KR101085150B1 - 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법 - Google Patents

횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101085150B1
KR101085150B1 KR1020030042964A KR20030042964A KR101085150B1 KR 101085150 B1 KR101085150 B1 KR 101085150B1 KR 1020030042964 A KR1020030042964 A KR 1020030042964A KR 20030042964 A KR20030042964 A KR 20030042964A KR 101085150 B1 KR101085150 B1 KR 101085150B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
pixel
gate
common
storage lower
Prior art date
Application number
KR1020030042964A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050001954A (ko
Inventor
김우현
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020030042964A priority Critical patent/KR101085150B1/ko
Publication of KR20050001954A publication Critical patent/KR20050001954A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101085150B1 publication Critical patent/KR101085150B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134318—Electrodes characterised by their geometrical arrangement having a patterned common electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/40—Arrangements for improving the aperture ratio

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

상/하부기판 합착시 미스 얼라인 문제 및 개구율 감소 문제를 해결하고, 스토리지 커패시터의 용량을 확보하기에 용이한 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정표시장치는, 소정 간격을 두고 서로 대향되는 제 1 기판 및 제 2 기판과; 상기 제 1 기판상에 종횡으로 형성되어 화소영역을 정의하는 게이트라인 및 데이터라인과; 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차 부위에 형성된 박막 트랜지스터와; 상기 박막 트랜지스터의 드레인전극에서 연장되어, 상기 화소영역 내에 종방향으로 형성된 화소전극과; 상기 화소전극에서 연장되어, 상기 화소영역의 외곽에 형성된 스토리지 하부전극과; 상기 박막 트랜지스터, 상기 화소전극 및 상기 스토리지 하부전극을 포함한 상기 제 1 기판의 전면에 형성된 층간절연막과; 상기 층간절연막 상에, 상기 화소전극과 동일한 방향으로, 상기 화소전극 사이에 소정간격으로 이격되어 형성되고, 상기 화소전극 사이에 배치되는 적어도 일부가 상기 스토리지 하부전극과 오버랩되는 공통전극과; 상기 층간절연막 상에, 상기 공통전극과 연결되고, 적어도 일부가 상기 게이트라인과 오버랩되도록 형성된 공통배선을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
스토리지 커패시터, 공통배선, 공통전극, 개구율, 스토리지 하부전극

Description

횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE OF IN-PLANE SWITCHING AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
도 1은 일반적인 TN 액정표시장치의 일부를 나타낸 분해 사시도
도 2는 일반적인 횡전계 방식(IPS)의 액정표시장치를 나타낸 개략적인 단면도
도 3a 내지 도 3b는 IPS 모드에서 전압 온(on)/오프(off)시 액정의 상 변이 모습을 나타내는 도면
도 4a 및 도 4b는 각각 오프상태와 온 상태일 때 IPS 모드 액정표시장치의 동작을 나타낸 사시도
도 5는 종래 기술에 따른 액정표시장치의 평면도
도 6은 도 5의 Ⅰ-Ⅰ'와 Ⅱ-Ⅱ' 선상을 자른 구조 단면도
도 7은 종래의 다른 기술에 따른 액정표시장치의 평면도
도 8은 도 6의 Ⅲ-Ⅲ'와 Ⅳ-Ⅳ' 선상을 자른 구조 단면도
도 9는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치의 평면도
도 10은 도 9의 Ⅴ-Ⅴ'와 Ⅵ-Ⅵ' 선상을 자른 구조 단면도
도 11a 내지 도 11c는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법을 나타낸 공정단면도
도 12는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치의 평면도
도 13은 도 12의 Ⅶ-Ⅶ'와 Ⅷ-Ⅷ' 선상을 자른 구조 단면도
도 14a 내지 도 14c는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법을 나타낸 공정단면도
도 15는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치의 평면도
도 16은 도 15의 Ⅸ-Ⅸ'와 Ⅹ-Ⅹ' 선상을 자른 구조 단면도
도 17a 내지 도 17c는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법을 나타낸 공정단면도
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 상부기판 110 : 하부기판
111 : 게이트라인 111a : 게이트전극
112 : 게이트절연막 113 : 액티브층
114 : 데이터라인 114a : 소오스전극
114b: 드레인전극 114c : 화소 전극
114d : 스토리지 하부전극 115 : 층간절연막
116a : 공통전극 116b : 공통배선
본 발명은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device)에 관한 것으로, 특히 상/하판 합착마진에 의한 개구율 감소를 해결하기에 알맞은 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 표시장치에 대한 요구도 다양한 형태로 점증하고 있으며, 이에 부응하여 근래에는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electro Luminescent Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등 여러 가지 평판 표시 장치가 연구되어 왔고, 일부는 이미 여러 장비에서 표시장치로 활용되고 있다.
그 중에, 현재 화질이 우수하고 경량, 박형, 저소비 전력의 장점으로 인하여 이동형 화상 표시장치의 용도로 CRT(Cathode Ray Tube)를 대체하면서 LCD가 가장 많이 사용되고 있으며, 노트북 컴퓨터의 모니터와 같은 이동형의 용도 이외에도 방송신호를 수신하여 디스플레이하는 텔레비전, 및 컴퓨터의 모니터 등으로 다양하게 개발되고 있다.
이와 같이 액정표시장치가 여러 분야에서 화면 표시장치로서의 역할을 하기 위해 여러 가지 기술적인 발전이 이루어졌음에도 불구하고 화면 표시장치로서 화상의 품질을 높이는 작업은 상기 장점과 배치되는 면이 많이 있다.
따라서, 액정표시장치가 일반적인 화면 표시장치로서 다양한 부분에 사용되기 위해서는 경량, 박형, 저 소비전력의 특징을 유지하면서도 고정세, 고휘도, 대면적 등 고 품위 화상을 얼마나 구현할 수 있는가에 발전의 관건이 걸려 있다고 할 수 있다.
이와 같은 액정표시장치는, 화상을 표시하는 액정 패널과 상기 액정 패널에 구동신호를 인가하기 위한 구동부로 크게 구분될 수 있으며, 상기 액정 패널은 공간을 갖고 합착된 제 1, 제 2 유리 기판과, 상기 제 1, 제 2 유리 기판 사이에 주입된 액정층으로 구성된다.
여기서, 상기 제 1 유리 기판(TFT 어레이 기판)에는, 일정 간격을 갖고 일 방향으로 배열되는 복수개의 게이트 라인과, 상기 각 게이트 라인과 수직한 방향으로 일정한 간격으로 배열되는 복수개의 데이터 라인과, 상기 각 게이트 라인과 데이터 라인이 교차되어 정의된 각 화소영역에 매트릭스 형태로 형성되는 복수개의 화소 전극과 상기 게이트 라인의 신호에 의해 스위칭되어 상기 데이터 라인의 신호를 상기 각 화소 전극에 전달하는 복수개의 박막 트랜지스터가 형성되어 있다.
그리고 제 2 유리 기판(컬러필터 기판)에는, 상기 화소 영역을 제외한 부분의 빛을 차단하기 위한 블랙 매트릭스층과, 컬러 색상을 표현하기 위한 R,G,B 컬러 필터층과 화상을 구현하기 위한 공통 전극이 형성되어 있다. 물론, 횡전계 방식의 액정표시장치에서는 공통전극이 제 1 유리 기판에 형성되어 있다.
이와 같은 상기 제 1, 제 2 유리 기판은 스페이서(spacer)에 의해 일정 공간을 갖고 액정 주입구를 갖는 씨일재에 의해 합착되고 상기 두 기판 사이에 액정이 주입된다.
이때, 액정 주입 방법은 상기 실재에 의해 합착된 두 기판 사이를 진공 상태로 유지하여 액정 용기에 상기 액정 주입구가 잠기도록 하면 삼투압 현상에 의해 액정이 두 기판 사이에 주입된다. 이와 같이 액정이 주입되면 상기 액정 주입구를 밀봉재로 밀봉하게 된다.
한편, 상기와 같이 액정표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다.
상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.
따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의하여 편광된 빛이 임의로 변조되어 화상정보를 표현할 수 있다.
이러한 액정은 전기적인 특정분류에 따라 유전율 이방성이 양(+)인 포지티브 액정과 음(-)인 네거티브 액정으로 구분될 수 있으며, 유전율 이방성이 양인 액정분자는 전기장이 인가되는 방향으로 액정분자의 장축이 평행하게 배열하고, 유전율 이방성이 음인 액정분자는 전기장이 인가되는 방향과 액정분자의 장축이 수직하게 배열한다.
도 1은 일반적인 TN 액정표시장치의 일부를 나타낸 분해 사시도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 일정 공간을 갖고 합착된 하부기판(1) 및 상부기판(2)과, 상기 하부기판(1)과 상부기판(2) 사이에 주입된 액정층(3)으로 구성되어 있다.
보다 구체적으로 설명하면, 상기 하부기판(1)은 화소영역(P)을 정의하기 위하여 일정한 간격을 갖고 일방향으로 복수개의 게이트 라인(4)이 배열되고, 상기 게이트 라인(4)에 수직한 방향으로 일정한 간격을 갖고 복수개의 데이터 라인(5)이 배열되며, 상기 게이트 라인(4)과 데이터 라인(5)이 교차하는 각 화소영역(P)에는 화소전극(6)이 형성되고, 상기 각 게이트 라인(4)과 데이터 라인(5)이 교차하는 부분에 박막 트랜지스터(T)가 형성되어 있다.
그리고 상기 상부기판(2)은 상기 화소영역(P)을 제외한 부분의 빛을 차단하기 위한 블랙 매트릭스층(7)과, 컬러 색상을 표현하기 위한 R,G,B 컬러 필터층(8)과, 화상을 구현하기 위한 공통전극(9)이 형성되어 있다.
여기서, 상기 박막 트랜지스터(T)는 상기 게이트 라인(4)으로부터 돌출된 게이트 전극과, 전면에 형성된 게이트 절연막(도면에는 도시되지 않음)과 상기 게이트 전극 상측의 게이트 절연막위에 형성된 액티브층과, 상기 데이터 라인(5)으로부터 돌출된 소오스 전극과, 상기 소오스 전극에 대향되도록 드레인 전극을 구비하여 구성된다.
상기 화소전극(6)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명 도전성 금속을 사용한다.
전술한 바와 같이 구성되는 액정표시장치는 상기 화소전극(6)상에 위치한 액정층(3)이 상기 박막 트랜지스터(T)로부터 인가된 신호에 의해 배향되고, 상기 액정층(3)의 배향 정도에 따라 액정층(3)을 투과하는 빛의 양을 조절하는 방식으로 화상을 표현할 수 있다.
전술한 바와 같은 액정패널은 상-하로 걸리는 전기장에 의해 액정을 구동하는 방식으로, 투과율과 개구율 등의 특성이 우수하며, 상부기판(2)의 공통전극(9) 이 접지역할을 하게 되어 정전기로 인한 액정 셀의 파괴를 방지할 수 있다.
그러나, 상-하로 걸리는 전기장에 의한 액정 구동은 시야각 특성이 우수하지 못한 단점을 갖고 있다.
따라서, 상기의 단점을 극복하기 위해 새로운 기술 즉, IPS의 액정표시장치가 제안되고 있다.
도 2는 일반적인 IPS의 액정표시장치를 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 하부기판(11)상에 화소전극(12)과 공통전극(13)이 동일 평면상에 형성되어 있다.
그리고 상기 하부기판(11)과 일정 공간을 갖고 합착된 상부기판(15) 사이에 형성된 액정층(14)은 상기 하부기판(11)상의 상기 화소전극(12)과 공통전극(13) 사이의 횡전계에 의해 작동한다.
도 3a 내지 도 3b는 IPS 모드에서 전압 온(on)/오프(off)시 액정의 상 변이 모습을 나타내는 도면이다.
즉, 도 3a는 화소전극(12) 또는 공통전극(13)에 횡전계가 인가되지 않은 오프(off)상태로써, 액정층(14)의 상 변이가 일어나지 않음을 알 수 있다. 예를 들어 화소전극(12)과 공통전극(13)의 수평 방향에서 기본적으로 45°틀어져있다.
도 3b는 상기 화소전극(12)과 공통전극(13)에 횡전계가 인가된 온(on) 상태로써, 액정층(14)의 상 변이가 일어나고, 도 3a의 오프 상태와 비교해서 45°정도로 뒤틀림 각을 가지고, 화소전극(12)과 공통전극(13)의 수평방향과 액정의 비틀림 방향이 일치함을 알 수 있다.
상술한 바와 같이 IPS의 액정표시장치는 동일 평면상에 화소전극(12)과 공통전극(13)이 모두 존재한다.
상기 횡전계 방식의 장점으로는 광시야각이 가능하다는 것이다.
즉, 액정표시장치를 정면에서 보았을 때, 상/하/좌/우 방향으로 약 70°방향에서 가시 할 수 있다.
그리고, 일반적으로 사용되는 액정표시장치에 비해 제작 공정이 간단하고, 시야각에 따른 색의 이동이 적은 장점이 있다.
그러나, 공통전극(13)과 화소전극(12)이 동일 기판상에 존재하기 때문에 빛에 의한 투과율 및 개구율이 저하되는 단점이 있다.
또한, 구동전압에 의한 응답시간을 개선해야 하고, 셀 갭(cell gap)의 정렬오차 마진(misalign margin)이 작기 때문에 상기 셀 갭을 균일하게 해야 하는 단점이 있다.
즉, 횡전계 방식의 액정표시장치는 상기와 같은 장점과 단점이 있으므로 사용자의 사용 용도에 따라 선택해서 사용할 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 각각 오프상태와 온 상태일 때 IPS의 액정표시장치의 동작을 나타낸 사시도이다.
도 4a에 도시한 바와 같이, 화소전극(12) 또는 공통전극(13)에 횡전계 전압이 인가되지 않았을 경우에는 액정분자 배열방향(16)은 초기 배향막(도시되지 않음)의 배열 방향과 동일한 방향으로 배열된다.
그리고 도 4b에 도시한 바와 같이, 화소전극(12)과 공통전극(13)에 횡전계 전압이 인가되었을 때 액정분자의 배열방향(16)은 전기장이 인가되는 방향(17)으로 배열함을 알 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 종래의 액정표시장치에 대하여 설명하기로 한다.
도 5는 종래 기술에 따른 액정표시장치의 평면도이고, 도 6은 도 5의 Ⅰ-Ⅰ'와 Ⅱ-Ⅱ' 선상을 자른 구조 단면도이다.
그리고 도 7은 종래의 다른 기술에 따른 액정표시장치의 평면도이고, 도 8은 도 6의 Ⅲ-Ⅲ'와 Ⅳ-Ⅳ' 선상을 자른 구조 단면도이다.
그리고 도 9는 종래의 또 다른 기술에 따른 액정표시장치의 평면도이고, 도 10은 도 9의 Ⅴ-Ⅴ'와 Ⅵ-Ⅵ' 선상을 자른 구조 단면도이다.
종래 기술에 따른 액정표시장치는 도 5와 도 6에 도시한 바와 같이 투명한 하부기판(60)상에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인(61) 및 데이터라인(64)과, 상기 게이트라인(61)과 평행한 방향으로 화소영역의 상,하부내에 일방향으로 형성된 공통배선(61b)과, 상기 공통배선(61b)과 일체로 형성되며 상기 데이터라인(64)과 평행한 방향으로 상기 화소영역내에 복수개 형성된 공통전극(61c)과, 상기 게이트라인(61)의 일측에서 돌출 형성된 게이트 전극(61a)과, 상기 게이트 전극(61a)을 포함한 하부기판(60)의 전면에 SiNx 또는 SiOx와 같은 물질로 형성되는 게이트 절연막(62)과, 상기 게이트 전극(61a) 상부의 상기 게이트절연막(62)상에 아일랜드 형태로 형성되는 액티브층(63)과, 상기 액티브층(63)의 일측에 오버랩되도록 상기 데이터 라인(64)으로부터 돌출 형성된 소오스 전극(64a)과 상기 소 오스 전극(64a)과 이격되어 상기 액티브층(63)의 타측에 오버랩되는 드레인 전극(64b)과, 상기 드레인전극(64b)에서 연장되어 상기 공통전극(61c) 사이에 형성된 화소전극(64d)과, 상기 화소전극(64c)에서 연장되어 상기 공통배선(61b) 상부에 형성된 스토리지 전극(64c)으로 구성된다.
상기에서 드레인전극(64b)과 화소전극(64d)과 스토리지 전극(64c)은 동일층상에 일체로 형성되어 있다.
상기 구성을 갖는 하부기판(60)에 대응되는 상부기판(50)에는, 빛의 누설을 방지하기 위한 블랙 매트릭스층(51)과, 화소영역에 대응되는 부분에 형성된 R,G,B의 칼라필터층(52)으로 구성된다.
이때 상부기판(50)에 형성된 블랙 매트릭스층(51)은 데이터라인(64)과 이에 인접한 곳에 배열된 공통전극(61c) 사이까지 확장 형성되어 있으며, 데이터라인(64)과 게이트라인(61) 및 박막 트랜지스터(TFT)에 대응되는 영역에 상, 하판 합착 마진을 고려하여 넓게 형성되어 있다.
다음에 종래의 다른 기술에 따른 액정표시장치는 도 7과 도 8에 도시한 바와 같이 투명한 하부기판(80)상에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인(81) 및 데이터라인(84)과, 상기 게이트라인(81)과 평행한 방향으로 화소영역의 상,하부내에 일방향으로 형성된 공통배선(81b)과, 상기 공통배선(81b)과 일체로 형성되며 상기 데이터라인(84)과 평행한 방향으로 상기 화소영역내에 복수개 형성된 공통전극(81c)과, 상기 게이트라인(81)의 일측에서 돌출 형성된 게이트 전극(81a)과, 상기 게이트 전극(81a)을 포함한 하부기판(80)의 전면에 SiNx 또는 SiOx와 같은 물질로 형성되는 게이트 절연막(82)과, 상기 게이트 전극(81a) 상부의 상기 게이트절연막(82)상에 아일랜드 형태로 형성되는 액티브층(83)과, 상기 액티브층(83)의 일측에 오버랩되도록 상기 데이터 라인(84)으로부터 돌출 형성된 소오스 전극(84a)과 상기 소오스 전극(84a)과 이격되어 상기 액티브층(83)의 타측에 오버랩되는 드레인 전극(84b)과, 상기 공통배선(81b)의 일영역 상부에 형성된 스토리지 전극(84c)과, 상기 소오스 전극(84a)과 드레인 전극(84b)을 포함한 하부기판(80) 전면에 형성되며 상기 드레인전극(84b)과 스토리지 전극(84c)에 각각 제 1, 제 2 콘택홀(87a, 87b)을 갖는 층간절연막(85)과, 상기 제 1, 제 2 콘택홀(87a, 87b)을 통해 드레인전극(84b)과 스토리지 전극(84c)에 콘택되며 상기 공통전극(81c) 사이에 형성된 화소전극(86)으로 구성된다.
상기에서 화소전극(86)은 투명 도전막으로 형성되어 있다.
상술한 바와 같이 IPS 액정표시장치는 공통전극과 화소전극이 동일 기판상에 형성된 구조로서, 시야각 향상에 큰 이점을 갖고 있다.
그러나 상기와 같은 종래의 횡전계 방식(IPS)의 액정표시장치는 다음과 같은 문제점이 있다.
첫째, 공통배선이 화소영역의 일영역을 점유하고 있으므로 개구율이 낮아지는 문제가 있다.
둘째, 상부기판에 형성되는 블랙 매트릭스층이 상/하판 합착 마진을 고려하여 넓게 설계되어 있으므로, 개구율이 낮아질 뿐만 아니라, 상/하부기판의 합착시 미스 얼라인 문제가 발생한다.
셋째, 화소영역의 일부를 점유한 공통배선 상부에 스토리지 전극을 형성하여야 하므로, 스토리지 커패시터를 확보하기가 어렵다.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출한 것으로 특히, 본 발명의 목적은 상/하부기판 합착시 미스 얼라인 문제 및 개구율 감소 문제를 해결하기에 알맞은 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 스토리지 커패시터를 확보하기에 용이한 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법을 제공하는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정표시장치는, 소정 간격을 두고 서로 대향되는 제 1 기판 및 제 2 기판과; 상기 제 1 기판상에 종횡으로 형성되어 화소영역을 정의하는 게이트라인 및 데이터라인과; 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차 부위에 형성된 박막 트랜지스터와; 상기 박막 트랜지스터의 드레인전극에서 연장되어, 상기 화소영역 내에 종방향으로 형성된 화소전극과; 상기 화소전극에서 연장되어, 상기 화소영역의 외곽에 형성된 스토리지 하부전극과; 상기 박막 트랜지스터, 상기 화소전극 및 상기 스토리지 하부전극을 포함한 상기 제 1 기판의 전면에 형성된 층간절연막과; 상기 층간절연막 상에, 상기 화소전극과 동일한 방향으로, 상기 화소전극 사이에 소정간격으로 이격되어 형성되고, 상기 화소전극 사이에 배치되는 적어도 일부가 상기 스토리지 하부전극과 오버랩되는 공통전극과; 상기 층간절연막 상에, 상기 공통전극과 연결되고, 적어도 일부가 상기 게이트라인과 오버랩되도록 형성된 공통배선을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
본 발명의 다른 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치는, 소정 간격을 두고 서로 대향되는 제 1 기판 및 제 2 기판과; 상기 제 1 기판상에 종횡으로 형성되어 화소영역을 정의하는 게이트라인 및 데이터라인과; 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차 부위에 형성된 박막 트랜지스터와; 상기 박막 트랜지스터의 드레인전극에서 연장되어, 상기 화소영역 내에 종방향으로 형성된 화소전극과; 상기 화소전극에서 연장되어 상기 화소영역의 외곽에 형성된 스토리지 하부전극과; 상기 박막 트랜지스터, 상기 화소전극 및 상기 스토리지 하부전극을 포함한 상기 제 1 기판의 전면에 형성된 층간절연막과; 상기 층간절연막 상에, 상기 화소전극과 동일한 방향으로, 상기 화소전극 사이에 소정간격으로 이격되어 형성되고, 상기 화소전극 사이에 배치되는 적어도 일부가 상기 스토리지 하부전극과 오버랩되는 공통전극과; 상기 층간절연막 상에, 상기 공통전극과 연결되고, 적어도 일부가 이웃하는 화소영역까지 연장되어 상기 게이트라인과 오버랩되도록 형성된 공통배선을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
삭제
상기 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법은, 기판 상에, 일측에 게이트전극을 구비한 게이트라인을 형성하는 단계; 상기 게이트전극 및 상기 게이트라인을 포함한 상기 기판의 전면에, 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 상에, 상기 게이트전극과 대응하고 아일랜드 형태를 갖는 액티브층을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 상에, 화소영역이 정의되도록 상기 게이트라인과 교차 배치되는 데이터라인, 상기 액티브층의 일측 및 타측에 각각 오버랩되는 소오스전극과 드레인전극, 상기 드레인전극에서 연장되어 상기 화소영역에 대응하고 종방향을 갖는 화소전극 및 상기 화소전극에서 연장되어 상기 화소영역의 외곽에 배치되는 스토리지 하부전극을 형성하는 단계; 상기 소오스전극과 드레인전극을 포함하는 박막 트랜지스터, 상기 데이터라인, 상기 화소전극 및 상기 스토리지 하부전극을 포함한 상기 기판의 전면에, 층간절연막을 형성하는 단계; 및 상기 층간절연막 상에, 상기 화소전극과 동일한 방향으로 상기 화소전극 사이에 소정간격으로 이격되고 상기 화소전극 사이에 배치되는 적어도 일부가 상기 스토리지 하부전극과 오버랩되는 공통전극과, 상기 공통전극과 연결되고 적어도 일부가 상기 게이트라인과 오버랩되는 공통배선을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
본 발명의 다른 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법은, 기판 상에, 일측에 게이트전극을 구비한 게이트라인을 형성하는 단계; 상기 게이트전극 및 상기 게이트라인을 포함한 상기 기판의 전면에, 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 상에, 상기 게이트전극과 대응하고 아일랜드 형태를 갖는 액티브층을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 상에, 화소영역이 정의되도록 상기 게이트라인과 교차 배치되는 데이터라인, 상기 액티브층의 일측 및 타측에 각각 오버랩되는 소오스전극과 드레인전극, 상기 드레인전극에서 연장되어 상기 화소영역에 대응하고 종방향을 갖는 화소전극 및 상기 화소전극에서 연장되어 상기 화소영역의 외곽에 배치되는 스토리지 하부전극을 형성하는 단계; 상기 소오스전극과 드레인전극을 포함하는 박막 트랜지스터, 상기 데이터라인, 상기 화소전극 및 상기 스토리지 하부전극을 포함한 상기 기판의 전면에 층간절연막을 형성하는 단계; 및 상기 층간절연막 상에, 상기 화소전극과 동일한 방향으로 상기 화소전극 사이에 소정간격으로 이격되고 상기 화소전극 사이에 배치되는 적어도 일부가 상기 스토리지 하부전극과 오버랩되는 공통전극과, 상기 공통전극과 연결되고 적어도 일부가 이웃하는 화소영역까지 연장되어 상기 게이트라인과 오버랩되는 공통배선을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.
삭제
삭제
삭제
이하, 첨부 도면을 참조하여 실시예별로 본 발명의 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.
제 1 실시예
본 발명의 제 1 실시예는 공통배선과 공통전극이 게이트라인과는 별개의 최상부층에 형성되고, 스토리지 커패시터를 추가 점유면적 없이 외곽의 공통전극 상부에 형성하며, 공통배선과 게이트라인 사이의 빛샘 문제를 해결한 구조에 특징이 있다.
먼저, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치에 대하여 설명한다.
도 9는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치의 평면도이고, 도 10은 도 9의 Ⅴ-Ⅴ'와 Ⅵ-Ⅵ' 선상을 자른 구조 단면도이다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치는 도 9, 도 10에 도시한 바와 같이, 투명한 하부기판(110)상에 일방향으로 배열된 게이트라인(111)과, 상기 게이트 라인(111)의 일측에서 돌출 형성된 게이트 전극(111a)과, 상기 게이트 전극(111a)을 포함한 하부기판(110)의 전면에 SiNx 또는 SiOx와 같은 물질로 형성된 게이트 절연막(112)과, 상기 게이트 전극(111a) 상부의 상기 게이트 절연막(112)상에 아일랜드 형태로 형성되는 액티브층(113)과, 상기 게이트라인(111)과 교차 배열되어 화소영역을 정의하는 데이터라인(114)과, 상기 데이터라인(114)으로부터 돌출되어 상기 액티브층(113)의 일측 상부에 오버랩된 소오스 전극(114a)과, 상기 소오스 전극(114a)과 일정 간격 이격되어 액티브층(113)의 타측에 오버랩된 드레인 전극(114b)과, 상기 드레인전극(114b)에서 연장되어 상기 화소영역에 일라인 방향으로 배열된 복수개의 화소전극(114c)과, 상기 드레인전극(114b) 및 화소전극(114c)과 연결되며 상기 화소영역의 외곽부(이하에서, "화소영역의 외곽부"는 화소영역 내의 가장자리 부분을 의미함)를 둘러싸도록 형성된 스토리지 하부전극(114d)과, 상기 데이터라인(114) 및 스토리지 하부전극(114d)을 포함한 하부기판(110) 전면에 형성된 층간절연막(115)과, 상기 화소전극(114c)들의 사이 및 상기 스토리지 하부전극(114d)의 상부를 따라 형성된 공통전극(116a)과, 상기 공통전극(116a)에서 상기 게이트라인(111) 상부까지 연장 형성된 공통배선(116b)으로 구성된다.
상기 스토리지 하부전극(114d)은 이전단의 게이트라인(111)의 일측과 오버랩되도록 횡방향으로도 형성되어 있다.
그리고 상기 스토리지 하부전극(114d) 상부에 형성된 공통전극(116a)은 스토리지 하부전극(114d)보다 넓게 형성되며, 스토리지 상부전극 역할을 한다.
상기 화소전극(114c)은 데이터라인(114)과 평행한 방향으로 배열되어 있다.
상기 층간절연막(115)은 산화막이나 질화막으로 구성되어 있다.
상기에서 게이트라인(111)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 적어도 어느 하나의 금속으로 구성할 수 있는데, 공통배선(116b)과 게이트라인(111) 사이의 기생용량에 의한 게이트신호 지연이 우려될 경우에는 저항이 작은 구리를 사용하여 이에 대응한다.
상기에서 공통배선(116b)은 스토리지 하부전극(114d)과 게이트라인(111) 사이도 덮도록 형성되어 있다. 따라서 게이트라인 방향으로 빛샘이 발생하는 것을 방 지할 수 있다.
상기에서와 같이 본 발명의 공통배선(116b)은 게이트라인(111)과 별개로 최상부층에 형성되어 있으므로, 종래에서와 같이 게이트라인과 이격되는 간격이 요구되지 않으며, 스토리지 커패시턴스를 확보하기 위해 공통배선의 폭을 넓게 형성하지 않아도 되므로 개구율이 감소되는 문제도 발생되지 않는다.
상기에서와 같이 스토리지 커패시터는 화소영역 외곽부의 스토리지 하부전극(114d)을 따라 형성되므로 추가적인 점유 면적이 요구되지 않는다.
이와 같이 본 발명의 제 1 실시예는 스토리지 온 콤온(Storage On Common) 구조이다.
또한, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 하부기판(110)의 전면에 폴리이미드(polyimide)로 이루어진 배향막(도시되지 않음)이 형성되어 있다.
상기 공통전극(116a)과 공통배선(116b)은 동일층상에 형성되며, 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 등의 금속, 또는 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO)나 주석산화물(Tin Oxide : TO)이나 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO)이나 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide:ITZO)과 같은 투명 도전막으로 구성되어 있다.
또한, 도면에는 도시되어 있지 않지만, 상기 구성을 갖는 하부기판(110)에 대응되는 상부기판(100)위에는, 빛을 차단하기 위한 블랙 매트릭스층(101)과, 하부기판(110)의 화소영역에 대응되는 부분에 색을 표현하기 위한 R,G,B의 칼라필터층(102)으로 구성된다.
이때 블랙 매트릭스층(101)은 데이터라인(114)과 박막 트랜지스터의 상부를 따라 형성되어 있다.
상기에서 하부기판(110)의 게이트라인(111) 상부에 형성된 공통배선(116b)이 블랙 매트릭스층의 역할을 대신하므로, 게이트라인(111)에 대응되는 상부기판(100)에는 블랙 매트릭스층(101)을 생략한다.
다음에, 상기 구성을 갖도록 본 발명의 제 1 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법에 대하여 설명한다.
도 11a 내지 도 11c는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법을 나타낸 공정단면도이다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법은 도 11a에 도시한 바와 같이 투명한 하부 기판(110)상에 도전성 금속을 증착하고, 포토 및 식각 공정을 이용하여 도전성 금속을 패터닝하여, 일 끝단이 소정면적으로 넓게 구성되는 게이트 패드(미도시)와 상기 게이트 패드에서 일 방향으로 연장된 게이트라인(111)과 상기 게이트 라인(111)에서 일 방향으로 돌출 형성된 게이트 전극(111a)을 형성한다.
이후에 상기 게이트라인(111)이 형성된 하부기판(110)의 전면에 게이트 절연막(112)을 형성한다.
여기서 상기 게이트 절연막(112)은 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiO2)을 사용할 수 있다.
이후에 상기 게이트 절연막(112)상에 반도체층(아몰퍼스실리콘 + 불순물 아몰퍼스실리콘)을 형성한다.
그리고 상기 반도체층을 포토 및 식각 공정으로 패터닝하여, 상기 게이트 전극(111a) 상부에 아일랜드(island) 형태를 갖는 액티브층(113)을 형성한다.
이어서, 도 11b에 도시한 바와 같이 상기 액티브층(113)이 형성된 하부기판(110)의 전면에 도전성 금속을 증착하고 포토 및 식각 공정을 통해 패터닝하여, 상기 게이트 라인(111)과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 라인(114)을 형성하고, 끝단에 소정면적을 갖는 소오스 패드(미도시)와, 상기 데이터 라인(114)에서 일방향으로 돌출 연장된 소오스전극(114a)과, 소오스전극(114a)과 일정간격 격리된 드레인전극(114b)을 형성한다.
이때 드레인전극(114b)에서 연장되어 화소영역의 외곽부를 둘러싸도록 스토리지 하부전극(114d)을 형성하고, 스토리지 하부전극(114d)과 연결되며 데이터라인(114)과 평행하게 배열되도록 화소영역에 복수개의 화소전극(114c)도 형성한다.
상기 스토리지 하부전극(114d)은 이전단의 게이트라인(111)의 일측에 오버랩되도록 횡방향으로도 형성한다.
이후에 데이터라인(114)이 형성된 하부기판(110)의 전면에 층간절연막(115)을 형성한다.
상기 층간절연막(115)은 보호막 역할을 하는 산화막 또는 질화막으로 형성한다.
이어서, 도 11c에 도시한 바와 같이, 화소전극(114c)을 포함한 층간절연막(115) 상부에 금속층이나 투명 도전막을 증착한 후에 포토 및 식각 공정을 통해 상기 금속이나 투명 도전막을 선택적으로 제거하여, 공통전극(116a)과 공통배선(116b)을 형성한다.
이때 공통전극(116a)은 스토리지 하부전극(114d)의 상부 및 화소전극(114c)들의 사이에 형성하고, 공통배선(116b)은 게이트라인(111) 상부 뿐만아니라, 횡방향의 스토리지 하부전극(114d)과 게이트라인(111) 사이를 덮도록 형성한다.
또한 상기 스토리지 하부전극(114d) 상부에 형성된 공통전극(116a)은 스토리지 하부전극(114d)보다 넓게 형성하며, 이와 같은 공통전극(116a)은 스토리지 상부전극 역할도 한다.
상기에서 금속층은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 등을 사용하고, 투명 도전막은 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화물(Tin Oxide : TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO) 또는 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide:ITZO)을 사용할 수 있다.
이후에 도면에는 도시되지 않았지만, 공통전극(116a), 공통배선(116b)을 포함한 하부기판(110)의 전면에 폴리이미드(polyimide)나 광배향성 물질로 이루어진 배향막을 형성한다.
여기서 폴리이미드로 이루어진 배향막은 기계적인 러빙에 의해 배향방향이 결정되며, PVCN계 물질(polyvinylcinnamate based material)이나 폴리실록산계 물질(polysiloxane based material)로 이루어진 광반응성 물질은 자외선과 같은 광의 조사에 의해 배향방향이 결정된다.
이때, 배향방향은 광의 조사방향이나 조사되는 광의 성질, 즉 편광방향 등에 의해 결정된다.
이후에 상부기판(100)을 준비하고, 상기 하부기판(110)과 상부기판(100)을 합착하기 위한 씨일재(미도시)를 하부기판(110) 또는 상부기판(100)에 형성한다.
이어, 상기 상부기판(100)과 하부기판(110)을 합착한다.
여기서, 도면에는 도시되지 않았지만 상기 상부기판(100)의 전면에는 하부기판(110)과 동일한 물질의 배향막을 형성한다.
제 2 실시예
본 발명의 제 2 실시예는 이전단의 게이트라인과 오버랩되는 스토리지 하부전극의 면적을 더 확대함으로써, 본 발명의 제 1 실시예의 구성보다 스토리지 커패시턴스를 더 증대시킬 수 있는 구성에 특징이 있다.
먼저, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치에 대하여 설명한다.
도 12는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치의 평면도이고, 도 13은 도 12의 Ⅶ-Ⅶ'와 Ⅷ-Ⅷ' 선상을 자른 구조 단면도이다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치는 도 12와 도 13에 도시한 바와 같이, 스토리지 하부전극(114d)이 전단 게이트라인(111) 상부에 넓게 연장되어 있어서, 공통배선(116b)과 오버랩되는 면적이 제 1 실시예보다 넓어져서 스토리지 커패시턴스가 증대된다는 것을 제외하고는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치의 구성과 동일하다.
그리고 상기 전단 게이트라인(111) 상부에 형성된 스토리지 하부전극(114d)와 공통배선(116b) 사이에 형성된 스토리지 커패시터는, 스토리지 하부전극(114d)과 공통배선(116b) 사이에 형성된 스토리지 커패시터와 병렬 연결된 형태이다.
상기에서 공통배선(116b)과 전단 게이트라인(111) 사이에 스토리지 하부전극(114d)이 존재하면, 공통배선(116b)과 전단 게이트라인(111) 사이의 기생용량이 제거되는 효과가 있다.
상기와 같이 본 발명의 제 2 실시예의 구성은 본 발명의 제 1 실시예의 구성과 동일하므로 이하, 다른 구성에 대한 설명은 생략하기로 한다.
다음에, 상기 구성을 갖도록 본 발명의 제 2 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법에 대하여 설명한다.
도 14a 내지 도 14c는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법을 나타낸 공정단면도이다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법은 도 14a와 도 14c에 도시한 바와 같이, 스토리지 하부전극(114d)을 전단 게이트라인(111) 상부에 넓게 연장 형성하는 것을 제외하고는 본 발명의 제 1 실시예의 제조방법과 동일한 방법에 의해서 형성하므로 이하, 생략하기로 한다.
제 3 실시예
본 발명의 제 3 실시예는 본 발명의 제 1 실시예에서 공통배선을 투명 도전막으로 형성할 경우에 적용하기 위한 것으로, 공통배선의 저항을 줄이기 위해서 공 통배선을 이웃하는 화소영역으로 연장 형성하는 것에 특징이 있다.
먼저, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 15는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치의 평면도이고, 도 16은 도 15의 Ⅸ-Ⅸ'와 Ⅹ-Ⅹ' 선상을 자른 구조 단면도이다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치는 도 15와 도 16에 도시한 바와 같이, 공통배선(116b)이 공통전극(116a)과 연결되어 좌우의 이웃하는 화소영역으로 연장된 것을 제외하고는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치의 구성과 동일하다. 상기 이외의 구성은 본 발명의 제 1 실시예와 동일하므로 생략하기로 한다.
상기에서 공통배선(116b)을 투명 도전막으로 형성할 경우, 공통배선(116b)을 좌우의 이웃하는 화소영역으로 연장 형성하는 구성은 본 발명의 제 2 실시예에도 적용할 수 있다.
다음에, 상기 구성을 갖는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법에 대하여 설명한다.
도 17a 내지 도 17c는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법을 나타낸 공정단면도이다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법은 도 17a와 도 17c에 도시한 바와 같이, 공통배선(116b)을 공통전극(116a)과 연결되어 좌우의 이웃하는 화소영역으로 연장되도록 형성하는 것을 제외하고는 본 발명의 제 1 실시예의 제조방법과 동일한 방법에 의해서 형성하므로 이하, 생략하기로 한다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술 범위는 상기 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라, 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.
상기와 같은 본 발명의 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 공통배선을 게이트라인과 동시에 화소영역을 점유하도록 형성하지 않아도 되므로 개구율을 상승시킬 수 있다.
둘째, 공통전극과 공통배선 하부에 스토리지 하부전극을 구비함으로써, 용이하게 스토리지 커패시턴스를 확보할 수 있다.
셋째, 스토리지 하부전극을 전단 게이트라인 상부에 넓게 형성함으로써, 공통배선과 게이트라인 사이의 기생용량을 제거할 수 있다.
넷째, 공통배선을 게이트라인 상부 및 그에 이웃하는 스토리지 하부전극 상부까지 중첩 형성함으로써, 게이트라인에서 빛샘 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
다섯째, 공통배선을 게이트라인 상부에 형성함으로써, 게이트라인에 대응되는 상부기판에 블랙 매트릭스층을 형성하지 않아도 되므로 상/하부기판 합착시 미스얼라인에 따른 개구율 손실을 줄일 수 있다.
여섯째, 공통배선을 투명 도전막으로 형성할 때, 이웃하는 화소영역으로 연장 형성함으로써 공통배선의 저항을 줄일 수 있다.

Claims (23)

  1. 소정 간격을 두고 서로 대향되는 제 1 기판 및 제 2 기판과;
    상기 제 1 기판상에 교차 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인 및 데이터라인과;
    상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차 부위에 형성된 박막 트랜지스터와;
    상기 박막 트랜지스터의 드레인전극에서 연장되어, 상기 화소영역 내에 종방향으로 배열되도록 형성된 화소전극들과;
    상기 화소전극들과 연결되고, 상기 화소영역의 외곽부를 둘러싸도록 형성된 스토리지 하부전극과;
    상기 박막 트랜지스터, 상기 화소전극 및 상기 스토리지 하부전극을 포함한 상기 제 1 기판의 전면에 형성된 층간절연막과;
    상기 층간절연막 상의 상기 화소영역 내에 형성되고, 상기 화소전극들 사이에 상기 종방향으로 배열된 일부와, 상기 스토리지 하부전극과 오버랩되도록 상기 스토리지 하부전극의 상부를 따라 배열된 다른 일부를 포함하는 공통전극과;
    상기 층간절연막 상에, 상기 공통전극에서 연장되어 상기 게이트라인의 적어도 일부와 오버랩되도록 형성된 공통배선을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 횡전계 방식의 액정표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 드레인전극과 상기 스토리지 하부전극과 상기 화소전극은 일체로 형성됨을 특징으로 하는 횡전계 방식의 액정표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소전극은 상기 데이터라인과 평행한 방향으로 형성됨을 특징으로 하는 횡전계 방식의 액정표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 스토리지 하부전극은 전단 게이트라인의 일측과 오버랩됨을 특징으로 하는 횡전계 방식의 액정표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 스토리지 하부전극은 연장되어 전단 게이트라인과 오버랩됨을 특징으로 하는 횡전계 방식의 액정표시장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 공통전극의 다른 일부는 상기 스토리지 하부전극보다 넓은 폭을 갖도록 형성됨을 특징으로 하는 횡전계 방식의 액정표시장치.
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 공통전극과 상기 공통배선은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 또는 텅스텐(W) 등의 금속이나 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화물(Tin Oxide : TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO) 또는 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide:ITZO)과 같은 투명 도전막으로 구성됨을 특징으로 하는 횡전계 방식의 액정표시장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 층간절연막은 산화막이나 질화막으로 구성됨을 특징으로 하는 횡전계 방식의 액정표시장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터는,
    상기 제 1 기판 상에, 상기 게이트 라인의 일측에서 돌출되어 형성된 게이트 전극과,
    상기 게이트 라인 및 상기 게이트 전극을 포함한 상기 제 1 기판의 전면에 형성된 게이트 절연막과,
    상기 게이트 절연막 상에 상기 게이트 전극과 대응되도록 형성되는 액티브층과,
    상기 게이트 절연막 상에 형성되는 상기 데이터라인으로부터 돌출되어 상기 액티브층의 일측 상부에 오버랩되는 소오스 전극과,
    상기 소오스 전극과 일정 간격 이격되어 상기 액티브층의 타측에 오버랩되는 드레인 전극으로 구성됨을 특징으로 하는 횡전계 방식의 액정표시장치.
  11. 소정 간격을 두고 서로 대향되는 제 1 기판 및 제 2 기판과;
    상기 제 1 기판상에 교차 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인 및 데이터라인과;
    상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차 부위에 형성된 박막 트랜지스터와;
    상기 박막 트랜지스터의 드레인전극에서 연장되어, 상기 화소영역 내에 종방향으로 배열되도록 형성된 화소전극들과;
    상기 화소전극들과 연결되고, 상기 화소영역의 외곽부를 둘러싸도록 형성된 스토리지 하부전극과;
    상기 박막 트랜지스터, 상기 화소전극 및 상기 스토리지 하부전극을 포함한 상기 제 1 기판의 전면에 형성된 층간절연막과;
    상기 층간절연막 상의 상기 화소영역 내에 형성되고, 상기 화소전극들 사이에 상기 종방향으로 배열된 일부와, 상기 스토리지 하부전극과 오버랩되도록 상기 스토리지 하부전극의 상부를 따라 배열된 다른 일부를 포함하는 공통전극과;
    상기 층간절연막 상에, 상기 공통전극에서 연장되어 상기 게이트라인과 오버랩되고, 이웃하는 화소영역까지 연장되는 적어도 일부를 포함하도록 형성된 공통배선을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 횡전계 방식의 액정표시장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 공통전극과 공통배선은 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석 산화물(Tin Oxide : TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO) 또는 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide:ITZO)과 같은 투명 도전막으로 구성됨을 특징으로 하는 횡전계 방식의 액정표시장치.
  13. 기판 상에, 일측에 게이트전극을 구비한 게이트라인을 형성하는 단계;
    상기 게이트전극 및 상기 게이트라인을 포함한 상기 기판의 전면에, 게이트절연막을 형성하는 단계;
    상기 게이트절연막 상에, 상기 게이트전극과 대응하고 아일랜드 형태를 갖는 액티브층을 형성하는 단계;
    화소영역이 정의되도록 상기 게이트라인과 교차 배치되는 데이터라인, 상기 액티브층의 일측 및 타측에 각각 오버랩되는 소오스전극과 드레인전극, 상기 드레인전극에서 연장되어 상기 화소영역 내에 종방향으로 배열되는 화소전극들, 및 상기 화소전극들과 연결되고 상기 화소영역의 외곽부를 둘러싸는 스토리지 하부전극을, 상기 게이트절연막 상에 형성하는 단계;
    상기 액티브층과 상기 소오스전극과 드레인전극을 포함하는 박막 트랜지스터, 상기 데이터라인, 상기 화소전극들 및 상기 스토리지 하부전극을 포함한 상기 게이트절연막의 전면에, 층간절연막을 형성하는 단계; 그리고
    상기 화소전극들 사이에 상기 종방향으로 배열된 일부와, 상기 스토리지 하부전극과 오버랩되도록 상기 스토리지 하부전극의 상부를 따라 배열된 다른 일부를 포함하는 공통전극, 및 상기 공통전극에서 연장되어 상기 게이트라인의 적어도 일부와 오버랩되는 공통배선을, 상기 층간절연막 상에 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 데이터라인, 상기 소오스전극과 드레인전극, 상기 화소전극 및 상기 스토리지 하부전극을 형성하는 단계에서,
    상기 드레인전극, 상기 스토리지 하부전극 및 상기 화소전극을 일체로 형성함을 특징으로 하는 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 데이터라인, 상기 소오스전극과 드레인전극, 상기 화소전극 및 상기 스토리지 하부전극을 형성하는 단계에서,
    상기 스토리지 하부전극을 전단 게이트라인의 일측과 오버랩되도록 형성함을 특징으로 하는 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 데이터라인, 상기 소오스전극과 드레인전극, 상기 화소전극 및 상기 스토리지 하부전극을 형성하는 단계에서,
    상기 스토리지 하부전극을 연장하여 전단 게이트라인과 오버랩되도록 형성함을 특징으로 하는 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 공통전극과 상기 공통배선을 형성하는 단계에서,
    상기 공통전극의 다른 일부는 상기 스토리지 하부전극보다 넓은 폭을 가짐을 특징으로 하는 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 공통전극과 상기 공통배선은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 또 는 텅스텐(W) 등의 금속이나 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화물(Tin Oxide : TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO) 또는 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide:ITZO)과 같은 투명 도전막으로 형성함을 특징으로 하는 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법.
  19. 제 13 항에 있어서,
    상기 층간절연막은 산화막이나 질화막으로 형성함을 특징으로 하는 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법.
  20. 삭제
  21. 기판 상에, 일측에 게이트전극을 구비한 게이트라인을 형성하는 단계;
    상기 게이트전극 및 상기 게이트라인을 포함한 상기 기판의 전면에, 게이트절연막을 형성하는 단계;
    상기 게이트절연막 상에, 상기 게이트전극과 대응하고 아일랜드 형태를 갖는 액티브층을 형성하는 단계;
    화소영역이 정의되도록 상기 게이트라인과 교차 배치되는 데이터라인, 상기 액티브층의 일측 및 타측에 각각 오버랩되는 소오스전극과 드레인전극, 상기 드레인전극에서 연장되어 상기 화소영역 내에 종방향으로 배열되는 화소전극들, 및 상기 화소전극들과 연결되고 상기 화소영역의 외곽부를 둘러싸는 스토리지 하부전극을, 상기 게이트절연막 상에 형성하는 단계;
    상기 액티브층과 상기 소오스전극과 드레인전극을 포함하는 박막 트랜지스터, 상기 데이터라인, 상기 화소전극들 및 상기 스토리지 하부전극을 포함한 상기 게이트절연막의 전면에 층간절연막을 형성하는 단계; 그리고
    상기 화소전극들 사이에 상기 종방향으로 배열된 일부와, 상기 스토리지 하부전극과 오버랩되도록 상기 스토리지 하부전극의 상부를 따라 배열된 다른 일부를 포함하는 공통전극, 및 상기 공통전극에서 연장되어 상기 게이트라인과 오버랩되고 이웃하는 화소영역까지 연장된 적어도 일부를 포함하는 공통배선을, 상기 층간절연막 상에 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 공통전극과 공통배선은 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화물(Tin Oxide : TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO) 또는 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide:ITZO)과 같은 투명 도전막으로 형성함을 특징으로 하는 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 데이터라인, 상기 소오스전극과 드레인전극, 상기 화소전극 및 상기 스토리지 하부전극을 형성하는 단계에서,
    상기 스토리지 하부전극을 전단의 게이트라인의 일측과 오버랩되도록 형성함을 특징으로 하는 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법.
KR1020030042964A 2003-06-28 2003-06-28 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법 KR101085150B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030042964A KR101085150B1 (ko) 2003-06-28 2003-06-28 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030042964A KR101085150B1 (ko) 2003-06-28 2003-06-28 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050001954A KR20050001954A (ko) 2005-01-07
KR101085150B1 true KR101085150B1 (ko) 2011-11-18

Family

ID=37217529

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030042964A KR101085150B1 (ko) 2003-06-28 2003-06-28 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101085150B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9477122B2 (en) 2014-01-20 2016-10-25 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101232149B1 (ko) * 2006-04-12 2013-02-12 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
TWI633365B (zh) 2006-05-16 2018-08-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
US8106865B2 (en) * 2006-06-02 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
JP4449953B2 (ja) 2006-07-27 2010-04-14 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶表示装置
US8330887B2 (en) * 2007-07-27 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
KR100884465B1 (ko) * 2007-09-14 2009-02-20 삼성모바일디스플레이주식회사 액정 표시 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9477122B2 (en) 2014-01-20 2016-10-25 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050001954A (ko) 2005-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100741890B1 (ko) 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR100710166B1 (ko) 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR100731045B1 (ko) 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법
US6970223B2 (en) In-plane switching mode LCD device and method for fabricating the same
US20060092364A1 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR20010056590A (ko) 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100760940B1 (ko) 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR101085150B1 (ko) 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR100943469B1 (ko) 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR100577299B1 (ko) 액정표시장치
KR100949495B1 (ko) 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR100983578B1 (ko) 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR20050069105A (ko) 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR100760946B1 (ko) 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100995630B1 (ko) 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR20090056641A (ko) 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101232166B1 (ko) 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR100919195B1 (ko) 고개구율 액정표시소자
KR100840680B1 (ko) 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101002337B1 (ko) 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR101023731B1 (ko) 액정표시장치
KR20050017438A (ko) 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR20040066621A (ko) 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20060124138A (ko) 횡전계 방식 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20040029612A (ko) 횡전계방식 액정 표시 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141021

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151028

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161012

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171016

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181015

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191015

Year of fee payment: 9