KR101117984B1 - manufacturing device and method for manufacturing liquid crystal display device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로써, TFT 기판에 형성된 포토레지스트로부터 솔벤트가 원활히 휘발되도록 함으로써 각 패드부의 투명 도전막이 증착되는 부위에서 상기 포토레지스트가 역방향으로 경사지게 형성됨에 따라 보호막 역시 역방향으로 경사지게 형성되는 현상을 방지할 수 있도록 한 새로운 구조의 액정표시소자용 제조 장비 및 액정표시소자 제조 방법 그리고, 새로운 구조의 액정표시소자 제조 장비용 기판 건조부를 제공하고자 한 것이다.

이를 위해 본 발명은, 포토레지스트를 기판 상에 형성하는 포토레지스트 형성부; 상기 포토레지스트 형성부로부터 포토레지스트가 형성된 기판을 제공받아 상기 포토레지스트를 진공 상태에서 경화시키는 경화부; 상기 경화부의 후공정 위치에 구비되며, 상기 포토레지스트가 경화된 기판을 제공받아 원하는 패턴으로 노광하는 노광부; 상기 포토레지스트 형성부와 상기 경화부 사이의 공정 위치에 구비되며, 상기 기판을 건조시키도록 구성된 기판 건조부; 그리고, 상기 포토레지스트 형성부와 경화부와 노광부와 기판 건조부 등의 각 구성 요소들로 기판을 반입 및/혹은, 반출하는 하나 이상의 로더부:를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 액정표시소자용 제조 장비를 제공한다.

Figure R1020050014288

액정표시소자용 제조 장비, 기판 건조부, 포토레지스트, 역경사

The present invention relates to a liquid crystal display device, wherein the solvent is smoothly volatilized from the photoresist formed on the TFT substrate, so that the photoresist is formed to be inclined in the reverse direction at the site where the transparent conductive film is deposited on each pad portion, so that the protective film is also inclined in the reverse direction. An object of the present invention is to provide a manufacturing apparatus for a liquid crystal display device and a method for manufacturing a liquid crystal display device, and a substrate drying unit for a liquid crystal display device manufacturing device having a new structure.

To this end, the present invention, the photoresist forming unit for forming a photoresist on a substrate; A curing unit configured to receive a substrate on which the photoresist is formed from the photoresist forming unit and to cure the photoresist in a vacuum state; An exposure unit provided at a post-processing position of the curing unit and receiving a substrate on which the photoresist is cured and exposing the substrate to a desired pattern; A substrate drying unit provided at a process position between the photoresist forming unit and the curing unit and configured to dry the substrate; And at least one loader unit for importing and / or transporting the substrate into components such as the photoresist forming unit, the curing unit, the exposure unit, and the substrate drying unit. Provide manufacturing equipment.

Figure R1020050014288

Manufacturing Equipment for Liquid Crystal Display Devices, Substrate Drying Section, Photoresist, Reverse Slope

Description

액정표시소자용 제조 장비 및 액정표시소자 제조 장비용 기판 건조부 및 액정표시소자 제조방법{manufacturing device and method for manufacturing liquid crystal display device}Manufacturing apparatus for liquid crystal display device and manufacturing method for substrate drying unit and liquid crystal display device for liquid crystal display device manufacturing equipment

도 1 은 종래 일반적인 TFT 기판의 구조를 개략적으로 나타낸 상태도1 is a state diagram schematically showing the structure of a conventional general TFT substrate

도 2 는 종래 포토레지스트로부터 솔벤트 휘발이 완전히 이루어지지 못하였음에 따라 발생되는 문제점을 설명하기 위한 요부 확대 단면도Figure 2 is an enlarged cross-sectional view of the main portion for explaining the problem caused by not completely solvent volatilization from a conventional photoresist

도 3 은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액정표시소자 제조 공정을 위한 레이아웃 구조를 개략적으로 나타낸 블럭도3 is a block diagram schematically illustrating a layout structure for a process of manufacturing a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4 는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액정표시소자 제조 공정을 위한 레이아웃 구조 중 기판 건조부를 나타낸 사시도4 is a perspective view showing a substrate drying unit in a layout structure for a liquid crystal display device manufacturing process according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5 는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액정표시소자 제조 방법을 설명하기 위한 순서도5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6 은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액정표시소자 제조 방법으로 제조된 TFT 기판의 각 부위 중 포토레지스트로부터 솔벤트의 휘발이 원활히 이루어진 상태를 설명하기 위한 요부 확대 단면도6 is an enlarged cross-sectional view illustrating main parts for explaining a state in which a solvent is volatilized smoothly from a photoresist in each portion of a TFT substrate manufactured by a method of manufacturing a liquid crystal display device according to a preferred embodiment of the present invention;

도 7a 내지 도 7c 는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액정표시소자 제조 방법에 의해 제조된 TFT 기판의 박막트랜지스터와 데이터 패드부 및 게이트 패드부를 설명하기 위한 요부 확대 단면도7A to 7C are enlarged cross-sectional views illustrating main parts for explaining a thin film transistor, a data pad part, and a gate pad part of a TFT substrate manufactured by a liquid crystal display device manufacturing method according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 8 은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액정표시소자 제조 방법에 의해 제조된 TFT 기판 중 외곽측 부위 중의 패드부에 대한 실제 상태를 확대하여 나타낸 상태도8 is an enlarged state diagram illustrating an actual state of a pad portion in an outer portion of a TFT substrate manufactured by a liquid crystal display device manufacturing method according to an exemplary embodiment of the present invention.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

100. 기판 610. 포토레지스트 형성부100. Substrate 610. Photoresist forming portion

620. 경화부 630. 솔벤트 제거부620. Curing Part 630. Solvent Removal Part

640. 노광부 650. 기판 건조부640. Exposure part 650. Substrate drying part

651. 챔버 652. 안착핀651. Chamber 652. Seating Pin

653. 배기호스 660. 하드 베이크부653. Exhaust hose 660. Hard bake section

700. 현상부 810. 로더부700. Developing unit 810. Loader

910. 포토레지스트 920. 보호막910. Photoresist 920. Protective Film

930. 컨택홀 940. 투명 도전막930. Contact Hole 940. Transparent Conductive Film

본 발명은 액정표시소자 제조 장비에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 액정표시소자 등의 디스플레이장치를 위한 레이아웃과 제조 방법 및 제조 장비에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device manufacturing equipment, and more particularly to a layout, manufacturing method and manufacturing equipment for a display device such as a liquid crystal display device.

일반적으로 액정표시소자(LCD;Liquid Crystal Display Device)는 화질이 우수하고 경량, 박형, 저소비 전력의 특징 및 장점으로 인해 노트북 컴퓨터의 모니터와 같은 이동형 화상 표시장치의 용도 이외에도 방송신호를 수신하여 디스플레이하는 텔레비전 및 컴퓨터의 모니터 등으로 다양하게 개발되고 있다.In general, liquid crystal display devices (LCDs) receive and display broadcast signals in addition to the use of mobile image display devices such as monitors of notebook computers due to their excellent image quality and light weight, thinness, and low power consumption. Various developments are made for televisions and computer monitors.

이러한 액정표시소자는 일정 공간을 갖고 합착된 한 쌍의 기판과, 상기 각 기판 사이에 주입된 액정층으로 구성된다.The liquid crystal display device includes a pair of substrates bonded to each other with a predetermined space and a liquid crystal layer injected between the substrates.

이 때, 상기 한 쌍의 기판에는 박막트랜지스터 어레이 기판(Thin Film Trangistor Panel;이하, “TFT 기판”이라 한다) 및 칼라필터 기판(Color Filter Panel)이 포함된다.At this time, the pair of substrates includes a thin film transistor panel (hereinafter referred to as a TFT substrate) and a color filter panel.

여기서, 상기 TFT 기판에는, 첨부된 도 1과 같이 일정 간격을 갖고 일 방향으로 배열되는 복수개의 게이트 라인(Gate Line)(10)과, 상기 각 게이트 라인(10)과 수직한 방향으로 일정한 간격으로 배열되는 복수개의 데이터 라인(Data Line)(20)과, 상기 각 게이트 라인(10)과 데이터 라인(20)이 교차되어 정의된 각 화소영역에 매트릭스 형태(Matrix Type)로 형성되는 복수개의 화소 전극(30)과, 상기 게이트 라인(10)의 신호에 의해 스위칭되어 상기 데이터 라인(20)의 신호를 상기 각 화소 전극(30)에 전달하는 복수개의 박막 트랜지스터(40)가 형성된다.Here, the TFT substrate includes a plurality of gate lines 10 arranged in one direction at regular intervals as shown in FIG. 1 and at regular intervals in a direction perpendicular to the gate lines 10. A plurality of pixel electrodes formed in a matrix form in a plurality of data lines 20 arranged therein and each pixel region defined by crossing the gate lines 10 and the data lines 20. 30 and a plurality of thin film transistors 40 that are switched by signals of the gate line 10 to transfer the signals of the data line 20 to the pixel electrodes 30.

전술한 TFT 기판의 제조 과정을 간략히 설명하면 후술하는 바와 같다.The manufacturing process of the above-described TFT substrate will be briefly described as follows.

우선, TFT 기판은 세정 공정을 통해 그 표면의 세정이 이루어진 상태에서 그 상면에는 포토레지스트(PR;PhotoResist)가 형성된다.First, a photoresist (PR; PhotoResist) is formed on the upper surface of the TFT substrate while the surface thereof is cleaned through the cleaning process.

계속해서, 상기 TFT 기판은 노광 장치(도시는 생략됨)를 통과하면서 원하는 패턴으로 상기 포토레지스트의 노광이 이루어지고, 현상 장치(도시는 생략됨)를 통과하면서 원하는 패턴으로의 현상(Developing)이 이루어지면서 액정표시소자 제조에 사용될 TFT 기판이 마련된다.Subsequently, the TFT substrate is exposed to the photoresist in a desired pattern while passing through an exposure apparatus (not shown), and developing into a desired pattern while passing through a developing apparatus (not shown). The TFT substrate to be used for manufacturing the liquid crystal display device is provided.

한편, 최근에는 LCD의 점차적인 대형화로 인해 TFT 기판에 포토레지스트를 코팅하는 방법이 스핀 코팅(Spin Coating) 방법에서 스피니스 코팅(Spinless Coating) 방법으로 변경되었다. 이는 기존의 스핀 코팅 방법으로 TFT 기판에 포토레지스트를 코팅할 경우 상기 TFT 기판의 파손이 우려되었기 때문이다. 그러나, 상기 스핀리스 코팅방법을 사용함에 따라 보호막 상에 추후 형성되는 투명 도전막(ITO;Induium Tin Oxide)의 형성시에 투명 도전막의 끊김으로 인한 오픈 불량이 발생하였다.On the other hand, in recent years, due to the gradual enlargement of LCD, the method of coating a photoresist on a TFT substrate has been changed from a spin coating method to a spinless coating method. This is because when the photoresist is coated on the TFT substrate by the conventional spin coating method, the TFT substrate is broken. However, when the spinless coating method is used, an open defect occurs due to breakage of the transparent conductive film during formation of an indium tin oxide (ITO) formed later on the protective film.

이 때, 상기 보호막 상에 형성되는 투명 도전막과 관련하여 첨부된 도 1의 미설명 부호 D 는 데이터 패드부이고, G 는 게이트 패드부이다.At this time, the reference numeral D of FIG. 1 attached to the transparent conductive film formed on the protective film is a data pad part, and G is a gate pad part.

물론, 전술한 문제점을 해결하기 위해서는 VCD 공정 즉, 경화 공정을 대략 3토르(Torr) 정도의 저진공 상태로 장시간 동안 진행함으로써 상기 포토레지스트(91)의 표면 과경화가 방지될 수 있도록 하여 상기 포토레지스트(91)의 역테이퍼 현상을 개선할 수도 있다.Of course, in order to solve the above problems, the VCD process, that is, the curing process is performed for a long time in a low vacuum state of about 3 Torr (Torr) for a long time to prevent the surface over-curing of the photoresist 91 to the photoresist The reverse taper phenomenon of 91 can also be improved.

하지만, 이의 경우 경화 공정에 소요되는 택 타임(Tact Time)이 상당히 길어짐에 따라 결국, 전체 공정에 소요되는 작업 시간이 길어질 수 밖에 없었으며, 이로 인해 작업성이 좋지 못하였던 문제점이 발생되었다.However, in this case, as the tact time required for the hardening process becomes considerably long, the operation time required for the entire process becomes long and the workability is poor.

본 발명은 전술한 종래의 각종 문제점들을 해결하기 위하여 TFT 기판상에 형성되는 층들의 원활한 패턴을 형성시키기 위한 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for forming a seamless pattern of layers formed on a TFT substrate in order to solve the various problems described above.

최근에는 LCD의 점차적인 대형화로 인해 TFT 기판에 포토레지스트를 형성시 상기 포토레지스트 내의 솔벤트 함량이 많아지게 되었으며, 상기 솔벤트의 원활한 휘발을 위한 VCD(Vacuum Dry) 공정이 필요시 되었다.In recent years, when the photoresist is formed on the TFT substrate due to the gradual enlargement of the LCD, the solvent content in the photoresist increases, and a VCD (Vacuum Dry) process for smoothly volatilizing the solvent is required.

그리고, 상기 포토레지스트가 코팅된 TFT 기판은 상기 VCD(Vacuum Dry) 공정을 거치면서 원하는 정도만큼의 경화가 이루어진 후 SHP(Softbake Hot Plate) 공정을 거치면서 상기 포토레지스트 내에 함유된 솔벤트의 제거가 이루어진다.Then, the TFT substrate coated with the photoresist is cured to a desired degree while passing through the VCD (Vacuum Dry) process, and then the solvent contained in the photoresist is removed while passing through a SHP (Soft Bake Hot Plate) process .

하지만, 상기 VCD 공정이 고진공 상태에서 솔벤트를 강제 휘발시키도록 사용될 경우 첨부된 도 2와 같이 상기 포토레지스트(91)의 표면(s)은 그에 함유된 솔벤트의 휘발이 급격히 이루어지면서 과도한 경화가 이루어지는데 반해, 상기 포토레지스트(91)의 내부(i)는 상기 과도하게 경화된 포토레지스트(91)의 표면(s)으로 인해 솔벤트의 휘발이 원활히 이루어지지 못하였던 문제점이 있었다.However, when the VCD process is used to forcibly volatilize the solvent in a high vacuum state, as shown in FIG. 2, the surface (s) of the photoresist 91 is excessively volatilized due to the rapid volatilization of the solvent contained therein On the other hand, the interior (i) of the photoresist 91 has a problem that the solvent was not volatilized smoothly due to the surface (s) of the excessively cured photoresist (91).

이에 따라, 전술한 바와 같이 포토레지스트(91)의 원활한 경화 및 솔벤트 제거가 이루어지지 않은 상태로 후공정인 노광 및 현상 공정이 진행된다면 상기 포토레지스트(91)는 그 표면(s)으로부터 저부측으로 갈수록 점차 역방향으로 경사지게 형성되는 문제점이 발생되었다.Accordingly, as described above, if the photoresist 91 is subjected to the post-exposure exposure and development without smooth curing and solvent removal, the photoresist 91 gradually moves from the surface s toward the bottom. There was a problem that gradually formed inclined in the reverse direction.

이는, 상기 포토레지스트(91)의 저부측으로 갈수록 휘발되지 못하고 잔존하는 솔벤트의 함량이 많아졌기 때문이다.This is because the amount of the remaining solvent cannot be volatilized toward the bottom of the photoresist 91 increases.

이로 인해, 보호막(Passivation)(92)의 콘택홀(93)이 형성되는 부위 역시 상 기 포토레지스트(91)의 저부측 부위와 대략 동일한 형상으로 역방향을 향해 급격하게 경사지도록 형성되었다.The portion where the contact hole 93 of the passivation layer 92 is formed is formed to have a substantially same shape as that of the bottom side portion of the photoresist 91 and to be sloped in a reverse direction toward the opposite direction.

따라서, 본 발명의 목적은 TFT 기판에 코팅된 포토레지스트의 원활한 경화 및 솔벤트의 원활한 휘발이 가능하도록 함으로써 데이터 패드부와 박막트랜지스터 및 게이트 패드부 등의 투명 도전막이 형성되는 부위에서 보호막이 순방향으로 완만한 경사각도를 가지도록 형성된 새로운 구조의 액정표시소자용 TFT 기판과 이러한 TFT 기판을 제조하기 위한 액정표시소자용 제조 장비 및 액정표시소자 제조 방법을 제공하고자 한 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to allow the smooth curing of the photoresist coated on the TFT substrate and the smooth volatilization of the solvent, so that the protective film is gentle in the forward direction at the portion where the transparent conductive film such as the data pad portion, the thin film transistor, and the gate pad portion is formed. A TFT substrate for a liquid crystal display element having a new structure formed so as to have an inclination angle, a manufacturing apparatus for a liquid crystal display element for manufacturing such a TFT substrate, and a method for manufacturing a liquid crystal display element.

또한, 본 발명의 다른 목적은 전체 공정에 대한 택 타임을 증가시키지 않고 상기 포토레지스트의 급격한 경사 및 역방향으로 경사지는 현상을 방지할 수 있도록 한 새로운 구조의 액정표시소자 제조 장비용 기판 건조부를 제공하고자 한 것이다.In addition, another object of the present invention is to provide a substrate drying unit for a liquid crystal display device manufacturing equipment having a new structure to prevent the sudden inclination and the inclination of the photoresist in the reverse direction without increasing the tack time for the entire process It is.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 액정표시소자용 제조 장비는, 포토레지스트를 기판 상에 형성하는 포토레지스트 형성부; 상기 포토레지스트 형성부로부터 포토레지스트가 형성된 기판을 제공받아 상기 포토레지스트를 진공 상태에서 경화시키는 경화부; 상기 경화부의 후공정 위치에 구비되며, 상기 포토레지스트가 경화된 기판을 제공받아 원하는 패턴으로 노광하는 노광부; 상기 포토레지스트 형성부와 상기 경화부 사이의 공정 위치에 구비되며, 상기 기판을 건조시키도록 구성된 기판 건조부; 그리고, 상기 포토레지스트 형성부와 경화부와 노광부와 기판 건조부 등의 각 구성 요소들로 기판을 반입 및/혹은, 반출하는 하나 이상의 로더부:를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the liquid crystal display device manufacturing apparatus of the present invention, the photoresist forming unit for forming a photoresist on a substrate; A curing unit configured to receive a substrate on which the photoresist is formed from the photoresist forming unit and to cure the photoresist in a vacuum state; An exposure unit provided at a post-processing position of the curing unit and receiving a substrate on which the photoresist is cured and exposing the substrate to a desired pattern; A substrate drying unit provided at a process position between the photoresist forming unit and the curing unit and configured to dry the substrate; And at least one loader portion for carrying in and / or out the substrate from the photoresist forming portion, the hardening portion, the exposure portion, and the substrate drying portion.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정표시소자 제조 방법은, (가) 포토레지스트를 기판 상에 형성하는 단계; (나) 상기 포토레지스트가 형성된 기판을 제공받아 이를 건조하여 상기 포토레지스트에 함유된 솔벤트를 휘발시키는 단계; (다) 상기 솔벤트 휘발이 완료된 기판을 제공받아 진공 상태에서 경화시키는 단계; 그리고, (라) 상기 포토레지스트가 경화된 기판을 제공받아 원하는 패턴으로 노광하고 현상하는 단계:를 포함하여 진행됨을 특징으로 한다.In addition, the liquid crystal display device manufacturing method of the present invention for achieving the above object, (A) forming a photoresist on a substrate; (B) receiving a substrate on which the photoresist is formed and drying it to volatilize the solvent contained in the photoresist; (C) receiving the substrate on which the solvent volatilization is completed and curing in a vacuum state; And (d) receiving the cured substrate and exposing and developing the substrate in a desired pattern.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정표시소자용 TFT 기판은, 포토레지스트를 기판 상에 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트가 형성된 기판을 제공받아 설정된 온도로 설정된 시간 동안 건조하여 상기 포토레지스트에 함유된 솔벤트를 휘발시키는 단계와, 상기 솔벤트 휘발이 완료된 기판을 제공받아 진공 상태에서 경화시키는 단계 그리고, 상기 포토레지스트가 경화된 기판을 제공받아 원하는 패턴으로 노광하고 현상하는 단계를 포함하는 방법으로 제조되며, 현상 후 하드 베이크 공정시 포토레지스트의 경사가 0.1° 이상 45° 미만, 바람직하게는 15° 이상 30°이하 정도의 각도를 유지하도록 형성된 것임을 특징으로 한다.In addition, the TFT substrate for a liquid crystal display device of the present invention for achieving the above object, the step of forming a photoresist on the substrate, and receiving the substrate on which the photoresist is formed and dried for a set time at a set temperature the photoresist Volatilizing a solvent contained in the solvent, receiving a substrate on which the solvent volatilization is completed, curing in a vacuum state, and receiving and curing the photoresist-cured substrate in a desired pattern. After the development, the inclination of the photoresist during the hard bake process is characterized in that it is formed to maintain an angle of about 0.1 ° or more and less than 45 °, preferably 15 ° or more and 30 ° or less.

또한, 상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정표시소자 제조 장비용 기판 건조부는, 기판의 유입 및 유출이 가능하게 형성된 챔버와, 상기 챔버의 내측 저면에 구비되어 기판이 안착되는 안착부를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.In addition, the substrate drying unit for the liquid crystal display device manufacturing equipment of the present invention for achieving the other object includes a chamber formed to enable the inflow and outflow of the substrate, and a seating portion is provided on the inner bottom of the chamber to seat the substrate Characterized in that configured.

이하, 본 발명의 액정표시소자용 TFT 기판과 그 제조 장비용 레이아웃 및 제 조 방법과, 액정표시소자 제조 장비용 기판 건조부에 대한 바람직한 실시예를 첨부된 도 3 내지 도 8을 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of a TFT substrate for a liquid crystal display element, a layout and manufacturing method thereof, and a substrate drying unit for a liquid crystal display device manufacturing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 8 The explanation is as follows.

먼저, 첨부된 도 3에는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액정표시소자용 제조 장비의 레이아웃이 도시되고 있다.First, in FIG. 3, a layout of a manufacturing apparatus for a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention is shown.

즉, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자용 제조 장비의 레이아웃은 크게 포토레지스트 형성부(610), 경화부(620), 노광부(640), 로더부(810) 및 기판 건조부(650)를 포함하여 구성된다.That is, the layout of the manufacturing equipment for a liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention includes a photoresist forming portion 610, a hardening portion 620, an exposure portion 640, a loader portion 810, and a substrate drying portion 650 It is configured to include).

이 때, 상기한 레이아웃은 노광 장치를 이루는 레이아웃이며, 세정 장치를 이루는 레이아웃과 현상 장치를 이루는 레이아웃은 종래의 구조와 동일하다.At this time, the above-described layout is a layout constituting the exposure apparatus, and the layout constituting the cleaning apparatus and the layout constituting the developing apparatus are the same as in the conventional structure.

상기에서 포토레지스트 형성부(610)는 첨부된 도 6에 도시된 포토레지스트(910)를 기판(100) 상에 코팅하는 역할을 수행한다.The photoresist forming unit 610 serves to coat the photoresist 910 shown in FIG. 6 on the substrate 100.

그리고, 상기 경화부(VCD;Vacuum Dry)(620)는 상기 포토레지스트 형성부(610)로부터 포토레지스트(910)가 형성된 기판(100)을 제공받아 상기 포토레지스트(910)를 진공 상태에서 경화시키는 역할을 수행한다.In addition, the curing unit (VCD; Vacuum Dry) 620 receives the substrate 100 on which the photoresist 910 is formed from the photoresist forming unit 610 to cure the photoresist 910 in a vacuum state. Play a role.

이 때, 상기 경화부(620)는 대략 3토르(Torr) 정도의 저진공 상태로 단시간 동안 경화가 진행되도록 설정됨이 바람직하다. 물론, 상기 경화부(620)는 0.2토르(Torr) 정도의 고진공 상태로 경화가 진행되도록 설정될 수도 있다.At this time, the curing unit 620 is preferably set to proceed the curing for a short time in a low vacuum state of about 3 Torr (Torr). Of course, the curing unit 620 may be set so that the curing proceeds in a high vacuum state of about 0.2 Torr.

상기한 진공 상태는 택 타임(Tact Time;하나의 기판에 대한 경화 공정을 위한 시간)을 최대한 단축시킬 수 있도록 하되, 해당 택 타임동안 완전한 경화가 이루어질 수 있을 정도의 진공 상태로 진행되도록 설정됨이 가장 바람직하다. 즉, 3 ~0.2토르 사이의 범위대에 따른 진공 상태로 그 공정이 진행되도록 설정함이 바람직한 것이다.The vacuum state is set to shorten the tack time (time for the curing process for one substrate) as much as possible, but is set to proceed to a vacuum enough to complete curing during the tack time. Most preferred. In other words, it is preferable to set the process to proceed in a vacuum state in the range of 3 to 0.2 Torr.

그리고, 상기 노광부(640)는 상기 경화부(620)의 후공정 위치에 구비되며, 상기 경화부(620)로부터 포토레지스트(910)가 경화된 기판(100)을 제공받아 원하는 패턴으로 노광하는 역할을 수행한다.The exposure unit 640 is disposed at a post-process position of the curing unit 620 and receives the substrate 100 on which the photoresist 910 is cured from the curing unit 620 and exposes the substrate 100 in a desired pattern Play a role.

이 때, 상기 노광부(640)의 후공정 위치에는 현상부(Devolop part)(700)가 구비됨이 바람직하며, 상기 현상부(700)에서는 상기 노광부(640)에 의해 노광된 기판(100)을 제공받아 원하는 부위의 포토레지스트(910)를 현상하는 역할을 수행한다.At this time, it is preferable that a developing part 700 is provided at a post-processing position of the exposure part 640, and in the developing part 700, the substrate 100 exposed by the exposure part 640. ) Serves to develop the photoresist 910 of the desired portion.

그리고, 상기 로더부(810)는 상기 포토레지스트 형성부(610)와 경화부(620)와 노광부(640)와 기판 건조부(650) 등의 각 구성 요소들로 기판(100)을 반입 및/혹은, 반출하는 역할을 수행하며, 적어도 하나 이상 구비된다.In addition, the loader 810 may carry the substrate 100 into each of components such as the photoresist forming unit 610, the curing unit 620, the exposure unit 640, and the substrate drying unit 650. / Or, it performs the role of carrying out, at least one is provided.

이 때, 상기 로더부(810)는 로봇암 및 컨베이어 등이 포함되며, 특히 본 발명의 실시예에서는 상기 포토레지스트 형성부(610)와 상기 기판 건조부(650) 사이에 로더부(810)가 구비되되, 상기 로더부(810)는 하나 이상의 핑거를 가지는 로봇암으로 이루어짐을 제시한다.In this case, the loader unit 810 includes a robot arm and a conveyor. In particular, in the embodiment of the present invention, the loader unit 810 is disposed between the photoresist forming unit 610 and the substrate drying unit 650. It is provided, the loader portion 810 suggests that made of a robot arm having one or more fingers.

그리고, 상기 기판 건조부(650)는 상기 포토레지스트 형성부(610)와 상기 경화부(620) 사이의 공정 위치에 구비되며, 포토레지스트(910)가 형성된 기판(100)을 진공 상태에서 경화시키기전에 건조되도록 함으로써 솔벤트가 완전히 휘발될 수 있도록 한 것이다.The substrate drying unit 650 is provided at a process position between the photoresist forming unit 610 and the curing unit 620 to cure the substrate 100 on which the photoresist 910 is formed in a vacuum state. By allowing it to dry before, the solvent can be completely volatilized.

첨부된 도 4에서는 상기한 기판 건조부(650)가 도시되고 있으며, 이를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자 제조 장비용 기판 건조부(650)의 구조를 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.In FIG. 4, the substrate drying unit 650 is illustrated. Hereinafter, the structure of the substrate drying unit 650 for LCD manufacturing device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the following. same.

먼저, 본 발명의 실시예에 따른 기판 건조부(650)는 크게 챔버(651)와 안착부를 포함하여 구성된다.First, the substrate drying unit 650 according to the embodiment of the present invention includes a chamber 651 and a seating unit.

이 때, 상기 챔버(651)는 기판 건조부(650)의 외관을 형성함과 동시에 기판(100)의 유입 및 유출이 가능하도록 그 전방측이 개구되게 형성된다.At this time, the chamber 651 is formed so that the front side is opened to allow the inflow and outflow of the substrate 100 while at the same time forming the appearance of the substrate drying unit 650.

상기한 챔버(651)는 상면이 폐쇄되게 형성된 사각 박스 형상으로 이루어짐이 바람직하다.The chamber 651 is preferably made of a rectangular box shape formed so that the upper surface is closed.

또한, 상기 안착부는 상기 챔버(651)의 내측 저면에 구비되어 기판(100)이 안착되는 부위이다.In addition, the seating portion is provided on the inner bottom surface of the chamber 651 is a portion on which the substrate 100 is seated.

이 때, 상기 안착부는 상기 챔버(651) 내의 저면으로부터 돌출되게 구비된 다수의 안착핀(652)을 포함하여 구성된다.In this case, the seating portion includes a plurality of seating pins 652 provided to protrude from the bottom surface of the chamber 651.

상기 각 안착핀(652)은 상기 기판(100)의 안착은 가능하되 상기 기판(100)과의 접촉 면적은 최소화될 수 있도록 두께가 가는 핀(pin)으로 이루어진다.Each of the seating pins 652 may be a pin that is thin enough to allow the substrate 100 to be seated but minimize contact area with the substrate 100.

이러한 구성은 상기 기판(100)과의 접촉으로 인해 발생될 수 있는 얼룩을 최소화하기 위함이다.This configuration is to minimize stains that may occur due to contact with the substrate 100.

물론, 상기 각 안착핀(652)의 위치는 기판(100)의 각 부위 중 더미 부위(도시는 생략됨)를 받칠 수 있도록 배치함이 바람직하다.Of course, the location of each seating pin 652 is preferably disposed so as to support a dummy portion (not shown) of each portion of the substrate 100.

특히, 상기 각 안착핀(652)은 적절한 돌출 높이를 가지도록 형성됨과 더불어 서로간은 적절한 간격을 가지도록 배치됨이 바람직하다.In particular, each of the seating pins 652 is preferably formed to have an appropriate protrusion height and is arranged to have a suitable distance from each other.

이 때, 상기 각 안착핀(652)의 돌출 높이는 기판(100)이 상기 각 안착핀(652)의 상면에 얹혔을 경우 상기 기판(100)의 저면과 상기 챔버(651) 내의 저면 사이에 공기 유동이 가능할 정도의 높이 이상임과 동시에 상기 기판(100)이 안착되었을 경우 그 휨이 발생되지 않을 정도의 높이와 간격으로 형성됨이 바람직하다.At this time, the protruding height of each of the seating pins 652 is an air flow between the bottom of the substrate 100 and the bottom of the chamber 651 when the substrate 100 is placed on the top of the seating pins 652. It is preferable that the substrate 100 is formed at a height and an interval at which the warpage does not occur when the substrate 100 is seated at the same time or more.

즉, 기판(100)의 저부로 공기가 원활히 유동되도록 함으로써 포토레지스트(910) 내의 솔벤트 휘발이 보다 원활히 이루어질 수 있도록 한 구성이다.That is, by allowing air to flow smoothly to the bottom of the substrate 100, the solvent volatilization in the photoresist 910 may be more smoothly performed.

물론, 상기 각 안착핀(652)의 돌출 높이는 로더부(810)를 이루는 로봇암의 각 핑거(도시는 생략됨) 두께에 비해서는 높게 형성된다.Of course, the protruding height of each seating pin 652 is formed higher than the thickness of each finger (not shown) of the robot arm constituting the loader portion 810.

이와 함께, 상기 각 안착핀(652) 간의 간격은 로더부(810)인 로봇암의 각 핑거가 형성하는 폭에 비해 넓게 위치되도록 구성함으로써 상기 로봇암이 챔버(651) 내로 반입 및/혹은, 반출될 때 상기 각 안착핀(652)으로부터 간섭받지 않도록 함이 바람직하다.In addition, the spacing between each of the seating pins 652 is configured to be positioned wider than the width formed by each finger of the robot arm, which is the loader unit 810, so that the robot arm is brought into and / or out of the chamber 651. It is preferable not to interfere with each of the seating pins 652.

또한, 전술한 본 발명의 실시예에 따른 기판 건조부(650)에는 배기호스(653)를 더 구비함이 바람직하다.In addition, the substrate drying unit 650 according to the embodiment of the present invention described above is preferably further provided with an exhaust hose (653).

이 때, 상기 배기호스(653)는 상기 챔버(651)의 둘레면 중 적어도 어느 한 면에 연결하여 상기 챔버(651) 내부 공간과 연통될 수 있도록 함이 바람직하지만, 도시된 바와 같이 상기 챔버(651)의 둘레면 중 양측면에 적어도 하나 이상 다수로 구비함이 보다 바람직하다.In this case, the exhaust hose 653 may be connected to at least one of the peripheral surfaces of the chamber 651 so that the exhaust hose 653 may communicate with an internal space of the chamber 651. It is more preferable to provide at least one or more in both sides of the peripheral surface of the 651).

상기 배기호스(653)의 타단은 상기 챔버(651) 내부에 비해 저압 상태의 공간 과 연결하여 상기 챔버(651) 내부의 공기가 최대한 자연스럽게 배기될 수 있도록 함이 바람직하다.The other end of the exhaust hose 653 is preferably connected to a space in a low pressure state than the inside of the chamber 651 so that the air in the chamber 651 can be naturally exhausted as much as possible.

이를 위해 본 발명의 실시예에서는 상기 배기호스(653)의 타단을 공장 내부의 공기를 외부로 배기하는 배기유로(도시는 생략됨)에 연결함을 제시한다.To this end, an embodiment of the present invention proposes that the other end of the exhaust hose 653 is connected to an exhaust passage (not shown) for exhausting air inside the factory to the outside.

즉, 상기 배기유로에는 음압이 걸리기 때문에 챔버 내의 공기가 배기호스(653)를 통해 상기 배기유로로 유동될 수 있게 되는 것이다.That is, the negative pressure is applied to the exhaust passage so that the air in the chamber can flow into the exhaust passage through the exhaust hose 653.

물론, 상기 배기호스(653)에 별도의 팬을 설치하여 챔버(651) 내부의 공기가 강제 배기되도록 구성할 수도 있지만, 이의 경우 공기 흡입력에 의해 포토레지스트(910)의 변형 또는 오염물질에 의한 불량 발생이 이루어질 수 있기 때문에 바람직하지 않다.Of course, a separate fan may be installed in the exhaust hose 653 so that the air in the chamber 651 may be forcibly evacuated. In this case, the photoresist 910 may be deformed due to air suction force or defective due to contaminants. It is not desirable because generation can occur.

한편, 전술한 바와 같이 구성되는 본 발명의 실시예에 따른 기판 건조부(650)는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자용 제조 장비의 레이아웃에 적용할 경우 적어도 둘 이상으로 구비함이 바람직하다.In the meantime, when the substrate drying unit 650 according to the embodiment of the present invention configured as described above is applied to the layout of the manufacturing equipment for a liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention, .

이 때, 상기 각 기판 건조부(650)는 포토레지스트(910)에 함유된 솔벤트의 휘발이 대략 완료될 정도의 시간 동안 여타의 각 구성 요소들 중 가장 긴 작업 시간을 가지는 공정의 택 타임(Tact Time)을 초과하지 않는 택 타임을 가지도록 그 대수가 설정됨이 바람직하다.At this time, each of the substrate drying units 650 may perform a process of the tact time Tact having the longest working time among other components for a period of time in which the volatilization of the solvent contained in the photoresist 910 is substantially completed It is preferable that the number is set to have a tack time not exceeding Time).

예컨대, 솔벤트의 휘발이 대략 완료될 정도의 시간이 300초 이상이고, 가장 긴 시간의 택 타임이 73초라고 할 때 상기 각 기판 건조부(650)는 5대를 구비하는 것이 바람직하다.For example, when the time to complete the volatilization of the solvent is about 300 seconds or more, and the tack time of the longest time is 73 seconds, each substrate drying unit 650 is preferably provided with five units.

즉, 5대의 각 기판 건조부(650)로 대략 73초 간격을 가지면서 기판(100)이 투입된다면 가장 먼저 투입된 기판(100)과 가장 나중에 투입된 기판(100) 간의 시간은 대략 365초가 소요된다.That is, if the substrate 100 is introduced into the five substrate drying units 650 at intervals of about 73 seconds, the time between the first substrate 100 and the last substrate 100 is about 365 seconds.

물론, 상기 73초라는 택 타임은 일 예일 뿐 해당 시간보다 길거나 혹은, 짧게(바람직하게는 짧게) 설정될 수도 있으며, 이의 경우에는 상기 택 타임에 따라 기판 건조부(650)의 대수 변동이 있을 수도 있다.Of course, the tack time of 73 seconds may be set to be longer or shorter (preferably shorter) than the corresponding time, but in this case, there may be a change in the number of substrate drying units 650 according to the tack time. have.

따라서, 상기 가장 먼저 투입된 기판(100)이 후공정으로 취출되기까지 건조되는 시간은 300초를 초과하기 때문에 포토레지스트(910)에 함유된 솔벤트가 대부분 휘발될 수 있게 되는 것이다. 이는 한 예로 300초에서 450초 사이가 적당하다고 사료된다.Therefore, since the first time the substrate 100 is dried before being taken out in a post process exceeds 300 seconds, most of the solvent contained in the photoresist 910 may be volatilized. This is considered to be suitable for example between 300 and 450 seconds.

특히, 전술한 각 기판 건조부(650)는 서로 적층되게 구비함이 바람직하다.In particular, the above-described substrate drying unit 650 is preferably provided to be stacked on each other.

이는, 각 기판 건조부의 추가에도 불구하고 전체적인 레이아웃의 길이 즉, 풋프린트(footprint)가 증대됨을 최소화 하기 위함이다.This is to minimize the length of the overall layout, that is, the footprint, despite the addition of each substrate drying unit.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자용 제조 장비의 레이아웃 구조에는 솔벤트 제거부(SHP;Softbake Hot Plate)(630)가 더 구비되어야 함이 가장 바람직하다.In addition, it is most preferable that a layout structure of a manufacturing equipment for a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention further includes a softbake hot plate (SHP) 630.

이 때, 상기 솔벤트 제거부(630)는 기판 건조부(650)와 경화부(620) 사이에 배치되어 상기 기판 건조부(650)를 통해 미처 휘발되지 못한 솔벤트가 완전히 제거될 수 있도록 하는 역할을 수행한다.At this time, the solvent removing unit 630 is disposed between the substrate drying unit 650 and the hardening unit 620 to completely remove the solvent that has not been volatilized through the substrate drying unit 650 To perform.

상기 솔벤트 제거부(630)의 작업 온도는 대략 110℃ 정도에서 진행될 수 있 도록 설정됨이 보다 바람직하다.The working temperature of the solvent removing unit 630 is more preferably set to proceed at about 110 ℃.

뿐만 아니라, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자용 제조 장비의 레이아웃 구조에는 별도의 하드 베이크부(HHP;Hardbake Hot Plate)(660)가 더 구비된다.In addition, a separate hard bake portion (HHP) is further provided in the layout structure of the manufacturing apparatus for a liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention.

이 때, 상기 하드 베이크부(660)는 현상부의 후공정 위치에 구비되어 투명 도전막(940)과 포토레지스트(910) 간의 접착성을 좋게하는 공정을 수행한다.At this time, the hard bake unit 660 is provided at a post-process position of the developing unit to perform a process of improving adhesion between the transparent conductive film 940 and the photoresist 910.

상기 하드 베이크부(660)의 작업 온도는 대략 130℃ 정도에서 진행될 수 있도록 설정됨이 보다 바람직하다.The working temperature of the hard bake unit 660 is more preferably set to proceed at about 130 ℃.

하기에서는 전술한 일련의 배치 구조를 가지는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자 제조 장비용 레이아웃으로 액정표시소자용 TFT 기판(Thin Film Trangistor Panel)(100)을 제조하는 방법에 대하여 첨부된 도 5의 순서도를 참고하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing a TFT substrate (Thin Film Trangent Panel) 100 for a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention having the above- With reference to the flowchart of the more specifically described as follows.

우선, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자 제조 방법은 크게 포토레지스트 형성 단계, 건조 단계, 경화 단계, 노광 및 현상 단계가 포함되어 순차적으로 이루어진다.First, a method of manufacturing a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a photoresist forming step, a drying step, a curing step, an exposure step, and a developing step.

여기서, 상기 포토레지스트 형성 단계는 포토레지스트 형성부(610)를 이용하여 TFT 기판(100)의 표면에 포토레지스트(910)를 코팅하는 일련의 과정이다.Here, the photoresist forming step is a series of processes for coating the photoresist 910 on the surface of the TFT substrate 100 using the photoresist forming unit 610.

즉, 최초 TFT 기판(100)을 세정 장치를 세정한 후 상기 포토레지스트 형성부(610)로 전달하게 되면 상기 포토레지스트 형성부(610)에서는 상기 세정된 TFT 기판(100)을 제공받아 그 표면에 포토레지스트(910)를 형성하게 된다.(S110)That is, when the cleaning apparatus is cleaned after the initial TFT substrate 100 is transferred to the photoresist forming unit 610, the photoresist-forming unit 610 receives the cleaned TFT substrate 100, The photoresist 910 is formed (S110).

이 때, 상기 TFT 기판(100)에 형성된 포토레지스트(910)에는 다량의 솔벤트 가 함유되어 있다. 따라서 상기 포토레지스트(910)를 경화하기 전에 상기 다량의 솔벤트를 제거하는 일련의 과정이 수행되어야 하며, 이는 후술하는 건조 단계에 의해 이루어진다.At this time, the photoresist 910 formed on the TFT substrate 100 contains a large amount of solvent. Therefore, before curing the photoresist 910, a series of processes for removing the large amount of solvent should be performed, which is accomplished by a drying step described below.

즉, 건조 단계에서는 각 기판 건조부(650)가 상기 포토레지스트 형성부(610)에 의해 포토레지스트가 형성된 기판(100)을 로더부(810)로부터 제공받은 후 이를 건조함으로써 상기 기판(100)의 포토레지스트(910)에 함유된 솔벤트를 휘발시키게 된다.(S120)That is, in the drying step, each substrate drying unit 650 receives the substrate 100 on which the photoresist is formed by the photoresist forming unit 610 from the loader unit 810, and then dries the substrate 100 to dry the substrate 100. The solvent contained in the photoresist 910 is volatilized. (S120)

이 때, 상기 포토레지스트가 형성된 기판(100)을 건조시킬 때의 온도는 상기 기판(100)의 팽창 및/또는, 응축이 발생되지 않을 정도의 온도 범위이다.At this time, the temperature when the substrate 100 on which the photoresist is formed is dried is a temperature range such that expansion and / or condensation of the substrate 100 does not occur.

본 발명의 실시예에서는 액정표시소자 제조 장비가 설치된 공장 내부 즉, 클린 룸(clean room) 내부의 온도와 동일한 온도로 진행되도록 함을 제시하며, 이는 상기 기판 건조부(650)를 이루는 챔버(651) 내부가 클린 룸 내부와 연통되도록 함으로써 가능하다.In the embodiment of the present invention, it is suggested that the temperature is maintained at a temperature that is the same as the temperature inside the factory where the LCD device manufacturing equipment is installed, that is, the temperature inside the clean room. This is because the chamber 651 This is possible by allowing the interior to communicate with the interior of the clean room.

여기서, 상기 클린 룸 내부의 온도는 대략 23℃로 유지되도록 함이 바람직한데, 이러한 온도는 기판(100)의 팽창이나 응축이 발생되지 않는 최적의 온도이다.Here, the temperature inside the clean room is preferably maintained at approximately 23 ° C., which is an optimum temperature at which expansion or condensation of the substrate 100 does not occur.

또한, 상기 포토레지스트가 형성된 기판(100)을 건조시키는 시간은 상기 기판(100)의 포토레지스트(910)에 함유된 솔벤트가 대부분 휘발될 정도의 시간으로써 대략 300초를 초과하는 시간이다.In addition, the time for drying the substrate 100 on which the photoresist is formed is a time that is large enough to evaporate the solvent contained in the photoresist 910 of the substrate 100 is approximately 300 seconds.

이 때, 상기 대부분이 의미하는 솔벤트의 휘발양은 상기 포토레지스트(910)에 함유된 솔벤트의 전체 양 중 85% 정도를 의미한다.At this time, the volatilization amount of the solvent means most of about 85% of the total amount of the solvent contained in the photoresist 910.

실례로, 10마이크로미터의 두께를 가지는 포토레지스트를 건조단을 이용하여 300초 동안 건조를 실시한 후에는 그 두께가 1.5마이크로미터로 줄어들어 솔벤트의 휘발이 85%정도 휘발되었음을 알 수 있었다.For example, after drying a photoresist having a thickness of 10 micrometers using a drying stage for 300 seconds, the thickness of the photoresist was reduced to 1.5 micrometers, and the volatilization of the solvent was found to be 85% volatilized.

즉, 상기 기판 건조부(650)는 통상의 여타 공정 예컨대, 경화 공정이나 노광 공정 등에 소요되는 택 타임이 고려된 대수로 구비되기 때문에 가장 먼저 투입된 기판(100)이 후공정으로 취출되기까지 소요되는 시간이 300초를 초과하게 되어 해당 기판(100)의 포토레지스트(910)에 함유된 솔벤트가 대부분 휘발될 수 있게 된다.In other words, since the substrate drying unit 650 is provided in a logarithm of a number of other processes, for example, a curing process or an exposure process, the time required until the substrate 100, Since the time exceeds 300 seconds, most of the solvent contained in the photoresist 910 of the substrate 100 may be volatilized.

예컨대, 최하단에 위치된 기판 건조부(이하, “제1기판 건조부”라 함)에 어느 한 기판(이하, “제1기판”이라 함)이 안착되면 다음으로 반입되는 기판은 전체 공정을 위한 택 타임(Tact Time)후 상기 제1기판 건조부의 상단에 위치된 다른 기판 건조부 내에 안착되는 것이다.For example, when a substrate (hereinafter referred to as " first substrate ") is placed on a substrate drying section located at the lowermost stage (hereinafter referred to as a " first substrate drying section "), After the tack time (Tact Time) is to be seated in another substrate drying unit located on the top of the first substrate drying unit.

상기한 과정은 적층되게 구성된 각 기판 건조부 중 최상단에 위치된 기판 건조부 내로 새로운 기판(100)이 반입되기 까지 순차적으로 이루어진다.The above process is performed sequentially until a new substrate 100 is brought into the substrate drying unit located at the top of each substrate drying unit configured to be stacked.

이렇듯, 모든 기판 건조부(650) 내에 기판(100)의 안착이 완료된 후 새로운 기판(100)의 반입이 이루어진다면 상기 제1기판 건조부(650) 내에 안착되어 솔벤트 휘발이 완료된 제1기판이 반출됨과 더불어 해당 위치로 새로운 기판(100)이 반입된다.If the new substrate 100 is carried in after all the substrate 100 has been placed in the substrate drying unit 650, the first substrate, which has been placed in the first substrate drying unit 650 and has undergone solvent volatilization, In addition, a new substrate 100 is brought into the corresponding position.

이 때, 상기 제1기판은 상기 제1기판 건조부(650) 내로 반입되는 시점에서부터 반출이 이루어지는 시점까지 대략 5번의 택 타임이 지난 후임과 더불어 각 택 타임은 대략 73초임을 고려할 때 대략 365초 동안 자연 건조되기 때문에 상기 제1기판(100)의 포토레지스트 내에 함유된 솔벤트는 완전히 휘발될 수 있게 된다.At this time, the first substrate is approximately 365 seconds considering that each tack time is approximately 73 seconds after approximately five tack times have elapsed from the time when they are brought into the first substrate drying unit 650 to the time when the export is performed. Since the solvent is naturally dried, the solvent contained in the photoresist of the first substrate 100 may be completely volatilized.

또한, 전술한 일련의 자연 건조 과정이 진행되는 도중 각 기판(100)의 포토레지스트로부터 휘발되는 솔벤트는 해당 기판 건조부(650)의 챔버(651) 내를 유동하게 된다.In addition, during the series of natural drying processes described above, the solvent volatilized from the photoresist of each substrate 100 flows in the chamber 651 of the substrate drying unit 650.

하지만, 이 때에는 상기 챔버(651)와 연통되게 연결된 배기호스(653)를 통해 미세한 공기의 배기 유동이 이루어지고 있음을 고려할 때 상기 휘발된 솔벤트 성분은 상기 공기의 배기 유동에 편승되어 상기 배기호스(653)를 통해 배기된다.However, at this time, considering that the exhaust flow of the fine air is made through the exhaust hose 653 connected in communication with the chamber 651, the volatilized solvent component is piggybacked on the exhaust flow of the air and the exhaust hose ( 653).

이로 인해, 상기 휘발된 솔벤트 성분이 해당 기판 건조부(650) 내에 안착된 기판(100)을 재오염시키는 문제점은 미연에 방지될 수 있게 된다.Thus, the problem that the volatilized solvent component recontaminates the substrate 100 seated in the substrate drying unit 650 can be prevented in advance.

그리고, 상기한 바와 같은 일련의 과정에 의해 기판 건조부(650)로부터 반출된 기판(100)은 로더부(810)에 의해 후공정인 경화부(620)로 반출된다.The substrate 100 carried out from the substrate drying unit 650 by the above-described series of processes is carried out by the loader unit 810 to the hardening unit 620 which is a post-process.

이 때, 상기 경화부(620)에서는 진공 상태로 상기 기판(100)의 포토레지스트(910)를 경화시키는 VCD(Vacuum Dry) 공정이 진행된다.(S130)At this time, a VCD (Vacuum Dry) process for curing the photoresist 910 of the substrate 100 in a vacuum state is performed in the curing unit 620 (S130)

여기서, 상기 VCD 공정은 저진공 상태로 단시간 동안 진행된다.Here, the VCD process is performed for a short time in a low vacuum state.

이는, 포토레지스트(910)의 경화가 최대한 균일하게 이루어지되, 해당 공정의 택 타임은 단축될 수 있도록 하기 위함이다.This is because the curing of the photoresist 910 is made as uniform as possible, but the tack time of the process can be shortened.

물론, 이전 공정인 건조 단계에서 포토레지스트(910)로부터 솔벤트의 휘발이 대부분 이루어졌기 때문에 해당 공정의 택 타임을 최대한 줄이기 위해 고진공 상태로 단시간 동안 진행할 수도 있다.Of course, since most of the volatilization of the solvent from the photoresist 910 in the drying step of the previous process may be performed in a high vacuum state for a short time to reduce the tack time of the process as much as possible.

하지만, 고진공 상태로 상기 VCD 공정이 진행된다면 상기 포토레지스트(910)의 고른 경화가 이루어지지 않을 수 있으며, 이로 인해 포토레지스트(910)의 끝단 경사가 급격하게 형성될 수 있다.However, if the VCD process is performed in a high vacuum state, the photoresist 910 may not be uniformly cured, and the end tilt of the photoresist 910 may be rapidly formed.

그리고, 전술한 과정에 의해 기판(100)의 포토레지스트(910)에 대한 경화가 완료되면 해당 기판(100)은 솔벤트 제거부(630)에 의해 SHP(Softbake Hot Plate) 공정을 수행하게 된다.(S140)After the hardening of the substrate 100 with respect to the photoresist 910 is completed by the above-described process, the substrate 100 is subjected to the SHP (Soft Bake Hot Plate) process by the solvent removing unit 630. S140)

계속해서, 상기 기판(100)은 노광부(640) 및 현상부(700)로 순차적으로 제공되어 원하는 패턴으로 노광하고 현상하는 포토리소그래피(Photo Lithography) 공정이 진행(S150)됨으로써 TFT 기판(100)의 제조가 완료된다.Subsequently, the substrate 100 is sequentially provided to the exposure unit 640 and the developing unit 700, and a photolithography process for exposing and developing the substrate in a desired pattern is performed (S150) The manufacture of is completed.

상기한 장점으로 인해 본 발명의 실시예에 따른 TFT 기판(100)은 현상 과정 후 하드 베이크브(HHP;Hardbake Hot Plate)(660)를 이용한 공정 즉, 하드 베이크 공정시 포토레지스트(910)의 상측 경사가 바람직하게는 15°~30°정도의 완만한 각도를 유지하면서 경사지게 형성된다.(S160)Due to the advantages described above, the TFT substrate 100 according to the embodiment of the present invention can be manufactured by a process using a hard-baking plate (HHP) 660 after the development process, that is, The inclination is preferably inclined while maintaining a gentle angle of about 15 ° to 30 °. (S160)

물론, 이의 경우 상기 포토레지스트(910)의 하측이 역방향으로 경사짐은 방지된다.Of course, in this case, the lower side of the photoresist 910 is prevented from inclining in the reverse direction.

뿐만 아니라, 상기한 현상으로 인해 보호막(Passivation)(920)의 컨택홀(930)이 형성되는 부위 역시 상기 포토레지스트(910)의 저부측 부위와 대략 동일하게 순방향으로 완만하게 경사지도록 형성된다. 이는 첨부된 도 6의 상태와 같다.In addition, due to the above-described phenomenon, the portion where the contact hole 930 of the passivation layer 920 is formed is also formed so as to be gently inclined in the forward direction substantially the same as the bottom portion of the photoresist 910. This is the same as the state of Figure 6 attached.

이로 인해, 상기 포토레지스트(910)의 제거후 투명 도전막(ITO;Indium Tin Oxide)(940)이 증착될 경우 해당 부위에서 상기 투명 도전막(940)의 끊김은 방지된 다.Thus, when the ITO (Indium Tin Oxide) 940 is deposited after removing the photoresist 910, the transparent conductive layer 940 is prevented from being broken at the corresponding portion.

첨부된 도 7a 내지 도 7c는 전술한 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자 제조 방법을 이용하여 제조된 액정표시소자용 TFT 기판(100)의 데이터 패드부와 박막트랜지스터 및 게이트 패드부 등의 투명 도전막(940)이 증착되는 부위의 단면을 도시하고 있다.7A to 7C are cross-sectional views of a data pad portion of a TFT substrate 100 for a liquid crystal display fabricated using the method for manufacturing a liquid crystal display element according to an embodiment of the present invention, A cross section of the portion where the conductive film 940 is deposited is shown.

또한, 첨부된 도 8은 전술한 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자 제조 방법을 이용하여 제조된 액정표시소자용 TFT 기판(100) 중 외곽측 부위 중의 패드부에 대한 실제 상태를 나타낸 사진이다.8 is a photograph showing an actual state of a pad portion in an outer portion of a TFT substrate 100 for a liquid crystal display device manufactured by using the method for manufacturing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention described above. .

이 때, 상기 패드부는 데이터 패드부와 게이트 패드부 및 정전기 패드부를 포함한다.In this case, the pad part includes a data pad part, a gate pad part, and an electrostatic pad part.

즉, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자용 TFT 기판(100)의 데이터 패드부와 박막트랜지스터 및 게이트 패드부 등의 부위는 포토레지스트(910)가 역으로 경사지지 않고 순방향으로 완만하게(바람직하게는 15°~30°의 각도로) 경사지게 형성됨을 알 수 있다.That is, portions of the data pad portion, the thin film transistor, and the gate pad portion of the TFT substrate 100 for a liquid crystal display according to the embodiment of the present invention are formed such that the photoresist 910 does not tilt in the reverse direction, It can be seen that it is formed to be inclined) at an angle of 15 ° ~ 30 °.

뿐만 아니라, 상기한 형상적인 특징에 의해 해당 부위에 증착되는 투명 도전막(ITO;Indium Tin Oxide)(940)의 끊김 발생이 방지되고 이로 인해 오픈 불량이 방지됨으로써, 게이트 라인에서 생기는 딤(Gate Dim)의 발생이 방지된다. 또한 상기 투명 도전막 외에 TO, ITZO, IZO 등도 가능하다.In addition, due to the above-described features, it is possible to prevent breakage of the ITO (Indium Tin Oxide) 940 deposited on the corresponding portion, thereby preventing an open defect, ) Is prevented. In addition to the transparent conductive film, TO, ITZO, IZO and the like are also possible.

이 때, 미설명 부호 1은 게이트 전극이고, 2는 절연막이며, 3은 활성층이고, 4는 소스 드레인층이며, 5는 게이트 패드이고, 6은 데이터 패드이다. At this time, reference numeral 1 is a gate electrode, 2 is an insulating film, 3 is an active layer, 4 is a source drain layer, 5 is a gate pad, and 6 is a data pad.

한편, 본 발명의 액정표시소자용 제조 장비의 레이아웃 구조와 이를 이용하는 제조 방법은 상술한 실시예로만 한정되지 않고 TN, VA, IPS, FFS 모드 등 투명 도전막을 사용하는 모든 모드에 적용 가능하다. 따라서, 첨부된 청구범위에서 알 수 있는 바와 같이 본 발명이 속한 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 변형이 가능하고 이러한 변형은 본 발명의 범위에 속한다.On the other hand, the layout structure of the manufacturing equipment for the liquid crystal display device and the manufacturing method using the same of the present invention is not limited to the above-described embodiment is applicable to all modes using a transparent conductive film, such as TN, VA, IPS, FFS mode. Thus, as can be seen in the appended claims, modifications are possible by those skilled in the art to which the invention pertains and such modifications are within the scope of the invention.

특히, 본 발명의 기판 건조부 역시 상술한 실시예에 따른 구조가 아니라 다양한 형태로 변형이 가능하며, 이러한 변형 역시 본 발명의 범위에 속한다.In particular, the substrate drying unit of the present invention can also be modified in various forms, not the structure according to the above-described embodiment, such modifications also belong to the scope of the present invention.

이상에서 설명된 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자용 제조 장비의 레이아웃 구조와 제조 방법은 아래와 같은 각종 효과를 가진다.As described above, the layout structure and manufacturing method of the manufacturing equipment for the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention have various effects as follows.

첫째, 액정표시소자용 제조 장비의 레이아웃에 기판을 자연 상태로 건조하는 기판 건조부를 더 구비하되, 상기 기판 건조부를 경화부 이전 공정 위치에 배치되도록 구성함으로써 경화 단계 전에 솔벤트가 대부분 제거될 수 있도록 하여 포토리소그래피 공정시 포토레지스트가 역으로 테이퍼지게 형성되는 문제점을 방지할 수 있는 효과를 가진다.First, the substrate drying unit for drying the substrate in a natural state in the layout of the manufacturing equipment for the liquid crystal display device is further provided, so that the solvent is removed before the curing step by configuring the substrate drying unit to be disposed in the process position before the curing unit In the photolithography process, it is possible to prevent the problem that the photoresist is tapered in reverse.

둘째, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자용 제조 장비의 레이아웃을 이루는 기판 건조부는 다수로 적층되게 구성함으로써 공정 진행을 위한 택 타임의 증가 없이 해당 공정이 진행될 수 있음과 더불어 상기 레이아웃의 풋프린트 증대를 최소화될 수 있다는 효과를 가진다.Second, the substrate drying unit constituting the layout of the manufacturing equipment for the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention is configured to be stacked in plurality so that the process can proceed without increasing the tack time for the process and the footprint of the layout. The effect is that the increase can be minimized.

셋째, 기판의 포토레지스트에 함유된 솔벤트가 경화 단계 이전에 대부분 제 거되기 때문에 상기 경화 단계가 저진공 상태로 단시간 동안만 수행하여도 됨에 따라 상기 경화 단계를 위한 택 타임이 단축될 수 있게 되고, 이로 인해 전체 레이아웃의 택 타임이 단축될 수 있다는 효과를 가진다.Third, since most of the solvent contained in the photoresist of the substrate is removed before the curing step, the curing step may be performed in a low vacuum state for only a short time, thereby reducing the tack time for the curing step. This has the effect that the tack time of the entire layout can be shortened.

넷째, 각 패드부의 투명 도전막이 증착되는 부위에서 상기 포토레지스트는 역테이퍼지게 형성된 문제점이 해소됨으로써 투명 도전막(ITO;Indium Tin Oxide)의 끊김이 방지됨과 더불어 이로 인한 오픈 불량이 방지되어, 게이트 라인에서 생기는 딤(Gate Dim)의 원인을 해소할 수 있다는 효과를 가진다.Fourth, the problem that the photoresist is reversely tapered at the site where the transparent conductive film is deposited on each pad part is eliminated, thereby preventing breakage of the transparent conductive film (ITO; Indium Tin Oxide) and thus preventing open defects. It has the effect of eliminating the cause of the gate dim (Gate Dim) occurs in.

Claims (18)

포토레지스트를 기판 상에 형성하는 포토레지스트 형성부;A photoresist forming unit forming a photoresist on the substrate; 상기 포토레지스트 형성부로부터 포토레지스트가 형성된 기판을 제공받아 상기 포토레지스트를 진공 상태에서 경화시키는 경화부;A curing unit configured to receive a substrate on which the photoresist is formed from the photoresist forming unit and to cure the photoresist in a vacuum state; 상기 경화부의 후공정 위치에 구비되며, 상기 포토레지스트가 경화된 기판을 제공받아 원하는 패턴으로 노광하는 노광부;An exposure unit provided at a post-processing position of the curing unit and receiving a substrate on which the photoresist is cured and exposing the substrate to a desired pattern; 상기 포토레지스트 형성부와 상기 경화부 사이의 공정 위치에 구비되며, 상기 기판을 건조시키도록 구성된 기판 건조부; 그리고,A substrate drying unit provided at a process position between the photoresist forming unit and the curing unit and configured to dry the substrate; And, 상기 포토레지스트 형성부, 경화부, 노광부 및 기판 건조부 등의 각 구성 요소들로 기판을 반입 및/혹은, 반출하는 하나 이상의 로더부:를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 액정표시소자용 제조 장비.And at least one loader unit for importing and / or transporting the substrate into components such as the photoresist forming unit, the hardening unit, the exposure unit, and the substrate drying unit. . 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판 건조부는The substrate drying unit 기판의 유입 및 유출이 가능하게 형성된 챔버와,A chamber configured to allow inflow and outflow of the substrate, 상기 챔버의 내측 저면에 구비되어 기판이 안착되는 안착부를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 액정표시소자용 제조 장비.It is provided on the inner bottom surface of the chamber manufacturing apparatus for a liquid crystal display device, characterized in that it comprises a seating portion for mounting the substrate. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 기판 건조부에는The substrate drying unit 일단이 상기 챔버의 둘레면 중 적어도 어느 한 면에 연결되고, 타단은 상기 챔버 내부에 비해 저압 상태의 공간과 연결되어 상기 챔버 내부의 공기가 배기되는 배기호스가 더 구비됨을 특징으로 하는 액정표시소자용 제조 장비.One end is connected to at least one of the circumferential surface of the chamber, the other end is connected to the space of the low-pressure state than the inside of the chamber further comprises an exhaust hose for exhausting the air in the chamber further comprises a liquid crystal display device Manufacturing equipment. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 챔버의 상면은 폐쇄되게 형성됨을 특징으로 하는 액정표시소자용 제조 장비.The upper surface of the chamber is formed to be closed liquid crystal display device, characterized in that the equipment. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 안착부는The seating portion 상기 챔버 내의 저면으로부터 상향 돌출되게 구비된 다수의 안착핀을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 액정표시소자용 제조 장비.And a plurality of seating pins protruding upwardly from the bottom surface of the chamber. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 기판 건조부는The substrate drying unit 적어도 하나 이상 구비됨을 특징으로 하는 액정표시소자용 제조 장비.At least one manufacturing equipment for a liquid crystal display device, characterized in that provided. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 각 기판 건조부는 서로 적층되게 구비됨을 특징으로 하는 액정표시소자 용 제조 장비.Wherein each of the substrate drying units is provided to be stacked on each other. 액정표시소자의 제조를 위한 레이아웃 장비에 있어서,In the layout equipment for manufacturing a liquid crystal display device, 기판의 유입 및 유출이 가능하게 형성된 챔버와,A chamber configured to allow inflow and outflow of the substrate, 상기 챔버의 내측 저면에 구비되어 기판이 안착되는 안착부를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 액정표시소자 제조 장비용 기판 건조부.The substrate drying unit for a liquid crystal display device manufacturing equipment, characterized in that it comprises a seating portion is provided on the inner bottom surface of the chamber on which the substrate is seated. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 일단은 상기 챔버의 둘레면 중 적어도 어느 한 면에 연결되고, 타단은 상기 챔버 내부에 비해 저압 상태의 공간과 연결되어 상기 챔버 내부의 공기가 배기되는 배기호스가 더 구비됨을 특징으로 하는 액정표시소자 제조 장비용 기판 건조부.One end is connected to at least one of the circumferential surface of the chamber, the other end is connected to the space of the low-pressure state than the inside of the chamber further comprises an exhaust hose for exhausting the air in the chamber further comprises a liquid crystal display device Substrate drying unit for manufacturing equipment. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 챔버의 상면은 폐쇄되게 형성됨을 특징으로 하는 액정표시소자 제조 장비용 기판 건조부.The substrate drying unit for the liquid crystal display device manufacturing equipment, characterized in that the upper surface of the chamber is formed to be closed. 삭제delete (가) 포토레지스트를 기판 상에 형성하는 단계;(A) forming a photoresist on the substrate; (나) 상기 포토레지스트가 형성된 기판을 제공받아 이를 건조하여 상기 포토레지스트에 함유된 솔벤트를 휘발시키는 단계;(B) receiving a substrate on which the photoresist is formed and drying it to volatilize the solvent contained in the photoresist; (다) 상기 솔벤트 휘발이 완료된 기판을 제공받아 진공 상태에서 경화시키는 단계; 그리고,(C) receiving the substrate on which the solvent volatilization is completed and curing in a vacuum state; And, (라) 상기 포토레지스트가 경화된 기판을 제공받아 원하는 패턴으로 노광하고 현상하는 단계:를 포함하여 진행됨을 특징으로 하는 액정표시소자 제조 방법.(D) receiving the substrate on which the photoresist is cured and exposing and developing the substrate in a desired pattern. 제 12 항에 있어서,13. The method of claim 12, 상기 각 단계는 클린 룸(clean room) 내부에서 진행되고,Each of these steps is carried out inside a clean room, 상기 (나) 단계에서 건조를 위한 설정된 온도는 상기 클린 룸 내부의 온도와 동일한 온도임을 특징으로 하는 액정표시소자 제조 방법.And the temperature set for drying in the step (b) is the same temperature as the temperature inside the clean room. 제 12 항에 있어서,13. The method of claim 12, 상기 (나) 단계에서 건조를 위한 설정된 시간은The set time for drying in the step (b) is 상기 기판의 포토레지스트에 함유된 솔벤트가 대부분 휘발될 정도의 시간임을 특징으로 하는 액정표시소자 제조 방법.Method of manufacturing a liquid crystal display device, characterized in that the time that the solvent contained in the photoresist of the substrate is mostly volatilized. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 설정 시간은 300초 이상 450초 이하임을 특징으로 하는 액정표시소자 제조 방법.The set time is 300 seconds or more, 450 seconds or less characterized in that the manufacturing method. 제 12 항에 있어서,13. The method of claim 12, 상기 (다) 단계는The (c) step is 3~0.2토르(Torr) 사이의 범위대에 따른 진공 상태로 공정이 진행되도록 설정됨을 특징으로 하는 액정표시소자 제조 방법.A process for manufacturing a liquid crystal display device, characterized in that the process is set to proceed in a vacuum state according to the range of 3 to 0.2 Torr. 제 12 항에 있어서,13. The method of claim 12, 상기 현상 후 하드베이크(Hard Bake) 공정을 거치는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.A method of manufacturing a liquid crystal display device comprising the step of performing a hard bake process after the development. 제 17 항에 있어서,The method of claim 17, 상기 하드베이크(Hard Bake) 후 형성된 포토레지스트 경사면의 범위는 0.1° 이상 45° 미만의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.The range of the photoresist inclined surface formed after the hard bake has a range of 0.1 ° or more and less than 45 °.
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