KR101147258B1 - A positive direct current source overload cutoff circuit - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 포지티브 직류전원 과부하 차단회로에 관한 것으로, 특히, 포지티브 직류 전원을 사용하는 시스템에서 부하단의 과부하 조건시 입력 전원을 차단하고 이 차단 상태를 유지함으로써, 2차 불량을 사전에 방지하고자 하는 포지티브 직류전원 과부하 차단회로에 관한 것이다.
The present invention relates to a positive DC power overload cut-off circuit, and in particular, in a system using a positive DC power supply, in order to prevent secondary failures in advance by shutting off the input power and maintaining the cut-off state during an overload condition of the load stage. It relates to a positive DC power overload breaking circuit.
직류 전원을 공급 및 차단하기 위해 금속 산화물 전계 효과 트랜지스터(이하, 트랜지스터라 함)를 구비하고, 이를 통해 출력단의 과부하를 검출하여 이를 제어하는 부하 검출부와 상기 과부하의 검출 이후 전원을 지속적으로 차단해주는 차단 유지부가 필요하다.A metal oxide field effect transistor (hereinafter referred to as a transistor) is provided to supply and cut off DC power, and the load detection unit detects and controls the overload of the output terminal through this, and the cut-off that continuously cuts off the power after the detection of the overload. Maintenance is needed.
그런데, 종래부터 과부하를 차단하는 기술들은 과부하의 검출 후 입력 전원을 차단하지만, 차단 이후 부하가 낮아지면 전원을 다시 공급하게 되고, 부하가 다시 상승하면 전원을 다시 차단하는 방식으로, 이 방식은 반도체 스위칭 부품을 사용한 시스템에서는 부품의 파괴를 가져올 수 있다.However, conventionally, overload blocking technologies cut off the input power after the detection of the overload, but when the load decreases after the interruption, the power is supplied again, and when the load rises again, the power is cut off again. In systems with switching components, the components can be destroyed.
종래의 기술은 퓨즈를 사용하거나 정온도 계수(Positive Temperature Coeff -icient, 이하, PTC 라함) 써미스터(Thermistor)를 이용하는 방식이 대부분이다. 하지만, 퓨즈의 경우 회로를 원천적으로 차단하는 것은 본 특허 기술과 동일하나, 퓨즈의 파괴와 그에 따른 교체 비용 및 시간이 발생하는 단점이 있으며, 퓨즈의 용량에 따라 과전류를 보호하지 못하는 등의 문제점을 가지고 있다. The prior art is mostly using a fuse or a positive temperature coefficient (PTC) thermistor. However, in the case of a fuse, blocking the circuit at the source is the same as that of the patented technology, but there is a disadvantage in that the fuse is destroyed and its replacement cost and time are generated. Have.
또한, PTC의 경우 일정 온도를 넘게 되면 온도가 급격하게 증가하는 현상을 이용한 써미스터(thermistor)이기 때문에 온도 상승에 의해 차단된 전류가 다시 온도가 떨어지면서 전원단 쇼트(short)로 인해 발생하는 과부하 조건에 의해 다시 과전류가 발생하게 되고 다시 온도가 상승하여 차단하는 특성을 가지고 있다. In addition, PTC is a thermistor that uses a phenomenon in which the temperature increases rapidly when a certain temperature is exceeded. Thus, an overload condition caused by a power short is generated when the current cut by the temperature drops again. By the overcurrent is generated again and the temperature rises again has the characteristic of blocking.
하지만, 이러한 반복적인 회로의 차단/도통을 통해 점차적인 부품 손상과 이에 의한 영구적 부품 파괴의 결과를 가져올 수 있다. 이로 인한 A/S 비용 및 시간은 상승하게 되어 제조사의 부담으로 다가오고 있다.However, breaking / conducting these repetitive circuits can result in gradual component damage and thus permanent component destruction. As a result, after-sales cost and time have risen, the burden on the manufacturer is approaching.
직류 전원을 사용하는 시스템에서 오(誤)설계, 오(誤)생산, 오(誤)사용 및 열악한 사용 환경 등에서 뜻하지 않는 오동작에 의한 과부하로 인해 제품의 손상 및 화재 등으로 인명 및 재산 피해가 발생할 수 있다.In a system using DC power, overload due to unintentional malfunctions in misdesign, misproduction, misuse and poor use environment may cause product damage and fire, resulting in personal and property damage. Can be.
상술한 바와 같은 문제점으로 부하단 과부하로 인한 부품 파괴나 소손과 같은 문제점을 해결하기 위해서는 입력 전원을 완전하게 차단하여 주는 회로가 필요로 하게 되었다.In order to solve problems such as component breakdown and burnout due to overload load due to the problems described above, a circuit for completely cutting off the input power is required.
이러한 배경에서, 과부하를 검출한 이후 입력되는 전원을 차단하고, 이 차단 상태를 유지시킬 필요성이 요구되고 있다.In this background, there is a need to cut off the power input after detecting an overload and to maintain this cutoff state.
이러한 제어회로의 경우, 전원을 차단하는 스위칭 부품(Q1)인 FET나 TR(트랜지스터)이 과부하에 의해 파괴되어 그 결과, 내부 PN 접합부가 쇼트되어, 더 이상의 스위칭 동작을 할 수 없는 통전 상태가 되고, 이로 인한 지속적인 과부하로 인해 부하단의 2차 피해가 발생하거나 전원 공급장치(EPS: External Power Source)의 파괴의 문제점이 발생할 수 있다.
In the case of such a control circuit, the FET or TR (transistor), which is the switching component Q1 that cuts off the power supply, is destroyed by overload, and as a result, the internal PN junction is shorted, so that no switching operation can be performed. As a result, continuous overload may result in secondary damage of the load stage or the destruction of an external power source (EPS).
상기 문제점을 해소하기 위해 안출된 본 발명은 과부하에 의한 완전하고 안정적인 전원 차단을 실현하기 위한 포지티브 직류전원 과부하 차단회로를 제공함에 그 목적이 있다.
The present invention devised to solve the above problems is to provide a positive DC power overload cut-off circuit for realizing complete and stable power cut off by overload.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 포지티브 직류전원 과부하 차단회로는 외부의 전원을 공급하는 외부전원 공급장치, 상기 외부전원 공급장치로부터 출력되는 신호에 근거하여 전원의 공급 및 차단 역할을 하는 전원 공급부, 상기 전원 공급부로부터 출력되는 신호에 근거하여 동작하는 부하부, 상기 부하부에 과부하가 있는 상태에서 전원이 공급될때, 이 상태를 검출하는 초기 과부하 검출부, 상기 부하부에 과부하 발생시에 상기 전원 공급부에 의해 반복적인 전원 공급이 되지 않도록 전원 공급을 원천적으로 차단해 주는 과부하 차단 유지부, 상기 부하부의 과부하 상태를 검출하여 상기 전원 공급부를 제어하는 제어신호를 출력하는 과부하 검출부를 포함한다.Positive DC power overload cut-off circuit of the present invention for achieving the above object is an external power supply for supplying external power, a power supply that serves to supply and cut off the power based on the signal output from the external power supply, A load unit operating on the basis of a signal output from the power supply unit, an initial overload detection unit that detects this state when power is supplied while the load unit is overloaded, and by the power supply unit when the load unit is overloaded It includes an overload cut-off holding unit for blocking the power supply at the source to avoid repeated power supply, and an overload detection unit for detecting an overload state of the load unit to output a control signal for controlling the power supply unit.
또한, 상기 초기 과부하 검출부는 제2 다이오우드(D2), 제2, 제3 저항(R2, R3), 제2 트랜지스터(Q2)로 구성되며, 상기 과부하 차단 유지부는 제1 다이오우드( D1), 제4, 제5 저항(R4, R5), 제2 커패시터(C2), 제3 트랜지스터(Q3)로 구성되고, 상기 전원 공급부는 제1 저항(R1), 제1 트랜지스터(Q1)로 구성되며, 상기 과부하 검출부는 제너 다이오우드(ZD), 제6, 제7 저항(R6, R7), 제2 트랜지스터(Q2)로 구성된다.
In addition, the initial overload detection unit includes a second diode D2, second and third resistors R2 and R3, and a second transistor Q2, and the overload cut-off holding unit includes a first diode D1 and a fourth. And a fifth resistor (R4, R5), a second capacitor (C2), and a third transistor (Q3), and the power supply unit includes a first resistor (R1) and a first transistor (Q1). The detection unit includes a zener diode ZD, sixth and seventh resistors R6 and R7, and a second transistor Q2.
상기한 바와 같이 구성된 본 발명은 퓨즈 융단으로 인한 부품 교체가 불필요한 효과가 있다.The present invention configured as described above has the effect that unnecessary replacement of parts due to the fuse fusion.
또한, 본 발명은 정온도 계수(Positive Temperature Coefficient, PTC) 써미스터(Thermistor)를 사용할 때 발생하는 반복적이고 주기적인 전류 유입을 원천적으로 차단하는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of fundamentally blocking the repetitive and periodic current inflow generated when using a positive temperature coefficient (PTC) thermistor.
그리고, 본 발명은 과전류에 의한 회로의 파괴 및 화재의 방지를 통해 재산을 보호하고, 부품 교체가 필요 없으므로 A/S 비용을 절감할 수 있으며, 과전류를 임시적이 아닌 원천적으로 차단할 수 있는 효과가 있다.
In addition, the present invention protects the property by preventing the destruction of the circuit and the fire caused by the overcurrent, it is possible to reduce the after-sales cost since there is no need to replace the parts, there is an effect that can block the overcurrent by a temporary source. .
도 1은 본 발명의 구성을 도시한 블록도.
도 2는 도 1의 블록도를 상세히 도시한 회로도.
도 3은 정상적인 전원 인가후 부하부의 과부하에 의한 동작 파형을 도시한 그래프.
도 4는 본 발명의 과부하 차단회로에 전원이 인가되고, 부하부에 과부하가 걸릴 때의 각 부의 동작 파형을 도시한 그래프.1 is a block diagram showing a configuration of the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram illustrating the block diagram of FIG. 1 in detail. FIG.
3 is a graph showing the operation waveform due to the overload of the load unit after the normal power supply.
4 is a graph showing operation waveforms of respective parts when power is applied to the overload breaking circuit of the present invention and an overload is applied to the load unit.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면들을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 구성을 도시한 블록도이고, 도 2는 도 1의 블록도를 상세히 도시한 회로도이다.1 is a block diagram showing the configuration of the present invention, Figure 2 is a circuit diagram showing in detail the block diagram of FIG.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 포지티브 직류전원 과부하 차단회로는 외부의 전원을 공급하는 외부전원 공급장치(12), 상기 외부전원 공급장치 (12)로부터 출력되는 신호에 근거하여 전원의 공급 및 차단 역할을 하는 전원 공급부(15), 상기 전원 공급부(15)로부터 출력되는 신호에 근거하여 동작하는 부하부( 17), 상기 부하부(17)에 과부하가 있는 상태에서 전원이 공급될때, 이 상태를 검출하는 초기 과부하 검출부(13), 상기 부하부(17)에 과부하가 발생시에 상기 전원 공급부(15)에 의해 반복적인 전원 공급이 되지 않도록 전원 공급을 원천적으로 차단해 주는 과부하 차단 유지부(14), 상기 부하부(17)의 과부하 상태를 검출하여 상기 전원 공급부(15)를 제어하는 제어신호를 출력하는 과부하 검출부(16)를 포함한다.1 and 2, the positive DC power overload cut-off circuit of the present invention is based on an external
또한, 상기 초기 과부하 검출부(13)는 제2 다이오우드(D2), 제2, 제3 저항(R 2, R3), 제2 트랜지스터(Q2)로 구성되며, 상기 과부하 차단 유지부(14)는 제1 다이오우드(D1), 제4, 제5 저항(R4, R5), 제2 커패시터(C2), 제3 트랜지스터(Q3)로 구성되고, 상기 전원 공급부(15)는 제1 저항(R1), 제1 트랜지스터(Q1)로 구성되며, 상기 과부하 검출부(16)는 제너 다이오우드(ZD), 제6, 제7 저항(R6, R7), 제2 트랜지스터(Q2)로 구성된다.In addition, the
여기서, 상기 제2 트랜지스터(Q2)는 회로의 간소화를 위해 상기 초기 과부하 검출부(13)와 상기 과부하 검출부(16)의 구성요소로서 기능한다.Here, the second transistor Q2 functions as a component of the
부연 설명하자면 다음과 같다.In detail, it is as follows.
상기 전원 공급부(15)는 입력 전원을 받아 상기 부하부(17)로의 전원의 공급 및 차단 역할을 하며, 상기 초기 과부하 검출부(13)는 공급 전원의 전력 상승(Pow er-up)시 상기 부하부(17)의 과부하 상태를 검출하여 상기 전원 공급부(15)를 제어한다.The
상기 과부하 검출부(16)는 시스템의 정상 운행중 발생하는 과부하를 검출하여 입력 전원을 차단하는 역할을 하고, 상기 초기 과부하 검출부(13)는 상기 부하부(17)가 과부하 조건으로 유지되어 있는 상태에서 입력 전원을 공급하게 될 때, 상기 과부하 검출부(16)가 검출하지 못하는 초기 과부하를 검출하기 위한 역할을 하며, 상기 두가지의 과부하 조건에서, 상기 전원 공급부(15)를 차단하여 입력 전원을 차단한 이후, 입력 전원이 정상 상태로 유지되었을때, 상기 전원 공급부(15)가 다시 턴 온(Turn-on)되어 입력 전원이 공급되는 것을 차단하고, 상기 과부하 차단 유지부(14)가 상기 전원 공급부(15)가 전원을 재차 공급하지 않도록 유지시켜 주는 역할을 한다.The
도 1에 도시된 바와 같이, 입력 전원이 인가되면, 상기 전원 공급부(15)를 지나 상기 부하부(17)에 전원이 인가되고, 상기 부하부(17)의 과부하 상태를 검출하여 상기 초기 과부하 검출부(13)와 상기 과부하 검출부(16)에 의해 과부하를 차단하고, 상기 과부하 차단 유지부(14)가 이 차단 상태를 유지하게 된다.As shown in FIG. 1, when input power is applied, power is applied to the
이와 같이 구성된 본 발명의 포지티브 직류전원 과부하 차단회로의 동작을 도 1 및 도 2를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The operation of the positive DC power overload blocking circuit of the present invention configured as described above will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2 as follows.
도 2에 도시된 바와 같이, 입력 양극전원(+Vin)단에는 제1 다이오우드(D1)의 에노드(Anode)단과, 제1, 제3 저항(R1, R3)의 반대편 및 제1 트랜지스터(Q1)가 연결되고, 출력 양극전원(+Vout)단에는 제1 트랜지스터(Q1)의 드레인(Drain)단과 제1 제너 다이오우드(ZD1) 및 부하단이 연결되어 있으며, 공통 단자인 -Vin 및 -Vout단에는 제2, 제3 트랜지스터(Q2, Q3)의 소스단과, 제5, 제7 저항(R5, R7) 및 제2 커패시터(C2)가 연결되어 있다.As shown in FIG. 2, an input anode power source (+ Vin) terminal has an anode terminal of the first diode D1, opposite to the first and third resistors R1 and R3, and a first transistor Q1. ) And the drain terminal of the first transistor Q1, the first zener diode ZD1, and the load terminal are connected to the output positive power supply (+ Vout) terminal, and the common terminals -Vin and -Vout terminal. The source terminals of the second and third transistors Q2 and Q3, the fifth and seventh resistors R5 and R7, and the second capacitor C2 are connected to each other.
상기 전원 공급부(15)는 입력 전원을 공급 및 차단 역할을 하는 제1 트랜지스터(Q1)를 보유하고, 상기 제1 트랜지스터(Q1)의 소스(Source)단에 제1, 제2 저항(R1, R2)이 연결되어 있고, 제2 트랜지스터(Q2)의 드레인단에는 상기 제2 저항 (R2)의 반대편이 연결되어 있으며, 제2 트랜지스터(Q2)의 게이트단(Gate)에는 제2 다이오우드(D2)의 캐소드(Cathode)단과 제6, 제7 저항(R6, R7)이 연결되어 있으며, 제2 다이오우드(D2)의 에노드단에는 상기 제3 저항(R3)의 반대편과 제3 트랜지스터(Q3)의 드레인단이 연결되어 있다.The
이러한 구성에서, 정상 운영조건에서의 과부하를 검출하기 위해 제1 제너 다이오우드(ZD1)의 에노드단과 상기 제6 저항(R6)이 연결되어 있으며, 초기 전원 인가시 발생하는 과부하를 검출하고 차단 상태를 유지하기 위한 제3 트랜지스터(Q3)의 게이트단과 제4, 제5 저항(R4, R5) 및 제2 커패시터(C2)가 같이 연결되어 있고, 상기 제4 저항(R4)의 반대편은 제1 다이오우드(D1)의 캐소드단과 연결되어 있다.In this configuration, the anode end of the first zener diode ZD1 and the sixth resistor R6 are connected to detect an overload under normal operating conditions. The gate terminal of the third transistor Q3 and the fourth and fifth resistors R4 and R5 and the second capacitor C2 are connected together, and the opposite side of the fourth resistor R4 is connected to the first diode. It is connected to the cathode end of D1).
이와 같이 구성된 본 발명의 포지티브 직류전원 과부하 차단회로의 동작을 도 3과 도 4를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The operation of the positive DC power overload blocking circuit of the present invention configured as described above will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4.
도 3은 정상적인 전원 인가후, 상기 부하부(17)의 과부하에 의한 동작 파형을 도시한 그래프이며, 그래프의 t1 시점에서 입력 전원이 +Vin단에 인가되면, 제3 저항(R3)과 제2 다이오우드(D2)를 통해 제2 트랜지스터(Q2)의 게이트단에 인가되어, 제2 트랜지스터(Q2)가 턴 온되고, 이에 의해, 제1 트랜지스터(Q1)도 턴 온되어 부하부(17)에 전원이 공급되게 된다.FIG. 3 is a graph illustrating an operating waveform caused by an overload of the
이때, 제4, 제5 저항(R4, R5)의 합성 저항값과 제2 커패시터(C2)에 의한 상승 시간의 지연이 발생하고, 이로 인해, 제3 트랜지스터(Q3)의 턴 온이 지연된다.At this time, a delay between the combined resistance values of the fourth and fifth resistors R4 and R5 and the rise time caused by the second capacitor C2 occurs, and thus the turn-on of the third transistor Q3 is delayed.
상기 제3 트랜지스터(Q3)의 턴 온 시점의 지연으로 제2 트랜지스터(Q2)와 제1 트랜지스터(Q1)가 각각 턴 온되어 출력(+Vout)을 통해 상기 부하부(17)에 전원이 인가되고, 이 인가된 전압이 제1 제너 다이오우드(ZD1)의 임계전압을 넘어서면 정상 입력레벨 전압과 제1 제너 다이오우드(ZD1)의 임계전압을 뺀 전압과 제6, 제7 저항(R6, R7)의 분배 전압이 제2 트랜지스터(Q2)의 게이트단에 인가되어, 출력 전원(+Vout)은 안정 상태로 유지되게 된다.Due to the delay of the turn-on time of the third transistor Q3, the second transistor Q2 and the first transistor Q1 are turned on, respectively, and power is supplied to the
출력 전원(+Vout)이 안정 상태로 유지된 상태에서 제3 트랜지스터(Q3)의 게이트-소스 전압은 지속적으로 상승하고, 이 상승된 전압이 트랜지스터의 임계전압에 도달하게 되면, t2 시점에서 제3 트랜지스터(Q3)가 턴 온되어 드레인-소스 사이의 전압은 -Vin 전압 레벨의 정도로 떨어지게 된다.The gate-source voltage of the third transistor Q3 continuously increases while the output power (+ Vout) is kept in a stable state, and when the increased voltage reaches the threshold voltage of the transistor, a third time is detected at time t2. Transistor Q3 is turned on so that the voltage between the drain and source drops to a level of the -Vin voltage level.
이때, 제3 트랜지스터(Q3)의 게이트-소스 사이의 전압은 지속적으로 상승하여 제4, 제5 저항(R4, R5)의 분배 합성저항의 전압 레벨까지 상승한 후 유지된다.At this time, the voltage between the gate and the source of the third transistor Q3 is continuously increased to be maintained until the voltage level of the divided composite resistance of the fourth and fifth resistors R4 and R5 is increased.
이후, 출력전압(+Vout)이 안정 상태로 유지되다가 상기 부하부(17)의 과부하로 인해 출력전압(+Vout)의 레벨이 떨어지게 되면, 상기 출력전압(+Vout)은 제1 제너 다이오우드(ZD1)의 임계전압과 제6, 제7 저항(R6, R7)의 합성저항의 전압 레벨의 이하로 떨어지게 되고, t4 시점에서 제2 트랜지스터(Q2)의 게이트-소스의 임계전압 레벨의 이하로 떨어지면, 제2 트랜지스터(Q2)와 제1 트랜지스터(Q1)가 턴 오프되어 출력 전원(+Vout)이 차단되고, 이미 차단된 제3 트랜지스터(Q3)에 의해 출력 전원(+Vout)이 지속적으로 차단된다. 이때, 제1 트랜지스터(Q1)의 게이트 전압은 입력 전압과 동일한 레벨이 된다.Then, when the output voltage (+ Vout) is maintained in a stable state and the level of the output voltage (+ Vout) drops due to the overload of the
도 3은 정상적인 전원 인가후, 상기 부하부(17)의 과부하에 의한 동작 파형을 도시한 그래프이며, 구체적으로 도 3을 설명하면, ①번 그래프는 입력단 전압 (+Vin) 파형을 나타낸 그래프이고, ②번 그래프는 제3 트랜지스터의 게이트-소스 전압 파형을 나타낸 그래프이며, ③번 그래프는 제3 트랜지스터의 드레인-소스 전압 파형을 나타낸 그래프이고, ④번 그래프는 제2 트랜지스터의 게이트-소스 전압 파형을 나타낸 그래프이며, ⑤번 그래프는 제1 트랜지스터의 게이트 전압 파형을 나타낸 그래프이고, ⑥번 그래프는 출력단 전압(+Vout) 파형을 나타낸 그래프이다.3 is a graph showing an operating waveform due to an overload of the
도 4는 전원의 인가 초기에 발생할 수 있는 부하부(17)의 과부하(그라운드와 출력전압의 쇼트)에 대한 차단 파형을 도시한 도면으로, 구체적으로 도 4를 설명하자면, ①번 그래프는 입력단 전압(+Vin) 파형을 나타낸 그래프이고, ②번 그래프는 제3 트랜지스터의 게이트-소스 전압 파형을 나타낸 그래프이며, ③번 그래프는 제3 트랜지스터의 드레인-소스 전압 파형을 나타낸 그래프이고, ④번 그래프는 제2 트랜지스터의 게이트-소스 전압 파형을 나타낸 그래프이며, ⑤번 그래프는 제1 트랜지스터의 게이트 전압 파형을 나타낸 그래프이고, ⑥번 그래프는 출력단 전압(+Vout) 파형을 나타낸 그래프이다.
도 4에 도시된 바와 같이, t1 시점에서 전원을 인가하면, 이 인가된 전원은 상기 정상 조건에서의 출력 전원(+Vout)으로의 전원의 인가 순서를 거치게 되는데, 이때, 상기 부하부(17)의 과부하(그라운드와 출력전압의 쇼트)로 입력 전원(+Vin)의 전압 강하가 발생하게 되고, 제3 트랜지스터의(Q3)의 게이트-소스 사이의 전압은 천천히 상승하게 된다.4 is a diagram illustrating a cutoff waveform for an overload (short of ground and output voltage) of the
As shown in FIG. 4, when power is applied at time t1, the applied power goes through an application sequence of power to the output power (+ Vout) under the normal condition, wherein the
이렇게 천천히 상승한 전압은 임계전압까지 상승하고 t2 시점에서 제3 트랜지스터(Q3)는 턴 온하게 되며, 제1 트랜지스터(Q1)와 제2 트랜지스터(Q2)가 턴 오프되어 출력 전원(+Vout)을 차단하게 된다. 따라서, 그 출력전압(+Vout)의 파형은 도 4의 ⑥번 그래프와 같이 그 어떤 파형도 나타나지 않게 된다.[t1 시점과 t2 시점은 각각 출력전압과 그라운드의 쇼트에 의해 0 레벨(level)이 되고, t2 시점 이후는 전원 차단에 의한 회로의 비동작으로 출력전압의 차단에 의해 0 레벨(level)이 된다].
The slowly rising voltage rises to the threshold voltage and the third transistor Q3 is turned on at the time t2, and the first transistor Q1 and the second transistor Q2 are turned off to block the output power (+ Vout). Done. Therefore, the waveform of the output voltage (+ Vout) does not appear any waveform as shown in the
삭제delete
12 : 외부전원 공급장치 13 : 초기 과부하 검출부
14 : 과부하 차단 유지부 15 : 전원 공급부
16 : 과부하 검출부 17 : 부하부12: external power supply device 13: initial overload detection unit
14: overload cut holding unit 15: power supply unit
16: overload detection unit 17: load unit
Claims (8)
상기 외부전원 공급장치로부터 출력되는 신호에 근거하여 전원의 공급 및 차단 역할을 하는 전원 공급부,
상기 전원 공급부로부터 출력되는 신호에 근거하여 동작하는 부하부,
상기 부하부에 과부하가 있는 상태에서 전원이 공급될때, 이 상태를 검출하는 초기 과부하 검출부,
상기 부하부에 과부하가 발생시에 상기 전원 공급부에 의해 반복적인 전원 공급이 되지 않도록 전원 공급을 원천적으로 차단해 주는 과부하 차단 유지부,
상기 부하부의 과부하 상태를 검출하여 상기 전원 공급부를 제어하는 제어신호를 출력하는 과부하 검출부를 포함하는 포지티브 직류전원 과부하 차단회로.
External power supply to supply external power,
A power supply unit which serves to supply and cut off power based on a signal output from the external power supply device;
A load unit operating based on a signal output from the power supply unit,
Initial overload detection unit for detecting this state when the power is supplied in the state that the load portion is overloaded,
An overload cut-off holding unit that cuts off the power supply at the source so that the power supply is not repeatedly supplied by the power supply unit when an overload occurs in the load unit;
And an overload detection unit for detecting an overload state of the load unit and outputting a control signal for controlling the power supply unit.
상기 초기 과부하 검출부는 제2 다이오우드(D2), 제2, 제3 저항(R2, R3), 제2 트랜지스터(Q2)로 구성되는 포지티브 직류전원 과부하 차단회로.
The method of claim 1,
And the initial overload detection unit comprises a second diode (D2), second and third resistors (R2 and R3) and a second transistor (Q2).
상기 과부하 차단 유지부는 제1 다이오우드(D1), 제4, 제5 저항(R4, R5), 제2 커패시터(C2), 제3 트랜지스터(Q3)로 구성되는 포지티브 직류전원 과부하 차단회로.
The method of claim 1,
The overload cut-off holding part includes a first diode (D1), fourth and fifth resistors (R4 and R5), a second capacitor (C2), and a third transistor (Q3).
상기 전원 공급부는 제1 저항(R1), 제1 트랜지스터(Q1)로 구성되는 포지티브 직류전원 과부하 차단회로.
The method of claim 1,
And a power supply unit comprising a first resistor (R1) and a first transistor (Q1).
상기 과부하 검출부는 제너 다이오우드(ZD), 제6, 제7 저항(R6, R7), 제2 트랜지스터(Q2)로 구성되는 포지티브 직류전원 과부하 차단회로.
The method of claim 1,
The overload detector includes a Zener diode (ZD), sixth and seventh resistors (R6 and R7) and a second transistor (Q2).
상기 과부하 검출부는 시스템의 정상 운행중 발생하는 과부하를 검출하여 입력 전원을 차단하는 포지티브 직류전원 과부하 차단회로.
The method of claim 1,
The overload detection unit detects an overload occurring during normal operation of the system and cuts off the input power.
상기 초기 과부하 검출부는 상기 부하부가 과부하 조건으로 유지되어 있는 상태에서 입력 전원을 공급하게 될 때, 상기 과부하 검출부가 검출하지 못하는 초기 과부하를 검출하는 포지티브 직류전원 과부하 차단회로.
The method of claim 1,
And the initial overload detection unit detects an initial overload that the overload detection unit cannot detect when the input unit supplies input power while the load unit is maintained under an overload condition.
상기 두가지의 과부하 조건에서, 상기 전원 공급부를 차단하여 입력 전원을 차단한 이후, 입력 전원이 정상 상태로 유지되었을때, 상기 전원 공급부가 다시 턴 온(Turn-on)되어 입력 전원이 공급되는 것을 차단하고, 상기 전원 공급부가 전원을 재차 공급하지 않도록 상기 과부하 차단 유지부가 유지시켜 주는 포지티브 직류전원 과부하 차단회로.
The method according to claim 1 or 6 or 7,
Under the two overload conditions, after the power supply is cut off to cut off the input power, when the input power is maintained in a normal state, the power supply is turned on again to block the input power from being supplied. And maintain the overload cut-off holding part so that the power supply does not supply power again.
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KR20210085512A (en) | 2019-12-30 | 2021-07-08 | 주식회사 에스원 | DC power supply and method |
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- 2012-01-16 KR KR1020120004871A patent/KR101147258B1/en active IP Right Grant
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