KR101071059B1 - A screen printing mask and method for plasma dicing using the same - Google Patents

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Abstract

공정을 간소화시키고, 비용 절감이 가능한 스크린 프린팅 마스크를 이용한 플라즈마 다이싱 방법에 관해 개시한다. 이를 위해 본 발명은, 웨이퍼의 칩 영역은 노출하고 스크라이브 라인 영역은 덮는 스크린 프린팅 마스크를 준비하는 단계와, 스크린 프린팅 마스크를 상기 웨이퍼 위에 정렬하는 단계와, 스크린 프린팅 마스크가 정렬된 웨이퍼 위에 포토레지스트를 균일한 두께로 압착(squeezing)하는 단계와, 포토레지스트가 압착된 웨이퍼를 확장 테이프가 탑재된 카세트 링에 부착하는 단계 및 포토레지스트가 압착된 웨이퍼에 대하여 플라즈마 식각을 진행하여 스크라이브 라인 영역을 식각하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 다이싱(plasma dicing) 방법을 제공한다. 따라서 얇은 두께의 웨이퍼 혹은 저유전 물질을 포함하는 웨이퍼를 저비용, 고신뢰성으로 가공할 수 있다.Disclosed is a plasma dicing method using a screen printing mask that can simplify the process and reduce the cost. To this end, the present invention provides a method of preparing a screen printing mask that exposes a chip area of a wafer and covers a scribe line area, aligning a screen printing mask on the wafer, and depositing a photoresist on the wafer on which the screen printing mask is aligned. Squeezing to a uniform thickness, attaching the photoresist-compressed wafer to the cassette ring on which the expansion tape is mounted, and performing plasma etching on the photoresist-compressed wafer to etch the scribe line region. It provides a plasma dicing method characterized in that it comprises a step. Therefore, a thin wafer or a wafer containing a low dielectric material can be processed at low cost and high reliability.

플라즈마 식각, 다이싱, 웨이퍼 절단 공정, 스크린 프린팅 마스크. Plasma etching, dicing, wafer cutting process, screen printing mask.

Description

스크린 프린팅 마스크 및 이를 이용한 플라즈마 다이싱 방법{A screen printing mask and method for plasma dicing using the same}A screen printing mask and method for plasma dicing using the same}

본 발명은 반도체 패키지의 제조공정에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 저유전 물질을 포함하는 웨이퍼에 대한 플라즈마 다이싱(plasma dicing) 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a manufacturing process of a semiconductor package, and more particularly, to a plasma dicing method for a wafer including a low dielectric material.

반도체 패키지 조립(assembly) 공정에 있어서, 다이싱 공정(dicing process)이란, 웨이퍼에 포함된 복수개의 반도체 칩을 블레이드(blade) 혹은 레이저(LASER)등을 사용하여 절단하는 공정으로, 다른 의미로 웨이퍼를 리드프레임 혹은 인쇄회로기판 등과 같은 반도체 패키지용 기본 프레임 위에 탑재할 수 있도록 단위 반도체 칩으로 분리하는 공정을 말한다.In the semiconductor package assembly process, a dicing process is a process of cutting a plurality of semiconductor chips included in a wafer using a blade or a laser, and in other words, a wafer. Refers to a process of separating the semiconductor into unit semiconductor chips to be mounted on a base frame for a semiconductor package such as a lead frame or a printed circuit board.

최근들어 웨이퍼 제조공정에서 반도체 소자의 고용량화, 고속화, 미세화 공정이 발달됨에 따라, 금속간 절연소재로 저유전 물질(Low K material)의 사용이 점차 증가하고 있는 추세이다. 이러한 저유전 물질이란 일반적으로 실리콘 산화물의 유전상수보다 유전율이 낮은 물질을 통칭한다. Recently, as high-capacity, high-speed, and miniaturized semiconductor devices are developed in the wafer manufacturing process, the use of low-k dielectric materials as an intermetallic insulating material is gradually increasing. Such a low dielectric material generally refers to a material having a lower dielectric constant than that of silicon oxide.

한편, 저유전 물질을 포함하는 웨이퍼는 블레이드를 사용한 다이싱 공정에서 반도체 칩이 깨지는 부분적으로 칩핑 결함(chipping defect), 반도체 칩에 금이 발생하는 크랙 결함(crack defect)이 빈번히 발생하는 문제가 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 현재 반도체 패키지 조립 공정에서 칩핑 결함이나 크랙 결합을 사전에 방지할 수 있는 새로운 개념의 다이싱 방법이 필요한 시점이다. On the other hand, a wafer containing a low dielectric material has a problem in which chipping defects in which a semiconductor chip is broken and crack cracks in which a semiconductor chip occurs frequently occur in a dicing process using a blade. . In order to solve this problem, a new concept of dicing method that can prevent chipping defects or crack bonding in the semiconductor package assembly process is needed.

이러한 요구에 대응하기 위해, 반도체 패키지 조립공정에서 점차 블레이드를 사용한 웨이퍼 다이싱 공정 대신에 레이저나 플라즈마 식각을 통한 다이싱 공정이 적용되고 있다. 왜냐하면, 기존의 웨이퍼 절단수단으로 사용되는 블레이드의 회전 속도를 조절하여 웨이퍼를 절단할 경우, 칩핑 결함이나 크랙 결함의 발생은 최소화되지만, 고품질로 절단된 반도체 칩을 얻을 수는 없기 때문이다. 또한 블레이드의 회전 속도를 조절할 경우, 단위 시간당 절단되는 반도체 칩의 개수가 적어져서 생산성이 떨어지는 문제점이 발생한다.In order to meet these demands, a dicing process through laser or plasma etching is applied instead of a wafer dicing process using blades in a semiconductor package assembly process. This is because, when cutting the wafer by adjusting the rotational speed of the blade used as the conventional wafer cutting means, the occurrence of chipping defects or crack defects is minimized, but it is not possible to obtain a semiconductor chip that is cut to high quality. In addition, when adjusting the rotational speed of the blade, there is a problem that the productivity is reduced because the number of semiconductor chips to be cut per unit time is reduced.

한편, 레이저를 사용한 다이싱 방법은, 웨이퍼의 스크라이브 라인에 홈(groove)을 형성하거나, 스크라이브 라인을 완전히 절단할 때, 절단된 실리콘 입자가 반도체 칩 표면에 융착되는 것을 막기 위해, 별도로 비용이 비싼 코팅재료를 사용하여 반도체 칩 표면을 코팅해야 하는 단점이 있으며, 홈을 형성하는 레이저와 스크라이브 라인을 완전히 절단하는 레이저가 서로 상이하며, 스크라이브 라인을 완전히 절단할 때, 다이접착 필름(DAF: Die Attach Film)이 잘 절단되지 않는 문제점을 갖고 있다.On the other hand, the dicing method using a laser is expensive separately in order to prevent the cut silicon particles from fusion to the surface of the semiconductor chip when grooves are formed in the scribe lines of the wafer or when the scribe lines are completely cut. The disadvantage of having to coat the surface of the semiconductor chip by using a coating material is that the laser forming the groove and the laser cutting the scribe line completely different from each other, and when the scribe line is completely cut, a die attach film (DAF) Film) is difficult to cut.

그리고 플라즈마 식각을 통하여 다이싱 공정을 진행할 경우, 스크라이브 라인을 절단할 때, 반도체 칩 표면이 식각되는 것을 방지하기 위해 식각 마스크가 반 드시 필요하다. 일반적인 웨이퍼 제조공정에서는 이러한 식각 마스크를 별도의 포토리소그라피 공정을 사용하여 형성한다. 하지만 포토리소그라피 공정을 통한 식각 마스크의 형성은 공정을 복잡하게 만들고, 제조비용이 상승되는 문제점이 있다.When the dicing process is performed through plasma etching, an etching mask is necessary to prevent the surface of the semiconductor chip from being etched when the scribe line is cut. In a typical wafer fabrication process, such an etch mask is formed using a separate photolithography process. However, the formation of an etch mask through a photolithography process complicates the process and increases manufacturing costs.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 레이저를 사용한 웨이퍼 절단 공정에서 발생하는 문제점을 해결하고, 플라즈마를 사용하여 웨이퍼 절단 공정을 진행할 때 발생하는 고비용 및 공정이 복잡해지는 문제를 해결할 수 있는 스크린 프린팅 마스크를 제공하는데 있다.The technical problem to be solved by the present invention is to solve the problems in the wafer cutting process using a laser, and the screen printing mask that can solve the problem of the high cost and complexity of the wafer cutting process using a plasma. To provide.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 레이저를 사용한 웨이퍼 절단 공정에서 발생하는 문제점을 해결하고, 플라즈마를 사용하여 웨이퍼 절단 공정을 진행할 때 발생하는 고비용 및 공정이 복잡해지는 문제를 해결할 수 있는 스크린 프린팅 마스크를 이용한 플라즈마 다이싱 방법을 제공하는데 있다. Another technical problem to be solved by the present invention is to solve the problems occurring in the wafer cutting process using a laser, screen printing mask that can solve the problem of the high cost and complexity of the wafer cutting process using a plasma It is to provide a plasma dicing method using.

상기 기술적 과제를 달성하기 위해 본 발명에 의한 웨이퍼의 플라즈마 식각에 사용되는 스크린 프린팅 마스크는, 마스크 본체와, 상기 마스크 본체에서 웨이퍼의 반도체 칩 영역을 노출시키는 개구부와, 상기 마스크 본체에서 웨이퍼의 스크라이브 라인을 덮는 마스킹 영역을 포함하는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above technical problem, a screen printing mask used for plasma etching a wafer according to the present invention includes a mask body, an opening exposing a semiconductor chip region of the wafer from the mask body, and a scribe line of the wafer from the mask body. It characterized in that it comprises a masking area covering the.

본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 개구부는 실제 반도체 칩의 크기보다 더 큰 것이 적합하다.According to a preferred embodiment of the invention, the opening is suitably larger than the size of the actual semiconductor chip.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위해 본 발명에 의한 스크린 프린팅 마스크를 이용한 플라즈마 다이싱 방법은, 웨이퍼의 칩 영역은 노출하고 스크라이브 라인 영역은 덮는 스크린 프린팅 마스크를 준비하는 단계와, 상기 스크린 프린팅 마스크를 상기 웨이퍼 위에 정렬하는 단계와, 상기 스크린 프린팅 마스크가 정렬된 웨이퍼 위에 포토레지스트를 균일한 두께로 압착(squeezing)하는 단계와, 상기 포토레지스트가 압착된 웨이퍼를 확장 테이프가 탑재된 카세트 링에 부착하는 단계와, 상기 포토레지스트가 압착된 웨이퍼에 대하여 플라즈마 식각을 진행하여 스크라이브 라인 영역을 식각하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.In accordance with another aspect of the present invention, there is provided a plasma dicing method using a screen printing mask, comprising: preparing a screen printing mask that exposes a chip region of a wafer and covers a scribe line region; Aligning on the wafer, squeezing the photoresist to a uniform thickness on the wafer on which the screen printing mask is aligned, and attaching the photoresist squeezed wafer to a cassette ring on which an extension tape is mounted. And etching the scribe line region by performing plasma etching on the photoresist-compressed wafer.

본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 웨이퍼는 밑면이 연마된 것이 적합하고, 또한 저유전 물질을 사용하여 회로부가 만들어진 것이 적합하다.According to a preferred embodiment of the present invention, it is suitable that the wafer is polished at the bottom, and that the circuit portion is made using a low dielectric material.

또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 포토레지스트를 균일한 두께로 압착시키는 단계 후, 상기 포토레지스트에 대한 큐어링 공정을 추가로 진행할 수 있다.In addition, according to a preferred embodiment of the present invention, after pressing the photoresist to a uniform thickness, a curing process for the photoresist may be further performed.

한편, 상기 확장테이프는, 반도체 칩 접착용 필름(DAF)이 부착된 것을 사용할 수 있다. 바람직하게는, 상기 포토레지스트가 압착된 웨이퍼에 대해 플라즈마 식각을 진행하는 방법은, 상기 노출된 스크라이브 라인에 홈(groove)이 형성되도록 진행하거나, 상기 노출된 스크라이브 라인에서 웨이퍼가 중간 두께 식각(half etching) 되도록 진행하거나, 혹은 상기 노출된 스크라이브 라인에서 웨이퍼가 완전히 식각되도록 진행할 수 있다.On the other hand, the expansion tape may be used that is attached to the semiconductor chip adhesive film (DAF). Preferably, the method of performing plasma etching on the wafer to which the photoresist is pressed may proceed to form grooves in the exposed scribe line, or the wafer may be half-etched in the exposed scribe line. etching) or the wafer may be completely etched from the exposed scribe line.

이때, 노출된 스크라이브 라인에 홈을 형성하거나, 중간 두께 식각을 진행할 경우, 상기 플라즈마 식각을 진행한 후, 상기 완전히 잘려지지 않은 스크라이브 라인을 완전히 자르는 절단 공정을 추가로 진행하는 것이 바람직하다.In this case, when the groove is formed in the exposed scribe line or the middle thickness etching is performed, it is preferable to further perform a cutting process of completely cutting the scribe line that is not completely cut after the plasma etching.

바람직하게는 상기 절단 공정은 블레이드를 사용한 웨이퍼 절단 공정 혹은 레이저를 사용한 웨이퍼 절단 공정인 것이 적합하다.Preferably, the cutting process is a wafer cutting process using a blade or a wafer cutting process using a laser.

따라서, 상술한 본 발명에 따르면, 첫째, 기존의 레이저를 사용한 다이싱 공정과 비교하여, 스크라이브 라인에 홈(groove)을 형성하거나 스크라이브 라인을 완전히 절단할 때, 실리콘 입자(Si Particle)가 반도체 칩 표면에 융착되는 것을 방지하기 위해 웨이퍼 전면을 별도의 코팅(coating)해야 하는데, 본 발명에서는 이러한 추가 공정이 필요없고, 코팅 재료의 추가 사용으로 비용 상승을 줄일 수 있다. Therefore, according to the present invention described above, first, as compared with the conventional dicing process using a laser, when the groove (groove) in the scribe line or completely cut the scribe line, the silicon particles (Si Particle) is a semiconductor chip To prevent fusion to the surface, a separate coating of the wafer front is required, which does not require this additional process, and further use of coating material can reduce the cost increase.

둘째, 일반적인 포토리소그라피를 사용한 플라즈마 다이싱 방법과 비교할 때, 포토리소그라피 공정 대신에 스크린 프린팅 방식으로 웨이퍼의 반도체 칩 표면에 포토레지스트 마스크를 형성하기 때문에 공정이 단순화되고, 제조비용이 절감되는 장점이 있다.Second, compared with the conventional plasma dicing method using photolithography, since the photoresist mask is formed on the surface of the semiconductor chip of the wafer by screen printing instead of the photolithography process, the process is simplified and the manufacturing cost is reduced. .

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 아래의 상세한 설명에서 개시되는 실시예는 본 발명을 한정하려는 의미가 아니라, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게, 본 발명의 개시가 실시 가능한 형태로 완전해지도록 발명의 범주를 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments disclosed in the following detailed description are not meant to limit the present invention, but to those skilled in the art to which the present invention pertains, the disclosure of the present invention may be completed in a form that can be implemented. It is provided to inform the category.

도 1은 본 발명에 의한 스크린 프린팅 마스크를 이용한 플라즈마 다이싱 방법을 설명하기 위한 플로차트(flowchart)이다.1 is a flowchart illustrating a plasma dicing method using a screen printing mask according to the present invention.

도 1을 참조하면, 먼저 스크린 프린팅 마스크를 준비(S100)한다. 상기 스크린 프린팅 마스크에 관해서는 추후 도 3을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 이어서, 상기 스크린 프린팅 마스크를 반도체 칩 영역과 스크라이브 영역을 갖는 웨이퍼 위에 정렬(S110)시킨다. 그 후, 포토레지스트를 통상적인 스크린 프린팅 방식에 따라 상기 웨이퍼 위에 압착(S120, squeezing)시킨다. 상기 압착 공정에 따라 포토레지스트는 스크린 프린팅 마스크에 의해 웨이퍼의 반도체 칩 영역 위에만 덮이게 된다. 이때, 필요시 상기 반도체 칩 영역에 압착된 포토레지스트에 대한 큐어링(curing) 공정(S130)을 선택적으로 진행할 수 있다.Referring to FIG. 1, first, a screen printing mask is prepared (S100). The screen printing mask will be described in detail later with reference to FIG. 3. Subsequently, the screen printing mask is aligned on the wafer having the semiconductor chip region and the scribe region (S110). Thereafter, the photoresist is squeezed onto the wafer according to a conventional screen printing method. According to the pressing process, the photoresist is covered only on the semiconductor chip region of the wafer by the screen printing mask. At this time, if necessary, a curing process (S130) for the photoresist pressed onto the semiconductor chip region may be selectively performed.

계속해서 포토레지스트가 압착된 웨이퍼를 확장 테이프가 탑재된 카세트 링에 도 5와 같이 부착(S140)시킨다. 그리고 상기 웨이퍼가 부착된 카세트 링을 플라즈마 식각 장치에서 도 6와 같이 식각하여 스크라이브 라인에 홈을 형성하거나, 혹은 중간 두께 식각(half etching)을 진행하거나, 스크라이브 라인 영역의 웨이퍼를 완전히 절단(S150, 160)한다. 만약 스크라이브 라인에 홈을 형성하거나, 중간 두께 식각을 진행할 경우, 블레이드를 사용한 추가 웨이퍼 절단 공정(sawing process) 혹은 레이저를 사용한 추가 웨이퍼 절단 공정(LASER sawing process)으로 절단되지 않은 웨이퍼 부분을 완전히 절단(S170)한다. Subsequently, the photoresist-compressed wafer is attached to the cassette ring on which the extension tape is mounted (S140) as shown in FIG. 5. In addition, the cassette ring to which the wafer is attached is etched in the plasma etching apparatus as shown in FIG. 6 to form grooves in the scribe line, or to perform half thickness etching, or to completely cut the wafer in the scribe line region (S150, 160). If a groove is formed in the scribe line or an intermediate thickness etch is carried out, the wafer can be completely cut by an additional wafer sawing process using a blade or a laser sawing process using a laser. S170).

도 2는 일반적인 웨이퍼의 전면을 설명하기 위한 평면도이다.2 is a plan view for explaining a front surface of a typical wafer.

도 2를 참조하면, 통상적인 웨이퍼(100)의 전면은, 반도체 칩 영역(101)과 스크라이브 라인 영역(scribe line area, 102)이 존재한다. 본 발명에 사용되는 웨이퍼(100)는 일정한 두께로 밑면이 연마(grinding)된 것이 적합하며, 스크라이브 라인(102)에 의해 분리된 반도체 칩 영역(101)에는 저유전 물질을 금속간 절연막으로 사용한 회로부가 형성된 구조인 것이 적합하다.Referring to FIG. 2, a semiconductor chip region 101 and a scribe line region 102 exist on a front surface of a conventional wafer 100. The wafer 100 used in the present invention is preferably ground with a predetermined thickness (grinding), the circuit portion using a low dielectric material as an intermetallic insulating film in the semiconductor chip region 101 separated by the scribe line 102 It is suitable that the structure is formed.

도 3은 본 발명에 의한 플라즈마 식각에 사용되는 스크린 프린팅 마스크를 설명하기 위한 평면도이다.3 is a plan view illustrating a screen printing mask used for plasma etching according to the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명에 의한 플라즈마 식각에 사용되는 스크린 프린팅 마스크(110)는, 마스크 본체(103)와 상기 마스크 본체(103)에서 웨이퍼의 반도체 칩 영역을 노출시키는 개구부(104)와, 상기 마스크 본체(103)에서 스크라이브 라인 영역을 덮는 마스킹 영역(109)을 포함한다. 이때, 상기 스크린 프린팅 마스크(110)의 개구부(104)는 실제 반도체 칩의 크기보다 더 큰 것이 바람직하다. 그 이유는 후속공정에서 실제 플라즈마 식각을 진행할 때, 반도체 칩 영역이 절단되는 것을 방지하기 위함이다.Referring to FIG. 3, the screen printing mask 110 used for plasma etching according to the present invention may include a mask body 103 and an opening 104 exposing a semiconductor chip region of a wafer from the mask body 103. The mask body 103 includes a masking area 109 covering a scribe line area. At this time, the opening 104 of the screen printing mask 110 is preferably larger than the actual size of the semiconductor chip. The reason is to prevent the semiconductor chip region from being cut when the actual plasma etching is performed in a subsequent process.

도 4는 본 발명에 따라 웨이퍼 위에 스크린 프린팅 마스크를 정렬한 평면도이다.4 is a plan view of the screen printing mask aligned on a wafer in accordance with the present invention.

도 4를 참조하면, 상부에 위치하는 스크린 프린팅 마스크(110)에서 개구부(도3의 104)는, 상기 웨이퍼의 반도체 칩 영역을 실제 반도체 칩 영역(101)보다 조금 넓게 노출시키고, 마스킹 영역(109)은 웨이퍼의 스크라이브 라인 영역(106)을 조금 좁게 덮도록 정렬된다. 이러한 정렬의 이유는 후속되는 플라즈마 식각 공정에서 반도체 칩 영역이 절단되는 치명적인 결함이 발생하는 것을 억제하기 위함이 다. 이어서, 통상적인 스크린 프린팅 방식에 따라 포토레지스트를 상기 스크린 프린팅 마스크(110)가 정렬된 웨이퍼 위에 압착(squeezing)시킨다. 이에 따라 포토레지스트(도5의 105)는 웨이퍼의 스크라이브 라인 영역은 덮지 않고, 스크린 프린팅 마스크에서 반도체 칩 영역(101)인 개구부만을 덮게 된다. Referring to FIG. 4, the opening (104 in FIG. 3) of the screen printing mask 110 positioned above exposes the semiconductor chip region of the wafer slightly wider than the actual semiconductor chip region 101, and the masking region 109. ) Is aligned to slightly narrow the scribe line region 106 of the wafer. The reason for this alignment is to suppress the occurrence of a fatal defect in which the semiconductor chip region is cut in a subsequent plasma etching process. Then, the photoresist is squeezed onto the wafer on which the screen printing mask 110 is aligned according to a conventional screen printing method. Accordingly, the photoresist 105 in FIG. 5 does not cover the scribe line region of the wafer, but only the opening, which is the semiconductor chip region 101, in the screen printing mask.

본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 압착된 포토레지스트에 대하여 필요하다면 포토레지스트를 경화시킬 수 있는 큐어링(curing) 공정을 선택적으로 진행할 수 있으며, 후속되는 플라즈마 식각 공정에서 포토레지스트에 대한 손상이 없다면 이러한 큐어링 공정을 생략할 수도 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, a curing process capable of curing the photoresist may be selectively performed on the compressed photoresist if necessary, and damage to the photoresist may be prevented in a subsequent plasma etching process. If not, this curing process may be omitted.

결국, 본 발명에서는 포토레지스트 도포공정, 노광(exposure) 공정 및 현상 공정(development process)을 먼저 진행하고 식각 공정을 진행하는 일반적인 포토리소그라피 공정을 진행하지 않고, 간단한 스크린 프린팅 마스크를 사용하여 반도체 칩 영역에 마스크를 형성하고 식각을 실시할 수 있도록 하는 장점이 있다. 이에 따라 플라즈마 식각 공정이 단순화되고, 다이싱 비용이 절감되며, 공정진행 시간을 단축할 수 있는 장점이 발생한다.As a result, in the present invention, the semiconductor chip region is formed by using a simple screen printing mask without performing a photoresist coating process, an exposure process, a development process, and a general photolithography process in which an etching process is performed. There is an advantage in that a mask can be formed and etched. Accordingly, the plasma etching process is simplified, the dicing cost is reduced, and the process progress time is generated.

도 5는 포토레지스트가 압착된 웨이퍼를 확장 테이프가 탑재된 카세트 링에 부착한 모습을 보여주는 평면도이다.5 is a plan view illustrating a state in which a photoresist-compressed wafer is attached to a cassette ring on which an extension tape is mounted.

도 5를 참조하면, 상기 포토레지스트(105)가 웨이퍼의 반도체 칩 영역에 압착된 웨이퍼(100)를 카세트 링(106)에 부착시킨다. 상기 카세트 링(106)은 반도체 패키지 조립공정에서 웨이퍼(100)를 운반하고 가공하는데 필요한 캐리어(carrier)의 역할을 수행하는 보조 도구(tool)이다. 상기 카세트 링(106)에는 웨이퍼(100) 가 부착되는 평면을 제공하는 확장 테이프(expanding tape, 107)가 탑재되어 있으며, 상기 확장 테이프(107)와 웨이퍼(100) 사이에는 다이 접착 필름(DAF: Die Attach Film, 108)이 선택적으로 추가 부착될 수 있다.Referring to FIG. 5, the photoresist 105 attaches the wafer 100 compressed to the semiconductor chip region of the wafer to the cassette ring 106. The cassette ring 106 is an auxiliary tool that serves as a carrier required to transport and process the wafer 100 in the semiconductor package assembly process. The cassette ring 106 is equipped with an expanding tape 107 which provides a plane to which the wafer 100 is attached, and a die adhesive film (DAF) is provided between the expansion tape 107 and the wafer 100. Die Attach Film 108 may optionally be additionally attached.

도 6은 카세트 링에 탑재된 웨이퍼를 플라즈마 식각으로 스크라이브 라인을 완전히 절단한 모습을 보여주는 단면도이고, 도 7은 도 6의 플라즈마 식각 후 포토레지스트를 제거한 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing a scribe line completely cut from a wafer mounted on a cassette ring by plasma etching, and FIG. 7 is a cross-sectional view of a photoresist removed after plasma etching of FIG. 6.

도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 반도체 칩(101) 영역 위에 압착된 포토레지스트(105)를 식각 마스크로 플라즈마 식각을 진행하여 포토레지스트(105)가 존재하지 않은 스크라이브 라인 영역(111)을 완전히 식각하여 절단한다. 이때, 상기 스크라이브 라인 영역(111)은 도면에서는 완전히 절단하는 것으로 나와 있으나, 필요하다면 부분적으로 홈(groove)을 형성하거나 혹은 중간 두께 식각(half etching)을 진행한 후, 이어서 블레이드를 사용하거나, 레이저를 사용하여 다시 완전히 절단하는 공정을 추가로 진행할 수 있다. 단, 어떠한 경우에도 웨이퍼 밑에 위치한 확장 테이프(107)는 식각하지 않는 것이 바람직하다. 마지막으로 스크라이브 절단 공정이 완료되면, 반도체 칩 영역(101)을 덮는 포토레지스트를 제거한다. 이렇게 다이싱 공정을 통해 분리된 반도체 칩은, 다이 접착 공정, 와이어 본딩 공정, 몰딩 및 패캐지 분리 공정(Singulation)을 거쳐 반도체 패키지로 만들어진다. 6 and 7, plasma etching is performed using the photoresist 105 compressed on the semiconductor chip 101 region using an etching mask to completely remove the scribe line region 111 in which the photoresist 105 is not present. Etch and cut In this case, the scribe line region 111 is shown to be completely cut in the drawing, but if necessary, after forming a groove or performing a half thickness etching (half etching), and then using a blade or laser Can be used to proceed further to the complete cutting again. In any case, however, it is preferable that the expansion tape 107 located under the wafer is not etched. Finally, when the scribe cutting process is completed, the photoresist covering the semiconductor chip region 101 is removed. The semiconductor chip separated through the dicing process is made into a semiconductor package through a die bonding process, a wire bonding process, a molding, and a package separation process.

본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명이 속한 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함이 명백하다.The present invention is not limited to the above embodiments, and it is apparent that many modifications can be made by those skilled in the art within the technical spirit to which the present invention belongs.

도 1은 본 발명에 의한 스크린 프린팅 마스크를 이용한 플라즈마 다이싱 방법을 설명하기 위한 플로차트(flowchart)이다.1 is a flowchart illustrating a plasma dicing method using a screen printing mask according to the present invention.

도 2는 일반적인 웨이퍼의 전면을 설명하기 위한 평면도이다.2 is a plan view for explaining a front surface of a typical wafer.

도 3은 본 발명에 의한 플라즈마 식각에 사용되는 스크린 프린팅 마스크를 설명하기 위한 평면도이다.3 is a plan view illustrating a screen printing mask used for plasma etching according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따라 웨이퍼 위에 스크린 프린팅 마스크를 정렬한 평면도이다.4 is a plan view of the screen printing mask aligned on a wafer in accordance with the present invention.

도 5는 포토레지스트가 압착된 웨이퍼를 확장 테이프가 탑재된 카세트 링에 부착한 모습을 보여주는 평면도이다.5 is a plan view illustrating a state in which a photoresist-compressed wafer is attached to a cassette ring on which an extension tape is mounted.

도 6은 카세트 링에 탑재된 웨이퍼를 플라즈마 식각으로 스크라이브 라인을 완전히 절단한 모습을 보여주는 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing a state in which a scribe line is completely cut by plasma etching a wafer mounted on a cassette ring.

도 7은 도 6의 플라즈마 식각 후 포토레지스트를 제거한 단면도이다.FIG. 7 is a cross-sectional view of the photoresist removed after plasma etching of FIG. 6. FIG.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100: 웨이퍼, 101: 반도체 칩,100: wafer, 101: semiconductor chip,

102: 스크라이브 라인(scribe line), 103: 마스크 본체,102: scribe line, 103: mask body,

104: 개구부, 105: 포토레지스트,       104: opening, 105: photoresist,

106: 카세트 링, 107: 확장 테이프(expanding tape),       106: cassette ring, 107: expanding tape,

108: 다이 접착 필름(DAF), 109: 마스킹 영역,       108: die adhesive film (DAF), 109: masking area,

110: 스크린 프린팅 마스크, 111: 완전 식각된 스크라이브 라인.110: screen printing mask, 111: fully etched scribe line.

Claims (14)

웨이퍼의 칩 영역은 노출하고 스크라이브 라인 영역은 덮는 스크린 프린팅 마스크를 준비하는 단계;Preparing a screen printing mask that exposes the chip region of the wafer and covers the scribe line region; 상기 스크린 프린팅 마스크를 상기 웨이퍼 위에 정렬하는 단계;Aligning the screen printing mask onto the wafer; 상기 스크린 프린팅 마스크가 정렬된 웨이퍼 위에 포토레지스트를 균일한 두께로 압착(squeezing)하는 단계;Squeezing the photoresist to a uniform thickness on a wafer on which the screen printing mask is aligned; 상기 포토레지스트가 압착된 웨이퍼를 확장 테이프가 탑재된 카세트 링에 부착하는 단계; 및Attaching the photoresist-compressed wafer to a cassette ring on which an extension tape is mounted; And 상기 포토레지스트가 압착된 웨이퍼에 대하여 플라즈마 식각을 진행하여 스크라이브 라인 영역을 식각하는 단계; 및Etching the scribe line region by performing plasma etching on the photoresist-compressed wafer; And 상기 압착된 포토레지스트를 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 스크린 프린팅 마스크를 이용한 플라즈마 다이싱 방법.Removing the compressed photoresist; and a plasma dicing method using a screen printing mask. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 스크린 프린팅 마스크에서 칩 영역을 노출시키는 크기는,The size of exposing the chip area in the screen printing mask, 상기 웨이퍼에 있는 실제 칩 크기보다 더 큰 것을 특징으로 하는 스크린 프린팅 마스크를 이용한 플라즈마 다이싱 방법.Plasma dicing method using a screen printing mask, characterized in that larger than the actual chip size on the wafer. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 웨이퍼는 밑면이 연마된 것을 특징으로 하는 스크린 프린팅 마스크를 이용한 플라즈마 다이싱 방법.The wafer is a plasma dicing method using a screen printing mask, characterized in that the bottom surface is polished. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 웨이퍼는 저유전 물질을 사용하여 회로부가 만들어진 것을 특징으로 하는 스크린 프린팅 마스크를 이용한 플라즈마 다이싱 방법.The wafer is a plasma dicing method using a screen printing mask, characterized in that the circuit portion is made of a low dielectric material. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 포토레지스트를 균일한 두께로 압착시키는 단계 후,After pressing the photoresist to a uniform thickness, 상기 포토레지스트에 대한 큐어링 공정을 추가로 진행하는 것을 특징으로 하는 스크린 프린팅 마스크를 이용한 플라즈마 다이싱 방법. Plasma dicing method using a screen printing mask, characterized in that further performing a curing process for the photoresist. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 확장테이프는, 반도체 칩 접착용 필름(DAF)이 부착된 것을 특징으로 하는 스크린 프린팅 마스크를 이용한 플라즈마 다이싱 방법. The extended tape is a plasma dicing method using a screen printing mask, characterized in that the semiconductor chip adhesion film (DAF) is attached. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 포토레지스트가 압착된 웨이퍼에 대해 플라즈마 식각을 진행하는 방법은, 상기 노출된 스크라이브 라인에 홈(groove)이 형성되도록 진행하는 것을 특징으로 하는 스크린 프린팅 마스크를 이용한 플라즈마 다이싱 방법.Plasma etching of the photoresist-compressed wafer, plasma dicing method using a screen printing mask, characterized in that the groove (groove) is formed in the exposed scribe line. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 포토레지스트가 압착된 웨이퍼에 대해 플라즈마 식각을 진행하는 방법은, 상기 노출된 스크라이브 라인에서 웨이퍼가 중간 두께 식각(half etching) 되도록 진행하는 것을 특징으로 하는 스크린 프린팅 마스크를 이용한 플라즈마 다이싱 방법.Plasma etching of the photoresist-compressed wafer, plasma dicing method using a screen printing mask, characterized in that to proceed to the half-etched (half etching) the wafer in the exposed scribe line. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 포토레지스트가 압착된 웨이퍼에 대해 플라즈마 식각을 진행하는 방법은, 상기 노출된 스크라이브 라인에서 웨이퍼가 완전히 식각되도록 진행하는 것을 특징으로 하는 스크린 프린팅 마스크를 이용한 플라즈마 다이싱 방법.Plasma etching of the photoresist-compressed wafer, plasma dicing method using a screen printing mask, characterized in that for proceeding to fully etch the wafer in the exposed scribe line. 제7항 또는 제8항에 있어서, 9. The method according to claim 7 or 8, 상기 플라즈마 식각을 진행한 후,After the plasma etching, 상기 완전히 잘려지지 않은 스크라이브 라인을 완전히 자르는 절단 공정을 추가로 진행하는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 스크린 프린팅 마스크를 이용한 플라즈마 다이싱 방법.Plasma dicing method using a screen printing mask, characterized in that for further cutting the scribe line is not cut completely cut. 제10항에 있어서, The method of claim 10, 상기 절단 공정은 블레이드를 사용한 웨이퍼 절단 공정인 것을 특징으로 하는 스크린 프린팅 마스크를 이용한 플라즈마 다이싱 방법.The cutting process is a plasma dicing method using a screen printing mask, characterized in that the wafer cutting process using a blade. 제10항에 있어서, The method of claim 10, 상기 절단 공정은 레이저를 사용한 웨이퍼 절단 공정인 것을 특징으로 하는 스크린 프린팅 마스크를 이용한 플라즈마 다이싱 방법.The cutting process is a plasma dicing method using a screen printing mask, characterized in that the wafer cutting process using a laser. 삭제delete 삭제delete
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