KR101133252B1 - Reflective barrier film for solar cell with high efficiency and durability, solar cell containing the same and method for manufacturing thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 태양전지의 광투과 효율을 높이기 위한 반사방지막 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 태양전지 기판 상부에 AlN계 형광체 박막을 형성함으로써, 태양전지로 입사되는 광량을 증가시키고, 자외선 침투에 따른 태양전지의 수명 저하를 방지할 수 있도록 하는 기술에 관한 것이다.
The present invention relates to an anti-reflection film for improving light transmission efficiency of a solar cell and a method of manufacturing the same, and more particularly, by forming an AlN-based phosphor thin film on the solar cell substrate, to increase the amount of light incident to the solar cell, The present invention relates to a technology capable of preventing the deterioration of the life of a solar cell due to UV penetration.
최근 석유나 석탄과 같은 화석 에너지 자원의 고갈이 예측되고, 환경에 대한 관심이 높아지면서 이들을 대체할 대체에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양전지는 에너지 자원이 무한하고 환경오염에 대한 문제점이 없어 특히 주목 받고 있다. Recently, the depletion of fossil energy resources such as petroleum and coal is predicted, and as interest in the environment increases, interest in alternative energy to replace them is increasing. Among them, solar cells are attracting attention because they have unlimited energy resources and no problems with environmental pollution.
태양전지에는 태양열을 이용하여 터빈을 회전시키는데 필요한 증기를 발생시키는 태양열 전지와, 반도체의 성질을 이용하여 태양빛(photons)을 전기에너지로 변환시키는 태양광 전지가 있다. 태양전지라고 하면 일반적으로 태양광 전지를 의미하며, 본 발명 역시 태양광 전지(이하 태양전지라 한다)에 관한 것이다. Solar cells include solar cells that generate steam required to rotate turbines using solar heat, and solar cells that convert photons into electrical energy using properties of semiconductors. A solar cell generally means a solar cell, and the present invention also relates to a solar cell (hereinafter referred to as a solar cell).
한편, 태양전지의 효율 상승을 위하여, 최근에는 p-n접합에 의한 광기전력 효과(photovoltaic effect)를 최적화하여 효율 상승을 위한 다양한 방법이 개발되고 있다. 전자-홀 생성을 위한 p-n 접합 구조의 최적화 방법, 생성된 전자의 누설을 방지하기 위한 표면 패시베이션 방법, 전자수집효율 상승을 위한 전극형성방법의 최적화 방법, 전면 반사방지막 형성 방법 등 태양전지 효율 상승을 위하여 다각도의 연구가 진행되고 있다.On the other hand, in order to increase the efficiency of the solar cell, various methods for increasing the efficiency have been recently developed by optimizing the photovoltaic effect due to the p-n junction. Increasing solar cell efficiency includes optimization of pn junction structure for electron-hole generation, surface passivation method to prevent leakage of generated electrons, optimization of electrode formation method to increase electron collection efficiency, and formation of front anti-reflection film. For this purpose, various studies are underway.
상기 다양한 방법들 중에서 현재 태양전지에서 광 포획량을 증가시키기 위한 방법으로 주목 받고 있는 기술은 태양전지 표면에 반사방지막을 형성하는 것이다. Among the various methods, a technique that is currently attracting attention as a method for increasing the amount of light trapped in the solar cell is to form an anti-reflection film on the solar cell surface.
입사태양광의 표면반사를 줄이는 반사방지막 소재로 SiO2, Al2O3, TiO2, MgF2, ZnS, Ta2O3 등이 사용되지만, 현재 가장 효과적이며 보편적으로 사용하는 반사방지막 소재는 질화실리콘(SiNx)이다.SiO 2 , Al 2 O 3 , TiO 2 , MgF 2 , ZnS, Ta 2 O 3, etc. are used as anti-reflective material to reduce the surface reflection of incident sunlight, but currently the most effective and commonly used anti-reflective material is silicon nitride (SiNx).
그러나, 현재 입사태양광의 표면반사를 줄일 수 있는 SiNx계 반사방지막은 태양 자외선을 차단하지 못하는 문제가 있다.However, the current SiNx-based antireflection film that can reduce the surface reflection of incident sunlight has a problem that does not block the sun ultraviolet rays.
따라서 자외선 차단에 의한 태양전지 내구성 향상이 필요하지만 별도의 자외선 차단 코팅재를 사용하면 태양전지로 입사되는 광량이 줄어들어 태양전지 효율이 저하되는 문제가 있다.
Therefore, it is necessary to improve the durability of the solar cell by UV protection, but using a separate UV blocking coating material has a problem in that the amount of light incident on the solar cell decreases and the solar cell efficiency is lowered.
본 발명은 넓은 밴드갭을 갖고 있어서 고투명성 확보가 유리하면서도 자외선 차단 효과가 있는 질화물 형광체를 이용하여 고효율 및 고내구성을 갖는 태양전지용 반사방지막을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide an antireflection film for solar cells having a high efficiency and high durability by using a nitride phosphor having a wide band gap, which is advantageous in securing high transparency while having an ultraviolet blocking effect.
보다 구체적으로 본 발명은 Mn이 도핑된 AlN 투명 형광체 박막층을 실리콘 태양전지에 형성하여 자외선 차단에 따른 태양전지 셀의 내구성을 향상시킬 수 있도록 하고, 자외선 흡수에 따른 발광 파장이 태양전지의 발전 효율을 향상 시킬 수 있는 가시광 영역대가 되도록 하여 태양전지의 효율을 극대화시킬 수 있도록 하는 것을 그 목적으로 한다.
More specifically, the present invention forms an AlN transparent phosphor thin film layer doped with Mn in a silicon solar cell to improve the durability of the solar cell due to UV blocking, and the emission wavelength due to the ultraviolet absorption increases the power generation efficiency of the solar cell. The object of the present invention is to maximize the efficiency of solar cells by providing a visible light band that can be improved.
본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지용 반사방지막은 태양전지의 수광부 상부에 형성되며, AlN계 투명 형광체 박막층을 포함하는 것을 특징으로 한다.Anti-reflection film for a solar cell according to an embodiment of the present invention is formed on the light receiving portion of the solar cell, it characterized in that it comprises an AlN-based transparent phosphor thin film layer.
여기서, 상기 AlN계 투명 형광체 박막층은 Mn이 도핑되어 있고, 가시광 영역의 발광 파장을 갖는 것을 특징으로 한다.
Here, the AlN-based transparent phosphor thin film layer is doped with Mn, characterized in that it has an emission wavelength of the visible light region.
아울러, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지는 제1 도전 타입의 베이스 실리콘 기판과, 상기 베이스 실리콘 기판 상부에 형성되며, 상기 제1 도전 타입과 반대되는 제2 도전 타입의 실리콘 에미터층 및 상기 실리콘 에미터층 상부에 형성되며, AlN계 투명 형광체 박막층으로 형성된 반사방지막을 포함하고, In addition, the solar cell according to the embodiment of the present invention is formed on the base silicon substrate of the first conductivity type, the silicon emitter layer of the second conductivity type formed on the base silicon substrate and opposite to the first conductivity type and the It is formed on the silicon emitter layer, and includes an anti-reflection film formed of an AlN-based transparent phosphor thin film layer,
상기 반사방지막을 관통하여 상기 실리콘 에미터층과 접속되는 상부전극 및 상기 베이스 실리콘 기판의 이면에 접속되는 하부전극을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
And an upper electrode connected to the silicon emitter layer through the anti-reflection film and a lower electrode connected to the rear surface of the base silicon substrate.
아울러, 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지용 반사방지막은 태양전지의 수광부 상부에 형성되며, AlN계 투명 형광체 박막층을 포함하되, 상기 AlN계 투명 형광체 박막층은 Mn, Cr, Cu, Si, Eu, Er, Ce, Mg, Gd 및 Ho 중 하나 이상이 도핑되어 있는 것을 특징으로 한다.
In addition, the anti-reflection film for a solar cell according to another embodiment of the present invention is formed on the light-receiving portion of the solar cell, including an AlN-based transparent phosphor thin film layer, the AlN-based transparent phosphor thin film layer is Mn, Cr, Cu, Si, Eu, It is characterized in that one or more of Er, Ce, Mg, Gd and Ho is doped.
아울러, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 제조 방법은 제1 도전 타입의 베이스 실리콘 기판 상부에 상기 제1 도전 타입과 반대되는 제2 도전 타입의 실리콘 에미터층을 형성하는 단계와, 상기 실리콘 에미터층 상부에 Mn이 도핑된 AlN계 투명 형광체 박막을 증착하여 반사방지막을 형성하는 단계와, 상기 반사방지막을 관통하여 상기 실리콘 에미터층과 접속되는 상부전극을 형성하는 단계 및 상기 베이스 실리콘 기판의 이면에 접속되는 하부전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
In addition, the solar cell manufacturing method according to an embodiment of the present invention comprises the steps of forming a silicon emitter layer of the second conductivity type opposite to the first conductivity type on the base silicon substrate of the first conductivity type, the silicon Emi Depositing an MN-doped AlN-based transparent phosphor thin film on the upper layer to form an anti-reflection film, forming an upper electrode connected to the silicon emitter layer through the anti-reflection film, and on the back surface of the base silicon substrate And forming a bottom electrode to be connected.
본 발명은 Mn이 도핑된 AlN계 투명 형광체 박막층을 반사방지막으로 사용함으로써, 상기 반사방지막에서 태양광의 자외선이 흡수되도록 하고, 자외선이 태양전지 셀 내로 침투하지 못하도록 하여, 태양전지의 전반적인 내구성을 향상시킬 수 있도록 하는 효과를 제공한다.The present invention uses an AlN-based transparent phosphor thin film layer doped with Mn as an anti-reflection film, thereby allowing the ultraviolet light of the anti-reflection film to be absorbed and preventing ultraviolet light from penetrating into the solar cell, thereby improving the overall durability of the solar cell. It provides the effect of making it possible.
또한 본 발명은 적색-오렌지 영역대 파장의 빛을 발광할 수 있는 Mn이 도핑된 AlN계 투명 형광체 박막층을 반사방지막으로 사용함으로써, 태양전지 셀 내부로 흡수되는 광량을 증가시킬 수 있으며, 이로 인하여 태양전지의 발전 효율이 극대화 될 수 있도록 하는 효과를 제공한다.
In addition, the present invention can increase the amount of light absorbed into the solar cell by using an MN-doped AlN-based transparent phosphor thin film layer capable of emitting light in the red-orange region band wavelength as an anti-reflection film, thereby It provides the effect that the power generation efficiency of the battery can be maximized.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 및 그 제조 방법을 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 Mn이 도핑된 AlN계 투명 형광체 박막층으로 이루어진 반사방지막을 나타낸 단면사진이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지막의 여기 파장 및 방출 파장을 나타낸 그래프이다.1 is a cross-sectional view showing a solar cell and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a cross-sectional view showing an anti-reflection film made of an AlN-based transparent phosphor thin film layer doped with Mn according to an embodiment of the present invention.
3 is a graph showing the excitation wavelength and the emission wavelength of the anti-reflection film according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and those skilled in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 고효율 및 고내구성을 갖는 태양전지용 반사방지막, 이를 포함하는 태양전지 및 그 제조하는 방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
Hereinafter, a solar cell antireflection film having high efficiency and high durability according to a preferred embodiment of the present invention, a solar cell including the same, and a method of manufacturing the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
현재 사용되고 있는 태양전지 중에서도 특히 실리콘계 태양전지(결정질, 비정질 박막 모두 포함)에서 반사방지막은 필수적이라 할 수 있다.Among the solar cells currently used, especially in silicon-based solar cells (including both crystalline and amorphous thin films), the anti-reflection film may be essential.
이때, 반사방지막의 역할은 크게 태양전지 셀에 흡수되는 빛의 굴절률 제어하는 기능과, 실리콘 표면의 댕글링 본드(Dangling bond) 문제(passivation effect)를 해결하는 기능을 수행한다.At this time, the role of the anti-reflection film is largely to control the refractive index of the light absorbed by the solar cell, and to solve the dangling bond (passivation effect) problem of the silicon surface.
한편, 기존에 사용하던 SiNx계 반사방지막의 경우에는 입사태양광의 표면반사를 감소시키고, 댕글링 본드 문제를 해결할 수는 있다. 그러나, 상기 SiNx계 반사방지막의 경우 자외선 차단 기능이 약하고, 태양전지로 흡수되어야 할 광량을 저감시키는 문제가 있다.On the other hand, in the case of the SiNx-based anti-reflection film used in the past can reduce the surface reflection of incident sunlight, it is possible to solve the dangling bond problem. However, in the case of the SiNx antireflection film, the UV blocking function is weak and there is a problem of reducing the amount of light to be absorbed into the solar cell.
여기서, 자외선은 태양전지의 실리콘 내 B-O 결합과 Si-H 결합을 끊기 때문에 태양전지 내구성을 저하시키는 요인이 된다. 따라서, 자외선 차단을 위해서는, 태양전지에 별도의 자외선 차단 코팅재를 사용해야 하는 문제점이 있다. In this case, the ultraviolet rays break the B-O bonds and Si-H bonds in the silicon of the solar cell, thereby degrading the durability of the solar cell. Therefore, in order to block UV rays, there is a problem in that a separate UV blocking coating material must be used for the solar cell.
따라서, 본 발명에서는 별도의 자외선 차단 코팅재를 사용하지 않고도, 자외선 차단과 더불어 태양 태양전지로 입사되는 광량을 증가시키는 기능을 갖는 형광체 박막을 반사방지막으로 사용한다. 본 발명에 따른 반사방지막을 형성하는 형광체 박막의 구체적 구성 및 제조 방법을 살펴보면 다음과 같다.
Therefore, in the present invention, a phosphor thin film having a function of increasing the amount of light incident to the solar solar cell in addition to UV blocking is used as an antireflection film without using a separate UV blocking coating material. Looking at the specific configuration and manufacturing method of the phosphor thin film forming the anti-reflection film according to the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 및 그 제조 방법을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a solar cell and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 제1 도전 타입을 갖는 베이스 실리콘 기판(100)과, 베이스 실리콘 기판(100) 상부에 형성되며, 제1 도전 타입과 반대되는 제2 도전 타입을 갖는 실리콘 에미터층(110)이 구비된다.Referring to FIG. 1, a
다음으로, 실리콘 에미터층(110) 상부에 반사방지막(120)이 구비된다. 이때, 본 발명에 따른 반사방지막(120)으로서 AlN계 투명 형광체 박막층으로 형성된다.Next, an
그 다음으로, 반사방지막(120) 상부에 상부전극(130)이 구비된다. 이때, 상부전극(130)은 반사방지막(120) 상부에 패터닝된 후에, 후열 처리 공정에 의해서 반사방지막(120)을 관통하게 되고, 실리콘 에미터층(110)과 접속된다.Next, the
그 다음으로, 베이스 실리콘 기판(100)의 이면에 접속되는 하부전극(140)이 구비된다.
Next, a
여기서, 본 발명에 따른 상기 구조를 갖는 태양전지 제조 방법에 대해서는 특별히 제한된 바는 없다. 다만, 기존 공정이나 기타 편의성 등을 고려할 때, 실리콘 기판(100), 실리콘 에미터층(110), 반사방지막(120), 상부전극(130) 및 하부전극(140)의 순서로 형성하는 것이 바람직하며, 그 구제적 형성 방법에 대해서 설명하면 다음과 같다.
Here, the solar cell manufacturing method having the above structure according to the present invention is not particularly limited. However, in consideration of the existing process or other convenience, it is preferable to form the
먼저, 태양전지의 수광부로서, 제1 도전 타입을 갖는 베이스 실리콘 기판(100)을 마련하고, 베이스 실리콘 기판(100) 상부에 제2 도전 타입을 갖는 실리콘 에미터층(110)을 형성한다. 이때, 베이스 실리콘 기판(100)은 결정질 실리콘 기판에 보론(B) 등이 코팅된 P-타입 기판을 사용하고, 상기 P-타입 기판의 상부 표면에 N-타입 도핑 원소를 주입하여 실리콘 에미터층(110)을 형성할 수 있다. 아울러, N-타입 기판에 P-타입 에미터층을 형성할 수도 있다.First, as a light receiving part of a solar cell, a
한편, 자외선은 실리콘 내 B-O 결합과 Si-H 결합을 끊는다. 따라서, 베이스 실리콘 기판의 특성이 저하될 수 있다. 따라서, 최근에는 P-타입 기판 기반에서 N-타입 기판 기반으로 변화하는 시도가 있다. 다만, 이 경우 상대적인 기판의 희소성과 아직 표준화되어 있는 않은 공정으로 효율성이 떨어질 수 있으므로 태양 전지의 사용 용도에 따라서 베이스 기판을 선택하는 것이 바람직하다.Ultraviolet rays, on the other hand, break the B-O bonds and Si-H bonds in silicon. Therefore, the characteristics of the base silicon substrate may be degraded. Therefore, recently, there is an attempt to change from P-type substrate base to N-type substrate base. In this case, however, the base substrate may be selected according to the use purpose of the solar cell because the efficiency of the solar cell may be lowered due to the relative scarcity of the substrate and the process not yet standardized.
이상에서와 같이 본 발명에 따른 태양 전지의 베이스 실리콘 기판(100) 및 실리콘 에미터층(110)이 결정되면, 실리콘 에미터층(110) 상부에 자외선을 흡수할 수 있는 반사방지막(120)을 형성 한다.As described above, when the
이때, 자외선 흡수용 반사방지막(120)으로서 AlN계 투명 형광체 박막을 이용하는 것이 바람직하다. Mn이 도핑된 AlN계 형광체는 비화학양론적(non-stoichiometric) 조성이 용이하여, 수소분위기에서 박막 형성시 수소 도핑이 잘 이루어져서 댕글링 본드 문제를 용이하게 해결할 수 있다.In this case, it is preferable to use an AlN-based transparent phosphor thin film as the
여기서, Mn 도핑 농도는 0.01 ~ 1 mol%인 것이 바람직하다. 본 발명에서 Mn 도핑 농도가 0.01 mol% 미만일 경우에는 발광효율이 저하되며, 1 mol%를 초과할 경우에는 투명 박막 내에 2차상이 발생되어 발광효율이 저하될 수 있다.Here, the Mn doping concentration is preferably 0.01 to 1 mol%. In the present invention, when the Mn doping concentration is less than 0.01 mol%, the luminous efficiency is lowered. When the Mn doping concentration is higher than 1 mol%, a secondary phase is generated in the transparent thin film, thereby lowering the luminous efficiency.
또한, AlN계 투명 형광체 박막은 넓은 밴드갭을 가지고 있어 가시광 투과도가 매우 높다. 따라서, AlN계 투명 형광체 박막을 태양전지의 반사방지막으로 적용할 경우, 투명성 확보가 용이하다. In addition, since the AlN-based transparent phosphor thin film has a wide band gap, visible light transmittance is very high. Therefore, when the AlN-based transparent phosphor thin film is applied as an antireflection film of a solar cell, it is easy to secure transparency.
또한, AlN계 투명 형광체 박막은 태양전지 셀에 적합한 1.9 ~ 2.3의 굴절률을 쉽게 확보할 수 있다. 상기 굴절률은 반사방지막 두께를 50 ~ 100nm로 증착 할 때 주로 나타나고 있다. 굴절율의 1.9 ~ 2.3 범위의 굴절률 이외의 경우에는 태양광이 수광부까지 잘 전달 되지 못해서, 태양광 발전 효율이 저하되는 문제가 있다.
In addition, the AlN-based transparent phosphor thin film can easily secure a refractive index of 1.9 ~ 2.3 suitable for the solar cell. The refractive index is mainly shown when the antireflection film thickness is deposited to 50 to 100 nm. If the refractive index is in the range of 1.9 to 2.3, the solar light is not transmitted well to the light receiving portion, there is a problem that the photovoltaic power generation efficiency is lowered.
아울러, AlN계 형광체 소재는 자외선을 흡수하여 여기된 전자를 재결합시키면서 적-오렌지 영역대의 빛의 파장을 방출한다. 이때, 적-오렌지 영역대의 방출 파장은 태양전지 효율의 확률을 극대화 시킬 수 있는 가시광 파장이다.In addition, the AlN-based phosphor material absorbs ultraviolet rays and recombines excited electrons to emit wavelengths of light in the red-orange region. At this time, the emission wavelength of the red-orange region is a visible light wavelength that can maximize the probability of solar cell efficiency.
따라서 본 발명에 따른 AlN계 투명 형광체 박막층을 반사방지막으로 이용할 경우에는 자외선이 모두 흡수될 수 있으므로 자외선에 의한 손상 없고 우수한 내구성을 나타낼 수 있도록 한다.Therefore, when the AlN-based transparent phosphor thin film layer according to the present invention is used as an anti-reflection film, all of the ultraviolet rays can be absorbed, thereby exhibiting excellent durability without damage caused by the ultraviolet rays.
또한, 흡수된 자외선이 모두 가시광 파장으로 방출시켜서 태양 광량에 가시광 파장을 더 추가시킬 수 있다. 즉, 발전에 기여할 수 있는 광량을 극대화시킴으로써, 캐리어의 농도를 증가시키고, 이는 태양전지의 효율을 증가시켜서 우수한 태양전지 발전 효율을 제공할 수 있도록 한다.
In addition, all of the absorbed ultraviolet rays can be emitted at the visible light wavelength to further add the visible light wavelength to the amount of sunlight. That is, by maximizing the amount of light that can contribute to power generation, the concentration of the carrier is increased, which increases the efficiency of the solar cell, thereby providing excellent solar cell power generation efficiency.
그리고, 상기 같은 AlN계 투형 형광체 박막층은 CVD 또는 PVD 방법으로 형성할 수 있으며, 보다 구체적으로는 PECVD(Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition), MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 및 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 중 하나 이상의 방법이 사용될 수 있다.In addition, the AlN-based fluorescent phosphor thin film layer may be formed by a CVD or PVD method, and more specifically, Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), and Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE). One or more of the methods may be used.
이상에서와 같이 베이스 실리콘 기판(100), 실리콘 에미터층(110) 및 반사방지막(120) 형성이 완료되면 그 다음으로, 상기 반사방지막(120) 상부에 라인/스페이스 패턴으로 이루어지는 금속 재질의 상부전극(130)을 형성한다.As described above, when formation of the
그리고 상부전극(130)에 열을 가하여, 상부전극(130)이 반사방지막(120)을 관통하여 실리콘 에미터층(110)에 접속되도록 한다.Heat is applied to the
그 다음으로, 베이스 실리콘 기판(100)의 배면에 접속되는 하부전극(140)을 형성한다.
Next, a
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 태양전지는 반사방지막을 Mn이 도핑된 AlN계 투명 형광체를 이용하여 형성하는 것 이외에 대부분은 일반 태양전지 제조 과정과 구조를 그대로 따른다.As described above, in the solar cell according to the present invention, in addition to forming the anti-reflection film by using an AlN-based transparent phosphor doped with Mn, most of them follow the general solar cell manufacturing process and structure.
특히, 상기 베이스 실리콘 기판의 표면 및 상기 실리콘 에미터층의 표면 중 하나 이상에 텍스쳐링(Texturing) 처리를 수행하고 있는 경우가 대부분이나, 본 발명에 따른 형광체층의 특성을 명확하게 부각시킬 수 있도록 상기 도 1의 설명에서는 생략하였다.In particular, a texturing treatment is performed on at least one of the surface of the base silicon substrate and the surface of the silicon emitter layer. However, the figure can clearly highlight the characteristics of the phosphor layer according to the present invention. The description of 1 is omitted.
따라서, 상술한 설명에서 생략된 태양전지의 구성 및 그 제조 방법에 의해서 본 발명이 제한되는 것은 아니며, 이하에서도 동일하게 적용되는 것으로 한다.
Therefore, the present invention is not limited by the configuration of the solar cell omitted in the above description and the manufacturing method thereof, and the same applies to the following.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 Mn이 도핑된 AlN계 투명 형광체 박막층으로 이루어진 반사방지막을 나타낸 단면사진이다.Figure 2 is a cross-sectional view showing an anti-reflection film made of an AlN-based transparent phosphor thin film layer doped with Mn according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 실리콘 웨이퍼(Si wafer) 상부에 Mn이 도핑된 AlN계 투명 형광체 박막층(Mn-doped AlN)이 형성된 것을 볼 수 있다.Referring to FIG. 2, it can be seen that an MN-doped AlN-based transparent phosphor thin film layer (Mn-doped AlN) is formed on a silicon wafer.
단면 사진에서 확인할 수 있는 바와 같이, 상기 Mn이 도핑된 AlN계 투명 형광체 박막층을 반사방지막으로 형성할 경우, 높은 투과율 확보 및 자외선 차단 효과를 얻을 수 있다.
As can be seen in the cross-sectional photograph, when the MN-doped AlN-based transparent phosphor thin film layer is formed as an anti-reflection film, it is possible to obtain a high transmittance and ultraviolet ray blocking effect.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지막의 여기 파장 및 방출 파장을 나타낸 그래프이다.3 is a graph showing the excitation wavelength and the emission wavelength of the anti-reflection film according to an embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, Mn-doped AlN 형광체 소재의 PL(photoluminescence) 측정결과을 나타낸 것으로, 자외선 파장 영역대(300nm 이하)의 빛을 여기파장(Exitation)으로 하고, 적색-오렌지 영역대(600nm 부근)의 빛을 방출파장(Emission)으로 갖는 것을 알 수 있다.
Referring to FIG. 3, PL (photoluminescence) measurement results of Mn-doped AlN phosphor material are shown, and light in the ultraviolet wavelength range (300 nm or less) is used as excitation wavelength and red-orange range (near 600 nm). It can be seen that the light having the emission wavelength (Emission).
상술한 본 발명의 반사방지막은 도핑원소로 Mn을 사용한 경우를 주로 설명하였으나, 그 이외에도 Cr, Cu, Si, Eu, Er, Ce, Mg, Gd 및 Ho 중 하나 이상이 도핑원소로 사용될 수 있다. The anti-reflection film of the present invention described above mainly described the case where Mn is used as the doping element, but in addition, one or more of Cr, Cu, Si, Eu, Er, Ce, Mg, Gd, and Ho may be used as the doping element.
본 발명에 따른 반사방지막은 상기 도핑원소에 따라 발광하는 가시광 영역대의 파장이 다르게 나타날 수 있다. 예를 들어, Cr은 702nm, Si+Eu 는 465nm 부근의 발광하는데, 이는 모두 캐리어 농도 증가를 위한 태양 전지 효율에 기여하는 파장 영역대이므로, 상술한 Mn 도핑에 따른 구성 및 효과를 모두 만족시킬 수 있다.
In the anti-reflection film according to the present invention, the wavelength of the visible light region emitted according to the doping element may be different. For example, Cr emits light around 702 nm and Si + Eu around 465 nm, which are all wavelength ranges contributing to solar cell efficiency for increasing carrier concentration, thus satisfying both the configuration and the effects of Mn doping described above. have.
상술한 바와 같이, 본 발명은 AlN계 투명 형광체 박막층을 반사방지막으로 사용함으로써, 상기 반사방지막에서 태양광의 자외선이 흡수되도록 하여, 자외선이 태양전지 셀 내로 침투하지 못하도록 할 수 있다. 따라서, 태양전지의 전반적인 내구성을 향상시킬 수 있다.As described above, according to the present invention, by using an AlN-based transparent phosphor thin film layer as an anti-reflection film, ultraviolet light of sunlight can be absorbed from the anti-reflection film, thereby preventing ultraviolet light from penetrating into the solar cell. Therefore, the overall durability of the solar cell can be improved.
또한 본 발명은 가시광 영역대 파장의 빛을 발광할 수 있는 AlN계 투명 형광체 박막층을 반사방지막으로 사용함으로써, 태양전지 셀 내부로 흡수되는 광량을 증가시킬 수 있으며, 이로 인하여 태양전지의 발전 효율을 극대화시키고, 태양전지의 활용성을 확장시킬 수 있다.
In addition, the present invention can increase the amount of light absorbed into the solar cell by using an AlN-based transparent phosphor thin film layer capable of emitting light in the visible region band wavelength as an anti-reflection film, thereby maximizing the power generation efficiency of the solar cell And extend the utility of solar cells.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 기술자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형은 본 발명이 제공하는 기술 사상의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.
Although the above has been described with reference to the embodiments of the present invention, various changes and modifications can be made at the level of those skilled in the art. Such changes and modifications can be said to belong to the present invention without departing from the scope of the technical idea provided by the present invention. Therefore, the scope of the present invention will be determined by the claims described below.
100 : 제1 도전 타입의 베이스 실리콘 기판
110 : 제2 도전 타입의 실리콘 에미터층
120 : 반사방지막
130 : 상부전극
140 : 하부전극100: base silicon substrate of the first conductivity type
110: silicon emitter layer of the second conductivity type
120: antireflection film
130: upper electrode
140: lower electrode
Claims (13)
It is formed on the light receiving portion of the solar cell, the anti-reflection film for a solar cell comprising an AlN-based transparent phosphor thin film layer.
상기 AlN계 투명 형광체 박막층은
Mn이 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지용 반사방지막.
The method of claim 1,
The AlN-based transparent phosphor thin film layer
An antireflection film for solar cells, wherein Mn is doped.
상기 AlN계 투명 형광체 박막층은
가시광 영역의 발광 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지용 반사방지막.
The method of claim 1,
The AlN-based transparent phosphor thin film layer
The anti-reflection film for solar cells which has a light emission wavelength of visible region.
상기 AlN계 투명 형광체 박막층의 Mn 농도는
0.01 ~ 1 mol%인 것을 특징으로 하는 태양전지용 반사방지막.
The method of claim 1,
Mn concentration of the AlN-based transparent phosphor thin film layer is
Antireflection film for solar cells, characterized in that 0.01 to 1 mol%.
상기 베이스 실리콘 기판 상부에 형성되며, 상기 제1 도전 타입과 반대되는 제2 도전 타입의 실리콘 에미터층; 및
상기 실리콘 에미터층 상부에 형성되며, AlN계 투명 형광체 박막층으로 형성된 반사방지막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
A base silicon substrate of a first conductivity type;
A silicon emitter layer of a second conductivity type formed on the base silicon substrate and opposite to the first conductivity type; And
And an anti-reflection film formed on the silicon emitter layer and formed of an AlN-based transparent phosphor thin film layer.
상기 AlN계 투명 형광체 박막층은
Mn이 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지.
The method of claim 5,
The AlN-based transparent phosphor thin film layer
A solar cell, wherein Mn is doped.
상기 AlN계 투명 형광체 박막층은
가시광 영역의 발광 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지.
The method of claim 5,
The AlN-based transparent phosphor thin film layer
A solar cell having a light emission wavelength in the visible light region.
상기 태양전지는
상기 반사방지막을 관통하여 상기 실리콘 에미터층과 접속되는 상부전극; 및
상기 베이스 실리콘 기판의 이면에 접속되는 하부전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
The method of claim 5,
The solar cell
An upper electrode connected to the silicon emitter layer through the anti-reflection film; And
And a lower electrode connected to the rear surface of the base silicon substrate.
상기 AlN계 투명 형광체 박막층은
Mn, Cr, Cu, Si, Eu, Er, Ce, Mg, Gd 및 Ho 중 하나 이상이 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지용 반사방지막.
Including an AlN-based transparent phosphor thin film layer formed on the light receiving portion of the solar cell,
The AlN-based transparent phosphor thin film layer
Anti-reflection film for solar cell, characterized in that at least one of Mn, Cr, Cu, Si, Eu, Er, Ce, Mg, Gd and Ho is doped.
상기 실리콘 에미터층 상부에 Mn이 도핑된 AlN계 투명 형광체 박막을 증착하여 반사방지막을 형성하는 단계;
상기 반사방지막을 관통하여 상기 실리콘 에미터층과 접속되는 상부전극을 형성하는 단계; 및
상기 베이스 실리콘 기판의 이면에 접속되는 하부전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법.
Forming a silicon emitter layer of a second conductivity type opposite to the first conductivity type on a base silicon substrate of a first conductivity type;
Forming an anti-reflection film by depositing an AlN-based transparent phosphor thin film doped with Mn on the silicon emitter layer;
Forming an upper electrode penetrating the anti-reflection film and connected to the silicon emitter layer; And
Forming a lower electrode connected to a rear surface of the base silicon substrate.
상기 베이스 실리콘 기판의 표면 및 상기 실리콘 에미터층의 표면 중 하나 이상에 텍스쳐링(Texturing) 처리를 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법.
The method of claim 10,
And performing a texturing treatment on at least one of a surface of the base silicon substrate and a surface of the silicon emitter layer.
상기 반사방지막 형성 단계는
CVD 또는 PVD 방법을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법.
The method of claim 10,
The anti-reflection film forming step
Method for producing a solar cell, characterized in that carried out using a CVD or PVD method.
상기 CVD 방법은
PECVD(Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition), MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 및 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 중 하나 이상을 이용하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법.The method of claim 12,
The CVD method
A solar cell manufacturing method comprising at least one of Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), and Hydrolysis Vapor Phase Epitaxy (HVPE).
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|---|---|---|---|---|
| KR20160139987A (en) * | 2015-05-29 | 2016-12-07 | 엘지전자 주식회사 | Solar cell module |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08204222A (en) * | 1995-01-23 | 1996-08-09 | Katsuyasu Kono | Light receiving element |
| JP2001077388A (en) | 1999-09-07 | 2001-03-23 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | Solar cell and its manufacturing method |
| JP2003243682A (en) | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Solar cell |
| KR20100024318A (en) * | 2008-08-25 | 2010-03-05 | 오수영 | Solar cells |
-
2011
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08204222A (en) * | 1995-01-23 | 1996-08-09 | Katsuyasu Kono | Light receiving element |
| JP2001077388A (en) | 1999-09-07 | 2001-03-23 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | Solar cell and its manufacturing method |
| JP2003243682A (en) | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Solar cell |
| KR20100024318A (en) * | 2008-08-25 | 2010-03-05 | 오수영 | Solar cells |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160139987A (en) * | 2015-05-29 | 2016-12-07 | 엘지전자 주식회사 | Solar cell module |
| KR102454981B1 (en) * | 2015-05-29 | 2022-10-24 | 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 | Solar cell module |
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