KR101061425B1 - Ｘ-선을 이용한 명시야 촬영 방법 - Google Patents

Ｘ-선을 이용한 명시야 촬영 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101061425B1
KR101061425B1 KR1020087031398A KR20087031398A KR101061425B1 KR 101061425 B1 KR101061425 B1 KR 101061425B1 KR 1020087031398 A KR1020087031398 A KR 1020087031398A KR 20087031398 A KR20087031398 A KR 20087031398A KR 101061425 B1 KR101061425 B1 KR 101061425B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sample
ray
monochromatic
reflection
bright field
Prior art date
Application number
KR1020087031398A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090032044A (ko
Inventor
제정호
이재목
Original Assignee
포항공과대학교 산학협력단
학교법인 포항공과대학교
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 포항공과대학교 산학협력단, 학교법인 포항공과대학교 filed Critical 포항공과대학교 산학협력단
Publication of KR20090032044A publication Critical patent/KR20090032044A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101061425B1 publication Critical patent/KR101061425B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
    • G01N23/06—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption
    • G01N23/18—Investigating the presence of flaws defects or foreign matter
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/20083—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials by using a combination of at least two measurements at least one being a transmission measurement and one a scatter measurement
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
    • G01N23/06—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption
    • G01N23/083—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption the radiation being X-rays
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/10—Different kinds of radiation or particles
    • G01N2223/1003—Different kinds of radiation or particles monochromatic
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/40—Imaging
    • G01N2223/413—Imaging sensor array [CCD]
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/60—Specific applications or type of materials
    • G01N2223/646—Specific applications or type of materials flaws, defects

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

X-선을 이용하여 샘플내 구조적 불균등성 뿐만 아니라 격자 결함을 나타내는 명시야 촬영 방법으로서, 라우에 투과 지오메트리에서 홀더상에 샘플을 배치하고 브라그 회절에서 단일 반사가 되도록 상기 샘플을 설정하는 단계; 상기 샘플상에 단색 X-선 빔을 조사하는 단계;및 상기 샘플에 의한 상기 단색 X-선 조사 빔의 투과 방사선 촬상 영상 및 반전된 회절 영상을 각각 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 X-선을 이용한 명시야 촬영 방법이 제공된다.
X-선, 명시야, 구조, 격자, 결함

Description

Ｘ-선을 이용한 명시야 촬영 방법{A METHOD OF BRIGHT-FIELD IMAGING USING X-RAYS}
본 발명은 X-선을 이용하여 결정 물질을 명시야 촬영하는 방법에 관한 것이다.
명시야(BF) 영상은 투과 전자 현미경(TEM)분야에서 잘 알려져 있다: 산란되지 않은 전자들에 의해 야기되는 영상들은 전적으로 비정질 샘플에서의 질량-두께 변화에 기인하지만 결정 샘플에서의 회절 콘트라스트(diffraction contrast)를 포함할 수 있다. 이에 반하여, 회절-야기 정보(diffraction-created information) 및 표준 방사선 촬상 정보(standard radiographic information)를 지니는 X-선 영상은 지금까지 얻어진바 없다.
결정 물질의 종래 X-선 촬영에서, 영상 콘트라스트(image contrast)는 기본적으로 변형-효과(strain-effect) 또는 상 기울기(phase gradient) 어느 하나에 기인한다. 변형 콘트라스트(strain contrast)는, 일반적으로 X-선 토포그래피에 의한 회절 빔에서 측정가능하며, 국소적인 격자 변위를 나타낸다. 상 기울기(phase gradient)는 상 물체에 기인하여 투과 빔을 가로질러 발생하며(Cloetens, 1996), 상-콘트라스트(phase contrast) 방사선 사용에 의한 구조적 불균등 성(inhomogeneity)을 측정하는 것을 가능하게 한다(Wilkins, 1996;Hwu, 1999).
하지만, 전자(electron)와는 현저히 다르게, 지금까지 X-선 촬영은 하나의 영상으로부터 변형 콘트라스트 및 상 기울기를 동시에 획득하는 데 성공한 바 없다.
따라서, 본 발명의 주된 목적은 결정 물질내 격자 결함 및 구조적 불균등성을 단 시간내에 높은 정밀도로 동시에 조사하는 것을 가능하게 하는 새로운 기법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 X-선을 이용하여 샘플내 구조적 불균등성 뿐만 아니라 격자 결함을 나타내는 명시야 촬영 방법으로서,
라우에 투과 지오메트리에서 홀더상에 샘플을 배치하고 브라그 회절에서 단일 반사가 되도록 상기 샘플을 설정하는 단계;
상기 샘플상에 단색 X-선 빔을 조사하는 단계;및
상기 샘플에 의한 상기 단색 X-선 조사 빔의 투과 방사선 촬상 영상 및 반전된 회절 영상을 각각 얻는 단계를 포함하는 X-선을 이용한 명시야 촬영 방법을 제공한다.
바람직하게는, 상기 샘플의 상기 단일 반사는 다음에 의해 주어진 두개의 조건: 강한 세기 반사 및 완전 평면 반사를 만족한다.
바람직하게는, 상기 완전 평면 반사는 평면
Figure 112008088768155-pct00001
에 대한 것이다.
바람직하게는, 상기 샘플은 단결정 물질이다.
바람직하게는, 상기 단결정 물질은 SiC 웨이퍼이다.
바람직하게는, 상기 샘플상의 단색 X-선 빔의 조사는 상기 단색 X-선의 빔의 에너지를 변화시키거나 상기 샘플을 흔들면서 수행된다.
바람직하게는 상기 단색 X-선 빔의 상기 에너지의 상기 변화는 -0.2keV 내지 0.2keV 범위내이다.
바람직하게는, 상기 단색 X-선 빔은 Si
Figure 112008088768155-pct00002
이중-바운스 단색화장치에 의해 준비된다.
바람직하게는, 상기 단색 X-선 빔은 평행하다.
바람직하게는, 상기 영상들은 섬광결정을 통해 상기 단색 X-선 투과 빔을 가시 광으로 변환함으로써 얻어진다.
바람직하게는, 상기 섬광 결정은 CdWO4이다.
바람직하게는, 상기 격자 결함은 상기 샘플내 전위(dislocation), 모자익시티(mosaicity), 그레인바운더리(grainboundary) 및 격자 평면 굽음(lattic plane bending)을 포함한다.
바람직하게는, 상기 구조적 불균등성은 상기 샘플내 그레인(grain), 에지(edge), 보이드(void), 중공관(hollow tube) 및 리본형 결함(ribbon type of defects)을 포함한다.
바람직하게는, 상기 단색 X-선 빔은 13.65keV의 에너지를 갖고 상기 샘플 표면의 법선과 17°의 각도를 이룬다.
본 발명은 평행 단색 X-선을 이용하는 것에 근거하여, 상세하게는 구조적 불균등성 뿐만아니라 격자 결함을 나타내는 두 종류의 정보를 갖는 명시야 TEM 이미지에 유사한 방사선 영상을 얻을 수 있다. 본 발명에 따르면, 결정 물질에서 격자 결함 및 구조적 불균등성을 단 시간내에 높은 정밀도로 동시에 조사하는 것을 가능하게 하는 새로운 기법이 제공된다.
다음의 첨부도면 및 본 발명의 실시예를 설명함으로써 위에서 설명한 본 발명의 양상 및 특징들은 보다 분명해질 것이다:
도 1은 본 발명의 하나의 바람직한 실시예에 따른 BF X-선 촬영 장치의 개략도인데, X-선 빔이 왼쪽에서 입사하고 Si
Figure 112008088768155-pct00003
결정에 의해 단색화된다. 이 빔은 라우에 투과 지오메트리에서 상기 샘플상에 입사한다. 이 빔은 샘플을 투과하고 또한 샘플에 의하여 회절된다. 투과된 빔은 렌즈-결합 고-해상도 CCD 카메라 시스템 상의 영상으로 검출된다.
도 2는 브라그 회절에 기인한 투과(BF) 및 회절(DF) 빔 사이의 콘트라스트 반전의 개략적 설명도이다.
도 3(a)는 상기 최적 조건(E=13.65keV, θ=17°)하 BF 이미징의 예를 나타내고;삽입도의 라우에 패턴은 강한 반사를 설명한다.
도 3(b)는 동일한 반사의 상보적 DF 영상이다.
도 4(a)는 마이크로파이프(검정 화살표) 주변
Figure 112008088768155-pct00004
격자 평면의 변위 를 나타내는 다른 광자 에너지 E에 대한 BF 영상들이다. 도 4(b)-4(d)는 풀-코어(full core)를 갖는 마이크로파이프, 격자 평면 굽음 및 그레인바운더리와 관련된 격자 뒤틀림을 나타내는 BF이미지들이다.
Advanced Photon Source, USA의 XOR 2-BM 빔라인에서 실험을 수행하였다.
에너지 조정가능한 단색 X-선 빔이 Si
Figure 112008088768155-pct00005
이중 바운스 단색화 장치에 의해 제공된다.
렌즈-결합 고-해상도 CCD 카메라 시스템이 빔 강도를 촬영하는데 이용되었다. CdWO4 섬광 결정으로 X-선을 가시광으로 변환하고 그 다음 상기 가시광을 0.65㎜ 유효 픽셀 해상도에 이르는 20× 대물렌즈를 통하여 1k x 1k CCD 칩에 집속하여 고-해상도 투과 영상들(Koch, 1998)이 얻어진다.
Figure 112008088768155-pct00006
4H-SiC 웨이퍼의 샘플들(0.3-0.45㎜ 두께, 30㎜ 직경)이 승화법에 의해 성장된 다른 결정들로부터 준비된다.
CCD 검출 시스템이 샘플로부터 200㎜ 떨어진 곳에 놓여져 투과 영상에서 방사선 촬상 상-콘트라스트를 얻는다.
회절 빔을 검출함으로써, 또한 암시야(DF) TEM 영상들의 등가물을 얻는다; 이 경우에, CCD 시스템은 샘플로부터 5㎜ 떨어진 곳에 놓여져 공간 해상도를 높인다.
원리적으로, 임의의 샘플 위치 각도 및 X-선 광자 에너지 E가 투과(BF) 영상 들에서 회절 효과를 만들 수 있다. 실제로, 오직 다음 두개의 조건: (1) 강한 세기를 갖는 단일 반사, 및 (2) 완전 평면(웨이퍼 표면에 수직) 반사를 채택한 후에 투과(BF) 영상들에서 회절 효과를 검출할 수 있었다. 이론적인 시뮬레이션 및 경험적인 테스트를 통해, SiC에서 BF 촬영에 대한 최적 반사로서
Figure 112008088768155-pct00007
평면을 선택하였다.
도 3(a)에서의 검정 화살표는 웨이퍼 두께를 관통하는 마이크로파이프(중공관 초전위)를 가리킨다. 상 콘트라스트에 의한 경계 강화는 이러한 매우 작은 특징들을 (직경 0.1~1㎜) 뚜렷하게 볼 수 있게 만든다.
흰 화살표에 의해 표시된 추가적인 특징들은 대신 그 특징들이 어둡기 때문에(회절-야기 세기 손실) 회절에 의해서 설명되고 E에 따라 급격히 변한다. 이러한 해석은 도 3(b)에서의 동일한 반사의 DF 영상에 의해 정당화된다. BF 회절 특징들 및 DF 특징들의 대응 및 상보적 콘트라스트가 명백히 보여진다. 따라서, 심지어 DF 촬영 없이도, BF 방사선 영상들이 격자 뒤틀림을 연구하는데 이용될 수 있다. 이러한 접근법은, 상관관계들이 다른 방향들을 갖는 회절 X-선들의 중복 및/또는 분리에 의해 교란될 수 있는 회절(DF) 영상과는 현저히 다르게, 샘플과 영상 사이의 일-대-일 상관관계를 허락한다.
본 발명의 BF 이미징에 대한 사전 테스트를 수행하여 다른 종류의 격자 결함을 확인하였다. 도 4(a)는 마이크로파이프 주변의
Figure 112008088768155-pct00008
격자 평면의 공간 분포를 나타내는 어두운 부분들의 E-의존성을 나타낸다. 이러한 접근법은 변형 장 크 기, 버저 벡터 사인, 중공-코어 사이즈 등의 마이크로 파이프 형성 동안의 국소적인 전위들의 양상들을 정량적으로 연구하는 것이 가능하다. 도 4(b)는 방사선 촬상 콘트라스트를 갖지 않는 따라서 풀-코어 마이크로파이프에 기인한 암-콘트라스트(dark contrast) 부분들을 나타낸다. 도 4(c)에서 긴 암 콘트라스트 부분(굽은 윤곽)은 격자 평면 굽음의 존재를 나타내고, 그의 E-의존성은 굽음의 유형 및 방향을 추정하는데 이용될 수 있다. 도 4(d)에서의 직교하는 망상 조직은 아마 결정 성장동안 큰 격자 평면 굽음에 의해 야기된 그레인 바운더리를 나타낸다.
이상에서 설명된 성공적인 결과들을 따라, 본 발명은 마이크로파이프 또는 보이드 등의 구조적 불균등성 및 변형 장, 모자이서티 또는 그레인 바운더리에 기인한 국소적 격자 비틀림을 동시에 연구하는 다양한 결정 시스템들에 적용될 수 있다.

Claims (14)

  1. X-선을 이용하여 샘플내 구조적 불균등성 뿐만 아니라 격자 결함을 나타내는 명시야 촬영 방법으로서,
    라우에 투과 지오메트리에서 홀더상에 샘플을 배치하고 브라그 회절에서 단일 반사가 되도록 상기 샘플을 설정하는 단계;
    상기 샘플상에 단색 X-선 빔을 조사하는 단계;및
    상기 샘플에 의한 상기 단색 X-선 조사 빔의 투과 방사선 촬상 영상 및 반전된 회절 영상을 각각 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 X-선을 이용한 명시야 촬영 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 샘플의 상기 단일 반사는 다음에 의해 주어진 두개의 조건: 강한 세기 반사 및 완전 평면 반사를 만족하는 것을 특징으로 하는 X-선을 이용한 명시야 촬영 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 완전 평면 반사는 평면
    Figure 112008088768155-pct00009
    에 대한 것을 특징으로 하는 X-선을 이용한 명시야 촬영 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 샘플은 단결정 물질인 것을 특징으로 하는 X-선을 이용한 명시야 촬영 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 단결정 물질은 SiC 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 X-선을 이용한 명시야 촬영 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 샘플상의 상기 단색 X-선 빔의 조사는 상기 단색 X-선의 빔의 에너지를 변화시키거나 상기 샘플을 흔들면서 수행되는 것을 특징으로 하는 X-선을 이용한 명시야 촬영 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 단색 X-선 빔의 상기 에너지의 상기 변화는 -0.2keV 내지 0.2keV 범위내인 것을 특징으로 하는 X-선을 이용한 명시야 촬영 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 단색 X-선 빔은 Si
    Figure 112008088768155-pct00010
    이중-바운스 단색화장치에 의해 준비되는 것을 특징으로 하는 X-선을 이용한 명시야 촬영 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 단색 X-선 빔은 평행한 것을 특징으로 하는 X-선을 이용한 명시야 촬영 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 영상들은 섬광결정을 통해 상기 단색 X-선 투과 빔을 가시광으로 변환함으로써 얻어지는 것을 특징으로 하는 X-선을 이용한 명시야 촬영 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 섬광 결정은 CdWO4인 것을 특징으로 하는 X-선을 이용한 명시야 촬영 방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 격자 결함은 상기 샘플내 전위(dislocation), 모자익시티(mosaicity), 그레인바운더리(grainboundary) 및 격자 평면 굽음(lattic plane bending)을 포함하는 것을 특징으로 하는 X-선을 이용한 명시야 촬영 방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 구조적 불균등성은 상기 샘플내 그레인(grain), 에지(edge), 보이드(void), 중공관(hollow tube) 및 리본형 결함(ribbon type of defects)을 포함하는 것을 특징으로 하는 X-선을 이용한 명시야 촬영 방법.
  14. 제1항에 있어서, 상기 단색 X-선 빔은 13.65keV의 에너지를 갖고 상기 샘플 표면의 법선과 17°의 각도를 이루는 것을 특징으로 하는 X-선을 이용한 명시야 촬영 방법.
KR1020087031398A 2006-07-12 2006-07-12 Ｘ-선을 이용한 명시야 촬영 방법 KR101061425B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/KR2006/002735 WO2008007817A1 (en) 2006-07-12 2006-07-12 A method of bright-field imaging using x-rays

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090032044A KR20090032044A (ko) 2009-03-31
KR101061425B1 true KR101061425B1 (ko) 2011-09-01

Family

ID=38923370

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087031398A KR101061425B1 (ko) 2006-07-12 2006-07-12 Ｘ-선을 이용한 명시야 촬영 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7903785B2 (ko)
KR (1) KR101061425B1 (ko)
WO (1) WO2008007817A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DK201070324A (en) * 2010-07-09 2012-01-10 Univ Danmarks Tekniske An X-ray diffraction contrast tomography (DCT) system, and an X-ray diffraction contrast tomography (DCT) method
CN104737005B (zh) * 2012-10-18 2017-09-29 卡尔蔡司X射线显微镜公司 具有晶粒取向映射功能的实验室x射线微断层扫描系统
GB201906037D0 (en) 2019-04-30 2019-06-12 Univ Sheffield Non-destructive detection of surface and near surface abnormalities in a metallic product

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000193609A (ja) 1998-12-24 2000-07-14 Hamamatsu Photonics Kk 放射線断層撮影装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5016267A (en) * 1986-08-15 1991-05-14 Commonwealth Scientific And Industrial Research Instrumentation for conditioning X-ray or neutron beams
JP2535675B2 (ja) 1990-06-28 1996-09-18 株式会社東芝 全反射蛍光ｘ線分析装置
WO1995005725A1 (en) 1993-08-16 1995-02-23 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Improved x-ray optics, especially for phase contrast imaging

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000193609A (ja) 1998-12-24 2000-07-14 Hamamatsu Photonics Kk 放射線断層撮影装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008007817A1 (en) 2008-01-17
US20090290681A1 (en) 2009-11-26
US7903785B2 (en) 2011-03-08
KR20090032044A (ko) 2009-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Plancher et al. On the accuracy of elastic strain field measurements by Laue microdiffraction and high-resolution EBSD: A cross-validation experiment
EP3011321B1 (en) Coded-aperture x-ray imaging
Ishiji et al. Development of white and monochromatic X‐ray topography system in SAGA‐LS
Stoupin et al. Sequential x-ray diffraction topography at 1-BM x-ray optics testing beamline at the advanced photon source
KR101061425B1 (ko) Ｘ-선을 이용한 명시야 촬영 방법
JP3834652B2 (ja) Ｘ線回折顕微鏡装置およびｘ線回折顕微鏡装置によるｘ線回折測定方法
Becker et al. Simultaneous X-ray radiography and diffraction topography imaging applied to silicon for defect analysis during melting and crystallization
Danilewsky et al. White beam synchrotron topography using a high resolution digital X-ray imaging detector
US7620149B2 (en) Characterization of three-dimensional distribution of defects by X-ray topography
JP2007192716A (ja) 光散乱観察装置
Yang et al. Rocking curve imaging for diamond radiator crystal selection
Bauch et al. Innovative Analysis of X‐ray Microdiffraction Images on Selected Applications of the Kossel Technique
JP2007240510A (ja) Ｘ線トポグラフィー測定装置、および、ｘ線トポグラフィー測定方法
JP2017015468A (ja) Ｘ線回折装置
Beitra et al. Confocal microscope alignment of nanocrystals for coherent diffraction imaging
Yao et al. Domain boundaries in ScAlMgO4 single crystal observed by synchrotron radiation x-ray topography and reticulography
US7144457B1 (en) Methods and devices for analyzing crystalline content of precipitates and crystals without isolation
JP7320250B2 (ja) 結晶欠陥観察装置及び結晶欠陥観察方法
US20060259245A1 (en) Digital X-ray Camera for Quality Evaluation Three-Dimensional Topographic Reconstruction of Single Crystals of Biological Macromolecules
Riedl et al. Reliability of high‐resolution electron backscatter diffraction determination of strain and rotation variations using phase‐only and cross correlation
Camarda et al. CdZnTe room-temperature semiconductor gamma-ray detector for national-security applications
Ohsumi et al. Development of a microarea diffraction system by polychromatic synchrotron radiation with the Laue method
Stoupin et al. Projection x-ray topography system at 1-BM x-ray optics test beamline at the advanced photon source
Hoszowska et al. Characterization of high-quality synthetic diamond crystals by um-resolved x-ray diffractometry and topography
US20050074092A1 (en) Digital x-ray camera for quality evaluation three-dimensional topographic reconstruction of single crystals

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140612

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150609

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee