KR101140738B1 - Polyester resin for semiconductor package substrate and film manufactured from the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플루오렌기 골격의 구조단위를 포함하는 폴리에스테르 수지 및 이로부터 제조된 반도체 패키지 기판용 필름을 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 패키지 기판용 필름은 낮은 이방성, 우수한 내열성 및 유기 용매에 대한 향상된 용해도를 가지므로 고집적 반도체 패키지용 다층 회로기판의 소재로 유용하게 활용될 수 있다.The present invention provides a polyester resin comprising a structural unit of a fluorene group skeleton and a film for a semiconductor package substrate prepared therefrom. Since the film for semiconductor package substrates according to the present invention has low anisotropy, excellent heat resistance and improved solubility in organic solvents, it can be usefully used as a material of a multilayer circuit board for highly integrated semiconductor packages.

Description

반도체 패키지 기판용 폴리에스테르 수지 및 이로부터 제조된 필름{POLYESTER RESIN FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE SUBSTRATE AND FILM MANUFACTURED FROM THE SAME}Polyester resin for semiconductor package substrate and film made therefrom {POLYESTER RESIN FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE SUBSTRATE AND FILM MANUFACTURED FROM THE SAME}

본 발명은 전기 전자 부품 중 PCB(Printed Circuit Board) 부품인 반도체 패키지 기판용 폴리에스테르 수지 및 이로부터 제조된 필름에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 유기용매에 대한 용해도가 높으면서도 우수한 내열성을 나타내는 액정성 폴리에스테르 필름을 제조할 수 있는 반도체 패키지 기판용 수지 및 이로부터 제조된 필름에 관한 것이다.
The present invention relates to a polyester resin for a semiconductor package substrate which is a printed circuit board (PCB) component among electrical and electronic components, and a film prepared therefrom. More specifically, the present invention relates to a resin for a semiconductor package substrate and a film prepared therefrom which can produce a liquid crystalline polyester film having high solubility in organic solvents and exhibiting excellent heat resistance.

액정성 폴리에스테르 수지는 우수한 내열성, 인장강도, 고주파 특성, 저흡습성 등을 나타내므로 최근 전기, 전자 소재로 널리 사용되고 있으며, 특히 반도체 패키지 기판 재료로 주목받고 있다. 그러나, 액정성 폴리에스테르를 압출 성형하여 제조하는 종래의 액정성 폴리에스테르 필름은 종방향(밀어내는 방향)으로 현저하게 배향하기 때문에, 종방향에 비해 횡방향(밀어내는 방향에 대해서 직각 방향)의 이방성이 커져 기계적 강도가 낮다는 문제가 있었다. Since liquid crystalline polyester resins exhibit excellent heat resistance, tensile strength, high frequency characteristics, low hygroscopicity, and the like, they have been widely used in electrical and electronic materials recently, and are particularly attracting attention as semiconductor package substrate materials. However, the conventional liquid crystalline polyester film produced by extrusion molding the liquid crystalline polyester is oriented remarkably in the longitudinal direction (pushing direction), so that the transverse direction (orthogonal to the pushing direction) is compared with the longitudinal direction. There was a problem that the anisotropy was increased and the mechanical strength was low.

한편, 종래의 액정성 폴리에스테르 필름은 유기용매에 대한 용해도가 낮아, 반도체 패키지용 다층 회로 기판 제작을 위하여 필름 형태로 성형하기에는 가공성이 좋지 않고, 따라서 취급이 용이하지 않았다. 또한, 패키지용 기판의 신뢰성을 높이기 위해서는 액정 필름의 보다 높은 내열성도 요구되고 있다. On the other hand, the conventional liquid crystalline polyester film has low solubility in organic solvents, and is poor in formability for forming into a film form for the production of multilayer circuit boards for semiconductor packages, and thus is not easy to handle. Moreover, in order to raise the reliability of the board | substrate for packages, the higher heat resistance of a liquid crystal film is also calculated | required.

일본 특허공개 2004-315678호는 이방성이 낮은 액정성 폴리에스테르 필름을 제조하기 위한 시도로서, 방향족 아민 유도체 유래의 구조 단위를 포함하는 액정성 폴리에스테르와 비프로톤성 용매를 함유하는 수지 조성물로 액정성 폴리에스테르 필름을 제조하는 방법을 기재하고 있다. 그러나, 이러한 방법으로 제조된 폴리에스테르 필름은 여전히 유기용매에 대한 용해도가 낮고, 내열성이 충분히 개선되지 않았다. Japanese Patent Laid-Open No. 2004-315678 is an attempt to produce a liquid crystalline polyester film having low anisotropy, and is a liquid crystal containing a liquid crystalline polyester containing a structural unit derived from an aromatic amine derivative and an aprotic solvent. A method for producing a polyester film is described. However, the polyester film produced by this method still has low solubility in organic solvents, and the heat resistance was not sufficiently improved.

이에, 낮은 이방성을 가지면서도 유기용매에 대한 용해도는 높이고 이와 동시에 우수한 내열성 또한 유지할 수 있는 새로운 구조의 폴리에스테르 필름 개발이 필요하다.Accordingly, there is a need to develop a polyester film having a new structure that has a low anisotropy and can increase solubility in organic solvents and at the same time maintain excellent heat resistance.

1. 일본 특허공개 2004-315678호1. Japanese Patent Publication No. 2004-315678

본 발명에서는 이방성이 낮고 극성 유기용매에 대한 용해도가 높아 필름 형성이 용이할 뿐만 아니라, 내열성 또한 우수한 반도체 패키지 기판용 폴리에스테르 수지 및 이로부터 제조된 필름을 제공하기 위한 것이다.In the present invention, it is to provide a polyester resin for a semiconductor package substrate and a film prepared therefrom that are not only easy to form a film but also have excellent heat resistance because of low anisotropy and high solubility in a polar organic solvent.

또한, 본 발명은 폴리에스테르 수지로부터 제조된 낮은 이방성, 향상된 용해도, 및 우수한 내열성을 나타내는 반도체 패키지 기판용 액정성 폴리에스테르 필름을 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention is to provide a liquid crystalline polyester film for a semiconductor package substrate exhibiting low anisotropy, improved solubility, and excellent heat resistance made from a polyester resin.

본 발명에서는 벌키한 구조의 플루오렌기를 폴리에스테르 고분자 사슬에 도입함으로써 분자간 상호 작용을 감소시켜 얻어진 폴리에스테르 수지, 이를 포함하는 수지 조성물, 및 이로부터 제조된 낮은 이방성, 향상된 용해도 및 우수한 내열성을 갖는 반도체 패키지 기판용 필름을 제공한다. In the present invention, a polyester resin obtained by reducing intermolecular interaction by introducing a fluorene group having a bulky structure into the polyester polymer chain, a resin composition comprising the same, and a semiconductor having low anisotropy, improved solubility and excellent heat resistance prepared therefrom Provided is a film for a package substrate.

본 발명에 따르면, 폴리에스테르 고분자 사슬에 방향족의 벌키한 플루오렌 기를 도입하여 극성 유기용매에 대한 용해도를 높일 수 있고 이에 따라 반도체 패키지 기판용 필름 제조 공정이 용이해진다.According to the present invention, aromatic bulky fluorene groups may be introduced into the polyester polymer chain to increase the solubility in polar organic solvents, thereby facilitating the film manufacturing process for semiconductor package substrates.

본 발명에서는 낮은 이방성 및 높은 내열성을 가지는 고집적 반도체 패키지 회로기판용 폴리에스테르 수지 및 이로부터 제조된 필름을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명은 극성 유기용매에 대한 용해도가 높아 반도체 패키지 기판용 필름 제조가 용이한 반도체 패키지 회로기판용 수지 및 이로부터 제조된 액정성 필름이 제공된다.In the present invention, a polyester resin for a highly integrated semiconductor package circuit board having low anisotropy and high heat resistance and a film prepared therefrom can be obtained. In addition, the present invention provides a resin for a semiconductor package circuit board having a high solubility in a polar organic solvent and easy to manufacture a film for a semiconductor package substrate, and a liquid crystal film prepared therefrom.

본 발명은 반도체 패키지 기판용 폴리에스테르 수지에 관한 것으로, 상기 수지는 하기 식 (1)로 나타나는 구조 단위 20~50 몰%, 하기 식 (2)로 나타나는 구조 단위 40~25 몰%, 및 하기 식 (3)으로 나타나는 구조 단위 40~25 몰%로 이루어지는 폴리에스테르 수지이다.This invention relates to the polyester resin for semiconductor package substrates, The said resin is 20-50 mol% of structural units represented by following formula (1), 40-25 mol% of structural units represented by following formula (2), and a following formula It is the polyester resin which consists of 40-25 mol% of structural units represented by (3).

(1) -O-Ar1-CO-(1) -O-Ar1-CO-

(2) -OC-Ar2-CO-(2) -OC-Ar2-CO-

(3) -HN-Ar3-NH-(3) -HN-Ar3-NH-

상기 식에서, Ar1은 2,6-나프탈렌 또는 4,4’-비페닐렌, 바람직하기는 2,6-나프탈렌이고, Wherein Ar 1 is 2,6-naphthalene or 4,4′-biphenylene, preferably 2,6-naphthalene,

Ar2는 하기 화학식 1로 나타나고,Ar2 is represented by the following formula (1),

<화학식 1><Formula 1>

Figure 112010056575339-pat00001
Figure 112010056575339-pat00001

(상기 식에서, R은 H, CH3, 또는 CH2CH3이고, 바람직하기는 R이 H임)Wherein R is H, CH 3 , or CH 2 CH 3 , preferably R is H

Ar3는 하기 화학식 1 내지 3 중 하나이다.Ar3 is one of the following Chemical Formulas 1-3.

<화학식 1><Formula 1>

Figure 112010056575339-pat00002
Figure 112010056575339-pat00002

(상기 식에서, R은 H, CH3, 또는 CH2CH3이고, 바람직하기는 R이 H임) Wherein R is H, CH 3 , or CH 2 CH 3 , preferably R is H

<화학식 2> <Formula 2>

Figure 112010056575339-pat00003
Figure 112010056575339-pat00003

<화학식 3><Formula 3>

Figure 112010056575339-pat00004
Figure 112010056575339-pat00004

본 발명에 따른 수지에서 식 (1)로 나타나는 구조 단위의 함량이 50몰%를 넘으면 제조된 필름의 용해성이 현저히 저하되고, 20몰% 미만일 경우 액정성이 나타내지 않을 수 있다.When the content of the structural unit represented by the formula (1) in the resin according to the present invention exceeds 50 mol%, the solubility of the produced film is significantly lowered, and if less than 20 mol%, liquid crystallinity may not be exhibited.

또한, 상기 수지에서 식 (2)로 나타나는 구조 단위 및 식 (3)으로 나타나는 구조 단위의 함량이 각각 40몰%를 넘으면 제조된 필름의 액정성이 저하되고, 25 몰% 미만일 경우 용해성이 현저히 저하될 수 있다. 식 (2)로 나타나는 구조 단위 및 식 (3)으로 나타나는 구조 단위는 실질적으로 등량 이용하는 것이 바람직하다.In addition, when the content of the structural unit represented by the formula (2) and the structural unit represented by the formula (3) in the resin exceeds 40 mol%, the liquid crystallinity of the produced film is lowered, and when the content is less than 25 mol%, the solubility is significantly reduced. Can be. It is preferable to use substantially the same amount of the structural unit represented by Formula (2) and the structural unit represented by Formula (3).

본 발명의 바람직한 구체예에서, 폴리에스테르 수지는 상기 식 (1)로 나타나는 구조 단위 30~40 몰%, 상기 식 (2)로 나타나는 구조 단위 35~30 몰%, 및 상기 식 (3)으로 나타나는 구조 단위 35~30 몰%로 이루어진다.In a preferred embodiment of the present invention, the polyester resin is represented by 30 to 40 mol% of the structural unit represented by the formula (1), 35 to 30 mol% of the structural unit represented by the formula (2), and the formula (3) It consists of 35-30 mol% of structural units.

본 발명에 따른 폴리에스테르 수지의 제조방법은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 식 (1)의 구조단위에 대응되는 방향족 히드록시산과 식 (3)의 구조단위에 대응되는 플루오렌 골격을 도입한 디아민 또는 방향족 디아민을 과잉량의 지방산 무수물에 의해 아실화하여 아실화물을 얻고, 얻어진 아실화물과 식 (2)의 구조단위에 대응되는 플루오렌 골격의 디카르복시산을 에스테르 교환하여 용해 중합하는 방법 등에 의하여 제조될 수 있다.The manufacturing method of the polyester resin which concerns on this invention is not restrict | limited, For example, the aromatic hydroxy acid corresponding to the structural unit of Formula (1), and the fluorene skeleton corresponding to the structural unit of Formula (3) were introduce | transduced. Acylation of diamines or aromatic diamines with an excess of fatty acid anhydride to obtain acylates, and by transesterification of the obtained acylates with the dicarboxylic acids of the fluorene skeleton corresponding to the structural unit of formula (2) for dissolution polymerization and the like. Can be prepared.

본 발명의 다른 한 면은 본 발명에 따른 폴리에스테르 수지를 지지기판 상에 도포하여 반도체 패키지 기판용 필름을 제조하는 것이다. 이때 폴리에스테르 수지에 공지의 필러와 첨가제 등을 첨가하여 필름을 제조할 수 있다. 필러의 예로는 에폭시 수지 분말, 멜라민 수지 분말, 요소수지 분말, 스틸렌 수지 분말 등의 유기계 필러, 실리카, 알루미나, 산화 티탄, 산화 지르코늄, 카올린, 탄산칼슘, 인산 칼슘 등의 무기계 필러를 들 수 있다. 내열성과 선팽창계수를 제어하기 용이하므로, 무기계 필러를 사용하는 것이 바람직하다. Another aspect of the present invention is to produce a film for a semiconductor package substrate by applying a polyester resin according to the invention on a support substrate. In this case, a film may be prepared by adding a known filler and additives to the polyester resin. Examples of the filler include organic fillers such as epoxy resin powder, melamine resin powder, urea resin powder and styrene resin powder, and inorganic fillers such as silica, alumina, titanium oxide, zirconium oxide, kaolin, calcium carbonate and calcium phosphate. Since heat resistance and linear expansion coefficient are easy to control, it is preferable to use an inorganic filler.

첨가제로는 공지의 커플링제, 침강 방지제, 자외선 흡수제, 열안정제 등을 하나 또는 둘 이상 사용할 수 있다.As the additive, one or two or more known coupling agents, antisettling agents, ultraviolet absorbers, heat stabilizers, and the like may be used.

본 발명에 따른 폴리에스테르 수지, 임의 성분인 필러 및/또는 통상의 첨가제를 포함하는 수지 조성물을 유기용매에 용해시켜 폴리에스테르 필름을 제조한다. 본 발명에 따른 폴리에스테르 필름의 제조방법은 특별히 제한되지 않으며 공지의 방법에 따라 제조될 수 있다. 예를 들면, 본 발명에 따른 수지 조성물을 유기용매에 용해시키고, 얻어진 용액 조성물을 필요에 따라 여과하여 미세한 이물질을 제거하고, 무기 필러 및 각종 첨가제를 투입하여 슬러리화 한 후, 지지기판 상에, 예를 들면, 테이프 캐스팅법(닥터 블레이드법, 콤마 코팅법), 롤러 코팅법, 딥 코팅법, 스프레이 코팅법, 스핀 코팅법, 커텐 코팅법, 슬롯 코팅법, 스크린 인쇄법 등에 의하여 표면에 균일하게 도포한 다음 가열에 의하여 용매를 제거하여 액정성 폴리에스테르 필름을 얻을 수 있다. 제조공정의 용이성과 대형화의 관점에서 테이프 캐스팅법이 가장 바람직하다.A polyester film is prepared by dissolving a resin composition comprising a polyester resin according to the present invention, an optional component filler and / or a conventional additive in an organic solvent. The production method of the polyester film according to the present invention is not particularly limited and may be prepared according to a known method. For example, the resin composition according to the present invention is dissolved in an organic solvent, and the obtained solution composition is filtered as necessary to remove fine foreign substances, and then slurryed by adding an inorganic filler and various additives, and then on a supporting substrate, For example, the surface may be uniformly coated on the surface by a tape casting method (doctor blade method, comma coating method), roller coating method, dip coating method, spray coating method, spin coating method, curtain coating method, slot coating method, screen printing method, or the like. After coating, the solvent may be removed by heating to obtain a liquid crystalline polyester film. The tape casting method is most preferable from the viewpoint of ease of manufacturing process and size increase.

본 발명에 따른 수지는 N,N' 디메틸포름아미드, N,N -디메틸아세트 아미드, 디메틸술폭사이드, N-메틸피롤리돈 등과 같은 다양한 극성 유기용매에 우수한 용해도를 가지기 때문에, 유기용매를 이용한 필름의 성형이 매우 용이하다.Since the resin according to the present invention has excellent solubility in various polar organic solvents such as N, N 'dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone and the like, a film using an organic solvent The molding of is very easy.

최종 제작된 필름의 두께는 제막성이나 기계 특성의 관점으로부터 5~500μm인 것이 바람직하고, 취급성의 관점으로부터 20~100μm인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is 5-500 micrometers from a viewpoint of film forming property and a mechanical characteristic, and, as for the thickness of the final produced film, it is more preferable that it is 20-100 micrometers from a viewpoint of handleability.

본 발명은 하기의 실시예에 의하여 보다 더 잘 이해될 수 있으며, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이 뿐 첨부된 특허 청구 범위에 의하여 정해지는 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
The invention can be better understood by the following examples, which are intended to illustrate the invention and are not intended to limit the scope of protection defined by the appended claims.

실시예Example

실시예Example 1 One

교반 장치, 토크 미터, 질소 가스 도입관, 온도계 및 환류 냉각기를 갖춘 반응기에 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌(3) 3몰, 9,9-비스(4-카르복시페닐)플루오렌(2) 3몰, 2-히드록시-6-나프텐산(1) 4몰, 및 무수 아세트산 11몰을 투입하였다. 반응기를 충분히 질소 가스로 치환한 후, 질소 기류하에서 15분에 걸쳐 150℃까지 승온시킨 다음 유지하면서 3시간 동안 환류시켰다. 그 후, 유출하는 부생 아세트산 및 미반응 무수 아세트산을 제거하면서 170분에 걸쳐 320℃까지 가열하고, 토크가 상승되는 시점을 반응이 끝난 것으로 간주하여 분말 내용물을 꺼냈다. 얻어진 분말 10g을 N-메틸피롤리돈 90 g에 투입하고 120℃로 가열한 결과, 완전하게 용해된 용액을 얻을 수 있었다. 이 용액을 교반 및 탈포하고, 콤마 코터로 동박 상에 코팅한 후, 100℃로 1시간, 250℃로 1시간 열처리하여 용매를 제거하여 동박 상 열가소성 필름을 얻을 수 있었다.
3 moles of 9,9-bis (4-aminophenyl) fluorene (3), 9,9-bis (4-carboxyphenyl) flu, in a reactor equipped with a stirring device, torque meter, nitrogen gas introduction tube, thermometer and reflux condenser 3 mol of orene (2), 4 mol of 2-hydroxy-6-naphthenic acid (1), and 11 mol of acetic anhydride were added. After the reactor was sufficiently replaced with nitrogen gas, the temperature was raised to 150 ° C. over 15 minutes under a nitrogen stream, and then refluxed for 3 hours while maintaining. Thereafter, the mixture was heated to 320 ° C. over 170 minutes while removing the by-product acetic acid and unreacted acetic anhydride, and the powder contents were taken out when the reaction time was regarded as the end of the torque. 10 g of the obtained powder was added to 90 g of N-methylpyrrolidone and heated to 120 ° C., whereby a completely dissolved solution was obtained. The solution was stirred and defoamed, coated on a copper foil with a comma coater, and then heat treated at 100 ° C. for 1 hour and 250 ° C. for 1 hour to remove the solvent, thereby obtaining a copper foil phase thermoplastic film.

실시예Example 2 2

교반 장치, 토크 미터, 질소 가스 도입관, 온도계 및 환류 냉각기를 갖춘 반응기에 1,4-페닐렌디아민(3) 3몰, 9,9-비스(4-카르복시페닐)플루오렌(2) 3몰, 2-히드록시-6-나프텐산(1) 4몰, 및 무수 아세트산 11몰을 투입하였다. 반응기를 충분히 질소 가스로 치환한 후, 질소 기류하에서 15분에 걸쳐 150℃까지 승온시킨 다음 유지하면서 3시간 동안 환류시켰다. 그 후, 유출하는 부생 아세트산 및 미반응 무수 아세트산을 제거하면서 170분에 걸쳐 320℃까지 가열하고, 토크가 상승되는 시점을 반응이 끝난 것으로 간주하여 분말 내용물을 꺼냈다. 얻어진 분말 10g을 N,N' -디메틸아세트아미드 90 g에 투입하고 120℃로 가열한 결과, 완전하게 용해된 용액을 얻을 수 있었다. 이 용액을 교반 및 탈포하고, 콤마 코터로 동박 상에 코팅한 후, 100℃로 1시간, 250℃로 1시간 열처리하여 용매를 제거하여 동박 상 열가소성 필름을 얻을 수 있었다.
3 moles of 1,4-phenylenediamine (3), 3 moles of 9,9-bis (4-carboxyphenyl) fluorene (2) in a reactor with a stirring device, torque meter, nitrogen gas introduction tube, thermometer and reflux cooler , 4 mol of 2-hydroxy-6-naphthenic acid (1), and 11 mol of acetic anhydride were added thereto. After the reactor was sufficiently replaced with nitrogen gas, the temperature was raised to 150 ° C. over 15 minutes under a nitrogen stream, and then refluxed for 3 hours while maintaining. Thereafter, the mixture was heated to 320 ° C. over 170 minutes while removing the by-product acetic acid and unreacted acetic anhydride, and the powder contents were taken out when the reaction time was regarded as the end of the torque. 10 g of the obtained powder was added to 90 g of N, N'-dimethylacetamide and heated to 120 ° C, whereby a completely dissolved solution was obtained. The solution was stirred and defoamed, coated on a copper foil with a comma coater, and then heat treated at 100 ° C. for 1 hour and 250 ° C. for 1 hour to remove the solvent, thereby obtaining a copper foil phase thermoplastic film.

비교예Comparative example 1 One

교반 장치, 토크 미터, 질소 가스 도입관, 온도계 및 환류 냉각기를 갖춘 반응기에 1,4-페닐렌디아민(3) 1.5몰, 9,9-비스(4-카르복시페닐)플루오렌(2) 1.5몰, 2-히드록시-6-나프텐산(1) 7몰, 및 무수 아세트산 11몰을 투입하였다. 반응기를 충분히 질소 가스로 치환한 후, 질소 기류하에서 15분에 걸쳐 150℃까지 승온시킨 다음 유지하면서 3시간 동안 환류시켰다. 그 후, 유출하는 부생 아세트산 및 미반응 무수 아세트산을 제거하면서 170분에 걸쳐 320℃까지 가열하고, 토크가 상승되는 시점을 반응이 끝난 것으로 간주하여 분말 내용물을 꺼냈다. 얻어진 분말 5g을 N-메틸피롤리돈 95 g에 투입하고 120℃로 가열한 결과, 용해가 이루어지지 않았다.
1.5 moles of 1,4-phenylenediamine (3), 1.5 moles of 9,9-bis (4-carboxyphenyl) fluorene (2) in a reactor equipped with a stirring device, torque meter, nitrogen gas introduction tube, thermometer and reflux condenser , 7 mol of 2-hydroxy-6-naphthenic acid (1), and 11 mol of acetic anhydride were added. After the reactor was sufficiently replaced with nitrogen gas, the temperature was raised to 150 ° C. over 15 minutes under a nitrogen stream, and then refluxed for 3 hours while maintaining. Thereafter, the mixture was heated to 320 ° C. over 170 minutes while removing the by-product acetic acid and unreacted acetic anhydride, and the powder contents were taken out when the reaction time was regarded as the end of the torque. 5 g of the obtained powder was added to 95 g of N-methylpyrrolidone and heated to 120 ° C., and no dissolution was performed.

본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 볼 수 있다.Simple modifications or changes of the present invention can be easily carried out by those skilled in the art, and all such modifications or changes can be regarded as being included in the scope of the present invention.

Claims (9)

하기 식 (1)로 나타나는 구조 단위 20~50 몰%, 하기 식 (2)로 나타나는 구조 단위 40~25 몰%, 및 하기 식 (3)으로 나타나는 구조 단위 40~25 몰%로 이루어지는 폴리에스테르 수지:
(1) -O-Ar1-CO-
(2) -OC-Ar2-CO-
(3) -HN-Ar3-NH-
상기 식에서, Ar1은 2,6-나프탈렌 또는 4,4’-비페닐렌이고,
Ar2는 하기 화학식 1로 나타나고,
<화학식 1>
Figure 112010056575339-pat00005

Ar3는 하기 화학식 1 내지 3 중 어느 하나임.
<화학식 1>
Figure 112010056575339-pat00006

<화학식 2>
Figure 112010056575339-pat00007

<화학식 3>
Figure 112010056575339-pat00008

(상기 화학식 (1)에서, R은 H, CH3, 또는 CH2CH3임)
Polyester resin which consists of 20-50 mol% of structural units represented by following formula (1), 40-25 mol% of structural units represented by following formula (2), and 40-25 mol% of structural units represented by following formula (3). :
(1) -O-Ar1-CO-
(2) -OC-Ar2-CO-
(3) -HN-Ar3-NH-
Wherein Ar 1 is 2,6-naphthalene or 4,4′-biphenylene,
Ar2 is represented by the following formula (1),
<Formula 1>
Figure 112010056575339-pat00005

Ar3 is any one of the following Chemical Formulas 1-3.
<Formula 1>
Figure 112010056575339-pat00006

<Formula 2>
Figure 112010056575339-pat00007

<Formula 3>
Figure 112010056575339-pat00008

(In Formula (1), R is H, CH 3 , or CH 2 CH 3 )
제1항에 있어서, 상기 식 (1)에서 Ar1은 2,6-나프탈렌이고, 상기 식 (2)와 (3)에서 Ar2 및 Ar3는 각각 독립적으로 R이 H인 화학식 1의 골격 구조를 가지는 것인 폴리에스테르 수지.
According to claim 1, Ar1 in the formula (1) is 2,6-naphthalene, and Ar2 and Ar3 in the formula (2) and (3) each independently have a skeleton structure of Formula 1 wherein R is H Phosphorus polyester resin.
제1항에 있어서, 상기 식 (1)로 나타나는 구조 단위 30~40 몰%, 상기 식 (2)로 나타나는 구조 단위 35~30 몰%, 및 상기 식 (3)으로 나타나는 구조 단위 35~30 몰%로 이루어지는 폴리에스테르 수지.
30-30 mol% of structural units represented by said Formula (1), 35-30 mol% of structural units represented by said Formula (2), and 35-30 mol of structural units represented by said Formula (3) Polyester resin which consists of%.
제1항에 있어서, 상기 식 (2)로 나타나는 구조 단위와 상기 식 (3)으로 나타나는 구조 단위가 등량으로 포함되는 폴리에스테르 수지.
The polyester resin of Claim 1 in which the structural unit represented by the said Formula (2) and the structural unit represented by the said Formula (3) are contained in equal amount.
제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 수지는 반도체 패키지 기판의 소재로 사용되는 것을 특징으로 하는 폴리에스테르 수지.
The polyester resin according to any one of claims 1 to 4, wherein the resin is used as a material of a semiconductor package substrate.
제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 따른 폴리에스테르 수지를 지지기판 상에 도포하여 얻어진 반도체 패키지 기판용 필름.
The film for semiconductor package substrates obtained by apply | coating the polyester resin of any one of Claims 1-4 on a support substrate.
제6항에 있어서, 상기 필름은 상기 폴리에스테르 수지에 실리카, 알루미나, 산화 티탄, 산화 지르코늄, 카올린, 탄산칼슘, 인산 칼슘, 또는 이들의 혼합물로부터 선택되는 필러, 및 커플링제, 침강 방지제, 자외선 흡수제, 열안정제, 또는 이들의 혼합물로부터 선택되는 첨가제를 혼합하여 얻어진 수지 조성물을 유기용매에 용해시키고, 지지기판 상에 도포하여 얻어지는 것인 반도체 패키지 기판용 필름.
The method of claim 6, wherein the film is a filler selected from silica, alumina, titanium oxide, zirconium oxide, kaolin, calcium carbonate, calcium phosphate, or a mixture thereof, and a coupling agent, an anti-settling agent, and an ultraviolet absorber in the polyester resin. A film for a semiconductor package substrate obtained by dissolving a resin composition obtained by mixing an additive selected from a thermal stabilizer or a mixture thereof in an organic solvent and applying it onto a support substrate.
제7항에 있어서, 상기 수지 조성물을 지지기판 상에 테이프 캐스팅법에 의하여 도포하는 것인 반도체 패키지 기판용 필름.
8. The film for semiconductor package substrate according to claim 7, wherein the resin composition is applied onto a support substrate by a tape casting method.
제6항에 있어서, 상기 필름은 5 내지 500μm의 두께를 가지는 것인 반도체 패키지 기판용 필름.
The film of claim 6, wherein the film has a thickness of 5 to 500 μm.
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