KR101071270B1 - Apparatus for providing cleaning liquid - Google Patents

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Abstract

세정액 공급 유닛은 유로가 형성된 공급 펌프, 공급 펌프와 연통되며, 저장 탱크 내부로 세정액을 공급하는 세정액 공급부, 공급 펌프와 연통되며, 저장 탱크 내부로 정정기 억제 가스를 공급하는 가스 공급부, 공급 펌프 내부에 배치되며, 가스를 이온화시켜서 이온화된 가스가 유로에 흐르는 세정액에 용해되어 가스 용해액을 형성하는 이온화 부재 및 공급 펌프와 연통되어 공급 펌프로부터 가스 용해액을 분사하는 분사부를 포함한다. 따라서, 세정액 공급 유닛은 가스 용해액이 기판과 충돌시 발생하는 정전기가 억제되어, 세정 효율을 향상시킬 수 있다.The cleaning liquid supply unit communicates with a supply pump and a supply pump in which a flow path is formed, and a cleaning liquid supply unit for supplying a cleaning liquid into a storage tank, a gas supply unit communicating with a supply pump, and supplying a corrector-suppressing gas into the storage tank, inside the supply pump. And an ionization member which ionizes the gas so that the ionized gas is dissolved in the cleaning liquid flowing in the flow path to form a gas dissolving liquid, and an injection unit in communication with the supply pump to inject the gas dissolving liquid from the supply pump. Therefore, the cleaning liquid supplying unit can suppress static electricity generated when the gas dissolving liquid collides with the substrate, thereby improving the cleaning efficiency.

Description

세정액 공급 유닛{Apparatus for providing cleaning liquid}Cleaning liquid supply unit {Apparatus for providing cleaning liquid}

본 발명은 세정액 공급 유닛에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명은 기판 상에 잔류하는 오염물을 제거하기 위하여 세정액을 상기 기판 상에 공급하기 위한 세정액 공급 유닛에 관한 것이다.The present invention relates to a cleaning liquid supply unit. More particularly, the present invention relates to a cleaning liquid supply unit for supplying a cleaning liquid onto the substrate to remove contaminants remaining on the substrate.

일반적으로 반도체 장치는 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판 상에 전기 소자들을 포함하는 전기적인 회로 패턴의 형성을 통해 제조되며, 상기 회로 패턴은 여러 단위 공정의 반복적인 수행에 의해 제조된다.Generally, a semiconductor device is manufactured through the formation of an electrical circuit pattern including electrical elements on a semiconductor substrate such as a silicon wafer, and the circuit pattern is manufactured by repeatedly performing various unit processes.

상기 반도체 장치의 제조 공정 중에는 단위 공정 중 발생하는 파티클 뿐 아니라, 장비로부터의 오염, 공정 진행 중의 반응물 또는 생성물에 의한 오염 등 다양한 오염원에 의해 생성된 불순물들을 제거하기 위한 세정 공정을 필수적으로 포함한다. 최근에는 상기 반도체 장치가 미세화 되고, 초고집적화 되면서 매우 작은 오염원들도 성능에 커다란 영향을 미치게 됨에 따라 세정 공정의 중요성은 계속 증가하고 있다.The manufacturing process of the semiconductor device essentially includes a cleaning process for removing impurities generated by various contaminants such as contamination from equipment, contamination by reactants or products during the process, as well as particles generated during a unit process. Recently, the importance of the cleaning process continues to increase as the semiconductor device becomes smaller and more highly integrated, and even very small pollutants have a great effect on performance.

상기 반도체 기판을 세정하기 위한 세정 방법 중 하나로 세정액을 이용한 물리적인 세정 방법이 있다. 세정액을 이용한 세정 방법은 기판으로 세정액을 분사하 여 기판에 충돌하는 세정액의 충돌 에너지에 의해 불순물을 제거하는 방식으로 기판의 세정을 수행한다. 특히, 세정액에 충돌 에너지를 증가시키기 위하여 세정액과 기체를 혼합함에 의해 세정액을 액적 형태로 변화시켜 기판으로 공급하는 방식이 개발되었다. 여기서, 세정액을 이용한 세정 방법은 일반적으로 기판을 일정한 속도로 회전시키는 상태에서 세정액을 기판으로 공급한다.One of the cleaning methods for cleaning the semiconductor substrate is a physical cleaning method using a cleaning liquid. In the cleaning method using the cleaning liquid, the cleaning of the substrate is performed by spraying the cleaning liquid onto the substrate to remove impurities by the collision energy of the cleaning liquid impinging on the substrate. In particular, in order to increase the collision energy to the cleaning solution, a method of changing the cleaning solution into droplets and supplying the substrate to the substrate by mixing the cleaning solution and gas has been developed. Here, in the cleaning method using the cleaning liquid, the cleaning liquid is generally supplied to the substrate while the substrate is rotated at a constant speed.

하지만, 액적 형태로 변화된 세정액이 회전하고 있는 기판으로 공급됨에 따라 액적 형태의 세정액이 기판과 마찰함에 의해 정전기가 발생하는 단점이 있다. 이렇게 발생된 정전기에 의하여 세정액에 의해 기판으로부터 제거된 불순물이 상기 기판을 재오염시켜 세정 효율을 저하시키는 문제점이 있다. 또한, 발생된 정전기기 직접 기판에 물리적인 손상을 가하는 문제점이 있다.However, as the cleaning liquid changed into the droplet form is supplied to the rotating substrate, static electricity is generated by friction of the cleaning liquid in the droplet form with the substrate. Impurity removed from the substrate by the cleaning liquid by the static electricity generated in this way has a problem of reducing the cleaning efficiency by recontaminating the substrate. In addition, there is a problem of physically damaging the generated static electricity direct substrate.

본 발명의 실시예들을 통해 해결하고자 하는 일 과제는 세정액과 기판의 마찰로 상기 세정액에 발생되는 정전기 발생을 억제하여 세정 효과를 향상시키기 위한 세정액 공급 유닛을 제공하는 것이다.One problem to be solved through embodiments of the present invention is to provide a cleaning solution supply unit for improving the cleaning effect by suppressing the generation of static electricity generated by the cleaning solution and the friction of the substrate.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 세정액 공급 유닛은 유로가 형성된 공급 펌프, 상기 공급 펌프와 연통되며, 상기 저장 탱크 내부로 상기 세정액을 공급하는 세정액 공급부, 상기 공급 펌프와 연통되며, 상기 저장 탱크 내부로 정정기 억제 가스를 공급하는 가스 공급부, 상기 공급 펌프 내부에 배치되며, 상기 가스를 이온화시켜서 상기 이온화된 가스가 상기 유로에 흐르는 상기 세정액에 용해되어 가스 용해액을 형성하는 이온화 부재 및 상기 공급 펌프와 연통되어 상기 공급 펌프로부터 상기 가스 용해액을 분사하는 분사부를 포함한다. 여기서, 상기 세정액은 탈이온수를 포함하고, 상기 기체는 이산화탄소를 포함할 수 있다. 또한, 상기 세정액 공급부는 상기 공급 펌프의 하부와 연통되며, 상기 가스 공급부는 상기 공급 펌프의 측벽과 연통되며, 상기 이온화 부재는 상기 공급 펌프 내부에 상기 공급 펌프의 연장 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 상기 이온화 부재는 각각 수지 물질을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 이온화 부재는 외부 바디부 및 상기 외부 바디부 내부에 삽입되며 중공 섬유층을 구비할 수 있다. In order to achieve the object of the present invention, the cleaning liquid supply unit according to the present invention is in communication with the supply pump, the supply pump is formed with a flow path, the cleaning liquid supply unit for supplying the cleaning liquid into the storage tank, the supply pump, A gas supply unit for supplying a corrector inhibiting gas into the storage tank, an ionization member disposed in the supply pump and ionizing the gas so that the ionized gas is dissolved in the cleaning liquid flowing in the flow path to form a gas dissolving liquid; And an injector communicating with the feed pump to inject the gas solution from the feed pump. Here, the washing liquid may include deionized water, and the gas may include carbon dioxide. In addition, the cleaning liquid supply unit may be in communication with the lower portion of the supply pump, the gas supply unit may be in communication with the side wall of the supply pump, the ionizing member may be disposed in the extension direction of the supply pump inside the supply pump. In addition, the ionizing members may each include a resin material. In addition, the ionization member may be inserted into the outer body portion and the outer body portion and have a hollow fiber layer.

본 발명의 일 실시예에 따른 세정액 공급 유닛은 상기 유로의 단부에 배치되 며, 상기 가스 용해액의 비저항을 검출하는 센서를 더 포함할 수 있다.The cleaning solution supply unit according to the exemplary embodiment of the present invention may be disposed at an end of the flow path and further include a sensor for detecting a specific resistance of the gas dissolving solution.

본 발명에 따른 세정액 공급 유닛은 정전기 방지 가스가 용해된 세정액을 분사 노즐을 통하여 기판 상에 공급함으로써, 상기 정전기 방지 가스를 포함하는 세정액이 상기 기판에 충돌할 때 상기 발생될 수 있는 정전기 발생이 억제될 수 있다. 따라서, 상기 세정액 공급 유닛이 세정 공정을 수행하기 위하여 적용될 경우 향상된 세정 효과를 가질 수 있다.The cleaning solution supply unit according to the present invention supplies the cleaning solution in which the antistatic gas is dissolved to the substrate through the spray nozzle, thereby suppressing the generation of static electricity that may be generated when the cleaning solution containing the antistatic gas collides with the substrate. Can be. Thus, when the cleaning liquid supply unit is applied to perform the cleaning process, it may have an improved cleaning effect.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 세정액 공급 유닛에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.Hereinafter, a cleaning liquid supply unit according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown in an enlarged scale than actual for clarity of the invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprises", "having", and the like are used to specify that a feature, a number, a step, an operation, an element, a part or a combination thereof is described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 세정액 공급 유닛을 설명하기 위한 단면도이다. 도 2는 도1의 이온화 부재들의 배열 관계를 설명하기 위한 부분 절개 사시도이다. 도 3은 도1의 이온화 부재를 설명하기 위한 부분 절개 사시도이다.1 is a cross-sectional view for explaining a cleaning liquid supply unit according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a partially cutaway perspective view illustrating an arrangement relationship of the ionization members of FIG. 1. FIG. FIG. 3 is a partially cutaway perspective view illustrating the ionization member of FIG. 1. FIG.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 세정액 공급 유닛(100)은 세정액을 사용하여 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판(W) 상에 잔류하는 잔류물, 파티클 등을 제거하기 위한 세정 공정을 수행하기 위하여 사용될 수 있다.1 to 3, the cleaning solution supply unit 100 according to an exemplary embodiment of the present invention is used to remove residues, particles, and the like remaining on a semiconductor substrate W such as a silicon wafer using the cleaning solution. It can be used to carry out the cleaning process.

상기 세정액 공급 유닛(100)은 공급 펌프(130), 세정액 공급부(140), 가스 공급부(150), 이온화 부재(160) 및 분사부(110)를 포함한다.The cleaning solution supply unit 100 includes a supply pump 130, a cleaning solution supply unit 140, a gas supply unit 150, an ionization member 160, and an injection unit 110.

상기 공급 펌프(130)는 내부에 유로(135)가 형성된다. 상기 유로(135)를 통하여 세정액이 흐를 수 있다. 상기 유로(135)는 상부에서 하부로 연통되도록 형성될 수 있다. 상기 세정액의 예로는 LAL 용액 및 탈이온수를 포함하는 혼합액이 사용될 수 있다. 상기 공급 펌프(130)는 상기 분사부(110)를 통하여 약액을 일정한 유압으로 공급하도록 한다. 따라서 일정한 유압으로 약액이 상기 기판 상에 공급될 수 있다. 한편, 상기 공급 펌프(130)는 상기 유압을 조절할 수 있다.The supply pump 130 has a flow path 135 formed therein. The cleaning liquid may flow through the flow path 135. The flow path 135 may be formed to communicate from the top to the bottom. Examples of the cleaning solution may be a mixed solution including a LAL solution and deionized water. The supply pump 130 allows the chemical liquid to be supplied at a constant hydraulic pressure through the injection unit 110. Therefore, the chemical liquid can be supplied onto the substrate at a constant hydraulic pressure. On the other hand, the supply pump 130 may adjust the hydraulic pressure.

상기 세정액 공급부(140)는 상기 공급 펌프(130)와 연통된다. 상기 세정액 공급부(140)는 상기 세정액을 저장하는 제1 저장 탱크(141), 상기 제1 저장 탱크(141) 및 상기 공급 펌프(130)와 연결시켜 상기 제1 저장 탱크(141)에 저장된 상기 세정액을 상기 공급 펌프(130)로 공급하는 세정액 공급 라인(143) 및 상기 세정액 공급 라인 상에 배치되며, 상기 세정액의 공급 여부를 결정하는 제1 밸브(145)를 포함할 수 있다. 나아가 상기 세정액 공급부(140)는 상기 제1 밸브(145)에 인접하여 상기 세정액 공급 라인(141) 상에 배치되며, 상기 제1 밸브(145)의 오프시 상기 세정액을 상기 제1 저장 탱크로 순화시키는 바이패스 라인(미도시)을 더 포함할 수 있다. The cleaning liquid supply unit 140 is in communication with the supply pump 130. The cleaning solution supply unit 140 is connected to the first storage tank 141, the first storage tank 141, and the supply pump 130 to store the cleaning solution, and the cleaning solution stored in the first storage tank 141. It may include a cleaning solution supply line 143 for supplying the supply to the supply pump 130 and the cleaning liquid supply line, the first valve 145 to determine whether to supply the cleaning solution. Furthermore, the cleaning liquid supply unit 140 is disposed on the cleaning liquid supply line 141 adjacent to the first valve 145 and purifies the cleaning liquid to the first storage tank when the first valve 145 is turned off. A bypass line (not shown) may be further included.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 세정액 공급 라인(140)은 상기 공급 탱크(130)의 하부에 배치될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the cleaning solution supply line 140 may be disposed below the supply tank 130.

상기 가스 공급부(150)는 상기 공급 탱크(130)와 연통된다. 예를 들면, 상기 가스 공급부(150)는 상기 공급 탱크(130)의 일측벽에 인접하도록 배치된다. 상기 가스 공급부(150)는 상기 공급 탱크(130)의 하측부에 연통되도록 배치될 수 있다. The gas supply unit 150 communicates with the supply tank 130. For example, the gas supply unit 150 is disposed to be adjacent to one side wall of the supply tank 130. The gas supply unit 150 may be disposed to communicate with a lower side of the supply tank 130.

상기 가스 공급부(150)는 상기 공급 탱크(130)에 정전기 억제 가스를 공급한다. 상기 정전기 억제 가스의 예로는 이산화 탄소 가스를 들 수 있다. 상기 가스 공급부(150)로 공급되는 상기 정전기 억제 가스의 공급량은 공급 탱크의 용량, 상기 유로(135)를 통하여 흐르는 세정액의 유압 등을 고려하여 조절될 수 있다. The gas supply unit 150 supplies an antistatic gas to the supply tank 130. Examples of the static electricity suppressing gas include carbon dioxide gas. The supply amount of the static electricity suppressing gas supplied to the gas supply unit 150 may be adjusted in consideration of the capacity of the supply tank, the hydraulic pressure of the cleaning liquid flowing through the flow path 135.

상기 가스 공급부(150)는 상기 정전기 억제 가스를 저장하는 제2 저장 탱크(151), 상기 제2 저장 탱크(151)로부터 상기 정전기 억제 가스를 상기 공급 펌프(130) 내부로 흐르도록 유로를 제공하는 가스 공급 라인(153) 및 상기 가스 공급 라인(153) 상에 배치되며, 상기 가스 공급 여부를 조절하는 제2 밸브(155)를 포함할 수 있다. The gas supply unit 150 provides a flow path to flow the static electricity suppressing gas into the supply pump 130 from the second storage tank 151 storing the static electricity suppressing gas and the second storage tank 151. The gas supply line 153 and the gas supply line 153 may be disposed, and may include a second valve 155 to control whether the gas is supplied.

한편, 상기 가스 공급부(150)는 복수로 배치되어 제1 가스 공급 라인(153) 및 제2 가스 공급 라인(154)이 상기 제2 저장 탱크(151) 및 상기 공급 펌프(130)를 상호 연통시킬 수 있다. 상기 제1 가스 공급 라인(153)은 상기 공급 펌프(130)의 하부와 연통되며, 상기 제2 가스 공급 라인(154)은 상기 공급 펌프(130)의 상부와 연통될 수 있다. On the other hand, the gas supply unit 150 is arranged in a plurality so that the first gas supply line 153 and the second gas supply line 154 can communicate with the second storage tank 151 and the supply pump 130 mutually. Can be. The first gas supply line 153 may communicate with a lower portion of the supply pump 130, and the second gas supply line 154 may communicate with an upper portion of the supply pump 130.

상기 이온화 부재(160)는 상기 공급 펌프(130)의 내부에 배치된다. 상기 공급 펌프(130)가 중공의 파이프 형상을 가질 경우, 상기 이온화 부재는 상기 공급 펌프(130)의 내측벽에 인접하여 배치될 수 있다. 상기 이온화 부재(160)는 상기 공 급 펌프(130)의 연장 방향으로 배열될 수 있다. 이 경우, 상기 이온화 부재(160) 또한 중공의 파이프 형상을 가질 수 있다.The ionization member 160 is disposed inside the supply pump 130. When the feed pump 130 has a hollow pipe shape, the ionization member may be disposed adjacent to an inner wall of the feed pump 130. The ionization member 160 may be arranged in the extending direction of the supply pump 130. In this case, the ionization member 160 may also have a hollow pipe shape.

상기 이온화 부재(160)는 상기 가스 공급부(150)로부터 공급된 상기 정전기 억제 가스를 이온화시킨다. 상기 이온화 부재(160)를 통하여 상기 정전기 억제 가스가 통과되면서 상기 정전기 억제 가스가 이온화 될 수 있다. 이온화 된 상기 정전기 억제 가스는 상기 세정액에 용이하게 용해될 수 있다. 상기 정전기 억제 가스가 세정액에 용해됨에 따라 상기 가스 용해액이 형성된다. 상기 가스 용해액이 상기 세정액보다 낮은 비저항을 가질 수 있다. 따라서, 상기 가스 용해액이 상기 기판에 공급될 때 발생하는 정정기가 억제될 수 있다.The ionization member 160 ionizes the static suppression gas supplied from the gas supply unit 150. The static electricity suppressing gas may be ionized while the static electricity suppressing gas passes through the ionization member 160. The ionized static electricity suppressing gas can be easily dissolved in the cleaning liquid. The gas dissolving liquid is formed as the static electricity suppressing gas is dissolved in the cleaning liquid. The gas solution may have a lower resistivity than the cleaning solution. Therefore, the corrector generated when the gas solution is supplied to the substrate can be suppressed.

상기 이온화 부재(160)는 다공성 수지를 포함할 수 있다. 상기 다공성 수지를 포함하는 상기 이온화 부재(160)를 통하여 상기 정전기 억제 가스가 통과하면서 상기 정전기 억제 가스가 이온화될 수 있다. The ionization member 160 may include a porous resin. The static electricity suppressing gas may be ionized while the static electricity suppressing gas passes through the ionization member 160 including the porous resin.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 이온화 부재(160)는 복수로 배치될 수 있다. 상호 이격된 제1 이온화 부재(161) 및 제2 이온화 부재(166)를 상기 정전기 억제 가스가 각각 통과하여 상기 정전기 억제 가스의 이온화가 보다 효율적으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 이온화 부재(161)는 상기 저장 탱크(130)의 중심축에 인접하여 배치되며, 상기 제2 이온화 부재(166)는 상기 제1 이온화 부재(161)와 일정 간격으로 이격되어 상기 제1 이온화 부재(161)를 둘러싸도록 배치될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the ionization member 160 may be arranged in plurality. The static suppression gas may pass through the first ionizing member 161 and the second ionizing member 166 spaced apart from each other, and thus ionization of the static suppression gas may be more efficiently performed. For example, the first ionizing member 161 is disposed adjacent to the central axis of the storage tank 130, and the second ionizing member 166 is spaced apart from the first ionizing member 161 at a predetermined interval. And may surround the first ionization member 161.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 이온화 부재들(161)은 각각 중공을 갖는 외부 바디부(162) 및 상기 중공을 채우면서 내부에 중공을 갖는 중공 섬유층(163)을 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, each of the first ionizing members 161 may include an outer body portion 162 having a hollow and a hollow fiber layer 163 having a hollow therein while filling the hollow. .

상기 분사부(110)는 상기 공급 탱크(130)의 상부와 연통된다. 상기 분사부(110)는 상기 가스 용해액을 기판 상에 공급한다. 상기 분사부(110)는 상기 공급 탱크(130)와 연통된 분사 라인(113) 및 상기 분사 라인(113)의 단부에 배치된 분사 노즐(111)을 포함한다. 상기 분사 라인(113)은 상기 가스 용해액이 흐르는 유로를 제공한다. 상기 분사 노즐(111)은 상기 기판 상에 상기 가스 용해액을 분사한다.The injection unit 110 communicates with an upper portion of the supply tank 130. The injection unit 110 supplies the gas solution on a substrate. The injection unit 110 includes an injection line 113 communicating with the supply tank 130 and an injection nozzle 111 disposed at an end of the injection line 113. The injection line 113 provides a flow path through which the gas solution flows. The spray nozzle 111 injects the gas dissolving liquid onto the substrate.

본 발명의 일 실시예에 따른 세정액 공급 유닛(100)은 상기 공급 탱크(130)의 상단부에 배치되며, 상기 공급 탱크(130)의 유로(135)로 흐르는 상기 가스 용해액의 비저항을 검출하는 센서(180)를 더 포함할 수 있다. 상기 센서(180)가 상기 가스 용해액의 비저항을 검출한 후, 상기 비저항값을 기준값과 비교하여 상기 가스 공급부(150)의 가스 공급량을 조절할 수 있다. 즉, 상기 비저항값이 상기 기준값보다 높은 경우 상기 가스 공급량을 증가시켜 상기 비저항값을 저하시킬 수 있다. 이와 반대로, 상기 비저항값이 상기 기준값보다 낮은 경우 상기 가스 공급량을 감소시켜 상기 비저항값을 증가시킬 수 있다.The cleaning liquid supply unit 100 according to an embodiment of the present invention is disposed at the upper end of the supply tank 130, the sensor for detecting the specific resistance of the gas dissolved in the flow path 135 of the supply tank 130 It may further include 180. After the sensor 180 detects the specific resistance of the gas dissolving liquid, the gas supply amount of the gas supply unit 150 may be adjusted by comparing the specific resistance value with a reference value. That is, when the specific resistance value is higher than the reference value, the gas supply amount may be increased to lower the specific resistance value. On the contrary, when the specific resistance value is lower than the reference value, the gas supply amount may be decreased to increase the specific resistance value.

이하, 언급한 세정액 공급 유닛을 포함하는 기판 세정 장치에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the substrate cleaning apparatus including the mentioned cleaning liquid supply unit will be described.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치를 나타내는 개략적인 도면이다. 4 is a schematic diagram illustrating a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

여기서, 도 4에 도시된 세정액 공급 유닛은 도1을 참고로 설명한 세정액 공급 유닛과 유사하므로 동일 부재에 대해서는 동일한 부호를 사용하고, 중복되는 부분은 그 상세한 설명을 생략하기로 한다.Here, since the cleaning solution supply unit shown in FIG. 4 is similar to the cleaning solution supply unit described with reference to FIG. 1, the same reference numerals are used for the same members, and detailed descriptions thereof will be omitted.

상기 기판 세정 장치는 세정액 공급 유닛(100), 세정 용기(200) 및 기판 파지부(300)를 포함하여 이루어진다.The substrate cleaning apparatus includes a cleaning liquid supply unit 100, a cleaning container 200, and a substrate holding part 300.

상기 세정액 공급 유닛(100)은 분사 노즐(111)을 상기 기판(W) 상의 수평면상에서 이동시키기 위한 이동부(170)를 더 포함할 수 있다. 상기 이동부(170)는 크게 지지대(172)와 지지축(174)으로 구분된다. 상기 지지대(172)는 상기 기판(W) 상부에 수평면상으로 배치되고, 선단에 상기 노즐(102)이 위치한다. 상기 지지대(172)의 타단은 상기 지지축(174)에 연결된다. 상기 지지축(174)은 상기 세정 용기(200)의 외부에 인접되게 배치되고, 상하로 수직하게 배치되는 막대 구조이다. 상기 지지축(174)은 상기 지지대(172)를 지지하고, 회전시켜 상기 분사 노즐(111)을 상기 기판(W) 상에서 수평면상으로 이동시킨다. 일 예로, 상기 이동부(170)는 상기 지지축(174)을 기준으로 상기 분사 노즐(111)을 상기 기판(W)의 중심 부위로부터 가장자리 부위(혹은 중심 부위와 가장자리 부위를 왕복)로 회전 이동시킨다. 여기서, 상기 제1 유로(110) 및 제2 유로(120)는 상기 이동부(170)에 형성되어, 상기 분사 노즐(111)까지 연결될 수 있다.The cleaning solution supply unit 100 may further include a moving unit 170 for moving the spray nozzle 111 on the horizontal plane on the substrate W. The moving part 170 is largely divided into a support 172 and a support shaft 174. The support 172 is disposed above the substrate W in a horizontal plane, and the nozzle 102 is positioned at the front end thereof. The other end of the support 172 is connected to the support shaft 174. The support shaft 174 is disposed adjacent to the outside of the cleaning container 200, and has a rod structure vertically disposed up and down. The support shaft 174 supports and rotates the support 172 to move the spray nozzle 111 on the substrate W in a horizontal plane. For example, the moving unit 170 rotates the spray nozzle 111 from the center portion of the substrate W to the edge portion (or reciprocating the center portion and the edge portion) based on the support shaft 174. Let's do it. Here, the first flow path 110 and the second flow path 120 may be formed in the moving part 170, and may be connected to the injection nozzle 111.

상기 세정 용기(200)는 상기 기판(W)에 대한 일련의 공정(예컨대 세정 공정)을 수행하기 위한 공정 공간을 제공한다. 일 예로, 상기 세정 용기(200)는 상부 방향으로 개구된 통 형상 갖고, 상단부가 처마 구조로 형성될 수 있다. 이와 달리 상 기 세정 용기(200)는 다양한 형상을 가질 수 있다. 상기 세정 용기(200)는 내부에 상기 기판 파지부(300)를 수용한다. 상기 세정 용기(200)는 상기 기판(W)에 대한 세정 공정이 진행되는 동안 상기 기판(W)으로 공급되는 세정액 등의 유체들이 비산되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 외부의 다른 장치나 주위가 오염되는 것을 방지한다. 또한, 상기 세정 용기(200)는 바닥면 또는 측벽에 형성되고, 공정 공간에서 사용된 세정액 등의 유체를 외부로 배출시키기 위한 배출부(미도시)를 포함할 수 있다.The cleaning container 200 provides a process space for performing a series of processes (for example, a cleaning process) on the substrate W. For example, the cleaning container 200 may have a cylindrical shape open in an upper direction, and an upper end thereof may have a cornice structure. Unlike this, the cleaning container 200 may have various shapes. The cleaning container 200 accommodates the substrate holding part 300 therein. The cleaning container 200 may prevent fluids, such as a cleaning liquid, supplied to the substrate W from being scattered while the cleaning process for the substrate W is in progress. That is, to prevent contamination of other external devices and the environment. In addition, the cleaning container 200 may be formed on a bottom surface or sidewall, and may include a discharge part (not shown) for discharging a fluid such as a cleaning liquid used in the process space to the outside.

상기 기판 파지부(300)는 상기 세정 용기(200) 내부에 배치되고, 상기 기판(W)을 파지 한다. 상기 기판 파지부(300)는 크게 파지부(310)와 구동축(320)으로 구분할 수 있다. 상기 파지부(310)는 상부에 상기 기판(W)이 놓여지기 위한 평탄한 스테이지를 갖는다. 상기 구동축(320)은 상기 파지부(310)의 하부로 배치(예컨대 결합)되고, 공정 진행에 따라 상기 파지부(310)를 상하 이동시키고, 상기 기판(W)에 대한 세정 공정이 진행될 때 상기 파지부(310)를 일정한 속도로 회전시킴으로써, 상기 기판(W)을 일정한 속도로 회전시킨다. 이를 위해, 상기 구동축(320)의 하부에는 상기 구동축(320)을 회전시키기 위한 회전 모터가 연결될 수 있다.The substrate holding part 300 is disposed inside the cleaning container 200 and grips the substrate W. The substrate holding part 300 may be largely divided into a holding part 310 and a driving shaft 320. The gripping portion 310 has a flat stage on which the substrate W is placed. The drive shaft 320 is disposed (eg coupled) to the lower portion of the grip portion 310, and moves the grip portion 310 up and down as the process proceeds, and when the cleaning process for the substrate (W) is performed By rotating the gripping portion 310 at a constant speed, the substrate W is rotated at a constant speed. To this end, a rotary motor for rotating the drive shaft 320 may be connected to the lower portion of the drive shaft 320.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 세정액 공급 유닛 및 이를 갖는 기판 세정 장치는 정전기 억제 가스를 공급 펌프 내부에 공급함으로써 세정액에 용해된 가스 용해액을 기판 상에 공급함으로써 정전기를 방지한다. 따라서, 정전기에 의한 기판의 재오염을 방지하여 세정 효율을 개선한다.As described above, the cleaning liquid supply unit and the substrate cleaning apparatus having the same according to the preferred embodiment of the present invention prevent static electricity by supplying the gas dissolving liquid dissolved in the cleaning liquid onto the substrate by supplying the static suppression gas into the supply pump. . Therefore, re-contamination of the substrate by static electricity is prevented and the cleaning efficiency is improved.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 세정액 공급 유닛을 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view for explaining a cleaning liquid supply unit according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도1의 이온화 부재들의 배열 관계를 설명하기 위한 부분 절개 사시도이다.FIG. 2 is a partially cutaway perspective view illustrating an arrangement relationship of the ionization members of FIG. 1. FIG.

도 3은 도1의 이온화 부재를 설명하기 위한 부분 절개 사시도이다.FIG. 3 is a partially cutaway perspective view illustrating the ionization member of FIG. 1. FIG.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치를 설명하기 위한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 세정액 공급 유닛 110 : 분사부100: cleaning liquid supply unit 110: injection unit

130 : 공급 펌프 140 : 세정액 공급부130: supply pump 140: cleaning liquid supply unit

150 : 가스 공급부 160 : 이온화 부재150: gas supply unit 160: ionization member

161 : 외부 바디부 165 : 중공 섬유층161: outer body portion 165: hollow fiber layer

170 : 센서170: sensor

Claims (6)

유로가 형성된 공급 펌프;A feed pump in which a flow path is formed; 상기 공급 펌프와 연통되며, 상기 공급 펌프 내부로 세정액을 공급하는 세정액 공급부;A cleaning liquid supply unit communicating with the supply pump and supplying a cleaning liquid into the supply pump; 상기 공급 펌프와 연통되며, 상기 공급 펌프 내부로 정전기 억제 가스를 공급하는 가스 공급부;A gas supply unit communicating with the supply pump and supplying an electrostatic suppression gas into the supply pump; 상기 공급 펌프 내부에 배치되며, 상기 가스를 이온화시켜서 상기 이온화된 가스가 상기 유로에 흐르는 상기 세정액에 용해되어 가스 용해액을 형성하는 이온화 부재; 및An ionization member disposed inside the supply pump and ionizing the gas so that the ionized gas is dissolved in the cleaning liquid flowing in the flow path to form a gas dissolving liquid; And 상기 공급 펌프와 연통되어 상기 공급 펌프로부터 상기 가스 용해액을 분사하는 분사부를 포함하고,And an injection unit in communication with the supply pump for injecting the gas dissolving liquid from the supply pump, 상기 이온화 부재는 외부 바디부 및 상기 외부 바디부 내부에 삽입되며 중공 섬유층을 구비하는 세정액 공급 유닛.The ionizing member is inserted into the outer body portion and the outer body portion cleaning liquid supply unit having a hollow fiber layer. 제1항에 있어서, 상기 세정액은 탈이온수를 포함하고, 상기 가스는 이산화탄소를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 공급 유닛.The cleaning liquid supply unit according to claim 1, wherein the cleaning liquid includes deionized water and the gas contains carbon dioxide. 제1항에 있어서, 상기 세정액 공급부는 상기 공급 펌프의 하부와 연통되며, 상기 가스 공급부는 상기 공급 펌프의 측벽과 연통되며, 상기 이온화 부재는 상기 공급 펌프 내부에 상기 공급 펌프의 연장 방향으로 배치된 것을 특징으로 하는 세정액 공급 유닛.The cleaning liquid supply unit of claim 1, wherein the cleaning liquid supply unit communicates with a lower portion of the supply pump, the gas supply unit communicates with a side wall of the supply pump, and the ionization member is disposed in an extension direction of the supply pump inside the supply pump. Washing liquid supply unit, characterized in that. 제1항에 있어서, 상기 이온화 부재는 각각 수지 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 공급 유닛. The cleaning liquid supply unit according to claim 1, wherein the ionizing members each comprise a resin material. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 유로의 단부에 배치되며, 상기 가스 용해액의 비저항을 검출하는 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 공급 유닛. The cleaning liquid supply unit according to claim 1, further comprising a sensor disposed at an end of the flow path and detecting a specific resistance of the gas dissolving liquid.
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