KR101148126B1 - 슈퍼 커패시터 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 동일층에 이격공간을 두고 형성된 제 1 전극 및 제 2 전극, 상기 제 1 전극과 제 2 전극의 이격공간에 삽입되며, 상기 제 1 전극과 제 2 전극의 상부면 및 하부면을 덮는 구조로 형성되는 고분자 전해질층 및 상기 고분자 전해질층의 상부면 및 하부면 상에 형성되어 실링(sealing)하는 고분자 수지층을 포함하는 슈퍼 커패시터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면 고분자 수지를 실링재로 사용하고 스크린 프린팅 방식으로 전극을 형성함으로써 슈퍼 커패시터의 두께를 감소시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

슈퍼 커패시터 및 그 제조 방법{SUPERCAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}

본 발명은 슈퍼 커패시터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세히는 캡, 케이스를 제거하고 고분자 수지를 실링재로 사용함으로써 슈퍼 커패시터의 두께를 감소시키고 스크린 프린팅 방법을 이용하여 전극을 형성함으로써 전극의 반응면적을 넓히면서 전극의 두께를 줄이고 용량을 유지하는 슈퍼 커패시터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

초고용량 커패시터(supercapacitor 또는 ultracapacitor)로 알려져 있는 전기화학 커패시터(EC, electrochemical capacitor)는 전해 콘덴서와 이차전지의 중간적인 특징을 갖는 에너지 저장장치로서, 급속 충방전이 가능하며 높은 효율과 반영구적인 수명으로 이차전지의 병용 및 대체가 가능한 에너지 저장장치로 각광을 받고 있다.

슈퍼 커패시터는 종래의 커패시터에 사용되고 있는 고유물질인 유전체는 없고, 또한 전지와 같이 충방전에 화학반응을 이용하지도 않는다. 그 특징은 표면적이 큰 활성탄을 사용하고 유전체의 거리를 짧게 하여 소형으로 F 단위의 매우 큰 정전 용량을 얻을 수 있으며, 과충전, 과방전을 해도 전지와 같이 수명에 영향을 주는 일이 없을 뿐만 아니라, 환경성이 뛰어나다. 전자 부품으로서 땜납으로 붙일 수 있으므로 2차 전지와 같이 단락이나 접속 불안정이 일어나지 않는다. 종래의 전기 화학 반응을 이용하는 2차 전지에 비해, 슈퍼커패시터는 전하 자체를 물리적으로 축전하는 방법을 이용하고 있어 충방전 시간의 조절이 가능하고, 긴 수명, 높은 에너지 밀도 등을 얻을 수 있다.

슈퍼 커패시터는 내부저항이 높을수록 충전시간은 길어지지만, 슈퍼 커패시터의 단점인 제한된 부피당 에너지 밀도를 높일 수 있다. 따라서 슈퍼 커패시터는 10~15분 정도의 충전으로 단시간용 전력 피크의 보상이나 몰입전류를 공급할 수 있으며, 2시간 정도의 충전으로 장시간 전력 보상을 할 수 있다. 정전압 충전의 경우 내부저항에 상관없이 약 50%의 효율을 보여주고 있으나, 내부저항값에 따라 더 좋은 충전 효율도 얻을 수 있다.

이러한 슈퍼 캐패시터는 전기자동차(Electric Vehicle, EV), 하이브리드 전기자동차(Hybrid Electric Vehicle, HEV) 또는 연료전지자동차(Fuel Cell Vehicle, FCV) 등과 같은 차세대 환경친화 차량 개발 분야에 있어 에너지 버퍼로써 슈퍼 커패시터의 효용성은 날로 증가하고 있다.

슈퍼 커패시터의 용도는 크기 및 용도에 따라 분류할 수도 있는데, 소형은 전원 차단시의 전자기기의 메모리 백업용 전원으로 사용되며, 중형 및 대형 제품에서는 하이브리드 전원시스템, 자동차의 스타터용 전원, 배기가스 촉매 가열의 보조전원이나 HEV의 회생 전원, 완구용 모터구동전지 대체용 전원 등과 같이 용도가 다양하다.

도 1은 종래 슈퍼 커패시터의 구조를 보인 개념도이다.

종래의 슈퍼 커패시터는 2개의 활성탄 전극(4, 6)과 액체 전해질(미도시), 그리고 양극과 음극을 분리하고 전해액을 머금고 있는 분리막(Separator, 5)으로 이루어져 있으며 이들을 실링(sealing)하기 위해서 하우징(Housing)재로 sus재질의 캡(cap, 2)과 케이스(8), 그리고 실링용 피크재로 가스켓(Gasket, 7), 전극을 캡과 케이스에 접착하는 도전성 접착제(3) 및 리드(Lead, 1)로 구성되어 있다. 이러한 종래의 슈퍼 커패시터는 캡(2)과 케이스(8)에 도전성 접착제(3)를 바르고, 그 위에 양극과 음극(4, 6)을 각각 접착한 후, 분리막(5)을 삽입한 후 전해액을 함침한다. 이후에 가스켓(7)을 삽입한 후, 캡(2)과 케이스(8)를 압착하여 슈퍼 커패시터를 제조하는 복잡한 공정을 거쳐 제조하게 된다.

상기의 구성요소 중 전극(4, 6)은 두께 400 내지 500 ㎛, φ1.8 내지 3.8 정도의 크기를 가지며, 캡(2)과 케이스(8)는 두께 약 0.4 ㎜, φ3.8 내지 6.8 의 크기를 가지는데 이는 소형, 경량화 및 슬림화를 저해하는 문제점이 있다. 아울러 기존의 칩형 슈퍼커패시터나 에너지 저장장치 등은 전극 간의 쇼트 방지를 위해 분리막(5)이 삽입되어야 하며, 누액 등의 방지를 위해 측벽이 따로 구성되어 제조공정상의 불편함을 초래함은 물론 비용의 증가를 가져 오는 문제도 발생하였다.

본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 슈퍼 커패시터의 두께를 1.0㎜ 이하가 되도록 하기 위하여 기존의 sus 재질의 캡, 케이스와 가스켓을 제거하고 수분의 침투를 막을 수 있는 고분자 수지를 실링재로 사용하며, 스크린 프린팅 방식을 이용하여 전극을 제조함으로써 전극의 반응면적을 넓혀 전극의 두께를 낮추면서도 용량을 유지할 수 있도록 하는 슈퍼 커패시터 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.

상술한 과제를 해결하기 위하여 제공되는 본 발명의 구성은 동일층에 이격공간을 두고 형성된 제 1 전극 및 제 2 전극; 상기 제 1 전극과 제 2 전극의 이격공간에 삽입되며, 상기 제 1 전극과 제 2 전극의 상부면 및 하부면을 덮는 구조로 형성되는 고분자 전해질층; 상기 고분자 전해질층의 상부면 및 하부면 상에 형성되어 실링(sealing)하는 고분자 수지층;을 포함하는 슈퍼 커패시터를 제공하여 슈퍼 커패시터의 두께를 감소시킬 수 있게 된다.

특히, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극은, 활성탄소, 도전제, 바인더를 포함하는 활물질전극인 것이 바람직하다.

또한, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극은, 서로 대향하는 제 1 외부전극 및 제 2 외부전극; 상기 제 1 외부전극과 제 2 외부전극에 직교되도록 형성되며 상호 교대로 배열된 다수의 제 1 내부전극 및 제 2 내부전극;을 포함하여 이루어질 수 있다.

또한, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극의 두께는 200 내지 400 ㎛로 형성되는 것이 바람직하다.

아울러, 상기 제 1 외부전극과 제 2 외부전극 간의 간격은 2 내지 10 ㎜인 것이 바람직하며, 상기 제 1 내부전극과 제 2 내부전극 간의 간격은 5 내지 100 ㎛인 것이 바람직하다.

또한, 상기 제 1 내부전극 및 제 2 내부전극의 폭은 5 내지 100 ㎛인 것이 바람직하다.

또한, 상기 슈퍼 커패시터는, 상기 제 1 외부전극 및 제 2 외부전극의 일면 중 상기 제 1 내부전극과 제 2 내부전극이 형성되지 않은 일면에 형성되는 리드부를 더 포함할 수 있다.

본 발명에 따른 슈퍼 커패시터의 제조 방법은 (A) 투명필름 상에 활성탄소, 도전제, 바인더를 포함하는 활물질전극을 스크린 프린팅 방식으로 도포하여 제 1 전극 및 제 2 전극을 형성하는 단계; (B) 상기 제 1 전극과 제 2 전극 상에 고분자 전해질을 도포하여 고분자 전해질층을 형성하는 단계; (C) 상기 고분자 전해질층 상에 고분자 수지를 도포하여 실링(sealing)하는 단계;를 포함하여 이루어짐으로써 슈퍼 커패시터의 두께를 감소시킬 수 있다.

특히, 상기 (A) 단계는, 서로 대향하는 제 1 외부전극 및 제 2 외부전극과, 상기 제 1 외부전극과 제 2 외부전극에 직교되며 상호 교대로 배열되는 제 1 내부전극 및 제 2 내부전극을 형성하는 단계인 것이 바람직하다.

또한, 상기 (A) 단계는, 상기 활물질전극을 도포하여 200 내지 400 ㎛의 두께로 제 1 전극 및 제 2 전극을 형성하는 단계인 것이 바람직하다.

또한, 상기 (A) 단계는, 상기 제 1 외부전극 및 제 2 외부전극의 일면 중 상기 제 1 내부전극과 제 2 내부전극이 형성되지 않은 일면에 리드부를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

본 발명에 의하면, 수분의 침투를 막는 고분자 수지를 실링재로 사용함으로써 기존의 sus 재질의 캡과 케이스 사용에 따른 두께를 감소시키며, 동일평면 상에 서로 대향하는 제 1, 2 외부전극과 상기 외부전극에 직교되도록 형성되며 상호 교대로 배열된 다수의 제1, 2 내부전극이 형성되도록 스크린 프린팅 방식을 이용하여 전극을 형성함으로써 전극의 반응면적을 넓혀 전극의 두께를 낮추면서도 용량을 유지할 수 있게 되어 슈퍼 커패시터의 박형화를 가능하게 하는 효과가 있다.

또한, 제 1 및 제 2 전극의 이격공간에 고분자 전해질을 삽입되도록 하여 전극 간 접촉에서 발생하는 불량을 제거할 수 있는 효과도 있다.

도 1은 종래 슈퍼 커패시터의 구조를 보인 개념도이다.
도 2a는 본 발명에 따른 슈퍼 커패시터의 구성을 도시한 개략적인 구성도이며, 도 2b는 본 발명에 따른 슈퍼 커패시터의 분리사시도이다.
도 3a는 본 발명에 따른 슈퍼 커패시터에서 전극 패턴의 상면도이며, 도 3b는 전극 패턴 중 X의 확대도이며 도 3c는 리드부 위치를 변경한 전극 패턴의 상면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 슈퍼 커패시터의 제조 공정을 도시한 순서도이다.

이하 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.

도 2a는 본 발명에 따른 슈퍼 커패시터의 구성에 대한 일 실시예를 개략적으로 도시한 구성도이며, 도 2b는 본 발명에 따른 슈퍼 커패시터의 분리사시도를 도시한 것이다.

본 발명에 따른 슈퍼 커패시터(100)는 동일층에 이격공간을 두고 일정 패턴이 형성된 제 1 전극 및 제 2 전극(200), 상기 제 1 전극과 제 2 전극의 이격공간에 삽입되며, 상기 제 1 전극과 제 2 전극의 상부면 및 하부면을 덮는 구조로 형성되는 고분자 전해질층(120a, 120b) 및 상기 고분자 전해질층(120a, 120b)의 상부면 및 하부면 상에 형성되어 실링(sealing)하는 고분자 수지층(110a, 110b)으로 형성될 수 있다. 이와 같이 기존의 하우징(housing)재로서 sus 재질의 캡, 케이스와 실링(sealing)용 peek재로서의 가스켓을 사용하는 대신 페릴린 등의 수분의 침투를 막을 수 있는 고분자 수지(110a, 110b)를 실링재로 사용함으로써 슈퍼 커패시터(100)의 두께를 감소시킬 수 있게 된다.

또한, 전극의 두께를 낮추면서도 용량을 유지하기 위해서는 전극의 반응면적을 넓혀야 하는데, 이를 위해서 스크린 프린팅 방식으로 상기 제 1 전극 및 제 2 전극(200)을 형성하는데, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극(200)은 서로 대향하는 제 1 외부전극(210a) 및 제 2 외부전극(210b)으로 이루어져 있으며, 이와 함께 상기 제 1 외부전극(210a)과 제 2 외부전극(210b)에 직교되도록 형성되며 상호 교대로 배열된 다수의 제 1 내부전극(220a) 및 제 2 내부전극(220b)으로 이루어질 수 있다. 이와 같이 형성된 제 1 전극 및 제 2 전극의 두께(A)는 200 내지 400 ㎛로 형성될 수 있어 슈퍼 커패시터(100)의 박형화를 가능하게 할 수 있다. 더불어 도 2b에는 도시하지 않았지만 제 1 및 제 2 전극(200)의 이격공간에 고분자 전해질(120c)을 삽입되도록 하여 전극 간 접촉에서 발생하는 불량을 제거할 수 있는 효과도 있다. 이때, 상기 고분자 전해질층(120a, 120b)과 고분자 수지층(110a, 110b)은 도면과 같이 사각형으로 형성할 수도 있지만, 원형 등 기타 다른 형태로도 형성이 가능하다.

도 3a는 본 발명에 따른 슈퍼 커패시터에서 전극 패턴의 상면도이며, 도 3b는 전극 패턴 중 X의 확대도이며 도 3c는 리드부 위치를 변경한 전극 패턴의 상면도를 도시한 도면이다.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 발명에 따른 슈퍼 커패시터에서의 제 1 전극 및 제 2 전극(200)은 서로 대향하는 제 1 외부전극(210a) 및 제 2 외부전극(210b), 상기 제 1 외부전극(210a)과 제 2 외부전극(210b)에 직교되도록 형성되며 상호 교대로 배열되는 빗살형태의 다수의 제 1 내부전극(220a) 및 제 2 내부전극(220b), 상기 제 1 외부전극(210a) 및 제 2 외부전극(210b)의 일면 중 상기 제 1 내부전극(220a)과 제 2 내부전극(220b)이 형성되지 않은 일면에 형성되는 리드부(230)로 이루어질 수 있다. 상기 제 1 전극 및 제 2 전극(200)은 활성탄소, 도전제, 바인더를 포함하는 활물질전극인 것이 바람직하며, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극(200)은 스크린 프린팅 방식을 통해 200 내지 400 ㎛의 두께로 형성할 수 있다. 또한, 상기 제 1 외부전극(210a)과 제 2 외부전극(210b) 간의 간격(B)은 2 내지 10 ㎜인 것이, 상기 제 1 내부전극(220a)과 제 2 내부전극(220b) 간의 간격(C)은 5 내지 100 ㎛인 것이 바람직하며, 상기 제 1 내부전극(220a) 및 제 2 내부전극(220b)의 폭(D)은 5 내지 100 ㎛인 것이 바람직하다.

이와 같이 스크린 프린팅 방식을 통해 도면과 같은 전극패턴을 형성함으로써 전극의 반응면적을 넓힐 수 있어 전극의 두께를 낮추면서도 용량을 유지할 수 있는 슈퍼 커패시터의 박형화가 가능하게 된다.

또한, 도 3a 및 도 3c에서와 같이 리드부(230)는 제 1 및 제 2 외부전극(210a, 210b)의 하단 또는 중앙에 서로 대칭되도록 형성될 수도 있고 이와 달리 서로 대칭이 되지 않도록 제 1 외부전극(210a)의 상단과 제 2 외부전극(210b)의 하단에 형성되는 등 어느 위치에 형성되어도 무방하다.

이하에서는 본 발명에 따른 상술한 구조의 슈퍼 커패시터의 제조 공정을 설명하기로 한다. 도 4는 본 발명에 따른 슈퍼 커패시터의 제조 공정을 도시한 순서도이다. 본 발명에 따른 슈퍼 커패시터의 제조 공정은 크게 투명필름에 상기 도 3a와 같은 전극패턴을 형성하고(S1) 스크린 프린팅 방식으로 제 1 전극, 제 2 전극 및 리드부를 형성하고(S2) 상기 제 1 전극과 제 2 전극 상에 고분자 전해질을 도포하여 고분자 전해질층을 형성한 후(S3) 상기 고분자 전해질층 상에 고분자 수지로 실링한다(S4).

상기 제조 공정을 좀 더 구체적으로 살펴보면, PET 필름과 같은 투명필름 상에 도 3a와 같은 전극패턴의 형태로 전극 페이스트를 스크린 방식을 이용하여 도포하는데 상기 전극 페이스트는 활성탄 40 내지 80wt%, 도전제 5 내지 20wt%, 그리고 고분자 바인더 15 내지 30wt%를 Ball milling 등의 방법을 이용하여 믹싱하여 제조한다. 이렇게 제조된 페이스트를 스크린 프린팅 방식을 이용하여 도포 및 건조를 2~10회 가량 반복적으로 시행하여 200 내지 400㎛ 두께의 양극과 음극을 형성한다.

이후, 상기 제조된 전극 상에 고분자 전해질을 반복적으로 도포하고 상기 고분자 전해질이 도포된 슈퍼 커패시터를 밀폐하기 위해 페릴린 등의 고분자 수지로 실링한다.

이와 같이 스크린 프린팅 방식으로 전극을 형성함으로써 전극의 반응면적을 넓힐 수 있게 되어 전극의 두께를 낮추면서도 용량을 유지할 수 있게 되며, 페릴린 등과 같이 수분의 침투를 막을 수 있는 고분자 수지를 실링재로 사용함으로써 슈퍼 커패시터의 두께를 감소시킬 수 있게 된다.

활성탄 50.0wt%, 도전제 22.7wt%, 혼합 바인더(셀룰로오즈계와 불소계) 27.3wt%를 증류수 300g과 함께 볼밀을 이용하여 약 6시간 가량 혼합하여 전극 페이스트를 제조하고 상기 제조된 전극 페이스트를 10회 반복 도포 및 건조하여 도 3a와 같은 전극 형태를 제조한다. 이후, 상기 제조된 전극 형태에 스피로계 염과 PAN계 고분자로 제조된 고분자 전해질을 반복적으로 도포하고 이들을 60℃ 오븐에서 약 10시간 가량 건조한 후, 페릴린 코터를 이용하여 페릴린 코팅하여 외부 수분과 차단한다.

상기 제조된 슈퍼 커패시터의 용량 및 DC 저항을 측정한 결과, 0.04F/100mohm을 나타내었고, 상기 제조된 슈퍼 커패시터의 장기 싸이클 특성을 분석한 결과, 50,000cycle 까지 초기 특성에 85% 이상의 성능을 가지고 있음을 확인하였다.

상기 실시예 1과 같은 조성으로 전극 페이스트를 제조하고 제조된 전극 페이스트를 5회 반복 도포 및 건조 후 제조된 전극 형태에 실시예 1과 동일한 고분자 전해질을 반복적으로 도포한다. 이후, 이들을 60℃ 오븐에서 약 5시간 가량 건조한 후, 페릴린 코팅하여 외부 수분과 차단한다.

상기 제조된 슈퍼 커패시터의 용량 및 DC 저항을 측정한 결과, 0.02F/120mohm을 나타내었으며, 상기 제조된 슈퍼 커패시터의 장기 싸이클 특성을 분석한 결과, 100,000cycle 까지 초기 특성에 85% 이상의 성능을 가지고 있음을 확인하였다. 또한, 이들을 습도 신뢰성 특성을 분석한 결과, 95RH%에서 500시간 동안 초기 특성 대비 95% 이상의 성능을 보유하고 있음을 확인하였다.

이상 도면과 명세서에서 최적 실시예들이 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

100: 슈퍼 커패시터 110a, 110b: 고분자 수지층
120a, 120b, 120c: 고분자 전해질층
200: 전극층 210a: 제 1 외부전극
210b: 제 2 외부전극 220a: 제 1 내부전극
220b: 제 2 내부전극 230: 리드부

Claims (12)

1. 동일층에 이격공간을 두고 형성된 제 1 전극 및 제 2 전극;
   상기 제 1 전극과 제 2 전극의 이격공간에 삽입되며, 상기 제 1 전극과 제 2 전극의 상부면 및 하부면을 덮는 구조로 형성되는 고분자 전해질층;
   페릴린(parylene)으로 구성되며, 상기 고분자 전해질층의 상부면 및 하부면 상에 형성되어 실링(sealing)하는 고분자 수지층;
   을 포함하는 슈퍼 커패시터.
   
2. 청구항 1에 있어서,
   상기 제 1 전극 및 제 2 전극은,
   활성탄소, 도전제, 바인더를 포함하는 활물질전극인 슈퍼 커패시터.
   
3. 청구항 1에 있어서,
   상기 제 1 전극 및 제 2 전극은,
   서로 대향하는 제 1 외부전극 및 제 2 외부전극;
   상기 제 1 외부전극과 제 2 외부전극에 직교되도록 형성되며 상호 교대로 배열된 다수의 제 1 내부전극 및 제 2 내부전극;
   을 포함하는 슈퍼 커패시터.
   
4. 청구항 1에 있어서,
   상기 제 1 전극 및 제 2 전극의 두께는 200 내지 400 ㎛인 슈퍼 커패시터.
   
5. 청구항 3에 있어서,
   상기 제 1 외부전극과 제 2 외부전극 간의 간격은 2 내지 10 ㎜인 슈퍼 커패시터.
   
6. 청구항 3에 있어서,
   상기 제 1 내부전극과 제 2 내부전극 간의 간격은 5 내지 100 ㎛인 슈퍼 커패시터.
   
7. 청구항 3에 있어서,
   상기 제 1 내부전극 및 제 2 내부전극의 폭은 5 내지 100 ㎛인 슈퍼 커패시터.
   
8. 청구항 3에 있어서,
   상기 슈퍼 커패시터는,
   상기 제 1 외부전극 및 제 2 외부전극의 일면 중 상기 제 1 내부전극과 제 2 내부전극이 형성되지 않은 일면에 형성되는 리드부를 더 포함하는 슈퍼 커패시터.
   
9. (A) 투명필름 상에 활성탄소, 도전제, 바인더를 포함하는 활물질전극을 스크린 프린팅 방식으로 도포하여 제 1 전극 및 제 2 전극을 형성하는 단계;
   (B) 상기 제 1 전극과 제 2 전극 상에 고분자 전해질을 도포하여 고분자 전해질층을 형성하는 단계;
   (C) 상기 고분자 전해질층 상에 페릴린(parylene)으로 구성된 고분자 수지를 도포하여 실링(sealing)하는 단계;
   를 포함하는 슈퍼 커패시터의 제조 방법.
   
10. 청구항 9에 있어서,
    상기 (A) 단계는,
    서로 대향하는 제 1 외부전극 및 제 2 외부전극과,
    상기 제 1 외부전극과 제 2 외부전극에 직교되며 상호 교대로 배열되는 제 1 내부전극 및 제 2 내부전극을 형성하는 단계인 슈퍼 커패시터의 제조 방법.
    
11. 청구항 9에 있어서,
    상기 (A) 단계는,
    상기 활물질전극을 도포하여 200 내지 400 ㎛의 두께로 제 1 전극 및 제 2 전극을 형성하는 단계인 슈퍼 커패시터의 제조 방법.
    
12. 청구항 10에 있어서,
    상기 (A) 단계는,
    상기 제 1 외부전극 및 제 2 외부전극의 일면 중 상기 제 1 내부전극과 제 2 내부전극이 형성되지 않은 일면에 리드부를 형성하는 단계를 더 포함하는 슈퍼 커패시터의 제조 방법.
    

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