KR101055116B1 - Ｒｆ 신호처리회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 정전기에 대한 보호기능을 향상시킨 RF 신호처리장치를 제공한다.본 발명은 안테나를 통해 입력된 RF 신호를 전달하기 위한 RF 신호입력부; 상기 RF 신호입력부를 통해 전달된 신호를 증폭하기 위한 RF 신호증폭부; 상기 RF 신호증폭부에 구동전류를 제공하기 위한 전원제공부; 및 상기 안테나를 통해 RF 신호입력부로 전달되는 정전기 전류를 상기 전원제공부로 방전하기 위한 정전기 방전부를 포함하는 RF 신호처리회로를 제공한다.
RF 신호, 캐패시터, 정전기, 배선.

Description

ＲＦ 신호처리회로{RF SIGNAL PROCESSING CIRCUIT}
본 발명은 RF 신호처리회로에 관한 것으로, 보다 자세하게는 정전기 보호 기능을 강화한 RF 신호처리회로에 관한 것이다.
무선통신 기술이 발달하면서, 음성신호와 영상신호를 멀리 떨어진 곳으로 전송하고, 이를 수신할 수 있게 되었다. 음성신호와 영상신호를 전송하는 경우에는 RF 신호라고 하는 통신 주파수가 수백Mhz에서 수Ghz의 신호를 이용한다. 송신장비에서 음성신호와 영상신호를 RF 신호와 결합시키고, 수신장비에서는 RF 신호와 음성신호 및 영상신호를 분리시킨다. 이때 결합시키는 것을 모듈레이션이라고 하고 분리시키는 것을 디모듈레이션이라고 한다.
한편, 대전(帶電)된 인체나 기계에 전자기기가 접촉하면, 인체나 기계에 대전되어 있던 정전기가 전자기기가의 외부 핀을 통해 패드(Pad)를 거쳐 전자기기로 방전되면서 큰 에너지를 가진 과도 전류파가 전자기기의 내부에 큰 손상을 가할 수 있다. 혹은 전자기기에 대전되어 있던 정전기가 기계의 접촉으로 인해 기계로 흘러 나오면서 전자기기의 회로에 손상을 입히기도 한다.
본 발명은 정전기에 대한 보호기능을 향상시킨 RF 신호처리장치를 제공한다.
본 발명은 안테나를 통해 입력된 RF 신호를 전달하기 위한 RF 신호입력부; 상기 RF 신호입력부를 통해 전달된 신호를 증폭하기 위한 RF 신호증폭부; 상기 RF 신호증폭부에 구동전류를 제공하기 위한 전원제공부; 및 상기 안테나를 통해 RF 신호입력부로 전달되는 정전기 전류를 상기 전원제공부로 방전하기 위한 정전기 방전부를 포함하는 RF 신호처리회로를 제공한다.
또한, 상기 정전기 방전부는 상기 RF 신호입력부와 상기 RF 신호증폭부의 연결부에서 상기 전원제공부를 연결하는 배선을 포함한다.
또한, 상기 정전기 방전부는 상기 RF 신호입력부와 상기 RF 신호증폭부의 사이의 캐패시터를 더 포함한다.
또한, 상기 RF 신호입력부는 상기 안테나를 통해 입력되는 RF 신호가 입력되는 입력단과 접지전압 공급단 사이에 배치된 다이오드를 포함한다.
또한, 상기 다이오드는 캐소드단이 상기 안테나를 통해 입력되는 RF 신호가 입력되는 입력단에 연결된 제1 다이오드와 캐소드단이 상기 접지전압 공급단에 접속된 제2 다이오드를 포함한다.
또한, 상기 RF 신호입력부는 상기 안테나를 통해 입력되는 RF 신호가 입력되 는 입력단과 접지전압 공급단 사이에 직렬연결된 캐패시터, 인덕터를 포함한다.
또한, 상기 RF 신호입력부는 상기 안테나를 통해 입력되는 RF 신호가 입력되는 입력단과 상기 RF 신호증폭부 사이에 병렬연결된 캐패시터와 인턱터를 포함한다.
또한, 상기 RF 신호증폭부는 바이폴러 트랜지스터를 포함한다.
또한 상기 RF 신호증폭부는 상기 바이폴러 트랜지스터의 에미터단 접지전압 공급단 사이에 직렬연결된 제1 저항 및 캐패시터; 상기 바이폴러 트랜지스터의 에미터단 접지전압 공급단 사이에 각각 배치되며, 상기 저항과 병렬연결된 캐패시터와 제2 저항을 포함하는 RF 신호처리회로.
또한, 상기 전원제공부는 상기 바이폴라 트랜지스터의 베이스단에 일측이 각각 연결된 캐패시터와 제1 저항; 상기 캐패시터 및 상기 제1 저항의 타측과 상기 상기 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터단 사이에 배치된 제2 저항; 및 구동전압을 상기 제2 저항으로 전해주기 위한 인턱터를 포함하는 RF 신호처리회로를 제공한다.
상기 정전기 방전부는 상기 RF 신호입력부와 상기 캐패시터 및 제1 저항의 타측을 연결하는 배선을 포함한다.
본 발명에 의해서 RF 신호처리장치의 정전기 보호 특성이 향상되어, 보다 신뢰성있게 RF 신호처리장치에서 RF 신호를 처리할 수 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도1은 본 발명을 설명하기 위한 RF 신호처리회로를 나타내는 회로도이다.
도1을 참조하여 살펴보면, RF 신호처리회로는 RF 신호입력부(10), RF 신호증폭부(30), 및 전원제공부(20)를 포함한다.
RF 신호입력부(10)는 일측이 안테나와 연결된 캐패시터(C1)와, 캐패시터(C1)의 타측에 일측이 접속된 캐패시터(C2)와, 캐패시터의 타측과 접지전원 공급부를 연결하는 인덕터(L1)와, 캐패시터(C1)의 타측에 일측이 접속된 다이오드(D1)와, 캐패시터(C1)의 타측에 일측이 접속된 다이오드(D2)와, 캐패시터(C1)의 타측에 각각 일측이 접속되며, 병렬로 연결된 캐패시터(C3) 및 인턱터(L2)와, 캐패시터(C3) 및 인턱터(L2)의 공통 타측에 접속된 캐패시터(C4)를 포함한다.
RF 신호증폭부(30)는 베이스단이 캐패시터(C4)의 타측에 접속된 바이폴라 트랜지스터(TR)과, 바이폴라 트랜지스터(TR)의 에미터단에 일측이 접속된 저항(R3)과 저항(R3)의 타측과 접지전압 공급단 사이에 배치된 캐패시터(C6)와, 바이폴라 트랜지스터(TR)의 에미터단에 일측이 접속된 캐패시터(C7)와, 바이폴라 트랜지스터(TR)의 에미터단에 일측이 접속된 저항(R4)와, 바이폴라 트랜지스터(TR)의 콜렉터단에 일측이 연결된 캐패시터(C5)를 포함한다. 캐패시터(C5)의 타측으로는 증폭된 신호(RF OUT)가 출력된다.
전원제공부(20)는 구동전원(5V)이 공급되는 공급단과 접지전압 사이에 배치된 캐패시터(C9)와, 일측이 구동전원(5V)이 공급되는 공급단에 접속되고 타측은 바이폴라 트랜지스터(TR)의 콜렉터단에 접속된 인턱터(L3)와, 인턱터(L3)의 타측에 일측이 접속된 저항(R2)과, 저항(R2)의 타측에 일측이 각각 접속된 캐패시터(C5)와 저항(R1)를 포함한다.
RF 신호입력부(10)는 입력되는 신호를 예정된 범위내에서 필터링하여 RF 신호증폭부(30)로 전달한다. RF 신호증폭부(30)는 RF 신호입력부(10)에서 출력되는 신호를 증폭하여 증폭된 신호(RF OUT)를 출력한다. 전원제공부(20)는 제공된 전원(5V)을 RF 신호증폭부(30)로 전달한다.
RF 신호처리회로에서 정전기 테스트란 안테나(ANT)에 정전기 혹은 낙뢰가 가해졌을 때에 튜너가 얼마만큼의 내성을 가지고 있는 지를 알아보기 위한 테스트이다. 튜너의 단품으로 테스트할 때는 안테나(ANT)에 보통 +15kV, -15kV를 가한후 튜너 성능에 문제가 없어야 한다.
튜너를 정전기로부터 보호하기 위해 도1의 회로도상의 다이오드(D1,D2)와 같이 스위칭 다이오드를 추가하여 개선을 한다. 정전기 테스트시에 +15kV를 가했을 경우에 다이오드(D2)가 도통되어 접지전압 공급단으로 정전기가 전류가 흐른다. 정전기 테스트시 -15kV를 가했을 경우 다이오드(D1)가 도통되어 정전기 전류가 접지전압 공급단으로 흐르게 된다.
그러나, +15kV, -15kV 이상이 가해졌을 때에는 스위칭 다이오드(D1,D2)가 파손되어 쇼트된다. 따라서 입력된 RF 신호의 레벨이 떨여져 튜너의 성능이 저하된 다. 일반적으로 스위칭 다이오드(D1,D2)는 +15kV, -15kV 이상이 되면 파손이 된다. 스위칭 다이오드가 파손되지 않더라도 바이폴라 트랜지스터(TR)가 파손되어 출력 게인이 다운되어 RF 신호처리회로의 성능이 악화된다. 최근에는 +20kV, -20kV 이상의 정전기 신호가 발생하더라도 RF 신호처리회로가 정상적으로 견뎌내고 동작하기를 요구받고 있다. 본 발명을 정전기 성능을 더 향상된 RF 신호처리회로를 제공한다.
도2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 RF 신호처리회로를 나타내는 회로도이다. 여기서 도1과 같은 역할을 하는 소자의 도면보호는 같은 것으로 표시하였다.
도2를 참조하여 살펴보면, 본 실시예에 따른 RF 신호처리회로는 RF 신호입력부(100), 전원제공부(200), RF 신호증폭부(300), 정전기 방전부(400)를 포함한다.
RF 신호입력부(100)는 일측이 안테나와 연결된 캐패시터(C1)와, 캐패시터(C1)의 타측에 일측이 접속된 캐패시터(C2)와, 캐패시터의 타측과 접지전원 공급부를 연결하는 인덕터(L1)와, 캐패시터(C1)의 타측에 일측이 접속된 다이오드(D1)와, 캐패시터(C1)의 타측에 일측이 접속된 다이오드(D2)와, 캐패시터(C1)의 타측에 각각 일측이 접속되며, 병렬로 연결된 캐패시터(C3) 및 인턱터(L2)와, 캐패시터(C3) 및 인턱터(L2)의 공통 타측에 접속된 캐패시터(C4)를 포함한다.
RF 신호증폭부(300)는 베이스단이 캐패시터(C8)의 타측에 접속된 바이폴라 트랜지스터(TR)과, 바이폴라 트랜지스터(TR)의 에미터단에 일측이 접속된 저항(R3)과 저항(R3)의 타측과 접지전압 공급단 사이에 배치된 캐패시터(C6)와, 바이폴라 트랜지스터(TR)의 에미터단에 일측이 접속된 캐패시터(C7)와, 바이폴라 트랜지스터(TR)의 에미터단에 일측이 접속된 저항(R4)와, 바이폴라 트랜지스터(TR)의 콜렉터단에 일측이 연결된 캐패시터(C5)를 포함한다. 캐패시터(C5)의 타측으로는 증폭된 신호(RF OUT)가 출력된다.
전원제공부(200)는 구동전원(5V)이 공급되는 공급단과 접지전압 사이에 배치된 캐패시터(C9)와, 일측이 구동전원(5V)이 공급되는 공급단에 접속되고 타측은 바이폴라 트랜지스터(TR)의 콜렉터단에 접속된 인턱터(L3)와, 인턱터(L3)의 타측에 일측이 접속된 저항(R2)과, 저항(R2)의 타측에 일측이 각각 접속된 캐패시터(C5)와 저항(R1)를 포함한다.
정전기 방전부(400)는 캐패시터(C4)의 타측과 저항(R1)의 일측 사이를 연결하기 위한 배선(A)과 캐패시터(C4)의 타측과 바이폴라 트랜지스터(TR)의 베이트단자 사이에 배치된 캐패시터(C8)를 포함한다.
본 실시예에 따른 RF 신호처리회로는 정전기 배선(A)을 캐패시터(C4)와 저항(R2) 사이를 연결해줌으로서, 정전기가 안테나를 통해 인가되었을 때에 정전기 배선(A)를 통해 정전기 전류가 흐르도록 되어 있다. 그러므로, 본 실시예에 따른 RF 신호처리회로는 정전기 신호가 안테나(ANT)를 통해 인가되었더라도 정전기 배선(A)로 정전기 전류가 흐르게 되어, 바이폴라 트랜지스터(TR)이 파괴되지 않는다. 이와 같이 RF 신호처리회로를 구성하면, +20kV, -20kV 이상의 정전기 신호가 발생하더라도 RF 신호처리회로가 정상적으로 견뎌내고 동작할 수 있다.
이상에서 대표적인 실시예를 통하여 본 발명에 대하여 상세하게 설명하였으 나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상술한 실시예에 대하여 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변형이 가능함을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
도1은 본 발명을 설명하기 위한 RF 신호처리회로를 나타내는 회로도.
도2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 RF 신호처리회로를 나타내는 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
A: 정전기 배선

Claims (11)

  1. 안테나를 통해 입력된 RF 신호를 전달하기 위한 RF 신호입력부;
    상기 RF 신호입력부를 통해 전달된 신호를 증폭하기 위한 RF 신호증폭부;
    상기 RF 신호증폭부에 구동전류를 제공하기 위한 전원제공부; 및
    상기 안테나를 통해 RF 신호입력부로 전달되는 정전기 전류를 상기 전원제공부로 방전하기 위한 정전기 방전부;를 포함하며,
    상기 정전기 방전부는,
    상기 RF 신호입력부와 상기 RF 신호증폭부의 연결부에서 상기 전원제공부를 연결하는 배선; 및
    상기 RF 신호입력부와 상기 RF 신호증폭부의 사이의 캐패시터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 신호처리회로.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 RF 신호입력부는
    상기 안테나를 통해 입력되는 RF 신호가 입력되는 입력단과 접지전압 공급단 사이에 배치된 다이오드를 포함하는 RF 신호처리회로.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 다이오드는
    캐소드단이 상기 안테나를 통해 입력되는 RF 신호가 입력되는 입력단에 연결된 제1 다이오드와 캐소드단이 상기 접지전압 공급단에 접속된 제2 다이오드를 포함하는 RF 신호처리회로.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 RF 신호입력부는
    상기 안테나를 통해 입력되는 RF 신호가 입력되는 입력단과 접지전압 공급단 사이에 직렬연결된 캐패시터와 인덕터를 포함하는 RF 신호처리회로.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 RF 신호입력부는
    상기 안테나를 통해 입력되는 RF 신호가 입력되는 입력단과 상기 RF 신호증폭부 사이에 병렬연결된 캐패시터와 인턱터를 포함하는 RF 신호처리회로.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 RF 신호증폭부는 바이폴러 트랜지스터를 포함하는 RF 신호처리회로.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 RF 신호증폭부는
    상기 바이폴러 트랜지스터의 에미터단 접지전압 공급단 사이에 직렬연결된 제1 저항 및 캐패시터;
    상기 바이폴러 트랜지스터의 에미터단 접지전압 공급단 사이에 각각 배치되며, 상기 제1 저항과 병렬연결된 캐패시터와 제2 저항을 포함하는 RF 신호처리회로.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 전원제공부는
    상기 바이폴러 트랜지스터의 베이스단에 일측이 각각 연결된 캐패시터와 제1 저항;
    상기 캐패시터 및 상기 제1 저항의 타측과 상기 바이폴러 트랜지스터의 콜렉터단 사이에 배치된 제2 저항; 및
    구동전압을 상기 제2 저항으로 전해주기 위한 인턱터를 포함하는 RF 신호처리회로.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 정전기 방전부는
    상기 RF 신호입력부와 상기 캐패시터 및 제1 저항의 타측을 연결하는 배선을 포함하는 RF 신호처리회로.
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