KR101158194B1 - Method for modeling multi layer ceramic capacitor - Google Patents

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윤태열
김명균
박찬서
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한양대학교 산학협력단
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Abstract

적층형 세라믹 캐패시터의 모델링 방법이 개시된다. 상기 적층형 세라믹 캐패시터의 모델링 방법은, 레이어 영역 내의 소정 길이의 단위 레이어에 대응되는 등가회로를 구성하고, 단위 레이어에 대응되는 등가회로의 전파상수 및 특성 임피던스를 계산하는 단계, 계산된 상기 전파상수 및 상기 특성 임피던스를 이용하여 상기 적층형 세라믹 캐패시터에 대응되는 등가회로를 생성하는 단계, 및 상기 적층형 세라믹 캐패시터의 주파수 특성을 이용하여 상기 적층형 세라믹 캐패시터에 대응되는 등가회로의 각 파라미터를 계산하는 단계를 포함한다.A method of modeling a multilayer ceramic capacitor is disclosed. The method of modeling the multilayer ceramic capacitor may include configuring an equivalent circuit corresponding to a unit layer having a predetermined length in a layer region, calculating a propagation constant and characteristic impedance of the equivalent circuit corresponding to the unit layer, and calculating the propagation constant and Generating an equivalent circuit corresponding to the multilayer ceramic capacitor using the characteristic impedance, and calculating each parameter of the equivalent circuit corresponding to the multilayer ceramic capacitor using frequency characteristics of the multilayer ceramic capacitor. .

Description

적층형 세라믹 캐패시터의 모델링 방법{Method for modeling multi layer ceramic capacitor}Modeling method for multilayer ceramic capacitors

본 발명은 적층형 세라믹 캐패시터와 가장 유사한 주파수 응답특성을 갖는 등가회로를 모델링하기 위한 기술과 관련된다.
The present invention relates to a technique for modeling an equivalent circuit having a frequency response characteristic most similar to that of a multilayer ceramic capacitor.

오늘날 적층형 세라믹 캐패시터(MLCC; Multi Layer Ceramic Capacitor)는 크기가 작고 등가 직렬 저항(ESR; Equivalent Series Resistance)이 작다는 장점 때문에 전자 산업 전반에 널리 이용되고 있다. 특히 고용량 MLCC는 전력 공급 회선망(PDN; Power Distribution Network)에서 낮은 임피던스를 제공하는 역할을 하여 MPU나 ASIC 등에 충분한 전류를 공급해준다는 점에서 매우 중요하다.Today, multi-layer ceramic capacitors (MLCCs) are widely used throughout the electronics industry because of their small size and small equivalent series resistance (ESR). In particular, high-capacity MLCCs are important because they provide low impedance in the power distribution network (PDN) to provide sufficient current to the MPU or ASIC.

이와 같이 고용량 MLCC는 전자산업분야에 폭넓게 이용되고 있는바, 신뢰할 수 있는 정확한 등가회로모델이 필요하다. MLCC의 등가회로모델을 시간영역과 주파수영역의 시뮬레이션에 적용하게 되면, 등가회로의 응답을 통하여 전체 시스템을 쉽게 분석하고 설계할 수 있는 장점이 있다.As such, high-capacity MLCCs are widely used in the electronics industry, and require a reliable and accurate equivalent circuit model. When the equivalent circuit model of MLCC is applied to the simulation of the time domain and the frequency domain, there is an advantage that the entire system can be easily analyzed and designed through the response of the equivalent circuit.

특히 고용량 MLCC는 1차 자기 공진주파수(Self Resonance Frequency, SRF)에서 공진이 발생하는 특성이 나타나며, 주파수가 높아짐에 따라 2차 공진이 나타나므로 주파수 응답 특성을 정확하게 나타낼 수 있는 모델링 회로가 필요하다.In particular, high-capacity MLCCs exhibit resonance characteristics at the first self-resonance frequency (SRF). Secondary resonances appear as the frequency increases, so a modeling circuit capable of accurately representing the frequency response characteristics is required.

MLCC의 등가회로 모델링을 위해서, 일반적으로는 가장 간단한 형태인 시리즈 RLC 모델을 이용할 수 있다. 이 모델은 저항, 인덕터, 캐패시터를 직렬로 연결한 형태의 모델로서 각 파라미터 추출이 쉽고 1차 공진주파수까지 MLCC의 주파수 응답 특성을 비교적 정확히 만족시킨다. 하지만 RLC 각 파라미터들이 주파수에 독립적이기 때문에 임피던스(impedance)는 실제 측정치와 비슷하지만 이외에 페이즈(phase)나 ESR 값 등이 실제 측정치와 맞지 않는 문제가 있다.For equivalent circuit modeling of MLCCs, a series RLC model, which is generally the simplest form, can be used. This model is a series of resistors, inductors, and capacitors in series, and it is easy to extract each parameter and satisfies the MLCC's frequency response characteristics up to the first resonant frequency. However, since each of the RLC parameters is frequency independent, the impedance is similar to the actual measurement, but there is a problem that the phase or ESR value does not match the actual measurement.

MLCC를 모델링하는 다른 방법으로는 분산(Distributed) 모델 또는 전송선을 이용한 모델이 있다. 분산 모델은 사다리 구조의 RLC 모델을 통해 주파수에 의존적인 인덕턴스(Inductance), 레지스턴스(Resistance) 및 캐패시턴스(Capacitance)를 나타낼 수 있다. 하지만 분산 모델의 소자 개수는 MLCC 내부 층의 숫자에 의해 결정되기 때문에 수백 개의 층으로 이루어진 고용량 MLCC를 모델링할 경우 모델의 복잡도가 매우 높아진다. 한편, 전송선 이론을 이용한 MLCC 모델은 내부 두 개의 기판(plate)을 손실을 가지는 전송선으로 가정하고, 파동방정식(Wave Equation)을 이용하여 두 개의 기판에 대한 임피던스를 정의하고 1차 공진주파수까지 만족하는 모델을 추출한다. 그러나 이와 같은 전송선 모델은 MLCC의 외부전극(Termination)의 전위가 동일하다고 가정하기 때문에 수백 층의 기판으로 이루어진 고용량 MLCC의 특성을 나타내는데 한계가 있다.
Other methods of modeling MLCCs include distributed models or models using transmission lines. The variance model may represent frequency-dependent inductance, resistance, and capacitance through a ladder-structured RLC model. However, because the number of devices in a distributed model is determined by the number of layers in the MLCC, model complexity becomes very high when modeling a high-capacity MLCC with hundreds of layers. On the other hand, the MLCC model using transmission line theory assumes two inner plates as lossy transmission lines, defines impedances for two substrates using wave equation, and satisfies the first resonant frequency. Extract the model. However, such a transmission line model has a limitation in displaying the characteristics of a high capacity MLCC composed of hundreds of layers because it is assumed that the potential of the external terminal of the MLCC is the same.

본 발명은 적층형 세라믹 캐패시터를 전송선 개념을 이용하여 모델링함으로써 실제 적층형 세라믹 캐패시터와 유사한 주파수 응답특성을 나타내는 정확한 모델링 회로를 제공하기 위한 것이다.
The present invention is to provide an accurate modeling circuit exhibiting a frequency response characteristic similar to an actual multilayer ceramic capacitor by modeling a multilayer ceramic capacitor using a transmission line concept.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 세라믹 캐패시터의 모델링 방법은, 복수 개의 기판이 적층되어 형성되는 레이어 영역 및 상기 레이어 영역 하단에 형성된 말단 영역을 포함하는 적층형 세라믹 캐패시터의 모델링 방법으로서, 상기 레이어 영역 내의 소정 길이의 단위 레이어에 대응되는 등가회로를 구성하고, 상기 단위 레이어에 대응되는 등가회로의 전파상수 및 특성 임피던스를 계산하는 단계; 계산된 상기 전파상수 및 상기 특성 임피던스를 이용하여 상기 적층형 세라믹 캐패시터에 대응되는 등가회로를 생성하는 단계; 및 상기 적층형 세라믹 캐패시터의 주파수 특성을 이용하여 상기 적층형 세라믹 캐패시터에 대응되는 등가회로의 각 파라미터를 계산하는 단계;를 포함한다.Modeling method of a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention for solving the above problems, a modeling method of a multilayer ceramic capacitor comprising a layer region formed by stacking a plurality of substrates and an end region formed at the bottom of the layer region Comprising: forming an equivalent circuit corresponding to a unit layer of a predetermined length in the layer region, and calculating the propagation constant and characteristic impedance of the equivalent circuit corresponding to the unit layer; Generating an equivalent circuit corresponding to the multilayer ceramic capacitor using the calculated propagation constant and the characteristic impedance; And calculating each parameter of an equivalent circuit corresponding to the multilayer ceramic capacitor using the frequency characteristic of the multilayer ceramic capacitor.

이때, 상기 단위 레이어에 대응되는 등가회로는. 상기 단위 레이어의 일단 및 타단 사이에 직렬 연결되는 제 1 저항 및 제 1 인덕터; 상기 단위 레이어의 일단 및 타단 사이에 병렬 연결되는 제 2 저항; 상기 제 2 저항과 직렬 연결되는 제 2 인덕터; 상기 제 2 인덕터와 직렬 연결되는 제 1 커패시터; 및 상기 제 1 커패시터와 병렬 연결되는 제 3 저항;을 포함할 수 있다.At this time, the equivalent circuit corresponding to the unit layer. A first resistor and a first inductor connected in series between one end and the other end of the unit layer; A second resistor connected in parallel between one end and the other end of the unit layer; A second inductor connected in series with the second resistor; A first capacitor connected in series with the second inductor; And a third resistor connected in parallel with the first capacitor.

그리고 상기 제 1 저항 및 제 1 인덕터의 값은 상기 적층형 세라믹 캐패시터의 상기 단위 레이어와 연결된 외부전극의 등가 저항 및 등가 인덕턴스이고, 상기 제 2 저항 및 상기 제 2 인덕터의 값은 상기 적층형 세라믹 캐패시터 내부에 포함된 기판의 등가 저항 및 등가 인덕턴스이며, 상기 제 1 커패시터의 값은 상기 적층형 세라믹 캐패시터 내부의 각 기판 간의 등가 캐패시턴스이고, 상기 제 3 저항의 값은 상기 적층형 세라믹 캐패시터의 유전손실(Dielectric loss)인 것이 바람직하다. Values of the first resistor and the first inductor are equivalent resistances and equivalent inductances of the external electrodes connected to the unit layers of the multilayer ceramic capacitor, and values of the second resistor and the second inductor are inside the multilayer ceramic capacitor. Equivalent resistance and equivalent inductance of the included substrate, the value of the first capacitor is the equivalent capacitance between each substrate in the multilayer ceramic capacitor, the value of the third resistance is the dielectric loss (Dielectric loss) of the multilayer ceramic capacitor It is preferable.

또한 상기 전파상수는 다음의 수학식In addition, the propagation constant is

Figure 112010020844890-pat00001
Figure 112010020844890-pat00001

와 같이 정해질 수 있으며, 상기 특성 임피던스는 다음의 수학식The characteristic impedance may be determined as follows.

Figure 112010020844890-pat00002
Figure 112010020844890-pat00002

와 같이 정해질 수 있다.It can be determined as follows.

한편, 상기 적층형 세라믹 캐패시터에 대응되는 등가회로를 생성하는 단계는, 상기 레이어 영역을 무한대의 부하가 연결된 전송선으로 가정하여 상기 적층형 세라믹 캐패시터의 등가 임피던스를 계산하는 단계; 연속부분근사를 이용하여 상기 계산된 등가 임피던스의 하이퍼볼릭 탄젠트 값의 2차 근사값 및 4차 근사값을 계산하는 단계; 및 상기 2차 근사값 및 4차 근사값을 각각 상기 계산된 적층형 세라믹 캐패시터의 등가 임피던스에 적용하여 상기 적층형 세라믹 캐패시터의 2차 근사회로 및 4차 근사회로를 생성하는 단계;를 포함한다.Meanwhile, the step of generating an equivalent circuit corresponding to the multilayer ceramic capacitor may include calculating an equivalent impedance of the multilayer ceramic capacitor by assuming that the layer area is a transmission line to which an infinite load is connected; Calculating second and fourth order approximations of the calculated hyperbolic tangent values of the equivalent impedance using continuous partial approximation; And applying the second approximation value and the fourth approximation value to the calculated equivalent impedance of the multilayer ceramic capacitor, respectively, to generate a secondary approximation furnace and a fourth approximation furnace furnace of the multilayer ceramic capacitor.

이때, 상기 2차 등가회로의 등가 임피던스는, 다음의 수학식At this time, the equivalent impedance of the secondary equivalent circuit is the following equation

Figure 112010020844890-pat00003
Figure 112010020844890-pat00003

(이때, Z2nd - model은 2차 등가회로의 등가 임피던스, Z0는 상기 단위 레이어에 대응되는 등가회로의 특성 임피던스,

Figure 112010020844890-pat00004
는 상기 단위 레이어에 대응되는 등가회로의 전파상수, l은 상기 레이어 영역의 길이, Rp는 상기 기판의 레지스턴스, Lp는 상기 기판의 인덕턴스, RT는 상기 말단 영역의 레지스턴스, LT는 상기 말단 영역의 인덕턴스, Rs는 상기 레이어 영역과 접속된 외부 전극의 레지스턴스, Ls는 상기 레이어 영역과 접속된 외부 전극의 인덕턴스, C는 상기 적층형 세라믹 캐패시터 내부의 각 기판 간의 캐패시턴스, Rd는 유전손실)(Wherein, Z 2nd - 2 model is equivalent to the impedance of the equivalent circuit of the car, Z 0 is the characteristic of the equivalent circuit corresponding to the impedance of the layer unit,
Figure 112010020844890-pat00004
Is a propagation constant of an equivalent circuit corresponding to the unit layer, l is the length of the layer region, R p is the resistance of the substrate, L p is the inductance of the substrate, R T is the resistance of the terminal region, and L T is the Inductance of the terminal region, R s is the resistance of the external electrode connected to the layer region, L s is the inductance of the external electrode connected to the layer region, C is the capacitance between each substrate in the multilayer ceramic capacitor, R d is the dielectric Loss)

과 같이 정해질 수 있으며, 상기 4차 등가회로의 등가 임피던스는, 다음의 수학식The equivalent impedance of the fourth equivalent circuit may be determined as follows.

Figure 112010020844890-pat00005
Figure 112010020844890-pat00005

Figure 112010020844890-pat00006
Figure 112010020844890-pat00006

(이때, Z4th - model은 2차 등가회로의 등가 임피던스, Z0는 상기 단위 레이어에 대응되는 등가회로의 특성 임피던스,

Figure 112010020844890-pat00007
는 상기 단위 레이어에 대응되는 등가회로의 전파상수, l은 상기 레이어 영역의 길이, Rp는 상기 기판의 레지스턴스, Lp는 상기 기판의 인덕턴스, RT는 상기 말단 영역의 레지스턴스, LT는 상기 말단 영역의 인덕턴스, Rs는 상기 레이어 영역과 접속된 외부 전극의 레지스턴스, Ls는 상기 레이어 영역과 접속된 외부 전극의 인덕턴스, C는 상기 적층형 세라믹 캐패시터 내부의 각 기판 간의 캐패시턴스, Rd는 유전손실)(Wherein, Z 4th - model 2 is an equivalent impedance of the secondary equivalent circuit, Z 0 is the characteristic of the equivalent circuit corresponding to the impedance of the layer unit,
Figure 112010020844890-pat00007
Is a propagation constant of an equivalent circuit corresponding to the unit layer, l is the length of the layer region, R p is the resistance of the substrate, L p is the inductance of the substrate, R T is the resistance of the terminal region, and L T is the Inductance of the terminal region, R s is the resistance of the external electrode connected to the layer region, L s is the inductance of the external electrode connected to the layer region, C is the capacitance between each substrate in the multilayer ceramic capacitor, R d is the dielectric Loss)

과 같이 정해질 수 있다.It can be determined as follows.

한편, 상기 적층형 세라믹 캐패시터에 대응되는 등가회로의 각 파라미터를 계산하는 단계는, 상기 적층형 세라믹 캐패시터의 1차 공진주파수에서의 임피던스 측정값으로부터 상기 2차 근사회로의 파라미터를 계산하는 단계; 및 계산된 상기 2차 근사회로의 파라미터 및 상기 적층형 세라믹 캐패시터의 2차 공진주파수에서의 임피던스 측정값으로부터 상기 4차 근사회로의 파라미터를 계산하는 단계;를 포함할 수 있다.
Meanwhile, calculating each parameter of an equivalent circuit corresponding to the multilayer ceramic capacitor may include calculating a parameter from the impedance measurement at the first resonance frequency of the multilayer ceramic capacitor to the secondary near-field; And calculating a parameter to the fourth near field from the calculated parameter to the secondary near field and the impedance measurement value at the secondary resonance frequency of the multilayer ceramic capacitor.

본 발명은 적층형 세라믹 캐패시터를 전송선 개념을 이용하여 모델링함으로써 특히 고용량 적층형 세라믹 캐패시터의 주파수 응답특성을 나타내는 정확한 모델링 회로를 제공할 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of providing an accurate modeling circuit that exhibits the frequency response characteristic of a high-capacity multilayer ceramic capacitor by modeling a multilayer ceramic capacitor using a transmission line concept.

또한, 본 발명에 따라 추출된 모델링 회로의 파라미터에는 실제 적층형 세라믹 캐패시터의 내부구조 정보를 포함하는 단위길이 파라미터를 포함하고 있는 바, 이를 이용하면 실제 고용량 적층형 세라믹 캐패시터의 제작 및 특성 변경 등에 사용될 수 있다.
In addition, the parameter of the modeling circuit extracted according to the present invention includes a unit length parameter including internal structure information of the actual multilayer ceramic capacitor, and when used, the parameter may be used to manufacture and change characteristics of the actual high capacity multilayer ceramic capacitor. .

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 세라믹 캐패시터(MLCC; Multi Layer Ceramic Capacitor)의 단면도이다.
도 2는 도 1에 개시된 적층형 세라믹 캐패시터의 임피던스의 등가 블록도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 세라믹 캐패시터의 모델링 방법(300)을 나타낸 순서도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 적층형 세라믹 캐패시터의 각 층을 흐르는 전류가 루프를 형성함을 설명하기 위한 예시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 세라믹 캐패시터를 캐패시터와 인덕터 소자를 이용하여 나타낸 등가회로이다.
도 6의 (a)는 무손실 전송선 이론의 모델을 설명하기 위한 도면이며, 도 6의 (b)는 상기 전송선 이론 모델을 적층형 세라믹 캐패시터(100)에 맞게 적용한 분산 모델을 나타낸 도면이다.
도 7은 도 6의 (b)에 도시된 분산 모델로부터 전송선 이론을 바탕으로, 적층형 세라믹 캐패시터(100)의 레이어 영역의 극소길이 △z의 길이를 갖는 단위 레이어에 대응되는 등가회로를 나타낸 도면이다.
도 8은 적층형 세라믹 캐패시터(100)의 레이어 영역을 부하 ZL이 달린 길이 l 의 전송선으로 가정한 상태를 도시한 것이다.
도 9는 수학식 12를 럼프드 소자를 이용하여 나타낸 2차 모델을 도시한 회로도이다.
도 10은 수학식 13을 럼프드 소자를 이용하여 나타낸 4차 모델을 도시한 회로도이다.
도 11 및 도 12는 수학식 10의 하이퍼볼릭 탄젠트 값을 각 차수에 따라 근사화한 값을 수학식 11에 대입하여 얻은 적층형 세라믹 캐패시터(100)의 등가 임피던스와 실제 적층형 세라믹 캐패시터(100)에서 측정한 임피던스, 페이즈를 나타낸 그래프이다.
도 13은 적층형 세라믹 캐패시터(100)의 2차 모델을 나타낸 도면이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따라 2012 크기의 고용량 적층형 세라믹 캐패시터의 세 기종에 대하여 추출한 2차 모델의 파라미터 값을 나타낸 표이다.
도 15는 고용량 적층형 세라믹 캐패시터의 4차 모델을 나타낸 도면이다.
도 16는 고용량 적층형 세라믹 캐패시터의 임피던스 실수값을 측정하여 기록한 그래프이다.
도 17은 적층형 세라믹 캐패시터(100)에서 Zlayer와 ZT의 길이비를 설명하기 위한 도면이다.
도 18은 2012 크기의 10μF 적층형 세라믹 캐패시터의 내부단면도이다.
도 19는 2012 크기의 고용량 적층형 세라믹 캐패시터의 세 기종에 대하여 추출된 단위길의의 파라미터를 나타낸 표이다.
도 20은 상기 도 20에 기재된 단위길이의 파라미터를 수학식 20에 대입하여 추출한 4차 등가모델의 파라미터를 나타낸 표이다.
1 is a cross-sectional view of a multilayer ceramic capacitor (MLCC) according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an equivalent block diagram of the impedance of the multilayer ceramic capacitor disclosed in FIG. 1.
3 is a flowchart illustrating a modeling method 300 of a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention.
4 is an exemplary view for explaining that a current flowing through each layer of the multilayer ceramic capacitor forms a loop according to an embodiment of the present invention.
5 is an equivalent circuit diagram illustrating a multilayer ceramic capacitor using capacitors and inductors according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6A is a diagram for describing a model of a lossless transmission line theory, and FIG. 6B is a diagram illustrating a dispersion model in which the transmission line theory model is applied to the multilayer ceramic capacitor 100.
FIG. 7 is a diagram illustrating an equivalent circuit corresponding to a unit layer having a minimum length Δz of a layer region of the multilayer ceramic capacitor 100 based on the transmission line theory from the dispersion model illustrated in FIG. 6B. .
FIG. 8 illustrates a state in which the layer region of the multilayer ceramic capacitor 100 is assumed to be a transmission line having a length L with a load Z L.
FIG. 9 is a circuit diagram illustrating a secondary model in which Equation 12 is represented using a lumped element.
FIG. 10 is a circuit diagram showing a fourth-order model in which Equation 13 is represented using a lumped element.
11 and 12 show the equivalent impedance of the multilayer ceramic capacitor 100 obtained by substituting the approximation of the hyperbolic tangent of Equation 10 according to each order into Equation 11 and the actual impedance of the multilayer ceramic capacitor 100. It is a graph showing impedance and phase.
FIG. 13 is a diagram illustrating a secondary model of the multilayer ceramic capacitor 100.
FIG. 14 is a table illustrating parameter values of a secondary model extracted for three models of a high capacity multilayer ceramic capacitor having a size of 2012 according to an embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a view illustrating a fourth order model of a high capacity multilayer ceramic capacitor.
16 is a graph of measuring and recording impedance real values of high capacity multilayer ceramic capacitors.
FIG. 17 illustrates a length ratio of Z layer and Z T in the multilayer ceramic capacitor 100.
18 is an internal cross-sectional view of a 10 μF multilayer ceramic capacitor of 2012 size.
FIG. 19 is a table showing parameters of unit lengths extracted for three models of a high capacity multilayer ceramic capacitor having a size of 2012.
FIG. 20 is a table showing parameters of a fourth-order equivalent model extracted by substituting the parameter of the unit length described in FIG. 20 into Equation 20. FIG.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 설명하기로 한다. 그러나 이는 예시적 실시예에 불과하며 본 발명은 이에 제한되지 않는다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. However, this is only an exemplary embodiment and the present invention is not limited thereto.

본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명과 관련된 공지기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 그리고, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In the following description, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. The following terms are defined in consideration of the functions of the present invention, and may be changed according to the intention or custom of the user, the operator, and the like. Therefore, the definition should be based on the contents throughout this specification.

결과적으로, 본 발명의 기술적 사상은 청구범위에 의해 결정되며, 이하 실시예는 진보적인 본 발명의 기술적 사상을 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 효율적으로 설명하기 위한 일 수단일 뿐이다.
As a result, the technical spirit of the present invention is determined by the claims, and the following examples are one means for efficiently explaining the technical spirit of the present invention to those skilled in the art to which the present invention pertains. It is only.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 세라믹 캐패시터(MLCC; Multi Layer Ceramic Capacitor)의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a multilayer ceramic capacitor (MLCC) according to an embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 세라믹 캐패시터(100)는, 서로 평행하게 적층되는 기판(102, plate), 기판(102) 사이에 구비되는 유전체(104, dielectric) 및 외부전극(106, termination)을 포함한다. 이때, 도시된 바와 같이 각 층의 기판(102)은 교차적으로 외부전극(106)에 연결되며 인접한 기판은 유전체(104)를 통하여 연결된다. 이와 같은 적층형 세라믹 캐패시터(100)의 임피던스는 기판(102)과 외부전극(106)이 접합되어 있는 부분(이하 '레이어 영역'이라 칭함)의 임피던스 Zlayer와 하단의 유전체(104) 및 외부전극(106)이 존재하는 부분(이하 '말단 영역'이라 칭함)의 임피던스 ZT로 구성할 수 있으며, 이를 등가 블록도로 나타내면 도 2와 같다.As shown, the multilayer ceramic capacitor 100 according to an embodiment of the present invention includes a substrate 102 stacked in parallel with each other, a dielectric 104 and an external electrode provided between the substrates 102. (106, termination). At this time, as shown, the substrate 102 of each layer is alternately connected to the external electrode 106 and the adjacent substrate is connected through the dielectric 104. The impedance of the multilayer ceramic capacitor 100 is the impedance Z layer of the portion where the substrate 102 and the external electrode 106 are bonded (hereinafter referred to as a "layer area"), the dielectric 104 and the external electrode ( It can be configured with the impedance Z T of the portion (hereinafter referred to as the 'end region') that exists 106, as shown in Figure 2 equivalent block diagram.

도 2의 등가 블록도로부터 적층형 세라믹 캐패시터(100)의 임피던스 Zcap을 나타내면 다음과 같다.
The impedance Zcap of the multilayer ceramic capacitor 100 is shown from the equivalent block diagram of FIG. 2 as follows.

Figure 112010020844890-pat00008
Figure 112010020844890-pat00008

상기 수학식 1에서, ZT는 외부전극(106)의 임피던스를 나타내므로 상기 수학식 1은 다음의 수학식 2와 같이 나타낼 수 있다.
In Equation 1, since Z T represents the impedance of the external electrode 106, Equation 1 may be expressed as Equation 2 below.

Figure 112010020844890-pat00009
Figure 112010020844890-pat00009

상기 수학식에서, RT는 외부전극(106)이 갖는 손실(loss), LT는 외부전극(106)이 갖는 인덕턴스를 나타낸다.
In the above equation, R T represents the loss of the external electrode 106 and L T represents the inductance of the external electrode 106.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 세라믹 캐패시터의 모델링 방법(300)을 나타낸 순서도이다.3 is a flowchart illustrating a modeling method 300 of a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 세라믹 캐패시터의 모델링 방법(300)은, 적층형 세라믹 캐패시터(100)의 레이어 영역 내의 소정 길이의 단위 레이어에 대응되는 등가회로를 구성하고, 상기 단위 레이어에 대응되는 등가회로의 전파상수 및 특성 임피던스를 계산하는 단계(302), 계산된 상기 전파상수 및 상기 특성 임피던스를 이용하여 상기 적층형 세라믹 캐패시터에 대응되는 등가회로를 생성하는 단계(304), 및 상기 적층형 세라믹 캐패시터의 주파수 특성을 이용하여 상기 적층형 세라믹 캐패시터에 대응되는 등가회로의 각 파라미터를 계산하는 단계(306)를 포함하여 구성된다.As illustrated, the modeling method 300 of the multilayer ceramic capacitor according to the exemplary embodiment of the present invention constitutes an equivalent circuit corresponding to a unit layer of a predetermined length in a layer area of the multilayer ceramic capacitor 100, and the unit Calculating a propagation constant and characteristic impedance of the equivalent circuit corresponding to the layer (302), generating an equivalent circuit corresponding to the multilayer ceramic capacitor using the calculated propagation constant and the characteristic impedance (304), and Calculating each parameter of an equivalent circuit corresponding to the multilayer ceramic capacitor using the frequency characteristic of the multilayer ceramic capacitor.

이하에서는 상기와 같은 적층형 세라믹 캐패시터의 모델링 방법(300)의 각 단계를 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, each step of the modeling method 300 of the multilayer ceramic capacitor as described above will be described in detail.

적층형Stacked 세라믹  ceramic 캐패시터의Capacitor 단위  unit 레이어Layer 모델링modelling (302)(302)

먼저, 기판(102)과 외부전극(106)이 접합되어있는 레이어 영역의 임피던스를 추출하기 위한 과정은 다음과 같다.First, a process for extracting the impedance of the layer region where the substrate 102 and the external electrode 106 are bonded is as follows.

인덕턴스는 일반적으로 닫힌 회로(closed loop)를 구성하는 경우에 정의될 수 있다. 그러므로 적층형 세라믹 캐패시터(100)를 포함하는 닫힌 회로의 임피던스를 고려하면 도 4에서 보듯이 각 층마다 전류가 흐르는 루프를 형성하게 된다. 도 4에서 알 수 있는 바와 같이, 적층형 세라믹 캐패시터(100)의 상단 층을 통하여 흐르는 전류는 높은 인덕턴스를, 하단 층을 통하여 흐르는 전류는 낮은 인덕턴스를 갖는다.Inductance can generally be defined when constructing a closed loop. Therefore, in consideration of the impedance of the closed circuit including the multilayer ceramic capacitor 100, as shown in FIG. 4, a current flow is formed in each layer. As can be seen in FIG. 4, the current flowing through the top layer of the multilayer ceramic capacitor 100 has a high inductance and the current flowing through the bottom layer has a low inductance.

도 4를 참조하여 기판(102)과 외부전극(106)이 갖는 손실을 무시하고 캐패시터와 인덕터 소자를 이용하여 적층형 세라믹 캐패시터(100)의 모델을 나타내면 도 5의 (a)와 같은 구조로 나타낼 수 있다. 이를 다시 펼쳐 그리면 도 5의 (b)의 모델과 같은 구조이다. 그리고 이것을 다시 최종적으로 나타내면 도 5의 (c)와 같은 럼프드(Lumped) 모델로 나타낼 수 있다.Referring to FIG. 4, a model of the multilayer ceramic capacitor 100 using a capacitor and an inductor element, ignoring the loss of the substrate 102 and the external electrode 106, may be represented as a structure of FIG. 5A. have. If this is unfolded again, the structure is the same as the model of FIG. Finally, this may be expressed as a Lumped model as shown in FIG.

고용량 적층형 세라믹 캐패시터의 경우 레이어 영역에 수백 개의 기판이 적층되어 있으므로 각 층을 개별적으로 모델링한다면 모델의 복잡도가 매우 높아지게 된다. 그러나 도 5의 (c)에 도시된 등가회로 모델은 무손실(Lossless) 전송선의 럼프드 모델과 같은 형태이기 때문에 전송선 이론과 같은 연속 근사화(continuous approximation)을 이용하여 수백 개 층에 대한 임피던스를 보다 간단하게 나타내는 것이 가능하다.In the case of high-capacity multilayer ceramic capacitors, hundreds of substrates are stacked in the layer region, and if each layer is modeled separately, the model complexity becomes very high. However, since the equivalent circuit model shown in (c) of FIG. 5 is shaped like a lumped model of a lossless transmission line, the impedance for hundreds of layers is simplified by using continuous approximation such as the transmission line theory. It is possible to express.

도 6의 (a)는 무손실 전송선 이론의 모델을 나타낸 도면이며, 도 6의 (b)는 상기 전송선 이론 모델을 적층형 세라믹 캐패시터(100)에 맞게 적용한 분산 모델을 나타낸 도면이다. 여기서 RS는 외부전극(106)이 갖는 레지스턴스, LS는 외부전극(106)이 갖는 인덕턴스, RP는 기판(102)의 레지스턴스, LP는 기판(102)의 인덕턴스, Rd는 유전손실(Dielectric loss), 그리고 C는 기판 간의 캐패시턴스를 나타낸다. FIG. 6A is a diagram illustrating a model of a lossless transmission line theory, and FIG. 6B is a diagram illustrating a dispersion model in which the transmission line theory model is applied to the multilayer ceramic capacitor 100. Where R S is the resistance of the external electrode 106, L S is the inductance of the external electrode 106, R P is the resistance of the substrate 102, L P is the inductance of the substrate 102, and R d is the dielectric loss. (Dielectric loss), and C is the capacitance between the substrates.

도 7은 도 6의 (b)에 도시된 분산 모델로부터 전송선 이론을 바탕으로, 적층형 세라믹 캐패시터(100)의 레이어 영역의 극소길이 △z의 길이를 갖는 단위 레이어에 대응되는 등가회로를 나타낸 도면이다.FIG. 7 is a diagram illustrating an equivalent circuit corresponding to a unit layer having a minimum length Δz of a layer region of the multilayer ceramic capacitor 100 based on the transmission line theory from the dispersion model illustrated in FIG. 6B. .

도 7에 도시된 회로에 키르히호프의 전압법칙 및 전류법칙을 적용하면 다음의 수학식
Applying Kirchhoff's voltage law and current law to the circuit shown in FIG.

Figure 112010020844890-pat00010
Figure 112010020844890-pat00010

Figure 112010020844890-pat00011

Figure 112010020844890-pat00011

을 각각 얻을 수 있다. 상기 수학식 3을 △z로 나누고, △z → 0으로 조건을 만들면 다음의 미분방정식으로 나타낼 수 있다.
Each can be obtained. Dividing Equation 3 by Δz and making a condition by Δz → 0 can be represented by the following differential equation.

Figure 112010020844890-pat00012
Figure 112010020844890-pat00012

상기 수학식 4의 두 방정식을 연립하여 V(z)와 I(z)에 대한 방정식으로 풀면 다음과 같다.
Two equations of Equation 4 are combined and solved as equations for V (z) and I (z) as follows.

Figure 112010020844890-pat00013
Figure 112010020844890-pat00013

상기 수학식 5에서 전파상수(Propagation Constant)

Figure 112010020844890-pat00014
를 구하면 Propagation Constant in Equation 5
Figure 112010020844890-pat00014
If you find

Figure 112010020844890-pat00015
Figure 112010020844890-pat00015

와 같고, 상기 수학식 5로부터 특성 임피던스(Characteristic Impedance)를 유도하면 다음의 수학식 7과 같다.
And a characteristic impedance is derived from Equation 5 below.

Figure 112010020844890-pat00016
Figure 112010020844890-pat00016

적층형Stacked 세라믹  ceramic 캐패시터에On the capacitor 대응되는  Corresponding 등가회로Equivalent circuit 생성(304) Create (304)

도 8은 적층형 세라믹 캐패시터(100)의 레이어 영역을 부하 ZL이 달린 길이 l 의 전송선으로 가정한 상태를 도시한 것이다. Z = -l 일 때의 전류를 Iin, 전압을 Vin이라 할 때, 부하로부터 l 만큼 떨어진 거리에서 부하 쪽을 바라보는 입력 임피던스 Zin은 전송선의 입력 임피던스에 대한 수식으로부터 다음과 같이 나타낼 수 있다.
FIG. 8 illustrates a state in which the layer region of the multilayer ceramic capacitor 100 is assumed to be a transmission line having a length L with a load Z L. When the current at Z = -l is I in and the voltage is V in , the input impedance Z in facing the load at a distance l away from the load can be expressed as follows from the equation for the input impedance of the transmission line: have.

Figure 112010020844890-pat00017
Figure 112010020844890-pat00017

상기 수학식 8에서 ZL은 기판 간의 캐패시턴스에 비해 매우 작은 캐패시턴스 값을 가지므로, ZL = ∞ 이라 가정하면 상기 수학식 8은 다음과 같이 나타낼 수 있다.
In Equation 8, since Z L has a very small capacitance value compared to the capacitance between substrates, Z L Assuming that = ∞, Equation 8 can be expressed as follows.

Figure 112010020844890-pat00018
Figure 112010020844890-pat00018

상기 수학식 9에서,

Figure 112010020844890-pat00019
은 연속부분근사(continued fraction approximation)을 이용하면 다음과 같이 근사화할 수 있다.
In Equation 9,
Figure 112010020844890-pat00019
Using continuous fraction approximation can be approximated as

Figure 112010020844890-pat00020
Figure 112010020844890-pat00020

상기 수학식 1 및 수학식 10으로부터, 적층형 세라믹 캐패시터(100)의 임피던스 Zcap
From the above Equations 1 and 10, the impedance Z cap of the multilayer ceramic capacitor 100 is

Figure 112010020844890-pat00021
Figure 112010020844890-pat00021

와 같이 정의할 수 있고, 수학식 10의 2차항까지를 이용하여(2차 근사값) 상기 수학식 11을 근사화하면 다음의 수학식 12를 얻을 수 있다. 이를 2차 근사회로 또는 2차 모델의 임피던스(Z2nd - model)라 정의한다.
The following equation (12) can be obtained by approximating the above equation (11) using up to the second term of equation (10). This is defined as the quadratic approximation or the impedance of the quadratic model (Z 2nd - model ).

Figure 112010020844890-pat00022
Figure 112010020844890-pat00022

같은 방법으로, 수학식 10의 4차항까지를 이용하여(4차 근사값) 상기 수학식 11을 근사화하면 다음과 같은 수학식 13을 얻을 수 있으며, 이를 4차 근사회로 또는 4차 모델의 임피던스(Z4th - model)라 정의한다.
In the same way, by approximating Equation 11 using up to the fourth order term of Equation 10 (fourth order approximation), Equation 13 can be obtained as follows. 4th - model ).

Figure 112010020844890-pat00023
Figure 112010020844890-pat00023

Figure 112010020844890-pat00024

Figure 112010020844890-pat00024

이때, l은 레이어 영역의 길이를 나타낸다.In this case, l represents the length of the layer region.

상기 수학식 12 및 수학식 13을 럼프드 소자를 이용하여 나타내면 도 9 및 도 10와 같은 등가회로모델을 얻을 수 있다. 상기 도 9에 도시된 모델을 2차 근사회로 또는 2차 모델, 도 10에 도시된 모델을 4차 근사회로 또는 4차 모델이라고 정의하기로 한다. 도 10에 도시된 4차 모델이 본 발명에 따른 적층형 세라믹 캐패시터(100)의 최종 등가모델이며, 2차 모델은 4차 모델의 파라미터를 구하기 위해 이용되는 모델이다.Equation 12 and equation 13 are shown using a lumped element to obtain an equivalent circuit model as shown in FIGS. 9 and 10. The model shown in FIG. 9 will be defined as a quadratic approximation or a quadratic model, and the model shown in FIG. 10 will be defined as a quadratic approximation or a fourth order model. The fourth-order model shown in FIG. 10 is a final equivalent model of the multilayer ceramic capacitor 100 according to the present invention, and the second-order model is a model used to obtain parameters of the fourth-order model.

도 11 및 도 12는 수학식 10의

Figure 112010020844890-pat00025
을 각 차수에 따라 근사화한 값을 수학식 11에 대입하여 얻은 적층형 세라믹 캐패시터(100)의 등가 임피던스와 실제 적층형 세라믹 캐패시터(100)에서 측정한 임피던스, 페이즈를 나타낸 그래프이다. 도시된 바와 같이, 2차 이상의 모델은 1차 공진주파수의 특성을 만족시키고 4차 이상의 모델은 1차 공진주파수와 2차 공진주파수 모두에서의 임피던스와 페이즈 특성을 만족시키는 것을 알 수 있다.
11 and 12 illustrate equation 10.
Figure 112010020844890-pat00025
Is a graph showing the equivalent impedance of the multilayer ceramic capacitor 100 obtained by substituting the value approximated according to each order into Equation 11 and the impedance and phase measured by the actual multilayer ceramic capacitor 100. As shown, it can be seen that the second-order or higher model satisfies the characteristics of the primary resonant frequency and the fourth-order or higher model satisfies the impedance and phase characteristics at both the first and second resonant frequencies.

적층형Stacked 세라믹  ceramic 캐패시터에On the capacitor 대응되는  Corresponding 등가회로의Equivalent circuit 파라미터 계산(306) Parameter calculation (306)

이하에서는 상술한 방법으로 도출된 등가회로의 각 파라미터를 계산하는 과정에 대해 설명한다.Hereinafter, a process of calculating each parameter of the equivalent circuit derived by the above-described method will be described.

모델 파라미터 추출과정은 도 11 및 도 12에서 나타난 특성을 이용하여 1차 공진주파수로부터 2차 모델의 파라미터를 추출하고, 추출된 2차 모델의 파라미터와 2차 공진주파수로부터 추출된 4차 모델의 파라미터의 일부를 이용하여 단위길이의 파라미터를 추출하며, 이를 이용하여 최종적으로 4차 모델의 모든 파라미터를 추출하는 방법으로 이루어진다.In the model parameter extraction process, parameters of the secondary model are extracted from the primary resonant frequency using the characteristics shown in FIGS. The unit length parameter is extracted using a part of, and finally, all parameters of the 4th model are extracted.

도 13은 전술한 적층형 세라믹 캐패시터(100)의 2차 모델을 나타낸 도면이다. 상기 도 13에서, 각 파라미터 R2nd, L2nd, G2nd, C2nd는 수학식 12로부터 다음과 같이 나타낼 수 있다.
FIG. 13 is a diagram illustrating a secondary model of the multilayer ceramic capacitor 100 described above. In FIG. 13, each parameter R2nd, L2nd, G2nd, and C2nd can be expressed as follows from Equation 12.

Figure 112010020844890-pat00026
Figure 112010020844890-pat00026

수학식 14에 기술된 2차 모델의 파라미터 값들을 추출하기 위한 방법은 다음과 같다. 먼저, 도 13의 2차 등가모델 회로로부터 2차 모델의 임피던스 Z2nd - model(ω)를 실수와 허수로 구분하여 나타내면 다음과 같다.
A method for extracting parameter values of the secondary model described in Equation 14 is as follows. First, the impedance Z 2nd - model (ω) of the secondary model from the secondary equivalent model circuit of FIG. 13 is represented by real and imaginary numbers as follows.

Figure 112010020844890-pat00027
Figure 112010020844890-pat00027

수학식 15에서 캐패시터 값(C2nd)은 아래의 수학식 16과 같이 제조사에서 표기한 적층형 세라믹 캐패시터(100)의 실제 캐패시턴스 값에 ±20%의 오차를 주어 적용한다.
In Equation 15, the capacitor value C 2nd is applied by giving an error of ± 20% to the actual capacitance value of the multilayer ceramic capacitor 100 indicated by the manufacturer as shown in Equation 16 below.

Figure 112010020844890-pat00028
Figure 112010020844890-pat00028

G2nd 는 유전손실(dielectric loss)을 나타내는 값으로 일반적으로 손실 탄젠트(loss tangent)와 캐패시턴스 값을 이용하여 다음과 같이 나타낼 수 있다.
G 2nd is a value representing dielectric loss. In general, G 2nd can be expressed as follows using loss tangent and capacitance values.

Figure 112010020844890-pat00029
Figure 112010020844890-pat00029

또한 1차 공진주파수에서 2차 모델의 임피던스 Z2nd - model(ω)의 허수 성분이 0이 된다는 특성을 이용하면 L2nd는 다음과 같이 추출할 수 있다.
In addition, using the characteristic that the imaginary component of impedance Z 2nd - model (ω) of the secondary model becomes 0 at the first resonant frequency, L 2nd can be extracted as follows.

Figure 112010020844890-pat00030
Figure 112010020844890-pat00030

상기 수학식 18에서 ωSRF는 1차 공진주파수를 나타낸다. 마찬가지로 R2nd의 경우, 1차 공진주파수(ωSRF)에서 임피던스 Z2nd - model(ω)의 허수 성분이 제거되고 실수 성분에서 (ωC2nd)2 >> G2nd - 1 이므로 다음과 같이 구할 수 있다.
In Equation 18, ω SRF represents a first resonant frequency. Similarly, in the case of R 2nd , the imaginary component of impedance Z 2nd - model (ω) is removed at the first resonant frequency (ω SRF ) and (ωC 2nd ) 2 >> G 2nd - 1 from the real component. .

Figure 112010020844890-pat00031
Figure 112010020844890-pat00031

상기 과정을 통하여 2012 크기의 고용량 적층형 세라믹 캐패시터의 세 기종에 대하여 추출한 2차 모델의 파라미터 값들을 도 14에 나타내었다.
The parameter values of the secondary model extracted for the three models of the 2012 high-capacity multilayer ceramic capacitor through the above process are shown in FIG. 14.

도 15는 고용량 적층형 세라믹 캐패시터의 최종 등가모델인 4차 모델을 나타낸 도면이다. 상기 도면에서의 각 파라미터 Ccircuit1, Gcircuit1, Lcircuit1, Rcircuit1, Ccircuit2, Gcircuit2, Lcircuit2, Rcircuit2, Lcircuit3, Rcircuit3는 전술한 수학식 13으로부터 다음과 같이 정의할 수 있다.
FIG. 15 is a view illustrating a fourth equivalent model which is a final equivalent model of a high capacity multilayer ceramic capacitor. Each of the parameters C circuit1 , G circuit1 , L circuit1 , R circuit1 , C circuit2 , G circuit2 , L circuit2 , R circuit2 , L circuit3 , and R circuit3 in the drawings may be defined as follows from Equation 13 described above.

Figure 112010020844890-pat00032
Figure 112010020844890-pat00032

상기 수학식 19에서, Ccircuit1, Gcircuit1, Ccircuit2, Gcircuit2는 전술한 수학식 16 및 수학식 17을 이용하여 추출할 수 있다.In Equation 19, C circuit1 , G circuit1 , C circuit2 , and G circuit2 may be extracted using Equation 16 and Equation 17 described above.

도 15에 도시된 4차 등가모델에서 circuit2는 직렬 공진을 일으키고 circuit2와 circuit3은 병렬 공진을 일으킨다. 병렬 공진으로부터의 파라미터 추출은 레지스터 파라미터와 인덕터 파라미터가 함께 있기 때문에 수식유도과정이 복잡하다. 따라서 본 발명에서는 circuit2의 직렬 공진이 일어날 때의 주파수로부터 파라미터를 추출한다. 상기 직렬 공진이 일어날 때의 주파수를 2차 공진주파수(ω2 nd)라고 정의하고, 상기 2차 공진주파수에서 추출된 파라미터들과 앞에서 구한 2차 모델의 파라미터로부터 단위길이의 파라미터(LP/l, LSl, RP/l, RSl)를 추출할 수 있다.In the fourth equivalent model shown in FIG. 15, circuit 2 causes series resonance and circuit 2 and circuit 3 cause parallel resonance. The parameter extraction from the parallel resonance is complicated by the formula induction process because the resistor parameter and the inductor parameter are together. Therefore, in the present invention, the parameter is extracted from the frequency when the series resonance of circuit2 occurs. The frequency at which the series resonance occurs is defined as a secondary resonance frequency (ω 2 nd ), and the unit length parameter (L P / l) is derived from the parameters extracted from the secondary resonance frequency and the parameters of the secondary model. , L S l, R P / l, R S l) can be extracted.

먼저, 상기 파라미터들 중 인덕턴스 파라미터(LP/l, LSl, LT)를 추출하는 과정을 먼저 설명한다.First, a process of extracting the inductance parameters L P / l, L S l and L T from the parameters will be described first.

도 16은 고용량 적층형 세라믹 캐패시터의 임피던스 실수값을 측정하여 기록한 그래프이다. 도면에서 알 수 있는 바와 같이, 고용량 적층형 세라믹 캐패시터 모델의 임피던스는 도 15의 circuit2와 circuit3이 병렬 공진을 일으킬 때 극대값을 갖고 circuit2가 직렬 공진을 일으킬 때 극소값을 갖는다. 하지만 실제 측정한 데이터의 임피던스 값이나 페이즈 정보에서는 극대값과 극소값이 미약하여 구분이 어렵다. 따라서 고용량 적층형 세라믹 캐패시터의 측정한 임피던스 실수값으로부터 circuit2와 circuit3의 병렬 공진 이후에 임피던스 실수값이 최소가 되는 지점에서 2차 공진주파수를 추출한다.16 is a graph measuring and recording an impedance real value of a high capacity multilayer ceramic capacitor. As can be seen from the figure, the impedance of the high capacity multilayer ceramic capacitor model has a maximum value when circuit2 and circuit3 of FIG. 15 cause parallel resonance and a minimum value when circuit2 causes series resonance. However, it is difficult to distinguish between the maxima and minima in the impedance or phase information of the measured data. Therefore, the second resonance frequency is extracted from the measured impedance real value of the high capacity multilayer ceramic capacitor at the point where the impedance real value becomes the minimum after the parallel resonance of circuit2 and circuit3.

2차 공진주파수에서 circuit2의 임피던스 허수값이 0이 된다는 특성을 이용하면 Lcircuit2
Using the characteristic that the impedance imaginary value of circuit2 becomes zero at the second resonant frequency, L circuit2 becomes

Figure 112010020844890-pat00033
Figure 112010020844890-pat00033

와 같이 정해지고, 수학식 14 및 18로부터
It is determined as

Figure 112010020844890-pat00034
Figure 112010020844890-pat00034

를 구할 수 있다. 여기서, Ls/l과 LT는 외부전극(106)의 인덕턴스를 의미하므로 그 값의 비율을 도 17에 나타낸 Zlayer와 ZT의 길이비 k를 이용하여 나타내면,
Can be obtained. Here, L s / l and L T denote the inductance of the external electrode 106, so that the ratio of the values is expressed using the length ratio k between Z layer and Z T shown in FIG.

Figure 112010020844890-pat00035
Figure 112010020844890-pat00035

와 같이 정의할 수 있다. 여기서, Ls는 2Zlayer에 대한 인덕턴스를 나타내므로 2LT와 Ls/l의 비율은 수학식 23과 같이 k로 정해진다.Can be defined as Here, L s represents the inductance for the 2Z layer , so the ratio of 2L T and Ls / l is determined by k as shown in Equation 23.

상기 수학식 21과 22를 연립하여 풀면 Lp/l와 Ls/l의 값은 다음과 같이 2차 모델의 파라미터를 이용하여 나타낼 수 있다.
When the equations 21 and 22 are combined and solved, the values of Lp / l and Ls / l can be expressed using the parameters of the secondary model as follows.

Figure 112010020844890-pat00036
Figure 112010020844890-pat00036

4차 모델의 인덕턴스 파라미터 Lcircuit1, Lcircuit2, Lcircuit3은 상기 수학식 24를 수학식 20에 대입하여 나타낼 수 있으며, 다음과 같이 정의할 수 있다.
The inductance parameters L circuit1 , L circuit2 , and L circuit3 of the fourth-order model may be represented by substituting Equation 24 into Equation 20 and may be defined as follows.

Figure 112010020844890-pat00037
Figure 112010020844890-pat00037

Figure 112010020844890-pat00038
Figure 112010020844890-pat00038

Figure 112010020844890-pat00039
Figure 112010020844890-pat00039

이하에서는 4차 모델의 레지스터 파라미터(Rp/l, Rsl, RT)의 추출과정에 대해 설명한다.Hereinafter, the extraction process of the register parameters (R p / l, R s 1, R T ) of the 4th model will be described.

주파수가 올라갈수록 전류가 금속내부가 아니라 표면에 집중되어 흐르려는 표면효과(skin effect)로 인하여 표면깊이(skin depth)가 도체의 두께보다 얇아졌을 때 표면깊이에 따라서 도체의 레지스턴스가 증가하게 된다. 이로 인하여 기판의 레지스턴스를 나타내는 RP의 경우 주파수가 증가함에 따라 그 값이 증가하게 된다.As the frequency increases, the resistance of the conductor increases according to the surface depth when the skin depth becomes thinner than the thickness of the conductor due to the skin effect that the current flows concentrated on the surface rather than inside the metal. As a result, in the case of R P representing the resistance of the substrate, the value increases as the frequency increases.

일반적으로 도체에서 표면깊이는 다음과 같이 정의할 수 있다.
In general, the surface depth in a conductor can be defined as:

Figure 112010020844890-pat00040
Figure 112010020844890-pat00040

이때, μ는 투자율(permeability), σ는 도전율(conductivity)을 나타낸다.Where μ is the permeability and σ is the conductivity.

도 18은 2012 크기의 10μF 적층형 세라믹 캐패시터의 내부단면도이다. 18 is an internal cross-sectional view of a 10 μF multilayer ceramic capacitor of 2012 size.

적층형 세라믹 캐패시터의 기판이 니켈이라고 가정하면 50 MHz에서 표면깊이는 1 μm의 두께를 가진다. 상기 도 18의 적층형 세라믹 캐패시터의 경우 평균 두께가 1.25um이므로 표면효과는 50MHz 이하의 수십 MHz단위에서부터 영향을 준다. 더욱이 도 18에서 알 수 있듯 실제 기판은 그 두께가 고르지 못하므로 실제보다 더 낮은 주파수에서부터 표면효과가 영향을 주어 기판의 레지스턴스 값이 증가하게 된다. 특정 주파수 f 0 에서부터 표면효과가 영향을 준다고 가정하면 표면깊이는

Figure 112010020844890-pat00041
에 반비례하여 감소하기 때문에 기판의 레지스턴스 Rp/l은 f0 이후에
Figure 112010020844890-pat00042
에 비례하여 증가하게 되고 다음의 수학식과 같이 정의될 수 있다.
Assuming that the substrate of the multilayer ceramic capacitor is nickel, the surface depth at 50 MHz has a thickness of 1 μm. In the case of the multilayer ceramic capacitor of FIG. 18, since the average thickness is 1.25 μm, the surface effect is affected from several tens of MHz units of 50 MHz or less. In addition, as can be seen in Figure 18, since the thickness of the actual substrate is uneven, the surface effect is affected from a lower frequency than the actual, thereby increasing the resistance value of the substrate. If we assume that the effect of the surface starts from a certain frequency f 0 , the surface depth
Figure 112010020844890-pat00041
Since the decrease in inverse proportion to the resistance R p / l of the substrate after the f 0
Figure 112010020844890-pat00042
It is increased in proportion to and can be defined as in the following equation.

Figure 112010020844890-pat00043
Figure 112010020844890-pat00043

여기서, l'은 한 개의 기판이 갖는 레이어의 두께를 나타낸 것이고 RdC는 표면효과의 영향이 없을 때의 기판의 레지스턴스 값으로 기판의 단면적 A, 길이 L, 그리고 기판의 도전율 σ를 이용하여 나타낸다. 각 파라미터 l', L, A는 적층형 세라믹 캐패시터의 내부단면도로부터 실제 값을 측정하여 추출하였다. 그리고 표면효과가 영향을 주기 시작하는 주파수 f0 부터 적층형 세라믹 캐패시터의 실수 값이 증가하므로 측정 데이터의 실수 값이 최소가 되는 지점의 주파수로부터 f 0의 값을 추출하였다.Here, l 'represents the thickness of the layer of one substrate and R dC is the resistance value of the substrate when there is no influence of the surface effect, and is represented by using the cross-sectional area A, the length L, and the conductivity σ of the substrate. Each parameter l ', L, A was extracted by measuring the actual value from the internal cross-sectional view of the multilayer ceramic capacitor. Since the real value of the multilayer ceramic capacitor increases from the frequency f 0 when the surface effect starts to affect, the value of f 0 is extracted from the frequency where the real value of the measurement data becomes the minimum.

수학식 14 및 19로부터,
From Equations 14 and 19,

Figure 112010020844890-pat00044
Figure 112010020844890-pat00044

이고 여기서, RSl과 RT값의 비율은 수학식 23의 LSl과 LT값의 관계와 마찬가지로 수학식 31과 같이 그 비율을 k로 정할 수 있다.
Here, the ratio of the R S 1 and the R T value may be determined by k as in Equation 31 similarly to the relationship between the L S 1 and the L T value of Equation 23.

Figure 112010020844890-pat00045
Figure 112010020844890-pat00045

수학식 29에서 구한 RP/l 값으로부터 이 값을 수학식 30에 대입하여 RSl값을 구할 수 있고 수학식 31을 통하여 RT의 값을 구할 수 있다.
The value of R S 1 can be obtained by substituting this value into Equation 30 from the value of R P / l obtained in Equation 29, and the value of R T can be obtained through Equation 31.

도 19는 지금까지의 과정에 따라 2012 크기의 고용량 적층형 세라믹 캐패시터의 세 기종에 대하여 추출된 단위길의의 파라미터를 나타낸 것이며, 도 20은 상기 도 19에 기재된 단위길이의 파라미터를 수학식 20에 대입하여 추출한 4차 등가모델의 파라미터를 나타낸 표이다.
FIG. 19 illustrates parameters of unit lengths extracted for three models of a high-capacity multilayer ceramic capacitor having a size of 2012 according to the above process, and FIG. 20 substitutes the parameter of unit lengths described in FIG. 19 into Equation 20. This is a table showing the parameters of the fourth-order equivalent model extracted.

전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 세라믹 캐패시터의 모델링 방법(300)은 소프트웨어의 형태로 구현되어 컴퓨터상에서 수행될 수 있다. 이와 같은 소프트웨어는 온라인, 또는 오프라인에서 구동 가능하도록 구현될 수 있으며, 이를 수행하기 위한 컴퓨터 장치 또한 데스크탑 컴퓨터, 서버 컴퓨터 또는 모바일 디바이스를 포함할 수 있다. 한편, 본 발명의 실시 예는 본 명세서에서 기술한 방법들을 컴퓨터상에서 수행하기 위한 프로그램을 포함하는 컴퓨터 판독 가능 기록매체를 포함할 수 있다. 상기 컴퓨터 판독 가능 기록매체는 프로그램 명령, 로컬 데이터 파일, 로컬 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다. 상기 매체는 본 발명을 위하여 특별히 설계되고 구성된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수도 있다. 컴퓨터 판독 가능 기록매체의 예에는 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체, CD-ROM, DVD와 같은 광 기록 매체, 플로피 디스크와 같은 자기-광 매체, 및 롬, 램, 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함된다. 프로그램 명령의 예에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드를 포함할 수 있다.
The modeling method 300 of the multilayer ceramic capacitor according to the exemplary embodiment of the present invention described above may be implemented in the form of software and performed on a computer. Such software may be implemented to be driven online or offline, and the computer device for performing this may also include a desktop computer, a server computer or a mobile device. Meanwhile, an embodiment of the present invention may include a computer readable recording medium including a program for performing the methods described herein on a computer. The computer-readable recording medium may include a program command, a local data file, a local data structure, or the like, alone or in combination. The media may be those specially designed and constructed for the purposes of the present invention, or they may be of the kind well-known and available to those skilled in the computer software arts. Examples of computer-readable media include magnetic media such as hard disks, floppy disks and magnetic tape, optical recording media such as CD-ROMs and DVDs, magneto-optical media such as floppy disks, and magnetic media such as ROMs, And hardware devices specifically configured to store and execute program instructions. Examples of program instructions may include machine language code such as those generated by a compiler, as well as high-level language code that may be executed by a computer using an interpreter or the like.

이상에서 대표적인 실시예를 통하여 본 발명에 대하여 상세하게 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상술한 실시예에 대하여 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변형이 가능함을 이해할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. I will understand.

그러므로 본 발명의 권리범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined by the claims below and equivalents thereof.

100 : 적층형 세라믹 캐패시터 102 : 기판
104 : 유전체 106 : 외부전극
100: laminated ceramic capacitor 102: substrate
104: dielectric 106: external electrode

Claims (10)

복수 개의 기판이 적층되어 형성되는 레이어 영역 및 상기 레이어 영역 하단에 형성된 말단 영역을 포함하는 적층형 세라믹 캐패시터의 컴퓨터에 의한 모델링 방법에 있어서,
상기 레이어 영역 내의 소정 길이의 단위 레이어에 대응되는 등가회로가 구성되고, 상기 단위 레이어에 대응되는 등가회로의 전파상수 및 특성 임피던스가 계산되는 단계;
계산된 상기 전파상수 및 상기 특성 임피던스를 이용하여 상기 적층형 세라믹 캐패시터에 대응되는 등가회로가 생성되는 단계; 및
상기 적층형 세라믹 캐패시터의 주파수 특성을 이용하여 상기 적층형 세라믹 캐패시터에 대응되는 등가회로의 각 파라미터가 계산되는 단계;
를 포함하고,
상기 단위 레이어에 대응되는 등가회로는
상기 단위 레이어의 일단 및 타단 사이에 직렬 연결되는 제 1 저항 및 제 1 인덕터;
상기 단위 레이어의 일단 및 타단 사이에 병렬 연결되는 제 2 저항;
상기 제 2 저항과 직렬 연결되는 제 2 인덕터;
상기 제 2 인덕터와 직렬 연결되는 제 1 커패시터; 및
상기 제 1 커패시터와 병렬 연결되는 제 3 저항;
을 포함하는 적층형 세라믹 캐패시터의 모델링 방법.
In the computer modeling method of a multilayer ceramic capacitor comprising a layer region formed by stacking a plurality of substrates and an end region formed at the bottom of the layer region,
Forming an equivalent circuit corresponding to a unit layer having a predetermined length in the layer region, and calculating propagation constants and characteristic impedances of the equivalent circuit corresponding to the unit layer;
Generating an equivalent circuit corresponding to the multilayer ceramic capacitor using the calculated propagation constant and the characteristic impedance; And
Calculating each parameter of an equivalent circuit corresponding to the multilayer ceramic capacitor using the frequency characteristic of the multilayer ceramic capacitor;
Including,
The equivalent circuit corresponding to the unit layer
A first resistor and a first inductor connected in series between one end and the other end of the unit layer;
A second resistor connected in parallel between one end and the other end of the unit layer;
A second inductor connected in series with the second resistor;
A first capacitor connected in series with the second inductor; And
A third resistor connected in parallel with the first capacitor;
Modeling method of a multilayer ceramic capacitor comprising a.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제 1 저항 및 제 1 인덕터의 값은 상기 적층형 세라믹 캐패시터의 상기 단위 레이어와 연결된 외부전극의 등가 저항 및 등가 인덕턴스이고,
상기 제 2 저항 및 상기 제 2 인덕터의 값은 상기 적층형 세라믹 캐패시터 내부에 포함된 기판의 등가 저항 및 등가 인덕턴스이며,
상기 제 1 커패시터의 값은 상기 적층형 세라믹 캐패시터 내부의 각 기판 간의 등가 캐패시턴스이고,
상기 제 3 저항의 값은 상기 적층형 세라믹 캐패시터의 유전손실(Dielectric loss)인, 적층형 세라믹 캐패시터의 모델링 방법.
The method of claim 1,
Values of the first resistor and the first inductor are equivalent resistance and equivalent inductance of an external electrode connected to the unit layer of the multilayer ceramic capacitor,
Values of the second resistor and the second inductor are equivalent resistance and equivalent inductance of the substrate included in the multilayer ceramic capacitor,
The value of the first capacitor is an equivalent capacitance between each substrate in the multilayer ceramic capacitor,
The value of the third resistor is a dielectric loss of the multilayer ceramic capacitor.
제3항에 있어서,
상기 전파상수는 다음의 수학식
Figure 112011040847256-pat00046

와 같이 정해지는, 적층형 세라믹 캐패시터의 모델링 방법. (이때, RS는 외부전극이 갖는 레지스턴스, LS는 외부전극이 갖는 인덕턴스, RP는 기판의 레지스턴스, LP는 기판의 인덕턴스, Rd는 유전손실(Dielectric loss), 그리고 C는 기판 간의 캐패시턴스)
The method of claim 3,
The propagation constant is represented by the following equation
Figure 112011040847256-pat00046

A modeling method of a multilayer ceramic capacitor, determined as follows. Where R S is the resistance of the external electrode, L S is the inductance of the external electrode, R P is the resistance of the substrate, L P is the inductance of the substrate, R d is the dielectric loss, and C is the distance between the substrates. Capacitance)
제3항에 있어서,
상기 특성 임피던스는 다음의 수학식
Figure 112011040847256-pat00047

와 같이 정해지는, 적층형 세라믹 캐패시터의 모델링 방법. (이때, RS는 외부전극이 갖는 레지스턴스, LS는 외부전극이 갖는 인덕턴스, RP는 기판의 레지스턴스, LP는 기판의 인덕턴스, Rd는 유전손실(Dielectric loss), 그리고 C는 기판 간의 캐패시턴스)
The method of claim 3,
The characteristic impedance is represented by the following equation
Figure 112011040847256-pat00047

A modeling method of a multilayer ceramic capacitor, determined as follows. Where R S is the resistance of the external electrode, L S is the inductance of the external electrode, R P is the resistance of the substrate, L P is the inductance of the substrate, R d is the dielectric loss, and C is the distance between the substrates. Capacitance)
복수 개의 기판이 적층되어 형성되는 레이어 영역 및 상기 레이어 영역 하단에 형성된 말단 영역을 포함하는 적층형 세라믹 캐패시터의 컴퓨터에 의한 모델링 방법에 있어서,
상기 레이어 영역 내의 소정 길이의 단위 레이어에 대응되는 등가회로가 구성되고, 상기 단위 레이어에 대응되는 등가회로의 전파상수 및 특성 임피던스가 계산되는 단계;
계산된 상기 전파상수 및 상기 특성 임피던스를 이용하여 상기 적층형 세라믹 캐패시터에 대응되는 등가회로가 생성되는 단계; 및
상기 적층형 세라믹 캐패시터의 주파수 특성을 이용하여 상기 적층형 세라믹 캐패시터에 대응되는 등가회로의 각 파라미터가 계산되는 단계;
를 포함하고,
상기 적층형 세라믹 캐패시터에 대응되는 등가회로가 생성되는 단계는
상기 레이어 영역을 무한대의 부하가 연결된 전송선으로 가정하여 상기 적층형 세라믹 캐패시터의 등가 임피던스가 계산되는 단계;
연속부분근사를 이용하여 상기 계산된 등가 임피던스의 하이퍼볼릭 탄젠트 값의 2차 근사값 및 4차 근사값이 계산되는 단계; 및
상기 2차 근사값 및 4차 근사값을 각각 상기 계산된 적층형 세라믹 캐패시터의 등가 임피던스에 적용하여 상기 적층형 세라믹 캐패시터의 2차 근사회로 및 4차 근사회로가 생성되는 단계;
를 포함하는 적층형 세라믹 캐패시터의 모델링 방법.
In the computer modeling method of a multilayer ceramic capacitor comprising a layer region formed by stacking a plurality of substrates and an end region formed at the bottom of the layer region,
Forming an equivalent circuit corresponding to a unit layer having a predetermined length in the layer region, and calculating propagation constants and characteristic impedances of the equivalent circuit corresponding to the unit layer;
Generating an equivalent circuit corresponding to the multilayer ceramic capacitor using the calculated propagation constant and the characteristic impedance; And
Calculating each parameter of an equivalent circuit corresponding to the multilayer ceramic capacitor using the frequency characteristic of the multilayer ceramic capacitor;
Including,
Generating an equivalent circuit corresponding to the multilayer ceramic capacitor may include
Calculating an equivalent impedance of the multilayer ceramic capacitor by assuming the layer area as a transmission line to which infinite loads are connected;
Calculating second and fourth order approximations of the calculated hyperbolic tangent values of the equivalent impedance using continuous partial approximation; And
Generating second and fourth approximation furnaces of the multilayer ceramic capacitor by applying the second and fourth approximation values to the calculated equivalent impedances of the multilayer ceramic capacitors, respectively;
Modeling method of a multilayer ceramic capacitor comprising a.
제6항에 있어서,
상기 2차 등가회로의 등가 임피던스는, 다음의 수학식
Figure 112010020844890-pat00048

(이때, Z2nd - model은 2차 등가회로의 등가 임피던스, Z0는 상기 단위 레이어에 대응되는 등가회로의 특성 임피던스,
Figure 112010020844890-pat00049
는 상기 단위 레이어에 대응되는 등가회로의 전파상수, l은 상기 레이어 영역의 길이, Rp는 상기 기판의 레지스턴스, Lp는 상기 기판의 인덕턴스, RT는 상기 말단 영역의 레지스턴스, LT는 상기 말단 영역의 인덕턴스, Rs는 상기 레이어 영역과 접속된 외부 전극의 레지스턴스, Ls는 상기 레이어 영역과 접속된 외부 전극의 인덕턴스, C는 상기 적층형 세라믹 캐패시터 내부의 각 기판 간의 캐패시턴스, Rd는 유전손실)
과 같이 정해지는, 적층형 세라믹 캐패시터의 모델링 방법.
The method of claim 6,
The equivalent impedance of the secondary equivalent circuit is expressed by the following equation
Figure 112010020844890-pat00048

(Wherein, Z 2nd - 2 model is equivalent to the impedance of the equivalent circuit of the car, Z 0 is the characteristic of the equivalent circuit corresponding to the impedance of the layer unit,
Figure 112010020844890-pat00049
Is a propagation constant of an equivalent circuit corresponding to the unit layer, l is the length of the layer region, R p is the resistance of the substrate, L p is the inductance of the substrate, R T is the resistance of the terminal region, and L T is the Inductance of the terminal region, R s is the resistance of the external electrode connected to the layer region, L s is the inductance of the external electrode connected to the layer region, C is the capacitance between each substrate in the multilayer ceramic capacitor, R d is the dielectric Loss)
The modeling method of a multilayer ceramic capacitor determined as follows.
제6항에 있어서,
상기 4차 등가회로의 등가 임피던스는, 다음의 수학식
Figure 112010020844890-pat00050

Figure 112010020844890-pat00051

(이때, Z4th - model은 2차 등가회로의 등가 임피던스, Z0는 상기 단위 레이어에 대응되는 등가회로의 특성 임피던스,
Figure 112010020844890-pat00052
는 상기 단위 레이어에 대응되는 등가회로의 전파상수, l은 상기 레이어 영역의 길이, Rp는 상기 기판의 레지스턴스, Lp는 상기 기판의 인덕턴스, RT는 상기 말단 영역의 레지스턴스, LT는 상기 말단 영역의 인덕턴스, Rs는 상기 레이어 영역과 접속된 외부 전극의 레지스턴스, Ls는 상기 레이어 영역과 접속된 외부 전극의 인덕턴스, C는 상기 적층형 세라믹 캐패시터 내부의 각 기판 간의 캐패시턴스, Rd는 유전손실)
과 같이 정해지는, 적층형 세라믹 캐패시터의 모델링 방법.
The method of claim 6,
The equivalent impedance of the fourth equivalent circuit is expressed by the following equation
Figure 112010020844890-pat00050

Figure 112010020844890-pat00051

(Wherein, Z 4th - model 2 is an equivalent impedance of the secondary equivalent circuit, Z 0 is the characteristic of the equivalent circuit corresponding to the impedance of the layer unit,
Figure 112010020844890-pat00052
Is a propagation constant of an equivalent circuit corresponding to the unit layer, l is the length of the layer region, R p is the resistance of the substrate, L p is the inductance of the substrate, R T is the resistance of the terminal region, and L T is the Inductance of the terminal region, R s is the resistance of the external electrode connected to the layer region, L s is the inductance of the external electrode connected to the layer region, C is the capacitance between each substrate in the multilayer ceramic capacitor, R d is the dielectric Loss)
The modeling method of a multilayer ceramic capacitor determined as follows.
제6항에 있어서,
상기 적층형 세라믹 캐패시터에 대응되는 등가회로의 각 파라미터가 계산되는 단계는,
상기 적층형 세라믹 캐패시터의 1차 공진주파수에서의 임피던스 측정값으로부터 상기 2차 근사회로의 파라미터가 계산되는 단계; 및
계산된 상기 2차 근사회로의 파라미터 및 상기 적층형 세라믹 캐패시터의 2차 공진주파수에서의 임피던스 측정값으로부터 상기 4차 근사회로의 파라미터가 계산되는 단계;
를 포함하는 적층형 세라믹 캐패시터의 모델링 방법.
The method of claim 6,
Computing each parameter of the equivalent circuit corresponding to the multilayer ceramic capacitor,
Calculating a parameter into the secondary near-field from an impedance measurement at the primary resonant frequency of the multilayer ceramic capacitor; And
Calculating a parameter into the quaternary near field from the calculated parameter into the secondary near field and impedance measurement at the secondary resonant frequency of the multilayer ceramic capacitor;
Modeling method of a multilayer ceramic capacitor comprising a.
제1항, 제3항 내지 제9항에 기재된 방법을 컴퓨터상에서 수행하기 위한 프로그램이 수록된 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.A computer-readable recording medium containing a program for executing the method according to claim 1, 3 to 9 on a computer.
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