KR101160948B1 - Lithographic Apparatus - Google Patents

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니콜라스 프란시스쿠스 콥펠라르스
마르티누스 헨드리쿠스 안토니우스 렌더스
파울루스 마르티누스 마리아 리브레그츠
요한네스 카타리누스 후베르투스 물켄스
에릭 헨드리쿠스 에기디우스 카타리나 에움멜렌
마르첼 벡커스
리카르트 모어만
세드릭 데지레 그로우브스트라
대니 마리아 후베르투스 필립스
렘코 얀 페터 베르헤스
피에터 물더
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Abstract

유체를 공급하도록 구성된 유체 핸들링 시스템을 포함하고, 상기 유체 핸들링 시스템은 제 1 측벽 내의 복수의 유입 홀들 및 제 2 측벽 내의 복수의 유출 홀들을 갖는 챔버를 포함하고, 상기 제 1 측벽은 제 2 측벽과 마주하며, 상기 유입 홀들은 챔버에 유입되는 유체를 상기 복수의 유출 홀들 사이의 상기 제 2 측벽의 영역들을 향하는 방향으로 지향시키도록 구성되는 침지 리소그래피 장치가 개시된다.A fluid handling system configured to supply fluid, the fluid handling system comprising a chamber having a plurality of inlet holes in the first sidewall and a plurality of outlet holes in the second sidewall, the first sidewall being in contact with the second sidewall; Opposite, an immersion lithographic apparatus is disclosed in which the inlet holes are configured to direct fluid entering the chamber in a direction towards the regions of the second sidewall between the plurality of outlet holes.

Description

리소그래피 장치{Lithographic Apparatus}Lithographic Apparatus {Lithographic Apparatus}

본 발명은 리소그래피 장치의 투영 시스템과 기판 사이의 공간에 유체를 제공하는 리소그래피 장치에 관한 것이다.FIELD The present invention relates to a lithographic apparatus for providing a fluid to a space between a projection system of a lithographic apparatus and a substrate.

리소그래피 장치는 기판상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 경우에, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼)상의 (예를 들어, 한 개 또는 수 개의 다이 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는, 통상적으로 기판상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는, 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향 으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써, 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.BACKGROUND A lithographic apparatus is a machine that applies a desired pattern onto a substrate, typically onto a target portion of the substrate. The lithographic apparatus may be used, for example, in the manufacture of integrated circuits (ICs). In that case, a patterning device, alternatively referred to as a mask or a reticle, can be used to create a circuit pattern to be formed on a separate layer of the IC. This pattern can be transferred onto a target portion (eg, including one or several die portions) on a substrate (eg, a silicon wafer). Transfer of the pattern is typically performed through imaging onto a layer of radiation-sensitive material (resist) provided on the substrate. In general, a single substrate will contain a network of adjacent target portions that are successively patterned. Known lithographic apparatus scans a pattern in a given direction ("scanning" -direction) through a so-called stepper, and a radiation beam, where each target portion is irradiated by exposing the entire pattern onto the target portion at one time, It includes a so-called scanner in which each target portion is irradiated by synchronously scanning the substrate in a direction parallel to this direction (direction parallel to the same direction) or anti-parallel direction (direction parallel to the opposite direction). It is also possible to transfer the pattern from the patterning device to the substrate by imprinting the pattern onto the substrate.

리소그래피 투영 장치에서, 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체(예를 들어, 물)에 기판을 침지(immerse)시키는 것이 제안되었다. 일 실시예에서, 상기 액체는 증류수인 것이 바람직하지만, 1 이상의 다른 액체들이 사용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예는 액체를 참조하여 설명될 것이다. 하지만, 또 다른 유체, 특히 습윤화 유체(wetting fluid)들, 비압축식 유체(incompressible fluid)들, 및/또는 공기보다 높은 굴절률을 갖고, 바람직하게는 물보다 높은 굴절률을 갖는 유체들이 적절할 수 있다. 가스들을 제외한 유체들이 특히 바람직하다. 이것의 핵심은, 노광 방사선이 액체 내에서 더 짧은 파장을 가지기 때문에 더 작은 피처들을 이미징할 수 있다는 것에 있다. (또한, 액체의 효과는 상기 시스템의 유효 NA를 증가시키고 초점심도(depth of focus)를 증가시키는 것으로도 간주될 수 있다.) 고체 입자(예를 들어, 석영)가 그 안에 부유되어 있는 물을 포함하는 다른 침지 액체들, 또는 나노-입자 부유물들(예를 들어, 10 nm의 최대 치수를 갖는 입자들)을 갖는 액체들이 제안되었다. 부유된 입자들은 입자들이 부유된 액체와 유사하거나 동일한 굴절률을 가질 수 있거나 또는 가질 수 없다. 적합할 수 있는 다른 액체로는, 탄화수소, 예컨대 방향족, 불화탄화수소(fluorohydrocarbon), 및/또는 수성 용액이 있다.In lithographic projection apparatus, it has been proposed to immerse a substrate in a liquid (eg water) having a relatively high refractive index to fill the space between the final element of the projection system and the substrate. In one embodiment, the liquid is preferably distilled water, but one or more other liquids may be used. One embodiment of the present invention will be described with reference to a liquid. However, other fluids, in particular wetting fluids, incompressible fluids, and / or fluids having a refractive index higher than air and preferably higher than water, may be suitable. . Particular preference is given to fluids except gases. The key to this is that it can image smaller features because the exposure radiation has a shorter wavelength in the liquid. (The effect of a liquid can also be considered to increase the effective NA of the system and to increase the depth of focus.) The water in which solid particles (e.g. quartz) are suspended therein Other immersion liquids including, or liquids with nano-particle suspensions (eg, particles with a maximum dimension of 10 nm) have been proposed. Suspended particles may or may not have an index of refraction where the particles are similar or identical to the suspended liquid. Other liquids that may be suitable include hydrocarbons such as aromatics, fluorohydrocarbons, and / or aqueous solutions.

기판 및/또는 기판 테이블을 액체 배스(bath of liquid) 내에 담근다는 것 (예를 들어, 미국 특허 제 4,509,852호 참조)은, 스캐닝 노광 시 가속되어야 할 대량의 액체(large body of liquid)가 존재한다는 것을 의미한다. 이는 더 많은 또는 더 강력한 모터들을 필요로 하며, 액체 내의 난류(turbulence)는 바람직하지 않고 예측 불가능한 영향들을 초래할 수 있다.Dipping the substrate and / or substrate table into a bath of liquid (see, eg, US Pat. No. 4,509,852) indicates that there is a large body of liquid to be accelerated during the scanning exposure. Means that. This requires more or more powerful motors, and turbulence in the liquid can cause undesirable and unpredictable effects.

제안된 구성들 중 하나는, 액체 공급 시스템이 액체 한정 시스템(liquid confinement system)을 이용하여, 기판의 국부화된 영역, 및 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이에만 액체를 제공하는 것이다(일반적으로, 기판은 투영 시스템의 최종 요소보다 큰 표면적을 갖는다). 이처럼 배치하기 위해 제안된 한가지 방식이 PCT 특허 출원 공개공보 WO 99/49504에 개시된다. 도 2 및 도 3에 예시된 바와 같이, 액체는 적어도 1 이상의 유입구(IN)('N')에 의해 기판상으로, 바람직하게는 최종 요소에 대한 기판의 이동 방향을 따라 공급되고, 투영 시스템 아래로 통과한 이후에 적어도 1 이상의 유출구(OUT)('T')에 의해 제거된다. 즉, 기판이 -X 방향으로 요소 밑에서 스캐닝됨에 따라, 액체는 요소의 +X 측에 공급되고 -X 측에서 흡수(taken up)된다. 도 2는 액체가 유입구(IN)를 통해 공급되고, 저압력원에 연결되어 있는 유출구(OUT)에 의해 요소의 다른 측에서 흡수되는 장치를 개략적으로 도시한다. 도 2의 예시에서, 액체는 최종 요소에 대해 기판의 이동 방향을 따라 공급되지만, 반드시 이와 같을 필요는 없다. 최종 요소 주변에 위치되는 다양한 방위 및 개수의 유입구 및 유출구가 가능하며, 어느 한 쪽에 유출구와 함께 유입구의 4 개의 세트가 최종 요소 주변에 규칙적인 패턴으로 제공되는 일 예시가 도 3에서 설명된다.One of the proposed configurations is that the liquid supply system uses a liquid confinement system to provide liquid only between the localized area of the substrate and the final element of the projection system and the substrate (generally, The substrate has a larger surface area than the final element of the projection system). One way proposed for such arrangement is disclosed in PCT patent application publication WO 99/49504. As illustrated in FIGS. 2 and 3, the liquid is supplied onto the substrate by at least one inlet IN ('N'), preferably along the direction of movement of the substrate relative to the final element, and under the projection system. After passing through the furnace is removed by at least one outlet (OUT) ('T'). That is, as the substrate is scanned under the element in the -X direction, liquid is supplied to the + X side of the element and taken up on the -X side. 2 schematically shows a device in which liquid is supplied through inlet IN and is absorbed at the other side of the element by outlet OUT which is connected to a low pressure source. In the example of FIG. 2, the liquid is supplied along the direction of movement of the substrate with respect to the final element, but need not be so. A variety of orientations and numbers of inlets and outlets located around the final element are possible, and an example in which four sets of inlets with outlets on either side are provided in a regular pattern around the final element is illustrated in FIG. 3.

국부화된 액체 공급 시스템을 갖는 또 다른 침지 리소그래피 해결책이 도 4에 도시된다. 투영 시스템(PL)의 양쪽에서 2 개의 홈형 유입구(groove inlet: IN('N'))에 의해 액체가 공급되고, 유입구들(IN)의 반경 방향 바깥쪽으로(radially outwardly) 배치된 복수의 개별 유출구들(OUT('T'))에 의해 제거된다. 유입구(IN) 및 유출구(OUT)는 그 중심에 홀(hole)을 갖고, 그것을 통해 투영 빔이 투영되는 플레이트(plate) 내에 배치될 수 있다. 투영 시스템(PL)의 한쪽에서 하나의 홈형 유입구(IN)에 의해 액체가 공급되고, 투영 시스템(PL)과 기판(W) 사이에서 박막의 액체 흐름을 야기하여, 투영 시스템(PL)의 다른 쪽에서 복수의 개별 유출구(OUT)에 의해 제거된다. 사용할 유입구(IN) 및 유출구(OUT)의 어떠한 조합을 선택하는가는, 기판(W)의 이동 방향에 의존할 수 있다(유입구(IN) 및 유출구(OUT)의 다른 조합은 비활성적임).Another immersion lithography solution with a localized liquid supply system is shown in FIG. 4. A plurality of individual outlets supplied with liquid by two groove inlets IN ('N') on both sides of the projection system PL and arranged radially outwardly of the inlets IN. Is removed by the field OUT ('T'). The inlet IN and the outlet OUT have holes in their centers and can be arranged in a plate through which the projection beam is projected. Liquid is supplied by one grooved inlet IN on one side of the projection system PL, causing a liquid flow of the thin film between the projection system PL and the substrate W, so that a plurality of the other side of the projection system PL Is removed by the individual outlets of. Which combination of inlet IN and outlet OUT to use may depend on the direction of movement of the substrate W (other combinations of inlet IN and outlet OUT are inactive).

제안된 또 다른 구성은, 투영 시스템의 최종 요소와 기판 테이블 사이의 공간의 경계의 전체 또는 일부분을 따라 연장되는 액체 한정 부재를 갖는 액체 공급 시스템을 제공하는 것이다. 이러한 해결책은 도 5에 예시되어 있다. 액체 한정 부재는 Z 방향(광학 축선의 방향)으로 약간의 상대 이동이 있을 수 있지만, XY 평면에서는 투영 시스템에 대해 실질적으로 정지 상태이다. 액체 한정 부재와 기판의 표면 사이에 시일이 형성되며, 가스 시일과 같은 무접촉 시일일 수 있다. 이러한 시스템은 미국 특허 출원 공보 제 US 2004-0207824호에 개시되며, 본 명세서에서 그 전문이 인용 참조 된다.Another proposed configuration is to provide a liquid supply system having a liquid confinement member extending along all or part of the boundary of the space between the final element of the projection system and the substrate table. This solution is illustrated in FIG. 5. The liquid confinement member may have some relative movement in the Z direction (in the direction of the optical axis), but is substantially stationary with respect to the projection system in the XY plane. A seal is formed between the liquid confinement member and the surface of the substrate and may be a contactless seal such as a gas seal. Such a system is disclosed in US Patent Application Publication No. US 2004-0207824, which is incorporated by reference in its entirety herein.

본 명세서에서 인용 참조 되는 유럽 특허 출원 공보 제 EP 1420300호, 및 미 국 특허 출원 공보 제 US 2004-0136494호에는, 트윈(twin) 또는 듀얼(dual) 스테이지 침지 리소그래피 장치의 개념이 개시되어 있다. 이러한 장치에는 기판을 지지하는 2 개의 테이블이 제공된다. 침지 액체가 없는 제 1 위치에서 테이블을 이용하여 레벨링 측정(leveling measurement)들이 수행되며, 침지 액체가 존재하는 제 2 위치에서 테이블을 이용하여 노광이 수행된다. 대안적으로, 상기 장치는 하나의 테이블만을 갖는다.In European Patent Application Publication No. EP 1420300 and US Patent Application Publication No. US 2004-0136494, which are hereby incorporated by reference, the concept of a twin or dual stage immersion lithography apparatus is disclosed. Such an apparatus is provided with two tables for supporting the substrate. Leveling measurements are performed using the table at a first position free of immersion liquid, and exposure is performed using the table at a second position at which immersion liquid is present. Alternatively, the device has only one table.

PCT 특허 출원 공보 WO 2005/064405호는 침지 액체가 한정되지 않는 완전 습윤 구성(all wet arrangement)을 개시한다. 이러한 시스템에는 기판의 전체 최상부 표면이 액체로 덮인다. 이는 기판의 전체 최상부 표면이 실질적으로 동일한 조건들에 노출되기 때문에 유익할 수 있다. 이는 기판의 온도 제어 및 처리 면에서 장점을 갖는다. WO 2005/064405에는, 액체 공급 시스템이 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 갭에 액체를 제공한다. 상기 액체는 기판의 잔여부 상에 누설된다. 기판 테이블의 에지에 있는 배리어는 액체가 방출되는 것을 방지하므로, 액체가 기판 테이블의 최상부 표면으로부터 제어되는 방식으로 제거될 수 있다. 비록, 이러한 시스템은 기판의 온도 제어 및 처리를 개선하지만, 침지 액체의 증발은 여전히 존재할 수 있다. 이 문제의 해결에 도움을 주는 한가지 방법은, 모든 위치에서 기판(W)을 덮고, 부재와 기판 및/또는 상기 기판을 유지하는 기판 테이블의 최상부 사이에서 연장되는 침지 액체를 갖도록 구성된 부재가 제공되는 미국 특허 출원 공보 제 US 2006/119809호에 개시되어 있다. PCT patent application publication WO 2005/064405 discloses an all wet arrangement in which the immersion liquid is not limited. In such a system the entire top surface of the substrate is covered with liquid. This may be beneficial because the entire top surface of the substrate is exposed to substantially the same conditions. This has advantages in terms of temperature control and processing of the substrate. In WO 2005/064405, a liquid supply system provides liquid in the gap between the final element of the projection system and the substrate. The liquid leaks on the remainder of the substrate. The barrier at the edge of the substrate table prevents liquid from being released, so that the liquid can be removed in a controlled manner from the top surface of the substrate table. Although this system improves the temperature control and processing of the substrate, evaporation of the immersion liquid may still be present. One way to help solve this problem is that a member is provided which covers the substrate W in all positions and which has a immersion liquid extending between the member and the top of the substrate and / or the substrate table holding the substrate. US Patent Application Publication No. US 2006/119809.

투영 시스템의 최종 단부와 기판 사이의 공간 내에서 유체의 유동이 제공되는 경우, 이는 실질적으로 일정한 기판 온도를 유지하는 것과 관련된 난제들을 해결하는데 도움을 준다. 이는 침지 유체를 통과하는 투영 빔이 침지 유체를 가열시킬 수 있다는 데에 있다. 이러한 가열은 이미징에 유해한 영향들을 가져올 수 있다. 예를 들어, 유체의 굴절률은 온도에 따라 변화할 수 있다. 그러므로, 유체의 유동을 제공하는 것이 바람직할 수 있다. 하지만, 유체 유동의 도입은 그 자체로서 여러 가지 난제들을 도입할 수 있다. 예를 들어, 비-층류(non-laminar) 또는 비-평활(non-smooth) 유동이 사용되는 경우, 이는 이미징 특성들에 영향을 줄 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 유동의 안정성과 견고성(robustness)이 저하되는 경우, 가스 기포들이 유체 내에 동반될 수 있다.If a flow of fluid is provided in the space between the final end of the projection system and the substrate, this helps to solve the challenges associated with maintaining a substantially constant substrate temperature. This is in that the projection beam passing through the immersion fluid can heat the immersion fluid. Such heating can have deleterious effects on imaging. For example, the refractive index of the fluid may change with temperature. Therefore, it may be desirable to provide a flow of fluid. However, the introduction of fluid flow can introduce various challenges by itself. For example, if non-laminar or non-smooth flow is used, this may affect imaging characteristics. Additionally or alternatively, gas bubbles may be entrained in the fluid when the stability and robustness of the flow is degraded.

더욱이, 배리어 부재의 저부 표면 상의 추출기와 배리어 부재 사이의 용접선들이 자체적으로 액체 물방울을 끌어당길 수 있다. 물방울이 기판의 표면에 남게될 수 있다. 이러한 물방울은, 예를 들어 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간 안으로 기포를 도입함으로써, 이후 이미지 결합들을 유도할 수 있다.Moreover, weld lines between the extractor on the bottom surface of the barrier member and the barrier member can attract liquid droplets by themselves. Water droplets may remain on the surface of the substrate. Such droplets can then lead to image combinations, for example by introducing bubbles into the space between the final element of the projection system and the substrate.

상기의 문제들 또는 다른 문제들 중 1 이상이 경감되는 장치를 제공하는 것이 바람직할 수 있다. 특히, 평활한 유동, 바람직하게는 층류(laminar flow)를 유지하면서, 유체를 높은 유속으로 공급할 수 있는 유체 공급 시스템을 제공할 수 있는 것이 바람직할 수 있다. 나아가, 물방울들이 배리어 부재의 저부에 부착될 가 능성(chance)을 감소시키는 것이 바람직하다. It may be desirable to provide an apparatus in which one or more of the above or other problems are alleviated. In particular, it may be desirable to be able to provide a fluid supply system capable of supplying fluid at high flow rates while maintaining smooth flow, preferably laminar flow. Furthermore, it is desirable to reduce the chance that water droplets will adhere to the bottom of the barrier member.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 유체를 공급하는 유체 핸들링 시스템 - 상기 유체 핸들링 시스템은: 제 1 측벽 내의 복수의 유입 홀들 및 제 2 측벽 내의 복수의 유출 홀들을 갖는 챔버를 포함하고, 상기 제 1 측벽은 제 2 측벽과 마주하며, 상기 유입 홀들은 챔버에 유입되는 유체를 복수의 유출 홀들 사이의 제 2 측벽의 영역들을 향하는 방향으로 지향시키도록 구성됨 - 을 포함하는 침지 리소그래피 장치가 제공된다.According to one embodiment of the invention, a fluid handling system for supplying a fluid, the fluid handling system comprising: a chamber having a plurality of inlet holes in a first sidewall and a plurality of outlet holes in a second sidewall, wherein the first A side wall faces the second side wall, wherein the inlet holes are configured to direct fluid entering the chamber in a direction towards the regions of the second side wall between the plurality of outlet holes.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 유체를 공급하는 유체 핸들링 시스템 - 상기 유체 핸들링 시스템은: 유체의 통행을 위해 복수의 스루 홀(through hole)들을 갖는 제 1 플레이트; 및 유체의 통행을 위해 복수의 스루 홀들을 갖는 제 2 플레이트를 포함하고, 제 1 및 제 2 플레이트들은 실질적으로 평행하며, 상기 유체 핸들링 시스템에 의해 공급된 유체는 상기 제 2 플레이트 내의 복수의 스루 홀들을 통과하기 이전에 상기 제 1 플레이트의 복수의 스루 홀들을 통과하도록 구성됨 - 을 포함하는 침지 리소그래피 장치가 제공된다.According to one embodiment of the invention, a fluid handling system for supplying a fluid, said fluid handling system comprising: a first plate having a plurality of through holes for passage of a fluid; And a second plate having a plurality of through holes for passage of the fluid, wherein the first and second plates are substantially parallel, and the fluid supplied by the fluid handling system is arranged in the plurality of through holes in the second plate. An immersion lithographic apparatus is provided that is configured to pass through a plurality of through holes of the first plate prior to passing them.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 유체를 공급하는 유체 핸들링 시스템 - 상기 유체 핸들링 시스템은: 유입구로부터 유출구로의 유동 통로; 및 상기 유동 통로에 존재하는 적어도 2 이상의 유동 배리어들을 포함하고, 각각의 배리어는 유체의 통행을 위해 복수의 스루 홀들을 포함하며, 2 개의 배리어들은 0.2 내지 5 mm 만큼 이격됨 - 을 포함하는 침지 리소그래피 장치가 제공된다.According to one embodiment of the invention, a fluid handling system for supplying a fluid, the fluid handling system comprising: a flow passage from an inlet to an outlet; And at least two flow barriers present in the flow passage, each barrier comprising a plurality of through holes for passage of fluid, the two barriers being spaced apart by 0.2 to 5 mm. An apparatus is provided.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 유체를 공급하는 유체 핸들링 시스템 - 상기 유체 핸들링 시스템은: 제 1 측벽 내의 복수의 유입 홀들 및 제 2 측벽 내의 복수의 유출 홀들을 갖는 챔버를 포함하고, 상기 복수의 유입 홀들은 상기 복수의 유출 홀들보다 더 작은 개구 치수(opening dimension)를 가짐 - 을 포함하는 침지 리소그래피 장치가 제공된다.According to one embodiment of the invention, a fluid handling system for supplying a fluid, the fluid handling system comprising: a chamber having a plurality of inlet holes in a first sidewall and a plurality of outlet holes in a second sidewall, An immersion lithographic apparatus is provided, wherein the inlet holes have a smaller opening dimension than the plurality of outlet holes.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 유입구를 통해 유체를 공급하는 유체 핸들링 시스템 - 상기 유입구는: 서로 마주하는 적어도 2 이상의 이격 플레이트 부재들을 포함하고, 그 각각은 복수의 스루 홀들을 가지며, 유입구를 통한 유체의 유동에 대해 하나의 플레이트 부재의 스루 홀들은 또 다른 플레이트 부재의 스루 홀들과 정렬되지 않음 - 을 포함하는 침지 리소그래피 장치가 제공된다.According to one embodiment of the invention, a fluid handling system for supplying fluid through an inlet, said inlet comprising: at least two or more spaced apart plate members facing each other, each having a plurality of through holes, through the inlet An immersion lithographic apparatus is provided which includes through holes of one plate member not aligned with through holes of another plate member with respect to the flow of fluid.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 투영 시스템 및 기판 및/또는 기판 테이블 사이의 공간에 유입구를 통해 유체를 공급하는 유체 핸들링 시스템 - 상기 유입구는 복수의 개구부들을 포함하고, 상기 유입구는 상기 유입구에 대해 평행한 평면에 대해 실질적으로 수직으로 상기 공간 내에 평활한 유체 유동을 공급하도록 구성되며, 상기 유체 유동의 단면 유속은 실질적으로 균일함 - 을 포함하는 침지 리소그래피 장치가 제공된다.According to one embodiment of the invention, a fluid handling system for supplying fluid through an inlet to a space between a projection system and a substrate and / or a substrate table, the inlet comprising a plurality of openings, the inlet being in relation to the inlet. An immersion lithographic apparatus is provided that is configured to supply a smooth fluid flow in the space substantially perpendicular to a parallel plane, the cross-sectional flow velocity of the fluid flow being substantially uniform.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 투영 시스템 및 기판 및/또는 기판 테이블 사이의 공간에 유입구를 통해 유체를 공급하는 유체 핸들링 시스템 - 상기 유입구는 평면 표면에 배치된 복수의 개구부들을 포함하고, 상기 유입구는 상기 유입구에 대해 평행한 평면에 대해 실질적으로 수직으로 상기 공간 내에 평활한 유체 유동을 공급하도록 구성되며, 상기 유체 유동의 단면 유속은 실질적으로 균일함 - 을 포함하는 침지 리소그래피 장치가 제공된다.According to one embodiment of the invention, a fluid handling system for supplying fluid through an inlet to a space between a projection system and a substrate and / or a substrate table, the inlet comprising a plurality of openings disposed on a planar surface, the inlet Is configured to supply a smooth fluid flow in the space substantially perpendicular to a plane parallel to the inlet, the cross-sectional flow velocity of the fluid flow being substantially uniform.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 디바이스 제조 방법에 제공되고, 상기 방법은: 투영 시스템, 기판 및/또는 기판 테이블, 유체 핸들링 구조체, 및 상기 유체 핸들링 구조체와 상기 기판 및/또는 기판 테이블 사이에서 연장되는 침지 액체의 메니스커스(meniscus) 사이에 정의된 공간 내에 침지 액체를 한정하는 단계 - 상기 투영 시스템은 상기 기판의 타겟부 및 상기 기판을 지지하도록 구성된 상기 기판 테이블에서 이미징 필드 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성됨 - ; 및 상기 투영 시스템 및 상기 기판 및/또는 기판 테이블 사이에 상대 동작을 유도하는 단계를 포함하여, 상기 상대 동작의 방향 변화 시, 상기 기판 및/또는 상기 기판 테이블의 표면상에 형성된 액체 물방울이 이미징 필드의 길이보다 더 긴 길이 방향으로 상기 이미징 필드의 단부에 대해 변위를 갖는다.According to one embodiment of the present invention, there is provided a device manufacturing method, the method comprising: a projection system, a substrate and / or a substrate table, a fluid handling structure, and extending between the fluid handling structure and the substrate and / or substrate table Confining the immersion liquid in a defined space between the meniscus of the immersion liquid being formed, wherein the projection system is patterned onto an imaging field in the substrate table configured to support the target portion of the substrate and the substrate Configured to project a beam; And inducing a relative motion between the projection system and the substrate and / or the substrate table, wherein upon the change in the direction of the relative motion, liquid droplets formed on the surface of the substrate and / or the substrate table are in the imaging field. Has a displacement with respect to the end of the imaging field in the longitudinal direction longer than the length of.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 기판을 지지하는 기판 테이블; 상기 기판의 타겟부, 기판 및/또는 기판 테이블에서 패터닝된 방사선 빔을 이미징 필드 상으로 투영하는 투영 시스템과, 사용 시 유체 핸들링 구조체와 상기 기판 테이블 및/또는 상기 기판 사이에서 연장되는 침지 액체 메니스커스 사이에 정의된 공간 내에 침지 액체를 한정하도록 구성되고 배치된 유체 핸들링 구조체; 및 상기 투영 시스템과 상기 기판 및/또는 기판 테이블 사이에 상대 동작을 유도하도록 구성된 액추에이터를 포함하여, 상기 상대 동작의 방향 변화 시, 상기 기판 및/또는 상기 기판 테이블 표면상의 액체 물방울은 상기 이미징 필드의 길이보다 더 긴 길이 방향으로 상기 이미징 필드의 단부에 대해 변위를 갖는 침지 리소그래피 장치가 제공된다.According to one embodiment of the invention, a substrate table for supporting a substrate; A projection system for projecting a patterned radiation beam onto an imaging field at a target portion of the substrate, a substrate and / or a substrate table, and an immersion liquid menis extending between the fluid handling structure and the substrate table and / or the substrate in use A fluid handling structure constructed and arranged to confine the immersion liquid within a space defined between the cursors; And an actuator configured to induce a relative motion between the projection system and the substrate and / or the substrate table, such that when the direction of the relative motion changes, liquid droplets on the substrate and / or the substrate table surface may cause An immersion lithographic apparatus is provided having a displacement with respect to the end of the imaging field in the longitudinal direction longer than the length.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는:Figure 1 schematically depicts a lithographic apparatus according to an embodiment of the invention. The device is:

- 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL);An illumination system (illuminator) IL configured to condition the radiation beam B (eg UV radiation or DUV radiation);

- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);A support structure (eg mask) configured to support the patterning device (eg mask) MA and connected to a first positioner PM configured to accurately position the patterning device according to certain parameters. Table) (MT);

- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및A substrate table (e.g., connected to a second positioner PW, configured to hold a substrate (e.g. a resist-coated wafer) W, and configured to accurately position the substrate according to certain parameters. Wafer table) (WT); And

- 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.A projection system (e.g., a projection system) configured to project a pattern imparted to the radiation beam B by a patterning device MA onto a target portion C (e.g. comprising one or more dies) For example, a refractive projection lens system (PS).

조명 시스템은 방사선을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 타입들의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.The lighting system may include various types of optical components, such as refractive, reflective, magnetic, electromagnetic, electrostatic or other types of optical components, or any combination thereof, to direct, shape, or control the radiation. have.

지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건 들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체(MT)는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.The support structure MT holds the patterning device in a manner that depends on the orientation of the patterning device, the design of the lithographic apparatus, and other conditions, such as for example whether the patterning device is maintained in a vacuum environment. The support structure MT may utilize mechanical, vacuum, electrostatic, or other clamping techniques to hold the patterning device. The support structure MT may be, for example, a frame or a table, which may be fixed or movable as required. The support structure can ensure that the patterning device is in a desired position, for example with respect to the projection system. Any use of the terms "reticle" or "mask" herein may be considered synonymous with the more general term "patterning device".

본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.As used herein, the term “patterning device” should be broadly interpreted to refer to any device that can be used to impart a pattern to a cross section of a radiation beam in order to create a pattern in a target portion of a substrate. The pattern imparted to the radiation beam may be precisely matched to the desired pattern in the target portion of the substrate, for example when the pattern comprises phase-shifting features or so-called assist features . Generally, the pattern imparted to the radiation beam will correspond to a particular functional layer in the device to be created in the target portion, such as an integrated circuit.

패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.The patterning device can be transmissive or reflective. Examples of patterning devices include masks, programmable mirror arrays, and programmable LCD panels. Masks are well known in the lithography art and include various hybrid mask types, as well as mask types such as binary, alternating phase-shift, and attenuated phase-shift. One example of a programmable mirror array employs a matrix configuration of small mirrors, each of which can be individually tilted to reflect the incident radiation beam in a different direction. Inclined mirrors impart a pattern to the beam of radiation reflected by the mirror matrix.

본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.The term "projection system " used herein should be broadly interpreted as encompassing any type of projection system, including refractive, reflective, catadioptric, catadioptric, catadioptric, But should be broadly interpreted as including any type of projection system, including magnetic, electromagnetic and electrostatic optical systems, or any combination thereof. Any use of the term “projection lens” herein may be considered as synonymous with the more general term “projection system”.

본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.As shown herein, the apparatus is of a transmissive type (e.g. employing a transmissive mask). Alternatively, the apparatus may be of a reflective type (e.g., employing a programmable mirror array of the type as mentioned above, or employing a reflective mask).

리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 패터닝 디바이스 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.The lithographic apparatus may be of a type having two (dual stage) or more substrate tables (and / or two or more patterning device tables). In such "multiple stage" machines additional tables may be used in parallel, or preparatory steps may be carried out on one or more tables while one or more tables are being used for exposure.

도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.Referring to FIG. 1, the illuminator IL receives a radiation beam from a radiation source SO. For example, where the source is an excimer laser, the source and the lithographic apparatus may be separate entities. In this case, the source is not considered to form part of the lithographic apparatus, and the radiation beam is, for example, with the aid of a beam delivery system (BD) comprising a suitable directing mirror and / or beam expander, Passed from source SO to illuminator IL. In other cases, for example, where the source is a mercury lamp, the source may be an integral part of the lithographic apparatus. The source SO and the illuminator IL may be referred to as a radiation system together with a beam delivery system BD if necessary.

상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.The illuminator IL may comprise an adjuster AD for adjusting the angular intensity distribution of the radiation beam. In general, at least the outer and / or inner radial extent (commonly referred to as -outer and -inner, respectively) of the intensity distribution in the pupil plane of the illuminator can be adjusted. In addition, the illuminator IL may include various other components, such as an integrator IN and a condenser CO. The illuminator can be used to condition the radiation beam to have the desired uniformity and intensity distribution in the cross section of the radiation beam.

상기 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 패터닝 디바이스(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니 어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 (도 1에 명확히 도시되지 않은) 또 다른 위치 센서는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 지지 구조체(MT)는 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들이 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다). 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 패터닝 디바이스 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.The radiation beam B is incident on the patterning device (eg mask) MA, which is held on the support structure (eg mask table) MT, and is patterned by the patterning device. Once the patterning device MA has been crossed, the radiation beam B passes through the projection system PS to focus the beam on the target portion C of the substrate W. With the aid of the second positioner PW and the position sensor IF (eg interferometer device, liner encoder or capacitive sensor), the substrate table WT is for example the path of the radiation beam B. It can be moved precisely to position different target portions C in it. Similarly, the first positioner PM and another position sensor (not explicitly shown in FIG. 1) may be used to detect the position of the radiation source, e.g., after mechanical retrieval from a mask library, Can be used to accurately position the patterning device MA with respect to the path of the beam B. [ In general, the movement of the support structure MT may be realized with the aid of a long-stroke module and a short-stroke module, 1 positioner PM. Similarly, the movement of the substrate table WT can be realized using a long-stroke module and a short-stroke module, which form part of the second positioner PW. In the case of a stepper (as opposed to a scanner), the support structure MT may be connected or fixed only to the short-stroke actuators. The patterning device MA and the substrate W may be aligned using patterning device alignment marks M1 and M2 and substrate alignment marks P1 and P2. Although the illustrated substrate alignment marks occupy dedicated target portions, they may be located in the spaces between the target portions (these are known as scribe-lane alignment marks). Similarly, in situations where more than one die is provided on the patterning device MA, the patterning device alignment marks may be located between the dies.

도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 1 이상에서 사용될 수 있다:The depicted apparatus may be used in at least one of the following modes:

1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.1. In the step mode, the support structure MT and the substrate table WT remain essentially stationary, while the entire pattern imparted to the radiation beam is projected onto the target portion C at once (ie, a single static Single static exposure]. Thereafter, the substrate table WT is shifted in the X and / or Y direction so that different target portions C can be exposed. In step mode, the maximum size of the exposure field limits the size of the target portion C imaged during a single static exposure.

2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.2. In the scan mode, the support structure MT and the substrate table WT are scanned synchronously while the pattern imparted to the radiation beam is projected onto the target portion C (ie, a single dynamic exposure). )]. The speed and direction of the substrate table WT relative to the support structure MT may be determined by the magnification (image reduction) and image reversal characteristics of the projection system PS. In the scan mode, the maximum size of the exposure field limits the width (in the unscanned direction) of the target portion during a single dynamic exposure, while the length of the scanning operation determines the height (in the scanning direction) of the target portion.

3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이 하게 적용될 수 있다.3. In another mode, the support structure MT is kept essentially stationary holding a programmable patterning device, while the pattern imparted to the radiation beam is projected onto a target portion C while the substrate table WT Is moved or scanned. In this mode, a pulsed radiation source is generally employed, and the programmable patterning device is updated as needed after each movement of the substrate table WT, or between successive radiation pulses during a scan . This mode of operation can be readily applied to maskless lithography using a programmable patterning device, such as a programmable mirror array of a type as mentioned above.

또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.Combinations and / or variations on the above described modes of use, or entirely different modes of use, may also be employed.

투영 시스템(PS)의 최종 요소와 기판 사이에 액체를 제공하는 구성들은 2 개의 일반적인 카테고리들로 분류될 수 있다. 이들은, 기판(W)의 전체와, 선택적으로는 기판 테이블(WT)의 일부분이 액체 배스 내에 담가지는 배스 타입 구성과; 소위 액체가 실질적으로 기판의 국부화된 영역에만 제공되는 국부화된 침지 시스템이다. 후자의 카테고리에서, 액체에 의해 채워진 공간은 평면도에서 기판의 최상부 표면보다 작으며, 액체로 채워진 영역은 투영 시스템(PS)에 대해 정지한 상태로 유지되는 한편, 기판(W)은 상기 영역 밑으로 이동한다. 본 발명의 일 실시예가 주로 목적으로 하는 또 다른 구성은, 액체가 한정되지 않은 완전 습윤 용액이다. 이 구성에서, 기판의 전체 최상부 표면, 및 기판 테이블의 전체 또는 일부분은 침지 액체로 덮인다. 기판을 전체적으로 또는 부분적으로 덮는 액체의 깊이는 짧다. 상기 액체는 기판 상의 액체의 막, 예컨대 박막일 수 있다. 또한, 도 2 내지 도 5의 액체 공급 디바이스들 중 어느 것에서도 이러한 시스템에서 사용될 수 있다; 하지만, 그들의 시일링 특성들이 존재하지 않거나, 활성화되지 않거나, 정상만큼 효율적이지 않거나, 아니면 국부화된 영역에 대해 액체를 시일링하는데 비효율적이다. 4 개의 상이한 타입의 국부화된 액체 공급 시스템들, 액체 핸들링 시스템들, 액체 한정 시스템들이 도 2 내지 도 5에 도시된다. 도 2 내지 도 4에 개시된 액체 공급 시스템들은 전반부에 이미 설명되었다.Configurations that provide liquid between the final element of the projection system PS and the substrate can be classified into two general categories. These include a bath type configuration in which the entirety of the substrate W and optionally a portion of the substrate table WT are immersed in a liquid bath; A so-called localized immersion system in which a liquid is provided substantially only in the localized area of the substrate. In the latter category, the space filled by the liquid is smaller than the top surface of the substrate in plan view, and the liquid filled area remains stationary relative to the projection system PS, while the substrate W is below the area. Move. Another configuration primarily aimed at by one embodiment of the present invention is a complete wet solution with no liquid limitation. In this configuration, the entire top surface of the substrate and all or a portion of the substrate table are covered with immersion liquid. The depth of the liquid which covers the substrate in whole or in part is short. The liquid may be a film of liquid, such as a thin film, on a substrate. In addition, any of the liquid supply devices of FIGS. 2-5 can be used in such a system; However, their sealing properties are not present, are not activated, are not as efficient as normal, or are inefficient for sealing liquids over localized areas. Four different types of localized liquid supply systems, liquid handling systems, and liquid confinement systems are shown in FIGS. The liquid supply systems disclosed in FIGS. 2-4 have already been described in the first half.

도 5는 투영 시스템의 최종 요소와 기판 테이블(WT) 또는 기판(W) 사이의 공간 경계의 전체 또는 일부분을 따라 연장되는 배리어 부재(12)를 갖는 국부화된 액체 공급 시스템을 개략적으로 도시한다. (다음의 설명에서 기판(W)의 표면에 관한 언급은, 다른 곳에 특별히 언급되지 않는다면, 추가적으로 또는 대안적으로 기판 테이블의 표면을 언급한다.) 배리어 부재(12)는 Z 방향(광학 축선의 방향)으로 약간의 상대 이동이 있을 수 있지만, XY 평면에서는 투영 시스템에 대해 실질적으로 정지해 있다. 일 실시예에서, 배리어 부재와 기판(W)의 표면 사이에 시일이 형성되며, 가스 시일 또는 유체 시일과 같은 무접촉 시일일 수 있다.5 schematically illustrates a localized liquid supply system having a barrier member 12 extending along all or a portion of the spatial boundary between the final element of the projection system and the substrate table WT or substrate W. As shown in FIG. (In the following description, reference is made to the surface of the substrate W in addition or alternatively to the surface of the substrate table, unless specifically noted elsewhere.) The barrier member 12 is in the Z direction (the direction of the optical axis). There may be some relative movement in), but is substantially stationary with respect to the projection system in the XY plane. In one embodiment, a seal is formed between the barrier member and the surface of the substrate W and may be a contactless seal such as a gas seal or a fluid seal.

배리어 부재(12)는 전체적으로 또는 부분적으로 투영 시스템(PL)의 최종 요소와 기판(W) 사이의 공간(11)에 액체를 포함한다. 기판(W)에 대한 무접촉 시일(16)은, 기판(W) 표면과 투영 시스템(PL)의 최종 요소 사이의 공간 내에 액체가 한정되도록 투영 시스템의 이미지 필드 주위에 형성될 수 있다. 상기 공간은 투영 시스템(PL)의 최종 요소 아래에, 그리고 그것을 둘러싸서 위치된 배리어 부재(12)에 의해 전체 또는 부분적으로 형성된다. 액체 유입구(13)에 의해 투영 시스템 밑의 공간 및 배리어 부재(12) 내의 공간으로 액체가 유입된다. 상기 액체는 액체 유출구(13)에 의해 제거될 수 있다. 배리어 부재(12)는 투영 시스템의 최종 요소 위로 약간 연장될 수 있다. 액체 레벨이 상기 최종 요소 위로 솟아올라 액체의 버퍼(buffer)가 제공된다. 일 실시예에서, 배리어 부재(12)는 상단부에서 투영 시스템 또는 그 최종 요소의 형상에 꼭 일치하고(conform), 예를 들어 원형일 수 있는 내부 주변부(inner periphery)를 갖는다. 저부에서, 내부 주변부는 이미지 필드의 형상, 예를 들어 직사각형에 꼭 일치하지만, 반드시 이와 같을 필요는 없다.The barrier member 12 comprises liquid in the space 11 between the final element of the projection system PL and the substrate W, in whole or in part. The contactless seal 16 to the substrate W may be formed around the image field of the projection system such that the liquid is confined in the space between the substrate W surface and the final element of the projection system PL. The space is formed in whole or in part by a barrier member 12 positioned below and surrounding the final element of the projection system PL. Liquid is introduced into the space under the projection system and into the space within the barrier member 12 by the liquid inlet 13. The liquid can be removed by the liquid outlet 13. The barrier member 12 may extend slightly above the final element of the projection system. The liquid level rises above the final element to provide a buffer of liquid. In one embodiment, the barrier member 12 has an inner periphery that conforms to the shape of the projection system or its final element at the top and may be circular, for example. At the bottom, the inner periphery fits exactly in the shape of the image field, for example a rectangle, but need not be so.

사용시, 배리어 부재(12)의 저부와 기판(W)의 표면 사이에 형성되는 가스 시일(16)에 의해 액체가 공간(11) 내에 포함된다. 가스 시일은 가스, 예를 들어 공기 또는 합성 공기(synthetic air)에 의해 형성되지만, 일 실시예에서는 N2 또는 또 다른 비활성 기체에 의해 형성된다. 가스 시일 내의 가스는 압력 하에서 유입구(15)를 통해 배리어 부재(12)와 기판(W) 사이의 갭(gap)에 제공된다. 상기 가스는 유출구(14)를 통해 추출된다. 가스 유입구(15) 상의 과압력(overpressure), 유출구(14) 상의 진공 레벨, 및 갭의 지오메트리(geometry)는 안쪽에 액체를 한정시키는 고속의 가스 유동이 존재하도록 배치된다. 배리어 부재(12)와 기판(W) 사이의 액체 상의 가스의 힘은 공간(11) 내에 액체를 수용한다. 상기 유입구/유출구는 공간(11)을 둘러싸는 환형의 홈들일 수 있다. 상기 환형의 홈들은 연속적이거나 불연속적일 수 있다. 가스(16)의 흐름은 공간(11) 내에 액체를 포함하는데 효과적이다. 이러한 시스템은 미국 특허 출원 공보 제 US 2004-0207824호에 개시되어 있다.In use, liquid is contained in the space 11 by a gas seal 16 formed between the bottom of the barrier member 12 and the surface of the substrate W. As shown in FIG. The gas seal is formed by a gas, for example air or synthetic air, but in one embodiment is formed by N 2 or another inert gas. The gas in the gas seal is provided under pressure to the gap between the barrier member 12 and the substrate W through the inlet 15. The gas is extracted through the outlet 14. The overpressure on the gas inlet 15, the vacuum level on the outlet 14, and the geometry of the gap are arranged such that there is a high velocity gas flow that confines the liquid therein. The force of the gas on the liquid between the barrier member 12 and the substrate W receives the liquid in the space 11. The inlet / outlet may be annular grooves surrounding the space 11. The annular grooves may be continuous or discontinuous. The flow of gas 16 is effective to contain the liquid in the space 11. Such a system is disclosed in US Patent Application Publication No. US 2004-0207824.

다른 구성들이 가능할 수 있으며, 아래의 설명으로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 실시예는 액체 공급 시스템으로서 여하한의 타입의 국부화된 액체 공급 시스템을 사용할 수 있다.Other configurations may be possible, and as can be seen from the description below, embodiments of the present invention may use any type of localized liquid supply system as the liquid supply system.

1 이상의 국부화된 액체 공급 시스템들은 기판(W)과 액체 공급 시스템의 일부분 사이를 시일링한다. 상기 기판(W)과 액체 공급 시스템의 일부분의 상대 이동 은 시일의 파괴를 초래할 수 있으며, 이에 따라 액체의 누설을 유발할 수 있다. 이러한 문제는 높은 스캔 속도에서 더 두드러질 수 있다. 증가된 스캔 속도는 스루풋이 증착하기 때문에 바람직할 수 있다.One or more localized liquid supply systems seal between the substrate W and a portion of the liquid supply system. Relative movement of the substrate W and a portion of the liquid supply system may result in the destruction of the seal, thus causing leakage of the liquid. This problem may be more pronounced at high scan rates. Increased scan speed may be desirable because throughput deposits.

도 6은 액체 공급 시스템의 일부분인 배리어 부재(12)를 도시한다. 상기 배리어 부재(12)는 투영 시스템(PS)의 최종 요소의 외주(예를 들어, 주변) 주위로 연장되므로, (때때로, 시일 부재라고도 하는) 배리어 부재는, 예를 들어 실질적으로 전체 형상이 고리형이다. 투영 시스템(PS)은 원형이 아닐 수도 있으며, 배리어 부재(12)의 외측 에지 또한 원형이 아닐 수 있으므로, 배리어 부재가 반드시 링 형상일 필요는 없다. 또한, 투영 빔이 투영 시스템(PS)의 최종 요소로부터 통과할 수 있는 개구부를 갖는다면, 상기 배리어는 다른 형상일 수 있다. 상기 개구부는 중심에 위치될 수 있다. 따라서, 노광 시, 투영 빔은 기판(W) 상에 그리고 배리어 부재의 개구부에 포함된 액체를 통과할 수 있다. 배리어 부재(12)는, 예를 들어 실질적으로 직사각형일 수 있으며, 투영 시스템(PS)의 최종 요소가 배리어 부재(12)의 높이에 있다면, 반드시 동일한 형상일 필요는 없다.6 shows a barrier member 12 that is part of a liquid supply system. Since the barrier member 12 extends around the outer periphery (eg, the periphery) of the final element of the projection system PS, the barrier member (sometimes also referred to as the seal member) is, for example, substantially circular in shape. Brother. The projection system PS may not be circular, and the outer edge of the barrier member 12 may also not be circular, so the barrier member does not necessarily have to be ring-shaped. Also, if the projection beam has an opening through which it can pass from the final element of the projection system PS, the barrier can be of another shape. The opening may be centrally located. Thus, during exposure, the projection beam can pass through the liquid contained on the substrate W and in the opening of the barrier member. The barrier member 12 may be substantially rectangular, for example, and need not necessarily be the same shape if the final element of the projection system PS is at the height of the barrier member 12.

배리어 부재(12)의 기능은, 투영 빔이 액체를 통과할 수 있도록, 전체적으로 또는 부분적으로 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이의 공간에 액체를 유지하거나 한정하는 것이다. 최고 액체 레벨은 단순히 배리어 부재(12)의 존재에 의해 수용되며, 상기 공간 내의 액체 레벨은 배리어 부재(12)의 최상부 상으로 액체가 넘치지 않도록 유지된다.The function of the barrier member 12 is to retain or confine the liquid in the space between the projection system PS and the substrate W, in whole or in part, so that the projection beam can pass through the liquid. The highest liquid level is simply received by the presence of the barrier member 12, and the liquid level in the space is maintained so that no liquid overflows on top of the barrier member 12.

침지 액체는 배리어 부재(12)에 의해 공간(11)에 제공된다. 침지 액체에 대 한 통로 또는 유동경로가 배리어 부재(12)를 통과한다. 상기 유동경로의 일부분은 챔버(26)로 구성된다. 상기 챔버(26)는 2 개의 측벽들(28, 22)을 갖는다. 액체는 제 1 측벽(28)을 통과한 후, 제 2 측벽(22)을 통해 공간(11)으로 유동한다. 복수의 유출구들(20)이 상기 공간(11)에 액체를 제공한다. 상기 액체는 상기 공간(11)에 들어가기 이전에 플레이트(28, 22) 내의 스루 홀들(29, 20)을 통해 각각 통과한다. 스루 홀들(20, 29)의 위치는 무작위적일 수 있다. 아래에 설명되는 바와 같이, 본 발명의 일 실시예는 챔버(26)에 대한 플레이트들 또는 측벽들(28, 22) 내의 스루 홀들(20, 29)의 최적 구성에 관한 것이다. 아래에서는, 측벽들(22, 28) 및 스루 홀들(20, 29)의 최적 구성을 설명하기 이전에, 배리어 부재(12)의 다른 구성요소들의 설명이 주어질 것이다. 다른 구성들이 가능하다는 것을 이해할 것이다.Immersion liquid is provided in the space 11 by the barrier member 12. A passage or flow path for the immersion liquid passes through the barrier member 12. A portion of the flow path consists of a chamber 26. The chamber 26 has two side walls 28, 22. The liquid passes through the first sidewall 28 and then flows through the second sidewall 22 into the space 11. A plurality of outlets 20 provides liquid to the space 11. The liquid passes through the through holes 29, 20 in the plates 28, 22, respectively, before entering the space 11. The position of the through holes 20, 29 may be random. As described below, one embodiment of the present invention relates to the optimal configuration of through holes 20, 29 in plates or sidewalls 28, 22 for chamber 26. In the following, a description will be given of other components of the barrier member 12 before describing the optimal configuration of the side walls 22, 28 and the through holes 20, 29. It will be appreciated that other configurations are possible.

배리어 부재(12)의 저부와 기판(W) 사이에 시일이 제공된다. 도 6에서는, 시일 디바이스가 무접촉 시일을 제공하도록 구성되며, 몇몇 구성요소들로 이루어져 있다. 투영 시스템(PS)의 광학 축선으로부터 반경 방향 바깥쪽으로, 상기 공간에 걸쳐 유출구(20)로부터 침지 액체의 실질적으로 평행한 유동을 유지하도록 돕는, (투영 빔의 경로 안쪽이 아닌) 상기 공간 안으로 연장된 (선택적인) 유동 플레이트(50)가 존재한다. 유동 제어 플레이트는, 투영 시스템(PS) 및/또는 기판(W)에 대해 배리어 부재(12)의 광학 축선 방향으로의 이동에 대한 저항을 감소시키도록 그 안에 스루 홀들(55)을 갖는다.A seal is provided between the bottom of the barrier member 12 and the substrate W. As shown in FIG. In FIG. 6, the seal device is configured to provide a contactless seal and consists of several components. Extending into the space (not inside the path of the projection beam) to help maintain a substantially parallel flow of immersion liquid from the outlet 20 over the space, radially outward from the optical axis of the projection system PS. There is (optional) flow plate 50. The flow control plate has through holes 55 therein to reduce resistance to movement in the optical axis direction of the barrier member 12 with respect to the projection system PS and / or the substrate W. As shown in FIG.

배리어 부재(12)의 저부 표면상의 유동 제어 플레이트(50)의 반경 방향 바깥쪽으로, 배리어 부재(12)와 기판(W) 및/또는 기판 테이블(WT) 사이로부터 액체를 추출하는 추출기 조립체(70)가 존재할 수 있다. 상기 추출기(70)는 아래에 더 자세히 설명될 것이며, 배리어 부재(12)와 기판(W) 사이에 생성된 무접촉 시일의 일부분을 형성한다. 상기 추출기는 단-상(single phase) 또는 2-상(dual phase) 추출기로서 작동할 수 있다.Extractor assembly 70 for extracting liquid from the barrier member 12 and the substrate W and / or substrate table WT radially outward of the flow control plate 50 on the bottom surface of the barrier member 12. May be present. The extractor 70 will be described in more detail below, forming a portion of the contactless seal created between the barrier member 12 and the substrate W. As shown in FIG. The extractor can operate as a single phase or dual phase extractor.

추출기 조립체(70)의 반경 방향 바깥쪽으로 후퇴부(80)가 존재할 수 있다. 상기 후퇴부는 유입구(82)를 통해 대기에 연결된다. 상기 후퇴부는 유출구(84)를 통해 저압력원에 연결된다. 후퇴부(80)의 반경 방향 바깥쪽으로 가스 나이프(90)가 존재할 수 있다. 추출기, 후퇴부 및 가스 나이프의 구성은 미국 특허 출원 공보 제 US 2006/0158627에 자세히 개시되어 있다. 하지만, 상기 문서에서 추출기 조립체의 구성은 상이하다.There may be a recess 80 radially outward of the extractor assembly 70. The recess is connected to the atmosphere via an inlet 82. The recess is connected to the low pressure source via an outlet 84. There may be a gas knife 90 radially outward of the recess 80. The construction of the extractor, the recess and the gas knife are described in detail in US patent application publication no. US 2006/0158627. However, the configuration of the extractor assembly in this document is different.

추출기 조립체(70)는 본 명세서에서 그 전문이 인용 참조 되는 미국 특허 출원 공보 제 US 2006-0038968호에 개시된 것과 같은 액체 제거 디바이스 또는 추출기 또는 유입구를 포함한다. 여하한의 타입의 액체 추출기가 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 액체 제거 디바이스(70)는 단일 액상(single-liquid phase) 액체 추출을 가능하게 하기 위해 액체를 가스로부터 분리하는데 사용되는 다공성 물질(110)로 덮인 유입구를 포함한다. 다공성 물질(110) 하류의 챔버(120)는 다소 언더 프레셔로 유지되며, 액체로 채워진다. 상기 챔버(120)의 언더 프레셔로 인해, 다공성 물질의 홀 내에 형성된 메니스커스들은 주위 가스가 액체 제거 디바이스(70)의 챔버(120) 안쪽으로 끌어 당겨지는 것을 방지한다. 하지만, 다공성 표면(110)이 액체와 접촉할 때, 유동을 제한하는 메니스커스가 존재하지 않으며, 액체는 액체 제거 디바이스(100)의 챔버(120) 안쪽으로 자유롭게 유동할 수 있다. 다공성 표면(110)은 배리어 부재(12)를 따라(또한, 상기 공간 주위에서) 반경 방향 안쪽으로 연장된다. 다공성 표면(110)을 통한 추출 속도는, 대부분의 다공성 물질(110)이 어떤 방식으로 액체에 의해 덮이는 지에 따라 변동한다.Extractor assembly 70 includes a liquid removal device or extractor or inlet as disclosed in US Patent Application Publication No. US 2006-0038968, which is incorporated by reference in its entirety herein. Any type of liquid extractor can be used. In one embodiment, the liquid removal device 70 includes an inlet covered with a porous material 110 that is used to separate the liquid from the gas to enable single-liquid phase liquid extraction. Chamber 120 downstream of porous material 110 remains somewhat under pressure and is filled with liquid. Due to the under pressure of the chamber 120, the meniscus formed in the hole of the porous material prevents the surrounding gas from being drawn into the chamber 120 of the liquid removal device 70. However, when the porous surface 110 is in contact with the liquid, there is no meniscus that restricts the flow, and the liquid can flow freely into the chamber 120 of the liquid removal device 100. The porous surface 110 extends radially inward along the barrier member 12 (also around the space). The rate of extraction through the porous surface 110 varies depending on how most of the porous material 110 is covered by the liquid.

기판(W)의 스캐닝 동안에(기판이 배리어 부재(12)와 투영 시스템(PS) 아래로 이동하는 동안에), 기판(W)과 배리어 부재(12) 사이에서 연장되는 메니스커스(320)는 이동하는 기판에 의해 인가된 끄는 힘(drag force)에 의해 광학 축선 쪽으로 또는 그로부터 멀리 끌어 당겨질 수 있다. 이는 액체 손실을 초래할 수 있으며, 이로 인해: 앞서 설명된 바와 같이 액체의 증발, 기판의 냉각, 결과적인 수축 그리고 오버레이 오차가 유도될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 액체 물방울들과 레지스트 광화학제(resist photochemistry) 사이의 상호작용으로부터 이후 액체 얼룩이 남게 될 수 있다.During scanning of the substrate W (while the substrate is moving below the barrier member 12 and the projection system PS), the meniscus 320 extending between the substrate W and the barrier member 12 is moved. Can be pulled towards or away from the optical axis by a drag force applied by the substrate. This can lead to liquid loss, which can lead to: evaporation of the liquid, cooling of the substrate, consequent shrinkage and overlay errors as described above. Additionally or alternatively, liquid stains can then be left behind from the interaction between the liquid droplets and the resist photochemistry.

다공성 물질(110)은 다수의 작은 홀들을 갖고, 그 각각은 5 내지 50 ㎛ 범위의 치수, 예를 들어 직경과 같은 폭 dhole을 가지며; 액체가 제어되어야 하는 표면, 예를 들어 기판(W)의 표면 위에서 50 내지 300 ㎛의 범위의 높이로 유지된다. 일 실시예에서, 다공성 물질(110)은 적어도 약간의 친수성을 가지며, 부연하면 침지 액체, 예를 들어 물에 대해 90°미만의 접촉 각도를 갖는다.Porous material 110 has a number of small holes, each having dimensions in the range of 5-50 μm, for example width d holes , such as diameter; The liquid is maintained at a height in the range of 50 to 300 μm above the surface to be controlled, for example the surface of the substrate W. In one embodiment, the porous material 110 has at least some hydrophilicity, more specifically, a contact angle of less than 90 ° relative to the immersion liquid, for example water.

가스가 액체 제거 디바이스 안으로 끌어 당겨지는 것이 항상 가능하지 않을 수도 있지만, 다공성 물질(110)은 진동을 유발할 수 있는 불규칙한 큰 유동을 방지 할 것이다. 전기 주조(electroforming), 광에칭(photoetching) 및/또는 레이저 커팅에 의해 만들어진 마이크로-시브(micro-sieve)들이 다공성 물질(110)로서 사용될 수 있다. 네덜란드의 Eerbeek의 Stork Veco B.V.가 만든 시브들이 적절하다. 다공 크기가 사용 시 겪게 될 압력 차동(pressure differential)을 갖는 메니스커스를 유지하는데 적절하다면, 다공성 물질로 된 여타의 다공성 플레이트들 또는 고체 블록들도 사용될 수 있다.Although it may not always be possible for the gas to be drawn into the liquid removal device, the porous material 110 will prevent large irregular flows that can cause vibration. Micro-sieves made by electroforming, photoetching and / or laser cutting may be used as the porous material 110. Sieves made by Stork Veco B.V. of Eerbeek in the Netherlands are relevant. Other porous plates or solid blocks of porous material may also be used if the pore size is appropriate to maintain a meniscus with a pressure differential that will be encountered in use.

도 6에 구체적으로 도시되어 있지는 않지만, 액체 공급 시스템은 액체 레벨의 변동을 취급하는 구성부를 갖는다. 이는, 투영 시스템(PS)과 배리어 부재(12) 사이에 축척(build up)된 액체가 취급될 수 있고 넘치지(spill) 않게 한다. 이러한 액체의 축척은 아래에 설명된 투영 시스템(PS)에 대한 배리어 부재(12)의 상대 이동 시에 발생할 수 있다. 이러한 액체를 취급하는 한가지 방법은, 배리어 부재(12)를 제공하는 것이며, 이는 투영 시스템(PS)에 대한 배리어 부재(12)의 이동 시에 배리어 부재(12)의 외주(예를 들어, 주변)에 걸쳐 거의 어떠한 압력 구배(pressure gradient)도 존재하지 않도록 매우 크다. 대안적인 또는 추가적인 구성에서, 예를 들어 추출기(70)와 유사한 단-상 추출기와 같은 추출기를 이용하여 배리어 부재(12)의 최상부로부터 액체가 제거될 수 있다. 대안적인 또는 추가적인 특성은 액체-불화성(liquidphobic) 또는 소수성 코팅이다. 상기 코팅은 개구부를 둘러싸는 배리어 부재(12)의 최상부 주위에 및/또는 투영 시스템(PS)의 마지막 광학 요소 주위에 대역을 형성할 수 있다. 상기 코팅은 투영 시스템의 광학 축선 반경 방향 바깥쪽에 존재할 수 있다. 액체-불화성 또는 소수성 코팅은 상기 공간 내 에 침지 액체를 유지하는데 도움을 준다.Although not specifically shown in FIG. 6, the liquid supply system has a component that handles variations in liquid level. This ensures that the liquid build up between the projection system PS and the barrier member 12 can be handled and spilled. This accumulation of liquid may occur upon relative movement of the barrier member 12 with respect to the projection system PS described below. One way of handling this liquid is to provide a barrier member 12, which is the outer circumference (eg, peripheral) of the barrier member 12 upon movement of the barrier member 12 relative to the projection system PS. It is so large that there is almost no pressure gradient over it. In alternative or additional configurations, liquid may be removed from the top of the barrier member 12 using, for example, an extractor such as a single-phase extractor similar to the extractor 70. Alternative or additional properties are liquid-phobic or hydrophobic coatings. The coating may form a band around the top of the barrier member 12 surrounding the opening and / or around the last optical element of the projection system PS. The coating may be present on the optical axis radially outward of the projection system. Liquid-fluorinable or hydrophobic coatings help to keep the immersion liquid in the space.

국부화된 영역 액체 공급 시스템이 갖는 난제는, 모든 침지 액체를 수용하기 어렵다는 것이다. 따라서, 기판이 투영 시스템 밑으로 이동할 때 기판상에 약간의 액체가 남게 되는 것을 회피하기가 어렵다. 액체 손실을 회피하기 위해서, 기판이 액체 공급 시스템 밑으로 이동하는 상대 속도는 진행하는 메니스커스에서의 잠재 기포 포획(potential bubble entrapment)으로 인해 제한되어야 한다. 이는 침지 리소그래피 장치 내의 높은 NA 값을 생성할 수 있는 침지 액체를 이용할 때 그러한데, 물보다 더 낮은 표면 장력 및 더 높은 점성을 갖는 경향이 있기 때문이다. 메니스커스의 파괴 속도(breakdown speed)는 점성에 따른 표면 장력과 비례하므로, 높은 NA 액체는 수용하기가 더욱 힘들 수 있다. 기판상의 기판의 소정 영역들에만 액체가 남게 되면, 기판 전반에 걸쳐 온도 변동을 초래할 수 있다. 침지 액체의 증발은 액체가 위치된 기판을 냉각시킨다. 기판의 일부분들 상에 남게 된 침지 액체는 비균질한 냉각과 기판 변형을 유도한다. 오버레이 오차들이 유도될 수도 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 액체는 기판 상의 레지스트 안으로 확산되어, 기판의 최상부 표면의 광화학제의 불일치(inconsistency)를 유도할 수 있다.The difficulty with localized zone liquid supply systems is that it is difficult to accommodate all immersion liquids. Thus, it is difficult to avoid leaving some liquid on the substrate as the substrate moves under the projection system. To avoid liquid loss, the relative speed at which the substrate moves under the liquid supply system must be limited due to potential bubble entrapment in the ongoing meniscus. This is the case when using immersion liquids that can produce high NA values in immersion lithography apparatus, since they tend to have lower surface tension and higher viscosity than water. Since the breakdown speed of the meniscus is proportional to the surface tension along the viscosity, high NA liquids may be more difficult to accommodate. If liquid remains only in certain areas of the substrate on the substrate, it can cause temperature fluctuations throughout the substrate. Evaporation of the immersion liquid cools the substrate on which the liquid is located. Immersion liquid left on portions of the substrate leads to inhomogeneous cooling and substrate deformation. Overlay errors may be derived. Additionally or alternatively, the liquid can diffuse into resist on the substrate, leading to inconsistency of the photochemicals on the top surface of the substrate.

배스 타입(즉, 기판이 액체의 용기 내에 담가지는) 구성은 이러한 문제들 중 대부분을 해결할 수 있으며, 침지 장치의 기판 교체(substrate swap)는 배스 타입 해결책으로는 특히 어려울 수 있다. 이러한 1 이상의 문제, 또는 여기에 언급되지 않은 다른 문제를 해결하는 한가지 방법은, 기판의 전체 최상부 표면이 액체로 덮이는(부연하면, 액체가 기판 및/또는 기판 테이블 상에 한정되지 않는) 소위 완전 습윤 해결책(all wet solution)을 이용하는 것이다. 이러한 타입의 구성은, 예를 들어 2008 년 2 월 19 일에 출워된 미국 가출원 제 US 61/064,126호에 개시되어 있다.Bath type (ie, substrate submerged in a container of liquid) configuration can solve most of these problems, and substrate swapping of the immersion apparatus can be particularly difficult with bath type solutions. One way to solve this one or more problems, or other problems not mentioned here, is the so-called so that the entire top surface of the substrate is covered with liquid (if liquid is not limited to the substrate and / or substrate table). All wet solution is used. This type of configuration is disclosed, for example, in US Provisional Application No. US 61 / 064,126, issued February 19, 2008.

상기의 모든 타입의 구성들은 투영 시스템의 최종 단부와 기판 사이의 공간에 액체를 제공한다. 바람직하게는, 상기 공간을 통한 액체의 유동은 액체를 통과하는 조사 빔의 과도한 영향(undue influence), 예를 들어 빔이 통과하는 액체의 온도를 증가시키는 것을 감소시키거나 회피한다. 본 발명의 일 실시예는, 평활하게, 바람직하게는 층류로 유지하면서, 투영 시스템과 기판 사이의 유속을 증가시키는 것에 관한 것이다. 상기 유동은 평활한 난류(turbulent flow)일 수 있다. 일 실시예에서, 제조 조건(manufacturing issue)들에 대해 더 강건한 유동이 안정하다. 더 높은 재생 속도(refresh rate) 및 온도 안정성 및 시스템 성능이 달성될 수 있다. 그러므로, 본 발명의 일 실시예는 투영 시스템과 기판 및/또는 기판 테이블 사이에 액체를 제공하는 여하한의 구성에 적용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예는, 특히 도 6의 국부화된 영역 액체 공급 시스템에 대해 설명될 것이다. 하지만, 이는 이러한 타입의 적용으로만 제한하려는 것이 아니다.All of the above types of configurations provide liquid to the space between the final end of the projection system and the substrate. Preferably, the flow of liquid through the space reduces or avoids the undue influence of the irradiation beam through the liquid, for example increasing the temperature of the liquid through which the beam passes. One embodiment of the present invention relates to increasing the flow rate between the projection system and the substrate while maintaining a smooth, preferably laminar flow. The flow can be a smooth turbulent flow. In one embodiment, more robust flow is stable for manufacturing issues. Higher refresh rates and temperature stability and system performance can be achieved. Therefore, one embodiment of the present invention can be applied to any configuration that provides liquid between the projection system and the substrate and / or substrate table. One embodiment of the invention will be described in particular with respect to the localized zone liquid supply system of FIG. 6. However, this is not intended to be limited only to this type of application.

평활한, 바람직하게는 층류를 유지하는 추가적인 또는 대안적인 이유는 기포 포획(bubble entrapment)을 회피하는 것이다. 비-평활한 난류는, 예를 들어 배리어 부재(12)와 투영 시스템(PS) 사이의 메니스커스를 방해할 수 있다. 이 메니스커스의 방해는 침지 액체 내에 가스 삽입을 유도할 수 있다. 그 후, 상기 유동은 기포와 같은 이러한 삽입된 가스를 투영 시스템(PS)의 최종 요소와 기판(W) 사이의 공간 안으로 운반한다. 이러한 기포들은 노광 방사선을 굴절시켜, 노광된 패턴 내에 검은 줄(dark stripe)이 생기게 한다. 그러므로, 평활한, 바람직하게는 층류를 유지하는 것이 바람직할 수 있다.An additional or alternative reason for maintaining a smooth, preferably laminar flow is to avoid bubble entrapment. Non-smooth turbulence can, for example, interfere with the meniscus between the barrier member 12 and the projection system PS. This obstruction of the meniscus can lead to gas insertion into the immersion liquid. The flow then carries such an inserted gas, such as a bubble, into the space between the final element of the projection system PS and the substrate W. These bubbles refract the exposure radiation, resulting in dark stripe in the exposed pattern. Therefore, it may be desirable to maintain a smooth, preferably laminar flow.

본 발명의 일 실시예에서, 챔버(26)의 플레이트들(28, 22)로서 형성된 측벽들은 도 7에 예시된 바와 같이 서로 평행하게 배치된다. 즉, 각각의 플레이트(28, 22)의 주요 표면이 실질적으로 평행하고, 더 구체적으로는, 각각의 플레이트의 주요 표면은 평면이며, 이들 평면들은 실질적으로 평행하다. 아래에 설명되는 바와 같이, 이는 일차적으로 2 개의 플레이트들의 정렬을 돕기 위해 행해진다. 더욱이, 일 실시예에서, 플레이트들(28, 22)은 실질적으로 상기 플레이트들(28, 22)의 주요 표면에 대해 실질적으로 수직인 평면에서 공면(co-planar)이다. 더욱이, 투영 시스템(PS)의 광학 축선은 실질적으로 플레이트들(28, 22)의 주요 표면에 대해 실질적으로 수직인 평면에서 플레이트들(28, 22)과 공면일 수 있다.In one embodiment of the invention, the sidewalls formed as plates 28 and 22 of the chamber 26 are arranged parallel to one another as illustrated in FIG. 7. That is, the major surfaces of each plate 28, 22 are substantially parallel, and more specifically, the major surfaces of each plate are planar, and these planes are substantially parallel. As explained below, this is done primarily to help align the two plates. Moreover, in one embodiment, the plates 28, 22 are co-planar in a plane substantially perpendicular to the major surface of the plates 28, 22. Moreover, the optical axis of the projection system PS may be coplanar with the plates 28, 22 in a plane substantially perpendicular to the main surface of the plates 28, 22.

일 실시예에서, 2 개의 플레이트들(28, 22) 내의 스루 홀들(20, 29)은 각각 동일한 2 차원 패턴을 갖는다. 하지만, 상이한 패턴들이 사용될 수 있으며, 불규칙한 패턴, 또는 다르게 이격된 홀들을 갖는 패턴이 사용될 수 있다. 예시된 패턴에서, 홀들은 제 1 수평 행을 따라 바람직하게는 등거리로 이격된다. 홀들은 (상기 제 1 행 위아래에 있는) 인접한 행들을 따라 바람직하게는 등거리로 이격된다. 하지만, 인접한 행들의 홀들은 제 1 행을 따른 홀들에 대해 이상으로(out of phase) 위치된다. 부연하면, 인접한 행들의 홀들은 제 1 행의 홀들 사이에서 수평 방향으로 등거리로 위치된다. 동일한 구성은, 수직 열을 따라 홀들을 이격시키는 것에 대해 설명되는 경우에도 적용한다. 하나의 홀 및 그 둘러싸인 6 개(상기 홀의 4 개의 대각을 따라 위치된 4 개, 그리고 상기 홀의 양면 상에 수평으로 각각 위치된 2 개)의 홀들에 대해 이 패턴을 고려하여, (세장형) 육각 패턴이 설명된다. 상기 홀은 세장형 육각형의 중심에 있으며, 이는 이 방향으로 바라볼 때 수평으로 세장형이다. 또 다른 방식을 고려한다면, 수평으로 위치된 홀들 대신에, 고려된 홀들의 양면에 수직으로 위치된 홀들이 세장형 육각형을 표시하도록 고려될 수 있다. 일 실시예에서, 각각의 플레이트들(22, 28)의 홀 패턴의 간격은 동일하다. 하지만, 제 1 플레이트(28) 내의 홀들(29)의 크기는 제 2 플레이트(22) 내의 홀들(20)의 크기와 동일할 필요는 없다.In one embodiment, the through holes 20, 29 in the two plates 28, 22 each have the same two-dimensional pattern. However, different patterns can be used, and irregular patterns, or patterns with differently spaced holes can be used. In the illustrated pattern, the holes are preferably spaced equidistantly along the first horizontal row. The holes are preferably spaced equidistantly along adjacent rows (above and below the first row). However, holes in adjacent rows are located out of phase with respect to holes along the first row. In other words, the holes of adjacent rows are equidistantly located in the horizontal direction between the holes of the first row. The same configuration applies to the case where it is described to space the holes along the vertical column. Considering this pattern for one hole and its enclosed six holes (four located along the four diagonals of the hole, and two horizontally positioned on both sides of the hole), the (elongate) hexagonal The pattern is described. The hole is at the center of the elongated hexagon, which is horizontally elongated when viewed in this direction. Considering another way, instead of horizontally located holes, holes located perpendicular to both sides of the considered holes may be considered to represent an elongated hexagon. In one embodiment, the spacing of the hole patterns of the respective plates 22, 28 is the same. However, the size of the holes 29 in the first plate 28 need not be the same as the size of the holes 20 in the second plate 22.

제 2 플레이트(22) 상의 압력 강하와 비교하여, 제 1 플레이트(28) 상의 액체 압력 강하가 더 크거나 같은 것이 바람직할 수 있다. 이는 제 1 플레이트(28)의 작용에 의해 유동 비균질성(flow inhomogeneity)이 감소되게 한다. 제 2 플레이트(22)는 비-평활한 난류를 회피하도록 작용한다. 그러므로, 제 1 플레이트(28) 내의 홀들(29)은 제 2 플레이트(22) 내의 홀들(20)과 동일한 크기를 갖거나, 더 작은 폭(예를 들어, 직경)을 갖는다. 2 개의 플레이트들(28, 22)의 분리 간격 (separation)은 영향을 줄 수 있으며, 이는 아래에 더 자세히 설명될 것이다.As compared to the pressure drop on the second plate 22, it may be desirable for the liquid pressure drop on the first plate 28 to be greater than or equal to. This causes the flow inhomogeneity to be reduced by the action of the first plate 28. The second plate 22 acts to avoid non-smooth turbulence. Therefore, the holes 29 in the first plate 28 have the same size as the holes 20 in the second plate 22 or have a smaller width (eg, diameter). The separation of the two plates 28, 22 can be influenced, which will be described in more detail below.

도 8a 및 도 8b는 2 개의 플레이트들(28, 22)과, 특히 상기 플레이트들 내의 홀들(29, 20)이 정렬되는 방식을 도시한다. 도 8a의 도면은 개략적 사시도이다. 도 8b는 스루 홀들(시브들이라고도 칭해질 수 있음)을 갖는 2 개의 플레이트들의 측면도를 예시하는 개략도이다. 도 8b는 제 1 플레이트(28) 내의 홀들(29)의 패턴 이 도시되며, 제 2 플레이트(22)의 홀들(20)의 패턴은 최상부 상에 중첩된다.8a and 8b show how the two plates 28, 22 and in particular the holes 29, 20 in the plates are aligned. 8A is a schematic perspective view. 8B is a schematic diagram illustrating a side view of two plates having through holes (also referred to as sheaves). 8B shows a pattern of holes 29 in the first plate 28, with the pattern of holes 20 in the second plate 22 superimposed on the top.

도 8a는 제 1 플레이트(28) 내의 스루 홀(29)을 통한 액체 유동 방향을 화살표(502)로 도시한다. 알 수 있는 바와 같이, 스루 홀(29)의 정렬로 인해, 액체 유동(502)은 스루 홀(20) 상에서보다는 제 2 플레이트(22)의 표면상의 일 지점(504)에 도달한다. 실제로, 도 8b에 도시된 바람직한 정렬은, 스루 홀(29)을 통한 액체의 유동(502)이 상기 플레이트(22)에 정의된 주변 스루 홀들(20)로부터 등거리인 일 위치(504)에서, 제 2 플레이트(22)의 표면 또는 벽에 도달한다는 것을 의미한다. 그 결과로, 상기 플레이트들(28, 22) 사이의 스루 홀(29)로부터의 액체 유동(502)은 상기 플레이트(22)의 표면과 충돌하여 분기된다. 상기 액체는, 일반적으로 액체 유동(502)에 대해 직각인 또 다른 유동들(503)로 유동한다. 상기 또 다른 유동들(503)은 제 2 플레이트(22)의 표면에 대해 평행할 수 있으며, 제 2 플레이트(22) 내에 정의된 홀들(20) 쪽으로 진행할 수 있다.8A shows the direction of liquid flow through the through hole 29 in the first plate 28 as an arrow 502. As can be seen, due to the alignment of the through holes 29, the liquid flow 502 reaches one point 504 on the surface of the second plate 22 rather than on the through holes 20. Indeed, the preferred alignment shown in FIG. 8B is that at one position 504 where the flow 502 of liquid through the through hole 29 is equidistant from the peripheral through holes 20 defined in the plate 22. 2 means reaching the surface or wall of the plate 22. As a result, the liquid flow 502 from the through hole 29 between the plates 28, 22 impinges on and branches off the surface of the plate 22. The liquid flows into further flows 503, which are generally perpendicular to the liquid flow 502. The further flows 503 may be parallel to the surface of the second plate 22 and may travel towards the holes 20 defined in the second plate 22.

(챔버(26) 내로의 유입 홀들로서 나타낼 수 있는) 제 1 플레이트(28) 내의 스루 홀들(29)은 일 방향(502)으로 챔버(26)에 들어가는 액체를, 제 2 플레이트(22) 내의 복수의 홀들(20) 사이의 제 2 플레이트(22)의 영역들 쪽으로 지향시킨다. 상기 제 2 플레이트(22) 내의 홀들(20)은 투영 시스템과 기판 사이의 공간(11) 내로의 유출 홀들로서 나타낼 수 있다. 상기 제 2 플레이트(22) 내의 홀들(20)은 상기 제 1 플레이트(28) 내의 홀들(29)과 정렬되지 않는다. 상기 제 1 플레이트(28)의 복수의 홀들(29)은, 상기 홀들이 제 2 플레이트(22)의 홀들(20)과 오버랩되지 않도록 정의된다.The through holes 29 in the first plate 28 (which can be represented as inlet holes into the chamber 26) allow liquid to enter the chamber 26 in one direction 502 to receive a plurality of liquids in the second plate 22. Is directed towards the regions of the second plate 22 between the holes 20 in the. The holes 20 in the second plate 22 can be represented as outlet holes into the space 11 between the projection system and the substrate. The holes 20 in the second plate 22 are not aligned with the holes 29 in the first plate 28. The plurality of holes 29 of the first plate 28 are defined such that the holes do not overlap with the holes 20 of the second plate 22.

본 구성은 유입 홀들(29)을 통한 액체의 유동을 분리하는데 효과적이며, 챔버(26)로부터 유출 홀들(20)을 통해 공간(11) 안으로의 결과적인 유동이 이전에 달성된 것보다 더 높을 수 있다는 것을 의미한다. 상기 공간(11) 내로의 결과적인 액체 유동은 평활하고 안정하다. 상기 유동은 층류인 것이 바람직하다. 이를 달성하기 위해서, 제 1 플레이트(28)는 확산 기능에 의해 단면 프로파일 유속 비균질성을 감소시키는 역할을 한다. 화살표(502)로 표시된, 생성된 분사 줄기(jet)는 제 2 플레이트(22)에 대해, 그리고 제 1 플레이트(28)의 평면에 수직인 방향으로 높은 선형 모멘텀(linear momentum)을 갖는다. 액체의 분사 줄기는 제 2 플레이트(22) 표면의 일부분(504)과 상호작용한다. 제 2 플레이트(22)의 일부분(504)은 분사 유동을 분기시켜, 상기 분사 줄기에 대해 직교 방향으로 상기 유동을 재지향시킴으로써 선형 모멘텀의 수직 성분을 감소시킨다. 액체의 벌크 유동(bulk flow)은 제 2 플레이트(22)의 표면에 대해 실질적으로 평행하다. 상기 벌크 유동은 상기 부분(504)으로부터 모든 방향들로 진행한다. 따라서, 홀(20)에 접근하는 액체의 유동은 단방향이 아니며, 상기 플레이트(22)의 평면에 대해 실질적으로 평행할 수 있다. 상기 부분(504)이 상기 플레이트(22)의 표면 내에 정의된 다수의 홀들 사이에 있기 때문에, 이러한 각각의 홀들(20) 쪽으로 액체가 유동한다. 제 2 플레이트의 표면상에는 다수의 부분들(504)이 존재하며, 상기 각각의 부분들(504)에서 동일한 상호작용이 발생하여, 그 각각이 각각의 부분(504)을 둘러싸는 홀들(20)에 대해 유동을 유도한다. 그러므로, 제 2 플레이트(22) 내의 홀(20)에 접근하는 유동은, 제 2 플레이트(22)를 통해 상기 공간(11) 안으로 유동하는 액체의 벌크 유동 에 대해 실질적으로 직교 방향이다. 상기 공간 안으로의 결과적인 액체 유동은 평활한 유동으로, 층류일 수 있다.This configuration is effective for separating the flow of liquid through the inlet holes 29 and the resulting flow from the chamber 26 through the outlet holes 20 into the space 11 can be higher than previously achieved. It means that there is. The resulting liquid flow into the space 11 is smooth and stable. Preferably the flow is laminar flow. To achieve this, the first plate 28 serves to reduce the cross-sectional profile flow rate heterogeneity by the diffusion function. The resulting jet jet, indicated by arrow 502, has a high linear momentum with respect to the second plate 22 and in a direction perpendicular to the plane of the first plate 28. The spray stem of liquid interacts with a portion 504 of the surface of the second plate 22. A portion 504 of the second plate 22 diverges the injection flow, reducing the vertical component of linear momentum by redirecting the flow in a direction orthogonal to the injection stem. The bulk flow of liquid is substantially parallel to the surface of the second plate 22. The bulk flow proceeds from the portion 504 in all directions. Thus, the flow of liquid approaching the hole 20 is not unidirectional and can be substantially parallel to the plane of the plate 22. Since the portion 504 is between a plurality of holes defined within the surface of the plate 22, liquid flows toward each of these holes 20. On the surface of the second plate there are a plurality of parts 504, the same interaction taking place in each of the parts 504, each of which in the holes 20 surrounding each part 504. To induce flow. Therefore, the flow approaching the hole 20 in the second plate 22 is substantially orthogonal to the bulk flow of liquid flowing into the space 11 through the second plate 22. The resulting liquid flow into the space may be laminar, with a smooth flow.

이 구성에 의해 제공될 수 있는 성능 개선은 플레이트들(28, 22) 간의 분리 간격과, 2 개의 패턴들 간의 위상 시프트에 따라 변동한다. 도 8b의 위상 시프트는 정확히(0.5의 위상 시프트를 지정) 어긋나 있는 것으로 간주될 수 있다. 2 개의 패턴들이 하나의 최상부 상에 다른 하나가 중첩되는 경우, 이는 꼭 맞는(in phase)(0.0의 위상 시프트를 지정) 것으로 간주될 수 있다. 2 개의 플레이트들 간의 분리 간격 및 위상 시프트의 영향은 도 10 및 도 11을 참조하여 이하에 자세히 설명될 것이다.The performance improvement that can be provided by this configuration varies with the separation interval between the plates 28, 22 and the phase shift between the two patterns. The phase shift of FIG. 8B can be considered to be exactly offset (specifying a phase shift of 0.5). If two patterns overlap one on top of another, this may be considered in phase (specifying a phase shift of 0.0). The influence of the separation interval and phase shift between the two plates will be described in detail below with reference to FIGS. 10 and 11.

상기 플레이트(22)의 전체 길이 및/또는 폭에 걸쳐 균일한 압력 분포를 제공하는 것이 바람직할 수 있다. 그러므로, 유입구 상의 단면 유동은 실질적으로 균일하다. 압력 강하가 고르지 못하다면, 이는 불안정하고 비-균일한 액체 속도 프로파일을 유도할 수 있다. 이러한 유동은 저수부(reservoir)에서 비대칭 속도 프로파일을 가질 수 있다. 압력 강하는 액체가 홀을 통하게 함으로써 달성된다. 그러므로, 제 1 플레이트(28) 상에서 또한 제 2 플레이트(22) 상에서 압력 강하가 존재한다. 제 1 플레이트(28) 내의 홀들(29)을 제 2 플레이트(22) 내의 홀들(20)보다 작게 함으로써, 제 1 플레이트(28) 상의 압력 강하가 제 2 플레이트(22) 상의 압력 강하보다 더 크도록 제어될 수 있다. 예를 들어, 제 1 플레이트 상에서의 약 75 mbar의 압력 강하, 및 제 2 플레이트(22) 상에서는 단지 5 내지 10 mbar의 압력 강하가 바람직하다. 동일한 패턴이 사용되는 경우, 제 1 플레이트(29) 내의 홀들 은 통상적으로 100 내지 300 ㎛ 사이의 크기를 갖는다. 이와 대조적으로, 제 2 플레이트(22)의 홀들은 300 내지 700 ㎛ 사이의 크기를 갖는다. 상기 홀들은 제 1 플레이트(28)에서 100 내지 200 ㎛ 사이로 이격되며, 제 2 플레이트(22)에서는 300 내지 500 ㎛ 사이로 이격된다.It may be desirable to provide a uniform pressure distribution over the entire length and / or width of the plate 22. Therefore, the cross-sectional flow on the inlet is substantially uniform. If the pressure drop is uneven, this can lead to an unstable and non-uniform liquid velocity profile. This flow may have an asymmetric velocity profile at the reservoir. The pressure drop is achieved by letting the liquid through the hole. Therefore, there is a pressure drop on the first plate 28 and also on the second plate 22. By making the holes 29 in the first plate 28 smaller than the holes 20 in the second plate 22, the pressure drop on the first plate 28 is greater than the pressure drop on the second plate 22. Can be controlled. For example, a pressure drop of about 75 mbar on the first plate and a pressure drop of only 5 to 10 mbar on the second plate 22 are preferred. If the same pattern is used, the holes in the first plate 29 typically have a size between 100 and 300 μm. In contrast, the holes in the second plate 22 have a size between 300 and 700 μm. The holes are spaced between 100 and 200 μm in the first plate 28 and between 300 and 500 μm in the second plate 22.

상기 플레이트들의 두께는 약 0.3 mm 내지 1 mm 사이이다. 스루 홀들 또는 액체 유입구들(20)은, 도 6에 예시된 바와 같은 배리어 부재(12) 내에 형성된다면, 배리어 부재(12)의 외주(예를 들어, 주변)의 국부화된 영역 주위에만 제공되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 공간을 정의하는 배리어 부재(12)의 대향면에 정의된 유출구(20) 반대쪽에는, 투영 시스템과 기판 및/또는 기판 테이블 사이로부터 액체를 제거하는 추출기가 존재할 수 있다. 액체 유입구들(20)은 배리어 부재의 외주(예를 들어, 주변)의 일부분을 따라서만 연장될 수 있다.The thickness of the plates is between about 0.3 mm and 1 mm. Through holes or liquid inlets 20, if formed in the barrier member 12 as illustrated in FIG. 6, are provided only around the localized area of the outer periphery (eg, the perimeter) of the barrier member 12. It is preferable. For example, on the opposite side of the outlet 20 defined on the opposite side of the barrier member 12 defining the space, there may be an extractor for removing liquid from between the projection system and the substrate and / or the substrate table. The liquid inlets 20 may extend only along a portion of the outer circumference (eg, the perimeter) of the barrier member.

플레이트들(22, 28) 및 홀들(20, 29)의 패턴의 주어진 설계에 대해, 위상 시프트 및 플레이트 분리 간격, 조립체를 통한 액체의 유동은, 소정 유속까지 평활한 유동, 바람직하게는 층류를 유도할 수 있으며, 이 지점에서 불안정한 난류 유동이 발생한다. 가능하다면, 상기 공간(11)에 걸쳐 높은 유속을 갖는 것이 바람직할 수 있다. 최고 유속은 (도 11a에 도시된 바와 같이) 정확히 어긋나게 위치된 플레이트들로 달성가능하며, 플레이트들(28, 22) 간의 거리는 가능한 한 짧게 달성될 수 있다. 하지만, 상기 거리가 너무 짧으면, 위상 시프트의 공차가 치명적일 수 있다. 그러므로, 2 개의 플레이트들의 분리 간격은 약 0.5 내지 3 mm, 예를 들어 2 내지 3 mm 사이가 바람직하다. 일 실시예에서, 상기 분리 간격은 0.7 내지 1.5 mm 사이이다. 이상적으로는, 위상 시프트는, 홀들의 패턴들이 정확히 어긋나게(즉, 0.5의 위상 시프트) 존재한다. 하지만, 여하한의 위상 시프트 값(degree)에 대해서도 개선들이 나타날 수 있다. 그러므로, 0.2 내지 0.5 사이, 바람직하게는 0.4 이상의 위상 시프트의 범위가 특히 바람직할 수 있다(이상(out of phase)은 0.5이고 동상(in phase)은 0임 - 아래의 도 11을 참조).For a given design of the pattern of plates 22, 28 and holes 20, 29, the phase shift and plate separation interval, the flow of liquid through the assembly, leads to a smooth flow, preferably laminar flow, up to a certain flow rate. At this point, unstable turbulent flow occurs. If possible, it may be desirable to have a high flow rate over the space 11. The highest flow rate is achievable with the plates positioned exactly offset (as shown in FIG. 11A), and the distance between the plates 28, 22 can be achieved as short as possible. However, if the distance is too short, the tolerance of the phase shift can be fatal. Therefore, the separation interval of the two plates is preferably between about 0.5 to 3 mm, for example between 2 and 3 mm. In one embodiment, the separation interval is between 0.7 and 1.5 mm. Ideally, the phase shift is such that the patterns of the holes are exactly out of place (ie, a phase shift of 0.5). However, improvements can also appear for any phase shift value. Therefore, a range of phase shifts between 0.2 and 0.5, preferably at least 0.4, may be particularly desirable (out of phase is 0.5 and in phase is 0-see FIG. 11 below).

플레이트들(28, 22)을 매우 가깝게 배치시키면, 인접한 홀들로부터의 분사 줄기가 간섭할 가능성, 또는 분사 줄기로부터의 액체가 제 2 플레이트(22) 내에 정의된 홀(20)을 바로 통해 유동할 가능성을 감소시킨다. 이는, 제 2 플레이트(22)를 통과하기 이전에 홀(29)을 통과하여 얻어진, 제 1 플레이트(28)에 대해 수직인 액체의 속도를 실질적으로 감소시키며, 바람직하게는 최소화한다.If the plates 28, 22 are placed very close together, the possibility that the spray stems from adjacent holes will interfere, or the liquid from the spray stems will flow directly through the hole 20 defined in the second plate 22. Decreases. This substantially reduces and preferably minimizes the velocity of the liquid perpendicular to the first plate 28, obtained through the hole 29 prior to passing the second plate 22.

일 실시예에서, 플레이트들(28, 22) 사이의 거리는 0으로 의도된다. 이러한 구성에서, 액체의 유동은 플레이트들(28, 22)의 표면들에 대해 평행하다. (상술된 바와 같이) 제 2 플레이트(22)에 대해 평행한 평면에서 홀(20) 쪽으로의 유동은 모든 방향들로부터 진행한다. 액체가 홀들 통과하기 직전의, 제 2 플레이트의 표면에 대해 수직인 홀 중간에서의 순수 유속은 0이다. 따라서, 액체의 벌크 유속은, 액체가 홀(20)을 통과하기 직전에 0이다.In one embodiment, the distance between the plates 28, 22 is intended to be zero. In this configuration, the flow of liquid is parallel to the surfaces of the plates 28, 22. Flow toward the hole 20 in a plane parallel to the second plate 22 (as described above) proceeds from all directions. The net flow rate in the middle of the hole perpendicular to the surface of the second plate, just before the liquid passes through the holes, is zero. Therefore, the bulk flow velocity of the liquid is zero just before the liquid passes through the hole 20.

본 발명의 일 실시예의 구성은, 홀(20)로부터의 유동이 포인트 소스 액체 공급(point source liquid supply)으로서 기능하게 한다. 각각의 홀(20)을 통한 액체 유동은 상기 플레이트(22) 내에 정의된 다른 각각의 홀(20)들을 통한 유동과 동일하도록 의도된다. 또한, 상기 홀들은 플레이트(22)의 표면 상에, 및 이에 따라 유입구 상에 고르게 분포된다. 따라서, 상기 플레이트 내의 복수의 홀들로부터의 액체 유동은 상기 플레이트에 걸쳐 균일하다. 상기 유입구는, 실질적으로 균일한 액체 단면 액체 유속을 갖는 액체 유속을 공급하는 복수의 포인트 소스 액체 소스로서 기능한다. 상기 구성은, 단면 유속이 높은 액체 유속 속도로 유지되기 때문에 유익하다.The configuration of one embodiment of the present invention allows the flow from the hole 20 to function as a point source liquid supply. The liquid flow through each hole 20 is intended to be the same as the flow through each of the other holes 20 defined in the plate 22. The holes are also evenly distributed on the surface of the plate 22 and thus on the inlet. Thus, liquid flow from the plurality of holes in the plate is uniform across the plate. The inlet serves as a plurality of point source liquid sources for supplying a liquid flow rate having a substantially uniform liquid cross-section liquid flow rate. This configuration is advantageous because the cross-sectional flow rate is maintained at a high liquid flow rate.

도 9는 도 7 및 도 8의 조립체가 어떤 방식으로 배리어 부재(12)에 통합될 수 있는지를 나타내는 단면 사시도이다. 배리어 부재(12)의 저부 상의 모든 시일링 피처(sealing feature)들은 도시되지 않는다. 이는 상기 피처들이 존재할 수 있거나, 또는 존재할 수 없기 때문이며, 또한 여하한의 형태를 취할 수 있기 때문이다. 나타낸 바와 같이, 유출구들(20)은 투영 시스템의 최종 요소의 저부 위의 높이에 위치된다. 그러므로, 유출구(20)로부터 나온 유동은 투영 시스템(PS)의 존재로 인해 방향을 변화시켜, 투영 시스템의 최종 요소와 기판(W) 사이의 공간(11)을 향하여 하방향 성분을 갖고 유동하게 된다. 액체 유동이 공간(11)의 레벨에 도달할 때, 이는 기판(W)의 최상부 표면에 대해 평행하게 유동하도록 방향을 변화시킨다.9 is a cross-sectional perspective view showing how the assembly of FIGS. 7 and 8 can be integrated into the barrier member 12. All sealing features on the bottom of the barrier member 12 are not shown. This is because the features may or may not exist and may also take any form. As shown, the outlets 20 are located at a height above the bottom of the final element of the projection system. Therefore, the flow from the outlet 20 changes direction due to the presence of the projection system PS, which flows with the downward component towards the space 11 between the final element of the projection system and the substrate W. . When the liquid flow reaches the level of the space 11, it changes direction to flow parallel to the top surface of the substrate W.

나타낸 바와 같이, 플레이트들(22, 28)은 실질적으로 평행하다. 더욱이, 두 플레이트들은 투영 시스템(PS)의 광학 축선과 실질적으로 평행하다. 일 실시예에서, 제 1 및/또는 제 2 플레이트 내의 홀들은 투영 시스템의 광학 축선에 대해 수직인 평면에 일 축선을 갖도록 드릴링(drilling)된다. 홀들(20)이 위치된 상기 평면들은, 투영 시스템(PS)을 가로지르는(cut through) 높이에 존재한다. 즉, 상기 평면들은 투영 시스템의 저부 위에 존재한다.As shown, the plates 22, 28 are substantially parallel. Moreover, the two plates are substantially parallel to the optical axis of the projection system PS. In one embodiment, the holes in the first and / or second plate are drilled to have one axis in a plane perpendicular to the optical axis of the projection system. The planes in which the holes 20 are located are at a height that cuts through the projection system PS. That is, the planes are above the bottom of the projection system.

도 9에 도시된 바와 같이, 바람직하게는 립(lip) 형태의 돌출부(400)가 존재한다. 상기 돌출부(400)는 제 2 플레이트(22) 위에 위치되며, 반경 방향 안쪽으로(즉, 투영 시스템 쪽 방향으로) 연장된다. 일 실시예에서, 돌출부(400)는 실질적으로 수평이다. 상기 돌출부는 투영 시스템(PS)과 상기 돌출부(400)의 단부 사이에 메니스커스(401)가 연장되게 한다. 상기 돌출부는 배리어 부재(12)의 최상부와 투영 시스템(PS) 사이의 거리를 감소시키므로, 메니스커스에 의해 연장되는 거리를 단축시키며, 이러한 방식으로 메니스커스를 안정화한다. 안정한 메니스커스는 유동으로 인해 배리어 부재(12) 위의 가스가 흡입되는 것을 방지하게 하며, 이에 따라 액체 내에 기포가 수용되는 것을 방지하게 한다.As shown in FIG. 9, there is preferably a protrusion 400 in the form of a lip. The protrusion 400 is located above the second plate 22 and extends radially inwardly (ie toward the projection system). In one embodiment, the protrusion 400 is substantially horizontal. The protrusion causes the meniscus 401 to extend between the projection system PS and the end of the protrusion 400. The protrusion reduces the distance between the top of the barrier member 12 and the projection system PS, thereby shortening the distance extended by the meniscus and stabilizing the meniscus in this way. The stable meniscus prevents the flow of gas on the barrier member 12 due to the flow, thereby preventing air bubbles from being contained in the liquid.

도 10은 3 개의 상이한 구성들에 대해, 플레이트(20, 28) 사이의 거리에 관한 영향을 도시한다(도 9에는 거리(t)로서 도시됨). 도 10에서, 상기 플레이트들 간의 거리는 X 축을 따라 플롯되며, 바람직하게는 난류가 없고, 또한 바람직하게는 안정한 메니스커스를 갖는, 최대 달성가능한 평활한 유동은 Y 축을 따라 예시된다. 삼각형들로 표시된 결과치들은 종래의 시스템에 관한 것이다. 상기 플레이트들 간의 거리를 변화시키는 것이 실질적으로 거의 영향을 주지 않는다는 것을 알 수 있다.FIG. 10 shows the effect on the distance between the plates 20, 28, for three different configurations (shown as distance t in FIG. 9). In FIG. 10, the distance between the plates is plotted along the X axis, the maximum attainable smooth flow, preferably free from turbulence, and preferably with a stable meniscus, is illustrated along the Y axis. The results, represented by triangles, relate to conventional systems. It can be seen that changing the distance between the plates has little effect.

다이아몬드 형으로 표시된 결과치들은 제 1 플레이트(28) 내의 홀들(29)의 패턴이 제 2 플레이트(22) 내의 홀들(20)과 동상(즉, 0.0의 위상 시프트)인 시스템에 관한 것이다. 이 경우, 플레이트들이 더 멀리 이격될수록, 달성가능한 층류 속 도는 더 높다. 이는, 플레이트들 사이의 증가된 거리로 인해, 제 1 플레이트 내의 홀들에 의해 생성된 분사 줄기들이 실질적으로 제 2 플레이트에 도달하기 이전에 서로 간섭하고 제 2 플레이트와 간섭하기 때문이다. 상기 플레이트들 사이의 증가된 거리로 인해, 제 1 플레이트의 홀들로부터 제 2 플레이트의 홀들로 직진하는 분사 줄기가 더 적게 통과할 것이다.The results indicated in diamond form relate to a system in which the pattern of the holes 29 in the first plate 28 is in phase (ie, a phase shift of 0.0) with the holes 20 in the second plate 22. In this case, the farther apart the plates are, the higher the laminar flow rate achievable. This is because, due to the increased distance between the plates, the spray stems produced by the holes in the first plate interfere with each other and with the second plate substantially before reaching the second plate. Due to the increased distance between the plates, less injection stem will travel straight from the holes of the first plate to the holes of the second plate.

사각형으로 표시된 결과치들은 제 1 플레이트(28) 내의 홀들(29)의 패턴이 제 2 플레이트(22) 내의 홀들(20)과 이상(즉, 0.5의 위상 시프트)인 시스템에 관한 것이다. 나타낸 바와 같이, 2 개의 플레이트들 사이의 거리가 짧을수록, 더 평활하고 안정한, 바람직하게는 층류가 달성될 수 있다.The results indicated in squares relate to a system in which the pattern of the holes 29 in the first plate 28 is abnormal (ie, a phase shift of 0.5) with the holes 20 in the second plate 22. As shown, the shorter the distance between the two plates, the smoother and more stable, preferably laminar flow can be achieved.

도 11은 X 축을 따른 2 개의 플레이트들(22, 28) 간의 위상 시프트, 및 바람직하게는 난류 없이, 바람직하게는 안정한 메니스커스를 갖는, Y 축을 따른 최대 달성가능한 평활한 유동을 도시한다. 나타낸 바와 같이, 테스트된 모든 예시들에 대해(다양한 거리 t: 삼각형은 t = 2.75 mm; 사각형은 t = 2.25 mm; 다이아몬드형은 t = 1.75 mm), 2 개의 플레이트들(22, 28) 내의 홀들의 2 개의 패턴들이 0.5의 위상 시프트에 가까울수록, 더 높은 유동이 달성될 수 있다.FIG. 11 shows the maximum achievable smooth flow along the Y axis, with a phase shift between the two plates 22, 28 along the X axis, and preferably with a stable meniscus, preferably without turbulence. As shown, for all the examples tested (variable distance t: triangle is t = 2.75 mm; square is t = 2.25 mm; diamond is t = 1.75 mm), hole in two plates 22, 28 The closer the two patterns of? Are to a phase shift of 0.5, the higher the flow can be achieved.

도 11의 결과들은, (다이아몬드로 나타낸) 더 짧은 분리 간격(t)에 대해, 0에서 0.5로 위상 시프트를 변화시킴에 따라 달성가능한 유동의 개선이, 더 긴 분리 간격(t)에 대해 0에서 0.5로 위상 시프트의 변화의 영향보다 더 두드러진다는 것을 보여준다. 하지만, 모든 분리 간격(t)에 대해, 0.5의 위상 시프트는 0.0의 위상 시프트보다 더 양호한 결과들을 달성한다.The results in FIG. 11 show that for shorter separation intervals (represented by diamonds), the improvement in flow achievable by varying the phase shift from 0 to 0.5 is achieved at zero for longer separation intervals t. It is shown that 0.5 is more pronounced than the effect of the change in phase shift. However, for all separation intervals t a phase shift of 0.5 achieves better results than a phase shift of 0.0.

배리어 부재(12)와 기판(W) 사이의 메니스커스(320)의 붕괴로 인해 침지 공간 안으로 기포가 도입될 수 있으며, 액체 물방울이 기판(W) 상에 남게 된다. 이러한 물방울이 메니스커스(320)와 충돌하면, 가스 수용이 발생할 수 있다. 통상적으로, 이는 메니스커스의 진행하는(advancing) 접촉 각도와 물방울의 정적 접촉 각도의 합이 180°보다 큰 경우에 발생한다. 2 개의 메커니즘들이 확인되었다. 제 1 메커니즘은 단-상 추출기(single phase extractor: 70)의 반경 방향 바깥쪽 영역 들 상에서 배리어 부재 상의 액체의 축척(build up)에 관한 것이다. 이는 메니스커스(320)의 더 이전의 붕괴로부터 발생할 수 있거나, 기판 테이블(WT)과 기판(W) 사이의 갭을 교차(cross)시킴으로써 발생할 수 있다. 이 메커니즘은 도 12의 실시예에 의해 취급된다. 제 2 메커니즘은 이전의 스캔 동작으로부터 가스 나이프(90) 내부의 액체 축척에 기인한다. 이는 도 13 및 도 14와 연계하여 설명된 방정식들에 따라 메니스커스의 위치 또는 가스 나이프를 치수화(dimensioning)함으로써 취급된다. 가스 나이프는 공간(11) 및 메니스커스(320)로부터 방출된 액체를 수집할 수 있다. 배리어 부재와 기판(W) 사이의 상대 이동 방향의 변화 시, 배리어 부재(가령, 용접부(weld))로부터 물방울이 떨어져, 기판의 표면상의 다른 방출된 물방울들을 결합시킬 수 있다. 방향 변화 후, 물방울들은 기판의 표면상에 정지해 있지만, 메니스커스(320)을 향해 이동할 수 있다. 물방울들은 메니스커스(320)에 도달하고, 이에 따라 충돌할 수 있으며, 바람직하지 않게 투영 시스템(PL)과 기판(W) 사이의 공간 내의 액체에 기포를 수용하여, 이미지 품질에 영향을 줄 수 있다.Due to the collapse of the meniscus 320 between the barrier member 12 and the substrate W, bubbles may be introduced into the immersion space, and liquid droplets remain on the substrate W. FIG. When such water droplets collide with the meniscus 320, gas reception may occur. Typically, this occurs when the sum of the advancing contact angle of the meniscus and the static contact angle of the droplet is greater than 180 °. Two mechanisms have been identified. The first mechanism relates to the build up of liquid on the barrier member on radially outer regions of a single phase extractor 70. This may occur from a previous collapse of the meniscus 320 or may occur by crossing the gap between the substrate table WT and the substrate W. FIG. This mechanism is handled by the embodiment of FIG. The second mechanism is due to the accumulation of liquid inside the gas knife 90 from a previous scan operation. This is handled by dimensioning the location of the meniscus or gas knife according to the equations described in connection with FIGS. 13 and 14. The gas knife may collect liquid discharged from the space 11 and the meniscus 320. In the change of the relative movement direction between the barrier member and the substrate W, the water droplets may be separated from the barrier member (eg, weld) to bond other released water droplets on the surface of the substrate. After the change of direction, the droplets are stationary on the surface of the substrate but can move towards the meniscus 320. The droplets may reach the meniscus 320 and thus collide, undesirably receiving bubbles in the liquid in the space between the projection system PL and the substrate W, affecting image quality. have.

배리어 부재 또는 액체 한정 시스템(12)의 저부 상에 제공된 피처들이 상기 공간(11) 내의 액체를 시일링하기 위해 제자리에 용접될 수 있다. 다공성 부재(110)를 포함하는 단-상 추출기가 사용될 수 있다. 다공성 부재(110)는 언더 프레셔로 유지되는 챔버(120)를 덮을 수 있다. 다공성 부재(110)는 배리어 부재(12)의 저부에 형성된 후퇴부들 상에서 용접될 수 있다. 상기 후퇴부는 챔버(120)를 정의한다. 이는 도 6에 도시되어 있다. 다공성 부재(110)는 배리어 부재(12)의 표면에 대해 그 반경 방향 안쪽과 바깥쪽 외주(예를 들어, 주변)를 따라 용접된다. 몇몇 경우들에서, 침지 액체의 물방울이 자체적으로 이러한 용접부에 부착될 수 있다. 이러한 위치로부터 액체를 제거하는 것은 매우 어려울 수 있다. 단-상 추출기(70)의 반경 방향 바깥쪽으로 위치된 가스 나이프(90)는 이 용도로는 효과적이지 않을 수 있다.Features provided on the bottom of the barrier member or liquid confinement system 12 may be welded in place to seal the liquid in the space 11. A single-phase extractor comprising the porous member 110 can be used. The porous member 110 may cover the chamber 120 maintained under the pressure. The porous member 110 may be welded on recesses formed in the bottom of the barrier member 12. The recess defines chamber 120. This is illustrated in FIG. 6. The porous member 110 is welded along its radially inner and outer circumference (eg, a perimeter) with respect to the surface of the barrier member 12. In some cases, droplets of immersion liquid can attach themselves to such a weld. Removing liquid from this location can be very difficult. The radially outwardly located gas knife 90 of the single-phase extractor 70 may not be effective for this purpose.

도 12는 이러한 문제의 해결을 돕는 배리어 부재(12)의 저부 표면의 단면을 도시한다. 저부 표면 상의 피처들은 도 6의 피처들과 유사하다. 반경 방향 가장 안쪽에는 배리어 부재(12)와 기판(W) 사이의 공간에 액체를 제공하는 액체 유입구(60)가 존재한다. 액체 유입구(60)의 반경 방향 바깥쪽에는 다공성 부재(110)를 포함하는 단-상 추출기가 존재한다. 다공성 부재(110)는 언더 프레셔로 유지되는 챔버(120)를 덮는다. 상기 추출기의 반경 방향 바깥쪽에는 가스 나이프(90)용 유출구가 존재한다. 또한, 구성요소들의 다른 구성들이 가능하며, 예를 들어 추출기는 2-상 추출기일 수 있다.12 shows a cross section of the bottom surface of the barrier member 12 to help resolve this problem. The features on the bottom surface are similar to the features of FIG. 6. At the innermost radial side is a liquid inlet 60 which provides liquid to the space between the barrier member 12 and the substrate W. As shown in FIG. On the radially outer side of the liquid inlet 60, there is a single-phase extractor comprising a porous member 110. The porous member 110 covers the chamber 120 which is kept under pressure. On the radially outer side of the extractor there is an outlet for the gas knife 90. In addition, other configurations of components are possible, for example the extractor may be a two-phase extractor.

다공성 부재(110)의 저부 표면에서의 문제는 평면이 아니라는 것이다. 도 12에 나타낸 바와 같이, 다공성 부재(110)는 기판(W)에 대해 각도를 갖는(angled) 일부분을 갖는다. 반경 방향 바깥쪽 방향으로, 다공성 부재(110)의 표면과 기판(W) 간의 변위가 증가한다. 기판(W)의 표면으로부터 다공성 부재(110)의 표면의 거리에서 반경 거리를 갖는 변화는 평활하고, 연속적일 수 있으며, 선형일 수 있다. 특히, 도 12에 예시된 각도의 변화는 평활한 변화이며, 끊기지(pointed) 않는다, 즉 단절되지 않는다. 기판(W)에 대한 다공성 부재(110)의 각도는 연속적인 방식으로 변화한다. 예를 들어, 다공성 부재가 도 12에 예시된 바와 같이 형성되는 경우, 다공성 부재(110)의 표면이 기판(W)의 표면에 대해 평행하다가 평행하지 않게 변화하는 부분 상에 반경이 존재한다. 다공성 부재의 표면은 기판(W)의 표면에 대해 평행한 일 영역으로부터 기판(W)의 표면으로부터 점차 각도를 갖는 영역으로 변화한다. 이러한 2 개의 영역들 사이에서 다공성 부재의 표면이 곡선화될 수 있다. 상기 부분에서의 곡률 반경은, 예를 들어 1 내지 10 mm 사이, 또는 3 내지 7 mm 사이, 예를 들어 5 mm의 반경일 수 있다. The problem at the bottom surface of the porous member 110 is that it is not planar. As shown in FIG. 12, the porous member 110 has a portion angled with respect to the substrate W. As shown in FIG. In the radially outward direction, the displacement between the surface of the porous member 110 and the substrate W increases. The change with the radial distance in the distance of the surface of the porous member 110 from the surface of the substrate W may be smooth, continuous, and linear. In particular, the change in angle illustrated in FIG. 12 is a smooth change and does not point, ie it is not disconnected. The angle of the porous member 110 relative to the substrate W varies in a continuous manner. For example, when the porous member is formed as illustrated in FIG. 12, a radius exists on a portion where the surface of the porous member 110 changes parallel to the surface of the substrate W and not parallel. The surface of the porous member changes from an area parallel to the surface of the substrate W to an area gradually angled from the surface of the substrate W. As shown in FIG. Between these two regions the surface of the porous member can be curved. The radius of curvature in this part can be, for example, between 1 and 10 mm, or between 3 and 7 mm, for example 5 mm.

상기 곡률 반경은 다공성 부재의 정확한 치수에 의존할 수 있다. 특히, 반경은 다공성 부재의 폭에 의존할 수 있다. 부연하면, 다공성 부재의 내반경과 외반경 사이의 차이에 의존할 수 있다. 통상적으로, 이는 약 10 mm일 수 있다. 상기 반경은 다공성 부재의 폭에 0.01 배를 곱한 만큼 작아질 수 있다. 다공성 부재의 폭에 0.005 내지 10 배를 곱한 반경 범위가 가능하다. 기판의 최상부 표면과 다공성 부재의 내측부의 저부 표면 간의 차이가 h로 표시된다면, 기판의 최상부 표면으로부터(외측 에지에서) 다공성 부재의 최장 거리는 통상적으로 h에 5 내지 10 을 곱한 값일 수 있다. 기판의 최상부 표면으로부터의 거리 변화는 통상적으로 다 공성 부재의 폭을 따라 약 절반부에서 시작된다.The radius of curvature may depend on the exact dimensions of the porous member. In particular, the radius may depend on the width of the porous member. In other words, it may depend on the difference between the inner and outer radius of the porous member. Typically this may be about 10 mm. The radius may be as small as multiplied by 0.01 times the width of the porous member. Radius ranges multiplied by 0.005 to 10 times the width of the porous member are possible. If the difference between the top surface of the substrate and the bottom surface of the inner portion of the porous member is denoted by h, then the longest distance of the porous member from the top surface of the substrate (at the outer edge) is typically h multiplied by 5-10. The change in distance from the top surface of the substrate typically begins at about half along the width of the porous member.

이러한 구성의 장점은, 기판(W)과 배리어 부재(12) 사이에 연장된 메니스커스(320)가 기판(W)의 최상부 표면에 대해 평행한 다공성 부재(110)의 일부분을 따른 어느 곳에 위치되어 유지된다는 점이다. 이에 따라, 액체 물방울이 다공성 부재(110)와 배리어 부재(12)의 저부 표면 사이의 용접부에, 특히 외측 에지(바람직하게는, 최외각 에지)에 유지될 수 있는 문제가 해결된다. 이와 다르게, 예를 들어 이 외측 에지에서 용접부에 액체가 부착될 수 있으며, 이동시키기가 매우 어려울 수 있다. 가스 나이프(90)는 다공성 부재(110)를 지나서 존재하고, 이후 액체가 용접부 상에 놓일 수 있는 여하한의 액체를 몰아낸다. 다공성 부재(110)의 외측 용접 에지를 (0.5 내지 2 mm 사이, 바람직하게는 내측 에지와 비교하여 1 mm 만큼) 상승시키면, 액체 물방울이 용접부에 부착되는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따라 상기 문제가 해결될 수 있다. 기판(W)의 최상부 표면에 대해 평행한 다공성 부재(110)의 부분은 약 2 mm 더 길다. 이 부분을 따라 다공성 부재(110)와 접촉하는 여하한의 물방울들이 추출될 수 있을 것이다. 그러므로, 투영 시스템(PL)과 기판(W) 사이의 상대 이동 변화 후에, 용접부로부터 떨어진, 또는 가스 나이프(90)에 의해 수집된 물방울이 다공성 부재(110)에 접근하기 때문에, 상기 물방울은 다공성 부재(110)에 접촉하고, 메니스커스에 접촉하여 기포 수용을 유발하기 이전에 추출된다.The advantage of this configuration is that the meniscus 320 extending between the substrate W and the barrier member 12 is located anywhere along the portion of the porous member 110 that is parallel to the top surface of the substrate W. Is maintained. This solves the problem that liquid droplets can be held at the weld between the porous member 110 and the bottom surface of the barrier member 12, in particular at the outer edge (preferably the outermost edge). Alternatively, liquid may be attached to the weld at this outer edge, for example, and may be very difficult to move. The gas knife 90 is present past the porous member 110 and then drives out any liquid on which the liquid can be placed on the weld. Raising the outer weld edge of the porous member 110 (between 0.5 and 2 mm, preferably by 1 mm compared to the inner edge) can prevent the liquid droplets from adhering to the weld, thus preventing the problem. Can be solved. The portion of the porous member 110 parallel to the top surface of the substrate W is about 2 mm longer. Any water droplets in contact with the porous member 110 may be extracted along this portion. Therefore, after the change of relative movement between the projection system PL and the substrate W, since the droplets away from the weld or collected by the gas knife 90 approach the porous member 110, the droplets are porous members. Extracted prior to contacting 110 and contacting the meniscus to cause bubble uptake.

다공성 부재(110)와 배리어 부재(12) 사이의 내부 용접부에서의 액체의 존재는, 정상 작동 하에서 액체가 존재하기 때문에 어떠한 경우에도 문제가 되지 않는 다는 것을 유의한다.Note that the presence of liquid in the internal weld between the porous member 110 and the barrier member 12 is not a problem in any case because the liquid is present under normal operation.

도 13 및 도 14는 메니스커스(320)와의 충돌로 공간(11) 내의 액체에 기포를 형성하는 물방울의 형성에 대한 두 가지 가능한 메커니즘을 도시한다. 이러한 두 가지 가능한 메커니즘들에 관한 지식을 이용함으로써, 이미징 파라미터들(예를 들어, 스캔 속도, 가속도, 정착 시간, 배리어 부재 크기, 투영 시스템 하에서의 기판의 라우팅 등)을 조절하여, 형성된 여하한의 기포들을 이미지 필드 외부에 배치시킬 수 있다. 이를 위해, 액추에이터, 및 기판 테이블의 액추에이터를 제어하는 제어기가 사용된다. 상기 제어기는 프로세서 및 메모리를 포함한다.13 and 14 illustrate two possible mechanisms for the formation of droplets that bubble into liquid in space 11 in collision with meniscus 320. By using knowledge of these two possible mechanisms, any bubble formed by adjusting imaging parameters (e.g., scan speed, acceleration, settling time, barrier member size, routing of the substrate under the projection system, etc.) Can be placed outside the image field. For this purpose, an actuator and a controller for controlling the actuator of the substrate table are used. The controller includes a processor and a memory.

스캔 속도와 정착 시간을 함께 감소시킴으로써, 시스템 스루풋에 대한 영향이 최소화될 수 있다. 이와 유사하게, 기판 테이블 파라미터들에 따라 배리어 부재(12) 내의 가스 나이프(90)의 폭(예를 들어, 직경)이 선택될 수 있다.By reducing the scan speed and settling time together, the impact on system throughput can be minimized. Similarly, the width (eg, diameter) of the gas knife 90 in the barrier member 12 may be selected in accordance with the substrate table parameters.

제 1 시나리오는 도 13에 도시된다. 단-상(single phase) 추출기를 지나서 제공된 여하한의 액체가 가스 나이프(90)에 의해 차단된다. 따라서, 액체의 물방울들(800)은 가스 나이프(90)의 후방부에서 차단된다. 기판 테이블(WT)의 이동 방향이 변화할 때, 액체 물방울들(800)은 서로 합쳐져서 1 이상의 더 큰 물방울들(810)을 형성한다. 메니스커스(320)가 이러한 큰 액체 물방울(810)들을 밀치도록 기판 테이블(WT)을 지지하는 스테이지가 이동되는 경우, 가스 기포(820)가 액체 내애 형성될 수 있다. 물방울(810)이 커질수록, 가스 기포(820)가 더 크게 형성된다. 상기 기포(820)는 상기 공간(11) 안으로 이동될 수 있다. 작은 물방울의 경우, 생성된 가스 기포는, 노광 슬릿(900)에 도달하기 이전에 신속히 분해된다. 하 지만, 더 큰 기포에 대해서는 분해되지 않을 것이며, 노광 슬릿(900)에 도달할 때에 여전히 존재할 수 있다. 노광 슬릿(900) 내의 기포의 존재는 이미징 결함을 초래할 것이다.The first scenario is shown in FIG. Any liquid provided past the single phase extractor is blocked by the gas knife 90. Thus, droplets of liquid 800 are blocked at the rear of the gas knife 90. When the moving direction of the substrate table WT changes, the liquid droplets 800 merge with each other to form one or more larger droplets 810. When the stage supporting the substrate table WT is moved such that the meniscus 320 pushes these large liquid droplets 810, a gas bubble 820 may be formed in the liquid. The larger the droplet 810, the larger the gas bubble 820 is formed. The bubble 820 may be moved into the space 11. In the case of droplets, the resulting gas bubbles disintegrate quickly before reaching the exposure slit 900. However, for larger bubbles it will not disintegrate and may still be present when reaching the exposure slit 900. The presence of bubbles in the exposure slit 900 will result in imaging defects.

기포가 노광 슬릿(900) 내에 존재하는지는 다음의 방정식으로 근사화(approximate)할 수 있다:Whether bubbles are present in the exposure slit 900 can be approximated by the following equation:

Figure 112009023128223-pat00001
Figure 112009023128223-pat00001

SSA 스캐닝 방향으로의 스텝, 정착 및 가속 이동의 길이Length of step, fixation and acceleration movement in the SSA scanning direction

v 스캔 방향으로의 스캔 속도 v Scan rate in scan direction

α 스캔 방향으로의 스테이지 가속도Stage acceleration in α scan direction

τ 가속 후의 정착 시간τ settling time after acceleration

Y slit (95 % 세기 프로파일에 의해 결정된) 노광 슬릿의 폭 Y slit width of exposure slit (determined by 95% intensity profile)

DAK 가스 나이프의 직경D AK Gas Knife Diameter

Δy 기포의 확산Diffusion of bubbles y Δ

y 필드 내에서의 물방울의 위치the location of the water drop within the y field

물방울의 위치가 (확산을 고려하여) 필드의 외부에 있다고 계산된 경우, 기포는 이미지 외부에 생성될 것이며, 따라서 결함을 유도하지 않을 것이다. 즉, y가 y 방향으로의 필드보다 더 큰 경우, 물방울은 필드 내에 존재하지 않을 것이다.If the location of the droplet is calculated to be outside of the field (considering diffusion), bubbles will be created outside the image and thus will not lead to defects. In other words, if y is greater than the field in the y direction, the water droplet will not be present in the field.

도 13에 예시된 메커니즘은 너무 고속의 스캔 속도로 인해 단-상 추출기로부 터 방출된 액체의 결과이다. 기판(W)의 에지가 이미징될 때, 이와 유사한 경우가 발생할 수 있다. 이는 도 14에 도시되어 있다. 기판(W)의 에지가 배리어 부재(12) 밑을 통과할 때, 메니스커스(320)가 붕괴되며, 액체 손실을 유발할 수 있다. 이러한 액체 손실은 가스 나이프(90)에 의해 제자리에 유지된다. 도 13의 시나리오에서와 같이, 방향 변화가 행해질 때, 큰 물방울들(810)이 생성될 수 있다. 큰 물방울(810)은 큰 기포(820)를 유발할 수 있으며, 이후 이는 이미지 필드(900)에 나타날 수 있다.The mechanism illustrated in FIG. 13 is the result of the liquid released from the single-phase extractor due to the too high scan rate. Similar cases can occur when the edge of the substrate W is imaged. This is shown in FIG. When the edge of the substrate W passes under the barrier member 12, the meniscus 320 collapses and may cause liquid loss. This liquid loss is held in place by the gas knife 90. As in the scenario of FIG. 13, when the change of direction is done, large droplets 810 can be generated. Large droplets 810 may cause large bubbles 820, which may then appear in image field 900.

상기의 방정식들을 이용함으로써, 앞서 언급된 파라미터들이 조절되어, 이미지 필드 내에 기포가 형성되는 것을 회피할 수 있다. 예를 들어, 주어진 세트의 기판 테이블 파라미터들의 경우, 이미지 필드 내에 기포가 형성되는 것을 회피하기 위해 가스 나이프의 직경이 선택될 수 있다. 이와 유사하게, 가스 나이프가 존재하지 않는 경우에 대해서는, 기포가 이미지 필드 외부에 생성되도록, (상기와 동일한 공식을 이용하되, DAK를 Dmeniscus로 대체하여) 메니스커스 직경이 충분히 크게 선택된다면, 이는 프린팅 결함을 유도하지 않을 것이다.By using the above equations, the aforementioned parameters can be adjusted to avoid bubbles forming in the image field. For example, for a given set of substrate table parameters, the diameter of the gas knife may be selected to avoid the formation of bubbles in the image field. Similarly, for the case where no gas knife is present, if the meniscus diameter is selected large enough (using the same formula as above, replacing D AK with D meniscus ) so that bubbles are generated outside the image field This will not lead to printing defects.

본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서 의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.In this specification, although reference is made to a specific use of the lithographic apparatus in IC fabrication, the lithographic apparatus described herein includes integrated optical systems, guidance and detection patterns for magnetic domain memories, flat-panel displays, liquid crystals. It should be understood that other applications may be present, such as the manufacture of displays (LCDs), thin film magnetic heads, and the like. Those skilled in the art will appreciate that with respect to these alternative applications, any use of the terms "wafer" or "die" herein may be considered synonymous with the more general term "substrate" or "target portion", respectively. I will understand. The substrate referred to herein may be processed before or after exposure, for example in a track (a tool that typically applies a layer of resist to a substrate and develops the exposed resist), a metrology tool, and / or an inspection tool. Where applicable, the disclosure herein may be applied to such and other substrate processing tools. Further, as the substrate may be processed more than once, for example to produce a multilayer IC, the term substrate as used herein may also refer to a substrate that already contains multiple processed layers.

본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 약 365, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV) 방사선을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.As used herein, the terms "radiation" and "beam" refer to all forms including ultraviolet (UV) radiation (eg, having a wavelength of about 365, 248, 193, 157 or 126 nm, or the like). Encompasses electromagnetic radiation.

본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절 및 반사 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.The term "lens ", as the context allows, may refer to any one or combination of various types of optical components, including refractive and reflective optical components.

이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다. 또한, 기계 판독 가능한 명령어가 2 이상의 컴퓨터 프로그램들에서 구현될 수 있다. 2 이상의 컴퓨터 프로그램들은 1 이상의 상이한 메모리 및/또는 데이터 저장 매체에 저장될 수 있다.While specific embodiments of the invention have been described above, it will be appreciated that the invention may be practiced otherwise than as described. For example, the present invention relates to a computer program comprising one or more sequences of machine-readable instructions for implementing a method as disclosed above, or to a data storage medium on which such computer program is stored (e.g., semiconductor memory, magnetic Or an optical disc). In addition, machine-readable instructions may be implemented in two or more computer programs. Two or more computer programs may be stored in one or more different memories and / or data storage media.

일 실시예에서, 침지 리소그래피 장치가 존재한다. 상기 침지 리소그래피 장치는 유체 핸들링 시스템을 포함한다. 상기 유체 핸들링 시스템은 유체를 공급하도록 구성된다. 상기 유체 핸들링 시스템은 제 1 측벽 내의 복수의 유입 홀들 및 제 2 측벽 내의 복수의 유출 홀들을 갖는 챔버를 포함한다. 상기 제 1 측벽은 제 2 측벽과 마주한다. 상기 유입 홀들은 챔버에 유입되는 유체를 복수의 유출 홀들 사이의 제 2 측벽의 영역들을 향하는 방향으로 지향시키도록 배치된다.In one embodiment, there is an immersion lithography apparatus. The immersion lithographic apparatus includes a fluid handling system. The fluid handling system is configured to supply fluid. The fluid handling system includes a chamber having a plurality of inlet holes in the first sidewall and a plurality of outlet holes in the second sidewall. The first sidewall faces the second sidewall. The inlet holes are arranged to direct the fluid entering the chamber in a direction towards the regions of the second sidewall between the plurality of outlet holes.

상기 복수의 유입 홀들 및/또는 상기 복수의 유출 홀들은 2 차원 어레이로 존재할 수 있다. 상기 복수의 유입 홀들 및/또는 상기 복수의 유출 홀들은 동일한 패턴을 가질 수 있다. 상기 유입 홀들의 패턴은 상기 유출구 홀들의 패턴과 이상(out of phase)이다.The plurality of inlet holes and / or the plurality of outlet holes may be in a two dimensional array. The plurality of inlet holes and / or the plurality of outlet holes may have the same pattern. The pattern of inlet holes is out of phase with the pattern of outlet holes.

상기 유출구 홀들은 상기 유입구 홀들과 같은 개구 치수를 갖거나, 그보다 더 큰 개구 치수를 가질 수 있다. 사용 시, 제 1 측벽 상에서의 유체 압력 강하는 제 2 측벽 상에서의 유체 압력 강하와 같거나 그보다 더 클 수 있다. 제 1 및 제 2 측벽들은 0.2 내지 3 mm 사이, 바람직하게는 2 내지 3 mm 사이로 이격될 수 있다.The outlet holes may have the same opening dimensions as the inlet holes, or may have a larger opening dimension. In use, the fluid pressure drop on the first sidewall can be equal to or greater than the fluid pressure drop on the second sidewall. The first and second side walls may be spaced between 0.2 and 3 mm, preferably between 2 and 3 mm.

유체 핸들링 시스템은 침지 리소그래피 장치의 투영 시스템과 침지 리소그래피 장치의 기판 및/또는 기판 테이블 사이의 공간에 유체를 공급하도록 구성될 수 있다. 제 2 측벽은 투영 시스템의 광학 축선에 대해 실질적으로 평행한 평면 내에 존재할 수 있다. 유출구 홀들은 투영 시스템의 광학 축선에 대해 수직인 평면 또는 평면들에 존재할 수 있으며, 이 평면 또는 평면들은 투영 시스템의 최종 요소의 저부 위에 존재한다. 또한, 유체 핸들링 시스템은 투영 시스템의 안쪽 방향으로 연장된 돌출부(projection)를 더 포함할 수 있다. 상기 돌출부는 제 2 측벽의 최상부로부터 돌출되도록 위치될 수 있다.The fluid handling system may be configured to supply fluid to the space between the projection system of the immersion lithography apparatus and the substrate and / or substrate table of the immersion lithography apparatus. The second sidewall may be in a plane substantially parallel to the optical axis of the projection system. The outlet holes may be in a plane or planes perpendicular to the optical axis of the projection system, which plane or planes are above the bottom of the final element of the projection system. In addition, the fluid handling system may further include a projection extending inwardly of the projection system. The protrusion may be positioned to protrude from the top of the second sidewall.

일 실시예에서, 유체 핸들링 시스템을 포함하는 침지 리소그래피 장치가 존재한다. 상기 유체 핸들링 시스템은 유체를 공급하도록 구성될 수 있다. 상기 유체 핸들링 시스템은 제 1 플레이트 및 제 2 플레이트를 포함할 수 있다. 상기 제 1 플레이트는 유체의 통행을 위해 복수의 스루 홀들을 가질 수 있다. 상기 제 2 플레이트는 유체의 통행을 위해 복수의 스루 홀들을 가질 수 있다. 제 1 및 제 2 플레이트들은 실질적으로 평행하고, 상기 유체 핸들링 시스템에 의해 공급된 유체는 상기 제 2 플레이트 내의 복수의 스루 홀들을 통과하기 이전에 상기 제 1 플레이트의 복수의 스루 홀들을 통과하도록 구성된다.In one embodiment, there is an immersion lithography apparatus that includes a fluid handling system. The fluid handling system may be configured to supply fluid. The fluid handling system can include a first plate and a second plate. The first plate may have a plurality of through holes for passage of fluid. The second plate may have a plurality of through holes for passage of fluid. The first and second plates are substantially parallel and the fluid supplied by the fluid handling system is configured to pass through the plurality of through holes of the first plate before passing through the plurality of through holes in the second plate. .

제 1 및 제 2 플레이트들은 상기 장치의 광학 축선과 실질적으로 평행할 수 있다. 일 실시예에서, 제 1 플레이트의 스루 홀들은 제 2 플레이트의 여하한의 스루 홀들과도 동축(coaxial)이 아니다.The first and second plates may be substantially parallel to the optical axis of the device. In one embodiment, the through holes of the first plate are not coaxial with any of the through holes of the second plate.

측면에서 바라볼 때, 제 1 플레이트 내의 스루 홀들은 제 2 플레이트 내의 스루 홀들과 정렬될 수 없다. 제 1 플레이트 내의 스루 홀들은 제 2 플레이트 내의 스루 홀들과 동일한 패턴을 가질 수 있다. 측면도로 바라볼 때, 상기 패턴들은 이상(out of phase)이거나 반전(inverse)될 수 있다. 스루 홀들이 통과하는 제 1 플레이트의 영역과 스루 홀들이 통과하는 제 2 플레이트의 영역이 실질적으로 동일한 높이에 있을 수 있다.As viewed from the side, the through holes in the first plate cannot be aligned with the through holes in the second plate. The through holes in the first plate may have the same pattern as the through holes in the second plate. When viewed in side view, the patterns can be out of phase or inversed. The area of the first plate through which the through holes pass and the area of the second plate through which the through holes pass may be at substantially the same height.

일 실시예에서, 유체 핸들링 시스템을 포함하는 침지 리소그래피 장치가 존재한다. 상기 유체 핸들링 시스템은 유체를 공급하도록 구성될 수 있다. 상기 유체 핸들링 시스템은 유동 통로, 및 상기 유동 통로에 존재하는 적어도 2 이상의 유동 배리어들을 포함할 수 있다. 상기 유동 통로는 유입구로부터 유출구로 나 있을 수 있다. 각각의 배리어는 유체의 통행을 위해 복수의 스루 홀들을 포함할 수 있다. 상기 2 개의 배리어들은 0.2 내지 5 mm 만큼 이격될 수 있다. 2 개의 배리어들 중 하나는 유출구를 포함할 수 있다.In one embodiment, there is an immersion lithography apparatus that includes a fluid handling system. The fluid handling system may be configured to supply fluid. The fluid handling system may include a flow passage and at least two flow barriers present in the flow passage. The flow passage may be from inlet to outlet. Each barrier may include a plurality of through holes for passage of fluid. The two barriers may be spaced 0.2 to 5 mm apart. One of the two barriers may comprise an outlet.

일 실시예에서, 유체를 공급하도록 구성된 유체 핸들링 시스템을 포함하는 침지 리소그래피 장치가 존재한다. 상기 유체 핸들링 시스템은 제 1 측벽 내의 복수의 유입 홀들 및 제 2 측벽 내의 복수의 유출 홀들을 갖는 챔버를 포함한다. 상기 복수의 유입 홀들은 상기 복수의 유출 홀들보다 더 작은 개구 치수를 가질 수 있다.In one embodiment, there is an immersion lithography apparatus that includes a fluid handling system configured to supply fluid. The fluid handling system includes a chamber having a plurality of inlet holes in the first sidewall and a plurality of outlet holes in the second sidewall. The plurality of inlet holes may have a smaller opening dimension than the plurality of outlet holes.

상기 유입 홀들은 100 내지 300 ㎛ 사이의 개구 치수를 가질 수 있고, 및/또는 상기 유출 홀들은 300 내지 700 ㎛ 사이의 개구 치수를 가질 수 있다. 스루 홀들이 있는 벽들의 영역 대 스루 홀들이 없는 영역 영역의 비율은 제 1 벽에 대해서보다 제 2 벽에 대해 더 클 수 있다.The inlet holes may have an opening dimension between 100 and 300 μm, and / or the outlet holes may have an opening dimension between 300 and 700 μm. The ratio of the area of the walls with through holes to the area without the through holes can be larger for the second wall than for the first wall.

일 실시예에서, 유입구를 통해 유체를 공급하도록 구성된 유체 핸들링 시스템을 포함하는 침지 리소그래피 장치가 존재한다. 상기 유입구는 서로 마주하는 적어도 2 이상의 이격 플레이트 부재들을 포함하고, 그 각각은 복수의 스루 홀들을 갖는다. 상기 유입구를 통한 유체의 유동에 대해, 하나의 플레이트 부재의 스루 홀들은 또 다른 플레이트 부재의 스루 홀들과 정렬되지 않을 수 있다.In one embodiment, there is an immersion lithography apparatus that includes a fluid handling system configured to supply fluid through an inlet. The inlet comprises at least two spaced apart plate members facing each other, each having a plurality of through holes. For the flow of fluid through the inlet, the through holes of one plate member may not be aligned with the through holes of another plate member.

플레이트 부재들의 복수의 스루 홀들은 오버랩되지 않고 존재할 수 있다. 상기 플레이트 부재들은 유입구에 걸쳐 균일한 압력 분포를 제공하도록 구성될 수 있다. 유출구 핸들링 시스템은 기판 테이블 및/또는 기판 사이에 정의된 공간에 유체를 공급하도록 구성될 수 있다. 투영 시스템은 패터닝된 방사선 빔을 기판의 타겟부 상으로 지향시키도록 구성될 수 있다. 기판 테이블은 기판을 지지하도록 구성될 수 있으며, 상기 유입구는 부분적으로 상기 공간을 정의한다.The plurality of through holes of the plate members may be present without overlap. The plate members can be configured to provide a uniform pressure distribution across the inlet. The outlet handling system can be configured to supply fluid to the space defined between the substrate table and / or the substrate. The projection system can be configured to direct the patterned radiation beam onto a target portion of the substrate. The substrate table may be configured to support a substrate, the inlet defining part of the space.

일 실시예에서, 투영 시스템 및 기판 및/또는 기판 테이블 사이의 공간에 유입구를 통해 유체를 공급하도록 구성된 유체 핸들링 시스템을 포함한다. 상기 유입구는 복수의 개구부들을 포함한다. 상기 유입구는 상기 유입구에 대해 평행한 평면에 대해 실질적으로 수직으로 상기 공간 내에 평활한 유체 유동을 공급하도록 구성된다. 상기 유체 유동의 단면 유속은 실질적으로 균일할 수 있다.In one embodiment, a fluid handling system configured to supply fluid through an inlet to a space between the projection system and the substrate and / or substrate table. The inlet includes a plurality of openings. The inlet is configured to supply a smooth fluid flow in the space substantially perpendicular to a plane parallel to the inlet. The cross-sectional flow rate of the fluid flow can be substantially uniform.

복수의 개구부들은 어레이로 존재할 수 있으며, 주기적인 패턴을 가질 수 있다. 상기 패턴은 육각형일 수 있다.The plurality of openings may be present in an array and may have a periodic pattern. The pattern may be hexagonal.

일 실시예에서, 투영 시스템 및 기판 및/또는 기판 테이블 사이의 공간에 유입구를 통해 유체를 공급하도록 구성된 유체 핸들링 시스템을 포함하는 침지 리소그래피 장치가 제공된다. 상기 유입구는 평면 표면에 배치된 복수의 개구부들을 포함할 수 있다. 상기 유입구는 상기 유입구에 대해 평행한 평면에 대해 실질적으 로 수직으로 상기 공간 내에 평활한 유체 유동을 공급하도록 구성될 수 있으며, 상기 유체 유동의 단면 유속은 실질적으로 균일하다.In one embodiment, an immersion lithographic apparatus is provided that includes a fluid handling system configured to supply fluid through an inlet to a space between a projection system and a substrate and / or a substrate table. The inlet may comprise a plurality of openings arranged in the planar surface. The inlet can be configured to supply a smooth fluid flow in the space substantially perpendicular to a plane parallel to the inlet, the cross-sectional flow velocity of the fluid flow being substantially uniform.

일 실시예에서, 기판을 지지하도록 구성된 기판 테이블, 및 유체 핸들링 시스템을 포함하는 침지 리소그래피 장치가 존재한다. 상기 유체 핸들링 시스템은 기판 테이블 및/또는 기판 위에 위치될 수 있다. 상기 유체 핸들링 시스템은 다공성 부재를 갖는 추출기를 포함할 수 있다. 상기 다공성 부재는 적어도 곡선화된 일부분을 갖는 표면을 가질 수 있어, 다공성 부재의 표면과 유체 핸들링 시스템과 마주하는 기판 및/또는 기판 테이블의 표면 간의 거리는 다공성 부재와 최상부 표면 사이의 각도의 스텝 변화(step change) 없이 반경 방향 최내각 위치로부터 반경 방향 최외각 위치로 증가한다.In one embodiment, there is an immersion lithography apparatus that includes a substrate table configured to support a substrate, and a fluid handling system. The fluid handling system may be located on a substrate table and / or a substrate. The fluid handling system may include an extractor having a porous member. The porous member may have a surface having at least a curved portion such that the distance between the surface of the porous member and the surface of the substrate and / or substrate table facing the fluid handling system is determined by the step change in the angle between the porous member and the top surface. increase from radial innermost position to radial outermost position without step change).

일 실시예에서, 디바이스 제조 방법이 존재하고, 상기 방법은: 공간 내에 침지 액체를 한정하는 단계를 포함하며, 상기 공간은 투영 시스템, 기판 및/또는 기판 테이블, 유체 핸들링 구조체, 및 상기 유체 핸들링 구조체와 상기 기판 및/또는 기판 테이블 사이에서 연장되는 침지 액체의 메니스커스(meniscus) 사이에 정의될 수 있다. 상기 투영 시스템은 상기 기판의 타겟부 및 상기 기판을 지지하도록 구성된 상기 기판 테이블에서 이미징 필드 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성될 수 있다. 상기 방법은: 상기 투영 시스템 및 상기 기판 및/또는 기판 테이블 사이에 상대 동작을 유도하는 단계를 포함하여, 상기 상대 동작의 방향 변화 시, 상기 기판 및/또는 상기 기판 테이블의 표면상에 형성된 액체 물방울이 이미징 필드의 길이보다 더 긴 길이 방향으로 상기 이미징 필드의 단부에 대해 변위를 갖 는다.In one embodiment, there is a device manufacturing method, the method comprising: defining an immersion liquid in a space, the space comprising a projection system, a substrate and / or a substrate table, a fluid handling structure, and the fluid handling structure And a meniscus of immersion liquid extending between the substrate and / or the substrate table. The projection system may be configured to project a patterned radiation beam onto an imaging field in a target portion of the substrate and the substrate table configured to support the substrate. The method includes: inducing a relative motion between the projection system and the substrate and / or substrate table, upon the change of the direction of the relative motion, liquid droplets formed on a surface of the substrate and / or the substrate table. It has a displacement with respect to the end of the imaging field in the longitudinal direction longer than the length of this imaging field.

침지 리소그래피 장치는: 기판을 지지하도록 구성된 기판 테이블; 유체 핸들링 구조체; 및 액추에이터를 포함한다. 상기 유체 핸들링 구조체는 공간 내에 침지 액체를 한정하도록 구성되고 배치될 수 있다. 상기 공간은, 기판의 타겟부, 기판 및/또는 기판 테이블에서 패터닝된 방사선 빔을 이미징 필드 상으로 투영하도록 구성된 투영 시스템과, 사용 시 유체 핸들링 구조체와 상기 기판 테이블 및/또는 상기 기판 사이에서 연장되는 침지 액체 메니스커스 사이에 정의될 수 있다. 상기 액추에이터는 상기 투영 시스템과 상기 기판 및/또는 기판 테이블 사이에 상대 동작을 유도하도록 구성될 수 있으며, 상기 상대 동작의 방향 변화 시, 상기 기판 및/또는 상기 기판 테이블 표면상의 액체 물방울은 상기 이미징 필드의 길이보다 더 긴 길이 방향으로 상기 이미징 필드의 단부에 대해 변위를 갖는다. 상기 액추에이터를 제어하기 위해, 제어기가 구성될 수 있다.An immersion lithographic apparatus includes: a substrate table constructed to support a substrate; Fluid handling structures; And actuators. The fluid handling structure can be constructed and arranged to confine immersion liquid in space. The space extends between the fluid handling structure and the substrate table and / or the substrate in use with a projection system configured to project a patterned radiation beam onto the imaging field at a target portion of the substrate, the substrate and / or the substrate table. It can be defined between immersion liquid meniscus. The actuator may be configured to induce a relative motion between the projection system and the substrate and / or substrate table, wherein upon changing of the direction of the relative motion, liquid droplets on the substrate and / or the substrate table surface may cause Has a displacement with respect to the end of the imaging field in the longitudinal direction longer than the length of. To control the actuator, a controller can be configured.

앞서 설명된 제어기들은 신호들을 수신하고, 처리하며, 보내는 여하한의 적절한 구성을 가질 수 있다. 예를 들어, 각각의 제어기는 상기 설명된 방법들을 위해 기계-판독가능한 명령어들을 포함하는 컴퓨터 프로그램들을 실행하는 1 이상의 프로세서들을 포함할 수 있다. 또한, 제어기들은 이러한 컴퓨터 프로그램들을 저장하는 데이터 저장 매체, 및/또는 이러한 매체를 수용하는 하드웨어를 포함할 수 있다.The controllers described above can have any suitable configuration for receiving, processing, and sending signals. For example, each controller may include one or more processors that execute computer programs containing machine-readable instructions for the methods described above. In addition, the controllers may include a data storage medium for storing such computer programs, and / or hardware for receiving such media.

본 발명의 1 이상의 실시예들은 여하한의 침지 리소그래피 장치, 특히 배타적인 것은 아니지만, 앞서 언급된 타입들에 적용될 수 있으며, 침지 액체가 배스의 형태로 기판의 국부화된 표면 영역 상에만 제공되는지 또는 한정되지 않는지에 따라 적용될 수 있다. 한정되지 않는 구성에서는, 실질적으로 기판 및/또는 기판 테이블의 덮이지 않은 전체 표면이 습식 상태가 되도록, 침지 액체는 기판 및 기판 테이블의 표면상에서 유동할 수 있다. 이러한 한정되지 않은 침지 시스템에서, 액체 공급 시스템은 침지 액체를 한정하지 않을 수 있으며, 또는 침지 액체의 일부분을 한정하지만, 실질적으로 침지 액체를 완전하게 한정하지 않을 수도 있다.One or more embodiments of the invention can be applied to any of the immersion lithographic apparatus, in particular but not exclusively, the type of immersion liquid provided only on the localized surface area of the substrate in the form of a bath or It may be applied depending on whether it is not limited. In a non-limiting configuration, the immersion liquid can flow on the surfaces of the substrate and the substrate table such that substantially the entire uncovered surface of the substrate and / or substrate table is wet. In this non-limiting immersion system, the liquid supply system may not limit the immersion liquid, or may limit a portion of the immersion liquid, but may not substantially completely limit the immersion liquid.

본 명세서에서 고려되는 액체 공급 시스템은 폭넓게 해석되어야 한다. 소정 실시예들에서, 이는 투영 시스템과 기판 및/또는 기판 테이블 사이의 공간에 액체를 제공하는 구조체들의 메커니즘 또는 조합일 수 있다. 이는 1 이상의 구조체, 1 이상의 액체 유입구, 1 이상의 가스 유입구, 1 이상의 가스 유출구 및/또는 공간에 액체를 제공하는 1 이상의 액체 유출구의 조합을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 공간의 표면은 기판 및/또는 기판 테이블의 일부분일 수 있고, 또는 공간 표면이 기판 및/또는 기판 테이블의 표면을 완전히 덮을 수 있으며, 또는 공간이 기판 및/또는 기판 테이블을 에워쌀 수 있다. 액체 공급 시스템은, 선택적으로 위치, 양(quantity), 질, 형상, 유속 또는 액체의 여타의 특징들을 제어하는 1 이상의 요소들을 더 포함할 수 있다.The liquid supply system contemplated herein should be broadly construed. In certain embodiments, this may be a mechanism or combination of structures that provide liquid to the space between the projection system and the substrate and / or substrate table. It may comprise a combination of one or more structures, one or more liquid inlets, one or more gas inlets, one or more gas outlets and / or one or more liquid outlets that provide liquid to the space. In one embodiment, the surface of the space may be part of the substrate and / or substrate table, or the space surface may completely cover the surface of the substrate and / or substrate table, or the space surrounds the substrate and / or substrate table It can be cheap. The liquid supply system may optionally further include one or more elements that control position, quantity, quality, shape, flow rate or other characteristics of the liquid.

앞선 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면, 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다. The foregoing description is for illustrative purposes only and is not intended to be limiting. Thus, those skilled in the art will appreciate that modifications to the invention described without departing from the scope of the claims set forth below may be made.

이하, 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:DESCRIPTION OF THE EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described only by way of example, with reference to the accompanying schematic drawings in which corresponding reference numbers indicate corresponding parts.

- 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;1 shows a lithographic apparatus according to an embodiment of the invention;

- 도 2 및 도 3은 리소그래피 투영 장치에서 사용하기 위한 액체 공급 시스템을 도시하는 도면;2 and 3 show a liquid supply system for use in a lithographic projection apparatus;

- 도 4는 리소그래피 투영 장치에 사용하기 위한 또 다른 액체 공급 시스템을 도시하는 도면;4 shows another liquid supply system for use in a lithographic projection apparatus;

- 도 5는 본 발명의 일 실시예에서 액체 공급 시스템으로서 사용될 수 있는 배리어 부재의 단면도;5 is a cross-sectional view of a barrier member that may be used as a liquid supply system in one embodiment of the present invention;

- 도 6은 본 발명의 일 실시예에서 사용될 수 있는 또 다른 배리어 부재의 단면도;6 is a cross-sectional view of another barrier member that may be used in one embodiment of the present invention;

- 도 7은 본 발명의 일 실시예의 액체 공급 디바이스의 2 개의 측벽들 또는 플레이트들의 사시도;7 is a perspective view of two side walls or plates of a liquid supply device of one embodiment of the invention;

- 도 8a 및 도 8b는 하나의 플레이트의 홀들에 대한 다른 하나의 플레이트 홀들의 구성을 개략적으로 도시하는 도면;8a and 8b schematically show the configuration of the other plate holes for the holes of one plate;

- 도 9는 도 7의 플레이트들이 어떤 방식으로 배리어 부재에 조립되는지를 나타내는 사시도;9 is a perspective view showing how the plates of FIG. 7 are assembled to the barrier member;

- 도 10은 세 가지 상이한 플레이트 디자인들 간의 거리 대 난류의 도입 없이 최대 유속의 변동을 나타내는 그래프;10 is a graph showing the variation of the maximum flow rate without introducing turbulence versus distance between three different plate designs;

- 도 11은 상이한 위상 시프트들에 대한 난류 없이 최대 유속을 나타내는 그래프;11 is a graph showing the maximum flow rate without turbulence for different phase shifts;

- 도 12는 본 발명의 일 실시예의 배리어 부재의 뒷면의 단면도;12 is a cross-sectional view of the back side of the barrier member of one embodiment of the invention;

- 도 13은 제 1 기포 함유 시나리오를 예시하는 도면; 및13 illustrates a first bubble containing scenario; And

- 도 14는 제 2 기포 함유 시나리오를 예시하는 도면이다.14 is a diagram illustrating a second bubble containing scenario.

Claims (21)

침지 리소그래피 장치에 있어서,In the immersion lithography apparatus, 유체를 공급하도록 구성된 유체 핸들링 시스템을 포함하고, 상기 유체 핸들링 시스템은 제 1 측벽 내의 복수의 유입 홀들 및 제 2 측벽 내의 복수의 유출 홀들을 갖는 챔버를 포함하고, 상기 제 1 측벽은 제 2 측벽과 마주하며, 상기 유입 홀들은 챔버로 유입되는 유체를 상기 복수의 유출 홀들 사이의 상기 제 2 측벽의 영역들을 향하는 방향으로 지향시키도록 구성되고,A fluid handling system configured to supply fluid, the fluid handling system comprising a chamber having a plurality of inlet holes in the first sidewall and a plurality of outlet holes in the second sidewall, the first sidewall being in contact with the second sidewall; Facing the inlet holes, the inlet holes are configured to direct the fluid entering the chamber in a direction towards the regions of the second sidewall between the plurality of outlet holes, 상기 유출 홀들의 개구 치수(opening dimension)는 상기 유입 홀들의 개구 치수와 같거나 큰 침지 리소그래피 장치.And an opening dimension of the outflow holes is equal to or greater than an opening dimension of the inflow holes. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 복수의 유입 홀들, 상기 복수의 유출 홀들, 또는 상기 복수의 유입 홀들 및 상기 복수의 유출 홀들은 2 차원 어레이로 존재하는 침지 리소그래피 장치.And the plurality of inlet holes, the plurality of outlet holes, or the plurality of inlet holes and the plurality of outlet holes are in a two-dimensional array. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 복수의 유입 홀들 및 상기 복수의 유출 홀들은 동일한 패턴을 갖는 침지 리소그래피 장치.And the plurality of inflow holes and the plurality of outflow holes have the same pattern. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 유입 홀들의 패턴은 상기 유출 홀들의 패턴에 대해 위상이 변위된(phase-shifted) 침지 리소그래피 장치.And the pattern of inlet holes is phase-shifted with respect to the pattern of outlet holes. 삭제delete 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 제 1 측벽 상의 유체 압력 강하는 상기 제 2 측벽 상의 유체 압력 강하 보다 크거나 같은 침지 리소그래피 장치.Immersion lithographic apparatus wherein the fluid pressure drop on the first sidewall is greater than or equal to the fluid pressure drop on the second sidewall. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 제 1 및 제 2 측벽들은 0.2 내지 3 mm 사이에서 이격되는 침지 리소그래피 장치.The first and second sidewalls are spaced between 0.2 and 3 mm. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 유체 핸들링 시스템은, 상기 침지 리소그래피 장치의 투영 시스템과 상기 침지 리소그래피 장치의 기판, 기판 테이블, 또는 상기 기판 및 상기 기판 테이블 사이의 공간에 유체를 공급하도록 구성되는 침지 리소그래피 장치.And the fluid handling system is configured to supply fluid to a projection system of the immersion lithography apparatus and a substrate, a substrate table, or a space between the substrate and the substrate table. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 제 2 측벽은 상기 투영 시스템의 광학 축선에 대해 평행한 평면에 있는 침지 리소그래피 장치.And the second sidewall is in a plane parallel to the optical axis of the projection system. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 유출 홀들은 상기 투영 시스템의 광학 축선에 대해 수직인 평면 또는 평면들에 있으며, 상기 평면 또는 평면들은 상기 투영 시스템의 최종 요소의 저부 위에 존재하는 침지 리소그래피 장치.The outflow holes are in a plane or planes perpendicular to the optical axis of the projection system, the plane or planes being above the bottom of the final element of the projection system. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 유체 핸들링 시스템은 상기 투영 시스템의 안쪽 방향으로 연장된 돌출부를 더 포함하고, 상기 돌출부는 상기 제 2 측벽의 최상부로부터 돌출되도록 배치되는 침지 리소그래피 장치.And the fluid handling system further includes an inwardly extending projection of the projection system, wherein the projection is disposed to protrude from the top of the second sidewall. 침지 리소그래피 장치에 있어서,In the immersion lithography apparatus, 유체를 공급하도록 구성된 유체 핸들링 시스템을 포함하고, 상기 유체 핸들링 시스템은:A fluid handling system configured to supply a fluid, the fluid handling system comprising: 유체의 통행을 위해 복수의 스루 홀(through hole)들을 갖는 제 1 플레이트; 및A first plate having a plurality of through holes for passage of the fluid; And 유체의 통행을 위해 복수의 스루 홀들을 갖는 제 2 플레이트를 포함하며, A second plate having a plurality of through holes for passage of the fluid, 상기 제 1 및 제 2 플레이트들은 평행하며, 상기 유체 핸들링 시스템에 의해 공급된 유체는, 상기 제 2 플레이트 내의 복수의 스루 홀들을 통과하기 이전에 상기 제 1 플레이트의 복수의 스루 홀들을 통과하도록 구성되고,The first and second plates are parallel, and the fluid supplied by the fluid handling system is configured to pass through the plurality of through holes of the first plate before passing through the plurality of through holes in the second plate; , 상기 제 2 플레이트 내의 복수의 스루 홀들의 개구 치수는 상기 제 1 플레이트의 복수의 스루 홀들의 개구 치수와 같거나 큰 침지 리소그래피 장치.And an aperture dimension of the plurality of through holes in the second plate is equal to or greater than an aperture dimension of the plurality of through holes in the first plate. 제 12 항에 있어서,13. The method of claim 12, 상기 제 1 플레이트 내의 스루 홀들은 상기 제 2 플레이트 내의 스루 홀들과 정렬되지 않는 침지 리소그래피 장치.Immersion lithographic apparatus wherein the through holes in the first plate are not aligned with the through holes in the second plate. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 침지 리소그래피 장치에 있어서,In the immersion lithography apparatus, 기판을 지지하도록 구성된 기판 테이블; 및A substrate table configured to support a substrate; And 상기 기판 테이블, 상기 기판, 또는 상기 기판 테이블 및 상기 기판 위에 위치되는 유체 핸들링 시스템을 포함하며, 상기 유체 핸들링 시스템은 다공성 부재를 갖는 추출기를 포함하고, 상기 다공성 부재는 적어도 곡선화된 일부분을 갖는 표면을 가져, c) 상기 다공성 부재의 표면과, d) 유체 핸들링 시스템과 마주하는 기판 및 기판 테이블 중 1 이상의 표면, 간의 거리는 상기 다공성 부재와 최상부 표면 사이의 각도의 스텝 변화(step change) 없이 반경 방향 최내각 위치로부터 반경 방향 최외각 위치로 증가하는 리소그래피 장치.The substrate table, the substrate, or a fluid handling system positioned over the substrate table and the substrate, the fluid handling system including an extractor having a porous member, the porous member having at least a curved portion. C) the distance between the surface of the porous member and at least one of the substrate and the substrate table facing the fluid handling system is radial without a step change in the angle between the porous member and the top surface. A lithographic apparatus increasing from the innermost position to the radially outermost position. 삭제delete 침지 리소그래피 장치에 있어서,In the immersion lithography apparatus, 기판을 지지하도록 구성된 기판 테이블;A substrate table configured to support a substrate; 상기 기판의 타겟부; 기판 및 기판 테이블 중 1 이상에서 이미징 필드 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 투영 시스템과, 사용 시 유체 핸들링 구조체와, 상기 기판 테이블 및 상기 기판 중 1 이상의 사이에서 연장되는 침지 액체 메니스커스 사이에 정의된 공간 내에 침지 액체를 한정하도록 구성되고 배치된 유체 핸들링 구조체; 및A target portion of the substrate; A projection system for projecting a patterned beam of radiation onto the imaging field at at least one of the substrate and the substrate table, between the fluid handling structure and an immersion liquid meniscus extending between the at least one of the substrate table and the substrate. A fluid handling structure constructed and arranged to define an immersion liquid within a defined space; And 상기 투영 시스템과, 상기 기판 및 상기 기판 테이블 중 1 이상의 사이에 상대 동작을 유도하도록 구성된 액추에이터를 포함하여, 상기 상대 동작의 방향 변화 시, 상기 기판 및 상기 기판 테이블 중 1 이상의 표면상의 액체 물방울은 상기 이미징 필드의 길이보다 긴 길이 방향으로 상기 이미징 필드의 단부에 대해 변위를 갖는 침지 리소그래피 장치.And an actuator configured to induce a relative motion between the projection system and one or more of the substrate and the substrate table, such that when the direction of the relative motion changes, liquid droplets on the surface of the one or more of the substrate and the substrate table may Immersion lithographic apparatus having a displacement with respect to the end of the imaging field in a longitudinal direction longer than the length of the imaging field.
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