KR101094127B1 - Light Emitting Diode Package - Google Patents

Light Emitting Diode Package Download PDF

Info

Publication number
KR101094127B1
KR101094127B1 KR1020100014004A KR20100014004A KR101094127B1 KR 101094127 B1 KR101094127 B1 KR 101094127B1 KR 1020100014004 A KR1020100014004 A KR 1020100014004A KR 20100014004 A KR20100014004 A KR 20100014004A KR 101094127 B1 KR101094127 B1 KR 101094127B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sub
light emitting
emitting diode
package
resin layer
Prior art date
Application number
KR1020100014004A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20110094543A (en
Inventor
권순목
이창형
김하철
Original Assignee
일진반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 일진반도체 주식회사 filed Critical 일진반도체 주식회사
Priority to KR1020100014004A priority Critical patent/KR101094127B1/en
Publication of KR20110094543A publication Critical patent/KR20110094543A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101094127B1 publication Critical patent/KR101094127B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 몰드 컵 내에 배치되는 서브-패키지, 상기 서브-패키지와 전기적으로 연결되며 상기 몰드 컵 외부로 확장되어 배치되는 리드 단자 및 상기 몰드 컵 내의 상기 서브-패키지를 둘러싸도록 배치되는 봉지 수지층을 포함한다. 상기 서브-패키지는 상기 리드 단자와 전기적으로 연결되는 리드 프레임, 상기 리드 프레임 상에 배치되는 발광 다이오드 칩, 상기 발광 다이오드 칩을 둘러싸는 형광체 수지층 및 상기 발광 다이오드 칩과 상기 형광체 수지층을 수용하는 투광성 재질의 컵부를 구비한다.The LED package according to an embodiment may surround a sub-package disposed in a mold cup, a lead terminal electrically connected to the sub-package and extending out of the mold cup, and the sub-package in the mold cup. The sealing resin layer arrange | positioned is included. The sub-package receives a lead frame electrically connected to the lead terminal, a light emitting diode chip disposed on the lead frame, a phosphor resin layer surrounding the light emitting diode chip, and the light emitting diode chip and the phosphor resin layer. It is provided with a cup portion made of a light transmitting material.

Description

발광 다이오드 패키지 {Light Emitting Diode Package}Light Emitting Diode Package

본 출원은 대체로 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광 다이오드 칩을 이중으로 몰딩하는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.The present application generally relates to a light emitting diode package, and more particularly, to a light emitting diode package that double-moulds a light emitting diode chip.

발광 다이오드는 P-N 접합의 양단에 순방향의 전류를 인가하여 광을 방출하도록 하는 광전 변환 소자이다. 발광 다이오드는 각종 전자 표시 장치 등에 널리 적용되고 있으며, 최근에 백색광을 구현하는 기술이 개발되어 조명 장치로도 그 응용 범위를 넓히고 있다.A light emitting diode is a photoelectric conversion element that emits light by applying a forward current to both ends of a P-N junction. The light emitting diode is widely applied to various electronic display devices and the like, and recently, a technology for realizing white light has been developed to expand its application range as a lighting device.

상기 백색광을 구현하는 기술의 일 예는 청색 발광의 화합물 반도체를 적용하는 발광 다이오드와 황색 계열의 발광 물질의 형광체를 이용하는 것이다. 상기 형광체는 다양한 화합물이 적용되고 있으며, 신뢰성 있는 백색광을 구현하기 위한 연구가 지속되고 있다. 상술한 상기 청색 발광 다이오드와 상기 황색 형광체를 이용하여 백색광을 구현하는 기술의 경우, 적용되는 형광체의 종류에 따라 방출되는 백색광의 파장은 다양한 분포 특성을 보이게 된다. One example of a technique for implementing the white light is to use a light emitting diode to which a blue light emitting compound semiconductor is applied and a phosphor of a yellow-based light emitting material. Various compounds are applied to the phosphor, and research for realizing reliable white light continues. In the case of the technique of implementing the white light using the blue light emitting diode and the yellow phosphor described above, the wavelength of the white light emitted according to the type of the phosphor applied has various distribution characteristics.

이에 대하여 조명용 백색 발광장치에 있어서 광질을 평가하는 기준의 하나로 연색성 평가지수(CRI)를 들 수 있는데, CRI는 태양광을 물체에 비출 때를 기준(CRI = 100, 단위는 Ra)으로 인공 조명기구의 빛을 물체에 비출 때 15개 기준색상을 인지하는 정도를 나타낸 평가지수를 말한다. 현재 백열전구의 CRI는 80 이상이고 형광램프의 경우는 75 이상인데, 상용화된 백색 발광장치의 CRI는 대략 65∼75 정도를 나타낸다. 최근 업계의 관심은 기준 광원에 가까운 CRI가 높은 고연색성 백색광 구현하는 기술에 있으며, 일 예로 한국공개특허 2005-0071780은 다층의 형광체층을 적층하여 고연색성의 백색광 구현 기술을 개시하고 있다. 이상과 같이, 발광 다이오드에서 고연색성을 가진 백색광을 보다 경제적이고 신뢰성 있게 구현할 수 있는 새로운 기술의 등장을 업계는 기대하고 있는 실정이다.On the other hand, one of the criteria for evaluating the light quality in the lighting white light emitting device is the color rendering index (CRI), CRI is artificial lighting fixtures based on the time (CRI = 100, unit Ra) to shine the sunlight on the object It is an evaluation index indicating the degree to which 15 reference colors are recognized when light is emitted to an object. The CRI of the incandescent lamp is 80 or more and the fluorescent lamp is 75 or more. The CRI of a commercially available white light emitting device is about 65 to 75. Recently, the interest in the industry is a technology for implementing high color rendering white light having a high CRI close to a reference light source. As described above, the industry expects the emergence of a new technology capable of more economically and reliably realizing white light having high color rendering in light emitting diodes.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 외부 환경으로부터 효과적으로 보호되어 신뢰성 있는 발광을 하는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a light emitting diode package that is effectively protected from the external environment to emit light reliably.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 단일의 패키지 내부에서 원하는 색온도를 가지는 발광을 구현할 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a light emitting diode package capable of realizing light emission having a desired color temperature within a single package.

상기의 기술적 과제를 이루기 위한 본 출원의 일 측면에 따른 발광 다이오드 패키지는 몰드 컵 내에 배치되는 서브-패키지, 상기 서브-패키지와 전기적으로 연결되며 상기 몰드 컵 외부로 확장되어 배치되는 리드 단자 및 상기 몰드 컵 내의 상기 서브-패키지를 둘러싸도록 배치되는 봉지 수지층을 포함한다. 상기 서브-패키지는 상기 리드 단자와 전기적으로 연결되는 리드 프레임, 상기 리드 프레임 상에 배치되는 발광 다이오드 칩, 상기 발광 다이오드 칩을 둘러싸는 형광체 수지층 및 상기 발광 다이오드 칩과 상기 형광체 수지층을 수용하는 투광성 재질의 컵부를 구비한다.The LED package according to an aspect of the present application for achieving the above technical problem is a sub-package disposed in a mold cup, a lead terminal electrically connected to the sub-package and extended out of the mold cup and the mold An encapsulating resin layer disposed to enclose the sub-package in a cup. The sub-package receives a lead frame electrically connected to the lead terminal, a light emitting diode chip disposed on the lead frame, a phosphor resin layer surrounding the light emitting diode chip, and the light emitting diode chip and the phosphor resin layer. It is provided with a cup portion made of a light transmitting material.

일 실시 예에 따르면, 상기 몰드 컵 내에 배치되는 상기 서브-패키지는 복수 개일 수 있다. 상기 복수의 서브-패키지는 상기 몰드 컵 내에서 전기적으로 병렬 또는 직렬로 연결될 수 있다. 상기 복수의 서브-패키지로부터 방출되는 빛은 서로 혼색되어 외부로 방출될 수 있다.According to one embodiment, the sub-packages disposed in the mold cup may be a plurality. The plurality of sub-packages may be electrically connected in parallel or in series in the mold cup. Light emitted from the plurality of sub-packages may be mixed with each other and emitted to the outside.

다른 실시 예에 따르면, 상기 봉지 수지층은 외부로부터 유입되는 수분 또는 가스가 상기 서브-패키지와 접촉하는 것을 방지할 수 있다.According to another embodiment, the encapsulation resin layer may prevent the water or gas introduced from the outside from contacting the sub-package.

또 다른 실시 예에 따르면, 상기 패키지 몸체의 상기 투광성 재질의 상기 컵부는 상기 발광 다이오드 칩의 상면 및 측면 방향으로 광을 투과시킬 수 있다.According to another embodiment, the cup part of the translucent material of the package body may transmit light in the top and side directions of the light emitting diode chip.

또 다른 실시 예에 따르면, 상기 형광체 수지층 및 상기 봉지 수지층은 적어도 한층의 형광체 구비층과 적어도 한층의 봉지층을 포함하는 복층 구조물일 수 있다.According to another embodiment, the phosphor resin layer and the encapsulation resin layer may be a multilayer structure including at least one phosphor-containing layer and at least one encapsulation layer.

본 출원에 따르는 발광 다이오드 패키지는 형광체 수지층 및 이와 구분되는 봉지 수지층을 구비할 수 있으며, 상기 봉지 수지층은 발광을 담당하는 서브-패키지를 외부 습기 또는 외부 가스로부터 보호할 수 있다. 이를 통해, 발광 특성과 관련된 기계적 전기적 신뢰성을 개선하는 발광 다이오드 패키지를 구현할 수 있다.The light emitting diode package according to the present application may include a phosphor resin layer and an encapsulation resin layer that is distinguished from the encapsulation resin layer, and the encapsulation resin layer may protect the sub-package responsible for light emission from external moisture or an external gas. Through this, it is possible to implement a light emitting diode package that improves the mechanical and electrical reliability related to the light emitting characteristics.

본 출원에 따르는 발광 다이오드 패키지는 상기 서브-패키지가 투광성의 재질의 컵부를 구비함으로써, 넓은 지향각을 가지는 발광을 할 수 있다. 따라서, 서로 다른 파장의 발광을 구현하는 복수의 상기 서브-패키지를 몰딩 컵 내에 실장함으로써 다양한 색온도를 가지는 발광 다이오드 패키지를 구현할 수 있다.
In the LED package according to the present application, since the sub-package includes a cup portion made of a light-transmissive material, the LED package can emit light having a wide directing angle. Accordingly, the LED package having various color temperatures may be implemented by mounting a plurality of the sub-packages in the molding cup to emit light of different wavelengths.

도 1은 본 출원의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 개략적으로 설명하는 도면이다.
도 2는 본 출원의 일 실시 예에 따른 도 1의 발광 다이오드 패키지를 A-A’라인을 따라 절취한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타내는 도면이다. 1 is a view schematically illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present application.
2 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of the LED package of FIG. 1 according to an exemplary embodiment of the present application.
3 is a view showing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 출원의 실시 예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 본 출원에 개시된 기술은 여기서 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 단지, 여기서 소개되는 실시 예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 출원의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 각 장치의 구성요소를 명확하게 표현하기 위하여 상기 구성요소의 폭이나 두께 등의 크기를 다소 확대하여 나타내었다. 전체적으로 도면 설명시 관찰자 시점에서 설명하였고, 일 요소가 다른 요소 위에 위치하는 것으로 언급되는 경우, 이는 상기 일 요소가 다른 요소 위에 바로 위치하거나 또는 그들 요소들 사이에 추가적인 요소가 개재될 수 있다는 의미를 모두 포함한다. 또한, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 출원의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 출원의 사상을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 그리고, 복수의 도면들 상의 동일 부호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭한다.
Hereinafter, exemplary embodiments of the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the technology disclosed in the present application is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. However, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed contents are thorough and complete, and that the spirit of the present application is sufficiently conveyed to those skilled in the art. In the drawings, the width, thickness, and the like of the components are enlarged in order to clearly express the components of each device. When described in the drawings as a whole, at the point of view of the observer, when one element is referred to as being positioned on top of another, this means that one element may be placed directly on top of another or that additional elements may be interposed between them. Include. In addition, one of ordinary skill in the art may implement the spirit of the present application in various other forms without departing from the technical spirit of the present application. And, like numerals in the plurality of drawings refer to substantially the same element.

도 1은 본 출원의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 개략적으로 설명하는 도면이다. 도 1의 (a)는 상기 발광 다이오드 패키지의 전개도이며, 도 1의 (b)는 상기 발광 다이오드 패키지의 사시도이다. 1 is a view schematically illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present application. FIG. 1A is an exploded view of the LED package, and FIG. 1B is a perspective view of the LED package.

도 1의 (a) 및 (b)를 참조하면, 발광 다이오드 패키지(100)은 몰드 컵(110), 서브-패키지(120), 리드 단자(130) 및 봉지 수지층(140)을 포함한다. 몰드 컵(110)은 내부에 서브-패키지(120)를 수용할 수 있다. 도시된 바와 같이, 몰드 컵(110)은 복수의 서브-패키지(120)를 포함할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 몰드 컵(110)은 상기 복수의 서브-패키지(120)를 서로 전기적으로 연결하는 도전 베이스를 포함할 수 있다. 상기 도전 베이스는 몰드 컵(110)의 양단에서 외부로 확장되어 배치되는 리드 단자(130)와 전기적으로 연결되어, 외부 전원으로부터 인가되는 전기적 신호를 상기 복수의 서브-패키지(120)로 전달할 수 있다.Referring to FIGS. 1A and 1B, the LED package 100 includes a mold cup 110, a sub-package 120, a lead terminal 130, and an encapsulating resin layer 140. Mold cup 110 may house sub-package 120 therein. As shown, the mold cup 110 may include a plurality of sub-packages 120. Although not shown, the mold cup 110 may include a conductive base that electrically connects the plurality of sub-packages 120 to each other. The conductive base may be electrically connected to the lead terminals 130 extending outwardly from both ends of the mold cup 110 to transmit an electrical signal applied from an external power source to the plurality of sub-packages 120. .

서브-패키지(120)는 발광 다이오드 칩 및 형광체 수지층을 포함하고 있으며, 리드 단자(130)와 전기적으로 연결되는 리드 프레임을 구비할 수 있다. 상기 형광체 수지층은 형광체 및 상기 형광체를 균일하게 수용하는 수지를 포함한다. 상기 발광 다이오드 칩은 고유의 파장의 빛을 발생시킬 수 있으며, 상기 형광체 수지층은 상기 발광 다이오드 칩으로부터 발생된 빛을 소정의 다른 파장을 가진 빛으로 변환할 수 있다. 서브-패키지(120)는 상기 리드 프레임 및 리드 단자(130)를 통해 외부 신호를 수신하고, 이에 대응하여 소정의 파장을 가진 빛을 발광한다. 일 실시 예에 따르면, 서브-패키지(120)는 몰드 컵(110) 내에 복수 개로 존재할 수 있으며, 상기 복수 개의 서브-패키지(120)는 전기적으로 병렬 또는 직렬로 연결되도록 배치될 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 상기 복수 개의 서브-패키지(120) 중 적어도 하나는 나머지 서브-패키지와 서로 다른 파장의 빛을 방출할 수 있다. 상기 복수 개의 서브-패키지(120)로부터 방출되는 서로 다른 파장을 가지는 빛은 서로 혼색되어 다양한 색온도를 구현할 수 있다. 이러한 서로 다른 파장을 가지는 빛은 서브-패키지(120) 내의 발광 다이오드 칩의 종류 또는 형광체 수지층의 종류를 달리 적용함으로써 획득할 수 있다. The sub-package 120 may include a light emitting diode chip and a phosphor resin layer, and may include a lead frame electrically connected to the lead terminal 130. The phosphor resin layer includes a phosphor and a resin that uniformly accommodates the phosphor. The light emitting diode chip may generate light having a unique wavelength, and the phosphor resin layer may convert light generated from the light emitting diode chip into light having a predetermined different wavelength. The sub-package 120 receives an external signal through the lead frame and the lead terminal 130 and emits light having a predetermined wavelength corresponding thereto. According to one embodiment, a plurality of sub-packages 120 may exist in the mold cup 110, and the plurality of sub-packages 120 may be arranged to be electrically connected in parallel or in series. According to an embodiment, at least one of the plurality of sub-packages 120 may emit light having a wavelength different from that of the remaining sub-packages. Light having different wavelengths emitted from the plurality of sub-packages 120 may be mixed with each other to implement various color temperatures. Light having different wavelengths may be obtained by differently applying the type of light emitting diode chip or the type of phosphor resin layer in the sub-package 120.

일 실시 예에 있어서, 복수의 서브-패키지(120)는 각각 적색, 녹색 및 청색 파장을 발광하는 서브-패키지를 포함할 수 있다. 일 예로서, 상기 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 서브-패키지는, 동일한 파장의 빛을 발광하는 발광 다이오드 칩들을 제공하고 상기 발광 다이오드 칩들 상부에 각각 적색, 녹색, 청색의 파장으로 변환할 수 있는 서로 다른 형광체 수지층을 배치함으로써 구현할 수 있다. 구체적으로, 상기 형광체 수지층 내의 적색계 형광체는 600nm 이상 660 nm 미만의 파장영역에서 발광피크를 가질 수 있으며, 상기 형광체 수지층 내의 녹색계 형광체는 500nm 이상 550nm 이하의 파장영역에서 발광피크를 가질 수 있다. 또, 상기 형광체 수지층 내의 청색계 형광체는 460nm 이상 500nm 미만의 파장영역에서 발광피크를 가질 수 있다. 다른 예로서, 상기 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 서브-패키지는, 서로 다른 파장의 빛을 발광하는 발광 다이오드 칩들을 제공하고, 상기 발광 다이오드 칩들 상에 서로 동일하거나 다른 파장으로 변환할 수 있는 형광체 수지층들을 각각 배치함으로써 구현할 수 있다. In one embodiment, the plurality of sub-packages 120 may include sub-packages that emit red, green, and blue wavelengths, respectively. As an example, the sub-packages emitting red, green and blue light may provide light emitting diode chips emitting light of the same wavelength and convert the red, green, and blue wavelengths onto the light emitting diode chips, respectively. This can be achieved by disposing different phosphor resin layers. Specifically, the red phosphor in the phosphor resin layer may have a light emission peak in the wavelength region of 600nm or more and less than 660nm, the green phosphor in the phosphor resin layer may have a light emission peak in the wavelength region of 500nm or more and 550nm or less. . In addition, the blue-based phosphor in the phosphor resin layer may have a light emission peak in a wavelength range of 460 nm or more and less than 500 nm. As another example, the red, green, and blue sub-packages provide light emitting diode chips that emit light of different wavelengths and are capable of converting to the same or different wavelengths on the light emitting diode chips. It can implement by arrange | positioning each resin layer.

상술한 바와 같이, 상기의 서브-패키지들은 빛의 삼원색을 발광할 수 있으므로 발광 다이오드 패키지(100)는 상기의 각 서브-패키지가 발광하는 적색, 녹색 및 청색을 혼색함으로써 백색을 구현할 수 있다. 또는, 발광 다이오드 패키지(100)는 각 서브-패키지가 방출하는 빛의 세기를 조절함으로써 색좌표의 다양한 색을 제조할 수 있다. As described above, since the sub-packages may emit three primary colors of light, the LED package 100 may implement white by mixing red, green, and blue light emitted from each of the sub-packages. Alternatively, the LED package 100 may manufacture various colors of color coordinates by adjusting the intensity of light emitted by each sub-package.

다른 실시 예에 의하면, 상기 복수 개의 서브-패키지(120)는 실질적으로 동일한 파장의 빛을 방출할 수 있다. 서브-패키지(120) 내의 발광 다이오드 칩 및 형광체 수지층을 동일하게 적용함으로써, 상기 복수 개의 서브-패키지(120)는 서로 동일한 색상의 빛을 방출할 수 있다. 일 예로서, 서브-패키지(120) 내의 상기 발광 다이오드 칩으로서 GaN, InGaN, AlGaN 또는 AlGaInN 와 같은 질화갈륨계열의 청색 발광 다이오드 칩을 사용하고, 형광체로서 이트륨-알루미늄-가넷(Yttrium Aluminum, Garnet, YAG), 테르비움-알루미늄-가넷(Terbium, Aluminum, Garnet, TAG) 또는 실리케이트 화합물을 사용하여 백색을 발광하는 서브-패키지를 제공할 수 있다.According to another embodiment, the plurality of sub-packages 120 may emit light having substantially the same wavelength. By applying the LED chip and the phosphor resin layer in the sub-package 120 in the same manner, the plurality of sub-packages 120 may emit light of the same color. As an example, a gallium nitride series blue light emitting diode chip such as GaN, InGaN, AlGaN or AlGaInN is used as the light emitting diode chip in the sub-package 120, and yttrium aluminum, garnet, YAG), Terbium-Aluminum-Garnet (Terbium, Aluminum, Garnet, TAG) or silicate compounds may be used to provide sub-packages that emit white light.

리드 단자(130)는 서브-패키지(120)와 전기적으로 연결되며 몰드 컵(110)의 양단에서 외부로 확장되어 배치될 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 리드 단자(130)는 대응되는 복수의 서브-패키지(120)와 전기적 직렬 또는 병렬로 연결되도록 배치될 수 있다. 발광 다이오드 패키지(100)는 인쇄회로기판에 실장될 수 있으며, 이 경우, 리드 단자(130)은 상기 인쇄회로기판의 회로와 연결되어 외부 전원으로부터 전압을 제공받을 수 있다. 리드 단자(130)는 상기 전압을 서브-패키지(120)에 인가하여 서브-패키지가 발광하게 할 수 있다.The lead terminal 130 may be electrically connected to the sub-package 120 and may be disposed to extend outwardly from both ends of the mold cup 110. According to an embodiment, the lead terminal 130 may be arranged to be electrically connected in series or in parallel with a corresponding plurality of sub-packages 120. The LED package 100 may be mounted on a printed circuit board. In this case, the lead terminal 130 may be connected to a circuit of the printed circuit board to receive a voltage from an external power supply. The lead terminal 130 may apply the voltage to the sub-package 120 to cause the sub-package to emit light.

봉지 수지층(140)은 몰드 컵(110) 내의 서브-패키지(120)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 봉지 수지층(140)은 투광성을 지니며, 일 예로서, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 실리콘과 에폭시의 혼합 수지 등으로 이루어질 수 있다. 봉지 수지층(140)은 발광 다이오드 패키지(100) 내부에서 발생한 빛을 외부로 투과시킬 수 있다. 봉지 수지층(140)은 발광 다이오드 패키지(100) 외부로부터 수분 또는 가스가 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있다. The encapsulation resin layer 140 may be disposed to surround the sub-package 120 in the mold cup 110. The encapsulation resin layer 140 has a light transmitting property, and may be formed of, for example, an epoxy resin, a silicone resin, a mixed resin of silicon and epoxy, and the like. The encapsulation resin layer 140 may transmit light generated in the light emitting diode package 100 to the outside. The encapsulating resin layer 140 may prevent water or gas from flowing into the light emitting diode package 100 from the outside.

발명자는, 발광 다이오드 패키지(100) 외부에서 수분 또는 가스가 내부로 유입되는 경우, 상기 수분 또는 가스가 상기 형광체 수지층의 상기 형광체와 반응할 수 있으며, 이로서 형광체가 오염될 수 있다는 것을 발견하였다. 이렇게 형광체가 오염되는 경우, 발광 다이오드 칩으로부터 발생된 빛의 파장이 신뢰성 있게 소정의 파장으로 변환될 수 없게 되고, 이에 따라 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출되는 빛의 색온도도 변화하게 된다. 발광 다이오드 패키지(100) 내에서 형광체 수지층은 발광 다이오드 칩을 둘러싸도록 배치되고, 형광체 및 상기 형광체를 수용하는 몰딩 수지로 이루어 질 수 있다. 일반적으로 상기 형광체의 비중은 상기 몰딩 수지보다 높아서 상기 몰딩 수지 내에 균일하게 분포하지 않으며, 특히 상기 형광체 수지층의 하부에 상기 형광체가 분포할 수 있다. 이 때, 일 예로서, 외부로부터 유입된 수분이나 가스가 리드 프레임 등을 통해 상기 형광체와 접촉하는 경우, 상기 형광체가 오염될 수 있다. 이로서, 국부적으로 오염된 형광체는 발광 다이오드 칩으로부터 발생하는 빛의 파장을 정상적으로 변환하지 못하게 된다. 본 실시 예에서, 봉지 수지층(140)을 별도로 적용함으로써, 상기 형광 수지층이 외부의 수분 또는 가스와 접촉하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 봉지 수지층(140)의 수분 및 소정의 가스가 침투하지 못하는 재질을 선택할 수 있다.The inventors have discovered that when moisture or gas is introduced into the LED package 100 from the outside, the moisture or gas may react with the phosphor of the phosphor resin layer, thereby contaminating the phosphor. When the phosphor is contaminated in this way, the wavelength of the light generated from the light emitting diode chip cannot be reliably converted to a predetermined wavelength, and thus the color temperature of the light emitted from the light emitting diode package 100 is also changed. The phosphor resin layer in the light emitting diode package 100 may be disposed to surround the light emitting diode chip, and may include a phosphor and a molding resin accommodating the phosphor. In general, the specific gravity of the phosphor is higher than that of the molding resin, so that it is not uniformly distributed in the molding resin, and in particular, the phosphor may be distributed under the phosphor resin layer. In this case, as an example, when moisture or gas introduced from the outside comes into contact with the phosphor through a lead frame, the phosphor may be contaminated. As a result, the locally contaminated phosphor does not normally convert the wavelength of light generated from the light emitting diode chip. In the present embodiment, by separately applying the encapsulation resin layer 140, the fluorescent resin layer may be effectively prevented from contacting with external moisture or gas. A material that does not penetrate moisture and a predetermined gas of the encapsulating resin layer 140 may be selected.

상술한 본 실시 예에 따르면, 서브-패키지는 발광 다이오드 칩을 형광체를 포함하는 형광체 수지층으로 패키지하고, 발광 다이오드 패키지는 상기 서브-패키지를 봉지 수지층으로 패키지한다. 이로서, 상기 발광 다이오드 칩을 형광체 수지층 및 봉지 수지층을 사용하여 이중으로 몰딩하는 상기 발광 다이오드 패키지를 제공할 수 있다. 상기 서브-패키지는 발광 다이오드 칩으로부터 발생하는 빛을 소정의 파장으로 변환시켜 방출하는 기능을 하며, 상기 발광 다이오드 패키지는 복수의 상기 서브-패키지로부터 발생하는 빛을 혼색시켜 소정의 색온도를 가진 빛으로 변환할 수 있다. 상기 변환된 소정의 색온도를 가진 빛은 상기 발광 다이오드 외부로 방출할 수 있다. 또, 상기 발광 다이오드 패키지의 상기 봉지 수지층은 외부로부터 유입되는 수분 또는 가스가 상기 서브-패키지와 접촉하는 것을 방지할 수 있다.According to the present embodiment described above, the sub-package packages the light emitting diode chip into a phosphor resin layer including a phosphor, and the light emitting diode package packages the sub-package into an encapsulating resin layer. As a result, the LED package may be formed by molding the LED chip into a double layer using a phosphor resin layer and an encapsulation resin layer. The sub-package converts light emitted from the LED chip into a predetermined wavelength and emits the light, and the LED package mixes light generated from the plurality of sub-packages into light having a predetermined color temperature. I can convert it. Light having the converted predetermined color temperature may be emitted to the outside of the light emitting diode. In addition, the encapsulation resin layer of the LED package may prevent the water or gas introduced from the outside from contacting the sub-package.

도 2는 본 출원의 일 실시 예에 따른 도 1의 발광 다이오드 패키지를 A-A’라인을 따라 절취한 단면도이다. 도 2를 참조하면, 발광 다이오드 패키지(100)은 몰딩 컵(110) 내에 배치되는 서브-패키지(120) 및 서브-패키지(120)를 둘러싸는 봉지 수지층(140)을 포함한다. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of the LED package of FIG. 1 according to an exemplary embodiment of the present application. Referring to FIG. 2, the LED package 100 includes a sub-package 120 disposed in the molding cup 110 and an encapsulating resin layer 140 surrounding the sub-package 120.

서브-패키지(120)은 서브-패키지 몸체(210), 리드 프레임(220), 발광 다이오드 칩(230) 및 형광체 수지층(260)을 포함한다. 발광 다이오드 칩(230)은 리드 프레임(220) 상에 배치된다. 리드 프레임(220)은 발광 다이오드 칩(230)과 도전 베이스(212)를 전기적으로 연결한다. 도전 베이스(212)는 도 1에 도시된 대응하는 리드 단자(130)와 전기적으로 연결되어, 외부 전원으로부터 전압을 인가 받을 수 있다. 도시된 바와 같이, 한 쌍의 도전 베이스(212) 양단에 걸리는 상기 전압은 리드 프레임(220)과 본딩 와이어(250)을 거쳐 발광 다이오드 칩(230)에 인가된다. 이에 대응하여, 발광 다이오드 칩(230)은 고유의 파장을 지닌 빛을 방출한다. 형광체 수지층(260)은 몰딩 수지 내에 형광체가 고르게 분산된 형태의 구조물일 수 있다. 상기 몰딩 수지는 일 예로서, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지, 실리콘 수지, 또는 이들의 혼합 수지일 수 있다. 일 예로서, 백색 광을 발광하는 발광 다이오드 패키지의 경우, GaN 계열의 청색 발광 다이오드 칩을 사용하고, 형광체로서 이트륨-알루미늄-가넷(Yttrium Aluminum, Garnet, YAG), 테르비움-알루미늄-가넷(Terbium, Aluminum, Garnet, TAG) 또는 공지의 실리케이트 계 화합물을 사용할 수 있다.The sub-package 120 includes a sub-package body 210, a lead frame 220, a light emitting diode chip 230, and a phosphor resin layer 260. The light emitting diode chip 230 is disposed on the lead frame 220. The lead frame 220 electrically connects the LED chip 230 and the conductive base 212. The conductive base 212 may be electrically connected to the corresponding lead terminal 130 shown in FIG. 1 to receive a voltage from an external power source. As shown, the voltage across the pair of conductive bases 212 is applied to the LED chip 230 via the lead frame 220 and the bonding wire 250. Correspondingly, the LED chip 230 emits light having a unique wavelength. The phosphor resin layer 260 may be a structure in which phosphors are evenly dispersed in the molding resin. For example, the molding resin may be an epoxy resin, an acrylic resin, a polyimide resin, a urea resin, a silicone resin, or a mixed resin thereof. For example, in the case of a light emitting diode package emitting white light, a GaN-based blue light emitting diode chip is used, and as a phosphor, yttrium aluminum, garnet (YAG), and terbium aluminum garnet (Terbium) , Aluminum, Garnet, TAG) or known silicate-based compounds can be used.

컵부(270)는 서브-패키지 몸체(210)의 상부에 배치되며, 발광 다이오드 칩(230) 및 형광체 수지층(260)을 수용한다. 컵부(270)은 투광성 재질로 형성될 수 있으며, 발광 다이오드 칩(230)을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다. 투광성 재질의 컵부(270)는 발광 다이오드 칩(230)으로부터 발생하는 빛 또는 형광체 수지층(260)과 반응하여 파장이 변환된 빛을 발광 다이오드 칩(230)의 측면 방향(즉, X 방향)으로도 투과시킬 수 있다. 이로서, 서브-패키지(120)은 발광 다이오드 칩(230)의 상면(즉, Y 방향) 및 측면 방향(즉, X 방향)을 포함하는 보다 넓은 방향으로 빛을 방출할 수 있다. 본 출원의 일 실시예에 따르면, 도 1에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 패키지(100)는 복수개의 서브-패키지를 구비할 수 있으며, 각각의 서브-패키지에서의 투광성 재질의 컵부는 발광 다이오드 칩의 측면 방향으로도 빛을 투과시킬 수 있다. 따라서, 상기 각각의 서브-패키지는 상면 및 측면 방향으로 빛을 방출할 수 있어서, 단일의 발광 다이오드 칩이 가지는 지향각과 실질적으로 동일한 지향각을 가질 수 있다. 이로서, 각각의 서브-패키지로부터 발생되는 빛은 발광 다이오드 패키지(100)에서 보다 효율적으로 혼색될 수 있다. 그리고, 효율적으로 혼색된 빛은 발광 다이오드 패키지(100) 외부로 방출됨으로써, 고연색성과 고휘도를 구현할 수 있도록 한다. 발광 다이오드 패키지(100)는 서로 다른 색상을 발광하는 복수의 서브-패키지를 구비할 수 있으므로, 상기 서로 다른 색상을 효율적으로 혼색하여 색좌표의 다양한 색상을 구현할 수 있다. The cup part 270 is disposed above the sub-package body 210 and accommodates the LED chip 230 and the phosphor resin layer 260. The cup part 270 may be formed of a light transmissive material and may have a shape surrounding the light emitting diode chip 230. The cup portion 270 of the light transmissive material reacts with the light generated from the light emitting diode chip 230 or the phosphor resin layer 260 to convert the light whose wavelength is converted into the side direction (ie, X direction) of the light emitting diode chip 230. It can also be transmitted. As such, the sub-package 120 may emit light in a wider direction including the top surface (ie, Y direction) and the lateral direction (ie, X direction) of the LED chip 230. According to one embodiment of the present application, as shown in FIG. 1, the LED package 100 may include a plurality of sub-packages, and the cup portion of the translucent material in each sub-package is a light emitting diode chip. It can also transmit light in the lateral direction. Thus, each of the sub-packages may emit light in the top and side directions, so that each sub-package may have a direction angle substantially the same as that of a single LED chip. As such, light generated from each sub-package may be more efficiently mixed in the LED package 100. In addition, the efficiently mixed light is emitted to the outside of the light emitting diode package 100, thereby realizing high color rendering and high brightness. Since the LED package 100 may include a plurality of sub-packages that emit different colors, the LED package 100 may efficiently mix different colors to implement various colors of color coordinates.

몇몇 실시 예들에 따르면, 형광층 수지층(260)은 적어도 한 층의 형광체 구비층과 적어도 한 층의 봉지층을 포함할 수 있다. 일 예로서, 형광층 수지층(260)은 두 층 이상의 형광체 구비층을 포함할 수 있다. 상기 두 층 이상의 형광체 구비층은 서로 동일하거나 상이한 형광체를 포함할 수 있다. 상기 두 층 이상의 형광체 구비층은 발광 다이오드 칩(230)으로부터 발생하는 빛의 파장을 효과적으로 변환시키는 역할을 할 수 있다. 상기 적어도 한 층의 봉지층은 상기 적어도 한 층의 형광체 구비층 상부에 배치되어, 외부로부터 유입되는 습기 또는 가스가 상기 적어도 한 층의 형광체 구비층과 접촉하는 것을 보다 효과적으로 방지하는 역할을 할 수 있다.According to some embodiments, the phosphor layer resin layer 260 may include at least one phosphor-containing layer and at least one encapsulation layer. As an example, the phosphor layer resin layer 260 may include two or more phosphor-containing layers. The two or more phosphor-containing layers may include the same or different phosphors. The two or more phosphor-equipped layers may effectively convert wavelengths of light generated from the light emitting diode chip 230. The at least one encapsulation layer may be disposed on the phosphor-containing layer of the at least one layer, and more effectively prevent moisture or gas from coming into contact with the phosphor-containing layer of the at least one layer. .

도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타내는 도면이다. 도 3을 참조하면, 발광 다이오드 패키지(300)은 발광 다이오드 패키지(100)에서 몰드 컵(110)의 상부에 렌즈부(310)를 더 포함한다. 렌즈부(310)은 발광 다이오드 패키지(300)의 상면으로 방출되는 빛을 수렴하여 적절한 방향성을 부여할 수 있다. 발광 다이오드 패키지(300)는 복수의 서브-패키지에서 방출된 빛을 혼합하여, 상부의 렌즈부(310)을 통해 고연색성 및 고휘도의 빛으로 방출할 수 있다. 또한, 다양한 색상의 구현이 가능하므로 야외 경관 조명, 공장등, 실내외 무드조명으로 기능할 수 있으며, 디스플레이의 백라이트와 같은 전기기기에 효율적으로 작용할 수 있다.3 is a view showing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the LED package 300 further includes a lens unit 310 on the mold cup 110 in the LED package 100. The lens unit 310 may confer light emitted to the upper surface of the LED package 300 to impart proper directionality. The light emitting diode package 300 may mix the light emitted from the plurality of sub-packages, and may emit light having high color rendering and high brightness through the upper lens unit 310. In addition, since it is possible to implement a variety of colors, it can function as outdoor landscape lighting, factory lights, indoor and outdoor mood lighting, and can effectively work on electrical devices such as backlight of the display.

상술한 바와 같이, 본 출원의 실시예들에 따르면, 발광 다이오드 칩을 형광체 수지층으로 일차적으로 패키징하여 서브-패키지를 형성한다. 발광 다이오드 패키지는 상기 서브-패키지를 봉지 수지층으로 이차적으로 패키징한다. 서브-패키지는 형광체를 포함하는 수지층을 사용하여, 발광 다이오드 칩으로부터 발생하는 빛을 원하는 소정의 파장으로 가장 효율적으로 변환하도록 한다. 형광체 수지층은 상기 봉지 수지층에 의해 외부의 습기 또는 가스로부터 격리되므로, 형광체 오염과 같은 문제점을 해결할 수 있다. 상기 서브-패키지는 상기 발광 다이오드 패키지 내에서 복수 개로 배치되며, 상기 서브-패키지 내의 컵부는 복수의 서브-패키지로부터 방출되는 빛을 보다 효율적으로 혼색되게 작용한다. 이로서, 발광 다이오드 패키지는 다양한 색상의 발광을 구현할 수 있으며, 고연색성 및 고휘도를 가진 빛을 제공할 수 있게 된다.As described above, according to embodiments of the present application, the LED chip is first packaged into the phosphor resin layer to form a sub-package. The LED package secondary packaging the sub-package into an encapsulating resin layer. The sub-package uses a resin layer comprising phosphors to most efficiently convert light generated from the light emitting diode chip to a desired wavelength. Since the phosphor resin layer is isolated from external moisture or gas by the encapsulation resin layer, problems such as phosphor contamination can be solved. The sub-packages are arranged in plural in the light emitting diode package, and the cup portion in the sub-package serves to more efficiently mix light emitted from the plurality of sub-packages. As a result, the LED package can implement light emission of various colors, and can provide light having high color rendering and high brightness.

이와 같이, 상기에서는 본 개시된 기술의 바람직한 실시 예를 참조하여 발광 다이오드 패키지를 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 개시된 기술의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 개시된 기술을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, the light emitting diode package has been described with reference to a preferred embodiment of the disclosed technology, but a person skilled in the art does not depart from the spirit and scope of the disclosed technology described in the claims below. It will be appreciated that various modifications and variations can be made in the presently disclosed technology.

100, 300: 발광 다이오드 패키지, 110: 몰드 컵, 120: 서브-패키지, 130: 리드 단자, 140: 봉지 수지층,
210: 서브-패키지 몸체, 212: 도전 베이스, 220: 리드 프레임, 230: 발광 다이오드 칩, 250: 본딩 와이어, 260: 형광체 수지층, 270: 컵부,
310: 렌즈부100, 300: light emitting diode package, 110: mold cup, 120: sub-package, 130: lead terminal, 140: sealing resin layer,
210: sub-package body, 212: conductive base, 220: lead frame, 230: light emitting diode chip, 250: bonding wire, 260: phosphor resin layer, 270: cup portion,
310: lens unit

Claims (9)

발광 다이오드 패키지에 있어서,
몰드 컵 내에 배치되는 복수의 서브-패키지;
상기 복수의 서브-패키지와 전기적으로 연결되며 상기 몰드 컵 외부로 확장되어 배치되는 리드 단자; 및
상기 몰드 컵 내의 상기 복수의 서브-패키지를 둘러싸도록 배치되는 봉지 수지층을 포함하고,
상기 복수의 서브-패키지는
상기 리드 단자와 전기적으로 연결되는 리드 프레임;
상기 리드 프레임 상에 배치되는 발광 다이오드 칩;
상기 발광 다이오드 칩을 둘러싸는 형광체 수지층; 및
상기 발광 다이오드 칩과 상기 형광체 수지층을 수용하는 투광성 재질의 컵부를 포함하는
발광 다이오드 패키지.In the light emitting diode package,
A plurality of sub-packages disposed in the mold cup;
A lead terminal electrically connected to the plurality of sub-packages and disposed to extend out of the mold cup; And
An encapsulation resin layer disposed to enclose the plurality of sub-packages in the mold cup,
The plurality of sub-packages
A lead frame electrically connected to the lead terminal;
A light emitting diode chip disposed on the lead frame;
A phosphor resin layer surrounding the light emitting diode chip; And
It includes a light-transmissive cup portion for receiving the light emitting diode chip and the phosphor resin layer
LED package. 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 복수의 서브-패키지는 상기 몰드 컵 내에서 전기적으로 병렬 또는 직렬로 연결되는 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 1,
And the plurality of sub-packages are electrically connected in parallel or in series in the mold cup. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 서브-패키지 중 적어도 하나는 나머지 서브-패키지와 서로 다른 파장의 빛을 방출하는 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 1,
At least one of the plurality of sub-packages emits light of a wavelength different from that of the remaining sub-packages. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 서브-패키지로부터 방출되는 빛은 서로 혼색되어 외부로 방출되는 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 1,
The light emitting diode package emitted from the plurality of sub-packages are mixed with each other and emitted to the outside. 제1 항에 있어서,
상기 봉지 수지층은 외부로부터 유입되는 수분 또는 가스가 상기 서브-패키지와 접촉하는 것을 방지하는 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 1,
The encapsulation resin layer is a light emitting diode package to prevent the water or gas flowing from the outside in contact with the sub-package. 제1 항에 있어서,
상기 패키지 몸체의 상기 투광성 재질의 상기 컵부는 상기 발광 다이오드 칩의 상면 및 측면 방향으로 광을 투과시키는 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 1,
The cup unit of the translucent material of the package body is a light emitting diode package for transmitting light in the upper surface and the lateral direction of the light emitting diode chip. 제1 항에 있어서,
상기 형광체 수지층 및 상기 봉지 수지층은 적어도 한층의 형광체 구비층과 적어도 한층의 봉지층을 포함하는 복층 구조물인 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 1,
The phosphor resin layer and the encapsulation resin layer are light emitting diode packages including at least one phosphor-containing layer and at least one encapsulation layer. 제1 항에 있어서,
상기 몰드 컵의 상부에 렌즈부를 추가적으로 포함하는 발광 다이오드 패키지.


The method according to claim 1,
The LED package further comprises a lens unit on the mold cup.


KR1020100014004A 2010-02-17 2010-02-17 Light Emitting Diode Package KR101094127B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100014004A KR101094127B1 (en) 2010-02-17 2010-02-17 Light Emitting Diode Package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100014004A KR101094127B1 (en) 2010-02-17 2010-02-17 Light Emitting Diode Package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110094543A KR20110094543A (en) 2011-08-24
KR101094127B1 true KR101094127B1 (en) 2011-12-14

Family

ID=44930526

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100014004A KR101094127B1 (en) 2010-02-17 2010-02-17 Light Emitting Diode Package

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101094127B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104300075B (en) * 2013-07-18 2017-03-22 深圳市斯迈得半导体有限公司 White-light LED light source device and manufacturing method

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101007131B1 (en) 2008-11-25 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101007131B1 (en) 2008-11-25 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110094543A (en) 2011-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100930171B1 (en) White light emitting device and white light source module using same
KR102443033B1 (en) Light emitting device package and lighting apparatus having the same
US10032754B2 (en) Light-emitting apparatus and illumination apparatus
KR101618029B1 (en) Light Emitting Device Package and Manufacturing Method thereof
KR102300558B1 (en) Light source module
EP3745476B1 (en) Light emitting device
US8633658B2 (en) Light emitting device module and surface light source device
KR20150095430A (en) Light emitting diode package and light emitting device using the same
US8872419B2 (en) Light emitting device
US8674394B2 (en) Light emitting device package and method of manufacturing the same
KR20120093679A (en) Light emitting device package and manufacturing method thereof
US20120138978A1 (en) Light-emitting diode package
KR101202168B1 (en) High voltage led package
KR101872253B1 (en) Light emitting package, light emitting device and lighting device
KR101094127B1 (en) Light Emitting Diode Package
KR101518459B1 (en) Light emitting diode package
CN101261981B (en) Warm color light source
KR20160028014A (en) Method of manufacturing a semiconductor device package
US20170175957A1 (en) Light-emitting device and illuminating apparatus
KR100990647B1 (en) White light emitting device and white light source module using the same
KR102142718B1 (en) Light emitting device and light apparatus having thereof
KR20130027653A (en) Led white light source module
KR200402110Y1 (en) Light Emitting Diode
KR101518458B1 (en) High voltage led package
KR100998016B1 (en) Light emitting diode package

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141201

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151001

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170530

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171115

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181115

Year of fee payment: 8