KR101114738B1 - Size adjustabele aperture and sputter apparatus containing the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 가변형 어퍼쳐 및 이를 포함하는 스퍼터 장치에 관한 것으로, 마스크 패턴에 결함(Defect)이 발생한 경우, 결함 영역에 부분적인 성막(Repair)이 가능하도록 하는 가변형 어퍼쳐(Aperture)를 스퍼터 장치에 포함시킴으로써, 바이너리 마스크(Binary Mask) 뿐만 아니라 하프톤 마스크(Half-Tone Mask)에서도 국부적 영역에 스퍼터(Sputter)가 가능해 지도록 하는 기술에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a variable aperture and a sputtering apparatus including the same, wherein when a defect occurs in a mask pattern, a variable aperture is formed in the sputtering apparatus to allow partial repair to a defective area. The present invention relates to a technology that enables sputtering in a local region in a half-tone mask as well as a binary mask.
일반적으로 포토리소그래피(photolithography) 공정에 의해 패터닝을 할 때 사용되는 일반적인 포토 마스크는 기판과 상기 기판상에 형성되며 광을 완전히 투과시키는 광투과부와 광을 완전히 차단시키는 광차단부를 가진다.In general, a general photo mask used when patterning by a photolithography process has a substrate, a light transmitting portion that completely transmits light and a light blocking portion that completely blocks the light.
상기와 같은 종래의 일반적인 포토 마스크는 한 층의 패턴을 구현할 수밖에 없으므로 노광 및 현상을 수행하고 에칭으로 패턴을 형성하는 하나의 사이클 포토리소그래피 공정에만 사용할 수 있다.Since the conventional general photo mask is inevitably embodying a single layer pattern, it can be used only in one cycle photolithography process that performs exposure and development and forms a pattern by etching.
여기서 일반적인 포토 마스크는 단지 한 층의 패턴을 구현할 수밖에 없는 구조로 되어 있어 비경제적이므로 기판상에 형성되어 조사되는 광을 완전히 투과시키는 광투과부와, 조사되는 광을 완전히 차단시키는 광차단부 및 조사되는 광의 일부만 투과시키는 반투과부를 가지는 하프 톤 마스크(half tone mask) 등이 개발되고 있는 시점이다.Here, the general photo mask has a structure in which only one layer of pattern is realized, and thus it is uneconomical, so that a light transmitting part that completely transmits the light irradiated and formed on the substrate, a light blocking part that completely blocks the irradiated light, and is irradiated At this point in time, a half tone mask having a transflective portion that transmits only a part of light is developed.
종래에서 포토 마스크의 리페어는 크게 접착력 향상을 위한 첨가 재료를 사용하는 기술이 있다.In the prior art, the repair of the photo mask has a technique of using an additive material for greatly improving the adhesion.
그리고, 흑점 불량이라 일컬어지는 마스크 패턴을 벗어나 과대 증착된 영역의 패턴을 다듬거나 연결부를 제거하는 트리밍(Trimming) 기술이 있으며, 반대로 백점 불량이라 일컬어지는 미증착 또는 증착 불량 등의 원인에 의해 발생된 끊어진 영역의 결함(Defect)을 연결(Wiring)하는 기술로 이루어진다.In addition, there is a trimming technology that trims the pattern of the over-deposited area or removes the connection part beyond the mask pattern called a black spot defect, and on the contrary, is caused by a non-deposition or a deposition defect called a white spot defect. It consists of a technique of connecting the defects of the broken areas.
여기서, 각 픽셀들은 0 내지 255 범위의 스케일의 그레이 레벨 값을 취할 수 있다. 그러므로, 마스크를 생성하기 위하여, 촬영된 사진의 그레이 레벨 값은 2개의 영역, 즉 결함이 있는 비마스킹 영역과 결함이 없는 마스킹 영역으로 나뉜다.Here, each pixel may take a gray level value on a scale ranging from 0 to 255. Therefore, in order to generate a mask, the gray level value of the photographed picture is divided into two areas, that is, a defective non-masking area and a defect-free masking area.
여기서, 종래의 오픈 부분을 결선 연결하는 방법은 증착 공정을 진행하면서 하프 톤을 만드는데 그레이 레벨(Gray-Level)을 맞춰야 하고, 레이저 종류, 파워(Power), 스캔 속도 및 온도 등의 증착 속도에 영향을 주는 요소들을 까다롭게 제어하야야 하는 문제가 있다.Here, in the conventional method of connecting the open parts, the gray level should be matched to make halftones during the deposition process, and the deposition rate such as laser type, power, scan speed, and temperature is affected. There is a problem that needs to be tightly controlled.
특히, 레이저 증착시 사용하는 레이저와 원료 가스(Cr, Mo)의 증착 속도가 매우 빨라서 결함 연결을 위한 제어가 어려우므로 증착 조건을 맞추기가 쉽지 않다.In particular, the deposition rate of the laser and the source gas (Cr, Mo) used in the laser deposition is very fast, difficult to control the defect connection is difficult to meet the deposition conditions.
이로 인해 과대 증착(Over Deposition)이 발생되어 이를 제거하는 공정이 추가로 발생하게 되는 문제점이 있었다.As a result, there is a problem that an over deposition occurs and an additional process of removing the deposition occurs.
또한 국부적인 제어가 용이하지 못하므로 하프톤 마스크의 경우 기존과 동일한 투과율을 보일 수 없었다. 즉, 동일한 하프톤 물질을 이용하여 재 성막을 하는 경우에도, 재 성막시 사용되는 광원이 주변 하프톤 패턴에 영향을 주게되어 새로 형성된 부분과 기존에 있던 부분 사이에 투과율 차이가 발생되는 것이다.Also, since local control is not easy, the halftone mask could not show the same transmittance as before. In other words, even when the film is re-formed using the same halftone material, the light source used for the film formation affects the surrounding halftone pattern, thereby causing a difference in transmittance between the newly formed portion and the existing portion.
따라서, 투과율을 맞추기 위해서 다른 조성의 하프톤 물질을 사용하여야 하는 불편함이 있었다.
Therefore, there is an inconvenience of using a halftone material having a different composition to match the transmittance.
본 발명은 스퍼터 방식의 성막 장치에 국부적인 리페어가 가능하도록 하는 가변형 어퍼쳐를 구비시킴으로써, 포토 마스크에 형성되는 최종 포토 마스크 패턴의 프로파일을 향상시키고, 포토 마스크 제조 공정을 단순화시킬 수 있는 가변형 어퍼쳐를 포함하는 스퍼터 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.According to the present invention, a spherical film forming apparatus includes a variable aperture that enables local repair, thereby improving the profile of the final photo mask pattern formed on the photo mask and simplifying the photo mask manufacturing process. It is an object of the present invention to provide a sputtering apparatus comprising a.
아울러, 본 발명은 상술한 국부적 리페어를 위하여, 스퍼터를 위한 가스 또는 레이저 빔이 조사되는 영역을 용이하게 변형시킬 수 있는 가변형 어퍼쳐 및 그 구동 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
In addition, an object of the present invention is to provide a variable aperture and a driving method thereof that can easily modify the region to which the gas or laser beam for the sputter is irradiated for the local repair described above.
본 발명의 일 실시예에 따른 가변형 어퍼쳐는 투명 기판에 형성된 패턴의 결함 리페어용 성막을 위한 스퍼터 가스(Sputter Gas)를 통과시키는 제 1 개구부를 갖는 제 1 칼럼부 및 상기 제 1 칼럼부 상부 또는 하부에 구비되며, 상기 제 1 개구부와 중첩되는 제 2 개구부를 갖되, 상기 스퍼터 가스를 통과시키는 영역의 크기를 조절이 가능한 제 2 칼럼부를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present invention, a variable aperture may include a first column part and a first column part having a first opening through which a sputter gas is formed to form a defect repair film on a transparent substrate. And a second column portion provided below and having a second opening overlapping the first opening, and capable of adjusting the size of the region through which the sputter gas passes.
여기서, 상기 제 1 개구부 또는 제 2 개구부는 삼각형, 사각형, 원형, 마름모 및 그 외 다각형 형태로 구비되는 것을 특징으로 한다.
Here, the first opening or the second opening is characterized in that it is provided in the form of a triangle, square, circle, rhombus and other polygons.
아울러, 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터 장치는 스퍼터 가스(Sputter Gas)를 이용하여 투명 기판 상부에 패턴을 형성하는 챔버 및 상기 챔버 내에 구비되는 상술한 가변형 어퍼쳐를 포함하되, 리페어시 상기 제 1 칼럼부 및 제 2 칼럼부가 중첩되도록 하고, 상기 투명 기판에 패턴을 형성하기 위한 일반 성막시에는 상기 제 1 칼럼부 및 제 2 칼럼부가 상기 투명기판 상부에서 제거되도록 하는 동작을 제어하는 구동부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
In addition, the sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber for forming a pattern on the transparent substrate using a sputter gas and the above-described variable aperture provided in the chamber. A driving unit for controlling the operation of allowing the first column portion and the second column portion to overlap and removing the first column portion and the second column portion from the upper portion of the transparent substrate during general film formation for forming a pattern on the transparent substrate; It is characterized by including.
본 발명의 다른 실시예에 따른 가변형 어퍼쳐는 레이저 빔을 투과시키는 제 1 칼럼부와, 상기 제 1 칼럼부 하부에 상기 제 1 칼럼부와의 중첩 영역 조절이 가능하도록 배치되어, 상기 레이저 빔을 투과시키는 영역의 크기를 조절하는 제 2 칼럼부와, 상기 제 1 칼럼부의 내부 또는 저부에 형성되어 상기 제 1 칼럼부와 제 2 칼럼부의 중첩 영역 이외의 영역을 차단시키는 제 1 광차단부 및 상기 제 2 칼럼부의 내부 또는 저부에 형성되어 상기 제 1 칼럼부와 제 2 칼럼부의 중첩 영역 이외의 영역을 차단시키는 제 2 광차단부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The variable aperture according to another embodiment of the present invention is arranged to allow the first column portion to transmit the laser beam and the overlapping area of the first column portion to be adjusted under the first column portion, thereby providing the laser beam. A second column portion for adjusting the size of the region to be transmitted; a first light blocking portion formed inside or at the bottom of the first column portion to block an area other than an overlapping region of the first column portion and the second column portion; And a second light blocking part formed inside or at the bottom of the second column part to block an area other than an overlapping area of the first column part and the second column part.
여기서, 상기 제 1 칼럼부 또는 제 2 칼럼부의 단면은 삼각형, 사각형, 원형, 마름모 및 그 외 다각형 형태로 구비되는 것을 특징으로 하고, 상기 제 1 칼럼부 및 제 2 칼럼부가 중첩되는 범위에서 서로 교차 배치되도록 하는 동작을 제어하는 구동부를 포함하는 것을 특징으로 한다.Here, the cross section of the first column portion or the second column portion is characterized in that provided in the form of a triangle, a square, a circle, a rhombus and other polygons, the first column portion and the second column portion cross each other in the overlapping range It characterized in that it comprises a drive for controlling the operation to be arranged.
이때, 상기 구동부는 상기 제 1 칼럼부 및 제 2 칼럼부의 각각 외부에 구비되거나, 상기 제 1 칼럼부 및 제 2 칼럼부의 내부에 각각 구비되는 것을 특징으로 한다.
In this case, the driving unit is provided on the outside of the first column portion and the second column portion, respectively, or is provided on the inside of the first column portion and the second column portion, respectively.
아울러, 본 발명의 다른 실시예에 따른 가변형 어퍼쳐를 포함하는 스퍼터 리페어 툴은 투명 기판에 형성된 패턴의 결함을 리페어할 수 있도록 레이저 빔을 공급하는 레이저 빔 발진부와, 상기 레이저 빔 발진부에서 공급되는 레이저 빔을 상기 기판의 리페어 위치에 전달하는 광학계와, 상기 광학계 하부에 위치하며, 상기 레이저 빔을 관통시키기 위하여 연속적으로 구비되는 제 1 칼럼 및 제 2 칼럼의 교차 영역을 조절하여, 상기 레이저 빔의 조사 범위를 국부적으로 조절할 수 있는 가변형 어퍼쳐 및 상기 가변형 어퍼쳐 하부에 배치되어 상기 패턴의 결함을 리페어하는 재성막 패턴을 형성하기 위한 원료 물질을 공급하는 챔버를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, the sputter repair tool including a variable aperture according to another embodiment of the present invention is a laser beam oscillator for supplying a laser beam to repair the defect of the pattern formed on the transparent substrate, and the laser supplied from the laser beam oscillator Irradiation of the laser beam by adjusting the intersection of the optical system for transmitting the beam to the repair position of the substrate, and the first column and the second column which is positioned below the optical system and continuously provided to penetrate the laser beam And a chamber for supplying a raw material for forming a re-formation pattern disposed under the variable aperture and for repairing a defect in the pattern.
여기서, 상기 레이저 빔 발진부는 적외선 레이저(IR) 또는 자외선 레이저(UV)를 사용하는 것을 특징으로 한다.
Here, the laser beam oscillator is characterized in that using an infrared laser (IR) or ultraviolet laser (UV).
또한, 상기 광학계는 상기 레이저 발진수단에서의 레이저 빔을 균질화 및 확대시키는 빔 쉐이퍼와, 상기 빔 쉐이퍼에서 출력되는 레이저 빔의 세기를 조절하는 빔 세기 조절부와, 상기 빔 세기 조절부를 거친 레이저 빔이 상기 기판의 리페어 위치로 조사되게 하는 대물렌즈 및 상기 대물렌즈와 상기 빔 세기 조절부의 사이에 구비되어 상기 대물렌즈의 배율을 바꾸도록 회전되게 하는 리볼버를 포함하는 것을 특징으로 한다.The optical system may further include a beam shaper for homogenizing and enlarging the laser beam from the laser oscillation means, a beam intensity adjusting unit for adjusting the intensity of the laser beam output from the beam shaper, and a laser beam passing through the beam intensity adjusting unit. And a revolver provided between the objective lens to be irradiated to the repair position of the substrate and the objective lens and the beam intensity control unit to rotate to change the magnification of the objective lens.
다음으로, 상기 챔버는 상기 패턴과 동일한 원료 물질을 사용하는 것을 특징으로 한다.Next, the chamber is characterized by using the same raw material as the pattern.
그 다음으로, 상기 리페어 툴은 상기 투명 기판 리페어시 촬상된 불량 패턴 이미지와 양품 패턴 이미지를 비교, 판독하는 카메라부 및 상기 카메라부의 판독 결과를 분석하여 상기 가변형 어퍼쳐를 제어하는 제어부 포함하는 것을 특징으로 한다.
Next, the repair tool includes a camera unit for comparing and reading a defective pattern image and a good pattern image photographed at the time of repairing the transparent substrate, and a controller for controlling the variable aperture by analyzing a reading result of the camera unit. It is done.
본 발명에 따른 가변형 어퍼쳐 및 이를 포함하는 스퍼터 장치 이용하면, 리페어시 컬럼부의 위치를 조절하는 간단한 작업만 수행하면, 일반 성막 조건과 동일한 스퍼터 조건으로 용이하게 수행할 수 있다.When using the variable aperture and the sputtering apparatus including the same according to the present invention, it can be easily performed under the same sputtering conditions as general film forming conditions only by performing a simple operation of adjusting the position of the column portion during repair.
따라서, 바이너리 마스크(Binary Mask) 뿐만 아니라 하프톤 마스크(Half-Tone Mask)에서도 레이저를 이용한 리페어 공정에서도 포토 마스크 패턴의 결함 부분을 용이하게 제거할 수 있으며, 제거된 부분에 재성막 패턴을 용이하게 형성할 수 있도록 하는 효과를 제공한다.Therefore, in the repair process using a laser as well as a binary mask as well as a binary mask, the defective portion of the photo mask pattern can be easily removed, and the re-film pattern can be easily removed on the removed portion. It provides the effect of being able to form.
따라서, 포토 마스크에 형성되는 최종 패턴의 프로파일을 향상시키고, 포토 마스크 제조 공정을 단순화시킬 수 있으므로, 포토 마스크 제조 공정 효율을 향상시킬 수 있다.Therefore, since the profile of the final pattern formed in a photomask can be improved and a photomask manufacturing process can be simplified, the efficiency of a photomask manufacturing process can be improved.
아울러, 본 발명은 하프톤 마스크 패턴을 리페어할 경우 동일한 하프톤 물질을 사용함으로써, 투과율을 맞추기 위한 추가 작업을 생략할 수 있고, 제조 수율을 더 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
In addition, the present invention by using the same halftone material when repairing the halftone mask pattern, it is possible to omit the additional work for adjusting the transmittance, and provides an effect that can further improve the manufacturing yield.
도 1은 본 발명에 따른 스퍼터 장치를 이용하여 크롬 패턴을 성막한 상태를 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 스퍼터 장치를 이용하여 하프톤 패턴을 성막한 상태를 나타낸 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 가변형 어퍼쳐를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 가변형 어퍼쳐를 나타낸 사시도이다.
도 5은 본 발명의 다른 실시예에 따른 가변형 어퍼쳐를 나타낸 평면도이다.
도 6는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가변형 어퍼쳐를 나타낸 사시도이다.
도 7는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가변형 어퍼쳐를 나타낸 사시도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가변형 어퍼쳐 및 이를 포함하는 스퍼터 리페어 툴을 나타낸 사시도이다.1 is a perspective view showing a state in which a chrome pattern is formed by using a sputtering apparatus according to the present invention.
2 is a perspective view showing a state in which a halftone pattern is formed by using a sputtering apparatus according to the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating a variable aperture according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 is a perspective view illustrating a variable aperture according to an exemplary embodiment of the present invention.
5 is a plan view illustrating a variable aperture according to another exemplary embodiment of the present invention.
6 is a perspective view illustrating a variable aperture according to another exemplary embodiment of the present invention.
7 is a perspective view of a variable aperture according to still another exemplary embodiment of the present invention.
8 is a perspective view showing a variable aperture and a sputter repair tool including the same according to another embodiment of the present invention.
이하에서는, 본 발명의 상술한 목적에 근거하여 가변형 어퍼쳐 및 이를 포함하는 스퍼터 장치에 대하여 상세히 설명하는 것으로 한다.Hereinafter, the variable aperture and the sputtering apparatus including the same will be described in detail based on the above object of the present invention.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 상세하게 후술되어 있는 실시예들 및 도면을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments and drawings described below in detail. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, only the embodiments are to make the disclosure of the present invention complete, it is common in the art It is provided to fully inform those skilled in the art of the scope of the invention, which is to be defined only by the scope of the claims.
투명 기판을 이용한 포토 마스크 패턴을 형성하는 과정은 스퍼터 가스를 이용한 챔버를 이용하고 있으며, 패턴 형성 후 리페어하는 과정은, 재성막 패턴 형성을 위한 원료물질에 레이저를 조사하여 결함부위에 재성막 패턴을 증착함으로써, 리페어 하는 방식을 사용한다.The process of forming the photomask pattern using the transparent substrate is performed using a chamber using a sputter gas, and the process of repairing the pattern after the formation of the pattern is performed by irradiating a laser to the raw material for forming the film formation pattern and applying the repositioning pattern to the defective part. By vapor deposition, a repairing method is used.
특히, 하프톤 마스크(Half-Tone Mask)의 하프톤 패턴에 발생한 결함부위를 리페어함에 있어서는 기본적으로 불량이 발생한 위치를 파악하여 결함부위를 특정하고, 1) 하프톤 패턴의 결함부위를 제거하는 단계와 2) 상기 제거된 결함부위 영역에 재성막 패턴을 레이저 증착하는 단계로서 수행된다.In particular, when repairing a defect portion generated in a halftone pattern of a half-tone mask, the defect portion is identified by identifying a position where a defect occurs, and 1) removing the defect portion of the halftone pattern. And 2) laser depositing a recoat pattern on the removed defect region.
여기서, 하프톤 마스크의 경우 결함부위를 제거하는 과정은 기존에 형성된 하프톤 패턴과 새로 리페어되는 재성막 패턴 사이의 투과율 차이를 최소화 하고, 재성막 패턴 형성 공정을 조금이라도 용이하게 수행하기 위해서 수행하던 과정이었다.Here, in the case of the halftone mask, the process of removing defects has been performed to minimize the difference in transmittance between the halftone pattern and the newly repaired refilm pattern, and to easily perform the process of forming the recoat pattern. It was a process.
아울러, 기존의 하프톤 패턴 조성 물질로 재성막 패턴을 형성하는 경우 투과율 차이가 발생되었는데, 이 차이를 최소화 하기 위하여, 기존의 하프톤 패턴 조성 물질과 다른 새로운 조성으로 재성막 패턴을 형성하여야 했다.In addition, when the re-coat pattern is formed of the existing halftone pattern composition material, a transmittance difference occurs. In order to minimize the difference, it was necessary to form the re-coat pattern with a new composition different from the existing halftone pattern composition material.
그러나, 이러한 하프톤 마스크의 리페이 과정은 크롬 패턴을 사용하는 바이너리 마스크(Binary Mask)의 경우보다 더 복잡한 리페어 과정을 필요로 하는 것이므로 공정 시간이나 비용 등 효율적인 측면에서 더 불리한 측면이 있었다.However, since the halftone mask repayment process requires a more complicated repair process than a binary mask using a chrome pattern, there are disadvantages in terms of efficiency such as process time and cost.
상기와 같은 불리한 과정이 수행되는 이유 중 하나는 재성막 패턴 형성을 위한 레이저 빔 조사 과정에서 결함 부위 이외의 영역에도 레이저 빔이 조사되어 하프톤 패턴의 투과율 차이가 발생하게 되는 것이다.One of the reasons why the above disadvantageous process is performed is that the laser beam is irradiated to a region other than the defective portion in the laser beam irradiation process for forming the re-film pattern, thereby causing a difference in transmittance of the halftone pattern.
따라서, 본 발명에서는 결함 부위에만 국부적으로 레이저 빔이 조사되고, 결함 부위에만 재성막 패턴이 형성될 수 있도록 하는 가변형의 어퍼쳐(Aperture)를 스퍼터 리페어 툴에 구비시킴으로써, 하프톤 마스크의 리페어 과정을 간소화 시킬 수 있었다.
Therefore, in the present invention, the sputter repair tool is provided with a variable aperture allowing the laser beam to be locally irradiated only on the defective part and the re-film pattern to be formed only on the defective part, thereby repairing the halftone mask. I could simplify it.
도 1은 본 발명에 따른 스퍼터 장치를 이용하여 크롬 패턴을 성막한 상태를 나타낸 사시도이다.1 is a perspective view showing a state in which a chrome pattern is formed by using a sputtering apparatus according to the present invention.
도 1을 참조하면, 투명기판(10) 상부에 크롬패턴(20)을 형성한 후 결함이 발생한 영역에, 재성막 패턴(30)을 형성한 것을 볼 수 있다. 이때, 크롬패턴(20)의 경우 광을 완전히 차단시키는 역할을 하므로, 광투과율과는 상관이 없으므로 재성막 패턴(30) 물질을 다양하게 사용할 수 있다.Referring to FIG. 1, after the
그 구체적 예로서는 Cr, Cu, Ag, Au, Al, Co, Fe, Mo, Ni, Pb, Ti, W, Zn, Si, O, N 및 C 중에서 선택되는 어느 하나 또는 2 가지 이상의 원소를 포함하는 물질을 사용하여 재성막을 형성하는 것이 바람직하다.Specific examples thereof include any one or two or more elements selected from Cr, Cu, Ag, Au, Al, Co, Fe, Mo, Ni, Pb, Ti, W, Zn, Si, O, N and C. It is preferable to form a refilm by using.
그러나 이때, 국부적인 성막이 이루어지지 않는 경우 흑점 불량이 발생할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 가변형 어퍼쳐를 이용함으로써, 불량 발생 없이 재성막 패턴(30)을 용이하게 형성할 수 있다.
However, in this case, when the local film formation is not made, black spot defects may occur. Therefore, by using the variable aperture according to the present invention, it is possible to easily form the
도 2는 본 발명에 따른 스퍼터 장치를 이용하여 하프톤 패턴을 성막한 상태를 나타낸 사시도이다.2 is a perspective view showing a state in which a halftone pattern is formed by using a sputtering apparatus according to the present invention.
도 2를 참조하면, 투명기판(100) 상부에 크롬 패턴(110)이 형성되고, 그 상부에 하프톤 패턴(120)이 형성된 것을 볼 수 있다.Referring to FIG. 2, the
이때, 크롬 패턴(110) 및 하프톤 패턴(120)의 적층구조는 포토 마스크 패턴에 대한 실시예 중 지극히 일 실시예만을 나타낸 것으로, 이 적층구조에 의해서 본 발명이 제한되는 것은 아니다.In this case, the stacked structure of the
여기서, 하프톤 패턴(120)에 결함 부위가 존재하고, 결함 부위에 재성막 패턴(130)을 형성하게 되는데, 본 발명에 따른 스퍼터 리페어 툴을 이용하면, 도시된 바와 같이 결함 부위를 제거하지 않고 재성막 패턴(130)을 형성할 수 있다.Here, the defect portion is present in the
또한, 기존의 하프톤 패턴(120)과 동일한 조성을 이용함으로써, 새로운 조성 물질을 찾는데 소요되는 시간과 비용을 절약할 수 있다.In addition, by using the same composition as the existing
이때 사용될 수 있는 하프톤 패턴(120)의 조성물로서는 MoxOy, Mo+Si, Mo+SixNy, Mo+SiO2, WxOy, W+Si, W+SixNy, W+SiO2, Cr, Cr+W+SiO2, Cr+W+SixNy, CrxOy, Cr+Si, Cr+SixNy, Cr+SiO2, Cr+Mo+SixNy, Cr+Mo+SiO2, Cr+Mo+W+SixNy 및 Cr+Mo+W+SiO2 중에서 선택되는 어느 하나 이상이 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In this case, the composition of the
다음으로, 상기와 같은 리페어 과정이 가능하게 하는 본 발명의 가변형 어퍼쳐에 대하여 보다 상세히 설명하는 것으로 한다.
Next, the variable aperture of the present invention that enables the repair process as described above will be described in more detail.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 가변형 어퍼쳐를 나타낸 단면도이다. 그리고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 가변형 어퍼쳐를 나타낸 사시도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a variable aperture according to an exemplary embodiment of the present invention. 4 is a perspective view illustrating a variable aperture according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 3 및 도 4를 참조하면, 투명 기판(100)에 형성된 패턴에 상기 도 1 또는 도 2에서와 같이 결함이 발생하였다고 가정하였을 때, 결함부분을 리페어하는 과정을 개략적으로 나타낸 단면도이다.3 and 4, assuming that a defect occurs in the pattern formed on the
여기서, 성막을 위한 스퍼터 가스(Sputter Gas)가 투명 기판(100) 상부에 국부적으로 조사되어야 하므로, 이를 제어하는 제 1 칼럼부(150) 및 제 2 칼럼부(160)가 구비된다.Here, since the sputter gas for film formation should be locally irradiated on the
이때, 제 1 칼럼부(150)는 플레이트 형태로 구비되며, 투명 기판(100) 전면을 커버할 수 있는 크기 또는 하기 제 2 칼럼부(160)와 결합한 평면적이 투명 기판(100) 전체를 커버할 수 있는 크기가 되어야 한다. 이는 리페어시 스퍼터 가스가 국부적으로 조사되도록 하기 위함이다.In this case, the
그리고, 제 1 칼럼부(150)는 이러한 국부적 조사를 위하여 스퍼터 가스를 부분적으로 통과시키는 제 1 개구부(155)를 갖는다.And, the
다음으로, 제 1 칼럼부(150)의 상부 또는 하부에 구비되며, 상기 제 1 개구부(155)와 중첩되는 제 2 개구부(165)를 갖되, 스퍼터 가스를 통과시키는 영역의 크기를 조절이 가능한 제 2 칼럼부(160)가 구비된다.Next, a
이때, 제 2 칼럼부(160)의 크기 관계는 제 1 칼럼부(150)와 동일한 특성을 가지며, 상기 제 1 개구부(155) 및 제 2 개구부(165)의 중첩 영역 조절에 의해서 미세한 영역의 리페어 성막이 가능하도록 할 수 있다.In this case, the size relationship of the
이러한 리페어 성막을 위하여, 제 1 개구부(155) 또는 제 2 개구부(165)의 형태가 특별한 제한을 갖는 것은 아니나, 필요에 따라서 삼각형, 사각형, 원형, 마름모 및 그 외 다각형 형태 등을 갖도록 하는 것이 바람직하다.
For the repair film formation, the shape of the
아울러, 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터 장치는 스퍼터 가스(Sputter Gas)를 이용하여 투명 기판 상부에 패턴을 형성하는 챔버 및 상기 챔버 내에 구비되는 가변형 어퍼쳐를 포함한다.In addition, the sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber for forming a pattern on the transparent substrate using a sputter gas and a variable aperture provided in the chamber.
즉, 리페어시에는 상기 제 1 칼럼부 및 제 2 칼럼부가 중첩되도록 하고, 상기 투명 기판에 패턴을 형성하기 위한 일반 성막시에는 상기 제 1 칼럼부 및 제 2 칼럼부가 상기 투명기판 상부에서 제거되도록 하여야 하는데, 이러한 동작을 제어하는 별도의 구동부가 구비되도록 하는 것이 바람직하다.That is, during repair, the first column part and the second column part overlap, and during the general film formation for forming a pattern on the transparent substrate, the first column part and the second column part should be removed from the upper portion of the transparent substrate. However, it is preferable to provide a separate drive unit for controlling such an operation.
또한, 상기와 같은 리페어 성막은 일반 스퍼터 장치뿐만 아니라 레이저 스퍼터를 이용한 방식에도 응용될 수 있다.In addition, the repair film formation as described above may be applied to a method using a laser sputter as well as a general sputtering device.
따라서, 이하에서는 레이저를 이용한 스퍼터 리페어 툴에 대해 상세히 설명하는 것으로 하며, 본 발명에 따른 칼럼부를 제어하는 구동부에 대해서도 상세히 설명하는 것으로 한다.
Therefore, hereinafter, a sputter repair tool using a laser will be described in detail, and a driving part for controlling the column part according to the present invention will be described in detail.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가변형 어퍼쳐를 나타낸 평면도이다.5 is a plan view illustrating a variable aperture according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 5를 참조하면, 먼저 단면 형태가 사각형으로 형성되며, 내부로 리페어 레이저 빔을 통과 시킬 수 있도록 속이 비어 있는 기둥 형태로 제 1 칼럼부(200)가 구비되고, 제 1 칼럼부(200)와 동일한 형태로 구비되며, 제 1 칼럼부(200)와 일부 영역이 중첩되도록 제 2 칼럼부(220)가 구비된다.Referring to FIG. 5, first, the cross-sectional shape is formed in a square shape, and the
이때, 제 1 칼럼부(200)와 제 2 칼럼부(220)는 항상 동일한 형태로 구비되어야 할 필요는 없으며, 그 단면형태는 삼각형, 사각형, 마름모, 원형, 그 외 다각형 및 폐곡선 등의 형태로 이루어 질 수 있다.In this case, the
다음으로, 제 1 칼럼부(200)와 제 2 칼럼부(220)가 중첩되어 형성되는 투광 영역(240)을 제외한 부분들은 레이저 빔 투과가 차단되어야 하므로, 제 1 칼럼부(200)에는 제 1 광차단부(210)를 구비시키고, 제 2 칼럼부(220)에는 제 2 광차단부(230)를 구비시키는 것이 바람직하다.Next, since portions of the
여기서, 제 1 광차단부(210)와 제 2 광차단부(230)의 형성 위치나 형태는 특별한 제한이 없으며, 상술한 바 대로 투광영역(240) 이외의 부분에서 불필요하게 레이저 빔이 투과되지 않는 정도로만 형성되면 무방하다.Here, the formation position or shape of the first
또한, 상기 도 3 또는 도 4에서와 같이 제 1 칼럼부(200) 및 제 2 칼럼부(220)가 플레이트 형태로 구비될 경우 별도의 광차단부가 구비되지 않아도 된다. In addition, when the
그 다음으로, 제 1 칼럼부(200)와 제 2 칼럼부(220)의 중첩에 의한 투광영역(240)의 크기를 조절하기 위하여 X, Y 축에 각각의 칼럼부를 고정시킨 후 구동을 제어할 수 있다.Next, in order to adjust the size of the
도 5에 도시된 일 실시예에 따르면, 제 1 칼럼부(200)를 X축에 고정시킨 후 좌우 방향으로 구동시키고, 제 2 칼럼부(220)를 Y축에 고정시킨 후 상하방향으로 구동시키면서, 중첩부인 투광 영역(240)의 크기를 조절할 수 있다.
According to the exemplary embodiment shown in FIG. 5, the
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 가변형 어퍼쳐를 나타낸 사시도이다.6 is a perspective view illustrating a variable aperture according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, 제 1 칼럼부(300) 및 제 2 칼럼부(320)가 구비되고, 각 칼럼부에 구비되는 제 1 및 제 2 광차단부로서, 제 1 칼럼부(300)에는 제 1 이너스페이서(310, 315)가 구비되고, 제 2 칼럼부(320)에는 제 2 이너스페이서(330, 335)가 구비되는 것을 볼 수 있다.Referring to FIG. 6, a
여기서, 이너스페이서는 2피스(piece) 형태로 도시되었으나, 실제 그 개수에는 제한이 없다. 따라서, 외부에서 추가된 피스가 아니고, 칼럼부의 내부 측벽이 부불어 오르는 형태가 되어도 무방하며, 각 칼럼부의 내부 공간 전체가 채워진 형태가 아니고, 일부분만 차단된 형태가 되어도 광차단부로서 작용하기만 하면 전혀 문제가 되지 않는다.Here, the inner spacer is shown in the form of two pieces, but the number is not limited in practice. Therefore, it is not a piece added from the outside, the inner side wall of the column portion may be swollen, and the entire inner space of each column portion is not filled, but only acts as a light blocking portion even if only a part is blocked. It doesn't matter at all.
따라서, 본 발명에 따른 가변형 어퍼쳐는 제 1 및 제 2 광차단부의 형태에 의해서 제한되는 것은 아니다.
Therefore, the variable aperture according to the present invention is not limited by the form of the first and second light blocking portions.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가변형 어퍼쳐를 나타낸 사시도이다.7 is a perspective view illustrating a variable aperture according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 7을 참조하면, 제 1 칼럼부(300) 및 제 2 칼럼부(320)의 구동에 대한 일 실시예로서, 제 1 구동부(400) 및 제 2 구동부(420)와 각각 연결되는 제 1 구동 제어암(410)과 제 2 구동 제어암(430)에 대한 실시예를 볼 수 있다.Referring to FIG. 7, as an embodiment of driving the
상기 도 5를 통하여 X, Y 축을 기준으로 본 실시예에서는 축간 이동 보다 더 자유도가 높은 형태의 구동예를 나타낸 것이다.Referring to FIG. 5, the driving example has a higher degree of freedom than the movement between axes based on the X and Y axes.
본 실시예에서는, 제 1 칼럼부(300)와 제 2 칼럼부(320)의 중첩 영역 제어 이외에 리페어 위치 이동 또한 용이하게 제어할 수 있는 장점이 있다.In the present embodiment, in addition to the overlap area control of the
아울러, 본 발명에 따른 제 1 칼럼부 및 제 2 칼럼부의 구동 예로서는 상기 두 가지 실시예에 제한되는 것은 아니며, 더 다양한 실시예가 적용될 수 있다.In addition, driving examples of the first column portion and the second column portion according to the present invention are not limited to the above two embodiments, and more various embodiments may be applied.
도시되지는 않았으나, 제 1 칼럼부 및 제 2 칼럼부가 서로 접촉되는 부분에 롤러 장치 및 기어 제어부등을 구비시킴으로써, 외부 구동 장치가 아닌 내부 구동 장치만으로 중첩 영역이 조절 될 수 있다.Although not shown, by providing a roller device and a gear control part in a portion where the first column part and the second column part contact each other, the overlapping area may be adjusted only by the internal driving device, not the external driving device.
또한, 제 1 칼럼부 및 제 2 칼럼부가 서로 접촉되는 부분에 자력 장치를 구비시킴으로써, 구동이 가능하게 할 수도 있다.In addition, by providing a magnetic force device in a portion where the first column portion and the second column portion are in contact with each other, the drive may be enabled.
따라서, 본 발명에 따른 가변형 어퍼쳐는 상기와 같은 구동 방식에 의해서 제한되는 것은 아니다.Therefore, the variable aperture according to the present invention is not limited by the above driving method.
아울러, 상기와 같은 구동 방식은 상기 도 3 및 도 4에 따른 가변형 어퍼쳐 및 스퍼터 장치에도 용이하게 적용될 수 있다.
In addition, the driving method as described above may be easily applied to the variable aperture and the sputter device according to FIGS. 3 and 4.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가변형 어퍼쳐 및 이를 포함하는 스퍼터 리페어 툴을 나타낸 사시도이다.8 is a perspective view showing a variable aperture and a sputter repair tool including the same according to another embodiment of the present invention.
도 8을 참조하면, 투명기판(530) 상부에서 스퍼터 리페어 툴을 운용하면서 국부적인 리페어 공정을 수행하는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 8, it can be seen that a local repair process is performed while operating a sputter repair tool on the
이때, 본 발명에 따른 스퍼터 리페어 툴은 재성막을 위한 조성물 및 원료 가스 공급을 위한 챔버(550)를 포함한다.In this case, the sputter repair tool according to the present invention includes a composition for re-forming and a
다음으로, 본 발명에 따른 제 1 칼럼부(500) 및 제 2 칼럼부(520)를 포함하는 가변형 어퍼쳐는 챔버(550) 상부에 배치되도록 함으로써, 국부적인 리페어 공정이 더 용이하게 이루어 질 수 있도록 한다.Next, the variable aperture including the
그 다음으로, 가변형 어퍼쳐 상부에는 광학계 및 레이저 빔 발진부를 더 포함하며, 그 구체적 구조를 살펴 보면 다음과 같다.Next, the upper part of the variable aperture further includes an optical system and a laser beam oscillator, and the specific structure thereof is as follows.
여기서, 먼저 레이저 빔 발진부는 트리밍(Trimming) 공정을 수행하여 마스크 패턴의 과대 증착 영역을 수리하도록 레이저 빔을 공급하거나, 패턴이 끊어진 영역의 패턴 불량을 수리하되, 상기 투명 기판의 결함을 리페어할 수 있도록 증착 두께를 조절하면서 레이저 빔을 공급한다.Here, the laser beam oscillator may perform a trimming process to supply a laser beam to repair an overdeposited region of the mask pattern, or to repair a defective pattern of an area where the pattern is broken, but to repair a defect of the transparent substrate. Feed the laser beam while adjusting the deposition thickness.
여기서, 상기 레이저 빔은 근자외선(NUV) 이하의 레이저를 사용하여 흑점 불량시 트리밍(Trimming) 공정을 수행하거나, 백점 불량시 CVD(chemical vapor deposition) 공정을 수행할 수 있으며, 적외선(IR) 레이저와 근자외선(NUV) 레이저를 이용하되 펄스파 근자외선(NUV) 레이저 이하 또는 적외선(IR) 레이저는 흑점 불량시 리페어에 적용하고, 연속파 근자외선(NUV) 레이저 이하의 레이저는 백점 불량시 리페어에 적용한다.Here, the laser beam may perform a trimming process when the black spot is defective using a laser of near ultraviolet (NUV) or less, or perform a chemical vapor deposition (CVD) process when the white spot is defective, and an infrared (IR) laser. And using near-ultraviolet (NUV) laser, but below pulse wave near-ultraviolet (NUV) laser or infrared (IR) laser is applied to repair in case of sunspot failure, and below continuous wave near-ultraviolet (NUV) laser to repair in white spot failure Apply.
여기서, 흑점 불량에 따른 리페어시 레이저는 36 피코초(pico second) 이하의 펄스 지속 시간(pulse duration)을 가질 때 온도에 의한 손상이 없다.Here, the laser upon repair due to the sunspot defect is not damaged by temperature when it has a pulse duration of 36 picoseconds or less.
다음으로, 레이저 빔 발진부는 레이저 소스를 방출하되 단일 펄스 구동 또는 반복 펄스 구동이 가능하며 다이오드 펌핑 고체 레이저 방식 또는 플래시 램프 펌핑 고체 레이저 방식으로 발진되고 피코초(ps) 내지 펨토초(fs) 펄스 폭, 즉, 36 피코초(36 X 10-12초) 이하의 펄스 폭을 갖는다. 그리고 상기 레이저 빔 발진부는 하나 또는 복수개로 구비되며 파장대는 250 ~ 1064nm 사이를 사용한다.Next, the laser beam oscillator emits a laser source but is capable of single pulse driving or repetitive pulse driving, and is oscillated by a diode pumped solid state laser method or a flash lamp pumped solid state laser method, and a picosecond (ps) to femtosecond (fs) pulse width, That is, it has a pulse width of 36 picoseconds (36 x 10 -12 seconds) or less. In addition, the laser beam oscillation unit is provided with one or a plurality and the wavelength band is used between 250 ~ 1064nm.
더욱이, 상기 레이저 빔 발진부는 Q-스위치 방식으로 레이저 빔을 발진하며, 네오늄 YAG(Nd:YAG), 네오늄YLF(Nd:YLF) 레이저, 사파이어(Ti:Sapphire) 레이저, 화이버 오실레이터(Fiber-Oscillator), 이터븀(Yitterbium) 및 엑시머(Excimer) 레이저 중 적어도 어느 하나를 발진한다.Furthermore, the laser beam oscillator oscillates the laser beam in a Q-switched manner, and includes neodymium YAG (Nd: YAG), neonium YLF (Nd: YLF) laser, sapphire (Ti: Sapphire) laser, and fiber oscillator (Fiber- Oscillator, Ytterbium (Yitterbium) and excimer (Excimer) laser at least one of the oscillation.
다음으로, 광학계는 상기 레이저 빔 발진부에서 공급되는 레이저 빔을 투명 기판의 리페어 위치에 조사하여 초점이 맺히도록 전달하며, 빔 쉐이퍼, 빔 세기 조절부, 카메라부, 오토 포커스부, 리볼버 및 대물렌즈로 세분화하여 구성된다.Next, the optical system transmits the laser beam supplied from the laser beam oscillator to the repair position of the transparent substrate so as to focus, and transmits the beam to the beam shaper, the beam intensity adjusting unit, the camera unit, the auto focus unit, the revolver, and the objective lens. It is composed of subdivisions.
여기서, 레이저 빔 쉐이퍼(Beam shaper)는 상기 레이저 빔 발진부에서 발진되는 레이저를 균질화된 빔으로 변화시키거나 및 공정시 원하는 크기를 갖도록 확대시킨다.Here, a laser beam shaper changes the laser oscillated at the laser beam oscillator into a homogenized beam and enlarges it to have a desired size during the process.
다음으로, 빔 세기 조절부는 상기 빔 쉐이퍼에서 출력되는 레이저 빔의 세기를 조절하며, 에테뉴에이터(attenuator) 및 파워컨트롤러로 구성된다.Next, the beam intensity adjusting unit adjusts the intensity of the laser beam output from the beam shaper, and comprises an attenuator and a power controller.
그 다음으로, 대물렌즈가 구비되는데, 본 발명에서는 특히 빔 세기 조절부 및 대물렌즈 사이에 카메라부를 더 구비시킨다.Next, an objective lens is provided. In the present invention, a camera unit is further provided between the beam intensity adjusting unit and the objective lens.
카메라부는 레이저 빔 세기 조절부와 대물렌즈 사이에서 리페어 위치에 초점을 맞출 수 있도록 상기 투명 기판의 리페어 영상을 취득한다.The camera unit acquires a repair image of the transparent substrate so as to focus the repair position between the laser beam intensity controller and the objective lens.
이때, 카메라부는 상기 투명 기판 리페어시 가공 위치를 실시간으로 출력하고 이 이외에 촬영된 영상을 제어부를 통하여 리페어 전/후의 결함 유무를 비교 판독하고 검사/확인할 수 있도록 구비된다.At this time, the camera unit outputs the machining position at the time of repairing the transparent substrate in real time, and in addition, the photographed image is provided to compare and inspect / check / check the presence or absence of defects before and after the repair through the control unit.
그 다음으로, 오토 포커스부(Auto Focus Unit)는 카메라부와 대물렌즈 사이에 구비되어 리페어 위치에서 대물렌즈의 초점을 자동으로 맞추거나 대물렌즈를 투명 기판 방향 또는 투명 기판 반대 방향으로 이동시킨다.Next, an auto focus unit is provided between the camera unit and the objective lens to automatically focus the objective lens at the repair position or to move the objective lens in the direction of the transparent substrate or in the direction opposite to the transparent substrate.
그 다음으로, 리볼버(Revolver)는 대물렌즈 상부에 구비되어, 대물렌즈의 배율을 바꾸도록 한다. 이때, 대물렌즈 회전 방식을 이용할 수 있다.Next, a revolver is provided above the objective lens to change the magnification of the objective lens. At this time, the objective lens rotation method can be used.
그 다음으로, 챔버와 연결되는 원료가스 공급부가 구비될 수 있는데, 이는 투명 기판 리페어시 원료가스를 상기 투명 기판에 공급하는 기능을 한다.Next, a source gas supply unit connected to the chamber may be provided, which functions to supply the source gas to the transparent substrate when the transparent substrate is repaired.
그 다음으로, 제어부는 기본 적으로 본 발명에 따른 가변형 어퍼쳐를 구동시키는 제어를 수행하되, 상기 레이저 빔 발진부, 빔 쉐이퍼, 빔 세기 조절부, 카메라부, 오토 포커스부, 리볼버, 원료가스 공급부 및 후술할 모니터링부를 종합적으로 제어할 수 있도록 한다.Subsequently, the control unit basically controls to drive the variable aperture according to the present invention, wherein the laser beam oscillator, beam shaper, beam intensity control unit, camera unit, auto focus unit, revolver, source gas supply unit and It is possible to comprehensively control the monitoring unit to be described later.
이때, 모니터링부는 투명 기판 리페어시 가공 면을 실시간으로 출력할 수 있도록 하는 카메라부와 연결되며, 이 이외에 카메라부에 의해 촬영된 영상을 제어부를 통하여 전달 받고 결함 유무를 비교 판독하고 검사/확인할 수 있도록 구비된다.
At this time, the monitoring unit is connected to the camera unit for outputting the processing surface in real time when repairing the transparent substrate, in addition to receiving the image taken by the camera unit through the control unit to compare the presence or absence of defects and to check / check It is provided.
이상에서 개략적으로 설명한 본 발명에 따른 가변형 어퍼쳐 및 이를 포함하는 스퍼터 장치, 그리고 스퍼터 리페어 툴을 이용하면, 리페어시 컬럼부의 위치를 조절하는 간단한 작업만으로, 일반 성막 조건과 동일한 스퍼터 조건하에서 리페어 공정을 용이하게 수행할 수 있다.By using the variable aperture, the sputtering apparatus including the same, and the sputter repair tool described above, the repair process is performed under the same sputtering conditions as those of general film forming conditions by only a simple operation of adjusting the position of the column portion during repairing. It can be done easily.
따라서, 바이너리 마스크(Binary Mask) 뿐만 아니라 하프톤 마스크(Half-Tone Mask)에서도 제거된 부분만 국부적으로 재성막 패턴을 용이하게 형성할 수 있다. 또한, 레이저 빔을 이용하여 포토 마스크 패턴의 결함 부분을 용이하게 제거하여 리페어 공정이 더 용이하게 이루어지도록 할 수 있다.Therefore, only a portion removed from the half-tone mask as well as the binary mask can be easily formed locally. In addition, the repair process may be more easily performed by easily removing a defective portion of the photo mask pattern using a laser beam.
따라서, 포토 마스크에 형성되는 최종 패턴의 프로파일을 향상시키고, 포토 마스크 제조 공정을 단순화시킬 수 있다.
Therefore, it is possible to improve the profile of the final pattern formed on the photo mask and simplify the photo mask manufacturing process.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.
10, 100, 530 : 투명기판 20, 110 : 크롬 패턴
30, 130 : 재성막 패턴 120 : 하프톤 패턴
150, 200, 300, 500 : 제 1 칼럼부 155 : 제 1 개구부
160, 220, 320, 520 : 제 2 칼럼부 165 : 제 2 개구부
210 : 제 1 광차단부 230 : 제 2 광차단부
240 : 투광 영역 550 : 챔버
310, 315 : 제 1 이너스페이서 330, 335 : 제 2 이너스페이서
400 : 제 1 구동부 410 : 제 1 구동 제어암
420 : 제 2 구동부 430 : 제 2 구동 제어암10, 100, 530:
30, 130: Refilm pattern 120: Halftone pattern
150, 200, 300, 500: first column portion 155: first opening
160, 220, 320, 520: second column portion 165: second opening
210: first light blocking portion 230: second light blocking portion
240: light transmission area 550: chamber
310 and 315: first
400: first driving unit 410: first driving control arm
420: second drive unit 430: second drive control arm
Claims (12)
상기 제 1 칼럼부 상부 또는 하부에 구비되며, 상기 제 1 개구부와 중첩되는 제 2 개구부를 갖되, 상기 스퍼터 가스를 통과시키는 영역의 크기를 조절이 가능한 제 2 칼럼부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변형 어퍼쳐.
A first column portion having a first opening through which a sputter gas for forming a defect repair film of a pattern formed on a transparent substrate is passed; And
And a second column part disposed above or below the first column part and having a second opening overlapping the first opening part and capable of adjusting the size of the region through which the sputter gas passes. Variable aperture.
상기 제 1 개구부 또는 제 2 개구부는
삼각형, 사각형, 원형, 마름모 및 그 외 다각형 형태로 구비되는 것을 특징으로 하는 가변형 어퍼쳐.
The method of claim 1,
The first opening or the second opening
Variable apertures, characterized in that provided in the form of triangles, squares, circles, rhombus and other polygons.
상기 챔버 내에 구비되는 제1항 또는 제2항의 가변형 어퍼쳐;를 포함하되,
리페어시 상기 제 1 칼럼부 및 제 2 칼럼부가 중첩되도록 하고, 상기 투명 기판에 패턴을 형성하기 위한 일반 성막시에는 상기 제 1 칼럼부 및 제 2 칼럼부가 상기 투명기판 상부에서 제거되도록 하는 동작을 제어하는 구동부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
A chamber forming a pattern on the transparent substrate using a sputter gas; And
Including the variable aperture of claim 1 or claim 2 provided in the chamber;
Controls an operation of overlapping the first column portion and the second column portion during repair and removing the first column portion and the second column portion from the upper portion of the transparent substrate during general film formation for forming a pattern on the transparent substrate. Sputtering apparatus comprising a; drive unit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100093007A KR101114738B1 (en) | 2010-09-27 | 2010-09-27 | Size adjustabele aperture and sputter apparatus containing the same |
Applications Claiming Priority (1)
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-
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- 2010-09-27 KR KR1020100093007A patent/KR101114738B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000004747A (en) * | 1998-06-30 | 2000-01-25 | 김영환 | Defect repair apparatus of photo mask |
KR20090012106A (en) * | 2007-07-25 | 2009-02-02 | 올림푸스 가부시키가이샤 | Laser irradiation apparatus and laser processing system using same apparatus |
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