KR101137008B1 - Exhaust gas guider in polysilicon CVD reactor - Google Patents

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Abstract

본 발명은 폴리실리콘 증착반응기의 배출가스 가이더에 관한 것이다. 이는 가스배출구멍을 갖는 베이스플레이트와, 상기 베이스플레이트의 상부에 밀폐공간을 제공하는 인클로저와, 상기 밀폐공간내에 가스를 공급하는 가스주입노즐과, 상기 밀폐공간에 위치하는 실리콘로드를 구비하는 폴리실리콘 증착반응기에서의 가스배출구멍에 설치되는 것으로서, 일정직경의 링의 형태를 취하고, 상기 배출구멍을 그 내부 영역에 포함하도록 베이스플레이트의 상면에 위치하는 지지부와; 상기 지지부에 지지되며 베이스플레이트로부터 이격되고, 그 일부가 상기 가스배출구멍의 내부에 위치되어, 밀폐공간 외부로 빠져나가는 배출가스가 가스배출구멍에 접하는 것을 차단하는 가이드부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명의 배출가스 가이더는, 베이스플레이트의 가스배출구멍에 설치되어, 고온의 배출가스가 가스배출구멍의 내주면 및 그 주위에 직접 접하지 않도록 차단함으로써, 가스배출구멍 주변의 과열 및 이에 의한 열손상을 방지하여 증착반응기의 수명을 연장할 수 있다.The present invention relates to an exhaust gas guider of a polysilicon deposition reactor. It is a polysilicon having a base plate having a gas discharge hole, an enclosure providing a sealed space on the base plate, a gas injection nozzle for supplying gas into the sealed space, and a silicon rod located in the sealed space. A support portion provided in a gas discharge hole in the deposition reactor, the support having a predetermined diameter in the form of a ring and positioned on an upper surface of the base plate to include the discharge hole in an inner region thereof; And a guide part which is supported by the support part and is spaced apart from the base plate, and a part of which is located inside the gas discharge hole to block the discharged gas exiting the outside of the sealed space from contacting the gas discharge hole.
The exhaust gas guider of the present invention, which is constituted as described above, is installed in the gas discharge hole of the base plate and blocks the hot exhaust gas from directly contacting the inner circumferential surface of the gas discharge hole and its surroundings, thereby overheating the gas discharge hole and This prevents thermal damage and can extend the life of the deposition reactor.

Description

폴리실리콘 증착반응기의 배출가스 가이더{Exhaust gas guider in polysilicon CVD reactor}Exhaust gas guider in polysilicon CVD reactor

본 발명은 폴리실리콘 증착반응기의 배출가스 가이더에 관한 것이다.The present invention relates to an exhaust gas guider of a polysilicon deposition reactor.

태양전지의 기초 재료로 사용되는 폴리실리콘(Polysilicon)은 여러 가지 방식으로 생산될 수 있으며, 일 예로 소위 지멘스 반응기라고 하는 증착반응기에서 증착과정을 통해 얻을 수 도 있다. 상기 증착과정에는, 가스상태의 삼염화실란을 수소가스의 분위기속에서 환원시켜, 대략 1000℃ 정도의 온도로 가열된 실리콘로드 표면에 증착시키는 프로세스가 포함된다.Polysilicon, which is used as a basic material of a solar cell, may be produced in various ways. For example, polysilicon may be obtained through a deposition process in a deposition reactor called a Siemens reactor. The deposition process includes a process of reducing gaseous trichlorosilane in an atmosphere of hydrogen gas and depositing it on a surface of a silicon rod heated to a temperature of about 1000 ° C.

도 1은 종래의 일반적인 폴리실리콘 증착반응기(지멘스 반응기)의 구조를 개략적으로 나타내 보인 도면이다.1 is a view schematically showing the structure of a conventional polysilicon deposition reactor (Siemens reactor).

도시한 바와같이, 종래의 증착반응기(11)는, 일정직경의 디스크 형태를 취하며 다수의 주입구멍(19d)과 가스배출구멍(19a)이 형성되어 있는 베이스플레이트(19)와, 상기 베이스플레이트(19)의 상면에 그 하단부가 결합하여 밀폐공간(27)을 제공하는 종(鍾) 형태의 인클로저(13)와, 상기 베이스플레이트(19)에 지지되며 외부의 전원(25)으로부터 전력을 공급받아 가열되는 실리콘로드(15)와, 상기 베이스플레이트(19)의 하부에 위치하며 베이스플레이트(19)를 냉각하는 냉각유니트(21)를 포함한다. 또한 상기 베이스플레이트(19)의 주입구멍(19d)에는 삼염화실란(TCS)과 수소(H2)가스를 밀폐공간(27) 내부로 공급하는 가스주입노즐(23)이 구비된다. As shown in the drawing, the conventional deposition reactor 11 has a base plate 19 having a constant diameter disk and having a plurality of injection holes 19d and gas discharge holes 19a, and the base plate. The lower end portion is coupled to the upper surface of the 19 to provide a longitudinal enclosure (13) to provide a closed space 27, the base plate 19 is supported by the power supply from the external power source 25 It includes a silicon rod 15 that is received and heated, and a cooling unit 21 positioned below the base plate 19 to cool the base plate 19. In addition, the injection hole 19d of the base plate 19 is provided with a gas injection nozzle 23 for supplying trichlorosilane (TCS) and hydrogen (H 2 ) gas into the sealed space 27.

상기 삼염화실란가스와 수소가스는 밀폐공간(27) 내부에 주입된 후 가열된 실리콘로드(15)와 접하며 환원반응을 일으키고 폴리실리콘과 반응후가스를 남긴다. 상기 환원반응을 통해 새로이 생성되는 폴리실리콘은 실리콘로드에 증착되어 실리콘로드(15)는 점차 두꺼워진다. 상기 반응후가스는 가스배출구멍(19a)을 통해 인클로저(13) 밖으로 배출되는 배출가스로서, 그 온도가 600℃ 내지 700℃에 달하는 고온이다. 이와같이 배출가스가 매우 뜨거운 상태이므로, 냉각유니트(21)를 최대로 구동하더라도 배출가스가 가스배출구멍(19a)을 통과하는 동안 가스배출구멍(19a)의 주변에 열손상을 줄 수 있다.The trichlorosilane gas and hydrogen gas are injected into the sealed space 27 and then contact with the heated silicon rod 15 to cause a reduction reaction and to leave the polysilicon and the reaction gas. Polysilicon newly generated through the reduction reaction is deposited on the silicon rod, and the silicon rod 15 is gradually thickened. The post-reaction gas is a discharge gas discharged out of the enclosure 13 through the gas discharge hole 19a and has a high temperature of 600 ° C to 700 ° C. Since the exhaust gas is in a very hot state as described above, even when the cooling unit 21 is driven to the maximum, thermal damage may be caused around the gas discharge hole 19a while the exhaust gas passes through the gas discharge hole 19a.

도 2는 종래 폴리실리콘 증착반응기(11)의 문제점을 설명하기 위하여 도시한 부분 단면도이다.2 is a partial cross-sectional view for explaining the problem of the conventional polysilicon deposition reactor (11).

상기한 바와같이, 반응을 마친 배출가스는 그 온도가 600℃ 내지 700℃에 달하는 고온이므로, 이러한 뜨거운 가스가 (배출되기 위해) 집중되는 가스배출구멍(19a)의 주위(A부위)가 다른 부분보다 더 가열되어 열손상 될 수 있다. 사실 이러한 열손상문제는 기존 증착반응기에서의 베이스플레이트(19)의 수명을 단축시키는 원인으로 작용하고 있다.As described above, since the reaction exhaust gas is a high temperature of 600 ℃ to 700 ℃, so that the portion (part A) around the gas discharge hole 19a where this hot gas is concentrated (to be discharged) It may be heated more than that and be thermally damaged. In fact, this thermal damage problem serves as a cause of shortening the life of the base plate 19 in the conventional deposition reactor.

도 2를 참조하면, 가스배출구멍(19a)의 내주면과 테두리부분이, 배출구멍(19a)을 통해 화살표 z 방향으로 빠져나가는 고온의 배출가스와의 접촉에 의해, 다른 부분보다 뜨겁게 달구어져 과열부위(A)를 이룸을 알 수 있다. 상기 과열부위(A)는 시간이 오래될수록 서서히 변형되거나 크랙을 발생시켜 베이스플레이트(19)의 수명을 단축시킨다.Referring to FIG. 2, the inner circumferential surface and the edge portion of the gas discharge hole 19a are hotter than other portions by being heated hotter than other portions by contact with the hot discharge gas which exits in the arrow z direction through the discharge hole 19a. It can be seen from (A). The overheated portion A gradually deforms or cracks as time elapses to shorten the life of the base plate 19.

본 발명은 상기 문제점을 해소하고자 창출한 것으로서, 베이스플레이트의 가스배출구멍에 설치되어, 고온의 배출가스가 배출구멍의 내주면 및 그 주위에 직접 접하지 않고 빠져나가도록 유도함으로써, 배출구멍 주변의 과열 및 이에 의한 열손상을 방지하는 폴리실리콘 증착반응기의 배출가스 가이더를 제공함에 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, is provided in the gas discharge hole of the base plate, by inducing hot exhaust gas to escape without directly contacting the inner circumferential surface of the discharge hole and its surroundings, thereby overheating around the discharge hole And it is an object to provide an exhaust gas guider of the polysilicon deposition reactor to prevent thermal damage thereby.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 폴리실리콘 증착반응기의 배출가스 가이더는, 다수의 가스배출구멍이 관통 형성되어 있는 베이스플레이트와, 상기 베이스플레이트의 상부에 위치하며 그 내부에 밀폐공간을 제공하는 인클로저와, 상기 밀폐공간내에 가스를 공급하는 가스주입노즐과, 상기 밀폐공간에 위치하며 외부로부터 공급된 전력에 의해 발열하는 실리콘로드를 구비하는 폴리실리콘 증착반응기에서의 상기 가스배출구멍에 설치되어 밀폐공간 내부의 반응 후 가스를 밀폐공간 외부로 가이드하는 것으로서, 일정직경의 링의 형태를 취하고, 상기 배출구멍을 그 내부 영역에 포함하도록 베이스플레이트의 상면에 위치하는 지지부와; 상기 지지부에 지지되며 베이스플레이트로부터 이격되고, 그 일부가 상기 가스배출구멍의 내부에 위치되어, 밀폐공간 외부로 빠져나가는 배출가스가 가스배출구멍에 접하는 것을 차단하는 가이드부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The exhaust gas guider of the polysilicon deposition reactor of the present invention for achieving the above object is a base plate through which a plurality of gas discharge holes are formed, and an enclosure positioned above the base plate and providing a sealed space therein. And a gas injection nozzle for supplying gas into the enclosed space, and a gas discharge hole in the polysilicon deposition reactor having a silicon rod positioned in the enclosed space and generating heat by electric power supplied from the outside. A support portion which guides the gas to the outside of the sealed space after the reaction inside and takes the form of a ring having a constant diameter and is positioned on the upper surface of the base plate to include the discharge hole in the inner region; And a guide part which is supported by the support part and is spaced apart from the base plate, and a part of which is located inside the gas discharge hole to block the discharged gas exiting the outside of the sealed space from contacting the gas discharge hole.

또한, 상기 가이드부의 가스배출구멍의 내부에 위치하는 부분은 중공형 파이프의 형태를 취하고, 그 상단부가 가스배출구멍의 연직 상부로 연장된 것을 특징으로 한다.In addition, the portion located inside the gas discharge hole of the guide portion is in the form of a hollow pipe, the upper end is characterized in that it extends to the vertical upper portion of the gas discharge hole.

또한 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 폴리실리콘 증착반응기 배출가스 가이더는, 다수의 가스배출구멍이 관통 형성되어 있는 베이스플레이트와, 상기 베이스플레이트의 상부에 위치하며 그 내부에 밀폐공간을 제공하는 인클로저와, 상기 밀폐공간내에 가스를 공급하는 가스주입노즐과, 상기 밀폐공간에 위치하며 외부로부터 공급된 전력에 의해 발열하는 실리콘로드를 구비하는 폴리실리콘 증착반응기에서의 상기 가스배출구멍에 설치되어, 밀폐공간 내부의 반응 후 가스를 밀폐공간 외부로 가이드하는 것으로서, 상기 가스배출구멍의 내주면에 구비되는 받침돌기와; 상기 가스배출구멍의 내부에 설치되며 수직으로 연장된 중공파이프 형태의 부재로서, 가스배출구멍의 내주면으로부터 이격되고 그 내부로, 밀폐공간 외부로 빠져나가는 배출가스를 통과시키는 중공파이프 형태의 가이드부와; 상기 가이드부의 외주면에 고정되고, 가이드부와 가스배출구멍의 내주면 사이의 공간을 차단하고 상기 받침돌기에 지지되는 지지부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the polysilicon deposition reactor exhaust gas guider of the present invention for achieving the above object, the base plate through which a plurality of gas discharge holes are formed, and the enclosure located in the upper portion of the base plate to provide a sealed space therein And a gas injection nozzle for supplying gas into the sealed space, and a silicon rod positioned in the sealed space and generating a heat generated by electric power supplied from the outside. A guide protrusion provided on the inner circumferential surface of the gas discharge hole to guide the gas to the outside of the sealed space after the reaction in the space; A hollow pipe type member installed inside the gas discharge hole and extending vertically, the guide portion having a hollow pipe type spaced apart from an inner circumferential surface of the gas discharge hole and passing exhaust gas exiting the sealed space; ; It is fixed to the outer circumferential surface of the guide portion, characterized in that it comprises a support portion which blocks the space between the guide portion and the inner circumferential surface of the gas discharge hole and is supported by the support projection.

상기와 같이 이루어지는 본 발명의 폴리실리콘 증착반응기의 배출가스 가이더는, 베이스플레이트의 가스배출구멍에 설치되어, 고온의 배출가스가 배출구멍의 내주면 및 그 주위에 직접 접하지 않고 빠져나가도록 유도함으로써, 배출구멍 주변의 과열 및 이에 의한 열손상을 방지하여 증착반응기의 수명을 연장할 수 있다.The exhaust gas guider of the polysilicon deposition reactor of the present invention made as described above is installed in the gas discharge hole of the base plate to induce hot exhaust gas to escape without directly contacting the inner circumferential surface of the discharge hole and its surroundings, It is possible to extend the life of the deposition reactor by preventing overheating around the discharge hole and thereby thermal damage.

도 1은 일반적인 폴리실리콘 증착반응기의 구조를 개략적으로 나타내 보인 도면이다.
도 2는 종래 폴리실리콘 증착반응기의 문제점을 설명하기 위하여 도시한 부분 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 1실시예에 따른 폴리실리콘 증착반응기의 배출가스 가이더의 일 예를 도시한 도면이다.
도 4는 상기 도 3에 도시한 배출가스 가이더의 다른 예를 도시한 도면이다.
도 5는 상기 도 3에 도시한 배출가스 가이더의 또 다른 예를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제 2실시예에 따른 배출가스 가이더를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제 3실시예에 따른 배출가스 가이더를 도시한 단면도이다.1 is a view schematically showing the structure of a general polysilicon deposition reactor.
2 is a partial cross-sectional view illustrating a problem of a conventional polysilicon deposition reactor.
3 is a view showing an example of the exhaust gas guider of the polysilicon deposition reactor according to the first embodiment of the present invention.
4 is a view showing another example of the exhaust gas guider shown in FIG.
5 is a view showing another example of the exhaust gas guider shown in FIG.
6 is a view showing an exhaust gas guider according to a second embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view showing an exhaust gas guider according to a third embodiment of the present invention.

이하, 본 발명에 따른 하나의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, one embodiment according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 제 1실시예에 따른 폴리실리콘 증착반응기의 배출가스 가이더(31)의 일 예를 도시한 도면이다.3 is a view showing an example of the exhaust gas guider 31 of the polysilicon deposition reactor according to the first embodiment of the present invention.

제 1실시예 및 후술하는 제 3실시예의 배출가스 가이더(31)는, 종래의 폴리실리콘 증착반응기에서의 베이스플레이트에 적용될 수 있는 것들로서, 뜨거운 배출가스가 상기 가스배출구멍(19a) 및 그 주변에 접하지 않도록, 배출가스의 흐름을 유도하는 것들이다.The exhaust gas guiders 31 of the first embodiment and the third embodiment to be described later are those that can be applied to a base plate in a conventional polysilicon deposition reactor, and hot exhaust gas is discharged from the gas discharge hole 19a and its surroundings. It is to induce the flow of exhaust gas so as not to contact.

도 3을 참조하면, 제 1실시예에 따른 배출가스 가이더(31)는, 일정직경을 갖는 링형 부재로서 상기 가스배출구멍(19a)을 그 내부에 수용하도록 위치되는 지지부(31a)와, 상기 지지부(31a)의 상부에 일체를 이루며 베이스플레이트(19)로부터 이격되고 그 일부는 상기 가스배출구멍(19a)의 내부에 위치하는 가이드부(31c)를 포함한다. 상기 가스배출구멍(19a)의 내부에 위치하는 부분은 수직의 중공파이프의 형태를 취하며, 가스배출구멍(19a)의 내주면으로부터 이격되어 있다. 상기 배출가스 가이더(31)는 전체가 하나의 몸체를 이룬다.Referring to FIG. 3, the exhaust gas guider 31 according to the first embodiment is a ring-shaped member having a constant diameter, and is provided with a support part 31a positioned to receive the gas discharge hole 19a therein, and the support part. A guide part 31c is formed integrally with the upper part of the upper part 31a and is spaced apart from the base plate 19, and a part thereof is located inside the gas discharge hole 19a. The portion located inside the gas discharge hole 19a takes the form of a vertical hollow pipe and is spaced apart from the inner circumferential surface of the gas discharge hole 19a. The exhaust gas guider 31 forms a whole body.

상기 지지부(31a)는 상기 배출구멍(19a)을 그 내부 영역에 포함하는 링형부재로서, 높이는 경우에 따라 얼마든지 달라질 수 있다. 상기 지지부(31a)의 높이가 높을수록, 베이스플레이트(19) 상면에 대한 가이드부(31c)의 이격거리가 멀어짐은 물론이다. 상기 지지부(31a)의 하단부는 베이스플레이트(19)에 면접하며 그 사이로 가스의 흐름은 거의 없다.The support part 31a is a ring-shaped member including the discharge hole 19a in its inner region, and may vary depending on the height thereof. As the height of the support part 31a increases, the distance between the guide part 31c with respect to the upper surface of the base plate 19 is, of course. The lower end of the support portion 31a is interviewed with the base plate 19 with little gas flow therebetween.

또한 상기 가이드부(31c) 중 가스배출구멍(19a)의 내부에 위치하는 부분은 수직 하부로 연장되며 그 하단부가 최소한 베이스플레이트(19)의 상면보다 하부에 위치한다. 상기 가이드부(31c)의 가스배출구멍(19a)을 통한 하향 연장길이도 경우에 따라 달라진다. 이를테면 하부로 길게 연장하여 베이스플레이트(19)를 완전히 통과할 수 도 있다. In addition, a portion of the guide portion 31c positioned inside the gas discharge hole 19a extends vertically downward, and a lower end thereof is located at least below the upper surface of the base plate 19. The downward extension length through the gas discharge hole 19a of the guide portion 31c also varies depending on the case. For example, it may be extended to the bottom to completely pass through the base plate 19.

특히 상기한 바와같이, 가이드부(31c)가 가스배출구멍(19a)의 내주면으로부터 이격되어 있으므로, 하부로 빠져나가는 배출가스가 가스배출구멍(19a)의 내주면에 접하지 않는다. 배출가스의 배출시 유동압력이 작용되므로, 가이드부(31c)의 하단부가 베이스플레이트(19)를 완전히 통과하지 않더라도, 배출가스가 가스배출구멍(19a)의 내주면에 거의 접하지 않는다.In particular, as described above, since the guide portion 31c is spaced apart from the inner circumferential surface of the gas discharge hole 19a, the exhaust gas escaping downward does not contact the inner circumferential surface of the gas discharge hole 19a. Since the flow pressure acts upon the discharge of the exhaust gas, even if the lower end of the guide portion 31c does not completely pass through the base plate 19, the exhaust gas is hardly in contact with the inner circumferential surface of the gas discharge hole 19a.

기본적으로, 상기 지지부(31a)와 가이드부(31c)는 상기한 고온의 배출가스가 가스배출구멍(19a)의 내주면 및 테두리부의 과열부위(도 2의 A)에 직접 접하는 것을 차단하는 역할을 하는 것으로서, 이러한 목적을 달성할 수 있는 한 그 형태를 얼마든지 변경할 수 있음은 물론이다.Basically, the support portion 31a and the guide portion 31c serve to block the hot exhaust gas from directly contacting the inner circumferential surface of the gas discharge hole 19a and the overheated portion of the edge portion (A of FIG. 2). As long as this object can be achieved, the form can be changed as much as possible.

도 4는 상기 도 3에 도시한 배출가스 가이더의 다른 예를 도시한 도면이다.4 is a view showing another example of the exhaust gas guider shown in FIG.

이하, 상기한 도면부호와 동일한 도면부호는 동일한 기능의 동일한 부재로서 그에 관한 반복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, the same reference numerals as the above reference numerals are the same members having the same functions, and repeated description thereof will be omitted.

도면을 참조하면, 베이스플레이트(19)의 상면에 장착홈(19b)이 형성되어 있고, 상기 배출가스 가이더(31)의 지지부(31a)가 상기 장착홈(19b)의 내부에 끼워져 있음을 알 수 있다.Referring to the drawings, it can be seen that the mounting groove 19b is formed on the upper surface of the base plate 19, and the support portion 31a of the exhaust gas guider 31 is fitted inside the mounting groove 19b. have.

상기 장착홈(19b)은 지지부(31a)의 하단부를 수용할 수 있도록 링의 형태를 취하며 배출가스 가이더(31)를 지지한다. 이와같이 베이스플레이트(19)에 장착홈(19b)을 형성하고 상기 지지부(31a)를 그 내부로 삽입함으로써, 외력이 가해지더라도 배출가스 가이더(31)가 측방향으로 움직이지 않음은 물론, 지지부(31a)와 베이스플레이트(19) 간의 밀폐성능도 상승한다.The mounting groove 19b takes the form of a ring to accommodate the lower end of the support 31a and supports the exhaust gas guider 31. As such, by forming the mounting groove 19b in the base plate 19 and inserting the support portion 31a therein, the exhaust gas guider 31 does not move laterally even when an external force is applied, as well as the support portion 31a. ) And the sealing performance between the base plate 19 also increases.

도 5는 상기 도 3에 도시한 배출가스 가이더의 또 다른 예를 도시한 도면이다.5 is a view showing another example of the exhaust gas guider shown in FIG.

도면을 참조하면, 상기 가이드부(31c)의 중앙부분 즉 중공파이프의 형태를 취하는 부분이 수직 상부로 연장되어 있음을 알 수 있다. 이와같이 가이드부(31c)를 상부로 높게 연장시킴으로써, 가스배출구멍(19a)으로 모여드는 배출가스가 가이드부(31c)의 주변에서 와류를 일으키며 상승 후 빠져나간다. 상기와 같이 와류를 유도하여 배출시간을 늘림으로써 배출가스의 온도를 얼마간 낮춘 상태로 배출할 수 있다. 배출가스가이더(31)의 성능이 향상되는 것이다.Referring to the drawings, it can be seen that the center portion of the guide portion 31c, that is, the portion taking the form of a hollow pipe, extends vertically upward. By extending the guide portion 31c upward in this manner, the exhaust gas gathered in the gas discharge hole 19a causes vortices around the guide portion 31c and escapes after rising. By increasing the discharge time by inducing the vortex as described above can be discharged in a state of lowering the temperature of the exhaust gas for some time. The performance of the exhaust gas guider 31 is to be improved.

도 6은 본 발명의 제 2실시예에 따른 배출가스 가이더를 도시한 도면이다.6 is a view showing an exhaust gas guider according to a second embodiment of the present invention.

도시한 바와같이, 제 2실시예에 따른 배출가스 가이더(31)는, 상기 가이드부(31c)가 나사식으로 결합되는 특징을 갖는다. 즉, 상기 가이드부(31c)에 있어서, 중공파이프 형태의 부분의 외주면에 수나사산(31f)를 형성하고, 이에 대응하는 부분에 암나사산(31k)을 형성하여 상호 나사 결합시키는 것이다. 따라서 상기 중공파이프 부분을 시계방향 또는 반시계방향으로 축회전시켜, 수직 위치를 필요에 따라 적절히 조절할 수 있다.As shown, the exhaust gas guider 31 according to the second embodiment is characterized in that the guide portion 31c is screwed together. That is, in the guide portion 31c, a male screw thread 31f is formed on the outer circumferential surface of the hollow pipe-shaped portion, and a female screw thread 31k is formed on the corresponding portion to be screwed together. Therefore, by rotating the hollow pipe portion clockwise or counterclockwise, the vertical position can be appropriately adjusted as necessary.

도 7은 본 발명의 제 3실시예에 따른 배출가스 가이더를 도시한 단면도이다.7 is a cross-sectional view showing an exhaust gas guider according to a third embodiment of the present invention.

도면을 참조하면, 제 3실시예에 따른 배출가스 가이더(31)는, 상기 가스배출구멍(19a)의 내부에 구비되는 받침돌기(33)와, 상기 가스배출구멍(19a)을 통과하며 수직으로 위치하고 그 내부로 배출가스를 통과시키는 중공파이프 형태의 가이드부(31c)와, 상기 가이드부(31c)의 외주면에 고정되며 상기 받침돌기(33)에 지지되는 지지부(31a)로 구성된다.Referring to the drawings, the exhaust gas guider 31 according to the third embodiment vertically passes through the support protrusion 33 provided in the gas discharge hole 19a and the gas discharge hole 19a. It is composed of a guide portion (31c) of the hollow pipe form and positioned to pass the exhaust gas therein, and a support portion (31a) fixed to the outer circumferential surface of the guide portion (31c) and supported by the support protrusion (33).

상기 지지부(31a)는, 가이드부(31c)의 외주면과 가스배출구멍(19a)의 내주면 사이의 공간을 차단하여, 가이드부(31c)의 외부로 가스가 빠져나가지 않도록 한다.The support portion 31a blocks a space between the outer circumferential surface of the guide portion 31c and the inner circumferential surface of the gas discharge hole 19a so that the gas does not escape to the outside of the guide portion 31c.

한편, 상기 배출가스 가이더(31)를 베이스플레이트(19)에 장착한 상태와 장착하지 않은 상태에서의 과열부위(A부위)의 온도를 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 알아내었다. 시뮬레이션을 수행하기 위해 상기 냉각유니트(21)의 온도는 30℃로, 배출가스의 온도는 620℃로 정하였다.On the other hand, the temperature of the overheated portion (site A) with and without the exhaust gas guider 31 mounted on the base plate 19 was found through computer simulation. In order to perform the simulation, the temperature of the cooling unit 21 was set to 30 ° C, and the temperature of the exhaust gas was set to 620 ° C.

시뮬레이션 결과, 아무런 가이더를 사용하지 않았을 때의 상기 과열부위(A)의 온도는 최대 352℃ 이었으며, 도 3에 도시한 타입의 가이더(31)를 적용했을 때의 온도는 315℃임을 알 수 있었다. 37℃의 온도 하강의 효과가 있는 것이다.As a result of the simulation, it was found that the temperature of the superheated portion A when no guider was used was 352 ° C at maximum, and the temperature when the guider 31 of the type shown in FIG. 3 was applied was 315 ° C. There is an effect of temperature drop of 37 ° C.

특히, 동일한 조건에서, 도 5에 도시한 타입의 가이더(31)를 설치한 상태에서의 가열부위(A)의 온도를 시뮬레이션 한 결과, 가열부위의 온도가 최대 200℃까지 올라감을 알 수 있었다. 온도가 무려 152℃가량 하강한 것이다.In particular, as a result of simulating the temperature of the heating part A in the state in which the guider 31 of the type shown in FIG. 5 was installed under the same conditions, it turned out that the temperature of a heating part rises up to 200 degreeC. The temperature dropped to about 152 ℃.

상기와 같이, 본 실시예의 배출가스 가이더(31)를 가스배출구멍(19a)에 간단히 배치함으로써 현저한 온도강하 효과를 얻을 수 있었다.As described above, a remarkable temperature drop effect can be obtained by simply disposing the exhaust gas guider 31 of the present embodiment in the gas discharge hole 19a.

이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정하지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위내에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims.

11:폴리실리콘 증착반응기 13:인클로저
15:실리콘로드 19:베이스플레이트
19a:가스배출구멍 19b:장착홈
19d:주입구멍 21:냉각유니트
23:가스주입노즐 25:전원
27:밀폐공간 31:배출가스가이더
31a:지지부 31c:가이드부
31f:수나사산 31k:암나사산
33:받침돌기11: Polysilicon Deposition Reactor 13: Enclosure
15: silicon rod 19: base plate
19a: gas discharge hole 19b: mounting groove
19d: Injection hole 21: Cooling unit
23: gas injection nozzle 25: power supply
27: closed space 31: exhaust gas guider
31a: Support part 31c: Guide part
31f: Male thread 31k: Female thread
33: support protrusion

Claims (3)

다수의 가스배출구멍이 관통 형성되어 있는 베이스플레이트와, 상기 베이스플레이트의 상부에 위치하며 그 내부에 밀폐공간을 제공하는 인클로저와, 상기 밀폐공간내에 가스를 공급하는 가스주입노즐과, 상기 밀폐공간에 위치하며 외부로부터 공급된 전력에 의해 발열하는 실리콘로드를 구비하는 폴리실리콘 증착반응기에서의 상기 가스배출구멍에 설치되어 밀폐공간 내부의 반응 후 가스를 밀폐공간 외부로 가이드하는 것으로서,
일정직경의 링의 형태를 취하고, 상기 배출구멍을 그 내부 영역에 포함하도록 베이스플레이트의 상면에 위치하는 지지부와;
상기 지지부에 지지되며 베이스플레이트로부터 이격되고, 그 일부가 상기 가스배출구멍의 내부에 위치되어, 밀폐공간 외부로 빠져나가는 배출가스가 가스배출구멍에 접하는 것을 차단하는 가이드부를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 증착반응기의 배출가스 가이더.A base plate having a plurality of gas discharge holes therethrough, an enclosure located above the base plate and providing a sealed space therein, a gas injection nozzle supplying gas into the sealed space, Located in the gas discharge hole in the polysilicon deposition reactor having a silicon rod that is generated and generated by the power supplied from the outside to guide the gas after the reaction in the sealed space to the outside of the sealed space,
A support portion in the form of a ring of constant diameter and positioned on an upper surface of the base plate to include the discharge hole in its inner region;
And a guide part which is supported by the support part and is spaced apart from the base plate, a part of which is located inside the gas discharge hole to block the discharged gas exiting the outside of the sealed space from contacting the gas discharge hole. Exhaust gas guider of silicon deposition reactor. 제 1항에 있어서,
상기 가이드부의 가스배출구멍의 내부에 위치하는 부분은 중공형 파이프의 형태를 취하고, 그 상단부가 가스배출구멍의 연직 상부로 연장된 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 증착반응기의 배출가스 가이더.The method of claim 1,
A portion located inside the gas discharge hole of the guide part takes the form of a hollow pipe, and the upper end portion of the exhaust gas guider of the polysilicon deposition reactor, characterized in that extending to the vertical upper portion of the gas discharge hole. 다수의 가스배출구멍이 관통 형성되어 있는 베이스플레이트와, 상기 베이스플레이트의 상부에 위치하며 그 내부에 밀폐공간을 제공하는 인클로저와, 상기 밀폐공간내에 가스를 공급하는 가스주입노즐과, 상기 밀폐공간에 위치하며 외부로부터 공급된 전력에 의해 발열하는 실리콘로드를 구비하는 폴리실리콘 증착반응기에서의 상기 가스배출구멍에 설치되어, 밀폐공간 내부의 반응 후 가스를 밀폐공간 외부로 가이드하는 것으로서,
상기 가스배출구멍의 내주면에 구비되는 받침돌기와;
상기 가스배출구멍의 내부에 설치되며 수직으로 연장된 중공파이프 형태의 부재로서, 가스배출구멍의 내주면으로부터 이격되고 그 내부로, 밀폐공간 외부로 빠져나가는 배출가스를 통과시키는 중공파이프 형태의 가이드부와;
상기 가이드부의 외주면에 고정되고, 가이드부와 가스배출구멍의 내주면 사이의 공간을 차단하고 상기 받침돌기에 지지되는 지지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 증착반응기의 배출가스 가이더.A base plate having a plurality of gas discharge holes therethrough, an enclosure located above the base plate and providing a sealed space therein, a gas injection nozzle supplying gas into the sealed space, Located in the gas discharge hole in the polysilicon deposition reactor having a silicon rod that is located and generates heat by the power supplied from the outside, to guide the gas after the reaction in the sealed space to the outside of the sealed space,
A support protrusion provided on an inner circumferential surface of the gas discharge hole;
A hollow pipe type member installed inside the gas discharge hole and extending vertically, the guide portion having a hollow pipe type spaced apart from an inner circumferential surface of the gas discharge hole and passing exhaust gas exiting the sealed space; ;
And a support part fixed to an outer circumferential surface of the guide part and blocking a space between the guide part and an inner circumferential surface of the gas discharge hole and supported by the support protrusion.
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