KR101065166B1

KR101065166B1 - Rotary type polishing apparatus for wafer

Info

Publication number: KR101065166B1
Application number: KR1020090085820A
Authority: KR
Inventors: 조보형
Original assignee: 주식회사 아이매스; 천옥순; (주)세미코아
Priority date: 2009-09-11
Filing date: 2009-09-11
Publication date: 2011-09-16
Also published as: KR20110027961A

Abstract

본 발명은 웨이퍼용 회전식 연마장치에 관한 것으로서, 가공대상 웨이퍼 및 가공 완료된 웨이퍼가 적재되는 적어도 하나 이상의 카세트(CASSETTE)와, 상기 카세트 부근에 설치되고, 상기 카세트에 적재된 가공대상 웨이퍼를 인출 또는 가공이 완료된 웨이퍼를 상기 카세트에 적재시키는 이송로봇과, 상기 이송로봇으로부터 인출된 웨이퍼의 후면을 연마하고, 상기 이송로봇 부근에서 동심원상에 설치되는 다수의 연마부와, 상기 동심원의 중심에 회전가능하게 설치되는 회전플레이트와, 상기 다수의 연마부와 대응되는 상기 회전플레이트의 일측으로부터 외측으로 연장형성되는 회전암 및 상기 회전암 중 상기 연마부의 웨이퍼의 안착영역과 대응되는 위치에 형성되고 상기 연마부에 위치한 웨이퍼를 그립하는 그립수단을 포함하며, 회전하는 경우 상기 이송로봇으로부터 가공대상 웨이퍼를 전달받으면서 상기 다수의 연마부에 각각 위치한 웨이퍼를 동시에 다음공정으로 이동시키는 센터로봇과, 상기 센터로봇의 중심에 결합되고, 상기 센터로봇에 회전력을 제공하는 회전부 및 상기 센터로봇 일측에 결합되고, 상기 센터로봇을 상하이동시키는 상하이동수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼용 회전식 연마장치를 제공한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer polishing machine, wherein at least one cassette (CASSETTE) on which a wafer to be processed and a processed wafer are loaded, and a wafer to be processed which is installed in the cassette and loaded on the cassette are extracted or processed. A transfer robot for loading the completed wafer into the cassette, a back surface of the wafer drawn out from the transfer robot, a plurality of polishing units disposed in a concentric circle near the transfer robot, and rotatably in the center of the concentric circle; A rotating plate provided, a rotating arm extending outwardly from one side of the rotating plate corresponding to the plurality of polishing parts, and a rotating arm formed at a position corresponding to a seating area of the wafer of the polishing part among the rotating arms, A grip means for gripping a positioned wafer, wherein the grip means A center robot that simultaneously transfers wafers respectively located in the plurality of polishing units to the next process while receiving a wafer to be processed from a transmission robot, and a rotating unit that is coupled to the center of the center robot and provides rotational force to the center robot. It is coupled to one side of the robot, and provides a rotary polishing apparatus for a wafer comprising a shangdong means for moving the center robot.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 하나의 장치 내에 다수의 연마부를 동심원상으로 배치한 상태에서 동심원 중심에 센터로봇을 회전가능하게 설치하고, 다수의 연마부에 위치한 웨이퍼의 연마가 완료되면 이를 동시에 다음공정으로 이동시킴으로써 장치의 소형화가 가능하여 요구되는 설치면적이 현저하게 줄어들 뿐 아니라 각 공정간 이동시간이 현격히 단축되면서 작업시간이 단축되고 이에 따라 생산성을 현저하게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.According to the present invention as described above, the center robot is rotatably installed at the center of the concentric circles in a state in which a plurality of polishing units are arranged concentrically in one apparatus, and the polishing of the wafers located in the plurality of polishing units is completed at the same time. By moving to the process it is possible to miniaturize the device to not only significantly reduce the required installation area, but also significantly shorten the movement time between each process, thereby reducing the work time, thereby improving the productivity significantly.

그라인딩, 래핑, 폴리싱, 이송, 웨이퍼 Grinding, Lapping, Polishing, Transfer, Wafers

Description

Rotary type polishing apparatus for wafer

본 발명은 웨이퍼용 회전식 연마장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 하나의 장치 내에 그라인딩부와, 래핑부 및 폴리싱부를 동심원상으로 배치한 상태에서 동심원 중심에 센터로봇을 회전가능하게 설치하고, 그라인딩부와 래핑부 및 폴리싱부에 위치한 웨이퍼의 연마가 완료되면 이를 동시에 다음공정으로 이동시킴으로써 장치의 소형화가 가능하여 요구되는 설치면적이 현저하게 줄어들 뿐 아니라 각 공정간 이동시간이 현격히 단축되면서 작업시간이 단축되고 이에 따라 생산성을 현저하게 향상시킬 수 있는 웨이퍼용 회전식 연마장치에 관한 것이다.The present invention relates to a rotating polishing apparatus for a wafer, and more particularly, in one device, the center robot is rotatably installed at the center of the concentric circle while the grinding unit, the lapping unit, and the polishing unit are arranged concentrically. When polishing of wafers in lapping part and polishing part is completed, it can be moved to the next step at the same time, which makes it possible to miniaturize the device. The present invention relates to a rotary polishing apparatus for wafers that can significantly improve productivity.

일련의 반도체 제조공정을 거친 웨이퍼는 개별 칩으로 분리되기 전에 후면연마 공정을 거친다. 웨이퍼의 후면연마 공정은 전 공정이나 이송 중 외부충격으로부터 가해지는 충격을 방지하기 위해 두껍게 제작된 웨이퍼의 후면을 연마하여 박막화하기 위한 공정이다.Wafers, which have undergone a series of semiconductor manufacturing processes, are subjected to back polishing before being separated into individual chips. The back polishing process of the wafer is a process for polishing and thinning the back surface of a thickly manufactured wafer to prevent the impact from external impacts during the whole process or transfer.

이러한 웨이퍼는 일반적으로 초기 450㎛정도의 두께를 갖는 사파이어 웨이퍼 가 사용되며, 웨이퍼 후면 연마 공정은 이러한 웨이퍼 두께를 85㎛로 가공되는데, 웨이퍼의 최종 두께는 반도체 제품의 종류 또는 고객의 요구에 따라 달라질 수 있다.Sapphire wafers with a thickness of about 450 μm are generally used. The wafer backside grinding process is performed at 85 μm. The final thickness of the wafer may vary depending on the type of semiconductor product or the customer's requirements. Can be.

이러한 웨이퍼 후면 연마 공정은 웨이퍼의 두께가 초기 두께에서 250㎛정도가 되도록 연마하는 그라인딩 단계, 그라인딩 단계의 웨이퍼 두께에서 110㎛정도가 되도록 연마하는 래핑단계, 래핑단계에서 연마된 웨이퍼의 후면에 연마액을 사용하여 최종두께까지 연마하는 폴리싱단계, 폴리싱 처리된 웨이퍼의 표면을 세정하는 세정(cleaning)단계 등의 순서로 진행될 수 있다.The wafer backside polishing process includes a grinding step of polishing the wafer so that the thickness of the wafer is about 250 μm from the initial thickness, a lapping step of polishing the wafer to about 110 μm from the wafer thickness of the grinding step, and a polishing liquid on the back side of the wafer polished in the lapping step. The polishing step may be performed in order of polishing to a final thickness, and a cleaning step of cleaning the surface of the polished wafer.

그러나, 종래의 웨이퍼의 후면 연마장치는 상기한 그라인딩 단계와, 래핑 단계 및 폴리싱 단계가 각각의 장치에서 별도로 수행되며, 상기한 공정을 별도로 수행하기 위해 각 장치들을 구입하면서 장치 구입비용에 따른 웨이퍼의 단가가 상승하는 문제점이 있었다.However, in the conventional wafer back polishing apparatus, the grinding step, the lapping step and the polishing step are performed separately in each device, and each wafer is purchased according to the device purchase cost while purchasing each device to perform the above process separately. There was a problem that the unit price increased.

또한, 그라인딩과 래핑 및 폴리싱 단계를 수행하기 위한 각각의 장치를 설치하기 위해 넓은 설치면적이 요구될 뿐 아니라 각각의 단계를 수행한 후 다음 공정을 위해 웨이퍼를 이동시켜야 하므로 그에 따라 이동시간이 소요되어 작업시간이 상승하면서 생산성이 현저하게 저하되는 문제점이 있었다.In addition, a large installation area is required to install each device for performing the grinding, lapping and polishing steps as well as moving the wafer for the next process after each step. As the working time increases, there is a problem that the productivity is significantly reduced.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 하나의 장치 내에 다수의 연마부를 동심원상으로 배치한 상태에서 동심원 중심에 센터로봇을 회전가능하게 설치하고, 다수의 연마부에 위치한 웨이퍼의 연마가 완료되면 이를 동시에 다음공정으로 이동시킴으로써 장치의 소형화가 가능하여 요구되는 설치면적이 현저하게 줄어들 뿐 아니라 각 공정간 이동시간이 현격히 단축되면서 작업시간이 단축되고 이에 따라 생산성을 현저하게 향상시킬 수 있는 웨이퍼용 회전식 연마장치를 제공함에 있다.The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to rotatably install a center robot in the center of the concentric circle in a state in which a plurality of polishing units are arranged concentrically in one apparatus, a plurality of polishing When polishing of wafer located in the part is completed, it can be moved to the next process at the same time, which makes it possible to reduce the size of the device. It is to provide a rotary polishing apparatus for a wafer that can be significantly improved.

또한, 연마부 중 그라인딩부와 폴리싱부의 공정시간보다 래핑부의 공정시간이 두배가량 더 소요되는 점을 감안하여 래핑부를 제1 래핑부 및 제2 래핑부로 분리한 후 제1 래핑부 및 제2 래핑부에서 래핑공정을 나누어 수행하고, 그라인딩, 래핑, 폴리싱 공정이 동시에 완료되도록 함으로써 센터로봇이 그라인딩부와, 래핑부와, 폴리싱부에 위치한 웨이퍼를 동시에 다음공정으로 이송되도록 하여 공정 중 지연시간을 줄일 수 있고 이에 따라 작업시간을 현저하게 단축시킬 수 있는 웨이퍼용 회전식 연마장치를 제공함에 있다.In addition, in consideration of the fact that the processing time of the lapping part is twice as long as the grinding time of the grinding part and the polishing part, the lapping part is separated into the first and second lapping parts, and then the first and second lapping parts are separated. The lapping process can be performed separately, and the grinding, lapping, and polishing processes can be completed at the same time, so that the center robot can simultaneously transfer the grinding unit, the lapping unit, and the wafer located at the polishing unit to the next process to reduce the delay time during the process. The present invention provides a rotary polishing apparatus for a wafer that can significantly shorten working time.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 따르면, 가공대상 웨이퍼 및 가공 완료된 웨이퍼가 적재되는 적어도 하나 이상의 카세트(CASSETTE)와, 상기 카세트 부근에 설치되고, 상기 카세트에 적재된 가공대상 웨이퍼를 인출 또는 가공이 완료된 웨이퍼를 상기 카세트에 적재시키는 이송로봇과, 상기 이송로봇으로부터 인출된 웨이퍼의 후면을 연마하고, 상기 이송로봇 부근에서 동심원상에 설치되는 다수의 연마부와, 상기 동심원의 중심에 회전가능하게 설치되는 회전플레이트와, 상기 다수의 연마부와 대응되는 상기 회전플레이트의 일측으로부터 외측으로 연장형성되는 회전암 및 상기 회전암 중 상기 연마부의 웨이퍼의 안착영역과 대응되는 위치에 형성되고 상기 연마부에 위치한 웨이퍼를 그립하는 그립수단을 포함하며, 회전하는 경우 상기 이송로봇으로부터 가공대상 웨이퍼를 전달받으면서 상기 다수의 연마부에 각각 위치한 웨이퍼를 동시에 다음공정으로 이동시키는 센터로봇과, 상기 센터로봇의 중심에 결합되고, 상기 센터로봇에 회전력을 제공하는 회전부 및 상기 센터로봇 일측에 결합되고, 상기 센터로봇을 상하이동시키는 상하이동수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼용 회전식 연마장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, at least one cassette (CASSETTE) to be processed and the wafer to be processed and the wafer to be processed, and installed in the vicinity of the cassette, the wafer to be processed in the cassette A transfer robot for loading a wafer with which the wafer is drawn out or processed into the cassette, a plurality of polishing units disposed on a concentric circle near the transfer robot, for polishing a rear surface of the wafer taken out from the transfer robot, and a center of the concentric circles; A rotating plate rotatably installed in the rotating plate, a rotating arm extending outwardly from one side of the rotating plate corresponding to the plurality of polishing units, and a position corresponding to a seating area of the wafer of the polishing unit among the rotating arms; A grip means for gripping a wafer positioned in the polishing portion, A center robot that simultaneously transfers wafers respectively positioned in the plurality of polishing units to the next process while receiving the wafers to be processed from the transfer robot, a rotating unit which is coupled to the center of the center robot and provides rotational force to the center robot; It is coupled to one side of the center robot, and provides a rotary polishing apparatus for a wafer comprising a shandong means for moving the center robot.

그리고, 상기 다수의 연마부는 상기 이송로봇으로부터 인출된 웨이퍼의 후면을 연마하는 그라인딩부와, 상기 그라인딩부에 의해 연마된 웨이퍼의 후면을 재연마하는 래핑부 및 상기 래핑부에 의해 정밀연마된 웨이퍼의 후면에 연마액을 도포하여 상기 웨이퍼의 후면을 최종연마하는 폴리싱부를 포함하는 것이 바람직하다.The polishing part may include a grinding part for polishing the back surface of the wafer drawn out from the transfer robot, a lapping part for regrinding the back surface of the wafer polished by the grinding part, and a wafer polished precisely by the lapping part. It is preferable to include a polishing portion for applying a polishing liquid to the back surface to finally polish the back surface of the wafer.

또한, 상기 래핑부는 상기 가공대상 웨이퍼의 후면을 1차 정밀연마하는 제1 래핑부 및 상기 제1 래핑부로부터 이동되는 웨이퍼의 후면을 2차 정밀연마하는 제2 래핑부를 포함하여 구성되는 것이 더욱 바람직하다.The lapping unit may further include a first lapping unit that primarily performs a first precision polishing on a rear surface of the wafer to be processed and a second lapping unit that secondarily performs a second precision polishing on a rear surface of a wafer moved from the first lapping unit. Do.

아울러, 상기 그립수단은 상기 웨이퍼를 진공흡착하는 것이 바람직하다.In addition, the grip means is preferably vacuum suction the wafer.

그리고, 상기 이송로봇 부근에 설치되고, 상기 폴리싱부에 의해 최종연마가 완료된 웨이퍼가 상기 센터로봇 및 상기 이송로봇에 의해 이동되어 적재되며, 적재된 웨이퍼를 세척 및 건조하는 세정부를 더 포함하는 것이 바람직하다.And, the wafer is installed in the vicinity of the transfer robot, the final polishing is completed by the polishing unit is moved and loaded by the center robot and the transfer robot, further comprising a cleaning unit for cleaning and drying the loaded wafer desirable.

그리고, 연마부 중 그라인딩부와 폴리싱부의 공정시간보다 래핑부의 공정시간이 두배가량 더 소요되는 점을 감안하여 래핑부를 제1 래핑부 및 제2 래핑부로 분리한 후 제1 래핑부 및 제2 래핑부에서 래핑공정을 나누어 수행하고, 그라인딩, 래핑, 폴리싱 공정이 동시에 완료되도록 함으로써 센터로봇이 그라인딩부와, 래핑부와, 폴리싱부에 위치한 웨이퍼를 동시에 다음공정으로 이송되도록 하여 공정 중 지연시간을 줄일 수 있고 이에 따라 작업시간을 현저하게 단축시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, in consideration of the fact that the processing time of the lapping part is twice as long as that of the grinding part and the polishing part, the lapping part is separated into the first lapping part and the second lapping part, and then the first lapping part and the second lapping part. The lapping process can be performed separately, and the grinding, lapping, and polishing processes can be completed at the same time, so that the center robot can simultaneously transfer the grinding unit, the lapping unit, and the wafer located at the polishing unit to the next process to reduce the delay time during the process. And accordingly there is an effect that can significantly shorten the working time.

이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예를 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도1은 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼용 회전식 연마장치의 사시도이고, 도2는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼용 회전식 연마장치의 평면도이며, 도3은 본 발명의 일실시예에 따른 센터로봇과, 회전부 및 상하이동수단의 사시도이다.1 is a perspective view of a rotary polishing apparatus for a wafer according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a plan view of a rotary polishing apparatus for a wafer according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is an embodiment of the present invention It is a perspective view of the center robot, the rotating portion and the moving means.

도1 및 도2에서 보는 바와 같이 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼용 회전식 연마장치(1)는 카세트(10)와, 이송로봇(20)과, 연마부(30)와, 센터로봇(40)과, 회전부(50)와, 상하이동수단(60) 및 세정부(70)를 포함하여 구성된다.As shown in FIGS. 1 and 2, a wafer polishing machine 1 according to an embodiment of the present invention includes a cassette 10, a transfer robot 20, a polishing unit 30, and a center robot 40. ), The rotating unit 50, the shank movement means 60 and the washing unit 70 is configured.

카세트(10)는 대략 박스형상으로 형성되고, 도면에 도시되어 있진 않지만 내부에는 수용공간(미도시)이 형성되며, 수용공간을 다수의 공간으로 구획하는 구획판(미도시)을 포함하여 구성되고, 가공대상 웨이퍼 및 가공이 완료된 웨이퍼가 적재된다.The cassette 10 is formed in a substantially box shape, and although not shown in the drawing, an accommodation space (not shown) is formed therein, and includes a partition plate (not shown) for dividing the accommodation space into a plurality of spaces. The wafer to be processed and the wafer to be processed are loaded.

이러한 카세트(10)는 가공대상 웨이퍼 및 가공이 완료된 웨이퍼의 수의 따라 복수개가 설치될 수 있다.The cassette 10 may be provided in plural numbers depending on the number of wafers to be processed and wafers to be processed.

이송로봇(20)은 카세트(10) 부근에 설치되는 본체(21)와, 본체(21)에 회전가능하게 설치되는 이송암(22)을 포함하여 구성되며, 카세트(10)에 적재된 웨이퍼를 후술하는 센터로봇(40)에 전달하는 역할을 하거나 가공이 완료된 웨이퍼를 센터로봇(40)으로부터 전달받아 카세트(10)에 적재시키는 역할을 한다.The transfer robot 20 includes a main body 21 installed near the cassette 10 and a transfer arm 22 rotatably installed on the main body 21, and transfers the wafer loaded on the cassette 10. It serves to transfer to the center robot 40 to be described later, or serves to receive the wafer is processed from the center robot 40 to load the cassette 10.

이와 같은 이송로봇(20)은 통상의 스칼라(SCALAR)타입이 사용될 수 있다.Such a transfer robot 20 may be used a conventional SCALAR type.

연마부(30)는 동심원상에 설치되는 그라인딩부(31)와, 래핑부(32) 및 폴리싱부(33)를 포함하여 구성되며, 각 부의 공정에 따라 웨이퍼의 후면을 연마하는 역할을 한다.The polishing unit 30 includes a grinding unit 31 installed on a concentric circle, a wrapping unit 32, and a polishing unit 33, and serves to polish the rear surface of the wafer according to the process of each unit.

그라인딩부(31)는 후술하는 센터로봇(40)에 의해 웨이퍼가 카세트(10)로부터 이동되면 웨이퍼의 후면을 연마하는 역할을 한다.Grinding unit 31 serves to polish the back of the wafer when the wafer is moved from the cassette 10 by the center robot 40 to be described later.

래핑부(32)는 그라인딩부(31)에 의해 연마된 웨이퍼의 후면을 정밀연마하는 역할을 하는 것으로, 제1 래핑부(32a) 및 제2 래핑부(32b)로 이루어져 래핑공정을 제1 래핑부(32a) 및 제2 래핑부(32b)에서 나누어 수행하게 된다.The lapping part 32 serves to precisely polish the back surface of the wafer polished by the grinding part 31, and includes the first lapping part 32a and the second lapping part 32b to wrap the first lapping process. The division is performed in the portion 32a and the second wrapping portion 32b.

이와 같이 제1 래핑부(32a) 및 제2 래핑부(32b)로 구성되는 이유는 래핑공정의 소요시간이 그라인딩 공정 및 폴리싱 공정에 비해 대략 2배의 시간이 소요되는 바 각 공정을 동시에 완료되도록 함으로써 각 부에 위치한 웨이퍼를 다음공정으로 동시에 이동시키기 위함이다.The reason why the first lapping part 32a and the second lapping part 32b are configured is that the time required for the lapping process is approximately twice as long as that of the grinding process and the polishing process, so that each process is completed at the same time. This is to move the wafer located in each part at the same time to the next process.

폴리싱부(33)는 래핑부(32)에 의해 연마된 웨이퍼의 후면에 연마액을 도포하여 웨이퍼의 후면을 최종연마하는 역할을 한다.The polishing unit 33 serves to apply a polishing liquid to the rear surface of the wafer polished by the wrapping unit 32 to finally polish the rear surface of the wafer.

상기한 그라인딩부(31)와 래핑부(32) 및 폴리싱부(33)는 당해 기술분야에서 통상의 지식을 갖는 자에게는 상용적으로 공급되는 것을 구입하여 사용할 수 있을 정도로 공지된 것임은 자명한 것으로서, 그에 대한 구체적인 구성 및 동작설명은 생략토록 한다.It is apparent that the grinding part 31, the lapping part 32, and the polishing part 33 are known enough to be purchased and used commercially available to those skilled in the art. The detailed configuration and operation description thereof will be omitted.

아울러, 본 실시예에서는 다수의 연마부(30)가 그라인딩부(31)와, 래핑부(32) 및 폴리싱부(33)로 구성되는 것으로 설명하였으나, 작업자의 실시공정에 따 라 그라인딩부(31)와, 폴리싱부(33)로 구성될 수 있으며, 각 연마부(30)의 공정시간을 동일하게 하여 후술하는 센터로봇(40)에 의한 웨이퍼의 이송작업을 용이하도록 하기 위해 연마부(30)의 구성이 그 작업환경에 맞게 변경될 수 있음은 물론이다.In addition, in the present exemplary embodiment, the plurality of polishing units 30 are described as being composed of the grinding unit 31, the lapping unit 32, and the polishing unit 33, but the grinding unit 31 according to the worker's implementation process. ), And the polishing unit 33, and the polishing unit 30 to facilitate the transfer operation of the wafer by the center robot 40 to be described later by equalizing the process time of each polishing unit 30 Of course, the configuration can be changed to suit the working environment.

예를 들어, 그라인딩부(31)와 폴리싱부(33)를 구비하고, 그라인딩 고정시간을 15분으로 늘리고자 하는 경우 앞서 설명한 래핑부(32)와 같이 그라인딩부(31)를 제1, 제2 및 제3 그라인딩부로 분할하여 설치할 수 있다.For example, when the grinding unit 31 and the polishing unit 33 are provided, and the grinding fixed time is to be increased to 15 minutes, the grinding unit 31 is first and second like the lapping unit 32 described above. And it can be divided and installed into a third grinding unit.

센터로봇(40)은 도3에서 보는 바와 같이 그라인딩부(31)와 래핑부(32) 및 폴리싱부(33)의 동심원의 중심에 회전가능하게 설치되는 회전플레이트(41)와, 회전플레이트(41)의 측부로부터 외측으로 연장형성된 4개의 회전암(42) 및 그라인딩부(31)와 래핑부(32) 및 폴링싱부와 대응되는 4개의 회전암(42) 일측에 각각 형성되는 그립수단(43)을 포함하여 구성되며, 그라인딩부(31)와 래핑부(32) 및 폴리싱부(33)에 의해 가공이 완료된 웨이퍼를 다음공정으로 이송시키는 역할을 한다.As shown in FIG. 3, the center robot 40 includes a rotating plate 41 rotatably installed at the center of the concentric circles of the grinding unit 31, the wrapping unit 32, and the polishing unit 33, and the rotating plate 41. Grip means 43 respectively formed on one side of the four rotary arms 42 and the grinding portion 31 and the wrapping portion 32 and the four rotary arms 42 corresponding to the polling and sinking portion extending outward from the side of It is configured to include, and serves to transfer the wafer processed by the grinding unit 31, the wrapping unit 32 and the polishing unit 33 to the next process.

여기서 그립수단(43)은 웨이퍼를 진공흡착하기 위해 흡착공으로 형성되는 것이 바람직하다.Here, the grip means 43 is preferably formed as adsorption holes for vacuum adsorption of the wafer.

이러한 센터로봇(40)의 구체적인 동작설명은 후술하는 본 발명의 웨이퍼용 회전식 연마장치(1)의 동작설명에서 상세히 설명하도록 한다.Specific operation description of the center robot 40 will be described in detail in the operation description of the rotary polishing device 1 for the wafer of the present invention to be described later.

회전부(50)는 통상의 모터가 사용될 수 있으며, 모터의 축이 센터로봇(40)의 회전플레이트(41) 중심에 결합되어 센터로봇(40)에 회전력을 제공하는 역할을 한다.The rotating unit 50 may be a conventional motor, the axis of the motor is coupled to the center of the rotation plate 41 of the center robot 40 serves to provide a rotational force to the center robot 40.

여기서, 회전부(50)는 센터로봇(40)에 회전력을 제공하는 경우 센터로봇(40)이 일정구간을 왕복 회전하도록 회전력을 제공하며, 센터로봇(40)의 회전각도를 정확하게 제어하기 위해 미세제어가 가능한 통상의 서보모터가 사용되는 것이 바람직하다.Here, when the rotation unit 50 provides the rotational force to the center robot 40, the center robot 40 provides a rotational force to reciprocally rotate a predetermined section, fine control to precisely control the rotation angle of the center robot 40 It is preferable to use a conventional servomotor which can be used.

상하이동수단(60)은 통상의 실린더구조가 사용될 수 있으며, 회전부(50)의 하부에 결합되어 센터로봇(40)과 회전부(50)를 상하강시키는 역할을 한다.Shanghai moving means 60 may be used in a conventional cylinder structure, is coupled to the lower portion of the rotating portion 50 serves to raise and lower the center robot 40 and the rotating portion 50.

세정부(70)는 폴리싱부(33)에 의해 폴리싱공정까지 완료된 웨이퍼를 전달받아 연마공정에서 오염된 웨이퍼를 세척 및 건조하는 역할을 한다.The cleaning unit 70 receives the completed wafer until the polishing process by the polishing unit 33 to clean and dry the wafer contaminated in the polishing process.

이러한 세정부(70) 또한 당해 기술분야에서 통상의 지식을 갖는 자에게는 상용적으로 공급되는 것을 구입하여 사용할 수 있을 정도로 공지된 것임은 자명한 것으로서, 그에 대한 구체적인 구성 및 동작설명은 생략토록 한다.It is apparent that the cleaning unit 70 is also known enough to be purchased and used commercially available to those skilled in the art, the specific configuration and operation description thereof will be omitted.

도4는 본 발명의 일실시예에 따른 이송로봇으로부터 센터로봇이 웨이퍼를 전달받고 회전하는 동작을 도시한 도면이고, 도5는 본 발명의 일실시예에 따른 센터로봇이 전달받은 웨이퍼를 연마부의 각 부에 안착시키는 동작을 도시한 도면이며, 도6은 본 발명의 일실시예에 따른 센터로봇으로부터 폴리싱공정이 완료된 웨이퍼를 이송로봇에서 전달받아 세정부로 이송하는 동작을 도시한 도면이다.4 is a diagram illustrating an operation of receiving and rotating a wafer from a transfer robot according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 illustrates a wafer grinding portion of the wafer received from the transfer robot according to an embodiment of the present invention. 6 is a view illustrating an operation of seating on each part, and FIG. 6 is a view illustrating an operation of receiving a wafer from which a polishing process is completed from a center robot according to an embodiment of the present invention and transferring the wafer to a cleaning unit.

이와 같은 구성을 갖는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼용 회전식 연마장치(1)의 동작설명을 첨부된 도4 내지 도6을 참조하여 설명하면 다음과 같다.An operation description of the rotary polishing apparatus 1 for a wafer according to an embodiment of the present invention having such a configuration will be described below with reference to FIGS. 4 to 6.

먼저 도4에서 보는 바와 같이 이송로봇(20)이 카세트(10)에 적재된 가공대상 웨이퍼(W)를 인출하고 센터로봇(40)에 인출한 웨이퍼(W)를 전달한다.First, as shown in FIG. 4, the transfer robot 20 draws out the processing target wafer W loaded on the cassette 10 and transfers the wafer W drawn to the center robot 40.

이후 도5에서 보는 바와 같이 웨이퍼(W)를 전달받은 센터로봇(40)은 회전하여 회전암(42)이 그라인딩부(31)의 작업영역에 위치하고, 그라인딩부(31)의 작업영역에 웨이퍼(W)를 안착시킨 후 역회전하여 센터로봇(40)의 회전암(42)이 그라인딩부(31)와 카세트(10) 사이로 이동함으로써 그라인딩부(31)의 작업영역으로부터 이탈된다.Then, as shown in FIG. 5, the center robot 40 receiving the wafer W is rotated so that the rotary arm 42 is positioned in the working area of the grinding part 31, and the wafer (in the working area of the grinding part 31). After seating W), the rotating arm 42 of the center robot 40 is moved between the grinding part 31 and the cassette 10 to move away from the working area of the grinding part 31.

다음, 그라인딩부(31)의 작업이 완료되면, 센터로봇(40)이 역회전하여 그라인딩부(31)와 제1 래핑부(31a)사이에 위치한 회전암(42)이 그라인딩부(31)에 안착된 웨이퍼(W)를 흡착한 후 다시 회전하여 다음 공정인 제1 래핑부(32a)의 작업영역으로 웨이퍼(W)를 이송시킨다.Next, when the operation of the grinding unit 31 is completed, the center robot 40 is rotated in reverse to rotate the rotary arm 42 located between the grinding unit 31 and the first wrapping unit 31a to the grinding unit 31. After adsorbing the seated wafer W, the wafer W is rotated again to transfer the wafer W to the work area of the first lapping part 32a.

이와 같은 동작을 반복하여 제1 래핑부(32a)에서 1차 래핑작업이 완료되면 센터로봇(40)이 웨이퍼(W)를 제2 래핑부(32b)로 이송시킨 후 웨이퍼(W)를 2차 래핑한다.When the first wrapping operation is completed in the first wrapping portion 32a by repeating the above operation, the center robot 40 transfers the wafer W to the second wrapping portion 32b and then transfers the wafer W to the second wrapping portion 32b. Wrap it.

이후 2차 래핑된 웨이퍼(W)를 폴리싱부(33)로 이송하여 폴리싱공정을 수행한다.Thereafter, the secondary wrapped wafer W is transferred to the polishing unit 33 to perform a polishing process.

다음, 도6에서 보는 바와 같이 폴리싱공정까지 완료된 웨이퍼(W)는 센터로봇(40)에서 이송로봇(20)으로 전달되고, 이송로봇(20)으로 전달된 웨이퍼(W)는 세정부(70)로 이송되어 연마공정간 오염된 이물질을 세척하고, 이를 건조하여 연마공정을 완료한다.Next, as shown in FIG. 6, the wafer W completed until the polishing process is transferred from the center robot 40 to the transfer robot 20, and the wafer W transferred to the transfer robot 20 is the cleaning unit 70. After cleaning the contaminated foreign matter is transferred to the polishing process, and dried to complete the polishing process.

본 실시예에서 설명한 웨이퍼용 회전식 연마장치(1)의 동작설명은 설명의 이 해를 돕기 위해 각 공정이 단계적으로 이루어지는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 웨이퍼용 회전식 연마장치(1)는 앞서 설명한 동작이 연속적으로 이루어지는 것이다.The operation description of the wafer rotary polishing apparatus 1 described in the present embodiment has been described in that each step is performed step by step in order to help the understanding of the description, the wafer rotary polishing apparatus 1 of the present invention has been described above. It is done continuously.

즉, 카세트(10)로부터 이송로봇(20)에 의해 가공대상 웨이퍼(W)가 센터로봇(40)에 전달된 후 전달된 웨이퍼(W)가 그라인딩부(31)로 이송되는 경우 센터로봇(40)의 다른 회전암(42)은 그라인딩부(31)에 위치한 웨이퍼(W)를 흡착하고, 다음공정인 제1 래핑부(32a)로 이송시킴과 아울러 제1 래핑부(32a)에 위치한 웨이퍼(W)를 제2 래핑부(32b)로 이송시키고, 제2 래핑부(32b)에 위치한 웨이퍼(W)를 폴리싱부(33)로 이송시키며, 폴리싱부(33)에 위치한 웨이퍼(W)를 이송로봇(20)에 전달하여 세정부(70)로 이동되도록 하는 것으로서, 다수의 웨이퍼(W)의 연마공정이 연속적으로 이루어지게 된다.That is, when the wafer W to be processed is transferred from the cassette 10 to the center robot 40 by the transfer robot 20, the transferred wafer W is transferred to the grinding unit 31. The other rotary arm 42 of the) adsorbs the wafer W positioned on the grinding portion 31, transfers the wafer W to the first wrapping portion 32a, which is the next process, and the wafer placed on the first wrapping portion 32a. W) is transferred to the second wrapping portion 32b, the wafer W positioned on the second wrapping portion 32b is transferred to the polishing portion 33, and the wafer W positioned on the polishing portion 33 is transferred. As the transfer to the robot 20 to be moved to the cleaning unit 70, the polishing process of the plurality of wafers (W) is made continuously.

이와 같이 본 발명은 다수의 연마부(30)가 동심원상으로 설치되고, 센터로봇(40)을 회전하여 웨이퍼의 후면연마 공정을 수행하기 위해 웨이퍼(W)를 연속적으로 이동시킴으로써 작업시간이 현저하게 단축될 뿐 아니라 각 부를 하나의 장치로 설치하여 연마장치의 크기를 최소화하여 요구되는 설치면적이 현저하게 줄일 수 있는 특징이 있다.As described above, in the present invention, a plurality of polishing units 30 are installed concentrically and the work time is remarkably increased by continuously moving the wafer W to rotate the center robot 40 to perform the back polishing process of the wafer. In addition to being shortened, each part is installed in one device, thereby minimizing the size of the polishing device, thereby significantly reducing the required installation area.

비록 본 발명이 상기 언급된 바람직한 실시예와 관련하여 설명되어졌지만, 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정이나 변형을 하는 것이 가능하다. 따라서 첨부된 특허청구의 범위는 본 발명의 요지에서 속하는 이러한 수정이 나 변형을 포함할 것이다.Although the present invention has been described in connection with the above-mentioned preferred embodiments, it is possible to make various modifications or variations without departing from the spirit and scope of the invention. Accordingly, the appended claims will include such modifications and variations as fall within the spirit of the invention.

도1은 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼용 회전식 연마장치의 사시도,1 is a perspective view of a rotary polishing apparatus for a wafer according to an embodiment of the present invention;

도2는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼용 회전식 연마장치의 평면도,2 is a plan view of a rotary polishing apparatus for a wafer according to an embodiment of the present invention;

도3은 본 발명의 일실시예에 따른 센터로봇과, 회전부 및 상하이동수단의 사시도,3 is a perspective view of a center robot, a rotating unit, and a moving unit according to an embodiment of the present invention;

도4는 본 발명의 일실시예에 따른 이송로봇으로부터 센터로봇이 웨이퍼를 전달받고 회전하는 동작을 도시한 도면, 4 is a view showing an operation in which a center robot receives and rotates a wafer from a transport robot according to an embodiment of the present invention;

도5는 본 발명의 일실시예에 따른 센터로봇이 전달받은 웨이퍼를 연마부의 각 부에 안착시키는 동작을 도시한 도면, 5 is a view showing an operation of seating the wafer received by the center robot according to an embodiment of the present invention to each part of the polishing unit;

도6은 본 발명의 일실시예에 따른 센터로봇으로부터 폴리싱공정이 완료된 웨이퍼를 이송로봇에서 전달받아 세정부로 이송하는 동작을 도시한 도면.6 is a view showing an operation of transferring a wafer, which has been polished from a center robot, from a transfer robot to a cleaning unit according to an embodiment of the present invention;

<주요도면부호에 관한 설명> <Description of main drawing code>

1 : 웨이퍼용 회전식 연마장치 10 : 카세트1: Rotary Polishing Device for Wafer 10: Cassette

20 : 이송로봇 21 : 본체20: transfer robot 21: main body

22 : 이송암 30 : 연마부22: transfer arm 30: grinding unit

31 : 그라인딩부 32 : 래핑부31: grinding part 32: lapping part

32a : 제1 래핑부 32b : 제2 래핑부32a: first wrapping portion 32b: second wrapping portion

33 : 폴리싱부 40 : 센터로봇33: polishing unit 40: center robot

41 : 회전플레이트 42 : 회전암41: rotating plate 42: rotating arm

43 : 그립수단 50 : 회전부43: grip means 50: rotating part

60 : 상하이동수단 70 : 세정부60: Shanghai East means 70: washing unit

Claims

At least one cassette (CASSETTE) on which the wafer to be processed and the processed wafer are loaded;

A transfer robot installed near the cassette and configured to load a wafer to be processed or loaded into the cassette into a cassette;

A plurality of polishing portions which polish the rear surface of the wafer drawn out from the transfer robot and are installed on a concentric circle in the vicinity of the transfer robot;

A rotating plate rotatably installed at the center of the concentric circle, a rotating arm extending outwardly from one side of the rotating plate corresponding to the plurality of grinding parts, and a seating area of the wafer of the grinding part among the rotating arms; A grip means for gripping a wafer formed at a position and positioned in the polishing part, and when rotating, a center robot for simultaneously moving the wafers respectively positioned in the plurality of polishing parts to the next process while receiving a wafer to be processed from the transfer robot; and;

A rotating unit coupled to the center of the center robot and providing rotational force to the center robot; And

Is coupled to one side of the center robot, the rotating polishing device for a wafer comprising a shangdong means for moving the center robot.

The method of claim 1,

The plurality of polishing parts

A grinding unit for polishing a rear surface of the wafer drawn out from the transfer robot;

A wrapping portion for regrinding the back surface of the wafer polished by the grinding portion; And

And a polishing unit for applying the polishing liquid to the back surface of the wafer precisely polished by the lapping unit to finally polish the back surface of the wafer.

The method of claim 2,

The wrapping portion

A first lapping part which firstly polishes the back surface of the wafer to be processed; And

And a second lapping portion for second-precision polishing the rear surface of the wafer moved from the first lapping portion.

The method of claim 1,

And the gripping means vacuum-adsorbs the wafer.

The method of claim 2,

The wafer is installed in the vicinity of the transfer robot, the final polishing is completed by the polishing unit is moved and loaded by the center robot and the transfer robot, further comprising a cleaning unit for cleaning and drying the loaded wafer Rotary polishing machine for wafers.