KR101109092B1 - semiconductor device transfer system - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체소자를 이송하는 반도체소자이송시스템에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 다수의 서브스테이지로 구성된 스테이지(stage)의 평면 상에 안착된 다수의 반도체소자들 간의 행방향 및 열방향으로의 간격을 조절하는 소자스테이지부; 반도체소자들 간의 간격을 조절하기 위하여 다수의 반도체소자들을 제1트레이(tray)에서 상기 소자스테이지부의 스테이지로 이송시키는 제1피커부; 및 상기 소자스테이지부에서 간격이 조절된 상기 다수의 반도체소자들을 상기 스테이지에서 제2트레이로 이송시키는 제2피커부;를 포함하기 때문에 반도체소자를 이송시키는 능률을 향상 시킬 수 있는 기술이 개시된다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device transfer system for transferring semiconductor devices, and according to the present invention, a gap in a row direction and a column direction between a plurality of semiconductor elements seated on a plane of a stage composed of a plurality of substages. Device stage unit for adjusting the; A first picker unit for transferring a plurality of semiconductor devices from a first tray to a stage of the device stage unit to adjust a distance between semiconductor devices; And a second picker unit for transferring the plurality of semiconductor devices whose spacing is adjusted in the device stage unit from the stage to the second tray. Thus, a technique for improving the efficiency of transferring semiconductor devices is disclosed.

반도체소자, 이송, 트레이 Semiconductor element, transfer, tray

Description

반도체소자이송시스템{semiconductor device transfer system}Semiconductor device transfer system

본 발명은 반도체소자를 트레이(tray)나 반도체공정장비로 이송시키어 주는 반도체소자이송시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a semiconductor device transfer system for transferring a semiconductor device to a tray or a semiconductor processing equipment.

일반적인 반도체 소자의 제조공정에 있어서, 반도체 웨이퍼에는 일련의 반도체 제조과정(fabrication)에 의해 반도체소자(반도체 다이(die) 또는 반도체 칩(chip)이라고도 함)가 다수개 형성된다. In a typical semiconductor device manufacturing process, a plurality of semiconductor devices (also referred to as semiconductor dies or semiconductor chips) are formed on a semiconductor wafer by a series of semiconductor fabrication processes.

이와 같이 다수개의 반도체소자가 형성된 반도체 웨이퍼는 소잉(sawing)공정을 거치면서 각각의 반도체소자로 절단된다. 반도체 웨이퍼가 절단되어 각각 개별적으로 분리된 반도체소자들은 반도체 제조 공정의 순차적인 다음 공정이 진행되는 반도체 장비로 이송된다. As described above, a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor devices are formed is cut into respective semiconductor devices through a sawing process. The semiconductor wafers are cut and individually separated, and the semiconductor devices are transferred to a semiconductor device where a sequential next process of the semiconductor manufacturing process is performed.

소잉공정을 거친 반도체 소자들을 다음 공정이 진행되는 반도체 장비로 이송시키기 위하여 트레이(tray)에 적재한다. 이를 위하여 반도체소자들을 한번에 두 개 정도만을 집어서 트레이에 적재한다. 즉, 절단된 반도체소자들은 밀집되어 배열된 상태이고, 트레이에는 다수의 반도체소자가 안착될 자리가 마련되어 있는데 각각의 자리가 소정의 간격을 두고 있기 때문에 반도체 소자를 두 개 정도 씩 집어서 간격에 맞추어 트레이에 적재시키었다.The semiconductor elements subjected to the sawing process are loaded into a tray to be transferred to the semiconductor equipment where the next process is performed. To do this, only two semiconductor devices are picked up at a time and loaded into a tray. That is, the cut semiconductor devices are arranged in a densely arranged state, and a tray is provided with a seat on which a plurality of semiconductor devices are to be seated. Loaded in the tray.

그런데 한 장의 웨이퍼에서 절단되어 나오는 반도체 소자의 개수는 많기 때문에 한번에 두 개 정도씩 반도체소자를 집어서 트레이에 적재하는 경우에는 시간이 너무 많이 소요되는 문제점이 있었다. However, since the number of semiconductor devices cut out from a single wafer is large, there is a problem in that it takes too much time to pick up two or more semiconductor devices at a time and load them in a tray.

더욱이 웨이퍼의 직경이 나날이 대면화 되어가고 반도체소자의 크기는 소형화를 추구하는 추세에 따르면 웨이퍼 한 장당 생산되는 반도체소자의 개수는 기하급수적으로 증가하게 된다. 따라서 웨이퍼 한 장에서 생산된 다수의 반도체소자를 트레이에 적재하는데 드는 소요시간이 더욱 늘어나게 되어 전반적인 반도체소자의 이송효율이 떨어지게되는 심각한 문제점이 되고 있었다.In addition, as the diameter of the wafer becomes larger day by day and the size of the semiconductor device seeks to be smaller, the number of semiconductor devices produced per wafer increases exponentially. Therefore, the time required to load a plurality of semiconductor devices produced in a single wafer on a tray is further increased, which is a serious problem that the overall transfer efficiency of semiconductor devices is reduced.

따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 소잉공정 후 반도체소자들의 이송시간을 절감시킬 수 있는 이송시스템을 제공함에 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a transfer system that can reduce the transfer time of semiconductor devices after a sawing process.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자이송시스템은 다수의 서브스테이지로 구성된 스테이지(stage)의 평면 상에 안착된 다수의 반도체소자들 간의 행방향 및 열방향으로의 간격을 조절하는 소자스테이지부; 반도체소자들 간의 간격을 조절하기 위하여 다수의 반도체소자들을 제1트레이(tray)에서 상기 소자스테이지부의 스테이지로 이송시키는 제1피커부; 및 상기 소자스테이지부에서 간격이 조절된 상기 다수의 반도체소자들을 상기 스테이지에서 제2트레이로 이송시키는 제2피커부;를 포함하는 것을 특징으로 한다. The semiconductor device transfer system according to the present invention for achieving the above object is to adjust the distance in the row direction and column direction between a plurality of semiconductor elements seated on a plane of a stage (stage) consisting of a plurality of sub-stage An element stage unit; A first picker unit for transferring a plurality of semiconductor devices from a first tray to a stage of the device stage unit to adjust a distance between semiconductor devices; And a second picker unit configured to transfer the plurality of semiconductor devices whose spacing is adjusted in the device stage unit to the second tray in the stage.

여기서 상기 소자스테이지부는 N× M (N,M 은 2 이상의 자연수이다) 행렬 형태로 배치되어 상기 스테이지의 평면을 구성하며, 다수의 상기 반도체소자 각각이 안착되는 다수의 서브스테이지; 다수의 상기 서브스테이지들의 열(列)방향 이동을 안내하며, 다수의 상기 서브스테이지들의 행간 간격을 조절하기 위한 행간 간격조절장치; 및 다수의 상기 서브스테이지들의 행(行)방향 이동을 안내하며, 다수의 상기 서브스테이지들의 열간 간격을 조절하기 위한 열간 간격조절장치를 포함하는 것을 또 하나의 특징으로 한다. Wherein the device stage unit is arranged in an N × M (N, M is a natural number of 2 or more) matrix form a plane of the stage, and a plurality of substages on which each of the plurality of semiconductor elements is seated; An interline space adjusting device for guiding columnar movements of the plurality of substages and for adjusting the spaces between the plurality of substages; And a hot spacing device for guiding a row direction movement of the plurality of substages and for adjusting hot spacings of the plurality of substages.

여기서 상기 행간 간격조절장치는 상기 서브스테이지의 열방향 이동을 안내 하는 제1샤프트; 상기 제1샤프트를 지지하는 제1샤프트지지대; 상기 제1샤프트가 행방향으로 이동될 수 있도록 홈이 형성되어 있는 제1지그; 및 상기 제1지그를 상하로 이동시키는 동력장치;를 포함하고, 상기 제1샤프트의 일부분이 상기 제1지그에 형성된 상기 홈에 위치하여 상기 제1지그가 이동하는 경우 제1샤프트가 행방향으로 이동될 수 있는 것을 또 하나의 특징으로 한다. Here, the interline space adjusting device may include a first shaft for guiding a column direction movement of the substage; A first shaft support for supporting the first shaft; A first jig having a groove formed to move the first shaft in a row direction; And a power unit for moving the first jig up and down; wherein a portion of the first shaft is located in the groove formed in the first jig so that the first shaft moves in the row direction. Another feature is that it can be moved.

여기서 상기 열간 간격조절장치는 상기 서브스테이지의 행방향 이동을 안내하는 제2샤프트; 상기 제2샤프트를 지지하는 제2샤프트지지대; 상기 제2샤프트가 열방향으로 이동되도록 홈이 형성되어 있는 제2지그; 및 상기 제2지그를 상하로 이동시키는 동력장치;를 포함하고, 상기 제2샤프트의 일부분이 상기 제2지그에 형성된 상기 홈에 위치하여 상기 제2지그가 이동하는 경우 제2샤프트가 행방향으로 이동될 수 있는 것을 또 하나의 특징으로 한다. The hot spacing device may include a second shaft for guiding the row direction movement of the substage; A second shaft support for supporting the second shaft; A second jig having a groove formed to move the second shaft in a column direction; And a power unit for moving the second jig up and down; wherein a part of the second shaft is located in the groove formed in the second jig so that the second shaft moves in the row direction. Another feature is that it can be moved.

여기서 상기 피커부는 저면에 상기 다수의 반도체소자 각각에 대응되는 홀이 형성되어있고, 연통구가 옆측면에 형성되어 있는 하우징; 상기 하우징의 상측에서 상기 하우징과 결합되어 하우징을 지지하는 지지암; 상기 지지암과 결합되어 상기 지지암을 수평방향 및 수직방향으로 위치이동시키는 위치이동장치; 및 상기 하우징의 상기 연통구와 연통되어 상기 하우징 내부의 압력을 변화시키는 공압장치;를 포함하는 것을 또 하나의 특징으로 한다. Wherein the picker portion has a hole formed in the bottom corresponding to each of the plurality of semiconductor elements, the communication port is formed on the side surface; A support arm coupled to the housing at an upper side of the housing to support the housing; A position moving device coupled to the support arm to move the support arm in a horizontal direction and a vertical direction; And a pneumatic device in communication with the communication port of the housing to change the pressure inside the housing.

본 발명에 따른 반도체소자이송시스템의 피커는 하우징 하나에 다수의 홀이 형성되어 있기 때문에 다수의 반도체소자를 한 번에 픽업하여 소자스테이지부와 트 레이 사이를 오가며 이송할 수 있다. Since the picker of the semiconductor device transfer system according to the present invention has a plurality of holes formed in one housing, it is possible to pick up a plurality of semiconductor devices at once and transfer them between the device stage and the tray.

또한 홀마다 공압실린더가 배치된 구조가 아니고 하나의 하우징에 다수의 홀을 형성되어 있기 때문에 피커의 구조가 간단하므로 제조단가가 저렴하고 피커의 관리가 용이하다. 그리고, 소자스테이지부에서 소자의 간격을 조절하고 다수의 반도체소자를 피커가 한번에 이송하기 때문에 반도체소자를 이송시키는데 소요되는 시간을 단축되고 이송능률이 향상되는 효과가 있다. In addition, since the pneumatic cylinder is not arranged in each hole but a plurality of holes are formed in one housing, the structure of the picker is simple, so the manufacturing cost is low and the picker is easy to manage. In addition, since the device stage adjusts the spacing of the devices and the plurality of semiconductor devices are picked by the picker at once, the time required to transfer the semiconductor devices is shortened and the transfer efficiency is improved.

이하에서는 본 발명에 대하여 보다 구체적으로 이해할 수 있도록 첨부된 도면을 참조한 바람직한 실시 예를 들어 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings to be described in more detail with respect to the present invention will be described with reference to a preferred embodiment.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체소자이송시스템의 피커(picker)의 모습을 개략적으로 나타낸 측면 및 평면도이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체소자이송시스템의 소자스테이지(device stage)부를 개략적으로 나타낸 사시도이다.1 is a side view and a plan view schematically showing a picker of a semiconductor device transfer system according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a device stage of a semiconductor device transfer system according to an embodiment of the present invention. ) Is a perspective view schematically showing a part.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 반도체소자이송시스템은 소자스테이지부, 제1피커 및 제2피커를 포함하여 이루어진다. 1 and 2, a semiconductor device transfer system according to an embodiment of the present invention includes an element stage unit, a first picker, and a second picker.

본 발명의 실시 예에 따른 반도체소자이송시스템의 제1피커(100)는 하우징(110), 지지암(support arm,120), 위치이동장치(미도시) 및 공압장치(미도시)를 포함하여 이루어진다. The first picker 100 of the semiconductor device transfer system according to an embodiment of the present invention includes a housing 110, a support arm 120, a position moving device (not shown) and a pneumatic device (not shown). Is done.

피커(100)의 하우징(110)은 그 내부와 외부간에 공압차가 발생함에 의하여 하우징(110)에 형성된 홀(hole,111)을 통해 반도체소자를 픽업(pick-up)한다. The housing 110 of the picker 100 picks up a semiconductor device through holes 111 formed in the housing 110 by a pneumatic difference between the inside and the outside thereof.

하우징(110)은 저면에 다수의 반도체소자 각각에 대응되는 홀(hole,111)이 형성되어있다. 따라서, 홀(111) 하나당 하나의 반도체소자가 공압차에 의해 픽업될 수 있다. 여기서, 홀(111)은 하우징 저면(즉, 밑면)(112)에 다수개 형성되어 있다. 다수개의 홀(111)은 각각 일정간격을 두고 형성되어 있다. 홀(111)간 간격은 반도체소자의 간격을 염두에 두고 미리 형성되어 있다. The housing 110 is provided with a hole 111 corresponding to each of the plurality of semiconductor devices on its bottom surface. Therefore, one semiconductor element per hole 111 may be picked up by a pneumatic difference. Here, a plurality of holes 111 are formed in the housing bottom (ie, bottom) 112. The plurality of holes 111 are formed at regular intervals, respectively. The spacing between the holes 111 is formed in advance with the spacing of the semiconductor elements in mind.

따라서, 다수의 반도체소자가 소자스테이지부의 스테이지(stage) 상에 위치할 때 피커(100)의 하우징(110)의 홀(111) 하나당 소자 하나가 서로 대응되는 위치에 있게 된다. Therefore, when a plurality of semiconductor devices are positioned on the stage of the device stage part, one device per hole 111 of the housing 110 of the picker 100 is in a position corresponding to each other.

그리고, 간격조절 전의 반도체소자들이 안착되어 있는 트레이(미도시)에서 소자스테이지부(200)로 이송하는 제1피커(100)에 형성된 다수의 홀(111)들 간의 간격과 간격조절 후 반도체소자를 소자스테이지부(200)에서 트레이(tray,미도시) 등으로 이송하는 제2피커에 형성된 다수의 홀들 간의 간격은 다르다.Then, the semiconductor device after the gap and the gap between the plurality of holes 111 formed in the first picker 100 to transfer to the device stage 200 from the tray (not shown) on which the semiconductor device before the interval adjustment is seated The spacing between the plurality of holes formed in the second picker transferred from the device stage 200 to a tray (not shown) is different.

하우징(110)은 옆측면에 연통구(113)가 형성되어 있다. 연통구(113)는 하우징(110) 내부의 공압차를 발생시키기 위한 공압장치와 하우징(110) 내부와의 연통을 위하여 형성된 것이다. The housing 110 has a communication port 113 is formed on the side surface. The communication port 113 is formed for communication between the pneumatic device and the housing 110 to generate a pneumatic difference in the housing 110.

그리고 도 1에는 도시되지 않았으나, 공압장치에 의해 설정된 하우징(110) 내부의 진공상태를 풀어주기(venting) 위한 벤팅밸브(venting valve,미도시)가 하우징(110)에 마련되어 있다. 벤팅밸브로 하우징(110) 내부의 진공상태를 풀어주면 (즉, 대기압상태로 만들어주면) 다수의 반도체소자가 하우징(110)의 저면(112)에서 분리된다. 즉, 벤팅밸브로 하우징(110) 내부를 대기압상태로 만듬으로써 다수의 반도체소자들을 원하는 위치에 놓게 되는 것이다.Although not shown in FIG. 1, a venting valve (not shown) for venting a vacuum in the housing 110 set by the pneumatic device is provided in the housing 110. When the vacuum inside the housing 110 is released with the venting valve (ie, the atmospheric pressure is released), a plurality of semiconductor devices are separated from the bottom surface 112 of the housing 110. That is, a plurality of semiconductor devices are placed at a desired position by making the inside of the housing 110 into an atmospheric pressure state with a venting valve.

하우징(110)의 재질은 비교적 가벼우면서도 튼튼한 재질인 플라스틱으로 이루어질 수 있다. 하우징(110)의 저면(112)은 반도체소자와의 정전기를 예방하기 위한 정전기 방지 재질로 이루어진다. The material of the housing 110 may be made of plastic, which is relatively light and durable. The bottom surface 112 of the housing 110 is made of an antistatic material for preventing static electricity from the semiconductor device.

지지암(120)은 하우징(110)의 상측에서 하우징(110)과 결합되어 있다. 그리고 지지암(120)은 하우징(110)을 지지한다. The support arm 120 is coupled to the housing 110 at the upper side of the housing 110. The support arm 120 supports the housing 110.

위치이동장치(미도시)는 지지암(120)과 결합되어 있다. 위치이동장치는 하우징(110)과 결합된 지지암(120)을 수평방향 및 수직방향으로 위치이동시키기 위하여 마련된 것이다. Position shift device (not shown) is coupled to the support arm (120). The position shifting device is provided to move the support arm 120 coupled to the housing 110 in the horizontal and vertical directions.

위치이동장치가 하우징(110)과 지지암(120)을 수직방향으로 내리면 하우징(110)의 저면(112)에 형성된 다수의 홀(111) 각각이 다수의 반도체소자 각각에 대응되어 닿게된다. When the position shifting device lowers the housing 110 and the support arm 120 in a vertical direction, each of the plurality of holes 111 formed in the bottom surface 112 of the housing 110 may correspond to each of the plurality of semiconductor devices.

하우징(110) 내부에 압력이 낮아지면 홀(111)을 통해 반도체소자가 공압차에 의해 하우징(110)의 저면(112)에 붙게된다. 이 상태에서 위치이동장치가 하우징(110) 및 지지암(120)을 수직방향으로 올리면 다수의 반도체소자가 함께 스테이지상에서 들어올려지게 된다. When the pressure is lowered in the housing 110, the semiconductor device is attached to the bottom surface 112 of the housing 110 by a pneumatic pressure difference through the hole 111. In this state, when the position shifting device raises the housing 110 and the support arm 120 in the vertical direction, a plurality of semiconductor elements are lifted together on the stage.

그리고 위치이동장치는 수평방향으로 이동함으로써 트레이(tray) 또는 소자스테이지부(200) 상에 하우징(110)을 위치시킨다. The position shifting device moves the horizontal position to position the housing 110 on the tray or the device stage 200.

공압장치(미도시)는 하우징(110) 내부에 압력을 설정(대기압보다 낮은 공압)시켜준다. 공압장치는 하우징(110)의 연통구(113)를 통해 하우징(110)의 내부공간과 연통되어 있다. The pneumatic device (not shown) sets the pressure inside the housing 110 (pneumatic pressure lower than atmospheric pressure). The pneumatic device is in communication with the internal space of the housing 110 through the communication port 113 of the housing 110.

따라서, 공압장치에 의해 하우징(110)에 공압차를 발생시킬 수 있으므로 홀(111)을 통해 다수의 반도체소자들을 잡을 수 있게 된다. Therefore, since a pneumatic difference can be generated in the housing 110 by the pneumatic device, it is possible to hold a plurality of semiconductor elements through the hole 111.

제2피커는 앞서 언급하였듯이 제1피커(100)와 기본적인 구조는 같다. 다만, 하우징(110)의 저면(112)에 형성되어 있는 다수의 홀(111)들 사이의 간격이 제1피커와 제2피커가 다르다. 즉, 제2피커의 하우징의 저면에 형성되어 있는 다수의 홀들간의 간격은 소자스테이지에서 간격이 조절된 후 반도체소자의 간격과 같게 되어 있다. 그 밖에 다른 부분은 제1피커와 크게 다르지 아니하므로 제2피커에 대한 설명은 생략하기로 한다. As mentioned above, the second picker has the same basic structure as the first picker 100. However, the distance between the plurality of holes 111 formed in the bottom surface 112 of the housing 110 is different from the first picker and the second picker. That is, the spacing between the plurality of holes formed in the bottom of the housing of the second picker is equal to the spacing of the semiconductor devices after the spacing is adjusted in the device stage. Other parts are not significantly different from the first picker, so description of the second picker will be omitted.

이와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 반도체소자이송시스템의 피커는 하우징 하나에 다수의 홀이 형성되어 있기 때문에 다수의 반도체소자를 픽업하여 소자스테이지부와 트레이 사이를 오가며 이송할 수 있다. As described above, in the picker of the semiconductor device transfer system according to the embodiment of the present invention, since a plurality of holes are formed in one housing, it is possible to pick up a plurality of semiconductor devices and transfer them between the device stage and the tray.

또한 홀마다 공압실린더가 배치된 구조가 아니고 하나의 하우징에 다수의 홀을 형성되어 있기 때문에 피커의 구조가 간단하므로 제조단가가 저렴하고 피커의 관리가 용이하다. In addition, since the pneumatic cylinder is not arranged in each hole but a plurality of holes are formed in one housing, the structure of the picker is simple, so the manufacturing cost is low and the picker is easy to manage.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체소자이송시스템에서 소자스테이지부의 서브스테이지의 모습을 개략적으로 나타낸 사시도이고, 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체소자이송시스템에서 소자스테이지부의 일부를 개략적으로 나타낸 사시도이며, 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체소자이송시스템에서 소자스테이지부의 서브스테이지, 샤프트 및 지그를 개략적으로 나타낸 사시도이고, 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체소자이송시스템에서 소자스테이지부의 작동과정을 개략적으로 나타낸 도면이다. 3 is a perspective view schematically illustrating a substage of a device stage unit in a semiconductor device transfer system according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 4 schematically illustrates a part of the device stage unit in a semiconductor device transfer system according to an embodiment of the present invention. 5 is a perspective view schematically illustrating a substage, a shaft, and a jig of a device stage in the semiconductor device transport system according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a semiconductor device transport system according to an embodiment of the present invention. Figure is a schematic view showing the operation of the device stage.

도 2 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 반도체소자이송시스템의 소자스테이지부(200)는 다수의 서브스테이지(210), 행간 간격조절장치 및 열간 간격조절장치를 포함하여 이루어진다. 2 to 6, the device stage unit 200 of the semiconductor device transfer system according to an exemplary embodiment of the present invention includes a plurality of substages 210, an interline space adjusting device, and an interspace space adjusting device.

서브스테이지(210)의 상측 평면상에는 하나의 반도체소자가 놓이게 된다. 그리고 서브스테이지(210)는 간격조절장치에 의해 이웃하는 서브스테이지(210)와의 간격이 조절된다. 이때 서브스테이지(210)에 놓인 반도체소자도 서브스테이지(210)와 함께 이동되므로 반도체소자의 간격이 조절되게 된다. One semiconductor device is placed on the upper plane of the substage 210. And the sub-stage 210 is adjusted to the interval with the neighboring sub-stage 210 by the spacing device. In this case, since the semiconductor device placed on the substage 210 is also moved together with the substage 210, the distance between the semiconductor devices is adjusted.

다수의 서브스테이지(210)는 N× M (N,M 은 2 이상의 자연수이다) 행렬 형태로 배치되어 반도체소자 각각이 안착되는 스테이지의 평면을 구성한다. 예를 들면 서브스테이지들이 3× 4, 7× 7, 등의 행렬 형태로 배치된 스테이지가 있을 수 있다. The plurality of substages 210 are arranged in an N × M (N, M is two or more natural number) matrix form to form a plane of a stage on which each semiconductor element is seated. For example, there may be a stage in which substages are arranged in a matrix form such as 3 × 4, 7 × 7, and the like.

서브스테이지(210)는 도 3에 도시된 바와 같이 두 개의 홀(211,213)이 형성되어 있다. 두 개의 홀(211,213)의 중심선은 위에서 내려다 보았을 때 서로 수직인 것이 바람직하다. As shown in FIG. 3, the substage 210 has two holes 211 and 213 formed therein. The centerlines of the two holes 211 and 213 are preferably perpendicular to each other when viewed from above.

각 홀(211,213)에는 리니어부쉬(212,214)가 결속되어 있다. 후술할 샤프 트(221,223)는 각각 두 개의 홀(211,213)을 관통하며 샤프트(221,223)와 서브스테이지(210) 사이의 마찰을 리니어부쉬(212,214)가 완화하여 준다. Linear bushes 212 and 214 are coupled to each of the holes 211 and 213. The shafts 221 and 223 to be described later penetrate the two holes 211 and 213, respectively, and the linear bushes 212 and 214 relieve friction between the shafts 221 and 223 and the substage 210.

행간 간격조절장치는 다수의 서브스테이지(210)들의 열(列)방향 이동을 안내한다. 그리고 행간 간격 조절장치는 다수의 서브스테이지(210)들의 행간간격을 조절한다. The interlining device guides the column movement of the plurality of substages 210. And the space spacing device adjusts the space spacing of the plurality of substages 210.

행간 간격조절장치는 제1샤프트(221), 제1샤프트지지대(226), 제1지그(231) 및 동력장치를 포함하여 이루어진다. The interlining device includes a first shaft 221, a first shaft support 226, a first jig 231, and a power unit.

제1샤프트(221)는 다수의 서브스테이지(210)에 형성된 홀(211)을 관통한다. 제1샤프트(221)는 제1샤프트지지대(226)에 일부분이 걸쳐진다. 도 1에 도시된 것처럼 제1샤프트(221)는 2 개의 샤프트지지대(226)와 다수의 서브스테이지(210)를 관통하고 있다. 그리고 제1샤프트(221)의 일단은 제1지그(231)에 형성된 홈에 위치하고 있다. 제1샤프트(221)의 일단에는 베어링이 마련되어 있다. 따라서, 제1지그(231)가 상향 또는 하향으로 움직일 때 제1지그(231)에 형성된 홈에서 제1샤프트(221)의 위치가 변경되며 이 과정에서 제1샤프트(221)와 제1지그(231) 사이의 마찰이 베어링으로 인하여 감소된다. The first shaft 221 penetrates through holes 211 formed in the plurality of substages 210. A portion of the first shaft 221 hangs over the first shaft support 226. As illustrated in FIG. 1, the first shaft 221 penetrates through two shaft supports 226 and a plurality of substages 210. One end of the first shaft 221 is located in a groove formed in the first jig 231. One end of the first shaft 221 is provided with a bearing. Therefore, when the first jig 231 moves upward or downward, the position of the first shaft 221 is changed in the groove formed in the first jig 231, and in this process, the first shaft 221 and the first jig ( The friction between 231 is reduced due to the bearing.

제1샤프트지지대(226)는 제1샤프트(221)를 지지한다. 제1샤프트지지대(226)는 효과적으로 지지하기 위하여 다수의 서브스테이지(210)를 사이에 두고 좌우에 한 개씩 위치한다.The first shaft support 226 supports the first shaft 221. The first shaft support 226 is positioned one by one on the left and right side with a plurality of substage 210 in between for effective support.

제1샤프트지지대(226)에 형성된 홈에 제1샤프트(221)의 일부분이 걸쳐짐으로 써 지지된다. A portion of the first shaft 221 is supported by being supported by a groove formed in the first shaft support 226.

제1지그(231)는 제1샤프트(221)가 행방향으로 이동될 수 있도록 홈이 형성되어 있다. 이 홈에 제1샤프트(221)의 일단이 위치하며 베어링이 홈과 제1샤프트(221)의 일단 사이의 마찰을 줄여준다. 동력장치(미도시)에 의해서 제1지그(231)가 상향 또는 하향으로 움직일 때 제1지그(231)의 홈에 의해 제1샤프트(221)가 수평방향(행방향)으로 이동하게 된다. 여기서 다수의 서브스테이지(210)들이 수평방향(행방향)으로 이동될 때 제2샤프트(223)에 의해 가이드 된다. The first jig 231 is formed with a groove to move the first shaft 221 in the row direction. One end of the first shaft 221 is positioned in the groove, and the bearing reduces friction between the groove and one end of the first shaft 221. When the first jig 231 moves up or down by a power unit (not shown), the first shaft 221 moves in the horizontal direction (row direction) by the groove of the first jig 231. Here, when the plurality of substages 210 are moved in the horizontal direction (row direction), they are guided by the second shaft 223.

도 1 및 도 5에 도시된 것처럼 제1지그(231)에 형성된 홈들 간의 간격은 도면에 도시된 것 처럼 홈들의 일측에서는 좁고 타측에서는 멀게 형성된 것이 바람직하다. As shown in FIGS. 1 and 5, the distance between the grooves formed in the first jig 231 is preferably formed narrow in one side of the grooves and far from the other side as shown in the drawing.

동력장치(미도시)는 제1지그(231)를 상하로 이동시킨다. 동력장치는 모터를 대표적인 예로 들을 수 있으며, 제1지그(231)를 상(上) 또는 하(下)로 이동시키기 위해 동력을 전달하는 기어, 회전축, 밸트 등의 동력전달수단을 포함한다. A power unit (not shown) moves the first jig 231 up and down. The power unit may include a motor as a representative example, and includes power transmission means such as a gear, a rotating shaft, and a belt that transmits power to move the first jig 231 up or down.

도 2에서 동력장치 중 볼스크류(241)와 LM가이드(242) 그리고 지그고정대(235)를 나타내었다. (전기모터는 미도시됨.) 전기모터의 회전에 의해 볼스크류(241)가 회전을 함에 의해 지그고정대(235)는 상향 또는 하향으로 이동된다. 지그고정대(235)에는 제1지그(231)가 고정결합되어 있다. 따라서, 동력장치에 의해 지그고정대(235)가 이동되면서 제1지그(231)도 이동된다. 2 shows the ball screw 241, the LM guide 242 and the jig fixing unit 235 of the power unit. (The electric motor is not shown.) As the ball screw 241 rotates by the rotation of the electric motor, the jig holder 235 is moved upward or downward. The first jig 231 is fixedly coupled to the jig fixing station 235. Therefore, while the jig fixing base 235 is moved by the power unit, the first jig 231 is also moved.

LM가이드(242)는 상향 또는 하향으로 지그의 이동을 가이드하기 위해 마련된 것이다. The LM guide 242 is provided to guide the movement of the jig up or down.

이와 같이 행간 간격조절장치에 의해 제1샤프트(221)의 일부분이 상기 제1지그(231)에 형성된 상기 홈에 위치하여 상기 제1지그(231)가 이동하는 경우 제1샤프트(221)가 행방향으로 이동될 수 있다. As described above, when the first jig 231 moves because a part of the first shaft 221 is located in the groove formed in the first jig 231 by the interline gap adjusting device, the first shaft 221 is moved. Can be moved in a direction.

열간 간격조절장치는 다수의 서브스테이지(210)들의 행(行)방향 이동을 안내한다. 그리고 열간 간격 조절장치는 다수의 서브스테이지(210)들의 열간 간격을 조절한다. The column spacing device guides the row direction movement of the plurality of substages 210. The hot spacing device adjusts hot spacing of the plurality of substages 210.

열간 간격조절장치는 제2샤프트(223), 제2샤프트지지대(228), 제2지그(233) 및 동력장치를 포함하여 이루어진다. The hot spacing device includes a second shaft 223, a second shaft support 228, a second jig 233, and a power unit.

제2샤프트(223)는 다수의 서브스테이지(210)에 형성된 홀(213)을 관통한다. 제2샤프트(223)는 제2샤프트지지대(228)에 일부분이 걸쳐진다. 도 1에 도시된 것처럼 제2샤프트(223)는 2 개의 샤프트지지대(228)와 다수의 서브스테이지(210)를 관통하고 있다. 그리고 제2샤프트(223)의 일단은 제2지그(233)에 형성된 홈에 위치하고 있다. 제2샤프트(233)의 일단에는 베어링이 마련되어 있다. 따라서, 제2지그(233)가 상향 또는 하향으로 움직일 때 제2지그(233)에 형성된 홈에서 제1샤프트(221)의 위치가 변경되며 이 과정에서 제2샤프트(223)와 제2지그(233) 사이의 마찰이 베어링으로 인하여 감소된다. The second shaft 223 passes through the holes 213 formed in the plurality of substages 210. A portion of the second shaft 223 hangs over the second shaft support 228. As shown in FIG. 1, the second shaft 223 penetrates the two shaft supports 228 and the plurality of substages 210. One end of the second shaft 223 is located in a groove formed in the second jig 233. One end of the second shaft 233 is provided with a bearing. Therefore, when the second jig 233 moves upward or downward, the position of the first shaft 221 is changed in the groove formed in the second jig 233, and in this process, the second shaft 223 and the second jig ( The friction between 233 is reduced due to the bearing.

제2샤프트지지대(228)는 제2샤프트(223)를 지지한다. 제2샤프트지지대(228)는 효과적으로 지지하기 위하여 다수의 서브스테이지(210)를 사이에 두고 좌우에 한 개씩 위치한다.The second shaft support 228 supports the second shaft 223. The second shaft support 228 is positioned one by one on the left and right side with a plurality of sub-stage 210 in between for effective support.

제2샤프트지지대(228)에 형성된 홈에 제2샤프트(223)의 일부분이 걸쳐짐으로써 지지된다. A portion of the second shaft 223 is supported by the groove formed in the second shaft support 228.

제2지그(233)는 제2샤프트(223)가 행방향으로 이동될 수 있도록 홈이 형성되어 있다. 이 홈에 제2샤프트(223)의 일단이 위치하며 베어링이 홈과 제2샤프트(223)의 일단 사이의 마찰을 줄여준다. 동력장치에 의해서 제2지그(233)가 상향 또는 하향으로 움직일 때 제2지그(233)의 홈에 의해 제2샤프트(223)가 수평방향(열방향)으로 이동하게 된다. 여기서 다수의 서브스테이지(210)들이 수평방향(열방향)으로 이동될 때 제1샤프트(221)에 의해 가이드 된다. The second jig 233 is formed with a groove to move the second shaft 223 in the row direction. One end of the second shaft 223 is located in the groove, and the bearing reduces friction between the groove and one end of the second shaft 223. When the second jig 233 moves up or down by the power unit, the second shaft 223 moves in the horizontal direction (column direction) by the groove of the second jig 233. Here, the plurality of substages 210 are guided by the first shaft 221 when they are moved in the horizontal direction (column direction).

도 1 및 도 5에 도시된 것처럼 제2지그(233)에 형성된 홈들 간의 간격은 앞서 설명한 제1지그(231)와 마찬가지로 홈들의 일측에서는 좁고 타측에서는 멀게 형성된 것이 바람직하다. As shown in FIGS. 1 and 5, the distance between the grooves formed in the second jig 233 may be narrower on one side of the grooves and far from the other side, like the first jig 231 described above.

동력장치(미도시)는 앞서 설명한 행간 간격조절장치에서의 동력장치와 다르지 않으므로 자세한 설명은 생략하기로 한다.Since the power unit (not shown) is not different from the power unit in the above-described line spacing device, a detailed description thereof will be omitted.

다만, 동력장치에 관련하여 좀 더 부연설명을 하면 열간 간격조절장치에서의 동력장치와 행간 간격조절장치에서의 동력장치를 단일화하여 도 1에 도시된 것 처럼 구성할 수도 있다. 이러한 경우 행간 간격과 열간 간격이 동시에 조절된다. (즉, 도 6a의 상태에서 도 6c의 상태로 바로 조절될 수 있다.) However, if more specifically described with respect to the power unit may be configured as shown in Figure 1 by unifying the power unit in the hot spacing device and the power unit in the line spacing device. In this case, the line spacing and column spacing are adjusted simultaneously. (I.e., it can be directly adjusted from the state of FIG. 6A to the state of FIG. 6C.)

필요에 따라서는 도 1에 도시된 것과는 달리 행간 간격조절장치의 동력장치와 열간 간격조절장치의 동력장치가 각각 독립되게 구성할 수도 있다. 이러한 경우 도 6에 도시된 것 처럼 처음에 서브스테이지(210)들이 밀집된 상태(도 6a)에서 열간 간격이 조절된 후(도 6b) 행간 간격을 조절할 수 있다(도 6c). 물론, 행간 간격을 먼저 조절한 후 열간 간격을 조절할 수도 있다. If necessary, unlike in FIG. 1, the power unit of the line spacing device and the power unit of the hot spacing device may be configured independently. In this case, as shown in FIG. 6, the inter-stage spacing may be adjusted after the hot spacing is adjusted (FIG. 6B) in the state where the substages 210 are densified (FIG. 6A) (FIG. 6C). Of course, you can adjust the spacing first, and then the column spacing.

이와 같은 반도체소자 이송시스템을 이용한 반도체소자의 이송과정은 다음과 같이 이루어질 수 있다. The transfer process of the semiconductor device using the semiconductor device transfer system may be performed as follows.

도 2에 도시된 것처럼 서브스테이지(210)들이 밀집된 상태에서 제1트레이(미도시)에서 밀집되어 안착되어 있는 다수의 반도체소자들이 제1피커(100)에 의해 다수의 서브스테이지(210) 상에 놓인다. 즉, 제1피커(100)는 다수의 반도체소자들을 다수의 서브스테이지(210) 상에 안착 시킨다. 예를 들어, 제1피커에 형성된 홀의 개수가 8× 8의 배열을 가지고 있다면 한번에 총 64개의 반도체소자를 픽업하여 서브스테이지(210)상에 안착 시킬 수 있다. As illustrated in FIG. 2, a plurality of semiconductor devices, which are densely seated in a first tray (not shown) and are seated on a plurality of substages 210 by the first picker 100 in a state where the substages 210 are concentrated. Is placed. That is, the first picker 100 mounts a plurality of semiconductor devices on the plurality of substages 210. For example, if the number of holes formed in the first picker has an arrangement of 8 × 8, a total of 64 semiconductor devices may be picked up and seated on the substage 210 at one time.

다음으로 소자스테이지부(200)에 의해 다수의 서브스테이지(210) 사이의 간격이 조절된다. 다수의 서브스테이지(210) 사이의 간격이 조절되면서 서브스테이지(210) 위에 안착된 반도체소자들 또한 간격이 조절되게 된다. Next, the spacing between the plurality of substages 210 is controlled by the device stage unit 200. As the spacing between the plurality of substages 210 is adjusted, the semiconductor elements mounted on the substage 210 are also adjusted.

간격조절이 끝난 후 제2피커가 다수의 서브스테이지(210) 위로 위치한 후 공압차를 이용하여 다수의 반도체소자들을 들어올린다. 여기서, 제2피커의 하우징에 형성된 다수의 홀들의 간격은 간격조절이 끝난 반도체소자들의 간격과 동등한 수준이다. 따라서, 제2피커의 하우징의 홀 하나당 하나의 반도체소자가 대응되어 픽업될 수 있다. 예를 들어, 제2피커 역시 8× 8의 배열을 가지고 있다면 한번에 총 64개의 반도체소자를 픽업할 수 있다. 그리고 제2트레이(미도시)로 제2피커가 이동한 다음 다수의 반도체소자들을 제2트레이 위에 안착시킨다. After the interval adjustment is finished, the second picker is positioned on the plurality of substages 210 and then lifts up the plurality of semiconductor devices by using the pneumatic pressure difference. Here, the spacing of the plurality of holes formed in the housing of the second picker is equal to the spacing of the semiconductor devices which have been adjusted. Therefore, one semiconductor device may be correspondingly picked up per one hole of the housing of the second picker. For example, if the second picker also has an 8 × 8 array, 64 semiconductor devices can be picked up at a time. The second picker is moved to a second tray (not shown), and then a plurality of semiconductor devices are mounted on the second tray.

이와 같이함으로써 제1트레이에서 소자스테이지부를 거쳐서 제2트레이로 다수의 반도체소자들의 이송이 한번에 이루어질 수 있다. In this manner, the transfer of the plurality of semiconductor devices from the first tray to the second tray via the device stage may be performed at one time.

따라서, 소잉공정 후 반도체소자들의 간격을 조절하고 다수의 소자들을 한번에 트레이로 이송하여 안착시킬 수 있으므로 반도체소자의 이송효율을 대폭 향상시킬 수 있게 된다. Therefore, after the sawing process, it is possible to adjust the spacing of the semiconductor devices and to transfer a plurality of devices to the tray at a time to be seated, thereby significantly improving the transfer efficiency of the semiconductor devices.

이상에서 설명된 바와 같이, 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예들에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예들은 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이기 때문에, 본 발명이 상기의 실시 예에만 국한되는 것으로 이해되어져서는 아니되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어져야 할 것이다.As described above, the detailed description of the present invention has been made by the embodiments with reference to the accompanying drawings, but since the above-described embodiments have only been described with reference to the preferred examples of the present invention, the present invention has been described above. It should not be understood to be limited only to the embodiments, and the scope of the present invention should be understood by the claims and equivalent concepts described below.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체소자이송시스템의 피커의 모습을 개략적으로 나타낸 측면 및 평면도이다.1 is a side view and a plan view schematically showing the appearance of a picker of a semiconductor device transfer system according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체소자이송시스템의 소자스테이지부를 개략적으로 나타낸 사시도이다.2 is a perspective view schematically illustrating a device stage of a semiconductor device transfer system according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체소자이송시스템에서 소자스테이지부의 서브스테이지의 모습을 개략적으로 나타낸 사시도이다. 3 is a perspective view schematically illustrating a substage of a device stage unit in a semiconductor device transfer system according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체소자이송시스템에서 소자스테이지부의 일부를 개략적으로 나타낸 사시도이다. 4 is a perspective view schematically illustrating a portion of an element stage unit in a semiconductor device transfer system according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체소자이송시스템에서 소자스테이지부의 서브스테이지, 샤프트 및 지그를 개략적으로 나타낸 사시도이다. 5 is a perspective view schematically illustrating a substage, a shaft, and a jig of an element stage unit in a semiconductor device transfer system according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체소자이송시스템에서 소자스테이지부의 작동과정을 개략적으로 나타낸 도면이다. 6 is a view schematically showing an operation process of the device stage unit in the semiconductor device transfer system according to an embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

100 : 제1피커 110 : 하우징100: first picker 110: housing

120 : 지지암 200 : 소자스테이지부120: support arm 200: element stage portion

210 : 서브스테이지 231,233 : 지그210: substage 231,233: jig

221,223 : 샤프트 226,228 : 샤프트지지대221,223: shaft 226,228: shaft support

Claims (5)

삭제delete 삭제delete 다수의 반도체소자 각각이 안착되고 행렬형태로 배치되는 다수의 서브스테이지, 다수의 상기 서브스테이지들의 열(列)방향 이동을 안내하며 다수의 상기 서브스테이지들의 행간 간격을 조절하기 위한 행간 간격조절장치 및 다수의 상기 서브스테이지들의 행(行)방향 이동을 안내하며 다수의 상기 서브스테이지들의 열간 간격을 조절하기 위한 열간 간격조절장치를 포함하여, 상기 다수의 서브스테이지로 구성된 스테이지(stage)의 평면 상에 안착된 다수의 상기 반도체소자들 간의 행방향 및 열방향 간격을 조절하는 소자스테이지부;A plurality of substages each of which a plurality of semiconductor devices are seated and arranged in a matrix form, an interline space adjusting device for guiding column-direction movement of the plurality of substages, and adjusting a space between the plurality of substages; On the plane of the stage consisting of the plurality of substages, including a thermal spacing device for guiding the row direction movement of the plurality of substages and for adjusting the spacing of the plurality of substages. An element stage unit for controlling row and column spacing between a plurality of the semiconductor elements; 반도체소자들 간의 간격을 조절하기 위하여 다수의 반도체소자들을 제1트레이(tray)에서 상기 소자스테이지부의 스테이지로 이송시키는 제1피커부; 및A first picker unit for transferring a plurality of semiconductor devices from a first tray to a stage of the device stage unit to adjust a distance between semiconductor devices; And 상기 소자스테이지부에서 간격이 조절된 상기 다수의 반도체소자들을 상기 스테이지에서 제2트레이로 이송시키는 제2피커부; 를 포함하되,A second picker unit configured to transfer the plurality of semiconductor devices whose spacing is adjusted in the device stage unit from the stage to a second tray; , &Lt; / RTI & 상기 행간 간격조절장치는The interline space adjusting device 상기 서브스테이지의 열방향 이동을 안내하는 제1샤프트;A first shaft for guiding thermal movement of the substage; 상기 제1샤프트를 지지하는 제1샤프트지지대;A first shaft support for supporting the first shaft; 상기 제1샤프트가 행방향으로 이동될 수 있도록 홈이 형성되어 있는 제1지그; 및A first jig having a groove formed to move the first shaft in a row direction; And 상기 제1지그를 상하로 이동시키는 동력장치;를 포함하고, And a power unit for moving the first jig up and down, 상기 제1샤프트의 일부분이 상기 제1지그에 형성된 상기 홈에 위치하여 상기 제1지그가 이동하는 경우 제1샤프트가 행방향으로 이동될 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체소자이송시스템.And a portion of the first shaft is located in the groove formed in the first jig so that the first shaft can be moved in a row direction when the first jig is moved. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 열간 간격조절장치는The hot spacing device 상기 서브스테이지의 행방향 이동을 안내하는 제2샤프트;A second shaft for guiding the row movement of the substage; 상기 제2샤프트를 지지하는 제2샤프트지지대;A second shaft support for supporting the second shaft; 상기 제2샤프트가 열방향으로 이동되도록 홈이 형성되어 있는 제2지그; 및A second jig having a groove formed to move the second shaft in a column direction; And 상기 제2지그를 상하로 이동시키는 동력장치;를 포함하고,And a power unit for moving the second jig up and down. 상기 제2샤프트의 일부분이 상기 제2지그에 형성된 상기 홈에 위치하여 상기 제2지그가 이동하는 경우 제2샤프트가 행방향으로 이동될 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체소자이송시스템.And a portion of the second shaft is located in the groove formed in the second jig so that the second shaft can be moved in the row direction when the second jig is moved. 다수의 반도체소자 각각이 안착되고 행렬형태로 배치되는 다수의 서브스테이지, 다수의 상기 서브스테이지들의 열(列)방향 이동을 안내하며 다수의 상기 서브스테이지들의 행간 간격을 조절하기 위한 행간 간격조절장치 및 다수의 상기 서브스테이지들의 행(行)방향 이동을 안내하며 다수의 상기 서브스테이지들의 열간 간격을 조절하기 위한 열간 간격조절장치를 포함하여, 상기 다수의 서브스테이지로 구성된 스테이지(stage)의 평면 상에 안착된 다수의 상기 반도체소자들 간의 행방향 및 열방향 간격을 조절하는 소자스테이지부;A plurality of substages each of which a plurality of semiconductor devices are seated and arranged in a matrix form, an interline space adjusting device for guiding column-direction movement of the plurality of substages, and adjusting a space between the plurality of substages; On the plane of the stage consisting of the plurality of substages, including a thermal spacing device for guiding the row direction movement of the plurality of substages and for adjusting the spacing of the plurality of substages. An element stage unit for controlling row and column spacing between a plurality of the semiconductor elements; 반도체소자들 간의 간격을 조절하기 위하여 다수의 반도체소자들을 제1트레이(tray)에서 상기 소자스테이지부의 스테이지로 이송시키는 제1피커부; 및A first picker unit for transferring a plurality of semiconductor devices from a first tray to a stage of the device stage unit to adjust a distance between semiconductor devices; And 상기 소자스테이지부에서 간격이 조절된 상기 다수의 반도체소자들을 상기 스테이지에서 제2트레이로 이송시키는 제2피커부; 를 포함하되,A second picker unit configured to transfer the plurality of semiconductor devices whose spacing is adjusted in the device stage unit from the stage to a second tray; , &Lt; / RTI & 상기 열간 간격조절장치는The hot spacing device 상기 서브스테이지의 행방향 이동을 안내하는 제2샤프트;A second shaft for guiding the row movement of the substage; 상기 제2샤프트를 지지하는 제2샤프트지지대;A second shaft support for supporting the second shaft; 상기 제2샤프트가 열방향으로 이동되도록 홈이 형성되어 있는 제2지그; 및A second jig having a groove formed to move the second shaft in a column direction; And 상기 제2지그를 상하로 이동시키는 동력장치;를 포함하고,And a power unit for moving the second jig up and down. 상기 제2샤프트의 일부분이 상기 제2지그에 형성된 상기 홈에 위치하여 상기 제2지그가 이동하는 경우 제2샤프트가 행방향으로 이동될 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체소자이송시스템.And a portion of the second shaft is located in the groove formed in the second jig so that the second shaft can be moved in the row direction when the second jig is moved.
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