 도시한 단면도.3 is a cross-sectional view of a chemical vapor deposition apparatus (PECVD) including a shower head according to an embodiment of the present invention.

도 4와 5는 각각, 본 발명의 실시예에 따라 4분할 구조를 갖는 샤워 헤드의 결합 상태와 결합전 상태를 도시한 평면도로서, 샤워 헤드의 저면을 도시한 도면.4 and 5 are plan views showing the combined state and the pre-engagement state of the shower head having a quadrant structure according to an embodiment of the present invention, respectively, illustrating a bottom surface of the shower head;

그리고, 도 6과 7은 각각, 도 4와 5 각각의 절단선 Ⅵ-Ⅵ, Ⅶ-Ⅶ을 도시한 단면도.6 and 7 are cross-sectional views showing cut lines VI-VI and VI-VII, respectively.

그리고, 도 8과 9는 각각, 도 6과 7의 "B"와 "B`"를 확대하여 도시한 단면도.
8 and 9 are enlarged cross-sectional views of " B " and " B "

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

132 : 샤워헤드 132a : 제 1 분할부132: shower head 132a: first partition

132b : 제 2 분할부 132c : 제 3 분할부 132b: second divider 132c: third divider                 

132d : 제 4 분할부
132d: fourth division

본 발명은 반도체 소자나 액정표시장치(Liquid Crystal Display device : LCD)용 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 샤워헤드를 포함하는 화학기상 박막증착 장비에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a manufacturing apparatus for a semiconductor device or a liquid crystal display device (LCD), and more particularly, to a chemical vapor deposition apparatus including a shower head.

최근 사회가 정보화 시대로 발전함에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔다. Recently, as society has developed into an information age, a display field for processing and displaying a large amount of information has been rapidly developed.

특히 근래에 들어 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 요구를 충족시킬 수 있는 박막트랜지스터형 액정표시장치(Thin-film transistor liquid crystal display device)가 개발됨에 따라, 기존의 브라운관(Cathode-Ray Tube : CRT)을 대체하며 디스플레이 분야의 새로운 주류를 이루고 있다.In particular, with the development of thin-film transistor liquid crystal display devices that can meet the needs of thinning, light weight, low power consumption, etc., a conventional cathode-ray tube (CRT) ) And is forming a new mainstream in the display field.

일반적으로 액정표시장치는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용하여 화상을 디스플레이 한다. 즉, 액정의 분자구조는 가늘고 길며 배열에 방향성을 갖는 광학적 이방성과, 인위적으로 전기장을 인가할 경우 배열방향이 변화하는 분극성질을 가지고 있는 바, 액정표시장치는 이들 액정분자에 적절한 전압을 인가해 액정분자의 배열 방향을 인위적으로 변화시키고, 이를 따라 굴절하는 빛으로 화상을 표현하게 된다. In general, a liquid crystal display device displays an image by using optical anisotropy and polarization of liquid crystal. That is, the molecular structure of the liquid crystal is thin and long, and has optical anisotropy having directionality in the array and polarization property in which the arrangement direction changes when an electric field is artificially applied. The liquid crystal display device applies an appropriate voltage to the liquid crystal molecules. The alignment direction of the liquid crystal molecules is artificially changed, and the image is expressed by the light refracted accordingly.                         

이에 액정표시장치는 크게 표현하고자 목적하는 화상에 대한 정보를 출력하는 구동시스템과, 이 화상정보를 적절한 전기적 신호로 변환하는 회로부와, 이들 전기적 신호를 통해 화상을 디스플레이하는 액정패널로 구분될 수 있다. The liquid crystal display may be classified into a driving system that outputs information about an image to be expressed largely, a circuit unit for converting the image information into an appropriate electrical signal, and a liquid crystal panel displaying an image through these electrical signals. .

이중 특히 액정패널에는 특히 전기적 신호에 따라 분자 배열방향이 변화되는 액정이 실장되어, 이에 의한 빛의 투과율 변화를 통해 사용자에게 목적하는 화상을 디스플레이하는 부분으로서, 간단히 유리등의 투명기판 일면에 각각 전계생성전극을 포함하는 여러 가지 전기적 소자가 설치된 상부기판과 하부기판을 구비한 후, 이들 전극이 서로 마주보도록 배치하여 그 사이에 액정을 충진한 구성을 가지고 있다.In particular, the liquid crystal panel has a liquid crystal panel in which the molecular arrangement direction is changed according to an electrical signal, and displays a desired image to the user through a change in the transmittance of light, and is simply an electric field on one surface of a transparent substrate such as glass. After having an upper substrate and a lower substrate provided with various electrical elements including a production electrode, the electrodes are disposed to face each other and have a liquid crystal filled therebetween.

이때 상, 하부기판 각각에 포함되는 전계생성전극 및 여러 가지 전기적 소자들은 통상 투명기판 상면으로 박막을 증착한 후 이를 식각하여 패터닝(patterning)하는 과정을 수 차례 반복하여 구현되는 바, 이들 박막의 증착이나 식각 등의 공정은 액정표시장치용 기판제조를 위한 화학기상 증착장비에서 진행된다.In this case, the field generating electrode and various electrical elements included in each of the upper and lower substrates are repeatedly formed by repeatedly depositing a thin film on the upper surface of the transparent substrate and then etching and patterning the thin film. Process such as or etching is performed in chemical vapor deposition equipment for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device.

도 1은 종래의 화학기상 증착장비의 샤워 헤드를 도시한 평면도로서, 도 1은 샤워 헤드의 저면을 도시한 도면이다. 그리고, 도 2는 도 1의 절단선 Ⅱ-Ⅱ를 따라 도시한 단면도.1 is a plan view showing a shower head of a conventional chemical vapor deposition apparatus, Figure 1 is a view showing the bottom of the shower head. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 1.

화학기상 증착장비는 상측에 샤워 헤드(32)를 구비하고, 샤워 헤드 저면에 대향하여 스테이지(미도시)를 구비하게 된다. 스테이지 상에 기판(미도시)이 안착되고, 기판에 박막이 증착되는 과정에서 열 에너지를 기판에 공급하게 된다. The chemical vapor deposition apparatus includes a shower head 32 on the upper side and a stage (not shown) facing the bottom of the shower head. A substrate (not shown) is mounted on the stage, and thermal energy is supplied to the substrate in the process of depositing a thin film on the substrate.

샤워 헤드(32)는 증착에 필요한 반응 가스를 기판 상에 균일하게 분사하는 기능을 하게 된다. 샤워 헤드(32)는 디퓨저 커버(34 ; diffuser cover)와 인젝터(33 ; injector)로 이루어진다. 디퓨저 커버(34)와 인젝터(33) 사이의 공간에는 외부로부터 반응 가스가 공급되고, 인젝터(33)에 형성된 다수의 분사홀(35)을 통해 반응 가스가 기판 상에 균일하게 분사된다. The shower head 32 functions to uniformly inject a reaction gas required for deposition onto the substrate. The shower head 32 is composed of a diffuser cover 34 and an injector 33. The reaction gas is supplied from the outside to the space between the diffuser cover 34 and the injector 33, and the reaction gas is uniformly injected onto the substrate through the plurality of injection holes 35 formed in the injector 33.

전술한 바와 같은 샤워 헤드는 평면적으로 일체형으로 제작되어 화학기상 증착장비에 장착된다. The shower head as described above is manufactured integrally with a plane and mounted on a chemical vapor deposition apparatus.

그런데, 현재 액정표시장치가 대형화 됨에 따라 기판의 크기가 대형화된다. 기판이 대형화 됨에 따라 화학기상 증착장비에 구비되는 구성 부재들의 크기 또한 대형화되는데, 샤워 헤드의 크기 또한 대형화된다. However, as the liquid crystal display becomes larger in size, the size of the substrate becomes larger. As the substrate is enlarged, the size of the constituent members included in the chemical vapor deposition apparatus is also increased, but the size of the shower head is also increased.

샤워 헤드의 크기가 대형화 됨에 따라 원재료의 수급에 문제가 발생하게 되고, 샤워 헤드를 제작하기 위한 시간이 증가하는 등 비용이 상승하게 된다. As the size of the shower head becomes larger, problems arise in supply and demand of raw materials, and the cost increases, such as an increase in time for manufacturing the shower head.

그리고, 샤워 헤드는 박막 증착 공정에서 반응 가스와 반응하고, 아킹(arcing)이나 스크래치(scratch) 등이 발생하여 결함이 발생하게 되는데, 일부에 결함이 발생하는 경우에도 샤워 헤드 전체를 폐기해야 하는 문제가 있다.
In addition, the shower head reacts with the reaction gas in the thin film deposition process, and arcing or scratching occurs to cause defects. Even when some of the defects occur, the shower head must be disposed of. There is.

전술한 바와 같은 문제를 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 샤워 헤드가 대형화됨에 따라 제작 비용이 상승하고, 샤워 헤드의 일부에 결함이 발생하는 경우에도 폐기해야 되는 문제를 개선할 수 있는 샤워 헤드 및 샤워 헤드를 포함하는 화학기상 증착장비를 제공함에 있다. An object of the present invention for solving the above problems is a shower head that can improve the problem that the manufacturing cost increases as the shower head is enlarged, and even if a defect occurs in a part of the shower head, a problem that must be discarded; The present invention provides a chemical vapor deposition apparatus including a shower head.

전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 반응 가스를 기판 상에 균일하게 분사하는 다수의 분사홀을 갖는 인젝터와, 상기 인젝터를 덮는 디퓨저 커버를 포함하고, 평면적으로 n(n≥2) 개의 분할부로 분할되는 화학기상 증착장비용 샤워 헤드를 제공한다.In order to achieve the object as described above, the present invention includes an injector having a plurality of injection holes for uniformly injecting the reaction gas on the substrate, and a diffuser cover covering the injector, planar n (n≥2 Provided is a shower head for chemical vapor deposition equipment divided into three divisions.

여기서, 상기 n 개의 분할부 중 서로 결합되는 제 i, j 분할부는 각각 제 i 인젝터 및 디퓨저 커버와, 제 j 인젝터 및 디퓨저 커버를 갖고, 상기 제 i 인젝터와 제 j 인젝터의 접촉면은 서로 대응되는 하나 이상의 단차를 가질 수 있다. 상기 제 j 인젝터의 접촉면은 내부로 요입된 요입홈을 갖고, 상기 요입홈에 삽입되는 밀폐수단을 더욱 포함할 수 있다. 상기 밀폐수단은 비철금속, 고무를 포함하는 실링 물질로 이루어질 수 있다. 상기 제 1 디퓨저 커버와 상기 제 2 디퓨저 커버의 접촉면은 각각 평면일 수 있다. Here, the i-th and j-th divisions coupled to each other of the n divisions have an i-th injector and a diffuser cover, a j-th injector and a diffuser cover, respectively, and the contact surfaces of the i-th injector and the j-th injector correspond to each other. It can have more than one step. The contact surface of the j-th injector may further include a sealing means having a recess groove recessed therein and inserted into the recess groove. The sealing means may be made of a sealing material containing a non-ferrous metal, rubber. The contact surfaces of the first diffuser cover and the second diffuser cover may each be flat.

다른 측면에서, 본 발명은, 밀폐된 반응 영역을 정의하는 챔버바디 및 챔버리드와; 기판이 놓여지는 스테이지와 상기 스테이지를 상하고 이동시키는 지지대를 갖는 서셉터와; 반응 가스를 상기 기판 상에 균일하게 분사하는 다수의 분사홀을 갖는 인젝터와, 상기 인젝터를 덮는 디퓨저 커버를 포함하고, 평면적으로 n(n≥2) 개의 분할부로 분할되는 샤워 헤드를 포함하는 화학기상 증착장비를 제공한다.In another aspect, the invention provides a chamber body and a chamber lid defining a closed reaction zone; A susceptor having a stage on which a substrate is placed and a support for moving the stage up and down; An injector having a plurality of injection holes for uniformly injecting a reaction gas onto the substrate, and a shower head including a diffuser cover covering the injector and divided into n (n ≧ 2) planes in plan view. Provides vapor deposition equipment.

여기서, 상기 샤워 헤드의 n 개의 분할부 중 서로 결합되는 제 i, j 분할부는 각각 제 i 인젝터 및 디퓨저 커버와, 제 j 인젝터 및 디퓨저 커버를 갖고, 상기 제 i 인젝터와 제 j 인젝터의 접촉면은 서로 대응되는 하나 이상의 단차를 가질 수 있다. 상기 제 j 인젝터의 접촉면은 내부로 요입된 요입홈을 갖고, 상기 요입홈에 삽입되는 밀폐수단을 더욱 포함할 수 있다. 상기 밀폐수단은 비철금속, 고무를 포함하는 실링 물질로 이루어질 수 있다. 상기 제 1 디퓨저 커버와 상기 제 2 디퓨저 커버의 접촉면은 각각 평면일 수 있다.
Here, the i-th, j-th divisions coupled to each other among the n divisions of the shower head each have an i-th injector and a diffuser cover, a j-th injector and a diffuser cover, and the contact surfaces of the i-th injector and the j-th injector are mutually It may have one or more steps. The contact surface of the j-th injector may further include a sealing means having a recess groove recessed therein and inserted into the recess groove. The sealing means may be made of a sealing material containing a non-ferrous metal, rubber. The contact surfaces of the first diffuser cover and the second diffuser cover may each be flat.

본 발명은 화학기상 증착장비에 장착되는 샤워 헤드를 다분할 하여 사용하게 된다. 따라서, 샤워 헤드를 제작함에 있어 분할부 각각을 개별적으로 제작하게 됨으로써 원재료 수급이 용이하며, 일부에 결함이 발생하는 경우에 결함이 발생한 부분을 교체하여 비용을 절감할 수 있게 된다.
The present invention will be used by dividing the shower head mounted on the chemical vapor deposition equipment. Therefore, in manufacturing the shower head, each of the divided parts is manufactured separately, so that supply and demand of raw materials is easy, and when a defect occurs in a part, the cost may be reduced by replacing a defective part.

이하, 본 발명의 실시예에 따른 샤워 헤드를 포함한 화학기상 증착장비를 설명한다.
Hereinafter, a chemical vapor deposition apparatus including a shower head according to an embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 실시예에서는 4분할된 샤워 헤드를 예로 들어 설명한다. In the embodiment of the present invention, a quadrant shower head is described as an example.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 샤워 헤드를 포함하는 화학기상 증착장비(PECVD)를 도시한 단면도이다. 3 is a cross-sectional view of a chemical vapor deposition apparatus (PECVD) including a shower head according to an embodiment of the present invention.

도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 화학기상 증착장비(100)는 상부에 개구부가 설치된 박스(box)형상의 챔버바디(120 ; chamber body)와, 이를 폐변하는 뚜껑역할의 챔버리드(130 ; chamber lid)를 포함한다. 챔버바디(120)와 챔버리드(130)는 금속재질로 이루어진다. 화학기상 증착장비의 내부로 피 증착 대상물인 기판(5)이 안착되는 밀폐된 반응영역(A)이 정의된다.As shown in FIG. 3, the chemical vapor deposition apparatus 100 according to the embodiment of the present invention has a box-shaped chamber body 120 having an opening installed thereon, and a lid role for closing the chamber body 120. And a chamber lid 130. The chamber body 120 and the chamber lead 130 are made of a metal material. An enclosed reaction area A in which the substrate 5 to be deposited is placed is defined in the chemical vapor deposition apparatus.

그리고, 화학기상 증착장비(100)는 외부로부터 공급되는 반응 가스를 반응 영역(A)으로 유도하는 유입관(131)이 구비하고, 유입관(131)은 챔버리드(130)의 일 지점을 관통하여 내부로 인입된다. In addition, the chemical vapor deposition apparatus 100 includes an inlet pipe 131 for inducing a reaction gas supplied from the outside into the reaction zone A, and the inlet pipe 131 penetrates a point of the chamber lid 130. It is pulled into the inside.

반응영역(A) 내에는 챔버리드(130)의 내부에 놓여지는 4분할 구조의 샤워 헤드(132)가 구비된다. 샤워 헤드(132)는 챔버리드(130)의 내측면에 개재수단(160)을 사이에 두고 안착된다. 개재수단(160)은, 예를 들면 테프론 등의 절연실링 물질을 사용하게 된다. 샤워 헤드(132)는 증착에 필요한 반응 가스를 기판(5) 상에 균일하게 분사하는 기능을 하게 된다. In the reaction zone A, a shower head 132 having a quadrant structure disposed inside the chamber lid 130 is provided. The shower head 132 is seated on the inner surface of the chamber lid 130 with the interposing means 160 interposed therebetween. The interposition means 160 uses, for example, an insulating sealing material such as Teflon. The shower head 132 functions to evenly spray the reaction gas required for deposition on the substrate 5.

샤워 헤드(132)는 제 1 플레이트로서 인젝터(133)와 인젝터(133)를 상부에서 덮는 제 2 플레이트로서 디퓨저 커버(134)를 구비한다. 디퓨저 커버(134)와 인젝터(133) 사이의 내부 공간(S)에는 유입관(132)을 통해 외부로부터 반응 가스가 공급된다.The shower head 132 has an injector 133 as a first plate and a diffuser cover 134 as a second plate covering the injector 133 thereon. The reaction gas is supplied from the outside through the inlet pipe 132 to the internal space S between the diffuser cover 134 and the injector 133.

인젝터(133)에는 기판(5)과 마주보는 방향으로 다수의 분사홀(150)이 형성되어 반응 가스를 기판 전면에 균일하게 분사한다.A plurality of injection holes 150 are formed in the injector 133 in a direction facing the substrate 5 to uniformly inject the reaction gas to the entire surface of the substrate.

디퓨저 커버(134)에는 유입관(131)과 연결된 디퓨저 홀(151)이 형성되어 반응 가스를 공급받게 된다. 디퓨저 커버(134)는, 예를 들면 알루미늄 재질로 이루어진다.A diffuser hole 151 connected to the inlet pipe 131 is formed in the diffuser cover 134 to receive the reaction gas. The diffuser cover 134 is made of aluminum, for example.

샤워 헤드(132) 내부에는 제 3 플레이트로서 디퓨저 플레이트(180)가 형성되어 있다. 디퓨저 플레이트(180)는 디퓨저 커버(134)와 인젝터(133) 사이에 개재되 어 유입관(131)으로부터 유입되는 반응가스가 샤워 헤드(132) 내부 공간(S)의 측 방향으로 확산되는 것을 보조하게 된다. The diffuser plate 180 is formed in the shower head 132 as a third plate. The diffuser plate 180 is interposed between the diffuser cover 134 and the injector 133 to assist the reaction gas flowing from the inlet pipe 131 to diffuse in the lateral direction of the interior space S of the shower head 132. Done.

서셉터(140)는 챔버바디(120) 저면을 관통하는 상하로 이동하는 서셉터 지지대(141)와 기판(5)이 안착되는 스테이지(142)로 구성된다. 스테이지(142)는 샤워헤드(132)와 실질적으로 평행하게 대향하고 있다. The susceptor 140 includes a susceptor support 141 which moves up and down through the bottom of the chamber body 120 and a stage 142 on which the substrate 5 is seated. The stage 142 faces substantially parallel to the showerhead 132.

서셉터의 스테이지(142) 상면에는 기판(5)이 안착된 후 배출구(122)을 통해 반응영역(A) 내의 기체가 강제 배출되어 진공분위기가 형성되면, 유입관(131)을 통해 공급되는 반응 가스의 화학 반응을 통해 투명기판(5) 상에 박막이 된다.After the substrate 5 is seated on the upper surface of the stage 142 of the susceptor, when the gas in the reaction zone A is forcibly discharged through the outlet 122 and the vacuum atmosphere is formed, the reaction is supplied through the inlet pipe 131. The chemical reaction of the gas forms a thin film on the transparent substrate 5.

서셉터(140) 내부에는 반응 가스와의 화학 반응을 보다 용이하게 발생시키기 위해 내에는 발열가능한 히터(143)가 실장되어 투명기판(5)을 가열하게 된다.In order to more easily generate a chemical reaction with the reactant gas inside the susceptor 140, a heat generating heater 143 is mounted therein to heat the transparent substrate 5.

서셉터(140) 내부에는 외부에 접지된 접지전극(144 ; gournd electrode)이 형성되어 있다. 접지전극(144)은 알에프 전극(RF electrode) 역할을 하는 디퓨저 커버(134)와 함께 반응 가스를 플라즈마화하게 된다. In the susceptor 140, a ground electrode 144 grounded to the outside is formed. The ground electrode 144 together with the diffuser cover 134 serving as an RF electrode causes plasma of the reaction gas.

예를 들면, 화학기상 증착장비 내에 접지된 제 1 전극으로서 접지전극(144)과 알에프 전원(170)과 연결된 제 2 전극으로서 알에프 전극에 의해 반응 영역(A)에 시간에 따라 변화하는 전기장이 생성되고, 반응 영역(A)에 반응 가스를 공급하여 반응 가스의 분자를 해리함으로써 플라즈마가 발생된다. 이와 같은 방법은 용량 결합형 플라즈마(CCP : Capacitively Coupled Plasma) 발생방법이며, 그 외의 다양한 방법이 플라즈마를 생성하기 위해 사용될 수 있다. For example, a time-varying electric field is generated in the reaction region A by the RF electrode as the second electrode connected to the ground electrode 144 and the RF power source 170 as the first electrode grounded in the chemical vapor deposition apparatus. The plasma is generated by supplying the reaction gas to the reaction region A to dissociate the molecules of the reaction gas. Such a method is a capacitively coupled plasma (CCP) generation method, and various other methods may be used to generate the plasma.

이하, 도 4 내지 9를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 4분할 구조 샤워 헤 드에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, a four-part structure shower head according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 4 to 9.

도 4와 5는 각각, 본 발명의 실시예에 따라 4분할 구조를 갖는 샤워 헤드의 결합 상태와 결합전 상태를 도시한 평면도로서, 샤워 헤드의 저면을 도시한 도면이다. 샤워 헤드의 저면은 기판과 대향하는 샤워 헤드의 면이다.4 and 5 are plan views showing the coupling state and the pre-engagement state of the shower head having a quadrant structure according to the embodiment of the present invention, respectively, and showing the bottom surface of the shower head. The bottom of the shower head is the face of the shower head opposite the substrate.

그리고, 도 6과 7은 각각, 본 발명의 실시예에 따라 4분할 구조를 갖는 샤워 헤드의 결합 상태와 결합전 상태를 도시한 단면도로서, 도 4와 5 각각의 절단선 Ⅵ-Ⅵ, Ⅶ-Ⅶ을 따라 도시한 도면이다.6 and 7 are cross-sectional views illustrating a coupling state and a pre-coupling state of a shower head having a four-divided structure according to an embodiment of the present invention, respectively. It is a figure which shows along FIG.

그리고, 도 8과 9는 각각, 본 발명의 실시예에 따라 4분할 구조를 갖는 샤워 헤드의 결합 상태와 결합전 상태를 확대하여 도시한 단면도로서, 도 6과 7의 "B"와 "B`"를 확대하여 도시한 도면이다. 8 and 9 are cross-sectional views illustrating enlarged and pre-engaged states of the shower head having a four-divided structure according to the embodiment of the present invention, respectively, in FIGS. 6 and 7. Is an enlarged view.

도 4와 5에 도시한 바와 같이, 샤워 헤드(132)는 제 1, 2, 3, 4 분할부(132a, 132b, 132c, 132d)로 분할되어 구성된다. 제 1, 2, 3, 4 분할부(132a, 132b, 132c, 132d) 각각은 샤워 헤드(132)의 모서리를 포함하여 이웃하는 두 변을 포함하고 있다. As shown in Figs. 4 and 5, the shower head 132 is divided into first, second, third and fourth divisions 132a, 132b, 132c, and 132d. Each of the first, second, third, and fourth divisions 132a, 132b, 132c, and 132d includes two neighboring sides including edges of the shower head 132.

한편, 샤워 헤드는 도 4와 5에 도시한 바와는 다른 형태로 4분할 될 수 있다. 예를 들면, 샤워 헤드의 장변 또는 단변 방향을 따라 4분할 될 수 있다. On the other hand, the shower head may be divided into four different forms as shown in Figs. For example, it may be divided into four sections along the long side or the short side of the shower head.

도 6과 7에 도시한 바와 같이, 제 1, 2 분할부(132a, 132b) 각각은 분할된 제 1, 2 인젝터(133a, 133b)와 제 1, 2 디퓨저 커버(134a, 134b)로 구성된다. As shown in Figs. 6 and 7, each of the first and second divisions 132a and 132b includes divided first and second injectors 133a and 133b and first and second diffuser covers 134a and 134b. .

도시하지는 않았지만, 제 3. 4 분할부(도 3의 132c, 132d 참조) 또한 분할된 제 3, 4 인젝터와 제 3, 4 디퓨저 커버로 구성된다. Although not shown, the third and fourth divisions (see 132c and 132d of FIG. 3) also include divided third and fourth injectors and third and fourth diffuser covers.                     

도 8과 9에 도시한 바와 같이, 제 1, 2 분할부(132a, 132b)가 결합되어 접촉되는 제 1, 2 인젝터(133a, 133b) 각각의 접촉면(135a, 135b)은 서로 대응되는 단차를 가지게 된다. 즉, 제 1 인젝터의 접촉면(135a) 중 돌출면(137a)은 제 2 인젝터의 접촉면(135b) 중 요입면(137b)과 대응되어 결합시 접촉하고, 제 1 인젝터 접촉면(135a) 중 요입면(138a)은 제 2 인젝터의 접촉면(135b) 중 돌출면(138b)과 대응되어 결합시 접촉하게 된다. 제 1 인젝터 접촉면(135a) 중 단차면(136a)은 제 2 인젝터의 접촉면(135b) 중 돌출면(136b)과 대응되어 결합시 접촉하게 된다.As shown in FIGS. 8 and 9, the contact surfaces 135a and 135b of the first and second injectors 133a and 133b to which the first and second divisions 132a and 132b are coupled and in contact have a step corresponding to each other. To have. That is, the protruding surface 137a of the contact surface 135a of the first injector corresponds to the concave indentation surface 137b of the contact surface 135b of the second injector to be contacted at the time of engagement, and the recessed surface of the first injector contact surface 135a ( 138a corresponds to the protruding surface 138b of the contact surface 135b of the second injector and is in contact with each other when engaged. The stepped surface 136a of the first injector contact surface 135a corresponds to the protruding surface 136b of the contact surface 135b of the second injector to be contacted when engaged.

도 8과 9는 제 1, 2 인젝터 각각의 접촉면(135a, 135b)이 하나의 대응되는 단차를 갖는 것을 예로 들었으나 다수의 단차를 가질 수 있다. 다수의 단차를 갖는 경우에 접촉면의 면적은 증가하여 샤워 헤드 내부 공간(S)이 더욱 견고하게 밀폐될 수 있다. 8 and 9 illustrate that the contact surfaces 135a and 135b of each of the first and second injectors have one corresponding step, but may have a plurality of steps. In the case of having a plurality of steps, the area of the contact surface is increased so that the shower head internal space S can be tightly sealed.

그리고, 제 2 인젝터의 접촉면(135b) 중 돌출면(137b)에는 내부로 요입된 요입홈(139)이 형성되어 있다. 요입홈(139)은 제 2 인젝터의 접촉면(135b)의 길이방향을 따라 형성되어 있다. 요입홈(139)에는 밀폐수단(155)이 삽입되어 결합시 샤워 헤드 내부 공간(S)을 더욱 견고하게 밀폐할 수 있다. 내부 공간(S)이 효과적으로 밀폐되면 박막 증착시 내부 공간에 위치하는 반응 가스가 분할부의 결합면을 따라 반응 공간으로 새어나가는 것을 방지할 수 있게 된다. 밀폐수단(155)은, 예를 들면 비철금속, 내열성을 가진 고무(rubber) 등의 실링 물질로 이루어진다.In addition, a concave concave groove 139 is formed in the protruding surface 137b of the contact surface 135b of the second injector. The recessed groove 139 is formed along the longitudinal direction of the contact surface 135b of the second injector. A sealing means 155 is inserted into the concave groove 139 to seal the shower head internal space S more firmly. When the inner space S is effectively sealed, the reaction gas located in the inner space during the thin film deposition may be prevented from leaking into the reaction space along the bonding surface of the partition. The sealing means 155 is made of, for example, a sealing material such as a nonferrous metal and rubber having a heat resistance.

한편, 제 1, 2 디퓨저 커버(134a, 134b)의 접촉면은 단차 없는 평면이다.On the other hand, the contact surfaces of the first and second diffuser covers 134a and 134b are flat without steps.

도시하지는 않았지만, 제 2, 3 분할부, 제 3, 4 분할부, 제 4, 1 분할부의 결합 부분은 각각 전술한 제 1, 2 분할부의 결합 부분과 같은 결합 구조를 갖는다. 예를 들면, 제 4, 1 분할부는 도 7과 8에 도시한 제 1, 4 분할부에 각각 대응되어 결합하게 된다.
Although not shown, the engaging portion of the second, third, third, fourth, fourth, and first divisions has the same coupling structure as that of the aforementioned first and second divisions, respectively. For example, the fourth and first division parts are coupled to correspond to the first and fourth division parts shown in FIGS. 7 and 8, respectively.

전술한 바와 같은 본 발명의 실시예에서는 샤워 헤드가 4분할된 구조를 예로 들었으나, 2분할 이상의 다분할 구조를 가질 수 있다.
In the exemplary embodiment of the present invention as described above, the shower head is divided into four, but may have a multi-division structure of two or more.

본 발명은 화학기상 증착장비에 장착되는 샤워 헤드를 다수의 분할부로 분할하여 구성하게 된다. 따라서, 샤워 헤드를 제작함에 있어 분할부 각각을 개별적으로 제작하게 됨으로써 원재료 수급이 용이하고, 기판 크기의 변경에 대해 샤워 헤드 크기 변경의 유연성을 확보할 수 있게 된다. 그리고, 공정 진행중 샤워 헤드 일부에 결함이 발생하는 경우에 결함이 발생한 분할부를 교체하여 제조 비용을 절감할 수 있게 된다.
The present invention is configured by dividing the shower head mounted on the chemical vapor deposition apparatus into a plurality of partitions. Therefore, in the manufacturing of the shower head, since each of the divided parts is manufactured separately, the supply and demand of raw materials is easy, and the flexibility of changing the size of the shower head can be secured with respect to the change of the substrate size. In addition, when a defect occurs in a part of the shower head during the process, the manufacturing cost may be reduced by replacing the partition in which the defect occurs.

전술한 바와 같은 본 발명의 실시예는 본 발명의 일예로서, 이에 대한 다양한 변형이 가능하다. 이와 같은 변형이 본 발명의 정신에 포함되는 범위 내에서, 본 발명의 권리 범위에 속한다 함은 당업자에게 자명한 사실이다.
Embodiment of the present invention as described above is an example of the present invention, various modifications are possible. It is apparent to those skilled in the art that such modifications fall within the scope of the present invention, within the scope included in the spirit of the present invention.

본 발명은 화학기상 증착장비에 장착되는 샤워 헤드를 다수의 분할부로 분할 하여 구성하게 된다. 따라서, 샤워 헤드를 제작함에 있어 분할부 각각을 개별적으로 제작하게 됨으로써 원재료 수급이 용이하고, 기판 크기의 변경에 대해 샤워 헤드 크기 변경의 유연성을 확보할 수 있게 된다. 그리고, 공정 진행중 샤워 헤드 일부에 결함이 발생하는 경우에 결함이 발생한 분할부를 교체하여 제조 비용을 절감할 수 있게 된다. The present invention is configured by dividing the shower head mounted on the chemical vapor deposition apparatus into a plurality of partitions. Therefore, in the manufacturing of the shower head, since each of the divided parts is manufactured separately, the supply and demand of raw materials is easy, and the flexibility of changing the size of the shower head can be secured with respect to the change of the substrate size. In addition, when a defect occurs in a part of the shower head during the process, the manufacturing cost may be reduced by replacing the partition in which the defect occurs.

Claims (10)

반응 가스를 기판 상에 균일하게 분사하는 다수의 분사홀을 갖는 인젝터와, 상기 인젝터를 덮는 디퓨저 커버를 포함하고, 평면적으로 분할된 n(n≥2) 개의 분할부를 결합하여 형성하며,An injector having a plurality of injection holes for uniformly injecting the reaction gas onto the substrate, and a diffuser cover covering the injector, and formed by combining n (n ≧ 2) divided parts divided in a plane; 상기 n 개의 분할부 중 서로 결합되는 제 i, j 분할부는 각각 제 i 인젝터 및 디퓨저 커버와, 제 j 인젝터 및 디퓨저 커버를 갖고, 상기 제 i 인젝터와 제 j 인젝터의 접촉면은 서로 대응되는 하나 이상의 단차를 갖는 화학기상 증착장비용 샤워 헤드.The i-th and j-th divisions coupled to each other of the n divisions each have an i-th injector and a diffuser cover, a j-th injector and a diffuser cover, and the contact surfaces of the i-th injector and the j-th injector correspond to one or more steps Shower head for chemical vapor deposition apparatus having a. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 j 인젝터의 접촉면은 내부로 요입된 요입홈을 갖고, 상기 요입홈에 삽입되는 밀폐수단을 더욱 포함하는 화학기상 증착장비용 샤워 헤드.The contact surface of the j th injector has a concave groove recessed therein, and further includes a sealing means inserted into the concave groove. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 밀폐수단은 비철금속, 고무를 포함하는 실링 물질로 이루어지는 화학기상 증착장비용 샤워 헤드.The sealing means is a shower head for chemical vapor deposition equipment made of a sealing material comprising a non-ferrous metal, rubber. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 i디퓨저 커버와 상기 제 j 디퓨저 커버의 접촉면은 각각 평면인 화학기상 증착장비용 샤워 헤드.The contact surface of the i-diffuser cover and the j-diffuser cover is a flat shower head, respectively. 밀폐된 반응 영역을 정의하는 챔버바디 및 챔버리드와;A chamber body and a chamber lid defining a closed reaction zone; 기판이 놓여지는 스테이지와 상기 스테이지를 상하로 이동시키는 지지대를 갖는 서셉터와;A susceptor having a stage on which a substrate is placed and a support for moving the stage up and down; 반응 가스를 상기 기판 상에 균일하게 분사하는 다수의 분사홀을 갖는 인젝터와, 상기 인젝터를 덮는 디퓨저 커버를 포함하고, 평면적으로 분할된 n(n≥2) 개의 분할부를 결합한 샤워 헤드를 포함하며,An injector having a plurality of injection holes for uniformly injecting a reaction gas onto the substrate, a shower head including a diffuser cover covering the injector and having n (n ≧ 2) divided parts divided in a plane; , 상기 샤워 헤드의 n 개의 분할부 중 서로 결합되는 제 i, j 분할부는 각각 제 i 인젝터 및 디퓨저 커버와, 제 j 인젝터 및 디퓨저 커버를 갖고, 상기 제 i 인젝터와 제 j 인젝터의 접촉면은 서로 대응되는 하나 이상의 단차를 갖는 화학기상 증착장비.The i and j divisions coupled to each other among the n divisions of the shower head have an i-th injector and a diffuser cover, and a j-th injector and a diffuser cover, respectively, and the contact surfaces of the i-th injector and the j-th injector correspond to each other. Chemical vapor deposition equipment having one or more steps. 삭제delete 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제 j 인젝터의 접촉면은 내부로 요입된 요입홈을 갖고, 상기 요입홈에 삽입되는 밀폐수단을 더욱 포함하는 화학기상 증착장비.The contact surface of the j-th injector has a recessed groove recessed therein, and further comprises a sealing means inserted into the recess groove. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 밀폐수단은 비철금속, 고무를 포함하는 실링 물질로 이루어지는 화학기상 증착장비.The sealing means is a chemical vapor deposition equipment consisting of a sealing material containing a non-ferrous metal, rubber. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제 i 디퓨저 커버와 상기 제 j 디퓨저 커버의 접촉면은 각각 평면인 화학기상 증착장비.The vapor deposition apparatus of claim 1, wherein the contact surfaces of the i-th diffuser cover and the j-th diffuser cover are flat.
KR1020040037719A 2004-05-27 2004-05-27 PECVD including shower head KR101162510B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040037719A KR101162510B1 (en) 2004-05-27 2004-05-27 PECVD including shower head

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040037719A KR101162510B1 (en) 2004-05-27 2004-05-27 PECVD including shower head

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050112606A KR20050112606A (en) 2005-12-01
KR101162510B1 true KR101162510B1 (en) 2012-07-09

Family

ID=37287466

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040037719A KR101162510B1 (en) 2004-05-27 2004-05-27 PECVD including shower head

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101162510B1 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100712124B1 (en) * 2005-01-18 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 Capacitively Coupled Plasma Processing Apparatus
KR100866912B1 (en) * 2007-05-31 2008-11-04 주식회사 마이크로텍 Chemical vapor deposition apparatus
KR101045598B1 (en) * 2009-05-18 2011-07-01 한국과학기술원 Fluid dispensing device and fluid dispensing method
KR101101176B1 (en) * 2011-03-08 2012-01-02 한국과학기술원 Fluid distribution apparatus and fluid distribution method
KR102208609B1 (en) 2018-12-28 2021-01-28 (주)에스테크 Shower head for chemical vapor deposition and depositing apparatus using the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002009065A (en) * 2000-06-22 2002-01-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Plasma cvd device
KR100348587B1 (en) * 1999-01-28 2002-08-14 한국과학기술연구원 Shower head for large area oxide thin film processing apparatus
JP2003309075A (en) 2002-04-18 2003-10-31 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100348587B1 (en) * 1999-01-28 2002-08-14 한국과학기술연구원 Shower head for large area oxide thin film processing apparatus
JP2002009065A (en) * 2000-06-22 2002-01-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Plasma cvd device
JP2003309075A (en) 2002-04-18 2003-10-31 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050112606A (en) 2005-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7846292B2 (en) Gas injector and apparatus including the same
US20060054280A1 (en) Apparatus of manufacturing display substrate and showerhead assembly equipped therein
KR101337011B1 (en) Movable jig for silicon-based thin film solar cell
US20060197899A1 (en) Method of fabricating alignment film of liquid crystal display and etching apparatus used therein
US20050173070A1 (en) Power supply unit for generating plasma and plasma apparatus including the same
KR101162510B1 (en) PECVD including shower head
KR20080048243A (en) Plasma enhanced chemical vapor deposition
US9818572B2 (en) Substrate treatment apparatus
KR20060078677A (en) Flat light emitting lamp and manfacturering method and liquid crystal display using the same
US20020039168A1 (en) Apparatus for injecting liquid crystal materials and methods for manufacturing liquid crystal panels by using the same
US7554647B2 (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
JP2000091244A (en) Plasma processing device and semiconductor device manufactured by the same, and active matrix substrate constituted by the semiconductor device and liquid crystal display device using the active matrix substrate
KR20020056704A (en) Liquid crystal display
KR101119798B1 (en) Chemical vapor deposition system
KR101020156B1 (en) Plasma Processing apparatus
KR100485709B1 (en) chamber for manufacturing substrate of liquid crystal display device
JP2007324289A (en) Manufacturing equipment and manufacturing method of electro-optic device
KR101671173B1 (en) liquid crystal spray device for liquid crystal display device and liquid crystal layer formative method using thereof
KR20090028345A (en) Method for thin metal film depositing gas spray and thin metal film depositing gas spray apparatus
US7100778B2 (en) Cleaning jig
KR20070003166A (en) Susceptor capable of improving life time and fabrication method the same, and plaza enhenced chemical vapor deposition apparatus including the same
KR100972292B1 (en) Method for chemical vapor deposition
KR101258266B1 (en) Test apparatus for liquid crystal display panel
US7659962B2 (en) Portable jig
US20070121044A1 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150528

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160530

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180515

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190515

Year of fee payment: 8