KR101081824B1 - Method of manufacturing printed circuit board formed micro-fined wiring pattern with high etching factor - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing a printed circuit board including a minute wiring pattern with a high etching factor is provided to remove the residual stress of a copper layer by applying tension. CONSTITUTION: A first copper layer is formed on the upper side of an insulation substrate(S210). The first copper layer is processed(S220). The processed first copper layer is dried(S230). A via hole is formed in an insulation substrate by using a drill process(S240). A second copper layer is formed on the surface of the first copper layer and the via hole by using an electroless copper plating process(S250). The residual stress of the second copper layer is removed by applying tension to the second copper layer(S260). The second copper layer is homogenized. A minute wiring pattern is formed by etching the first copper layer and the second copper layer(S270).

Description

높은 에칭 팩터를 갖는 미세 배선 패턴이 형성된 인쇄 회로 기판 제조 방법 {METHOD OF MANUFACTURING PRINTED CIRCUIT BOARD FORMED MICRO-FINED WIRING PATTERN WITH HIGH ETCHING FACTOR} METHODS OF MANUFACTURING PRINTED CIRCUIT BOARD FORMED MICRO-FINED WIRING PATTERN WITH HIGH ETCHING FACTOR}

본 발명은 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board) 제조 기술에 관한 것으로, 보다 상세하게는 동박층 식각 기반의 배선 패턴을 갖는 인쇄 회로 기판을 제조함에 있어, 동박층의 균질화 및 잔류 응력(Residual Stress) 상쇄를 통하여 높은 에칭 팩터(Etching Factor)를 갖는 미세 배선 패턴을 형성함으로써, 제조되는 인쇄 회로 기판의 고밀도화 및 제조 수율 향상을 실현할 수 있는 인쇄 회로 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technology for manufacturing a printed circuit board, and more particularly, in manufacturing a printed circuit board having a copper foil layer-based wiring pattern, the homogenization of copper foil layers and offsetting residual stress. By forming a fine wiring pattern having a high etching factor through the through, it relates to a printed circuit board manufacturing method that can realize high density and improved production yield of the printed circuit board to be manufactured.

반도체, 박막소자와 같은 고집적 부품 혹은 자기기록 헤드와 같은 기록매체 관련 부품의 성능이 비약적으로 향상됨에 따라 전자제품에 포함되는 인쇄 회로 기판도 그에 상응하는 성능이 요구되고 있다. As the performance of high-density components such as semiconductors and thin-film devices or recording medium-related components such as magnetic recording heads has improved dramatically, printed circuit boards included in electronic products are required to have a corresponding performance.

이러한 요구에 따라, 인쇄 회로 기판 제조 분야에서 있어서도 고밀도, 고속화, 소형화에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있으며, 특히 인쇄 회로 기판에 배선 패턴을 최대한 미세하게 형성하기 위한 많은 연구가 진행되고 있다. In response to such demands, researches on high density, high speed, and miniaturization have been actively conducted in the field of printed circuit board manufacture. In particular, many studies have been conducted to form wiring patterns on the printed circuit board as fine as possible.

인쇄 회로 기판에 배선 패턴을 형성하는 방법으로 대표적으로 세미 어디티브(Semi-additive)공법이 이용되고 있다. 세미 어디티브 공법은 시드층인 화학 구리도금층을 배선부인 전기 구리도금층에 대해 선택적으로 에칭하는 패터닝 방법이다. As a method of forming a wiring pattern on a printed circuit board, a semi-additive method is typically used. The semiadditive process is a patterning method in which a chemical copper plating layer, which is a seed layer, is selectively etched with respect to an electric copper plating layer, which is a wiring part.

그러나, 이러한 세미 어디티브 공법은 인쇄 회로 기판 제조 과정에서 미세 배선 패턴 형성시 에칭 팩터(Etching factor)가 현저하게 떨어져서 패턴이 정상적으로 형성되지 못하는 문제가 발생하고 있다. However, such a semi-additive process has a problem in that the pattern is not formed normally due to a significant drop in the etching factor when forming the fine wiring pattern in the process of manufacturing a printed circuit board.

여기서, 에칭 팩터는 종단면을 기준으로 배선 패턴 형상의 직각성을 나타내는 척도이며, 에칭 팩터가 클수록 패턴의 형성이 직각에 가까운 배선 형상에 가깝다고 볼 수 있다.
Here, the etching factor is a measure of the perpendicularity of the wiring pattern shape on the basis of the longitudinal section, and the larger the etching factor, the closer the pattern is formed to the wiring shape closer to the right angle.

도 1a 및 도 1b는 일반적인 인쇄 회로 기판 상에 형성된 미세 배선 패턴들을 나타낸 평면사진들이다.1A and 1B are planar photographs showing fine wiring patterns formed on a general printed circuit board.

도 1a를 참조하면, 미세 패턴들의 평면 형태가 직사각형 형태가 되지 못하고, 원형에 가까운 형태로 패터닝된 것을 볼 수 있다. 아울러, 도 1b는 상기 도 1을 고배율로 확대하여 나타낸 것으로, 미세 패턴의 측벽 형성이 수직으로 형성되지 못하고 경사지게 형성되어, 에칭 팩터가 현저하게 떨어지고 있는 것을 볼 수 있다. Referring to FIG. 1A, it can be seen that the planar shape of the fine patterns does not become a rectangular shape, but is patterned in a shape close to a circle. In addition, FIG. 1B is an enlarged view of FIG. 1 at a high magnification, and the sidewalls of the fine patterns are not formed vertically, but are formed to be inclined, and the etching factor is significantly decreased.

이와 같이, 측벽이 경사지는 경우 이웃 패턴과 간섭될 위험이 높아 고밀도 미세 회로 구현에 장애가 된다.
As such, when the sidewall is inclined, there is a high risk of interference with the neighboring pattern, thereby preventing the implementation of high density microcircuits.

본 발명의 목적은 동박층의 균질화 및 잔류 응력(Residual Stress) 상쇄를 동시에 수행하여 높은 에칭 팩터(Etching Factor)를 갖는 미세 배선 패턴을 형성하는 것이다. 이를 통하여, 본 발명은 고밀도화에 기여하고, 제조 수율 및 품질 향상에 기여할 수 있는 인쇄 회로 기판의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
An object of the present invention is to form a fine wiring pattern having a high etching factor by simultaneously performing homogenization of the copper foil layer and offsetting of residual stress. Through this, an object of the present invention is to provide a manufacturing method of a printed circuit board which contributes to high density and can contribute to production yield and quality improvement.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 인쇄 회로 기판 제조 방법은 (a) 전해 동도금 공정을 이용하여 절연 기판 상부에 제1동박층을 형성하는 단계; (b) 상기 제1동박층에 인장력을 인가하면서 상기 제1동박층을 열처리하여 상기 제1동박층의 잔류응력(Residual Stress)을 상쇄시키는 단계; (c) 건조공정을 통하여 상기 제1동박층에 포함된 수분을 제거하는 단계; (d) 드릴 공정을 이용하여 상기 절연 기판에 비아 홀(Via Hall)을 형성하는 단계; (e) 무전해 동도금 공정을 이용하여 상기 제1동박층의 표면 및 상기 비아 홀의 내부에 제2동박층을 형성하는 단계; (f) 상기 제2동박층에 인장력을 인가하면서 상기 제2동박층을 열처리하여 상기 제2동박층의 잔류응력을 상쇄하는 단계; 및 (g) 상기 제 2 동박층 및 제 1 동박층을 식각하여 미세 배선 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
A printed circuit board manufacturing method according to an embodiment of the present invention for achieving the above object comprises the steps of (a) forming a first copper foil layer on the insulating substrate using an electrolytic copper plating process; (b) canceling residual stress of the first copper foil layer by heat-treating the first copper foil layer while applying tensile force to the first copper foil layer; (c) removing moisture contained in the first copper foil layer through a drying process; (d) forming a via hole in the insulating substrate using a drill process; (e) forming a second copper foil layer on the surface of the first copper foil layer and inside of the via hole by using an electroless copper plating process; (f) heat-treating the second copper foil layer while applying a tensile force to the second copper foil layer to offset the residual stress of the second copper foil layer; And (g) etching the second copper foil layer and the first copper foil layer to form a fine wiring pattern.

본 발명에 따른 인쇄 회로 기판 제조 방법은 열처리를 통하여 동박층을 구성하는 입자를 균질화하고, 또한 인장력 인가를 통하여 미세 배선 패턴 형성에 저해가 되는 동박층의 잔류응력을 상쇄할 수 있다. 이를 통하여, 미세 배선 패턴 형성을 위한 제2동박층 및 제1동박층 식각 공정시에 높은 에칭 팩터(high etching factor)를 가지도록 할 수 있다. In the method of manufacturing a printed circuit board according to the present invention, the particles constituting the copper foil layer may be homogenized through heat treatment, and the residual stress of the copper foil layer, which is inhibited from forming a fine wiring pattern, may be canceled by applying a tensile force. Through this, the second copper foil layer and the first copper foil layer for forming a fine wiring pattern may have a high etching factor (high etching factor) during the etching process.

따라서, 본 발명에 따른 인쇄 회로 기판 제조 방법은 추가적인 비용 없이 고밀도의 미세 배선 패턴이 형성된 인쇄 회로 기판을 제조할 수 있으며, 제조된 인쇄 회로 기판의 성능 특성 향상에 기여할 수 있다.
Therefore, the method of manufacturing a printed circuit board according to the present invention can manufacture a printed circuit board on which a high-density fine wiring pattern is formed without additional cost, and can contribute to improving performance characteristics of the manufactured printed circuit board.

도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따른 미세 배선 패턴들을 나타낸 평면사진들이다.
도 2는 본 발명에 따른 인쇄 회로 기판 제조 방법의 일실시예를 나타내는 순서도이다.
도 3은 열처리에 따른 동박층의 잔류응력 변화를 나타낸 그래프이다.
도 4는 동박층을 100℃로 열처리한 경우, 배선 패턴의 에칭 팩터를 나타낸 것이다.
도 5a 내지 도 5g는 100℃로 열처리한 경우, 에칭 후 형성된 배선 패턴의 종단면을 나타내는 사진들이다.
도 6은 인장력에 따른 동박층의 잔류 응력 변화를 나타내는 그래프이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 인쇄 회로 제조 방법에 의하여 형성된 미세 배선 패턴들을 나타낸 사진들이다.
1A and 1B are planar photographs illustrating fine wiring patterns according to the related art.
2 is a flow chart showing an embodiment of a method for manufacturing a printed circuit board according to the present invention.
3 is a graph showing the change of the residual stress of the copper foil layer according to the heat treatment.
4 shows the etching factor of the wiring pattern when the copper foil layer was heat-treated at 100 ° C.
5A to 5G are photographs illustrating longitudinal cross-sections of wiring patterns formed after etching when heat treated at 100 ° C.
6 is a graph showing the change of the residual stress of the copper foil layer according to the tensile force.
7a and 7b are photographs showing the fine wiring patterns formed by the printed circuit manufacturing method according to the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다. Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and those skilled in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 인쇄 회로 기판 제조 방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
Hereinafter, a printed circuit board manufacturing method according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 인쇄 회로 기판 제조 방법의 일실시예를 나타내는 순서도이다. 2 is a flow chart showing an embodiment of a method for manufacturing a printed circuit board according to the present invention.

도 2를 참조하면, 제1동박층 형성 단계(S210), 제1동박층 처리 단계(S220), 제1동박층 건조 단계(S230), 비아 홀 형성 단계(S240), 제2동박층 형성 단계(S250), 제2동박층 처리 단계(S260), 미세 배선 패턴 형성 단계(S270)를 포함한다.
2, the first copper foil layer forming step (S210), the first copper foil layer processing step (S220), the first copper foil layer drying step (S230), the via hole forming step (S240), the second copper foil layer forming step (S250), a second copper foil layer processing step (S260), and a fine wiring pattern forming step (S270).

제1동박층 형성First copper foil layer formation

제1동박층 형성 단계(S210)에서는 절연 기판 상부에 제1동박층을 형성한다. 절연 기판 상부에 형성되는 제1동박층은 전해 동도금 공정을 이용하여 형성할 수 있다. In the first copper foil layer forming step (S210), a first copper foil layer is formed on the insulating substrate. The first copper foil layer formed on the insulating substrate may be formed using an electrolytic copper plating process.

이때, 전해 동도금 공정에 이용되는 동도금액은 동(Cu)의 농도가 1.0 ~ 1.8mol/L, 황산 농도가 0.4 ~ 0.6mol/L 및 염소 농도가 5 ~ 50ppm인 산성 동도금액을 이용할 수 있다. 동(Cu) 농도가 1.0mol/L 미만일 경우 미세 조직을 갖는 제1동박층 형성이 어려워진다. 반대로, 동(Cu)의 농도가 1.8mol/L를 초과할 경우 형성되는 제1동박층 내의 입자크기가 증가되는 문제가 발생할 수 있다. In this case, the copper plating solution used in the electrolytic copper plating process may use an acidic copper plating solution having a copper (Cu) concentration of 1.0 to 1.8 mol / L, a sulfuric acid concentration of 0.4 to 0.6 mol / L, and a chlorine concentration of 5 to 50 ppm. If the copper (Cu) concentration is less than 1.0 mol / L, it is difficult to form the first copper foil layer having a microstructure. On the contrary, when the concentration of Cu exceeds 1.8 mol / L, a problem may occur in which the particle size in the first copper foil layer formed is increased.

또한, 상기 동도금액은 동도금액 전체 부피의 1/2 이상에 대하여 활성탄 처리가 된 것을 이용할 수 있다. 활성탄 처리된 동도금액을 이용할 경우, 균일하면서도 빠른 속도로 제1동박층이 형성될 수 있다. In addition, the copper plating liquid may be one that has been activated carbon treatment for more than 1/2 of the total volume of the copper plating liquid. When using an activated carbon treated copper plating solution, the first copper foil layer may be formed at a uniform and high speed.

상기 전해 동도금 공정에 의하여 형성되는 제1동박층은 대략 3 ~ 18㎛의 두께로 형성될 수 있다.
The first copper foil layer formed by the electrolytic copper plating process may be formed to a thickness of about 3 ~ 18㎛.

제1동박층 처리Copper foil layer treatment

제1동박층 처리 단계(S220)에서는 절연 기판 상부에 형성된 제1동박층에 인장력을 인가하면서 상기 제1동박층을 열처리하여 상기 제1동박층의 잔류응력(Residual Stress)을 상쇄시킨다. In the first copper foil layer processing step (S220), the first copper foil layer is heat-treated while applying a tensile force to the first copper foil layer formed on the insulating substrate to cancel the residual stress of the first copper foil layer.

동박층에는 양산공정 중 발생하는 외부에너지에 의하여 약 -60MPa 수준의 압축 잔류응력이 발생하게 된다. 이러한 압축 잔류 응력은 미세 배선 패턴 형성 과정에서 장애 요인으로 작용한다. In the copper foil layer, the compressive residual stress of about -60 MPa is generated by external energy generated during the mass production process. This compressive residual stress acts as a barrier in the formation of the fine wiring pattern.

따라서, 이러한 압축 잔류응력은 미세 배선 패턴 형성 전에 미리 제거되는 것이 바람직하며, 이는 열처리 및 압축 잔류응력에 반대되는 인장력을 가함으로써 제거될 수 있으며, 가장 바람직하게는 열처리 및 인장력이 동시에 이루어지는 것이다. Therefore, the compressive residual stress is preferably removed before the formation of the fine wiring pattern, which can be removed by applying a tensile force opposite to the heat treatment and the compressive residual stress, and most preferably, the heat treatment and the tensile force are simultaneously performed.

제1동박층의 열처리는 100℃ ~ 250℃의 온도에서 실시할 수 있으며, 1 ~ 10회 실시할 수 있다. 이와 동시에 제1동박층에 인가되는 인장력은 100MPa ~ 180MPa가 될 수 있다. 제1동박층 처리 과정을 거친 후 제1동박층에는 -10MPa ~ 10MPa의 잔류 응력만이 존재할 수 있다. Heat treatment of the first copper foil layer can be carried out at a temperature of 100 ℃ to 250 ℃, it can be carried out 1 to 10 times. At the same time, the tensile force applied to the first copper foil layer may be 100 MPa to 180 MPa. After the first copper foil layer treatment, only the residual stress of -10 MPa to 10 MPa may be present in the first copper foil layer.

상기 사항들에 대하여는 이하에서 실험 자료를 토대로 상세히 설명하기로 한다.
The above items will be described in detail based on experimental data below.

도 3은 열처리에 따른 동박층의 잔류응력 변화를 나타내는 그래프이다.3 is a graph showing the change of the residual stress of the copper foil layer according to the heat treatment.

도 3을 참조하면, 100℃, 150℃, 200℃ 및 250℃의 열처리 조건에 따라 잔류응력이 상쇄되는 경향을 볼 수 있다. 다만, 열처리 온도가 250℃인 경우를 제외하면 열처리 시간이 2시간을 초과하는 경우 잔류응력 상쇄의 영향이 크지 않는 것을 볼 수 있다. Referring to Figure 3, it can be seen that the residual stress tends to be offset by the heat treatment conditions of 100 ℃, 150 ℃, 200 ℃ and 250 ℃. However, except when the heat treatment temperature is 250 ℃ can be seen that the effect of the residual stress offset is not large when the heat treatment time exceeds 2 hours.

따라서, 본 발명에 따른 동박층의 잔류응력 상쇄 방법으로 100 ~ 250℃ 의 온도 범위에서 10분 ~ 2시간 동안 열처리를 수행하는 것이 바람직하다. 특히, 도 3의 그래프에 표시된 바와 같이 250℃에서 1시간 동안 열처리하는 경우, 잔류응력을 -10MPa 수준까지 제거할 수 있다.Therefore, it is preferable to perform heat treatment for 10 minutes to 2 hours in the temperature range of 100 ~ 250 ℃ as a method of canceling the residual stress of the copper foil layer according to the present invention. In particular, when the heat treatment for 1 hour at 250 ℃ as shown in the graph of Figure 3, the residual stress can be removed to a level of -10MPa.

상기의 경우는 열처리만을 고려한 것으로, 잔류 응력의 제거가 불충분한 면이 있다. 동박층에 상기의 열처리와 함께 인장력 인가가 동시에 이루어질 경우, 동박층의 잔류응력은 더욱 빠른 시간 내에 효과적으로 제거될 수 있다.
In the above case, only heat treatment is taken into consideration, and there is an insufficiency in removing residual stress. When the tensile force is applied simultaneously with the heat treatment to the copper foil layer, the residual stress of the copper foil layer can be effectively removed within a faster time.

도 4는 동박층을 100℃로 열처리한 경우에, 도 5a 내지 도 6g에 도시된 배선 패턴의 에칭 팩터를 나타낸 것이다. 4 illustrates the etching factor of the wiring pattern shown in FIGS. 5A to 6G when the copper foil layer is heat-treated at 100 ° C.

도 5a 내지 도 5g는 100℃로 열처리한 경우 에칭 후 형성된 배선 패턴의 종단면을 나타내는 사진들이다. 도 5a는 열처리를 실시하지 않는 경우, 도 5b는 1시간동안 열처리를 실시한 경우, 도 5c는 2시간동안 열처리를 실시한 경우, 도 5d는 3시간동안 열처리를 실시한 경우, 도 5e는 4시간동안 열처리를 실시한 경우, 도 5f는 5시간동안 열처리를 실시한 경우, 도 5g는 6시간동안 열처리를 실시한 경우를 각각 나타낸다. 5A to 5G are photographs illustrating longitudinal cross-sections of wiring patterns formed after etching when heat treated at 100 ° C. 5A shows a case in which the heat treatment is not performed, FIG. 5B shows a heat treatment for 1 hour, FIG. 5C shows a heat treatment for 2 hours, FIG. 5D shows a heat treatment for 3 hours, and FIG. 5E shows a heat treatment for 4 hours. 5F shows a case where the heat treatment is performed for 5 hours, and FIG. 5G shows a case where the heat treatment is performed for 6 hours.

도 4에 표시된 값들은 도 5a 내지 도 5g에 도시된 배선 패턴의 에칭 팩터의 평균값을 구한 것을 반영한 것이다. The values shown in FIG. 4 reflect the average values of the etching factors of the wiring patterns shown in FIGS. 5A to 5G.

이때, 에칭 팩터는 다음과 같은 식에 의하여 결정된다. At this time, the etching factor is determined by the following equation.

Figure 112010027520618-pat00001
Figure 112010027520618-pat00001

여기서, W1은 미세 배선 패턴의 상부 폭, W2는 미세 배선 패턴의 하부 폭, H는 미세 배선 패턴의 높이를 의미한다. Here, W1 is the upper width of the fine wiring pattern, W2 is the lower width of the fine wiring pattern, and H is the height of the fine wiring pattern.

도 5a 내지 도 5g에 표시된 a는 상기 식 중에서 (W2-W1)/2를 나타낸다. 따라서, a의 값이 감소할수록 에칭 팩터는 증가하게 된다. A shown in Figs. 5A to 5G represents (W2-W1) / 2 in the above formula. Therefore, as the value of a decreases, the etching factor increases.

한편, 도 4를 참조하면, 동박층을 열처리하지 않았을 때 에칭 팩터가 대략 0.9에 불과하였으나, 동박층을 100℃로 열처리한 경우, 에칭 팩터는 점차 증가하며, 대략 2시간 열처리 시점에서는 최대 1.6 정도까지 상승하는 것을 볼 수 있다. 열처리를 2시간 이상하였을 경우에는 잔류 응력 상승 등으로 인하여 에칭 팩터가 다시 감소하는 것을 볼 수 있으나, 인장력이 동시에 작용할 경우 잔류 응력 상쇄 효과가 더 크게 되므로, 에칭 팩터의 감소는 어느 정도 방지할 수 있다. Meanwhile, referring to FIG. 4, when the copper foil layer was not heat-treated, the etching factor was only about 0.9, but when the copper foil layer was heat-treated at 100 ° C., the etching factor gradually increased, and the maximum was about 1.6 at the time of heat treatment for 2 hours. You can see that it rises. When the heat treatment is performed for 2 hours or more, the etching factor decreases again due to the residual stress increase. However, when the tensile force acts at the same time, the effect of canceling the residual stress becomes larger, so that the reduction of the etching factor can be prevented to some extent. .

상기에서는 주로 열처리를 이용하여 잔류 응력을 제거하는 예를 나타내었으나, 잔류 응력은 다음과 같은 인장력 인가에 의하여도 크게 감소할 수 있다. In the above, an example in which residual stress is mainly removed by heat treatment is shown, but the residual stress may be greatly reduced by applying the following tensile force.

도 6은 인장력에 따른 동박층의 잔류 응력 변화를 나타낸 것이다. Figure 6 shows the residual stress change of the copper foil layer according to the tensile force.

이를 위하여, 동박층에 인장력(Tensile Strength)을 0 ~ 300MPa까지 가하면서 잔류 응력을 측정한 결과를 나타낸 것이다. 잔류 응력이 마이너스(-) 값을 가질 경우 동박층에 압축 잔류 응력(Compressive Residual Stress)이 존재하고, 잔류 응력이 플러스(+) 값을 가질 경우 동박층에 인장 잔류 응력(Tensile Residual Stress)이 존재하는 것으로 볼 수 있다. To this end, it shows the results of measuring the residual stress while applying a tensile strength (Tensile Strength) to 0 ~ 300MPa to the copper foil layer. Compressive Residual Stress exists in the copper foil layer when the residual stress has a negative value, and Tensile Residual Stress exists in the copper foil layer when the residual stress has a positive value. It can be seen as.

도 6을 참조하면, 최초 -60MPa의 압축 잔류 응력을 가지는 동박층에 인장력이 가해짐에 따라서 압축 잔류 응력이 50MPa 의 인장 잔류 응력까지 증가될 수 있음을 확인하였다.Referring to FIG. 6, it was confirmed that as the tensile force is applied to the copper foil layer having the first -60 MPa compressive residual stress, the compressive residual stress can be increased to a tensile residual stress of 50 MPa.

한편, 에칭 팩터의 경우 150MPa 정도까지의 인장력이 적용될 경우 최대 3 까지 점차 증가함을 알 수 있으며, 그 보다 큰 인장력이 작용할 때에는 인장 잔류 응력이 커짐에 따라서 에칭 팩터가 다시 감소함을 볼 수 있다. On the other hand, in the case of an etching factor, it can be seen that gradually increasing up to 3 when a tensile force of about 150 MPa is applied, and when a larger tensile force is applied, the etching factor decreases again as the tensile residual stress increases.

또한, 도 6을 참조하면, 압축 잔류 응력 및 인장 잔류 응력에 관계없이 잔류 응력이 '0'에 가까워질수록 에칭 팩터도 높게 나타나는 것을 알 수 있다. 도 6에서 잔류 응력이 -10MPa ~ 10MPa일 경우 에칭 팩터가 가장 높게 나타나므로, 이 경우의 잔류 응력이 가장 바람직하다고 볼 수 있다. 또한 에칭 팩터는 대략 2.0 이상일 경우에 우수한 것으로 볼 수 있으며, 도 6에 의할 때, 본 실험에서는 에칭팩터의 최대값이 3이었다. 6, it can be seen that the etching factor is higher as the residual stress approaches '0' regardless of the compressive residual stress and the tensile residual stress. In FIG. 6, when the residual stress is -10 MPa to 10 MPa, the etching factor is the highest, and thus, the residual stress in this case is most preferable. In addition, it can be seen that the etching factor is excellent when approximately 2.0 or more, and according to FIG. 6, the maximum value of the etching factor was 3 in this experiment.

이는 인장력이 100MPa 내지 180MPa 정도일 때 달성할 수 있다. 인장력이 100MPa 미만일 경우 및 180MPa을 초과하는 경우 압축 잔류 응력 혹은 인장 잔류 응력이 커져서 높은 에칭 팩터(High Etching Factor)를 구현할 수 없게 된다. This can be achieved when the tensile force is about 100 MPa to 180 MPa. When the tensile force is less than 100 MPa and when the tensile strength is greater than 180 MPa, the compressive residual stress or the tensile residual stress becomes large, thereby making it impossible to implement a high etching factor.

다만, 이는 열처리를 고려하지 않은 것으로, 인장력 인가와 함께 열처리가 부가될 경우 더 작은 인장력으로도 달성할 수 있다. However, this is not considering the heat treatment, it can be achieved with a smaller tensile force when the heat treatment is added with the application of the tensile force.

따라서, 도 3에 도시된 열처리에 따른 잔류 응력 상쇄 효과 및 도 6에 도시된 인장력 인가에 따른 잔류 응력 상쇄 효과를 고려할 때, 본 발명에 따른 제조 방법으로 제조된 인쇄 회로 기판 제조 과정에서 형성되는 미세 배선 패턴은 2.0 ~ 3.0 정도의 높은 에칭 팩터를 가질 수 있으며, 이는 열처리 및 인장력 인가를 동시에 포함하는 제1동박층 처리 및 후술하는 제2동박층 처리를 통하여 쉽게 얻을 수 있다.
Therefore, in consideration of the residual stress offset effect due to the heat treatment shown in Figure 3 and the residual stress offset effect due to the application of the tensile force shown in Figure 6, the fine formed during the manufacturing process of the printed circuit board manufactured by the manufacturing method according to the present invention The wiring pattern may have a high etching factor of about 2.0 to 3.0, which can be easily obtained through the first copper foil layer treatment including the heat treatment and the application of the tensile force, and the second copper foil layer treatment described later.

제1동박층의 처리, 즉 잔류 응력의 제거가 제대로 되었는지는 제1동박층을 부분적으로 식각하여 미세 패턴의 에칭 팩터가 2.0 ~ 3.0의 범위 내에 들어오는지에 대해 측정하거나, 잔류 응력을 모니터링 하는 방법으로 알 수 있으며, 최종 적합 판정이 나올 경우 다음 단계를 진행하고, 적합하지 못할 경우에는 열처리 및 인장력 적용을 다시 수행할 수 있다.
Whether the treatment of the first copper foil layer, that is, the removal of the residual stress, is properly performed is measured by partially etching the first copper foil layer to determine whether an etching factor of a fine pattern falls within a range of 2.0 to 3.0, or by monitoring residual stress. It can be seen that, if a final suitability decision is made, proceed to the next step, and if it is not suitable, the heat treatment and the tensile force application can be performed again.

제1동박층 건조 및 비아 홀 형성Drying the First Copper Foil Layer and Forming Via Holes

제1동박층 건조 단계(S230)에서는 전해 동도금 공정에 의하여 형성된 제1동박층에 포함된 수분을 건조 공정을 통하여 제거한다. In the first copper foil layer drying step (S230), water contained in the first copper foil layer formed by the electrolytic copper plating process is removed through a drying process.

비아 홀 형성 단계(S240)에서는 드릴 공정을 이용하여 절연 기판에 비아 홀(Via Hall)을 형성하여, 후속 공정에서 절연 기판의 양면에 형성되는 배선 패턴들이 서로 통전될 수 있도록 한다. In the via hole forming step S240, via holes are formed in the insulating substrate by using a drill process, so that wiring patterns formed on both surfaces of the insulating substrate may be energized with each other in a subsequent process.

이때, 비아 홀 형성 전 혹은 비아 홀 형성 후에는 제1동박층을 일부 식각하여 별도의 미세 배선 패턴을 형성할 수 있다.
In this case, before the via hole is formed or after the via hole is formed, the first copper foil layer may be partially etched to form a separate fine wiring pattern.

제2동박층 형성 및 제2동박층 처리2nd copper foil layer formation and 2nd copper foil layer process

제2동박층 형성 단계(S250)에서는 무전해 동도금 공정을 이용하여 상기 제1동박층의 표면 및 통전을 위하여 비아 홀의 내부에 제2동박층을 형성한다. 제2동박층의 형성은 무전해 동도금 공정을 이용할 수 있다. In the second copper foil layer forming step (S250), a second copper foil layer is formed in the via hole for the surface and the energization of the first copper foil layer by using an electroless copper plating process. Formation of a 2nd copper foil layer can use an electroless copper plating process.

제2동박층 처리 단계(S260)에서는 상기 제2동박층에 인장력을 인가하여 상기 제2동박층의 잔류응력을 상쇄시키면서 상기 제2동박층을 열처리하여 상기 제2동박층을 균질화한다. 제2동박층의 처리는 상술한 제1동박층의 처리 과정(S220)과 동일하므로 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.
In the second copper foil layer treatment step (S260), the second copper foil layer is heat-treated to homogenize the second copper foil layer while applying a tensile force to the second copper foil layer to cancel the residual stress of the second copper foil layer. Since the process of the second copper foil layer is the same as the process S220 of the first copper foil layer described above, a detailed description thereof will be omitted.

미세 배선 패턴 형성Fine wiring pattern formation

미세 배선 패턴 형성 단계(S270)에서는 제 2 동박층 및 제 1 동박층을 식각하여 미세 배선 패턴을 형성한다. In the fine wiring pattern forming step (S270), the second copper foil layer and the first copper foil layer are etched to form a fine wiring pattern.

이때, 본 발명에서는 식각 이전에 제1동박층 및 제2동박층의 잔류응력을 상쇄한 상태이므로 식각에 의하여 형성되는 배선 패턴이 2.0 이상의 높은 에칭 팩터를 가질 수 있으며, 후속 공정을 안정적으로 수행할 수 있다.
At this time, in the present invention, since the residual stress of the first copper foil layer and the second copper foil layer is canceled before etching, the wiring pattern formed by etching may have a high etching factor of 2.0 or higher, and the subsequent process may be stably performed. Can be.

도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 인쇄 회로 제조 방법에 의하여 형성된 미세 배선 패턴들을 나타낸 평면사진들이다.7A and 7B are planar photographs showing fine wiring patterns formed by a printed circuit manufacturing method according to the present invention.

도 7a 및 도 7b를 참조하면, 각 패턴의 측벽이 수직에 가깝게 형성되어 배선 패턴의 하부면과 상부면의 폭의 차이가 거의 없는 사각형 형상을 갖는 미세 패턴 형상이 뚜렷하게 나타나는 것을 볼 수 있다. 이 경우 매우 높은 에칭 팩터를 가질 수 있다. Referring to FIGS. 7A and 7B, the sidewalls of each pattern are formed to be perpendicular to each other, and thus, the fine pattern shape having a rectangular shape having almost no difference in width between the bottom surface and the top surface of the wiring pattern is clearly seen. In this case it can have a very high etching factor.

이러한 높은 에칭 팩터는 인접 패턴간의 간섭이 적어지므로 고밀도의 배선 패턴 구현이 더 용이해 지고, 인쇄 회로 기판의 수율 및 성능 향상 효과를 높일 수 있다.
Since the high etching factor has less interference between adjacent patterns, it is easier to implement high-density wiring patterns and improve the yield and performance of printed circuit boards.

상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 인쇄 회로 기판 제조 방법은 제1동박층 및 제2동박층 형성 후 열처리와 인장력 인가가 동시에 결합된 처리를 통하여 잔류 응력을 제거할 수 있으며, 그 결과 높은 에칭 팩터를 구현 할 수 있다. As described above, the method of manufacturing a printed circuit board according to the present invention can remove residual stress through a treatment in which heat treatment and tensile force are applied simultaneously after forming the first copper foil layer and the second copper foil layer, and as a result, a high etching factor Can be implemented.

따라서, 본 발명에 따른 인쇄 회로 기판 제조 방법에 의하면, 추가적인 공정장비 투자나 공정 변경에 따른 추가 비용 없이 고밀도의 미세 회로를 포함하는 인쇄 회로 기판 형성이 가능하므로 최종 제품의 성능 특성 향상, 광범위한 소재 선택 등의 설계 다양화의 파급 효과를 제공할 수 있다.
Therefore, according to the method of manufacturing a printed circuit board according to the present invention, it is possible to form a printed circuit board including a high-density microcircuit without additional process equipment investment or additional cost due to process change, thereby improving performance characteristics of the final product and selecting a wide range of materials. It can provide the ramifications of design diversification.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to the above embodiments and can be manufactured in various forms, and having ordinary skill in the art to which the present invention pertains. It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

S210 : 제1동박층 형성 S220 : 제1동박층 처리
S230 : 제1동박층 건조 S240 : 비아 홀 형성
S250 : 제2동박층 형성 S260 : 제2동박층 처리
S270 : 미세 배선 패턴 형성
S210: forming the first copper foil layer S220: treating the first copper foil layer
S230: drying the first copper foil layer S240: via hole formation
S250: forming the second copper foil layer S260: treating the second copper foil layer
S270: fine wiring pattern formation

Claims (8)

(a) 전해 동도금 공정을 이용하여 절연 기판 상부에 제1동박층을 형성하는 단계;
(b) 상기 제1동박층에 인장력을 인가하면서 상기 제1동박층을 열처리하여 상기 제1동박층의 잔류응력(Residual Stress)을 상쇄시키는 단계;
(c) 건조공정을 통하여 상기 제1동박층에 포함된 수분을 제거하는 단계;
(d) 드릴 공정을 이용하여 상기 절연 기판에 비아 홀(Via Hall)을 형성하는 단계;
(e) 무전해 동도금 공정을 이용하여 상기 제1동박층의 표면 및 상기 비아 홀의 내부에 제2동박층을 형성하는 단계;
(f) 상기 제2동박층에 인장력을 인가하면서 상기 제2동박층을 열처리하여 상기 제2동박층의 잔류응력을 상쇄시키는 단계; 및
(g) 상기 제 2 동박층 및 제 1 동박층을 식각하여 배선 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄 회로 기판 제조 방법.
(a) forming a first copper foil layer on the insulating substrate using an electrolytic copper plating process;
(b) canceling residual stress of the first copper foil layer by heat-treating the first copper foil layer while applying tensile force to the first copper foil layer;
(c) removing moisture contained in the first copper foil layer through a drying process;
(d) forming a via hole in the insulating substrate using a drill process;
(e) forming a second copper foil layer on the surface of the first copper foil layer and inside of the via hole by using an electroless copper plating process;
(f) heat-treating the second copper foil layer while applying a tensile force to the second copper foil layer to offset the residual stress of the second copper foil layer; And
(g) etching the second copper foil layer and the first copper foil layer to form a wiring pattern.
제1항에 있어서,
상기 (b) 단계에서는 상기 제1동박층의 잔류응력이 -10MPa ~ 10MPa가 되도록 상기 제1동박층에 인장력을 인가하고,
상기 (f) 단계에서는 상기 제2동박층의 잔류응력이 -10MPa ~ 10MPa가 되도록 상기 제2동박층에 인장력을 인가하는 것을 특징으로 하는 인쇄 회로 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
In the step (b), a tensile force is applied to the first copper foil layer so that the residual stress of the first copper foil layer is -10 MPa to 10 MPa,
In the step (f), a tensile force is applied to the second copper foil layer so that the residual stress of the second copper foil layer is -10 MPa to 10 MPa.
제2항에 있어서,
상기 (b) 단계 및 상기 (f) 단계에서, 열처리는 100℃ ~ 250℃의 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 인쇄 회로 기판 제조 방법.
The method of claim 2,
In the steps (b) and (f), the heat treatment is carried out at a temperature of 100 ℃ to 250 ℃ characterized in that the printed circuit board manufacturing method.
제3항에 있어서,
상기 (b) 단계 및 상기 (f) 단계는 1 ~ 10회 실시하는 것을 특징으로 하는 인쇄 회로 기판 제조 방법.
The method of claim 3,
The steps (b) and (f) are performed 1 to 10 times.
제2항에 있어서,
상기 (b) 단계에서는 상기 제1동박층에 100MPa ~ 180MPa의 인장력을 인가하고,
상기 (f) 단계에서는 상기 제2동박층에 100MPa ~ 180MPa의 인장력을 인가하는 것을 특징으로 하는 인쇄 회로 기판 제조 방법.
The method of claim 2,
In the step (b), a tensile force of 100 MPa ~ 180 MPa is applied to the first copper foil layer,
In the step (f), a tensile force of 100 MPa to 180 MPa is applied to the second copper foil layer.
제1항에 있어서,
상기 (a) 단계는
동(Cu) 농도가 1.0 ~ 1.8mol/L, 황산 농도가 0.4 ~ 0.6mol/L 및 염소 농도가 5 ~ 50ppm인 산성 동도금액을 이용하는 것을 특징으로 하는 인쇄 회로 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
The step (a)
A copper (Cu) concentration of 1.0 to 1.8 mol / L, sulfuric acid concentration of 0.4 to 0.6 mol / L and chlorine concentration of 5 to 50 ppm using an acidic copper plating solution, characterized in that the printed circuit board manufacturing method.
제6항에 있어서,
상기 산성 동도금액은 전체 부피의 1/2 용량 이상에 대하여 활성탄 처리가 된 것을 특징으로 하는 인쇄 회로 기판 제조 방법.
The method of claim 6,
The acidic copper plating solution is a method of manufacturing a printed circuit board, characterized in that the activated carbon treatment for more than 1/2 of the total volume.
제1항에 있어서,
상기 (g) 단계에 의하여 형성되는 배선 패턴은 하기 식에 의해 결정되는 에칭 팩터(Etching Factor)가 2.0 ~ 3.0 인 것을 특징으로 하는 인쇄 회로 기판 제조 방법.
Figure 112011051950400-pat00002

(상기 식에서, W1은 배선 패턴의 상부 폭, W2는 배선 패턴의 하부 폭, H는 배선 패턴의 높이)
The method of claim 1,
The wiring pattern formed by the step (g) is a method of manufacturing a printed circuit board, characterized in that the etching factor (Etching Factor) is determined by the following formula (2.0 ~ 3.0).
Figure 112011051950400-pat00002

Where W1 is the upper width of the wiring pattern, W2 is the lower width of the wiring pattern, and H is the height of the wiring pattern.
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