KR101133136B1 - 플라즈마 디스플레이 패널 및 이를 위한 전극시트의 제조방법 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널 및 이를 위한 전극시트의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 관한 플라즈마 디스플레이 패널은, 복수 개의 관통공이 전후면으로 관통하여 형성되는 기저판과, 관통공의 전면 개구부를 둘러싸도록 기저판의 전면에 형성되는 방전부들을 구비하며 방전부들이 기저판의 일 방향을 따라 연결되어 실질적으로 서로 평행하게 배치되는 제1 전극들과, 관통공의 후면 개구부를 덮도록 기저판의 후면에 배치되며 제1 전극들에 교차하는 방향으로 연장되는 제2 전극들과, 제1 전극들의 표면과 관통공을 통해 노출되는 제2 전극의 전면을 덮는 유전체층과, 방전부의 전면을 덮어 방전 공간을 한정하도록 기저판의 전면에 배치되는 투명 기판과, 방전 공간의 적어도 일부에 도포되는 형광체층과, 방전 공간에 충전되는 방전가스를 포함한다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널 및 이를 위한 전극시트의 제조 방법{Plasma display panel and manufacturing method of electrode sheet for the same}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 플라즈마 디스플레이 패널의 일부 분해 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 플라즈마 디스플레이 패널에서 기저판과 전극들의 배치를 도시하는 분해 사시도이다.
도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 취한 측면 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 관한 플라즈마 디스플레이 패널의 일부 측면 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 플라즈마 디스플레이 패널의 일부 측면 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 관한 플라즈마 디스플레이 패널용 전극시트의 제조방법을 도시하는 흐름도이다.
도 7 내지 도 19는 도 4의 플라즈마 디스플레에 패널의 전극시트를 제조하는 방법의 각 단계들을 나타내는 단면도들이다.
도 20은 도 7 내지 도 19에서 도시된 단계들에 의해 완성된 전극시트를 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널을 완성하는 단계를 도시하는 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
100: 플라즈마 디스플레이 패널 133a, 233a: 제1 유전체층
101: 전극시트 133b, 233b: 제2 유전체층
102: 관통홀 134: 후면 유전체층
103: 연결전극 140: 격벽
110: 기저판 141, 341: 형광체층
111: 관통공 151: 후면 보호층
120, 220: 제1 전극 160: 방전 공간
120a, 130a: 전도성막 170, 370: 투명 기판
120b, 120c: 단자부 301: 감광성 레지스트층
121, 221: 방전부 301e, 301f: 공간
122: 전면 연결부 302: 마스크
130, 230: 제2 전극 303: 패턴
131: 후면 방전부 310: 드릴
132: 후면 연결부 340: 요홈
133, 233: 유전체층 401: 레지스트층
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 및 이를 위한 전극시트의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 링 플라즈마 방식의 전극 구조를 이용하면서도 전극시트의 방전 공간 형성과 전극 형성이 용이한 플라즈마 디스플레이 패널 및 전극시트의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널은 서로 마주보는 한 쌍의 기판사이에 형성된 많은 방전 공간에 주입된 기체를 방전시킴으로써 자외선을 발생시키고 이에 의해 방전 공간 내에 형성된 형광체를 발광시켜 이미지 등의 화상을 표시한다.
플라즈마 디스플레이 패널에는 복수의 전극들이 설치되어 외부에서 공급되는 전기 신호에 따라 방전을 일으키는 작용을 한다. 일반적인 교류형 면방전 전극구조의 패널에서는 전극들이 기판 위에 형성되며 유전체에 의해 매립된다. 그러나 이와 같은 구조의 종래의 플라즈마 디스플레이 패널에서는, 방전 공간의 형광체층에서 발광된 가시광선이 통과하는 전면기판 상에 유지전극들과, 유전체층과, 보호층이 배치된다. 이러한 요소들로 인하여 전면기판을 통과하는 가시광선의 투과율이 60% 밖에 되지 않는 문제점이 있었다.
또한 방전을 일으키는 유지전극들이 방전 공간의 상면, 즉 가시광선이 통과하는 전면기판의 내측 면에 형성되므로, 방전이 전면기판의 내측 면에서 발생하여 확산하여 발광효율이 낮은 문제점이 있었다.
최근에는 이와 같은 문제점을 개선하여 띠(스트라이프) 형태의 유지전극을 대체하여 링 형태의 전극이 사용되는 플라즈마 디스플레이 패널이 개발되었다. 링 형태의 전극에 의하면 종래에는 수평 방향으로 발생하였던 방전이 수직 방향으로 발생된다. 링 형태의 전극은 방전 공간을 둘러싸며 연장되므로 방전 공간에서 발광 되는 가시광선의 경로를 차단하지 않는다.
링 형태의 전극을 포함하는 격벽을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널에서는 종래에는 전면기판에 형성되던 유지전극, 유전체층 등이 방전 공간의 측면에 형성되므로, 가시광선의 경로에 존재하던 장애물이 제거되며, 방전전극의 유효면적이 넓어지며, 방전영역이 확대된다. 이로 인해 투과율이 향상되고, 발광효율이 개선되며, 영구잔상 현상이 감소되고, 저 전압에 의한 구동이 가능한 여러 가지 장점을 기대할 수있다.
링 형태의 전극을 포함하는 격벽은 유전체로 이루어지는 복수의 격벽들이 적층되는 방식으로 형성된다. 격벽들을 형성시킬 때에는 유전체 페이스트를 일정 형상으로 패터닝(patterning)하는 단계를 실시하고, 패터닝 단계에서는 반드시 페이스트 내의 수지성분을 소성하는 처리를 하여야 한다. 소성 공정에서는 고온 처리가 필수적이므로, 500도 이상의 소성 온도를 견딜 수 있는 소재가 사용되어야 한다. 이러한 이유로 인해 소성 공정에 의한 전극 형성 방법은 제조 원가가 증가하는 문제점이 있었다.
최근에는 투과율과 발광효율 등이 우수한 링 형태의 전극 구조를 채택하면서도 적은 제조 비용을 들여 플라즈마 디스플레이 패널을 제작하기 위해 전극 시트의 기술이 개발되고 있다. 전극 시트는 플라즈마 디스플레이 패널의 유리 기판의 사이에 배치되는 시트로서, 종래의 소성 공정 대신에 시트에 전극을 배치하는 간단한 공정만으로도 제작이 가능하므로 비용을 절감하는 장점이 있었다.
이와 같은 전극 시트에 링 형태의 전극을 형성시키는 경우에는 전극 시트에 방전 공간으로 기능하는 홀이 형성되어야 한다. 일반적으로 전극 시트에 홀을 가공하는 공정은 드릴 작업에 이루어지는데, 드릴 작업에는 다음과 같은 여러 가지 문제점이 있었다.
첫째, 전극 시트의 일측 면에서 타측 면으로 홀을 가공하기 위해서는 전극 시트의 양측 면에 형성되는 전극들이 정확하게 일치되어야 한다. 이는 전극시트의 양측 면의 전극들이 서로 정렬되지 않도록 형성된 상태에서 드릴 작업을 실시하면, 적어도 일측 면의 전극들이 손상되기 때문이다. 그러나 전극시트의 양측면에 전극들을 정확하게 일치하도록 형성하는 데에는 상당한 정밀도가 요구되므로, 이는 전극시트 제작을 어렵게 하는 요인으로 작용한다.
둘째, 최근의 디스플레이 기술은 고화질의 화상을 구현하기 위해 화소들이 미세하고 정밀하게 제작되므로, 플라즈마 디스플레이 장치에서도 전극들과 방전 공간들이 고밀도로 배치된다. 그러므로 드릴 작업에 의해 링 형태의 전극들이 배치되는 위치에 정확하게 일치시켜 홀을 가공하는 작업이 대단히 어려운 문제점이 있었다.
셋째, 드릴 작업에 의해 홀을 가공할 때에는 작업이 진행되는 동안 링 전극의 내부 면에 열이 전달되므로, 전극들이 열에 의해 변형되는 문제가 발생하기도 한다.
이와 아울러 플라즈마 디스플레이 패널의 기판에 대해 수직하게 형성되는 방전 공간의 내벽과, 방전 공간을 향하는 전극의 내측 면에 유전체를 형성시키는 공정도 용이하지 않은 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 전극이 방전 공간을 둘러싸는 링 플라즈마 방식의 플라즈마 디스플레이 패널 및 이를 전극시트의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 시트에 방전 공간을 형성할 때에 드릴링 작업에 의해 전극에 손상이 발생되지 않도록 함과 아울러 방전 공간을 형성하는 작업을 용이하게 하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 전극의 측면에 유전체를 도포하는 작업이 용이하게 이루어지도록 하는 데 있다.
본 발명은 전극이 방전 공간을 둘러싸는 링 플라즈마 방식의 플라즈마 디스플레이 패널 및 이를 위한 전극시트의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 관한 플라즈마 디스플레이 패널은, 복수 개의 관통공이 전후면으로 관통하여 형성되는 기저판과, 관통공의 전면 개구부를 둘러싸도록 기저판의 전면에 형성되는 방전부들을 구비하며 방전부들이 기저판의 일 방향을 따라 연결되어 실질적으로 서로 평행하게 배치되는 제1 전극들과, 관통공의 후면 개구부를 덮도록 기저판의 후면에 배치되며 제1 전극들에 교차하는 방향으로 연장되는 제2 전극들과, 제1 전극들의 표면과 관통공을 통해 노출되는 제2 전극의 전면을 덮는 유전체층과, 방전부의 전면을 덮어 방전 공간을 한정하도록 기저판의 전면에 배치되는 투명 기판과, 방전 공간의 적어도 일부에 도포되는 형광체층과, 방전 공간에 충전되는 방전가스를 포함한다.
본 발명에 있어서, 투명 기판의 후면에 방전부들의 전면에 대응되는 격벽들이 돌출 형성되어 방전 공간을 한정할 수 있고, 격벽의 내면에 형광체층이 도포될 수 있다.
본 발명에 있어서, 기저판 상에서의 방전부의 폭은 기저판으로부터 멀어질수록 작아지도록 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 방전부의 내측면은 기저판에서 투명 기판으로 갈수록 방전 공간의 외측을 향하여 경사면을 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서, 유전체층의 표면에 형성되는 보호막을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 기저판은 폴리에테르설폰 수지 및 폴리이미드 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 기저판의 후면에는 제2 전극들을 덮도록 후면 보호층이 형성될 수 있다.
본 발명에 관한 플라즈마 디스플레이 패널용 전극시트의 제조 방법은, 기저판을 제공하는 단계와, 기저판의 양측면에 전도성 소재의 전도성막을 형성하는 단계와, 전도성막 상에 감광성 레지스트층을 형성하는 단계와, 감광성 레지스트층 위에 마스크를 배치하고 노광 및 현상을 행함으로써 방전 공간이 형성될 영역들을 둘러싸는 방전부들을 구비하며 기저판의 전면에 형성될 제1 전극들에 대응되는 부분 및 기저판의 후면에서 방전 공간이 형성될 영역들을 덮도록 형성될 제2 전극들에 대응되는 부분을 제외한 감광성 레지스트층의 일부분을 제거하는 단계와, 감광성 레지스트층이 제거된 부분에서 노출된 전도성막을 에칭에 의해 제거하여 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 에칭 단계와, 감광성 레지스트층의 잔류 부분을 제거하는 단계와, 제1 전극의 방전부에 의해 전면으로 노출되며 방전 공간에 대응되는 기저판의 부분을 제거하는 단계와, 싱기 제1 전극과 방전 공간을 통해 기저판의 전면을 향하여 노출된 제2 전극을 덮도록 유전체를 도포하는 단계를 포함한다.
본 발명에 있어서, 기저판의 방전 공간에 대응되는 부분을 제거하는 단계는 방전부를 통해 기저판을 드릴링하는 단계를 포함할 수 있다. 드릴링하는 단계는 레이저 드릴(laser drill)을 이용하여 드릴 가공할 수 있다.
이하, 첨부 도면의 실시예들을 통하여, 본 발명에 관한 플라즈마 디스플레이 패널 및 이를 위한 전극시트의 제조 방법의 구성과 작용을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 플라즈마 디스플레이 패널의 일부 분해 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 플라즈마 디스플레이 패널에서 기저판과 전극들의 배치를 도시하는 분해 사시도이며, 도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 취한 측면 단면도이다.
도 1 내지 도 3에 나타난 실시예에 관한 플라즈마 디스플레이 패널(100)은 기저판(110)과, 기저판(110)에 형성되는 제1 전극들(120) 및 제2 전극들(130)과, 유전체층(133)과, 형광체층(141)과, 기저판(110)의 전면에 배치되는 투명 기판(170)과, 방전가스를 포함한다.
투명 기판(170)은 빛을 투과시키는 성질을 갖는 경질의 유리 재질이나 유연성이 있는 재질로 이루어질 수 있다. 따라서 방전 공간(160)에서 발생하는 가시광 이 투명 기판(170)을 통하여 외부로 방출될 수 있다.
투명 기판(170)의 후면에는 전극시트(101)가 배치된다. 전극시트(101)는 투명 기판(170)의 후면에서 복수 개의 방전 공간(160)을 한정하는 부분이다. 전극시트(101)는 기저판(110)과, 기저판(110)의 전후 면에 각각 형성되는 제1 전극(120)과, 제2 전극(130) 등을 포함한다. 전극들(120, 130)은 기저판(110)의 표면에 길게 연장 형성되어, 외부로부터 전기 신호를 공급받아 방전을 발생시키는 작용을 한다.
투명 기판(170)과 기저판(110)은 서로 대향하도록 배치되는데, 투명 기판(170)과 기저판(110)의 사이에는 제1 전극(120)과, 격벽(140) 등이 배치되므로 투명 기판(170)과 기저판(110)은 서로 소정 간격 이격된다.
기저판(110)의 양 측면에는 각각 제1 전극(120)과 제2 전극(130)이 배치되는데, 기저판(110)은 제1 전극(120)과 제2 전극(130)의 사이에 방전이 일어나도록 유전체 소재를 포함한다. 즉 기저판(110)은 벽전하(wall charge)를 형성하여 방전 유지 전압에 의해 방전을 유지시키며, 플라즈마 방전 시에 이온 충격으로부터 전극들을 보호하고 확산 방지막의 역할을 수행한다. 기저판(110)은 폴리에테르설폰 수지 및 폴리이미드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 기저판(110)은 유연성을 갖도록 제작될 수 있다. 기저판(110)과 투명 기판(170) 모두가 유연성을 갖는 재질로 제작되면, 플라즈마 디스플레이 패널이 유연성을 가지므로 공간에 재약을 받지 않고 다양한 장소에 설치될 수도 있을 것이다.
제1 전극(120)과 제2 전극(130)은 대략 30㎛의 두께로 형성되며, 기저판(110)은 벽전하가 형성되도록 유도함으로써 제1 전극(120)과 제2 전극(130)의 사 이에 방전이 이루어질 수 있도록 해야 하므로 충분히 얇은 두께로 형성될 수 있다. 기저판(110)의 두께는 5 ㎛ 내지 25 ㎛ 일 수 있다. 기저판(110)에는 복수 개의 관통공들(111)이 전면과 후면을 관통하여 형성된다. 관통공들(111)은 투명 기판(170)과 기저판(110)의 사이에서 방전 공간(160)을 형성하는 부분이다.
기저판(110)의 전면에는 복수 개의 제1 전극(120)이 기저판(110) 상의 일 방향으로 연장되도록 형성되며, 실질적으로 서로 평행하게 배치된다. 제1 전극(120)은 기저판(110)의 전면의 소정 영역을 둘러싸는 방전부(121)와, 방전부(121)를 연결하는 전면 연결부(122)를 포함한다. 방전부(121)는 관통공(111)의 전면 개구부를 둘러싸도록 기저판(110)의 전면에 형성된다. 따라서 방전부(121)는 전극시트(101)와 투명 기판(170)이 서로 합착되었을 때 방전 공간(160)을 형성하는 부분이다.
본 실시예의 방전부(121)는 원형 고리의 형상으로 이루어지지만, 이를 변형하여 다른 형상이 될 수도 있다. 예를 들어, 방전부(121)는 사각형과 같은 다각형이나 타원형 등의 다양한 형상으로 이루어질 수 있다.
방전부(121)는 서로 이격되도록 배치되는데, 서로 이격된 인접한 방전부(121)들은 전면 연결부(122)에 의해 연결된다. 이와 같이 방전부(121)들과 전면 연결부(122)가 반복적으로 연결되며 연장됨으로써 제1 전극(120)이 기저판(110) 상의 일 방향을 따라 연장된다. 이와 같이 기저판(110)의 상의 일 방향으로 연장되는 제1 전극(120)은 서로 평행하게 배치된다.
기저판(110)의 후면에는 복수 개의 제2 전극들(130)이 배치된다. 제2 전극들(130)은 제1 전극들(120)에 교차하는 방향으로 연장된다. 제2 전극들(130)은 관 통공(111)의 기저판(110)의 후면에 배치되는 후면 방전부(131)와, 후면 연결부(132)를 포함하며 실질적으로 서로 평행하게 배치된다. 제2 전극(130)은 Ag, Cu, Cr 등의 전도성 소재로 이루어질 수 있다.
후면 방전부(131)는 기저판(110)의 후면에서 제1 전극(120)의 방전부(121)들이 둘러싸는 영역에 배치된다. 즉 후면 방전부(131)는 관통공(111)의 후면 개구부를 덮도록 기저판(110)의 후면에 배치된다. 따라서 제2 전극(130)의 후면 방전부(131)와 제1 전극(120)의 방전부(121)의 사이에 방전이 이루어진다.
후면 연결부(132)는 제1 전극(120)이 연장되는 방향에 교차하는 방향으로 연장되며, 후면 방전부(131)들을 전기적으로 연결한다.
제1 전극들(120)의 표면에는 유전체층(133)이 형성된다. 유전체층(133)은 제1 전극들(120)을 덮도록 기저판(110)의 전체에 형성될 수 있고, 제1 전극들(120)이 형성된 부분만을 덮도록 기저판(110)의 일부 위에만 형성될 수도 있다. 유전체층(133)은 제1 전극들(120)의 표면을 덮는 제1 유전체층(133a)과, 관통공(111)을 통해 기저판(110)의 전면으로 노출되는 제2 전극(130)의 전면을 덮는 제2 유전체층(133b)을 포함한다.
유전체층(133)은 벽 전하(wall charge)를 형성하여 방전 유지 전압에 의해 방전을 유지시키고, 플라즈마 방전 시에 이온충격으로부터 전극을 보호하고, 확산 방지막의 기능을 한다. 상술한 바와 같은 구성에 의하면 제1 전극(120)과 제2 전극(130)의 사이에 이루어지는 플라즈마 방전은 방전 공간(160)에서 발생하므로, 유전체층(133)은 방전 공간(160)으로 노출되는 제2 전극(130)의 전면에만 도포되면 된다. 따라서 유전체층(133)이 기저판(110)의 전면에서만 도포되면 되므로 유전체층(133)의 도포 공정이 용이해지는 장점이 있다.
제1 전극(120)을 덮는 제1 유전체층(133a)과 제2 전극(130)을 덮는 제2 유전체층(133b)이 서로 대략 직각을 이루도록 형성되므로, 제1 전극(120)과 제2 전극(130)의 사이의 플라즈마 방전은 도 3에 도시된 것과 같이 대략 직각을 이루는 면들 사이에서 이루어진다.
또한 본 실시예의 플라즈마 디스플레이 패널은 링 플라즈마 방식의 전극 구조를 이용하면서도 기저판(110)의 관통공(111)을 통해 방전 공간(160)을 향하는 제2 전극(130)의 후면 방전부(131)와 제1 전극(120)의 방전부(121)의 사이에서 방전이 발생할 수 있으므로, 방전 공간을 형성하기 위해 제2 전극(130)을 드릴 가공할 필요가 없다. CO2 레이저 드릴을 이용하면 제1 전극(120)이나 제2 전극(130)에는 영향을 미치지 않고 유전체 소재를 포함하는 기저판(110) 만을 제거할 수 있으므로, 방전 공간을 형성하기 위한 드릴 작업이 용이해지는 장점이 있다.
뿐만 아니라 드릴 작업에 의해 제1 전극(120)이나 제2 전극(130)이 손상되지 않도록 하기 위해, 기저판(110)의 표면에 제1 전극(120)과 제2 전극(130)을 형성시킬 때 정밀하게 정렬시킬 필요가 없어지므로 전극시트(101)를 제작하는 공정도 용이해지는 장점도 있다.
도시되지는 않았으나 제1 전극들(120)을 덮는 유전체층(133) 위에는 보호막이 형성될 수 있다. 보호막은 이차 전자 방출 계수가 높은 MgO 등의 재질을 이용하 여 스퍼터링이나 증착 등의 방법에 의해 배치될 수 있으며, 가시광선이 진행하는 광 경로 상에 배치되지 않으므로 2차 전자 방출 특성이 좋다. 보호막은 방전 전압을 강하시키고 동시에 방전을 유지시켜주며 이온 충격으로부터 유전체층(133) 및 제1 전극(120)을 보호하는 기능을 한다.
상술한 바와 같이 제1 전극들(120)은 방전 공간(160)의 둘레에 배치되므로 가시광선이 진행하는 광 경로를 가로막지 않는다. 그러므로 복수의 제1 전극들(120)을 이루는 전극들은 가시광선을 투과시킬 수 있는 투명한 ITO 전극으로 만들 필요는 없으며, 전기 전도도가 좋은 Ag, Cu, Cr 등의 재질로 만들 수 있다. 따라서 ITO 전극을 사용하던 종래 기술에서의 화면 불균일 문제와 제조 비용 상승의 문제를 해소할 수 있다. 또한 전극의 존재로 인해 가시광선이 차단되는 일이 없으므로 휘도가 증대된다.
투명 기판(170)과 기저판(110)의 사이에는 복수 개의 격벽들(140)이 배치된다. 투명 기판(170)이 방전부(121)의 전면을 덮도록 기저판(110)의 전면에 배치되어 방전 공간(160)을 형성할 수 있는데, 본 실시예에서는 충분한 크기의 방전 공간(160) 확보를 위해 투명 기판(170)과 기저판(110)의 사이에 격벽(140)이 배치된다.
격벽(140)은 제1 전극(120)의 방전부(121)의 전면과 투명 기판(170)의 사이에 배치되는데, 방전부(121)를 따라 연장됨으로써 방전부(121) 및 투명 기판(170)의 후면과 함께 방전 공간(160)을 둘러싼다. 이와 같은 구성의 격벽(140)은 제1 전극(120)과 제2 전극(130)의 사이에 발생하는 방전이 발생하는 방전 공간(160)을 충 분히 확보하는 역할을 한다.
격벽(140)은 Pb, B, Si, Al 및 O 등과 같은 원소를 포함하는 유리성분 등으로 형성될 수 있으며, 필요에 따라 ZrO2, TiO2, 및Al2O3 와 같은 필러(filler)와 Cr, Cu, Co, Fe, TiO2 와 같은 안료가 포함될 수도 있다.
격벽(140)의 내벽 면에는 형광체층(141)이 배치된다. 형광체층(141)들은 플라즈마 디스플레이 패널이 칼라 화상을 구현할 수 있도록 하기 위해 적색발광, 녹색발광 및 청색발광 형광체층들로 구분될 수 있으며, 각각의 형광체들이 방전 공간(160)들 내부에 조합되어 배치됨으로써 칼라화상을 구현하는 단위 화소를 형성할 수 있다.
전극시트(101)의 전면에 투명 기판(170)이 배치되어 합착되면, 격벽(140)과, 제1 전극(120)의 방전부(121)와, 기저판(110)과, 투명 기판(170)에 의해 둘러싸이는 영역인 방전 공간(160)이 한정된다. 방전 공간(160)의 내부에는 네온(Ne)-크세논(Xe)이나, 헬륨(He)-크세논(Xe)과 같은 방전 가스가 주입된다.
기저판(110)의 후면에는 제2 전극들(130)을 덮도록 후면 보호층(151)이 형성될 수 있다. 후면 보호층(151)은 제2 전극들(130)을 보호함과 아울러 유연성을 갖는 기저판(110)을 후면에서 지지함으로써 기저판(110)이 방전 공간(160) 내에 형성되는 진공 압력의 영향으로 변형되지 않도록 하는 기능을 할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 관한 플라즈마 디스플레이 패널의 일부 측면 단면도이다.
도 4에 나타난 플라즈마 디스플레이 패널은 기저판(110)과, 기저판(110)의 전후면에 각각 형성되는 제1 전극들, 제2 전극들(130), 및 유전체층(133)과, 기저판(110)의 전면에 배치되는 투명 기판(170)과, 형광체층(141)과, 방전 공간 내부에 충전되는 방전 가스를 포함하므로, 도 1 내지 도 3에 나타난 실시예의 구성과 전체적으로 유사하다.
도 4에 나타난 실시예에서는 기저판(110) 상에 형성되는 방전부(121)의 폭이 변형되었다. 방전부(221)는 도 1의 실시예에서와 같이 기저판(110)의 전면에 형성되어 제1 전극의 일부를 이루는 부분에 해당한다. 방전부(221)는 기저판(110)의 관통공(111)의 전면 개구부를 둘러싸도록 기저판(110)의 전면에 형성되지만, 방전부(221)의 폭은 기저판(110)으로부터 멀어질수록 작아지도록 형성된다. 따라서 방전부(221)의 단면 형상은 도 4에 도시된 것과 같이 사다리꼴 형상이 될 수 있다. 방전부(221)의 폭이 기저판(110)으로부터 멀어질수록 작아지면 되므로, 방전부(221)의 단면 형상이 반드시 사다리꼴 형상에 한정되는 것은 아니다.
이와 같이 방전부(221)의 폭이 변형됨으로써 상술한 실시예에 비해 다음과 같은 두 가지 장점을 얻을 수 있다.
첫째, 유전체층(233)을 도포하는 공정이 용이해진다. 유전체층(233)을 형성시킬 때에는 기저판(110)의 전면에서만 도포하면 되지만, 방전 공간(160)을 둘러싸는 방전부(221)를 덮는 제1 유전체층(233a)을 형성할 때에 방전부(221)의 측면을 덮도록 도포하는 작업이 어려울 수 있다. 그러나 방전부(221)의 폭이 기저판(110)으로부터 멀어질수록 작아지게 형성되는 본 실시예에서는, 방전부(221)의 측면이 경사면을 이루므로 유전체층(233)을 도포할 때에 방전부(221)의 측면에 용이하게 형성될 수 있다.
둘째, 제1 전극과 제2 전극(130)의 사이에 발생하는 플라즈마 방전의 발생 형태가 적절히 변형될 수 있다. 도 3에 도시된 실시예에서는 방전이 직각을 향하는 면들 사이에서 이루어지지만, 도 4에 실시예에서는 방전부(221)의 측면에 형성되는 제1 유전체층(233a)과, 관통공(111)을 통해 전면으로 노출되는 제2 전극(130)의 전면에 형성되는 제2 유전체층(233b)의 사이에 직각이 아닌 소정의 둔각이 형성된다. 따라서 제1 전극과 제2 전극의 사이에 발생하는 플라즈마 방전이 더욱 용이하게 이루어질 수 있다. 이와 아울러 방전부(221)의 측면이 경사면을 이룸으로써 방전면이 증가하는 장점도 있다.
상술한 바와 같은 장점들을 얻기 위해 방전부(221)의 단면 형상이 반드시 사다리꼴 형상일 필요는 없다. 이를 변형하여 방전부(221)의 방전 공간(160)을 향하는 내측 면에만 경사면을 형성하여도 유전체층(233)을 도포하는 공정을 용이하게 하고, 방전부(221)와 제2 전극(130)의 사이에 발생하는 방전이 용이하게 이루어지도록 할 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 플라즈마 디스플레이 패널의 일부 측면 단면도이다.
도 5에 나타난 실시예에 관한 플라즈마 디스플레이 패널도, 기저판(110)과, 제1 전극(220)과, 제2 전극(130)과, 유전체층(233)과, 투명 기판(170) 등을 포함하는 구성은 상술한 실시예들과 전체적으로 유사하다.
도 5에 나타난 실시예에서는 투명 기판(370)의 형상이 변형되었다. 투명 기판(370)의 후면에는 방전 공간(160)에 대응되는 영역에 요홈(340)이 형성되고, 이 요홈(340)의 내벽 면에 형광체층(341)이 형성된다. 이와 같은 구성에 의해 방전 공간(160)의 영역이 더욱 크게 확보되므로 발광 효율이 향상될 수 있고, 방전 공간(160)에서 발생한 가시광선이 투명 기판(370)을 투과하는 경로가 짧아지므로 가시광선 투과율이 향상되는 장점을 얻을 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 관한 플라즈마 디스플레이 패널용 전극시트의 제조방법을 도시하는 흐름도이다.
도 6에 나타난 실시예에 관한 전극시트의 제조방법은, 기저판을 제공하는 단계(S100)와, 기저판의 양측면에 전도성 소재의 전도성막을 형성하는 단계(S110)와, 전도성막 상에 감광성 레지스트층을 형성하는 단계(S120)와, 감광성 레지스트층 위에 마스크를 배치하고 노광 및 현상을 행함으로써, 방전 공간이 형성될 영역들을 둘러싸는 방전부들을 구비하며 기저판의 전면에 형성될 제1 전극들에 대응되는 부분을 제외한 감광성 레지스트층의 일부와, 기저판의 후면에 방전 공간이 형성될 영역들을 덮는 제2 전극들에 대응되는 부분을 제외한 감광성 레지스트층의 일부를 제거하는 단계(S130)와, 감광성 레스트층이 제거된 부분에서 노출된 전도성막을 에칭에 의해 제거하는 에칭 단계(S140)와, 감광성 레지스트층의 잔류 부분을 제거하는 단계(S150)와, 기저판의 방전 공간에 대응되는 부분을 제거하는 단계(S160)와, 제1 전극과, 방전 공간을 통해 기저판의 전면을 향하여 노출된 제2 전극을 덮도록 유전체를 도포하는 단계(180)를 포함한다.
기저판의 방전 공간에 대응되는 부분을 제거하는 단계(S160)에서는 방전부를 통해 기저판을 드릴링하는 단계를 포함할 수 있으며, 드릴링하는 단계에서는 이산화탄소 레이저를 이용하여 드릴 가공할 수 있다. 기저판은 유전체 소재를 포함할 수 있으므로, 이산화탄소 레이저에 의하면 방전부나 제2 전극을 손상시키지 않고 기저판만을 제거할 수 있다.
방전 공간에 대응되는 부분을 제거하는 단계(S160)의 이후에는 방전 공간 내에 존재하는 이물질을 제거하는 디스미어(desmear) 단계(S170)가 더 포함될 수 있다.
도 7 내지 도 19는 도 4의 플라즈마 디스플레에 패널의 전극시트를 제조하는 방법의 각 단계들을 나타내는 단면도들이다.
전극시트를 제조하기 위해서, 도 7과 같이 가장 먼저 기저판(110)이 제공된다. 기저판(110)은 유전체 소재를 포함하는데, 폴리에테르설폰 수지 및 폴리이미드 중 적어도 하나를 포함하는 유전체 소재일 수 있다. 기저판(110)의 두께는 5 ㎛ 내지 25 ㎛ 일 수 있다.
기저판(110)의 양 측면에는 전도성막(120a, 130a)이 형성된다. 전도성막(120a, 130a)은 플라즈마 디스플레이 패널에서 전극시트의 전극들(도 1의 120, 130)을 형성하기 위한 부분이므로, 전기 신호를 전달하는 전극의 기능을 수행하기 위해 전기 전도성을 갖는 재질로 이루어진다.
전도성막(120a, 130a)은 이하에서 설명되는 에칭 공정의 적용을 받아 전극으로 형성된다. 따라서 전도성막(120a, 130a)은 에칭 공정이 적용될 수 있고 전기 전 도성을 갖는 금속 재질로 이루어질 수 있다. 전도성막(120a, 130a)은 Cu, Al 및 Ag 로 이루어진 군 중에서 선택된 하나의 소재를 포함할 수 있다.
기저판(110)의 양 측면에 전도성막(120a, 130a)을 형성하는 단계는 전기도금(plating), 라미네이팅(laminating) 및 캐스팅(casting) 중에서 어느 하나의 방법을 사용하여 수행될 수 있다. 전도성막(120a, 130a)은 대략 30 ㎛의 두께로 형성될 수 있다.
전도성막(120a, 130a)에 에칭 공정을 적용하여 전극을 형성하는 단계들(도 10 이하)이 수행되기 전에, 도 8 내지 도 9에 도시된 바와 같이 기저판(110)의 하면의 전도성막(130a)을 외부 단자와 연결하는 단계들이 수행될 수 있다. 기저판(110)의 전면 및 후면에 각각 형성되는 전극들은 동일한 면에서 외부 단자와 연결되는 것이 편리하므로, 기저판(110)의 하면의 전도성막(130a)을 기저판(110)의 전면의 외부 단자와 연결되도록 하는 것이 좋다.
이를 위하여 도 8과 같이 기저판(110)의 상하를 관통하는 관통홀(102)을 형성하고, 도 9와 같이 관통홀(102)의 내측면에 기저판(110)의 하면에 형성된 전도성막(130a)과 연결되는 연결전극(103)을 형성한다. 이로써 기저판(110)의 하면에서 형성되는 전극은 기저판(110)을 관통하여 전면에서 전기적으로 연결될 수 있으므로, 기저판(110)의 전면에서 형성되는 전극과 같은 면에서 외부 단자와 연결될 수 있다.
전도성막(120a, 130a)이 형성된 기저판(110)이 준비되면, 도 10에서와 같이 전도성막(120a, 130a)의 위에 감광성 레지스트층(301)이 형성된다. 감광성 레지스 트층(301)을 형성하는 감광제는 드라이 필름 레지스트(dry film resist, DFR)일 수 있다.
감광성 레지스트층(301)이 형성되면, 도 11 내지 도 12에 도시된 바와 같은 노광 현상 단계가 수행된다. 이 단계에서는 감광성 레지스트층(301) 위에 마스크(302)를 배치하고, 노광 및 현상을 실시함으로써 감광성 레지스트층(301)의 일부를 제거한다. 이 때에 감광성 레지스트층(301)에서 제거되는 부분들은 기저판(110)의 표면에 형성될 전극에 대응되는 부분들을 제외한 부분들이다.
마스크(302)에는 감광성 레지스트층(301)의 원하는 부분을 제거할 수 있도록 패턴(303)이 형성된다. 도시된 패턴(303)은 네거티브 방식의 노광 및 현상을위한 형태이며, 패턴(303)에 의해 빛이 차단된 부분이 현상에 의해 제거될 것이다. 마스크(302)의 패턴(303)은 기저판(110) 위에 형성될 전극의 모양과 방전 공간에 대응되게 형성된다. 감광 방식이 포지티브 방식인가, 네거티브 방식인가에 따라 패턴(303)이 전극에 일치하는 위치에 형성되거나, 전극이 없는 위치에 형성될 수 있을 것이다.
도 11에서와 같이 마스크(302)를 이용하여 노광(photo exposing)을 실시한 후, 현상액을 이용하여 현상(develop)을 실시하면 기저판(110) 위에 형성될 전극에 대응되는 부분들을 제외한 감광성 레지스트층(301)의 일부분이 제거될 수 있다.
기저판(110)의 전면에 형성될 제1 전극은 방전 공간이 형성될 영역을 둘러싸는 방전부들을 포함한다. 따라서 기저판(110)의 전면에 형성된 감광성 레지스트층(301)의 제1 전극이 형성될 부분(301a)을 제외한 부분들(301b)이 현상에 의해 제 거된다.
기저판(110)의 후면에서는 방전 공간이 형성될 영역을 덮도록 제2 전극이 형성된다. 따라서 기저판(110)의 후면에 형성된 감광성 레지스트층의 제2 전극이 형성될 부분(301c)을 제외한 부분들(301d)이 현상에 의해 제거된다.
도 12에는 감광성 레지스트층(301)의 일부분(301b, 301d)이 제거된 후, 형성될 전극에 대응되는 부분들(301a, 301c)이 남아 있는 상태가 도시되었다.
도 13은 에칭 단계가 적용된 상태를 도시한다. 에칭 단계에서는, 도 12에서 감광성 레지스트층(301)이 제거된 공간(301e, 301f)에서 외부로 노출된 전도성막(120a, 130a)을 에칭에 의해 제거한다. 예를 들어 전도성막(120a, 130a)이 구리 소재에 의해 형성되어 있는 경우, 동 에칭(Cu etching)을 적용하면 노출되어 있는 전도성막(120a, 130a)이 제거될 수 있다.
전도성막(120a, 130a)이 제거되면 기저판(110)의 상면에 제1 전극(220)이 형성되고, 기저판(110)의 하면에 제2 전극(130)이 형성된다. 제1 전극(220)의 방전부(221)는 기저판(110)으로부터 전면을 향하여 폭이 작아지도록 형성된다. 일반적으로 에칭 공정에 의해 전극을 형성할 때에는 방전 공간을 향하는 전극의 면이 방전 공간에 대해 일직면을 이루도록 하기 위해, 에칭을 실시하는 여러 가지 조건이 조정된다.
그러나 본 실시예에서는 후술하는 유전체 도포 공정을 용이하게 하고, 방전부(221)의 표면적을 증가시킴과 아울러 방전면의 각도를 조정함으로써 제1 전극과 제2 전극 사이에 플라즈마 방전이 용이하게 발생하도록 하기 위해, 방전부(221)의 측면을 경사지게 형성한다. 이를 위해 도 12에 도시된 바와 같은 기저판(110)에 자연적인 조건에서 에칭 용액을 적용하면, 도 13과 같이 단면이 사다리꼴 형상을 갖는 방전부(221)의 형성이 가능하다.
전극시트를 형성함에 있어서 전도성막의 두께를 두껍게 형성시키더라도 비용 면에서는 큰 차이가 없으나, 에칭 공정에 의하면 전극을 형성하는 공정의 시간이 크게 단축된다. 종래에는 전극을 형성하는 방법의 하나로 전기도금 방법이 사용되기도 했는데, 전기도금 방법에 의하면 30μm 의 두께를 갖는 전극을 형성하는 데 적어도 2시간이 소요되지만, 에칭 공정에 의하면 30μm 의 동박을 에칭하는 데 1분이면 충분하기 때문이다.
뿐만 아니라 전기 동도금 용액에 비해 에칭용액의 가격이 저렴하며, 용액의 안정성이 높아 용액의 관리가 용이하다. 또한 동도금 장비에 비해 에칭장비의 가격이 저렴하며, 장비의 크기도 작아 장비를 설치하고, 유지 관리하는 데 소요되는 비용도 절감된다.
에칭 공정에 의해 형성되는 전극의 두께는 전도성막의 두께와 일치하므로, 전극시트를 형성하는 공정으로 인한 전극 두께의 편차가 추가적으로 발생하지 않는다. 또한 종래의 도금 방식에 의해서 전극의 표면에 발생하였던 노듈(nodule), 피트(pit), 핀홀(pin hole)과 같은 도금 불량이 발생하지 않으며, 짧은 시간 안에 에칭공정이 완료되므로 소재의 변형이 적다.
종래의 전기 도금 방식에서는 드라이 필름 레지스트와 같은 패터닝 소재의 두께에 의해 형성되는 전극의 두께도 제약을 받는 단점이 있었다. 그러나 에칭 공 정을 통해 완성되는 전극의 두께는 전도성막의 두께와 일치하므로, 전도성막의 두께를 조절함으로써 전극 높이를 정확하고도 용이하게 조절할 수 있어 방전전극의 두께를 두껍게 형성시킬 수 있다.
전도성막(120a, 130a)의 에칭이 완료된 후에는, 감광성 레지스트층의 잔류부분(301a, 301c)을 제거하는 스트리핑(stripping)이 수행된다. 도 13에 감광성 레지스트층이 제거된 상태가 도시되었다.
도 14에는 드릴 가공 단계가 도시된다. 드릴 가공 단계는 방전부(221)에 의해 상면을 향해 노출된 기저판(110)을 제거함으로써 방전 공간을 형성하는 단계이다. 드릴 가공 단계에서는 기저판(110)만이 제거되어, 기저판(110)의 전후면으로 관통하여 관통공(111)이 형성되어야 한다. 드릴 가공 단계에는 기계 드릴이 사용될 수도 있지만, 유전체를 포함하는 기저판(110)만을 제거하기 위해 CO2 레이저 드릴을 사용할 수 있다. 이와 같은 방법에 의해 기저판(110)의 전면의 방전부(221)와 후면의 제2 전극(230)을 손상시키지 않고 방전 공간을 형성할 수 있다.
종래에는 전극시트를 형성할 때에 기저판(110)과 함께 양측면의 전극을 동시에 드릴 가공하거나, 양측면의 전극만을 에칭에 의해 제거한 후에 기저판(110)을 드릴 가공하는 등의 방식이 사용되었다. 그러나 어떠한 경우이든지 기저판(110)의 양측면에 전극을 정확하게 일치시켜야 하는 어려움이 있었다.
고화질의 화면 구현을 위해 셀 피치가 미세해지는 최근의 플라즈마 디스플레이 장치의 구조에서는 드릴 가공을 위해 전극을 더욱 정확하게 일치시켜야 하는 이 와 같은 공정 조건은 제조 공정을 더욱 어렵게 하고 비용을 증가시킬 수밖에 없다. 뿐만 아니라 기저판의 양측면에 전극이 정확하게 정렬되어 형성된 경우에도, 방전 공간을 형성하기 위한 드릴 가공을 수행하는 중에 전극에 손상이 발생하는 문제점도 있었다.
그러나 본 실시예에서는 드릴 가공에서 기저판(110)만이 제거되므로, 특별히 드릴 가공을 위해 기저판(110)의 양측면의 전극들을 일치시킬 필요가 없다. 또한 CO2 레이저 드릴을 이용하면 기저판(110) 만을 용이하게 제거할 수 있어서, 전극에 손상이나 변형도 발생하지 않는다.
드릴(310)에 의해 방전 공간이 형성된 이후에는 방전 공간 내에 존재하는 잔유물이나 이물질 등을 제거하는 디스미어(desmear) 공정이 추가적으로 실시될 수 있다.
방전 공간(160)이 형성되면, 도 16 내지 도 17에 도시된 바와 같이 기저판(110)의 전면에서 유전체층(133)이 도포된다. 유전체층(133)은 제1 전극(220)과 기저판(110)의 전면을 덮는 제1 유전체층(133a)과, 관통공(111)을 통해 방전 공간(160)을 향해 노출되는 제2 전극(130)의 전면을 덮는 제2 유전체층(133b)을 포함한다. 유전체층(133)은 방전 시 양이온 또는 전자가 전극들을 손상시키는 것을 방지하며, 전하를 유도하는 기능을 한다.
도 16에 도 17에 도시된 바와 같이 기저판(110)의 후면과 제2 전극(130)의 후면을 덮는 후면 유전체층(134)이 형성될 수도 있으나, 이것이 반드시 필요한 것 은 아니다. 제1 전극(220)과 제2 전극(130)의 사이의 플라즈마 방전은 방전 공간(160) 내에서 이루어지므로, 유전체층(133)은 기저판(110)의 전면에서만 도포되면 충분하다.
외부단자와 연결되기 위한 단자부(120b, 120c)와 같이 유전체층(133)을 형성하고자 하는 이외의 부분에 레지스트층(401)을 형성하고 유전체를 도포하면, 도 17과 같이 기저판(110)의 전면에서 제1 전극(220)과 제2 전극(130)의 전면을 덮도록 유전체층(133)이 형성된다. 제1 전극(220)의 방전부(221)의 내측 면은 기저판(110)으로부터 전면으로 갈수록 방전 공간(160)에 대하여 외측으로 기울어지며 경사면을 형성하므로, 유전체층(133)을 도포하는 공정이 용이하게 이루어질 수 있다.
유전체층(133)을 도포하는 공정은 스프레이(spray)를 이용하여 분사하거나, 전기를 이용하는 전기 증착법에 의하거나, 프린팅(printing) 방법을 이용할 수도 있다.
도시되지는 않았지만 유전체층(133)의 위에 보호막이 형성될 수도 있다. 보호막은 이차 전자방출 계수가 높은 MgO 등의 재질을 이용하여 스퍼터링이나 증착 등의 방법에 의해 배치될 수 있으며, 보호막은 방전 전압을 강하시키고 동시에 방전을 유지시켜주며 이온 충격으로부터 유전체층(133) 및 제1 전극(120)을 보호하는 기능을 한다.
도 19는 기저판(110)의 후면에 후면 보호층(151)를 형성하는 단계를 도시한다. 후면 보호층(151)은 제2 전극들(130)을 보호함과 아울러 유연성을 갖는 기저판(110)을 후면에서 지지함으로써 기저판(110)이 방전 공간(160) 내에 형성되는 진 공 압력의 영향으로 변형되지 않도록 하는 기능을 할 수 있다.
도 20은 도 7 내지 도 19에서 도시된 단계들에 의해 완성된 전극시트(101)와 투명 기판(170)을 합착하여 플라즈마 디스플레이 패널을 완성하는 단계를 도시한다.
도 19까지의 단계들을 통해 전극시트(101)가 완성된 후, 그 위에 격벽(140)과 투명 기판(170)을 배치하고, 방전 공간(160) 내에 방전 가스를 충전하면 도 20에서와 같이 플라즈마 디스플레이 패널이 완성된다.
격벽(140)과 투명 기판(170)을 배치할 때에는, 도 1에서와 같이 투명 기판(170)의 후면에 격벽(140)을 형성시킨 후에 전극시트와 합착하는 방법을 사용하거나, 전극시트 위에 격벽(140)을 형성하고 그 위에 투명 기판(170)을 배치하는 등 여러 가지 방법이 사용될 수 있다.
본 발명은 상술한 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.
상술한 바와 같은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 전극이 방전 공간을 둘러싸는 링 플라즈마 방식을 이용하므로, 전기 전도도가 좋은 재질로 전극을 만들 수 있어서 ITO 전극을 이용하던 종래 기술에서의 화면 불균일 문제, 제조 비용 상승의 문제 등을 해결할 수 있다. 또한 전극의 존재로 인해 가시광선이 차단되 지 않으므로 휘도가 증대되는 효과가 있다.
또한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널 및 이를 전극시트의 제조 방법은, 링 플라즈마 방식의 전극 구조를 이용하면서도 전극시트에 방전 공간을 형성하기 위해 전극을 드릴 가공할 필요가 없다. 레이저 드릴을 이용함으로써 전극을 변형시키지 않고 유전체 소재를 포함하는 기저판만을 간단히 제거할 수 있으므로, 방전 공간을 형성하기 위한 드릴 작업이 용이해지는 효과가 있다.
또한 기저판의 양측면에 형성되는 전극들을 드릴 작업을 위해 정확하게 일치시켜야 하는 필요가 없어지므로 전극시트의 제작 공정이 용이해진다.
또한 기저판의 양측면에 에칭 공정을 적용하여 전극을 형성할 수 있으므로, 전극시트 제작 공정이 단순해지고, 비용이 절감되며, 전극의 높이를 정확하고 용이하게 조절할 수 있는 효과가 있다.
또한 제1 전극의 방전부의 폭이 기저판으로부터 멀어질수록 작아지도록 형성되므로, 유전체층을 도포하는 공정이 용이해짐과 아울러 방전부의 방전면이 증가하고 각도가 조정됨으로 인해 제1 전극과 제2 전극의 사이에서 플라즈마 방전이 용이하게 이루어지는 효과가 있다.

Claims (10)

  1. 복수 개의 관통공이 전후면으로 관통하여 형성되는 기저판;
    상기 관통공의 전면 개구부를 둘러싸도록 상기 기저판의 전면에 형성되는 방전부들을 구비하며, 상기 방전부들이 상기 기저판의 일 방향을 따라 연결되어 실질적으로 서로 평행하게 배치되는 제1 전극들;
    상기 관통공의 후면 개구부를 덮도록 상기 기저판의 후면에 배치되며, 상기 제1 전극들에 교차하는 방향으로 연장되는 제2 전극들;
    상기 제1 전극들의 표면과, 상기 관통공을 통해 노출되는 상기 제2 전극의 전면을 덮는 유전체층;
    상기 방전부의 전면을 덮어 방전 공간을 한정하도록 상기 기저판의 전면에 배치되는 투명 기판;
    상기 방전 공간의 적어도 일부에 도포되는 형광체층; 및
    상기 방전 공간에 충전되는 방전가스를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명 기판의 후면에 상기 방전부들의 전면에 대응되는 격벽들이 돌출 형성되어 상기 방전 공간을 한정하고, 상기 격벽의 내면에 상기 형광체층이 도포되는 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기저판 상에서의 상기 방전부의 폭은 상기 기저판으로부터 멀어질수록 작아지도록 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 방전부의 내측면은 상기 기저판에서 상기 투명 기판으로 갈수록 상기 방전 공간의 외측을 향하여 경사면을 형성하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 기저판은 폴리에테르설폰 수지 및 폴리이미드 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 기저판의 후면에는 상기 제2 전극들을 덮도록 후면 보호층이 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
  8. 기저판을 제공하는 단계;
    상기 기저판의 양측면에 전도성 소재의 전도성막을 형성하는 단계;
    상기 전도성막 상에 감광성 레지스트층을 형성하는 단계;
    상기 감광성 레지스트층 위에 마스크를 배치하고 노광 및 현상을 행함으로써, 방전 공간이 형성될 영역들을 둘러싸는 방전부들을 구비하며 상기 기저판의 전면에 형성될 제1 전극들에 대응되는 부분 및 상기 기저판의 후면에서 상기 방전 공간이 형성될 영역들을 덮도록 형성될 제2 전극들에 대응되는 부분을 제외한 상기 감광성 레지스트층의 일부분을 제거하는 단계;
    상기 감광성 레지스트층이 제거된 부분에서 노출된 상기 전도성막을 에칭에 의해 제거하여 상기 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 에칭 단계;
    상기 감광성 레지스트층의 잔류 부분을 제거하는 단계;
    상기 제1 전극의 상기 방전부에 의해 전면으로 노출되며 상기 방전 공간에 대응되는 상기 기저판의 부분을 제거하는 단계; 및
    싱기 제1 전극과, 상기 방전 공간을 통해 상기 기저판의 전면을 향하여 노출된 상기 제2 전극을 덮도록 유전체를 도포하는 단계를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널용 전극시트의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 기저판의 상기 방전 공간에 대응되는 부분을 제거하는 단계는 상기 방전부를 통해 상기 기저판을 드릴링하는 단계를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 용 전극시트의 제조방법.
  10. 삭제
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