KR101147312B1 - 광기전력 모듈 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 광기전력 모듈은, 기판 상에 형성되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성되는 광전변환층, 상기 광전변환층 상에 형성되며 일 이상의 투광성 개구들이 형성된 투광 영역 및 상기 투광성 개구들이 형성되지 않은 비투광 영역을 갖는 제2 전극, 및 상기 제2 전극의 상기 비투광 영역 상에 형성되며, 상기 광전변환층에 의해 생성된 전류를 공급받아 외부로 전달하기 위한 버스 바를 포함할 수 있다.

Description

광기전력 모듈 및 그 제조 방법{PHOTOVOLTAIC MODULE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}
본 발명은 광기전력 모듈과 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 석유 또는 석탄과 같은 기존 에너지 자원에 대한 고갈이 예측되면서 이들을 대체할만한 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양 에너지는 에너지 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없어 특히 주목받고 있다. 태양 에너지의 이용방법으로는 태양열을 이용하여 터빈을 회전시키는 데에 필요한 증기를 발생시키는 태양열 에너지와, 반도체의 성질을 이용하여 태양광(photons)을 전기 에너지로 변환시키는 태양광 에너지가 있다.
태양광을 전기 에너지로 변환하는 광기전력 모듈은 다이오드와 같이 p형 반도체와 n형 반도체의 접합 구조를 가지며, 광기전력 모듈에 빛이 입사되면 빛과 광기전력 모듈의 반도체를 구성하는 물질과의 상호작용으로 (-) 전하를 띤 전자와 (+) 전하를 띤 정공이 발생하여 이들이 이동하면서 전류가 흐르게 된다.
이를 광기전력효과(光起電力效果, photovoltaic effect)라 하는데, 광기전력 모듈을 구성하는 p형 및 n형 반도체 중 전자는 n형 반도체 쪽으로, 정공은 p형 반도체 쪽으로 끌어 당겨져 각각 n형 반도체 및 p형 반도체와 접합된 전극들로 이동하고, 이 전극들을 전선으로 연결하면 전기가 외부로 흐른다.
이와 같은 광기전력 모듈은 발전용뿐만 아니라 건축용으로도 사용되고 있다. 건축용 광기전력 모듈은 건물의 지붕, 벽 또는 창 등에 장착되어 발전을 수행한다. 건축용 광기전력 모듈의 경우 발전용 광기전력 모듈에 비하여 여러 가지 다른 특징을 가져야 하므로 건축용 광기전력 모듈에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다.
건축용 광기전력 모듈을 건물의 창 등에 적용하기 위해서는 광기전력 모듈이 광투과성을 가져야 한다. 광기전력 모듈에 광투과성을 부여하기 위한 방법 중 하나는 후면 전극에 투광성 개구를 형성하는 것이다. 즉, 광기전력 모듈의 효율을 보장하기 위해서는 후면 전극을 반사율이 높은 불투명 전극으로 이용하여야 하는데 이러한 후면 전극에 투광성 개구를 형성함으로써 빛이 투과될 수 있도록 하는 것이다. 그러나, 이러한 경우 생성된 전류를 외부로 공급하기 위한 버스 바가 형성되는 영역에도 투광성 개구가 형성됨에 따라 버스 바와 후면 전극 사이의 접촉이 최적화되지 못함으로써 광기전력 모듈의 효율이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명은 광투과성을 가짐으로써 건축용으로 사용될 수 있으면서도 높은 동작 효율이 보장되는 광기전력 모듈을 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 광기전력 모듈은, 기판 상에 형성되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성되는 광전변환층, 상기 광전변환층 상에 형성되며 일 이상의 투광성 개구들이 형성된 투광 영역 및 상기 투광성 개구들이 형성되지 않은 비투광 영역을 갖는 제2 전극, 및 상기 제2 전극의 상기 비투광 영역 상에 형성되며, 상기 광전변환층에 의해 생성된 전류를 공급받아 외부로 전달하기 위한 버스 바를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 광기전력 모듈의 제조 방법은, 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상에 광전변환층을 형성하는 단계, 상기 광전변환층 상에 일 이상의 투광성 개구들이 형성된 투광 영역 및 상기 투광성 개구들이 형성되지 않은 비투광 영역을 갖는 제2 전극을 형성하는 단계, 상기 제2 전극의 비투광 영역 상에, 상기 광전변환층에 의해 생성된 전류를 공급받아 외부로 전달하기 위한 버스 바를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 후면 전극이 금속 전극으로 이루어지는 광기전력 모듈의 광투과성을 위한 투광성 개구가 버스 바가 형성되는 영역 외에만 형성되기 때문에 버스 바와 전극 간의 전기적 접촉이 최적화되고 이에 따라 동작 효율의 저하가 방지될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 모듈의 구성을 나타낸다.
도 2a 내지 도 2l은 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 모듈의 제조 방법을 나타낸다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 모듈의 구성을 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 모듈은 기판(100) 상에 순차적으로 형성되는 제1 전극(110), 광전변환층(120), 제2 전극(130)을 포함할 수 있다. 제2 전극(130)은 투광 영역과 비투광 영역으로 나뉜다. 투광 영역은 복수의 투광성 개구들이 형성된 영역을 의미하고, 비투광 영역은 투광성 개구들이 형성되어 있지 않은 영역을 의미한다. 제2 전극(130) 상에는 생성된 전류를 공급받아 외부로 전달하기 위한 버스 바(150)가 더 형성될 수 있는데, 이러한 버스 바(150)는 제2 전극(130) 상의 비투광 영역에 형성된다. 한편, 광기전력 모듈은 제2 전극(130)과 버스 바(150)를 덮는 절연성 보호층(160), 기판(100)과 절연성 보호층(160)의 둘레를 둘러싸는 프레임(170)을 더 포함할 수 있다.
광전변환층(120)은 조사된 빛을 전기 에너지로 변환한다. 이와 같은 광전변환층(120)은 비정질 광전변환층일 수 있으며, p 타입 반도체층, n 타입 반도체층, p 타입 반도체층과 n 타입 반도체층 사이에 형성되는 진성 반도체층을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 광기전력 모듈의 제2 전극(130)에는 복수의 투광성 개구(미도시됨)들이 형성되어 있다. 복수의 투광성 개구들은 광기전력 모듈의 투광성을 위해 형성된다. 즉, 광기전력 모듈의 후면 전극으로 사용되는 제2 전극(130)으로서는 반사율이 높은 불투명의 전도성 재질을 사용하는 것이 일반적인데, 이러한 제2 전극(130)에 투광성 개구들을 형성함으로써 광기전력 모듈은 광투과성을 갖게 되고, 건물의 창 등에 적용될 수 있는 투광성 건자재 일체형(BIPV; Building Integrated PhotoVotaic, 이하, ‘BIPV’라 한다) 모듈로 적용될 수 있게 된다. 광기전력 모듈에 투광성 개구들이 형성됨에 따라 버스 바(150)가 형성되는 영역에도 투광성 개구가 형성될 수 있는데, 이러한 경우 버스 바(150)와 제2 전극(130) 간의 접촉 면적이 투광성 개구가 형성된 면적만큼 감소하게 되어 전기적 접촉 특성이 감소할 수 있다. 이를 방지하기 위해 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 모듈에 있어서는 제2 전극(130)의 비투광 영역에 버스 바(150)가 형성된다. 즉, 복수의 투광성 개구들이 제2 전극(130)에 형성되되, 버스 바(150)의 하부 영역에는 형성되지 않는다. 이에 따라, 버스 바(150)와 제2 전극(130) 간의 전기적 접촉 면적이 최대화되고, 광기전력 모듈의 성능 저하가 방지될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 모듈의 제조 공정을 상세하게 설명하기로 한다.
도 2a 내지 도 2l은 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 모듈의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 2a를 참조하면, 먼저 기판(100)을 준비한다. 기판(100)은 절연성 투명기판일 수 있다. 또한 기판(100)은 글라스와 같은 인플렉서블 기판(inflexible substrate)일 수도 있고, 폴리머나 금속 포일과 같은 플렉서블 기판(flexible substrate)일 수도 있다. 기판(100)이 금속 포일을 포함할 경우 기판(100)은 금속 포일을 덮는 절연층(미도시)을 포함할 수 있다.
도 2b를 참조하면, 기판(100) 상에 제1 전극(110)을 형성한다. 제1 전극(110)은 전도성 물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들면, 전도성 투명전극(TCO; Transparant Conductive Oxides)일 수 있다. 전도성 투명전극은 SnO2:F, ZnO:B, ZnO:Al 등을 포함하는 물질로 이루어질 수 있다. 제1 전극(110)은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 법이나 스퍼터링(sputtering) 법으로 형성될 수 있다. 본 발명의 실시예는 제1 전극(110)이 형성되는 과정을 포함하나 제1 전극(110)이 미리 형성된 기판(100)이 준비될 수도 있다.
도 2c를 참조하면, 레이저를 조사하여 제1 전극(110)의 일부를 제거하는 스크라이브 공정을 수행한다. 스크라이브 공정에 의하여 제1 전극(110)의 일부가 제거됨으로써 제1 패턴의 홈(P1)이 형성된다. 이에 따라 인접한 제1 전극(110) 사이의 단락이 방지될 수 있다.
도 2d를 참조하면, 제1 전극(110)과 제1 패턴의 홈(P1)을 덮도록 광전변환층(120)을 형성한다. 광전변환층(120)은 순차적으로 형성된 p 타입 반도체층, 진성 반도체층, n 타입 반도체층을 포함하거나 순차적으로 형성된 n 타입 반도체층, 진성 반도체층, p 타입 반도체층을 포함할 수 있다. 이러한 광전변환층(120)은 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정에 의해 형성될 수 있다.
광전변환층(120)이 순차적으로 형성된 p 타입 반도체층, 진성 반도체층, n 타입 반도체층을 포함할 경우 빛은 기판(100)을 통하여 입사된다. 역으로 광전변환층(120)이 순차적으로 형성된 n 타입 반도체층, 진성 반도체층, p 타입 반도체층을 포함할 경우 빛은 기판(100) 맞은 편을 통하여 입사된다.
실란(SiH4)과 같이 실리콘을 포함하는 원료 가스, B2H6와 같이 3족 원소를 포함하는 도핑 가스와 더불어 수소 가스가 반응실에 혼입됨으로써 p 타입 반도체층이 형성될 수 있다. 진성 반도체층은 실리콘을 포함하는 원료 가스와 수소 가스가 반응실에 유입됨으로써 형성될 수 있다. n 타입 실리콘층은 PH3와 같이 5족 원소를 포함하는 도핑 가스, 실리콘을 포함하는 원료 가스 및 수소 가스가 혼입되어 형성될 수 있다.
도 2e를 참조하면, 대기 중에서 레이저를 조사하여 광전변환층(120)의 일부를 제거하는 스크라이브 공정을 수행한다. 스크라이브 공정에 의하여 광전변환층(120)의 일부가 제거됨으로써 제2 패턴의 홈(P2)이 형성된다.
도 2f를 참조하면, 광전변환층(120) 및 제2 패턴의 홈(P2)을 덮도록 제2 전극(130)을 형성한다. 제2 전극(130)은 광기전력 모듈의 후면 전극으로 이용되므로 반사율을 높여 전체 성능을 향상시키기 위해 Al이나 Ag와 같은 금속 전극으로 형성하는 것이 바람직하다.
도 2g를 참조하면, 대기 중에서 레이저를 조사하여 광전변환층(120) 및 제2 전극(130)의 일부를 제거하는 스크라이브 공정을 수행한다. 이에 따라 광전변환층(120) 및 제2 전극(130)을 관통하는 제3 패턴의 홈(P3)이 형성된다. 이렇게 함으로써 기판(100) 상에 형성되는 제1 전극(110), 광전변환층(120), 제2 전극(130)을 포함하며 서로 직렬연결되어 있는 복수의 단위전지들이 형성된다. 단위전지들이 직렬 연결된 방향을 집적 방향(A)이라 칭하기로 한다.
도 2h를 참조하면, 대기 중에서 레이저를 한번 더 조사하여 제1 전극(110), 광전변환층(120) 및 제2 전극(130)의 일부를 제거하는 스크라이브 공정을 추가적으로 수행할 수도 있다. 이에 따라 제1 전극(110), 광전변환층(120) 및 제2 전극(130)을 관통하는 제4 패턴의 홈(P4)이 형성된다. 제3 패턴의 홈(P3)은 단위전지들의 형성을 위한 것이고, 제2 패턴의 홈(P2)은 단위전지들의 직렬 연결을 위한 것이다. 또한, 제4 패턴의 홈(P4)은 기판(100)의 테두리를 감싸는 프레임(170; 도 2l 참조)을 통하여 감전이 발생하는 것을 방지하기 위한 것이다. 프레임(170)이 목재나 폴리머와 같은 절연성 물질로 이루어지는 경우 제4 패턴의 홈(P4)은 형성되지 않을 수도 있다. 즉, 도 2h를 참조하여 설명한 공정은 생략될 수도 있다.
도 2i를 참조하면, 제2 전극(130) 상에 복수의 투광성 개구(140)들을 형성한다. 투광성 개구(140)들은 제2 전극(130)의 적어도 일부를 관통하는 형태로 형성된다. 즉, 투광성 개구(140)는 제2 전극(130)의 일부 또는 전부를 관통할 수 있으며, 제2 전극(130)의 전부를 관통하는 경우에는 광전변환층(120)의 일부 또는 전부 또한 관통할 수 있다. 전술한 바와 같이, 투광성 개구(140)는 최종적으로 얻어지는 광기전력 모듈에 광투과성을 부여하여 건물의 창 등에 적용되는 BIPV 모듈로 이용될 수 있도록 하기 위함이다. 투광성 개구(140)는 소정 위치에 형성될 수 있으나, 공정의 용이성을 위해 직선 방향으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 투광성 개구(140)는 집적 방향(A)을 따라 직선으로 형성될 수도 있고, 집적 방향(A)과 소정 각도 기울어진 채로 형성될 수도 있으며, 직선 형상이 아닐 수도 있다. 또한, 도 2i에서는 투광성 개구(140)가 직선 형태의 홈으로 형성되는 것으로 도시되었으나, 소정 형태(예를 들면, 원형 등)의 투광성 개구(140)가 불연속 적으로 형성될 수도 있다. 집적 방향(A)을 따라 형성된 투광성 개구(140)는 일 이상일 수 있는데, 일 이상의 투광성 개구(140) 각각은 집적 방향(A)과 수직한 방향으로 소정 간격 이격된 상태로 서로 평행하게 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 제2 전극(130)은 복수의 투광성 개구(140)가 형성된 투광 영역 및 투광성 개구(140)가 형성되어 있지 않은 비투광 영역(B)을 갖는데, 버스 바(150; 도 2j 참조)가 형성되는 하부 영역이 비투광 영역(B)이 된다. 즉, 투광성 개구(140)는 버스 바(150)가 형성될 비투광 영역(B)을 제외한 나머지 영역에만 형성된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 투광성 개구(140)는 제2 전극(130)의 적어도 일부를 제거하는 방식으로 형성된다. 구체적으로 설명하면, 광전변환층(120) 상에 제2 전극(130)을 형성한 뒤에 형성하고자 하는 투광성 개구(140)에 대응되는 영역이 개방된 형태의 가림막을 이용하여 제2 전극(130)을 가린 뒤 식각 공정을 수행하여 투광성 개구(140)를 형성한다. 제2 전극(130) 상에 형성되는 가림막은 비투광 영역(B)을 완전히 가리게 된다. 이러한 가림막으로서는 포토레지스터 패턴, 마스크 또는 테이프 등이 이용될 수 있다. 식각 공정으로는 대기 중에서 조사되는 레이저를 통한 식각 방식 또는 화학적 식각 방식이 이용될 수 있다. 한편, 레이저 식각 방식을 통해 투광성 개구(140)를 형성하는 경우에는 가림막 없이 레이저 빔을 제어함으로써 버스 바(150)가 형성되는 비투광 영역(B)에는 투광성 개구(140)가 형성되지 않도록 할 수도 있으나, 이 경우 역시 가림막을 통해 버스 바(150)가 형성되는 비투광 영역(B)을 가린 후 식각을 수행할 수도 있다. 버스 바(150)가 형성되는 비투광 영역(B)은 추후 형성될 프레임(170; 도 2l 참조)에 의해 가려지기 때문에 광투과성을 가지지 않아도 되므로 투광성 개구(140)가 형성되지 않아도 무방하다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 복수의 투광 영역과 비투광 영역(B)을 갖는 제2 전극(130)은 스크린 프린터 방식에 의해 형성될 수도 있다. 구체적으로 설명하면, 도 2f를 참조하여 설명한 공정에서 형성하고자 하는 투광성 개구(140)에 대응되는 영역이 가려진 형태의 스크린(예를 들면, 마스크 또는 테이프 등의 가림막)을 광전변환층(120) 상에 형성한 후, 제2 전극(130)의 재료로 사용될 물질을 해당 스크린 위에 균일하게 도포함으로써 투광성 개구(140)가 형성된 투광 영역 및 투광성 개구(140)가 형성되지 않은 비투광 영역(B)을 갖는 제2 전극(130)을 형성할 수 있다. 또한, 스크린 프린터 법과 유사한 방식으로 스퍼터링 법이 이용될 수도 있다. 이와 같은 방법에 따라 투광 영역 및 비투광 영역(B)을 갖는 제2 전극(130)을 형성하는 경우에는 도 2i에 도시되는 공정이 생략될 수 있다.
도 2j를 참조하면, 제2 전극(130) 상에 버스 바(150)를 형성한다. 버스 바(150)는 단위전지들에서 생성된 전류를 외부로 전달하는 기능을 수행한다. 버스 바(150)는 도 2i를 참조하여 설명한 공정에서 투광성 개구(140)가 형성되지 않은 비투광 영역(B; 도 2i 참조) 상에 형성된다. 버스 바(150)는 제2 전극(130) 상에 도포되는 실버 페이스트(미도시됨)에 접촉되게 형성될 수 있다. 이러한 버스 바(150)는 일면에 접착성이 있으며 Al 등의 도전성 물질로 형성된 도전성 테이프일 수 있다.
도 2k를 참조하면, 버스 바(150)와 단위전지들을 덮는 절연성 보호층(160)을 형성한다. 절연성 보호층(160)은 하나 이상의 절연층들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 절연성 보호층(160)은 글라스(glass), EVA(Etylene Vinyl Acetate), PVF(polyvinylfloride), PVB(Polyvinyl butyral) 시트 또는 백시트(back sheet) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 2l을 참조하면, 기판(100)과 절연성 보호층(160)의 둘레를 둘러싸도록 프레임(170)을 형성시켜 광기전력 모듈을 완성한다. 프레임(170)은 버스 바(150)의 적어도 일부를 가릴 수 있다.
광기전력 모듈을 BIPV 모듈로 이용하기 위해 투광성 개구(140)를 형성하되, 버스 바(150)가 형성되는 영역에는 투광성 개구(140)를 형성하지 않음으로써 버스 바(150)와 제2 전극(130) 간의 전기적 접촉 면적이 최대화될 수 있고, 이에 따라 전체 광기전력 모듈의 성능이 향상될 수 있다.
표 1은 실제로 광기전력 모듈을 BIPV 모듈로 이용하기 위해 버스 바(150)가 형성되는 영역에까지 투광성 개구(140)를 형성하였던 종래 광기전력 모듈의 성능과 본 발명의 실시예에 따라 버스 바(150)가 형성되는 영역을 제외한 나머지 영역에만 투광성 개구(140)를 형성한 광기전력 모듈의 성능을 나타낸다. 본 실험에는 980mm×950mm의 크기로 제조된 광기전력 모듈이 사용되었다.
항목 Voc Isc Pmax Vpm Ipm FF
종래 기술 92.430 1.076 60.060 71.220 0.843 0.604
실시예 93.094 1.075 67.579 73.795 0.916 0.675
표 1을 참조하면, 광기전력 모듈의 광전변환 효율을 결정짓는 주요 인자인 개방전압(Voc), 단락전류(Isc), 필팩터(FF) 측면에서 모두 향상되었다는 것을 알 수 있다. 특히 필팩터(FF)는 입사되는 태양 에너지를 기준으로 얼마만큼의 에너지가 생성되는지를 가늠하는 인자인데, 버스 바(150)와 제2 전극(130) 간의 전기적 접촉이 최적화되고 접촉 저항이 감소함에 따라 필팩터(FF)가 종래 기술에 비해 향상되었고, 이에 따라 최대 출력(Pmax) 또한 향상되었다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예를 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예는 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 기판
110: 제1 전극
120: 광전변환층
130: 제2 전극
140: 투광성 개구
150: 버스 바
160: 절연성 보호층
170: 프레임

Claims (14)

  1. 기판 상에 형성되는 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 형성되는 광전변환층;
    상기 광전변환층 상에 형성되며 일 이상의 투광성 개구들이 형성된 투광 영역 및 상기 투광성 개구들이 형성되지 않은 비투광 영역을 갖는 제2 전극; 및
    상기 제2 전극의 상기 비투광 영역 상에 형성되며, 상기 광전변환층에 의해 생성된 전류를 공급받아 외부로 전달하기 위한 버스 바를 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상의 제1 전극, 상기 광전변환층, 상기 제2 전극은 서로 직렬연결되는 복수의 단위전지들을 형성하고,
    상기 일 이상의 투광성 개구들은 상기 복수의 단위전지들이 직렬로 연결된 집적 방향과 평행한 방향을 따라 직선 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 광기전력 모듈.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 일 이상의 투광성 개구들 각각은 상기 집적 방향과 수직인 방향으로 소정 간격 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 광기전력 모듈.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 일 이상의 투광성 개구들은 식각 방식을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 광기전력 모듈.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 식각 방식은 레이저를 통한 식각 방식 또는 화학적 식각 방식인 것을 특징으로 하는 광기전력 모듈.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 투광 영역 및 비투광 영역을 갖는 제2 전극은 스크린프린터 방식에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 광기전력 모듈.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 버스 바 및 상기 제2 전극을 덮는 절연성 보호층; 및
    상기 기판 및 상기 절연성 보호층의 둘레를 둘러싸는 프레임을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 모듈.
  8. 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 광전변환층을 형성하는 단계;
    상기 광전변환층 상에 일 이상의 투광성 개구들이 형성된 투광 영역 및 상기 투광성 개구들이 형성되지 않은 비투광 영역을 갖는 제2 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 전극의 비투광 영역 상에, 상기 광전변환층에 의해 생성된 전류를 공급받아 외부로 전달하기 위한 버스 바를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 모듈의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 기판 상에 형성된 제1 전극, 상기 광전변환층, 상기 제2 전극은 서로 직렬연결되는 복수의 단위전지들을 형성하고,
    상기 일 이상의 투광성 개구들은 상기 복수의 단위전지들이 직렬로 연결된 집적 방향과 평행한 방향을 따라 직선 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 광기전력 모듈의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 일 이상의 투광성 개구들 각각은 상기 집적 방향과 수직인 방향으로 소정 간격 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 광기전력 모듈의 제조 방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제2 전극을 형성하는 단계는,
    상기 광전변환층 상에 상기 제2 전극을 형성하는 단계;
    형성하고자 하는 상기 일 이상의 투광성 개구들에 대응되는 영역이 개방된 형태의 가림막을 상기 제2 전극 상에 형성하는 단계; 및
    식각 공정을 수행하여 상기 일 이상의 투광성 개구들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 모듈의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 식각 공정은 레이저를 이용하는 식각 방식 또는 화학적 식각 방식을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 광기전력 모듈의 제조 방법.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 제2 전극을 형성하는 단계는,
    형성하고자 하는 상기 일 이상의 투광성 개구들에 대응되는 영역이 가려진 형태의 스크린을 상기 광전변환층 상에 형성하는 단계; 및
    상기 스크린 상에 상기 제2 전극의 재료를 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 모듈의 제조 방법.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 버스 바 및 상기 제2 전극을 덮는 절연성 보호층을 형성하는 단계; 및
    상기 기판 및 상기 절연성 보호층의 둘레를 둘러싸는 프레임을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 모듈의 제조 방법.
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KR20100080304A (ko) * 2008-12-29 2010-07-08 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조방법

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