KR101144845B1 - Powder trap of reaction chamber for gallium nitride and reaction chamber - Google Patents

Powder trap of reaction chamber for gallium nitride and reaction chamber Download PDF

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Abstract

기상 에피탁시 방법으로 질화갈륨을 성장시키는 성장 반응로의 원료 가스 배출구와 연결되며, 원료 가스의 유동을 2차원 또는 3차원적으로 변화시켜 원료 가스의 반응 부산물을 포획시키는 파우더 트랩을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장 반응로용 파우더 트랩을 제공한다. 상기 파우더 트랩은 원료 가스의 배출 흐름을 방해하는 차단막을 포함한다. 본 발명에 따르면, 질화갈륨 성장용 반응로의 반응 부산물을 효과적으로 필터링하여 배기부의 기체 흐름을 원활히 할 수 있다. 따라서, 고품질의 질화갈륨을 안정적으로 성장시킬 수 있으며, 질화갈륨 제조 수율이 향상되며 전체적인 생산 원가를 절감할 수 있다. It is connected to the source gas outlet of the growth reactor for growing gallium nitride by the gas phase epitaxy method, and includes a powder trap for trapping the reaction by-products of the source gas by changing the flow of the source gas in two or three dimensions A powder trap for a gallium nitride growth reactor is provided. The powder trap includes a barrier that obstructs the discharge flow of source gas. According to the present invention, the reaction by-products of the gallium nitride growth reactor can be effectively filtered to smooth the gas flow in the exhaust part. Therefore, it is possible to stably grow high quality gallium nitride, improve the production yield of gallium nitride and reduce the overall production cost.

질화갈륨, 성장 반응로, 반응 부산물, 파우더 트랩 Gallium nitride, growth reactors, reaction by-products, powder traps

Description

질화갈륨 성장 반응로용 파우더 트랩 및 질화갈륨 성장 반응로{POWDER TRAP OF REACTION CHAMBER FOR GALLIUM NITRIDE AND REACTION CHAMBER}Powder trap and gallium nitride growth reactor {POWDER TRAP OF REACTION CHAMBER FOR GALLIUM NITRIDE AND REACTION CHAMBER}

본 발명은 질화갈륨 성장 반응로용 파우더 트랩 및 질화갈륨 성장 반응로에 관한 것으로, 반응 부산물을 효과적으로 필터링함과 동시에 원료 가스의 흐름을 원활하게 제어할 수 있는 파우더 트랩을 제안한다.The present invention relates to a powder trap for a gallium nitride growth reactor and a gallium nitride growth reactor, and proposes a powder trap that can efficiently control reaction by-products and smoothly control the flow of source gas.

질화갈륨은 에너지 밴드갭(Bandgap Energy)이 3.39eV고, 직접 천이형인 반도체 물질로 단파장 영역의 발광 소자 제작 등에 유용한 물질이다. 질화갈륨 단결정은 융점에서 높은 질소 증기압 때문에 액상 결정 성장은 1500℃ 이상의 고온과 20000 기압의 질소 분위기가 필요하므로 대량 생산이 어렵다.Gallium nitride is a semiconductor material having a bandgap energy of 3.39 eV and a direct transition type, and is useful for manufacturing light emitting devices in a short wavelength region. Due to the high nitrogen vapor pressure at the melting point, gallium nitride single crystals are difficult to mass-produce because liquid crystal growth requires a high temperature of 1500 ° C. or higher and 20000 atmospheres of nitrogen atmosphere.

지금까지 질화갈륨막은 이종 기판상에 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 또는 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)법 등의 기상 성장법으로 성장되고 있다. MOCVD법은 고품질의 막을 얻을 수 있음에도 불구하고 성장 속도가 너무 느리기 때문에 수십 또는 수백 ㎛의 GaN 기판을 얻는데 사용하기가 어려운 문제가 있다. 이러한 이유로 GaN 후막을 얻기 위해서는 HVPE를 이용한 성장 방법이 주로 사용된다.Until now, gallium nitride films have been grown on heterogeneous substrates by vapor phase growth methods such as metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) or hydraulic vapor phase epitaxy (HVPE). The MOCVD method has a problem that it is difficult to use to obtain GaN substrates of tens or hundreds of micrometers because the growth rate is too slow even though a high quality film can be obtained. For this reason, a growth method using HVPE is mainly used to obtain a GaN thick film.

질화갈륨막 제조용 이종 기판으로는 사파이어(Sapphire) 기판이 가장 많이 사용되고 있는데, 이는 사파이어가 질화갈륨과 같은 육방정계 구조이며, 값이 싸고, 고온에서 안정하기 때문이다. 그러나 사파이어는 질화갈륨과 격자 상수 차(약 16%) 및 열팽창 계수 차(약 35%)에 의해 계면에서 스트레인(Strain)이 유발되고, 이 스트레인이 결정 내에 격자 결함 및 크랙(crack)을 발생시켜 고품질의 질화갈륨막 성장을 어렵게 하고, 질화갈륨막 상에 제조된 소자의 수명을 단축시킨다.A sapphire substrate is most commonly used as a dissimilar substrate for manufacturing a gallium nitride film because sapphire has a hexagonal structure such as gallium nitride, which is inexpensive and stable at high temperatures. However, sapphire causes strain at the interface due to gallium nitride and lattice constant difference (about 16%) and coefficient of thermal expansion (about 35%), which causes lattice defects and cracks in the crystals. It is difficult to grow a high quality gallium nitride film and shorten the life of the device fabricated on the gallium nitride film.

최근에 LED 및 LD 등에 사용되는 질화갈륨의 수요가 점차적으로 증가하면서 대면적의 질화갈륨 후막에 대한 요구가 급증하고 있다.Recently, as the demand for gallium nitride used for LEDs and LDs gradually increases, the demand for a large area gallium nitride thick film is rapidly increasing.

그런데, 대면적 질화갈륨 후막을 안정적으로 공급하기 위해서는 대량 생산 설비의 확충이 절실하며, 특히 질화갈륨의 품질을 떨어뜨리지 않으면서도 양산성이 우수하도록 질화갈륨 성장 반응로의 개선이 요망되고 있다. However, in order to stably supply a large area gallium nitride thick film, expansion of mass production equipment is urgently needed, and in particular, it is desired to improve the gallium nitride growth reactor so that mass production is excellent without degrading the quality of gallium nitride.

따라서, 본 발명의 목적은 대면적 질화갈륨 후막의 안정적인 생산을 위한 질화갈륨 성장 반응로를 제공하는데 목적이 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a gallium nitride growth reactor for the stable production of large area gallium nitride thick film.

또한, 본 발명의 다른 목적은 고품질의 질화갈륨을 성장시킬 수 있는 개선된 성장 반응로를 제공하는 것이다. It is another object of the present invention to provide an improved growth reactor capable of growing high quality gallium nitride.

본 발명은 기상 에피탁시 방법으로 질화갈륨을 성장시키는 성장 반응로의 원료 가스 배출구와 연결되며, 원료 가스의 유동을 2차원 또는 3차원적으로 변화시켜 원료 가스의 반응 부산물을 포획시키는 파우더 트랩을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장 반응로용 파우더 트랩을 제공한다.The present invention is connected to the source gas outlet of the growth reactor to grow gallium nitride by the gas phase epitaxy method, and the powder trap to capture the reaction by-products of the source gas by changing the flow of the source gas in two or three dimensions It provides a powder trap for gallium nitride growth reactor comprising a.

상기 파우더 트랩은 원료 가스의 배출 흐름을 방해하는 차단막을 포함한다. 이 경우, 상기 파우더 트랩은 원료 가스의 배출 흐름을 방해하며 서로 위치가 다르게 배치되는 적어도 둘 이상의 차단막을 포함하는 것이 바람직하다. The powder trap includes a barrier that obstructs the discharge flow of source gas. In this case, the powder trap preferably includes at least two or more barrier films which are disposed differently from each other and obstruct the discharge flow of the source gas.

상기 파우더 트랩은 일실시예로서 단면적이 불균일하게 형성된 몸체와, 이 몸체 내부에 배치되며 원료 가스의 배출 흐름을 차단하는 적어도 하나의 차단막을 포함할 수 있다. The powder trap may include, as an example, a body having a non-uniform cross-sectional area, and at least one barrier layer disposed inside the body and blocking a discharge flow of source gas.

상기 차단막은 플레이트 형상인 것이 바람직하며, 경우에 따라서는 배기 가스의 흐름을 용이하게 하기 위하여 원추 형상의 구조를 포함할 수도 있다. 또한, 상기 몸체 내부에는 형태가 다른 적어도 둘 이상의 차단막을 포함할 수 있고, 내부가 비어 있는 링 형태의 차단막을 포함할 수도 있다.The blocking film is preferably plate-shaped, and in some cases, may include a conical structure in order to facilitate the flow of the exhaust gas. In addition, the inside of the body may include at least two or more blocking films of different shapes, and may include a ring-type blocking film of which the inside is empty.

상기 파우더 트랩은 원료 가스의 반응 부산물이 수집되는 포집부를 더 포함하여 반응 부산물의 제거가 편리하도록 할 수도 있다. The powder trap may further include a collecting unit in which the reaction by-products of the source gas are collected.

또한, 본 발명은 기상 에피탁시 방법으로 질화갈륨을 성장시키는 성장 반응로에 있어서, 상기 성장 반응로의 원료 가스 배출구와 연결되며, 원료 가스의 유동을 2차원 또는 3차원적으로 변화시켜 원료 가스의 반응 부산물을 포획시키는 파우더 트랩을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장 반응로를 제공한다.In addition, the present invention is a growth reactor for growing gallium nitride by gas phase epitaxy method, is connected to the source gas outlet of the growth reactor, the source gas by changing the flow of the source gas in two or three dimensions It provides a gallium nitride growth reactor comprising a powder trap for trapping the reaction by-products.

본 발명에 따르면, 질화갈륨 성장용 반응로의 반응 부산물을 효과적으로 필 터링하여 배기부의 기체 흐름을 원활히 할 수 있다. According to the present invention, it is possible to effectively filter the reaction by-products of the gallium nitride growth reactor to facilitate the gas flow in the exhaust part.

또한, 고품질의 질화갈륨을 안정적으로 성장시킬 수 있어, 질화갈륨 제조 수율이 향상되며 전체적인 생산 원가를 절감할 수 있다. In addition, it is possible to stably grow high quality gallium nitride, thereby improving the production yield of gallium nitride and to reduce the overall production cost.

질화갈륨을 기상에피탁시 방법으로 성장하는 경우에는 도 1에 도시한 바와 같은 고온으로 유지되는 성장 반응로에서 반응 가스를 공급하여 지지대(210) 위의 베이스 기판(미도시)에 질화갈륨(200)을 성장시킨다. When gallium nitride is grown by vapor phase epitaxy, gallium nitride (200) is supplied to a base substrate (not shown) on the support 210 by supplying a reaction gas in a growth reactor maintained at a high temperature as shown in FIG. Grow).

질화갈륨 성장용 소스로는 예를 들어 NH3, HCl과, Ga metal을 사용할 수 있으며, 이들 반응 소스(170)는 반응로(100) 내에서 다음과 같은 두 가지 기상 반응을 거치게 된다.As a source for gallium nitride growth, for example, NH 3 , HCl, and Ga metal may be used, and these reaction sources 170 undergo two gas phase reactions in the reactor 100 as follows.

2HCl + 2Ga --> 2GaCl(gas) + H2 2HCl + 2Ga-> 2GaCl (gas) + H 2

2GaCl + 2NH3 --> 2GaN +NH4Cl + H2 2GaCl + 2NH 3- > 2GaN + NH 4 Cl + H 2

반응로 내부에는 이러한 기상 반응을 적절히 제어하기 위하여 고온으로 유지되며, 반응로를 구성하는 물질(105)은 내열성 재료로 형성된다. 반응에 참여하거나 혹은 참여하지 못한 소스들은 반응로 후단의 배기부(110)를 통해 배관(115)을 거쳐 외부로 배출된다. The reactor is maintained at a high temperature in order to properly control such a gas phase reaction, and the material 105 constituting the reactor is formed of a heat resistant material. Sources that participate or do not participate in the reaction are discharged to the outside through the pipe 115 through the exhaust 110 in the rear of the reactor.

기상 에피탁시 방법을 이용하여 질화갈륨을 성장시키는 경우 질화갈륨 후막을 성장시키기 위해서는 위 반응식에서 보인 다량의 NH4Cl이 발생하게 된다. 기상 에피탁시 공정의 반응로를 장시간 가동하는 경우 질화갈륨 생성 반응의 부산물로서 최종적으로는 배관(115)을 통해 배출되는 NH4Cl이 배관 중에 쌓여 고형물(180)로 존배하여 배관의 기체 흐름을 방해하는 요인이 될 수 있다.When gallium nitride is grown using the vapor phase epitaxy method, a large amount of NH 4 Cl shown in the above scheme is generated to grow the gallium nitride thick film. When the reactor in the gas phase epitaxy is operated for a long time, as a by-product of gallium nitride formation reaction, NH 4 Cl discharged through the pipe 115 is accumulated in the pipe and remains as a solid 180 to maintain the gas flow in the pipe. It can be a distraction.

질화갈륨 성장용 반응로의 배기 상태가 악화되면, 반응로 내의 반응 가스의 흐름이 원활하지 못하여 질화갈륨 성장에 치명적인 악영향을 미칠 수 있으며, 반응로 배기부 또는 배관의 잦은 교체 내지 청소 등의 부수적인 공정이 필요하게 되어 전체적인 공정성을 떨어뜨릴 수 있다.If the exhaust state of the gallium nitride growth reactor deteriorates, the flow of the reaction gas in the reactor may not be smooth, which may adversely affect the growth of gallium nitride, and may inevitably result in frequent replacement or cleaning of the reactor exhaust or piping. A process may be needed, which may reduce the overall fairness.

본 발명에서는 고품질의 질화갈륨 후막을 성장시킬 수 있도록 질화갈륨 성장용 반응로의 설계를 새롭게 함과 동시에, 반응 부산물인 NH4Cl을 효과적으로 필터링하여 배기부의 기체 흐름을 원활히 할 수 있는 파우더 트랩을 제공한다. The present invention provides a powder trap capable of smoothing the gas flow in the exhaust by renewing the design of the gallium nitride growth reactor to grow a high quality gallium nitride thick film and at the same time effectively filtering the reaction by-product NH 4 Cl. do.

이러한 파우더 트랩은 반응 부산물의 배기 흐름을 용이하게 함과 더불어 반응 부산물인 NH4Cl을 필터링하는 두 가지 조건을 동시에 만족시켜야 한다. 이러한 두 조건은 한쪽을 더 고려하면 다른 한쪽이 저하될 수 밖에 없는 관계를 지니고 있기 때문에 파우더 트랩의 효과적인 설계가 기상 에피탁시 방법으로 질화갈륨을 성장시키는 방법에 있어서 제조 공정의 신뢰성을 좌우하게 된다. This powder trap must satisfy both conditions simultaneously to facilitate the exhaust flow of the reaction byproduct and to filter the reaction byproduct NH 4 Cl. These two conditions have a relationship that the other side can only be degraded if one side is considered further, so the effective design of the powder trap will determine the reliability of the manufacturing process in the method of growing gallium nitride by the vapor phase epitaxy method. .

본 발명에서는 NH4Cl 필터링을 효과적으로 수행하면서도 반응 부산물의 배기 흐름을 방해하지 않는 파우더 트랩을 제안한다. 구체적으로는 파우더 트랩 내부에서 배기 가스가 2차원, 바람직하게는 3차원적으로 유동하면서 배출되도록 하여 NH4Cl의 필터링 효과를 높이면서도 장시간 배출 시 배기 가스의 유량 저하가 없도록 하였다. The present invention proposes a powder trap that effectively performs NH 4 Cl filtering but does not disturb the exhaust flow of the reaction byproduct. Specifically, the exhaust gas is discharged in a two-dimensional, preferably three-dimensional, flow inside the powder trap, thereby increasing the filtering effect of NH 4 Cl while preventing a decrease in the flow rate of the exhaust gas when discharged for a long time.

도 2를 참조하면, 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 질화갈륨 성장 반응로용 파우더 트랩(120)은 일단에 반응로(도 1 참조)의 배기구(110)와 연결되는 입구 배관(110a)과 다른 일단에는 출구 배관(110b)이 형성되어 있고, 내부에는 다수의 차단막(125a, 125b)이 형성되어 있다. 2, the powder trap 120 for a gallium nitride growth reactor according to an exemplary embodiment of the present invention includes an inlet pipe 110a connected to an exhaust port 110 of a reactor (see FIG. 1) at one end thereof. An outlet pipe 110b is formed at the other end, and a plurality of blocking films 125a and 125b are formed therein.

기상 에피탁시 방법으로 질화갈륨을 성장시키는 성장 반응로의 원료 가스들(170a)은 입구 배관(110a)을 통해 상기 파우더 트랩으로 인입되며, 원료 가스의 유동(170')이 2차원적으로 (또는 3차원적으로) 변화되면서 상기 차단막(125a, 125b)에 원료 가스의 반응 부산물(180)이 쌓이게 된다. 이 부산물들은 파우더 형태로 고형화될 수 있어 파우더 트랩의 클리닝을 통해 외부로 용이하게 배출될 수 있을 것이다. The source gases 170a of the growth reactor for growing gallium nitride by the vapor phase epitaxy method are introduced into the powder trap through the inlet pipe 110a, and the flow 170 'of the source gas is two-dimensionally ( Or three-dimensionally), and the by-products 180 of the source gas are accumulated on the barrier layers 125a and 125b. These by-products can be solidified in powder form and can be easily discharged to the outside through the cleaning of the powder trap.

따라서, 최종적으로 출구 배관(110b)을 통해 배출되는 기체(170b)는 원료 가스의 부산물이 거의 제거된 상태로 파우터 트랩을 빠져 나가게 되며, 이로 인하여 원료 가스의 배출 유동이 원활하면서도 반응 부산물은 상기 차단막에 쉽게 포획되어 제거가 용이하다. Therefore, the gas 170b that is finally discharged through the outlet pipe 110b exits the powder trap while the byproduct of the source gas is almost removed. As a result, the reaction byproduct is smoothed while the flow of the source gas is smooth. Easily captured and easy to remove.

상기 차단막(125a, 125b)은 원료 가스의 배출 흐름을 방해하기 위하여 원료 가스의 흐름 방향에 경사지게 또는 수직 방향으로 배치될 수 있으며, 복수의 차단막을 포함하는 경우에는 도 2에 도시된 바와 같이 원료 가스의 배출 흐름을 더욱 방해하도록 서로 위치가 다르게 배치되는 것이 바람직하다. The blocking films 125a and 125b may be disposed to be inclined or perpendicular to the flow direction of the source gas in order to interrupt the discharge flow of the source gas, and in the case of including a plurality of blocking films, the source gas as shown in FIG. 2. It is preferable that the positions are different from each other so as to further obstruct the discharge flow of the gas.

상기 차단막(125a, 125b)은 플레이트 형상으로 형성되었지만, 경우에 따라서 는 표면이 요철 형상으로 형성되거나 굴곡진 곡면 형상으로 형성될 수도 있을 것이다.Although the blocking films 125a and 125b are formed in a plate shape, in some cases, the surface may be formed in a concave-convex shape or a curved curved shape.

도 3은 본 발명의 다른 실시예로서, 파우더 트랩(130)은 일단에 반응로(도 1 참조)의 배기구(110)와 연결되는 입구 배관(110a)과 다른 일단에는 출구 배관(110b)이 형성되어 있고, 내부에는 다수의 차단막(135a, 135b, 135c)이 형성되어 있다. 3 is another embodiment of the present invention, the powder trap 130 is formed at the other end of the inlet pipe (110a) and the other end of the outlet pipe (110b) is connected to the exhaust port 110 of the reactor (see Figure 1) A plurality of blocking films 135a, 135b, 135c are formed inside.

상기 파우더 트랩(130) 수평 단면적이 불균일하게 형성된 몸체 내부에 원료 가스의 배출 흐름을 방해하면서 반응 가스 부산물을 필터링하는 다수의 차단막을 포함하고 있다. 상기 차단막은 플레이트 형상(135a, 135c)인 것과, 내부가 비어 있는 링 형태의 차단막(135b)을 포함하고 있다.The powder trap 130 includes a plurality of barrier membranes for filtering the reaction gas by-products while hindering the discharge flow of the source gas inside the body in which the horizontal cross-sectional area is unevenly formed. The blocking film includes plate shapes 135a and 135c and a ring blocking film 135b having an empty inside.

질화갈륨 성장 반응로의 원료 가스들(170a)은 입구 배관(110a)을 통해 상기 파우더 트랩으로 인입되며, 원료 가스의 유동(170')이 3차원적으로 변화되면서 상기 차단막(135a, 135b, 135c)에 원료 가스의 반응 부산물이 쌓이거나 하부 바닥에 고이게 된다. The source gases 170a of the gallium nitride growth reactor are introduced into the powder trap through the inlet pipe 110a, and the blocking films 135a, 135b, and 135c are changed in three dimensions by the flow 170 'of the source gas. ) Reaction by-products of the source gas accumulate or accumulate at the bottom.

파우더 트랩 하부에 포획된 부산물(180)은 최종적으로 클리닝 과정을 통해 외부로 용이하게 배출되며, 출구 배관(110b)을 통해 배출되는 기체(170b)는 원료 가스의 부산물이 거의 제거된 상태로 파우터 트랩을 빠져 나가게 된다. 따라서, 질화갈륨 성장 반응로의 원료 가스의 배출 유동이 원활하면서도 반응 부산물은 상기 차단막에 쉽게 포획되어 제거가 용이하다. The by-product 180 captured in the lower part of the powder trap is easily discharged to the outside through a cleaning process, and the gas 170b discharged through the outlet pipe 110b is a powder trap with the by-product of the source gas almost removed. Will exit. Therefore, while the outflow of the source gas to the gallium nitride growth reactor is smooth, the reaction by-products are easily trapped in the barrier film and are easily removed.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예로서, 파우더 트랩(140)의 차단막(145a, 145c)의 일부 형상이 플레이트 형상이 아닌 원추 형상으로 형성되어 있다. 이러한 원추 형상의 차단막은 배기 가스의 흐름을 더욱 용이하게 하며, 링 형태의 차단막(145b) 또는 파우더 트랩의 하부 바닥에 반응 가스 부산물(180)을 포획시킬 수 있다.4 is a further embodiment of the present invention, in which a part of the blocking films 145a and 145c of the powder trap 140 is formed in a conical shape instead of a plate shape. The conical barrier layer may further facilitate the flow of the exhaust gas and may trap the reaction gas by-product 180 in the ring-shaped barrier layer 145b or the bottom of the powder trap.

또한, 상기 파우더 트랩(140)은 원료 가스의 반응 부산물이 수집되는 포집부(142)를 더 포함하고 있다. 이 포집부는 파우더 트랩과 분리 가능한 형태로 형성되거나 별도의 개폐식 입출구(미도시)를 형성함으로써 반응 부산물의 제거가 편리하도록 할 수 있다. In addition, the powder trap 140 further includes a collecting unit 142 in which reaction by-products of the source gas are collected. The collecting part may be formed in a separable form from the powder trap or may form a separate opening and closing port (not shown) to facilitate removal of reaction by-products.

본 발명에 따른 파우더 트랩은 기상 에피탁시 방법으로 질화갈륨을 성장시키는 성장 반응로와 유기적으로 연결시킴으로써 (예를 들어, 성장 반응로의 원료 가스 배출구와 연결) 원료 가스의 유동을 2차원 또는 3차원적으로 변화시켜 원료 가스의 반응 부산물을 포획시킬 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 질화갈륨 성장에 있어서, 원료 가스의 유동이 원활함과 동시에 반응 부산물이 성장 반응로의 출구에 쌓여 배관을 막히게 하거나 원료 가스의 유속을 저하시키는 문제를 효과적으로 방지할 수 있다. The powder trap according to the present invention is organically connected to the growth reactor for growing gallium nitride (e.g., with the source gas outlet of the growth reactor) by the gas phase epitaxy method, thereby controlling the flow of the source gas in two or three dimensions. Dimensional changes can capture the byproducts of the feed gas. Therefore, in the gallium nitride growth, the problem of smoothing the flow of the source gas and at the same time the reaction by-products accumulate at the outlet of the growth reactor to block the piping or reduce the flow rate of the source gas can be effectively prevented.

특히, 장시간 성장 과정에 의하더라도 성장 반응로의 구동에 전혀 문제가 없어 장비의 신뢰성 및 공정 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있을 것이다.In particular, there is no problem in the operation of the growth reactor even by the long-term growth process will be able to greatly improve the reliability and process reliability of the equipment.

이상에서 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 예시적으로 설명하였으나, 본 발명은 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며 본 발명에서 제시한 기술적 사상, 구체적으로는 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 다양한 형태로 수정, 변경, 또는 개선될 수 있을 것이다.The present invention has been exemplarily described through the preferred embodiments, but the present invention is not limited to such specific embodiments, and various forms within the scope of the technical idea presented in the present invention, specifically, the claims. May be modified, changed, or improved.

도 1은 기상 에피탁시 방법으로 질화갈륨을 성장시키는 모습을 보인 모식도.1 is a schematic diagram showing a state of growing gallium nitride by the vapor phase epitaxy method.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 질화갈륨 성장 반응로용 파우더 트랩을 보인 단면도.Figure 2 is a cross-sectional view showing a powder trap for gallium nitride growth reactor according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화갈륨 성장 반응로용 파우더 트랩을 보인 단면도.Figure 3 is a cross-sectional view showing a powder trap for gallium nitride growth reactor according to another embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 질화갈륨 성장 반응로용 파우더 트랩을 보인 단면도.Figure 4 is a cross-sectional view showing a powder trap for gallium nitride growth reactor according to another embodiment of the present invention.

*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ****** Explanation of symbols for the main parts of the drawing ***

100:반응로 120,130,140:파우더 트랩100: reactor 120,130,140: powder trap

125a,125b:차단막 170':원료 가스 유동125a, 125b: barrier 170 ': raw material gas flow

180:반응 가스 부산물180: reaction gas byproduct

Claims (10)

기상 에피탁시 방법으로 질화갈륨을 성장시키는 성장 반응로의 원료 가스 배출구와 연결되며, 원료 가스의 유동을 2차원 또는 3차원적으로 변화시켜 원료 가스의 반응 부산물을 포획시키는 파우더 트랩을 포함하되,It is connected to the source gas outlet of the growth reactor for growing gallium nitride by the gas phase epitaxy method, and includes a powder trap for capturing the reaction by-product of the source gas by changing the flow of the source gas in two or three dimensions, 상기 파우더 트랩은 단면적이 불균일하게 형성된 몸체와, 상기 몸체 내부에 배치되며 원료 가스의 배출 흐름을 차단하는 적어도 둘 이상의 내부가 비어 있는 링 형태의 차단막을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장 반응로용 파우더 트랩.The powder trap has a gallium nitride growth reactor, characterized in that it comprises a body formed with a non-uniform cross-sectional area, and a ring-shaped shielding film disposed inside the body to block the discharge flow of the raw material gas. Powder trap. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 파우더 트랩은 원료 가스의 반응 부산물이 수집되는 포집부를 더 포함하는 질화갈륨 성장 반응로용 파우더 트랩.The powder trap of claim 1, wherein the powder trap further includes a collecting unit in which reaction by-products of the source gas are collected. 기상 에피탁시 방법으로 질화갈륨을 성장시키는 성장 반응로에 있어서, In a growth reactor for growing gallium nitride by a vapor phase epitaxy method, 상기 성장 반응로의 원료 가스 배출구와 연결되며, 원료 가스의 유동을 2차원 또는 3차원적으로 변화시켜 원료 가스의 반응 부산물을 포획시키는 파우더 트랩을 포함하되,It is connected to the source gas outlet of the growth reactor, and includes a powder trap for capturing the reaction by-products of the source gas by changing the flow of the source gas in two or three dimensions, 상기 파우더 트랩은 단면적이 불균일하게 형성된 몸체와, 상기 몸체 내부에 배치되며 원료 가스의 배출 흐름을 차단하는 적어도 둘 이상의 내부가 비어 있는 링 형태의 차단막을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장 반응로.The powder trap has a gallium nitride growth reactor comprising a body having a non-uniform cross-sectional area and a ring-shaped barrier layer disposed inside the body to block the discharge flow of the source gas.
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