KR101045101B1 - Method for fabricating super-hydrophilicity surface and metal substrate with the super-hydrophilicity surface by the same method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 금속 기재의 표면을 가공 처리하여 극친수성 표면을 제조하는 방법 및 이 방법에 의해 제조된 극친수성 표면을 가지는 금속 기재를 제공한다. 본 발명에 따른 극친수성 표면 가공 방법은, ⅰ) 금속 기재의 표면을 플라즈마 식각 처리하여 금속 기재의 표면에 마이크로 스케일의 미세 요철을 형성하고, ⅱ) 금속 기재의 표면을 양극 산화 처리하여 금속 기재의 표면에 나노 스케일의 미세 홀을 형성하는 단계들을 포함한다.The present invention provides a method for processing an surface of a metal substrate to produce an extremely hydrophilic surface and a metal substrate having an extremely hydrophilic surface produced by the method. In the method of processing a very hydrophilic surface according to the present invention, i) plasma-etch the surface of the metal substrate to form microscale fine irregularities on the surface of the metal substrate, and ii) the surface of the metal substrate by anodizing the surface of the metal substrate. Forming nanoscale micro holes on the surface.
금속, 표면 가공, 극친수성, 친수성, 플라즈마 식각, 마이크로 스케일, 양극 산화, 나노 스케일 Metal, Surface Finish, Extreme Hydrophilic, Hydrophilic, Plasma Etch, Micro-Scale, Anodized, Nano-Scale
Description
본 발명은 극친수성 표면 가공 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 금속 기재의 표면을 가공 처리하여 극친수성 표면을 제조하는 방법 및 이 방법에 의해 제조된 극친수성 표면을 가지는 금속 기재에 관한 것이다.The present invention relates to a method for processing an extremely hydrophilic surface, and more particularly, to a method for manufacturing an extremely hydrophilic surface by processing the surface of the metal substrate, and a metal substrate having an extremely hydrophilic surface produced by the method.
일반적으로 금속 기재의 표면은 고유의 표면 에너지를 가지고 있다. 이 표면 에너지는 임의의 액체가 금속 기재에 접촉할 때 금속 기재에 대한 액체의 접촉각으로 나타난다. 접촉각이 90°보다 작으면, 물방울은 그 형태를 잃고 금속 기재의 표면을 적시는 친수성(親水性, hydrophilicity)을 나타낸다. 반면, 접촉각이 90°보다 크면, 물방울은 구의 형상을 유지하면서 금속 기재의 표면을 적시지 않고 외부 힘에 따라 쉽게 흐르는 소수성(疏水性, hydrophobicity)을 나타낸다.Generally, the surface of a metal substrate has inherent surface energy. This surface energy appears as the contact angle of the liquid with respect to the metal substrate when any liquid contacts the metal substrate. If the contact angle is smaller than 90 °, the water droplets lose their shape and exhibit hydrophilicity, which wets the surface of the metal substrate. On the other hand, when the contact angle is greater than 90 °, the water droplets exhibit hydrophobicity that easily flows according to external forces without wetting the surface of the metal substrate while maintaining the shape of the sphere.
금속 기재의 표면이 가지는 고유의 접촉각은 표면 가공 처리를 통해 그 값이 변화할 수 있다. 즉, 접촉각이 90°보다 작은 친수성 표면은 표면 가공 처리를 통해 접촉각이 더욱 작아져 극친수성을 나타낼 수 있다. 극친수성 표면은 예를 들어 열 교환기의 핀(fin)에 적용될 수 있다. 이 경우, 핀의 표면에 생성되는 응축수의 흘러내림을 개선하여 열 교환기의 효율을 증대시킬 수 있다.The inherent contact angle of the surface of the metal substrate can be changed through surface treatment. That is, a hydrophilic surface having a contact angle of less than 90 ° may exhibit extremely hydrophilicity due to a smaller contact angle through surface treatment. The extremely hydrophilic surface can for example be applied to the fin of the heat exchanger. In this case, it is possible to improve the efficiency of the heat exchanger by improving the flow of condensate generated on the surface of the fin.
특정 용도를 위해 금속 기재 표면의 접촉각을 변화시키는 기술로 멤스(MEMS; Micro Electro Mechanical Systems) 공정이 알려져 있다. 멤스 공정은 반도체 제조 기술을 응용한 것으로서, 멤스 공정을 이용하여 금속 기재의 표면에 마이크로 스케일 또는 나노 스케일의 미세 요철을 형성할 수 있다. 이러한 멤스 공정은 반도체 기술을 기계공학적으로 응용한 첨단의 기술이지만, 고가의 공정이고, 대면적 가공 처리가 어려우며, 가공 처리 효과가 장기간 지속되지 못하는 한계를 안고 있다.Micro Electro Mechanical Systems (MEMS) processes are known as techniques for varying the contact angle of the surface of metal substrates for specific applications. MEMS process is an application of a semiconductor manufacturing technology, it is possible to form micro-scale or nano-scale fine irregularities on the surface of the metal substrate using the MEMS process. The MEMS process is a state-of-the-art technology in which the semiconductor technology is mechanically applied, but it is an expensive process, difficult to process a large area, and has a limitation in that the processing effect does not last long.
본 발명은 제조 공정을 단순화하고, 제조 비용을 절감시키며, 대량 및 대면적의 금속 기재를 용이하게 표면 가공 처리할 수 있는 극친수성 표면 가공 방법 및 이 방법에 의해 제조된 극친수성 표면을 가지는 금속 기재를 제공하고자 한다.The present invention provides an extremely hydrophilic surface processing method capable of simplifying a manufacturing process, reducing manufacturing costs, and easily surface-treating a large and large area metal substrate, and a metal substrate having an extremely hydrophilic surface produced by the method. To provide.
본 발명의 일 실시예에 따른 극친수성 표면 가공 방법은, ⅰ) 금속 기재의 표면을 플라즈마 식각 처리하여 금속 기재의 표면에 마이크로 스케일의 미세 요철을 형성하고, ⅱ) 금속 기재의 표면을 양극 산화 처리하여 금속 기재의 표면에 나노 스케일의 미세 홀을 형성하는 단계들을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, an extremely hydrophilic surface processing method includes: i) plasma etching a surface of a metal substrate to form microscale irregularities on the surface of the metal substrate, and ii) anodizing the surface of the metal substrate. To form nanoscale micro holes in the surface of the metal substrate.
플라즈마 식각은 유도 결합 플라즈마 식각 장치에서 수행될 수 있다. 플라즈 마 식각은 Ar과 Cl2 및 BCl3의 혼합 가스를 소스 가스로 사용할 수 있다. 플라즈마 식각은 100W 내지 500W의 범위에 속하는 전력과 30mTorr 이하의 압력으로 3분 내지 10분 동안 진행될 수 있다.Plasma etching may be performed in an inductively coupled plasma etching apparatus. Plasma etching may use a mixed gas of Ar, Cl 2 and BCl 3 as the source gas. Plasma etching may be performed for 3 to 10 minutes at a power in the range of 100W to 500W and a pressure of 30mTorr or less.
미세 홀은 20nm 내지 200nm의 범위에 속하는 직경과, 5 이상 50 이하의 범위에 속하는 종횡비를 가질 수 있다. 금속 기재는 알루미늄과 티타늄 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The fine holes may have a diameter in the range of 20 nm to 200 nm and an aspect ratio in the range of 5 or more and 50 or less. The metal substrate may include at least one of aluminum and titanium.
본 발명의 일 실시예에 따른 금속 기재는 전술한 방법으로 가공된 극친수성 표면을 가진다. 금속 기재는 알루미늄과 티타늄 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Metal substrates according to one embodiment of the present invention have an extremely hydrophilic surface processed by the method described above. The metal substrate may include at least one of aluminum and titanium.
본 발명에 의한 극친수성 표면 가공 방법에 따르면, 플라즈마 식각과 양극 산화 공정을 이용하므로 제조 공정을 단순화하고, 제조 비용을 절감시킬 수 있다. 또한, 대량 및 대면적의 금속 기재를 용이하게 표면 가공 처리할 수 있으며, 가공 처리 효과를 장기간 지속시킬 수 있다.According to the extremely hydrophilic surface processing method according to the present invention, plasma etching and anodizing process can be used to simplify the manufacturing process and reduce the manufacturing cost. In addition, large-scale and large-area metal substrates can be easily surface-treated, and the processing effect can be sustained for a long time.
그리고 본 발명에 의한 금속 기재는 마이크로 스케일의 미세 요철과 나노 스케일의 미세 홀을 함께 형성함에 따라, 마이크로 스케일과 나노 스케일이 혼합된 듀얼 스케일의 요철 구조에 의해 친수성을 증대시키며, 접촉각이 10° 이하인 극친수성 표면을 구현할 수 있다.In addition, the metal substrate according to the present invention increases the hydrophilicity by the dual-scale concavo-convex structure in which the micro-scale concavo-convex and nano-scale micro holes are formed together, and the contact angle is 10 ° or less. Extremely hydrophilic surfaces can be achieved.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속 하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 극친수성 표면 가공 방법을 나타낸 공정 순서도이다.1 is a process flow chart showing an extremely hydrophilic surface processing method according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참고하면, 본 실시예에 따른 극친수성 표면 가공 방법은, 플라즈마 식각으로 금속 기재의 표면에 마이크로 스케일의 미세 요철을 형성하는 제1 단계(S1)와, 양극 산화 처리로 금속 기재의 표면에 나노 스케일의 미세 홀을 형성하는 제2 단계(S2)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the method of processing an extremely hydrophilic surface according to the present embodiment may include a first step S1 of forming microscale irregularities on a surface of a metal substrate by plasma etching, and a surface of the metal substrate by anodizing. The second step (S2) to form a nano-scale micro holes in.
여기서, 마이크로 스케일은 1㎛ 이상 1000㎛ 미만의 범위에 속하는 크기를 의미하며, 나노 스케일은 1nm 이상 1000nm 미만의 범위에 속하는 크기를 의미한다. 본 실시예의 금속 기재는 전술한 마이크로 스케일의 미세 요철 및 나노 스케일의 미세 홀 형성에 의해 접촉각이 10° 이하인 극친수성 표면을 구현한다.Here, the micro scale means a size in the range of 1 μm or more and less than 1000 μm, and the nano scale means a size in the range of 1 nm or more and less than 1000 nm. The metal substrate of the present embodiment implements an extremely hydrophilic surface having a contact angle of 10 ° or less by the aforementioned micro scale irregularities and nano scale fine holes.
도 2는 플라즈마 식각 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view of a plasma etching apparatus.
도 2를 참고하면, 플라즈마 식각 장치로 유도 결합 플라즈마 식각 장치(Inductively Coupled Plasma Etcher)(100)를 적용할 수 있다. 유도 결합 플라즈마 식각 장치(100)는 공정 챔버(12)와, 공정 챔버(12)의 내부에 설치되는 기판 전극(14)과, 공정 챔버(12)의 외주면에 설치되는 방전 코일(16)과, 방전 코일(16)에 연결되는 제1 고주파 전원 소스(18)와, 기판 전극(14)에 연결되는 제2 고주파 전원 소스(20)를 포함한다. 식각 대상인 금속 기재(22)는 기판 전극(14) 위에 장착된다.Referring to FIG. 2, an inductively coupled
공정 챔버(12) 내부에 Ar과 Cl2 및 BCl3의 혼합물로 이루어진 소스 가스를 주입하고, 공정 챔버(12)의 내부를 30mTorr 이하의 압력으로 유지시키면서 제1 고주파 전원 소스(18)로부터 방전 코일(16)에 100W 내지 500W의 범위에 속하는 전력을 3분 내지 10분 동안 인가한다. 그러면 공정 챔버(12) 내부에 플라즈마가 생성되어 금속 기재(22)의 표면을 식각한다. 이 때, 선택적으로 제2 고주파 전원 소스(20)로부터 기판 전극(14)에 전력을 인가하여 금속 기재(22)에 도달하는 이온 에너지를 조절할 수 있다.Injecting a source gas consisting of a mixture of Ar, Cl 2 and BCl 3 into the
방전 코일(16)의 인가 전력과 공정 챔버(12) 내부의 압력 및 공정 시간이 전술한 조건을 만족하지 않으면, 마이크로 스케일의 미세 요철을 형성하기 어렵다. 플라즈마 식각이 적용될 수 있는 금속 기재(22)로는 알루미늄과 티타늄이 있다. 상기에서는 유도 결합 플라즈마 식각 장치를 이용한 플라즈마 식각 과정을 설명하였으나, 다른 종류의 플라즈마 식각 장치도 적용될 수 있다.If the applied power of the
도 3은 도 1의 제1 단계를 거친 금속 기재의 표면을 개략적으로 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view schematically illustrating a surface of the metal substrate that has passed through the first step of FIG. 1.
도 3을 참고하면, 금속 기재(22)의 표면에는 플라즈마 식각을 통해 마이크로 스케일의 미세 요철(24)이 형성된다. 미세 요철(24)의 크기, 즉 철부(241)의 높이나 요부(241)의 깊이 또는 철부(241) 사이의 간격 등은 소스 가스의 종류, 공정 챔버(12)의 압력, 방전 코일(16)에 인가되는 전력의 세기 및 식각 시간 등에 따라 달라질 수 있으며, 이들 값을 적절하게 조절하여 미세 요철(24)의 형상을 제어할 수 있다.Referring to FIG. 3, micro-scale
통상의 금속은 액체의 접촉각이 90°보다 작은 친수성 물질이다. 이러한 금속 기재(22)의 표면을 플라즈마 식각하여 마이크로 스케일의 미세 요철(24)을 형성하면, 접촉각이 작아지고 친수성이 강해지는 현상이 나타난다.Conventional metals are hydrophilic substances whose liquid contact angle is less than 90 degrees. When the surface of the
도 4는 플라즈마 식각 전 금속 기재의 표면을 나타낸 전자 현미경 사진이고, 도 5는 도 4에 나타낸 금속 기재의 표면에 물방울을 떨어뜨려 접촉각을 실험한 결과를 나타낸 사진이다. 도 4에 나타낸 금속 기재는 알루미늄이며, 대략 82°의 접촉각을 나타낸다. 이후 설명하는 사진들 모두에서 금속 기재는 알루미늄이다.4 is an electron micrograph showing the surface of the metal substrate before plasma etching, and FIG. 5 is a photograph showing the results of experiments on contact angles by dropping water droplets on the surface of the metal substrate shown in FIG. 4. The metal substrate shown in FIG. 4 is aluminum and exhibits a contact angle of approximately 82 °. In all the photographs described below, the metal substrate is aluminum.
도 6은 도 1의 제1 단계를 거친 금속 기재의 표면을 나타낸 전자 현미경 사진이고, 도 7은 도 6에 나타낸 금속 기재의 표면에 물방울을 떨어뜨려 접촉각을 실험한 결과를 나타낸 사진이다.6 is an electron micrograph showing the surface of the metal substrate subjected to the first step of FIG. 1, and FIG. 7 is a photograph showing the results of experiments of contact angles by dropping water droplets on the surface of the metal substrate shown in FIG.
도 6에 나타낸 금속 기재의 플라즈마 식각 조건은 다음과 같다.Plasma etching conditions of the metal substrate shown in FIG. 6 are as follows.
① 식각 장치: 유도 결합 플라즈마 식각 장치① Etching Device: Inductively Coupled Plasma Etching Device
② 방전 코일 인가 전력: 300W② discharge coil applied power: 300W
③ 공정 챔버의 압력: 15mTorr③ Pressure of process chamber: 15mTorr
④ 소스 가스: Ar(50sccm)과 Cl2(15sccm) 및 BCl3(40sccm)의 혼합물④ source gas: a mixture of Ar (50sccm) and Cl 2 (15sccm) and BCl 3 (40sccm)
⑤ 식각 시간: 10분⑤ Etching time: 10 minutes
도 6과 도 7을 참고하면, 금속 기재의 표면에는 플라즈마 식각에 의해 마이크로 스케일의 미세 요철이 형성되며, 플라즈마 식각이 완료된 금속 기재는 대략 58°의 접촉각을 나타낸다. 이 접촉각은 플라즈마 식각 전 관찰된 접촉각보다 작아진 수치로서, 플라즈마 식각에 의해 금속 기재의 친수성이 높아진 것을 확인할 수 있다.Referring to FIGS. 6 and 7, micro-scale irregularities are formed on the surface of the metal substrate by plasma etching, and the metal substrate on which plasma etching is completed has a contact angle of about 58 °. This contact angle is smaller than the contact angle observed before plasma etching, and it can be confirmed that the hydrophilicity of the metal substrate is increased by plasma etching.
이와 같이 플라즈마 식각을 통해 미세 요철을 형성함에 따라, 종래의 멤스(MEMS) 공정과 비교할 때 제조 공정을 단순화하고, 제조 비용을 낮출 수 있다. 또한, 대량 및 대면적의 금속 기재를 용이하게 표면 가공 처리할 수 있으며, 가공 처리 효과를 장기간 지속시킬 수 있다.As such, by forming the fine concavo-convex through plasma etching, compared to the conventional MEMS process, the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be lowered. In addition, large-scale and large-area metal substrates can be easily surface-treated, and the processing effect can be sustained for a long time.
도 8은 양극 산화 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.8 is a schematic cross-sectional view of the anodic oxidation apparatus.
도 8을 참고하면, 양극 산화 장치(200)는 냉각수가 순환하는 순환식 수조(26)와, 수조(26) 내부의 전해액을 일정한 속도로 교반하는 자석 교반기(28)를 포함한다. 수조(26) 내부의 전해액에 금속 기재(22)와 상대 전극(30)을 담그고, 금속 기재(22)와 상대 전극(30)에 각각 양극 전원과 음극 전원을 인가하여 양극 산화 공정을 실시한다. 전해액은 황산, 인산 및 옥살산 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상대 전극(30)은 백금(Pt)일 수 있다.Referring to FIG. 8, the
도 9는 도 1의 제2 단계를 거친 금속 기재의 표면을 개략적으로 나타낸 단면도이다.FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the surface of the metal substrate that has passed through the second step of FIG. 1.
도 9를 참고하면, 양극 산화 공정이 진행되면서 금속 기재(22)의 표면에는 산화막(21)이 형성되고, 산화막(21)에 나노 스케일의 미세 홀(32)이 형성된다. 미세 홀(32)은 마이크로 스케일의 미세 요철을 따라 형성된다. 미세 홀(32)의 직경과 깊이는 전해액의 농도, 인가 전압의 세기 또는 식각 시간 등을 조절하여 용이하게 제어할 수 있다.Referring to FIG. 9, as the anodic oxidation process is performed, an
나노 스케일의 미세 홀(32)은 플라즈마 식각으로 친수성이 강화된 금속 기재(22)의 표면에서 접촉각을 더욱 작게하여 친수성을 극대화하는 기능을 한다. 따라서 본 실시예의 금속 기재(22)는 마이크로 스케일과 나노 스케일이 혼합된 듀얼 스케일의 요철 구조에 의해 친수성 증대 효과를 얻을 수 있으며, 극친수성 표면을 가진다.The nano-scale fine hole 32 serves to maximize the hydrophilicity by making the contact angle smaller on the surface of the
본 실시예에서 미세 홀(32)은 20nm 내지 200nm의 범위에 속하는 직경을 가질 수 있으며, 5 이상 50 이하의 범위에 속하는 종횡비를 가질 수 있다. 미세 홀(32)의 직경이 큰 경우에는 작은 종횡비로도 친수성이 발휘되지만, 종횡비가 5 미만이면 친수성이 약화되므로, 미세 홀의 종횡비(32)는 5 이상이 바람직하다. 미세 홀(32)의 직경이 작은 경우에는 종횡비가 클수록 친수성이 잘 발휘되지만, 종횡비가 50을 초과하여도 친수성은 크게 개선되지 않으므로, 공정 시간 등을 고려할 때 미세 홀(32)의 종횡비는 50 이하가 바람직하다.In the present embodiment, the fine holes 32 may have a diameter in a range of 20 nm to 200 nm, and may have an aspect ratio in a range of 5 or more and 50 or less. When the diameter of the fine holes 32 is large, hydrophilicity is exhibited even at a small aspect ratio. However, when the aspect ratio is less than 5, the hydrophilicity is weakened. Therefore, the aspect ratio 32 of the fine holes is preferably 5 or more. In the case where the diameter of the fine holes 32 is small, hydrophilicity is exhibited better as the aspect ratio is larger. However, even when the aspect ratio exceeds 50, the hydrophilicity is not significantly improved. Therefore, the aspect ratio of the fine holes 32 is 50 or less in consideration of the process time. Is preferred.
도 10은 도 1의 제2 단계를 거친 금속 기재의 표면을 나타낸 전자 현미경 사진이고, 도 11은 도 10에 나타낸 금속 기재의 표면에 물방울을 떨어뜨려 접촉각을 실험한 결과를 나타낸 사진이다. 참고로, 도 11에서 금속 기재 위에 떠 있는 수직 막대는 물방울을 떨어뜨리는데 사용된 실험 도구이다.FIG. 10 is an electron micrograph showing a surface of the metal substrate subjected to the second step of FIG. 1, and FIG. 11 is a photograph showing a result of experiments on contact angles by dropping water droplets on the surface of the metal substrate shown in FIG. 10. For reference, the vertical bar floating on the metal substrate in FIG. 11 is an experimental tool used to drop water droplets.
도 10에 나타낸 금속 기재의 양극 산화 조건은 다음과 같다.The anodic oxidation conditions of the metal substrate shown in FIG. 10 are as follows.
① 전해액: 0.3몰 농도의 옥살산① Electrolyte: Oxalic acid with 0.3 molarity
② 금속 기재와 상대 전극에 인가된 정전압: 40V② Constant voltage applied to metal base and counter electrode: 40V
③ 전해액 온도: 15℃ ③ electrolyte temperature: 15 ℃
④ 공정 시간: 10시간④ Process time: 10 hours
도 10과 도 11을 참고하면, 금속 기재의 표면에는 양극 산화 공정에 의해 나노 스케일의 미세 홀이 형성되며, 양극 산화 공정이 완료된 금속 기재는 거의 0에 근접한 접촉각을 나타낸다.Referring to FIGS. 10 and 11, nano-scale micro holes are formed on the surface of the metal substrate by an anodizing process, and the metal substrate on which the anodic oxidation process is completed shows a contact angle close to zero.
전술한 바와 같이, 본 실시예의 금속 기재(22)는 플라즈마 식각에 의한 마이크로 스케일의 미세 요철(24) 및 양극 산화에 의한 나노 스케일의 미세 홀(32)을 동시에 구비함에 따라, 접촉각이 10° 이하인 극친수성 표면을 가진다. 이러한 금속 기재(22)는 액체의 흘러내림 특성을 높여야 하는 각종 기계 부품에 사용되며, 예를 들어 열교환기의 핀 등에 적용될 수 있다.As described above, the
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, Of course.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 극친수성 표면 가공 방법을 나타낸 공정 순서도이다.1 is a process flow chart showing an extremely hydrophilic surface processing method according to an embodiment of the present invention.
도 2는 플라즈마 식각 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view of a plasma etching apparatus.
도 3은 도 1의 제1 단계를 거친 금속 기재의 표면을 개략적으로 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view schematically illustrating a surface of the metal substrate that has passed through the first step of FIG. 1.
도 4는 플라즈마 식각 전 금속 기재의 표면을 나타낸 전자 현미경 사진이다.4 is an electron micrograph showing the surface of the metal substrate before plasma etching.
도 5는 도 4에 나타낸 금속 기재의 표면에 물방울을 떨어뜨려 접촉각을 실험한 결과를 나타낸 사진이다.5 is a photograph showing the results of experiments on contact angles by dropping water droplets on the surface of the metal substrate shown in FIG. 4.
도 6은 도 1의 제1 단계를 거친 금속 기재의 표면을 나타낸 전자 현미경 사진이다.6 is an electron micrograph showing the surface of the metal substrate subjected to the first step of FIG. 1.
도 7은 도 6에 나타낸 금속 기재의 표면에 물방울을 떨어뜨려 접촉각을 실험한 결과를 나타낸 사진이다.7 is a photograph showing the results of experiments on contact angles by dropping water droplets on the surface of the metal substrate shown in FIG. 6.
도 8은 양극 산화 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.8 is a schematic cross-sectional view of the anodic oxidation apparatus.
도 9는 도 1의 제2 단계를 거친 금속 기재의 표면을 개략적으로 나타낸 단면도이다.FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the surface of the metal substrate that has passed through the second step of FIG. 1.
도 10은 도 1의 제2 단계를 거친 금속 기재의 표면을 나타낸 전자 현미경 사진이다.FIG. 10 is an electron micrograph showing the surface of the metal substrate subjected to the second step of FIG. 1.
도 11은 도 10에 나타낸 금속 기재의 표면에 물방울을 떨어뜨려 접촉각을 실험한 결과를 나타낸 사진이다.11 is a photograph showing the results of experiments on contact angles by dropping water droplets on the surface of the metal substrate shown in FIG. 10.
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