KR101138611B1 - Apparatus for treating Substrate including Injectior - Google Patents

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Abstract

본 발명은 회전형 인젝터의 단부에서 기판 상에 포물선으로 가스를 분사할 수 있는 인젝터를 포함한 기판처리장치에 관한 것으로, 반응공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내부에 기판이 안치되는 기판 안치대; 상기 기판 상에 가스를 공급하기 위해 다수의 제 1 분사홀을 포함하는 회전형 인젝터; 상기 회전형 인젝터의 양단에 설치되며, 상기 기판 상에 포물선 형태로 가스를 공급하는 다수의 제 2 분사홀을 포함하는 측면부;를 포함하는 것을 특징으로 한다. The present invention relates to a substrate processing apparatus including an injector capable of injecting gas into a parabola on a substrate at an end of a rotatable injector, comprising: a chamber providing a reaction space; A substrate holder for placing a substrate in the chamber; A rotatable injector including a plurality of first injection holes for supplying gas onto the substrate; And a side portion provided at both ends of the rotatable injector and including a plurality of second injection holes for supplying a gas in a parabolic form on the substrate.

회전형 인젝터, 분사홀, 기판처리장치, 측면부 Rotary injector, injection hole, substrate processing device, side part

Description

인젝터를 포함한 기판처리장치{Apparatus for treating Substrate including Injectior}Apparatus for treating Substrate including Injectior}

본 발명은 인젝터를 포함하는 기판처리장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 회전형 인젝터을 기판의 직경 또는 대각선의 길이보다 짧게 형성하고, 회전형 인젝터의 단부에서 기판 상에 포물선으로 가스를 분사할 수 있는 인젝터를 포함한 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus including an injector, and more particularly, an injector capable of forming a rotary injector shorter than a diameter or a diagonal length of a substrate and injecting a gas into a parabola on a substrate at an end of the rotary injector. It relates to a substrate processing apparatus including a.

일반적으로 유기발광소자를 포함한 평면표시장치는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝하는 식각공정 등을 거치게 되며, 최적의 환경으로 설계된 기판처리장치의 내부에서 진행된다. 박막증착공정에 사용하는 기판처리장치에서, 기판 상에 반응가스, 소스가스 및 퍼지가스를 공급하기 위한 가스 공급장치가 설치되며, 기판 상에 균일하게 분사되어야 한다. In general, a flat panel display device including an organic light emitting device is a thin film deposition process for depositing a thin film of a specific material on the substrate, a photo process using a photosensitive material to expose or conceal a selected region of the thin film, and to remove the thin film of the selected region The patterning process is performed through an etching process such as patterning, and is performed in a substrate processing apparatus designed for an optimal environment. In the substrate processing apparatus used for the thin film deposition process, a gas supply device for supplying the reaction gas, the source gas and the purge gas is provided on the substrate, and must be uniformly sprayed on the substrate.

도 1은 종래기술의 기판처리장치의 단면도이고, 도 2는 종래기술의 회전형 인젝터의 개략도이고, 도 3은 종래기술의 회전형 인젝터의 배면도이고, 도 4는 종래기술의 회전형 인젝터와 기판의 관계도이다. 1 is a cross-sectional view of a conventional substrate processing apparatus, FIG. 2 is a schematic view of a conventional rotary injector, FIG. 3 is a rear view of a conventional rotary injector, and FIG. 4 is a conventional rotary injector and It is a relationship diagram of a board | substrate.

도 1과 같이, 기판처리장치(10)는 외부와 밀폐된 반응영역을 정의하는 챔버(12)와, 챔버(12)의 상부에 설치되는 회전형 인젝터(14)와, 회전형 인젝터(14) 하부에 위치하며 기판(16)을 안치하는 기판 안치대(18)과, 회전형 인젝터(14)에 가스를 공급하는 가스 공급관(20)으로 구성된다. 도 2와 같이, 회전형 인젝터(14)의 중심부에는 가스 공급관(20)이 연결되며, 가스 공급관(20)을 통하여 공급되는 가스를 회전형 인젝터(14)가 회전하면서 기판(16) 상에 균일하게 분사시킨다. As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 includes a chamber 12 defining a reaction region sealed to the outside, a rotary injector 14 installed above the chamber 12, and a rotary injector 14. It is composed of a substrate support 18 located in the lower portion and the substrate 16 is placed, and a gas supply pipe 20 for supplying gas to the rotary injector 14. As shown in FIG. 2, a gas supply pipe 20 is connected to a central portion of the rotary injector 14, and the gas supplied through the gas supply pipe 20 rotates uniformly on the substrate 16 while the rotary injector 14 rotates. Spray it.

회전형 인젝터(14)의 배면에는 가스를 기판(16) 상에 공급하기 위한 다수의 분사홀(34)이 일정간격을 두고 분포된다. 도 1과 같이, 회전형 인젝터(14)의 다수의 분사홀(34)을 통하여, 가스가 기판(16) 상에 수직으로 가스가 공급되어 박막(도시하지 않음)이 증착된다. On the rear surface of the rotary injector 14, a plurality of injection holes 34 for supplying gas onto the substrate 16 are distributed at regular intervals. As shown in FIG. 1, through a plurality of injection holes 34 of the rotary injector 14, gas is vertically supplied onto the substrate 16 to deposit a thin film (not shown).

기판(16) 상에 균일하게 가스를 분포시키기 위해, 도 4와 같이, 회전형 인젝터(14)의 길이는 기판(16)이 원형인 경우는 기판(16)의 직경과 동일하거나 크고, 기판(16)이 장방형인 경우는 기판(16)의 대각선보다 동일하거나 크다. 만약, 기 판(16)의 직경 또는 대각선 길이보다 작다면, 기판(16)에서 단부영역은 박막이 증착되지 않게 된다. 종래기술에서는 회전형 인젝터(14)의 길이를 기판(16)의 직경 또는 대각선 길이에 대응되게 형성하므로, 챔버(12)의 크기는 회전형 인젝터(14)의 길이에 비례한다. In order to distribute the gas uniformly on the substrate 16, as shown in FIG. 4, the length of the rotary injector 14 is equal to or larger than the diameter of the substrate 16 when the substrate 16 is circular. In the case where the rectangle 16 is rectangular, it is equal to or larger than the diagonal of the substrate 16. If the diameter of the substrate 16 is smaller than the diameter or the diagonal length, the end region of the substrate 16 does not have a thin film deposited thereon. In the related art, since the length of the rotatable injector 14 is formed to correspond to the diameter or diagonal length of the substrate 16, the size of the chamber 12 is proportional to the length of the rotatable injector 14.

따라서, 기판(16)의 대각선 길이를 기준으로 챔버(12)를 제작하기 때문에, 불필요한 체적을 포함하며, 회전형 인젝터(14)가 기판(16)이 장방형인 경우, 기판(16)의 단축을 회전할 때, 박막의 증착에 기여하지 않는 가스로 인해 가스의 소모량이 증가하며, 또한 챔버(12)를 진공배기하기 위한 펌프의 용량도 증가하여야 한다. 종래기술과 같은 회전형 인젝터를 사용하게 되면, 기판처리장치의 운영비용과 장비제작 비용이 증가하는 문제가 있다. Therefore, since the chamber 12 is manufactured on the basis of the diagonal length of the substrate 16, the chamber 12 includes unnecessary volume, and when the rotary injector 14 has a rectangular shape of the substrate 16, the shortening of the substrate 16 is reduced. When rotating, the gas consumption does not increase due to the gas not contributing to the deposition of the thin film, and the capacity of the pump for evacuating the chamber 12 must also increase. When using a rotary injector as in the prior art, there is a problem that the operating cost and equipment manufacturing cost of the substrate processing apparatus increases.

상기와 같은 종래기술의 문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 기판의 직경 또는 대각선의 길이보다 짧은 길이의 회전형 인젝터를 설치하는 것에 의해, 챔버의 체적과 가스 소모량을 감소시키는 회전형 인젝터를 포함한 기판처리장치에 관한 것이다.In order to solve the above problems of the prior art, the present invention provides a substrate including a rotary injector for reducing the volume and gas consumption of the chamber by installing a rotary injector of a length shorter than the diameter of the substrate or the length of the diagonal. It relates to a processing apparatus.

본 발명은 회전형 인젝터의 측면부에 기판 상에 포물선을 그리며 가스를 분사할 수 있는 다수의 분사홀을 설치하여, 회전형 인젝터의 길이를 감소시킬 수 있는 회전형 인젝터를 포함한 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus including a rotatable injector capable of reducing the length of the rotatable injector by installing a plurality of injection holes capable of injecting gas by drawing a parabola on the side of the rotatable injector. .

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 인젝터를 포함한 기판처리장치는, 반응공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내부에 기판이 안치되는 기판 안치대; 상기 기판 상에 가스를 공급하기 위해 다수의 제 1 분사홀을 포함하는 회전형 인젝터; 상기 회전형 인젝터의 양단에 설치되며, 상기 기판 상에 포물선 형태로 가스를 공급하는 다수의 제 2 분사홀을 포함하는 측면부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Substrate processing apparatus including an injector according to the present invention for achieving the above object, the chamber for providing a reaction space; A substrate holder for placing a substrate in the chamber; A rotatable injector including a plurality of first injection holes for supplying gas onto the substrate; And a side portion provided at both ends of the rotatable injector and including a plurality of second injection holes for supplying a gas in a parabolic form on the substrate.

상기와 같은 인젝터를 포함하는 기판처리장치에 있어서, 상기 측면부는 상기 회전형 인젝터와 수직방향으로 돌출되는 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus including the injector as described above, the side surface portion is characterized in that it comprises a projection projecting in the vertical direction with the rotatable injector.

상기와 같은 인젝터를 포함하는 기판처리장치에 있어서, 상기 측면부는 상기 회전형 인젝터와 연결되는 부분을 제외하고 밀폐되어 있는 것을 특징으로 한다.In the substrate treating apparatus including the injector as described above, the side surface portion is sealed except for a portion connected to the rotatable injector.

상기와 같은 인젝터를 포함하는 기판처리장치에 있어서, 상기 측면부는 상기 회전형 인젝터의 높이와 동일한 직경을 가지는 원통관이 상기 회전형 인젝터의 단부와 수직으로 연결되며, 상기 다수의 제 2 분사홀은 상기 기판과 평행한 상기 측면부의 직경 하부에 형성되는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus including the injector as described above, the side portion is a cylindrical tube having a diameter equal to the height of the rotatable injector is vertically connected to the end of the rotatable injector, the plurality of second injection holes It is characterized in that formed in the lower diameter of the side portion parallel to the substrate.

상기와 같은 인젝터를 포함한 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 제 1 분사홀은 상기 기판과 수직으로 설치되고, 상기 다수의 제 2 분사홀은 상기 기판과 수직한 기준선에 대하여 0 내지 90°인 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus including the injector as described above, wherein the plurality of first injection holes are installed perpendicular to the substrate, the plurality of second injection holes are 0 to 90 degrees with respect to the reference line perpendicular to the substrate. It features.

상기와 같은 인젝터를 포함한 기판처리장치에 있어서, 상기 회전형 인젝터는 반응가스, 퍼지가스, 및 소스가스를 각각 공급하는 제 1, 제 2, 및 제 3 서브 인젝터를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus including the injector as described above, the rotary injector may include first, second, and third sub-injectors for supplying a reaction gas, a purge gas, and a source gas, respectively.

상기와 같은 인젝터를 포함한 기판처리장치에 있어서, 상기 회전형 인젝터는 상기 기판의 직경 또는 대각선의 길이와 동일하거나 작은 길이를 가지는 것을 특징으로 한다. In the substrate processing apparatus including the injector as described above, the rotary injector is characterized in that it has a length equal to or less than the length of the diameter or the diagonal of the substrate.

본 발명의 실시예에 따른 인젝터를 포함한 기판처리장치는 다음과 같은 효과가 있다. Substrate processing apparatus including an injector according to an embodiment of the present invention has the following effects.

기판처리장치에서, 회전형 인젝터의 길이를 기판의 직경 또는 대각선의 길이보다 짧게 설치하므로, 기판의 대각선 길이와 대응되는 길이로 회전형 인젝터를 제작하는 종래기술과 비교하여, 챔버의 체적을 감소시킬 수 있어, 가스의 소모량 및 장비운영비용을 감소시킬 수 있다. 또한 챔버에서 기판의 입반출에 대한 이동거리가 감소되어 생산성이 개선된다. In the substrate processing apparatus, since the length of the rotary injector is set to be shorter than the diameter of the substrate or the length of the diagonal, the volume of the chamber can be reduced as compared with the prior art of manufacturing the rotary injector with a length corresponding to the diagonal length of the substrate. Can reduce the gas consumption and equipment operating costs. In addition, the travel distance with respect to the input and output of the substrate in the chamber is reduced, thereby improving productivity.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 발명에 따른 기판의 장축방향으로 회전형 인젝터가 위치한 회전형 인젝터와 기판의 관계도이고, 도 6은 본 발명에 따른 기판의 대각선 방향으로 회전형 인젝터가 위치한 회전형 인젝터와 기판의 관계도이고, 도 7은 도 6의 A-A'로 절단한 본 발명에 따른 기판처리장치의 단면도이고, 도 8은 본 발명에 따른 회전형 인젝터의 사시도이고, 도 9는 본 발명에 따른 회전형 인젝터의 측부 상세도이고, 도 10은 본 발명에 따른 측면부와 기판의 관계도이다.5 is a diagram illustrating a relationship between a rotary injector and a substrate in which the rotary injector is positioned in the long axis direction of the substrate according to the present invention, and FIG. Fig. 7 is a cross-sectional view of the substrate treating apparatus according to the present invention cut by A-A 'of Fig. 6, Fig. 8 is a perspective view of a rotary injector according to the present invention, and Fig. 9 is a sectional view of the present invention. Side detail view of a typical injector, and FIG. 10 is a relational view of a side portion and a substrate according to the present invention.

도 7과 같이, 기판처리장치(110)는 외부와 밀폐된 반응영역을 정의하는 챔버(112)와, 챔버(112)의 상부에 설치되는 회전형 인젝터(114)와, 회전형 인젝터(114) 하부에 위치하며 기판(116)을 안치하는 기판 안치대(118)과, 회전형 인젝터(114)에 가스를 공급하는 가스 공급관(120)으로 구성된다. 회전형 인젝터(114)는 기판(116)의 직경 또는 대각선과 동일하거나 작은 길이로 제작된다. 도 8과 같이, 회전형 인젝터(114)의 중심부에는 가스 공급관(120)이 연결되며, 가스 공급관(120)을 통하여 일정한 압력에 의해 공급되는 가스를 회전형 인젝터(114)가 회전하면서 기판(116) 상에 균일하게 분사시킨다. As shown in FIG. 7, the substrate processing apparatus 110 includes a chamber 112 defining a reaction area sealed to the outside, a rotatable injector 114 installed above the chamber 112, and a rotatable injector 114. It is composed of a substrate support 118 positioned below the substrate 116 and the gas supply pipe 120 for supplying gas to the rotary injector 114. The rotatable injector 114 is fabricated to a length equal to or less than the diameter or diagonal of the substrate 116. As shown in FIG. 8, the gas supply pipe 120 is connected to the center of the rotatable injector 114, and the substrate 116 is rotated while the rotatable injector 114 rotates the gas supplied by a constant pressure through the gas supply pipe 120. Spray uniformly on

가스 공급관(120)에는 반응가스를 공급하는 제 1 가스관(122), 퍼지가스를 공급하는 제 2 가스관(124) 및 소스 가스를 공급하는 제 3 가스관(126)을 포함한다. 제 1 가스관(122)은 제 1 서브 인젝터(128)와 연결되고, 제 2 가스관(124)은 제 2 서브 인젝터(130)와 연결되고, 제 3 가스관(126)은 제 3 서브 인젝터(132)와 연결된다. 그리고, 제 1, 제 2 및 제 3 서브 인젝터(128, 130, 132)의 배면에는 가스를 기판(116) 상에 공급하기 위한 다수의 제 1 분사홀(134)이 일정간격을 두고 분포하고, 제 1, 제 2 및 제 3 서브 인젝터(128, 130, 132)의 각각의 양단에는 회전형 인젝터(114)의 길이방향과 수직한 측면부(140)가 설치된다. The gas supply pipe 120 includes a first gas pipe 122 for supplying a reaction gas, a second gas pipe 124 for supplying a purge gas, and a third gas pipe 126 for supplying a source gas. The first gas pipe 122 is connected to the first sub injector 128, the second gas pipe 124 is connected to the second sub injector 130, and the third gas pipe 126 is connected to the third sub injector 132. Connected with. The first, second, and third sub injectors 128, 130, and 132 have a plurality of first injection holes 134 for supplying a gas onto the substrate 116 at a rear surface of the first, second, and third sub injectors. At both ends of each of the first, second and third sub injectors 128, 130 and 132, side portions 140 perpendicular to the longitudinal direction of the rotatable injector 114 are provided.

측면부(140)는 제 1, 제 2 및 제 3 서브 인젝터(128, 130, 132)의 각각과 연결되는 부분을 제외하고 밀폐되어 있으며, 외곽방향으로 다수의 제 2 분사홀(146)이 형성된다. 측면부(140)는 제 1, 제 2 및 제 3 서브 인젝터(128, 130, 132)의 수직방향으로 돌출되는 돌출부(142)를 포함할 수 있다. 돌출부(142)의 체적을 조절하여 측면부(140)에서 분사되는 가스의 분사거리를 제어할 수 있다. 측면부(140)는 제 1, 제 2 및 제 3 서브 인젝터(128, 130, 132)의 각각과 동일한 직경을 가지는 원통관이 그의 단부와 수직으로 연결되며, 다수의 제 2 분사홀(146)은 기판(116)과 평행한 측면부(140)의 직경 하부에 형성된다. The side portion 140 is sealed except for portions connected to each of the first, second and third sub injectors 128, 130, and 132, and a plurality of second injection holes 146 are formed in the outward direction. . The side part 140 may include protrusions 142 protruding in the vertical direction of the first, second and third sub injectors 128, 130, and 132. The injection distance of the gas injected from the side part 140 may be controlled by adjusting the volume of the protrusion 142. Side portion 140 is a cylindrical tube having the same diameter as each of the first, second and third sub-injector (128, 130, 132) is vertically connected to the end thereof, the plurality of second injection holes (146) It is formed below the diameter of the side portion 140 parallel to the substrate 116.

도 9 및 도 10과 같이, 다수의 제 2 분사홀(146)이 설치되는 측면부(140)와 기판(116)과 수직한 기준선(144) 사이의 각도는 0 내지 90°이다. 제 2 분사홀(146)이 기판(116)과 평행한 측면부(140)의 직경 상에 형성되었을 때, 기준선(144)과 제 2 분사홀(146)이 위치한 측면부(140)는 0°가 되고, 기판(116)과 수직한 기준선(144)과 평행한 측면부(140)의 직경 상에 제 2 분사홀(146)이 형성되었을 때, 기준선(144)과 제 2 분사홀(146)이 위치한 측면부(140)의 각도가 90°이다. 제 2 분사홀(146)의 밀도, 간격 및 기판(116)과 수직한 기준선(144) 사이의 각도는 기판(116) 상에 형성되는 박막 및 가스의 압력에 따라 설계한다. 9 and 10, the angle between the side portion 140 on which the plurality of second injection holes 146 are installed and the reference line 144 perpendicular to the substrate 116 is 0 to 90 °. When the second injection hole 146 is formed on the diameter of the side portion 140 parallel to the substrate 116, the side portion 140 where the reference line 144 and the second injection hole 146 are located becomes 0 °. When the second injection hole 146 is formed on the diameter of the side portion 140 parallel to the reference line 144 perpendicular to the substrate 116, the side portion at which the reference line 144 and the second injection hole 146 are located is located. The angle of 140 is 90 degrees. The density, spacing, and angle between the second injection hole 146 and the reference line 144 perpendicular to the substrate 116 are designed according to the pressure of the thin film and the gas formed on the substrate 116.

도 7과 같이, 제 1, 제 2 및 제 3 서브 인젝터(128, 130, 132)의 회전에 의해, 다수의 제 1 분사홀(134) 및 다수의 제 2 분사홀(146)을 통하여, 반응, 퍼지, 및 소스가스의 순서로 기판(116) 상에 가스가 공급되어 박막(도시하지 않음)이 증착된다. 기판(116) 상에 균일하게 가스를 분포시키기 위해, 도 5 및 도 6과 같이, 회전형 인젝터(114)의 길이는 기판(116)의 직경 또는 대각선의 길이와 동일하거나 작게 형성한다. As shown in FIG. 7, the reaction is performed through the plurality of first injection holes 134 and the plurality of second injection holes 146 by the rotation of the first, second and third sub injectors 128, 130, and 132. The gas is supplied onto the substrate 116 in the order of the order of purge, source, and source gas to deposit a thin film (not shown). In order to distribute the gas evenly on the substrate 116, as shown in FIGS. 5 and 6, the length of the rotatable injector 114 is formed equal to or smaller than the diameter of the substrate 116 or the length of the diagonal.

도 5에서, 회전형 인젝터(114)가 회전하는 제 1 영역(150)은, 가스가 다수의 제 1 분사홀(134)를 통하여 기판(116)과 수직하게 공급되고, 회전형 인젝터(114)가 회전하는 제 1 영역(150)과 동심원을 그리며, 제 1 영역(150)의 외곽에 있는 제 2 영역(152)은 회전형 인젝터(114)의 측면부(140)에 설치되는 다수의 제 2 분사홀(146)을 통하여 포물선의 형태로 공급된다. 제 1 영역(150)과 제 2 영역(152) 사이의 거리가 다수의 제 2 분사홀(146)을 통하여 공급되는 가스의 비거리이다. 비거리는 측면부(140)에 설치되는 다수의 제 2 분사홀(146)과 기판(116)과 수직한 기준선(144)와 이루는 각도에 의존한다. 회전형 인젝터(114)를 설계할 때, 측면부(140)에서 분사되는 가스의 비거리를 고려한다.In FIG. 5, the first region 150 in which the rotatable injector 114 rotates is supplied with gas perpendicularly to the substrate 116 through the plurality of first injection holes 134, and the rotatable injector 114 is rotated. Is concentric with the rotating first region 150, the second region 152 on the outside of the first region 150 is a plurality of second injection is installed on the side portion 140 of the rotatable injector 114 It is supplied in the form of a parabola through the hole 146. The distance between the first region 150 and the second region 152 is a distance of gas supplied through the plurality of second injection holes 146. The flying distance depends on the angle formed by the plurality of second injection holes 146 installed in the side part 140 and the reference line 144 perpendicular to the substrate 116. When designing the rotary injector 114, the distance of the gas injected from the side portion 140 is taken into account.

회전형 인젝터(114)의 길이를 기판(116)의 직경 또는 대각선의 길이보다 짧게 형성하므로, 종래기술과 다르게, 챔버(112)의 체적을 감소시킬 수 있다. 따라서, 챔버(112)의 체적이 감소하기 때문에, 가스의 소모량 및 챔버(112)의 진공배기를 위한 펌프의 용량를 감소시켜 기판처리장치의 운영비용과 장비제작비용이 절감할 수 있다. 그리고, 챔버(112)에서 기판(116)의 입반출에 대한 이동거리가 감소되어 생산성이 개선된다. Since the length of the rotatable injector 114 is formed to be shorter than the diameter of the substrate 116 or the length of the diagonal, the volume of the chamber 112 can be reduced unlike the prior art. Therefore, since the volume of the chamber 112 is reduced, the operating cost and equipment manufacturing cost of the substrate processing apparatus can be reduced by reducing the gas consumption and the capacity of the pump for evacuating the chamber 112. In addition, the movement distance with respect to the input / output of the substrate 116 in the chamber 112 is reduced, thereby improving productivity.

도 1은 종래기술의 기판처리장치의 단면도1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus of the prior art.

도 2는 종래기술의 회전형 인젝터의 개략도2 is a schematic diagram of a prior art rotary injector

도 3은 종래기술의 회전형 인젝터의 배면도3 is a rear view of a rotary injector of the prior art;

도 4는 종래기술의 회전형 인젝터와 기판의 관계도4 is a relational view of a conventional rotary injector and a substrate

도 5는 본 발명에 따른 기판의 장축방향으로 회전형 인젝터가 위치한 회전형 인젝터와 기판의 관계도5 is a diagram illustrating a relationship between a rotary injector and a substrate in which a rotary injector is positioned in a long axis direction of the substrate according to the present invention;

도 6은 본 발명에 따른 기판의 대각선 방향으로 회전형 인젝터가 위치한 회전형 인젝터와 기판의 관계도6 is a relational view of a rotary injector and a substrate in which the rotary injector is positioned in a diagonal direction of the substrate according to the present invention;

도 7은 도 6의 A-A'로 절단한 본 발명에 따른 기판처리장치의 단면도FIG. 7 is a cross-sectional view of the substrate treating apparatus according to the present invention taken along the line AA ′ of FIG. 6.

도 8은 본 발명에 따른 회전형 인젝터의 사시도8 is a perspective view of a rotary injector according to the present invention;

도 9는 본 발명에 따른 회전형 인젝터의 측부 상세도9 is a side detail view of the rotatable injector according to the present invention;

도 10은 본 발명에 따른 측면부와 기판의 관계도10 is a relationship between the side portion and the substrate according to the present invention

Claims (7)

반응공간을 제공하는 챔버;A chamber providing a reaction space; 상기 챔버 내부에 기판이 안치되는 기판 안치대;A substrate holder for placing a substrate in the chamber; 상기 기판 상에 가스를 공급하기 위해 다수의 제 1 분사홀을 포함하는 회전형 인젝터; A rotatable injector including a plurality of first injection holes for supplying gas onto the substrate; 상기 회전형 인젝터의 양단에 설치되며, 상기 기판 상에 가스를 공급하는 다수의 제 2 분사홀을 포함하는 측면부; 및Side portions provided at both ends of the rotatable injector and including a plurality of second injection holes for supplying gas onto the substrate; And 상기 측면부에서 상기 회전형 인젝터와 수직방향으로 돌출되고, 상기 다수의 제 2 분사홀로부터 분사되는 상기 가스의 분사거리를 제어하는 돌출부;A protruding portion protruding from the side surface portion in a vertical direction with the rotatable injector and controlling an injection distance of the gas injected from the plurality of second injection holes; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 인젝터를 포함하는 기판처리장치.Substrate processing apparatus comprising an injector comprising a. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 측면부는 상기 회전형 인젝터와 연결되는 부분을 제외하고 밀폐되어 있는 것을 특징으로 하는 인젝터를 포함하는 기판처리장치.And the side portion is sealed except for a portion connected to the rotatable injector. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 측면부는 상기 회전형 인젝터와 동일한 직경을 가지는 원통관이 상기 회전형 인젝터의 단부와 수직으로 연결되며, 상기 다수의 제 2 분사홀은 상기 기판과 평행한 상기 측면부의 직경 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 인젝터를 포함한 기판처리장치.The side portion is a cylindrical tube having the same diameter as the rotary injector is vertically connected to the end of the rotary injector, the plurality of second injection holes are formed in the lower diameter of the side portion parallel to the substrate Substrate processing apparatus including an injector. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 다수의 제 1 분사홀은 상기 기판과 수직으로 설치되고, 상기 다수의 제 2 분사홀은 상기 기판과 수직한 기준선에 대하여 0 내지 90°인 것을 특징으로 하는 인젝터를 포함한 기판처리장치.The plurality of first injection holes are installed perpendicular to the substrate, the plurality of second injection holes are substrate processing apparatus including an injector, characterized in that 0 to 90 ° with respect to the reference line perpendicular to the substrate. 제 1 항 및 제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 and 3 to 5, 상기 회전형 인젝터는 반응가스, 퍼지가스, 및 소스가스를 각각 공급하는 제 1, 제 2, 및 제 3 서브 인젝터를 포함하는 것을 특징으로 하는 인젝터를 포함한 기판처리장치. The rotatable injector includes a first, second and third sub injectors for supplying a reaction gas, a purge gas, and a source gas, respectively. 제 1 항 및 제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 and 3 to 5, 상기 회전형 인젝터는 상기 기판의 직경 또는 대각선의 길이와 동일하거나 작은 길이를 가지는 것을 특징으로 하는 인젝터를 포함한 기판처리장치.The rotatable injector is substrate processing apparatus comprising an injector, characterized in that having a length equal to or less than the length of the diameter or diagonal of the substrate.
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