KR101086777B1 - 광증폭기 - Google Patents

광증폭기 Download PDF

Info

Publication number
KR101086777B1
KR101086777B1 KR1020090080500A KR20090080500A KR101086777B1 KR 101086777 B1 KR101086777 B1 KR 101086777B1 KR 1020090080500 A KR1020090080500 A KR 1020090080500A KR 20090080500 A KR20090080500 A KR 20090080500A KR 101086777 B1 KR101086777 B1 KR 101086777B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
waveguide region
optical
optical amplifier
internal loss
increase
Prior art date
Application number
KR1020090080500A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100073968A (ko
Inventor
최병석
오대곤
권오균
김동철
김기수
김현수
Original Assignee
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to US12/640,627 priority Critical patent/US8594469B2/en
Publication of KR20100073968A publication Critical patent/KR20100073968A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101086777B1 publication Critical patent/KR101086777B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/067—Fibre lasers
    • H01S3/06754—Fibre amplifiers
    • H01S3/06758—Tandem amplifiers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/26—Optical coupling means
    • G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
    • G02B6/293—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0064—Anti-reflection devices, e.g. optical isolaters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10007—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers
    • H01S3/10015—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers by monitoring or controlling, e.g. attenuating, the input signal

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 광증폭기는, 입사된 광신호를 입력받아 모드를 조절하는 수동 도파로 영역, 및 상기 수동 도파로 영역에 연결되고, 인가되는 전류에 의해 운반자의 농도를 가변함으로써 상기 수동 도파로 영역을 통과한 광신호의 이득을 변조하는 능동 도파로 영역을 형성하는 것을 포함하되, 상기 능동 도파로 영역은, 내부 손실 조절을 통한 공진 현상을 발생시킴으로써, 대역폭을 확장시킬 수 있게 된다. 이로써, 본 발명에 따른 광증폭기는 저전류에서도 넓은 주파수 대역폭을 확보할 수 있다.
SOA, RSOA, 내부 손실, 대역폭, 공진현상

Description

광증폭기{OPTICAL AMPLIFIER}
본 발명은 광증폭기에 관한 것이다.
본 발명은 지식경제부의 IT성장동력기술개발사업의 일환으로 수행한 연구로부터 도출된 것이다[과제관리번호: 2008-S-108-01, 과제명 : FTTH 고도화 광부품 기술개발].
최근 초고속 인터넷 및 다양한 멀티미디어 서비스가 등장함에 따라 대용량의 정보를 제공하기 위한 다양한 네트워크 구조에 대한 연구와 이를 위한 스위치 등의 다양한 연구가 진행되고 있다. 최근에는 대용량 정보를 전화국에서 집까지 광섬유로 연결하는 FTTH(Fiber To The Home) 기술이 세계적으로 활발히 개발되고 있다. FTTH 구현을 위해서 여러 가지 방식의 광가입자망이 연구되고 있으며, 이에 따라 다양한 종류의 광소자가 연구되고 있다.
반도체 광증폭기는 다른 광증폭기에 비해 반도체 기반으로 제작되기에 기존 반도체 광소자와의 집적이 가능하고 소형이며 비선형 특성을 갖고 있어서 증폭기로서 뿐만 아니라 광스위치(Photonic Switch), 광 add/drop 소자, 파장변환기(Wavelength converter) 등 다양한 용도로 사용되고 있다.
본 발명의 목적은 저전류에서 동작가능하며 대역폭 특성이 향상된 반도체 광증폭기를 제공하는데 있다.
본 발명에 따른 광증폭기는, 입사된 광신호를 입력받아 모드를 조절하는 수동 도파로 영역, 및 상기 수동 도파로 영역에 연결되고, 인가되는 전류에 의해 운반자의 농도를 가변함으로써 상기 수동 도파로 영역을 통과한 광신호의 이득을 변조하는 능동 도파로 영역을 형성하는 것을 포함하되, 상기 능동 도파로 영역은 내부 손실 조절을 통한 공진 현상을 이용하여 대역폭이 증대되는 것을 특징으로 한다.
실시 예에 있어서, 상기 능동 도파로 영역은 상기 내부 손실을 증가시키기 위하여 흡수 계수를 증가시키는 것을 특징으로 한다.
실시 예에 있어서, 상기 능동 도파로 영역은 상기 내부 손실을 증가시키기 위하여 도핑되는 것을 특징으로 한다.
실시 예에 있어서, 상기 능동 도파로 영역은 상기 내부 손실을 증가시키기 위하여 산란 손실을 증가시키는 것을 특징으로 한다.
실시 예에 있어서, 상기 능동 도파로 영역은 상기 산란 손실을 증가시키기 위하여 표면 거칠기 혹은 폭을 조절하는 것을 특징으로 한다.
실시 예에 있어서, 상기 능동 도파로 영역에는 상기 고주파 변조 혹은 바이 어싱을 수행하도록 독립적으로 전류 주입이 가능한 레이저 다이오드가 더 포함되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 또 다른 광증폭기는, 입사된 광신호를 입력받아 모드를 조절하는 수동 도파로 영역, 및 상기 수동 도파로 영역에 연결되고, 인가되는 전류에 의해 운반자의 농도를 가변함으로써 상기 수동 도파로 영역을 통과한 광신호의 이득을 변조하는 능동 도파로 영역을 형성하는 것을 포함하되, 상기 능동 도파로 영역은, 제 1 바이어스 전류 및 고주파 신호를 인가함으로써 상기 수동 도파로 영역을 통과한 광신호를 변조하는 변조 영역, 및 제 2 바이어스 전류를 인가함으로써 광신호를 증폭하는 증폭 영역을 포함하되, 상기 변조 영역은 내부 손실 증가를 통한 공진 현상을 이용하며 추가된 증폭 영역과의 작용에 의해 훨씬 더 큰 공진 현상을 발생시켜 대역폭이 증대되는 것을 특징으로 한다.
실시 예에 있어서, 상기 변조 영역은 상기 내부 손실을 증가시키기 위하여 흡수 계수를 증가시키는 것을 특징으로 한다.
실시 예에 있어서, 상기 변조 영역은 상기 내부 손실을 증가시키기 위하여 산란 손실을 증가시키는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 광증폭기는 내부 손실을 조절하여 공진 형상을 발생시킴으로써 대역폭을 확장시킬 수 있게 된다. 이로써, 본 발명에 따른 광증폭기는 저전류에서도 넓은 주파수 대역폭을 확보할 수 있게 된다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명에 따른 광증폭기는 광신호 이득 변조시 내부 손실을 조절하여 공진 현상이 발생되도록 구현될 것이다. 이러한 내부 손실의 조절에는 산란 손실 혹은 흡수 계수 조절 등 포함될 것이다. 또한 내부 손실의 증가를 통한 공진 현상은 대역폭 특성을 증가시킬 것이다. 이로써, 본 발명의 광증폭기는 작은 전류에도 넓은 대역폭을 얻을 수 있게 된다.
도 1은 본 발명에 따른 통신 시스템을 보여주는 도면이다. 1을 참조하면, 통신 시스템(10)은 중앙기지국(100), 옥외 노드(200), 및 가입자단(300)을 포함할 것이다. 본 발명의 가입자단(300)은 내부 손실을 조절할 수 있는 반사형 광증폭기(Reflective Semiconductor Optical Amplifier: RSOA)를 포함할 것이다. 본 발명의 가입자단(300)은 복수의 개별 가입자들(ONT1~ONTN)을 포함할 것이다.
도 1에 도시된 통신 시스템(10)은 광신호를 재활용하는 RSOA(이하 '반사형 광증폭기'라고 함)기반 WDM-PON를 보여주고 있다. 그러나 본 발명의 통신 시스템(10)은 반드시 반사형 광증폭기 기반 WDM-PON에 국한되지 않을 것이다. 본 발명의 통신 시스템은 내부 손실 조절을 통해 공진 현상을 이용하는 광증폭기를 포함한 시스템일 것이다.
중앙기지국(100)은 하향 신호를 송출하기 위한 반사형 광증폭기 혹은 다른 종류의 광원으로 구성된 광송신부(120), 상향 신호를 수신하는 광수신부(140), 광파장을 다중화 및 역다중화하기 위한 광다중화/역다중화기(160)를 포함할 것이다.
옥외 노드(200)는 하나의 AWG(Arrayed Waveguide Grating) 또는 TFF(Thin Film Filter)로 구성된 광다중화/역다중화기(260)를 포함할 것이다. 광다중화/역다중화기(260)에 입력된 다중화된 하향 신호는 파장별로 나누어져서 각 가입자단에게 광섬유를 통하여 전송될 것이다.
가입자단(300)은 광수신기(320), 반사형 광증폭기(340), 및 커플러 혹은 서큘레이터(360)를 포함할 것이다. 가입자단(300)은 개별 소자로 구성되거나 하나의 기판에 집적화될 것이다. 커플러 혹은 서큘레이터(360)는 광섬유를 통해 내려온 하향 광파워를 광전력 예산(power budget)과 반사형 광증폭기(340)의 이득포화 입력파워를 고려하여 광수신기(320) 및 반사형 광증폭기(340)로 나누어 분배한다.
광수신기(320)는 하향 신호 Di(i=1~N)를 수신하고, 반사형 광증폭기(340)는 입력된 하향 신호를 상향 신호 Ui(i=1~N)로 재변조하여 중앙기지국(100)으로 전송할 것이다.
반사형 광증폭기(340)에서 Ui(i=1~N)로 변조된 광신호는 광섬유와 옥외 노드의 광다중화/역다중화기(200)를 통해 다중화되어 광섬유(11)를 통해 중앙기지국(100)으로 전송될 것이다. 중앙기지국(100)으로 입력된 다중화된 광신호는 역다중화기(160)를 통해 역다중화되어 채널(파장)별로 광수신부(140)로 입력될 것이다. 광수신부(140)는 최종적으로 상향 신호 UN을 수신할 것이다.
본 발명의 통신 시스템(10)은 내부 손실의 적절한 조절에 의해 전광 변환 시에 공진 현상을 일으킬 수 있는 반사형 광증폭기(340)를 구비한다. 이로써, 통신 시스템(10)은 종래의 광증폭기에 비해 같은 전류에서 더 넓은 대역폭을 확보할 수 있게 된다. 그 결과로써 본 발명의 통신 시스템(10)은 저전력 소모의 기지국 및 가입자단 모듈을 개발 가능하게 한다.
도 2는 도 1 에 도시된 반사형 광증폭기(340)의 평면도이다. 도 2를 참조하면, 반사형 광증폭기(340)는 수신된 하향 신호(Di)와 능동 도파로 모드의 결합 효율을 향상시키기 위해 모드를 변화시켜 주는 수동 도파로 영역(341) 및 수동 도파로 영역(341)을 통과한 광신호를 전류 주입을 통해 증폭/변조하는 능동 도파로 영역(342)을 포함할 것이다. 본 발명의 능도 도파로 영역(342)은 내부 손실이 증가되도록 구현될 것이다. 이러한 내부 손실의 증가는 공진 현상을 발생시킴으로써 대역폭을 증대시킬 것이다. 내부 손실을 증가하는 방법에 대한 설명은 도 5에서 하도록 하겠다.
수동 도파로 영역(341)과 능동 도파로 영역(342)의 접합은 단일 집적 혹은 하이브리드 형태로 집적될 것이다. 단일 집적일 경우에는, 버트 결합, 에바네슨트 결합, 혹은 선택적 성장 기법을 등이 이용될 것이다.
반사형 광증폭기(340)는 광 섬유(11)와 렌즈와 같은 광결합 부품으로 혹은 직접연결되어 광신호의 반사를 줄일 수 있도록 수동 도파로 영역(341)의 일단에 무반사막(343)이 형성될 수 있다. 또한, 본 발명의 무반사막(343)은 상향 신호(Ui)의 출력면이 될 것이다. 즉, 무반사막(343)은 입력단 및 출력단으로 공용될 것이다.
또한, 반사형 광증폭기(340)는 제품 비용의 절감을 위해 하나의 광섬유(11)를 통해 중앙 기지국(100)에 연결될 것이다. 이를 위해, 무반사막(341)에는 대향하는 능동 도파로 영역(342)의 일단에 수신된 하향 신호(Di)를 반사시키는 고반사막(344)이 형성될 것이다.
반사형 증폭기(340)는 입사된 하향 신호(Di)를 변조하기 위하여 변조 전류(Isig)을 사용할 것이다. 여기서 변조 전류(Isig)을 통해 운반자의 농도가 변화되고, 그 결과로써 광신호의 변조가 이루어진다.
도 2를 다시 참조하면, 수동 도파로 영역(341)은 광섬유(11)와 반도체 광 증폭기(340)의 광결합 효율을 높이기 위한 광모드 변환기(Spot Size Converter: SSC, 345)를 포함할 것이다. 또한, 능동 도파로 영역(342)은 입력된 하향 신호(Di)를 증폭 변조시키는 반도체 광 증폭기(Semiconductor Optical Amplifier: SOA, 346)을 포함할 것이다. 광모드 변환기(345) 및 반도체 광 증폭기(346)에 대한 자세한 설명은 도 3 내지 도 4에서 하도록 하겠다.
도 3은 도 2에 도시된 반사형 광증폭기(340)의 평면도이다. 도 3을 참조하면, 반사형 광증폭기(340)는 능동 도파로(352)와 수동 도파로(355)를 포함할 것이다. 여기서 능동 도파로(352)는 도 2의 능동 도파로 영역(346)에 포함되고, 수동 도파로(355)는 도 2의 광모드 변환기(345)에 포함될 것이다.
반사형 광증폭기(340)는 반사율을 더욱더 낮추기 위해 출사면과 5~30도 정도로 일정한 각도 θ로 기울어진 수동 도파로(355)를 포함할 것이다. 수동 도파로(355)는 광섬유의 광모드와 형태를 비슷하게 만들어 광결합 효율을 증가시킨다. 또한, 광결합 효율을 증대시키기 위한 광모드 변환을 위해서 수동 도파로(355)의 끝단의 폭은 테이퍼링될 것이다.
도 4는 도 3에 도시된 반사형 광증폭기(340)의 D-D' 절단면이다. 도 4를 참조하면, 반사형 광증폭기(340)는 n형 기판(351), 능동 도파로(352), 능동 도파로 상부의 클래드층(353), 클래드층(353)과 p형 전극(356)사이의 오믹 저항을 감소시켜주는 오믹층(354), 전류가 주입되는 p형 전극(356) 및 n형 전극(357)을 포함할 것이다. 여기서 능동 도파로(352)는 매립 헤테로 구조(Buried heterostructure)로 구현될 것이다.
광신호가 입사되는 단면에는 무반사막 (343)이 증착되고, 버트-조인트(Butt-joint)된 수동 도파로(355)는 1.1~1.3 um정도의 밴드갭을 가지는 InGaAsP 층으로 구성될 것이다.
도 5는 도 3에 도시된 반도체 광증폭기(SOA, 340)의 C-C' 절단면이다. 도 5를 참조하면, 능동 도파로(352)의 수평으로 p-InP/n-InP/p-InP (361/362/353) 전류 차단층을 갖는 매립된 헤테로 구조(buried heterostructure)가 형성될 것이다.
능동 도파로(352)는 이득 매질인 i(intrinsic)형 벌크(3521) 및 양자우물구조의 밴드갭이 1.55 um인 i(instrinsic) 형 이득 매질인 i-InGaAsP 벌크(3521) 혹은 양자우물구조와 빛을 효과적으로 구속하기 위한 상하부 SCH(Separate Confinement Heterostructure)층(3522,3523)으로 구현될 것이다. 일반적으로 양자우물 구조는 이득과 포화 특성 및 온도 특성이 우수한 반면에 편광의존성이 크고, 벌크 구조는 능동영역 성장시 인장 응력(tensile stress)을 적절히 인가함으로써 편광의존성 특성을 향상시킬 수는 있으나, 이득과 포화 특성 및 온도 특성이 양자우물 구조에 비해 좋지 않은 단점이 있다.
상부 클래드층(353)은 p-InP으로 구현될 것이다.
하부 클래드층(351)은 n-InP으로 구현될 것이다.
오믹층(354)는 p+-InGaAs으로 구현될 것이다.
능동 도파로(352) 및 수동 도파로(355)는 폭이 0.5~3 um 정도이다. 입사되는 광신호가 입력되는 부분에만 광 모드 변환기(345)가 달리고, 대향하는 반대면에는 고반사막(344)이 증착될 것이다. 광신호의 입출력은 동일한 광섬유를 통해 이루어지고, 이득 매질을 두 번 거쳐 지나는 형태로 제작될 것이다.
이러한 광신호 전달 속도는 기본적으로 운반자 농도에 따라 결정되는 운반자 수명 시간에 의해 결정된다. 따라서, 운반자 농도를 증가시키면 운반자 수명 시간을 감소시킬 수는 있다. 하지만, 종래의 광증폭기에서는 수백 mA 정도 크기의 전류를 가해 주어야 2.5 Gbps급 이상의 신호를 전달할 수 있었다.
반면에 본 발명의 반사형 광증폭기(340)는 능동 도파로 영역(342)의 내부 손실을 증대시키도록 구현됨으로써, 운반자의 수명 시간의 제한으로 발생하는 대역폭의 한계를 공진 현상 발생을 통해 증가시키게 될 것이다. 즉, 본 발명의 반사형 광증폭기(340)는 내부 손실의 증가를 통한 공진 현상을 발생하게 될 것이다. 이로써, 본 발명의 반사형 증폭기(340)는 종래의 광증폭기보다 적은 전류를 공급하더라도 넓은 대역폭을 얻게 된다.
실시 예로써, 본 발명의 내부 손실 증가의 방법은 내부 손실을 구성하는 요 소의 각각 조절함으로써 구현될 것이다. 이러한 내부 손실의 구성 요소에는 흡수 계수, 산란 손실 등이 있다.
먼저, 흡수 계수의 증가는 이득 매질, SCH, 또는 클래드 부분의 도핑량을 조절해 자유 운반자 흡수, 밸런스 밴드간 천이 흡수 등의 효과를 통해 조절해 줄 수 있다. 실시 예로써, 이득 매질(3521), SCH층(3522,3523), 클래드층(351,353)의 도핑을 조절함으로써, 이득 매질에서의 흡수율 및 계면에서의 흡수율이 조절될 수 있다.
또한, 산란 손실의 경우는 도파로 구조의 제작시에 표면 거칠기나 폭 조절 등 공정 조절을 통해 가능하다. 예를 들어, SCH층(3521)과 클래드 층(353) 사이, SCH층(3523)과 클래드층(351) 사이, 이득 매질층(3521) 및 SCH층(3522,3523) 사이의 계면을 거칠기 등의 공정 조절로 필요한 값만큼 산란 손실이 증가될 수 있다.
상술 된 방식으로, 본 발명은 내부 손실을 증대함으로써 반사형 광증폭기(340)의 대역폭을 증가시킬 것이다.
도 6은 본 발명에 따른 다기능 광증폭기(440)에 대한 실시 예를 보여주는 단면도이다. 도 6을 참조하면, 다기능 광증폭기(440)는 도 4에 도시된 반사형 광증폭기(340)와 동일한 구성을 갖는 반사형 광증폭기(442a)에 반도체 광증폭기(442b)를 추가로 하나 더 집적한 소자이다. 반사형 광증폭기(442a) 및 반도체 광증폭기(442b)에 주입되는 전류(Isig, Ibias1, Ibias2)는 도 4에 도시된 변조 전류(Isig) 와 바이어싱 전류이다. 한편, 두 가지 소자의 순서 및 전류 조합은 반대가 될 수도 있다.
도 6에 도시된 추가된 반도체 광증폭기(442a, 442b) 중 어느 하나는 레이저 다이오드(Laser Diode)일 수 있다. 반도체 광증폭기(442b)는 고주파 변조(RF modulation) 및 바이어싱(biasing)을 수행하기 위하여 독립적인 전류 주입이 가능하도록 구현될 것이다.
다기능 광증폭기(440)는 반도체 광증폭기들(442a,442b)의 조합에 의해 더욱 다양한 변조 메커니즘이 더해져 전산모사 결과 대역폭을 더욱 늘릴 수 있는 구조가 될 수 있다. 이 외에 분산 궤환 구조(Distributed Feedback; DFB) 구조나 분산 브래그 거울(Distributed Bragg Reflector; DBR) 구조의 소자를 집적할 수 있다. 이로써 이러한 구조들은 대역폭을 더욱 확장시킬 수 있을 것이다.
도 7은 일반적인 광증폭기와 본 발명의 반사형 광증폭기의 대역폭 특성 차이를 보여주는 도면이다. 도 7의 (b)를 참조하면, 본 발명의 반사형 광증폭기에서는 1GHz 부근의 공진 현상에 의해 주파수에 따라 전류 변조에 의한 광 변조의 효율을 나타내는 전자-광학 반응도(E/O response)가 증가되다가 다시 감소되고 있음을 볼 수 있다. 그 결과 본 발명의 광증폭기는 일반적인 광증폭기보다 대역폭이 증대됨을 알 수 있다. 상술 된 바와 같이 소자의 대역폭 특성에 있어서, 공진 현상이 큰 영향을 미치게 된다.
일반적으로 알려진 전자-광학 반응도 측정 결과는 도 7(a)와 같이 저대역 통과 필터(Low Pass Filter; LPF)와 같이 작용을 하는 것이다. 한편, 이미 변조된 신호가 입력될 때 도파로는 운반자 수명 시간보다 느린 신호는 흡수하는 고대역 통과 필터(High Pass Filter; HPF)와 같이 작용하게 된다. 일정량의 내부 손실에 의 해 이 두 가지 메커니즘이 결합하여 공진 현상이 일어나게 된다.
일반적인 광증폭기는 저대역 통과 필터로서의 작용이 우세하여 도 7의 (a)와 같은 결과를 보인다. 반면에, 내부 손실을 조절해 준 본 발명의 반사형 광증폭기는 도 7의 (b)와 같은 특성 곡선을 얻을 수 있게 된다. 동일한 전류(80mA)에도 본 발명의 반사형 광증폭기가 종래의 광증폭기보다 주파수 대역폭이 훨씬 넓다.
한편, 본 발명에서는 내부 손실의 증가가 공진 현상을 일으키는 중요한 변수가 어 대역폭 특성 향상에 도움을 주지만, 동시에 광파워 같은 정특성의 저하를 심하게 하지 않는 내부 손실을 증가시켜 대역폭의 증가를 얻어야 할 것이다.
도 7을 다시 참조하면, P형 클래드층(353) 및 N형 클래드층(351)의 도핑 농도가 서로 다른 샘플에 대한 대역폭 측정치이다. 도 7의 (a)는 P형 클래드층(353)의 도핑 농도가 3X1023m-3, N형 클래드층(351)의 도핑 농도가 5X1023m-3인 광증폭기의 대역폭이고, 도7의 (b)는 P형 클래드층(353)의 도핑 농도가 5X1023m-3, N형 클래드층(531)의 도핑 농도가 1X1024m- 3 인 광증폭기의 대역폭이다.
도핑된 샘플로 내부 손실에 기여하는 자유 운반자 흡수(free carrier absorption)과 관련된 수학식1은 다음과 같다.
Figure 112009053034110-pat00001
여기서 전체 내부 손실이
Figure 112009053034110-pat00002
이고,
Figure 112009053034110-pat00003
은 자유 전자(free electron)에 의한 흡수이고,
Figure 112009053034110-pat00004
은 자유 정공(free hole)에 의한 흡수이고,
Figure 112009053034110-pat00005
은 산란 손실에 관한 것이다. 수학식 1을 기준으로 증가된 내부 손실은 P형 클래드층(353)이 대략 4cm-1, N형 클래드층(351)이 1.5cm-1 정도되며, 여기에 공정마다 약간 다른 값을 갖게 되는 산란 손실의 영향이 더해 진 결과로 내부 손실이 증가될 것이다.
도 7의 (a)의 대역폭을 갖는 일반적인 광증폭기에 대한 내부 손실을 측정해 보면 대략 15cm-1 정도로 측정된다. 반면에 도 7의 (b)의 대역폭을 갖는 본 발명의 광증폭기에 대한 내부 손실은 30cm-1 정도로 측정되었다. 두 증폭기들 모두 양자효율은 50 % 정도로 비슷하였다. 이로부터 내부 손실 증가에 의한 대역폭 증가가 예상됨을 알 수 있다.
도 8은 동일한 바이어스 전류(80mA)에서 내부 손실에 의해 공진현상이 발생함을 보여주는 전산 모사 그래프이다. 도 8을 참조하면, 내부 손실이 15cm-1인 일반적인 광증폭기(A)의 경우에는 주파수에 따라 전자-광학 반응도 (A.U.; 임의 단위)이 급격하게 떨어지고, 내부 손실이 30 cm-1인 본 발명의 광증폭기(B)에는 약간의 공진 현상이 일어나 DC 값에 비해 전자-광학 반응도 (A.U.; 임의 단위)이 처음에 증가하다 감소하는 경향을 보인다. 따라서, 내부 손실이 30cm-1인 본 발명의 광증폭기(B)는 내부 손실이 15cm-1인 일반적인 광증폭기(B)보다 대역폭이 증대될 것이다.
본 발명은 상술 된 바와 같이 클래드층의 도핑 농도 변화를 통해 내부 손실 의 변화를 줄 수 있었고, 이를 통해 공진 현상을 발생시켜 대역폭 특성을 좋게 할 수 있다.
도 1 내지 도 8에서는 반사형 광증폭기에 관하여 설명하였다. 그러나 본 발명의 광증폭기는 반드시 반사형 광증폭기에 국한될 필요가 없다. 본 발명의 광증폭기는 내부 손실을 조절하여 공진을 일으키는 반도체 광증폭기를 갖는 어떠한 광증폭기에도 적용 가능하다.
도 9은 본 발명에 따른 광증폭기를 이용한 다른 통신 시스템을 보여주는 도면이다. 도 9을 참조하면, 통신 시스템(20)은 파장 주입 광원을 이용하는 파장분할 다중방식 수동형 광 가입자망으로써, 단일 모드 광섬유를 통해 중앙 기지국(100a)과 지역 기지국(200a)이 연결되고, 또 단일 모드 광섬유들을 통해 지역 기지국(200a)과 다수의 가입자 광 단말기들(300a)이 연결된다. 여기서, 단일 모드 광섬유(SMF)는 사용 파장에 있어서 전송 가능한 전파 모드의 수가 하나뿐인 광섬유를 말하며, 현재 광통신에서 주 전송매체로써 가장 널리 사용되고 있다.
본 발명의 광 단말기들(300a)의 하향 광 수신기(320a)는 내부 손실을 조절하여 공진을 발생하는 반도체 광증폭기(SOA)를 포함할 것이다.
이러한, 단일 모드 광섬유는 코어/클래딩/코팅 영역으로 구성되어 있으며, 모드간의 분산이 없기 때문에 다중모드 광섬유에 비해 넓은 대역을 가질 뿐만 아니라, 손실 및 분산 특성이 우수하여 광대역 장거리 전송 가능한 장점을 갖고 있다.
중앙 기지국(100a)은 출력되는 광신호의 파장 대역이 서로 다른 2개의 광대역 광원(상향 광대역 광원(150a) 및 하향 광대역 광원(160a))과, 2*2 광 분배 기(170a), 하향 파장 주입 광원(110a), 상향 광 수신부(optical receiver: Rx)(120a), 파장이 서로 다른 상/하향 신호를 다중화/역다중화하기 위한 파장분할 다중화기(wavelength division multiplexor: WDM)(WD_MUX #1)(130a) 및 다중화된 상향 신호를 역다중화하고 하향 신호들을 다중화하기 위한 1*N 도파로형 회절격자(140a)를 포함할 것이다.
옥외 노드(remote node: RN)(200a)는 다중화된 하향 신호를 역다중화하고 상향 신호들을 다중화하기 위한 1*N 도파로형 회절 격자(210a)를 포함할 것이다.
가입자 광 단말기(subscriber)(300a)는 하향 광 수신부(320a), 상향 파장 주입 광원(310a), 및 파장이 서로 다른 상/하향 광신호를 다중화/역다중화하기 위한 파장분할 다중화기(WD_MUX#2)(330a)를 포함할 것이다.
하향 전송의 경우에 대한 파장분할 다중방식 수동형 광 가입자망의 동작은 다음과 같다.
중앙 기지국(100a)의 하향 광대역 광원(160a)은 하향 광대역 광원을 생성하여 출력하고 그 광대역 광원은 2*2 광 분배기(170a)를 통해 1*N 도파로형 회절격자(140a)에 입력되고 1*N 도파로형 회절격자(140a)에서 스펙트럼 분할될 것이다. 1*N 도파로형 회절격자(140a)에서 스펙트럼 분할된 각 광원들은 다수의 파장분할 다중화기(130a)을 통하여 각각의 하향 파장주입 광원(110a)에 주입될 것이다.
그러면, 하향 파장 주입 광원(110a)은 파장분할 다중화기(130a )를 통해 주입된 채널과 동일한 파장을 가지며 전송할 하향 데이터에 따라 직접 변조된 광 신호를 출력하고, 하향 파장 주입 광원(110a)에서 출력된 각각의 하향 신호는 파장분 할 다중화기(WD_MUX #1)(130a)를 통해 1*N 도파로형 회절격자(140a)에 재 입력되어 다중화될 것이다. 여기서, 하향 신호의 직접 변조란 파장분할 다중화기(130a)를 통해 파장이 분할된 광대역 광원을 입력 받으면 그 입력된 광대역 광원에 전송하고자 하는 데이터의 파장을 증폭하는 것을 말한다. 그리고 다중화된 하향 신호는 2*2 광 분배기(170a)를 통하여 단일 모드 광섬유 에 입력되어 지역 기지국(200a)으로 전송될 것이다.
이와 같이 지역 기지국(200a)으로 전송된 다중화된 하향 신호는 지역 기지국(200a)의 1*N 도파로형 회절 격자(210a)에 입력되어 역다중화될 것이다. 역다중화된 하향 신호는 연결된 단일 모드 광섬유를 통해 가입자 광 단말기(300a)에게 전송될 것이다. 단일 모드 광섬유를 통해 가입자 광 단말기(300a)에게 전송된 하향 신호는 파장분할 다중화기(WD_MUX#2)(330a)를 통하여 하향 광 수신부(320a)에 입력되어 전기 신호로 검출될 것이다.
한편, 상향 전송의 경우에 대한 파장분할 다중방식 수동형 광 가입자망의 동작은 다음과 같다.
중앙 기지국(100a)의 상향 광대역 광원(150a)은 상향 광대역 광원을 생성하여 출력하고 그 광대역 광원은 2*2 광 분배기(170a)를 통해 단일 모드 광섬유에 입력되고, 단일 모드 광섬유를 거쳐 지역 기지국(200a)의 1*N 도파로형 회절격자(210)로 전송될 것이다. 1*N 도파로형 회절격자(210a)는 그 광대역 광원을 스펙트럼 분할한 후 스펙트럼 분할된 각 채널을 단일 모드 광섬유를 통해 가입자 광 단말기(300a)에게 전송할 것이다. 이와 같이 가입자 광 단말기(300a)에 전송된 스펙 트럼 분할된 채널은 파장분할 다중화기(WD_MUX#2)(330a)를 통하여 상향 파장 주입 광원(310a)에 주입될 것이다.
상향 파장 주입 광원(310a)은 주입된 스펙트럼 분할된 채널과 동일한 파장을 가지며 전송할 상향 데이터에 따라 직접 변조된 상향 신호를 출력할 것이다. 파장 주입 광원(310a)에서 출력된 상향 신호는 파장분할 다중화기(WD_MUX#2)를 통하여 지역 기지국(200a)으로 전송되며, 지역 기지국(200a)으로 전송된 각각의 상향 신호는 1*N 도파로형 회절 격자(210a)에 재 입력되어 다중화될 것이다.
그리고 다중화된 상향 신호는 단일 모드 광섬유를 통해 중앙 기지국(100a)으로 전송될 것이다. 중앙 기지국(100a)으로 전송된 다중화된 상향 신호는 2*2 광 분배기(170a)를 통하여 1*N 도파로형 회절 격자(140a)에 입력된 후 역다중화될 것이다. 1*N 도파로형 회절 격자(140a)에서 역다중화된 각 상향 신호들은 파장 분할다중화기(WD_MUX#1)(130a)를 통하여 상향 광 수신부(120a)에 입력된 후 전기 신호로 검출될 것이다.
이때, 중앙 기지국(100a)에 위치한 1*N 도파로형 회절 격자(140a)는 한 개의 단자로 입력되는 다중화된 상향 신호를 역다중화할 것이다. 이후 그 역다중화된 신호를 N개의 단자로 각각 출력함과 동시에 N개의 단자로 입력되는 각각의 하향 신호를 다중화한 후 그 다중화된 신호를 한 개의 단자로 출력할 것이다.
또한, 지역 기지국(200a)에 위치한 1*N 도파로형 회절 격자(210a)는 한 개의 단자로 입력되는 다중화된 하향 신호를 역다중화한 후 그 역다중화된 신호를 N개의 단자로 각각 출력함과 동시에 N개의 단자로 입력되는 각각의 상향 신호를 다 중화한 후 그 다중화된 신호를 한 개의 단자로 출력할 것이다. 이러한 동작은 도파로형 회절 격자의 대역 통과 특성이 자유 스펙트럼 간격에 따라 주기적인 특성을 가지고 있음으로 가능하다. 이 경우 광원과 다중화/역다중화기 사이에 파장 정렬이 필요하지 않으므로 망의 운영 및 유지 보수가 간단해진다.
이러한 망의 상향 및 하향 파장 주입 광원에 본 발명의 광증폭기를 사용할 수 있다.
도 10은 도 9에 도시된 광증폭기에 대한 실시 예를 보여주는 도면이다. 도 10을 참조하면, 광증폭기(340a)는 광섬유(11)에 가능한 높은 결합 효율을 보일 수 있도록 모드의 형태를 변화시켜주는 제 1 및 제 2 광모드 변환기들(345a, 345b) 및 직류 인가 전류에 의해 광이 증폭되는 반도체 광증폭기(346a)을 포함할 것이다. 광증폭기(340a)는 광섬유(11)를 통해 변조된 광신호와 변조되지 않은 광신호가 동시에 입사되고 펌프 빔에 의한 운반자 농도의 변화가 프로브 빔의 크기를 변화시킴으로써 신호가 전달되는 교차모드 변조 방식으로 구현될 것이다.
도 11은 도 9에 도시된 광증폭기(340a)의 평면도이다. 도 11을 참조하면, 광증폭기(340a)는 광섬유(11)와 반도체 증폭기(346a) 사이의 광결합 효율을 높이기 위한 수동 도파로들(355a,355b), 입력 광신호를 변조시키는 능동 도파로(352a)을 포함할 것이다. 본 발명의 능동 도파로(352a)는 내부 손실을 증대함으로써 공진 현상을 발생하도록 구현될 것이다.
내부 손실이 있는 상태에서 일정 길이 및 인가 전류 이상이 되면 공진형상이 일어난다. 이는 운반자의 수명 시간에 의해 결정되는 소자의 저대역 필터 작용 과 내부의 신호 전달 매체로서의 고대역 필터 작용이 결합되어 특정 조건에서 공진 현상이 발생하는 것이다.
본 발명의 광증폭기는 상술 된 바와 같이 단일 SOA 구조로 구현될 수 있다. 하지만 본 발명의 광증폭기가 반드시 단일 SOA 구조에 국한되지 않는다. 본 발명의 광증폭기는 단일 SOA 구조에 SOA를 하나 더 추가한 구조로 구현될 수 있다. 이렇게 두 개의 SOA 구조로 구현된 광증폭기에서는 둘 사이의 상호 작용에 의해 공진 현상이 더욱 뚜렷하게 관찰될 것이다.
상술 된 도 2의 SOA(342) 및 도 10의 SOA(346a)은 단일 SOA 구조로 구현되었다. 그러나 본 발명의 SOA는 복수의 SOA 구조로 구현 가능하다. 특히, 본 발명은 두 개의 SOA 구조로 구현될 수 있다.
도 12는 본 발명에 따른 두 개의 SOA 구조로 구현된 능동 도파로 영역(542)에 대한 제 1 실시 예를 보여주는 도면이다. 도 12를 참조하면, 능동 도파로 영역(542)은 프리 증폭 영역(5421) 및 변조 영역(5422)을 포함할 것이다.
프리 증폭 영역(5421)은 인가된 바이어스 전류에 의하여 광신호가 증폭될 것이다. 여기서 프리 증폭 영역(5421)은 내부에 이득 매질을 포함할 것이다.
변조 영역(5422)은 인가된 바이어스 전류와 고주파수 신호에 의해 프리 증폭 영역(5421)로부터 증폭된 광신호가 변조 및 증폭될 것이다. 변조 영역(5422)은 바이어스 및 변조 전류가 인가되는 것을 제외하고 도 2에 도시된 능동 도파로 영역(342)과 동일한 구조로 구현될 것이다.
도 13은 도 12의 능동 도파로 영역을 갖는 광증폭기의 전사 모사 결과에 대 한 그래프이다. 여기서 소자의 길이는 0.3mm/0.3mm이다. 즉, 프리 증폭 영역(5421)의 길이는 0.3mm이고, 변조 영역(5422)의 길이는 0.3mm이다. 도 13를 참조하면, 모든 전류 조건에서 뚜렷한 공진 현2상이 관찰되고 있다. 특히 50mA, 50mA 바이어스 조건하에서 4GHz 이상의 대역폭이 얻어진다.
도 14은 도 12의 형태의 능동 도파로 영역을 갖는 광증폭기의 실제 측정치 그래프이다. 여기서 소자의 길이는 0.1mm/0.5mm이다. 즉, 프리 증폭 영역(5421)의 길이는 0.1mm이고, 변조 영역(5422)의 길이는 0.5mm이다. 도 14를 참조하면, 모든 전류 조건에서 단일 SOA 구조보다 훨씬 넓은 대역폭 특성을 갖게 됨을 볼 수 있다.
도 15은 본 발명에 따른 두 개의 SOA 구조로 구현된 능동 도파로 영역에 대한 제 2 실시 예를 보여주는 도면이다. 도 15을 참조하면, 능동 도파로 영역(642)은 인가된 바이어스 전류 및 고주파수 신호에 의해 입력된 광신호를 변조 및 증폭하는 변조 영역(6421) 및 인가된 바이어스 전류에 의해 상기 변조 영역(6411)로부터 변조 및 증폭된 광신호를 입력받아 증폭하는 포스트 증폭 영역(6422)을 포함할 것이다.
한편, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지로 변형할 수 있다. 그러므로 본 발명의 범위는 상술한 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허 청구범위뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 통신 시스템을 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1 에 도시된 반사형 광증폭기의 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 반사형 광증폭기의 평면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 반사형 광증폭기의 D-D' 절단면이다.
도 5는 도 3에 도시된 C-C' 절단면이다.
도 6은 본 발명에 따른 다기능 광증폭기에 대한 실시 예를 보여주는 단면도이다.
도 7은 일반적인 광증폭기와 본 발명의 반사형 광증폭기의 대역폭 특성 차이를 보여주는 도면이다.
도 8은 동일한 바이어스 전류에서 내부 손실에 따른 전산 모사 결과에 대한 그래프이다.
도 9은 본 발명에 따른 광증폭기를 이용한 다른 통신 시스템을 보여주는 도면이다.
도 10은 도 9에 도시된 광증폭기에 대한 실시 예를 보여주는 도면이다.
도 11는 도 9에 도시된 광증폭기의 평면도이다.
도 12는 본 발명에 따른 두 개의 SOA 구조로 구현된 능동 도파로 영역에 대한 제 1 실시 예를 보여주는 도면이다.
도 13는 도 12의 능동 도파로 영역을 갖는 광증폭기의 소자의 길이가 0.3mm/0.3mm일 때 전사 모사 결과에 대한 그래프이다.
도 14는 도 12의 능동 도파로 영역을 갖는 광증폭기의 소자의 길이가 0.1mm/0.5mm일 때 전사 모사 결과에 대한 그래프이다.
도 15은 본 발명에 따른 두 개의 SOA 구조로 구현된 능동도파로 영역에 대한 제 2 실시 예를 보여주는 도면이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10,20: 통신 시스템 11,21: 광섬유
100: 중앙 기지국 200: 옥외 노드
300: 가입자단
340: 반사형 광증폭기 340a: 광증폭기
341: 수동 도파로 영역 342: 능동 도파로 영역
343: 무반사막 344: 고반사막
345: 광모드 변환기 346: 반도체 광증폭기
352: 능동 도파로 355: 수동 도파로
351: 기판 353: 클래드층
354: 오믹층 356: p형 전극
357: n형 전극 363,364: SCH
541,641: 능동 도파로 영역
5411: 프리 증폭 영역 5412: 변조 영역
6411: 변조 영역 6412: 포스트 증폭 영역

Claims (9)

  1. 입사된 광신호를 입력받아 모드를 조절하는 수동 도파로 영역; 및
    상기 수동 도파로 영역에 연결되고, 인가되는 전류에 의해 운반자의 농도를 가변함으로써 상기 수동 도파로 영역을 통과한 광신호의 이득을 변조하는 능동 도파로 영역을 형성하는 것을 포함하되,
    상기 능동 도파로 영역은 상기 운반자의 수명 시간에 의한 저대역 통과 필터 특성과 상기 광신호의 고대역 통과 필터 특성을 내부 손실의 증가를 통해 결합시킴으로써 공진 현상을 발생시키고, 상기 발생된 공진 현상을 통하여 대역폭이 증대되는 것을 특징으로 하는 광증폭기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 능동 도파로 영역은 상기 내부 손실을 증가시키기 위하여 흡수 계수를 증가시키는 것을 특징으로 하는 광증폭기.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 능동 도파로 영역은 상기 내부 손실을 증가시키기 위하여 도핑하는 것을 특징으로 하는 광증폭기.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 능동 도파로 영역은 상기 내부 손실을 증가시키기 위하여 산란 손실을 증가시키는 것을 특징으로 하는 광증폭기.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 능동 도파로 영역은 상기 산란 손실을 증가시키기 위하여 표면 거칠기 혹은 폭을 조절하는 것을 특징으로 하는 광증폭기.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 능동 도파로 영역에는 고주파 변조 혹은 바이어싱을 수행하도록 독립적으로 전류 주입이 가능한 레이저 다이오드가 더 포함되는 광증폭기.
  7. 입사된 광신호를 입력받아 모드를 조절하는 수동 도파로 영역; 및
    상기 수동 도파로 영역에 연결되고, 인가되는 전류에 의해 운반자의 농도를 가변함으로써 상기 수동 도파로 영역을 통과한 광신호의 이득을 변조하는 능동 도파로 영역을 형성하는 것을 포함하되,
    상기 능동 도파로 영역은,
    제 1 바이어스 전류 및 고주파 신호를 인가함으로써 상기 수동 도파로 영역을 통과한 광신호를 변조하는 변조 영역; 및
    제 2 바이어스 전류를 인가함으로써 상기 변조 영역을 통과한 광신호를 증폭하는 증폭 영역을 포함하고,
    상기 운반자의 수명 시간에 의한 저대역 통과 필터 특성과 상기 광신호의 고대역 통과 필터 특성을 내부 손실의 증가를 통해 결합시킴으로써 공진 현상을 발생시키고, 상기 발생된 공진 현상을 통하여 대역폭이 증대되는 것을 특징으로 하는 광증폭기.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 능동 도파로 영역은 상기 내부 손실을 증가시키기 위하여 흡수 계수를 증가시키는 것을 특징으로 하는 광증폭기.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 능동 도파로 영역은 상기 내부 손실을 증가시키기 위하여 산란 손실을 증가시키는 것을 특징으로 하는 광증폭기.
KR1020090080500A 2008-12-22 2009-08-28 광증폭기 KR101086777B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/640,627 US8594469B2 (en) 2008-12-22 2009-12-17 Optical amplifier

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20080130966 2008-12-22
KR1020080130966 2008-12-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100073968A KR20100073968A (ko) 2010-07-01
KR101086777B1 true KR101086777B1 (ko) 2011-11-25

Family

ID=42636826

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090080500A KR101086777B1 (ko) 2008-12-22 2009-08-28 광증폭기

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101086777B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6761391B2 (ja) * 2017-09-19 2020-09-23 日本電信電話株式会社 半導体光集積素子
JP6761390B2 (ja) * 2017-09-19 2020-09-23 日本電信電話株式会社 半導体光集積素子

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004119768A (ja) * 2002-09-27 2004-04-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体光素子
KR100520796B1 (ko) * 2003-10-20 2005-10-13 한국전자통신연구원 평면 매립형 반도체 광 증폭기의 제작 방법
KR100785775B1 (ko) * 2005-12-09 2007-12-18 한국전자통신연구원 반사형 반도체 광증폭기（ｒｓｏａ） 및 ｒｓｏａ를 이용한ｒｓｏａ 모듈 및 수동형 광가입자망

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004119768A (ja) * 2002-09-27 2004-04-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体光素子
KR100520796B1 (ko) * 2003-10-20 2005-10-13 한국전자통신연구원 평면 매립형 반도체 광 증폭기의 제작 방법
KR100785775B1 (ko) * 2005-12-09 2007-12-18 한국전자통신연구원 반사형 반도체 광증폭기（ｒｓｏａ） 및 ｒｓｏａ를 이용한ｒｓｏａ 모듈 및 수동형 광가입자망

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100073968A (ko) 2010-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7636522B2 (en) Coolerless photonic integrated circuits (PICs) for WDM transmission networks and PICs operable with a floating signal channel grid changing with temperature but with fixed channel spacing in the floating grid
KR100958338B1 (ko) 광 증폭기가 집적된 슈퍼루미네슨트 다이오드 및 이를이용한 외부 공진 레이저
KR100987793B1 (ko) 반사형 반도체 광 증폭기 및 이를 이용하는 광신호 처리방법
US20080002929A1 (en) Electrically pumped semiconductor evanescent laser
KR101250441B1 (ko) 파장분할다중 방식의 수동형 광통신망 장치
US20080279230A1 (en) Fabry-perot laser system with phase section, and method of use thereof
US9148227B2 (en) Reflective colorless optical transmitter
Dai et al. Versatile externally modulated lasers technology for multiple telecommunication applications
US8594469B2 (en) Optical amplifier
KR101086777B1 (ko) 광증폭기
Chacinski et al. Monolithically integrated DFB-EA for 100 Gb/s Ethernet
JP2017188596A (ja) 光モジュール
Jain et al. Directly modulated photonic integrated multi-section laser for next generation TWDM access networks
Atra et al. 25 Gb/s colorless transmitter based on reflective electroabsorption modulator for ultra-dense WDM-PON application
Zuo et al. Horn-waveguide rsoa-eam as a colorless emitting source with reduced crosstalk
Atra et al. Reflective Electroabsorption Modulators for Beyond 25 Gb/s Colorless Transmissions
Keil et al. Progress in polymer-based components for next-generation PON applications
KR100596407B1 (ko) 파장가변 외부공진레이저 광원을 기반으로 한ｗｄｍ-ｐｏｎ 시스템
Yunlong et al. 4 channel EAM modulated DBR laser array
Paśnikowska et al. Multi-channel integrated transmitters with cyclic AWG
KR101062395B1 (ko) 광증폭기
Paśnikowska et al. Development of InP-based multichannel transmitters for application in WDM access systems
Paśnikowska et al. Integrated transceivers for WDM-PON access systems
Le Liepvre et al. Long-Reach $6\times 10$ Gb/s WDM Access Network Based on Hybrid Silicon Lasers
Park et al. EAM-integrated DBR-LD with 16-channel and 100-Gbps/λ PAM-4 modulation

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141027

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151028

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170510

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171027

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191028

Year of fee payment: 9