KR101123561B1 - 지향성 칩 층을 가진 방열 시트 및 그 제조방법 - Google Patents

지향성 칩 층을 가진 방열 시트 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 지향성 칩 층을 가진 방열 시트 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 방열 시트는 열의 전도 방향으로 배열된 하나의 전도 가닥 또는 다수 개의 전도 가닥의 집합체로 이루어진 지향성 칩 층; 지향성 칩 층의 한 쪽 면에 적층되는 점착 층: 및 지향성 칩 층이 다른 쪽 면에 적층 되는 방열 층을 포함하고, 상기 지향성 칩 층은 다수 개의 칩이 연속적으로 서로 접촉하여 배열되고 그리고 각각의 칩 또는 칩 집합체의 직경은 높이에 비하여 큰 것을 특징으로 한다.

Description

지향성 칩 층을 가진 방열 시트 및 그 제조방법{Heat Conducting Sheet with Directional Chip Layer and Method for Producing the Same}
본 발명은 지향성 칩 층을 가진 방열 시트 및 그 제조 방법에 관한 것이고, 구체적으로 일정 방향으로 배열될 수 있는 칩 또는 칩 집합체로 전도 층을 형성하여 방열 성능을 향상시킨 지향성 칩 층을 가진 방열 시트 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 열은 전도(conduction), 대류(convection) 또는 복사(radiation)를 통하여 일정 지역에서 다른 지역으로 전달될 수 있다. 온도 기울기를 가진 서로 다른 지역에서 열은 저절로 전달될 수 있지만 필요에 따라 빠른 속도로 열을 전달시킬 필요가 있고 이와 같은 열의 빠른 전달을 위하여 다양한 형태의 방열 방법이 적용되고 있다.
온도 기울기를 가진 인접하는 2개의 물체에 열이 전달되는 속도는 A(W/mK)=Qd/ΔT(A는 열전도율, Q(W/m2)는 열량, d(m)=시료두께 그리고 ΔT(K)는 온도차)로 표시될 수 있다. 열전도율은 물체가 가진 물리적 성질에 해당하고 시료 두께는 제조 과정에서 적절하게 선택될 수 있으며 온도 ΔT는 방열 환경에 의하여 결정된다. 서로 다른 두 지점 사이에 단위 면적당 방열량은 Q가 되므로 일정 면적 S를 통하여 방열되는 열량은 SQ가 된다. 그러므로 동일한 소재로 방열 면적 S를 통한 방열량을 증가시키기 위하여 소재의 두께를 감소시키면서 이와 동시에 방열 면적 S를 증가시킬 필요가 있다. 예를 들어, 탄소 섬유 또는 탄소 분말을 필름 또는 시트 형태로 만들어 수지에 함침시켜 방열패드를 형성하는 경우, 탄소 섬유 또는 탄소 분말이 방열 패드에 평행한 방향으로 배열되면 열이 전도되어야 할 수직방향의 열전도량이 감소할 수 있다. 이를 방지하기 위하여 다발 타입 또는 하나로 이루어진 칩을 방열 패드에 수직방향으로 배열하는 것에 의하여 접촉 면적을 증가시켜 방열량을 증가시킬 수 있다.
방열 면적을 증가시키는 가장 간단한 방법은 방열이 요구되는 물체 표면의 면적과 동일한 크기를 가지는 열전도율이 높은 판을 연속적으로 적층시켜 외부 환경으로 열이 방출되도록 하는 것이다. 그러나 방열 시트에 요구되는 절연성 또는 소재의 비용에 따라 이와 같은 방법으로 방열 시트를 제조할 수 없는 경우가 있다. 예를 들어 섬유 형태의 소재로 일부 층을 형성하는 경우 연속 형태로 이루어진 다른 층과 배열 형태에 따라 접촉 면적이 달라질 수 있다.
본 발명은 이와 같이 섬유 형태의 소재로 일부 층을 형성하는 방열 시트에서 방열 면적을 향상시킬 수 있는 기술과 관련된 것으로 아래와 같은 목적을 가진다.
본 발명의 목적은 섬유 형태의 전도 가닥 또는 전도 가닥의 집합체로 이루어진 칩을 일정 방향으로 배열시켜 열의 전도 능력을 향상시킨 지향성 칩 층을 가진 방열 시트 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 적절한 실시 형태에 따르면, 지향성 칩 층을 가진 방열 시트는 열의 전도 방향으로 배열된 하나의 전도 가닥 또는 다수 개의 전도 가닥의 집합체로 이루어진 지향성 칩 층; 지향성 칩 층의 한 쪽 또는 양쪽 면에 적층되는 점착 층 및 지향성 칩 층이 다른 쪽 면에 적층 되는 방열 층을 포함하고, 상기 지향성 칩 층은 다수 개의 칩이 연속적으로 서로 접촉하여 배열되고 그리고 각각의 칩 직경은 높이에 비하여 큰 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 지향성 칩은 탄소 섬유, 유리 섬유 또는 알루미나-실리케이트섬유, 알루미나섬유, 알루미나-보론-실리카 섬유, 실리콘 카바이드 섬유, 보론 섬유, 지르코니아 섬유, 티타늄산 칼륨 섬유와 같은 세라믹 섬유로부터 형성된다.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 지향성 칩 층은 필러를 포함한다.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 칩의 직경/칩의 높이는 1.5보다 크다.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 지향성 칩 층은 수지를 포함한다.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 방열 시트의 제조 방법은 직경이 높이에 비하여 큰 전도 가닥 또는 전도 가닥의 집합체로 이루어진 칩을 준비하는 단계; 칩을 수지에 함침시키는 단계; 칩을 일정 방향으로 배열하는 단계; 배열된 칩의 한 쪽 면에 점착 층을 형성하는 단계; 및 배열된 칩의 다른 쪽 면에 방열 층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 수지에 함침시키고 필러를 첨가하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 방열 층을 형성하고 점착 층과 방열 층을 가압하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 전도 가닥은 탄소 섬유, 유리 섬유 또는 세라믹 섬유로부터 형성된다.
본 발명에 따른 방열시트는 열이 전도되는 경로 면을 확장시키는 것에 의하여 열이 효율적으로 외부로 방열되도록 한다는 이점을 가진다. 본 발명에 따른 방열시트는 회로 기판, 예를 들어 엘이디 전구 또는 전자 기기와 같이 방열이 요구되는 임의의 기기에 적용될 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명에 따른 방열시트(10)의 단면 형상과 지향성 칩(C)을 각각 도시한 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 방열시트의 제조 과정을 개략적으로 도시한 것이다.
아래에서 본 발명은 첨부된 도면에 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되지만 실시 예는 본 발명의 명확한 이해를 위한 것으로 본 발명은 실시 예에 제한되지 않는다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명에 따른 방열시트(10)의 단면 형상과 지향성 칩(C)을 각각 도시한 것이다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없으면 높이와 길이는 동일한 의미로 사용되고 직경은 높이 또는 길이에 수직이 되는 단면의 직경을 의미한다. 단면은 원이 될 수도 있지만 원에 유사한 형상을 포함하고 그리고 원에 유사한 형상의 직경은 서로 다른 곡률 반지름의 평균을 의미한다.
도 1a를 참조하면, 지향성 칩 층을 가진 방열 시트는 열의 전도 방향으로 배열된 하나의 전도 가닥 또는 다수 개의 전도 가닥의 집합체로 이루어진 지향성 칩 층(11); 지향성 칩 층(11)의 한 쪽 면에 적층되는 점착 층(12): 및 지향성 칩 층(11)이 다른 쪽 면에 적층되는 방열 층(13)을 포함하고, 상기 지향성 칩 층(11)은 다수 개의 칩이 연속적으로 서로 접촉하여 배열되고 그리고 각각의 칩의 직경은 높이에 비하여 큰 것을 특징으로 한다.
도 1b를 참조하면, 전도성 칩(C)은 (가)에 도시된 것처럼 하나의 전도 가닥(S) 또는 (나)에 도시된 것처럼 다수 개의 전도 가닥(S)의 집합체로 이루어질 수 있다. 전도 가닥(S)은 원 또는 원에 유사한 단면을 가지는 기둥 형상이 될 수 있고 원의 직경은 적어도 높이에 비하여 크다. 본 명세서에서 원에 유사한 형태란 타원 또는 서로 다른 직경의 원이 연속적으로 연결된 형태를 말하면 대략적으로 원의 형상으로 인식될 수 있는 형상을 의미한다. 원에 유사한 단면을 가지는 경우 원의 직경은 평균 곡률 반지름을 의미한다. 전도성 칩(C)이 다수 개의 전도 가닥(S)의 집합체로 이루어지는 경우 각각의 전도 가닥(S)은 원기둥 형상을 가지지만 집합체 전체 단면이 원 또는 원에 유사한 형태가 될 필요가 없다. 하나의 전도 가닥(S)에서 원의 직경/높이의 비는 적어도 1.2가 되지만 바람직하게 적어도 1.5가 될 수 있다. 각각의 전도 가닥(S)은 탄소 섬유, 유리 섬유, 광물섬유 또는 인조섬유와 같이 섬유가 될 수도 있지만 이에 제한되지 않는다. 다만 전도 가닥(S)의 소재는 열의 전도 경로를 형성하므로 일정 수준 이상의 열전도율을 가질 필요가 있다.
다수 개의 전도성 칩(C)은 연속으로 평행하게 또는 수직으로 배열되어 지향성 칩 층(11)을 형성할 수 있다. 다수 개의 전도성 칩(C)은 동일한 방향으로 정렬되고 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리우레탄 수지 또는 에스테르 수지와 같이 이 분야에서 공지된 수지에 의하여 서로 결합될 수 있다. 서로 다른 전도성 칩(C)을 동일한 방향으로 정렬시키기 위하여 다수 개의 전도성 칩(C)은 유동성을 가지는 유체에 함침될 수 있다. 유동성 유체 내에 전도성 칩(C)을 함침시킨 후 유체에 유동을 주고 다시 안정화를 시키면 각각의 전도성 칩(C)은 역학적으로 안정된 형태로 정렬될 수 있다. 유동성을 가지는 유체에 함침되는 것을 제한하지 않는다. 각각의 전도성 칩(C)은 직경이 높이보다 크게 형성되어 있으므로 유체의 평면과 전도성 칩(C)의 단면이 평행한 도 1b의 (가) 또는 (나)에 도시된 형태로 배열되어 전체 전도성 칩(C)이 동일 방향으로 정렬되게 된다. 유체는 전도성 칩(C)을 서로 결합시키는 수지가 될 수 있지만 전도성 칩(C)의 배열을 위한 별도의 유체가 사용될 수 있다.
전도성 칩(C)의 배열이 완료되면 필요에 따라 필러(filler)가 첨가될 수 있다. 필러(filler)는 예를 들어 산화알루미늄(Al2O3), 질화붕소(BN), 질화알루미늄(AlN), 산화베릴륨(BeO) 또는 탄화규소(SiC)와 같은 소재가 될 수 있지만 이에 제한되는 것은 아니다. 필러가 첨가되고 전도성 칩(C)을 서로 결합시키는 수지가 경화되면 지향성 칩 층(11)이 완성된다. 이후 지향성 칩 층(11)의 한쪽 또는 양쪽 면에 점착 층(12)이 적층되고 그리고 다른 쪽 면에 방열 층(13)이 각각 적층될 수 있다.
점착 층(12)은 예를 들어 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지 또는 페놀 수지와 같이 이 분야에서 공지된 임의의 수지가 될 수 있다. 위에서 설명한 것처럼 서로 다른 전도성 칩(C)은 수지에 의하여 결합될 수 있고 점착 층(12)은 전도성 칩(C)의 결합을 위한 수지와 동일하거나 서로 다른 수지에 의하여 형성될 수 있다.
방열 층(13)은 히트싱크, 금속박막, 탄소 소재 또는 세라믹 층과 같이 열 발산이 빠른 임의의 소재로 만들어질 수 있지만 이에 제한되지 않는다.
방열 층(13)은 가능한 얇게 형성되면서 비열이 낮은 소재로 만들어지는 것이 유리하다. 대안으로 방열 층(13)은 다수 개의 미소 기공을 포함하거나 또는 외부와 접촉하는 면에 형성된 요철 면을 포함할 수 있다. 다수 개의 미소 기공은 방열 층(13) 전체에 형성될 수 있고 서로 다른 직경을 가지도록 만들어질 수 있다. 또한 요철 면은 전체 방열 면적을 증가시킬 수 있는 임의의 형상을 가질 수 있다. 예를 들어 올록볼록한 골과 산이 연속되도록 요철 면이 방열 층(13)의 외부 면에 형성될 수 있다.
방열 층(13)은 아크릴 수지와 같은 접착제로 지향성 칩 층(11)에 부착될 수 있지만 수지의 종류 또는 방열 층(13)과 지향성 칩 층(11)의 결합 방법에 의하여 본 발명은 제한되지 않는다.
위에서 설명한 본 발명에 따른 방열시트는 지향성 칩 층(11)을 이루는 각각의 전도성 칩(C)을 동일한 방향으로 배열시키는 것에 의하여 점착 층(12) 및 방열 층(13)과 접촉하는 면적을 증가시키고 이로 인하여 열의 전도 경로의 단면적을 증가시켜 방열 성능이 향상되도록 한다.
아래에서 본 발명에 따른 방열 시트를 제조하는 방법에 대하여 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 방열시트의 제조 과정을 개략적으로 도시한 것이다.
도 2를 참조하면, 방열시트의 제조를 위하여 먼저 직경이 높이에 비하여 큰 전도 가닥이 준비되어야 한다(P21). 전도 가닥은 예를 들어 탄소섬유, 유리섬유 또는 세라믹 섬유(알루미나-실리케이트섬유, 알루미나섬유, 알루미나-보론-실리카 섬유, 실리콘 카바이드 섬유, 보론 섬유, 지르코니아 섬유, 티타늄산 칼륨 섬유)와 같은 것이 높이에 수직이 되는 방향으로 일정 길이로 절단 또는 커팅이 된 형태가 될 수 있다(P22). 전도 가닥은 각각이 하나의 전도성 칩을 형성하거나 다수 개의 집합체가 전도성 칩을 형성할 수 있다. 만약 전도성 칩이 집합체가 된다면 수지와 필러를 포함하고 다발 공정을 통해 일직선으로 배열되거나 또는 방적 배열이 될 수 있다. 대안으로 아래에서 설명하는 공정을 통해 전도성 칩은 수지에 함침되고 그리고 필러가 수지에 첨가될 수 있다.
전도 가닥으로부터 전도성 칩이 형성되면 전도성 칩은 유동성을 가진 수지에 함침된다(P231). 수지는 예를 들어 폴리에틸렌, 나일론, 폴리에틸렌 수지, 염화비닐 수지, 폴리스티렌 수지, ABS 수지 또는 아크릴 수지와 같은 열가소성 수지 또는 페놀수지, 요소수지, 멜라민 수지, 에폭시 수지 또는 폴리에스테르 수지와 같은 열경화성 수지가 될 수 있다. 수지에 열을 가하여 용융상태로 만들어 전도성 칩을 함침시키면 시간의 경과와 함께 칩은 역학적으로 안정된 상태로 배열되게 된다(P232). 수지는 일정 시간의 경과 후 수지는 반-경화로 유지될 수 있다. 반-경화 상태의 유지로 인하여 칩의 배열성을 향상시킬 수 있으면 필요에 따라 재배열이 가능하도록 한다. 반-경화 상태로 수지는 전도성 칩의 형성과정에서 뿐만 아니라 아래에서 설명하는 점착성의 형성과정에도 적용될 수 있다. 그러므로 본 발명의 설명에서 수지의 적용은 특별히 언급하지 않으면 반-경화 상태의 수지를 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 또한 수지는 반-경화 상태로 바로 제품에 사용이 될 수 있을 뿐만 아니라 가압 경화하여 제품에 사용될 수도 있다.
전도성 칩의 배열 과정에서 필러(filler)가 첨가될 수 있다. 필러는 예를 들어 산화알루미늄(Al2O3), 질화붕소(BN), 질화알루미늄(AlN), 산화베릴륨(BeO) 또는 탄화규소(SiC)와 같이 열전도율이 높은 물질이 될 수 있다.
전도성 칩이 배열된 상태에서 용융된 수지가 경화되면 지향성 칩 층이 형성된다. 그리고 지향성 칩 층의 한쪽 면에 점착 층이 형성되고 그리고 다른 쪽 면에 방열 층이 형성될 수 있다(P25).
대안으로 전도성 칩이 먼저 배열되고(P241) 그리고 수지에 함침될 수 있다(P242). 또한 필러는 수지의 함침 과정에서 첨가될 수도 있지만 아래에서 설명하는 점착 층의 형성 과정에서 첨가될 수도 있다. 이와 같이 본 발명에 따른 방열 시트의 제조방법은 특별한 공정 과정에 순서 또는 필러의 첨가 단계와 같은 공정 선택 사항에 의하여 제한되지 않는다.
점착 층은 집합체의 형성과정에서 사용된 수지와 동일하거나 또는 다른 수지가 될 수 있고 방열 시트가 부착되는 기판의 종류에 따라 접착성을 가지는 적절한 수지가 선택될 수 있다. 점착 층은 예를 들어 아크릴 수지 또는 에폭시 수지와 같이 이 분야에 공지된 접착성을 가진 수지가 될 수 있고 방열 시트의 기판에 대한 적절한 접착성을 가질 수 있을 정도의 두께를 가질 수 있다. 다른 한편으로 방열 층은 알루미늄 박막 또는 구리 박막과 같이 금속 박막으로 형성될 수 있지만 필요에 따라 수지 또는 세라믹으로 형성될 수 있다. 만약 방열 층이 전도 층에 비하여 열전도율이 낮은 소재로 이루어진다면 필요에 따라 방열 층에 다수 개의 미소 기공이 형성될 수 있다. 대안으로 방열 층은 표면을 따라 굴곡이 형성된 요철 형상을 가질 수 있다. 이와 같이 방열 층에 형성된 미소 기공 또는 요철 형상의 곡면은 지향성 칩 층으로부터 방열을 향상시키기 위한 것으로 적절한 방법으로 형성될 수 있다.
점착 층 및 방열 층이 지향성 칩 층의 양쪽 면에 각각 부착되면 가압 공정이 진행될 수 있다. 가압 공정은 점착 층과 방열 층에 일정한 압력을 가하여 점착 층과 방열 층의 외부 면을 편평하게 만드는 방법으로 이루어질 수 있다. 필요에 따라 수지의 용융이 가능한 온도로 가열될 수 있는 가압 판이 사용될 수 있고 가압에 의하여 수지는 전도 층의 빈틈으로 스며들게 되어 전도 층이 필러 및 수지에 의하여 빈틈이 없이 채워지게 된다. 만약 방열 층의 외부 표면에 굴곡을 가진 요철 면이 형성되도록 하거나 또는 미소 기공이 형성되도록 할 필요가 있다면 방열 층과 접하는 가압 판에 미리 굴곡 면을 형성하거나 또는 미소 돌기를 형성하여 방열 층의 외부 표면을 가압할 수 있다.
가압 공정에 의하여 점착 층과 방열 층이 전도 층에 완전히 부착되면 경화 공정이 진행된다. 경화 공정은 자연 경화 또는 냉각 장치를 이용한 경화와 같이 이 분야에서 공지된 임의의 방법에 따라 이루어질 수 있다.
본 발명에 따른 방열 시트는 지향성 칩 층을 열전도량이 높아질 수 있는 일정 방향으로 배열된 전도성 칩으로 형성하는 것에 의하여 방열량이 증가될 수 있도록 한다. 일반적으로 다수 개의 탄소 섬유 또는 유리 섬유가 길이 방향을 따라 두 개의 판 사이에 배열되는 경우 각각의 탄소 섬유 또는 유리 섬유 사이에 빈 공간이 발생하게 된다. 만약 수지와 같은 전도성이 낮은 소재로 빈 공간을 채우는 경우 방열 시트 전체 전도율이 낮아지게 된다. 이에 비하여 높이에 수직되는 방향으로 배열되고 직경이 높이에 비하여 큰 다수 개의 탄소섬유, 유리섬유 또는 세라믹 섬유가 두 개의 판 사이에 배치된다면 빈 공간의 크기가 작아질 수 있다. 이로 인하여 방열 시트 전체 열전도율이 높아질 수 있다. 이와 같이 본 발명에 따른 방열 시트는 소재의 배열 방향에 따른 열전도율의 향상을 이용하여 방열량을 증가시킨 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 방열 시트는 방열이 요구되는 임의의 전자 또는 전기 기구에 적절한 형태로 변형되어 적용될 수 있다.
위에서 본 발명은 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되었지만 제시된 실시 예는 예시적인 것으로 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형 및 수정 형태를 만들 수 있지만 본 발명의 범위에 이에 제한되지 않고 다만 아래에 첨부된 청구범위에 의해서만 제한된다.
11: 지향성 칩 층
12: 점착 층
13: 방열 층

Claims (10)

  1. 열의 전도 방향으로 배열된 하나의 전도 가닥 또는 다수 개의 전도 가닥의 집합체로 이루어진 다수 개의 지향성 칩이 서로 연속적으로 접촉하여 배열되고 그리고 각각의 지향성 칩 직경은 지향성 칩의 높이보다 더 크도록 형성된 지향성 칩 층을 포함하는 방열시트.
  2. 열의 전도 방향으로 배열된 하나의 전도 가닥 또는 다수 개의 전도 가닥의 집합체로 이루어진 지향성 칩 층(11);
    지향성 칩 층(11)의 한 쪽 면에 적층되는 점착 층(12): 및
    지향성 칩 층(11)이 다른 쪽 면에 적층 되는 방열 층(13)을 포함하고,
    상기 지향성 칩 층(11)은 다수 개의 칩이 연속적으로 서로 접촉하여 배열되고 그리고 각각의 칩 직경은 높이에 비하여 큰 것을 특징으로 하는 지향성 칩 층을 가진 방열 시트.
  3. 청구항 2에 있어서, 지향성 칩은 탄소 섬유, 유리 섬유 또는 세라믹 섬유로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 방열 시트.
  4. 청구항 2에 있어서, 지향성 칩 층은 필러를 포함하는 방열 시트.
  5. 청구항 2에 있어서, 칩의 직경/칩의 높이는 1.5보다 큰 것을 특징으로 방열 시트.
  6. 청구항 2에 있어서, 지향성 칩 층(11)은 수지를 포함하는 방열 시트.
  7. 직경이 높이에 비하여 큰 전도 가닥 또는 전도 가닥의 집합체로 이루어진 칩을 준비하는 단계;
    칩을 수지에 함침시키고 칩을 일정 방향으로 배열하는 단계;
    배열된 칩의 한 쪽 면에 점착 층을 형성하는 단계; 및
    배열된 칩의 다른 쪽 면에 방열 층을 형성하는 단계를 포함하는 지향성 칩 층을 가진 방열 시트의 제조방법.
  8. 청구항 7에 있어서, 일정방향으로 배열하는 단계 이전 또는 이후에 수지에 함침시키고 필러를 첨가하는 단계를 더 포함하는 지향성 칩을 가진 방열 시트의 제조방법.
  9. 청구항 7에 있어서, 방열 층을 형성하고 점착 층과 방열 층을 가압하는 단계를 더 포함하는 지향성 칩을 가진 방열 시트의 제조방법.
  10. 청구항 7에 있어서, 전도 가닥은 탄소 섬유, 유리 섬유 또는 세라믹 섬유로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 지향성 칩을 가진 방열 시트의 제조방법.
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