KR101102012B1 - Method of forming fine structure using partial curing - Google Patents

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박성제
김사라
김기돈
이지혜
최준혁
최대근
서갑양
정준호
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한국기계연구원
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    • H01L21/0275—Photolithographic processes using lasers

Abstract

PURPOSE: A fine structure formation method which uses a partial hardening process is provided to attach a target material by partial hardening a hardening polymer, thereby easily arranging various shapes of fine structures on a wide substrate. CONSTITUTION: A polymer pattern which includes a partial hardening layer is arranged on a first base substrate(S1). The first base substrate is installed in a target substrate in which a target material is coated in order to mutually connect the target material and partial hardening layer(S2). The partial hardening layer is completely hardened in order to attach the target material to the partial hardening layer(S3). The first base substrate is separated from the target substrate(S4).

Description

부분경화를 이용한 미세구조 형성방법{Method of forming fine structure using partial curing}Method of forming fine structure using partial curing}

본 발명은 부분경화를 이용하여 기판상에 미세한 구조를 형성하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 경화성 고분자를 부분경화하여 타겟물질을 접착시킴으로써, 기판상에 미세구조를 형성하거나, 다층의 구조물을 간이하게 형성할 수 있는 미세구조 형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for forming a fine structure on a substrate using partial curing, and more particularly, to form a microstructure on a substrate or to form a multi-layer structure by bonding the target material by partially curing the curable polymer. It relates to a microstructure forming method that can be easily formed.

일반적으로 기판상에 패턴등의 미세구조를 형성하는 방법으로는 광학 리소그래피법, 나노임프린트 등이 널리 이용되고 있다. 나노기술에서 탑-다운 방식의 대표적인 기술인 광학 리소그라피(Optical Lithography) 기술은, 점차 미세화가 진행됨에 따라 노광 장비 자체의 초기 투자 비용의 지수함수적 증가와 더불어, 사용되는 빛의 파장과 같은 정도의 해상도를 갖는 마스크의 가격도 급등하게 되는 등 여러 가지 문제들을 내포하고 있다. 다시 말해, 기존의 리소그라피 기술들은 나노미터 영역까지 연장해 가는 기술 개발의 어려움과 더불어 이러한 기술이 과연 경제적 효용성을 가지느냐에 커다란 의문을 제기하고 있다.Generally, optical lithography, nanoimprint, or the like is widely used as a method of forming a microstructure such as a pattern on a substrate. Optical Lithography, a typical top-down technology in nanotechnology, has the same resolution as the wavelength of light used, with an exponential increase in the initial investment of the exposure equipment itself as the process of miniaturization gradually progresses. There are a number of problems, such as the price of a mask having a surge. In other words, existing lithography technologies raise the question of whether they are economically feasible with the difficulty of developing technologies that extend to the nanometer range.

이러한 상황에서 대두된 것이 나노 임프린트(nano imprint) 기술이다. 나노 임프린트 기술은 컴팩트 디스크(CD)와 같은 마이크로 스케일의 패턴을 갖는 고분자 소재 제품의 대량 생산에 사용되는 엠보싱(embossing) 기술을 리소그라피에 적용한 것이다. 나노 임프린트의 핵심은 전자빔 리소그라피나 다른 방법을 이용하여 나노스케일의 구조를 갖는 템플릿(template)(또는 스탬퍼(stamper))을 제조하고, 제작된 템플릿을 고분자 박막에 임프린트하여 나노 스케일의 구조를 전사하고, 이를 반복 사용함으로써 전자빔 리소그라피의 생산성 문제를 극복하는 것이다.What emerges in this situation is nano imprint technology. Nanoimprint technology is an embossing technique for lithography that is used for mass production of polymer material products with microscale patterns such as compact discs (CD). The core of the nanoimprint is to prepare a template (or stamper) having a nanoscale structure using electron beam lithography or other methods, and to imprint the nanoscale structure by imprinting the fabricated template onto a polymer thin film. By using it repeatedly, the productivity problem of electron beam lithography is overcome.

하지만, 나노 임프린트 기술은 강한 압력을 가하기 때문에 음각 몰드 또는 다양한 크기의 패턴을 가지는 몰드를 사용하여 패턴을 형성하기가 쉽지 않고, 넓은 면적에 패턴을 형성하는 것이 쉽지 않은 문제점이 있어왔다. 또한, 다층의 미세구조물을 형성하기 어려운 문제점이 있어 왔다.However, the nanoimprint technology has a problem that it is not easy to form a pattern using an intaglio mold or a mold having a pattern of various sizes because of the strong pressure applied, it is difficult to form a pattern in a large area. In addition, there has been a problem that it is difficult to form a multi-layered microstructure.

따라서, 본 발명의 목적은 다양한 재료를 기판에서 선택적으로 제거하기 용이한 미세구조 형성방법을 제공함에 있다. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method for forming a microstructure that is easy to selectively remove various materials from a substrate.

또한, 넓은 면적의 기판에 다양한 형상의 미세구조물을 용이하게 형성할 수 있는 미세구조 형성방법을 제공함에 있다. In addition, the present invention provides a method for forming a microstructure that can easily form a microstructure of various shapes on a large area of the substrate.

아울러, 간이한 방법으로 다층의 미세구조물을 형성할 수 있는 미세구조물 형성방법을 제공함에 있다. In addition, it is to provide a microstructure formation method that can form a multi-layer microstructure in a simple way.

또한, 다향한 재질의 패턴을 매우 얇은 박막으로 형성할 수 있는 미세구조 형성방법을 제공함에 있다. In addition, the present invention provides a method for forming a microstructure capable of forming a pattern of various materials into a very thin film.

상술한 목적은 본 발명에 따라, 도포되는 UV 경화성 물질에 UV를 조사하여 부분경화함으로써 형성되는 부분경화층을 가지는 고분자패턴을 제1베이스기판상에 마련하는 부분경화층 형성 단계; 상기 부분경화층이 형성된 상기 제1베이스기판을 타겟물질이 도포된 타겟기판에 상기 부분경화층과 상기 타겟물질이 상호 접하도록 설치되는 단계; 상기 타겟물질 중 상기 부분경화층과 접한 영역이 상기 부분경화층에 접착되도록 상기 부분경화층을 완전 경화시키는 경화단계; 상기 부분경화층에 접착된 타겟물질이 상기 제1베이스기판과 함께 상기 타겟기판으로부터 이탈되도록 상기 제1베이스기판을 상기 타겟기판으로부터 분리하는 분리단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 부분경화를 이용한 미세구조 형성방법에 의해 달성된다. According to the present invention, there is provided a partially cured layer forming step of preparing a polymer pattern having a partially cured layer formed by partially curing by applying UV to a UV curable material to be applied; Installing the first base substrate on which the partial hardening layer is formed so that the partial hardening layer and the target material are in contact with each other on a target substrate to which a target material is applied; A curing step of completely curing the partial curing layer such that a region in contact with the partial curing layer of the target material adheres to the partial curing layer; And a separating step of separating the first base substrate from the target substrate such that the target material adhered to the partial hardening layer is separated from the target substrate together with the first base substrate. It is achieved by the formation method.

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또한, 상기 타겟물질은 그래핀 또는 메탈 중 어느 하나인 것을 특징으로 하며, 상기 부분경화층은 레진으로 형성되는 것을 특징으로 한다. In addition, the target material is characterized in that any one of graphene or metal, the partial hardening layer is characterized in that formed of a resin.

한편, 상술한 목적은, 상기 부분경화된 제1베이스 기판과 동일한 제2베이스 기판을 준비하는 단계; 상기 제2베이스 기판을 상기 분리단계 이후에 형성된 제1베이스기판에 상호 마주보도록 접촉시키는 단계; 상기 제2베이스 기판을 완전경화시키는 단계; 상기 완전경화된 제2베이스기판을 상기 제1베이스기판으로부터 분리시키는 단계에 의해 달성된다. On the other hand, the above object is to prepare a second base substrate the same as the partially cured first base substrate; Contacting the second base substrate to face the first base substrate formed after the separating step; Fully curing the second base substrate; Is achieved by separating the fully cured second base substrate from the first base substrate.

본 발명에 따르면, 다양한 재료를 기판에서 선택적으로 제거하기 용이한 미세구조 형성방이 제공된다. According to the present invention, there is provided a microstructure forming room that is easy to selectively remove various materials from a substrate.

또한, 넓은 면적의 기판에 다양한 형상의 미세구조물을 용이하게 형성할 수 있는 미세구조 형성방법이 제공된다. In addition, there is provided a microstructure forming method that can easily form a microstructure of various shapes on a large area of the substrate.

아울러, 간이한 방법으로 다층의 미세구조물을 형성할 수 있는 미세구조물 형성방법이 제공된다. In addition, there is provided a microstructure forming method capable of forming a multi-layer microstructure by a simple method.

도 1은 본 발명에 따른 부분경화를 이용한 미세구조 형성방법을 개략적으로 도시한 개략도이다.
도 2는 본 발명에 따른 부분경화를 이용한 미세구조 형성방법의 단계를 도시한 흐름도이다.
도 3은 본 발명에 따라 형성된 제1베이스기판을 도시한 사시도이다.
도 4는 본 발명에 따라 형성된 타겟기판을 도시한 사시도이다.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 부분경화를 이용한 미세구조 형성방법의 단계를 도시한 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 부분경화를 이용한 미세구조 형성방법을 개략적으로 도시한 개략도이다.1 is a schematic diagram schematically showing a method for forming a microstructure using partial curing according to the present invention.
2 is a flowchart illustrating the steps of a method for forming a microstructure using partial curing according to the present invention.
3 is a perspective view showing a first base substrate formed according to the present invention.
4 is a perspective view illustrating a target substrate formed according to the present invention.
5 is a flowchart illustrating steps of a method for forming a microstructure using partial curing according to a second embodiment of the present invention.
6 is a schematic diagram schematically showing a method for forming a microstructure using partial curing according to a second embodiment of the present invention.

설명에 앞서, 여러 실시예에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1실시예와 다른 구성에 대해서 설명하기로 한다.Prior to the description, in the various embodiments, components having the same configuration will be representatively described in the first embodiment using the same reference numerals, and in other embodiments, different configurations from the first embodiment will be described. do.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 제1실시예에 따른 부분경화를 이용한 미세구조 형성방법에 대하여 상세하게 설명한다. Hereinafter, a method of forming a microstructure using partial curing according to a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 부분경화를 이용한 미세구조 형성방법을 도식적으로 나타낸 것이며, 도 2는 본 발명에 따른 부분경화를 이용한 미세구조 형성방법을 나타낸 흐름도이다. 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명은 제1베이스기판(10)상에 부분경화층(11a)을 가지는 고분자 물질을 상에 형성시키는 부분경화층 형성 단계(S1), 제1베이스기판(10)과 타겟기판(20)을 상호 접하도록 설치하는 설치단계(S2), 제1베이스기판(10)의 부분경화층(11a)을 완전경화시키는 완전경화단계(S3), 제1베이스기판(10)과 타겟기판(20)을 상호 분리시키는 분리단계(S4)로 이루어진다. 1 is a schematic view showing a method for forming a microstructure using partial curing according to the present invention, Figure 2 is a flow chart showing a method for forming a microstructure using partial curing according to the present invention. As shown in the figure, the present invention is a partial hardened layer forming step (S1), the first base substrate 10 to form a polymer material having a partial hardened layer (11a) on the first base substrate (10) And the installation step (S2) for installing the target substrate 20 to be in contact with each other, the complete curing step (S3) for completely curing the partial hardening layer (11a) of the first base substrate 10, the first base substrate 10 And a separation step (S4) of separating the target substrate 20 from each other.

부분경화층 형성단계(S1)에서는 제1베이스기판(10)상에 경화성 고분자 물질을 도포하고 패터닝한다. 경화성 고분자 물질은 레진으로 마련되며 자외성(UV)에 경화되는 성질의 고분자 물질은 어느 것이든지 무방하다. 또한, 도포된 고분자 물질을 부분경화층(11a)을 가지도록 패터닝하는 방법으로는 여러 가지 방법이 있지만, 본 설명에서는 아래의 방법으로 패터닝하는 것으로 설명한다. 즉, 자외선 경화성의 고분자 박막 상에 소정의 몰드(M)를 위치시킨 후 모세관력에 의하여 고분자 박막이 몰드(M)의 음각부로 유동하여 음각부분을 채우게 되고, 자외선을 조사하여 부분경화층(11a)을 형성시킨다. 이에 의해 양각부분(11a)의 높이에 따라 부분적으로 경화시키게 된다. 즉, 양각부분(11a)의 위쪽영역은 완전히 경화되지 않고, 아래쪽 영역은 완전경화되도록 경화시간을 조정한다면 부분경화층(11a)을 형성할 수 있게 된다. 예를 들어, 고분자 박막으로 PUA로 사용하고, 몰드로서 PUA 또는 PDMS소재를 사용하면, 자외선을 약 5초 내지 21초 동안 조사하여 약 5㎛ 이내의 부분경화층(11a)을 형성할 수 있다. In the step of forming a partially hardened layer (S1), a curable polymer material is coated and patterned on the first base substrate 10. The curable polymer material may be made of a resin, and any polymer material having a property of being cured to ultraviolet (UV) may be used. In addition, there are various methods for patterning the coated polymer material to have the partial hardened layer 11a. However, in the present description, the method is patterned by the following method. That is, after the predetermined mold M is placed on the UV curable polymer thin film, the polymer thin film flows to the intaglio portion of the mold M by capillary force, thereby filling the intaglio portion, and irradiating UV light to partially cured layer 11a. ). Thereby, it hardens partially according to the height of the relief part 11a. That is, if the upper region of the embossed portion 11a is not completely cured, and the lower region is adjusted to be completely cured, the partial curing layer 11a can be formed. For example, when a polymer thin film is used as a PUA and a PUA or PDMS material is used as a mold, ultraviolet rays are irradiated for about 5 seconds to 21 seconds to form the partial hardened layer 11a within about 5 μm.

다음으로, 설치단계(S2)에서는 제1베이스기판(10)과 타겟물질(21)이 도포된 타겟기판(20)을 상호 도포면이 상호 마주 보도록 배치시킨다. 즉, 부분경화층(11a)과 타겟물질(21)을 서로 맞닿도록 배치한다. 이에 따라, 양각부분의 부분경화층(11a)은 타겟물질(20)에 접촉하게 되고, 음각부분(11b)은 타겟물질(21)에 접촉하지 않게 된다.Next, in the installation step (S2), the first base substrate 10 and the target substrate 20 coated with the target material 21 are disposed so that the mutually coated surfaces face each other. That is, the partial hardening layer 11a and the target material 21 are disposed to abut each other. Accordingly, the partial hardened layer 11a of the embossed portion is in contact with the target material 20, and the intaglio portion 11b is not in contact with the target material 21.

완전경화단계(S3)에서는 제1베이스기판(10)의 부분경화층(11a)을 완전히 경화시키는 단계이다. 즉, 타겟물질(21)과 접촉된 부분경화층(11a)에 자외선을 조사하여 완전경화시킨다. 부분경화층(11a)이 완전경화될 때, 부분경화층(11a)에 접촉된 타겟물질(21a)은 부분경화층(11a)에 접착된다. 따라서, 타겟기판(20)상에 도포된 타겟물질(21) 중 제1베이스기판(10)상에 패터닝된 부분경화층(11a)과 결합하게 되고, 음각부분(11b)과 타겟물질(21b)은 접촉하지 않기 때문에 부분경화층(11a)과 접한 타겟물질(21a)만 제1베이스기판(10)측에 접착되는 효과가 나타나게 된다.In the complete curing step S3, the partial curing layer 11a of the first base substrate 10 is completely cured. That is, ultraviolet rays are irradiated to the partially hardened layer 11a in contact with the target material 21 to completely cure the ultraviolet rays. When the partial hardening layer 11a is completely cured, the target material 21a in contact with the partial hardening layer 11a is adhered to the partial hardening layer 11a. Therefore, among the target materials 21 applied on the target substrate 20, the partial hardening layer 11a patterned on the first base substrate 10 is combined, and the intaglio portion 11b and the target material 21b are combined. Since silver does not contact, only the target material 21a in contact with the partial hardening layer 11a is adhered to the first base substrate 10 side.

이어 분리단계(S4)에서는 제1베이스기판(10)과 타겟기판(20)을 서로 분리시킨다. 이에 따라, 타겟물질(21) 중 제1베이스기판(10)의 부분경화층(11a)에 접한 영역은 부분경화층(11a)이 완전경화됨에 따라 제1베이스기판(10)과 함께 타겟기판(20)으로부터 분리되고 부분경화층(11a)에 접하지 않은 영역은 그대로 타겟기판(20)에 남게 된다.Subsequently, in the separating step S4, the first base substrate 10 and the target substrate 20 are separated from each other. Accordingly, the region of the target material 21 which is in contact with the partial hardening layer 11a of the first base substrate 10 is completely cured with the first base substrate 10 as the partial hardening layer 11a is completely hardened. The area separated from 20 and not in contact with the partially hardened layer 11a remains on the target substrate 20 as it is.

따라서, 상술한 방법을 따르면 두가지 결과물을 얻을 수 있게 된다. 즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1베이스기판(10)에 패터닝된 고분자물질의 상면에 타겟물질(21a)이 형성됨으로써 다층구조물이 형성되고, 또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 타겟 기판(20)이 제1베이스기판(10)과 분리될 때 제1베이스기판(10)에 패터닝된 부분경화층(11a)의 패턴과는 반대의 패턴으로 타겟기판(20)에 형성된다. Therefore, according to the above method, two results can be obtained. That is, as shown in FIG. 3, the target material 21a is formed on the upper surface of the patterned polymer material on the first base substrate 10, thereby forming a multilayer structure. Also, as shown in FIG. When the substrate 20 is separated from the first base substrate 10, the substrate 20 is formed on the target substrate 20 in a pattern opposite to the pattern of the partially hardened layer 11a patterned on the first base substrate 10.

여기서, 타겟물질(20)은 여러가지가 될 수 있으나 그래핀으로 마련될 경우에는, 필요에 따라 제1베이스기판(10)의 고분자물질 상에 그래핀이 형성된 패턴을 얻을 수 있으며, 타겟기판(20) 상에 그래핀이 형성된 패턴을 얻을 수 있게 된다. 또한, 상술한 단계를 수차례 반복하여 실시할 경우에 타겟기판(20)상의 그래핀을 보다 박막의 그래핀을 형성할 수 있게 된다. Here, the target material 20 may be various, but when provided with graphene, a pattern in which graphene is formed on the polymer material of the first base substrate 10 may be obtained if necessary, and the target substrate 20 may be obtained. It is possible to obtain a pattern on which graphene is formed. In addition, when the above-described steps are repeated several times, the graphene on the target substrate 20 may be formed to form graphene of a thinner film.

다음으로 본 발명의 제2실시예에 따른 부분경화를 이용한 미세구조 형성방법에 대하여 설명한다. 본 발명의 제2실시에에 따른 부분경화을 이용한 미세구조 형성방법은 상술한 제1실시예의 결과물을 이용하는 것으로, 타겟물질을 보다 얇게 형성시키는 기술이다. 본 발명의 제2실시예는 제2베이스기판 준비단계(S5), 배치단계(S6), 완전경화단계(S7), 분리단계(S8)로 이루어진다. Next, a method of forming a microstructure using partial curing according to a second embodiment of the present invention will be described. The method for forming a microstructure using partial curing according to the second embodiment of the present invention uses the resultant of the first embodiment, and is a technique of forming the target material thinner. The second embodiment of the present invention consists of a second base substrate preparation step (S5), arrangement step (S6), complete curing step (S7), separation step (S8).

준비단계(S5)에서는 제1실시예에서의 제1베이스기판(10)과는 별도로, 부분경화층(31a)이 패터닝된 제2베이스기판(30)을 준비한다. 여기서 부분경화층(31a)의 패턴은 제1베이스기판 기판(10)에 형성된 패턴과는 동일한 패턴으로 형성된다. In the preparation step S5, the second base substrate 30 on which the partial hardening layer 31a is patterned is prepared separately from the first base substrate 10 in the first embodiment. Here, the pattern of the partially hardened layer 31a is formed in the same pattern as the pattern formed on the first base substrate substrate 10.

이어, 배치단계(S6)에서는 제1베이스기판(10)과 제2베이스기판(30)을 상호 마주보도록 배치하는 단계이다. 제1실시예의 결과물로 마련되는 제1베이스기판(10)이 제1실시예에서의 타겟기판(20)의 역할을 대신하게 된다. Subsequently, in the arrangement step S6, the first base substrate 10 and the second base substrate 30 are disposed to face each other. The first base substrate 10 provided as a result of the first embodiment replaces the role of the target substrate 20 in the first embodiment.

이어 완전경화단계(S7)에서는 제2베이스기판(30)의 부분경화층(31a)을 완전경화시킨다. 이럴 경우, 제1베이스기판(10)의 부분경화층(11a)의 상면에 형성된 그래핀의 상면이 제2베이스기판(30)의 부분경화층(31a)과 완전히 접착된다. Subsequently, in the complete curing step S7, the partial curing layer 31a of the second base substrate 30 is completely cured. In this case, the upper surface of the graphene formed on the upper surface of the partial curing layer 11a of the first base substrate 10 is completely adhered to the partial curing layer 31a of the second base substrate 30.

이어 분리단계(S8)를 거치게 되면 제1베이스기판(10) 및 제2베이스기판(30)의 부분경화층(11a, 31a)의 상면에 각각 그래핀(21a)이 도포되게 된다. 이러한 과정을 수차례 반복하게 된다면 미세한 박막의 그래핀을 고분자물질 상에 패터닝 시킬 수 있게 되며, 또한 다층의 미세구조물이 용이하게 형성될 수 있게 된다. Subsequently, when the separation step S8 is performed, graphene 21a is applied to the upper surfaces of the partial hardening layers 11a and 31a of the first base substrate 10 and the second base substrate 30, respectively. If this process is repeated several times, the graphene of the fine thin film can be patterned on the polymer material, and the multi-layered microstructure can be easily formed.

10: 제1베이스기판 11: 경화성 고분자 물질
11a: 부분경화층(양각부분) 11b : 음각부분
120: 타겟기판 21: 타겟물질
30: 제2베이스기판 31a: 부분경화층
M: 몰드10: first base substrate 11: curable polymer material
11a: partially hardened layer (embossed portion) 11b: engraved portion
120: target substrate 21: target material
30: second base substrate 31a: partial hardening layer
M: Mold

Claims (5)

도포되는 UV 경화성 물질에 UV를 조사하여 부분경화함으로써 형성되는 부분경화층을 가지는 고분자패턴을 제1베이스기판상에 마련하는 부분경화층 형성 단계;
상기 부분경화층이 형성된 상기 제1베이스기판을 타겟물질이 도포된 타겟기판에 상기 부분경화층과 상기 타겟물질이 상호 접하도록 설치되는 단계;
상기 타겟물질 중 상기 부분경화층과 접한 영역이 상기 부분경화층에 접착되도록 상기 부분경화층을 완전 경화시키는 경화단계;
상기 부분경화층에 접착된 타겟물질이 상기 제1베이스기판과 함께 상기 타겟기판으로부터 이탈되도록 상기 제1베이스기판을 상기 타겟기판으로부터 분리하는 분리단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 부분경화를 이용한 미세구조 형성방법.A partial curing layer forming step of providing a polymer pattern having a partial curing layer formed by partially curing the UV curable material to be applied by UV irradiation on a first base substrate;
Installing the first base substrate on which the partial hardening layer is formed so that the partial hardening layer and the target material are in contact with each other on a target substrate to which a target material is applied;
A curing step of completely curing the partial curing layer such that a region in contact with the partial curing layer of the target material adheres to the partial curing layer;
And a separating step of separating the first base substrate from the target substrate such that the target material adhered to the partial hardening layer is separated from the target substrate together with the first base substrate. Formation method. 제1항에 있어서,
상기 타겟물질은 그래핀 또는 메탈 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 부분경화를 이용한 미세구조 형성방법.The method of claim 1,
The target material is a microstructure formation method using partial hardening, characterized in that any one of graphene or metal. 제1항에 있어서,
상기 부분경화층은 레진으로 형성되는 것을 특징으로 하는 부분경화를 이용한 미세구조 형성방법.The method of claim 1,
The partial hardening layer is a microstructure formation method using partial hardening, characterized in that formed of resin. 제2항에 있어서,
상기 부분경화된 제1베이스기판과 동일한 제2베이스 기판을 준비하는 단계;
상기 제2베이스 기판을 상기 분리단계 이후에 형성된 기판에 상호 마주보도록 접촉시키는 단계;
상기 제2베이스기판을 완전경화시키는 단계;
상기 완전경화된 제2베이스기판을 상기 제1베이스기판으로부터 분리시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 부분경화를 이용한 미세구조 형성방법.

The method of claim 2,
Preparing a second base substrate identical to the partially hardened first base substrate;
Contacting the second base substrate to face each other after the separation step;
Completely curing the second base substrate;
And separating the fully hardened second base substrate from the first base substrate.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20080023487A (en) * 2006-09-11 2008-03-14 엘지전자 주식회사 Metal patterning method using transfer printing
KR20090119041A (en) * 2008-05-15 2009-11-19 삼성전자주식회사 Method of manufacturing imprint substrate and method of imprinting

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