KR101077260B1

KR101077260B1 - A separated silicon tower and pedestal

Info

Publication number: KR101077260B1
Application number: KR1020100038435A
Authority: KR
Inventors: 장영철
Original assignee: (주)클린솔루션
Priority date: 2010-04-26
Filing date: 2010-04-26
Publication date: 2011-10-27

Abstract

본 발명은 반도체 제조 시 실리콘 웨이퍼의 고온 확산공정에 사용되는 실리콘 타워 및 페데스탈에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 분리 가능한 실리콘 타워 및 페데스탈의 체결 구조 및 형상에 관한 것이다.
이를 위해 본 발명의 분리형 실리콘 타워와 페데스탈을 갖는 퍼니스는 제1상판, 제1하판 및 상기 제1상판과 제1하판을 연결하며, 실리콘 웨이퍼가 적층되는 복수 개의 슬롯이 형성되어 있는 제1로드를 포함하는 실리콘 타워, 제2상판, 제2하판 및 상기 제2상판과 제2하판을 연결하며, 실리콘 웨이퍼가 적층되는 복수 개의 슬롯이 형성되며, 상기 제1로드의 연장선상에 위치하는 제2로드를 포함하는 페데스탈, 상기 실리콘 타워와 상기 페데스탈이 수용되는 라이너를 포함한다.The present invention relates to a silicon tower and a pedestal used in a high temperature diffusion process of a silicon wafer in semiconductor manufacturing, and more particularly to a fastening structure and shape of the detachable silicon tower and pedestal.
To this end, a furnace having a detachable silicon tower and a pedestal of the present invention connects a first rod, a first lower plate, and a first rod having a plurality of slots in which silicon wafers are stacked. A second rod including a silicon tower, a second upper plate, a second lower plate, and a plurality of slots which connect the second upper plate and the second lower plate, on which silicon wafers are stacked, and located on an extension line of the first rod; It includes a pedestal, the liner is accommodated in the silicon tower and the pedestal.

Description

A Separated Silicon Tower And Pedestal

본 발명은 반도체 제조 시 실리콘 웨이퍼의 고온 확산공정에 사용되는 실리콘 타워 및 페데스탈에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 분리 가능한 실리콘 타워 및 페데스탈의 체결 구조 및 형상에 관한 것이다.The present invention relates to a silicon tower and a pedestal used in a high temperature diffusion process of a silicon wafer in semiconductor manufacturing, and more particularly to a fastening structure and shape of the detachable silicon tower and pedestal.

반도체 제조 공정은 화학기상증착(Chemical vapour deposition) 및 고온에서 시료를 열처리하는 방법 등을 통하여 실리콘 웨이퍼 표면에 여러 가지 재질의 박막층을 형성시키고 있다. 이러한 대부분의 고온 열적 확산 공정은 가열온도 범위가 다양하고, 발열 기구물(heating element)의 재질에 따라 1000도에서 1400도까지 가열하는 것이 일반적이며, 특별히 고안된 퍼니스(furnace) 내부에서 이루어지고 있다.In the semiconductor manufacturing process, a thin film layer of various materials is formed on the surface of a silicon wafer through chemical vapor deposition and heat treatment of a sample at a high temperature. Most of these high temperature thermal diffusion processes vary in heating temperature range, and heating is generally performed from 1000 to 1400 degrees depending on the material of the heating element, and is performed in a specially designed furnace.

퍼니스는 실리콘 웨이퍼를 지지하는 타워, 이를 지지하는 페데스탈, 타워와 페데스탈을 둘러싸고 있는 케이스인 라이너, 여러 가지 가스를 운반하기 위한 가스 공급관 및 고온을 유지하기 위한 히터 등으로 구성된다. 일반적으로 퍼니스의 형태는 튜브형과 박스형이 있다. 퍼니스를 통해 열처리함으로써 원하지 않는 불순물이나 유기물을 제거할 수 있으며, 원료 시료들간에 상호 확산을 통해 새로운 상(phase)을 가지는 물질을 형성할 수 있어 반도체 제조공정에서는 반드시 필요한 중요한 장치이다.The furnace consists of a tower supporting a silicon wafer, a pedestal supporting the wafer, a liner which is a case surrounding the tower and the pedestal, a gas supply pipe for carrying various gases, and a heater for maintaining a high temperature. In general, the furnace is of the form of a tube and a box. The heat treatment through the furnace can remove unwanted impurities or organic matter, and the material can be formed with a new phase through mutual diffusion between raw material samples.

종래의 석영이나 실리콘 카바이드 재질로 만들어진 지지타워는 받침대 역할을 하는 페데스탈을 특별히 두지 않고 주형제작을 통한 일체형으로 개발되어 사용되고 있으나 실리콘 재질로 만들어진 웨이퍼 적재용 타워는 지지타워와 이를 받치고 있는 페데스탈의 분리형으로 제작되고 있다. 이는 실리콘 재질이 석영이나 실리콘카바이드 재질에 비하여 재료가 부서지지 쉽고(brittle) 강도가 약해서 정밀가공을 통한 장축의 슬롯 가공이 쉽지 않고 장방향의 실리콘 지지타워는 고온 열변형에 취약하기 때문이다. 또한 분리형은 고온확산 퍼니스 내부에서 다루기가 쉽고 리사이클을 위한 유지보수 및 세정공정도 수행하기 편리하다. Conventional support towers made of quartz or silicon carbide are developed and used integrally by making molds without placing pedestals that act as pedestals, but wafer-loading towers made of silicon are separated from support towers and pedestals that support them. It is produced. This is because the silicon material is less brittle and brittle than the quartz or silicon carbide material, so the slotting of the long axis through precision machining is not easy, and the silicon support tower in the longitudinal direction is vulnerable to high temperature thermal deformation. The separate type is also easy to handle inside the high temperature diffusion furnace and convenient for maintenance and cleaning processes for recycling.

기존의 분리형 실리콘 타워와 페데스탈은 고온확산 공정에서 타워의 하판과 페데스탈의 상판이 상호 접합하는 현상이 발생하여 분리형의 장점을 살리지 못하고 일체형으로 변해버리는 단점을 가지고 있었다. 이를 방지하기 위하여 실리콘과 다른 재질의 코인(사파이어 코인)을 지지타워와 페데스탈의 접합면 사이에 삽입하여 고온 확산 공정 중에서도 두 구조물이 접합하지 않도록 사용되고 있다. 이러한 이종재질의 분리용 코인의 사용은 재료의 열팽창계수가 상이하여 고온 확산 공정 중에서 코인을 통한 접합부위의 변형과 응력집중을 야기한다. Conventional detachable silicon towers and pedestals have a disadvantage in that the bottom plate of the tower and the top plate of the pedestal are bonded to each other in a high temperature diffusion process, so that they do not take advantage of the detachable type and become integrated into one piece. To prevent this, silicon and other materials (sapphire coins) are inserted between the support tower and the pedestal's joint surface so that the two structures do not join during the high temperature diffusion process. The use of such dissimilar materials for separating coins causes the thermal expansion coefficient of the materials to be different, causing deformation and stress concentration of the joint through the coins during the high temperature diffusion process.

또한 실리콘 타워와 페데스탈 구조물의 로드 개수가 상이하면 로드가 지지된 부분과 그렇지 않은 부분에서 보의 응력집중과 같은 현상을 야기하고 이종재질의 코인을 통한 열변형까지 더하여져 접합부위의 파손의 중요한 원인이 되고 있다. In addition, if the number of rods of silicon tower and pedestal structure is different, it causes phenomena such as stress concentration in beam supported and non-roded parts, and adds thermal deformation through dissimilar material coins, which is an important cause of breakage of joints. It is becoming.

본 발명에서 해결하려는 과제는 종래 실리콘으로 제작된 웨이퍼 지지타워와 페데스탈의 열응력 및 변형에 의한 구조물의 파손을 방지하기 위한 방안을 제안한다.The problem to be solved in the present invention proposes a method for preventing damage to the structure by thermal stress and deformation of the wafer support tower and pedestal made of conventional silicon.

본 발명에서 해결하려는 과제는 실리콘 타워와 페데스탈의 균열현상을 제거할 수 있는 방안을 제안한다.The problem to be solved in the present invention proposes a method for removing the crack phenomenon of the silicon tower and pedestal.

이를 위해 본 발명의 분리형 실리콘 타워와 페데스탈을 갖는 퍼니스는 제1상판, 제1하판 및 상기 제1상판과 제1하판을 연결하며, 실리콘 웨이퍼가 적층되는 복수 개의 슬롯이 형성되어 있는 제1로드를 포함하는 실리콘 타워, 제2상판, 제2하판 및 상기 제2상판과 제2하판을 연결하며, 실리콘 웨이퍼가 적층되는 복수 개의 슬롯이 형성되며, 상기 제1로드의 연장선상에 위치하는 제2로드를 포함하는 페데스탈, 상기 실리콘 타워와 상기 페데스탈이 수용되는 라이너를 포함한다.To this end, a furnace having a detachable silicon tower and a pedestal of the present invention connects a first rod, a first lower plate, and a first rod having a plurality of slots in which silicon wafers are stacked. A second rod including a silicon tower, a second upper plate, a second lower plate, and a plurality of slots which connect the second upper plate and the second lower plate, on which silicon wafers are stacked, and located on an extension line of the first rod; It includes a pedestal, the liner is accommodated in the silicon tower and the pedestal.

본 발명은 종래 실리콘으로 제작된 웨이퍼 지지타워와 페데스탈의 열응력 및 변형에 의한 구조물의 파손을 방지하기 위하여 타워와 페데스탈의 로드 수를 일치시키고 일치된 부위에 구조물의 분리를 위한 코인을 사용하여 응력집중을 최소화하여 타워와 페데스탈의 균열현상을 제거할 수 있는 장점이 있다.The present invention uses a coin to match the number of loads of the tower and the pedestal, and to use a coin for separation of the structure in the matched area in order to prevent the damage of the structure by the thermal stress and deformation of the wafer support tower and pedestal made of conventional silicon Minimizing concentration has the advantage of eliminating cracks in towers and pedestals.

도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 웨이퍼 배치 열처리에 사용되는 퍼니스를 개략적으로 단면도이며,
도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 실리콘 타워의 구조를 도시하고 있으며,
도 3은 본 발명의 일실시 예에 따른 페데스탈의 구조를 도시하고 있으며,
도 4는 본 발명의 일실시 예에 따른 실리콘 타워와 페데스탈을 체결한 구조를 도시하고 있으며,
도 5는 본 발명의 일실시 예에 따른 로드가 3개인 실리콘 타워 및 페데스탈의 변위를 도시하고 있으며,
도 6은 본 발명의 일실시 예에 로드가 3개인 실리콘 타워 및 페데스탈의 응력을 도시하고 있으며,
도 7은 본 발명의 일실시 예에 따른 로드가 3개인 페데스탈의 상단에 코인이 놓인 경우, 페데스탈의 변위를 도시하고 있으며
도 8은 본 발명의 일실시 예에 따른 로드가 3개인 페데스탈의 상단에 코인이 놓인 경우, 페데스탈의 응력을 도시하고 있다.1 is a schematic cross-sectional view of a furnace used for a wafer batch heat treatment according to an embodiment of the present invention.
2 illustrates a structure of a silicon tower according to an embodiment of the present invention.
3 illustrates a structure of a pedestal according to an embodiment of the present invention.
4 illustrates a structure in which a pedestal is fastened to a silicon tower according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 illustrates the displacement of the three-silicon tower and pedestal according to an embodiment of the present invention,
Figure 6 illustrates the stress of the three-seat silicon tower and pedestal in one embodiment of the present invention,
FIG. 7 illustrates displacement of a pedestal when a coin is placed on an upper end of a three-pedestal according to an embodiment of the present invention.
FIG. 8 illustrates a stress of a pedestal when a coin is placed on an upper end of a three-pedestal according to an embodiment of the present invention.

전술한, 그리고 추가적인 본 발명의 양상들은 첨부된 도면을 참조하여 설명되는 바람직한 실시 예들을 통하여 더욱 명백해질 것이다. 이하에서는 본 발명의 이러한 실시 예를 통해 당업자가 용이하게 이해하고 재현할 수 있도록 상세히 설명하기로 한다.The foregoing and further aspects of the present invention will become more apparent through the preferred embodiments described with reference to the accompanying drawings. Hereinafter will be described in detail to enable those skilled in the art to easily understand and reproduce through this embodiment of the present invention.

도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 웨이퍼 배치 열처리에 사용되는 퍼니스를 개략적으로 단면도이다. 이하 도 1을 이용하여 본 발명의 일실시 예에 따른 웨이퍼 배치 열처리에 사용되는 퍼니스에 대해 알아보기로 한다.1 is a schematic cross-sectional view of a furnace used in a wafer batch heat treatment according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, a furnace used for a wafer batch heat treatment according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1.

도 1에 의하면, 퍼니스는 다수의 웨이퍼를 지지하는 수직으로 배열된 실리콘 타워(40)와 실리콘 타워(40)를 지지하는 페데스탈(41)을 포함한다. 퍼니스는 도시되지 않은 전력공급장치에 의해 전력을 받는 저항성 히팅코일(21)을 지지하는 열적으로 절연시키는 히터 캐니스터(20)를 포함한다. According to FIG. 1, the furnace comprises a vertically arranged silicon tower 40 for supporting a plurality of wafers and a pedestal 41 for supporting the silicon tower 40. The furnace comprises a thermally insulated heater canister 20 supporting a resistive heating coil 21 powered by a power supply, not shown.

일반적으로 석영으로 이루어진 벨 자르(bell jar, 10)는 덮개를 포함하고 히팅코일(21)내에 꼭 맞게 설치된다. 개발 단부를 갖는 라이너(1)는 벨 자르(10) 안에 배치된다. 실리콘 타워(40)는 페데스탈(41) 상에 놓이고 프로세싱 동안 페데스탈(41) 및 실리콘 타워(40)는 일반적으로 라이너(1)에 의해 둘러싸인다. In general, a bell jar 10 made of quartz includes a cover and is fitted snugly within the heating coil 21. A liner 1 with a development end is arranged in the bell jar 10. Silicon tower 40 is placed on pedestal 41 and during processing, pedestal 41 and silicon tower 40 are generally surrounded by liner 1.

실리콘 타워(40)는 배치모드에서 열적으로 프로세스되는 다수의 수평으로 배치된 웨이퍼(3)를 지지하기 위해서 수직으로 배열된 슬롯을 포함한다. 라이너(1)의 내부의 축방향의 지름은 웨이퍼(3) 및 실리콘 타워(40)를 수용할 수 있을 정도로 충분히 커야하는데, 즉 200mm 웨이퍼를 수용하기 위해서는 200mm보다 크고 300mm 웨이퍼를 수용하기 위해서는 직경이 300mm보다 커야 한다. 가스 분사기(7)는 원칙적으로 라이너(1)와 실리콘 웨이퍼(3)를 적재하고 있는 실리콘 타워(40) 사이에 배치된다. 라이너(1)는 라이너 내부에 프로세싱 가스 분사를 위해 상단부에 배출구(5)를 갖는다. The silicon tower 40 includes slots arranged vertically to support a plurality of horizontally placed wafers 3 which are thermally processed in batch mode. The axial diameter inside the liner 1 should be large enough to accommodate the wafer 3 and the silicon tower 40, i.e. larger than 200 mm to accommodate 200 mm wafers and larger to accommodate 300 mm wafers. It must be larger than 300mm. The gas injector 7 is in principle arranged between the liner 1 and the silicon tower 40 carrying the silicon wafer 3. The liner 1 has an outlet 5 at the top for processing gas injection inside the liner.

또한 진공펌프(5)는 벨 자르(10)의 바닥부를 통해 프로세싱 가스를 제거한다. 히터 캐니스터(20), 벨 자르(10) 및 라이너(1)는 수직으로 상승될 수 있고 이에 의해 웨이퍼(3)가 실리콘 타워(40)로 수송되는 것이 가능하다. 또한 웨이퍼(3)가 실리콘 타워(40)로부터 수송되는 것을 가능하게 한다.The vacuum pump 5 also removes the processing gas through the bottom of the bell jar 10. The heater canister 20, the bell jar 10 and the liner 1 can be raised vertically, thereby allowing the wafer 3 to be transported to the silicon tower 40. It also allows the wafer 3 to be transported from the silicon tower 40.

일정한 구성에서 이러한 요소는 정지된 상태로 있고 엘리베이터는 페데스탈(41) 및 웨이퍼(3)가 장착된 실리콘 타워(40)를 퍼니스의 바닥부로 그리고 바닥부로부터 높이고 낮춘다.In certain configurations this element remains stationary and the elevator raises and lowers the silicon tower 40 on which the pedestal 41 and the wafer 3 are mounted to and from the bottom of the furnace.

실리콘 타워(40)는 가공이 용이하고 고온에서 견딜 수 있는 재질(석영, 실리콘카바이드 등)을 사용한다. 열적확산공정에 사용되는 부품들은 가공하기 쉽고 충분한 강도를 유지하고 있는 석영이나 실리콘카바이드 재질로 만든다. 즉, 실리콘 웨이퍼와 지지타워 부품의 재질차이에서 발생하는 이종 파티클 문제로 인하여 가급적 실리콘 웨이퍼와 같은 재질의 부품(라이너, 타워, 페데스탈, 가스공급장치 등)을 사용한다. 특히 반도체 공정에서 생산성 향상을 위하여 대구경 웨이퍼를 사용하게 되면서 고순도의 반도체용 실리콘 웨이퍼를 접촉하는 모든 구성 부품을 웨이퍼와 동일한 재질로 만들어 사용함으로써 대구경 웨이퍼 표면에서의 파티클 오염원을 줄이고 실리콘 타워나 이를 받치고 있는 페데스탈의 세정주기를 늘려서 생산성을 높일 수 있다.Silicon tower 40 uses a material (quartz, silicon carbide, etc.) that is easy to process and can withstand high temperatures. The components used in the thermal diffusion process are made of quartz or silicon carbide, which is easy to process and of sufficient strength. In other words, due to heterogeneous particle problems caused by material differences between silicon wafers and support tower parts, parts (liners, towers, pedestals, gas supplies, etc.) made of the same material as silicon wafers are used. In particular, large-diameter wafers are used to improve productivity in the semiconductor process, and all components in contact with high-purity silicon wafers are made of the same material as the wafer to reduce particle contamination on the surface of large-diameter wafers and to support the silicon tower or its support. You can increase productivity by increasing the pedestal's cleaning cycle.

도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 실리콘 타워의 구조를 도시하고 있으며, 도 3은 본 발명의 일실시 예에 따른 페데스탈의 구조를 도시하고 있다. 이하 도 2 및 도 3을 이용하여 실리콘 타워 및 페데스탈의 구조에 대해 알아보기로 한다.2 illustrates a structure of a silicon tower according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 illustrates a structure of a pedestal according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, the structure of the silicon tower and the pedestal will be described with reference to FIGS. 2 and 3.

도 2에 의하면, 실리콘 타워는 상판(200)과 하판(204), 복수 개의 로드(202)를 포함한다. 물론 실리콘 타워는 상술한 구성 이외에 다른 구성이 포함될 수 있다. 로드(202)는 웨이퍼를 적재할 수 있는 슬롯을 포함하며, 상판(200)과 하판(204)에 접합되어 안정적으로 지지된다. 도 2는 로드의 개수를 3개로 도시하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 설계자의 선택에 따라 로드의 개수를 달라질 수 있다.According to FIG. 2, the silicon tower includes an upper plate 200, a lower plate 204, and a plurality of rods 202. Of course, the silicon tower may include other components in addition to the above-described configuration. The rod 202 includes a slot for loading a wafer, and is bonded to the upper plate 200 and the lower plate 204 to be stably supported. 2 shows the number of rods as three, but is not limited thereto. That is, the number of rods may vary according to the designer's choice.

실리콘 타워는 페데스탈보다 길이가 길며, 웨이퍼를 적층할 수 있는 슬롯의 개수 역시 많다. Silicon towers are longer than pedestals, and the number of slots on which wafers can be stacked is also large.

도 3에 의하면, 페데스탈은 상판(300)과 하판(304), 복수 개의 로드(302)를 포함한다. 물론 페데스탈은 상술한 구성 이외에 다른 구성이 포함될 수 있다. 로드(302)는 웨이퍼를 적재할 수 있는 슬롯을 포함하며, 상판(300)과 하판(304)에 접합되어 안정적으로 지지된다. 페데스탈은 고온 확산로에서 실리콘 타워에 장착된 웨이퍼의 균일한 온도분포를 유지하기 위하여 사용되는 일종의 받침대 역할을 한다.According to FIG. 3, the pedestal includes an upper plate 300, a lower plate 304, and a plurality of rods 302. Of course, the pedestal may include other configurations in addition to the above-described configuration. The rod 302 includes a slot for loading a wafer, and is bonded to the upper plate 300 and the lower plate 304 to be stably supported. The pedestal serves as a pedestal used to maintain a uniform temperature distribution of wafers mounted on a silicon tower in a high temperature diffusion furnace.

실리콘 타워와 페데스탈은 이종재질의 코인(바람직하게는 사파이어 재질)을 사용하여 분리 장착된다. 이 경우 코인의 설치 위치는 실리콘 타워의 컬럼(로드의 위치)과 페데스탈의 컬럼(로드의 위치)이 일치된 장소에 위치하여야 응력집중을 최소화 할 수 있다. 즉, 코인은 페데스탈의 상판 영역 중 페데스탈을 구성하고 있는 로드가 결합되는 영역의 상부와 실리콘 타워의 하판 영역 중 실리콘 타워를 구성하고 있는 로드가 결합되는 영역의 하부 사이에 안착된다.The silicon tower and pedestal are separated and mounted using heterogeneous coins (preferably sapphire). In this case, the coin installation location should be located at the same location as the column of the silicon tower (rod position) and the column of the pedestal (rod position) to minimize stress concentration. That is, the coin is seated between an upper portion of the upper plate region of the pedestal to which the rod constituting the pedestal is coupled and a lower portion of the lower plate region of the silicon tower to which the rod constituting the silicon tower is coupled.

도 4는 본 발명의 일실시 예에 따른 실리콘 타워와 페데스탈을 체결한 구조를 도시하고 있다. 도 4에 의하면, 실리콘 타워를 구성하고 있는 로드와 페데스탈을 구성하고 있는 로드의 개수는 동일하며, 실리콘 타워를 구성하고 있는 로드의 위치는 페데스탈을 구성하고 있는 로드의 상단에 위치한다. 즉, 실리콘 타워의 로드와 페데스탈의 로드는 개수가 동일하며, 위치 역시 도 4에 도시되어 있는 바와 같이 실리콘 타워를 구성하고 있는 로드의 위치를 페데스탈을 구성하고 있는 로드의 상단에 위치시키는 방식으로 일치시킨다. 이와 같이 함으로써 열응력에 의한 변형을 최소화하여 실리콘 타워와 페데스탈을 안정적으로 사용할 수 있다.4 illustrates a structure in which a silicon tower and a pedestal are fastened according to an embodiment of the present invention. According to FIG. 4, the number of rods constituting the silicon tower and the rods constituting the pedestal are the same, and the positions of the rods constituting the silicon tower are located at the top of the rods constituting the pedestal. That is, the number of rods of the silicon tower and the number of pedestal rods are the same, and the position is also matched in such a manner that the positions of the rods constituting the silicon tower are positioned at the top of the rods constituting the pedestal as shown in FIG. 4. Let's do it. In this way, the silicon tower and the pedestal can be used stably by minimizing deformation due to thermal stress.

도 5 내지 도 6은 로드가 3개인 실리콘 타워 및 페데스탈의 변위 및 응력을 도시한 그래프이다. 도 5는 로드가 3개인 실리콘 타워 및 페데스탈의 변위를 도시하고 있으며, 도 6은 로드가 3개인 실리콘 타워 및 페데스탈의 응력을 도시하고 있다.5 to 6 are graphs showing the displacement and stress of the three-rod silicon tower and pedestal. FIG. 5 shows the displacement of the three-rod silicon tower and pedestal, and FIG. 6 shows the stress of the three-rod silicon tower and pedestal.

도 7 내지 도 8은 로드가 3개인 페데스탈의 상단에 코인이 놓인 경우, 변위 및 응력을 도시한 그래프이다. 도 7은 로드가 3개인 페데스탈의 상단에 코인이 놓인 경우, 페데스탈의 변위를 도시하고 있으며, 도 8은 로드가 3개인 페데스탈의 상단에 코인이 놓인 경우, 페데스탈의 응력을 도시하고 있다.7 to 8 are graphs showing displacements and stresses when coins are placed on top of three pedestals with rods. FIG. 7 shows the displacement of the pedestal when a coin is placed on top of a three-rod pedestal, and FIG. 8 shows the stress of the pedestal when a coin is placed on top of a three-rod pedestal.

일반적으로 실리콘 타워의 로드 위치와 페데스탈의 로드 위치가 일치하지 않을 경우 최대 500Mpa의 응력 집중이 발생하지만, 실리콘 타워의 로드 위치와 페데스탈의 로드 위치가 일치하는 경우 최대 응력은 300Mpa이다. 또한, 실리콘 타워의 로드 위치와 페데스탈의 로드 위치가 일치하며, 실리콘 타워와 페데스탈 사이에 코인이 적층된 경우에는 10Mpa 이내로 집중 응력이 발생한다.In general, when the load position of the silicon tower and the pedestal load position do not coincide, stress concentration of up to 500 Mpa occurs. However, when the load position of the silicon tower coincides with the load position of the pedestal, the maximum stress is 300 MPa. In addition, the load position of the silicon tower coincides with the load position of the pedestal, and when a coin is stacked between the silicon tower and the pedestal, concentrated stress occurs within 10 Mpa.

실리콘 타워: 40 페데스탈: 41
벨 자르: 10 가스 분사기: 7
저항성 히팅코일: 21 히터 캐니스터: 20
실리콘 웨이퍼: 3 라이너: 1Silicon Tower: 40 Pedestal: 41
Bel Jar: 10 Gas Sandblast: 7
Resistive Heating Coil: 21 Heater Canister: 20
Silicon Wafer: 3 Liner: 1

Claims

A silicon tower including a first top plate, a first bottom plate, and a first rod connecting the first top plate and the first bottom plate and having a plurality of slots in which silicon wafers are stacked;
A pedestal including a second top plate, a second bottom plate, and a second rod connecting the second top plate and the second bottom plate and having a plurality of slots in which silicon wafers are stacked, the second rod being positioned on an extension line of the first rod;
It is seated between an upper portion of the region of the second upper plate to which the second rod constituting the pedestal is coupled and a lower portion of the region of the first lower plate to which the first rod constituting the silicon tower is coupled. Structure containing coins.

The method of claim 1,
And the silicon tower and the pedestal have a plurality of rods and the numbers thereof coincide.

The method of claim 1,
Located between the silicon tower and the pedestal, the structure comprising a coin formed of a material different from the material of the silicon tower and the pedestal.

delete

The structure of claim 3, wherein the coin is made of sapphire material.

The structure of claim 1, wherein the length of the first rod is longer than the length of the second rod, and the number of slots of the first rod is greater than the number of slots of the second rod.

A silicon tower including a first top plate, a first bottom plate, and a first rod connecting the first top plate and the first bottom plate and having a plurality of slots in which silicon wafers are stacked;
A pedestal including a second top plate, a second bottom plate, and a second rod connecting the second top plate and the second bottom plate and having a plurality of slots in which silicon wafers are stacked, the second rod being positioned on an extension line of the first rod;
A liner accommodating the silicon tower and the pedestal; a first portion of the upper portion of the region of the second upper plate to which the second rod constituting the pedestal is coupled and the region of the first lower plate; A furnace comprising a coin seated between the lower part of the region to which the rod is coupled.

The method of claim 7, wherein
The furnace is located between the silicon tower and the pedestal, characterized in that it comprises a coin formed of a material different from the material of the silicon tower and the pedestal.

delete