KR101049736B1 - 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조 및 그의 제조방법 - Google Patents
초전 적외선 감지센서의 어레이 구조 및 그의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101049736B1 KR101049736B1 KR1020090052148A KR20090052148A KR101049736B1 KR 101049736 B1 KR101049736 B1 KR 101049736B1 KR 1020090052148 A KR1020090052148 A KR 1020090052148A KR 20090052148 A KR20090052148 A KR 20090052148A KR 101049736 B1 KR101049736 B1 KR 101049736B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- infrared
- polling
- upper electrode
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 55
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 22
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 11
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 claims 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/12—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
- G01J5/14—Electrical features thereof
- G01J5/16—Arrangements with respect to the cold junction; Compensating influence of ambient temperature or other variables
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/0242—Control or determination of height or angle information of sensors or receivers; Goniophotometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/10—Arrangements of light sources specially adapted for spectrometry or colorimetry
- G01J3/108—Arrangements of light sources specially adapted for spectrometry or colorimetry for measurement in the infrared range
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
본 발명은 강유전체의 분극률을 높이기 위한 폴링공정을 단순화시켜 공정시간을 감소시키고, 이를 통해 수율 특성을 개선시킬 수 있는 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조 및 그의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 복수 개의 단위 감지센서와, 상기 단위 감지센서들 각각의 제1 폴링전극을 공통으로 연결하는 제1 폴링라인과, 상기 단위 감지센서들 각각의 제2 폴링전극을 공통으로 연결하는 제2 폴링라인을 포함하는 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조를 제공한다.
감지센서, 초전, 적외선, 어레이, 반사층, 흡수층, 강유전체
Description
본 발명은 적외선 감지센서에 관한 것으로서, 특히, 폴링(polling) 공정을 개선시킬 수 있는 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 초전 적외선 감지센서는 강유전체가 갖는 초전효과를 이용한 센서로서, 초전효과란 온도변화에 따라 강유전체의 자발분극이 변하게 되어 강유전체의 표면전하가 변화하는 현상을 말하며, 이 표면에 발생된 전하를 이용하는 센서를 말한다.
도 1은 종래기술에 따른 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조를 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조에서 한 개의 단위 감지센서를 도시한 평면도이며, 도 3은 도 2에 도시된 단위 감지센서의 사시 도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 종래기술에 따른 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조는 서로 나란한 방향으로 병렬 배치된 복수 개의 단위 감지센서(US0~US8)를 포함한다. 단위 감지센서들(US0~US8) 각각은 감지센서의 노이즈(noise)를 제거하기 위한 적외선 반사층(reflecting layer)(10)과 적외선 흡수층(absorbing layer)(20)을 포함한다.
적외선 반사층(10)은 하부전극(12), 강유전체층(14) 및 상부전극(16)이 순차적으로 적층된 구조로 형성된다. 적외선 흡수층(20)은 적외선 반사층(10)과 마찬가지로 하부전극(22), 강유전체층(24) 및 상부전극(26)이 순차적으로 적층된 구조로 형성된다.
적외선 반사층(10)의 하부전극(12)은 동일 계층에 형성된 하부배선(42)을 통해 적외선 흡수층(20)의 하부전극(22)과 연결된다. 적외선 반사층(10)의 상부전극은 동일 계층에 형성된 상부배선(32)을 통해 적외선 흡수층(20)의 상부전극(26)과 연결된다.
적외선 반사층(10)과 적외선 흡수층(20)의 상부전극(16, 26)은 상부배선(32)과 동일 계층에 형성된 제1 폴링전극(30)과 연결된다. 제1 폴링전극(30)은 평면상에서 단위 감지센서의 좌우측 종단부에 하나씩 총 2개가 형성되며 상부배선(32)을 통해 상부전극(16, 26)과 각각 연결된다. 적외선 반사층(10)의 하부전극(12)과 적외선 흡수층(20)의 하부전극(22)을 연결하는 하부배선(42)은 제2 폴링전극(40)으로 기능한다.
그러나, 이러한 구조를 갖는 종래기술에 따른 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조에서는 단위 감지센서들(US0~US8) 각각의 제1 및 제2 폴링전극들(30, 40)이 서로 물리적으로 분리되어 배치되기 때문에 강유전체층(14, 24)의 분극률을 증가시키기 위한 폴링공정시 각 단위 감지센서마다 폴링공정을 수행해야 한다. 이로 인해 폴링공정이 복잡할 뿐만 아니라 공정시간이 많이 소요되어 수율 특성이 저하되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 폴링공정을 단순화시켜 공정시간을 감소시키고, 이를 통해 수율 특성을 개선시킬 수 있는 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조 및 그의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 일 측면에 따른 본 발명은 복수 개의 단위 감지센서와, 상기 단위 감지센서들 각각의 제1 폴링전극을 공통으로 연결하는 제1 폴링라인과, 상기 단위 감지센서들 각각의 제2 폴링전극을 공통으로 연결하는 제2 폴링라인을 포함하는 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조를 제공한다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위한 다른 측면에 따른 본 발명은 복수 개의 단위 감지센서와, 상기 단위 감지센서들 각각의 제1 폴링전극을 공통으로 연결하는 제1 폴링라인과, 상기 단위 감지센서들 각각의 제2 폴링전극을 공통으로 연결하는 제2 폴링라인을 포함하는 초전 적외선 감지센서의 어레이를 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2 폴링라인을 이용하여 동시에 상기 단위 감지센서들에 대해 폴링공정을 수행하는 단계를 포함하는 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 각 단위 감지센서의 제1 폴링전극들을 제1 폴링라인을 통해 공통으로 연결하고, 제2 폴링전극들을 제2 폴링라인을 통해 공통으로 연결함으로써 폴링공정시 어레이 내에 공통으로 연결된 제1 및 제2 폴링라인을 통해 한번에 어레이 내의 모든 단위 감지센서에 대한 폴링공정을 수행할 수 있어 폴링공정을 단순화시킬 수 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 도면부호(또는, 참조부호)로 표기된 부분은 동일 요소를 나타낸다.
실시예
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조를 도시한 평면도이고, 도 5는 도 4에 도시된 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조에서 한 개의 단위 감지센서를 도시한 평면도이며, 도 6은 도 5에 도시된 단위 감지센서의 사시도이며, 도 7은 폴링공정 전, 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조를 도시한 평면도이다.
도 4 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 초전 적외선 감지센서 의 어레이 구조는 복수 개의 단위 감지센서(US0~US8)와, 단위 감지센서들(US0~US8) 각각의 제1 폴링전극(130)을 공통으로 연결하는 제1 폴링라인(170)과, 단위 감지센서들(US0~US8) 각각의 제2 폴링전극(140)을 공통으로 연결하는 제2 폴링라인(180)을 포함한다.
단위 감지센서들(US0~US8) 각각은 적외선 반사층(110)과, 적외선 흡수층(120)을 포함한다. 또한, 적외선 반사층(110)의 상부전극(116)과 적외선 흡수층(120)의 상부전극(126)과 연결된 제1 폴링전극(130)과, 적외선 반사층(110)의 하부전극(112)과 적외선 흡수층(120)의 하부전극(122)과 연결된 제2 폴링전극(140)을 포함한다.
적외선 반사층(110)과 적외선 흡수층(120)은 동일 구조로 형성된다. 적외선 반사층(110)은 하부전극(112)과, 하부전극(112) 상에 형성된 강유전체층(114)과, 강유전체층(114) 상에 형성된 상부전극(116)을 포함한다. 적외선 흡수층(120)은 하부전극(122)과, 하부전극(122) 상에 형성된 강유전체층(124)과, 강유전체층(124) 상에 형성된 상부전극(126)을 포함한다.
하부전극(112, 122)은 도전성 물질로 형성한다. 예를 들어, 하부전극(112, 122)은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 로듐(Rh) 또는 오스뮴(Os)으로 이루어진 귀금속 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함하거나, 상기 귀금속 그룹에서 선택된 어느 하나와 구리(Cu) 또는 아연(Zn)이 합금(alloy)된 합금막 중 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게는 백금(Pt)을 포함한다.
강유전체층(114, 124)은 초전 적외선 감지센서의 특성을 결정하는 가장 중요한 요소이다. 강유전체층으로 사용되는 초전재료로는 기본적으로 강유전성을 갖고 있어야 하며, 초전계수가 작아야 하고, 유전상수와 유전손실이 작아야 하며, 체적 열용량이 작은 재료를 사용해야 한다. 예를 들어, 강유전체층(114, 124)은 PZT[Pb(Zr,Ti)O3] 계열, 상기 PZT에 란탄(La)이 도핑된 PLZT 계열, LiTaO3 계열 또는 (Sr,Ba)Nb2O6 계열로 이루어진 강유전체 계열 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 저유전율을 위해, 란탄(La)뿐만 아니라 PZT를 기본으로 하고 여기에 SrTiO3, Nb2O5 또는 Fe2O3 등을 첨가하여 큐리 온도 및 초전 전류값을 변화시킬 수도 있다.
상부전극(116, 126)은 적외선을 받아들이는 수광전극으로서, 적외선을 잘 받아들일 수 있도록 적절히 처리되어 있다. 예컨대, 상부전극(116, 126)으로는 금(Au) 블랙(black), 백금(Pt) 블랙, 탄소(C) 블랙, NiCr, AuCr 등을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 귀금속(noble metal black)을 사용한다. 이들은 증발건조(evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering)과 같은 방식으로 제조할 수 있다. 또한, 상부전극(116, 126)은 금(Au)을 형성한 후, 이 금(Au) 상에 다공질의 금(Au) 블랙, 탄소(C) 블랙 또는 백금(Pt) 블랙과 같은 블랙 물질이 코팅된 적층구조로 형성할 수 있다.
도 6과 같이 적외선 반사층(110)의 하부전극(112)과 적외선 흡수층(120)의 하부전극(122)은 동일 계층에 형성된 하부배선(142)을 통해 서로 연결된다. 이때, 하부배선(142)과 하부전극(112, 122)은 동일 물질을 이용하여 일체형으로 형성될 수 있다. 또한, 적외선 반사층(110)의 상부전극(116)과 적외선 흡수층(120)의 상부전극(126)은 동일 계층에 형성된 상부배선(132)을 통해 서로 연결된다. 이때, 상부배선(132)과 상부전극(116, 126)은 동일 물질을 이용하여 일체형으로 형성될 수 있다. 여기서, 동일 계층이라 함은 웨이퍼(기판)을 기준으로 동일한 높이에 형성되는 층을 의미한다.
도 5와 같이 단위 감지센서들 각각은 적외선 반사층(110)의 상부전극(116)과 연결된 제1 전극(150)과, 적외선 흡수층(120)의 상부전극(126)과 연결된 제2 전극(160)을 더 포함한다. 이때, 제1 및 제2 전극(150, 160)은 초전 적외선 감지센서의 어레이가 형성된 웨이퍼를 다이(die) 형태로 절단하는 다이싱(dicing) 공정 전, 즉 폴링공정까지는 서로 연결되어 있다가 다이싱 공정 후 서로 물리적, 전기적으로 분리된다.
본 발명의 실시예에 따른 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조의 제조방법에 대해 설명한다.
먼저, 도 4 내지 도 7에 도시된 구조를 갖는 초전 적외선 감지센서의 어레이를 형성한다. 초전 적외선 감지센서의 어레이의 각 구성요소의 제조방법은 널리 알려진 일반적인 방법으로 제조할 수 있으며, 다만 식각공정시 마스크 패턴을 변형시켜 도 4 내지 도 7과 같은 구조를 갖는 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조를 제조한다.
본 발명의 실시예에 따른 제조방법에서는 일례로 웨이퍼 상에 하부 도전물 질, 강유전체 및 상부 도전물질을 순차적으로 형성한 후, 반응성 이온 식각(Reactive Ion Etching, RIE) 방식 또는 플라즈마(plasma) 식각공정을 이용하여 상기 상부 도전물질, 상기 강유전체 및 상기 하부 도전물질을 순차적으로 식각한다. 그런 다음, 적외선 반사층(110)과 적외선 흡수층(120) 사이의 상기 상부 도전물질과 상기 강유전체를 선택적으로 식각하여 상기 하부 도전물질을 선택적으로 노출시킨다. 따라서, 적외선 반사층(110)과 적외선 흡수층(120)은 하부전극(112, 122)들만이 서로 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 하부 도전물질은 하부전극(112, 122)을 형성하기 위한 물질이고, 상기 강유전체는 강유전체층(114, 124)을 형성하기 위한 물질이며, 상기 상부 도전물질은 상부전극(116, 126)을 형성하기 위한 물질이다.
이와 같이 증착공정과 식각공정을 포함하는 제조공정을 통해 도 4 내지 도 7과 같은 구조를 갖는 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조를 제조한다. 그런 다음, 웨이퍼의 스크라입 라인(scripe line)(190, 도 7참조) 상에 형성된 제1 및 제2 폴링라인(170, 180)을 이용하여 폴링공정을 수행한다. 여기서, 스크라입 라인(190)은 다이싱 공정시 절단되는 영역이다. 폴링공정은 제1 및 제2 폴링라인(170, 180)을 통해 각 단위 감지센서의 제1 및 제2 폴링전극(130, 140)으로 일정 전압을 인가하여 각 단위 감지센서의 강유전체층(114, 124)의 분극률을 증가시키는 공정으로서, 본 발명의 실시예에서는 제1 및 제2 폴링라인(170, 180)에 한번의 폴링전압을 인가하는 것만으로도 어레이 내에 포함된 모든 단위 감지센서에 대한 폴링공정이 완료될 수 있다.
폴링공정이 완료된 후 다이싱 공정을 수행한다. 다이싱 공정은 전술한 바와 같이 웨이퍼의 스크라입 라인(190)을 따라 절단하는 작업이다. 다이싱 공정이 완료되면, 도 7에서 스크라입 라인(190) 상에 존재하는 제1 및 제2 폴링라인(170, 180)은 모두 절단되어 제거된다. 이 과정에서 스크라입 라인(190) 상으로 연장된 상부배선(132)과 하부배선(142) 또한 절단된다. 이에 따라, 도 7에서는 제1 폴링라인(170)을 통해 서로 연결된 제1 및 제2 전극(150, 160)은 도 4와 같이 서로 분리된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 기술적 사상은 바람직한 실시예에서 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에서는 9개의 단위 감지센서가 하나의 어레이를 구성하는 것으로 설명되어 있으나, 어레이를 구성하는 단위 감지센서의 개수는 제한을 두지 않는다. 또한, 이 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예들이 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 종래기술에 따른 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조를 도시한 평면도.
도 2는 도 1에 도시된 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조에서 한 개의 단위 감지센서를 도시한 평면도.
도 3은 도 2에 도시된 단위 감지센서의 사시도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조를 도시한 평면도.
도 5는 도 4에 도시된 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조에서 한 개의 단위 감지센서를 도시한 평면도.
도 6은 도 5에 도시된 단위 감지센서의 사시도.
도 7은 폴링공정 전 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조를 도시한 평면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
US0~US8 : 단위 감지센서
10, 110 : 반사층
20, 120 : 흡수층
30, 130 : 제1 폴링전극
40, 140 : 제2 폴링전극
32, 132 : 상부배선
42, 142 : 하부배선
12, 22, 112, 122 : 하부전극
14, 24, 114, 124 : 강유전체층
16, 26, 116, 126 : 상부전극
150 : 제1 전극
160 : 제2 전극
170 : 제1 폴링라인
180 : 제2 폴링라인
190 : 스크라입 라인
Claims (24)
- 삭제
- 복수 개의 단위 감지센서;상기 단위 감지센서들 각각의 제1 폴링전극을 공통으로 연결하는 제1 폴링라인; 및상기 단위 감지센서들 각각의 제2 폴링전극을 공통으로 연결하는 제2 폴링라인을 포함하고,상기 단위 감지센서들 각각은,적외선 반사층;적외선 흡수층;상기 적외선 반사층의 상부전극과 상기 적외선 흡수층의 상부전극과 연결된 상기 제1 폴링전극; 및상기 적외선 반사층의 하부전극과 상기 적외선 흡수층의 하부전극과 연결된 상기 제2 폴링전극을 포함하는 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조.
- 제 2 항에 있어서,상기 적외선 반사층은,하부전극;상기 하부전극 상에 형성된 강유전체층; 및상기 강유전체층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조.
- 제 2 항에 있어서,상기 적외선 흡수층은,하부전극;상기 하부전극 상에 형성된 강유전체층; 및상기 강유전체층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조.
- 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 하부전극은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 로듐(Rh) 또는 오스뮴(Os)으로 이루어진 귀금속 그룹에서 선택된 어느 하 나를 포함하거나, 상기 귀금속 그룹에서 선택된 어느 하나와 구리(Cu) 또는 아연(Zn)이 합금된 합금막 중 선택된 어느 하나를 포함하는 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조.
- 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 강유전체층은 PZT[Pb(Zr,Ti)O3], 상기 PZT에 란탄(La)이 도핑된 PLZT, LiTaO3 또는 (Sr,Ba)Nb2O6으로 이루어진 강유전체 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함하는 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조.
- 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 상부전극은 금(Au) 상에 다공질의 금(Au) 블랙(black), 탄소(C) 블랙 또는 백금(Pt) 블랙과 같은 블랙 물질이 코팅된 적층구조를 포함하는 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조.
- 제 2 항에 있어서,상기 적외선 반사층의 하부전극과 상기 적외선 흡수층의 하부전극은 동일 계 층에 형성된 하부배선을 통해 서로 연결된 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조.
- 제 2 항에 있어서,상기 적외선 반사층의 상부전극과 상기 적외선 흡수층의 상부전극은 동일 계층에 형성된 상부배선을 통해 서로 연결된 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조.
- 제 2 항에 있어서,상기 적외선 반사층의 상부전극과 상기 적외선 흡수층의 상부전극은 서로 분리된 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조.
- 제 2 항에 있어서,상기 단위 감지센서들 각각은,상기 적외선 반사층의 상부전극과 연결된 제1 전극; 및상기 적외선 흡수층의 상부전극과 연결된 제2 전극을 더 포함하는 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조.
- 제 11 항에 있어서,상기 제2 전극은 상기 제1 폴링전극과 연결된 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조.
- 삭제
- 복수 개의 단위 감지센서와, 상기 단위 감지센서들 각각의 제1 폴링전극을 공통으로 연결하는 제1 폴링라인과, 상기 단위 감지센서들 각각의 제2 폴링전극을 공통으로 연결하는 제2 폴링라인을 포함하는 초전 적외선 감지센서의 어레이를 형성하는 단계; 및상기 제1 및 제2 폴링라인을 이용하여 동시에 상기 단위 감지센서들에 대해 폴링공정을 수행하는 단계를 포함하고,상기 단위 감지센서들 각각은,적외선 반사층;적외선 흡수층;상기 적외선 반사층의 상부전극과 상기 적외선 흡수층의 상부전극과 연결된 상기 제1 폴링전극; 및상기 적외선 반사층의 하부전극과 상기 적외선 흡수층의 하부전극과 연결된 상기 제2 폴링전극을 포함하는 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조의 제조방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 적외선 반사층은,하부전극;상기 하부전극 상에 형성된 강유전체층; 및상기 강유전체층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조의 제조방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 적외선 흡수층은,하부전극;상기 하부전극 상에 형성된 강유전체층; 및상기 강유전체층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조의 제조방법.
- 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 하부전극은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 로듐(Rh) 또는 오스뮴(Os)으로 이루어진 귀금속 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함하거나, 상기 귀금속 그룹에서 선택된 어느 하나와 구리(Cu) 또는 아연(Zn)이 합금된 합금막 중 선택된 어느 하나를 포함하는 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조의 제조방법.
- 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 강유전체층은 PZT[Pb(Zr,Ti)O3], 상기 PZT에 란탄(La)이 도핑된 PLZT, LiTaO3 또는 (Sr,Ba)Nb2O6으로 이루어진 강유전체 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함하는 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조의 제조방법.
- 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 상부전극은 금(Au) 상에 다공질의 금(Au) 블랙(black), 탄소(C) 블랙 또는 백금(Pt) 블랙과 같은 블랙 물질이 코팅된 적층구조를 포함하는 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조의 제조방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 적외선 반사층의 하부전극과 상기 적외선 흡수층의 하부전극은 동일 계층에 형성된 하부배선을 통해 서로 연결된 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조의 제조방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 단위 감지센서들에 대해 폴링공정을 수행하는 단계에서는 상기 적외선 반사층의 상부전극과 상기 적외선 흡수층의 상부전극이 동일 계층에 형성된 상부배선을 통해 서로 연결된 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조의 제조방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 단위 감지센서들에 대해 폴링공정을 수행하는 단계 후, 상기 제1 및 제2 폴링라인을 절단하여 상기 단위 감지센서들의 제1 및 제2 폴링전극들을 서로 분리시키는 다이싱 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조의 제조방법.
- 제 22 항에 있어서,상기 다이싱 공정을 수행하는 단계 후, 상기 적외선 반사층의 상부전극과 상기 적외선 흡수층의 상부전극은 서로 분리되는 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조의 제조방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 단위 감지센서들 각각은,상기 적외선 반사층의 상부전극과 연결된 제1 전극; 및상기 적외선 흡수층의 상부전극과 연결된 제2 전극을 더 포함하는 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조의 제조방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20090049565 | 2009-06-04 | ||
| KR1020090049565 | 2009-06-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100130930A KR20100130930A (ko) | 2010-12-14 |
| KR101049736B1 true KR101049736B1 (ko) | 2011-07-19 |
Family
ID=43507114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090052148A KR101049736B1 (ko) | 2009-06-04 | 2009-06-12 | 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조 및 그의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101049736B1 (ko) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5381067A (en) * | 1993-03-10 | 1995-01-10 | Hewlett-Packard Company | Electrical impedance normalization for an ultrasonic transducer array |
| KR100243357B1 (ko) * | 1997-09-30 | 2000-02-01 | 김춘호 | 적외선 센서 어레이 및 그 제조방법 |
| KR20000018269A (ko) * | 2000-01-29 | 2000-04-06 | 박호근 | 적층형 액추에이터 소자 및 그 제조 방법 |
-
2009
- 2009-06-12 KR KR1020090052148A patent/KR101049736B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5381067A (en) * | 1993-03-10 | 1995-01-10 | Hewlett-Packard Company | Electrical impedance normalization for an ultrasonic transducer array |
| KR100243357B1 (ko) * | 1997-09-30 | 2000-02-01 | 김춘호 | 적외선 센서 어레이 및 그 제조방법 |
| KR20000018269A (ko) * | 2000-01-29 | 2000-04-06 | 박호근 | 적층형 액추에이터 소자 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20100130930A (ko) | 2010-12-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2385486B1 (fr) | Transducteur de variation temporelle de température,puce électronique incorporant ce transducteur et procédé de fabrication de cette puce | |
| JP5344197B2 (ja) | 誘電体薄膜素子及びその製造方法 | |
| KR101104306B1 (ko) | 온도 및 다중 가스 감응 센서 어레이 및 이의 제조방법 | |
| US8030695B2 (en) | Structure and manufacturing method of semiconductor memory device | |
| US7405403B2 (en) | Bolometric detector, device for detecting infrared radiation using such a detector and method for producing this detector | |
| CN109983328B (zh) | 气体传感器和用于探测气体的方法 | |
| US10042487B2 (en) | Touch panels and methods of manufacturing touch panels | |
| EP1001469A2 (en) | Forming contacts on semiconductor substrates for radiation detectors and imaging devices | |
| JP2012064960A5 (ko) | ||
| US20130320481A1 (en) | High Density Pyroelectric Thin Film Infrared Sensor Array and Method of Manufacture Thereof | |
| KR100914026B1 (ko) | 압전 박막형 지문 센서 제조방법 | |
| KR101049736B1 (ko) | 초전 적외선 감지센서의 어레이 구조 및 그의 제조방법 | |
| US7868298B2 (en) | Radiation sensor element, method for producing a radiation sensor element and sensor field | |
| US20100072449A1 (en) | Rram with improved resistance transformation characteristic and method of making the same | |
| KR101745215B1 (ko) | 개선된 습도 센서 | |
| US6727113B2 (en) | Method for making pyroelectric sensors comprising a thin pyroelectric film requiring an electric polarization | |
| US9030018B2 (en) | Test vehicles for evaluating resistance of thin layers | |
| US20140041464A1 (en) | Sensor having an embedded electrode, and method for manufacturing same | |
| US5757000A (en) | Reduced stress focal plane array for thermal imaging system and method | |
| US20240077362A1 (en) | Bolometer and manufacturing method of temperature sensing unit | |
| KR20180031264A (ko) | 가스 센싱 모듈, 가스 센싱 장치 및 이의 제조 방법 | |
| US10949638B2 (en) | Manufacturing process of a pixel array of a thermal pattern sensor and associated sensor | |
| JP2005283482A (ja) | 湿度センサ素子の製造方法 | |
| US10418179B2 (en) | Multilayer thin-film capacitor | |
| JP2024129503A (ja) | サーミスタ素子及び電磁波センサの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |