KR101130219B1 - 산화 아연 나노구조체를 구비한 반도체 소자 및 이를 이용한 염료감응 태양전지 - Google Patents

산화 아연 나노구조체를 구비한 반도체 소자 및 이를 이용한 염료감응 태양전지 Download PDF

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Abstract

본 발명은 아연을 함유한 투명 전도성 산화물 박막 상에 산화 아연 나노구조체가 형성되어 있는 반도체 소자 및 이를 이용한 염료감응 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 기판 상에 형성된 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxide) 박막과, 투명 전도성 산화물 박막 상에 형성되고 산화 아연(ZnO) 나노입자(nanoparticle) 및 산화 아연 나노와이어(nanowire) 중 적어도 하나를 포함하며 광감응 염료가 흡착되어 있는 산화 아연 나노구조체를 포함하여 이루어진 반도체 전극과, 대향 전극과, 반도체 전극과 대향 전극 사이를 채우는 전해질 용액을 구비한다. 그리고 투명 전도성 산화물 박막은 아연(Zn)을 함유하는 화합물로 이루어지고, 투명 전도성 산화물의 일함수(work function)는 산화 아연 나노구조체의 일함수보다 0.5 eV 이상 작다. 본 발명에 따르면, 투명 전도성 박막을 종래 널리 이용되는 FTO(F-doped tin oxide)를 사용하는 경우보다 Jsc(short circuit current density)와 FF(fill factor)가 증가하여 에너지 변환 효율(η)이 향상된다.

Description

산화 아연 나노구조체를 구비한 반도체 소자 및 이를 이용한 염료감응 태양전지{Semiconductor device having ZnO nano structure and dye-sensitized solar cell using the same}
본 발명은 산화 아연 나노구조체를 구비한 반도체 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 아연을 함유한 투명 전도성 산화물 박막 상에 산화 아연 나노구조체가 형성되어 있는 염료감응 태양전지에 관한 것이다.
최근 지구 환경 문제와 화석 에너지의 고갈, 원자력 발전의 폐기물 처리 및 신규 발전소 건설에 따른 위치 선정 등의 문제로 인하여 신재생에너지에 대한 관심이 고조되고 있다. 그 중에서도 무공해 에너지원인 태양광 발전에 대한 연구 개발이 국내외적으로 활발하게 진행되고 있다.
태양 전지는 태양광 에너지를 직접 전기 에너지로 전환시키는 소자인데, 구성하는 물질에 따라 실리콘, 화합물 반도체를 이용한 무기소재로 이루어진 태양 전지, 전이금속 산화물 입자 표면에 광감응 염료가 흡착된 염료 감응 태양 전지, 그리고 유기분자로 이루어진 태양 전지로 나눌 수 있다.
현재 실리콘 기반의 태양 전지가 주류를 이루고 있으나, 단결정 및 다결정 실리콘은 벌크 상태의 원재료로부터 만들기 때문에 재료비가 비싸므로 가격의 절감측면에서는 한계가 있다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 도출된 방안이 유리와 같이 값싼 기판 위에 박막 형태의 태양 전지를 제조하는 것이며 상업화를 위해 저렴한 태양 전지로 최근에 많은 연구가 진행되고 있는 것이 염료 감응 태양 전지이다.
염료 감응 태양 전지는 반도체 전극, 전해질 용액 및 대향 전극의 3 부분으로 이루어진다. 여기서, 반도체 전극은 투명 전도성 산화물 박막이 형성되어 있는 기판 상에 전이금속 산화물층이 형성된 것을 말하는데, 전이금속 산화물층에는 태양광을 흡수하여 광전자를 발생시키는 광감응 염료가 흡착되어 있다. 염료에서 발생된 광전자는 전이금속 산화물층을 통해 투명 전도성 산화물 박막과 기판으로 전달되고 외부 회로로 이동됨으로써, 기전력이 발생하게 된다. 대향 전극은 전도성 유리와 같은 기판 위에 백금과 같은 촉매층이 형성된 것을 말한다. 전해질 용액은 반도체 전극 및 대향 전극 사이에 삽입된 부분이다.
태양 전지의 에너지 변환 효율은 광흡수에 의해 생성된 전자의 양에 비례하기 때문에 많은 양의 전자를 생성하기 위해서는 염료의 흡착량을 증가시켜야 한다. 염료의 흡착량을 증가시키기 위해서는 전이금속 산화물층을 구성하는 전이금속 산화물 입자의 표면적이 증가되어야 한다. 이를 위해, 전이금속 산화물층은 나노입자(nanoparticle) 또는 나노와이어(nanowire) 형태의 나노구조체(nano structure)로 이루어지는 것이 유리하다.
현재, 전이금속 산화물층은 산화 티타늄(TiO2) 나노입자를 이용하는 것이 대부분이다. 한편, 산화 아연(ZnO) 나노구조체는 결정 계면이 존재하지 않는 단결정으로 형성할 수 있어 전자 이송에 유리하므로, 전이금속 산화물층을 이루는 물질로 주목받고 있다. 그러나 산화 아연 나노구조체를 전이금속 산화물층을 이루는 물질로 이용할 경우, 에너지 변환 효율이 상대적으로 낮아 이를 향상시킬 필요성이 증가하고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 산화 아연 나노구조체와 투명 전도성 산화물 박막을 구비하는 반도체 소자에 있어서, 산화 아연 나노구조체와 투명 전도성 산화물 박막 사이의 물성이 개선된 반도체 소자를 제공하는 데에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 염료가 흡착되는 반도체 전극으로 산화 아연 나노구조체가 이용되는 염료감응 태양전지에 있어서, 광발전의 물성이 개선과 에너지 변환 효율이 향상된 염료감응 태양전지를 제공하는 데에 있다.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 반도체 소자는 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxide) 박막; 및 상기 투명 전도성 산화물 박막 상에 형성되어 있는 산화 아연(ZnO) 나노입자(nanoparticle) 및 산화 아연 나노와이어(nanowire) 중 적어도 하나를 포함하는 산화 아연 나노구조체;를 포함하며, 상기 투명 전도성 산화물 박막은 아연(Zn)을 함유하는 화합물로 이루어지고, 상기 투명 전도성 산화물의 일함수(work function)는 상기 산화 아연 나노구조체의 일함수보다 0.5 eV 이상 작다.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 기판; 상기 기판 상에 형성된 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxide) 박막; 상기 투명 전도성 산화물 박막 상에 형성되고, 산화 아연(ZnO) 나노입자(nanoparticle) 및 산화 아연 나노와이어(nanowire) 중 적어도 하나를 포함하며, 광감응 염료가 흡착되어 있는 산화 아연 나노구조체를 포함하여 이루어진 반도체 전극; 대향 전극; 및 상기 반도체 전극과 상기 대향 전극 사이를 채우는 전해질 용액;을 포함하며, 상기 투명 전도성 산화물 박막은 아연(Zn)을 함유하는 화합물로 이루어지고, 상기 투명 전도성 산화물의 일함수(work function)는 상기 산화 아연 나노구조체의 일함수보다 0.5 eV 이상 작다.
상기 투명 전도성 산화물 박막과 상기 산화 아연 나노구조체는 오믹 접합되어 있을 수 있다. 그리고 상기 투명 전도성 산화물 박막은 AZO(Al-doped ZnO), IZO(indium zinc oxide), GZO(Ga-doped ZnO) 및 IGZO(In-Ga-Zn-O)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물로 이루어질 수 있다.
전이금속 산화물층으로 산화 아연 나노구조체를 이용하는 염료감응 태양전지에 있어서, 투명 전도성 박막을 종래 널리 이용되는 FTO(F-doped tin oxide)를 사용하는 경우보다, 본 발명과 같이 AZO와 같이 아연을 함유하는 화합물을 사용하는 경우, Jsc(short circuit current density)와 FF(fill factor)가 증가하여 에너지 변환 효율(η)이 향상된다. 구체적으로, Jsc는 25% 정도 증가하였고, FF는 12% 정도 증가하여, 에너지 변환 효율(η)은 50% 정도 증가하였다.
도 1은 본 발명에 따른 염료감응 태양전지를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 산화 아연 나노구조체의 단면 주사전자현미경(cross-section scanning electron microscope) 사진을 나타낸 도면이다.
도 3은 FTO(F-doped tin oxide) 상에 형성된 산화 아연 나노구조체와 AZO 상에 형성된 산화 아연 나노구조체의 I-V 특성을 나타낸 도면이다.
도 4는 투명 전도성 산화물 박막으로 FTO(F-doped tin oxide)가 이용된 경우와 투명 전도성 산화물 박막으로 AZO가 이용된 경우의 전압에 따른 전류밀도를 나타낸 도면이다.
이하에서 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 산화 아연 나노구조체를 구비한 반도체 소자 및 이를 이용한 염료감응 태양전지의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 염료감응 태양전지를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 염료감응 태양전지(100)는 제1기판(110), 투명 전도성 산화물 박막(120), 반도체 전극(130), 대향 전극(140), 제2기판(150) 및 전해질 용액(160)을 구비한다.
제1기판(110)의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 유리, 플라스틱 등이 이용될 수 있다. 투명한 유리가 제1기판(110)으로 이용될 수 있다.
투명 전도성 산화물 박막(transparent conductive oxide)(120)은 제1기판(110) 상에 형성되며, 아연(Zn)을 함유하는 화합물로 이루어진다. 투명 전도성 산화물 박막(120)은 AZO(Al-doped ZnO), IZO(indium zinc oxide), GZO(Ga-doped ZnO), IGZO(In-Ga-Zn-O) 및 이들의 조합으로 이루어질 수 있으며, 바람직하게는 AZO로 이루어질 수 있다. 투명 전도성 산화물 박막(120)을 제1기판(110) 상에 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 펄스 레이저 증착법(pulsed laser deposition, PLD)을 통해 제1기판(110) 상에 증착될 수 있다.
반도체 전극(130)은 투명 전도성 산화물 박막(120) 상에 형성되며, 산화 아연(ZnO) 나노구조체(nano structure)를 포함하여 이루어진다. 산화 아연 나노구조체는 산화아연 나노입자(nanoparticle), 산화 아연 나노와이어(nanowire) 및 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 그리고 산화 아연 나노구조체에는 광감응 염료가 흡착되어 있다. 염료의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 아래에 나타낸 N719 또는 N3와 같은 염료가 이용될 수 있다.
Figure 112010017272363-pat00001
반도체 전극(130)을 이루는 산화 아연 나노구조체를 투명 전도성 산화물 박막(120) 상에 형성시키는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 열수적 방법으로 성장시킬 수 있다. 산화 아연 나노구조체를 투명 전도성 산화물 박막(120) 상에 형성시키기 위해, 우선 시드 용액(seed solution)을 투명 전도성 산화물 박막(120) 상에 도포한다. 시드 용액으로는 zinc acetate dehydrate와 lithium hydroxide monohydrate의 혼합 용액이 이용될 수 있다. 이러한 시드 용액을 투명 전도성 산화물 박막(120) 상에 떨어뜨리고 스핀 코팅(spin-coating)한 후, 340℃ 정도의 온도에서 5분 정도 어닐링하여, 투명 전도성 산화물 박막(120) 상에 시드를 형성할 수 있다. 그리고 95℃ 정도의 온도에서 시드와 투명 전도성 산화물 박막(120)이 차례로 형성되어 있는 제1기판(110)을 성장 용액(growth solution) 안에 담그면 투명 전도성 산화물 박막(120) 상에 산화 아연 나노구조체를 형성할 수 있다. 성장 용액으로는 zinc nitrate hexahydrate, hexamethylenetetramine 및 polyethyleneimine의 혼합 용액이 이용될 수 있다. 그리고 제1기판(110)을 성장 용액에 담그어 산화 아연 나노구조체를 형성시키는 과정은 복수 회 반복될 수 있다. 이와 같은 방법으로 산화 아연 나노구조체를 형성하면, 투명 전도성 산화물 박막(120) 상에 산화 아연 나노와이어가 형성되며, 이를 도 2에 나타내었다.
도 2는 산화 아연 나노구조체의 단면(cross-section) 주사전자현미경( scanning electron microscope, SEM) 사진을 나타낸 도면으로, 도 2(a)는 제1기판(110)을 성장 용액에 3번 담그어 산화 아연 나노와이어를 성장한 후의 단면 SEM 사진이고, 도 2(b)는 제1기판(110)을 성장 용액에 10번 담그어 산화 아연 나노와이어를 성장한 후의 단면 SEM 사진이며, 도 2(c)는 제1기판(110)을 성장 용액에 15번 담그어 산화 아연 나노와이어를 성장한 후의 단면 SEM 사진이다.
도 2에 나타낸 바와 상술한 방법으로 산화 아연 나노와이어를 성장시키면, 투명 전도성 산화물 박막(120) 상에 수직한 방향으로 산화 아연 나노와이어가 성장됨을 알 수 있다. 성장한 산화 아연 나노와이어는 종횡비(aspect ratio, 나노와이어의 직경에 대한 높이의 비)가 성장 용액에 제1기판(110)을 담근 회수에 무관하게 17 정도임을 알 수 있다. 그리고 도시하지는 않았지만, 투과전자현미경(transmission electron microscope) 사진을 살펴보면, 산화 아연 나노와이어는 단결정으로 성장하게 된다. 따라서 상술한 방법으로 성장한 산화 아연 나노와이어는 결정 계면(grain boundary)이 존재하지 않아 전자 이송에 유리하다.
한편, 염료감응 태양전지(100)의 에너지 변환 효율(η)이 개선되기 위해서는, 산화 아연 나노구조체로 전달된 광전자가 투명 전도성 산화물 박막(120)으로 주입되는 효율이 좋아야 한다. 산화 아연 나노구조체로 전달된 광전자가 투명 전도성 산화물 박막(120)으로 주입되는 구동력(driving force)은 투명 전도성 산화물 박막(120)의 산화 아연 나노구조체의 일함수의 차이이다. 이를 위해, 투명 전도성 산화물 박막(120)의 일함수(work function)는 반도체 전극(130)을 이루는 산화 아연 나노구조체의 일함수보다 0.5 eV 이상 작게 되도록 투명 전도성 산화물 박막(120)이 형성된다. 바람직하게는 투명 전도성 산화물 박막(120)과 산화 아연 나노구조체의 일함수의 차이가 1 eV 이상이 되도록 투명 전도성 산화물 박막(120)이 형성된다.
산화 아연의 일함수는 5.1 ~ 5.3 eV 정도로 보고되고 있다. 기존에 투명 전도성 산화물 박막(120)을 이루는 물질로 널리 이용되는 FTO(F-doped tin oxide)의 일함수는 4.9 eV 정도로 보고되고 있다. 따라서 기존에 널리 이용되는 FTO로 투명 전도성 산화물 박막(120)을 구성하게 되면 산화 아연 나노구조체와의 일함수 차이가 크지 않아, 산화 아연 나노구조체로 전달된 광전자가 투명 전도성 산화물 박막(120)으로 주입되는 구동력(driving force)이 충분치 않다. 이에 반해, AZO의 경우는 일함수가 3.7 ~ 4.6 eV 정도이므로, 산화 아연 나노구조체와의 일함수 차이가 상당히 커서, 산화 아연 나노구조체로 전달된 광전자가 투명 전도성 산화물 박막(120)으로 주입되는 효율이 상당히 우수하게 된다.
그리고 염료감응 태양전지(100)의 에너지 변환 효율(η)이 개선되기 위해, 투명 전도성 산화물 박막(120)과 산화 아연 나노구조체가 오믹 접합(ohmic contact)을 이루는 것이 좋다. 이를 위해, 투명 전도성 산화물 박막(120)은 아연을 함유하는 화합물로 이루어지는 것이 바람직하다. 이를 도 3에 나타내었다.
도 3은 FTO 상에 형성된 산화 아연 나노구조체와 AZO 상에 형성된 산화 아연 나노구조체의 I-V 특성을 나타낸 도면이다. 도 3에서 참조번호 310으로 표현된 그래프가 FTO 상에 산화 아연 나노구조체가 형성된 경우의 I-V 특성을 나타낸 것이고, 참조번호 320으로 표현된 그래프가 AZO 상에 산화 아연 나노구조체가 형성된 경우의 I-V 특성을 나타낸 것이다.
도 3에 도시된 바와 같이, AZO 상에 산화 아연 나노구조체가 형성된 경우(320)에는 AZO와 산화 아연 나노구조체가 오믹 접합되어 있음을 알 수 있다. 이는 산화 아연과 AZO가 유사한 화학적 조성을 가지고 있어, 산화 아연과 AZO의 계면에서 강한 화학적 결합이 형성되기 때문이다. 반면에, FTO 상에 산화 아연 나노구조체가 형성된 경우(310)에는 FTO와 산화 아연 나노구조체가 쇼트키 접합(schottky contact)되어 있음을 알 수 있다. 이는 산화 아연과 FTO는 상대적으로 약한 화학적 결합을 하기 때문이다. 그리고 산화 아연과 FTO의 계면에는 쇼트키 접합을 야기할 수 있는 전자 트랩과 같은 높은 포텐셜 배리어(potential barrier)가 형성되어 있기 때문이다.
따라서 본 실시예와 같이 반도체 전극(130)이 산화 아연 나노구조체로 형성된 경우에는, 투명 전도성 산화물 박막(120)은 아연을 함유하는 화합물로 이루어짐이 바람직하다. 그리고 투명 전도성 산화물 박막(120)의 일함수(work function)는 반도체 전극(130)을 이루는 산화 아연 나노구조체의 일함수보다 0.5 eV 이상, 바람직하게는 1 eV 이상 작게 되도록 투명 전도성 산화물 박막(120)이 형성된다.
도 1로 돌아가서, 대향 전극(140)은 제2기판(150) 상에 형성되며, 백금(Pt)으로 이루어질 수 있다. 그리고 대향 전극(140)은 반도체 전극(130)과 대향되도록 배치된다.
전해질 용액(160)은 반도체 전극(130)과 대향 전극(140) 사이의 공간을 채우는 용액으로서, Iodolyte와 같은 I3 -/I- 전해질이 이용될 수 있다.
도 1에 나타낸 염료감응 태양전지(100)의 작동을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 제1기판(110)을 투과한 태양 빛이 반도체 전극(130)을 이루는 산화 아연 나노구조체에 흡착된 염료에 의하여 흡수되면, 여기 상태로 들뜨게 된 염료 분자는 광전자를 산화 아연 나노구조체의 전도대로 전달하게 된다. 산화 아연 나노구조체로 전달된 광전자는 투명 전도성 산화물 박막(120)을 통해 제1기판(110)에 전달되고 외부 전선을 통하여 대향 전극(140)으로 이동된다.
전자 전이의 결과로 산화된 염료 분자는 전해질 용액(160) 내의 요오드 이온의 산화 환원 작용(3I-→I3 -+2e-)에 의하여 제공되는 전자를 받아 다시 환원되며, 산화된 요오드 이온(I3 -)은 대향 전극(140)에 도달한 전자에 의해 다시 환원되어 염료감응 태양전지의 작동과정이 완성된다.
본 실시예에 따른 염료감응 태양전지의 특성을 살펴보기 위해, AZO 투명 전도성 산화물 전극 상에 산화 아연 나노와이어를 성장시킨 염료감응 태양전지를 제작하였다. 그리고 비교예로, FTO 투명 전도성 산화물 전극 상에 산화 아연 나노와이어를 성장시킨 염료감응 태양전지를 제작하였다. 두 경우 모두, 산화 아연 나노와이어에 N719 염료를 흡착시켰다.
도 4는 투명 전도성 산화물 박막으로 FTO(F-doped tin oxide)가 이용된 경우와 투명 전도성 산화물 박막으로 AZO가 이용된 경우의 전압에 따른 전류밀도를 나타낸 도면이다. 도 4에서 참조번호 410으로 표시된 그래프는 투명 전도성 산화물 박막으로 FTO가 이용된 경우이고, 참조번호 420으로 표시된 그래프는 투명 전도성 산화물 박막으로 AZO가 이용된 경우이다.
도 4에 도시된 바와 같이, Voc(open circuit voltage) 값은 두 경우 모두 거의 동일하나, Jsc(short circuit current) 값은 투명 전도성 산화물 박막으로 AZO가 이용된 경우(420)가 FTO가 이용된 경우(410)에 비해 더 크다는 것을 알 수 있다. 도 4의 결과를 포함해서, 투명 전도성 산화물 박막으로 FTO가 이용된 경우와 AZO가 이용된 경우의 종합적인 특성을 표 1에 나타내었다.
표 1에 나타낸 바와 같이, 본 실시예와 같이 AZO를 투명 전도성 산화물 박막으로 이용한 염료감응 태양전지가 비교예와 같이 FTO를 투명 전도성 산화물 박막으로 이용한 염료감응 태양전지에 비해 대부분의 특성이 우수함을 알 수 있다. 특히, Jsc 값은 2.0 mA/cm2에서 2.5 mA/cm2으로 25% 정도 증가하였고, FF(fill factor)도 37.8에서 42.4로 12% 정도 증가하였음을 알 수 있다. 이로부터 에너지 변환 효율(η)은 0.4%에서 0.6%로 50% 정도 증가하였음을 알 수 있다.
따라서 반도체 전극(130)이 산화 아연 나노구조체로 이루어진 경우에는 AZO와 같이 아연을 함유하는 화합물로 투명 전도성 산화물 박막(120)이 형성되면, 염료감응 태양전지의 특성이 현저하게 향상된다는 것을 알 수 있다.
이와 같이, 투명 전도성 산화물 박막 상에 산화 아연 나노구조체가 형성된 구조물을 이용하는 반도체 소자에서는 투명 전도성 산화물 박막이 아연을 함유하는 화합물로 이루어질 때, 소자의 특성이 우수하게 된다. 이때, 아연을 함유하는 화합물로 이루어진 투명 전도성 산화물 박막의 일함수가 산화 아연 나노구조체의 일함수보다 0.5 eV, 바람직하게는 1 eV 이상 작을 때, 소자의 특성이 더욱 우수하게 된다. 예컨대, 광전기화학(photoelectrochemical) 전지(PEC cell)의 작동 전극이 상술한 바와 같이 아연을 함유하는 화합물로 이루어진 투명 전도성 산화물 박막 상에 산화 아연 나노구조체를 형성된 구조를 갖게 되면, PEC cell의 특성이 향상된다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.

Claims (6)

  1. 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxide) 박막; 및
    상기 투명 전도성 산화물 박막 상에 형성되어 있는 산화 아연(ZnO) 나노입자(nanoparticle) 및 산화 아연 나노와이어(nanowire) 중 적어도 하나를 포함하는 산화 아연 나노구조체;를 포함하며,
    상기 투명 전도성 산화물 박막은 아연(Zn)을 함유하는 화합물로 이루어지고,
    상기 투명 전도성 산화물의 일함수(work function)는 상기 산화 아연 나노구조체의 일함수보다 0.5 eV 이상 작고 상기 투명 전도성 산화물 박막과 상기 산화 아연 나노구조체는 오믹 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 투명 전도성 산화물 박막은 AZO(Al-doped ZnO), IZO(indium zinc oxide), GZO(Ga-doped ZnO) 및 IGZO(In-Ga-Zn-O)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  4. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxide) 박막;
    상기 투명 전도성 산화물 박막 상에 형성되고, 산화 아연(ZnO) 나노입자(nanoparticle) 및 산화 아연 나노와이어(nanowire) 중 적어도 하나를 포함하며, 광감응 염료가 흡착되어 있는 산화 아연 나노구조체를 포함하여 이루어진 반도체 전극;
    대향 전극; 및
    상기 반도체 전극과 상기 대향 전극 사이를 채우는 전해질 용액;을 포함하며,
    상기 투명 전도성 산화물 박막은 아연(Zn)을 함유하는 화합물로 이루어지고,
    상기 투명 전도성 산화물의 일함수(work function)는 상기 산화 아연 나노구조체의 일함수보다 0.5 eV 이상 작고 상기 투명 전도성 산화물 박막과 상기 산화 아연 나노구조체는 오믹 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
  5. 삭제
  6. 제4항에 있어서,
    상기 투명 전도성 산화물 박막은 AZO(Al-doped ZnO), IZO(indium zinc oxide), GZO(Ga-doped ZnO) 및 IGZO(In-Ga-Zn-O)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
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