KR101148455B1 - 층상구조 기판을 이용한 플라스틱 태양전지 제조방법, 이에 따라 제조된 플라스틱 태양전지 - Google Patents
층상구조 기판을 이용한 플라스틱 태양전지 제조방법, 이에 따라 제조된 플라스틱 태양전지 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101148455B1 KR101148455B1 KR1020100121453A KR20100121453A KR101148455B1 KR 101148455 B1 KR101148455 B1 KR 101148455B1 KR 1020100121453 A KR1020100121453 A KR 1020100121453A KR 20100121453 A KR20100121453 A KR 20100121453A KR 101148455 B1 KR101148455 B1 KR 101148455B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- solar cell
- substrate
- layer
- plastic
- layered
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 153
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 title claims abstract description 60
- 239000004033 plastic Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000010445 mica Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 102
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 9
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000000053 physical method Methods 0.000 claims description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004886 process control Methods 0.000 abstract description 2
- 230000009975 flexible effect Effects 0.000 description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010438 granite Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052604 silicate mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
층상구조 기판을 이용한 플라스틱 태양전지 제조방법, 이에 따라 제조된 플라스틱 태양전지가 제공된다.
본 발명에 따른 층상구조 기판을 이용한 플라스틱 태양전지 제조방법은 플라스틱 태양전지 제조방법으로, 상기 방법은 층상구조 기판상에 태양전지 소자층을 적층하는 단계; 및상기 층상구조 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 플라스틱 태양전지 제조방법 및 플라스틱 태양전지는 층상 구조의 운모기판에서 태양전지 소자층을 적층한 후, 운모기판의 각 층을 물리적인 방식으로 제거한 후, 태양전지 소자층을 플라스틱 기판으로 전사시키는 방식을 취한다. 따라서, 공정제어가 까다로운 습식식각 방식으로 하부기판을 제거하지 않으므로, 공정의 신뢰도가 증가하고, 또한, 용액 상태에서 프리스탠딩됨에 따라 발생하는 기판 변형의 문제를 효과적으로 해결할 수 있다.
본 발명에 따른 층상구조 기판을 이용한 플라스틱 태양전지 제조방법은 플라스틱 태양전지 제조방법으로, 상기 방법은 층상구조 기판상에 태양전지 소자층을 적층하는 단계; 및상기 층상구조 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 플라스틱 태양전지 제조방법 및 플라스틱 태양전지는 층상 구조의 운모기판에서 태양전지 소자층을 적층한 후, 운모기판의 각 층을 물리적인 방식으로 제거한 후, 태양전지 소자층을 플라스틱 기판으로 전사시키는 방식을 취한다. 따라서, 공정제어가 까다로운 습식식각 방식으로 하부기판을 제거하지 않으므로, 공정의 신뢰도가 증가하고, 또한, 용액 상태에서 프리스탠딩됨에 따라 발생하는 기판 변형의 문제를 효과적으로 해결할 수 있다.
Description
본 발명은 층상구조 기판을 이용한 플라스틱 태양전지 제조방법, 이에 따라 제조된 플라스틱 태양전지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라스틱 기판상에 소자의 변형 없이 전지를 효과적으로 전사, 제조될 수 있는 층상구조 기판을 이용한 층상구조 기판을 이용한 플라스틱 태양전지 제조방법, 이에 따라 제조된 플라스틱 태양전지에 관한 것이다.
현재 정보통신의 발달에 따라 새로운 형태의 고성능 유연 소자의 필요성이 대두되고 있다. 이러한 다양한 소자, 즉, 전기 소자를 작동시키기 위해서는 고성능 반도체 소자와 더불어 에너지원을 공급하고 저장할 수 있는 유연 에너지 소자 기술이 필요한데 현재까지는 고온공정이 불가능한 플라스틱 기판의 한계에 의하여 고성능 에너지 저장 기술을 구현하는 것이 불가능하였다. 종래의 전기 소자는 일반적으로 딱딱한 실리콘 기판에서 제조된 후 그 형태로 응용되고 있는데, 그 이유는 바로 이러한 소자들의 제조공정이 고온의 반도체 공정을 통하여 제조되기 때문이다. 하지만, 이러한 소자 기판의 한계는 압전소자, 이차전지, 메모리 소자 등의 응용 범위를 제한하는 문제가 있다. 이러한 전기소자 중 하나가 외부의 태양에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지이다. 일반적으로 태양전지는 p형과 n형의 반도체 층 사이에 광전효과가 발생하는 진성(intrinsic)층을 게재하는 구조로서, 보통 딱딱한 기판에서 고온의 반도체 공정을 통하여 제조된다. 하지만, 고온의 반도체 공정은 플렉서블한 플라스틱 기판에서 진행되지 못하므로, 플렉서블 태양전지의 구현은 여전히 실리콘 기판으로 국한되었으며, 이러한 플렉서블 태양전지 제조방법은 실리콘 기판의 두께 조절을 통하는 방식이었다.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 전지가 플라스틱 기판에서 구현된 플라스틱 태양전지 제조방법 및 그 응용을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 상기 제조방법에 따라 제조된 플라스틱 태양전지를 제공하는 데 있다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 플라스틱 태양전지 제조방법으로, 상기 방법은 층상구조 기판상에 태양전지 소자층을 적층하는 단계; 및 상기 층상구조 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 태양전지 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 층상구조 기판 제거는 상기 기판의 층을 순차적으로 박리시키는 방식으로 진행된다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 층상구조 기판은 운모기판이다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 박리는 접착물질을 이용하는 방식이다.
본 발명의 일 실시예는 플라스틱 태양전지 제조방법으로, 상기 방법은 층상구조 기판상에 태양전지 소자층을 적층하는 단계; 상기 층상구조 기판의 층을 박리시켜, 상기 층상구조 기판을 제거하는 단계; 및 상기 태양전지 소자층을 플라스틱 기판으로 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 태양전지 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 플라스틱 태양전지 제조방법으로, 상기 방법은 층상구조 기판에 태양전지 소자층을 적층하는 단계; 상기 태양전지 소자층에 플라스틱 기판을 접합시키는 단계; 및 상기 층상구조 기판의 층을 박리시켜, 상기 층상구조 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 태양전지 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 층상구조 기판은 운모기판이며, 상기 박리는 접착물질을 이용하는 방식이다.
본 발명의 일 실시예는 층상구조의 기판상에 태양전지 소자층을 제조하는 단계; 상기 태양전지 소자층 상부에 지지기판을 접착시켜, 상기 태양전지 소자층을 고정시키는 단계; 상기 층상구조의 기판을 제거하는 단계; 및 상기 지지기판을 이용, 상기 태양전지 소자층을 플라스틱 기판으로 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 태양전지 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 층상구조의 기판은 운모기판이며, 여기에서 운모기판의 제거는 물리적인 방식으로 수행된다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 물리적인 방식은 접착용 테이프를 상기 운모기판에 붙인 후, 떼어내는 방식이다.
본 발명의 일 실시예에서 접착용 테이프를 상기 운모기판에 붙인 후, 떼어내는 상기 공정은 복수 회 수행되며, 상기 플라스틱 기판상에는 접착층이 구비되며, 상기 접착층에 의하여 태양전지 소자층과 플라스틱 기판은 접합된다.
상기 또 다른 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예는 플라스틱 기판; 및 상기 플라스틱 기판 상에 적층된 태양전지 소자층을 포함하며, 여기에서 상기 태양전지 소자층은 운모기판에서 제조된 후, 상기 플라스틱 기판으로 전사된 것을 특징으로 하는 플라스틱 태양전지를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 태양전지 소자층은 순차적으로 적층된 하부전극층, 제 1형 도핑층, 진성층, 제 2형 도핑층 및 상부전극층으로 이루어지며, 상기 플라스틱 기판상에는 접착층이 적층된다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 운모기판은 태양전지 소자층 적층 후 물리적인 방식으로 제거되며, 상기 물리적인 방식은 접착용 테이프를 상기 운모기판에 붙인 후, 떼어내는 방식이다.
본 발명의 일 실시예에서 접착용 테이프를 상기 운모기판에 붙인 후, 떼어내는 상기 공정은 복수 회 수행된다.
본 발명에 따른 플라스틱 태양전지 제조방법 및 플라스틱 태양전지는 층상 구조의 운모기판에서 태양전지 소자층을 적층한 후, 운모기판의 각 층을 물리적인 방식으로 제거한 후, 태양전지 소자층을 플라스틱 기판으로 전사시키는 방식을 취한다. 따라서, 공정제어가 까다로운 습식식각 방식으로 하부기판을 제거하지 않으므로, 공정의 신뢰도가 증가하고, 또한, 용액 상태에서 프리스탠딩됨에 따라 발생하는 기판 변형의 문제를 효과적으로 해결할 수 있다.
도 1 내지 13은 본 발명이 일 실시예에 따른 플렉서블 태양전지의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 태양전지를 나타내는 도면이다.
이하 바람직한 실시예 및 도면을 이용하여 본 발명을 상세히 설명한다. 하지만, 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위한 예로서 제공되는 것이다. 따라서 본 발명은 이하 설명된 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
또한, 본 명세서에 첨부된 도면은 모두 전체 평면도 및 부분 단면(A-A')을 절개한 단면도의 형식으로 해석된다.
본 명세서에서 플라스틱 기판은 유연성, 즉, 플렉서블 특성을 가지는 임의의 모든 기판을 다 포함하는 것으로 해석되며, 보다 명확하게는 플렉서블 중합체 기판을 의미한다. 또한 태양전지는 층상구조의 기판에서 제조될 수 있는 임의의 모든 테양전지를 다 포함하는 것으로, 보다 구체적으로는 반도체 공정 등에 의하여 제조되는 실리콘 또는 박막 등의 다양한 태양전지를 의미한다.
본 발명에 따른 플라스틱 태양전지 제조방법은 층상구조 기판상에 태양전지 소자층을 적층하는 단계; 및 상기 층상구조 기판을 제거하는 단계를 포함한다. 상기 층상구조 기판의 제거는 기판의 층을 벗겨되는, 소위 박리 방식(exfoliation)으로 제거될 수 있으며, 이러한 박리는 화학 용액에 상기 층상구조 기판을 침지시키는 방식이나, 물리적으로 층을 벗겨내는 방식 모두 가능하며, 이는 본 발명의 범위에 속한다. 또한, 상기 박리 공정에 의하여 층 하나, 또는 복수 층이 한꺼번에 벗겨질 수 있으며, 원하는 기판 두께까지 상기 박리 공정이 진행될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 층상구조 기판은 운모기판이며, 상기 박리는 접착물질을 이용하는 방식이다. 즉, 본 발명은 층상구조로서 박리가 용이한 운모기판을 희생기판으로 이용하여, 플라스틱 태양전지를 제조한다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 박리는 접착테이프를 이용한 물리적 방식이었으며, 하부 층상구조 기판은 박리 방식으로 모두 제거되거나, 또는 적어도 플렉서블 특성을 갖는 수준의 두께의 기판만을 남기고 나머지 층상 구조가 모두 제거될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 태양전지 소자층은 하부전극층; 제 1형 도핑층; 진성층; 제 2형 도핑층; 및 상부전극층으로 이루어지며, 하부전극층은 투명전극층이었다. 즉, 본 발명은 습식식각 또는 건식식각 공정이 아닌, 물리적인 방식으로 희생기판의 각 층들을 용이하게 박리하여, 제거될 수 있는 하부 희생기판을 이용, 상부의 태양전지 소자층을 플렉서블한 플라스틱 기판에 전사시킨다. 전사 시 소자의 변형 등을 방지하기 위하여, 본 발명은 상부의 별도 지지층을 사용하여, 상기 지지층에는 태양전지 소자와의 접착을 위한 별도의 접착층이 도포될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서는 태양전지 소자층이 상부에 적층되어, 태양전지가 먼저 제조되는 희생기판으로, 층상구조인 운모기판을 사용하였다. 하지만, 본 발명의 범위는 이에 제한되지 않으며, 층상구조를 가지며 고온 환경에서 견딜 수 있는 임의의 모든 물질을 상기 희생기판으로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 층상구조의 희생기판 물질로 사용된 운모(mica, 雲母 )는 화강암 중 중요한 조암광물로서, 층상 규산염광물을 의미한다. 운모는 보통 층상구조를 가지며, 육각 판상의 결정형을 이룬다. 또한 인상(鱗?), 섬유상, 주상(柱?)을 이루는데, 어느 형태나 밑면에 완전한 쪼개짐이 있어서 아주 엷게 벗겨질 수 있으며, 우수한 내열, 내화학성을 갖는다.
따라서, 본 발명은 이러한 특성의 운모를 이용, 운모기판에서 태양전지 소자층을 제조한 후, 하부의 운모기판을 물리적인 방식으로 박리시키는 방식의 플렉서블 태양전지 제조방법을 제공한다.
이하 본 발명의 일 실시예에 따른 플라스틱 태양전지 제조방법을 도면과 함께 설명한다.
도 1을 참조하면, 운모기판(100)이 개시된다. 운모기판(100)은 상술한 바와 같이 복수의 층상구조로서 각 층은 박리될 수 있는 특성을 갖는다. 도 1에서는 운모기판(100)의 층상구조를 다층 형상으로 나타내었다.
도 2를 참조하면, 상기 운모기판(100) 상에 투명전도막(210)이 적층된다. 상기 투명전도막(210)은 인듐-주석 산화물(ITO) 등이 사용될 수 있으며, 이후 적층되는 태양전지 소자의 하부전극층을 구성하므로, 이하 하부전극층이라 지칭된다.
도 3을 참조하면, 상기 하부전극층(210) 상에 제 1형 불순물이 도핑된 반도체층(이하 제 1형 도핑층, 220)이 적층된다. 상기 반도체층은 소정 불순물이 도핑된 실리콘 층이거나, 3가 또는 5가의 원소층일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 상기 제 1형 불순물은 p형 불순물이었으나, 본 발명의 범위는 이에 제한되지 않는다.
도 4를 참조하면, 상기 제 1형 도핑층(220) 상에 진성층(230)이 적층된다. 상기 진성층(intrinsic layer)는 조사되는 빛에 의하여 전자-정공을 생성하는 층으로, n형과 p형 불순물이 균일한 양으로 도핑된 형태이다.
도 5를 참조하면, 상기 진성층(230) 상에 제 2형 분순물이 도핑된 반도체층(이하 제 2형 도핑층, 240)이 적층된다. 상기 제 2 형 불순물은 제 1형 불순물과 반대되는 불순물로서, 제 1형이 p형이면, 제 2형 불순물은 n형이 되며, 그 반대도 가능하다.
도 6을 참조하면, 상기 p형 도핑층(240) 상에 상부전극층(250)이 적층된다. 본 발명의 일 실시예에서 상기 상부전극층(250)은 금속막 형태이나, 본 발명의 범위는 이에 제한되지 않는다. 상기 상부전극층(250) 적층 후, 하부전극층-제 1형 도핑층-진성층-제2형 도핑층-상부전극으로 이루어진 태양전지 소자층(200)이 완성되며, 도 7에서는 태양전지 소자층(200)이 하나의 층으로 표시되나, 상기 태양전지 소자층(200)은 도 2 내지 6에서 설명되는 공정에 의하여 완성된다.
도 8을 참조하면, 상기 태양전지 소자층(200) 상에 지지기판(400)이 접촉되어, 접합된다. 상기 지지기판(400)은 딱딱한 특성의 기판, 예를 들면 실리콘 기판, 운모 기판일 수 있으며, 상기 지지기판(400)과 태양전지 소자층(200)의 접합을 위하여 상기 지지기판(400)에는 에폭시, PDMS 등과 같은 접합층(300)이 도포된 상태일 수 있다. 상기 지지기판(400)은 하부 희생기판(100)의 박리 후 상부의 소자가 구조적으로 변형되는 것을 방지하는 힘을 제공하며, 아울러 하부 기판이 제거된 태양전지 소자를 플렉서블 기판으로 전사시키는 전사수단(transferring means)으로 사용된다. 따라서, 상기 지지기판(400)과 소자층(200) 사이에는 충분한 힘으로 접합되어야 한다. 하지만, 이와 달리 달리 지지기판(400)은 태양전지 소자가 제조되는 최종 플라스틱 기판이 될 수 있으며, 이 경우 별도의 전사공정 없이 바로 플라스틱 태양전지가 도 8의 공정에서 완성되며, 하기 도 9 내지 12의 하부기판(100) 제거 후, 최종 플라스틱 태양전지 소자가 제조된다.
도 9를 참조하면, 하부 운모기판(100)이 박리된다. 본 발명의 일 실시예에서 상기 운모기판(100)의 박리는 물리적인 방식으로 수행되며, 이는 접착용 테이프(500)를 상기 운모기판(100)에 붙인 후, 이를 떼어내는 방식이었다. 특히 붙이고, 떼어내는 물리적 박리 공정을 복수 회 수행함에 따라 하부의 운모기판은 연속적으로 박리된다(도 10 및 11). 이러한 운모기판(100)의 박리 공정이 연속적으로 수행됨에 따라 태양전지 소자층(200) 하부의 운모기판이 모두 제거되거나, 플렉서블 특성을 갖는 수준의 두께만큼 제거될 수 있다. 하지만, 어떤 경우라고 하여도, 운모기판(100) 제거 후에도 태양전지 소자층(200) 상부에 접착된 지지기판(400)에 의하여 상기 태양전지 소자(200)는 특별한 구조변형 없이 안정된 상태를 유지할 수 있으며, 이는 상술한 바와 같다. 하지만, 별도의 전사수단인 지지기판(400)을 사용하는 대신, 상기 태양전지 소자층(200) 상부에 바로 플라스틱 기판을 접촉시켜, 접합시키는 경우, 하부 층상구조 기판의 물리적인 박리 방식의 제거에 따라, 바로 플라스틱 태양전지가 제조될 수 있다.
도 12를 참조하면, 태양전지 소자(200)가 하부에 접합된 상기 지지가판(400)을 이용, 상기 태양전지 소자(200)를 플라스틱 기판(700)에 전사시키는데, 상기 플라스틱 기판(700) 상에는 또 다른 접착층(600)이 도포된 상태이다.
도 13을 참조하면, 플라스틱 기판(700) 상에 도포된 상기 접착층(600)과 태양전지 소자층(200) 사이의 접착력에 의하여, 상기 지지기판(400)으로부터 태양전지 소자(200)는 용이하게 이탈, 분리되며, 이로써 플라스틱 기판(700) 상에 태양전지 소자(200)가 전사된 플렉서블 태양전지 제조가 완성된다. 본 발명의 일 실시예에서 상기 접착층으로는 폴리이미디 또는 에폭시와 같은 열경화성 수지를 사용하였으나, 본 발명의 범위는 이에 제한되지 않는다.
본 발명의 범위는 상기 소자의 종류, 물질의 종류에 제한되거나, 한정되지 않으며, 실리콘 기판에서 반도체 공정에 의하여 제조되는 임의의 모든 소자가 본 발명의 범위에 속하며, 본 발명은 상기 실시예에 의하여 그 범위가 제한되거나 한정되지 않는다.
Claims (19)
- 플라스틱 태양전지 제조방법으로, 상기 방법은
층상구조 기판상에 태양전지 소자층을 적층하는 단계; 및
상기 층상구조 기판을 제거하는 단계를 포함하며, 상기 층상구조 기판을 제거하는 단계는 상기 층상구조 기판의 층을 순차적으로 박리시키는 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는 플라스틱 태양전지 제조방법. - 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 층상구조 기판은 운모기판인 것을 특징으로 하는 플라스틱 태양전지 제조방법. - 제 1항에 있어서,
상기 층상구조 기판의 층을 순차적으로 박리시키는 방식은 접착물질을 이용하여, 상기 층상 구조 기판의 층을 순차적으로 박리시키는 방식인 것을 특징으로 하는 플라스틱 태양전지 제조방법. - 플라스틱 태양전지 제조방법으로, 상기 방법은
층상구조 기판상에 태양전지 소자층을 적층하는 단계;
상기 층상구조 기판의 층을 박리시켜, 상기 층상구조 기판을 제거하는 단계; 및
상기 태양전지 소자층을 플라스틱 기판으로 전사시키는 단계를 포함하며, 상기 층상구조 기판을 제거하는 단계는 상기 층상구조 기판의 층을 순차적으로 박리시키는 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는 플라스틱 태양전지 제조방법. - 플라스틱 태양전지 제조방법으로, 상기 방법은
층상구조 기판에 태양전지 소자층을 적층하는 단계;
상기 태양전지 소자층에 플라스틱 기판을 접합시키는 단계; 및
상기 층상구조 기판의 층을 박리시켜, 상기 층상구조 기판을 제거하는 단계를 포함하며, 상기 층상구조 기판을 제거하는 단계는 상기 층상구조 기판의 층을 순차적으로 박리시키는 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는 플라스틱 태양전지 제조방법. - 제 5항 또는 제 6항에 있어서,
상기 층상구조 기판은 운모기판인 것을 특징으로 하는 플라스틱 태양전지 제조방법. - 제 5항 또는 제 6항에 있어서,
상기 박리는 접착물질을 이용하는 방식인 것을 특징으로 하는 플라스틱 태양전지 제조방법. - 층상구조의 기판상에 태양전지 소자층을 제조하는 단계;
상기 태양전지 소자층 상부에 지지기판을 접착시켜, 상기 태양전지 소자층을 고정시키는 단계;
상기 층상구조의 기판을 제거하는 단계; 및
상기 지지기판을 이용, 상기 태양전지 소자층을 플라스틱 기판으로 전사시키는 단계를 포함하며, 상기 층상구조 기판을 제거하는 단계는 상기 층상구조 기판의 층을 순차적으로 박리시키는 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는 플라스틱 태양전지 제조방법. - 제 9항에 있어서,
상기 층상구조의 기판은 운모기판이며, 여기에서 운모기판의 제거는 물리적인 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 플라스틱 태양전지 제조방법. - 제 10항에 있어서,
상기 물리적인 방식은, 접착용 테이프를 상기 운모기판에 붙인 후, 떼어내는 방식인 것을 특징으로 하는 플라스틱 태양전지 제조방법. - 제 11항에 있어서,
상기 물리적 방식은, 상기 접착용 테이프를 상기 운모기판에 붙인 후, 떼어내는 것을 복수 회 수행하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 태양전지 제조방법. - 제 9항에 있어서,
상기 플라스틱 기판상에는 접착층이 구비되며, 상기 접착층에 의하여 태양전지 소자층과 플라스틱 기판은 접합되는 것을 특징으로 하는 플라스틱 태양전지 제조방법. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100121453A KR101148455B1 (ko) | 2010-12-01 | 2010-12-01 | 층상구조 기판을 이용한 플라스틱 태양전지 제조방법, 이에 따라 제조된 플라스틱 태양전지 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100121453A KR101148455B1 (ko) | 2010-12-01 | 2010-12-01 | 층상구조 기판을 이용한 플라스틱 태양전지 제조방법, 이에 따라 제조된 플라스틱 태양전지 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR101148455B1 true KR101148455B1 (ko) | 2012-07-11 |
Family
ID=46715923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100121453A KR101148455B1 (ko) | 2010-12-01 | 2010-12-01 | 층상구조 기판을 이용한 플라스틱 태양전지 제조방법, 이에 따라 제조된 플라스틱 태양전지 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101148455B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102800719A (zh) * | 2012-07-27 | 2012-11-28 | 中国科学院电工研究所 | 一种柔性CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法 |
-
2010
- 2010-12-01 KR KR1020100121453A patent/KR101148455B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102800719A (zh) * | 2012-07-27 | 2012-11-28 | 中国科学院电工研究所 | 一种柔性CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102279526B1 (ko) | 태양 전지 모듈 내의 태양 전지들의 상호접속 | |
TW200937649A (en) | Solar cell module and producing method thereof | |
KR20130029488A (ko) | 레이저 리프트-오프를 이용한 플렉서블 고상이차전지 제조방법 | |
WO2007142865A3 (en) | Thin film photovoltaic structure and fabrication | |
JP2009164204A (ja) | 光電池装置 | |
KR101547057B1 (ko) | 버퍼층을 이용한 나노제너레이터 분리 방법 및 이를 이용한 플렉서블 나노제너레이터 제조방법 | |
JP5430326B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
KR101148455B1 (ko) | 층상구조 기판을 이용한 플라스틱 태양전지 제조방법, 이에 따라 제조된 플라스틱 태양전지 | |
JP2011049485A (ja) | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 | |
KR20120050241A (ko) | 희생기판을 이용한 플라스틱 압전소자 제조방법, 이에 따라 제조된 플라스틱 압전소자 | |
JP5591146B2 (ja) | 配線付き絶縁シートとその製造方法、太陽電池セル一体型配線付き絶縁シートとその製造方法、太陽電池モジュールの製造方法 | |
US11075312B2 (en) | Solar cell module and method for manufacturing solar cell module | |
KR101265935B1 (ko) | 중성역학층을 이용한 플렉서블 고상 이차전지 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 고상 이차전지 | |
JP5652911B2 (ja) | 太陽電池モジュールの製造方法 | |
JP2003264308A (ja) | 薄膜太陽電池モジュールとその製造方法 | |
KR101330713B1 (ko) | 레이저 리프트오프를 이용한 플렉서블 박막 나노제너레이터 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 박막 나노제너레이터 | |
KR101869315B1 (ko) | 3차원 적층형 플렉서블 나노 제너레이터 및 제조 방법 | |
US20150349159A1 (en) | Bendable solar cell capable of optimizing thickness and conversion efficiency | |
JP5257927B2 (ja) | 太陽電池パネル | |
KR101813763B1 (ko) | 부착식 유기 태양전지 및 이의 제조 방법 | |
JP2011159725A (ja) | 太陽電池モジュール用基材とその製造方法、太陽電池モジュール | |
TW201145530A (en) | Solar cell and method for manufacturing same | |
KR101417575B1 (ko) | 배터리 분리 방법 및 이를 이용한 배터리 제조방법 | |
US20170207359A1 (en) | Solar cell module including wiring layer overlappingly disposed on solar cell | |
KR20160100053A (ko) | 3차원 적층형 플렉서블 나노 제너레이터 및 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150429 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160427 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |