KR101140014B1 - backing plate for target - Google Patents

backing plate for target Download PDF

Info

Publication number
KR101140014B1
KR101140014B1 KR1020100060079A KR20100060079A KR101140014B1 KR 101140014 B1 KR101140014 B1 KR 101140014B1 KR 1020100060079 A KR1020100060079 A KR 1020100060079A KR 20100060079 A KR20100060079 A KR 20100060079A KR 101140014 B1 KR101140014 B1 KR 101140014B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
target
cooling water
temperature compensation
water passage
inlet
Prior art date
Application number
KR1020100060079A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20110139945A (en
Inventor
이재춘
Original Assignee
하이디스 테크놀로지 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 하이디스 테크놀로지 주식회사 filed Critical 하이디스 테크놀로지 주식회사
Priority to KR1020100060079A priority Critical patent/KR101140014B1/en
Publication of KR20110139945A publication Critical patent/KR20110139945A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101140014B1 publication Critical patent/KR101140014B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C13/00—Alloys based on tin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 타겟용 백플레이트는 상면에 도포되는 본딩재에 의해 타겟이 접착 고정되는 하우징; 상기 하우징 측면 또는 하면에 형성되고 냉각수가 공급되는 적어도 한 개의 인입구; 상기 인입구와 인접하여 형성되고 냉각수가 토출되는 적어도 한 개의 인출구; 냉각수의 이송경로를 형성하도록 상기 하우징 내부에서 상기 인입구와 인출구를 연결하되, 상기 인입구 측으로부터 상기 하우징의 상면 온도가 조절되는 온도보상영역이 포함되는 냉각수로;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
이에 의하여 타겟의 가장자리와 백플레이트가 접하는 부분 중 인입구와 근접한 부분에서는 본딩재가 타겟과 백플레이트 사이에서 이탈되는 것을 방지하고, 타겟의 냉각 균형을 유지하며, 스퍼터링 공정에서 박막의 결함을 방지할 수 있는 타겟용 백플레이트가 제공된다.The target back plate according to the present invention includes a housing to which the target is adhesively fixed by a bonding material applied to an upper surface thereof; At least one inlet formed at the side or bottom of the housing and supplied with cooling water; At least one outlet formed adjacent to the inlet and for discharging cooling water; It is connected to the inlet and the outlet in the housing to form a transport path of the coolant, from the inlet side, the cooling water passage including a temperature compensation region for controlling the upper surface temperature of the housing; characterized in that it comprises a.
As a result, the bonding material is prevented from being separated between the target and the back plate at the portion where the edge of the target and the back plate are in contact with each other. A backplate for the target is provided.

Description

타겟용 백플레이트{backing plate for target}Backing plate for target

본 발명은 타겟용 백플레이트에 관한 것으로, 좀더 자세하게는, 스퍼터링 공정에서 타겟을 백플레이트에 고정시키는 본딩재가 타겟과 백플레이트 사이에서 외부로 이탈되는 것을 방지하고, 스퍼터링 공정에서의 박막 결함을 방지할 수 있는 타겟용 백플레이트에 관한 것이다.The present invention relates to a back plate for a target, and more particularly, to prevent the bonding material for fixing the target to the back plate in the sputtering process to be separated from the outside between the target and the back plate, and to prevent a thin film defect in the sputtering process The present invention relates to a target backplate.

일반적인 박막형성공정 중 하나인 스퍼터링(sputtering) 공정은 고온 고진공 챔버 내에서 플라즈마에 의해 타겟(target)에 충격을 가하여 이탈된 타겟 물질이 기판에 적층(deposition)되도록 하는 공정이다.The sputtering process, which is one of the general thin film forming processes, is a process of impacting a target by plasma in a high temperature high vacuum chamber so that the separated target material is deposited on a substrate.

첨부 도면 도 1은 일반적인 스퍼터링 공정에 사용되는 타겟 및 타겟을 고정시키는 타겟용 백플레이트를 도시한 도면이다. 도 1을 참조하면, 고온 고진공의 챔버(미도시) 내에 장착되어서 스퍼터링 공정을 수행하는 타겟(T)은 스퍼터링 시에 플라즈마 상태의 불활성 가스 등에 의한 충격을 계속해서 받기 때문에, 그 내부에 열량이 축적되어 고온으로 된다. 그래서, 타겟용 백플레이트(P, backing plate)는 구리 또는 구리계 합금 등의 열전도성이 우수한 재료로 만들고 내부에 수냉시스템을 갖추어 타겟(T)의 열을 방출하도록 하고 있다.1 is a view illustrating a target used in a general sputtering process and a back plate for fixing a target. Referring to FIG. 1, since a target T mounted in a high temperature high vacuum chamber (not shown) and performing a sputtering process continuously receives an impact by an inert gas or the like in a plasma state during sputtering, heat is accumulated therein. And high temperature. Therefore, the target back plate (P, backing plate) is made of a material having excellent thermal conductivity such as copper or a copper-based alloy, and equipped with a water cooling system therein to release the heat of the target (T).

이러한 타겟(T)과 백플레이트(P)는 본딩재(B)를 매개로 하여 접합되거나, 확산 접합에 의해 접합되지만, 전자의 본딩재(B)를 사용하는 방법이 보다 일반적이다.Although the target T and the back plate P are bonded through the bonding material B or bonded by diffusion bonding, a method of using the former bonding material B is more common.

본딩재(B)로서는 일반적으로 인듐(In)이나 주석(Sn) 등의 금속, 또는 인듐과 주석을 포함하는 합금 등이 사용되며, 타겟(T)이나 백플레이트(P)를 본딩재(B)의 용융점 이상으로 가열한 상태에서 타겟(T) 또는 백플레이트(P)에 용융한 본딩재(B)를 도포한 후 타겟(T)과 백플레이트(P)를 접합한다.Generally as the bonding material (B), a metal such as indium (In) or tin (Sn), or an alloy containing indium and tin is used, and the target (T) or the back plate (P) is bonded to the bonding material (B). After apply | coating the bonding material B which melt | dissolved to the target T or the backplate P in the state heated to more than the melting point of, the target T and the backplate P are joined.

첨부 도면 도 2는 종래 기술에 따른 타겟용 백플레이트의 평단면도이며, 도 3은 종래 기술에 따른 타겟용 백플레이트에서 도 2의 I-I' 선에 따른 종단면도이고, 도 4는 종래 기술에 따른 타겟용 백플레이트에서 도 2의 II-II' 선에 따른 종단면도이다.2 is a cross-sectional plan view of a target back plate according to the prior art, FIG. 3 is a longitudinal cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 2 in the target back plate according to the prior art, and FIG. 4 is a target according to the prior art. The longitudinal cross-sectional view along the II-II 'line of FIG.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 일반적으로, 종래의 타겟용 백플레이트(P)는 상면에 도포되는 본딩재(B)에 의해 타겟(T)이 접착 고정되는 하우징으로, 하우징 하면 또는 측면에는 냉각수가 공급되는 적어도 한 개의 인입구(2)와 냉각수가 토출되는 적어도 한 개의 인출구(3)가 형성되어 있다. 인입구(2)와 인출구(3)는 서로 인접하여 교번으로 배열되며, 인입구(2)와 인출구(3) 전체가 나란히 배열될 수 있다. 그리고 하우징(1)의 내부에는 인입구(2)와 인출구(3)를 연결하여 냉각수의 이송경로를 형성하는 냉각수로(4)가 형성되어 있다. 냉각수로(4)는 서로 인접한 인입구(2)와 인출구(3)를 연결하도록 구성되며, 인입구(2)를 통해 공급된 냉각수가 냉각수로(4)를 따라 이동된 후 인출구(3)를 통해 토출됨으로써, 타겟(T)에 발생하는 열을 냉각시켜 주게 된다.
2 to 4, in general, a target back plate P is a housing in which a target T is adhesively fixed by a bonding material B applied to an upper surface, and cooling water is provided on a lower surface or a side of the housing. At least one inlet opening 2 through which is supplied and at least one outlet opening 3 through which coolant is discharged are formed. The inlet 2 and the outlet 3 are alternately arranged adjacent to each other, and the inlet 2 and the outlet 3 can be arranged side by side. A cooling water passage 4 is formed inside the housing 1 to connect the inlet 2 and the outlet 3 to form a transport path for the cooling water. The cooling water passage 4 is configured to connect the inlets 2 and the inlets 3 adjacent to each other, and the cooling water supplied through the inlets 2 is moved along the cooling water passage 4 and then discharged through the outlets 3. As a result, the heat generated in the target T is cooled.

하지만, 종래의 타겟용 백플레이트(P)는 고온 고압의 챔버 내에서 스퍼터링 공정이 지속됨에 따라 스퍼터링의 물리적인 충격과 그로 인해 발생하는 열이 타겟(T)과 본딩재(B)에 누적되게 된다.However, in the conventional target back plate P, as the sputtering process is continued in a high temperature and high pressure chamber, physical impact of sputtering and heat generated therefrom accumulate on the target T and the bonding material B. .

첨부 도면 도 5는 종래 기술에 따른 타겟용 백플레이트(P)에서 발생되는 문제점을 도시한 사진이다. 도 5에서 도시되지 않았지만, 인입구(2)과 인출구(3)는 하우징의 하면에 형성되어 있고, 냉각수로(4)는 하우징의 내부에 형성되어 있다.5 is a photograph showing a problem occurring in the target back plate P according to the related art. Although not shown in FIG. 5, the inlet 2 and the outlet 3 are formed on the lower surface of the housing, and the cooling water passage 4 is formed inside the housing.

도 5를 참조하면, 종래의 타겟용 백플레이트(P)는 냉각수로(4)와 타겟(T) 간의 이격거리(d)가 실질적으로 동일하므로, 인입구(2) 측과 인출구(3) 측에서의 냉각수 온도가 상이하게 되어 냉각 불균형이 발생하고, 이러한 냉각 불균형이 지속됨과 더불어 스퍼터링의 물리적인 충격이 지속되면, 타겟(T)과 백플레이트(P)가 접하는 부분 중 인입구(2)와 근접한 부분에서 본딩재(B)가 일부 용융되어 타겟(T)과 백플레이트(P) 사이로 이탈되는 문제점이 있었다.Referring to FIG. 5, in the conventional target back plate P, since the separation distance d between the cooling water passage 4 and the target T is substantially the same, the cooling water at the inlet 2 side and the outlet 3 side. If the temperature is different and a cooling imbalance occurs, and this cooling imbalance is continued and the physical impact of sputtering is continued, bonding is performed at the portion adjacent to the inlet 2 of the portion where the target T and the back plate P are in contact with each other. There was a problem that the ash (B) is partially melted and separated between the target (T) and the back plate (P).

이러한 현상으로 인해 스퍼터링 공정시 플라즈마 상태의 불활성 가스 등이 이탈된 본딩재에도 충격을 가함으로써, 타겟은 물론 이탈된 본딩재(B)도 기판에 적층되는 현상이 발생하는 문제점이 있었다.Due to this phenomenon, the sputtering process impacts the bonding material in which the inert gas and the like are released in the plasma state, thereby causing a problem in that not only the target but also the bonding material B are stacked on the substrate.

또한, 용융되어 이탈된 본딩재로 인해 타겟과 백플레이트 간의 접합 불량이 발생하고, 이에 따라 스퍼터링 시에 타겟이 백플레이트로부터 박리되어 휘어지는 현상이 발생하는 문제점이 있었다.In addition, a bonding defect between the target and the back plate is generated due to the molten and separated bonding material, and thus there is a problem in that the target is peeled off from the back plate during sputtering.

또한, 백플레이트로부터 박리된 부분의 타겟은 냉각되지 않고 열량이 축적되어 가기 때문에 아킹이나 파티클의 발생을 유발하는 문제점이 있었다.In addition, the target of the portion peeled from the back plate has a problem that causes the generation of arcing or particles because the heat amount is accumulated without cooling.

또한, 상술한 문제점들은 스퍼터링 공정에서 박막에 결함을 유발하고, 타겟의 재질에 따라서는 타겟 자체가 용융하는 등의 문제점이 있었다.In addition, the above-described problems cause defects in the thin film in the sputtering process, and there is a problem in that the target itself melts depending on the material of the target.

따라서 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 타겟과 백플레이트가 접하는 부분 중 인입구와 근접한 부분에서 본딩재(B)가 일부 용융되어 타겟과 백플레이트 사이로 이탈되는 것을 방지할 수 있는 타겟용 백플레이트를 제공함에 있다.Therefore, an object of the present invention is to solve such a conventional problem, it is possible to prevent the bonding material (B) is partially melted in the portion close to the inlet of the contact portion between the target and the back plate is separated between the target and the back plate. In providing a target back plate.

또한, 타겟과 백플레이트 간의 접합 상태를 원활하게 유지하고, 타겟이 백플레이트로부터 박리하여 휘어지는 현상을 방지할 수 있는 타겟용 백플레이트를 제공함에 있다.In addition, the present invention provides a target back plate capable of smoothly maintaining a bonding state between the target and the back plate and preventing the target from peeling off from the back plate.

또한, 타겟의 냉각 균형을 유지하고, 아킹이나 파티클의 발생을 방지할 수 있는 타겟용 백플레이트를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a target back plate capable of maintaining a cooling balance of the target and preventing generation of arcing and particles.

또한, 스퍼터링 공정에서 박막의 결함을 방지하고, 타겟의 재질에 따라 타겟 자체가 용융되는 것을 방지할 수 있는 타겟용 백플레이트를 제공함에 있다.In addition, to provide a target back plate that can prevent the defect of the thin film in the sputtering process, and can prevent the target itself from melting according to the material of the target.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 상면에 도포되는 본딩재에 의해 타겟이 접착 고정되는 하우징; 상기 하우징 측면 또는 하면에 형성되고 냉각수가 공급되는 적어도 한 개의 인입구; 상기 인입구와 인접하여 형성되고 냉각수가 토출되는 적어도 한 개의 인출구; 냉각수의 이송경로를 형성하도록 상기 하우징 내부에서 상기 인입구와 인출구를 연결하되, 상기 인입구 측으로부터 상기 하우징의 상면 온도가 조절되는 온도보상영역이 포함되는 냉각수로;를 포함하여 구성되는 타겟용 백플레이트에 의해 달성된다.According to the present invention, the object is adhesively fixed to the target by a bonding material applied to the upper surface; At least one inlet formed at the side or bottom of the housing and supplied with cooling water; At least one outlet formed adjacent to the inlet and for discharging cooling water; A cooling water passage connecting the inlet and the outlet to the inside of the housing so as to form a transfer path of the coolant, and including a temperature compensation region in which an upper surface temperature of the housing is adjusted from the inlet side; It is achieved by a target back plate configured to include.

여기서 상기 온도보상영역에서의 상기 냉각수로와 상기 타겟 간의 이격거리는 상기 온도보상영역을 제외한 나머지 영역에서의 상기 냉각수로와 상기 타겟 간의 이격거리보다 크게 형성되도록 하는 것이 바람직하다.The separation distance between the cooling water passage and the target in the temperature compensation region may be greater than the separation distance between the cooling water passage and the target in the remaining regions other than the temperature compensation region.

여기서 상기 온도보상영역에서의 상기 냉각수로와 상기 타겟 간의 이격거리는 상기 온도보상영역을 제외한 나머지 영역에서의 상기 냉각수로와 상기 타겟 간의 이격거리의 2배를 넘지 않도록 하는 것이 바람직하다.The distance between the cooling water passage and the target in the temperature compensation region is preferably not more than twice the distance between the cooling water passage and the target in the remaining regions except for the temperature compensation region.

여기서 상기 온도보상영역에서의 상기 냉각수로와 상기 타겟 간의 이격거리는 상기 온도보상영역 내에서 실질적으로 일정하도록 하는 것이 바람직하다.The distance between the cooling water passage and the target in the temperature compensation region may be substantially constant within the temperature compensation region.

여기서 상기 온도보상영역에서의 상기 냉각수로와 상기 타겟 간의 이격거리는 상기온도보상영역 내에서 상기 인입구 측으로부터 점점 줄어들도록 하는 것이 바람직하다.The distance between the cooling water path and the target in the temperature compensation region is preferably reduced from the inlet side in the temperature compensation region.

여기서 상기 온도보상영역에서의 냉각수 이송경로는 상기 온도보상영역을 제외한 나머지 영역에서의 냉각수 이송경로보다 짧게 형성되도록 하는 것이 바람직하다.Here, the cooling water transfer path in the temperature compensation region is preferably shorter than the cooling water transfer path in the remaining regions except for the temperature compensation region.

여기서 상기 냉각수로의 개구단면적은 실질적으로 일정하게 형성되도록 하는 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the opening end area of the cooling water passage is formed to be substantially constant.

본 발명에 따르면, 타겟과 백플레이트가 접하는 부분 중 인입구와 근접한 부분에서 본딩재가 일부 용융되어 타겟과 백플레이트 사이로 이탈되는 것을 방지할 수 있는 타겟용 백플레이트가 제공된다.According to the present invention, there is provided a target back plate that can prevent the bonding material from being partially melted and separated between the target and the back plate at a portion close to the inlet of the portion where the target and the back plate contact each other.

또한, 타겟과 백플레이트 간의 접합 상태를 원활하게 유지하고, 타겟이 백플레이트로부터 박리하여 휘어지는 현상을 방지할 수 있는 타겟용 백플레이트가 제공된다.In addition, there is provided a target back plate capable of smoothly maintaining the bonded state between the target and the back plate and preventing the target from peeling off from the back plate.

또한, 타겟의 냉각 균형을 유지하고, 아킹이나 파티클의 발생을 방지할 수 있는 타겟용 백플레이트가 제공된다.In addition, there is provided a target back plate capable of maintaining a cooling balance of the target and preventing occurrence of arcing or particles.

또한, 스퍼터링 공정에서 박막의 결함을 방지하고, 타겟의 재질에 따라 타겟 자체가 용융되는 것을 방지할 수 있는 타겟용 백플레이트가 제공된다.In addition, a back plate for a target which can prevent a defect of a thin film in a sputtering process and prevent the target itself from melting according to the material of the target is provided.

도 1은 일반적인 스퍼터링 공정에 사용되는 타겟 및 타겟을 고정시키는 타겟용 백플레이트를 도시한 도면,
도 2는 종래 기술에 따른 타겟용 백플레이트의 평단면도,
도 3은 종래 기술에 따른 타겟용 백플레이트에서 도 2의 I-I' 선에 따른 종단면도,
도 4는 종래 기술에 따른 타겟용 백플레이트에서 도 2의 II-II' 선에 따른 종단면도,
도 5는 종래 기술에 따른 타겟용 백플레이트에서 발생되는 문제점을 도시한 사진.
도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 타겟용 백플레이트의 평단면도,
도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 타겟용 백플레이트에서 도 6의 I-I' 선에 따른 종단면도,
도 8은 본 발명의 제1실시예에 따른 타겟용 백플레이트에서 도 6의 II-II' 선에 따른 종단면도,
도 9는 본 발명의 제2실시예에 따른 타겟용 백플레이트의 평단면도,
도 10은 본 발명의 제2실시예에 따른 타겟용 백플레이트에서 도 9의 I-I' 선에 따른 종단면도,
도 11은 본 발명의 제2실시예에 따른 타겟용 백플레이트에서 도 9의 II-II' 선에 따른 종단면도이다.1 illustrates a target used in a general sputtering process and a back plate for a target to which the target is fixed;
Figure 2 is a plan sectional view of a back plate for a target according to the prior art,
3 is a longitudinal cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 2 in a target backplate according to the prior art;
4 is a longitudinal sectional view taken along the line II-II 'of FIG. 2 in the target backplate according to the prior art;
Figure 5 is a photograph showing a problem occurring in the target back plate according to the prior art.
6 is a plan sectional view of a back plate for a target according to the first embodiment of the present invention;
FIG. 7 is a longitudinal sectional view taken along line II ′ of FIG. 6 in the target back plate according to the first embodiment of the present invention; FIG.
8 is a longitudinal sectional view taken along the line II-II 'of FIG. 6 in the target back plate according to the first embodiment of the present invention;
9 is a plan sectional view of a back plate for a target according to a second embodiment of the present invention;
10 is a longitudinal sectional view taken along the line II ′ of FIG. 9 in the target back plate according to the second embodiment of the present invention;
11 is a longitudinal cross-sectional view taken along the line II-II 'of FIG. 9 in the target back plate according to the second embodiment of the present invention.

설명에 앞서, 여러 실시예에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1실시예와 다른 구성에 대해서 설명하기로 한다.Prior to the description, in the various embodiments, components having the same configuration will be representatively described in the first embodiment using the same reference numerals, and in other embodiments, different configurations from the first embodiment will be described. do.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 제1실시예에 따른 타겟용 백플레이트에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a back plate for a target according to a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

첨부 도면 도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 타겟용 백플레이트의 평단면도이고, 도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 타겟용 백플레이트에서 도 6의 I-I' 선에 따른 종단면도이며, 도 8은 본 발명의 제1실시예에 따른 타겟용 백플레이트에서 도 6의 II-II' 선에 따른 종단면도이다.6 is a cross-sectional plan view of a target back plate according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a longitudinal cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 6 in the target back plate according to the first embodiment of the present invention. 8 is a longitudinal cross-sectional view taken along the line II-II 'of FIG. 6 in the target back plate according to the first embodiment of the present invention.

도 6 내지 도 8을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 타겟용 백플레이트(P)는 상면에 도포되는 본딩재(B)에 의해 타겟(T)이 접착 고정되는 하우징으로써, 인입구(12)와 인출구(13)와 냉각수로(14)를 포함하여 구성된다.6 to 8, the target back plate P according to the first embodiment of the present invention is a housing in which the target T is adhesively fixed by a bonding material B applied on an upper surface thereof. 12), the outlet 13, and the cooling water passage 14 are configured.

인입구(12)는 하우징 측면 또는 하면에 적어도 한 개가 형성되어 냉각수가 공급되는 입구의 역할을 하고, 인출구(13)는 인입구(12)에 인접하여 하우징 측면 또는 하면에 적어도 한 개가 형성되어 냉각수가 토출되는 출구의 역할을 하게 된다. 이때, 인입구(12)와 인출구(13)는 각각 교대로 인접하도록 다수 형성되고, 각각의 인입구(12)와 인출구(13)에 각각의 냉각수로(14)가 연결되도록 할 수 있다.At least one inlet 12 is formed at the side or the bottom of the housing to serve as an inlet for cooling water to be supplied, and at least one outlet 13 is formed at the side or the bottom of the housing adjacent to the inlet 12 to discharge the coolant. Act as an exit. In this case, the inlet 12 and the outlet 13 may be formed in a plurality of adjacent to each other alternately, and each of the inlet 12 and the outlet 13 may be such that each of the cooling water passage 14 is connected.

냉각수로(14)는 하우징의 내부에서 인입구(12)와 인출구(13)를 연결하여 냉각수의 이동경로를 형성한다. 이때, 냉각수로(14)는 온도보상영역(14a)과 온도보상영역(14a)을 제외한 나머지 영역(14b)으로 구분된다. 온도보상영역(14a)은 인입구(12)에 연결되는 냉각수로(14)의 일부이고, 온도보상영역(14a)을 제외한 나머지 영역(14b)은 온도보상영역(14a)에서 연장되어 인출구(13)에 연결되는 냉각수로(14)의 일부이다.The cooling water passage 14 connects the inlet 12 and the outlet 13 in the housing to form a movement path of the cooling water. At this time, the cooling water passage 14 is divided into a temperature compensation area 14a and a remaining area 14b except for the temperature compensation area 14a. The temperature compensation region 14a is a part of the cooling water passage 14 connected to the inlet 12, and the remaining region 14b except the temperature compensation region 14a extends from the temperature compensation region 14a to extend the outlet 13. It is part of the cooling water passage 14 connected to.

본 발명의 제1실시예에서는 냉각수로(14)와 타겟(T) 간의 이격거리에 대해 온도보상영역(14a)에서의 냉각수로(14)와 타겟(T) 간의 이격거리(t2)는 온도보상영역(14a) 내에서 실질적으로 일정하게 유지하도록 하고, 온도보상영역(14a)을 제외한 나머지 영역(14b)에서의 냉각수로(14)와 타겟(T) 간의 이격거리(t1)는 온도보상영역(14a)을 제외한 나머지 영역(14b) 내에서 실질적으로 일정하게 유지하도록 하고 있다.In the first embodiment of the present invention, the separation distance t2 between the cooling water passage 14 and the target T in the temperature compensation region 14a with respect to the separation distance between the cooling water passage 14 and the target T is temperature compensated. It is to be kept substantially constant in the region 14a, and the distance t1 between the cooling water passage 14 and the target T in the remaining region 14b except for the temperature compensation region 14a is defined as the temperature compensation region ( It is made to remain substantially constant in the remaining area | region 14b except 14a).

그러면, 본 발명의 제1실시예에 따른 타겟용 백플레이트(P)는 인입구(12)를 통해 공급된 냉각수가 냉각수로(14)를 따라 이동된 후 인출구(13)를 통해 토출됨으로써, 타겟(T)에서 발생하는 열을 냉각시켜 주게 된다.Then, the target back plate P according to the first exemplary embodiment of the present invention is discharged through the outlet 13 after the coolant supplied through the inlet 12 is moved along the cooling water passage 14, so that the target ( It cools the heat generated in T).

특히, 온도보상영역(14a)에 의해 하우징의 상면 온도가 조절되어 타겟(T)에서 발생하는 열을 고르게 냉각시키게 된다. 다시 말해, 인입구(12)를 통해 공급되는 냉각수가 온도보상영역(14a)을 통과하면서 하우징의 상면 온도를 조절하게 되므로, 인입구(12)에 대응되는 타겟(T)의 가장자리에서 본딩재(B)가 용융되어 외부로 이탈되는 현상을 방지할 수 있는 것이다.In particular, the temperature of the upper surface of the housing is controlled by the temperature compensation region 14a to evenly cool the heat generated from the target T. In other words, since the coolant supplied through the inlet 12 passes through the temperature compensation region 14a to adjust the temperature of the upper surface of the housing, the bonding material B at the edge of the target T corresponding to the inlet 12. Is melted to prevent the phenomenon of leaving the outside.

여기서 냉각수로(14)와 타겟(T) 간의 이격거리에 대해 온도보상영역(14a)에서의 냉각수로(14)와 타겟(T) 간의 이격거리(t2)는 온도보상영역(14a)을 제외한 나머지 영역(14b)에서의 냉각수로(14)와 타겟(T) 간의 이격거리(t1)보다 크게 형성하는 것이 유리하다.Here, the distance t2 between the cooling water passage 14 and the target T in the temperature compensation region 14a with respect to the separation distance between the cooling water passage 14 and the target T is obtained by excluding the temperature compensation region 14a. It is advantageous to form larger than the separation distance t1 between the cooling water passage 14 and the target T in the region 14b.

이때, 온도보상영역(14a)에서의 냉각수로(14)와 타겟(T) 간의 이격거리(t2)는 온도보상영역(14a)을 제외한 나머지 영역(14b)에서의 냉각수로(14)와 타겟(T) 간의 이격거리(t1)의 2배를 넘지 않도록 하는 것이 유리하다.At this time, the distance t2 between the cooling water passage 14 and the target T in the temperature compensation region 14a is equal to the cooling water passage 14 and the target in the remaining region 14b except for the temperature compensation region 14a. It is advantageous not to exceed twice the separation distance t1 between T).

그러면, 인입구(12)에서의 냉각수 온도는 인출구(13)에서의 냉각수 온도보다 낮지만, 두 이격거리(t1, t2)의 차이에 의해 고온 고진공의 챔버(미도시) 내에서 하우징의 상면으로 전달되는 냉각수의 온도가 조절됨으로써, 인입구(12)에 대응되는 타겟(T)의 가장자리에서 본딩재(B)가 용융되어 외부로 이탈되는 현상을 방지할 수 있다. 또한, 냉각수로(14)를 이동하는 냉각수의 열전달로 인해 하우징의 상면에서 실질적으로 일정한 온도분포를 나타내도록 할 수 있게 된다.Then, the coolant temperature at the inlet 12 is lower than the coolant temperature at the outlet 13, but is transferred to the upper surface of the housing in a high temperature high vacuum chamber (not shown) by the difference between the two separation distances t1 and t2. By controlling the temperature of the cooling water, the phenomenon that the bonding material B melts at the edge of the target T corresponding to the inlet 12 may be prevented from being separated to the outside. In addition, due to the heat transfer of the cooling water moving the cooling water passage 14, it is possible to exhibit a substantially constant temperature distribution on the upper surface of the housing.

여기서 온도보상영역(14a)과 온도보상영역(14a)을 제외한 나머지 영역(14b)에서 이동되는 냉각수가 온도 차이를 나타내도록 온도보상영역(14a)에서의 냉각수 이송경로는 온도보상영역(14a)을 제외한 나머지 영역(14b)에서의 냉각수 이송경로보다 짧게 형성하는 것이 유리하다.In this case, the coolant transfer path in the temperature compensation region 14a includes the temperature compensation region 14a so that the coolant moved in the remaining region 14b except the temperature compensation region 14a and the temperature compensation region 14a exhibits a temperature difference. It is advantageous to form shorter than the cooling water transfer path in the remaining region 14b except for the above.

또한, 냉각수로(14)를 이동하는 냉각수의 유량을 제어하기 위해 냉각수로(14)의 개구단면적은 실질적으로 일정하게 형성되는 것이 유리하다.
In addition, it is advantageous that the opening end area of the cooling water channel 14 is formed to be substantially constant in order to control the flow rate of the cooling water moving in the cooling water channel 14.

본 발명의 제1실시예에서는 온도보상영역(14a)에서의 냉각수로(14) 내부의 높이에 비해 온도보상영역(14a)을 제외한 나머지 영역(14b)에서의 냉각수로(14) 내부의 높이가 높고, 온도보상영역(14a)에서의 냉각수로(14) 내부의 폭에 비해 온도보상영역(14a)을 제외한 나머지 영역(14b)에서의 냉각수로(14) 내부 폭을 좁게 함으로써, 온도보상영역(14a)에서의 냉각수로(14)와 타겟(T) 간의 이격거리(t2)는 온도보상영역(14a)을 제외한 나머지 영역(14b)에서의 냉각수로(14)와 타겟(T) 간의 이격거리(t1)보다 크게 형성되도록 하였고, 냉각수로(14)의 개구단면적은 실질적으로 일정하도록 하였다.
In the first embodiment of the present invention, the height of the interior of the cooling water passage 14 in the remaining region 14b except for the temperature compensation region 14a is higher than that of the cooling water passage 14 in the temperature compensation region 14a. The width of the temperature compensation region 14 is increased by narrowing the width of the cooling water passage 14 in the remaining region 14b except for the temperature compensation region 14a compared to the width of the cooling water passage 14 in the temperature compensation region 14a. The distance t2 between the cooling water passage 14 and the target T in 14a is the separation distance between the cooling water passage 14 and the target T in the remaining region 14b except for the temperature compensation region 14a. and larger than t1), and the opening cross-sectional area of the cooling water passage 14 was substantially constant.

지금부터는 본 발명의 제2실시예에 따른 타겟용 백플레이트에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the target back plate according to the second embodiment of the present invention will be described in detail.

첨부 도면 도 9는 본 발명의 제2실시예에 따른 타겟용 백플레이트의 평단면도이고, 도 10은 본 발명의 제2실시예에 따른 타겟용 백플레이트에서 도 9의 I-I' 선에 따른 종단면도이며, 도 11은 본 발명의 제2실시예에 따른 타겟용 백플레이트에서 도 9의 II-II' 선에 따른 종단면도이다.9 is a cross-sectional plan view of a target back plate according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a longitudinal cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 9 in a target back plate according to a second embodiment of the present invention. 11 is a longitudinal cross-sectional view taken along the line II-II 'of FIG. 9 in the target back plate according to the second embodiment of the present invention.

도 9 내지 도 11을 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 타겟용 백플레이트(P)는 상면에 도포되는 본딩재(B)에 의해 타겟(T)이 접착 고정되는 하우징으로써, 인입구(22)와 인출구(23)와 냉각수로(24)를 포함하여 구성된다.9 to 11, the target back plate P according to the second embodiment of the present invention is a housing in which the target T is adhesively fixed by a bonding material B applied on an upper surface thereof. 22), the outlet 23, and the cooling water passage 24 are configured.

인입구(22)는 하우징 측면 또는 하면에 적어도 한 개가 형성되어 냉각수가 공급되는 입구의 역할을 하고, 인출구(23)는 인입구(22)에 인접하여 하우징 측면 또는 하면에 적어도 한 개가 형성되어 냉각수가 토출되는 출구의 역할을 하게 된다. 이때, 인입구(22)와 인출구(23)는 각각 교대로 인접하도록 다수 형성되고, 각각의 인입구(22)와 인출구(23)에 각각의 냉각수로(24)가 연결되도록 할 수 있다.At least one inlet 22 is formed at the side or bottom of the housing to serve as an inlet through which cooling water is supplied, and at least one outlet 23 is formed at the side or the bottom of the housing adjacent to the inlet 22 to discharge the coolant. Act as an exit. In this case, the inlet 22 and the outlet 23 may be formed in plurality so as to alternately adjacent to each other, and each of the inlet 22 and the outlet 23 may be connected to each cooling water passage 24.

냉각수로(24)는 하우징의 내부에서 인입구(22)와 인출구(23)를 연결하여 냉각수의 이동경로를 형성한다. 이때, 냉각수로(24)는 온도보상영역(24a)과 온도보상영역(24a)을 제외한 나머지 영역(24b)으로 구분된다. 온도보상영역(24a)은 인입구(22)에 연결되는 냉각수로(24)의 일부이고, 온도보상영역(24a)을 제외한 나머지 영역(24b)은 온도보상영역(24a)에서 연장되어 인출구(23)에 연결되는 냉각수로(24)의 일부이다.The cooling water passage 24 connects the inlet 22 and the outlet 23 in the housing to form a movement path of the cooling water. At this time, the cooling water passage 24 is divided into a temperature compensation area 24a and a remaining area 24b except for the temperature compensation area 24a. The temperature compensation area 24a is a part of the cooling water passage 24 connected to the inlet port 22, and the remaining area 24b except the temperature compensation area 24a extends from the temperature compensation area 24a to extend the outlet 23. It is part of the cooling water passage 24 connected to.

본 발명의 제2실시예에서는 냉각수로(24)와 타겟(T) 간의 이격거리에 대해 온도보상영역(24a)에서의 냉각수로(24)와 타겟(T) 간의 이격거리(t2)는 온도보상영역(24a) 내에서 인입구(22) 측으로부터 점점 줄어들도록 하고, 온도보상영역(24a)을 제외한 나머지 영역(24b)에서의 냉각수로(24)와 타겟(T) 간의 이격거리(t1)는 온도보상영역(24a)을 제외한 나머지 영역(24b) 내에서 실질적으로 일정하게 유지하도록 하고 있다.In the second embodiment of the present invention, the distance t2 between the cooling water passage 24 and the target T in the temperature compensation region 24a is determined by the temperature compensation with respect to the separation distance between the cooling water passage 24 and the target T. In the region 24a, the distance from the inlet 22 side decreases gradually, and the distance t1 between the cooling water passage 24 and the target T in the remaining region 24b except for the temperature compensation region 24a is determined by the temperature. It is made to remain substantially constant in the remaining area 24b except the compensation area 24a.

그러면, 본 발명의 제2실시예에 따른 타겟용 백플레이트(P)는 인입구(22)를 통해 공급된 냉각수가 냉각수로(24)를 따라 이동된 후 인출구(23)를 통해 토출됨으로써, 타겟(T)에서 발생하는 열을 냉각시켜 주게 된다.Then, the target back plate P according to the second embodiment of the present invention is discharged through the outlet 23 after the cooling water supplied through the inlet 22 is moved along the cooling water passage 24, thereby the target ( It cools the heat generated in T).

특히, 온도보상영역(24a)에 의해 하우징의 상면 온도가 조절되어 타겟(T)에서 발생하는 열을 고르게 냉각시키게 된다. 다시 말해, 인입구(22)를 통해 공급되는 냉각수가 온도보상영역(24a)을 통과하면서 하우징의 상면 온도를 조절하게 되므로, 인입구(22)에 대응되는 타겟(T)의 가장자리에서 본딩재(B)가 용융되어 외부로 이탈되는 현상을 방지할 수 있는 것이다.In particular, the temperature of the upper surface of the housing is controlled by the temperature compensation region 24a to cool the heat generated by the target T evenly. In other words, since the coolant supplied through the inlet 22 passes through the temperature compensation region 24a to adjust the temperature of the upper surface of the housing, the bonding material B at the edge of the target T corresponding to the inlet 22. Is melted to prevent the phenomenon of leaving the outside.

여기서 냉각수로(24)와 타겟(T) 간의 이격거리에 대해 온도보상영역(24a)에서의 냉각수로(24)와 타겟(T) 간의 이격거리(t2)는 온도보상영역(24a)을 제외한 나머지 영역(24b)에서의 냉각수로(24)와 타겟(T) 간의 이격거리(t1)보다 크게 형성하는 것이 유리하다.Here, the distance t2 between the cooling water passage 24 and the target T in the temperature compensation region 24a with respect to the separation distance between the cooling water passage 24 and the target T is the remainder except for the temperature compensation region 24a. It is advantageous to form larger than the separation distance t1 between the cooling water passage 24 and the target T in the region 24b.

이때, 온도보상영역(24a)에서의 냉각수로(24)와 타겟(T) 간의 이격거리(t2)는 온도보상영역(24a)을 제외한 나머지 영역(24b)에서의 냉각수로(24)와 타겟(T) 간의 이격거리(t1)의 2배를 넘지 않도록 하는 것이 유리하다.At this time, the distance t2 between the cooling water passage 24 and the target T in the temperature compensation region 24a is equal to the cooling water passage 24 and the target in the remaining region 24b except for the temperature compensation region 24a. It is advantageous not to exceed twice the separation distance t1 between T).

그러면, 인입구(22)에서의 냉각수 온도는 인출구(23)에서의 냉각수 온도보다 낮지만, 두 이격거리(t1, t2)의 차이에 의해 고온 고진공의 챔버(미도시) 내에서 하우징의 상면으로 전달되는 냉각수의 온도가 조절됨으로써, 인입구(22)에 대응되는 타겟(T)의 가장자리에서 본딩재(B)가 용융되어 외부로 이탈되는 현상을 방지할 수 있다. 또한, 냉각수로(24)를 이동하는 냉각수의 열전달로 인해 하우징의 상면에서 실질적으로 일정한 온도분포를 나타내도록 할 수 있게 된다.Then, the coolant temperature at the inlet 22 is lower than the coolant temperature at the outlet 23, but is transferred to the upper surface of the housing in a high temperature high vacuum chamber (not shown) by the difference of the two separation distances t1 and t2. By controlling the temperature of the cooling water, the phenomenon that the bonding material B melts at the edge of the target T corresponding to the inlet 22 may be prevented from being separated to the outside. In addition, due to the heat transfer of the cooling water moving the cooling water passage 24, it is possible to exhibit a substantially constant temperature distribution on the upper surface of the housing.

여기서 온도보상영역(24a)과 온도보상영역(24a)을 제외한 나머지 영역(24b)에서 이동되는 냉각수가 온도 차이를 나타내도록 온도보상영역(24a)에서의 냉각수 이송경로는 온도보상영역(24a)을 제외한 나머지 영역(24b)에서의 냉각수 이송경로보다 짧게 형성하는 것이 유리하다.In this case, the coolant transfer path in the temperature compensation region 24a displays the temperature compensation region 24a so that the coolant moving in the remaining region 24b except for the temperature compensation region 24a and the temperature compensation region 24a exhibits a temperature difference. It is advantageous to form shorter than the cooling water transfer path in the remaining region 24b.

또한, 냉각수로(24)를 이동하는 냉각수의 유량을 제어하기 위해 냉각수로(24)의 개구단면적은 실질적으로 일정하게 형성되는 것이 유리하다.
In addition, it is advantageous that the opening cross-sectional area of the cooling water passage 24 is substantially constant in order to control the flow rate of the cooling water moving in the cooling water passage 24.

본 발명의 제2실시예에서는 온도보상영역(24a)에서의 냉각수로(24) 내부의 높이에 비해 온도보상영역(24a)을 제외한 나머지 영역(24b)에서의 냉각수로(24) 내부의 높이가 높고, 온도보상영역(24a)에서의 냉각수로(24) 내부의 폭에 비해 온도보상영역(24a)을 제외한 나머지 영역(24b)에서의 냉각수로(24) 내부 폭을 좁게 함으로써, 온도보상영역(24a)에서의 냉각수로(24)와 타겟(T) 간의 이격거리(t2)는 온도보상영역(24a)을 제외한 나머지 영역(24b)에서의 냉각수로(24)와 타겟(T) 간의 이격거리(t1)보다 크게 형성되도록 하였고, 냉각수로(24)의 개구단면적은 실질적으로 일정하도록 하였다.
In the second embodiment of the present invention, the height inside the cooling water passage 24 in the remaining region 24b except for the temperature compensation region 24a is higher than the height inside the cooling water passage 24 in the temperature compensation region 24a. The width of the temperature compensation region 24 is increased by narrowing the width of the cooling water passage 24 in the remaining region 24b except for the temperature compensation region 24a as compared with the width of the cooling water passage 24 in the temperature compensation region 24a. The distance t2 between the cooling water passage 24 and the target T in 24a is the separation distance between the cooling water passage 24 and the target T in the remaining region 24b except for the temperature compensation region 24a. and larger than t1), and the opening cross-sectional area of the cooling water passage 24 was substantially constant.

본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.The scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be embodied in various forms of embodiments within the scope of the appended claims. Without departing from the gist of the invention claimed in the claims, it is intended that any person skilled in the art to which the present invention pertains falls within the scope of the claims described in the present invention to various extents which can be modified.

T: 타겟 B: 본딩재 P: 백플레이트
12, 22: 인입구 13, 23: 인출구 14, 24: 냉각수로
14a, 24a: 온도보상영역 14b, 24b: 온도보상영역을 제외한 나머지 영역T: Target B: Bonding Material P: Backplate
12, 22: inlet 13, 23: outlet 14, 24: cooling water passage
14a, 24a: temperature compensation area 14b, 24b: remaining area except temperature compensation area

Claims (7)

상면에 도포되는 본딩재에 의해 타겟이 접착 고정되는 하우징;
상기 하우징 측면 또는 하면에 형성되고 냉각수가 공급되는 적어도 한 개의 인입구;
상기 인입구와 인접하여 형성되고 냉각수가 토출되는 적어도 한 개의 인출구;
냉각수의 이송경로를 형성하도록 상기 하우징 내부에서 상기 인입구와 인출구를 연결하되, 상기 인입구 측으로부터 상기 하우징의 상면 온도가 조절되는 온도보상영역이 포함되는 냉각수로;를 포함하여 구성되는 타겟용 백플레이트.A housing to which the target is adhesively fixed by a bonding material applied to an upper surface;
At least one inlet formed at the side or bottom of the housing and supplied with cooling water;
At least one outlet formed adjacent to the inlet and for discharging cooling water;
And a cooling water passage connecting the inlet and the outlet to the inside of the housing to form a transfer path of the coolant, and including a temperature compensation region in which an upper surface temperature of the housing is adjusted from the inlet side. 제1항에 있어서,
상기 온도보상영역에서의 상기 냉각수로와 상기 타겟 간의 이격거리는 상기 온도보상영역을 제외한 나머지 영역에서의 상기 냉각수로와 상기 타겟 간의 이격거리보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 타겟용 백플레이트.The method of claim 1,
The separation distance between the cooling water passage and the target in the temperature compensation region is greater than the separation distance between the cooling water passage and the target in the remaining region other than the temperature compensation region. 제2항에 있어서,
상기 온도보상영역에서의 상기 냉각수로와 상기 타겟 간의 이격거리는 상기 온도보상영역을 제외한 나머지 영역에서의 상기 냉각수로와 상기 타겟 간의 이격거리의 2배를 넘지 않는 것을 특징으로 하는 타겟용 백플레이트.The method of claim 2,
And the separation distance between the cooling water path and the target in the temperature compensation area is not more than twice the separation distance between the cooling water path and the target in the remaining areas except the temperature compensation area. 제2항에 있어서,
상기 온도보상영역에서의 상기 냉각수로와 상기 타겟 간의 이격거리는 상기 온도보상영역 내에서 실질적으로 일정한 것을 특징으로 하는 타겟용 백플레이트.The method of claim 2,
And the separation distance between the cooling water passage and the target in the temperature compensation region is substantially constant within the temperature compensation region. 제2항에 있어서,
상기 온도보상영역에서의 상기 냉각수로와 상기 타겟 간의 이격거리는 상기 온도보상영역 내에서 상기 인입구 측으로부터 점점 줄어드는 것을 특징으로 하는 타겟용 백플레이트.The method of claim 2,
And the separation distance between the cooling water passage and the target in the temperature compensation region decreases gradually from the inlet side in the temperature compensation region. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 온도보상영역에서의 냉각수 이송경로는 상기 온도보상영역을 제외한 나머지 영역에서의 냉각수 이송경로보다 짧게 형성되는 것을 특징으로 하는 타겟용 백플레이트.The method according to any one of claims 1 to 5,
The cooling water transfer path in the temperature compensation region is shorter than the cooling water transfer path in the remaining region other than the temperature compensation region. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 냉각수로의 개구단면적은 실질적으로 일정하게 형성되는 것을 특징으로 하는 타겟용 백플레이트.The method according to any one of claims 1 to 5,
A back plate for a target, characterized in that the opening cross-sectional area to the cooling water is formed substantially constant.
KR1020100060079A 2010-06-24 2010-06-24 backing plate for target KR101140014B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100060079A KR101140014B1 (en) 2010-06-24 2010-06-24 backing plate for target

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100060079A KR101140014B1 (en) 2010-06-24 2010-06-24 backing plate for target

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110139945A KR20110139945A (en) 2011-12-30
KR101140014B1 true KR101140014B1 (en) 2012-05-02

Family

ID=45505252

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100060079A KR101140014B1 (en) 2010-06-24 2010-06-24 backing plate for target

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101140014B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101340221B1 (en) * 2012-04-17 2013-12-10 하이디스 테크놀로지 주식회사 Sputtering device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000219963A (en) 1999-01-29 2000-08-08 Vacuum Metallurgical Co Ltd Backing plate for sputtering device
JP2002220661A (en) 2001-01-29 2002-08-09 Sharp Corp Backing plate used in sputtering apparatus, and sputtering method
JP2006342367A (en) 2005-06-07 2006-12-21 Hitachi Cable Ltd Cooling plate

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000219963A (en) 1999-01-29 2000-08-08 Vacuum Metallurgical Co Ltd Backing plate for sputtering device
JP2002220661A (en) 2001-01-29 2002-08-09 Sharp Corp Backing plate used in sputtering apparatus, and sputtering method
JP2006342367A (en) 2005-06-07 2006-12-21 Hitachi Cable Ltd Cooling plate

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110139945A (en) 2011-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2438083C2 (en) Cover of furnace for intake of melt material, in particular, metal, and furnace for intake of melt material
JP5492120B2 (en) Evaporation source and vapor deposition equipment
US7878386B2 (en) Method and device for heat treatment, especially connection by soldering
JP2002220661A (en) Backing plate used in sputtering apparatus, and sputtering method
KR101079621B1 (en) Glueless type connecting structure of target and backing plate
JP5015241B2 (en) Dummy substrate and method for starting film forming apparatus using the same, method for maintaining / changing film forming conditions, and stopping method
US20150170887A1 (en) Low deflection sputtering target assembly and methods of making same
KR101140014B1 (en) backing plate for target
CN103562663B (en) System and method for casting metal materials
JP2015183229A (en) Vacuum vapor deposition apparatus
KR102082193B1 (en) Measuring assembly for measuring deposition rate and method therefor
JP2003183822A (en) Sputtering target and manufacturing method therefor
JP2011075183A (en) Water-cooled jacket, and furnace body cooling structure and method using the same
JP5699729B2 (en) Strip glass molding apparatus and molding method
JP5198925B2 (en) Sputtering target
JP2010161207A (en) Soldering method and soldering equipment
US8123088B2 (en) Dispensing assembly with a controlled gas environment
KR101584501B1 (en) Apparatus for cooling coated strip
JPH08246144A (en) Backing plate assembly parts for sputtering target
JP2010182599A (en) Method and apparatus for forming film on collector for lithium ion battery
CN103314129A (en) Cathode
KR100959566B1 (en) Electrostatic Chuck System and Electrostatic Chuck having a improved cooling system
RU2418649C2 (en) Coated crystalliser
US8133367B1 (en) Sputtering system and method using a loose granular sputtering target
CN100465562C (en) Arrangement and method for tapping a molten phase from a smelting furnace

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160323

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170321

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180316

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190326

Year of fee payment: 8