KR101040566B1 - 정전기 제거용 모듈 바 - Google Patents

Abstract

본 발명은 테프론 자재 위에 코로나 방전을 위한 동박의 방전침을 가공하고 이에 고전압(펄스 교류)을 인가하여 코로나 방전을 일으켜 음이온과 양이온을 발생시킴으로써 종래기술과는 다수의 방전침을 일일이 교체하지 않아도 되므로 비용손실을 최대한으로 줄일 수 있고, 방전침을 교체하는 과정에서 일어날 수 있는 2차 오염을 없앨 수 있는 정전기 제거용 모듈 바에 관한 것으로,

그 구성은 고전압을 인가시켜 정전기 제거를 위한 음이온과 양이온을 동시에 발생시키는 정전기 제거용 모듈 바에 있어서, 바 형상의 테프론 자재; 상기 테프론 자재(10)의 한 면에 동박으로 형성되어 음이온 및 양이온 발생을 위한 고전압이 인가되는 고전압 입력단; 및 상기 테프론 자재의 다른 한 면에 길이방향으로 일정간격을 두고 동박으로 형성되고 상기 고전압 입력단과 전기적으로 접속되며, 고전압 인가시 정전기 제거를 위한 음이온 및 양이온을 발생시키는 다수의 방전 침으로 구성된 것을 특징으로 한다.

LCD, PDP, LED, OLED, 반도체 도장, 포장, 전자제품생산라인.

Description

정전기 제거용 모듈 바{Module bar for cleaning static electricity}

본 발명은 정전기 제거용 모듈 바에 관한 것이다. 특히 본 발명은 LCD, PDP, LED, OLED 등과 같은 디스플레이산업이나 반도체 도장, 포장 및 전자제품 생산라인 등에서 발생하는 정전기를 제거시키고 ESD(Electrostatic Dischange)로부터 LCD, PDP, LED, OLED 등과 같은 제품을 보호하기 위한 정전기 제거용 모듈 바에 관한 것이다.

일반적으로 LCD, PDP, LED, OLED 등과 같은 디스플레이산업이나 반도체 도장, 포장 및 전자제품 생산라인 등에서는 정전기가 발생한다. 정전기로 인하여 LCD, PDP, LED, OLED 등과 같은 전자부품의 고장 및 성능 불안정상태를 일으킬 우려가 있으며, 전자제품뿐만 아니라 인체에도 악영향을 미치기 때문에 정전기를 제거해야 하는데, 일반적으로 대전물체에 정전기가 모두 제거되지 않고 많은 잔류 정전기를 갖는다. 대전물체에 가능한 잔류 정전기가 남아있지 않도록 모든 정전기를 제거하는 것이 바람직하다.

상기와 같이 LCD, PDP, LED, OLED 등과 같은 전자제품의 정전기를 제거하기 위하여 종래에는 대전물체 근처에 방전침(제전침)을 배치시키고, 이 방전침에 고압을 인가하여 양이온 및 음이온을 동시에 발생시키고, 이 이온들을 후방에서 바람을 불어주어 양이온과 음이온이 대전물체에 접촉되도록 하여 정전기를 제거하는데, 이때 이용되는 것이 이온 블로워이다.

일반적인 정전기 제거용 이온 블로워 작동회로는 대략 낮은 DC전압(12V)을 승압하여 각각의 높은 DC전압(6KV,-6KV)으로 출력하는 고전압 발생부, 그리고 고전압 발생부로부터 고전압을 인가받아 코로나방전을 일으켜 양이온과 음이온을 발생하는 다수의 방전침으로 구성되어 있다. DC전압 6KV의 고전압을 인가받은 방전침에서는 양이온을 발생하고 DC전압 -6KV의 고전압을 인가받은 방전침에서는 음이온을 발생한다.

상기한 바와 같인 음이온과 양이온을 발생시키는 통상의 방전침은 환형의 침 설치부에 일정간격으로 설치되어 있으며, 방전침에서 발생된 양이온과 음이온은 그 후방에서 설치된 블로워의 팬의 작동에 의하여 전방의 대전물체로 이동하여 대전물체에서 발생한 정전기와 반응하여 정전기를 제거한다. 대전물체에서 발생하는 정전기의 특성에 따라 양전기가 대전되어 있는 경우에는 음이온이 반응하고 음전기가 대전되어 있는 경우에는 양이온이 반응한다.

그러나 상기한 바와 같은 종래의 정전기 제거용 이온 블로워에서는 제전효율을 높이기 위해 환형의 침 설치부에 일정간격을 두고 설치된 낱개의 오염된 방전침을 주기적으로 교체해 주어야 하는데, 방전침이 침 설치부에 낱개로 분리 결합 가 능하도록 구성되어 있어 많은 시간과 비용 및 인력이 투입되는 문제점이 있다. 또한 작업자가 여러 번의 수작업으로 방전침을 분리하고 결합해야 하므로 긴 시간 사용으로 오염된 방전침(제전침)을 교체하는 과정에서 또 다른 2차 오염이 발생할 우려가 있다.

상기한 바와 같은 종래의 정전기 제거용 이온 블로워에서 발생하는 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 낱개의 방전침의 주기적인 교체로 인한 비용손실을 최소한으로 줄이고, 장기간 사용으로 오염된 방전침을 교체하는 과정에서 일어날 수 있는 2차 오염을 없앨 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.

또한 본 발명은 하나의 테프론 자재 위에 다수의 방전침을 형성시켜 정전기 제거용 모듈 바의 제작이 용이하고 제작비용과 이를 유지관리하는 인력과 비용을 최소한으로 줄일 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은 정전기 제거용 모듈 바는, 고전압을 인가시켜 정전기 제거를 위한 음이온과 양이온을 동시에 발생시키는 정전기 제거용 모듈 바에 있어서, 바 형상의 테프론 자재; 상기 테프론 자재의 한 면에 동박으로 형성되어 음이온 및 양이온 발생을 위한 고전압이 인가되는 고전압 입력단; 및 상기 테프론 자재의 다른 한 면에 길이방향으로 일정간격을 두고 동박으로 형성되고 상기 고전압 입력단과 전기적으로 접속되며, 고전압 인가시 정전기 제거를 위한 음이온 및 양이온을 발생시키는 다수의 방전 침;을 포함하는 정전기 제거용 모듈 바를 제공한다.

이때, 본 발명의 부가적인 특징에 따르면, 상기 테프론 자재는 2.0T의 테프론(teflon)층과 폴리마이드(polymide)층, 3.2T의 테프론층, 폴리마이드층, 2.0T의 테프론층이 순차적으로 적층된 구조를 가지는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 부가적인 특징에 따르면, 상기 다수의 방전침은 동박의 연결 패턴에 의해 전기적으로 일체로 연결되고, 상기 연결 패턴은 상기 테프론 자재를 상하로 관통하는 관통홀에 의해 고전압 입력단에 전기적으로 연결되는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 부가적인 특징에 따르면, 상기 다수의 방전침은 코로나 방전으로 음이온 및 양이온을 발생시키기 위해 삼각형 형상을 가지는 것이 바람직하다.

따라서 본 발명에 의하면, 본 발명은 테프론 자재 위에 코로나 방전을 위한 동박을 가공하고 이에 고전압(펄스 교류)을 인가하여 음이온과 양이온을 발생시킴으로써 종래기술에서 방전침의 주기적인 교체로 인한 비용손실을 최소한으로 줄일 수 있고, 방전침을 교체하는 과정에서 일어날 수 있는 2차 오염을 없앨 수 있는 효 과가 있다.

또한 본 발명은 바 형상의 하나의 테프론 자재 위에 다수의 방전침을 패턴형태로 형성함으로써 정전기 제거용 모듈 바의 제작이 용이하고 정전기 제거용 모듈 바의 제작비용과 이를 유지관리하는 인력과 비용을 최소한으로 줄일 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명에 의한 정전기 제거용 모듈 바를 보인 사시도이고, 도 2는 본 발명에 의한 정전기 제거용 모듈 바를 보인 저면 사시도이며, 도 3은 도 1 및 도 2에 개시된 정전기 제거용 모듈 바 중 고전압 입력단(20)이나 방전침(30)이 형성되지 않은 상태의 테프론 자재(10)의 구조를 보인 분해 사시도이다.

본 발명에 의한 정전기 제거용 모듈 바는 도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 도시되지 않은 고전압 발생기로부터 인가되는 고전압에 의해 코르나 방전을 일으켜 정전기 제거를 위한 음이온과 양이온을 동시에 발생시키기 위한 것으로서 PCB(Printed Circuit Board) 즉, 전기가 통하지 않는 재질로 제작된 테프론 자재(10)와, 이의 한쪽 면에 전도체 동박으로 형성된 고전압 입력단(20) 그리고 다른 한쪽 면에 형성된 다수의 방전침(30)으로 구성된다. 상기 고전압 입력단(20)과 다수의 방전침(30)은 PCB를 제작하는 과정 중 패턴을 형성하는 통상의 방법에 의해 형성될 수 있다. 물론, 고전압 입력단(20)과 다수의 방전침(30)의 패턴이 고전압 인가에 대처할 수 있고 코르나 방전에 유리한 형상이나 모양을 가져야 함은 당연하다.

상기 정전기 제거용 모듈 바의 뼈대가 되는 판 형상의 테프론 자재(10)는 여러 층의 테프론(11)(13)(15)층과 폴리마이드(12)(14)층이 적층된 구조를 가지는 것으로서 고압을 이겨낼 수 있도록 하기 위해, 정전기 제거용 모듈 바의 전체 두께가 7.2T를 가지도록 하기 위해, 2.0T의 테프론(teflon)(11)층과 폴리마이드(polymide)(12)층, 3.2T의 테프론(13)층, 폴리마이드(14)층, 2.0T의 테프론(15)층이 순차적으로 적층된 구조를 갖는다.

위와 같이 순차적으로 적층된 2.0T의 테프론(teflon)(11)층과 폴리마이드(polymide)(12)층, 3.2T의 테프론(13)층, 폴리마이드(14)층, 2.0T의 테프론(15)층은 통상의 PCB 제작과정에서와 같이 외부로부터 가해지는 열과 압력에 의해 일체형으로 성형된다.

여기서, 본 발명에 의한 정전기 제거용 모듈 바는, 판 형상으로 제작된 자재를 분할하여, 이에 고전압 입력단(20)과 방전침(30)을 형성하여 낱개의 정전기 제거용 모듈 바를 제작하거나 혹은 처음부터 바 형상으로 제작되지 않고 판 형상의 자재에 다수의 고전압 입력단(20)과 방전침(30)을 형성한 후 이를 분할하여 각각의 정전기 제거용 모듈 바를 제작할 수도 있다.

상기 테프론 자재(10)의 한 면에는 넓은 면적의 고전압 입력단(20)이 동박으로 형성되어 있는데, 이는 음이온 및 양이온 발생을 위한 펄스 교류(내압) 즉, 고 전압이 인가되는 고전압 입력단이다. 또한 테프론 자재(10)의 다른 한 면에는 다수의 방전침(30)이 동박으로 테프론 자재(10)의 길이방향을 따라 일정간격을 두고 형성되어 있는데, 이는 고전압 입력단(20)과 전기적으로 접속된 것으로서 고전압 인가시 코르나 방전을 일으켜 정전기 제거를 위한 음이온 및 양이온을 발생시키는 역할을 한다.

또한 다수의 방전침(30)은 동박의 연결 패턴(31)에 의해 전기적으로 일체로 연결되어 있고, 이 연결 패턴(31)은 테프론 자재(10)를 상하로 관통하는 관통홀(16)에 의해 고전압 입력단(20)에 전기적으로 연결되어 있다. 다시 말해, 별도의 배선없이 고전압 입력단(20)을 통해 인가되는 고전압이 관통홀(16)을 통해 다수의 방전침(30)에 가해지게 된다.

여기서, 관통홀(16)은 전기가 통하는 특성을 가지는 것으로서 이는 PCB의 제작과정에서와 마찬가지로 테프론 자재(10)에 홀을 형성하고 이에 각종 패턴과 함께 구리 등의 재질을 도금하거나 구리 등의 도체로 이루어진 별도의 링을 꼽아 제작할 수 있다.

특히, 연결패턴(31)과 전기적으로 일체로 연결되어 있는 다수의 방전침(30)은 도시되지 않은 고전압 발생기로부터의 고전압에 의한 효율적인 코르나 방전과 외부공기와의 접촉 등을 위해 종래의 방전침과 마찬가지로 삼각형 형상 등과 같이 뽀죡한 형상을 갖는다.

또한 본 발명은 테프론 자재(10) 표면에 절연을 위한 절연물질을 코팅할 수 있다. 물론, 표면 중 고전압 입력단(20)과 같이 외부와의 전기적인 접촉이 필요로 하는 부분을 제외되어야 함은 당연하다.

상기한 바와 같은 구조의 정전기 제거용 모듈 바를 이용하여 정전기를 제거하는 과정을 설명한다.

먼저, 정전기 제거를 위한 대상이 되는 LCD, PDP, LED, OLED 등과 같은 디스플레이산업이나 반도체 도장, 포장 및 전자제품 생산라인의 설비에 정전기 제거용 모듈 바를 설치한 후 종래의 기술에서와 마찬가지로 도시되지 않은 고전압 발생기로부터 출력되는 고전압을 고전압 입력단(20)에 가하면, 이 고전압은 고전압 입력단(20)과 관통홀(16) 그리고 연결 패턴(31)을 통해 다수의 방전침(30)에 가해지면서 방전침(30)에서 코르나 방전이 일어나 정전기 제거를 위한 음이온과 양이온이 발생하게 된다.

그 일 예로서 고전압 발생기로부터 공급되는 고전압은 제1 펄스전압인 경우에는 0V와 6KV이며, 제2 펄스전압인 경우에는 -6KV와 0V이다. 정(+)의 고전압이 인가된 방전침(30)에서는 코로나방전에 의하여 양이온이 발생하고 부(-)의 고전압이 인가된 방전침(30)에서는 코로나방전에 의하여 음이온이 발생된다.

이렇게 발생된 양이온과 음이온은 도시되지 않은 블로워 등에 의해 대전물체에 대전물체에서 발생한 정전기와 반응한다. 대전물체에 양(+)의 정전기가 대전되어 있는 경우에는 음이온과 반응하고 음(-)의 정전기가 대전되어 있는 경우에는 양이온과 반응한다.

이때 바 형태의 테프론 자재(11) 즉, PCB에 형성된 방전침(30)에서 코로나 방전을 일으켜 양이온 또는 음이온을 발생할 때 탄화물이 발생하여 방전침(30)에 조금씩 부착하게 되는데 방전침(30)이 장기간 코로나 방전을 일으키면 탄화물이 방전침(30)에 많이 부착하여 방전침(30)에서 양이온 또는 음이온의 발생량이 적어져 대전물체의 제전효율이 떨어지게 되는데, 종래에는 각 방전침이 개별적으로 구성되어 있어 방전침 하나하나를 일일이 청소해야 했지만, 하나의 테프론 자재(11)에 형성된 방전침(30)에 한번에 청소할 수 있어, 방전침(30)의 제전효율이 떨어지지 않도록 유지관리하는데 간편하다.

이상에서와 같이 본 발명은 정전기 제거용 모듈 바를 이용하여 LCD, PDP, LED, OLED 등과 같은 디스플레이산업이나 반도체 도장, 포장 및 전자제품 생산라인 등에서 발생하는 정전기를 제거할 수 있다.

더 나아가서 본 발명에 의한 정전기 제거용 모듈 바는 하나하나의 방전침을 개별적으로 청소해야 하는 종래기술과는 달리 PCB에 형성된 방전침에 부착되는 각종 이물질 등을 한번에 간편하고 신속하게 제거할 수 있으며, 일정기간마다 자동으로 방전침을 청소할 수 있으므로 항상 방전침을 깨끗하게 유지하여 정전기 제거장치의 제전효율을 양호하게 유지시킬 수 있는 효과가 있다.

이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예들에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.

도1 및 도2는 본 발명에 의한 정전기 제거용 모듈 바의 사시도이다.

도 3은 도1 및 도2에 개시된 테프론 자재의 구조를 보인 분해 사시도이다.

- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

10 : 테프론 자재 11, 13, 15 : 테프론

12, 14 : 폴리마이드 16 : 관통홀

20 : 고전압 입력단 30 : 방전침

31 : 연결 패턴 32 : 절연층

Claims (4)

1. 고전압을 인가시켜 정전기 제거를 위한 음이온과 양이온을 동시에 발생시키기 위해 바 형상의 테프론 자재(10); 상기 테프론 자재(10)의 한 면에 동박으로 형성되어 음이온 및 양이온 발생을 위한 고전압이 인가되는 고전압 입력단(20); 및 상기 테프론 자재(10)의 다른 한 면에 길이방향으로 일정간격을 두고 동박으로 형성되고 상기 고전압 입력단(20)과 전기적으로 접속되며, 고전압 인가시 정전기 제거를 위한 음이온 및 양이온을 발생시키는 다수의 방전 침(30);으로 구성된 정전기 제거용 모듈 바에 있어서,

   상기 테프론 자재(10)는 2.0T의 테프론(teflon)(11)층과 폴리마이드(polymide)(12)층, 3.2T의 테프론(13)층, 폴리마이드(14)층, 2.0T의 테프론(15)층이 순차적으로 적층된 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 정전기 제거용 모듈 바.
2. 삭제
3. 제1항에 있어서,

   상기 다수의 방전침(30)은 동박의 연결 패턴(31)에 의해 전기적으로 연결되고, 상기 연결 패턴(31)은 상기 테프론 자재(10)를 상하로 관통하는 관통홀(16)에 의해 고전압 입력단(20)에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 정전기 제거용 모듈 바.
4. 삭제

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