KR101085537B1 - Led apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광다이오드 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 방열성능이 향상된 방열구조를 가진 발광다이오드 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting diode device, and more particularly to a light emitting diode device having a heat radiation structure with improved heat dissipation performance.

본 발명에 의한 발광다이오드 장치는, 하나 이상의 관통공을 가진 기판; 베이스 및 상기 베이스에서 상부로 돌출된 하나 이상의 방열돌출부를 가진 방열판; 및 상기 방열돌출부의 상면에 장착되는 발광다이오드칩;을 포함하고, 상기 방열판의 방열돌출부는 상기 기판의 관통공 내에 삽입되며, 상기 방열돌출부의 내부에는 중공부가 형성되고, 상기 방열돌출부의 상면은 폐쇄되며, 상기 방열돌출부의 하부는 개방된 것을 특징으로 한다.A light emitting diode device according to the present invention comprises: a substrate having one or more through holes; A heat sink having a base and at least one heat dissipation protrusion protruding upward from the base; And a light emitting diode chip mounted on an upper surface of the heat dissipation protrusion, wherein the heat dissipation protrusion of the heat dissipation plate is inserted into a through hole of the substrate, and a hollow part is formed inside the heat dissipation protrusion, and the top surface of the heat dissipation protrusion is closed. The lower portion of the heat dissipation protrusion is characterized in that the open.

발광다이오드, 방열판, 방열돌출부, 관통공, 중공부 Light emitting diode, heat sink, heat radiating protrusion, through hole, hollow part

Description

발광다이오드 장치{LED APPARATUS}Light Emitting Diode Device {LED APPARATUS}

본 발명은 발광다이오드 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 방열성능이 향상된 방열구조를 가진 발광다이오드 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting diode device, and more particularly to a light emitting diode device having a heat radiation structure with improved heat dissipation performance.

널리 주지된 바와 같이, 발광다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 반도체의 P-N접합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자 또는 정공)를 만들어내고 이들의 재결합에 의하여 빛에너지를 방출하는 반도체소자로서, 종래의 광원에 비해 소형이고 수명이 길며 전기에너지가 빛에너지로 직접 변환하기 때문에 발광효율이 높아서 자동차 계기류의 표시소자, 광통신용 광원 등 각종 전자기기의 표시용 램프, 숫자/문자/도형 표시장치, 조명장치, 카드판독기 등에 널리 사용되고 있다. As is well known, a light emitting diode (LED) is a semiconductor device that generates a small number of carriers (electrons or holes) injected using a PN junction structure of a semiconductor and emits light energy by recombination thereof. Compared with the conventional light source, it is small and has a long lifespan, and the electrical energy is directly converted into light energy, so the luminous efficiency is high. It is widely used in lighting devices and card readers.

이와 같은 표시장치 및 조명장치 등에 적용하기 위하여, 이들에 장착되고 사용되기 용이한 다양한 구조의 발광다이오드 패키지, 발광다이오드 모듈와 같이 발광다이오드 장치가 개발되었다. 특히 발광다이오드 칩은 발광효율이 높은 만큼 발열량도 상당하여, 발광다이오드 장치에는 칩의 열을 외부로 방출시킬 수 있는 방열수단이 필수적으로 구비되어야 한다. In order to apply to such a display device and a lighting device, a light emitting diode device such as a light emitting diode package and a light emitting diode module having various structures, which are easily mounted and used therein, has been developed. In particular, since the light emitting diode chip has a high luminous efficiency, the amount of heat is also considerable. Therefore, the light emitting diode device must be provided with heat dissipation means capable of dissipating heat from the chip to the outside.

이와 같이 발광다이오드 장치에 적절한 방열수단이 마련되지 않을 경우에는, 발광다이오드 칩의 온도가 너무 높아져 칩 자체 또는 패키징 수지가 열화하게 되고, 결국 발광효율의 저하와 칩의 단수명화를 초래한다. If the heat dissipation means is not provided in the light emitting diode device as described above, the temperature of the light emitting diode chip becomes too high, resulting in deterioration of the chip itself or the packaging resin, resulting in lowering the luminous efficiency and shortening the life of the chip.

한편, 종래의 발광다이오드 장치는 발광다이오드 칩이 설치되는 회로기판의 일측에 복수의 관통공을 형성하고, 각 관통공에는 원통형의 방열핀을 삽입한 후에 접합 또는 리벳팅 등을 통해 결합하는 방열구조를 채택하여 왔다. On the other hand, the conventional light emitting diode device forms a plurality of through-holes on one side of the circuit board on which the light-emitting diode chip is installed, and each through-hole has a heat dissipation structure that is coupled by joining or riveting after inserting a cylindrical heat dissipation fin. Has been adopted.

하지만, 이러한 종래의 발광다이오드 장치는 그 방열구조를 구현함에 있어서 그 작업공정이 복잡하고 까다로워 공정관리 측면에서 매우 불리할 뿐만 아니라, 그 방열성능 내지 발광효율이 낮으며, 특히 그 제조단가의 상승을 초래하는 단점이 있었다. However, such a conventional light emitting diode device is not only very disadvantageous in terms of process management due to its complicated and difficult work process in implementing the heat dissipation structure, but also its heat dissipation performance and luminous efficiency are low, and in particular, its manufacturing cost is increased. There were disadvantages that resulted.

본 발명은 상기와 같은 점을 감안하여 안출한 것으로, 방열구조의 작업공정을 매우 간편하게 할 수 있고, 방열성능 내지 발광효율을 대폭 향상시킬 뿐만 아니라, 그 제조단가를 대폭 절감할 수 있는 발광다이오드 모듈을 제공하는 데 그 목적이 있다. The present invention has been made in view of the above-mentioned, it is possible to greatly simplify the work process of the heat dissipation structure, significantly improve the heat dissipation performance and luminous efficiency, and can significantly reduce the manufacturing cost of the light emitting diode module The purpose is to provide.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 발광다이오드 장치는, The light emitting diode device of the present invention for achieving the above object,

하나 이상의 관통공을 가진 기판;A substrate having one or more through holes;

베이스 및 상기 베이스에서 상부로 돌출된 하나 이상의 방열돌출부를 가진 방열판; 및 A heat sink having a base and at least one heat dissipation protrusion protruding upward from the base; And

상기 방열돌출부의 상면에 장착되는 발광다이오드칩;을 포함하고, And a light emitting diode chip mounted on an upper surface of the heat dissipation protrusion.

상기 방열판의 방열돌출부는 상기 기판의 관통공 내에 삽입되며, 상기 방열돌출부의 내부에는 중공부가 형성되고, 상기 방열돌출부의 상면은 폐쇄되며, 상기 방열돌출부의 하부는 개방된 것을 특징으로 한다. The heat dissipation protrusion of the heat dissipation plate is inserted into a through hole of the substrate, and a hollow part is formed in the heat dissipation protrusion, and the upper surface of the heat dissipation protrusion is closed, and the lower part of the heat dissipation protrusion is open.

상기 방열판의 베이스에는 복수의 방열돌출부가 베이스의 길이방향으로 이격되어 연속되는 것을 특징으로 한다. The base of the heat sink is characterized in that the plurality of heat dissipation protrusions are continuous and spaced apart in the longitudinal direction of the base.

상기 방열판의 베이스에는 복수의 절취부가 형성되고, 상기 복수의 절취부는 상기 복수의 방열돌출부 사이에 배치되는 것을 특징으로 한다. A plurality of cutouts are formed in the base of the heat sink, and the plurality of cutouts may be disposed between the plurality of heat dissipation protrusions.

상기 방열판의 베이스에는 상기 방열돌출부에 인접하여 하나 이상의 체결부가 형성되고, 상기 체결부는 상기 기판측에 체결되는 것을 특징으로 한다. At least one fastening part is formed in the base of the heat sink adjacent to the heat dissipation protrusion, and the fastening part is fastened to the substrate side.

상기 방열판과 기판의 서로 접촉하는 부분에는 접착제가 개재되는 것을 특징으로 한다. An adhesive part is interposed between the heat sink and the substrate in contact with each other.

상기 방열판은 좌우 한 쌍의 분할 방열판으로 구성되고, The heat sink is composed of a pair of left and right split heat sink,

상기 각 분할 방열판은 베이스, 베이스의 상면에 일체로 돌출된 방열돌출부를 포함하고, 상기 한 쌍의 분할 방열판은 서로 이격된 상태로 상기 기판 측에 설치되는 것을 특징으로 한다. Each of the divided heat sinks includes a base and a heat dissipation protrusion protruding integrally on an upper surface of the base, and the pair of divided heat sinks are installed on the substrate side in a state spaced apart from each other.

상기 각 분할 방열판의 베이스에는 복수의 방열돌출부가 베이스의 길이방향으로 이격되어 연속되는 것을 특징으로 한다. The base of each of the divided heat sinks is characterized in that the plurality of heat dissipation protrusions are continuous and spaced apart in the longitudinal direction of the base.

상기 한 쌍의 분할 방열판의 상면에는 플립칩 타입의 발광다이오드칩이 가로질러 설치되는 것을 특징으로 한다. A flip chip type light emitting diode chip is disposed across the upper surface of the pair of divided heat sinks.

상기 분할 방열판의 베이스 하면에는 절연층이 형성되는 것을 특징으로 한다. An insulating layer is formed on a lower surface of the base of the split heat sink.

상기 기판의 상면에는 상기 발광다이오드칩을 포위하도록 반사체가 설치되고, A reflector is disposed on an upper surface of the substrate to surround the light emitting diode chip.

상기 반사체는 경사진 반사측벽부 및 상기 반사측벽부의 하단에서 외경방향으로 연장된 수평평탄부를 가지며, 상기 수평평탄부는 상기 기판의 상면에 부착되는 것을 특징으로 한다. The reflector has an inclined reflective side wall portion and a horizontal flat portion extending in the outer diameter direction from the lower end of the reflective side wall portion, wherein the horizontal flat portion is attached to the upper surface of the substrate.

이상과 같은 본 발명에 의하면, 방열돌출부가 일체로 형성된 방열판을 기판의 관통공에 삽입하는 구조로 구성됨에 따라 방열구조의 작업공정을 매우 간편하게 할 수 있고, 방열성능 내지 발광효율을 대폭 향상시킬 뿐만 아니라, 그 제조단가를 대폭 절감할 수 있는 장점이 있다. According to the present invention as described above, since the heat sink is formed integrally with the heat sink is inserted into the through-hole of the substrate, the work process of the heat dissipation structure can be made very simple, greatly improving the heat dissipation performance to luminous efficiency. Rather, there is an advantage that can significantly reduce the manufacturing cost.

또한, 본 발명은 방열돌출부의 내부에 중공부가 형성됨에 따라 발광다이오드 장치의 전체 중량을 가볍게 할 수 있는 장점이 있다. In addition, the present invention has the advantage that the total weight of the light emitting diode device can be reduced as the hollow portion is formed inside the heat dissipation protrusion.

또한, 본 발명은 다이본딩 타입, 와이어 본딩 타입 뿐만 아니라 플립칩 타입의 발광다이오드칩 등과 같이 다양한 종류의 발광다이오드칩을 호환성있게 적용할 수 있는 장점이 있다. In addition, the present invention has the advantage that can be applied to various types of light emitting diode chip, such as die bonding type, wire bonding type, as well as flip chip type light emitting diode chip.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 내지 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오장치를 도시한다. 1 to 2 show a light emitting diode device according to a first embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 발광다이오드 장치는 하나 이상의 관통공(11a)을 가진 기판(11), 기판(11)의 관통공(11a) 내에 삽입되는 하나 이상의 방열돌출부(15b)를 가진 방열판(15), 방열판(15)의 방열돌출부(15b) 상면에 장착되는 하나 이상의 발광다이오드칩(18), 발광다이오드칩(18)의 주변에 설치된 반사체(21)를 포함한다. As shown in FIG. 2, the light emitting diode device according to the present invention includes a substrate 11 having at least one through hole 11a and at least one heat dissipation protrusion 15b inserted into the through hole 11a of the substrate 11. And a heat sink 15 having at least one light emitting diode chip 18 mounted on an upper surface of the heat radiating protrusion 15b of the heat sink 15, and a reflector 21 disposed around the light emitting diode chip 18.

기판(11)은 세라믹 등과 같은 절연재질로 구성될 수 있고, 본 제1실시예에 따른 기판(11)의 상면에는 전극, 저항 등을 포함하는 다양한 회로패턴이 형성될 수도 있다. The substrate 11 may be formed of an insulating material such as ceramic, and the like, and various circuit patterns including electrodes, resistors, etc. may be formed on the top surface of the substrate 11 according to the first embodiment.

기판(11)은 하나 이상의 관통공(11a)이 상하로 관통되어 형성될 수 있고, 이 관통공(11a)에는 방열구조가 설치된다. The substrate 11 may be formed by penetrating one or more through holes 11a up and down, and the heat dissipation structure is installed in the through holes 11a.

방열판(15)은 열전도성이 양호한 금속재질로 구성되고, 도 1에 도시된 바와 같이 평탄한 베이스(15a) 및 이 베이스(15a)에 일체적으로 형성된 하나 이상의 방열돌출부(15b)를 가지며, 방열돌출부(15b)는 베이스(15a)의 상부방향으로 돌출되고, 방열돌출부(15b)의 상면은 폐쇄된 형상으로 형성된다. 방열돌출부(15b)는 기판(11)의 관통공(11a) 내에 삽입되고, 특히 방열판(15)의 방열돌출부(15b)는 딥드로잉(dip drawing) 등을 통해 가공되고, 이에 방열돌출부(15b)의 내부에는 중공부(15c)가 형성되며, 중공부(15c)의 하부는 개방된 구조로 형성될 수 있다. 한편, 도면 상에서는 방열돌출부(15b)가 원통 형상으로 표시되어 있지만, 본 발명의 방열돌출부(15b)는 이에 한정되지 않고 그 외 다양한 형상으로 돌출될 수 있다. The heat sink 15 is made of a metal material having good thermal conductivity, and has a flat base 15a and at least one heat dissipation protrusion 15b integrally formed on the base 15a, as shown in FIG. 15b protrudes in the upper direction of the base 15a, and the upper surface of the heat dissipation protrusion 15b is formed in a closed shape. The heat dissipation protrusion 15b is inserted into the through hole 11a of the substrate 11, and in particular, the heat dissipation protrusion 15b of the heat dissipation plate 15 is processed through dip drawing or the like, and thus the heat dissipation protrusion 15b is provided. Inside the hollow portion 15c is formed, the lower portion of the hollow portion 15c may be formed in an open structure. Meanwhile, although the heat dissipation protrusion 15b is shown in a cylindrical shape on the drawing, the heat dissipation protrusion 15b of the present invention is not limited thereto and may protrude in various other shapes.

방열판(15)의 방열돌출부(15b)는 기판(11)의 관통공(11a) 내에 억지끼움결합되는 방식으로 결합될 수도 있고, 이에 방열판(15)의 베이스(15a)는 기판(11)의 저면에 밀착되고, 방열판(15)의 방열돌출부(15b)는 기판(11)의 관통공(11a) 내에 밀착될 수 있다. 한편, 방열판(15)의 베이스(15a) 하면에는 외부 절연성을 확보하도록 후술하는 바와 같이 절연층(도 14 및 도 15 참조)이 형성될 수도 있다. The heat dissipation protrusion 15b of the heat dissipation plate 15 may be coupled in such a manner that the heat dissipation protrusion 15b of the heat dissipation plate 15 is inserted into the through hole 11a of the substrate 11, so that the base 15a of the heat dissipation plate 15 is the bottom of the substrate 11. In close contact with the heat dissipation protrusion 15b of the heat dissipation plate 15 may be in close contact with the through hole 11a of the substrate 11. Meanwhile, an insulating layer (see FIGS. 14 and 15) may be formed on the lower surface of the base 15a of the heat sink 15 to secure external insulation.

이와 달리, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 방열판(15)의 방열돌출부(15b) 주변에는 하나 이상의 체결부(16)가 딥드로잉 공정 등을 통해 일체로 형성될 수 있고, 이 체결부(16)에 대응하여 기판(11)에는 하나 이상의 체결공(11b)이 형성될 수 있다. 이에, 방열판(15)의 체결부(16)가 기판(11)의 체결공(11b)측에 체결됨으로써 방열판(15)은 기판(11)측에 견고하게 결합될 수 있다. 예컨대, 체결부(16)의 단부에는 탄성클립(16a)이 형성되고, 이 탄성클립(16a)이 기판(11)의 체결공(11b) 내에서 탄성적으로 지지됨으로써 체결부(16)가 기판(11) 측에 클램핑결합될 수 있다. 그외에도 탄성클립(16a)이 기판(11)측에 후크결합되는 구조로 형성될 수도 있다. 1 and 2, one or more fastening portions 16 may be integrally formed through a deep drawing process or the like around the heat dissipation protrusion 15b of the heat dissipation plate 15. In response to 16, one or more fastening holes 11b may be formed in the substrate 11. Thus, the fastening portion 16 of the heat sink 15 is fastened to the fastening hole (11b) side of the substrate 11, the heat sink 15 can be firmly coupled to the substrate (11) side. For example, an elastic clip 16a is formed at an end portion of the fastening portion 16, and the fastening portion 16 is elastically supported in the fastening hole 11b of the substrate 11 by the elastic clip 16a. It can be clamped to the (11) side. In addition, the elastic clip 16a may be formed in a structure that is hooked to the substrate 11 side.

이와 달리, 체결부(16)는 도 2a에 도시된 바와 같이, 기판(11)의 체결공(11b) 내에 억지끼움결합되는 방식으로 결합될 수 있다. Alternatively, the fastening part 16 may be coupled in a manner that is tightly fitted in the fastening hole 11b of the substrate 11, as shown in Figure 2a.

발광다이오드칩(18)은 방열판(15)의 방열돌출부(15b) 상면에 장착되고, 발광다이오드칩(18)은 일반적인 다이본딩 내지 와이어본딩 타입의 발광다이오드칩이 적용될 수 있으며, 이에 발광다이오드칩(18)은 기판(11)의 회로패턴에 다이본딩 내지 와이어본딩될 수 있다. 그리고, 발광다이오드칩(18)의 상면에는 실리콘 재질의 형광체(19)가 도포될 수 있다. The light emitting diode chip 18 is mounted on an upper surface of the heat radiating protrusion 15b of the heat sink 15, and the light emitting diode chip 18 may be a light emitting diode chip of general die bonding or wire bonding type. 18 may be die bonded or wire bonded to the circuit pattern of the substrate 11. In addition, a phosphor 19 made of silicon may be coated on the top surface of the light emitting diode chip 18.

이와 같은 본 발명에 따른 방열구조는, 방열판(15)의 방열돌출부(15b)가 베이스(15a)측에 딥드로잉 등을 통해 일체화되어 구현됨에 따라 발광다이오드칩(18)에서 발생된 열이 방열돌출부(15b) 및 베이스(15a)를 통해 외부로 신속하게 방출되고, 이에 그 방열성능이 향상될 수 있고, 방열성능의 향상으로 인해 발광다이오드칩(18)의 발광효율의 향상을 도모할 수 있는 장점이 있다. The heat dissipation structure according to the present invention, the heat dissipation protrusion 15b of the heat dissipation plate 15, the heat generated from the light emitting diode chip 18 as the base 15a side is integrally implemented through deep drawing, etc. It is quickly discharged to the outside through the (15b) and the base (15a), the heat dissipation performance can be improved, and the light emitting efficiency of the light emitting diode chip 18 can be improved due to the improvement of the heat dissipation performance There is this.

특히, 본 발명의 제1실시예는 방열돌출부(15b)의 중공부(15c)가 비어 있는 구조로 인해, 발광다이오드칩(18)에서 발생된 열의 방열효율이 더욱 향상될 수 있다. 또한, 방열판(15)의 중공부(15c)를 통해 발광다이오드 장치의 전체 중량 감소효과를 도모할 수도 있다. In particular, in the first embodiment of the present invention, due to the structure in which the hollow portion 15c of the heat dissipation protrusion 15b is empty, the heat dissipation efficiency of heat generated from the light emitting diode chip 18 may be further improved. In addition, the overall weight reduction effect of the light emitting diode device can be achieved through the hollow portion 15c of the heat sink 15.

그리고, 방열돌출부(15b)의 중공부(15c)에는 후술하는 실시예와 같이, 그 용도 내지 목적에 따라 절연 또는 비절연 재질의 충전물질이 충전될 수 있다. In addition, the hollow portion 15c of the heat dissipation protrusion 15b may be filled with a filler material of an insulated or non-insulated material according to its purpose or purpose as in the following embodiments.

반사체(21)는 기판(11)의 상면에서 발광다이오드칩(18)의 주변을 포위하도록 설치되고, 반사체(21)는 경사진 반사측벽부(21a) 및 반사측벽부(21a)의 하단에서 외경방향으로 연장된 수평평탄부(21b)를 가진다. The reflector 21 is provided so as to surround the periphery of the light emitting diode chip 18 on the upper surface of the substrate 11, and the reflector 21 has an outer diameter at the lower end of the inclined reflection side wall portion 21a and the reflection side wall portion 21a. It has the horizontal flat part 21b extended in the direction.

한편, 수평평탄부(21b)가 접착제 등을 통해 기판(11)의 상면에 접착됨으로써 반사체(21)는 기판(11)측에 설치될 수도 있다. On the other hand, the horizontal flat portion 21b is adhered to the upper surface of the substrate 11 through an adhesive or the like, the reflector 21 may be provided on the substrate 11 side.

이와 달리, 수평평탄부(21b)의 하부에는 장착돌기(21d)가 연장될 수 있고, 이 장착돌기(21d)는 기판(11)의 장착공(11d) 측에 끼움결합 또는 후크결합 방식 등으로 결합될 수 있다. Alternatively, the mounting protrusion 21d may extend below the horizontal flat portion 21b, and the mounting protrusion 21d may be fitted or hooked to the mounting hole 11d side of the substrate 11. Can be combined.

도 3 및 도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 발광다이오드 장치를 도시한다. 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 발광다이오드 장치는 방열판(15)의 베이스(15a)는 그 길이가 그 폭보다 길게 형성된 구조로 구성되고, 방열판(15)의 베이스(15a)에는 복수의 방열돌출부(15b)가 베이스(15a)의 길이방향으로 이격되어 연속적으로 형성된 것을 특징으로 한다. 방열판(15)의 각 방열돌출부(15b) 상면에는 발광다이오드칩(18)이 개별적으로 장착된다. 3 and 4 show a light emitting diode device according to a second embodiment of the present invention. As shown, the light emitting diode device according to the second embodiment of the present invention has a structure in which the base 15a of the heat sink 15 has a length longer than its width, and the base 15a of the heat sink 15. The plurality of heat dissipation protrusions (15b) is characterized in that formed continuously in the longitudinal direction of the base (15a). The light emitting diode chips 18 are individually mounted on the top surfaces of the heat dissipation protrusions 15b of the heat dissipation plate 15.

이와 같이, 본 제2실시예는 방열판(15)의 베이스(15a)에 복수의 방열돌출 부(15b)가 일정간격 이격되어 연속적으로 형성된 구조를 통해, 형광등과 같이 복수의 발광다이오드칩(18)이 장착되는 발광다이오드 모듈에 용이하게 적용할 수 있는 장점이 있다. As described above, the second embodiment of the present invention has a plurality of light emitting diode chips 18 such as fluorescent lamps through a structure in which a plurality of heat dissipation protrusions 15b are successively spaced apart from each other at a base 15a of the heat dissipation plate 15. There is an advantage that can be easily applied to the mounted light emitting diode module.

또한, 각 방열돌출부(15b)의 주변에는 한 쌍의 체결부(16)가 서로 마주보게 형성될 수 있고, 이러한 체결부(16)들을 통해 기판(11)측에 방열판(15)이 매우 간편하게 결합될 수 있다. In addition, a pair of fastening portions 16 may be formed to face each other around each of the heat dissipation protrusions 15b, and the heat dissipation plate 15 may be very easily coupled to the substrate 11 through these fastening portions 16. Can be.

그리고, 방열판(15)은 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 베이스(15a)측에 복수의 절취부(15d, 15e)를 형성하고, 복수의 절취부(15d, 15e)는 복수의 방열돌출부(15b) 사이에 배치되어 있다. 도 5에 예시된 바와 같이 절취부(15d)는 사각형 형상으로 형성될 수도 있고, 도 6에 예시된 바와 같이 절취부(15e)는 방열돌출부(15b)의 형상에 대응하는 곡면을 가진 구조로 형성될 수도 있다. 이러한 절취부(15d, 15e)에 의해, 방열판(15)은 그 중량 감소효과를 얻을 수 있다. 5 and 6, the heat sink 15 forms a plurality of cutouts 15d and 15e on the side of the base 15a, and the plurality of cutouts 15d and 15e provide a plurality of heat radiations. It is arrange | positioned between the protrusion parts 15b. As illustrated in FIG. 5, the cutout 15d may be formed in a quadrangular shape, and as illustrated in FIG. 6, the cutout 15e may be formed in a structure having a curved surface corresponding to the shape of the heat dissipation protrusion 15b. May be By such cut-outs 15d and 15e, the heat sink 15 can obtain the weight reduction effect.

또한, 절취부(15d, 15e)에 의해 방열판(15)의 베이스(15a) 중에서 절취부(15d, 15e)의 주변영역을 간편하게 커팅할 수 있으므로, 발광다이오드 장치 내에서 일부의 발광다이오드칩(18)을 교체하고자 할 경우 그 교체/수리가 매우 용이하게 진행될 수 있는 장점이 있다. In addition, since the peripheral areas of the cutouts 15d and 15e are easily cut out of the base 15a of the heat sink 15 by the cutouts 15d and 15e, some of the light emitting diode chips 18 in the light emitting diode device. ), There is an advantage that the replacement / repair can be carried out very easily.

그외 나머지 구성 및 작용은 선행하는 제1실시예와 동일하므로 그 자세한 설명은 생략한다. The rest of the configuration and operation are the same as in the first embodiment, so detailed description thereof will be omitted.

도 7은 본 발명의 제3실시예에 따른 발광다이오드 장치를 도시한 도면으로, 도시된 바와 같이 방열판(15)과 기판(11)이 서로 접촉하는 부분에 접착제(17)를 개 재하여 결합시키는 것을 특징으로 한다. FIG. 7 is a view showing a light emitting diode device according to a third embodiment of the present invention. As shown in FIG. 7, the heat sink 15 and the substrate 11 are bonded to each other through an adhesive 17. It is characterized by.

이와 같이, 방열판(15)의 베이스(15a)와 기판(11)의 저면, 방열판(15)의 방열돌출부(15b)와 기판(11)의 관통공(11a) 사이 각각에는 접착제(17)를 개재하여 결합함으로써 방열판(15)과 기판(11)의 결합력을 강화할 뿐만 아니라 방열판(15)과 기판(11)의 서로 접촉하는 부분에 대한 기밀성 내지 밀봉성을 확보할 수 있다. 특히, 접착제(17)는 열전도율이 양호한 다양한 요구조건을 충족할 수 있는 접착제가 이용됨이 바람직할 것이다. In this manner, an adhesive 17 is interposed between the base 15a of the heat sink 15 and the bottom of the substrate 11, the heat dissipation protrusion 15b of the heat sink 15, and the through hole 11a of the substrate 11. By coupling to each other, not only the bonding force between the heat sink 15 and the substrate 11 can be strengthened, but also the airtightness or sealing property of the heat sink 15 and the substrate 11 in contact with each other can be secured. In particular, it will be desirable for the adhesive 17 to use an adhesive capable of meeting various requirements with good thermal conductivity.

한편, 실리콘 등과 같이 액상의 형광물질을 발광다이오드칩(18)의 상면에 도포한 후에 경화시킴으로써 발광다이오드칩(18)의 상면에 형광체(19)를 형성한다. 하지만, 액상의 형광물질은 그 점도가 상대적으로 낮으므로, 방열판(15)의 방열돌출부(15b)와 기판(11)의 관통공(11a) 사이에 틈새가 있을 경우, 그 틈새로 형광물질이 누설될 수 있고, 이러한 형광물질의 누설로 인해 형광체(19)는 설계치 보다 얇은 두께로 형성되거나 그 도포균일도가 저하되어 발광효율이 나빠질 수 있다. On the other hand, the fluorescent substance 19 is formed on the upper surface of the light emitting diode chip 18 by applying a liquid fluorescent material such as silicon to the upper surface of the light emitting diode chip 18 and curing it. However, since the liquid fluorescent material has a relatively low viscosity, when there is a gap between the heat radiating protrusion 15b of the heat sink 15 and the through hole 11a of the substrate 11, the fluorescent material leaks into the gap. Due to the leakage of the fluorescent material, the phosphor 19 may be formed to a thickness thinner than the designed value, or the coating uniformity thereof may be lowered, resulting in poor luminous efficiency.

이에, 본 제3실시예는 방열판(15)과 기판(11)의 서로 접촉하는 부분 특히, 방열판(15)의 방열돌출부(15b)와 기판(11)의 관통공(11a) 사이에 접착제(17)를 개재함으로써 형광물질의 누설을 방지할 수 있다. Thus, in the third embodiment, the adhesive 17 is disposed between the heat dissipating part 15b of the heat dissipating plate 15 and the substrate 11, in particular, between the heat dissipating protrusion 15b of the heat dissipating plate 15 and the through hole 11a of the substrate 11. ), Leakage of the fluorescent material can be prevented.

한편, 방열판(15)의 드로잉가공을 보다 간편하게 하도록 베이스(15a)의 방열돌출부(15b) 형성 예정영역을 부분적으로 절개한 후에 드로잉가공하면, 도 8 및 도 8a와 같이 방열돌출부(15b)의 상면에 부분적인 절개부(15f)가 형성될 수도 있다. 이렇게 방열돌출부(15b)의 상면에 절개부(15f)가 형성된 경우에는 도 9와 같이 방 열돌출부(15b)의 중공부(15c) 내에 부분적 또는 전체적으로 충전물질(13)을 충전함으로써 방열돌출부(15b)의 절개부(15f)를 마감함과 더불어 방열돌출부(15b)의 상면을 평탄화할 수 있다. On the other hand, if the drawing process after partially cutting the predetermined area to form the heat dissipation protrusion 15b of the base 15a to make the drawing process of the heat dissipation plate 15 easier, the upper surface of the heat dissipation protrusion 15b as shown in Figs. A partial cutout 15f may be formed in the. When the cutout 15f is formed on the top surface of the heat dissipation protrusion 15b as described above, the heat dissipation protrusion 15b is partially or entirely filled in the hollow 15c of the heat dissipation protrusion 15b as shown in FIG. 9. The top surface of the heat dissipation protrusion 15b may be flattened along with closing the cutout 15f of FIG.

그외 나머지 구성 및 작용은 선행하는 제1 및 제2 실시예와 동일하므로 그 자세한 설명은 생략한다. Since the rest of the configuration and operation are the same as those of the first and second embodiments, detailed description thereof will be omitted.

도 10 내지 도 12는 본 발명의 제4실시예에 따른 발광다이오드 장치를 도시한다. 10 to 12 show a light emitting diode device according to a fourth embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 본 제4실시예에 따른 방열판은 좌우 한 쌍의 분할 방열판(25, 35)을 포함하고, 각 분할 방열판(25, 35)은 베이스(25a, 35a) 및 베이스(25a, 35a)의 상면에 형성된 방열돌출부(25b, 35b)를 가지며, 각 분할 방열판(25, 35)의 방열돌출부(25b, 35b) 주변에는 접속부(25c, 35c)가 각각 형성된다. 분할 방열판(25, 35)은 이격되어 기판(11)측에 설치되고, 특히 분할 방열판(25, 35)의 방열돌출부(25b, 35b)들은 기판(11)의 관통공(11a) 내에서 이격된다. As shown, the heat sink according to the fourth embodiment includes a left and right pair of split heat sinks 25 and 35, and each split heat sink 25 and 35 has a base 25a and 35a and a base 25a and 35a. The heat dissipation protrusions 25b and 35b are formed on the upper surface of the top surface), and the connection portions 25c and 35c are formed around the heat dissipation protrusions 25b and 35b of the divided heat dissipation plates 25 and 35, respectively. The divided heat sinks 25 and 35 are spaced apart from each other, and the heat dissipation protrusions 25b and 35b of the divided heat sinks 25 and 35 are spaced apart from the through holes 11a of the substrate 11. .

이와 같이, 본 제4실시예는 분할 방열판(25, 35)이 기판(11) 측에서 서로 이격되어 결합된 구조로 구성됨에 따라 플립칩 타입의 발광다이오드칩(18)이 용이하게 장착될 수 있다. As described above, according to the fourth embodiment, since the split heat sinks 25 and 35 are configured to be spaced apart from each other on the substrate 11 side, the flip chip type light emitting diode chip 18 may be easily mounted. .

플립칩 타입의 발광다이오드칩(18)은 그 상부에 사파이어(18a)가 형성되고, 하부에 (+)전극(18b) 및 (-)전극(18c)이 형성된 구조로 구성되며, 이에 발광다이오드칩(18)의 (+)전극(18b) 및 (-)전극(18c) 각각은 각 분할 방열판(25, 35)의 서로 이격된 방열돌출부(25b, 35b)에 개별적으로 접속될 수 있다. The flip chip type light emitting diode chip 18 has a structure in which a sapphire 18a is formed at an upper portion thereof, and a positive electrode 18b and a negative electrode 18c are formed at a lower portion thereof. Each of the positive electrode 18b and the negative electrode 18c of (18) may be individually connected to the heat radiating protrusions 25b and 35b of each of the divided heat sinks 25 and 35, which are spaced apart from each other.

그리고, 기판(11)의 관통공(11a) 주변에는 한 쌍의 비어홀(11h, 11k)이 형성되고, 각 분할 방열판(25, 35)의 접속부(25c, 35c)는 각 비어홀(11h, 11k)에 개별적으로 삽입되며, 각 비어홀(11h, 11k) 내에는 솔더링부(11f, 11g)가 각 분할 방열판(25, 35)의 접속부(25c, 35c)와 접속하도록 형성된다. A pair of via holes 11h and 11k are formed around the through hole 11a of the substrate 11, and the connection portions 25c and 35c of each of the divided heat sinks 25 and 35 are each via holes 11h and 11k. In the via holes 11h and 11k, the soldering portions 11f and 11g are formed so as to be connected to the connection portions 25c and 35c of the divided heat sinks 25 and 35, respectively.

기판(11)의 상면 가장자리 일측에는 (+)전극패턴(41)이 형성되고, (+)전극패턴(41)의 맞은편 가장자리에는 (-)전극패턴(42)이 형성되며, 솔더링부(11f)는 (+)전극패턴(41)에 접속되며, 솔더링부(11g)는 (-)전극패턴(42)에 접속된다. 그리고, 솔더링부(11f)와 (+)전극패턴(41) 사이에는 저항(43)이 개재될 수도 있다. The positive electrode pattern 41 is formed on one side of the upper edge of the substrate 11, the negative electrode pattern 42 is formed on the opposite edge of the positive electrode pattern 41, and the soldering part 11f is formed. Is connected to the positive electrode pattern 41, and the soldering portion 11g is connected to the negative electrode pattern 42. In addition, a resistor 43 may be interposed between the soldering part 11f and the positive electrode pattern 41.

이와 같이, 본 제4실시예는 분할 방열판(25, 35)에 의해 플립칩 타입의 발광다이오드칩(18)이 용이하게 장착되고, 발광다이오드칩(18)에서 발생된 열은 각 분할 방열판(25, 35)을 통해 외부로 용이하게 방열될 수 있다. Thus, in the fourth embodiment, the flip chip type light emitting diode chip 18 is easily mounted by the split heat sinks 25 and 35, and the heat generated from the light emitting diode chip 18 is divided into the respective heat sinks 25. , 35 may be easily radiated to the outside.

그외 나머지 구성 및 작용은 선행하는 제1 내지 제3 실시예와 동일하므로 그 자세한 설명은 생략한다. The rest of the configuration and operation are the same as those of the first to third embodiments, so detailed description thereof will be omitted.

도 13 내지 도 15는 본 발명의 제5실시예에 따른 발광다이오드 장치를 도시한다. 13 to 15 show a light emitting diode device according to a fifth embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 본 제5실시예에 따른 방열판은 좌우 한 쌍의 분할 방열판(25, 35)을 포함하고, 각 분할 방열판(25, 35)의 베이스(25a, 35a)는 그 길이가 그 폭 보다 길게 형성되며, 각 분할 방열판(25, 35)의 베이스(25a, 35a)에는 복수의 방열돌출부(25b, 35b)가 베이스(25a, 35a)의 길이방향으로 이격되어 연속적으로 형성된 것을 특징으로 한다. 각 방열돌출부(25b, 35b)에 인접하여 체결부(25d, 35d)가 개별적으로 형성되고, 각 체결부(25d, 35d)는 제1 내지 제3실시예의 체결부(16)와 유사하게 기판(11)측에 체결된다. As shown, the heat sink according to the fifth embodiment includes a pair of left and right split heat sinks 25 and 35, and the bases 25a and 35a of the respective split heat sinks 25 and 35 have a width thereof. It is formed longer, a plurality of heat dissipation protrusions (25b, 35b) in the base (25a, 35a) of each of the divided heat sinks (25, 35) spaced apart in the longitudinal direction of the base (25a, 35a) is characterized in that it is formed continuously . The fastening portions 25d and 35d are separately formed adjacent to each of the heat dissipation protrusions 25b and 35b, and each of the fastening portions 25d and 35d is similar to the fastening portion 16 of the first to third embodiments. 11) is fastened to the side.

이에, 각 분할 방열판(25, 35)의 방열돌출부(25b, 35b)가 기판(11)의 관통공(11a) 내에서 서로 이격됨으로써 한 쌍의 분할 방열판(25, 35)은 기판(11)측에 분리된 상태로 설치된다. 그리고, 서로 이격된 각 방열돌출부(25b, 35b) 상면에는 제4실시예와 동일하게 플립칩 타입의 발광다이오드칩(18)이 장착된다. Accordingly, the heat dissipation protrusions 25b and 35b of each of the heat dissipation plates 25 and 35 are spaced apart from each other in the through-hole 11a of the substrate 11 so that the pair of heat dissipation plates 25 and 35 are on the substrate 11 side. It is installed in a separated state. In addition, flip chip type light emitting diode chips 18 are mounted on the top surfaces of the heat dissipation protrusions 25b and 35b spaced apart from each other, as in the fourth embodiment.

한편, 본 제5실시예에 따른 분할 방열판(25, 35)은 선행하는 실시예와 동일하게 방열기능을 수행할 뿐만 아니라 전원공급라인의 기능을 겸할 수도 있다. 특히, 분할 방열판(25, 35)은 도전성을 가진 금속재질로 구성됨에 따라 각 분할 방열판(25, 35)을 전원공급부(미도시)의 (+)극 및 (-)극에 개별적으로 접속할 경우, 각 발광다이오드칩(18)으로 전원을 공급할 수 있다. 이에 기판(11)의 상면에는 별도의 회로패턴을 가질 필요가 없으므로 전체적으로 그 제조공정이 매우 간편해지는 장점이 있다. Meanwhile, the split heat dissipation plates 25 and 35 according to the fifth embodiment may not only perform a heat dissipation function in the same manner as in the previous embodiment, but may also function as a power supply line. In particular, since the divided heat sinks 25 and 35 are made of a conductive metal material, when the divided heat sinks 25 and 35 are individually connected to the positive and negative poles of a power supply unit (not shown), Power can be supplied to each light emitting diode chip 18. Therefore, the upper surface of the substrate 11 does not need to have a separate circuit pattern, there is an advantage that the manufacturing process is very simple as a whole.

그리고, 본 제5실시예는 도 14에 도시된 바와 같이, 분할 방열판(25, 35)의 베이스(25a, 35a) 하면에는 외부 절연성을 보장하기 위해 절연층(55)이 형성될 수 있다. 이러한 절연층(55)은 에폭시 등을 포함하는 절연잉크(PSR잉크라고도 함)가 각 분할 방열판(25, 35)의 베이스(25a, 35a) 하면을 도포함으로써 그 절연성을 확보할 수 있다. In addition, as shown in FIG. 14, the insulating layer 55 may be formed on the lower surfaces of the bases 25a and 35a of the divided heat sinks 25 and 35 to ensure external insulation. The insulating layer 55 can ensure its insulation by applying an insulating ink (also referred to as a PSR ink) containing epoxy to the bottom surfaces of the bases 25a and 35a of the divided heat sinks 25 and 35.

또한, 절연층(55)은 도 15에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 분할 방열판(25, 35)의 방열돌출부(25b, 35b) 내에 충전되는 마감절연층(55a) 및 분할 방열판(25, 35)의 베이스(25a, 35a) 하면에 부착되는 하부절연층(55b)으로 구분될 수도 있다. 마감절연층(55a)의 경우 세라믹 또는 실리콘 등과 같은 절연물질로 이루어져 분할 방열판(25, 35)들의 방열돌출부(25b, 35b) 내에 채워질 수 있고, 하부절연층(55b)은 절연잉크의 도포를 통해 형성될 수 있다. 이와 같이, 마감절연층(55a) 및 하부절연층(55b)으로 구분함으로써 하부절연층(55b)의 도포공정이 더욱 간편해질 수 있다. In addition, as shown in FIG. 15, the insulating layer 55 includes the finishing insulating layer 55a and the divided heat sinks 25 and 35 filled in the heat dissipation protrusions 25b and 35b of the pair of divided heat sinks 25 and 35. ) May be divided into a lower insulating layer 55b attached to the lower surfaces of the bases 25a and 35a. The finishing insulating layer 55a may be made of an insulating material such as ceramic or silicon to be filled in the heat dissipation protrusions 25b and 35b of the divided heat sinks 25 and 35, and the lower insulating layer 55b may be formed by applying insulating ink. Can be formed. In this way, the application process of the lower insulating layer 55b may be further simplified by dividing it into the finish insulating layer 55a and the lower insulating layer 55b.

이와 같은 절연층(55)은 제5실시예의 분할방열판(25, 35)의 하부 뿐만 아니라 제1 내지 제4실시예의 방열판(15)의 하부 모두에도 적용될 수 있다.The insulating layer 55 may be applied not only to the lower portions of the divided heat sinks 25 and 35 of the fifth embodiment but also to the lower parts of the heat sinks 15 of the first to fourth embodiments.

그외 나머지 구성 및 작용은 선행하는 제1 내지 제4 실시예와 동일하므로 그 자세한 설명은 생략한다. The rest of the configuration and operation are the same as those of the first to fourth embodiments, so detailed description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드 장치에 적용되는 방열판을 도시한 사시도이다. 1 is a perspective view showing a heat sink applied to a light emitting diode device according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드 장치를 도시한 단면도이다. 2 is a cross-sectional view showing a light emitting diode device according to a first embodiment of the present invention.

도 2a는 도 2의 변형실시예를 도시한 단면도이다. 2A is a cross-sectional view illustrating a modified embodiment of FIG. 2.

도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 발광다이오드 장치에 적용되는 방열판을 도시한 사시도이다. 3 is a perspective view illustrating a heat sink applied to a light emitting diode device according to a second embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 발광다이오드 장치를 도시한 단면도이다. 4 is a cross-sectional view showing a light emitting diode device according to a second embodiment of the present invention.

도 5 및 도 6은 도 3의 방열판에 대한 변형실시예를 나타낸 평면도이다. 5 and 6 are plan views showing a modified embodiment of the heat sink of FIG.

도 7은 본 발명의 제3실시예에 따른 발광다이오드 장치를 도시한 단면도이다. 7 is a cross-sectional view showing a light emitting diode device according to a third embodiment of the present invention.

도 8 및 도 8a는 도 3의 방열판에 대한 변형실시예를 나타낸 사시도이다. 8 and 8A are perspective views illustrating a modified embodiment of the heat sink of FIG. 3.

도 9는 도 8 및 도 8a의 방열판이 적용된 발광다이오드 장치를 도시한 단면도이다. 9 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode device to which the heat sinks of FIGS. 8 and 8a are applied.

도 10은 본 발명의 제4실시예에 따른 발광다이오드 장치에 적용되는 방열판을 도시한 사시도이다. 10 is a perspective view illustrating a heat sink applied to a light emitting diode device according to a fourth embodiment of the present invention.

도 11은 본 발명의 제4실시예에 따른 발광다이오드 장치를 도시한 단면도이다. 11 is a cross-sectional view of a light emitting diode device according to a fourth embodiment of the present invention.

도 12는 본 발명의 제4실시예에 따른 발광다이오드 장치를 도시한 평면도이다. 12 is a plan view showing a light emitting diode device according to a fourth embodiment of the present invention.

도 13은 본 발명의 제5실시예에 따른 발광다이오드 장치에 적용되는 방열판을 도시한 사시도이다. 13 is a perspective view illustrating a heat sink applied to a light emitting diode device according to a fifth embodiment of the present invention.

도 14는 본 발명의 제5실시예에 따른 발광다이오드 장치를 도시한 단면도이다. 14 is a cross-sectional view showing a light emitting diode device according to a fifth embodiment of the present invention.

도 15는 도 14의 변형 실시예를 도시한 단면도이다. 15 is a cross-sectional view illustrating a modified embodiment of FIG. 14.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명 *Brief description of symbols for the main parts of the drawings

11: 기판 15: 방열판11: substrate 15: heat sink

18: 발광다이오드칩 21: 반사체18: light emitting diode chip 21: reflector

Claims (10)

하나 이상의 관통공을 가진 기판;A substrate having one or more through holes; 베이스 및 상기 베이스에서 상부로 돌출된 하나 이상의 방열돌출부를 가진 방열판; 및 A heat sink having a base and at least one heat dissipation protrusion protruding upward from the base; And 상기 방열돌출부의 상면에 장착되는 발광다이오드칩;을 포함하고, And a light emitting diode chip mounted on an upper surface of the heat dissipation protrusion. 상기 방열판의 방열돌출부는 상기 기판의 관통공 내에 삽입되며, 상기 방열돌출부의 내부에는 중공부가 형성되고, 상기 방열돌출부의 상면은 폐쇄되며, 상기 방열돌출부의 하부는 개방되고, The heat dissipation protrusion of the heat dissipation plate is inserted into the through hole of the substrate, and a hollow part is formed inside the heat dissipation protrusion, the upper surface of the heat dissipation protrusion is closed, and the lower part of the heat dissipation protrusion is opened, 상기 방열판의 베이스는 그 길이가 그 폭보다 길게 연장된 구조로 구성되며, 상기 베이스에는 복수의 방열돌출부가 베이스의 길이방향으로 이격되어 연속되고,The base of the heat sink is composed of a structure extending in length longer than its width, the base is a plurality of heat dissipation protrusions are continuous spaced apart in the longitudinal direction of the base, 상기 방열판의 베이스에는 복수의 절취부가 형성되며, 상기 복수의 절취부는 상기 복수의 방열돌출부 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 장치.A plurality of cutouts are formed in the base of the heat sink, and the plurality of cutouts are disposed between the plurality of heat dissipation protrusions. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 방열판의 베이스에는 상기 방열돌출부에 인접하여 하나 이상의 체결부 가 형성되고, 상기 체결부는 상기 기판측에 체결되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 장치. At least one fastening portion is formed in the base of the heat sink adjacent to the heat dissipation protrusion, and the fastening portion is fastened to the substrate side. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 방열판과 기판의 서로 접촉하는 부분에는 접착제가 개재되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 장치.The light emitting diode device, characterized in that an adhesive is interposed in the contact portion of the heat sink and the substrate. 하나 이상의 관통공을 가진 기판;A substrate having one or more through holes; 베이스 및 상기 베이스에서 상부로 돌출된 하나 이상의 방열돌출부를 가진 방열판; 및 A heat sink having a base and at least one heat dissipation protrusion protruding upward from the base; And 상기 방열돌출부의 상면에 장착되는 발광다이오드칩;을 포함하고, And a light emitting diode chip mounted on an upper surface of the heat dissipation protrusion. 상기 방열판은 좌우 한 쌍의 분할 방열판으로 구성되며, 상기 각 분할 방열판은 베이스 및 베이스의 상면에 일체로 돌출된 방열돌출부를 가지고, 상기 각 분할 방열판의 방열돌출부 주변에는 접속부가 각각 형성되며, 상기 한 쌍의 분할 방열판은 서로 이격된 상태로 상기 기판의 관통공에 설치되고, The heat sink includes a pair of left and right split heat sinks, each split heat sink has a heat dissipation protrusion protruding integrally on a base and an upper surface of the base, and a connection part is formed around the heat dissipation protrusion of each split heat sink. The pair of divided heat sinks are installed in the through hole of the substrate spaced apart from each other, 상기 기판의 관통공 주변에는 한 쌍의 비어홀이 형성되고, 상기 각 분할 방열판의 접속부는 각 비어홀에 개별적으로 삽입되며, 각 비어홀 내에는 솔더링부가 각 분할 방열판의 접속부와 접속하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 장치.  A pair of via holes are formed around the through hole of the substrate, and the connection portions of the divided heat sinks are inserted into the via holes individually, and the soldering portions are formed to connect with the connection portions of the divided heat sinks in the via holes. Light emitting diode device. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 각 분할 방열판의 베이스에는 복수의 방열돌출부가 베이스의 길이방향으로 이격되어 연속되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 장치.A light emitting diode device, characterized in that a plurality of heat dissipation protrusions are continuous to the base of each of the divided heat sinks spaced apart in the longitudinal direction of the base. 제6항 또는 제7항에 있어서,8. The method according to claim 6 or 7, 상기 한 쌍의 분할 방열판의 상면에는 플립칩 타입의 발광다이오드칩이 가로질러 설치되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 장치.A light emitting diode device, characterized in that a flip chip type light emitting diode chip is provided across the upper surface of the pair of divided heat sinks. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 분할 방열판의 베이스 하면에는 절연층이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 장치.A light emitting diode device, characterized in that an insulating layer is formed on the bottom surface of the divided heat sink. 제1항 또는 제6항에 있어서,7. The method according to claim 1 or 6, 상기 기판의 상면에는 상기 발광다이오드칩을 포위하도록 반사체가 설치되고, A reflector is disposed on an upper surface of the substrate to surround the light emitting diode chip. 상기 반사체는 경사진 반사측벽부 및 상기 반사측벽부의 하단에서 외경방향으로 연장된 수평평탄부를 가지며, 상기 수평평탄부는 상기 기판의 상면에 부착되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 장치.And the reflector has an inclined reflective side wall portion and a horizontal flat portion extending in an outer diameter direction from a lower end of the reflective side wall portion, wherein the horizontal flat portion is attached to an upper surface of the substrate.
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