KR101065397B1 - Plasma display panel - Google Patents

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Abstract

플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 이 플라즈마 디스플레이 패널은 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판; 상기 제1 기판의 일면에 형성되는 다수의 어드레스 전극들; 상기 어드레스 전극들을 덮으면서 제1 기판에 형성되는 제1 유전층; 상기 제1 기판과 제2 기판의 사이 공간에 배치되고, 다수의 방전셀을 구획하도록 형성된 격벽; 상기 방전셀 내에 형성되는 형광체층; 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판의 일면에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향으로 배치되는 다수의 표시 전극들; 상기 표시 전극들을 덮으면서 상기 제2 기판에 형성되는 제2 유전층; 상기 제2 유전층을 코팅하며 저 일 함수 물질을 포함하는 제1 보호막; 및 상기 제1 보호막 상부에 형성되어 있으며, 고 일 함수 물질을 포함하는 제2 보호막을 포함하고, 상기 제2 보호막은 방전이 발생하는 표시 전극에 대응하는 부분에서 적어도 일부분이 제거되어 있는 것이다.A plasma display panel, comprising: a first substrate and a second substrate disposed to face each other; A plurality of address electrodes formed on one surface of the first substrate; A first dielectric layer formed on a first substrate while covering the address electrodes; A partition wall disposed in a space between the first substrate and the second substrate and formed to partition a plurality of discharge cells; A phosphor layer formed in the discharge cell; A plurality of display electrodes arranged on one surface of the second substrate opposite to the first substrate in a direction crossing the address electrodes; A second dielectric layer formed on the second substrate while covering the display electrodes; A first passivation layer coating the second dielectric layer and including a low work function material; And a second passivation layer formed on the first passivation layer, the second passivation layer including a high work function material, wherein the second passivation layer is at least partially removed from a portion corresponding to the display electrode where a discharge occurs.

본 발명의 플라즈마 디스플레이패널은 유전층을 보호하는 보호막으로 고효율 재료를 사용하면서, 상기 고효율 재료의 반응성을 억제하기 위한 별도의 보호막을 더욱 사용함에 따라 경제적으로 고휘도 및 저소비전력이 가능하다. Plasma display panel of the present invention, while using a high-efficiency material as a protective film for protecting the dielectric layer, and further using a separate protective film for suppressing the reactivity of the high-efficiency material, it is possible to economically high brightness and low power consumption.

보호막,SrCaO,유전층,PDP Protective film, SrCaO, Dielectric layer, PDP

Description

플라즈마 디스플레이 패널{PLASMA DISPLAY PANEL}Plasma Display Panel {PLASMA DISPLAY PANEL}

플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma display panel.

일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP)은 기체 방전에 의해 형성된 플라즈마로부터 방사되는 진공자외선(vacuum ultraviolet, VUV)이 형광체층을 여기시킴으로써 발생되는 가시광을 이용하여 영상을 구현하는 디스플레이 소자이다. 이러한 플라즈마 디스플레이 패널은 고해상도의 대화면 구성이 가능하여 차세대 박형 표시 장치로 각광받고 있다.In general, a plasma display panel (PDP) is a display device that realizes an image by using visible light generated by vacuum ultraviolet (VUV) radiation emitted from a plasma formed by gas discharge to excite a phosphor layer. The plasma display panel has a high resolution and large screen configuration, and has been spotlighted as a next generation thin display device.

플라즈마 디스플레이 패널의 일반적인 구조는 3 전극 면방전형 구조이다. 3 전극 면방전형 구조는 두 개의 전극으로 구성되는 표시 전극이 형성되는 전면 기판과 상기 기판으로부터 소정의 거리로 떨어져서 어드레스 전극이 형성되는 배면 기판을 포함하고, 이때 상기 표시 전극은 유전층으로 덮히는 구성을 갖는다. 그리고, 상기 전면 기판과 상기 배면 기판 사이의 공간은 격벽에 의해 다수의 방전셀로 구획되고, 방전셀 내부에는 방전 가스가 주입되고 배면 기판 측으로 형광체 층이 형성된다.The general structure of the plasma display panel is a three-electrode surface discharge type structure. The three-electrode surface discharge structure includes a front substrate on which a display electrode composed of two electrodes is formed and a back substrate on which an address electrode is formed at a predetermined distance from the substrate, wherein the display electrode is covered with a dielectric layer. Have The space between the front substrate and the rear substrate is partitioned into a plurality of discharge cells by partition walls, discharge gas is injected into the discharge cells, and a phosphor layer is formed on the rear substrate side.

또한,방전시 (+) 이온의 충격 때문에 상기 전면 기판에 형성된 유전층이 식 각되어 없어지고 이때 Na 등의 금속 물질이 전극을 단락시키기도 함에 따라 유전층을 보호하기 위하여 유전층 상에 수백 nm 정도의 얇은 두께로 보호막을 형성한다. 상기 보호막으로는 (+) 이온의 충격에 잘 견디며 2차 전자 방출 계수가 높아 방전 개시 전압을 낮추는 효과가 있는 MgO 보호막이 주로 사용되고 있다.In addition, due to the impact of positive ions during discharge, the dielectric layer formed on the front substrate is etched away and at this time, a metal material such as Na may short-circuit the electrode. To form a protective film. As the passivation layer, a MgO passivation layer that is resistant to the impact of (+) ions and has a high secondary electron emission coefficient and lowers the discharge start voltage is mainly used.

그러나 MgO 보호막에 의한 방전 개시 전압 저하 효과가 만족할만한 수준이 아니며 또한 MgO가 흡습성이 높아 방전 스퍼터링에 의해 형광체의 색도가 변화할 가능성이 있어서, 최근에는 MgO를 대체하기 위한 연구가 진행되고 있다.However, since the effect of lowering the discharge start voltage by the MgO protective film is not satisfactory, and the hygroscopicity of MgO is high, there is a possibility that the chromaticity of the phosphor is changed by discharge sputtering. Recently, studies for replacing MgO have been conducted.

본 발명의 일 구현예는 고휘도, 저소비전력이 가능한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것이다.One embodiment of the present invention to provide a plasma display panel capable of high brightness, low power consumption.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판; 상기 제1 기판의 일면에 형성되는 다수의 어드레스 전극들; 상기 어드레스 전극들을 덮으면서 제1 기판에 형성되는 제1 유전층; 상기 제1 기판과 제2 기판의 사이 공간에 배치되고, 다수의 방전셀을 구획하도록 형성된 격벽 상기 방전셀 내에 형성되는 형광체층; 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판의 일면에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향으로 배치되는 다수의 표시 전극들 상기 표시 전극들을 덮으면서 상기 제2 기판에 형성되는 제2 유전층; 상기 제2 유전층을 코팅하며 저 일 함수(work function) 물질을 포함하는 제1 보호막 및 상기 제1 보호막 상부에 형성되어 있으며, 고 일 함수 물질을 포함하는 제2 보호막을 포함하고, 상기 제2 보호막은 방전이 발생하는 표시 전극에 대응하는 부분에서 적어도 일부분이 제거되어 있는 것인 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.According to one embodiment of the invention, the first substrate and the second substrate disposed opposite to each other; A plurality of address electrodes formed on one surface of the first substrate; A first dielectric layer formed on a first substrate while covering the address electrodes; A phosphor layer disposed in a space between the first substrate and the second substrate and formed in the discharge cell to partition a plurality of discharge cells; A plurality of display electrodes disposed on one surface of the second substrate facing the first substrate in a direction crossing the address electrodes; a second dielectric layer formed on the second substrate while covering the display electrodes; A first passivation layer coating the second dielectric layer and including a low work function material; and a second passivation layer formed on the first passivation layer, the second passivation layer including a high work function material; The present invention provides a plasma display panel in which at least a portion is removed from a portion corresponding to the display electrode where the discharge occurs.

기타 본 발명의 구현예들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.Other specific details of embodiments of the present invention are included in the following detailed description.

본 발명의 일 구현예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 유전층을 보호하는 보호막으로 고효율 재료를 사용하면서, 상기 고효율 재료의 반응성을 억제하기 위한 별도의 보호막을 더욱 사용함에 따라 경제적으로 고휘도 및 저소비전력이 가능하다. Plasma display panel according to an embodiment of the present invention is economical high brightness and low power consumption by using a high-efficiency material as a protective film for protecting the dielectric layer, and further using a separate protective film for suppressing the reactivity of the high-efficiency material. .

이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, this is presented as an example, by which the present invention is not limited and the present invention is defined only by the scope of the claims to be described later.

본 발명은 플라즈마 디스플레이패널에서 유전층을 보호하기 위해 형성되는 보호막에 관한 것이다.The present invention relates to a protective film formed to protect a dielectric layer in a plasma display panel.

종래 유전층을 보호하기 위해 유전층을 덮으며 형성되는 보호막으로는 MgO를 사용하여 형성하였으나, 최근 플라즈마 디스플레이 패널의 소비 전력을 보다 감소시키기 위한 연구가 진행되면서, MgO를 대체하기 위한 연구가 진행되고 있다.Conventionally, MgO is used as a protective film covering the dielectric layer to protect the dielectric layer. However, as the research for reducing power consumption of the plasma display panel is further progressed, research for replacing MgO is being conducted.

그 중 하나로 SrCaO와 같은 물질이 연구되고 있으나, 이 물질은 고효율을 갖고 있음에도 H2O나 CO2와 반응성이 커서 공정 중 대기 중에 노출되는 순간 좋은 막 특성을 잃어버리는단점이 있다. 이를 해결하기 위한 하나의 방법은 보호막을 증착한 후, 봉착, 배기와 같은 이후 공정을 진공이나 불활성 분위기에서 수행하여야 하는데 이는 생산 라인에서 실제적으로 구현하기 어렵고 또한 실제적으로 구현하기 위해서는 비용이 너무 많이 들어 실제 적용이 불가능한 문제가 있었다.One such material, such as SrCaO, has been studied. However, this material has high efficiency but has high reactivity with H 2 O or CO 2, and loses good membrane properties at the time of exposure to the atmosphere during the process. One way to solve this problem is to deposit the protective film, and then perform the subsequent processes such as sealing and evacuation in a vacuum or inert atmosphere, which is difficult to implement in a production line and is too expensive to implement. There was a problem that practical application is impossible.

본 발명에서는 SrCaO의 반응성으로 인한 문제를 추가 보호막을 사용하는 간 단한 방법으로 해결하면서, 고효율 및 저소비전력을 나타내는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공할 수 있었다.In the present invention, the problem due to the reactivity of SrCaO can be solved by a simple method using an additional protective film, and a plasma display panel showing high efficiency and low power consumption can be provided.

본 발명의 제1 구현예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판; 상기 제1 기판의 일면에 형성되는 다수의 어드레스 전극들; 상기 어드레스 전극들을 덮으면서 제1 기판에 형성되는 제1 유전층; 상기 제1 기판과 제2 기판의 사이 공간에 배치되고, 다수의 방전셀을 구획하도록 형성된 격벽; 상기 방전셀 내에 형성되는 형광체층; 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판의 일면에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향으로 배치되는 다수의 표시 전극들; 상기 표시 전극들을 덮으면서 상기 제2 기판에 형성되는 제2 유전층; 상기 제2 유전층을 코팅하며 저 일 함수(work function) 물질을 포함하는 제1 보호막 및 상기 제1 보호막 상부에 형성되어 있으며, 고 일 함수 물질을 포함하는 제2 보호막을 포함하고, 상기 제2 보호막은 방전이 발생하는 표시 전극에 대응하는 부분에서 적어도 일부분이 제거되어 있는 것이다.A plasma display panel according to a first embodiment of the present invention includes a first substrate and a second substrate facing each other; A plurality of address electrodes formed on one surface of the first substrate; A first dielectric layer formed on a first substrate while covering the address electrodes; A partition wall disposed in a space between the first substrate and the second substrate and formed to partition a plurality of discharge cells; A phosphor layer formed in the discharge cell; A plurality of display electrodes arranged on one surface of the second substrate opposite to the first substrate in a direction crossing the address electrodes; A second dielectric layer formed on the second substrate while covering the display electrodes; A first passivation layer coating the second dielectric layer and including a low work function material; and a second passivation layer formed on the first passivation layer, the second passivation layer including a high work function material; At least a portion of the portion corresponding to the display electrode where the discharge is generated is removed.

상기 제2 보호막은 제1 보호막 위의 표시 전극에 대응하는 부분에서는 모두 제거되고, 표시 전극과 표시 전극 사이의 간격에 대응하는 부분에만 형성되는 것이 가장 바람직하나, 표시 전극에 대응하는 부분 중 표시 전극이 격벽과 교차하는 부분에서는 제2 보호막이 일부 존재할 수도 있다. 만약 제2 보호막이 표시 전극 위에 대응하는 부분에 모두 형성되어 있는, 즉제1 보호막을 모두 덮고 있다면, 저전압 특성 성능 발현이 어려워 바람직하지 않다.The second passivation layer may be removed at all portions corresponding to the display electrodes on the first passivation layer, and may be formed only at portions corresponding to the gaps between the display electrodes and the display electrodes. A part of the second passivation film may exist at a portion that intersects the partition wall. If the second protective film is formed on all of the corresponding portions on the display electrode, that is, covers all of the first protective film, the low voltage characteristic performance is difficult to develop, which is not preferable.

이러한 제2 보호막은 플라즈마 디스플레이 패널의 제2 기판, 즉 상판 제조시 에는 제1 형성막 공정과 동일한 공정으로 제1 보호막을 전체적으로 덮도록 형성시킨다. 이어서, 제1 기판(하판) 및 제2 기판(상판)을 이용하여 통상의 방법으로 플라즈마 디스플레이 패널을 조립하고, 봉인(seal-off)한 후, 에이징을 하는 과정에서, 방전 스퍼터링이 발생된다. 이 방전 스퍼터링에 의하여 제2 보호막이 제거되어, 결과적으로 표시 전극과 표시 전극 사이의 간격에 대응하는 부분에만 남게 되는 것이다. 제2 보호막이 표시 전극 위에도 남아있는 경우, 제1 보호막이 방전 공간에 노출되지 않으므로, 저전압 방전 특성 성능 발현이 어려워 바람직하지않다. The second passivation layer is formed to cover the first passivation layer as a whole in the same process as the first formation layer during the manufacture of the second substrate, that is, the upper plate of the plasma display panel. Subsequently, the discharge sputtering is generated in the process of assembling, sealing off, and then aging the plasma display panel using a first substrate (lower plate) and a second substrate (top plate) in a conventional manner. By this discharge sputtering, the second protective film is removed, so that only the portion corresponding to the gap between the display electrode and the display electrode remains. If the second passivation film also remains on the display electrode, since the first passivation film is not exposed to the discharge space, the low voltage discharge characteristic performance is difficult to develop, which is not preferable.

상기 제1 보호막을 형성하는 저 일 함수 물질은 1 내지 4eV의 일 함수를 갖는 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 이러한 저 일 함수 물질로는 Sr1-xCaxO(0 < x < 1), SrO, BaO, CsO, CaO, ZnO, 칼슘 알루미네이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 사용할 수 있다. 상기 저 일 함수 물질은 수명 특성이 매우 우수한 장점이 있다.The low work function material for forming the first passivation layer may be preferably one having a work function of 1 to 4 eV. These low work function materials include Sr 1-x Ca x O (0 <x <1), SrO, BaO, CsO, CaO, ZnO, calcium aluminate And combinations thereof may be selected from the group consisting of. The low work function material has an advantage of very excellent life characteristics.

상기 제1 보호막의 두께는 300 내지 1000nm가 바람직하며, 500 내지 800nm가 더욱 바람직하다. 상기 제1 보호막의 두께가 300nm 보다 얇으면, 방전시 이온 충격에 의해 하부 유전층이 드러나서 방전 불량을 일으키게 되며, 1000nm보다 두꺼우면 박막 스트레스에 의해 보호막에 크랙이 발생할 수 있고, 생산시 장비 증착 시간이 길어져서 양산성이 저하되는 문제가 있어 바람직하지 않다. The thickness of the first protective film is preferably 300 to 1000 nm, more preferably 500 to 800 nm. When the thickness of the first passivation layer is thinner than 300 nm, the lower dielectric layer is exposed by the ion bombardment during discharge, causing a discharge failure, and when the thickness of the first passivation layer is larger than 1000 nm, cracks may occur in the passivation layer due to thin film stress, and the deposition time of the equipment is increased. It becomes long and there is a problem that mass productivity falls, and it is unpreferable.

상기 저 일 함수 물질 및 고 일 함수 물질의 일 함수 차이는 1eV 이상인 것이 바람직하며, 1ev 내지 5eV인 것이 더욱 바람직하다.The work function difference between the low work function material and the high work function material is preferably 1 eV or more, and more preferably 1 ev to 5 eV.

또한 상기 저 일 함수 물질과 고 일 함수 물질은 수분(H2O, OH-) 또는 CO2의 흡착량이 서로 상이한 것이 바람직하며, 흡착량이 2배 이상의 차이를 갖는 것이 더욱 바람직하다. 특히, 저 일 함수 물질은 반응성이 높으므로 다른 물질과 반응을 잘 할 수 있어, 수분 또는 CO2에 대한 흡착력이 우수하다. 따라서, 저 일 함수 물질의 흡착량이 고 일 함수 물질의 흡착량보다 2배 이상 높은 것이 좋고, 더욱 바람직하게는 2배 내지 500배 높은 것이 바람직하다. In addition, it is preferable that the adsorption amount of water (H 2 O, OH ) or CO 2 is different from each other, and the adsorption amount of the low work function material is more preferably two times or more. In particular, since the low work function material is highly reactive, it can react well with other materials, and has excellent adsorption capacity to moisture or CO 2 . Therefore, it is preferable that the adsorption amount of the low work function material is two times or more higher than the adsorption amount of the high work function material, and more preferably two times to 500 times higher.

이러한 일 함수 차이를 갖는 고 일 함수 물질로는 SiO2, TiO2, Ta2O5, ZrO2, Al2O3, MoO2, SiON, Si, Si3N4, a-SiO:H, a-SiNx:H, a-Si:H, MgO, AlF3, BaF2, B2O3, CaF2, CaSiO3, CeF3, Na5Al3F14, Na3AlF6, LiF, Li2O, MgF2, KF, Sc2O3, NaCN, V2O5, YF3, GeO2, Y2O3 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 상기 고 일 함수 물질은 단결정 성장을 하는 물질로서, 다결정 성장을 하는 저 일 함수 물질을 효과적으로 캐핑(capping)할 수 있으며, 종래 보호막으로 널리 사용되고 있는, 다결정 성장을 하는 MgO에 비하여 매우 효과적으로 캐핑할 수 있다. 한, 상기 고 일함수 물질은 종래 보호막으로 널리 사용되는 MgO에 비하여 스퍼터링 수율(sputtering yield)이 높다. 따라서, 플라즈마 디스플레이 장치 작동시 표시 전극들에 대응하는 부분에서 제2 보호막을 구성하는 고 일 함수 물질이 효과적으로 제거될 수 있어 바람직하다. 또한 상기 고 일 함수 물질은 높은 일 함수를 가지므로 반응성이 낮고, 가시광 영역 투과율이 우수하며, 박막 증착이 가능하고, 박막 밀도가 낮은 특성을 갖는다. 아울러, 상기 고 일 함수 물질은 이차 전자 방출 계수가 낮아, 전형적으로 방전 전압이 높은 물질이며 방전을 저해할 수 있는 물질로서, 이러한 고 일 함수 물질로 형성된 제2 보호막이 표시 전극과 표시 전극 사이의 간격에 대응하는 부분에만 존재하는 경우, 방전이 불필요한 부분까지 퍼지지 않게 되고, 전류가 감소하여 효율이 상승하는 효과를 얻을 수 있다.High work function materials having such work function differences include SiO 2 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , ZrO 2 , Al 2 O 3 , MoO 2 , SiON, Si, Si 3 N 4 , a-SiO: H, a -SiN x : H, a-Si: H, MgO, AlF 3 , BaF 2 , B 2 O 3 , CaF 2 , CaSiO 3 , CeF 3 , Na 5 Al 3 F 14 , Na 3 AlF 6 , LiF, Li 2 One selected from the group consisting of O, MgF 2 , KF, Sc 2 O 3 , NaCN, V 2 O 5 , YF 3, GeO 2 , Y 2 O 3, and a combination thereof can be preferably used. The high work function material is a single crystal growth material, and can effectively cap a low work function material for polycrystal growth, and can be effectively capped in comparison with MgO for polycrystalline growth, which is widely used as a protective film. have. The high work function material has a higher sputtering yield than MgO, which is widely used as a protective film. Therefore, the high work function material constituting the second passivation layer may be effectively removed at portions corresponding to the display electrodes when the plasma display apparatus is operated. In addition, since the high work function material has a high work function, it has low reactivity, excellent visible light transmittance, thin film deposition, and low thin film density. In addition, the high work function material is a material having a low secondary electron emission coefficient, typically having a high discharge voltage, and capable of inhibiting discharge. A second passivation layer formed of the high work function material is formed between the display electrode and the display electrode. When only present in the portion corresponding to the interval, the discharge is not spread to the unnecessary portion, the current is reduced, the efficiency can be increased.

상기 유전층과 고 일 함수 물질을 사용하는 상기 제2 보호막 사이에 저 일 함수 물질을 사용함에 따라 2차 전자를 방출할 수 있어 방전 개시 전압을 감소시킬 수 있다.By using a low work function material between the dielectric layer and the second passivation layer using the high work function material, secondary electrons may be emitted to reduce the discharge start voltage.

본 발명에서, 상기 제2 보호막은 5 내지 300nm의 두께를 갖는 것이 바람직하며, 10 내지 100nm를 갖는 것이 더욱 바람직하다. 상기 제2 보호막의 두께가 5nm보다 얇을 경우 제1 보호막을 캐핑할 수 없고, 300nm보다 두꺼우면, 플라즈마 디스플레이패널 방전시 제거되어야 할 부분에서 제2 보호막이 제거되지 않아 제1 보호막의 성능 발현이 불가능하여 바람직하지않다. In the present invention, the second protective film preferably has a thickness of 5 to 300 nm, more preferably 10 to 100 nm. When the thickness of the second passivation layer is thinner than 5 nm, the first passivation layer may not be capped, and when the thickness of the second passivation layer is greater than 300 nm, the second passivation layer may not be removed at the portion to be removed during the discharge of the plasma display panel, and thus the performance of the first passivation layer may not be achieved. Is not desirable.

또한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 상기 제1 보호막 하부에 상기 유전층을 덮으면서 형성되는 고 일 함수 물질을 갖는 제3 보호막을 더욱 포함할 수 있다. 이와 같이 제3 보호막을 더욱 포함하는 경우, 보호막 증착 공정 이후 실시하는 열봉착 공정을 보통 약 480℃의 고온에서 실시하므로 유전층에서 발생되는 잔류 탄소 성분 또는 불순물과 같은 오염 물질이 제1 보호막을 오염시키는 문제가 있으나, 제3 보호막이 제1 보호막 하부에 형성됨에 따라 이러한 오염 문제를 방지해줄 수 있고, 또한 제1 보호막과 유전층 사이의 접착력 개선 및 제1 보호막의 박막 스트레스를 완화시켜주는 효과가 있어 바람직하다. The plasma display panel may further include a third passivation layer having a high work function material formed under the first passivation layer to cover the dielectric layer. As such, when the third passivation layer is further included, a heat sealing process performed after the passivation layer is usually performed at a high temperature of about 480 ° C., so that contaminants such as residual carbon components or impurities generated in the dielectric layer contaminate the first passivation layer. Although there is a problem, since the third passivation layer is formed under the first passivation layer, it is possible to prevent such a contamination problem, and also has an effect of improving the adhesion between the first passivation layer and the dielectric layer and reducing the thin film stress of the first passivation layer. Do.

상기 제3 보호막은 10 내지 3000nm의 두께를 갖는 것이 바람직하며, 제3 보호막의 두께가 상기 범위에 포함될 때 유전층으로부터의 오염을 방지할 수 있으며, 양산시 생산성을 저하시키지않으면서, 스트레스에 의한 박막 벗겨짐, 방전 전압 변화 등의 문제를 야기하지 않으므로 바람직하다.Preferably, the third passivation layer has a thickness of 10 to 3000 nm, and when the thickness of the third passivation layer is included in the above range, it is possible to prevent contamination from the dielectric layer and peel off the thin film due to stress without lowering productivity during mass production. This is preferable because it does not cause a problem such as a change in the discharge voltage.

본 발명에서, 상기 제1 보호막은 상기 제2 또는 제3 보호막 보다 높은 이차 전자 방출 계수를 갖으며, 그 차이는 Ne+ 이온을 150eV로 가속시켰을경우 0.1 내지 0.6인 것이 더욱 바람직하다. 이차 전차 방출 계수 차이가 0.1 내지 0.6 범위에 포함되는 경우 방전 전압이 낮아지고, 진공자외선 방출량이 증가할 수 있어 바람직하다..In the present invention, the first passivation layer has a higher secondary electron emission coefficient than the second or third passivation layer, the difference is more preferably 0.1 to 0.6 when accelerated Ne + ions to 150eV. When the difference in the secondary tank emission coefficient is in the range of 0.1 to 0.6, the discharge voltage is lowered, and the amount of vacuum ultraviolet radiation can be increased.

본 발명의 제2 보호막은 제1 보호막 형성 공정과 동일한 공정으로 제1 보호막을 전체적으로 덮으면서 형성한다. 형성된 제2 보호막은 플라즈마 디스플레이패널의 에이징 공정 중 스퍼터링으로 제거되어 표시 전극들 사이의 영역에만 존재하게 된다. The second protective film of the present invention is formed by covering the first protective film as a whole in the same process as the first protective film forming step. The formed second passivation layer is removed by sputtering during the aging process of the plasma display panel so that the second passivation layer exists only in the region between the display electrodes.

이때,제2 보호막을 형성하는 물질이 제1 보호막으로 침투할 수 있어, 결과적으로 상기 제1 보호막 중 표시 전극에 대응하는 부분에 형성된 제1 보호막은 고 일 함수 물질을 더욱 포함할 수도 있다. 또한 이때 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 공정에서 이온 충격에 의해 온도가 높게 상승됨에 따라 제1 보호막으로 침투된 제2 보호막을 형성하는 물질과 제1 보호막을 형성하는 물질이 서로 반응을 일으켜 화합 물 상태로 제1 및 제2 보호막 사이의 계면에 존재할 수도 있다. 또한 이러한 화합물은 열 봉착 공정에서 제1 및 제2 보호막 사이의 계면에서 형성되어 존재할 수도 있음은 물론이다.In this case, the material forming the second passivation layer may penetrate into the first passivation layer, and as a result, the first passivation layer formed on the portion of the first passivation layer corresponding to the display electrode may further include a high work function material. In addition, at this time, as the temperature is raised by ion bombardment in the discharge process of the plasma display panel, the material forming the second protective film penetrating into the first protective film and the material forming the first protective film react with each other to form a compound. It may be present at the interface between the first and second protective films. In addition, such a compound may be formed at the interface between the first and second protective films in the heat sealing process.

또한,에이징 공정시, 상기 제1 보호막 중 표시 전극에 대응하는 부분에 형성된 제1 보호막의 일부가 두께 높이로 제거될 수도 있어, 제2 보호막 하부에 형성되어 있는 제1 보호막에 비하여 얇아질 수도 있다. 이때, 제거되는 제1 보호막의 두께는 5 내지 500nm일 수 있다.In addition, during the aging process, a portion of the first passivation layer formed on the portion of the first passivation layer corresponding to the display electrode may be removed to a thickness height, and thus may be thinner than the first passivation layer formed under the second passivation layer. . In this case, the thickness of the first passivation layer may be 5 to 500 nm.

이하 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 더욱 자세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 제1 구현예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 상판의 배면도를 도 1 및 도 2에 각각 나타내었다.1 and 2 illustrate rear views of the upper plate of the plasma display panel according to the first embodiment of the present invention.

도 1에 나타낸 것과 같이, 제1 보호막을 형성하고, 제1 보호막을 덮으면서 제2 보호막을 형성한 후, 플라즈마 디스플레이 패널의 에이징을 실시하면 방전이 일어나는 표시 전극에 대응하는 부분에서만 스퍼터링에 의하여 제2 보호막이 제거되어 버스 전극 및 투명 전극에 대응하는 부분에서는제1 보호막(5)이 노출되며, 이외의 영역, 즉 버스 전극과 투명 전극을 포함하는 표시 전극과 표시 전극 사이의 간격에 대응하는 부분에서는 제1 보호막이 노출되지 않고, 제2 보호막(7)만이 보여짐을 알 수 있다.As shown in FIG. 1, when the first protective film is formed, the second protective film is formed while covering the first protective film, and the aging of the plasma display panel is performed, sputtering is performed only at a portion corresponding to the display electrode where discharge occurs. 2 In the portion where the protective film is removed to correspond to the bus electrode and the transparent electrode, the first protective film 5 is exposed, and a portion other than that, i.e., a portion corresponding to the gap between the display electrode including the bus electrode and the transparent electrode and the display electrode It can be seen that the first passivation layer is not exposed, and only the second passivation layer 7 is visible.

제1 구현예에 따른 제1 및 제2 보호막의 위치를 더욱 명확하게 나타내기 위하여 제1 및 제2 보호막만의 구조를 도 2에 나타내었다. 도 2에 나타낸 것과 같이, 제1 보호막(5) 위에 제2 보호막(7)이 형성되어 있으며, 전극에 대응하는 부분 에 형성된 제1 보호막 부분인 a 영역에서는 제2 보호막이 제거되어 제1 보호막(5)이 노출되어 있음을 알 수 있다. 이때 제2 보호막의 두께는 5 내지 300nm가 바람직하며, 제1 보호막의 두께는 300 내지 1000nm가 바람직하다. 제2 보호막의 두께가 제1 보호막의 두께보다 얇으므로 제1 보호막에서 방출된 전자들이 방전 공간으로 원활하게 공급될 수 있다.The structure of only the first and second passivation layers is shown in FIG. 2 in order to more clearly indicate the positions of the first and second passivation layers according to the first embodiment. As shown in FIG. 2, the second passivation layer 7 is formed on the first passivation layer 5, and the second passivation layer is removed in the region a, which is the first passivation layer formed in the portion corresponding to the electrode. It can be seen that 5) is exposed. In this case, the thickness of the second protective film is preferably 5 to 300 nm, and the thickness of the first protective film is preferably 300 to 1000 nm. Since the thickness of the second passivation layer is thinner than the thickness of the first passivation layer, electrons emitted from the first passivation layer may be smoothly supplied to the discharge space.

본 발명의 제2 구현예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 상판의 단면도를 도 3에 나타내었다. 도 3에 나타낸 것과 같이, 본 발명의 제2 구현예는 전면 기판(30)에는 한 쌍의 투명 전극(31a) 및 버스 전극(31b)로 구성되는 표시 전극들(31)이 형성되고, 이 표시 전극들(31)을 덮으면서 전면 기판(30) 전체에 유전층(33)이 위치한다. 또한 이 유전층(33)을 덮으면서 제1 보호막(35) 위, 상기 표시 전극(31)과 표시 전극 사이의 간격에 형성되어 있지 않은 부분에 제2 보호막(37)이 형성되어 있고 또한 제1 보호막(35) 하부에 유전층(33)을 덮으면서 제3 보호막(39)이 형성된다. 3 is a cross-sectional view of the upper plate of the plasma display panel according to the second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, in the second embodiment of the present invention, display electrodes 31 including a pair of transparent electrodes 31a and a bus electrode 31b are formed on the front substrate 30. The dielectric layer 33 is positioned on the entire front substrate 30 while covering the electrodes 31. In addition, a second passivation layer 37 is formed on the first passivation layer 35 while not covering the dielectric layer 33 and is not formed in the gap between the display electrode 31 and the display electrode. The third passivation layer 39 is formed while covering the dielectric layer 33 under the 35.

제2 구현예에 따른 제1 내지 제3 보호막의 위치를 더욱 명확하게 나타내기 위하여 제1 내지 제3 보호막만의 구조를 도 4에 나타내었다. 도 4에 나타낸 것과 같이, 제1 보호막(37) 상부에는 제2 보호막(38)이 위치하고, 제1 보호막(37) 하부에는 제3 보호막(39)이 위치한다. 상기 제1 보호막의 두께는 300 내지 1000nm가 바람직하고, 상기 제2 보호막의 두께는 5 내지 300nm가 바람직하며, 제3 보호막의두께는 10 내지 3000nm가 바람직하다.4 illustrates a structure of only the first to third passivation layers in order to more clearly indicate the positions of the first to third passivation layers according to the second embodiment. As shown in FIG. 4, the second passivation layer 38 is positioned above the first passivation layer 37, and the third passivation layer 39 is positioned below the first passivation layer 37. The thickness of the first protective film is preferably 300 to 1000 nm, the thickness of the second protective film is preferably 5 to 300 nm, and the thickness of the third protective film is preferably 10 to 3000 nm.

본 발명의 제3 구현예에 따른 플라즈다 디스플레이 패널의 제1 내지 제3 보 호막의 구조를 도 5에 나타내었다. 도 5에 나타낸 것과 같이, 본 발명의 제3 구현예는 제1 보호막(50)의 상부에는 제2 보호막(53)이 위치하고, 하부에는 제3 보호막(55)가 위치하는 제2 구현예의 구조에서 제1 보호막(50)의 일부가 제거된 형태이다. 즉, 표시 전극들 상부에 위치하는 제1 보호막(50)의 일부가 제거된 구조로서, 제거되는 제1 보호막(50)의 두께(b)는 5 내지 500nm이다.5 illustrates a structure of the first to third protective films of the plasma display panel according to the third embodiment of the present invention. As shown in FIG. 5, in the third embodiment of the present invention, the second passivation layer 53 is positioned on the upper portion of the first passivation layer 50, and the third passivation layer 55 is positioned on the lower portion of the first passivation layer 50. A portion of the first passivation layer 50 is removed. That is, a portion of the first passivation layer 50 positioned on the display electrodes is removed, and the thickness b of the removed first passivation layer 50 is 5 to 500 nm.

물론 제2 보호막(53) 하부에 위치하는 제1 보호막(50)의 두께는 300 내지 1000nm이다. Of course, the thickness of the first passivation layer 50 under the second passivation layer 53 is 300 to 1000 nm.

본 발명의 제4 구현예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제1 내지 제3 보호막의 구조를 도 6에 나타내었다. 도 6에 나타낸 것과 같이, 본 발명의 제4 구현예는 제1 보호막(60)의 상부에는 제2 보호막(63)이 위치하고, 하부에는 제3 보호막(65)이 위치하며, 제1 보호막의 일부에 제2 보호막을 구성하는 물질이 포함된 형태이다. 즉, 표시 전극에 대응하는 부분에 형성된 제1 보호막에 제2 보호막을 구성하는 물질이 혼재된 영역(67)을 갖는다.6 illustrates a structure of the first to third passivation layers of the plasma display panel according to the fourth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 6, in the fourth embodiment of the present invention, the second passivation layer 63 is positioned on the upper portion of the first passivation layer 60, the third passivation layer 65 is positioned on the lower portion of the first passivation layer 60, and a part of the first passivation layer is disposed. In the form of the material constituting the second protective film. That is, the region 67 includes a mixture of materials constituting the second passivation layer in the first passivation layer formed at a portion corresponding to the display electrode.

이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일뿐 본 발명이 하기한 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred examples and comparative examples of the present invention are described. However, the following examples are only preferred examples of the present invention, and the present invention is not limited to the following examples.

(실시예 1)(Example 1)

소다석회 유리로 제조된 전면 기판 위에 인듐 틴 옥사이드 도전체 재료를 이용하여 투명 전극을 형성하고, 이 투명 전극 상에 Ag을 포함하는 버스 전극 형성용 조성물을 이용하여 버스 전극을 형성하여 상기 투명 전극 및 버스 전극으로 구성된 표시 전극을 통상의 방법으로 형성하였다. A transparent electrode was formed on the front substrate made of soda-lime glass using an indium tin oxide conductor material, and a bus electrode was formed on the transparent electrode by using a composition for forming a bus electrode containing Ag. A display electrode composed of a bus electrode was formed by a conventional method.

이어서, PbO-B2O3-SiO2의 유리 분말을 포함하는 유전층 형성용 조성물을 상기 표시 전극이 형성된 전면 기판의 전면에 걸쳐 코팅하고 소성하여 유전층을 형성하였다.Subsequently, the dielectric layer-forming composition including the glass powder of PbO-B 2 O 3 -SiO 2 was coated over the entire surface of the front substrate on which the display electrode was formed and baked to form a dielectric layer.

상기 유전층 위에 Sr1-xCaxO(x=0.38)를 전자빔 증착법으로 증착하여 800nm 두께의 제1 보호막을 형성하였다. 이어서, 제1 보호막 위에 SiO2를 전자빔 증착법으로 증착하여 30nm 두께의 제2 보호막을 형성하였다. 이때 상기 Sr1-xCaxO(x=0.38)의 일 함수는 1.5eV였고, 이차전자 방출계수가 0.5이었으며, 상기 SiO2의 일 함수는 5eV였고, 이차전자 방출계수는 0.1이었다. Sr 1-x Ca x O (x = 0.38) was deposited on the dielectric layer to form a first passivation layer having a thickness of 800 nm. Subsequently, SiO 2 was deposited on the first protective film by electron beam evaporation to form a second protective film having a thickness of 30 nm. At this time, the work function of Sr 1-x Ca x O (x = 0.38) was 1.5 eV, the secondary electron emission coefficient was 0.5, the work function of SiO 2 was 5 eV, and the secondary electron emission coefficient was 0.1.

제조된 생성물에 SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry)법을 이용하여 표면의 제2 보호막의 SiO2부터 깊이 방향으로 각 원소들의 상대적인 강도를 측정한 결과, Sr1-xCaxO(x=0.38)의 제1 보호막에서 얻어지는 OH의 강도가 SiO2의 제2 보호막에서 얻어지는 강도에 비하여 약 300배 정도 높았으며, C의 강도는 약 10배 정도 높았다. 이 결과에 따라, Sr1-xCaxO(x=0.38)의 제1 보호막에서의 수분 흡착량이 SiO2의 제2 보호막에서의 수분 흡착량에 비하여 약 300배 정도 높았으며, CO2에 대한 흡착력은 약 10배 정도 우수한 것임을 알 수 있다.The relative strength of each element was measured from the SiO 2 of the second protective layer on the surface to the depth direction by using the SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry) method. As a result, Sr 1-x Ca x O (x = 0.38) was obtained. The strength of OH obtained in the first protective film was about 300 times higher than that obtained in the second protective film of SiO 2 , and the strength of C was about 10 times higher. As the result, the amount of water adsorption in the first protective film of Sr 1-x Ca x O ( x = 0.38) was higher by about 300-fold compared to the water absorption amount in the second protective layer of SiO 2, for the CO 2 It can be seen that the adsorption power is about 10 times better.

또한, 상기 Sr1-xCaxO(x=0.38)의 물용해도(water solubility)는 3.8g/100ml이 었고, SiO2는 0.012g/100ml 정도였다.In addition, the water solubility of the Sr 1-x Ca x O (x = 0.38) was 3.8 g / 100 ml, and SiO 2 was about 0.012 g / 100 ml.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

소다석회 유리로 제조된 전면 기판 위에 인듐 틴 옥사이드 도전체 재료를 이용하여 투명 전극을 형성하고, 이 투명 전극 상에 Ag을 포함하는 버스 전극 형성용 조성물을 이용하여 버스 전극을 형성하여 상기 투명 전극 및 버스 전극으로 구성된 표시 전극을 통상의 방법으로 형성하였다. A transparent electrode was formed on the front substrate made of soda-lime glass using an indium tin oxide conductor material, and a bus electrode was formed on the transparent electrode by using a composition for forming a bus electrode containing Ag. A display electrode composed of a bus electrode was formed by a conventional method.

이어서, PbO-B2O3-SiO2의 유리 분말을 포함하는 유전층 형성용 조성물을 상기 표시 전극이 형성된 전면 기판의 전면에 걸쳐 코팅하고 소성하여 유전층을 형성하였다.Subsequently, the dielectric layer-forming composition including the glass powder of PbO-B 2 O 3 -SiO 2 was coated over the entire surface of the front substrate on which the display electrode was formed and baked to form a dielectric layer.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

유전층 위에 Sr1-xCaxO(x=0.38)를 전자빔 증착법으로 증착하여 800nm 두께의 보호막을 형성한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 실시하였다.The same process as in Example 1 was carried out except that a protective film having a thickness of 800 nm was formed by depositing Sr 1-x Ca x O (x = 0.38) on the dielectric layer by electron beam deposition.

(비교예 3)(Comparative Example 3)

유전층 위에 Sr1-xCaxO(x=0.38)를 전자빔 증착법으로 증착하여 800nm 두께의 제1 보호막을 형성하고, MgO를 전자빔 증착법으로 증착하여 30nm 두께의 제2 보호막을 형성한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 실시하였다.Except for depositing Sr 1-x Ca x O (x = 0.38) on the dielectric layer by electron beam evaporation to form a first passivation layer having a thickness of 800 nm, and depositing MgO by electron beam evaporation to form a second passivation layer having a thickness of 30 nm. It carried out similarly to Example 1 above.

상기 실시예 1 및 비교예 1 내지 2에 따라 제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 유지 전압을 변경하면서 발광 효율을 측정하여 그 결과를 도 7에 나타내었다. 도 7에 나타낸 것과 같이, 실시예 1의 유전층, 제1 및 제2 보호막을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널은 낮은 유지 전압에서도 높은 발광 효율을 나타내므로, 저전압 방전이 가능함을 예측할 수 있다. 이에 대하여 Sr1-xCaxO(x=0.38) 보호막만을 갖는 비교예 2의 경우, 보호막을 갖지 않는 비교예 1보다 발광 효율이 열화되었음을 알 수 있다.The emission efficiency was measured while changing the sustain voltage of the plasma display panel manufactured according to Example 1 and Comparative Examples 1 to 2, and the results are shown in FIG. 7. As shown in Fig. 7, the plasma display panel having the dielectric layer, the first and the second passivation layer of Example 1 exhibits high luminous efficiency even at a low holding voltage, and thus it can be expected that low voltage discharge is possible. On the other hand, in the case of Comparative Example 2 having only an Sr 1-x Ca x O (x = 0.38) protective film, it was found that the luminous efficiency was lower than that of Comparative Example 1 without a protective film.

상기 실시예 1 및 비교예 2 내지 3에서 형성된 보호막의 SEM 사진을 도 8에, (b), (a) 및 (c)로 각각 나타내었다. 도 8에서 (a)에 나타낸 것과 같이, 비교예 2에서 형성된 Sr1-xCaxO(x=0.38) 보호막은 거칠게 성장되는 즉, 다결정 성장 표면을 나타내므로 표면 거칠기가 큰, 표면임을 가짐을 알 수 있다. SEM photographs of the protective films formed in Example 1 and Comparative Examples 2 to 3 are shown in Fig. 8, respectively (b), (a) and (c). As shown in (a) of FIG. 8, the Sr 1-x Ca x O (x = 0.38) protective film formed in Comparative Example 2 had a rough surface, that is, a surface having a large surface roughness because it exhibits a polycrystalline growth surface. Able to know.

이러한 Sr1-xCaxO(x=0.38) 제1 보호막에, SiO2 제2 보호막을 형성시킨 실시예 1의 경우, SiO2가 비정질 성장을 하는 박막임에 따라, 제1 보호막의 표면 거칠기 즉, 단차 극복성(step coverage)이 우수하여, 제1 보호막 표면을 균일하게 캐핑(capping)하므로, 제1 보호막이 외부 수분이나 CO2와 직접 반응하는 것을 효과적으로 억제할 수 있음을 예측할 수 있다.In the case of Example 1 in which the SiO 2 second protective film is formed on the Sr 1-x Ca x O (x = 0.38) first protective film, the surface roughness of the first protective film is changed as SiO 2 is a thin film that performs amorphous growth. That is, since the step coverage is excellent and the surface of the first passivation layer is uniformly capped, it can be predicted that the first passivation layer can be effectively suppressed from directly reacting with external moisture or CO 2 .

이에 반하여, 도 8에서 (c)에 나타낸 것과 같이, Sr1-xCaxO(x=0.38) 제1 보호막에 MgO 제2 보호막을 형성한 경우는, MgO 또한 다결정 성장을 함에 따라 제1 보호막의 불규칙한 표면을 균일하게 캐핑할 수 없고, 그에 따라 여전히 거친 표면을 나타냄을 알 수 있다. 따라서, 제1 보호막이 외부 수분이나 CO2와 직접 반응하는 것을 효과적으로 억제할 수 없음을 예측할 수 있다.In contrast, as shown in FIG. 8C, when the MgO second protective film is formed in the Sr 1-x Ca x O (x = 0.38) first protective film, the first protective film is formed by MgO also growing polycrystalline. It can be seen that it is not possible to cap the irregular surface of the uniformly, thus still showing a rough surface. Accordingly, it can be predicted that the first protective film cannot be effectively inhibited from directly reacting with external moisture or CO 2 .

본 발명의 단순한 변형 또는 변경은 모두 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.All simple modifications or changes of the present invention can be easily carried out by those skilled in the art, and all such modifications or changes can be seen to be included in the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 제1 구현예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 에이징 후의 상판 구조를 나타낸 도면.1 is a view showing a top structure after aging of a plasma display panel according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 나타낸 플라즈마 디스플레이 패널의 단면도.FIG. 2 is a cross-sectional view of the plasma display panel shown in FIG. 1. FIG.

도 3은 본 발명의 제1 구현예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 중 제1 및 제2 보호막의 구조만을 개략적으로 나타낸 단면도.3 is a cross-sectional view schematically showing only the structures of the first and second passivation layers of the plasma display panel according to the first embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제2 구현예에 따른 제1 및 제2 보호막의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도.4 is a cross-sectional view schematically showing the structure of the first and second protective film according to the second embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제3 구현예에 따른 제1 및 제2 보호막의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도.5 is a cross-sectional view schematically showing the structure of the first and second protective film according to the third embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제4 구현예에 따른 제1 및 제2 보호막의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도.6 is a cross-sectional view schematically showing the structure of the first and second protective film according to the fourth embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 실시예 1 및 비교예 1 내지 2에 따라 제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 발광 효율을 측정하여 나타낸 그래프.7 is a graph showing the measurement of the luminous efficiency of the plasma display panel manufactured according to Example 1 and Comparative Examples 1 to 2 of the present invention.

도 8은 본 발명의 실시예 1 및 비교예 2 내지 3에서 형성된 보호막의 SEM 사진.8 is a SEM photograph of the protective film formed in Example 1 and Comparative Examples 2 to 3 of the present invention.

Claims (16)

서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판;A first substrate and a second substrate disposed to face each other; 상기 제1 기판의 일면에 형성되는 다수의 어드레스 전극들;A plurality of address electrodes formed on one surface of the first substrate; 상기 어드레스 전극들을 덮으면서 제1 기판에 형성되는 제1 유전층;A first dielectric layer formed on a first substrate while covering the address electrodes; 상기 제1 기판과 제2 기판의 사이 공간에 배치되고, 다수의 방전셀을 구획하도록 형성된 격벽;A partition wall disposed in a space between the first substrate and the second substrate and formed to partition a plurality of discharge cells; 상기 방전셀 내에 형성되는 형광체층;A phosphor layer formed in the discharge cell; 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판의 일면에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향으로 배치되는 다수의 표시 전극들; A plurality of display electrodes arranged on one surface of the second substrate opposite to the first substrate in a direction crossing the address electrodes; 상기 표시 전극들을 덮으면서 상기 제2 기판에 형성되는 제2 유전층; A second dielectric layer formed on the second substrate while covering the display electrodes; 상기 제2 유전층을 코팅하며, 1eV 내지 4eV의 일 함수를 갖는 저 일 함수 물질을 포함하는 제1 보호막; 및 A first passivation layer coating the second dielectric layer and including a low work function material having a work function of 1 eV to 4 eV; And 상기 제1 보호막 상부에 형성되어 있으며, 고 일 함수 물질을 포함하는 제2 보호막을 포함하고,A second passivation layer formed on the first passivation layer, the second passivation layer including a high work function material; 상기 제2 보호막은 방전이 발생하는 표시 전극에 대응하는 부분에서 적어도 일부분이 제거되어 있는 것이고,At least a portion of the second passivation layer is removed from a portion corresponding to the display electrode where the discharge is generated. 상기 저 일 함수 물질 및 고 일 함수 물질의 일 함수 차이가 1 내지 5eV인 플라즈마 디스플레이 패널.And a work function difference between the low work function material and the high work function material is 1 to 5 eV. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제2 보호막은 상기 표시 전극과 표시 전극 사이의 간격에 대응하는 부 분에 형성된 것인 플라즈마 디스플레이패널.And the second passivation layer is formed on a portion corresponding to a gap between the display electrode and the display electrode. 삭제delete 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 저 일 함수 물질은 Sr1-xCaxO(0 < x < 1), SrO, BaO, CsO, CaO, ZnO, 칼슘 알루미네이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.The low work function material is selected from the group consisting of Sr 1-x Ca x O (0 <x <1), SrO, BaO, CsO, CaO, ZnO, calcium aluminate, and combinations thereof. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 보호막 하부에, 상기 저 일 함수 물질보다 1 내지 5eV 높은 일 함수를 갖는 고 일 함수 물질을 포함하는 제3 보호막을 더욱 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.And a third passivation layer under the first passivation layer, the third passivation layer including a high work function material having a work function 1 to 5 eV higher than the low work function material. 제1항 또는 제5항에 있어서, 6. The method according to claim 1 or 5, 상기 고 일 함수 물질은 SiO2, TiO2, Ta2O5, ZrO2, Al2O3, MoO2, SiON, Si, Si3N4, a-SiO:H, a-SiNx:H, a-Si:H, MgO, AlF3, BaF2, B2O3, CaF2, CaSiO3, CeF3, Na5Al3F14, Na3AlF6, LiF, Li2O, MgF2, KF, Sc2O3, NaCN, V2O5, YF3, GeO2, Y2O3 및 이들 의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.The high work function material is SiO 2 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , ZrO 2 , Al 2 O 3 , MoO 2 , SiON, Si, Si 3 N 4 , a-SiO: H, a-SiN x : H, a-Si: H, MgO, AlF 3 , BaF 2 , B 2 O 3 , CaF 2 , CaSiO 3 , CeF 3 , Na 5 Al 3 F 14 , Na 3 AlF 6 , LiF, Li 2 O, MgF 2 , KF , Sc 2 O 3 , NaCN, V 2 O 5 , YF 3 , GeO 2 , Y 2 O 3 and a combination thereof. 삭제delete 삭제delete 제1항 또는 제5항에 있어서, 6. The method according to claim 1 or 5, 상기 저 일 함수 물질의 수분 또는 CO2에 대한 흡착량이 상기 고 일함수 물질의 흡착량보다 2배 내지 500배 높은 것인 플라즈마 디스플레이 패널.The adsorption amount of water or CO 2 of the low work function material is 2 to 500 times higher than the adsorption amount of the high work function material. 삭제delete 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 보호막은 300 내지 1000nm의 두께를 갖는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.The first protective film has a thickness of 300 to 1000nm. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제2 보호막은 5 내지 300nm의 두께를 갖는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.The second passivation layer is a plasma display panel having a thickness of 5 to 300nm. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 제3 보호막은 10 내지 3000nm의 두께를 갖는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.The third passivation layer has a thickness of 10 to 3000nm. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 보호막이 상기 제2 보호막 보다 높은 이차 전자 방출 계수를 갖는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.And the first passivation layer has a higher secondary electron emission coefficient than the second passivation layer. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 제1 보호막이 상기 제3 보호막 보다 높은 이차 전자 방출 계수를 갖는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.And the first passivation layer has a higher secondary electron emission coefficient than the third passivation layer. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 보호막 중 표시 전극에 대응하는 부분에 형성된 제1 보호막의 일부가 제거된 것인 플라즈마 디스플레이 패널.And a portion of the first passivation layer formed on a portion of the first passivation layer corresponding to the display electrode is removed.
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